JPH10125533A - Manufacture of inductance element and wireless terminal device - Google Patents

Manufacture of inductance element and wireless terminal device

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JPH10125533A
JPH10125533A JP27439496A JP27439496A JPH10125533A JP H10125533 A JPH10125533 A JP H10125533A JP 27439496 A JP27439496 A JP 27439496A JP 27439496 A JP27439496 A JP 27439496A JP H10125533 A JPH10125533 A JP H10125533A
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conductive film
base
groove
inductance element
oxide
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広実 崎田
Kazuhiro Takeda
和弘 竹田
Kenzou Isozaki
賢蔵 磯▲ざき▼
Sumio Tate
純生 楯
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of a Q-value and to improve productivity by removing an oxide generated after performing groove working. SOLUTION: A conductive film 12 is provided on a base 11 constituted by performing press working and extrusion on an insulating material. A conductive film 12 is fomred by a vapor deposition method or the like such as a plating method and a sputtering method. The base 11 and the conductive film 12 are provided with a groove 13. The groove 13 is formed by irradiating a conductive film 12 with laser beam or the like. Later, an oxide generated at the time of forming the groove 13 is removed. Now, the oxide is removed by physical etching. A protective material 14 is applied to the part where the groove 13 of the base 11 and the conductive 12 is provided. Thereby, a Q-value can be improved and fins can be prevented from fall off from an element.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信などの
電子機器に用いられ、特に高周波回路等に好適に用いら
れるインダクタンス素子の製造方法及び無線端末装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an inductance element and a wireless terminal device which are used in electronic equipment such as mobile communication, and particularly preferably used in high frequency circuits and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図17は従来のインダクタンス素子を示
す側面図である。図16において、1は四角柱状の基
台、2は基台1の上に形成された導電膜、3は導電膜2
に設けられた溝、4は導電膜2の上に積層された保護材
である。
2. Description of the Related Art FIG. 17 is a side view showing a conventional inductance element. 16, reference numeral 1 denotes a square pillar base, 2 denotes a conductive film formed on the base 1, and 3 denotes a conductive film 2.
The grooves 4 provided on the conductive film 2 are protective materials laminated on the conductive film 2.

【0003】この様な電子部品は、溝3の間隔などを調
整することによって、所定の特性に調整する。
[0003] Such electronic components are adjusted to predetermined characteristics by adjusting the interval between the grooves 3 and the like.

【0004】先行例としては、特開平7−307201
号公報,特開平7−297033号公報,特開平5−1
29133号公報,特開平1−238003号公報,実
開昭57−117636号公報,特開平5−29925
0号公報,特開平7−297033号公報等がある。
A prior example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-307201.
JP, JP-A-7-297033, JP-A-5-1
JP-A-29133, JP-A-1-238003, JP-A-57-117636, JP-A-5-29925
No. 0, Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-297033, and the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、Q値が非常に悪いものが作製されることが
頻繁に発生し、不良率が高く、生産性が非常に悪いこと
があった。
However, in the above-mentioned conventional configuration, a product having a very low Q value is frequently produced, resulting in a high defect rate and a very low productivity.

【0006】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、Q値劣化を防止でき、生産性が向上するインダクタ
ンス素子の製造方法及び無線端末装置を提供することを
目的とする。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an inductance element and a wireless terminal device which can prevent deterioration of a Q value and improve productivity.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、Q値劣化が、
溝加工等の際に生じる導電膜表面の酸化物等が原因であ
ることに着目し、溝加工を行った後に発生する酸化物を
除去する工程を有する。
According to the present invention, the Q value degradation is
Focusing on the fact that oxides and the like on the conductive film surface generated at the time of groove processing and the like are included, the method includes a step of removing oxides generated after performing groove processing.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、基台上
に導電膜を形成し、前記導電膜に溝を形成し、その後に
前記溝を形成する際に生じた酸化物を取り除く事によっ
て、Q値を向上させることができ、不良率が低減し生産
性が向上する。また、酸化物を取り除く際に、溝の縁に
形成されるバリ等も小さくすることができるので、時間
的経過にともなって、バリが素子から離脱することを防
止でき、特性変化等を起こすことはない。
According to the first aspect of the present invention, a conductive film is formed on a base, a groove is formed in the conductive film, and then an oxide generated when the groove is formed is removed. As a result, the Q value can be improved, the defect rate is reduced, and the productivity is improved. Also, when removing the oxide, burrs and the like formed at the edge of the groove can be reduced, so that it is possible to prevent the burrs from separating from the element over time and to cause a characteristic change or the like. There is no.

【0009】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、酸化物を物理的エッチングで取り除く事によって、
素子を濡らしたりすることないので、その後で素子乾燥
等の工程を省くことができ、生産性を向上させることが
できる。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the oxide is removed by physical etching.
Since the element is not wetted, steps such as element drying can be omitted thereafter, and productivity can be improved.

【0010】請求項3に記載の発明は、請求項1,2に
おいて、酸化物を取り除いた後に溝を覆うように保護材
を設けた事によって、酸化物を取り除いた後の比較的酸
化しやすい部分を保護できるので、耐候性を向上させる
ことができる。
According to a third aspect of the present invention, in the first and second aspects, the protective material is provided so as to cover the groove after removing the oxide, so that it is relatively easily oxidized after removing the oxide. Since the portion can be protected, weather resistance can be improved.

【0011】請求項4に記載の発明は、請求項1,2,
3において、溝を導電体にレーザ照射することによって
形成したことにより、容易に溝の間隔等の変更等がで
き、しかも溝の深さなども出力を変化させることで調整
できるので、非常に生産性が向上する。
[0011] The invention according to claim 4 is the invention according to claims 1, 2, and 3.
In 3, the grooves were formed by irradiating the conductor with a laser, so that the spacing between the grooves and the like can be easily changed, and the depth of the grooves can be adjusted by changing the output. The performance is improved.

【0012】請求項5に記載の発明は、四角柱状で中央
部に窪み部を設けた基台上に導電膜を形成し、前記窪み
部にレーザーを照射してスパイラル状の溝を前記導電膜
に形成し、前記レーザ加工によって生じた酸化物を取り
除き、前記溝を覆うように前記窪み部に保護材を形成す
ることによって、Q値を向上させることができ、不良率
が低減し生産性が向上する。また、酸化物を取り除く際
に、溝の縁に形成されるバリ等も小さくすることができ
るので、時間的経過にともなって、バリが素子から離脱
することを防止でき、特性変化等を起こすことはない。
また両端部の断面形状を正四角形状としているので、回
路基板等への装着性が良く、磁束がプリント基板と平行
で方向性が存在しないので、回路基板等に実装しやす
く、しかも保護材を設けているので、耐候性を向上させ
ることができる。
According to a fifth aspect of the present invention, a conductive film is formed on a base having a quadrangular prism shape and a concave portion provided in a central portion, and the spiral groove is formed by irradiating a laser to the concave portion. By removing the oxide generated by the laser processing and forming a protective material in the recessed portion so as to cover the groove, the Q value can be improved, the defective rate is reduced, and the productivity is reduced. improves. Also, when removing the oxide, burrs and the like formed at the edge of the groove can be reduced, so that it is possible to prevent the burrs from separating from the element over time and to cause a characteristic change or the like. There is no.
In addition, since the cross-sectional shape of both ends is a square shape, it is easy to mount on a circuit board etc., and the magnetic flux is parallel to the printed board and there is no directionality, so it is easy to mount on the circuit board etc. Since it is provided, weather resistance can be improved.

【0013】請求項6に記載の発明は、音声を音声信号
に変換する音声信号変換手段と、電話番号等を入力する
操作手段と、着信表示や電話番号等を表示する表示手段
と、音声信号を復調して送信信号に変換する送信手段
と、受信信号を音声信号に変換する受信手段と、前記送
信信号及び前記受信信号を送受信するアンテナと、各部
を制御する制御手段を備えた無線端末装置であって、受
信手段及び送信手段を構成するフィルタ回路やマッチン
グ回路を構成するインダクタンス素子として、請求項1
〜4いずれか1記載の製造方法で製造されたインダクタ
ンス素子を用いたことによって、高いQ値のインダクタ
ンス素子を搭載することができるので、性能がアップ
し、しかもノイズなどの発生を防止でき、しかもインダ
クタンス素子のバリの離脱による、時間的特性の劣化等
も抑えることができるので、安定した性能を長期間維持
することができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a voice signal converting means for converting a voice into a voice signal, an operating means for inputting a telephone number and the like, a display means for displaying an incoming call display, a telephone number and the like, and a voice signal. A wireless terminal device comprising: a transmitting unit that demodulates the signal into a transmission signal; a receiving unit that converts a reception signal into a voice signal; an antenna that transmits and receives the transmission signal and the reception signal; and a control unit that controls each unit. 2. An inductance element constituting a filter circuit or a matching circuit constituting a receiving means and a transmitting means.
The use of an inductance element manufactured by the manufacturing method according to any one of (1) to (4) allows mounting of an inductance element having a high Q value, so that performance is improved, and generation of noise and the like can be prevented. Deterioration of the temporal characteristics and the like due to detachment of the burr of the inductance element can be suppressed, so that stable performance can be maintained for a long time.

【0014】以下、本発明におけるインダクタンス素子
の製造方法及び無線端末装置の実施の形態について説明
する。
Hereinafter, embodiments of a method of manufacturing an inductance element and a wireless terminal device according to the present invention will be described.

