JP5021595B2 - Piezoelectric / electrostrictive porcelain composition and piezoelectric / electrostrictive element - Google Patents

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

本発明は、圧電/電歪磁器組成物及び当該圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪素子に関する。   The present invention relates to a piezoelectric / electrostrictive porcelain composition and a piezoelectric / electrostrictive element using the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition.

圧電/電歪アクチュエータは、サブミクロンのオーダーで変位を精密に制御することができるという利点を有する。特に、圧電/電歪磁器組成物の焼結体を圧電/電歪体として用いた圧電/電歪アクチュエータは、変位を精密に制御することができる他にも、電気機械変換効率が高く、発生力が大きく、応答速度が速く、耐久性が高く、消費電力が少ないという利点も有し、これらの利点を生かして、インクジェットプリンタのヘッドやディーゼルエンジンのインジェクタ等に採用されている。   Piezoelectric / electrostrictive actuators have the advantage that displacement can be precisely controlled on the order of submicrons. In particular, a piezoelectric / electrostrictive actuator using a sintered body of a piezoelectric / electrostrictive porcelain composition as a piezoelectric / electrostrictive body can precisely control displacement, and has high electromechanical conversion efficiency. It has the advantages of high power, fast response speed, high durability, and low power consumption. Taking advantage of these advantages, it is employed in inkjet printer heads, diesel engine injectors, and the like.

圧電/電歪アクチュエータ用の圧電/電歪磁器組成物としては、従来、Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系の圧電/電歪磁器組成物が用いられていたが、焼結体からの鉛の溶出が地球環境に与える影響が強く懸念されるようになってからは、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物も検討されている。 As a piezoelectric / electrostrictive porcelain composition for a piezoelectric / electrostrictive actuator, a Pb (Zr, Ti) O 3 (PZT) -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition has been conventionally used. (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain compositions have been studied since the elution of lead in the environment is strongly concerned. .

例えば、非特許文献1には、化学量論組成の(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物が開示されている。 For example, Non-Patent Document 1 discloses a (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition having a stoichiometric composition.

さらに、特許文献1には、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物において、Bサイト元素の原子数よりもAサイト元素の原子数を過剰にすることにより、圧電/電歪特性を向上することができることが示されている。 Further, in Patent Document 1, in the (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition, the number of atoms of the A site element is excessive than the number of atoms of the B site element. It has been shown that the piezoelectric / electrostrictive characteristics can be improved.

国際公開第2006/095716号公報International Publication No. 2006/095716 Yasuyoshi Saito et al,"High Performance Lead-Free Piezoelectric Ceramics in the (K,Na)NbO3-LiTaO3 Solid Solution System",Ferroelectrics(United States of America),2006,Volume 338,p.17-32Yasuyoshi Saito et al, "High Performance Lead-Free Piezoelectric Ceramics in the (K, Na) NbO3-LiTaO3 Solid Solution System", Ferroelectrics (United States of America), 2006, Volume 338, p.17-32

しかし、従来の(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物では、焼成温度をかなり高温にしなければ、焼結が十分に進行せず焼結密度が小さくなり、圧電/電歪アクチュエータ用として重要な高電界印加時の電界誘起歪が必ずしも十分なものとはならないという問題があった。 However, in the conventional (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition, unless the firing temperature is set to a very high temperature, the sintering does not proceed sufficiently and the sintering density is low. There is a problem that the electric field induced strain at the time of applying a high electric field, which is important for piezoelectric / electrostrictive actuators, is not always sufficient.

また、従来の(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物では、Li等のアルカリ成分の揮発を抑えるために、空気雰囲気よりも酸素濃度を増加させた雰囲気中で焼成を行う必要があり、場合によっては、酸素濃度が100%の酸素雰囲気中で焼成を行う必要があった。このような製造上の制約は、製造コストの増加を招くため、望ましくない。 Further, in the conventional (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition, the oxygen concentration is increased more than the air atmosphere in order to suppress the volatilization of alkaline components such as Li. In some cases, it was necessary to perform firing in an oxygen atmosphere having an oxygen concentration of 100%. Such manufacturing constraints are undesirable because they increase manufacturing costs.

なお、(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物は、斜方晶−正方晶相転移温度(以下、単に「相転移温度」という)TOTを有し、相転移温度TOTの近傍の温度において電界誘起歪が極大となるという特徴を有する。しかし、組成によっては、相転移温度TOTが実使用温度の範囲外にあるために実使用温度において十分な電界誘起歪が得られない場合や、相転移温度TOTが実使用温度の範囲内にあっても相転移温度TOTの近傍の温度における電界誘起歪の極大値が十分に大きくならないために実使用温度において十分な電界誘起歪が得られない場合もある。 The (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition has an orthorhombic-tetragonal phase transition temperature (hereinafter simply referred to as “phase transition temperature”) T OT . And electric field induced strain is maximized at a temperature near the phase transition temperature TOT . However, depending on the composition, the phase transition temperature T OT is outside the range of the actual use temperature, so that sufficient electric field induced strain cannot be obtained at the actual use temperature, or the phase transition temperature T OT is within the range of the actual use temperature. However, since the maximum value of the electric field induced strain at a temperature in the vicinity of the phase transition temperature TOT is not sufficiently increased, sufficient electric field induced strain may not be obtained at the actual use temperature.

本発明は、この問題を解決するためになされたもので、低温焼結が可能であって実使用温度における高電界印加時の電界誘起歪が良好な(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve this problem, and can be sintered at a low temperature and has a good electric field induced strain when a high electric field is applied at an actual use temperature (Li, Na, K) (Nb, Ta). ) An object of the present invention is to provide an O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、第1の元素としてLi,Na及びKを含み、第2の元素としてNb及びTaを含み、第3の元素としてOを含み、第2の元素の総原子数に対する第1の元素の総原子数の比が1より大きく、第2の元素の総原子数に占めるTaの原子数が30mol%以上50mol%以下である組成を有し、第1の元素をAサイト構成元素、第2の元素をBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む圧電/電歪磁器組成物である。 In order to solve the above-mentioned problem, the invention of claim 1 includes Li, Na and K as the first element, Nb and Ta as the second element, O as the third element, The ratio of the total number of atoms of the first element to the total number of atoms of the element is greater than 1, and the number of Ta atoms in the total number of atoms of the second element is 30 mol% or more and 50 mol% or less; A piezoelectric / electrostrictive porcelain composition comprising a perovskite oxide in which one element is an A-site constituent element and the second element is a B-site constituent element.

請求項2の発明は、一般式{Liy(Na1-xx1-ya(Nb1-zTaz)O3で表され、a,x,y及びzが、それぞれ、1<a≦1.05,0.30≦x≦0.70,0.02≦y≦0.10及び0.3≦z≦0.5を満たす組成を有する請求項1に記載の圧電/電歪磁器組成物である。
The invention of claim 2 is represented by the general formula {Li y (Na 1−x K x ) 1−y } a (Nb 1−z Ta z ) O 3 , wherein a, x, y and z are respectively 2. The piezoelectric element according to claim 1, having a composition satisfying 1 <a ≦ 1.05, 0.30 ≦ x ≦ 0.70, 0.02 ≦ y ≦ 0.10, and 0.3 ≦ z ≦ 0.5. An electrostrictive porcelain composition.

請求項3の発明は、ペロブスカイト型酸化物100重量部に対して0.1重量部以上3重量部以下のLi3NbO4をさらに含む請求項1又は請求項2に記載の圧電/電歪磁器組成物である。 3. The piezoelectric / electrostrictive porcelain according to claim 1 or 2, further comprising 0.1 to 3 parts by weight of Li 3 NbO 4 with respect to 100 parts by weight of the perovskite oxide. It is a composition.

請求項4の発明は、請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である圧電/電歪体膜と、前記圧電/電歪体膜の両主面上の電極膜と、を備える圧電/電歪素子である。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric / electrostrictive film that is a sintered body of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition according to any one of the first to third aspects, and the piezoelectric / electrostrictive film. And an electrode film on the main surface.

本発明によれば、低温焼結が可能であって実使用温度における高電界印加時の電界誘起歪が良好な(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物を提供することができる。 According to the present invention, a (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain that can be sintered at a low temperature and has a good electric field induced strain when a high electric field is applied at an actual use temperature. A composition can be provided.

以下では、本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物について説明し、しかる後に、当該圧電/電歪磁器組成物を用いたアクチュエータについて説明する。ただし、以下の説明は、本発明の圧電/電歪磁器組成物の用途がアクチュエータに限られることを意味するものではない。例えば、本発明の圧電/電歪磁器組成物をセンサ等の圧電/電歪素子に用いてもよい。   Hereinafter, a piezoelectric / electrostrictive ceramic composition according to a preferred embodiment of the present invention will be described, and then an actuator using the piezoelectric / electrostrictive ceramic composition will be described. However, the following description does not mean that the application of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition of the present invention is limited to an actuator. For example, the piezoelectric / electrostrictive ceramic composition of the present invention may be used for a piezoelectric / electrostrictive element such as a sensor.

<1 圧電/電歪磁器組成物>
{組成}
本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物は、第1の元素Aとしてリチウム(Li),ナトリウム(Na)及びカリウム(K)を含み、第2の元素Bとしてニオブ(Nb)及びタンタル(Ta)を含み、第3の元素として酸素(O)を含むABO3型の組成式を有する組成物であって、第2の元素Bの総原子数に対する第1の元素Aの総原子数の比(いわゆるA/B比)が1より大きく、第2の元素Bの総原子数に占めるTaの原子数が10mol%以上50mol%以下である組成を有し、第1の元素AをAサイト構成元素、第2の元素BをBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む。なお、このペロブスカイト型酸化物に、Aサイト元素として銀(Ag)等の1価元素をさらに含有させてもよいし、Bサイト元素としてバナジウム(V)等の5価元素をさらに含有させてもよい。
<1 Piezoelectric / electrostrictive porcelain composition>
{composition}
The piezoelectric / electrostrictive porcelain composition according to a preferred embodiment of the present invention includes lithium (Li), sodium (Na), and potassium (K) as the first element A, and niobium (Nb) as the second element B. And a composition having an ABO 3 type composition formula containing oxygen (O) as the third element, the total of the first element A with respect to the total number of atoms of the second element B The first element A has a composition in which the ratio of the number of atoms (so-called A / B ratio) is greater than 1, and the number of Ta atoms in the total number of atoms of the second element B is 10 mol% or more and 50 mol% or less. Is a perovskite type oxide having an A site constituent element and a second element B as a B site constituent element. The perovskite oxide may further contain a monovalent element such as silver (Ag) as the A site element, or may further contain a pentavalent element such as vanadium (V) as the B site element. Good.

