JPH10117024A - Manufacture of ceramic diaphragm structure - Google Patents

Manufacture of ceramic diaphragm structure

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JPH10117024A
JPH10117024A JP15195497A JP15195497A JPH10117024A JP H10117024 A JPH10117024 A JP H10117024A JP 15195497 A JP15195497 A JP 15195497A JP 15195497 A JP15195497 A JP 15195497A JP H10117024 A JPH10117024 A JP H10117024A
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substrate
sheet
ceramic green
layer
firing
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Yukihisa Takeuchi
幸久 武内
Tsutomu Nanataki
七瀧  努
Katsuyuki Takeuchi
勝之 竹内
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make small undulation of diaphragm structure after the baking by causing the temperature and contraction rate during the sintering process of a ceramic green base material and ceramic green sheet to satisfy a specific formula and then setting the average sintering temperature difference of the base material expressed by the formula to be larger than 0. SOLUTION: A ceramic green base material and a ceramic green sheet satisfy the formulae I to III (wherein S (base material) and S (sheet) express respectively the contraction rate (%) of the base material and sheet, while T70 (base material) and T70 (sheet) respectively indicate the temperature ( deg.C) during the sintering process of the base material and sheet) and sets the average sintering temperature difference of the ceramic green base material expressed by the formula IV (where N indicates the number of layers forming the base material and T70 (base material)n indicates the sintering temperature of the nth layer from the lowest layer among the layers forming the base material when the side where the sheet is stacked in the integrated stacked layer substrate is placed in the upper side) to the value larger than 0.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】 本発明は、各種センサ、圧
電/電歪アクチュエータ等の構成部材として用いられる
セラミックダイヤフラム構造体の製造方法に関する。
[0001] The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic diaphragm structure used as a constituent member of various sensors, piezoelectric / electrostrictive actuators, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】 セラミックダイヤフラム構造体とは、
少なくとも1つの窓部を有する基体に、可撓性を有する
薄肉のダイヤフラム板を、その窓部を覆蓋するように取
り付けてダイヤフラムとした構造体である。このような
セラミックダイヤフラム構造体は、ダイヤフラム部が測
定する対象から受ける屈曲変位を適当な検出手段にて検
出するように構成することにより各種センサに用いら
れ、又、ダイヤフラム部が圧電/電歪素子によって変形
せしめられて、内部に形成された加圧室に圧力を加える
ように構成することにより圧電/電歪アクチュエータの
構成部材として用いられている。
2. Description of the Related Art What is a ceramic diaphragm structure?
This is a structure in which a thin diaphragm plate having flexibility is attached to a base having at least one window portion so as to cover the window portion to form a diaphragm. Such a ceramic diaphragm structure is used for various sensors by configuring the diaphragm portion to detect a bending displacement received from an object to be measured by an appropriate detecting means, and the diaphragm portion has a piezoelectric / electrostrictive element. By applying pressure to a pressurized chamber formed therein, the piezoelectric / electrostrictive actuator is used as a component of a piezoelectric / electrostrictive actuator.

【0003】 セラミックダイヤフラム構造体は、セラ
ミックグリーン基体(以下、グリーン基体と記載す
る。)に薄肉のセラミックグリーンシート(以下、グリ
ーンシートと記載する。)を一体的に組み付けた後に焼
成を行うことにより製造され、焼成後、グリーン基体は
基体、グリーンシートはダイヤフラム板となる。が、近
年は焼成過程においてダイヤフラム部にクラックが発生
したり凹みが生じるのを防ぐために、図1に示すように
ダイヤフラム部1が基体2に設けた窓部8と反対方向に
向かって凸形状となるように形成したセラミックダイヤ
フラム構造体3が用いられている。ダイヤフラム部1を
上記のような凸形状とすることにより、フラット形状と
した場合に比べ、固有共振周波数を大きくすることがで
きる。又、ダイヤフラム部1の機械的強度に優れるとと
もに、その表面に形成される各種の膜の焼結に際して
も、それを阻害することがない等の利点も認められてい
る。
[0003] The ceramic diaphragm structure is formed by integrally attaching a thin ceramic green sheet (hereinafter, referred to as a green sheet) to a ceramic green substrate (hereinafter, referred to as a green substrate) and then performing firing. After being manufactured and fired, the green substrate becomes a substrate and the green sheet becomes a diaphragm plate. However, in recent years, in order to prevent cracks and dents from occurring in the diaphragm during the firing process, the diaphragm 1 has a convex shape in a direction opposite to the window 8 provided in the base 2 as shown in FIG. A ceramic diaphragm structure 3 formed so as to be used is used. By making the diaphragm portion 1 convex as described above, the natural resonance frequency can be increased as compared with the case where the diaphragm portion 1 has a flat shape. Further, it has been recognized that the diaphragm portion 1 has excellent mechanical strength, and has advantages such as not hindering sintering of various films formed on the surface thereof.

【0004】 このような凸形状のダイヤフラム部を有
するセラミックダイヤフラム構造体を製造する場合に
は、グリーン基体及びグリーンシートに、下式(イ)、
(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (但し、S(基体)及びS(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの収縮率(%)を表し、
又、T70(基体)及びT70(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの焼結途上温度を表
す。)を満たすような材料、即ち図2において斜線で示
される範囲の材料を用いることにより、ダイヤフラム部
にクラック等を生じさせずに、焼成中にグリーンシート
を基体に設けた窓部と反対方向に向かって凸状に突出さ
せることができることが特開平8−51238号公報に
開示されている。即ち、グリーン基体とグリーンシート
の収縮率及び焼結途上温度に所定の差を設けることによ
り、凸形状の薄肉部分を形成することができる。
When a ceramic diaphragm structure having such a convex diaphragm portion is manufactured, the following formula (A) is used for a green substrate and a green sheet.
(B) and (c); (b) S (substrate) −S (sheet) ≧ −0.08 {T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (where, S ( Substrate) and S (sheet) represent the shrinkage (%) of the green substrate and the green sheet, respectively.
T 70 (substrate) and T 70 (sheet) represent the sintering temperature of the green substrate and green sheet, respectively. 2), that is, a material in a range shown by oblique lines in FIG. 2, so that a crack or the like does not occur in the diaphragm portion, and the green sheet is provided in the direction opposite to the window portion provided on the base during firing. Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-51238 discloses that the projection can be made to project in a convex shape. That is, by providing a predetermined difference between the shrinkage ratio and the sintering temperature between the green base and the green sheet, a convex-shaped thin portion can be formed.

【0005】 なお、収縮率(%)とは、グリーン基体
及びグリーンシートを単独で、それらを一体的に焼成す
る場合と同じ温度で焼成した際の、面方向の長さの収縮
率(%)を表し、面方向の長さの収縮率は、{(焼成前
長さ−焼成後長さ)/焼成前長さ}×100(%)にて
表されるが、面方向とは、厚み方向ではなく、グリーン
基体又はグリーンシートを成形した面における所定の方
向を表している。又、焼結途上温度とは、焼成過程にお
いて、前記収縮率、S(基体)及びS(シート)の70
%に達する温度をいい、焼結速度を示す尺度である。
The shrinkage rate (%) refers to the shrinkage rate (%) of the length in the plane direction when the green substrate and the green sheet are fired independently at the same temperature as when they are fired integrally. And the shrinkage ratio of the length in the plane direction is represented by {(length before firing−length after firing) / length before firing} × 100 (%), where the plane direction is the thickness direction. Instead, it indicates a predetermined direction on the surface on which the green substrate or green sheet is formed. The sintering temperature is defined as the shrinkage rate, S (base) and S (sheet) of 70 during the firing process.
% And is a measure of the sintering rate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、特開
平8−51238号公報に開示された方法は、グリーン
基体の収縮率及び焼結途上温度が、グリーンシートの近
傍から遠隔部にかけて均一であることを想定しており、
この方法では、ダイヤフラム構造体3のうねりが大きく
なり、ダイヤフラム構造体を含むセラミック基板15全
体に反りが生じるという問題があった。ここで、図5及
び図7に示すように、基体2とダイヤフラム部1とでセ
ラミックダイヤフラム構造体3が構成されており、この
セラミックダイヤフラム構造体3が複数個集まってセラ
ミック基板15を構成している。
However, the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-51238 discloses that the shrinkage ratio and the sintering temperature of the green substrate are uniform from the vicinity of the green sheet to the remote part. Assumed,
In this method, there is a problem that the undulation of the diaphragm structure 3 is increased, and the entire ceramic substrate 15 including the diaphragm structure is warped. Here, as shown in FIGS. 5 and 7, a ceramic diaphragm structure 3 is constituted by the base 2 and the diaphragm portion 1, and a plurality of the ceramic diaphragm structures 3 are collected to constitute a ceramic substrate 15. I have.

