JPH1010556A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH1010556A
JPH1010556A JP16595496A JP16595496A JPH1010556A JP H1010556 A JPH1010556 A JP H1010556A JP 16595496 A JP16595496 A JP 16595496A JP 16595496 A JP16595496 A JP 16595496A JP H1010556 A JPH1010556 A JP H1010556A
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JP
Japan
Prior art keywords
pixel electrode
signal line
liquid crystal
gate signal
display device
Prior art date
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Application number
JP16595496A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Yanai
滋 谷内
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Advanced Display Inc
Original Assignee
Advanced Display Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the liquid crystal display device which has high display luminance by forming a thin film transistor on a gate signal line. SOLUTION: A 1st pixel electrode 5 and a 2nd pixel electrode 6 are formed of films of, for example, tin oxide, ITO, etc., and are formed preferably of films of ITO of about 1000Å in thickness and about 10μm in width formed by a sputtering method for easy patterning, high light transmissivity, and high conductivity. The 1st and 2nd pixel electrodes 5 and 6 are formed of the transparent conductive films, so the light emitted by a back light is transmitted to parts where the 1st and 2nd pixel electrodes 5 and 6 are formed among pixels. Further, a TFT(thin film transistor) 4 is formed on a gate signal 1, so the aperture rate of each pixel in a display area becomes about 55% and the aperture rate of each pixel is improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯テレビ、壁掛
けテレビ、または携帯用OA機器に搭載される液晶表示
装置に関する。
The present invention relates to a liquid crystal display device mounted on a portable television, a wall-mounted television, or a portable OA device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の液晶表示装置は、通常、互いに平
行に対向する2枚の透明絶縁性基板(以下、単に「基
板」ともいう)のあいだに液晶分子が挟持され、該液晶
分子に選択的に電圧が印加されるように構成されてな
る。前記2枚の基板にはそれぞれ電極が形成されてお
り、たとえば2枚の基板のうち、少なくとも一方の基板
に形成された電極はマトリクス状に配列された画素電極
である。該画素電極に選択的に電圧が印加されることに
より、前記液晶分子に選択的に電圧が印加される。な
お、前記画素電極は液晶表示装置の各画素ごとに設けら
れている。前記画素電極には、画素電極ごとに選択的に
電圧が印加されるように、トランジスタなどのスイッチ
ング素子が設けられており、該スイッチング素子を介し
て画素電極に印加された電圧により、ある1つの画素内
の液晶分子全体として軸の向き、すなわち液晶分子の配
向が制御され、各画素ごとに光の透過率が制御される。
2. Description of the Related Art In a conventional liquid crystal display device, liquid crystal molecules are usually sandwiched between two transparent insulating substrates (hereinafter, also simply referred to as "substrates") which are opposed to each other in parallel. It is configured so that a voltage is applied. Electrodes are formed on each of the two substrates. For example, of the two substrates, the electrodes formed on at least one of the substrates are pixel electrodes arranged in a matrix. When a voltage is selectively applied to the pixel electrode, a voltage is selectively applied to the liquid crystal molecules. The pixel electrode is provided for each pixel of the liquid crystal display device. The pixel electrode is provided with a switching element such as a transistor so that a voltage is selectively applied to each pixel electrode, and a certain voltage is applied to the pixel electrode via the switching element. The axis direction of the liquid crystal molecules in the pixel as a whole, that is, the alignment of the liquid crystal molecules is controlled, and the light transmittance is controlled for each pixel.

【0003】従来の液晶表示装置においては、2枚の基
板にそれぞれ形成された電極間に電圧が印加されること
により、基板に対して垂直な方向に発生する電界によっ
て液晶分子の配向が制御されるような表示モードが主に
利用される。該表示モードの例としては、ツイストネテ
ィック(TN)モードがあげられる。しかし、かかる表
示モードにより液晶分子の配向を制御したばあい、各画
素間のコントラスト比が一定値以上確保できる視野角が
狭いので、多階調で表示を行ったばあいに階調反転が起
きることがあり問題となっている。
In a conventional liquid crystal display device, when a voltage is applied between electrodes formed on two substrates, the orientation of liquid crystal molecules is controlled by an electric field generated in a direction perpendicular to the substrates. Such display modes are mainly used. An example of the display mode is a twist net (TN) mode. However, when the orientation of the liquid crystal molecules is controlled by such a display mode, the viewing angle at which the contrast ratio between the pixels can be maintained at a certain value or more is narrow. Sometimes it is a problem.