また、本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物は、望ましくは、ペロブスカイト型酸化物100重量部の母相に対して、0.1重量部以上3重量部以下のLi3NbO4の異相をさらに含む。これにより、圧電/電歪磁器組成物の焼結性を向上することができる。Li3NbO4量を0.1重量部以上3重量部以下としたのは、Li3NbO4量がこの範囲を下回ると、圧電/電歪磁器組成物の焼結性が低下して電界誘起歪が小さくなるとともに、絶縁破壊によるショートが起こりやすくなるからであり、Li3NbO4量がこの範囲を上回ると、異相による損失が大きくなって電界誘起歪が小さくなるからであるとともに、絶縁破壊によるショートが起こりやすくなるからである。 In addition, the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition according to the preferred embodiment of the present invention is preferably 0.1 part by weight or more and 3 parts by weight or less of Li 3 NbO with respect to a parent phase of 100 parts by weight of the perovskite oxide. It further includes 4 different phases. Thereby, the sinterability of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition can be improved. The reason why the amount of Li 3 NbO 4 is set to 0.1 parts by weight or more and 3 parts by weight or less is that when the amount of Li 3 NbO 4 falls below this range, the sinterability of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition is reduced and electric field induction is caused. This is because the strain becomes smaller and short-circuiting due to dielectric breakdown is likely to occur. If the amount of Li 3 NbO 4 exceeds this range, loss due to a different phase increases and electric field induced strain becomes smaller. This is because a short circuit is likely to occur.

本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物の組成は、一般式{Liy(Na1-xx1-ya(Nb1-zTaz)O3で表され、a,x,y及びzが、それぞれ、1<a≦1.05,0.30≦x≦0.70,0.02≦y≦0.10及び0.1≦z≦0.5を満たすようにすることが好ましい。 The composition of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition according to the preferred embodiment of the present invention is represented by the general formula {Li y (Na 1−x K x ) 1−y } a (Nb 1−z Ta z ) O 3. , A, x, y and z are 1 <a ≦ 1.05, 0.30 ≦ x ≦ 0.70, 0.02 ≦ y ≦ 0.10 and 0.1 ≦ z ≦ 0.5, respectively. It is preferable to satisfy.

A/B比を1<aとしたのは、圧電/電歪磁器組成物の焼結性を向上するためである。すなわち、化学量論組成の(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系の圧電/電歪磁器組成物は、Ta量を増加させて0.1≦zとすると、非特許文献1のFigure.1に示されているように、焼結性が低下して融解直前まで焼成温度を上げなければならないが、1<aという非化学量論組成を採用することにより、焼結性が向上して950〜1050℃まで焼成温度を下げることができる。このような効果は、1.005≦aの範囲内において特に顕著にあらわれる。焼成温度を高くすることが望ましくないのは、焼成温度を高くすると、圧電/電歪磁器組成物に含まれるアルカリ成分が蒸発し、良好な圧電/電歪特性を安定して得ることができなくなるからである。 The reason for setting the A / B ratio to 1 <a is to improve the sinterability of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition. That is, a (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based piezoelectric / electrostrictive porcelain composition having a stoichiometric composition has a Ta amount increased to 0.1 ≦ z. As shown in Figure 1 of Fig. 1, the sintering temperature has to be lowered and the firing temperature has to be increased until just before melting, but by adopting a non-stoichiometric composition of 1 <a, The firing temperature can be lowered to 950 to 1050 ° C. Such an effect is particularly prominent within the range of 1.005 ≦ a. It is not desirable to increase the firing temperature. When the firing temperature is increased, the alkali component contained in the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition evaporates, making it impossible to stably obtain good piezoelectric / electrostrictive characteristics. Because.

一方、A/B比をa≦1.05としたのは、この範囲を上回ると、誘電損失が増加し、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなる傾向にあるからである。   On the other hand, the reason why the A / B ratio is set to a ≦ 1.05 is that if it exceeds this range, the dielectric loss increases and the electric field induced strain when applying a high electric field tends to be small.

Ta量を0.1≦z≦0.5としたのは、この範囲内において、圧電/電歪特性が高くなる正方晶−斜方晶相転移温度(以下、単に「相転移温度」という)TOTを室温の近傍(−30℃〜135℃)とし、高電界印加時の電界誘起歪を大きくすることができるからである。 The reason why the Ta amount is set to 0.1 ≦ z ≦ 0.5 is that the tetragonal-orthorhombic phase transition temperature (hereinafter simply referred to as “phase transition temperature”) in which the piezoelectric / electrostrictive characteristics become high within this range. the T OT a vicinity of room temperature (-30 ℃ ~135 ℃), is because it is possible to increase the electric field induced strain during application of high electric field.

K及びLi量をそれぞれ0.30≦x≦0.70及び0.02≦y≦0.10としたのは、この範囲内でアクチュエータ用として好適な圧電/電歪磁器組成物を得ることができるからである。   The K and Li amounts were set to 0.30 ≦ x ≦ 0.70 and 0.02 ≦ y ≦ 0.10, respectively, so that a piezoelectric / electrostrictive porcelain composition suitable for an actuator can be obtained within this range. Because it can.

例えば、xがこの範囲を下回ると、圧電/電歪特性が急激に低下する。一方、xがこの範囲を上回ると、焼結が困難になり、焼成温度を高くしなければならなくなる。   For example, when x is less than this range, the piezoelectric / electrostrictive characteristics are rapidly lowered. On the other hand, if x exceeds this range, sintering becomes difficult and the firing temperature must be increased.

また、yがこの範囲を下回ると、やはり、焼結が困難になり、焼成温度を高くしなければならなくなる。一方、yがこの範囲を上回ると、異相の析出が多くなり、絶縁性が低下する。   If y is less than this range, sintering is still difficult, and the firing temperature must be increased. On the other hand, when y exceeds this range, precipitation of heterogeneous phases increases, and the insulation properties decrease.

なお、主成分であるABO3型の組成式を有する組成物に副成分としてMn化合物を添加してもよい。Mn化合物を添加する場合、主成分100モル部に対するMn原子換算の添加量が3モル部以下となるように添加することが望ましい。Mn化合物の添加量を3モル部以下としたのは、この範囲を上回ると、焼結体の内部の異相が増加し、誘電損失が増加し、高電界印加時の電界誘起歪が小さくなる傾向があるからである。 It may be added Mn compound to the composition having the ABO 3 type composition formula as the main component as an auxiliary component. When adding a Mn compound, it is desirable to add so that the addition amount in terms of Mn atom with respect to 100 mol parts of the main component is 3 mol parts or less. The reason why the amount of Mn compound added is 3 mol parts or less is that when the amount exceeds this range, the heterogeneous phase inside the sintered body increases, the dielectric loss increases, and the electric field induced strain when applying a high electric field tends to decrease. Because there is.

ここで、Mn化合物の添加量はごく微量でも足りる。例えば、主成分100モル部に対してMn原子換算で0.001モル部のMn化合物を添加したに過ぎない場合でも、焼結体の分極処理は容易になり、高電界印加時の電界誘起歪も大きくすることができる。   Here, a very small amount of the Mn compound is sufficient. For example, even when only 0.001 mole part of Mn compound in terms of Mn atom is added to 100 mole parts of the main component, the polarization treatment of the sintered body is facilitated, and the electric field induced strain when a high electric field is applied. Can also be increased.

Mn化合物は、原子価が主として2価のMnの化合物であることが望ましい。例えば、酸化マンガン(MnO)やマンガンが固溶したその他の化合物であることが望ましく、ニオブ酸三リチウム(Li3NbO4)にマンガンが固溶した化合物であることが特に望ましい。ここで、「主として2価」とは、原子価が2価以外のMnの化合物を含んでいてもかまわず、最も多く含まれる原子価が2価であればよいことを意味している。Mnの原子価は、X線吸収端構造(XANES;X-ray absorption near-edge structure)により確認することができる。また、Mnは、母相であるペロブスカイト型酸化物の結晶格子に取り込まれることなく、マンガン化合物の異相を構成する元素としてセラミックス焼結体の内部に存在していることが望ましい。 The Mn compound is desirably a compound of Mn whose valence is mainly divalent. For example, manganese oxide (MnO) or another compound in which manganese is dissolved is desirable, and a compound in which manganese is dissolved in trilithium niobate (Li 3 NbO 4 ) is particularly desirable. Here, “mainly divalent” may include a compound of Mn whose valence is other than divalent, and it means that the most contained valence may be divalent. The valence of Mn can be confirmed by an X-ray absorption near-edge structure (XANES). Further, it is desirable that Mn is present in the ceramic sintered body as an element constituting a heterogeneous phase of the manganese compound without being taken into the crystal lattice of the perovskite oxide that is the parent phase.

このようなMn化合物を焼結体の内部に導入することにより、Mn化合物の添加によるハード化を防ぐことができ、電界誘起歪を大きくすることができる。   By introducing such a Mn compound into the sintered body, hardening due to the addition of the Mn compound can be prevented, and the electric field induced strain can be increased.

{相転移温度}
(Li,Na,K)(Nb,Ta)O3系のペロブスカイト型酸化物及びその変性物は、一般的に言って、高温から低温に向かって立方晶、正方晶、斜方晶の順に逐次相転移するが、本発明の望ましい実施形態に係る圧電/電歪磁器組成物では、相転移温度TOTが室温の近傍となるように組成を選択することが望ましい。相転移温度TOTが室温の近傍にあれば、高電界印加時の電界誘起歪を室温において大きくすることができるからである。
{Phase transition temperature}
Generally speaking, (Li, Na, K) (Nb, Ta) O 3 -based perovskite oxides and modified products thereof are sequentially formed in the order of cubic, tetragonal and orthorhombic from high temperature to low temperature. Although the phase transition occurs, in the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition according to the preferred embodiment of the present invention, it is desirable to select the composition so that the phase transition temperature TOT is close to room temperature. This is because if the phase transition temperature TOT is in the vicinity of room temperature, the electric field induced strain at the time of applying a high electric field can be increased at room temperature.