【0007】 上記の反りやうねりは、荷重を積載して
再焼成を行っても充分に矯正することが難しく、修正荷
重を大きくするとダイヤフラム部1や基体2に破損が生
じる。又、反りやうねりを放置すると、ダイヤフラム構
造体3の寸法精度が低下するため、ダイヤフラム板上に
パターンを印刷する際の精度が低下したり、膜厚にばら
つきが生じ、そのため、センサに用いた場合には検出精
度のばらつきを、圧電/電歪アクチュエータに用いた場
合には、変位量の低下やばらつきを招く。
[0007] It is difficult to sufficiently correct the above-mentioned warpage or undulation even if a load is loaded and refiring is performed. If the correction load is increased, the diaphragm portion 1 and the base 2 are damaged. In addition, if warpage or undulation is left, the dimensional accuracy of the diaphragm structure 3 is reduced, so that the accuracy in printing a pattern on the diaphragm plate is reduced or the film thickness is varied. In this case, when the variation in the detection accuracy is used for a piezoelectric / electrostrictive actuator, the displacement amount is reduced or varied.

【0008】 従って、本発明は、焼成過程において、
ダイヤフラム部を基体に設けた窓部とは反対方向に凸形
状となるように形成することができるとともに、ダイヤ
フラム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセ
ラミック基板の焼成後の反りを有利に小さくすることが
できるセラミックダイヤフラム構造体の製造方法を提供
することを目的とする。
[0008] Accordingly, the present invention provides a process for firing,
The diaphragm portion can be formed so as to have a convex shape in a direction opposite to the window portion provided in the base, and the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the warpage after firing of the ceramic substrate including the same are advantageous. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic diaphragm structure that can be reduced in size.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】 即ち、本発明によれ
ば、1又は2以上の窓部を有し、かつ1又は2以上の層
から成るグリーン基体に、1又は2以上の層から成る薄
肉のグリーンシートを、上記窓部を覆蓋するように積層
して一体積層物とした後、焼成することにより、ダイヤ
フラム部が上記窓部と反対方向に向かって凸形状となる
ように形成するセラミックダイヤフラム構造体の製造方
法であって、上記グリーン基体及び上記グリーンシート
が、下式(イ)、(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (式中、S(基体)及びS(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの収縮率(%)を表し、
又、T70(基体)及びT70(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの焼結途上温度(℃)を
表す。)を満たし、かつ、下式(ニ);
That is, according to the present invention, a green substrate having one or more windows and comprising one or more layers is provided on a green substrate comprising one or more layers. The ceramic diaphragm is formed such that the green sheet is laminated so as to cover the window portion to form an integral laminate, and then fired, so that the diaphragm portion has a convex shape in a direction opposite to the window portion. A method for manufacturing a structure, wherein the green substrate and the green sheet are formed by the following formulas (A), (B) and (C); (A) S (substrate) -S (sheet) ≧ −0.08 { T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (wherein, S (Substrate) and S (sheet) represent the shrinkage (%) of the green substrate and green sheet, respectively.
T 70 (substrate) and T 70 (sheet) represent the sintering temperature (° C.) of the green substrate and the green sheet, respectively. Satisfies the following formula (d);

【0010】[0010]

【数5】 (Equation 5)

【0011】(式中、Nはグリーン基体を構成する層の
数を表し、T70(基体)nは上記一体積層物においてグ
リーンシートを積層した側を上とした場合のグリーン基
体を構成する層のうち、最下層からn番目の層の焼結途
上温度(℃)を表し、tn及びtn+1は、それぞれ、上記一
体積層物を焼成した後のn番目の層の下面及び上面から
基体の中立線までの距離に、上記中立線より下側に位置
する面については−の記号を付し、上記中立線より上側
に位置する面については+の記号を付した値を表す。)
で表されるグリーン基体の平均焼結温度差が0より大き
いセラミックダイヤフラム構造体の製造方法が提供され
る。
(Wherein, N represents the number of layers constituting the green substrate, and T 70 (substrate) n represents the layer constituting the green substrate when the side on which the green sheets are laminated is the upper side in the above-mentioned integrated laminate) Among them, the sintering temperature (° C.) of the n-th layer from the lowermost layer is represented, and t n and t n + 1 are respectively measured from the lower surface and the upper surface of the n-th layer after firing the integrated laminate. (The distance to the neutral line of the substrate is indicated by a minus sign for a surface located below the neutral line, and a + sign is given for a surface located above the neutral line.)
The manufacturing method of the ceramic diaphragm structure whose average sintering temperature difference of the green base represented by these is larger than 0 is provided.

【0012】 又、本発明によれば、1又は2以上の窓
部を有し、かつ1又は2以上の層から成るグリーン基体
に、1又は2以上の層から成る薄肉のグリーンシート
を、上記窓部を覆蓋するように積層して一体積層物とし
た後、焼成することにより、ダイヤフラム部が上記窓部
と反対方向に向かって凸形状となるように形成するセラ
ミックダイヤフラム構造体の製造方法であって、上記グ
リーン基体及び上記グリーンシートが、下式(イ)、
(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (式中、S(基体)及びS(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの収縮率(%)を表し、
又、T70(基体)及びT70(シート)は、それぞれ、グ
リーン基体及びグリーンシートの焼結途上温度(℃)を
表す。)を満たし、かつ、下式(ホ);
According to the present invention, a thin green sheet having one or more layers is provided on a green substrate having one or more windows and having one or more layers. A method for manufacturing a ceramic diaphragm structure in which the diaphragm is formed so as to be convex toward the opposite direction to the window by firing after laminating so as to cover the window to form an integrated laminate, followed by firing. The green substrate and the green sheet are represented by the following formula (A):
(B) and (c); (b) S (substrate) −S (sheet) ≧ −0.08 {T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (wherein, S (Substrate) and S (sheet) represent the shrinkage (%) of the green substrate and green sheet, respectively.
T 70 (substrate) and T 70 (sheet) represent the sintering temperature (° C.) of the green substrate and the green sheet, respectively. ), And the following formula (e);

【0013】[0013]

【数6】 (Equation 6)

【0014】(式中、Nはグリーン基体を構成する層の
数を表し、S(基体)nは上記一体積層物においてグリ
ーンシートを積層した側を上とした場合のグリーン基体
を構成する層のうち、最下層からn番目の層の収縮率
(%)を表し、tn及びtn+1は、それぞれ、上記一体積層
物を焼成した後のn番目の層の下面及び上面から基体の
中立線までの距離に、上記中立線より下側に位置する面
については−の記号を付し、上記中立線より上側に位置
する面については+の記号を付した値を表す。)で表さ
れるグリーン基体の平均収縮率差が0より大きいセラミ
ックダイヤフラム構造体の製造方法が提供される。
(Wherein, N represents the number of layers constituting the green substrate, and S (substrate) n represents the number of layers constituting the green substrate when the side on which the green sheets are laminated in the integrated laminate is faced up. among them, contraction of the n th layer from the bottom layer represents (%), t n and t n + 1, respectively, a neutral substrate from the lower surface and the upper surface of the n-th layer after firing the integral laminate The distance to the line is indicated by a minus sign for a surface located below the neutral line and a + sign for a surface located above the neutral line.) The present invention provides a method for producing a ceramic diaphragm structure having a difference in average shrinkage of a green substrate larger than 0.