【0004】かかる問題を解決するために、基板に対し
て水平な方向に発生する電界によって液晶分子の配向が
制御されるような表示モードが提案されている。該表示
モードは、アール.キーフェルら(R.Kiefer
et al.)著「ネマティック液晶の平面内スイッチ
ング(In−Plane Switching ofN
ematic Liquid Crystals) ジ
ャパン ディスプレイ 92(JAPAN DISPL
AY 92)広島」P.547−550において提案さ
れている。本明細書においては、かかる表示モードをI
PSモードと称する。
In order to solve such a problem, there has been proposed a display mode in which the orientation of liquid crystal molecules is controlled by an electric field generated in a direction horizontal to the substrate. The display mode is R. R. Kiefer et al.
et al. ) "In-Plane Switching of Nemetic Liquid Crystal"
electronic Liquid Crystals Japan Display 92 (JAPAN DISPL)
AY 92) Hiroshima " 547-550. In this specification, such a display mode is referred to as I
Called PS mode.

【0005】つぎに、前記IPSモードを利用して液晶
分子の配向を制御している従来の液晶表示装置として、
特開平7−128683号公報に記載されている液晶表
示装置について図面を参照しつつ説明する。
Next, as a conventional liquid crystal display device in which the alignment of liquid crystal molecules is controlled using the IPS mode,
A liquid crystal display device described in JP-A-7-128683 will be described with reference to the drawings.

【0006】図8は従来の液晶表示装置の一例を示す説
明図である。図8(a)は、液晶表示装置の表示領域に
マトリクス状に形成された複数の画素のうち、ある1つ
の画素を示す平面説明図である。図8(b)は、図8
(a)のE−E線断面を示す断面説明図である。図8
(c)は、図8(a)の電気的等価回路を示す説明図で
ある。図8(a)には、互いに平行に対向する2枚の透
明絶縁性基板のうち、一方の透明絶縁性基板の表面の、
他方の透明絶縁性基板に対向する側の表面付近が示され
ている。図8において、10は透明絶縁性基板、1は透
明絶縁性基板10上に設けられたゲート信号線、9は透
明絶縁性基板10およびゲート信号線1上に形成される
絶縁膜、2は絶縁膜9を介してゲート信号線1に直交す
るように形成されたソース信号線、3はゲート信号線1
に対して平行に形成されるコモン信号線、14はゲート
信号線1を経て伝送されるゲート信号が入力される薄膜
トランジスタ(thin film transistor、以下、単に「T
FT」という)、15はTFT14に接続される第1の
画素電極、16は絶縁膜9に形成されたコンタクトホー
ル8を介してコモン信号線3に接続される第2の画素電
極を示す。図8(a)において、絶縁膜9および透明絶
縁性基板10は図示されていない。
FIG. 8 is an explanatory view showing an example of a conventional liquid crystal display device. FIG. 8A is an explanatory plan view illustrating one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of a liquid crystal display device. FIG.
It is a section explanatory view showing the EE line section of (a). FIG.
FIG. 9C is an explanatory diagram illustrating an electrical equivalent circuit of FIG. FIG. 8A shows the surface of one of the two transparent insulating substrates facing in parallel with each other,
The vicinity of the surface on the side facing the other transparent insulating substrate is shown. 8, reference numeral 10 denotes a transparent insulating substrate, 1 denotes a gate signal line provided on the transparent insulating substrate 10, 9 denotes an insulating film formed on the transparent insulating substrate 10 and the gate signal line 1, and 2 denotes an insulating film. Source signal lines 3 are formed so as to be orthogonal to the gate signal lines 1 with the film 9 interposed therebetween.
A common signal line 14 is formed in parallel with a thin film transistor (hereinafter referred to as “T”) to which a gate signal transmitted through the gate signal line 1 is input.
Reference numeral 15 denotes a first pixel electrode connected to the TFT 14, and 16 denotes a second pixel electrode connected to the common signal line 3 through a contact hole 8 formed in the insulating film 9. In FIG. 8A, the insulating film 9 and the transparent insulating substrate 10 are not shown.