【0015】図1,図2はそれぞれ本発明の一実施の形
態におけるインダクタンス素子を示す斜視図及び側面図
である。
FIGS. 1 and 2 are a perspective view and a side view, respectively, showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【0016】図1において、11は絶縁材料などをプレ
ス加工,押し出し法等を施して構成されている基台、1
2は基台11の上に設けられている導電膜で、導電膜1
2は、メッキ法やスパッタリング法等の蒸着法等によっ
て基台11上に形成される。13は基台11及び導電膜
12に設けられた溝で、溝13は、レーザ光線等を導電
膜12に照射することによって形成したり、導電膜12
に砥石等を当てて機械的に形成されている。14は基台
11及び導電膜12の溝13を設けた部分に塗布された
保護材、15,16はそれぞれ端子電極が形成された端
子部で、端子部15と端子部16の間には、溝13及び
保護材14が設けられている。なお、図2は、保護材1
4の一部を取り除いた図である。
In FIG. 1, reference numeral 11 denotes a base which is formed by subjecting an insulating material or the like to press working, extrusion, or the like.
Reference numeral 2 denotes a conductive film provided on the base 11.
2 is formed on the base 11 by an evaporation method such as a plating method or a sputtering method. Reference numeral 13 denotes a groove provided in the base 11 and the conductive film 12. The groove 13 may be formed by irradiating the conductive film 12 with a laser beam or the like.
Is mechanically formed by applying a grindstone or the like to the surface. Reference numeral 14 denotes a protective material applied to a portion of the base 11 and the conductive film 12 where the groove 13 is provided. Reference numerals 15 and 16 denote terminal portions on which terminal electrodes are formed, respectively. A groove 13 and a protection member 14 are provided. In addition, FIG.
FIG. 4 is a diagram in which part of FIG.

【0017】また、本実施の形態のインダクタンス素子
は、実用周波数帯域が1〜6GHzと高周波数域に対応
するとともに、50nH以下の微小インダクタンスを有
し、しかもインダクタンス素子の長さL1,幅L2,高
さL3は以下の通りとなっていることが好ましい。
The inductance element according to the present embodiment has a practical frequency band of 1 to 6 GHz, which corresponds to a high frequency range, has a small inductance of 50 nH or less, and has a length L1, width L2, and length L2 of the inductance element. The height L3 is preferably as follows.

【0018】L1=0.5〜1.1mm(好ましくは
0.6〜1.0mm) L2=0.2〜0.7mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L3=0.2〜0.7mm(好ましくは0.3〜0.6
mm) L1が0.5mm以下であると、自己共振周波数f0が
下がってしまうとともにQ値が低下してしまい、良好な
特性を得ることができない。また、L1が1.1mmを
超えてしまうと、素子自体が大きくなってしまい、電子
回路等が形成された基板など(以下回路基板等と略す)
回路基板等の小型化ができず、ひいてはその回路基板等
を搭載した電子機器等の小型化を行うことができない。
また、L2,L3それぞれが0.2mm以下であると、
素子自体の機械的強度が弱くなりすぎてしまい、実装装
置などで、回路基板等に実装する場合に、素子折れ等が
発生することがある。また、L2,L3が0.7mm以
上となると、素子が大きくなりすぎて、回路基板等の小
型化、ひいては装置の小型化を行うことができない。な
お、L4(段落ちの深さ)は5μm〜50μm程度が好
ましく、5μm以下であれば、保護材14の厚さ等を薄
くしなければならず、良好な保護特性等を得ることがで
きない。また、L4が50μmを超えると基台の機械的
強度が弱くなり、やはり素子折れ等が発生することがあ
る。
L1 = 0.5-1.1 mm (preferably 0.6-1.0 mm) L2 = 0.2-0.7 mm (preferably 0.3-0.6 mm)
mm) L3 = 0.2 to 0.7 mm (preferably 0.3 to 0.6 mm)
mm) When L1 is 0.5 mm or less, the self-resonant frequency f0 is lowered and the Q value is lowered, so that good characteristics cannot be obtained. Further, when L1 exceeds 1.1 mm, the element itself becomes large, and a substrate on which an electronic circuit or the like is formed (hereinafter abbreviated as a circuit substrate or the like)
It is not possible to reduce the size of a circuit board or the like, and thus it is impossible to reduce the size of an electronic device or the like on which the circuit board or the like is mounted.
When L2 and L3 are each 0.2 mm or less,
The mechanical strength of the element itself becomes too weak, and when the element is mounted on a circuit board or the like by a mounting device or the like, the element may be broken. On the other hand, if L2 and L3 are 0.7 mm or more, the elements become too large, and it is not possible to reduce the size of the circuit board and the like, and furthermore, the size of the device. Note that L4 (depth of step drop) is preferably about 5 μm to 50 μm, and if it is 5 μm or less, the thickness and the like of the protective material 14 must be reduced, and good protection characteristics and the like cannot be obtained. On the other hand, if L4 exceeds 50 μm, the mechanical strength of the base is weakened, which may also cause element breakage.

【0019】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下各部の詳細な説明をする。図3は導電膜
を形成した基台の断面図、図4(a)(b)はそれぞれ
基台の側面図及び底面図である。
With respect to the inductance element configured as described above, each part will be described in detail below. FIG. 3 is a cross-sectional view of a base on which a conductive film is formed, and FIGS. 4A and 4B are a side view and a bottom view of the base, respectively.

【0020】まず、基台11の形状について説明する。
基台11は、図3及び図4に示す様に、回路基板等に実
装しやすいように断面が四角形状の中央部11aと中央
部11aの両端に一体に設けられ、しかも断面が四角形
状の端部11b,11cによって構成されている。な
お、端部11b,11c及び中央部11aは断面四角形
状としたが、五角形状や六角形状などの多角形状でも良
い。中央部11aは端部11b,11cから段落ちした
構成となっている。本実施の形態では、端部11b,1
1cの断面形状を略正四角状とすることによって、回路
基板等へのインダクタンス素子を装着性を良好にした。
また、本実施の形態では中央部11aに横向きに溝13
を形成することによって、どのように回路基板等に実装
しても方向性が無いために、取り扱いが容易になる。ま
た、中央部11aには素子部(溝13や保護材14)が
形成されることとなり、端部11b,11cには端子部
15,16が形成される。
First, the shape of the base 11 will be described.
As shown in FIGS. 3 and 4, the base 11 is provided with a central portion 11a having a rectangular cross section and both ends of the central portion 11a so as to be easily mounted on a circuit board or the like. It is constituted by ends 11b and 11c. Although the end portions 11b and 11c and the central portion 11a have a rectangular cross section, they may have a polygonal shape such as a pentagonal shape or a hexagonal shape. The central portion 11a is configured to drop down from the end portions 11b and 11c. In the present embodiment, the end portions 11b, 1
By making the cross-sectional shape of 1c substantially square, the mountability of the inductance element to a circuit board or the like was improved.
Further, in the present embodiment, the groove 13 is provided laterally in the central portion 11a.
Is formed, there is no direction even if it is mounted on a circuit board or the like, so that the handling becomes easy. Further, an element portion (the groove 13 and the protective material 14) is formed in the central portion 11a, and terminal portions 15 and 16 are formed in the end portions 11b and 11c.

【0021】なお、本実施の形態では、中央部11a及
び端部11b,11cをともに略正四角形状としたが、
正五角形状等の正多角形状にしてもよい。さらに、本実
施の形態では、中央部11aと端部11c,11bそれ
ぞれの断面形状を正四角形というように同一にしたが、
異なっても良い。すなわち、端部11b、11cの断面
形状を正多角形状とし、中央部11aの断面形状を他の
多角形状としたり、円形状としても良い。中央部11a
の断面形状を円形とすることによって、良好に溝13を
形成することができる。
In this embodiment, the central portion 11a and the end portions 11b and 11c are both formed in a substantially square shape.
The shape may be a regular polygon such as a regular pentagon. Furthermore, in the present embodiment, the central section 11a and the end sections 11c and 11b have the same cross-sectional shape such as a regular square.
May be different. That is, the cross-sectional shape of the end portions 11b and 11c may be a regular polygonal shape, and the cross-sectional shape of the central portion 11a may be another polygonal shape or a circular shape. Central part 11a
The groove 13 can be formed satisfactorily by making the cross-sectional shape circular.

【0022】さらに、本実施の形態では、中央部11a
を端部11b,11cより段落ちさせることによって、
保護材14を塗布した際に、その保護材14と回路基板
等が接触することなどを防止していたが、特に保護材1
4の厚みや実装される回路基板等の状況(回路基板等の
実装される部分に溝が形成されていたり、回路基板等の
電極部が盛り上がっている等)によって、中央部11a
を段落ちさせなくてもよい。中央部11aを端部11
b,11cから段落ちさせないと、基台11の構造が簡
単になり、生産性が向上し、さらに中央部11aの機械
的強度も向上する。この様に段落ちさせない場合でも、
断面四角形状の四角柱形状としてもよいし、さらに断面
を多角形状とする角柱とすることもできる。
Further, in the present embodiment, the central portion 11a
By stepping down from the ends 11b and 11c,
When the protective material 14 was applied, contact between the protective material 14 and a circuit board or the like was prevented.
The center part 11a depends on the thickness of the circuit board 4 and the condition of the circuit board or the like to be mounted (a groove is formed in a part where the circuit board or the like is mounted, or an electrode portion of the circuit board or the like is raised).
Need not be dropped. Center 11a to end 11
If the step is not dropped from b and 11c, the structure of the base 11 is simplified, the productivity is improved, and the mechanical strength of the central portion 11a is also improved. Even if you do not let the steps drop like this,
It may be a quadrangular prism having a quadrangular cross section, or a prism having a polygonal cross section.

【0023】また、図4(a)に示す様に基台11の端
部の高さZ1及びZ2は下記の条件を満たすことが好ま
しい。
As shown in FIG. 4A, the heights Z1 and Z2 of the ends of the base 11 preferably satisfy the following conditions.

