JPH10116980A - 半導体プロセスシミュレーション方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 注入工程シミュレーションの計算誤差を小さ
くでき、かつ注入工程以外のシミュレーションの途中で
異常によって計算が終了することがなく、しかも計算時
間の短い半導体プロセスシミュレーション方法を提供す
る。 【解決手段】 注入工程シミュレーションにおいて、計
算された注入量と設定した注入量との間の計算誤差と、
メッシュ構造との間の一定の関係を用いることにより、
注入工程シミュレーションに適したメッシュを作成して
計算を実行し、注入工程以外の計算の途中で、種々の異
常により計算が終了する場合の、上記各異常とメッシュ
構造との間の一定の関係を用いることにより、上記異常
を取り除くようにメッシュを変更してシミュレーション
をする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
構造を、モデル化された各製造工程と製造条件を用いて
シミュレーションをする半導体プロセスシミュレーショ
ン方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路の規模の拡大に伴い、集
積回路の開発において、仕様決定から設計・製造までに
要する時間と労力は、膨大なものになってきている。こ
れに対処するためにプロセス、デバイス、回路の設計の
領域では、計算機を用いたシミュレーションが盛んに行
われるようになってきている。これらの中の１つである
プロセスシミュレーションは、所定の条件に設定された
各製造工程を経た後の不純物分布やデバイス形状を、計
算機を用いて求めるものであって、半導体製造工程にお
ける主要なプロセスであるイオン注入、酸化、拡散、エ
ピタキシャル成長等を基板材料等の物理的、化学的性質
に基づいてモデル化して、設定された工程の各条件を用
いてシミュレーションをするものである。このプロセス
シミュレーションにおいて、計算機上の実際の計算は、
半導体素子構造をメッシュ分割によって離散化して、分
割されたメッシュに基づいて実行される。

【０００３】プロセスシミュレーションにおける計算精
度を向上させるためには、分割するメッシュを微細化す
ればよいが、微細化に伴い計算時間が長くなるという問
題点があった。特に２次元や３次元の多次元シミュレー
ションを行う場合、メッシュの微細化により、計算量が
膨大になり、実際には、総ての部分のメッシュを微細化
して計算することは不可能である。そこで、物理または
化学量の変化が大きい部分のみを細かいメッシュに分割
し、他の部分のメッシュの分割を粗くすることにより、
計算量を少なくしてかつ計算精度を向上させるように工
夫していた。従来、プロセスシミュレーションに用いる
メッシュの分割は、専らユーザーが自らの経験と勘にた
よって最適なメッシュを作成（第１の従来例）してい
た。この第１の従来例では、シミュレーションに用いる
メッシュは、シミュレーションの途中では変更されるこ
とがない、いわゆる固定メッシュを用いている。

【０００４】最近では、特開平５−１１４５６９号公報
において、熱処理工程で計算を繰り返すタイムステップ
ごとに不純物濃度勾配に応じてメッシュを再分割するア
ダプティブメッシュ法が提案されている。また、特開平
６−２０９１０１号公報において示された、解析領域内
の任意の物理量の変化に応じて、離散化格子点と離散化
領域を生じることによって、高精度なプロセスシミュレ
ーションを行う方法もある。またさらに、従来技術文献
「Chih-Chuan Lin and Mark E Law,“Mesh Adaption an
d Flux Discretization for Dopant Diffusion Modelin
g",Workshop onNumerical Modeling of Processes and
Device for Integrated Circuits,pp.151〜154,1994
年」においては、局所的な誤差に基づいて自動的にメッ
シュを変更する方法が開示されている。これらのアダプ
ティブメッシュ法、特開平６−２０９１０１号公報で示
された方法及び上記従来技術文献に示された方法（以
下、これらの方法を総称して第２の従来例という。）
は、いずれも、シミュレーションの途中で計算誤差が小
さくなるように逐次、メッシュを変更して計算を実行す
るので、メッシュ作成に時間がかかる複雑な構造、ある
いはシミュレーションをしたことがないプロセスを計算
する場合でも、初期に適当なメッシュを刻めば、後は自
動的に最適なメッシュが作成されていくので、比較的経
験の浅いユーザーでも、メッシュ作成することができ便
利である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第１の
従来例は、どの程度の細かさにメッシュを刻めば、数値
計算上の誤差を少なくできるのかについて判断する必要
があるので、分割にあたってはシミュレーションに関す
る高い知識を必要とし、一般ユーザーにとっては困難な
作業であるという問題点があった。また、この第１の従
来例で作成された固定メッシュを用いてシミュレーショ
ンを行った場合、設定した条件（計算機上で条件を振る
場合には、その範囲）に対して作成したメッシュが適切
でない場合、計算の過程で異常が発生してシミュレーシ
ョンが途中で終了したり、正常なシミュレーション結果
が得られなかったりする問題点があった。このために、
異常が発生した原因の調査をした後、その原因に基づい
てメッシュを変更して、再計算をする必要があり、手間
がかかるという問題点があった。

