JPH10125755A - Wafer flatness measuring mechanism - Google Patents

Wafer flatness measuring mechanism

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JPH10125755A
JPH10125755A JP29804596A JP29804596A JPH10125755A JP H10125755 A JPH10125755 A JP H10125755A JP 29804596 A JP29804596 A JP 29804596A JP 29804596 A JP29804596 A JP 29804596A JP H10125755 A JPH10125755 A JP H10125755A
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JP
Japan
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wafer
fixed
rotor
clamped
flatness
Prior art date
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Application number
JP29804596A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Ishimori
英男 石森
Teruaki Tokutomi
照明 徳冨
Noritake Shizawa
礼健 志澤
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To measure the distance between the front and back surfaces of a wafer clamped, without straining it by smoothly rotating it an a high speed. SOLUTION: The flatness measuring mechanism 10 comprises a wafer rotator 4 and distance meter part 5. The rotator 4 comprises a cylindrical motor 41 and support to support its rotor 412 through an air bearing 424 and the distance meter part 5 has two optical distance meters 52a, 52b corresponding to both surfaces of the wafer 1 to measure the distances from both surfaces by moving the motor 41 to spirally scan the surfaces of the wafer 1. Clamp claws 414 clamp the wafer 1, without straining it, through balls K inserted in a fixed piece 4141 and pressing piece 4142 such that the wafer is pointpressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ウエハのフラッ
トネスを測定するための機構に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mechanism for measuring flatness of a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の素材のシリコンなどのウエハ
は、その表面に凹凸が存在すると、形成された半導体の
品質に悪影響を及ぼすので、フラットネス検査装置によ
り凹凸量を測定してその良否が検査されている。図4
は、当初使用されたフラットネス検査装置の構成を示
す。被検査のウエハ1は、半導体が形成される表面1a
を上側とし、その裏面1bの中心部を回転機構2の吸着
ヘッド21にエア吸着して回転される。これに対して測距
部3の光学式の測距器31が、キャリッジ機構32によりウ
エハ1の半径Rの方向に移動して表面1aをスパイラル
状に走査し、各走査点の距離が順次に測定され、各測定
データは凹凸量算出回路33に入力して凹凸量が算出さ
れ、全面における凹凸量が基準値以下のとき、ウエハ1
はフラットネスが良好と判定され、基準値を越える凹凸
量があるときは不良と判定され、それぞれOKまたはN
Gの信号が出力される。
2. Description of the Related Art A wafer made of semiconductor material such as silicon has irregularities on its surface, which adversely affects the quality of the formed semiconductor. Therefore, the quality of the semiconductor is inspected by measuring the amount of irregularities using a flatness inspection device. Have been. FIG.
Shows the configuration of the flatness inspection device used initially. The wafer 1 to be inspected has a surface 1a on which a semiconductor is formed.
Is turned to the upper side, and the center of the back surface 1b is rotated by suctioning air to the suction head 21 of the rotation mechanism 2. On the other hand, the optical distance measuring device 31 of the distance measuring unit 3 is moved in the direction of the radius R of the wafer 1 by the carriage mechanism 32 to scan the surface 1a in a spiral shape, and the distance of each scanning point is sequentially reduced. The measured data are input to the unevenness amount calculating circuit 33 to calculate the unevenness amount. When the unevenness amount on the entire surface is equal to or less than the reference value, the wafer 1
Is determined as having good flatness, and when there is an unevenness amount exceeding the reference value, it is determined to be defective, and OK or N is determined, respectively.
The G signal is output.