【0024】 |Z1−Z2|≦80μm(好ましくは50μm) Z1とZ2の高さの違いが80μm(好ましくは50μ
m以下)を超えると、素子を基板に実装し、半田等で回
路基板等に取り付ける場合、半田等の表面張力によって
素子が一方の端部に引っ張られて、素子が立ってしまう
というマンハッタン現象の発生する確率が非常に高くな
る。このマンハッタン現象を図5に示す。図5に示すよ
うに、基板200の上にインダクタンス素子を配置し、
端子部15,16それぞれと基板200の間に半田20
1,202が設けられているが、リフローなどによって
半田201,202を溶かすと、半田201,202の
それぞれの塗布量の違いや、材質が異なることによる融
点の違いによって、溶融した半田201,202の表面
張力が端子部15と端子部16で異なり、その結果、図
5に示すように一方の端子部(図5の場合は端子部1
5)を中心に回転し、インダクタンス素子が立ち上がっ
てしまう。Z1とZ2の高さの違いが80μm(好まし
くは50μm以下)を超えると、素子が傾いた状態で基
板200に配置されることとなり、素子立ちを促進す
る。また、マンハッタン現象は特に小型軽量のチップ型
の電子部品(チップ型インダクタンス素子を含む)にお
いて顕著に発生し、しかもこのマンハッタン現象の発生
要因の一つとして、端子部15,16の高さの違いによ
って素子が傾いて基板200に配置されることを着目し
た。この結果、Z1とZ2の高さの差を80μm以下
(好ましくは50μm以下)となるように、基台11を
成形などで加工することによって、このマンハッタン現
象の発生を大幅に抑えることができた。Z1とZ2の高
さの差を50μm以下とすることによって、ほぼ、マン
ハッタン現象の発生を抑えることができる。
| Z1-Z2 | ≦ 80 μm (preferably 50 μm) The difference in height between Z1 and Z2 is 80 μm (preferably 50 μm).
m or less), when the element is mounted on a board and attached to a circuit board or the like with solder or the like, the element is pulled to one end by the surface tension of the solder or the like, and the element stands up. The probability of occurrence is very high. This Manhattan phenomenon is shown in FIG. As shown in FIG. 5, an inductance element is arranged on a substrate 200,
Solder 20 between each of terminal portions 15 and 16 and substrate 200
Although the solders 201 and 202 are provided, when the solders 201 and 202 are melted by reflow or the like, the molten solders 201 and 202 are melted due to a difference in the application amount of each of the solders 201 and 202 and a difference in melting point due to a difference in material. 5 differs between the terminal portion 15 and the terminal portion 16, and as a result, as shown in FIG. 5, one of the terminal portions (the terminal portion 1 in FIG.
5), the inductance element rises. If the difference between the heights of Z1 and Z2 exceeds 80 μm (preferably 50 μm or less), the elements are arranged on the substrate 200 in an inclined state, and the standing of the elements is promoted. In addition, the Manhattan phenomenon occurs remarkably particularly in small and lightweight chip-type electronic components (including a chip-type inductance element), and one of the causes of the Manhattan phenomenon is the difference in height between the terminal portions 15 and 16. It was noted that the device was inclined and was arranged on the substrate 200. As a result, by forming the base 11 by molding or the like so that the difference between the heights of Z1 and Z2 is 80 μm or less (preferably 50 μm or less), the occurrence of the Manhattan phenomenon could be significantly suppressed. . By setting the difference between the heights of Z1 and Z2 to 50 μm or less, the occurrence of the Manhattan phenomenon can be substantially suppressed.

【0025】次に基台11の面取りについて説明する。
図6は本発明の一実施の形態におけるインダクタンス素
子に用いられる基台の斜視図である。図6に示されるよ
うに、基台11の端部11b,11cそれぞれの角部1
1e,11dには面取りが施されており、その面取りし
た角部11e,11dのそれぞれの曲率半径R1及び中
央部11aの角部11fの曲率半径R2は以下の通りに
形成されることが好ましい。
Next, chamfering of the base 11 will be described.
FIG. 6 is a perspective view of a base used for the inductance element according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, each corner 1 of the ends 11 b and 11 c of the base 11 is provided.
The chamfered edges 1e and 11d are preferably formed, and the radius of curvature R1 of the chamfered corners 11e and 11d and the radius of curvature R2 of the corner 11f of the central portion 11a are preferably formed as follows.

【0026】0.03<R1<0.15(mm) 0.01<R2(mm) R1が0.03mm以下であると、角部11e,11d
が尖った形状となっているので、ちょっとした衝撃など
によって角部11e,11dに欠けなどが生じることが
あり、その欠けによって、特性の劣化等が発生したりす
る。また、R1が0.15mm以上であると、角部11
e,11dが丸くなりすぎて、前述のマンハッタン現象
を起こしやすくなり、不具合が生じる。更にR2が0.
01mm以下であると、角部11fにバリなどが発生し
やすく、中央部11a上に形成され、しかも素子の特性
を大きく左右する導電膜12の厚みが角部11fと平坦
な部分で大きく異なることがあり、素子特性のばらつき
が大きくなる。
0.03 <R1 <0.15 (mm) 0.01 <R2 (mm) If R1 is 0.03 mm or less, the corners 11e and 11d
Since the corners are sharp, the corners 11e and 11d may be chipped due to a slight impact or the like, and the chipping may cause deterioration of characteristics or the like. When R1 is 0.15 mm or more, the corner 11
Since e and 11d are too round, the above-mentioned Manhattan phenomenon is likely to occur, which causes a problem. Furthermore, when R2 is 0.
When the thickness is less than 01 mm, burrs and the like are likely to be generated on the corners 11f, and the thickness of the conductive film 12, which is formed on the central portion 11a and greatly affects the characteristics of the element, differs greatly between the corners 11f and the flat portion. And the variation in element characteristics becomes large.

【0027】次に基台11の構成材料について説明す
る。基台11の構成材料として下記の特性を満足してお
くことが好ましい。
Next, the constituent materials of the base 11 will be described. It is preferable to satisfy the following characteristics as a constituent material of the base 11.

【0028】 体積固有抵抗:1013以上(好ましくは1014以上) 熱膨張係数:5×10-4以下(好ましくは2×10-5
下)[20℃〜500℃における熱膨張係数] 誘電率:1MHzにおいて12以下(好ましくは10以
下) 曲げ強度:1300kg/cm2以上(好ましくは20
00kg/cm2以上) 密度:2〜5g/cm3(好ましくは3〜4g/cm3) 基台11の構成材料が体積固有抵抗が1013以下である
と、導電膜12とともに基台11にも所定に電流が流れ
始めるので、並列回路が形成された状態となり、自己共
振周波数f0及びQ値が低くなってしまい、高周波用の
素子としては不向きである。
Volume resistivity: 10 13 or more (preferably 10 14 or more) Thermal expansion coefficient: 5 × 10 −4 or less (preferably 2 × 10 −5 or less) [Coefficient of thermal expansion at 20 ° C. to 500 ° C.] Dielectric constant : 1 or less at 1 MHz (preferably 10 or less) Flexural strength: 1300 kg / cm 2 or more (preferably 20
(00 kg / cm 2 or more) Density: 2 to 5 g / cm 3 (preferably 3 to 4 g / cm 3 ) When the constituent material of the base 11 has a volume resistivity of 10 13 or less, the base 11 together with the conductive film 12 Also, since a current starts to flow in a predetermined manner, a parallel circuit is formed, and the self-resonant frequency f0 and the Q value become low, which is not suitable for a high-frequency element.

【0029】また熱膨張係数が5×10-4以上である
と、基台11にヒートショック等でクラックなどが入る
ことがある。すなわち熱膨張係数が5×10-4以上であ
ると、上述の様に溝13を形成する際にレーザ光線や砥
石等を用いるので、基台11が局部的に高温になり、基
台11にクラックなどが生じることあるが、上述の様な
熱膨張係数を有することによって、大幅にクラック等の
発生を抑止できる。
If the coefficient of thermal expansion is 5 × 10 −4 or more, cracks may occur in the base 11 due to heat shock or the like. In other words, when the thermal expansion coefficient is 5 × 10 −4 or more, the laser beam or the grindstone is used when forming the groove 13 as described above. Although cracks and the like may occur, the occurrence of cracks and the like can be largely suppressed by having the above-described coefficient of thermal expansion.

【0030】また、誘電率が1MHzにおいて12以上
であると、自己共振周波数f0及びQ値が低くなってし
まい、高周波用の素子としては不向きである。
If the dielectric constant is 12 or more at 1 MHz, the self-resonant frequency f0 and the Q value become low, which is not suitable for a high-frequency device.

【0031】曲げ強度が1300kg/cm2以下であ
ると、実装装置で回路基板等に実装する際に素子折れ等
が発生することがある。
If the bending strength is 1300 kg / cm 2 or less, the element may be broken when mounted on a circuit board or the like by a mounting apparatus.

【0032】密度が2g/cm3以下であると、基台1
1の吸水率が高くなり、基台11の特性が著しく劣化
し、素子としての特性が悪くなる。また密度が5g/c
3以上になると、基台の重量が重くなり、実装性など
に問題が発生する。特に密度を上記範囲内に設定する
と、吸水率も小さく基台11への水の進入もほとんどな
く、しかも重量も軽くなり、チップマウンタなどで基板
に実装する際にも問題は発生しない。
When the density is 2 g / cm 3 or less, the base 1
1, the water absorption rate is increased, the characteristics of the base 11 are significantly deteriorated, and the characteristics as an element are deteriorated. The density is 5 g / c
If it exceeds m 3 , the weight of the base will be heavy, and there will be a problem in mountability and the like. In particular, when the density is set within the above range, the water absorption rate is small, the water hardly enters the base 11, and the weight is light, so that there is no problem when mounting the chip on a substrate by a chip mounter or the like.