【０００６】また、第２の従来例は、例えば、タイムス
テップ毎にメッシュを刻み直す等、計算の途中でメッシ
ュを刻み直すので、計算時間がかかるという問題点があ
った。特に、ＭＯＳトランジスタのような比較的単純な
構造を用いて、ある程度決まったプロセスフローのなか
で、注入量、酸化条件を多数振って繰り返し計算を実行
するシミュレーションを行う場合には、計算時間が長く
なるという問題点があった。

【０００７】本発明の第１の目的は、以上の問題点を解
決して、シミュレーションの誤差を少なくするように容
易にメッシュを変更してシミュレーションを実行するこ
とができ、しかも計算時間を短くすることができる半導
体プロセスシミュレーション方法を提供することにあ
る。

【０００８】本発明の第２の目的は、以上の問題点を解
決して、計算が途中で終了したときに、容易にメッシュ
を変更してシミュレーションを再開することができる半
導体プロセスシミュレーション方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の目的を
達成するために、メッシュ構造とシミュレーション誤差
との間の関係を検討した結果、注入工程シミュレーショ
ンにおいて、計算された不純物濃度分布から求めること
ができる注入量と設定した注入量との間の差（計算誤
差）と、メッシュ構造との間に一定の関係があることを
見いだして、当該関係を用いることにより、容易に注入
工程シミュレーションに適したメッシュを作成すること
ができ、当該メッシュを用いることにより、精度のよく
不純物濃度分布を計算することができることを見いだし
て完成させたものである。すなわち、本発明は、イオン
の注入条件及び設定された注入量とに基づいて、半導体
素子構造をメッシュ分割をすることによって離散化し
て、イオンの注入方向の不純物濃度分布を計算する注入
工程シミュレーションを含む半導体プロセスシミュレー
ション方法であって、上記注入工程シミュレーションに
おいて、初期メッシュを用いて計算された不純物濃度分
布を上記注入方向に積分することにより積分注入量を計
算し、上記積分注入量と上記設定された注入量との差で
ある計算誤差が、所定の許容誤差以下である場合には、
上記初期メッシュを用いて計算された不純物濃度分布を
出力し、上記計算誤差が、上記所定の許容量より大きい
場合には、上記計算誤差が上記設定された注入量以下に
なるように、メッシュを変更して、当該変更されたメッ
シュに基づいて、不純物濃度分布を計算して出力するこ
とを特徴とする。ここで、離散化とは偏微分方程式等の
形で表される方程式と近似的に等しい式を、解析対象領
域内の有限個の格子点における未知数の値を用いて表す
ことである。また、本発明では、不純物濃度分布を計算
するシミュレーションの過程では、メッシュを変更する
ことがないので、本発明は、いわゆる固定メッシュを用
いたシミュレーションということができる。また、初期
メッシュとして用いるメッシュは、既に実行されたシミ
ュレーションに使用して保存されているメッシュでもよ
いし、注入工程シミュレーションをするために新たに作
成されて入力されたメッシュでもよい。

【００１０】また、本発明では、上記注入工程シミュレ
ーションにおいて、上記メッシュに起因して生じる上記
計算誤差に対応して、当該計算誤差を小さくするように
上記メッシュを変更するメッシュ変更データが予め格納
されたデータベースを用い、上記計算誤差が許容誤差よ
り大きい場合には、当該計算誤差に対応するメッシュの
変更データに基づいて、メッシュを変更して、当該メッ
シュを用いて再度シミュレーションをすることにより、
不純物濃度分布を計算することが好ましい。これによっ
て、計算誤差が所定の値より大きい場合に、メッシュを
自動的に変更して精度のよい不純物濃度分布をシミュレ
ーションすることができる。