【0003】上記の検査装置にはいくつかの欠点があ
る。まず、ウエハ1のサイズが吸着ヘッド21に比較して
ある程度以上に大きくなるとウエハ1は自重のために湾
曲するので、測距器31により表面1aまでの距離を測定
しても、これが凹凸量を正確には示さない。正確に測定
するには、表面1aと裏面1bに対してそれぞれ測距器
31を設けて両面の各距離を測定し、両測距器31の間隔と
両面の各距離の差分を求めると凹凸量がえられる。しか
し裏面1b側には吸着ヘッド21があるため測距器31を設
けることはできない。強いて云えば、吸着ヘッド21の部
分を測定するときこれを待避する考えもあるが、待避す
るとウエハ1の回転が不可能となるので、この考えは実
行できない。また、ある程度以上のサイズ、例えば12
インチのウエハは、裏面1bも非接触が要求されるので
裏面吸着方式そのものが不適当である。
[0003] The inspection apparatus described above has several disadvantages. First, when the size of the wafer 1 becomes larger than the suction head 21 to some extent or more, the wafer 1 bends due to its own weight. Not exactly shown. For accurate measurement, a distance measuring device must be used for the front surface 1a and the back surface 1b.
The distance between the two distance measuring devices 31 and the difference between the distances on both sides are obtained by measuring the respective distances on both sides with the provision of 31 to obtain the amount of unevenness. However, since the suction head 21 is provided on the back surface 1b side, the distance measuring device 31 cannot be provided. In other words, there is a method of evacuating the suction head 21 when measuring the portion thereof. However, if the evacuating makes the rotation of the wafer 1 impossible, this idea cannot be executed. In addition, a certain size or more, for example, 12
For an inch wafer, the back surface 1b is also required to be in non-contact, so that the back surface suction method itself is inappropriate.