{原料粉末の製造}
係る圧電/電歪磁器組成物の原料粉末の製造にあたっては、まず、圧電/電歪磁器組成物の構成元素(Li,Na,K,Nb,Ta,Mn等)の素原料に分散媒を加えてボールミル等で混合する。素原料としては、酸化物、炭酸塩及び酒石酸塩等の化合物を用いることができ、分散媒としては、エタノール、トルエン、アセトン等の有機溶剤を用いることができる。そして、得られた混合スラリーから蒸発乾燥や濾過等の手法により分散媒を除去し、混合原料を得る。続いて、混合原料を600〜1300℃で仮焼することにより、原料粉末を得ることができる。なお、所望の粒子径の原料粉末を得るために、仮焼後にボールミル等で粉砕を行ってもよい。また、固相反応法ではなくアルコキシド法や共沈法により原料粉末を製造してもよい。さらに、ペロブスカイト型酸化物を合成した後にMn化合物を構成するMnを供給するMnの素原料を添加してもよい。この場合、Mnの素原料として二酸化マンガン(MnO2)を合成したペロブスカイト型酸化物に添加することが望ましい。このようにして添加された二酸化マンガンを構成する4価のMnは、焼成中に還元されて2価のMnとなり、電界誘起歪の向上に寄与する。また、Bサイト元素のコロンバイト化合物を経由してペロブスカイト型酸化物を合成してもよい。
{Manufacture of raw material powder}
In producing the raw material powder of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition, first, a dispersion medium is added to the raw material of the constituent elements (Li, Na, K, Nb, Ta, Mn, etc.) of the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition. Mix with a ball mill. Compounds such as oxides, carbonates and tartrates can be used as the raw material, and organic solvents such as ethanol, toluene and acetone can be used as the dispersion medium. Then, the dispersion medium is removed from the obtained mixed slurry by a technique such as evaporation drying or filtration to obtain a mixed raw material. Subsequently, the raw material powder can be obtained by calcining the mixed raw material at 600 to 1300 ° C. In addition, in order to obtain the raw material powder of a desired particle diameter, you may grind | pulverize with a ball mill etc. after calcination. Further, the raw material powder may be produced by an alkoxide method or a coprecipitation method instead of the solid phase reaction method. Further, a raw material of Mn for supplying Mn constituting the Mn compound may be added after the perovskite oxide is synthesized. In this case, it is desirable to add to the perovskite oxide synthesized with manganese dioxide (MnO 2 ) as a raw material for Mn. The tetravalent Mn constituting the manganese dioxide added in this way is reduced during firing to divalent Mn, contributing to the improvement of the electric field induced strain. Alternatively, a perovskite oxide may be synthesized through a B-site element columbite compound.

原料粉末の平均粒子径は、0.07〜10μmであることが好ましく、0.1〜3μmであることがさらに好ましい。また、原料粉末の粒子径の調整のために、原料粉末を400〜850℃で熱処理してもよい。微細な粒子ほど他の粒子と一体化しやすいので、この熱処理を行うと、粒子径が均一な原料粉末を得ることができ、粒径が均一な焼結体を得ることができる。   The average particle diameter of the raw material powder is preferably 0.07 to 10 μm, and more preferably 0.1 to 3 μm. Moreover, you may heat-process raw material powder at 400-850 degreeC in order to adjust the particle diameter of raw material powder. Finer particles are easier to be integrated with other particles. Therefore, when this heat treatment is performed, a raw material powder having a uniform particle size can be obtained, and a sintered body having a uniform particle size can be obtained.

<2 圧電/電歪アクチュエータ>
{全体構造}
図1及び図2は、先述の圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪アクチュエータ1,2の構造例の模式図であり、図1は、単層型の圧電/電歪アクチュエータ1の断面図、図2は、多層型の圧電/電歪アクチュエータ2の断面図となっている。
<2 Piezoelectric / electrostrictive actuator>
{Overall structure}
1 and 2 are schematic views of structural examples of the piezoelectric / electrostrictive actuators 1 and 2 using the above-described piezoelectric / electrostrictive porcelain composition, and FIG. 1 shows a single-layer piezoelectric / electrostrictive actuator 1. FIG. 2 is a sectional view of the multilayer piezoelectric / electrostrictive actuator 2.

図1に示すように、圧電/電歪アクチュエータ1は、基体11の上面に、電極膜121、圧電/電歪体膜122及び電極膜123をこの順序で積層した構造を有している。圧電/電歪体膜122の両主面上の電極膜121,123は、圧電/電歪体膜122を挟んで対向している。電極膜121、圧電/電歪体膜122及び電極膜123を積層した積層体12は基体11に固着されている。   As shown in FIG. 1, the piezoelectric / electrostrictive actuator 1 has a structure in which an electrode film 121, a piezoelectric / electrostrictive film 122, and an electrode film 123 are stacked in this order on the upper surface of a substrate 11. The electrode films 121 and 123 on both main surfaces of the piezoelectric / electrostrictive film 122 are opposed to each other with the piezoelectric / electrostrictive film 122 interposed therebetween. The laminate 12 in which the electrode film 121, the piezoelectric / electrostrictive film 122 and the electrode film 123 are laminated is fixed to the substrate 11.

また、図2に示すように、圧電/電歪アクチュエータ2は、基体21の上面に、電極膜221、圧電/電歪体膜222、電極膜223、圧電/電歪体膜224及び電極膜225をこの順序で積層した構造を有している。圧電/電歪体膜222の両主面上の電極膜221,223は、圧電/電歪体膜222を挟んで対向しており、圧電/電歪体膜224の両主面上の電極膜223,225は、圧電/電歪体膜224を挟んで対向している。電極膜221、圧電/電歪体膜222、電極膜223、圧電/電歪体膜224及び電極膜225を積層した積層体22は基体21に固着されている。なお、図2には、圧電/電歪体膜が2層である場合が図示されているが、圧電/電歪体膜が3層以上となってもよい。   As shown in FIG. 2, the piezoelectric / electrostrictive actuator 2 has an electrode film 221, a piezoelectric / electrostrictive film 222, an electrode film 223, a piezoelectric / electrostrictive film 224, and an electrode film 225 on the upper surface of the substrate 21. Are stacked in this order. The electrode films 221 and 223 on both main surfaces of the piezoelectric / electrostrictive film 222 are opposed to each other with the piezoelectric / electrostrictive film 222 interposed therebetween, and the electrode films on both main surfaces of the piezoelectric / electrostrictive film 224 are disposed. 223 and 225 are opposed to each other with the piezoelectric / electrostrictive film 224 interposed therebetween. The laminate 22 in which the electrode film 221, the piezoelectric / electrostrictive film 222, the electrode film 223, the piezoelectric / electrostrictive film 224 and the electrode film 225 are laminated is fixed to the substrate 21. 2 shows a case where the piezoelectric / electrostrictive film has two layers, the piezoelectric / electrostrictive film may have three or more layers.

ここで「固着」とは、有機接着剤や無機接着剤を用いることなく、基体11,21と積層体12,22との界面における固相反応により、積層体12,22を基体11,21に接合することをいう。なお、基体と積層体の最下層の圧電/電歪体膜との界面における固相反応により積層体を基体に接合してもよい。   Here, “adhesion” means that the laminates 12 and 22 are bonded to the substrates 11 and 21 by a solid-phase reaction at the interface between the substrates 11 and 21 and the laminates 12 and 22 without using an organic adhesive or an inorganic adhesive. It means joining. The laminate may be bonded to the substrate by a solid phase reaction at the interface between the substrate and the piezoelectric / electrostrictive film at the bottom layer of the laminate.

圧電/電歪アクチュエータ1,2では、電圧が印加されると、印加された電圧に応じて圧電/電歪体122,222,224が電界と垂直な方向に伸縮し、その結果として屈曲変位を生じる。   In the piezoelectric / electrostrictive actuators 1 and 2, when a voltage is applied, the piezoelectric / electrostrictive bodies 122, 222, and 224 expand and contract in a direction perpendicular to the electric field according to the applied voltage, and as a result, bending displacement is caused. Arise.

{圧電/電歪体膜}
圧電/電歪体膜122,222,224は、先述の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。
{Piezoelectric / electrostrictive film}
The piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224 are sintered bodies of the above-described piezoelectric / electrostrictive ceramic composition.

圧電/電歪膜122,222,224の膜厚は、0.5〜50μmであることが好ましく、0.8〜40μmであることがさらに好ましく、1〜30μmであることが特に好ましい。この範囲を下回ると、緻密化が不十分になる傾向があるからである。また、この範囲を上回ると、焼結時の収縮応力が大きくなるため、基体11,21の板厚を厚くする必要が生じ、圧電/電歪アクチュエータ1,2の小型化が困難になるからである。   The film thickness of the piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224 is preferably 0.5 to 50 μm, more preferably 0.8 to 40 μm, and particularly preferably 1 to 30 μm. This is because if it falls below this range, densification tends to be insufficient. Further, if it exceeds this range, the shrinkage stress at the time of sintering increases, so that it is necessary to increase the thickness of the substrates 11 and 21, and it becomes difficult to miniaturize the piezoelectric / electrostrictive actuators 1 and 2. is there.

{電極膜}
電極膜121,123,221,223,225の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金若しくは銀等の金属又はこれらの合金である。中でも、焼成時の耐熱性が高い点で白金又は白金を主成分とする合金が好ましい。また、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いることができる。
{Electrode film}
The material of the electrode films 121, 123, 221, 223, and 225 is a metal such as platinum, palladium, rhodium, gold, silver, or an alloy thereof. Among these, platinum or an alloy containing platinum as a main component is preferable in terms of high heat resistance during firing. Also, depending on the firing temperature, an alloy such as silver-palladium can be suitably used.

電極膜121,123,221,223,225の膜厚は、15μm以下であることが好ましく、5μm以下であることがさらに好ましい。この範囲を上回ると、電極膜121,123,221,223,225が緩和層として機能し、屈曲変位が小さくなる傾向があるからである。また、電極膜121,123,221,223,225がその役割を適切に果たすためには、膜厚は、0.05μm以上であることが好ましい。   The film thicknesses of the electrode films 121, 123, 221, 223, and 225 are preferably 15 μm or less, and more preferably 5 μm or less. This is because exceeding this range, the electrode films 121, 123, 221, 223, and 225 function as relaxation layers, and the flexural displacement tends to decrease. Moreover, in order for the electrode films 121, 123, 221, 223, and 225 to appropriately fulfill their roles, the film thickness is preferably 0.05 μm or more.