【００１１】また、本発明に係る別の態様の半導体プロ
セスシミュレーション方法は、シミュレーションの計算
の途中で、種々の異常により計算が終了する場合の、上
記各異常とメッシュ構造との間に、一定の関係があるこ
とを見いだして、当該関係を用いることにより、容易に
上記異常を取り除くようにメッシュを変更することがで
き、当該メッシュを用いることにより、計算の途中で終
了することなく、シミュレーションを実行できることを
見いだして、完成させたものである。すなわち、製造工
程における各工程後の半導体素子構造をメッシュ分割に
よって離散化してシミュレーションをする半導体プロセ
スシミュレーション方法において、上記メッシュに起因
して生じる各異常によって計算が終了した場合に、当該
各異常が発生しないように上記メッシュを変更する各メ
ッシュ変更データが、上記各異常に対応して格納された
データベースを用いて、上記異常に対応するメッシュ変
更データに基づいて上記メッシュを変更して、上記シミ
ュレーションを繰り返すことを特徴とする。

【００１２】また、本発明において、上記半導体プロセ
スシミュレーション方法が、それぞれ三角メッシュを用
いて計算する拡散工程シミュレーション又は酸化工程シ
ミュレーションを含んでなる場合には、上記異常が鈍角
三角メッシュに起因して発生したときに、当該鈍角三角
メッシュを鋭角三角メッシュに変更して、拡散工程シミ
ュレーション又は酸化工程シミュレーションを実行する
ことにより、容易に異常の原因を取り除くことができ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施形態について説明する。図１のフローチャートに示
す本発明に係る実施形態の半導体プロセスシミュレーシ
ョン方法は、図１のフローチャートに示すように、注入
工程のシミュレーションにおいては、シミュレーション
によって求めた注入量と設定した注入量とを比較するこ
とにより、シミュレーションにおける計算誤差を求めて
（ステップＳ３）、当該計算誤差が大きい場合にはメッ
シュを変更して再度シミュレーションを実行し、注入工
程以外の工程のシミュレーションにおいては、計算が正
常に終了したか否かを判断して、計算が正常に終了して
いない場合には、メッシュを変更して再度同じ工程のシ
ミュレーションを実行することを特徴とする。ここで、
メッシュは、データベース化された上記計算誤差に対す
るメッシュ変更データ、又は上記異常に対応するメッシ
ュ変更データに基づいて変更される。

【００１４】以下、図１を参照して、本実施形態の半導
体プロセスシミュレーションについて詳細に説明する。 （１）注入工程のシミュレーション まず、ステップＳ１で、設定された注入条件に基づい
て、保存メッシュを用いてシミュレーションを実行し
て、不純物濃度分布を求める。ここで、保存メッシュ
は、ユーザーが設定したメッシュを用いてもよいし、構
造データとして保存されているメッシュを用いてもよ
い。ここで、構造データとは、すでに実行されたシミュ
レーションの結果及び当該シミュレーションに用いたメ
ッシュ等を含むデータである。次に、ステップＳ２で、
ステップＳ１において計算された不純物濃度分布を、イ
オンの注入方向に積分することにより、注入されたイオ
ンの総量である注入量（以下、積分注入量という。）を
求める。さらに、ステップＳ３で、ステップＳ２におい
て計算された積分注入量と設定された注入量（以下、設
定注入量という。）との間の差をシミュレーションの計
算誤差として求め、当該計算誤差と予め設定された許容
誤差とを比較して、計算誤差が許容誤差以下の場合に
は、ステップＳ７に進み、計算誤差が許容誤差より大き
い場合には、ステップＳ４に進む。