【0033】この様に基台11の体積固有抵抗,熱膨張
係数,誘電率,曲げ強度,密度を規定することによっ
て、自己共振周波数f0及びQ値が低下しないので、高
周波用の素子として用いることができ、ヒートショック
等で基台11にクラック等が発生することを抑制できる
ので、不良率を低減することができ、更には、機械的強
度を向上させることができるので、実装装置などを用い
て回路基板等に実装できるので、生産性が向上する等の
優れた効果を得ることができる。
By defining the volume resistivity, the coefficient of thermal expansion, the dielectric constant, the bending strength, and the density of the base 11 as described above, the self-resonant frequency f0 and the Q value do not decrease. It is possible to suppress the occurrence of cracks and the like in the base 11 due to heat shock or the like, so that the defect rate can be reduced, and further, the mechanical strength can be improved. Therefore, excellent effects such as an improvement in productivity can be obtained.

【0034】上記の諸特性を得る材料としては、アルミ
ナを主成分とするセラミック材料が挙げられる。しかし
ながら、単にアルミナを主成分とするセラミック材料を
用いても上記諸特性を得ることはできない。すなわち、
上記諸特性は、基台11を作製する際のプレス圧力や焼
成温度及び添加物によって異なるので、作製条件などを
適宜調整しなければならない。具体的な作製条件とし
て、基台11の加工時のプレス圧力を2〜5t,焼成温
度を1500〜1600℃,焼成時間1〜3時間等の条
件が挙げられる。また、アルミナ材料の具体的な材料と
しては、Al23が92重量%以上,SiO2が6重量
%以下,MgOが1.5重量%以下,Fe23が0.1
%以下,Na2Oが0.3重量%以下等が挙げられる。
As a material for obtaining the above-mentioned various properties, a ceramic material containing alumina as a main component can be used. However, simply using a ceramic material mainly composed of alumina cannot obtain the above-mentioned characteristics. That is,
Since the above-mentioned various characteristics vary depending on the pressing pressure, the sintering temperature, and the additives at the time of producing the base 11, the production conditions and the like must be appropriately adjusted. Specific manufacturing conditions include a pressing pressure of 2 to 5 tons when processing the base 11, a firing temperature of 1500 to 1600 ° C., and a firing time of 1 to 3 hours. Specific examples of the alumina material include Al 2 O 3 of 92 wt% or more, SiO 2 of 6 wt% or less, MgO of 1.5 wt% or less, and Fe 2 O 3 of 0.1 wt% or less.
% Or less, and Na 2 O of 0.3% by weight or less.

【0035】次に基台11の表面粗さについて説明す
る。なお、以下の説明で出てくる表面粗さとは、全て中
心線平均粗さを意味するものであり、導電膜12の説明
等に出てくる粗さも中心線平均粗さである。
Next, the surface roughness of the base 11 will be described. The surface roughness described below means the average roughness of the center line, and the roughness described in the description of the conductive film 12 is also the average roughness of the center line.

【0036】基台11の表面粗さは0.15〜0.5μ
m程度、好ましくは0.2〜0.3μm程度がよい。図
7は基台11の表面粗さと剥がれ発生率を示したグラフ
である。図7は下記に示すような実験の結果である。基
台11及び導電膜12はそれぞれアルミナ,銅で構成
し、基台11の表面粗さをいろいろ変えたサンプルを作
製し、その各サンプルの上に同じ条件で導電膜12を形
成した。それぞれのサンプルに超音波洗浄を行い、その
後に導電膜12の表面を観察して、導電膜12の剥がれ
の有無を測定した。基台11の表面粗さは、表面粗さ測
定器(東京精密サーフコム社製 574A)を用いて、
先端Rが5μmのものを用いた。この結果から判るよう
に平均表面粗さが0.15μm以下であると、基台11
の上に形成された導電膜12の剥がれの発生率が5%程
度であり、良好な基台11と導電膜12の接合強度を得
ることができる。更に、表面粗さが0.2μm以上であ
れば導電膜12の剥がれがほとんど発生していないの
で、できれば、基台11の表面粗さは0.2μm以上が
好ましい。導電膜12の剥がれは、素子の特性劣化の大
きな要因となるので、歩留まり等の面から発生率は5%
以下が好ましい。
The surface roughness of the base 11 is 0.15 to 0.5 μm
m, preferably about 0.2 to 0.3 μm. FIG. 7 is a graph showing the surface roughness of the base 11 and the rate of occurrence of peeling. FIG. 7 shows the results of an experiment as described below. The base 11 and the conductive film 12 were made of alumina and copper, respectively, and samples with various surface roughnesses of the base 11 were prepared, and the conductive film 12 was formed on each sample under the same conditions. Each sample was subjected to ultrasonic cleaning, and thereafter, the surface of the conductive film 12 was observed to determine whether or not the conductive film 12 was peeled. The surface roughness of the base 11 was measured using a surface roughness measuring device (574A, manufactured by Tokyo Seimitsu Surfcom).
The one having a tip R of 5 μm was used. As can be seen from this result, if the average surface roughness is 0.15 μm or less,
The rate of occurrence of peeling of the conductive film 12 formed thereon is about 5%, and good bonding strength between the base 11 and the conductive film 12 can be obtained. Further, if the surface roughness is 0.2 μm or more, peeling of the conductive film 12 hardly occurs. Therefore, if possible, the surface roughness of the base 11 is preferably 0.2 μm or more. Since the peeling of the conductive film 12 is a major factor in deterioration of the characteristics of the element, the rate of occurrence is 5% in terms of yield and the like.
The following is preferred.

【0037】図8は基台の表面粗さに対する周波数とQ
値の関係を示すグラフである。図8は以下のような実験
の結果である。まず、表面粗さが0.1μm以下の基台
11と、表面粗さが0.2〜0.3μmの基台11と、
表面粗さが0.5μm以上の基台11のそれぞれのサン
プルを作製し、それぞれのサンプルに同じ材料(銅)で
同じ厚さの導電膜を形成した。そして、各サンプルにお
いて、所定の周波数FにおけるQ値を測定した。図8か
ら判るように基台11の表面粗さが0.5μm以上であ
ると、導電膜12の膜構造が悪くなることが原因と考え
られるQ値の低下が見られる。特に高周波領域で顕著に
Q値の劣化が見られる。また、自己共振周波数f0(各
線の極大値)も基台11の表面粗さが0.5μmのもの
は、低周波側にシフトしている。従ってQ値の面及び自
己共振周波数f0の面から見れば基台11の表面粗さは
0.5μm以下とすることが好ましい。
FIG. 8 shows the frequency and Q with respect to the surface roughness of the base.
It is a graph which shows the relationship of a value. FIG. 8 shows the results of the following experiment. First, a base 11 having a surface roughness of 0.1 μm or less, a base 11 having a surface roughness of 0.2 to 0.3 μm,
Each sample of the base 11 having a surface roughness of 0.5 μm or more was prepared, and a conductive film of the same material (copper) and the same thickness was formed on each sample. Then, in each sample, the Q value at a predetermined frequency F was measured. As can be seen from FIG. 8, when the surface roughness of the base 11 is 0.5 μm or more, a decrease in the Q value, which is considered to be caused by the deterioration of the film structure of the conductive film 12, is observed. Particularly in the high frequency region, the Q value is significantly deteriorated. The self-resonant frequency f0 (the maximum value of each line) is shifted to the lower frequency side when the surface roughness of the base 11 is 0.5 μm. Therefore, the surface roughness of the base 11 is preferably 0.5 μm or less from the viewpoint of the Q value and the surface of the self-resonant frequency f0.

【0038】以上の様に、導電膜12と基台11との密
着強度,導電膜のQ値及び自己共振周波数f0の双方の
結果から判断すると、基台11の表面粗さは、0.15
μm〜0.5μmが好ましく、さらに好ましくは0.2
〜0.3μmが良い。
As described above, judging from the results of both the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11, the Q value of the conductive film, and the self-resonance frequency f0, the surface roughness of the base 11 is 0.15.
μm to 0.5 μm, more preferably 0.2 μm
0.30.3 μm is good.

【0039】また、表面粗さは、端部11b,11cと
中央部11aでは、平均表面粗さを異ならせた方が好ま
しい。すなわち、平均表面粗さ0.15〜0.5μmの
範囲内で端部11b,11cの平均表面粗さを中央部1
1aの平均表面粗さよりも小さくすることが好ましい。
端部11b,11cは導電膜12を積層することによっ
て上述の様に端子部15,16が構成されるので、端部
11b,11cの表面粗さを中央部11aより小さくす
ることによって、端部11b,11c上に形成される導
電膜12の表面粗さを小さくできるので、回路基板等の
電極との密着性を向上させることができ、確実な回路基
板等とインダクタンス素子の接合をおこなうことができ
る。また、中央部11aには導電膜12を積層し溝13
を形成するので、溝13をレーザ等で形成する際に導電
膜12が基台11からはがれ落ちないように導電膜12
と基台11の密着強度を向上させなければないので、端
部11b,11cよりも中央部11aの表面粗さを大き
くした方が好ましい。特にレーザで溝13を形成する場
合、レーザが照射された部分は他の部分よりも急激に温
度が上昇し、ヒートショック等で導電膜12が剥がれる
ことがある。従って、レーザで溝13を形成する場合に
は導電膜12と基台11の接合密度を他の部分よりも向
上させることが必要である。
It is preferable that the end portions 11b and 11c and the center portion 11a have different average surface roughnesses. That is, the average surface roughness of the end portions 11b and 11c is set in the central portion 1 within the range of 0.15 to 0.5 μm.
It is preferable to make the average surface roughness smaller than 1a.
Since the terminal portions 15 and 16 are formed by laminating the conductive films 12 on the ends 11b and 11c as described above, the surface roughness of the ends 11b and 11c is made smaller than that of the central portion 11a, so that Since the surface roughness of the conductive film 12 formed on 11b and 11c can be reduced, the adhesion to the electrodes of the circuit board or the like can be improved, and the reliable bonding of the inductance element to the circuit board or the like can be achieved. it can. Further, a conductive film 12 is laminated on the central portion 11a to form a groove 13
Is formed, so that the conductive film 12 does not come off from the base 11 when the groove 13 is formed by a laser or the like.
Therefore, it is preferable that the surface roughness of the central portion 11a is larger than that of the end portions 11b and 11c because the adhesion strength between the base 11 and the base 11 must be improved. In particular, when the groove 13 is formed by laser, the temperature of the portion irradiated with the laser rises more rapidly than other portions, and the conductive film 12 may be peeled off by heat shock or the like. Therefore, when the grooves 13 are formed by laser, it is necessary to increase the bonding density between the conductive film 12 and the base 11 as compared with other portions.