【0004】図5は上記の各欠点を解決する一案とし
て、回転機構2’と測距部3’を有する検査装置を示
す。回転機構2’は、裏面1bに抵触しないようにウエ
ハ1の外周エッジの全周をクランプリング22でクランプ
し、クランプリング22の外周に結合したギヤ23をモータ
(M)24により回転する方式であり、測距部3’は、ウ
エハ1の表面1aと裏面1bに対応する一定の間隔の2
個の測距器31a,31b を有し、これらにより両面の距離が
測定され、両測定データは凹凸量算出回路33により前記
した差分が算出されて凹凸量がえられるとするものであ
る。
FIG. 5 shows an inspection apparatus having a rotating mechanism 2 'and a distance measuring unit 3' as one solution for solving the above-mentioned drawbacks. The rotation mechanism 2 ′ clamps the entire circumference of the outer peripheral edge of the wafer 1 with a clamp ring 22 so as not to contact the back surface 1 b, and rotates a gear 23 connected to the outer circumference of the clamp ring 22 by a motor (M) 24. The distance measuring unit 3 ′ has two fixed distances corresponding to the front surface 1 a and the back surface 1 b of the wafer 1.
It is assumed that the distance measuring devices 31a and 31b are used to measure the distance between both surfaces, and the difference between the two measurement data is calculated by the unevenness amount calculating circuit 33 to obtain the unevenness amount.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記の回転機構2’は
原理的には成立するが実用には難点がある。すなわち、
フラットネスの検査時間を短縮するためにウエハ1は高
速回転、例えば3000rpmで回転されるが、上記の
ギヤ23とモータ24の方式では、クランプリング22をこの
ような高速度で安定・円滑に回転することは困難であ
る。なおクランプされたウエハ1に歪みが生じないこと
も必要である。この発明は以上に鑑みてなされたもの
で、ウエハ1を歪みを生ずることなくクランプして円滑
に高速回転し、両面の距離を測定するフラットネス測定
機構を提供することを課題とする。
The above-mentioned rotating mechanism 2 'can be established in principle, but has problems in practical use. That is,
In order to reduce the flatness inspection time, the wafer 1 is rotated at a high speed, for example, 3000 rpm. In the above-described method of the gear 23 and the motor 24, the clamp ring 22 is rotated stably and smoothly at such a high speed. It is difficult to do. It is also necessary that no distortion occurs in the clamped wafer 1. The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a flatness measuring mechanism that clamps a wafer 1 without causing distortion, smoothly rotates at a high speed, and measures a distance between both surfaces.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明はウエハのフラ
ットネス測定機構であって、円筒状(以下シリンダ形)
の固定子と、固定子に嵌入されエアベアリングにより支
持された円筒状の回転子よりなり、ベースに固定された
固定板のガイド溝に沿って回転軸に対して直角方向に移
動するモータ(以下円筒状モータ)と、回転子の端面に
設けられ、被検査のウエハをクランプする複数のクラン
プ爪とを有するウエハ回転機構、およびクランプされた
ウエハの両面に対応して一定の間隔にベースに固定さ
れ、円筒状モータの移動によりウエハの表面と裏面とを
スパイラル状に走査して、それぞれの距離を測定する2
個の光学式測距器とにより構成される。上記の各クラン
プ爪は、それぞれの表面にボールが嵌入され、回転子の
端面に固定された固定片と、固定片に結合されてスプリ
ングにより付勢された押圧片よりなり、両ボールにより
ウエハを点押圧してクランプするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a flatness measuring mechanism for a wafer, which has a cylindrical shape.
And a motor (hereinafter referred to as a motor) that moves in a direction perpendicular to the rotation axis along a guide groove of a fixed plate fixed to a base, the cylindrical rotor being fitted into the stator and supported by an air bearing. A cylindrical motor), a wafer rotating mechanism having a plurality of clamp claws provided on an end face of a rotor and clamping a wafer to be inspected, and fixed to a base at a fixed interval corresponding to both surfaces of the clamped wafer Then, the front and back surfaces of the wafer are spirally scanned by the movement of the cylindrical motor to measure the respective distances.
And an optical distance measuring device. Each of the above-mentioned clamp claws has a fixed piece fixed to the end face of the rotor, and a pressing piece joined to the fixed piece and urged by a spring. It clamps by point pressing.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】上記のフラットネス測定機構にお
いては、ウエハ回転機構の円筒状モータは、円筒状の固
定子と、これに嵌入された円筒状の回転子よりなり、回
転子はエアベアリングにより支持されているので円滑に
高速回転できる。ウエハは回転子の端面に設けた複数の
クランプ爪によりクランプされる。ウエハの両面に対応
して一定間隔に固定された2個の光学式測距器は、円筒
状モータの移動によりウエハの表面と裏面とをそれぞれ
スパイラル状に走査する。円筒状モータは中空であるの
で、ウエハの裏面に対応する測距器にはなんらの支障が
なく、クランプされたウエハの両面の全面に対する距離
が両測距器によりそれぞれ測定され、両測定データと両
測距器の間隔との差分を算出して凹凸量がえられる。上
記の各クランプ爪によれば、ウエハは固定片と押圧片の
それぞれに嵌入されたボールにより点押圧されるので、
歪みが生ずることなくクランプされる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the above flatness measuring mechanism, the cylindrical motor of the wafer rotating mechanism comprises a cylindrical stator and a cylindrical rotor fitted therein, and the rotor is an air bearing. , Which enables smooth high-speed rotation. The wafer is clamped by a plurality of clamp claws provided on the end face of the rotor. Two optical distance measuring devices fixed at fixed intervals corresponding to both surfaces of the wafer respectively scan the front and back surfaces of the wafer in a spiral shape by moving a cylindrical motor. Since the cylindrical motor is hollow, there is no hindrance to the distance measuring device corresponding to the back surface of the wafer, and the distance to the entire surface of both sides of the clamped wafer is measured by both distance measuring devices. The difference between the distance between the two distance measuring devices is calculated to obtain the amount of unevenness. According to each of the clamp claws described above, the wafer is point-pressed by the balls fitted into the fixed piece and the pressing piece, respectively.
Clamped without distortion.