電極膜121,123,221,223,225は、圧電/電歪体膜122,222,224の屈曲変位に実質的に寄与する領域を覆うように形成することが好ましい。例えば、圧電/電歪体膜122,222,224の中央部分を含み、圧電/電歪体膜122,222,224の両主面の80%以上の領域を覆うように形成することが好ましい。   The electrode films 121, 123, 221, 223, and 225 are preferably formed so as to cover regions that substantially contribute to the bending displacement of the piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224. For example, it is preferable that the piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224 are formed so as to cover regions of 80% or more of both main surfaces of the piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224, including the central portion.

{基体}
基体11,21の材質は、セラミックスであるが、その種類に制限はない。もっとも、耐熱性、化学的安定性及び絶縁性の観点から、安定された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ガラスからなる群から選択される少なくとも1種類を含むセラミックスが好ましい。中でも、機械的強度及び靭性の観点から安定化された酸化ジルコニウムがさらに好ましい。ここで、「安定化された酸化ジルコニウム」とは、安定化剤の添加によって結晶の相転移を抑制した酸化ジルコニウムをいい、安定化酸化ジルコニウムの他、部分安定化酸化ジルコニムを包含する。
{Substrate}
Although the material of the base | substrates 11 and 21 is ceramics, there is no restriction | limiting in the kind. However, from the viewpoint of heat resistance, chemical stability, and insulation, ceramics including at least one selected from the group consisting of stabilized zirconium oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, mullite, aluminum nitride, silicon nitride, and glass. Is preferred. Among these, stabilized zirconium oxide is more preferable from the viewpoint of mechanical strength and toughness. Here, “stabilized zirconium oxide” refers to zirconium oxide in which the phase transition of the crystal is suppressed by addition of a stabilizer, and includes partially stabilized zirconium oxide in addition to stabilized zirconium oxide.

安定化された酸化ジルコニウムとしては、例えば、1〜30mol%の酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化イットリニウム、酸化イッテルビウム若しくは酸化セリウム又は希土類金属の酸化物を安定化剤として含有させた酸化ジルコニウムをあげることができる。中でも、機械的強度が特に高い点で、酸化イットリニウムを安定化剤として含有させた酸化ジルコニウムが好ましい。酸化イットリニウムの含有量は、1.5〜6mol%であることが好ましく、2〜4mol%であることがさらに好ましい。また、酸化イットリニウムに加えて、0.1〜5mol%の酸化アルミニウムを含有させることもさらに好ましい。安定化された酸化ジルコニウムの結晶相は、立方晶と単斜晶との混合晶、正方晶と単斜晶との混合晶又は立方晶と正方晶と単斜晶との混合晶等であってもよいが、主たる結晶相が正方晶と立方晶との混合晶又は正方晶となっていることが、機械的強度、靭性及び耐久性の観点から好ましい。   Examples of the stabilized zirconium oxide include zirconium oxide containing 1 to 30 mol% of calcium oxide, magnesium oxide, yttrium oxide, ytterbium oxide, cerium oxide, or a rare earth metal oxide as a stabilizer. it can. Of these, zirconium oxide containing yttrium oxide as a stabilizer is preferred because of its particularly high mechanical strength. The content of yttrium oxide is preferably 1.5 to 6 mol%, and more preferably 2 to 4 mol%. In addition to yttrium oxide, it is more preferable to contain 0.1 to 5 mol% of aluminum oxide. The stabilized zirconium oxide crystal phase is a mixed crystal of cubic and monoclinic, a mixed crystal of tetragonal and monoclinic, or a mixed crystal of cubic, tetragonal and monoclinic, etc. However, it is preferable from the viewpoint of mechanical strength, toughness, and durability that the main crystal phase is a mixed crystal of tetragonal crystals and cubic crystals or a tetragonal crystal.

基体11,21の板厚は、1〜1000μmが好ましく、1.5〜500μmがさらに好ましく、2〜200μmが特に好ましい。この範囲を下回ると、圧電/電歪アクチュエータ1,2の機械的強度が低下する傾向にあるからである。また、この範囲を上回ると、基体11,21の剛性が高くなり、電圧を印加した場合の圧電/電歪体膜122,222,224の伸縮による屈曲変位が小さくなる傾向があるからである。   The plate thickness of the substrates 11 and 21 is preferably 1 to 1000 μm, more preferably 1.5 to 500 μm, and particularly preferably 2 to 200 μm. This is because the mechanical strength of the piezoelectric / electrostrictive actuators 1 and 2 tends to be lower than this range. Further, if the range is exceeded, the rigidity of the substrates 11 and 21 is increased, and the bending displacement due to expansion / contraction of the piezoelectric / electrostrictive films 122, 222, and 224 when a voltage is applied tends to decrease.

基体11,21の表面形状(積層体が固着される面の形状)は、特に制限されず、三角形、四角形(長方形や正方形)、楕円形又は円形とすることができ、三角形及び四角形については角丸めを行ってもよい。これらの基本形を組み合わせた複合形としてもよい。   The surface shape of the substrates 11 and 21 (the shape of the surface to which the laminate is fixed) is not particularly limited, and may be a triangle, a rectangle (rectangle or square), an ellipse, or a circle. Rounding may be performed. It is good also as a compound form which combined these basic forms.

単層型の圧電/電歪アクチュエータ1の基体11の板厚は均一になっている。これに対して、多層型の圧電/電歪アクチュエータ2の基体21の板厚は積層体22が接合される中央部215が周縁部216よりも薄肉化されている。基体21の機械的強度を保ちつつ、屈曲変位を大きくするためである。なお、基体21を単層型の圧電/電歪アクチュエータ1に用いてもよい。   The plate thickness of the substrate 11 of the single-layer piezoelectric / electrostrictive actuator 1 is uniform. In contrast, the thickness of the base 21 of the multilayer piezoelectric / electrostrictive actuator 2 is such that the central portion 215 to which the laminate 22 is bonded is thinner than the peripheral portion 216. This is to increase the bending displacement while maintaining the mechanical strength of the base 21. The substrate 21 may be used for the single-layer piezoelectric / electrostrictive actuator 1.

なお、図3の断面図に示すように、図2に示す基体21を単位構造として、当該単位構造が繰り返される基体31を用いてもよい。この場合、単位構造の各々の上に積層体32を固着して圧電/電歪アクチュエータ3を構成する。   As shown in the sectional view of FIG. 3, the base body 21 shown in FIG. 2 may be used as a unit structure, and a base body 31 in which the unit structure is repeated may be used. In this case, the piezoelectric / electrostrictive actuator 3 is configured by fixing the laminated body 32 on each of the unit structures.

{圧電/電歪アクチュエータの製造}
単層型の圧電/電歪アクチュエータ1の製造にあたっては、まず、基体11の上に電極膜121を形成する。電極膜121は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD(Physical Vapor Deposition)、イオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、メッキ、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー又はディッピング等の方法で形成することができる。中でも、基体11及び圧電/電歪体膜122との接合性の観点から、スパッタリング法又はスクリーン印刷法が好ましい。形成された電極膜121は、熱処理により、基体11及び圧電/電歪体膜122と固着することができる。熱処理の温度は、電極膜121の材質や形成方法に応じて異なるが、概ね500〜1400℃である。
{Manufacture of piezoelectric / electrostrictive actuators}
In manufacturing the single-layer piezoelectric / electrostrictive actuator 1, first, the electrode film 121 is formed on the substrate 11. The electrode film 121 is formed by a method such as ion beam, sputtering, vacuum deposition, PVD (Physical Vapor Deposition), ion plating, CVD (Chemical Vapor Deposition), plating, aerosol deposition, screen printing, spraying or dipping. Can do. Among these, from the viewpoint of bonding properties with the substrate 11 and the piezoelectric / electrostrictive film 122, a sputtering method or a screen printing method is preferable. The formed electrode film 121 can be fixed to the substrate 11 and the piezoelectric / electrostrictive film 122 by heat treatment. The temperature of the heat treatment is approximately 500 to 1400 ° C., although it varies depending on the material of the electrode film 121 and the formation method.

続いて、電極膜121の上に圧電/電歪体膜122を形成する。圧電/電歪体膜122は、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、PVD(Physical Vapor Deposition)、イオンプレーティング、CVD(Chemical Vapor Deposition)、メッキ、ゾルゲル、エアロゾルデポジション、スクリーン印刷、スプレー又はディッピング等の方法で形成することができる。中でも、平面形状や膜厚の精度が高く、圧電/電歪体膜を連続して形成することができる点で、スクリーン印刷法が好ましい。   Subsequently, a piezoelectric / electrostrictive film 122 is formed on the electrode film 121. The piezoelectric / electrostrictive film 122 is formed by ion beam, sputtering, vacuum deposition, PVD (Physical Vapor Deposition), ion plating, CVD (Chemical Vapor Deposition), plating, sol-gel, aerosol deposition, screen printing, spraying, dipping, or the like. It can form by the method of. Among them, the screen printing method is preferable in that the accuracy of the planar shape and the film thickness is high and the piezoelectric / electrostrictive film can be continuously formed.

さらに続いて、圧電/電歪体膜122の上に電極膜123を形成する。電極膜123は、電極膜121と同様に形成することができる。   Subsequently, an electrode film 123 is formed on the piezoelectric / electrostrictive film 122. The electrode film 123 can be formed in the same manner as the electrode film 121.

しかる後に、積層体12が形成された基体11を一体的に焼成する。この焼成により、圧電/電歪体膜122の焼結が進行するとともに、電極膜121,123が熱処理される。圧電/電歪体膜122の焼成の温度は、800〜1250℃が好ましく、900〜1200℃がさらに好ましい。この範囲を下回ると、圧電/電歪体膜122の緻密化が不十分になり、基体11と電極膜121との固着や電極膜121,123と圧電/電歪体膜122との固着が不完全になる傾向があるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜122の圧電/電歪特性が低下する傾向にあるからである。また、焼成時の最高温度の保持時間は、1分〜10時間が好ましく、5分〜4時間がさらに好ましい。この範囲を下回ると、圧電/電歪体膜122の緻密化が不十分になる傾向があるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜122の圧電/電歪特性が低下する傾向にあるからである。   Thereafter, the substrate 11 on which the laminate 12 is formed is integrally fired. By this firing, the piezoelectric / electrostrictive film 122 is sintered and the electrode films 121 and 123 are heat-treated. The firing temperature of the piezoelectric / electrostrictive film 122 is preferably 800 to 1250 ° C, and more preferably 900 to 1200 ° C. Below this range, densification of the piezoelectric / electrostrictive film 122 becomes insufficient, and adhesion between the substrate 11 and the electrode film 121 and adhesion between the electrode films 121 and 123 and the piezoelectric / electrostrictive film 122 are not achieved. This is because they tend to be perfect. In addition, if it exceeds this range, the piezoelectric / electrostrictive characteristics of the piezoelectric / electrostrictive film 122 tend to deteriorate. The maximum temperature holding time during firing is preferably 1 minute to 10 hours, and more preferably 5 minutes to 4 hours. This is because if the thickness falls below this range, the piezoelectric / electrostrictive film 122 tends to be insufficiently densified. In addition, if it exceeds this range, the piezoelectric / electrostrictive characteristics of the piezoelectric / electrostrictive film 122 tend to deteriorate.