【0007】前記第1の画素電極15は絶縁膜9上に形
成され、かつ、保持容量形成部7においてコモン信号線
3とのあいだに保持容量を形成する。また、前記第1の
画素電極15および前記第2の画素電極16は、チタン
またはアルミニウムからなる金属膜で形成される。前記
TFT14は、ゲート電極と、該ゲート電極上に形成さ
れるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成される半
導体の層と、該半導体の層上に形成され、かつ、前記ゲ
ート電極上部の一部分にそれぞれ形成されるソース電極
およびドレイン電極とからなる。前記ゲート電極はゲー
ト信号線1に接続され、前記ソース電極はソース信号線
2に接続され、前記ドレイン電極は第1の画素電極15
に接続される。
The first pixel electrode 15 is formed on the insulating film 9, and forms a storage capacitor between the common signal line 3 and the storage capacitor forming section 7. Further, the first pixel electrode 15 and the second pixel electrode 16 are formed of a metal film made of titanium or aluminum. The TFT 14 includes a gate electrode, a gate insulating film formed on the gate electrode, a semiconductor layer formed on the gate insulating film, a semiconductor layer formed on the semiconductor layer, and And a source electrode and a drain electrode respectively formed on a part of the. The gate electrode is connected to a gate signal line 1, the source electrode is connected to a source signal line 2, and the drain electrode is a first pixel electrode 15
Connected to.

【0008】また、ゲート信号線1を経て伝送されるゲ
ート信号によりTFT14のスイッチングが制御され、
ソース信号線2を経て伝送されるソース信号が前記TF
T14を介して前記第1の画素電極15に印加されて該
第1の画素電極15の電位が制御される。前記ゲート信
号によりTFT14のスイッチングが制御されることに
より、各画素ごとに形成される第1の画素電極のうち所
望の第1の画素電極のみに選択的にソース信号が印加さ
れ、所望の第1の画素電極のみに選択的に所望の大きさ
の電圧が印加される。なお、前記ソース信号は、液晶表
示装置の表示領域に所望の映像を表示するために必要な
所望の大きさの電圧値を有する。
The switching of the TFT 14 is controlled by a gate signal transmitted through the gate signal line 1,
The source signal transmitted via the source signal line 2 is the TF
The potential is applied to the first pixel electrode 15 via T14 to control the potential of the first pixel electrode 15. By controlling the switching of the TFT 14 by the gate signal, a source signal is selectively applied only to a desired first pixel electrode among the first pixel electrodes formed for each pixel, and a desired first A voltage of a desired magnitude is selectively applied only to the pixel electrodes of the above. In addition, the source signal has a voltage value of a desired magnitude necessary for displaying a desired image on a display area of the liquid crystal display device.

【0009】図8(c)において、11は液晶分子を示
し、液晶分子11の配向は、第1の画素電極15および
第2の画素電極16間に発生する電界の大きさおよび極
性によって制御される。すなわち該電界の大きさおよび
極性によってどの程度の光が画素を透過するかが制御さ
れる。また、12は第1の画素電極15とコモン信号線
3とのあいだに形成される保持容量を示す。
In FIG. 8C, reference numeral 11 denotes liquid crystal molecules, and the orientation of the liquid crystal molecules 11 is controlled by the magnitude and polarity of an electric field generated between the first pixel electrode 15 and the second pixel electrode 16. You. That is, how much light passes through the pixel is controlled by the magnitude and polarity of the electric field. Reference numeral 12 denotes a storage capacitor formed between the first pixel electrode 15 and the common signal line 3.