【0008】[0008]

【実施例】図1はこの発明の一実施例におけるフラット
ネス測定機構10の分解図、図2はフラットネス測定機
構10の断面図、図3はクランプ爪423 の構成図であ
る。図1において、フラットネス測定機構10はウエハ
回転機構4と測距部5(図2)とにより構成される。ウ
エハ回転機構4は、それぞれ円筒状をなす固定子411 と
回転子412 よりなる円筒状モータ41と、回転子412 に対
する支持部42よりなる。固定子411 は、2個の支持具41
13,4113により移動台4111に固定され、移動台4111は、
ベースBに固定された固定台4112のガイド溝Mに沿っ
て、図示しない駆動機構により矢印の方向に移動する。
回転子412 は、長さを固定子411 より長くして外周表面
の図示の2箇所に2個の段差リング413a,413b を設けて
両者の間にギャップGが形成される。また回転子412 の
端面に3個のクランプ爪414a,414b,414cを対称的に取り
付ける。支持部42は、両段差リング413a,413b の外径よ
り僅かに大きい内径を有するシリンダ421 と、その3箇
所に設けた取り付け具422a,422b,422c、および適当な箇
所に穿孔されたエア圧入孔423 よりなる。
FIG. 1 is an exploded view of a flatness measuring mechanism 10 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view of the flatness measuring mechanism 10, and FIG. 1, a flatness measuring mechanism 10 includes a wafer rotating mechanism 4 and a distance measuring unit 5 (FIG. 2). The wafer rotation mechanism 4 includes a cylindrical motor 41 including a cylindrical stator 411 and a rotor 412, and a support portion 42 for the rotor 412. The stator 411 has two support members 41.
The mobile platform 4111 is fixed to the mobile platform 4111 by 13, 4113.
It is moved in the direction of the arrow by a drive mechanism (not shown) along the guide groove M of the fixed base 4112 fixed to the base B.
The rotor 412 has a length longer than that of the stator 411, and is provided with two step rings 413a and 413b at two locations on the outer peripheral surface as shown in FIG. Also, three clamp claws 414a, 414b, 414c are symmetrically attached to the end face of the rotor 412. The support portion 42 includes a cylinder 421 having an inner diameter slightly larger than the outer diameter of the two step rings 413a, 413b, mounting members 422a, 422b, 422c provided at the three positions, and an air press-in hole formed at an appropriate position. Consists of 423.

【0009】ウエハ回転機構4の組立てにおいては、回
転子412 の段差リング413aの右側部分を固定子411 に嵌
入し、ついでシリンダ421 を両段差リング413a,413b に
嵌挿する。嵌挿されたシリンダ421 と両段差リング413
a,413b との間のギャップGに対して、金属またはグラ
ファイトの多孔質材を詰め込んだ後、シリンダ421 を各
取り付け具422a〜422cにより固定子411 の外周面にボル
ト固定する。ここでエア圧入孔433 より多孔質材に対し
てエアAを圧入するとエアベアリング424(図2)が形成
され、回転子412 はこれに支持されて円滑に高速回転で
きる。
In assembling the wafer rotating mechanism 4, the right side portion of the step ring 413a of the rotor 412 is fitted into the stator 411, and then the cylinder 421 is fitted into both step rings 413a and 413b. Inserted cylinder 421 and double step ring 413
After the metal or graphite porous material is filled into the gap G between the cylinders 421a and 413b, the cylinder 421 is bolted to the outer peripheral surface of the stator 411 by the fixtures 422a to 422c. Here, when air A is injected into the porous material through the air injection hole 433, an air bearing 424 (FIG. 2) is formed, and the rotor 412 is supported by the air bearing 424 and can smoothly rotate at high speed.

【0010】図2において、測距部5はベースBに立て
た2本の支持柱51a,51b と、それぞれの上端に取り付け
られ、ウエハ1の表面1aと裏面1bに対応して一定間
隔に固定された2個の光学式の測距器52a,52b よりな
る。図3において、各クランプ爪414 は、PINにより
互いに結合された固定片4141と押圧片4142よりなり、そ
れぞれの内表面にはボールKが嵌入され、各固定片4141
は回転子412 の端面に対称的に取付られ、押圧片4142は
スプリングSP により矢印の方向に付勢され、両者の間
に挿入されたウエハ1は付勢された両ボールKにより点
押圧されて、歪みが生ずることなくクランプされる。
In FIG. 2, a distance measuring unit 5 is attached to two support columns 51a and 51b erected on a base B and upper ends thereof, and is fixed at a fixed interval corresponding to the front surface 1a and the back surface 1b of the wafer 1. And two optical distance measuring devices 52a and 52b. In FIG. 3, each of the clamp claws 414 is composed of a fixed piece 4141 and a pressing piece 4142 which are connected to each other by a PIN.
Symmetrically mounted on the end face of the rotor 412, the pressing piece 4142 is urged in the direction of the arrow by a spring S P, the wafer 1 that is inserted between the two is the point pressed by the two balls K biased Thus, it is clamped without distortion.