【0015】 上記のセラミックダイヤフラム構造体の
製造方法において、下式(ヘ);
In the method for manufacturing a ceramic diaphragm structure, the following formula (f):

【0016】[0016]

【数7】 (Equation 7)

【0017】(式中、Mは上記一体積層物を焼成した後
における基体を構成する層のうち、前記中立線より下側
に位置する層の数を表し、Anは上記一体積層物を焼成
した後における該基体を構成する層のうち、最下層から
n番目の層の厚みを表すが、最下層からM番目の層につ
いてはその層の下面から前記中立線までの厚みを表し、
70(基体)nは前記の意味を表し、Aは上記一体積層
物を焼成した後における基体の最下層の下面から該中立
線までの距離を表す。)で表される基体の中立線から下
側部分のグリーン基体の焼結途上温度(℃)は、下式
(ト);
[0017] (wherein, M is among the layers constituting the substrate in the after firing the integral laminate, represents the number of layers located below the neutral line, A n is firing the integral laminate Of the layers constituting the substrate after the above, represents the thickness of the n-th layer from the bottom layer, while the M-th layer from the bottom layer represents the thickness from the lower surface of the layer to the neutral line,
T 70 (substrate) n represents the above-mentioned meaning, and A represents the distance from the lower surface of the lowermost layer of the substrate to the neutral line after firing the above-mentioned integrated laminate. ), The sintering temperature (° C.) of the green substrate below the neutral line of the substrate is expressed by the following formula (G);

【0018】[0018]

【数8】 (Equation 8)

【0019】(式中、Lはグリーンシートを構成する層
の数を表し、T70(シート)nは一体積層物においてグ
リーンシートを積層した側を上とした場合の、グリーン
シートを構成する層のうち最下層からn番目の層の焼結
途上温度(℃)を表し、Bnは上記一体積層物を焼成し
た後における、ダイヤフラム板を構成する層のうち、最
下層からn番目の層の厚みを表し、Bはダイヤフラム板
の厚みを表す。)で表されるグリーンシートの焼結途上
温度(℃)より大きいことが好ましい。
(In the formula, L represents the number of layers constituting the green sheet, and T 70 (sheet) n represents the layer constituting the green sheet when the side on which the green sheet is laminated faces upward in the integrated laminate. represents sintering developing temperature of the n-th layer from the bottom layer (℃) of, B n is definitive after firing the integrated laminate, the layers constituting the diaphragm plate, the bottom layer of the n-th layer Represents the thickness, and B represents the thickness of the diaphragm plate).

【0020】 又、グリーンシートが、平均粒子径0.
05〜1.0μmの、部分安定化ジルコニア、完全安定
化ジルコニア若しくはアルミナ又はこれらの混合物、又
は焼成後にこれらの材料となる素材から成ることが好ま
しい。
The green sheet has an average particle size of 0.1.
It is preferable to use a material which is partially stabilized zirconia, fully stabilized zirconia or alumina, or a mixture thereof, or a material which becomes these materials after firing.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】 本発明においては、下式
(イ)、(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (式中の記号は前記の意味を表す。)を満たす収縮率及
び焼結途上温度を有するグリーン基体及びグリーンシー
トを用いて、セラミックダイヤフラム構造体が製造され
るが、さらに、下式(ニ);
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, the following formulas (a), (b) and (c); (a) S (substrate) -S (sheet) ≧ −0.08 {T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (symbols in the formula Means the above-mentioned meaning.) A ceramic diaphragm structure is manufactured using a green substrate and a green sheet having a shrinkage ratio and a sintering temperature that satisfy the following conditions.

【0022】[0022]

【数9】 (Equation 9)

【0023】 で表される平均焼結温度差が0より大で
あるか、又は、下式(ホ);
The average sintering temperature difference represented by the formula is greater than 0, or the following formula (e);

【0024】[0024]

【数10】 (Equation 10)

【0025】 で表される平均収縮率差が0より大きい
基体が用いられる。
A substrate having a difference in average shrinkage ratio larger than 0 is used.

【0026】 式(ニ)中、Nはグリーン基体を構成す
る層の数を表す。又、T70(基体)nは、図3に示すよ
うに一体積層物においてグリーンシートを積層した側を
上とした場合の、グリーン基体を構成する層のうち、最
下層からn番目の層の焼結途上温度(℃)を表し、tn
びtn+1は、それぞれ、一体積層物を焼成した後のn番目
の層の下面及び上面から基体の中立線までの距離に、中
立線5より下側に位置する面については−の記号を付
し、中立線5より上側に位置する面については+の記号
を付した値を表す。ここで、中立線5とは、一体積層物
を焼成した後における、最下層4の下面からN番目の層
6の上面までの距離の中点を結んだ線をいう。又、式
(ホ)中、S(基体)nは、一体積層物においてグリー
ンシートを積層した側を上とした場合の最下層からn番
目の層の収縮率(%)を表す。
In the formula (D), N represents the number of layers constituting the green substrate. Further, T 70 (substrate) n is the n-th layer from the lowest layer among the layers constituting the green substrate when the side on which the green sheets are laminated in the monolithic laminate is faced up as shown in FIG. The sintering temperature (° C.) is represented by t n and t n + 1 , respectively, and the neutral line 5 is the distance from the lower surface and the upper surface of the n-th layer after firing of the integrated laminate to the neutral line of the substrate. The surface located below is indicated by a minus sign, and the surface located above the neutral line 5 is indicated by a plus sign. Here, the neutral line 5 refers to a line connecting the midpoints of the distance from the lower surface of the lowermost layer 4 to the upper surface of the Nth layer 6 after firing the integrated laminate. In the formula (E), S (substrate) n represents the shrinkage rate (%) of the n-th layer from the bottom layer when the side on which the green sheets are laminated is the top in the integrated laminate.

【0027】 なお、式(イ)中のS(基体)は、下式
(チ);
In the formula (A), S (substrate) is represented by the following formula (H):

【0028】[0028]

【数11】 [Equation 11]

【0029】(式中、N及びS(基体)nは前記の意味
を表し、Cnは一体積層物を焼成した後における最下層
からn番目の層の厚みを表し、Cは一体積層物を焼成し
た後における基体の厚みを表す。)により算出され、T
70(基体)は、下式(リ);
(Wherein N and S (substrate) n represent the above-mentioned meanings, C n represents the thickness of the n-th layer from the bottom layer after firing the integrated laminate, and C represents the thickness of the integrated laminate. T represents the thickness of the substrate after firing.)
70 (substrate):

【0030】[0030]

【数12】 (Equation 12)

【0031】(式中、N、T70(基体)n、Cn及びCは
前記の意味を表す。)により算出される。又、グリーン
シートが複数の層から成る場合には、S(シート)及び
70(シート)も同様に算出される。
(Wherein, N, T 70 (substrate) n , C n and C represent the above-mentioned meanings). When the green sheet is composed of a plurality of layers, S (sheet) and T 70 (sheet) are calculated in the same manner.

【0032】 従って、本発明の方法によれば、グリー
ン基体の焼結途上温度や収縮率がグリーンシートに与え
る影響の、グリーンシートからの距離による変化をも加
味した調整を行うことにより、即ち、焼結途上温度や収
縮率の異なる複数の層からグリーン基体を構成し、それ
らの値を調整することによって、ダイヤフラム部が基体
に設けた窓部と反対方向に向かって凸形状となり、かつ
ダイヤフラム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを
含むセラミック基板の焼成後の反りを有利に小さくする
ことができる。
Therefore, according to the method of the present invention, the influence of the temperature during the sintering of the green substrate and the shrinkage rate on the green sheet is adjusted in consideration of the change due to the distance from the green sheet, that is, The green base is composed of a plurality of layers having different sintering temperatures and shrinkage rates, and by adjusting those values, the diaphragm part becomes convex toward the opposite direction to the window provided in the base body, and the diaphragm structure is formed. The undulation after firing of the body and / or the warping after firing of the ceramic substrate containing the same can be advantageously reduced.

【0033】 具体的には、例えば、図4に示す焼成物
基体7において、平均焼結温度差及び平均収縮率差は、
それぞれ式(ニ)及び(ホ)により以下のように算出さ
れる。
Specifically, for example, in the fired material substrate 7 shown in FIG. 4, the average sintering temperature difference and the average shrinkage ratio difference are:
It is calculated as follows by the equations (d) and (e), respectively.

【0034】[0034]

【数13】 (Equation 13)

【0035】[0035]

【数14】 [Equation 14]

【0036】 なお、式中、T1〜T6及びS1〜S6は、
それぞれ、第n層の焼結途上温度及び収縮率を表す。
又、第5層が、焼成後において200μmの厚さを有す
る他は、他の層はすべて焼成後において100μmの厚
さを有する。
In the formula, T 1 to T 6 and S 1 to S 6 are
Each represents the sintering temperature and shrinkage ratio of the n-th layer.
All the other layers have a thickness of 100 μm after firing, except that the fifth layer has a thickness of 200 μm after firing.

【0037】 又、グリーン基体を構成する各層を接着
する際に各層の間に接着層を設ける場合があるが、その
ような場合には接着層も基体層として扱って上記の計算
を行う。なお、凸形状の形成安定性が向上することか
ら、中立線より下側におけるグリーン基体の焼結途上温
度は、グリーンシートの焼結途上温度より高いことが好
ましい。
When bonding the layers constituting the green substrate, an adhesive layer may be provided between the layers. In such a case, the above calculation is performed by treating the adhesive layer as the substrate layer. The sintering temperature of the green substrate below the neutral line is preferably higher than the sintering temperature of the green sheet, since the formation stability of the convex shape is improved.