【0040】この様に中央部11aと端部11b,11
cとの表面粗さを異ならせることによって、回路基板等
との密着性及び溝13の加工の際の導電膜12のはがれ
を防止することができる。
As described above, the central part 11a and the end parts 11b, 11
By making the surface roughness different from that of c, it is possible to prevent the conductive film 12 from peeling off at the time of forming the groove 13 and the adhesion to a circuit board or the like.

【0041】なお、本実施の形態では、導電膜12と基
台11の接合強度を基台11の表面粗さを調整すること
によって、向上させたが、例えば、基台11と導電膜1
2の間にCr単体またはCrと他の金属の合金の少なく
とも一方で構成された中間層を設けることによって、表
面粗さを調整せずとも導電膜12と基台11の密着強度
を向上させることができる。もちろん基台11の表面粗
さを調整し、その上その基台11の上に中間層及び導電
膜12を積層する場合では、より強力な導電膜12と基
台11の密着強度を得ることができる。
In the present embodiment, the bonding strength between the conductive film 12 and the base 11 is improved by adjusting the surface roughness of the base 11.
2 to improve the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 without adjusting the surface roughness by providing an intermediate layer composed of Cr alone or an alloy of Cr and another metal. Can be. Of course, when the surface roughness of the base 11 is adjusted and the intermediate layer and the conductive film 12 are laminated on the base 11, it is possible to obtain a stronger adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11. it can.

【0042】次に導電膜12について説明する。導電膜
12としては、50nH以下の微少インダクタンスを有
し、しかも800MHz以上の高周波信号に対してQ値
が30以上のものが好ましい。この様な特性の導電膜1
2を得るためには、材料及び製法等を選択しなければな
らない。
Next, the conductive film 12 will be described. The conductive film 12 preferably has a small inductance of 50 nH or less and a Q value of 30 or more for a high frequency signal of 800 MHz or more. Conductive film 1 having such characteristics
In order to obtain 2, it is necessary to select a material and a manufacturing method.

【0043】以下具体的に導電膜12について説明す
る。導電膜12の構成材料としては、銅,銀,金,ニッ
ケルなどの導電材料が挙げられる。この銅,銀,金,ニ
ッケル等の材料には、耐候性等を向上させために所定の
元素を添加してもよい。また、導電材料と非金属材料等
の合金を用いてもよい。構成材料としてコスト面や耐食
性の面及び作り易さの面から銅及びその合金がよく用い
られる。導電膜12の材料として、銅等を用いる場合に
は、まず、基台11上に無電解メッキによって下地膜を
形成し、その下地膜の上に電解メッキにて所定の銅膜を
形成して導電膜12が形成される。更に、合金等で導電
膜12を形成する場合には、スパッタリング法や蒸着法
で構成することが好ましい。また、構成材料に銅及びそ
の合金を用いた場合導電膜12の形成厚みは15μm以
上が好ましい。厚みが15μmより薄いと、導電膜12
のQ値が小さくなり所定の特性を得ることができにく
い。図9は、導電膜12の膜厚とQ値の関係を示すグラ
フである。導電膜12の構成材料としては銅を用い、基
台11の材料及び表面粗さ等は、同じ条件にし、その基
台11の上に形成する導電膜12の厚さを変化させ、そ
れぞれの場合におけるQ値を測定した。図9から判るよ
うに導電膜12の厚さが15μm以上であると、Q値は
30を超えている。また、導電膜12の膜厚は15μm
以上の領域では、Q値はあまり向上せず、又、コスト面
や不良率の低減のために導電膜12の膜厚は35μm以
下とすることが好ましい。なお、導電膜12の膜厚は2
1μm以上が更に好ましい。
Hereinafter, the conductive film 12 will be specifically described. Examples of a constituent material of the conductive film 12 include conductive materials such as copper, silver, gold, and nickel. A predetermined element may be added to the material such as copper, silver, gold, and nickel to improve weather resistance and the like. Alternatively, an alloy such as a conductive material and a nonmetallic material may be used. Copper and its alloys are often used as constituent materials in terms of cost, corrosion resistance, and ease of fabrication. When copper or the like is used as the material of the conductive film 12, first, a base film is formed on the base 11 by electroless plating, and a predetermined copper film is formed on the base film by electrolytic plating. The conductive film 12 is formed. Further, when the conductive film 12 is formed of an alloy or the like, it is preferable to form the conductive film 12 by a sputtering method or a vapor deposition method. When copper or an alloy thereof is used as a constituent material, the thickness of the conductive film 12 is preferably 15 μm or more. If the thickness is less than 15 μm, the conductive film 12
Is small, and it is difficult to obtain a predetermined characteristic. FIG. 9 is a graph showing the relationship between the thickness of the conductive film 12 and the Q value. Copper is used as a constituent material of the conductive film 12, and the material and surface roughness of the base 11 are set to the same conditions, and the thickness of the conductive film 12 formed on the base 11 is changed. The Q value at was measured. As can be seen from FIG. 9, when the thickness of the conductive film 12 is 15 μm or more, the Q value exceeds 30. The thickness of the conductive film 12 is 15 μm.
In the above-mentioned region, the Q value is not so much improved, and the thickness of the conductive film 12 is preferably set to 35 μm or less for cost reduction and reduction of the defective rate. The thickness of the conductive film 12 is 2
1 μm or more is more preferable.

【0044】導電膜12は単層で構成してもよいが、多
層構造としてもよい。すなわち、構成材料の異なる導電
膜を複数積層して構成しても良い。例えば、基台11の
上に先ず銅膜を形成し、その上に耐候性の良い金属膜
(ニッケル等)を積層する事によって、やや耐候性に問
題がある銅の腐食を防止することができる。
The conductive film 12 may be composed of a single layer, but may have a multilayer structure. That is, a plurality of conductive films having different constituent materials may be stacked. For example, first, a copper film is formed on the base 11, and then a metal film having good weather resistance (such as nickel) is laminated thereon, so that corrosion of copper, which is somewhat problematic in weather resistance, can be prevented. .

【0045】導電膜12の形成方法としては、メッキ法
(電解メッキ法や無電解メッキ法など),スパッタリン
グ法,蒸着法等が挙げられる。この形成方法の中でも、
量産性がよく、しかも膜厚のばらつきが小さなメッキ法
がよく用いられる。
Examples of the method for forming the conductive film 12 include a plating method (such as an electrolytic plating method and an electroless plating method), a sputtering method, and a vapor deposition method. Among these forming methods,
A plating method with good mass productivity and small variations in film thickness is often used.

【0046】導電膜12の表面粗さは1μm以下が好ま
しく、更に好ましくは0.2μm以下が好ましい。導電
膜12の表面粗さが1μmを超えると、表皮効果によっ
て高周波でのQ値が低下する。図10は導電膜12の周
波数とQ値の関係を示すグラフである。図10は下記の
様な実験を通して導き出された。まず、同じ大きさ同じ
材料同じ表面粗さで構成された基台11の上に銅を構成
材料とする導電膜12の表面粗さを変えて形成し、それ
ぞれのサンプルにて各周波数におけるQ値を測定した。
図10から判るように、導電膜12の表面粗さが1μm
以上であれば高周波領域におけるQ値が低くなっている
ことが判る。更に導電膜12の表面粗さが0.2μm以
下であれば特に高周波領域におけるQ値が、非常に高く
なっていることがわかる。
The surface roughness of the conductive film 12 is preferably 1 μm or less, more preferably 0.2 μm or less. When the surface roughness of the conductive film 12 exceeds 1 μm, the Q value at high frequencies decreases due to the skin effect. FIG. 10 is a graph showing the relationship between the frequency of the conductive film 12 and the Q value. FIG. 10 was derived through the following experiment. First, a conductive film 12 made of copper is formed on a base 11 having the same size and the same material with the same surface roughness while changing the surface roughness. Was measured.
As can be seen from FIG. 10, the surface roughness of the conductive film 12 is 1 μm.
Above this, it can be seen that the Q value in the high frequency region is low. Further, it can be seen that when the surface roughness of the conductive film 12 is 0.2 μm or less, the Q value particularly in a high frequency region is extremely high.

【0047】以上の様に導電膜12の表面粗さは、1.
0μm以下が良く、更に好ましくは、0.2μm以下と
することによって、導電膜12の表皮効果を低減させる
ことができ、特に高周波におけるQ値を向上させる事が
できる。
As described above, the surface roughness of the conductive film 12 is 1.
The thickness is preferably 0 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less, the skin effect of the conductive film 12 can be reduced, and the Q value particularly at high frequencies can be improved.

【0048】更に導電膜12と基台11の密着強度は、
導電膜12を形成した基台11を400℃の温度下に数
秒間放置した後に基台11から導電膜12がはがれない
程度以上であることが好ましい。素子を基板等に実装し
た際に、素子には自己発熱や他の部材からの熱が加わる
ことによって、素子に200℃以上の温度が加わること
がある。従って、400℃で基台11からの導電膜12
のはがれが発生しない程度の密着強度であれば、たとえ
素子に熱が加わっても、素子の特性劣化等は発生しな
い。
Further, the adhesion strength between the conductive film 12 and the base 11 is as follows:
After leaving the base 11 on which the conductive film 12 is formed at a temperature of 400 ° C. for a few seconds, it is preferable that the conductive film 12 be separated from the base 11 by a degree or more. When the element is mounted on a substrate or the like, a temperature of 200 ° C. or more may be applied to the element due to self-heating or heat from other members. Therefore, the conductive film 12 from the base 11 at 400 ° C.
If the adhesion strength is such that no peeling occurs, even if heat is applied to the element, the characteristics of the element do not deteriorate.