【0011】再び図2において、クランプされたウエハ
1は、回転子412 とともに回転しながら円筒状モータ41
の移動により半径Rの方向に移動する。この回転と移動
するウエハ1は、ベースBに固定された両測距器52a,52
b により表面1aと裏面1bがそれぞれスパイラル状に
走査され、各走査点の距離がそれぞれ測定される。測定
された両データは、従来と同様に凹凸量算出回路33(図
5参照)により前記した差分が算出されて凹凸量がえら
れ、フラットネスの良否が判定される。
Referring again to FIG. 2, the clamped wafer 1 rotates with the rotor 412 while rotating the cylindrical motor 41.
Move in the direction of the radius R. The wafer 1 that rotates and moves is moved by two distance measuring devices 52a and 52a fixed to the base B.
The front surface 1a and the back surface 1b are respectively scanned spirally by b, and the distances between the respective scanning points are measured. The difference between the two measured data is calculated by the unevenness amount calculating circuit 33 (see FIG. 5) in the same manner as in the related art, and the unevenness amount is obtained, and the quality of the flatness is determined.

【0012】なお上記の実施例は、ウエハ回転機構4を
横型としてウエハ1を垂直方向にクランプしたものであ
るが、ウエハ回転機構4を縦型としてウエハ1を水平方
向にクランプする方式も可能であり、その場合は両測距
器52a,52b をこれに適合するように配置する。
In the above embodiment, the wafer rotating mechanism 4 is horizontal and the wafer 1 is clamped in the vertical direction. However, a method in which the wafer rotating mechanism 4 is vertical and the wafer 1 is clamped in the horizontal direction is also possible. Yes, in that case, the two distance measuring devices 52a and 52b are arranged so as to conform to this.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明のフラッ
トネス測定機構は、円筒状モータとエアベアリングを使
用することに着眼したもので、ウエハは各クランプ爪に
より点押圧されて歪みが生ずることなくクランプされ、
また回転子はエアベアリングに支持されてウエハを円滑
に高速回転し、2個の光学式測距器によりウエハの両面
の全面をスパイラル状に走査して、それぞれの距離を測
定するもので、測定データよりウエハの全面における凹
凸量が正確に算出され、フラットネス測定技術に寄与す
る効果には大きいものがある。
As described above, the flatness measuring mechanism of the present invention focuses on the use of a cylindrical motor and an air bearing. The wafer is point-pressed by each clamp claw to cause distortion. Without being clamped
The rotor is supported by air bearings and rotates the wafer smoothly at high speed. The two optical distance measuring devices scan the entire surface of both sides of the wafer in a spiral and measure each distance. The amount of unevenness on the entire surface of the wafer is accurately calculated from the data, and there is a great effect that contributes to the flatness measurement technique.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、この発明の一実施例におけるフラッ
トネス測定機構の分解図である。
FIG. 1 is an exploded view of a flatness measuring mechanism according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図2は、フラットネス測定機構の断面図であ
る。
FIG. 2 is a sectional view of a flatness measuring mechanism.

【図3】 図3は、クランプ爪の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a clamp claw.

【図4】 図4は、当初におけるフラットネス検査装置
の構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of an initial flatness inspection apparatus.