【0038】 又、本発明において、焼成後における基
体の中立線から下側部分のグリーン基体の焼結途上温度
(℃)は、グリーンシートの焼結途上温度(℃)より大
きいことが、凸形状の形成安定性の向上という観点より
好ましい。
In the present invention, the sintering temperature (° C.) of the green substrate below the neutral line after firing is higher than the sintering temperature (° C.) of the green sheet. It is preferable from the viewpoint of improving the formation stability.

【0039】 ここで、焼成後における基体の中立線か
ら下側部分のグリーン基体の焼結途上温度(℃)は、下
式(ヘ);
Here, the sintering temperature (° C.) of the green base in the lower part from the neutral line of the base after firing is represented by the following formula (f):

【0040】[0040]

【数15】 (Equation 15)

【0041】(式中、Mは一体積層物を焼成した後にお
ける基体を構成する層のうち、中立線より下側に位置す
る層の数を表し、Anは一体積層物を焼成した後におけ
る基体を構成する層のうち、最下層からn番目の層の厚
みを表すが、最下層からM番目の層についてはその層の
下面から中立線までの厚みを表し、T70(基体)nは前
記の意味を表し、Aは一体積層物を焼成した後における
基体の最下層の下面から中立線までの距離を表す。)で
表され、グリーンシートの焼結途上温度(℃)は、下式
(ト);
[0041] (wherein, M is among the layers constituting the substrate in the after firing the integrated laminate, represents the number of layers positioned below a neutral line, A n is definitive after firing the integral laminate Of the layers constituting the base, the thickness of the n-th layer from the bottom layer is represented, and the thickness of the M-th layer from the bottom layer is the thickness from the lower surface of the layer to the neutral line, and T 70 (base) n is A represents the above-mentioned meaning, and A represents the distance from the lower surface of the lowermost layer of the substrate to the neutral line after firing the integrated laminate.) The sintering temperature (° C.) of the green sheet is represented by the following formula: (G);

【0042】[0042]

【数16】 (Equation 16)

【0043】(式中、Lはグリーンシートを構成する層
の数を表し、T70(シート)nは一体積層物においてグ
リーンシートを積層した側を上とした場合の、グリーン
シートを構成する層のうち最下層からn番目の層の焼結
途上温度(℃)を表し、Bnは一体積層物を焼成した後
における、ダイヤフラム板を構成する層のうち、最下層
からn番目の層の厚みを表し、Bはダイヤフラム板の厚
みを表す。)で表される。
(In the formula, L represents the number of layers constituting the green sheet, and T 70 (sheet) n represents the layer constituting the green sheet when the side on which the green sheet is laminated in the integrated laminate is faced up. Represents the sintering temperature (° C.) of the n-th layer from the bottom layer, and B n is the thickness of the n-th layer from the bottom layer among the layers constituting the diaphragm plate after firing the integrated laminate. And B represents the thickness of the diaphragm plate.)

【0044】 本発明において、セラミックダイヤフラ
ム構造体は、上記の条件を満たすグリーン基体及びグリ
ーンシートを用いて製造されるが、具体的には、例え
ば、以下のように製造される。
In the present invention, the ceramic diaphragm structure is manufactured using a green substrate and a green sheet satisfying the above-mentioned conditions. Specifically, for example, it is manufactured as follows.

【0045】 まず、グリーン基体及びグリーンシート
が成形されるが、これらには、ムライト、ベリリア、ス
ピネル、チタニア、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、安
定化ジルコニア、部分安定化ジルコニア、アルミナ、若
しくはこれらの混合材料が用いられ、又、焼成後に上記
の材料となる素材を用いてもよい。
First, a green substrate and a green sheet are formed. These include mullite, beryllia, spinel, titania, aluminum nitride, silicon nitride, stabilized zirconia, partially stabilized zirconia, alumina, or a mixed material thereof. Alternatively, a material that becomes the above-described material after firing may be used.

【0046】 特にグリーンシートの材料には、これら
の材料のうち、部分安定化ジルコニア、完全安定化ジル
コニア若しくはアルミナ又はこれらの混合物、又は焼成
後にこれらの材料となる素材を用いることが好ましい。
又、さらに好ましくは、本発明者らが、特開平5ー27
0912号公報等において開示した、酸化イットリウム
等の化合物を添加することにより、結晶相を、主として
正方晶、若しくは立方晶、正方晶、単斜晶のうちの2種
以上からなる混晶として部分安定化したジルコニアを主
成分とした材料が用いられる。
In particular, as the material of the green sheet, it is preferable to use partially stabilized zirconia, fully stabilized zirconia or alumina, or a mixture thereof, or a material which becomes these materials after firing.
More preferably, the present inventors have disclosed in
By adding a compound such as yttrium oxide disclosed in JP-A-09912, etc., the crystal phase is partially stabilized as a tetragonal crystal or a mixed crystal composed of two or more of cubic, tetragonal and monoclinic crystals. A material containing zirconia as a main component is used.

【0047】 グリーン基体の材料には、グリーンシー
トと同様の材料を用いることが、グリーン基体とグリー
ンシートとを一体的に構成する点より好ましいが、その
他、ガラスセラミックス、コージェライト等のセラミッ
ク材料を用いてもよい。
As the material of the green substrate, it is preferable to use the same material as the green sheet from the viewpoint of integrally forming the green substrate and the green sheet. In addition, ceramic materials such as glass ceramics and cordierite are used. May be used.

【0048】 なお、グリーンシートは、ダイヤフラム
部の機械的強度の点より、0.05〜1.0μmの平均
粒子径を有する粉末形態の、部分安定化ジルコニア、完
全安定化ジルコニア、アルミナ若しくはこれらの混合物
を主成分とする材料、又は焼成後にこれらの材料となる
素材を用いて形成することが望ましい。
The green sheet may be in the form of a powder having an average particle diameter of 0.05 to 1.0 μm, such as partially stabilized zirconia, fully stabilized zirconia, alumina or any of these, in view of the mechanical strength of the diaphragm. It is preferable to use a material containing a mixture as a main component or a material which becomes such a material after firing.

【0049】 又、セラミックダイヤフラム構造体のダ
イヤフラム板の厚さは、30μm以下とすることが好ま
しく、3〜20μmとすることがより好ましい。又、そ
の緻密度は、相対密度(嵩密度/理論密度)が90%以
上であることが、強度やヤング率等の観点から好まし
く、95%以上であることがより好ましく、98%以上
であることがさらに好ましい。
Also, the thickness of the diaphragm plate of the ceramic diaphragm structure is preferably 30 μm or less, more preferably 3 to 20 μm. In addition, the denseness is preferably 90% or more in terms of relative density (bulk density / theoretical density) from the viewpoint of strength, Young's modulus, and the like, more preferably 95% or more, and 98% or more. Is more preferable.

【0050】 一方、基体の厚みには特に限定はなく、
ダイヤフラム構造体の使用目的によって、適宜に決定さ
れる。但し、本発明の効果をより大きなものとするには
基体の合計厚さが50μm以上であることが好ましい。
On the other hand, the thickness of the substrate is not particularly limited.
It is appropriately determined according to the purpose of use of the diaphragm structure. However, in order to further enhance the effects of the present invention, it is preferable that the total thickness of the substrate is 50 μm or more.

【0051】 グリーン基体及びグリーンシートは、上
記の材料に、適当なバインダ、可塑剤、分散剤、焼結助
剤、有機溶媒等を配合して調製したスラリー又はペース
トを、ドクターブレード法、カレンダー法、印刷法、リ
バースロールコーター法等の従来から公知の方法により
成形して得た構成部材を、必要に応じて切断、切削、打
ち抜き等の加工を加えた後、積層することにより、所定
形状及び所定の厚さにすることにより得られる。
The green substrate and the green sheet are prepared by mixing a slurry or paste prepared by blending the above materials with an appropriate binder, a plasticizer, a dispersant, a sintering aid, an organic solvent and the like, by a doctor blade method, a calendar method, and the like. , Printing method, a component obtained by molding by a conventionally known method such as a reverse roll coater method, if necessary, cutting, cutting, punching and the like after processing, by laminating, by forming a predetermined shape and It is obtained by making it a predetermined thickness.