なお、電極膜121,123の熱処理を焼成とともに行うことが生産性の観点から好ましいが、このことは、電極膜121,123を形成するごとに熱処理を行うことを妨げるものではない。ただし、電極膜123の熱処理の前に圧電/電歪体膜122の焼成を行っている場合は、圧電/電歪体膜122の焼成温度より低い温度で電極膜123を熱処理する。   Note that the heat treatment of the electrode films 121 and 123 is preferably performed together with the firing from the viewpoint of productivity, but this does not prevent the heat treatment from being performed every time the electrode films 121 and 123 are formed. However, when the piezoelectric / electrostrictive film 122 is fired before the heat treatment of the electrode film 123, the electrode film 123 is heat treated at a temperature lower than the firing temperature of the piezoelectric / electrostrictive film 122.

焼成が終わった後には、適当な条件下で分極処理を行う。分極処理は、周知の手法により行うことができ、圧電/電歪体膜122のキュリー温度にもよるが、40〜200℃に加熱して行うことが好適である。   After firing is complete, polarization treatment is performed under appropriate conditions. The polarization treatment can be performed by a well-known method, and although it depends on the Curie temperature of the piezoelectric / electrostrictive film 122, it is preferably performed by heating to 40 to 200 ° C.

なお、多層型の圧電/電歪アクチュエータ2も、形成すべき圧電/電歪膜及び電極膜の数が増える点を除いては、単層型の圧電/電歪アクチュエータ1と同様に製造することができる。   The multilayer piezoelectric / electrostrictive actuator 2 is manufactured in the same manner as the single-layer piezoelectric / electrostrictive actuator 1 except that the number of piezoelectric / electrostrictive films and electrode films to be formed is increased. Can do.

また、圧電/電歪アクチュエータ1は、積層セラミック電子部品の製造において常用されているグリーンシート積層法により製造することもできる。グリーンシート積層法においては、まず、原料粉末にバインダ、可塑剤、分散剤及び分散媒を加えてボールミル等で混合する。そして、得られたスラリーをドクターブレード法等でシート形状に成形して成形体を得る。   The piezoelectric / electrostrictive actuator 1 can also be manufactured by a green sheet laminating method that is commonly used in the production of multilayer ceramic electronic components. In the green sheet laminating method, first, a binder, a plasticizer, a dispersant and a dispersion medium are added to the raw material powder and mixed by a ball mill or the like. And the obtained slurry is shape | molded by the doctor blade method etc. in a sheet shape, and a molded object is obtained.

続いて、スクリーン印刷法等で成形体の両主面に電極ペーストの膜を印刷する。ここで用いる電極ペーストは、上述の金属又は合金の粉末に、溶媒、ビヒクル及びガラスフリット等を加えたものである。   Subsequently, a film of electrode paste is printed on both main surfaces of the molded body by a screen printing method or the like. The electrode paste used here is obtained by adding a solvent, vehicle, glass frit, or the like to the above-described metal or alloy powder.

さらに続いて、電極ペーストの膜が両主面に印刷された成形体と基体とを圧着する。   Subsequently, the molded body on which the electrode paste film is printed on both main surfaces is bonded to the substrate.

しかる後に、積層体が形成された基体を一体的に焼成し、焼成が終わった後に適当な条件下で分極処理を行う。   Thereafter, the substrate on which the laminate is formed is integrally fired, and after the firing is finished, polarization treatment is performed under appropriate conditions.

<3 圧電/電歪アクチュエータの別例>
図4〜図6は、先述の圧電/電歪磁器組成物を用いた圧電/電歪アクチュエータ4の構造例の模式図であり、図4は、圧電/電歪アクチュエータ4の斜視図、図5は、圧電/電歪アクチュエータ4の縦断面図、図6は、圧電/電歪アクチュエータ4の横断面図となっている。
<3 Another example of piezoelectric / electrostrictive actuator>
4 to 6 are schematic views of structural examples of the piezoelectric / electrostrictive actuator 4 using the piezoelectric / electrostrictive porcelain composition described above. FIG. 4 is a perspective view of the piezoelectric / electrostrictive actuator 4, FIG. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the piezoelectric / electrostrictive actuator 4, and FIG. 6 is a transverse sectional view of the piezoelectric / electrostrictive actuator 4.

図4〜図6に示すように、圧電/電歪アクチュエータ4は、圧電/電歪体膜402と内部電極膜404とを軸Aの方向に交互に積層し、圧電/電歪体膜402と内部電極膜404とを積層した積層体410の端面412,414に外部電極膜416,418を形成した構造を有している。圧電/電歪アクチュエータ4の一部を軸Aの方向に分解した状態を示す図7の分解斜視図に示すように、内部電極膜404には、端面412に達しているが端面414には達していない第1の内部電極膜406と、端面414に達しているが端面412には達していない第2の内部電極膜408とがある。第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とは交互に設けられている。第1の内部電極膜406は、端面412において外部電極膜416と接し、外部電極膜416と電気的に接続されている。第2の内部電極膜408は、端面414において外部電極膜418と接し、外部電極膜418と電気的に接続されている。したがって、外部電極膜416を駆動信号源のプラス側に接続し、外部電極膜418を駆動信号源のマイナス側に接続すると、圧電/電歪体膜402を挟んで対向する第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とに駆動信号が印加され、圧電/電歪体膜402の厚さ方向に電界が印加される。この結果、圧電/電歪体膜402は厚さ方向に伸縮し、積層体410は全体として図4において破線で示す形状に変形する。   As shown in FIGS. 4 to 6, the piezoelectric / electrostrictive actuator 4 includes the piezoelectric / electrostrictive film 402 and the internal electrode film 404 that are alternately stacked in the direction of the axis A. It has a structure in which external electrode films 416 and 418 are formed on end faces 412 and 414 of a laminate 410 in which an internal electrode film 404 is laminated. As shown in the exploded perspective view of FIG. 7 showing a state in which a part of the piezoelectric / electrostrictive actuator 4 is disassembled in the direction of the axis A, the internal electrode film 404 reaches the end surface 412 but reaches the end surface 414. There is a first internal electrode film 406 that does not reach, and a second internal electrode film 408 that reaches the end face 414 but does not reach the end face 412. The first internal electrode films 406 and the second internal electrode films 408 are provided alternately. The first internal electrode film 406 is in contact with the external electrode film 416 at the end surface 412 and is electrically connected to the external electrode film 416. The second internal electrode film 408 is in contact with the external electrode film 418 at the end face 414 and is electrically connected to the external electrode film 418. Therefore, when the external electrode film 416 is connected to the positive side of the drive signal source and the external electrode film 418 is connected to the negative side of the drive signal source, the first internal electrode film facing the piezoelectric / electrostrictive film 402 is sandwiched. A drive signal is applied to 406 and the second internal electrode film 408, and an electric field is applied in the thickness direction of the piezoelectric / electrostrictive film 402. As a result, the piezoelectric / electrostrictive film 402 expands and contracts in the thickness direction, and the laminated body 410 as a whole is deformed into a shape indicated by a broken line in FIG.

圧電/電歪アクチュエータ4は、既に説明した圧電/電歪アクチュエータ1〜3と異なり、積層体410が固着される基体を有していない。また、圧電/電歪アクチュエータ4は、パターンが異なる第1の内部電極膜406と第2の内部電極膜408とを交互に設けることから、「オフセット型の圧電/電歪アクチュエータ」とも呼ばれる。   Unlike the piezoelectric / electrostrictive actuators 1 to 3 already described, the piezoelectric / electrostrictive actuator 4 does not have a base to which the multilayer body 410 is fixed. The piezoelectric / electrostrictive actuator 4 is also referred to as an “offset type piezoelectric / electrostrictive actuator” because the first internal electrode film 406 and the second internal electrode film 408 having different patterns are alternately provided.

圧電/電歪体膜402は、先述の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である。圧電/電歪体膜402の膜厚は、5〜500μmであることが好ましい。この範囲を下回ると、後述のグリーンシートの製造が困難になるからである。また、この範囲を上回ると、圧電/電歪体膜402に十分な電界を印加することが困難になるからである。   The piezoelectric / electrostrictive film 402 is a sintered body of the above-described piezoelectric / electrostrictive ceramic composition. The film thickness of the piezoelectric / electrostrictive film 402 is preferably 5 to 500 μm. This is because, if it falls below this range, it will be difficult to produce a green sheet described later. Further, if it exceeds this range, it is difficult to apply a sufficient electric field to the piezoelectric / electrostrictive film 402.

内部電極膜404および外部電極膜416,418の材質は、白金、パラジウム、ロジウム、金もしくは銀等の金属またはこれらの合金である。内部電極膜404の材質は、これらの中でも、焼成時の耐熱性が高く圧電/電歪体膜402との共焼結が容易な点で白金または白金を主成分とする合金であることが好ましい。ただし、焼成温度によっては、銀−パラジウム等の合金も好適に用いることができる。   The material of the internal electrode film 404 and the external electrode films 416 and 418 is a metal such as platinum, palladium, rhodium, gold or silver, or an alloy thereof. Among these, the material of the internal electrode film 404 is preferably platinum or an alloy containing platinum as a main component from the viewpoint of high heat resistance during firing and easy co-sintering with the piezoelectric / electrostrictive film 402. . However, depending on the firing temperature, an alloy such as silver-palladium can also be suitably used.

内部電極膜402の膜厚は、10μm以下であることが好ましい。この範囲を上回ると、内部電極膜402が緩和層として機能し、変位が小さくなる傾向があるからである。また、内部電極膜402がその役割を適切に果たすためには、膜厚は、0.1μm以上であることが好ましい。   The film thickness of the internal electrode film 402 is preferably 10 μm or less. This is because if the thickness exceeds this range, the internal electrode film 402 functions as a relaxation layer and the displacement tends to be small. In order for the internal electrode film 402 to properly fulfill its role, the film thickness is preferably 0.1 μm or more.