【0049】次に保護材14について説明する。保護材
14としては、耐候性に優れ、絶縁性を示す有機材料、
例えばエポキシ樹脂などの絶縁性を示す材料が用いられ
る。また、保護材14としては、溝13の状況等が観測
できるような透明度を有する事が好ましい。保護材14
に透明度のある材質を用いると、保護材14を形成した
後でも、溝13の形状や、溝13の巻数及び溝13周辺
の導電膜12の剥がれ等を観測することができ、不良品
の発見に大きく寄与する。特に、溝13周辺の導電膜1
2の剥がれは、時間の経過とともに特性劣化を引き起こ
す原因となることがあり、この導電膜の剥がれを出荷前
に判ることは非常に有用である。更に保護材14には透
明度を有したまま、所定の色を有することが好ましい。
保護材14に赤,青,緑などの、導電膜12や端子部1
5,16等と異なる色を着色する事によって、素子各部
の区別(端子部と溝が形成してある部分)をする事がで
き、素子各部の検査などが容易に行える。特に端子部1
5,16に不具合な部分(電極膜などの剥がれ)が発生
していると、リフローなどの処理の際に、うまく基板に
素子が付かないことが生じたりすることがある。また、
素子の大きさ,溝13の幅,導電膜12の種類及び厚
さ,基台11の材質の内少なくとも一つで保護材14の
色を変えることによって、特性や品番等の異なる素子を
誤った部分に取り付けるなどのミスを低減させることが
できる。また、完成品の選別を容易に行うことができる
ので、生産性が向上する。また、保護材14の色を電子
機器の種類等によって、異ならせることによって、同一
の電子機器において、保護材14が同じ色のインダクタ
ンス素子を用いるようにすることによって、誤った部品
が基板に実装されることなどを防止することができる。
Next, the protective member 14 will be described. As the protective material 14, an organic material having excellent weather resistance and insulating properties,
For example, a material having an insulating property such as an epoxy resin is used. Further, it is preferable that the protective material 14 has a transparency such that the condition of the groove 13 can be observed. Protective material 14
When a material having transparency is used, the shape of the groove 13, the number of turns of the groove 13, the peeling of the conductive film 12 around the groove 13, and the like can be observed even after the protective material 14 is formed, and the defective product is found. Greatly contributes to In particular, the conductive film 1 around the groove 13
Peeling of 2 may cause deterioration of characteristics with the passage of time, and it is very useful to know the peeling of this conductive film before shipment. Further, it is preferable that the protective material 14 has a predetermined color while having transparency.
The protective material 14 is made of a conductive film 12 such as red, blue, or green, or a terminal 1.
By coloring different colors such as 5, 16 and the like, it is possible to distinguish each part of the element (a part where a terminal part and a groove are formed), and to easily inspect each part of the element. Especially terminal part 1
If a defective portion (peeling of the electrode film or the like) is generated in the portions 5 and 16, an element may not be properly attached to the substrate during a process such as reflow. Also,
By changing the color of the protective material 14 in at least one of the size of the element, the width of the groove 13, the type and thickness of the conductive film 12, and the material of the base 11, an element having a different characteristic or part number can be erroneously determined. It is possible to reduce mistakes such as attachment to a part. Further, the sorting of the finished product can be easily performed, so that the productivity is improved. In addition, by changing the color of the protective member 14 depending on the type of electronic device, etc., the same electronic device uses the inductance element of the same color in the same electronic device, so that the wrong component is mounted on the substrate. Can be prevented.

【0050】従って、保護材14は、端子部15,16
が露出するように設け、特性などに応じて色を付けて、
しかも透明度を持たせることによって、インダクタンス
素子の種類の判定が容易に行え、しかも端子部15,1
6を容易に検査することができ(溝13が形成されてい
る部分を保護材で覆っているから)しかも溝13の状態
なども容易に観測することができるので、工程管理が非
常に簡単になり、生産性が向上する。一方従来の抵抗器
のように、素子全体を覆う様に不透明な樹脂を等を設け
る構成では、不透明な樹脂を塗布した後、端子部は露出
しておらず、端子部の観測はできないので、不良品の発
見はできず、しかもレーザや砥石等で形成された溝13
の周辺部の導電膜の剥がれ等も発見できないので、不良
品の発見は非常に困難である。
Therefore, the protection member 14 is provided with the terminal portions 15 and 16.
Is provided so that it is exposed and colored according to the characteristics etc.
Moreover, by providing transparency, the type of the inductance element can be easily determined, and the terminal portions 15 and 1 can be easily determined.
6 can be easily inspected (since the portion where the groove 13 is formed is covered with a protective material) and the state of the groove 13 can be easily observed, so that the process control is very easy. And productivity is improved. On the other hand, in a configuration in which an opaque resin or the like is provided so as to cover the entire element like a conventional resistor, the terminal portion is not exposed after the opaque resin is applied, and the terminal portion cannot be observed. Defective products cannot be found, and grooves 13 formed by laser, grinding stone, etc.
It is very difficult to find a defective product because the peeling of the conductive film in the peripheral portion cannot be found.

【0051】また、保護材14は、図11に示すように
溝13の角部13aと保護材14の表面までの長さZ1
が5μm以上となるように塗布することが好ましい。Z
1が5μmより小さいと特性劣化や放電などが発生し易
くなり素子の特性が大幅に劣化することが考えられる。
また、溝13の角部13aは特に放電などが発生しやす
い部分であり、この角部13a上に厚さ5μm以上の保
護材14が形成されることが非常に好ましい。また、保
護材14を形成した後に再びメッキを施して電極膜等を
形成することがあるが、角部13a上に5μm以上の保
護材14が形成されていないと、電極膜等が付着すると
不具合が生じる保護材14上に電極膜等が形成されるこ
とになり、特性の劣化が生じる。
As shown in FIG. 11, the protection member 14 has a length Z1 between the corner 13a of the groove 13 and the surface of the protection member 14.
Is preferably 5 μm or more. Z
When 1 is smaller than 5 μm, it is conceivable that characteristic deterioration, discharge, and the like are likely to occur, and the characteristics of the element are significantly deteriorated.
In addition, the corner 13a of the groove 13 is a portion where discharge or the like is particularly likely to occur, and it is highly preferable that a protective material 14 having a thickness of 5 μm or more is formed on the corner 13a. In some cases, after the protective material 14 is formed, plating is performed again to form an electrode film or the like. However, if the protective material 14 having a thickness of 5 μm or more is not formed on the corners 13a, the electrode film or the like may adhere. Thus, an electrode film or the like is formed on the protective material 14 in which the characteristics are deteriorated, and the characteristics are deteriorated.

【0052】次に端子部15,16について説明する。
端子部15,16は、導電膜12のみでも十分に機能す
るが、様々な環境条件等に順応させるために、多層構造
とすることが好ましい。
Next, the terminal portions 15 and 16 will be described.
Although the terminal portions 15 and 16 function satisfactorily even with the conductive film 12 alone, it is preferable that the terminal portions 15 and 16 have a multilayer structure in order to adapt to various environmental conditions and the like.

【0053】図12は端子部15の断面図である。図1
2において、基台11の端部11bの上に導電膜12が
形成されており、しかも導電膜12の上には耐候性を有
するニッケル,チタン等の材料で構成される保護層30
0が形成されており、更に保護層300の上には半田等
で構成された接合層301が形成されている。保護層3
00は接合層と導電膜12の接合強度を向上させるとと
もに、導電膜の耐候性を向上させることができる。本実
施の形態では、保護層300の構成材料として、ニッケ
ルかニッケル合金の少なくとも一方とし、接合層301
の構成材料としては半田を用いた。保護層300(ニッ
ケル)の厚みは2〜7μmが好ましく、2μmを下回る
と耐候性が悪くなり、7μmを上回ると保護層300
(ニッケル)自体の電気抵抗が高くなり、素子特性が大
きく劣化する。また、接合層301(半田)の厚みは5
μm〜10μm程度が好ましく、5μmを下回ると半田
食われ現象が発生して素子と回路基板等との良好な接合
が期待できず、10μmを上回るとマンハッタン現象が
発生し易くなり、実装性が非常に悪くなる。
FIG. 12 is a sectional view of the terminal portion 15. FIG.
2, a conductive layer 12 is formed on the end 11b of the base 11, and a protective layer 30 made of a weather-resistant material such as nickel or titanium is formed on the conductive layer 12.
0 is formed, and a bonding layer 301 made of solder or the like is formed on the protective layer 300. Protective layer 3
00 can improve the bonding strength between the bonding layer and the conductive film 12 and the weather resistance of the conductive film. In the present embodiment, at least one of nickel and a nickel alloy is used as a constituent material of the protective layer 300, and the bonding layer 301 is used.
Was used as a constituent material. The thickness of the protective layer 300 (nickel) is preferably 2 to 7 μm, and if the thickness is less than 2 μm, the weather resistance is deteriorated.
The electrical resistance of (nickel) itself increases, and the element characteristics deteriorate significantly. The thickness of the bonding layer 301 (solder) is 5
When the thickness is less than 5 μm, a solder erosion phenomenon occurs, and good bonding between the element and a circuit board cannot be expected. When the thickness exceeds 10 μm, the Manhattan phenomenon easily occurs, and the mountability is extremely low. Worse.

【0054】以上の様に構成されたインダクタンス素子
は、特性劣化が無く、しかも,実装性及び生産性が非常
によい。
The inductance element configured as described above has no characteristic deterioration and has very good mountability and productivity.