【００１５】そして、ステップＳ４で、保存メッシュを
含む構造データを読み込んで、ステップＳ５に進む。ス
テップＳ５では、上記計算誤差に対応したメッシュ変更
データをデータベースＳ６から読み出して、読み出した
メッシュ変更データに基づいて保存メッシュを変更し
て、再度ステップＳ１〜ステップＳ３を実行して注入工
程のシミュレーションを実行する。ここで、データベー
スＳ６は、各計算誤差に対応させて、計算誤差を許容誤
差以下にするために、メッシュをどのように変更すれば
よいかについてのメッシュ変更データが格納されてい
る。具体例を説明すると、例えば、Ｓｉ基板にＢ（ホウ
素）を３０ＫｅＶ、注入量；３×１０¹²／ｃｍ²の条件
で注入工程をシミュレーションを実行する場合、深さ方
向に０．１μｍ間隔で刻まれたメッシュを用いてシミュ
レーションをすると、不純物濃度は図２の実線で示す不
純物濃度分布になる。この不純物濃度分布を深さ方向に
積分すると、注入量は２．４６×１０¹²／ｃｍ²とな
り、設定した注入量（３×１０¹²／ｃｍ²）との計算誤
差は−２２％である。すなわち、注入量の２２％が計算
時に損失していることになる。この原因は粗いメッシュ
を使用している為で、計算誤差を小さくするためには、
メッシュを細かくすればよい。そこで、０．００５μｍ
間隔のメッシュを用いて不純物濃度分布をシミュレーシ
ョンすると図２の点線で示したようになる。この点線で
示した不純物濃度分布を深さ方向に積分して求めた注入
量は、３×１０¹²／ｃｍ²であり、設定注入量と一致す
る。すなわち、この場合では、ステップＳ６のデータベ
ースには、計算誤差に対応して、間隔が異なるメッシュ
がデータベース化されていて、０．１μｍ間隔で刻まれ
たメッシュが、ステップＳ５で、０．００５μｍ間隔の
メッシュに変更されてシミュレーションが行われる。

【００１６】また、ステップＳ７では、シミュレーショ
ンされた不純物濃度分布と当該シミュレーションに用い
たメッシュとを構造データとして保存して、ステップＳ
８に進む。上述の例では、図２の点線で示した不純物濃
度分布と０．００５μｍ間隔のメッシュとが保存され
る。ステップＳ８では、全工程のシミュレーションが終
了したか否かを判断して、終了した場合には、シミュレ
ーションプログラムを終了させ、全工程のシミュレーシ
ョンが終了していない場合には、次の工程のシミュレー
ションを実行する。

【００１７】（２）注入以外の工程のシミュレーション
（拡散、酸化及び堆積等の注入工程以外の工程） 注入以外の各工程のシミュレーションにおいては、ま
ず、ステップＳ１１で保存メッシュに基づいてシミュレ
ーションを実行し、シミュレーションが終了するとステ
ップＳ１２に進む。そして、ステップＳ１２では、計算
が正常に終了したか否かを判断して、正常に終了した場
合には、ステップＳ７に進み、正常に終了していない場
合にはステップＳ４に進む。ステップＳ４では、注入工
程の場合と同様に、保存されている構造データを読み込
んでステップＳ５に進む。ステップＳ５では、データベ
ースから、上記異常に対応したメッシュ変更データを読
み出して、読み出したメッシュ変更データに基づいて保
存メッシュを変更して、再度ステップＳ１１〜ステップ
Ｓ１２を実行する。ここで、データベースには、各工程
において計算が異常によって終了する場合に、各異常に
対応させて、当該異常の原因を除去するような、メッシ
ュ変更データが格納され、これによって、計算が異常に
よって終了しないようにメッシュを変更できる。

【００１８】例えば、拡散工程のシミュレーションにお
いて、三角メッシュ構造で計算の異常が発生した場合に
ついて、図３を用いて説明する。メッシュ構造中に図３
（ａ）に示すような、鈍角三角メッシュが存在する場
合、不純物等の流速計算時に符号が逆になる。これによ
って、計算上では、低濃度の領域から高濃度の領域への
拡散が生じることになり、異常が発生して、計算が終了
する。このような場合、図３（ａ）において格子点１２
と格子点１４とを結んでいるグリッドライン１を、図３
（ｂ）に示すように格子点１１と格子点１３とを結ぶグ
リッドライン２に変更することにより、三角メッシュ構
造のなかから鈍角三角形メッシュを無くすことにより、
計算に異常が発生しないようにできる。すなわち、デー
タベースには、流速計算時に符号が逆になるような異常
に対して、鈍角三角形メッシュのグリッドラインを変更
して鈍角三角形メッシュを無くすようなメッシュ変更デ
ータが格納されている。これによって、計算が異常によ
って終了した場合に、計算に異常が発生しないように自
動的にメッシュを変更して再度シミュレーションを実行
するので、効率よくシミュレーションが実行できる。