なお、図4〜図6には、圧電/電歪体膜402が10層である場合が図示されているが、圧電/電歪体膜402が9層以下または11層以上であってもよい。   4 to 6 show the case where the piezoelectric / electrostrictive film 402 has 10 layers, the piezoelectric / electrostrictive film 402 may have 9 layers or less or 11 layers or more. .

圧電/電歪アクチュエータ4の製造にあたっては、まず、先述の圧電/電歪磁器組成物の原料粉末にバインダ、可塑剤、分散剤および分散媒を加えてボールミル等で混合する。そして、得られたスラリーをドクターブレード法等でシート形状に成形してグリーンシートを得る。   In manufacturing the piezoelectric / electrostrictive actuator 4, first, a binder, a plasticizer, a dispersant, and a dispersion medium are added to the raw material powder of the above-described piezoelectric / electrostrictive porcelain composition and mixed by a ball mill or the like. Then, the obtained slurry is formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like to obtain a green sheet.

続いて、パンチやダイを使用してグリーンシートを打ち抜き加工し、グリーンシートに位置合わせ用の孔等を形成する。   Subsequently, the green sheet is punched using a punch or die to form alignment holes or the like in the green sheet.

さらに続いて、グリーンシートの表面にスクリーン印刷等により電極ペーストを塗布し、電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートを得る。電極ペーストのパターンには、焼成後に第1の内部電極膜406となる第1の電極ペーストのパターンと焼成後に第2の内部電極膜408となる第2の電極ペーストのパターンとの2種類がある。もちろん、電極ペーストのパターンを1種類だけとして、グリーンシートの向きをひとつおきに180°回転させることにより、焼成後に内部電極膜406,408が得られるようにしてもよい。   Subsequently, an electrode paste is applied to the surface of the green sheet by screen printing or the like to obtain a green sheet on which an electrode paste pattern is formed. There are two types of electrode paste patterns: a first electrode paste pattern that becomes the first internal electrode film 406 after firing and a second electrode paste pattern that becomes the second internal electrode film 408 after firing. . Of course, the internal electrode films 406 and 408 may be obtained after firing by using only one type of electrode paste pattern and rotating the orientation of the green sheets every other 180 °.

次に、第1の電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートと第2の電極ペーストのパターンが形成されたグリーンシートを交互に重ね合わせるとともに、電極ペーストが塗布されていないグリーンシートを最上部にさらに重ね合わせた後に、重ね合わせたグリーンシートを厚さ方向に加圧して圧着する。このとき、グリーンシートに形成された位置合わせ用の孔の位置が揃うようにする。また、重ね合わせたグリーンシートの圧着にあたっては、圧着に使用する金型を加熱しておくことにより、加熱しながらグリーンシートを圧着するようにすることも望ましい。   Next, the green sheet on which the pattern of the first electrode paste is formed and the green sheet on which the pattern of the second electrode paste is formed are alternately stacked, and the green sheet on which the electrode paste is not applied is placed on the top. After further overlapping, the stacked green sheets are pressed in the thickness direction and pressure bonded. At this time, the positions of the alignment holes formed in the green sheet are aligned. Further, when the stacked green sheets are pressure-bonded, it is also desirable to heat the mold used for pressure bonding so that the green sheets are pressure-bonded while being heated.

このようにして得られたグリーンシートの圧着体を焼成し、得られた焼結体をダイシングソー等で加工することにより、積層体410を得ることができる。そして、焼き付け、蒸着、スパッタリング等により積層体410の端面412,414に外部電極膜416,418を形成し、分極処理を行うことにより、圧電/電歪アクチュエータ4を得ることができる。   The laminate 410 can be obtained by firing the pressure-bonded green sheet thus obtained and processing the obtained sintered body with a dicing saw or the like. The piezoelectric / electrostrictive actuator 4 can be obtained by forming the external electrode films 416 and 418 on the end faces 412 and 414 of the laminated body 410 by baking, vapor deposition, sputtering, or the like and performing polarization treatment.

以下では、本発明の圧電/電歪磁器組成物に関する実施例1〜42及び本発明の範囲外の圧電/電歪磁器組成物に関する比較例1〜9について説明する。ただし、下述する実施例は、本発明の範囲を限定するものではない。   Below, Examples 1-42 regarding the piezoelectric / electrostrictive ceramic composition of the present invention and Comparative Examples 1-9 regarding the piezoelectric / electrostrictive ceramic composition outside the scope of the present invention will be described. However, the examples described below do not limit the scope of the present invention.

{評価用の圧電/電歪素子の製造}
評価用の圧電/電歪素子の製造にあたっては、まず、炭酸リチウム(Li2CO3)、酒石酸ナトリウム一水和物(C456Na・H2O)、酒石酸カリウム(C456K)、酸化ニオブ(Nb25)、酸化タンタル(Ta25)等の素原料を、表1〜表5に示す組成となるように秤量した。表1〜表5の一覧表中のx,y,z及びaは、一般式{Liy(Na1-xx1-ya(Nb1-zTaz)O3中のパラメータであり、Mn量は、当該一般式で表される主成分100モル部に対する添加量である。
{Manufacture of piezoelectric / electrostrictive element for evaluation}
In producing a piezoelectric / electrostrictive element for evaluation, first, lithium carbonate (Li 2 CO 3 ), sodium tartrate monohydrate (C 4 H 5 O 6 Na.H 2 O), potassium tartrate (C 4 H) Raw materials such as 5 O 6 K), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), and tantalum oxide (Ta 2 O 5 ) were weighed so as to have the compositions shown in Tables 1 to 5. X, y, z and a in the lists of Tables 1 to 5 are parameters in the general formula {Li y (Na 1−x K x ) 1−y } a (Nb 1−z Ta z ) O 3. The amount of Mn is the amount added relative to 100 mol parts of the main component represented by the general formula.

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続いて、素原料に分散媒としてアルコールを加えてボールミルで16時間混合した。さらに続いて、得られた混合原料を乾燥した後、800℃で5時間仮焼してボールミルで粉砕することを2回繰り返し、圧電/電歪磁器組成物の原料粉末を得た。なお、この際に、実施例8,9,21〜33及び比較例3,4については、原料粉末にMnO2を表1〜表5に示す添加量となるように添加した。 Subsequently, alcohol was added to the raw material as a dispersion medium and mixed for 16 hours by a ball mill. Subsequently, the obtained mixed raw material was dried, calcined at 800 ° C. for 5 hours, and pulverized with a ball mill twice to obtain a raw material powder of a piezoelectric / electrostrictive ceramic composition. At this time, in Examples 8, 9, 21 to 33 and Comparative Examples 3 and 4, MnO 2 was added to the raw material powder so as to have the addition amounts shown in Tables 1 to 5.

次に、原料粉末を粗粉砕した後、500メッシュのふるいに通して粒度調整を行った。   Next, the raw material powder was coarsely pulverized and then passed through a 500 mesh sieve to adjust the particle size.

このようにして得られた原料粉末を2.0×108Paの圧力で直径18mm、板厚5mmの円板形状に圧粉成形した。そして、圧粉成形体をアルミナ容器内に収納し、950〜1050℃で3時間焼成して焼結体(圧電/電歪体)を得た。 The raw material powder thus obtained was compacted into a disc shape having a diameter of 18 mm and a plate thickness of 5 mm at a pressure of 2.0 × 10 8 Pa. And the compacting body was accommodated in the alumina container, and it baked at 950-1050 degreeC for 3 hours, and obtained the sintered compact (piezoelectric / electrostrictive body).

続いて、焼結体を長辺12mm×短辺3mm×厚み1mmの矩形形状に加工し、600〜900℃で熱処理を行った。その後、矩形試料の両主面にスパッタリングで金電極を形成した。そして、これを室温のシリコンオイル中に浸漬し、両主面の金電極に5kV/mmの電圧を15分間印加して厚さ方向に分極処理を行った。   Subsequently, the sintered body was processed into a rectangular shape having a long side of 12 mm, a short side of 3 mm, and a thickness of 1 mm, and heat treatment was performed at 600 to 900 ° C. Thereafter, gold electrodes were formed by sputtering on both main surfaces of the rectangular sample. This was immersed in silicon oil at room temperature, and a voltage of 5 kV / mm was applied to the gold electrodes on both main surfaces for 15 minutes to perform polarization treatment in the thickness direction.

<実施例1〜9及び比較例1,2>
{電気特性及び温度特性}
970℃で焼成を行った実施例1〜9及び比較例1,2の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)を測定した。その測定結果を表1に示す。圧電定数d31は、圧電/電歪素子の周波数−インピーダンス特性及び静電容量をインピーダンスアナライザで測定するとともに、圧電/電歪素子の寸法をマイクロメータで測定し、長辺方向伸び振動の基本波の共振周波数及び反共振周波数、静電容量並びに寸法から算出することにより得た。歪率S4000は、両主面の金電極に4kV/mmの電圧を印加したときの長辺方向の電界誘起歪を接着剤で電極に貼り付けた歪ゲージで測定することにより得た。なお、相転移温度TOTの測定方法については、後述する。
<Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2>
{Electrical and temperature characteristics}
Using the piezoelectric / electrostrictive elements for evaluation of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 fired at 970 ° C., in the vicinity of piezoelectric constant d 31 (pm / V), room temperature, and phase transition temperature T OT The distortion rate S 4000 (ppm) of was measured. The measurement results are shown in Table 1. The piezoelectric constant d 31 is a fundamental wave of the longitudinal vibration of the long side direction by measuring the frequency-impedance characteristics and capacitance of the piezoelectric / electrostrictive element with an impedance analyzer, and measuring the dimensions of the piezoelectric / electrostrictive element with a micrometer. It was obtained by calculating from the resonance frequency and antiresonance frequency, capacitance, and dimensions. Strain ratio S 4000 was obtained by measuring a strain gauge affixed to the electrode with an adhesive field induced strain of the long side direction when a voltage of 4 kV / mm to the gold electrode on both main surfaces. A method for measuring the phase transition temperature TOT will be described later.