【0052】 次に、グリーン基体とグリーンシートを
重ね合わせることにより一体積層物が調製される。グリ
ーンシートは、グリーン基体の窓部を覆蓋するようにグ
リーン基体に積層され、熱圧着等により一体的な積層物
とされる。
Next, an integrated laminate is prepared by overlapping the green substrate and the green sheet. The green sheet is laminated on the green substrate so as to cover the window of the green substrate, and is formed into an integrated laminate by thermocompression bonding or the like.

【0053】 最後に、上記の積層物に焼成が施され、
ダイヤフラム部が基体に設けた窓部と反対方向に凸形状
に突出したセラミックダイヤフラム構造体が得られる。
なお、焼成温度は、1200〜1700℃であることが
好ましく、1300〜1600℃であることがより好ま
しい。
Finally, the laminate is fired,
A ceramic diaphragm structure is obtained in which the diaphragm protrudes in a convex shape in the direction opposite to the window provided in the base.
The firing temperature is preferably from 1200 to 1700 ° C, more preferably from 1300 to 1600 ° C.

【0054】[0054]

【実施例】 以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳
細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0055】(実施例1) 本発明の製造方法を用い
て、前述の式(イ)、(ロ)及び(ハ)を満たすととも
に、式(ニ)を満たすように、基体が2層から成るセラ
ミックダイヤフラム構造体を製造した。平均粒子径が
0.4から1.0μmの範囲内にある部分安定化ジルコ
ニア粉末(アルミナ0.1〜0.5%含有)を100重
量部、バインダとしてポリビニルブチラール樹脂を7.
6重量部、可塑剤としてフタル酸ジオクチルを3.8重
量部、溶媒としてトルエンと2−プロパノールとの1:
1(容積比)混合物を80重量部、さらに、必要に応じ
て分散剤としてソルビタン脂肪酸エステルを0〜2.0
重量部を、ボールミルにて5〜50時間混合し、スラリ
ーを調製した。このスラリーを脱泡して、グリーンシー
ト用には2000cpsとなるように、グリーン基体用
には20000cpsとなるように粘度を調整した。
(Example 1) By using the manufacturing method of the present invention, the base is composed of two layers so as to satisfy the above-mentioned formulas (a), (b) and (c) and to satisfy the formula (d). A ceramic diaphragm structure was manufactured. 6. 100 parts by weight of partially stabilized zirconia powder (containing 0.1 to 0.5% of alumina) having an average particle diameter in a range of 0.4 to 1.0 μm, and polyvinyl butyral resin as a binder.
6 parts by weight, 3.8 parts by weight of dioctyl phthalate as a plasticizer, and 1: a mixture of toluene and 2-propanol as a solvent.
1 (volume ratio) of the mixture was 80 parts by weight and, if necessary, a sorbitan fatty acid ester of 0 to 2.0 was added as a dispersant.
The parts by weight were mixed in a ball mill for 5 to 50 hours to prepare a slurry. This slurry was defoamed, and the viscosity was adjusted so as to be 2000 cps for the green sheet and 20,000 cps for the green substrate.

【0056】 上記のスラリーを、ドクターブレード法
にて所定の形状に成形し、グリーン基体を構成する各層
を得た。又、リバースロールコーター法にてグリーンシ
ートに成形した。
The above slurry was formed into a predetermined shape by a doctor blade method to obtain each layer constituting a green substrate. Green sheets were formed by a reverse roll coater method.

【0057】 なお、収縮率は、ボールミルでの混合時
間が長い程、又、分散剤の添加量が多い程小さくなり、
焼結途上温度は、ボールミルでの混合時間が長い程、
又、アルミナ含有量が多い程、さらに粉末粒子径が小さ
い程低くなるが、これらの因子を制御することにより、
グリーン基体の収縮率を20.76%に調整し、グリー
ンシートの収縮率を21.50%に調整した。
The shrinkage rate decreases as the mixing time in the ball mill increases and as the amount of the dispersant added increases.
The sintering temperature, the longer the mixing time in the ball mill,
Also, the higher the alumina content, the lower the powder particle size becomes smaller, but by controlling these factors,
The shrinkage of the green substrate was adjusted to 20.76%, and the shrinkage of the green sheet was adjusted to 21.50%.

【0058】 又、グリーン基体の第1層(セラミック
ダイヤフラム構造体をダイヤフラム板が上になるように
配置した場合の、下から第n番目の層を第n層と記載す
る。以下、同様である。)の焼結途上温度を1310℃
に、グリーン基体の第2層の焼結途上温度を1330℃
に、グリーンシートの焼結途上温度を1272℃に調整
した。
Further, the first layer of the green substrate (the n-th layer from the bottom when the ceramic diaphragm structure is arranged so that the diaphragm plate is on the top) is referred to as the n-th layer. ) At 1310 ° C
Then, the sintering temperature of the second layer of the green substrate is set to 1330 ° C.
Then, the sintering temperature of the green sheet was adjusted to 1272 ° C.

【0059】 上記の層を重ね合わせることにより、2
層から成るグリーン基体を製造し、さらにグリーンシー
トを重ね合わせ、100℃、200kg/cm2で1分
間加熱圧着処理することで一体積層物とし、1500℃
で3時間焼成することにより、図5に示す3個の窓部8
を有するダイヤフラム構造体3が4個配置されたセラミ
ック基板を製造した。各窓部8、即ちダイヤフラム部1
の形状は、それぞれ0.5×0.7mmの矩形形状と
し、各窓部8の間隔は0.5mmの辺に沿って0.3m
mとした。又、基体2の第1層9には、各窓部8と連通
する直径0.2mmの孔10を設けた。基体2は第1層
9及び第2層11とも100μmの厚さとし、ダイヤフ
ラム板12は10μmの厚さとした。
By superposing the above layers, 2
A green substrate composed of layers is manufactured, and the green sheets are further laminated and heat-pressed at 100 ° C. and 200 kg / cm 2 for 1 minute to form an integrated laminate at 1500 ° C.
By firing for 3 hours, three windows 8 shown in FIG.
A ceramic substrate on which four diaphragm structures 3 each having the above-mentioned structure were disposed was manufactured. Each window portion 8, that is, the diaphragm portion 1
Is a rectangular shape of 0.5 × 0.7 mm, and the interval between the windows 8 is 0.3 m along the side of 0.5 mm.
m. The first layer 9 of the base 2 was provided with a hole 10 having a diameter of 0.2 mm communicating with each window 8. The base 2 had a thickness of 100 μm for both the first layer 9 and the second layer 11, and the diaphragm plate 12 had a thickness of 10 μm.

【0060】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表1に示す。又、表1には、式(ニ)、(ホ)、
(チ)、(リ)及び(ヘ)に基づいて、それぞれ算出し
たグリーン基体の平均焼結温度差と平均収縮率差並びに
グリーン基体全体の焼結途上温度(T70(基体))と収
縮率(S(基体))及びグリーン基体の中立線より下側
における焼結途上温度を併記した。なお、これらの値を
算出するに当たって、グリーン基体の各層の焼結途上温
度(T70(基体)n)及び収縮率(S(基体)n)は、こ
れら各層を構成するシートから成る10×10mmの測
定試料を用いて、単独で測定した値を用いた。これらの
値も表1に併記した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, whether or not the diaphragm portion had a convex shape, and the magnitude of the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same were evaluated. Table 1 shows the results. Table 1 shows the formulas (d), (e),
(H), (d) and (f), the average sintering temperature difference and average shrinkage difference of the green substrate calculated respectively, and the sintering temperature (T 70 (substrate)) and shrinkage ratio of the entire green substrate (S (substrate)) and the sintering temperature at the lower side of the neutral line of the green substrate are also shown. In calculating these values, the sintering temperature (T 70 (substrate) n ) and shrinkage ratio (S (substrate) n ) of each layer of the green substrate were determined to be 10 × 10 mm composed of the sheets constituting each layer. The value measured independently using the measurement sample of No. was used. These values are also shown in Table 1.

【0061】(実施例2〜8) グリーン基体を構成す
る各層の焼結途上温度及び収縮率を実施例1の場合と異
なる値とした以外は、実施例1と同様に、前述の式
(イ)、(ロ)及び(ハ)を満たすとともに、式(ニ)
又は(ホ)の少なくとも一方を満たし、かつ基体が2層
から成るセラミックダイヤフラム構造体を4個配置した
セラミック基板をを製造した。ただし、実施例4及び8
においては、グリーンシートの焼結途上温度と収縮率を
それぞれ、1262℃、21.38%とした。
(Examples 2 to 8) In the same manner as in Example 1 except that the sintering temperature and the shrinkage rate of each layer constituting the green substrate were set to values different from those in Example 1, the above-mentioned formula (I) was used. ), (B) and (c), and the formula (d)
Alternatively, a ceramic substrate which satisfies at least one of (e) and in which four ceramic diaphragm structures each having a two-layer base were arranged was manufactured. However, Examples 4 and 8
In the above, the sintering temperature and shrinkage rate of the green sheet were 1262 ° C. and 21.38%, respectively.