【００１９】また、酸化工程においても、拡散工程と同
様に、メッシュ構造中に鈍角三角メッシュが存在する
と、計算が異常終了する。この場合にも、メッシュ構造
中に鈍角三角メッシュを鋭角三角メッシュに変更するこ
とにより、計算の異常終了が発生しないようにできる。

【００２０】また、例えば、堆積工程において、堆積さ
せる表面が平坦でなく凹凸がある場合、当該凹凸の大き
さ、堆積させて形成する膜の膜厚及びメッシュ構造が、
異常終了条件を満たす場合は、計算が異常によって終了
する。この場合、上述の異常終了条件を満足しないよう
に、メッシュ構造を変更してシミュレーションをするこ
とにより、異常終了しないようにシミュレーションを実
行することができる。すなわち、このルールをデータベ
ース化することにより、異常終了を回避できるメッシュ
構造に容易に変更できる。

【００２１】また、ステップＳ１２で、計算が正常に終
了したと判断された場合には、ステップＳ７では、シミ
ュレーションされた各工程のシミュレーション結果と当
該シミュレーションに用いたメッシュとを保存して、ス
テップＳ８に進む。

【００２２】以上の実施形態の半導体プロセスシミュレ
ーション方法では、各工程のシミュレーションにおい
て、計算の途中でメッシュを刻み直すことがないので、
各シミュレーションにおける計算時間を短くできる。

【００２３】また、以上の実施形態の半導体プロセスシ
ミュレーション方法において、注入工程シミュレーショ
ンでは、設定したイオンの注入量と不純物濃度分布を積
分して求めた積分注入量との計算誤差が、所定の許容誤
差以下になるようにメッシュを変更して、シミュレーシ
ョンを実行しているので、精度よく不純物濃度分布をシ
ミュレーションすることができる。

【００２４】また、本実施形態の半導体プロセスシミュ
レーション方法において、注入工程シミュレーションで
は、計算誤差とメッシュ構造とをデータベース化して、
当該データベースに基づいてメッシュ構造を自動的に変
更することができるので、容易に注入工程に適したメッ
シュ構造を作成することができ、容易にかつ精度のよく
不純物濃度分布をシミュレーションすることができる。

【００２５】また、本実施形態の半導体プロセスシミュ
レーション方法において、注入工程シミュレーションで
は、計算誤差とメッシュ構造とをデータベース化して、
当該データベースを検索することにより所定の設定誤差
以下の計算誤差にできるメッシュ構造に変更することが
できるので、所定の設定誤差以下になるまで、メッシュ
の変更とシミュレーションを繰り返す必要がなく、シミ
ュレーションに要する時間を短くできる。

【００２６】さらに、本実施形態の半導体プロセスシミ
ュレーション方法において、注入工程以外のシミュレー
ションでは、計算の途中で異常によって計算が終了する
場合と、その異常を回避することができるメッシュ構造
とをデータベース化して、当該データベースに基づい
て、メッシュ構造を変更してシミュレーションを実行し
ている。これによって、注入工程以外の各工程の計算が
途中で終了しないメッシュ構造を容易にかつ自動的に作
成できるので、効率よくシミュレーションできる。

【００２７】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、注入工程シミュレーションにおいて、注入量の計
算誤差とメッシュ構造との間の一定の関係を用いること
により、計算誤差が、所定の許容誤差以下になるように
メッシュを分割して、上記不純物濃度分布を計算してい
る。これによって、容易に注入工程シミュレーションに
適したメッシュを作成することができ、当該メッシュを
用いることにより、精度のよく不純物濃度分布を計算す
ることができる。また、計算の途中でメッシュを刻み直
すことがないので、計算時間を短くできる。

【００２８】また、本発明では、上記注入工程シミュレ
ーションにおいて、注入量の計算誤差とメッシュ構造と
の間の一定の関係に基づいて、上記メッシュに起因して
生じる上記計算誤差に対応して、当該計算誤差を小さく
するように上記メッシュを変更するメッシュ変更データ
が予め格納されたデータベースを作成し、当該計算誤差
に対応するメッシュの変更データに基づいて、メッシュ
を変更して、変更されたメッシュを用いてシミュレーシ
ョンをすることにより、メッシュを自動的に変更して精
度のよい不純物濃度分布をシミュレーションすることが
できる。