表1を参照して、実施例1〜7と比較例1,2とを対比すれば明らかなように、Ta量が0.1≦z≦0.5の範囲内では、一般式{Li0.06(Na0.550.450.941.03(Nb1-zTaz)O3で表される組成物においては、良好な歪率S4000を得ることができるが、Ta量がこの範囲を下回ると又は上回ると、良好な歪率S4000を得ることはできなくなる。また、実施例8,9を参照すれば明らかなように、組成式{Li0.06(Na0.550.450.941.03(Nb0.70Ta0.30)O3で表される主成分100モル部に0.02又は0.10モル部(Mn原子換算で0.02又は0.10モル部)のMn化合物を添加することにより、歪率S4000をさらに向上することができる。 As apparent from comparison of Examples 1 to 7 with Comparative Examples 1 and 2 with reference to Table 1, when the amount of Ta is in the range of 0.1 ≦ z ≦ 0.5, the general formula {Li 0.06 In the composition represented by (Na 0.55 K 0.45 ) 0.94 } 1.03 (Nb 1 -z Ta z ) O 3 , a good distortion rate S 4000 can be obtained, but if the amount of Ta falls below this range, or If it exceeds the upper limit , it becomes impossible to obtain a good distortion rate S4000 . Further, as apparent from reference to Examples 8 and 9, the compositional formula {Li 0.06 (Na 0.55 K 0.45 ) 0.94 } 1.03 (Nb 0.70 Ta 0.30 ) O 3 is added to 100 mol parts of the main component. By adding 02 or 0.10 mol part (0.02 or 0.10 mol part in terms of Mn atom) of the Mn compound, the strain ratio S 4000 can be further improved.

{X線回折パターン}
図8は、Ta量がz=0.15,0.20,0.25,0.30,0.40の実施例2〜6の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線(CuKα線)回折パターンを示す図である。なお、図8には、Ta量がz=0.08の焼結体のX線回折パターンも示されている。
{X-ray diffraction pattern}
FIG. 8 shows the X of the sintered body used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 2 to 6 in which the Ta amount is z = 0.15, 0.20, 0.25, 0.30, 0.40. It is a figure which shows a line (CuK (alpha) ray) diffraction pattern. FIG. 8 also shows an X-ray diffraction pattern of a sintered body having a Ta amount of z = 0.08.

X線回折パターンの測定にあたっては、加工した試料の12mm×3mmの表面にX線が照射されるように試料をセットし、試料のX線回折パターンを2θ/θ法により20°〜60°の範囲で測定した。X線回折パターンは、X線回折装置を用いて、Cu−Kα線を線源とし、グラファイトモノクロメータを検出器の手前に設置して測定した。X線発生条件を、35kV−30mA、スキャン幅0.02°、スキャン速度2°/分、発散スリット1°、受光スリット0.3mmとして測定した。   In measuring the X-ray diffraction pattern, the sample is set so that X-rays are irradiated onto the 12 mm × 3 mm surface of the processed sample, and the X-ray diffraction pattern of the sample is 20 ° to 60 ° by the 2θ / θ method. Measured in range. The X-ray diffraction pattern was measured using an X-ray diffractometer with a Cu-Kα ray as a radiation source and a graphite monochromator installed in front of the detector. The X-ray generation conditions were measured as 35 kV-30 mA, scan width 0.02 °, scan speed 2 ° / min, diverging slit 1 °, and light receiving slit 0.3 mm.

図8に示すように、Ta量がz=0.15,0.20,0.25の場合、ペロブスカイトの斜方晶に固有のX線回折パターンが観察され、焼結体の結晶系が斜方晶であることがわかる。一方、Ta量がz=0.30,0.40の場合、ペロブスカイトの正方晶に固有のX線回折パターンが観察され、焼結体の結晶系が正方晶であることがわかる。   As shown in FIG. 8, when the Ta amount is z = 0.15, 0.20, 0.25, an X-ray diffraction pattern specific to the orthorhombic crystal of perovskite is observed, and the crystal system of the sintered body is oblique. It turns out that it is a tetragonal crystal. On the other hand, when the amount of Ta is z = 0.30 and 0.40, an X-ray diffraction pattern specific to the tetragonal perovskite is observed, indicating that the crystal system of the sintered body is tetragonal.

また、図8に示すように、実施例2〜6の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンには、矢印で示す異相に由来するピークが観察される。この異相は、Li3NbO4であると考えられる。 Further, as shown in FIG. 8, peaks derived from the different phases indicated by arrows are observed in the X-ray diffraction patterns of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 2 to 6. This heterogeneous phase is considered to be Li 3 NbO 4 .

さらに、実施例1〜9及び比較例1,2の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンから、Li3NbO4量を定量した。Li3NbO4量は、焼結体のX線回折パターンにおけるLi3NbO4の(211)面の回折ピークの積分強度とペロブスカイトの(101)面及び(110)面の回折ピークの積分強度の和との比から算出した。その定量結果を表1に示す。表1に示すLi3NbO4量は、ペロブスカイト型酸化物100モル部に対する重量比である。表1に示すように、実施例1〜9及び比較例1,2では、Li3NbO4量は、1.0〜1.5重量部の範囲内であって、望ましい組成を有する実施例1〜9では、970℃の焼成温度により良好な歪率S4000が得られている。 Further, the amount of Li 3 NbO 4 was quantified from the X-ray diffraction patterns of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2. The amount of Li 3 NbO 4 is the integrated intensity of the diffraction peak of the (211) plane of Li 3 NbO 4 and the integrated intensity of the diffraction peaks of the (101) plane and the (110) plane of perovskite in the X-ray diffraction pattern of the sintered body. Calculated from the ratio with the sum. The quantitative results are shown in Table 1. The amount of Li 3 NbO 4 shown in Table 1 is a weight ratio with respect to 100 mol parts of the perovskite oxide. As shown in Table 1, in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2, the amount of Li 3 NbO 4 is in the range of 1.0 to 1.5 parts by weight, and Example 1 having a desirable composition In .about.9, a good distortion rate S4000 was obtained at a firing temperature of 970.degree.

{相転移温度TOT
次に、実施例1〜9及び比較例1,2の圧電/電歪素子に用いられている焼結体の相転移温度TOTを測定した。相転移温度TOTは、比誘電率ε/ε0の温度依存性をインピーダンスアナライザで測定することで求めた。その測定結果を表1に示す。この測定結果から明らかなように、Ta量が増加するにつれて相転移温度TOTは低下し、Ta量が0.1≦z≦0.5の範囲内では、相転移温度TOTが実使用温度の範囲内にあり、その結果として、室温における歪率S4000も250ppmを上回っている。しかし、Ta量がこの範囲を下回ると、相転移温度TOTは十分に低下せず、その結果として、室温において良好な歪率S4000を得ることができず、Ta量がこの範囲を上回ると、相転移温度TOTは著しく低下し、その結果として、室温及び相転移温度TOTの近傍において良好な歪率S4000を得ることができない。
{Phase transition temperature T OT }
Next, the phase transition temperature TOT of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 was measured. The phase transition temperature T OT was determined by measuring the temperature dependence of the relative dielectric constant ε / ε 0 with an impedance analyzer. The measurement results are shown in Table 1. As is apparent from this measurement result, the phase transition temperature T OT decreases as the amount of Ta increases. When the amount of Ta falls within the range of 0.1 ≦ z ≦ 0.5, the phase transition temperature T OT is the actual use temperature. As a result, the strain rate S 4000 at room temperature is also higher than 250 ppm. However, when the amount of Ta falls below this range, the phase transition temperature TOT does not sufficiently decrease, and as a result, a good strain rate S 4000 cannot be obtained at room temperature, and when the amount of Ta exceeds this range. As a result, the phase transition temperature T OT is remarkably lowered, and as a result, a good strain rate S 4000 cannot be obtained at room temperature and in the vicinity of the phase transition temperature T OT .

<実施例5,10〜13>
次に、950,970,1000,1030,1050℃で焼成を行った実施例5,10〜13の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、歪率S4000(ppm)、焼結密度(g/cm3)を室温で測定した。その測定結果を表2に示す。圧電定数d31、歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。焼結密度は、アルキメデス法により測定した。
<Examples 5 and 10-13>
Next, using the piezoelectric / electrostrictive element for evaluation of Examples 5 and 10-13 fired at 950, 970, 1000, 1030, and 1050 ° C., the piezoelectric constant d 31 (pm / V), the distortion rate S 4000 (ppm) and the sintered density (g / cm 3 ) were measured at room temperature. The measurement results are shown in Table 2. The measuring method of the piezoelectric constant d 31 and the distortion rate S 4000 is the same as the measuring method described above. The sintered density was measured by the Archimedes method.

表2を参照して、実施例5,10〜13を対比すれば明らかなように、焼成温度950〜1050℃の範囲内では、いずれも実用上十分な歪率S40000や焼結密度を得ることができ、焼成温度が970℃において歪率S4000や焼結密度は最大となる。すなわち、実施例5,10〜13の圧電/電歪磁器組成物では、Ta量がz=0.3であるにもかかわらず、焼結性が良好である。 As is clear from comparison between Examples 5 and 10 to 13 with reference to Table 2, any practically sufficient strain rate S 40000 or sintered density is obtained within the range of the firing temperature of 950 to 1050 ° C. When the firing temperature is 970 ° C., the strain rate S 4000 and the sintered density are maximized. That is, in the piezoelectric / electrostrictive porcelain compositions of Examples 5 and 10 to 13, the sinterability is good even though the Ta amount is z = 0.3.

<実施例14〜20>
次に、MnO2を添加せずに主成分の組成を様々に変更した実施例14〜20の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)並びに相転移温度TOT(℃)を測定した。その測定結果を表3に示す。圧電定数d31及び歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。また、実施例14〜20の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンから、Li3NbO4量を定量した。その定量結果を表3に示す。Li3NbO4量の定量方法は上述の定量方法と同様である。
<Examples 14 to 20>
Next, the piezoelectric constant d 31 (pm / V), room temperature, and phase were evaluated using the piezoelectric / electrostrictive elements for evaluation of Examples 14 to 20 in which the composition of the main component was variously changed without adding MnO 2. The strain rate S 4000 (ppm) in the vicinity of the transition temperature T OT and the phase transition temperature T OT (° C.) were measured. The measurement results are shown in Table 3. The measuring method of the piezoelectric constant d 31 and the distortion rate S 4000 is the same as the measuring method described above. Further, the amount of Li 3 NbO 4 was quantified from the X-ray diffraction patterns of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 14 to 20. The quantitative results are shown in Table 3. The method for quantifying the amount of Li 3 NbO 4 is the same as that described above.

表3に示すように、このような主成分の組成の変更を行っても、Ta量が0.1≦z≦0.5の範囲内では、相転移温度TOTが実使用温度の範囲内にあり、良好な歪率S4000が得られる。 As shown in Table 3, even when the composition of the main component is changed, the phase transition temperature T OT is within the range of the actual use temperature within the range of Ta ≦ 0.1 ≦ 0.5. Therefore, a good distortion rate S 4000 can be obtained.