【0062】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表1に示す。又、表1には、グリーン基体を構成す
る各層の焼結途上温度と収縮率及び前記の式に基づいて
算出したグリーン基体の平均焼結温度差等の算出値を併
記した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, whether or not the diaphragm portion had a convex shape and the magnitude of the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same were evaluated. Table 1 shows the results. Table 1 also shows calculated values such as the sintering temperature and shrinkage rate of each layer constituting the green base and the average sintering temperature difference of the green base calculated based on the above formula.

【0063】[0063]

【表1】 [Table 1]

【0064】(比較例1〜6) 前述の式(イ)、
(ロ)及び(ハ)又は式(ロ)及び(ハ)を満たすが、
それぞれ式(ニ)及び(ホ)又は式(イ)、(ニ)及び
(ホ)のいずれをも満たさないセラミックダイヤフラム
構造体を製造した。グリーン基体を構成する各層の焼結
途上温度及び収縮率を実施例1の場合と異なる値とした
以外は、基体が2層から成る点、製造方法等は実施例1
の場合と同様である。なお、グリーンシートの焼結途上
温度及び収縮率も、実施例1と同様に、それぞれ127
2℃及び21.50%とした。
(Comparative Examples 1 to 6)
(B) and (c) or formulas (b) and (c) are satisfied,
A ceramic diaphragm structure not satisfying any of the formulas (d) and (e) or the formulas (a), (d) and (e) was manufactured. Except that the sintering temperature and shrinkage rate of each layer constituting the green base were set to values different from those in Example 1, the point that the base was composed of two layers, the manufacturing method, and the like were the same as in Example 1.
Is the same as The sintering temperature and shrinkage rate of the green sheet were each 127 degrees in the same manner as in Example 1.
2 ° C. and 21.50%.

【0065】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表2に示す。又、表2には、グリーン基体を構成す
る各層の焼結途上温度と収縮率及び前記の式に基づいて
算出したグリーン基体の平均焼結温度差等の算出値を併
記した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, whether or not the diaphragm portion had a convex shape, and the magnitude of the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same were evaluated. Table 2 shows the results. Table 2 also shows calculated values such as the sintering temperature and shrinkage rate of each layer constituting the green base and the average sintering temperature difference of the green base calculated based on the above equation.

【0066】[0066]

【表2】 [Table 2]

【0067】(実施例9) 本発明の製造方法を用い
て、前述の式(イ)、(ロ)及び(ハ)を満たすととも
に、式(ニ)及び(ホ)の双方を満たすように、基体が
5層から成るセラミックダイヤフラム構造体を製造し
た。
(Embodiment 9) Using the manufacturing method of the present invention, the above formulas (a), (b) and (c) should be satisfied, and at the same time both formulas (d) and (e) should be satisfied. A ceramic diaphragm structure having five substrates was manufactured.

【0068】 平均粒子径が0.2から0.8μmの範
囲内にあるアルミナ粉末を100重量部、バインダとし
てポリビニルブチラール樹脂を11重量部、可塑剤とし
てフタル酸ジオクチルを5.5重量部、溶媒としてトル
エンと2−プロパノールとの1:1(容積比)混合物を
110重量部、さらに、必要に応じて分散剤としてソル
ビタン脂肪酸エステルを0〜3.0重量部を、ボールミ
ルにて5〜50時間混合し、スラリーを調製した。この
スラリーを脱泡して、グリーンシート用には2000c
psとなるように、グリーン基体用には20000cp
sとなるように粘度を調整し、実施例1と同様にグリー
ン基体を構成する各層及びグリーンシートを成形した。
100 parts by weight of alumina powder having an average particle diameter in the range of 0.2 to 0.8 μm, 11 parts by weight of polyvinyl butyral resin as a binder, 5.5 parts by weight of dioctyl phthalate as a plasticizer, solvent 110 parts by weight of a 1: 1 (volume ratio) mixture of toluene and 2-propanol, and if necessary, 0 to 3.0 parts by weight of a sorbitan fatty acid ester as a dispersant, for 5 to 50 hours by a ball mill By mixing, a slurry was prepared. This slurry is defoamed, and for green sheets, 2000 c
20,000 cp for green substrate
The viscosity was adjusted so as to be s, and each layer constituting the green substrate and the green sheet were formed in the same manner as in Example 1.

【0069】 実施例1と同様の因子を制御することに
より、グリーンシートの収縮率を21.40%、焼結途
上温度を1270℃に調整した。一方、グリーン基体の
収縮率を第1層から順に、20.50%、20.63
%、20.59%、20.38%及び20.79%に、
焼結途上温度を第1層から順に、1310℃、1340
℃、1330℃、1360℃及び1330℃に調整し
た。
By controlling the same factors as in Example 1, the shrinkage ratio of the green sheet was adjusted to 21.40%, and the sintering temperature was adjusted to 1270 ° C. On the other hand, the shrinkage ratio of the green substrate is 20.50%, 20.63% in order from the first layer.
%, 20.59%, 20.38% and 20.79%
The sintering temperature is set to 1310 ° C. and 1340 in order from the first layer.
° C, 1330 ° C, 1360 ° C and 1330 ° C.

【0070】 上記の各層を重ね合わせて5層から成る
グリーン基体とした後、さらにグリーンシートを重ね合
わせ、100℃、200kg/cm2で1分間加熱圧着
処理することで一体積層物とし、1550℃で3時間焼
成することにより、図6に示す3個の窓部8を有するダ
イヤフラム構造体3を製造した。各窓部8、即ちダイヤ
フラム部1の形状は、それぞれ0.8×1.2mmの矩
形形状とし、各窓部8の間隔は0.8mmの辺に沿って
0.5mmとした。又、基体2の第4層及び第2層も第
5層と同様の形状とし、第1層及び第3層には、各窓部
8と連通する直径0.2mmの孔10を設けた。基体2
の厚さは、第1層が200μm、第2層が250μm、
第3層が100μm、第4層が50μm、そして第5層
が100μmとした。又、ダイヤフラム板12の厚さ
は、20μmとした。
After the above-described layers are superimposed to form a green substrate composed of five layers, green sheets are further superimposed and subjected to a heat and pressure treatment at 100 ° C. and 200 kg / cm 2 for 1 minute to form an integrated laminate. By firing for 3 hours, a diaphragm structure 3 having three windows 8 shown in FIG. 6 was manufactured. Each of the windows 8, that is, the shape of the diaphragm 1 was a rectangular shape of 0.8 × 1.2 mm, and the interval between the windows 8 was 0.5 mm along the 0.8 mm side. Further, the fourth layer and the second layer of the base 2 had the same shape as the fifth layer, and the first layer and the third layer were provided with holes 10 having a diameter of 0.2 mm communicating with the respective window portions 8. Substrate 2
Has a thickness of 200 μm for the first layer, 250 μm for the second layer,
The third layer was 100 μm, the fourth layer was 50 μm, and the fifth layer was 100 μm. Further, the thickness of the diaphragm plate 12 was set to 20 μm.

【0071】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表3に示す。又、表3には、前記の式に基づいて算
出したグリーン基体の平均焼結温度差と平均収縮率差並
びにグリーン基体全体の焼結途上温度と収縮率及びグリ
ーン基体の中立線より下側における焼結途上温度を併記
した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, whether or not the diaphragm portion had a convex shape and the magnitude of the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same were evaluated. Table 3 shows the results. Table 3 shows the average sintering temperature difference and the average shrinkage difference of the green substrate calculated based on the above equation, the sintering temperature and the shrinkage ratio of the entire green substrate, and the value of the green substrate below the neutral line. The sintering temperature is also shown.