【００２９】また、本発明に係る別の態様の半導体プロ
セスシミュレーション方法は、シミュレーションの計算
の途中で、種々の異常により計算が終了する場合の、上
記各異常とメッシュ構造との間の一定の関係を用いるこ
とにより、容易に上記異常を取り除くようにメッシュを
変更することができ、当該メッシュを用いることによ
り、計算の途中で終了することなく、シミュレーション
を実行できる。

【００３０】また、本発明において、上記半導体プロセ
スシミュレーション方法が、それぞれ三角メッシュを用
いて計算する拡散工程シミュレーション又は酸化工程シ
ミュレーションを含んでなる場合には、上記異常が鈍角
三角メッシュに起因して発生したときに、当該鈍角三角
メッシュを鋭角三角メッシュに変更して、拡散工程シミ
ュレーション又は酸化工程シミュレーションを実行する
ことにより、容易に異常の原因を取り除くことができ、
途中で計算が終了することなくシミュレーションを実行
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係る実施形態の半導体プロセスシミ
ュレーションのフローチャートである。

【図２】 粗いメッシュを用いてシミュレーションをし
た場合と、微細なメッシュを用いてシミュレーションし
た場合の、深さに対する硼素の不純物濃度分布を示すグ
ラフである。

【図３】 シミュレーションに用いるメッシュの中の鈍
角三角メッシュを鋭角三角メッシュに変更する方法を示
す図である。

【符号の説明】

１，２…グリッドライン、 １１，１２，１３，１４…格子点。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 イオンの注入条件及び設定された注入量
   とに基づいて、半導体素子構造をメッシュ分割をするこ
   とによって離散化して、イオンの注入方向の不純物濃度
   分布を計算する注入工程シミュレーションを含む半導体
   プロセスシミュレーション方法であって、 上記注入工程シミュレーションにおいて、初期メッシュ
   を用いて計算された不純物濃度分布を上記注入方向に積
   分することにより積分注入量を計算し、 上記積分注入量と上記設定された注入量との差である計
   算誤差が、所定の許容誤差以下である場合には、上記初
   期メッシュを用いて計算された不純物濃度分布を出力
   し、上記計算誤差が、上記所定の許容量より大きい場合
   には、上記計算誤差が上記設定された注入量以下になる
   ように、メッシュを変更して、当該変更されたメッシュ
   に基づいて、不純物濃度分布を計算して出力することを
   特徴とする半導体プロセスシミュレーション方法。
2. 【請求項２】 上記注入工程シミュレーションにおい
   て、上記メッシュに起因して生じる上記計算誤差に対応
   して、当該計算誤差を小さくするように上記初期メッシ
   ュを変更するメッシュ変更データが予め格納されたデー
   タベースを用い、上記計算誤差が許容誤差より大きい場
   合には、当該計算誤差に対応するメッシュの変更データ
   に基づいて、メッシュを変更して、当該メッシュを用い
   て再度シミュレーションをすることにより、不純物濃度
   分布を計算する請求項１記載の半導体プロセスシミュレ
   ーション方法。
3. 【請求項３】 製造工程における各工程後の半導体素子
   構造をメッシュ分割によって離散化してシミュレーショ
   ンをする半導体プロセスシミュレーション方法におい
   て、 上記メッシュに起因して生じる各異常によって計算が終
   了した場合に、当該各異常が発生しないように上記メッ
   シュを変更する各メッシュ変更データが、上記各異常に
   対応して格納されたデータベースを用いて、上記異常に
   対応するメッシュ変更データに基づいて上記メッシュを
   変更して、上記シミュレーションを繰り返すことを特徴
   とする半導体プロセスシミュレーション方法。
4. 【請求項４】 上記半導体プロセスシミュレーション方
   法が、それぞれ三角メッシュを用いて計算する拡散工程
   シミュレーション又は酸化工程シミュレーションを含ん
   でなり、 上記異常が鈍角三角メッシュに起因して発生したとき
   に、当該鈍角三角メッシュを鋭角三角メッシュに変更し
   て、拡散工程シミュレーション又は酸化工程シミュレー
   ションを実行する請求項３記載の半導体プロセスシミュ
   レーション方法。