【0055】以上の様に構成されたインダクタンス素子
について、以下その製造方法について説明する。
The method of manufacturing the inductance element having the above-described configuration will be described below.

【0056】まず、アルミナ等の絶縁材料をプレス成形
や押し出し法によって、基台11を作製する。次にその
基台11全体にメッキ法やスパッタリング法などによっ
て導電膜12を形成する。次に導電膜12を形成した基
台11にスパイラル状の溝13を形成する。溝13はレ
ーザ加工や切削加工によって作製される。レーザ加工
は、非常に生産性が良いので、以下レーザ加工について
説明する。まず、基台11を回転装置に取り付け、基台
11を回転させ、そして基台11の中央部11aにレー
ザを照射して導電膜12及び基台11の双方を取り除
き、スパイラル状の溝を形成する。このときのレーザ
は、エキシマレーザ,炭酸ガスレーザなどを用いること
ができ、レーザ光をレンズなどで絞り込むことによっ
て、基台11の中央部11aに照射する。更に、溝13
の深さ等は、レーザのパワーを調整し、溝13の幅等
は、レーザ光を絞り込む際のレンズを交換することによ
って行える。また、導電膜12の構成材料等によって、
レーザの吸収率が異なるので、レーザの種類(レーザの
波長)は、導電膜12の構成材料によって、適宜選択す
ることが好ましい。
First, the base 11 is manufactured by pressing or extruding an insulating material such as alumina. Next, a conductive film 12 is formed on the entire base 11 by a plating method, a sputtering method, or the like. Next, a spiral groove 13 is formed in the base 11 on which the conductive film 12 is formed. The groove 13 is formed by laser processing or cutting. Since the laser processing has very high productivity, the laser processing will be described below. First, the base 11 is mounted on a rotating device, the base 11 is rotated, and a laser is applied to the central portion 11a of the base 11 to remove both the conductive film 12 and the base 11, thereby forming a spiral groove. I do. At this time, an excimer laser, a carbon dioxide gas laser, or the like can be used as the laser, and the laser beam is focused on the central portion 11a of the base 11 by narrowing the laser beam with a lens or the like. Further, the groove 13
The depth or the like can be adjusted by adjusting the power of the laser, and the width or the like of the groove 13 can be adjusted by exchanging a lens when narrowing down the laser beam. Also, depending on the constituent material of the conductive film 12, etc.,
Since the laser absorptivity is different, it is preferable that the type of laser (laser wavelength) be appropriately selected depending on the constituent material of the conductive film 12.

【0057】レーザ等で溝13を形成すると、溝13と
接する導電膜12の部分に酸化物が形成されることがあ
る。この酸化物の存在によって、導電膜12のQ値が著
しく劣化することがあるので、本実施の形態では、この
酸化物を物理的エッチング法等で除去した。図13に示
すように、レーザで溝を形成した基台11をチュエンバ
ー400内に配置する。この時、チュエンバー400内
には、低気圧のArガスが封入され、更にチュエンバー
400内には、一対の対向電極401,402がそれぞ
れ配置されている。ここで、対向電極401,402に
それぞれ直流の高電圧を掛けると、Arガスが電離し
て、プラスイオンになり、対向電極402に衝突し始め
る。このAr粒子によって基台11表面はエッチングさ
れ、溝13に接する導電膜表面に形成された酸化物を除
去する。このとき、溝13の縁に形成されたバリなども
除去できる。この様に、溝加工の後に酸化物を取り除く
処理を行うことで、導電膜12のQ値の劣化を防止で
き、引いては素子の特性劣化を防止できる。図14は周
波数fとQ値の関係を示すグラフである。図14に示す
ように、レーザ加工で溝13を形成した後に、溝加工で
生じた酸化物を取り除く処理を施したものは、全周波数
領域において良好なQ値を示しているが、酸化物を取り
除く処理を行っていないものは、全般的に低いQ値とな
っている。特に処理を施していないものは、高周波領域
において、著しいQ値の劣化を起こしており、高周波部
品としては、不向きである。なお、本実施の形態では、
物理的エッチングで酸化物を取り除いたが、エッチング
液で酸化物を取り除くことによって、一度に大量の処理
ができるので、生産性が向上する。また、研磨などの機
械的加工によって酸化物を取り除くことによって、低コ
ストで加工できる。
When the groove 13 is formed by a laser or the like, an oxide may be formed in a portion of the conductive film 12 in contact with the groove 13. Since the Q value of the conductive film 12 may be significantly deteriorated due to the presence of this oxide, in this embodiment, this oxide is removed by a physical etching method or the like. As shown in FIG. 13, the base 11 on which a groove is formed by a laser is disposed in a tumber 400. At this time, low-pressure Ar gas is sealed in the tube 400, and a pair of counter electrodes 401 and 402 are arranged in the tube 400. Here, when a high direct current voltage is applied to each of the opposing electrodes 401 and 402, the Ar gas is ionized, becomes positive ions, and starts colliding with the opposing electrode 402. The surface of the base 11 is etched by the Ar particles, and the oxide formed on the surface of the conductive film in contact with the groove 13 is removed. At this time, burrs formed on the edge of the groove 13 can also be removed. As described above, by performing the treatment for removing the oxide after the groove processing, the deterioration of the Q value of the conductive film 12 can be prevented, and the deterioration of the characteristics of the element can be prevented. FIG. 14 is a graph showing the relationship between the frequency f and the Q value. As shown in FIG. 14, after the groove 13 was formed by laser processing, a treatment to remove oxide generated by the groove processing showed a good Q value in all frequency regions. Those which have not been subjected to the removal processing have generally low Q values. In particular, those which have not been subjected to treatment have a remarkable deterioration of the Q value in a high frequency region, and are not suitable as high frequency components. In the present embodiment,
Although the oxide was removed by physical etching, a large amount of processing can be performed at once by removing the oxide with an etching solution, so that productivity is improved. Further, by removing oxides by mechanical processing such as polishing, processing can be performed at low cost.

【0058】溝13を形成した後に、溝13を形成した
部分(中央部11a)に保護材14を塗布し、乾燥させ
る。この時、保護材14には素子のインダクタンス値,
素子の対応周波数,素子の大きさ,溝の幅,導電膜の種
類及び厚さ,基台の材質の内少なくとも一つの違いによ
って、その色を異ならせることによって、上述で説明し
たように、素子選別などの管理が非常にし易くなり、生
産性が向上する。
After the groove 13 is formed, a protective material 14 is applied to the portion where the groove 13 has been formed (the central portion 11a) and dried. At this time, the protective material 14 has an inductance value of the element,
As described above, the color of the device is varied by at least one of the following: the corresponding frequency of the device, the size of the device, the width of the groove, the type and thickness of the conductive film, and the material of the base. Management such as sorting becomes very easy, and productivity is improved.

【0059】この時点でも、製品は完成するが、特に端
子部15,16にニッケル層や半田層を積層して、耐候
性や接合性を向上させることもある。ニッケル層や半田
層は、メッキ法等によって保護材14を形成した半完成
品に形成する。
At this point, the product is completed, but in particular, a nickel layer or a solder layer may be laminated on the terminal portions 15 and 16 to improve the weather resistance and the joining property. The nickel layer and the solder layer are formed on a semi-finished product on which the protective material 14 is formed by a plating method or the like.

【0060】なお、本実施の形態は、インダクタンス素
子について説明したが、絶縁材料によって構成された基
台の上に導電膜を形成する電子部品でも同様な効果を得
ることができる。
Although the present embodiment has been described with reference to an inductance element, the same effect can be obtained with an electronic component in which a conductive film is formed on a base made of an insulating material.

【0061】図15及び図16はそれぞれ本発明の一実
施の形態における無線端末装置を示す斜視図及びブロッ
ク図である。図15及び図16において、29は音声を
音声信号に変換するマイク、30は音声信号を音声に変
換するスピーカー、31はダイヤルボタン等から構成さ
れる操作部、32は着信等を表示する表示部、33はア
ンテナ、34はマイク29からの音声信号を復調して送
信信号に変換する送信部で、送信部34で作製された送
信信号は、アンテナを通して外部に放出される。35は
アンテナで受信した受信信号を音声信号に変換する受信
部で、受信部35で作成された音声信号はスピーカ30
にて音声に変換される。36は送信部34,受信部3
5,操作部31,表示部32を制御する制御部である。
FIGS. 15 and 16 are a perspective view and a block diagram, respectively, showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention. 15 and 16, reference numeral 29 denotes a microphone for converting a voice into a voice signal, 30 denotes a speaker for converting a voice signal into a voice, 31 denotes an operation unit including dial buttons and the like, and 32 denotes a display unit for displaying an incoming call and the like. Reference numeral 33 denotes an antenna, and reference numeral 34 denotes a transmission unit for demodulating an audio signal from the microphone 29 and converting it into a transmission signal. The transmission signal produced by the transmission unit 34 is emitted to the outside through the antenna. A receiving unit 35 converts a received signal received by the antenna into an audio signal.
Is converted to voice. 36 is a transmitting unit 34 and a receiving unit 3
5, a control unit for controlling the operation unit 31 and the display unit 32;

【0062】以下その動作の一例について説明する。先
ず、着信があった場合には、受信部35から制御部36
に着信信号を送出し、制御部36は、その着信信号に基
づいて、表示部32に所定のキャラクタ等を表示させ、
更に操作部31から着信を受ける旨のボタン等が押され
ると、信号が制御部36に送出されて、制御部36は、
着信モードに各部を設定する。即ちアンテナ33で受信
した信号は、受信部35で音声信号に変換され、音声信
号はスピーカー30から音声として出力されると共に、
マイク29から入力された音声は、音声信号に変換さ
れ、送信部34を介し、アンテナ33を通して外部に送
出される。
Hereinafter, an example of the operation will be described. First, when there is an incoming call, the receiving unit 35 sends the
The control unit 36 displays a predetermined character or the like on the display unit 32 based on the incoming signal,
Further, when a button or the like for receiving an incoming call is pressed from the operation unit 31, a signal is sent to the control unit 36, and the control unit 36
Set each part to the incoming call mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, and the audio signal is output from the speaker 30 as audio.
The voice input from the microphone 29 is converted into a voice signal, and is transmitted to the outside via the transmitting unit 34 and the antenna 33.