【0072】(実施例10) グリーン基体を構成する
各層の焼結途上温度及び収縮率を実施例9の場合と異な
る値とした以外は、実施例9と同様に、前述の式
(イ)、(ロ)及び(ハ)を満たすとともに、式(ニ)
を満たし、かつ基体が5層から成るセラミックダイヤフ
ラム構造体を製造した。なお、グリーンシートの焼結途
上温度と収縮率はそれぞれ、1260℃、21.30%
とした。
Example 10 In the same manner as in Example 9, except that the sintering temperature and the shrinkage rate of each layer constituting the green base were set to values different from those in Example 9, the above-mentioned formula (A) was used. While satisfying (b) and (c), the formula (d)
And a ceramic diaphragm structure having five layers of the substrate was manufactured. The green sheet sintering temperature and shrinkage were 1260 ° C. and 21.30%, respectively.
And

【0073】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表3に示す。又、表3には、グリーン基体を構成す
る各層の焼結途上温度と収縮率及び前記の式に基づいて
算出したグリーン基体の平均焼結温度差等の算出値を併
記した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, it was evaluated whether or not the diaphragm portion had a convex shape, and the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same. Table 3 shows the results. Table 3 also shows calculated values such as the sintering temperature and shrinkage rate of each layer constituting the green base and the average sintering temperature difference of the green base calculated based on the above formula.

【0074】(比較例7) 前述の式(イ)、(ロ)及
び(ハ)を満たすが、式(ニ)及び(ホ)のいずれをも
満たさないセラミックダイヤフラム構造体を製造した。
グリーン基体を構成する各層の焼結途上温度及び収縮率
を実施例9の場合と異なる値とした以外は、基体が5層
から成る点、製造方法等は実施例9の場合と同様であ
る。なお、グリーンシートの製造に用いられるスラリー
の焼結途上温度及び収縮率も、実施例9と同様に、それ
ぞれ1270℃及び21.40%とした。
Comparative Example 7 A ceramic diaphragm structure that satisfies the above-mentioned formulas (a), (b) and (c) but does not satisfy any of the formulas (d) and (e) was manufactured.
Except that the sintering temperature and the shrinkage rate of each layer constituting the green base were set to values different from those of the ninth embodiment, the base was composed of five layers, and the manufacturing method was the same as that of the ninth embodiment. The sintering temperature and shrinkage rate of the slurry used for manufacturing the green sheet were also set to 1270 ° C. and 21.40%, respectively, as in Example 9.

【0075】 上記のダイヤフラム構造体について、ダ
イヤフラム部が凸形状となったか否か、及びダイヤフラ
ム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを含むセラミ
ック基板の焼成後の反りの大きさについて評価した。結
果を表3に示す。又、表3には、グリーン基体を構成す
る各層の焼結途上温度と収縮率及び前記の式に基づいて
算出したグリーン基体の平均焼結温度差等の算出値を併
記した。
With respect to the above-mentioned diaphragm structure, it was evaluated whether or not the diaphragm portion had a convex shape, and the degree of the undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage after firing of the ceramic substrate including the same. Table 3 shows the results. Table 3 also shows calculated values such as the sintering temperature and shrinkage rate of each layer constituting the green base and the average sintering temperature difference of the green base calculated based on the above formula.

【0076】[0076]

【表3】 [Table 3]

【0077】 実施例においては、すべてダイヤフラム
部が凸形状となり、ダイヤフラム構造体の焼成後のうね
り及び/又はそれを含むセラミック基板の焼成後に発生
した反りの程度も小さかったが、比較例においては、ダ
イヤフラム部が凸形状とならない場合があった他、凸形
状となったものにおいても、ダイヤフラム構造体の焼成
後のうねり及び/又はそれを含むセラミック基板の焼成
後に発生した反りの程度が大きかった。
In the examples, the diaphragm portions were all convex, and the degree of undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage generated after firing of the ceramic substrate containing the same was small, but in the comparative example, In some cases, the diaphragm portion did not have a convex shape. Even in the case of the convex portion, the degree of undulation after firing of the diaphragm structure and / or the degree of warpage generated after firing of the ceramic substrate containing the same was large.

【0078】[0078]

【発明の効果】 本発明の製造方法においては、グリー
ン基体及びグリーンシートの焼結途上温度及び収縮率が
所定の式を満たすように制御しているため、グリーン基
体の焼結途上温度や収縮率がグリーンシートに与える影
響の、グリーンシートからの距離による変化をも加味し
た調整が可能となり、その結果、ダイヤフラム部が基体
に設けた窓部と反対方向に向かって凸形状となり、かつ
ダイヤフラム構造体の焼成後のうねり及び/又はそれを
含むセラミック基板の焼成後の反りを有利に小さくする
ことができる。従って、ダイヤフラム構造体をセンサに
用いた場合には検出精度のばらつきを防ぐことができ、
圧電/電歪アクチュエータに用いた場合には、変位量の
低下やばらつきを防ぐことができる。
In the manufacturing method of the present invention, the sintering temperature and the shrinkage rate of the green substrate and the green sheet are controlled so as to satisfy a predetermined formula. Can be adjusted in consideration of the change of the influence of the green sheet on the distance from the green sheet, and as a result, the diaphragm portion has a convex shape in the direction opposite to the window provided on the base, and the diaphragm structure After firing and / or warpage after firing of a ceramic substrate containing the same can be advantageously reduced. Therefore, when the diaphragm structure is used for the sensor, variation in detection accuracy can be prevented,
When used for a piezoelectric / electrostrictive actuator, it is possible to prevent a decrease or variation in the amount of displacement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 凸形状のダイヤフラム部を有するセラミック
ダイヤフラム構造体の一例を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a ceramic diaphragm structure having a convex diaphragm portion.

【図2】 ダイヤフラム部を凸形状とするために、グリ
ーン基体及びグリーンシートの収縮率及び焼結途上温度
がとるべき値の範囲を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing a range of values that a shrinkage ratio and a sintering temperature of a green substrate and a green sheet should take in order to make a diaphragm portion convex.

【図3】 凸形状のダイヤフラム部を有するセラミック
ダイヤフラム構造体の他の例を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of a ceramic diaphragm structure having a convex diaphragm portion.

【図4】 複数の層から成る一体積層物を焼成した後の
セラミック基体の一例を示す部分断面図である。
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing one example of a ceramic base body after firing an integrated laminate composed of a plurality of layers.

【図5】 凸形状のダイヤフラム部を有するセラミック
ダイヤフラム構造体のさらに他の例を示す断面図であ
る。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing still another example of a ceramic diaphragm structure having a convex diaphragm portion.

【図6】 凸形状のダイヤフラム部を有するセラミック
ダイヤフラム構造体のさらに他の例を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing still another example of a ceramic diaphragm structure having a convex diaphragm portion.

【図7】 セラミックダイヤフラム構造体を複数個有す
るセラミック基板の一例を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing an example of a ceramic substrate having a plurality of ceramic diaphragm structures.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ダイヤフラム部、2…基体、3…セラミックダイヤ
フラム構造体、4…最下層、5…中立線、6…最下層か
らN番目の層、7…グリーン基体、8…窓部、9…第一
層、10…孔、11…第二層、12…ダイヤフラム板。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Diaphragm part, 2 ... Substrate, 3 ... Ceramic diaphragm structure, 4 ... Lowermost layer, 5 ... Neutral line, 6 ... Nth layer from the lowermost layer, 7 ... Green substrate, 8 ... Window part, 9 ... First Layer, 10: hole, 11: second layer, 12: diaphragm plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 41/08 C ──────────────────────────────────────────────────の Continued on front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 41/08 C