また、実施例14〜20では、Li3NbO4量は、0.1〜0.5重量部(実施例14)、1.0〜1.5重量部(実施例15〜18)、2.0〜3.0重量部(実施例19,20)の範囲内にあって、970〜1000℃のの焼成温度により良好な歪率S4000が得られている。 In Examples 14 to 20, Li 3 NbO 4 amount is 0.1 to 0.5 parts by weight (Example 14), 1.0 to 1.5 parts by weight (Example 15 to 18), 2. Within the range of 0 to 3.0 parts by weight (Examples 19 and 20), a good distortion rate S 4000 was obtained at a firing temperature of 970 to 1000 ° C.

<実施例21〜33及び比較例3,4>
次に、0.02モル部(Mn原子換算で0.02モル部)のMn化合物を添加し主成分の組成を様々に変更した実施例21〜33及び比較例3,4の評価用の圧電/電歪素子を用いて、圧電定数d31(pm/V)、室温及び相転移温度TOTの付近の歪率S4000(ppm)並びに相転移温度(℃)を測定した。その測定結果を表4に示す。圧電定数d31及び歪率S4000の測定方法は上述の測定方法と同様である。また、実施例21〜33及び比較例3,4の圧電/電歪素子に用いられている焼結体のX線回折パターンから、Li3NbO4量を定量した。その定量結果を表4に示す。Li3NbO4量の定量方法は上述の定量方法と同様である。
<Examples 21 to 33 and Comparative Examples 3 and 4>
Next, piezoelectrics for evaluation in Examples 21 to 33 and Comparative Examples 3 and 4 in which 0.02 mol part (0.02 mol part in terms of Mn atom) was added and the composition of the main component was variously changed. / The piezoelectric constant d 31 (pm / V), room temperature, and the strain rate S 4000 (ppm) in the vicinity of the phase transition temperature T OT and the phase transition temperature (° C.) were measured using an electrostrictive element. The measurement results are shown in Table 4. The measuring method of the piezoelectric constant d 31 and the distortion rate S 4000 is the same as the measuring method described above. Further, the amount of Li 3 NbO 4 was quantified from the X-ray diffraction patterns of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 21 to 33 and Comparative Examples 3 and 4. The quantitative results are shown in Table 4. The method for quantifying the amount of Li 3 NbO 4 is the same as that described above.

表4に示すように、Mn化合物を添加した場合にこのような主成分の組成の変更を行っても、Ta量が0.1≦z≦0.5の範囲内では、相転移温度TOTが実使用温度の範囲にあり、良好な歪率S4000が得られる。 As shown in Table 4, even when the composition of the main component is changed when the Mn compound is added, the phase transition temperature T OT is within the range of 0.1 ≦ z ≦ 0.5. Is in the range of the actual use temperature, and a good distortion rate S 4000 is obtained.

また、実施例1〜7と実施例26〜33との対比から明らかなように、Mn化合物の添加により、歪率S4000を向上することができる。 As evident from comparison between Examples 1 to 7 and Example 26 to 33, by addition of the Mn compound can improve the strain ratio S 4000.

さらに、表4に示すように、実施例21〜33及び比較例3,4では、Li3NbO4量は、0.1〜0.5重量部(実施例21〜23)、1.0〜1.5重量部(実施例24,26〜33、比較例3,4)、2.0〜3.0重量部(実施例25)の範囲内にあって、望ましい組成を有する実施例21〜33では、970〜1000℃の焼成温度により良好な歪率S4000が得られている。 Furthermore, as shown in Table 4, in Examples 21 to 33 and Comparative Examples 3 and 4, the amount of Li 3 NbO 4 was 0.1 to 0.5 parts by weight (Examples 21 to 23), 1.0 to Examples 21 to 21 having a desirable composition within the range of 1.5 parts by weight (Examples 24, 26 to 33, Comparative Examples 3 and 4) and 2.0 to 3.0 parts by weight (Example 25) In No. 33, a good distortion rate S 4000 was obtained at a firing temperature of 970 to 1000 ° C.

<実施例5,10〜14,20,34〜42及び比較例5〜9>
次に、それぞれ主成分の組成を一定にしたまま焼成温度を変えた(イ)比較例5〜9、(ロ)実施例14,34〜37、(ハ)実施例5,10〜13、(ニ)実施例20,38,39、(ホ)実施例40〜42の圧電/電歪素子に用いられている焼結体の焼結密度を測定し、当該焼結体のX線回折パターンからLi3NbO4量を定量した。その測定結果及び定量結果を表5に示す。焼結密度の測定方法及びLi3NbO4量の定量方法は上述の測定方法及び定量方法と同様である。
<Examples 5, 10-14, 20, 34-42 and Comparative Examples 5-9>
Next, the firing temperature was changed while keeping the composition of the main component constant (a) Comparative Examples 5 to 9, (b) Examples 14, 34 to 37, (c) Examples 5, 10 to 13, ( D) The sintered density of the sintered bodies used in the piezoelectric / electrostrictive elements of Examples 20, 38, 39 and (E) Examples 40 to 42 were measured, and the X-ray diffraction pattern of the sintered bodies was measured. The amount of Li 3 NbO 4 was quantified. The measurement results and quantitative results are shown in Table 5. The method for measuring the sintered density and the method for determining the amount of Li 3 NbO 4 are the same as those described above.

表5に示すように、比較例5〜9では、Li3NbO4量は、0.1重量部未満であって、焼成温度を1050℃まで上げても焼結密度は飽和せず、焼成温度を1050℃まで上げても焼結が十分に進行しているとはいえない。これに対して、実施例5,10〜14,20,34〜42では、Li3NbO4量は、0.1〜0.5重量部(実施例14,34〜37)、1.0〜1.5重量部(実施例5,10〜13)、2.0〜3.0重量部(実施例20,38,39)、3重量部より多い(実施例40〜42)であって、1050℃以下の焼成温度で焼結密度が飽和し、1050℃以下の焼成温度で焼結が十分に進行している。ただし、Li3NbO4量が3重量部より多い実施例40〜42では、分極処理や駆動のときに絶縁破壊によるショートが起こりやすかった。 As shown in Table 5, in Comparative Examples 5 to 9, the amount of Li 3 NbO 4 is less than 0.1 parts by weight, and even if the firing temperature is increased to 1050 ° C., the sintered density is not saturated, and the firing temperature Even if the temperature is raised to 1050 ° C., it cannot be said that the sintering is sufficiently advanced. On the other hand, in Examples 5, 10 to 14, 20, and 34 to 42, the amount of Li 3 NbO 4 is 0.1 to 0.5 parts by weight (Examples 14, 34 to 37), 1.0 to 1.5 parts by weight (Examples 5, 10-13), 2.0-3.0 parts by weight (Examples 20, 38, 39), more than 3 parts by weight (Examples 40-42), Sintering density is saturated at a firing temperature of 1050 ° C. or lower, and sintering is sufficiently advanced at a firing temperature of 1050 ° C. or lower. However, in Examples 40 to 42 in which the amount of Li 3 NbO 4 was more than 3 parts by weight, a short circuit due to dielectric breakdown was likely to occur during polarization treatment or driving.

上記の説明は、すべての局面において例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。   The above description is illustrative in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations that are not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the present invention.

圧電/電歪アクチュエータの断面図である。It is sectional drawing of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの断面図である。It is sectional drawing of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの断面図である。It is sectional drawing of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの斜視図である。It is a perspective view of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの横断面図である。It is a cross-sectional view of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 圧電/電歪アクチュエータの一部の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a part of a piezoelectric / electrostrictive actuator. 焼結体のX線回折パターンを示す図である。It is a figure which shows the X-ray-diffraction pattern of a sintered compact.

符号の説明Explanation of symbols

1,2,3,4 圧電/電歪アクチュエータ
122,222,224,402 圧電/電歪体膜
121,123,221,223,225 電極膜
404 内部電極膜
1, 2, 3, 4 Piezoelectric / electrostrictive actuators 122, 222, 224, 402 Piezoelectric / electrostrictive film 121, 123, 221, 223, 225 Electrode film 404 Internal electrode film

Claims (4)

第1の元素としてLi,Na及びKを含み、第2の元素としてNb及びTaを含み、第3の元素としてOを含み、第2の元素の総原子数に対する第1の元素の総原子数の比が1より大きく、第2の元素の総原子数に占めるTaの原子数が30mol%以上50mol%以下である組成を有し、
第1の元素をAサイト構成元素、第2の元素をBサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む圧電/電歪磁器組成物。
The first element includes Li, Na, and K, the second element includes Nb and Ta, the third element includes O, and the total number of atoms of the first element relative to the total number of atoms of the second element The ratio of is greater than 1 and the number of Ta atoms in the total number of atoms of the second element is 30 mol% or more and 50 mol% or less,
A piezoelectric / electrostrictive porcelain composition comprising a perovskite oxide having a first element as an A-site constituent element and a second element as a B-site constituent element.
一般式{Liy(Na1-xx1-ya(Nb1-zTaz)O3で表され、a,x,y及びzが、それぞれ、1<a≦1.05,0.30≦x≦0.70,0.02≦y≦0.10及び0.3≦z≦0.5を満たす組成を有する請求項1に記載の圧電/電歪磁器組成物。 Is represented by the general formula {Li y (Na 1-x K x) 1-y} a (Nb 1-z Ta z) O 3, a, x, y and z are, respectively, 1 <a ≦ 1.05 , 0.30 ≦ x ≦ 0.70, 0.02 ≦ y ≦ 0.10, and 0.3 ≦ z ≦ 0.5. ペロブスカイト型酸化物100重量部に対して0.1重量部以上3重量部以下のLi3NbO4をさらに含む請求項1又は請求項2に記載の圧電/電歪磁器組成物。 3. The piezoelectric / electrostrictive ceramic composition according to claim 1, further comprising 0.1 to 3 parts by weight of Li 3 NbO 4 with respect to 100 parts by weight of the perovskite oxide. 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の圧電/電歪磁器組成物の焼結体である圧電/電歪体膜と、
前記圧電/電歪体膜の両主面上の電極膜と、
を備える圧電/電歪素子。
A piezoelectric / electrostrictive film, which is a sintered body of the piezoelectric / electrostrictive ceramic composition according to any one of claims 1 to 3,
Electrode films on both principal surfaces of the piezoelectric / electrostrictive film;
A piezoelectric / electrostrictive element comprising:
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