【0063】次に、発信する場合について説明する。ま
ず、発信する場合には、操作部31から発信する旨の信
号が、制御部36に入力される。続いて電話番号に相当
する信号が操作部31から制御部36に送られてくる
と、制御部36は送信部34を介して、電話番号に対応
する信号をアンテナ33から送出する。その送出信号に
よって、相手方との通信が確立されたら、その旨の信号
がアンテナ33を介し受信部35を通して制御部36に
送られると、制御部36は発信モードに各部を設定す
る。即ちアンテナ33で受信した信号は、受信部35で
音声信号に変換され、音声信号はスピーカー30から音
声として出力されると共に、マイク29から入力された
音声は、音声信号に変換され、送信部34を介し、アン
テナ33を通して外部に送出される。
Next, a case where a call is transmitted will be described. First, when transmitting a signal, a signal indicating that the signal is transmitted from the operation unit 31 is input to the control unit 36. Subsequently, when a signal corresponding to the telephone number is transmitted from the operation unit 31 to the control unit 36, the control unit 36 transmits a signal corresponding to the telephone number from the antenna 33 via the transmission unit 34. When communication with the other party is established by the transmission signal, a signal to that effect is sent to the control unit 36 through the reception unit 35 via the antenna 33, and the control unit 36 sets each unit to the transmission mode. That is, the signal received by the antenna 33 is converted into an audio signal by the receiving unit 35, the audio signal is output as audio from the speaker 30, and the audio input from the microphone 29 is converted into an audio signal, Through the antenna 33 to the outside.

【0064】上記で説明したインダクタンス素子(図1
〜図6に示すもの)は、送信部34や受信部35の中の
フィルタ回路やマッチング回路などに用いられており、
その数は、一つの無線端末装置に数個〜40個程度用い
られている。また、上述の様にQ値の著しい劣化のない
インダクタンス素子を搭載することによって、ノイズな
どが発生せず、性能を向上させることができる。
The inductance element described above (FIG. 1)
6 to FIG. 6) are used in a filter circuit, a matching circuit, and the like in the transmission unit 34 and the reception unit 35.
The number is about several to 40 for one wireless terminal device. In addition, by mounting an inductance element that does not significantly deteriorate the Q value as described above, noise and the like do not occur, and the performance can be improved.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明は、基台上に導電膜を形成し、前
記導電膜に溝を形成し、その後に前記溝を形成する際に
生じた酸化物を取り除く事によって、Q値を向上させる
ことができ、不良率が低減し生産性が向上する。また、
酸化物を取り除く際に、溝の縁に形成されるバリ等も小
さくすることができるので、時間的経過にともなって、
バリが素子から離脱することを防止でき、特性変化等を
起こすことはない。
According to the present invention, the Q value is improved by forming a conductive film on a base, forming a groove in the conductive film, and then removing an oxide generated when the groove is formed. The defect rate is reduced and the productivity is improved. Also,
When removing the oxide, burrs and the like formed at the edge of the groove can also be reduced, so over time,
Burrs can be prevented from separating from the element, and no change in characteristics or the like occurs.

【0066】また、上記インダクタンス素子を搭載した
無線端末装置は、述の様にQ値の著しい劣化のないイン
ダクタンス素子を搭載することによって、ノイズなどが
発生せず、性能を向上させることができる。
In the wireless terminal device equipped with the above-mentioned inductance element, by mounting an inductance element which does not significantly deteriorate the Q value as described above, the performance can be improved without generating noise or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す斜視図
FIG. 1 is a perspective view showing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子を示す側面図
FIG. 2 is a side view showing the inductance element according to the embodiment of the present invention;

【図3】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜を形成した基台の断面図
FIG. 3 is a cross-sectional view of a base on which a conductive film used for an inductance element according to an embodiment of the present invention is formed.

【図4】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台を示す図
FIG. 4 is a diagram showing a base used for an inductance element according to one embodiment of the present invention;

【図5】マンハッタン現象を示す側面図FIG. 5 is a side view showing the Manhattan phenomenon.

【図6】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の斜視図
FIG. 6 is a perspective view of a base used for the inductance element according to the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さと剥がれ発生率を示し
たグラフ
FIG. 7 is a graph showing the surface roughness and the rate of occurrence of peeling of a base used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる基台の表面粗さに対する周波数とQ値
の関係を示すグラフ
FIG. 8 is a graph showing a relationship between a frequency and a Q value with respect to a surface roughness of a base used for an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態におけるインダクタンス
素子に用いられる導電膜の膜圧と、Q値の関係を示すグ
ラフ
FIG. 9 is a graph showing a relationship between a film pressure of a conductive film used for an inductance element and a Q value according to one embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子に用いられる導電膜の表面粗さに対する周波数と
Q値の関係を示すグラフ
FIG. 10 is a graph showing a relationship between frequency and Q value with respect to surface roughness of a conductive film used for an inductance element according to one embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の保護材を設けた部分の側面図
FIG. 11 is a side view of a portion provided with a protective material for an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図12】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の端子部の断面図
FIG. 12 is a sectional view of a terminal portion of the inductance element according to the embodiment of the present invention;

【図13】本発明の一実施の形態におけるインダクタン
ス素子の製造方法を示す概略図
FIG. 13 is a schematic view showing a method for manufacturing an inductance element according to an embodiment of the present invention.

【図14】周波数fとQ値の関係を示すグラフFIG. 14 is a graph showing the relationship between the frequency f and the Q value.

【図15】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示す斜視図
FIG. 15 is a perspective view showing a wireless terminal device according to one embodiment of the present invention;

【図16】本発明の一実施の形態における無線端末装置
を示すブロック図
FIG. 16 is a block diagram showing a wireless terminal device according to an embodiment of the present invention.

【図17】従来のインダクタンス素子を示す側面図FIG. 17 is a side view showing a conventional inductance element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 基台 11a 中央部 11b,11c 端部 11d,11e,11f 角部 12 導電膜 13 溝 14 保護材 15,16 端子部 30 スピーカー 31 操作部 32 表示部 33 アンテナ 34 送信部 35 受信部 36 制御部 Reference Signs List 11 base 11a central part 11b, 11c end part 11d, 11e, 11f corner part 12 conductive film 13 groove 14 protective material 15, 16 terminal part 30 speaker 31 operation part 32 display part 33 antenna 34 transmitting part 35 receiving part 36 control part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楯 純生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Sumio Tate 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基台上に導電膜を形成し、前記導電膜に溝
を形成し、その後に前記溝を形成する際に生じた酸化物
を取り除く事を特徴とするインダクタンス素子の製造方
法。
1. A method for manufacturing an inductance element, comprising: forming a conductive film on a base; forming a groove in the conductive film; and removing an oxide generated when the groove is formed thereafter.
【請求項2】酸化物を物理的エッチングで取り除いた事
を特徴とする請求項1記載のインダクタンス素子の製造
方法。
2. The method according to claim 1, wherein the oxide is removed by physical etching.
【請求項3】酸化物を取り除いた後に溝を覆うように保
護材を設けた事を特徴とする請求項1,2いずれか1記
載のインダクタンス素子の製造方法。
3. The method of manufacturing an inductance element according to claim 1, wherein a protective material is provided so as to cover the groove after removing the oxide.
【請求項4】溝を導電体にレーザを照射することによっ
て形成した事を特徴とする請求項1,2,3いずれか1
記載のインダクタンス素子の製造方法。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the groove is formed by irradiating the conductor with a laser.
A method for manufacturing the inductance element described above.
【請求項5】四角柱状で中央部に窪み部を設けた基台上
に導電膜を形成し、前記窪み部にレーザーを照射してス
パイラル状の溝を前記導電膜に形成し、前記レーザ加工
によって生じた酸化物を取り除き、前記溝を覆うように
前記窪み部に保護材を形成することを特徴とするインダ
クタンス素子の製造方法。
5. A conductive film is formed on a base having a square columnar shape and a recessed portion provided at the center, and a spiral groove is formed in the conductive film by irradiating the recessed portion with a laser. A method for manufacturing an inductance element, comprising: removing an oxide produced by the above process; and forming a protective material in the recess so as to cover the groove.
【請求項6】音声を音声信号に変換する音声信号変換手
段と、電話番号等を入力する操作手段と、着信表示や電
話番号等を表示する表示手段と、音声信号を復調して送
信信号に変換する送信手段と、受信信号を音声信号に変
換する受信手段と、前記送信信号及び前記受信信号を送
受信するアンテナと、各部を制御する制御手段を備えた
無線端末装置であって、受信手段及び送信手段を構成す
るフィルタ回路やマッチング回路を構成するインダクタ
ンス素子として、請求項1〜5いずれか1記載の製造方
法で製造されたインダクタンス素子を用いたことを特徴
とする無線端末装置。
6. An audio signal converting means for converting an audio signal into an audio signal, an operation means for inputting a telephone number and the like, a display means for displaying an incoming call display, a telephone number and the like, and a demodulation of the audio signal into a transmission signal. A transmitting unit for converting, a receiving unit for converting a received signal into an audio signal, an antenna for transmitting and receiving the transmitted signal and the received signal, and a wireless terminal device including a control unit for controlling each unit; 6. A wireless terminal device using an inductance element manufactured by the manufacturing method according to claim 1 as an inductance element forming a filter circuit or a matching circuit forming a transmission unit.
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