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1又は2以上の窓部を有し、かつ1又は
2以上の層から成るセラミックグリーン基体に、1又は
2以上の層から成る薄肉のセラミックグリーンシート
を、当該窓部を覆蓋するように積層して一体積層物とし
た後、焼成することにより、ダイヤフラム部が当該窓部
と反対方向に向かって凸形状となるように形成するセラ
ミックダイヤフラム構造体の製造方法であって、 該セラミックグリーン基体及び該セラミックグリーンシ
ートが、下式(イ)、(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (式中、S(基体)及びS(シート)は、それぞれ、セ
ラミックグリーン基体及びセラミックグリーンシートの
収縮率(%)を表し、又、T70(基体)及びT70(シー
ト)は、それぞれ、セラミックグリーン基体及びセラミ
ックグリーンシートの焼結途上温度(℃)を表す。)を
満たし、かつ、 下式(ニ); 【数1】 (式中、Nはセラミックグリーン基体を構成する層の数
を表し、T70(基体)nは該一体積層物において該セラ
ミックグリーンシートを積層した側を上とした場合の、
該セラミックグリーン基体を構成する層のうち、最下層
からn番目の層の焼結途上温度(℃)を表し、tn及びt
n+1は、それぞれ、該一体積層物を焼成した後のn番目
の層の下面及び上面から基体の中立線までの距離に、該
中立線より下側に位置する面については−の記号を付
し、該中立線より上側に位置する面については+の記号
を付した値を表す。)で表されるセラミックグリーン基
体の平均焼結温度差が0より大きいことを特徴とするセ
ラミックダイヤフラム構造体の製造方法。
1. A thin ceramic green sheet comprising one or more layers and a ceramic green substrate comprising one or more layers having one or more windows and covering said windows. A method of manufacturing a ceramic diaphragm structure in which the diaphragm is formed so as to have a convex shape in a direction opposite to the window by firing after firing to form an integral laminate. The ceramic green substrate and the ceramic green sheet are represented by the following formulas (a), (b), and (c); (a) S (substrate) −S (sheet) ≧ −0.08 {T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (wherein, S (Substrate) and S (sheet) represent the shrinkage (%) of the ceramic green substrate and the ceramic green sheet, respectively, and T 70 (substrate) and T 70 (sheet) represent the ceramic green substrate and the ceramic, respectively. (Representing the sintering temperature (° C.) of the green sheet)) and the following formula (d); (Wherein, N represents the number of layers constituting the ceramic green substrate, and T 70 (substrate) n represents, when the ceramic green sheet laminated side of the integrated laminate is faced up,
Among the layers constituting the ceramic green substrate, the sintering temperature (° C.) of the n-th layer from the lowermost layer is represented by t n and t n
n + 1 is the distance between the lower surface and the upper surface of the n-th layer after firing of the integrated laminate to the neutral line of the base, and the symbol-for the surface located below the neutral line. The surface located above the neutral line is indicated by a value with a plus sign. The method of manufacturing a ceramic diaphragm structure, wherein the average sintering temperature difference of the ceramic green substrate represented by the formula (1) is larger than 0.
【請求項2】 1又は2以上の窓部を有し、かつ1又は
2以上の層から成るセラミックグリーン基体に、1又は
2以上の層から成る薄肉のセラミックグリーンシート
を、当該窓部を覆蓋するように積層して一体積層物とし
た後、焼成することにより、ダイヤフラム部が当該窓部
と反対方向に向かって凸形状となるように形成するセラ
ミックダイヤフラム構造体の製造方法であって、 該セラミックグリーン基体及び該セラミックグリーンシ
ートが、下式(イ)、(ロ)及び(ハ); (イ) S(基体)−S(シート)≧−0.08{T
70(基体)−T70(シート)}−1 (ロ) 0≦T70(基体)−T70(シート)≦300 (ハ) S(基体)−S(シート)≦20 (式中、S(基体)及びS(シート)は、それぞれ、セ
ラミックグリーン基体及びセラミックグリーンシートの
収縮率(%)を表し、又、T70(基体)及びT70(シー
ト)は、それぞれ、セラミックグリーン基体及びセラミ
ックグリーンシートの焼結途上温度(℃)を表す。)を
満たし、かつ、 下式(ホ); 【数2】 (式中、Nはセラミックグリーン基体を構成する層の数
を表し、S(基体)nは該一体積層物において該セラミ
ックグリーンシートを積層した側を上とした場合の該セ
ラミックグリーン基体を構成する層のうち、最下層から
n番目の層の収縮率(%)を表し、tn及びtn+1は、それ
ぞれ、該一体積層物を焼成した後のn番目の層の下面及
び上面から基体の中立線までの距離に、該中立線より下
側に位置する面については−の記号を付し、該中立線よ
り上側に位置する面については+の記号を付した値を表
す。)で表されるセラミックグリーン基体の平均収縮率
差が0より大きいことを特徴とするセラミックダイヤフ
ラム構造体の製造方法。
2. A ceramic green substrate having one or more layers and having one or more layers, a thin ceramic green sheet comprising one or more layers, and a cover covering the windows. A method of manufacturing a ceramic diaphragm structure in which the diaphragm is formed so as to have a convex shape in a direction opposite to the window by firing after firing to form an integral laminate. The ceramic green substrate and the ceramic green sheet are represented by the following formulas (a), (b), and (c); (a) S (substrate) −S (sheet) ≧ −0.08 {T
70 (substrate) -T 70 (sheet)} - 1 (b) 0 ≦ T 70 (substrate) -T 70 (sheet) ≦ 300 (c) S (substrate) -S (sheet) ≦ 20 (wherein, S (Substrate) and S (sheet) represent the shrinkage (%) of the ceramic green substrate and the ceramic green sheet, respectively, and T 70 (substrate) and T 70 (sheet) represent the ceramic green substrate and the ceramic, respectively. (Representing the sintering temperature (° C.) of the green sheet)) and the following formula (e): (In the formula, N represents the number of layers constituting the ceramic green substrate, and S (substrate) n constitutes the ceramic green substrate when the side on which the ceramic green sheets are laminated in the integrated laminate faces upward. of the layers, contraction rate of the n th layer from the bottom layer represents (%), t n and t n + 1, respectively, the substrate from the lower surface and the upper surface of the n-th layer after firing the integral laminate The distance to the neutral line is indicated by a minus sign for a surface located below the neutral line, and a value indicated by a + symbol for a surface located above the neutral line.) A method for producing a ceramic diaphragm structure, wherein the average shrinkage difference of the ceramic green substrate represented is larger than 0.
【請求項3】 下式(ヘ); 【数3】 (式中、Mは該一体積層物を焼成した後における基体を
構成する層のうち、該中立線より下側に位置する層の数
を表し、Anは一体積層物を焼成した後における該基体
を構成する層のうち、最下層からn番目の層の厚みを表
すが、最下層からM番目の層についてはその層の下面か
ら該中立線までの厚みを表し、T70(基体)nは前記の
意味を表し、Aは該一体積層物を焼成した後における基
体の最下層の下面から該中立線までの距離を表す。)で
表される該中立線から下側部分のセラミックグリーン基
体の焼結途上温度(℃)が、下式(ト); 【数4】 (式中、Lはセラミックグリーンシートを構成する層の
数を表し、T70(シート)nは該一体積層物においてセ
ラミックグリーンシートを積層した側を上とした場合
の、該セラミックグリーンシートを構成する層のうち最
下層からn番目の層の焼結途上温度(℃)を表し、Bn
は該一体積層物を焼成した後における、ダイヤフラム板
を構成する層のうち、最下層からn番目の層の厚みを表
し、Bはダイヤフラム板の厚みを表す。)で表されるセ
ラミックグリーンシートの焼結途上温度(℃)より大き
い請求項1又は2に記載のセラミックダイヤフラム構造
体の製造方法。
3. The following formula (f): (Wherein, M is among the layers constituting the substrate in the after firing the integral laminate, represents the number of layers located below the neutral line, A n is the in after firing the integral laminate Of the layers constituting the base, the thickness of the n-th layer from the bottom layer is represented. For the M-th layer from the bottom layer, the thickness from the lower surface of the layer to the neutral line is represented by T 70 (base) n Represents the above-mentioned meaning, and A represents the distance from the lower surface of the lowermost layer of the substrate to the neutral line after firing the integrated laminate.) The sintering temperature (° C.) of is calculated by the following formula (g); (Where L represents the number of layers constituting the ceramic green sheet, and T 70 (sheet) n represents the number of layers constituting the ceramic green sheet when the side on which the ceramic green sheet is laminated faces upward in the integrated laminate. It represents sintering developing temperature of the n-th layer from the bottom layer (℃) among the layers, B n
Represents the thickness of the n-th layer from the bottom layer among the layers constituting the diaphragm plate after firing the integrated laminate, and B represents the thickness of the diaphragm plate. 3. The method for producing a ceramic diaphragm structure according to claim 1, wherein the temperature is higher than the sintering temperature (° C.) of the ceramic green sheet represented by (1).
【請求項4】 該セラミックグリーンシートが、平均粒
子径0.05〜1.0μmの、部分安定化ジルコニア、
完全安定化ジルコニア若しくはアルミナ又はこれらの混
合物、又は焼成後にこれらの材料となる素材から成る請
求項1、2又は3に記載のセラミックダイヤフラム構造
体の製造方法。
4. A partially stabilized zirconia, wherein the ceramic green sheet has an average particle size of 0.05 to 1.0 μm,
The method for producing a ceramic diaphragm structure according to claim 1, 2 or 3, comprising a completely stabilized zirconia or alumina, a mixture thereof, or a material which becomes these materials after firing.
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