【図5】 図5は、フラットネス検査装置の一案の構成
図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of one proposal of a flatness inspection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ウエハ、1a…表面、1b…裏面、2…回転機構、
3…測距部、31,31a,31b…光学式測距器、32…キャリッ
ジ機構 33…凹凸量算出回路、4…ウエハ回転機構、41…円筒状
モータ、411 …円筒状固定子、4111…移動台、4112…固
定台、4113…支持板、412 …円筒状回転子、413a,413b
…段差リング、414a〜 414c …クランプ爪、4141…固定
片、4142…押圧片、42…支持部、421 …シリンダ、422a
〜422c…取付具、423 …エア噴射孔、424 …エアベアリ
ング、5…測距部、51a,51b …支持柱、52a,52b …光学
式測距器、10…この発明のフラットネス測定機構、B
…ベース、M…ガイド溝、G…ギャップ、K…ボール、
P …スプリング、R…ウエハの半径。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 1a ... Front surface, 1b ... Back surface, 2 ... Rotation mechanism,
Reference numeral 3 denotes a distance measuring unit, 31, 31a, 31b: an optical distance measuring device, 32: a carriage mechanism 33: an unevenness calculating circuit, 4: a wafer rotating mechanism, 41: a cylindrical motor, 411: a cylindrical stator, 4111 ... Moving table, 4112: Fixed table, 4113: Support plate, 412: Cylindrical rotor, 413a, 413b
… Step ring, 414a to 414c… clamp claw, 4141… fixing piece, 4142… pressing piece, 42… support, 421… cylinder, 422a
422c: mounting bracket, 423: air injection hole, 424: air bearing, 5: distance measuring unit, 51a, 51b: support column, 52a, 52b: optical distance measuring device, 10: flatness measuring mechanism of the present invention, B
... Base, M ... Guide groove, G ... Gap, K ... Ball,
SP : spring, R: radius of wafer.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】円筒状の固定子と、該固定子に嵌入されエ
アベアリングにより支持された円筒状の回転子よりな
り、ベースに固定された固定板のガイド溝に沿って回転
軸に対して直角方向に移動するモータと、該回転子の端
面に設けられ、被検査のウエハをクランプする複数のク
ランプ爪とを有するウエハ回転機構、および該クランプ
されたウエハの両面に対応して一定の間隔に前記ベース
に固定され、前記モータの移動により該ウエハの表面と
裏面とをスパイラル状に走査して、それぞれの距離を測
定する2個の光学式測距器とにより構成されたことを特
徴とする、ウエハのフラットネス測定機構。
The present invention comprises a cylindrical stator and a cylindrical rotor fitted in the stator and supported by an air bearing, and is arranged along a guide groove of a fixed plate fixed to a base with respect to a rotating shaft. A wafer rotating mechanism having a motor that moves in a right angle direction, a plurality of clamp claws provided on an end face of the rotator, and that clamps a wafer to be inspected, and a fixed interval corresponding to both surfaces of the clamped wafer And two optical distance measuring devices that scan the front and back surfaces of the wafer in a spiral manner by moving the motor and measure the respective distances. A wafer flatness measurement mechanism.
【請求項2】前記各クランプ爪は、それぞれの表面にボ
ールが嵌入され、前記回転子の端面に固定された固定片
と、該固定片に結合されてスプリングにより付勢された
押圧片よりなり、該両ボールにより前記ウエハを点押圧
してクランプすることを特徴とする、請求項1記載のウ
エハのフラットネス測定機構。
2. Each of the clamp claws includes a fixed piece fixed to an end face of the rotor, wherein a ball is fitted on a surface of the clamp claw, and a pressing piece joined to the fixed piece and urged by a spring. 2. The flatness measuring mechanism for a wafer according to claim 1, wherein the wafer is point-pressed and clamped by the two balls.
JP29804596A 1996-10-22 1996-10-22 Wafer flatness measuring mechanism Pending JPH10125755A (en)

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JP29804596A JPH10125755A (en) 1996-10-22 1996-10-22 Wafer flatness measuring mechanism

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002195823A (en) * 2000-12-26 2002-07-10 Tosoh Quartz Corp Flatness measuring device
JP2008145439A (en) * 2000-07-31 2008-06-26 Ade Corp Improvement in shape accuracy using new calibration method

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