【0010】従来の液晶表示装置は前述のような構造と
なっているため、ゲート信号線1を経て伝送されるゲー
ト信号を所望の第1の画素電極に印加することができ、
該第1の画素電極と第2の画素電極とのあいだにおい
て、透明絶縁性基板に対して水平な方向に発生する電界
により、各画素ごとに液晶分子の配向を選択的に制御す
ることができ、液晶表示装置の表示領域に所望の映像を
表示することができる。
Since the conventional liquid crystal display device has the above-described structure, a gate signal transmitted through the gate signal line 1 can be applied to a desired first pixel electrode.
An electric field generated between the first pixel electrode and the second pixel electrode in a direction horizontal to the transparent insulating substrate can selectively control the orientation of liquid crystal molecules for each pixel. Thus, a desired image can be displayed on the display area of the liquid crystal display device.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置におい
て、2枚の透明絶縁性基板、該2枚の透明絶縁性基板に
挟持される液晶分子、および前記2枚の透明絶縁性基板
の表面上に形成される信号線やTFTなどからなるパネ
ル自体は非発光素子であるので、通常、2枚の透明絶縁
性基板のうち一方の透明絶縁性基板の背面にバックライ
トを配置して、該バックライトからパネルに光を照射
し、前記パネルの表示領域に所望の映像を表示させてい
る。前記液晶表示装置の重要な表示性能の1つとして表
示輝度、すなわち液晶表示装置の表示領域の明るさがあ
る。最近では液晶表示装置の低消費電力化が要求されて
おり、そのためバックライトの輝度は限られている。し
たがって、液晶表示装置の表示輝度を高くするために
は、パネルの一方の面から照射された光のうちパネルを
透過する光をより多くすること、すなわちパネルの透過
率を向上させることが必要とされる。前記パネルの光の
透過率はパネルの表示領域の各画素の開口率と直接関係
している。なお、前記開口率とは、画素単位面積に対す
る有効光透過領域の割合を示す。
SUMMARY OF THE INVENTION In a liquid crystal display device, two transparent insulating substrates, liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates, and a surface of the two transparent insulating substrates. Since the panel itself formed of signal lines, TFTs, and the like is a non-light emitting element, a backlight is usually arranged on the back surface of one of the two transparent insulating substrates, and the backlight Illuminates the panel with light to display a desired image in the display area of the panel. One of the important display performances of the liquid crystal display device is display luminance, that is, brightness of a display area of the liquid crystal display device. Recently, there has been a demand for lower power consumption of liquid crystal display devices, and therefore, the brightness of the backlight is limited. Therefore, in order to increase the display brightness of the liquid crystal display device, it is necessary to increase the amount of light transmitted through the panel out of the light emitted from one surface of the panel, that is, to improve the transmittance of the panel. Is done. The light transmittance of the panel is directly related to the aperture ratio of each pixel in the display area of the panel. The aperture ratio indicates a ratio of an effective light transmitting region to a pixel unit area.

【0012】従来の液晶表示装置では、第1の画素電極
と第2の画素電極がチタンまたはアルミニウムからなる
金属膜で形成されている。したがって、液晶表示装置の
表示輝度に関連する表示領域の各画素の開口率は、第1
の画素電極および第2の画素電極の幅に大きく依存す
る。理想的には、第1の画素電極および第2の画素電極
の幅が限りなく細いことが望ましいが、第1の画素電極
および第2の画素電極に断線が生じないためには、10
μm程度の幅が限界とされる。また、TFTも表示領域
の各画素の開口率を低下させる原因となるため、TFT
が画素の表面積の一部を占有していることも液晶表示装
置の表示輝度を低下させる原因となっている。
In a conventional liquid crystal display device, the first pixel electrode and the second pixel electrode are formed of a metal film made of titanium or aluminum. Therefore, the aperture ratio of each pixel in the display area related to the display luminance of the liquid crystal display device is the first.
Greatly depends on the widths of the pixel electrode and the second pixel electrode. Ideally, the widths of the first pixel electrode and the second pixel electrode are desirably as narrow as possible, but in order to prevent disconnection between the first pixel electrode and the second pixel electrode, 10
The width of about μm is the limit. In addition, the TFT also causes a reduction in the aperture ratio of each pixel in the display area.
Occupies a part of the surface area of the pixel, which also causes the display luminance of the liquid crystal display device to decrease.

【0013】たとえばパソコン用の液晶表示装置の表示
領域は、縦が300μm、横が100μm程度であり、
ここで、第1の画素電極および第2の画素電極を10μ
m程度とすると、表示領域の各画素の開口率は25%程
度となる。なお、そのうちTFTによる開口率の低下は
5%程度である。一方、TNモードにより制御される従
来の液晶表示装置は、表示領域の開口率は50%以上の
ものが製品化されている。
For example, a display area of a liquid crystal display device for a personal computer has a length of about 300 μm and a width of about 100 μm.
Here, the first pixel electrode and the second pixel electrode are set to 10 μm.
If it is about m, the aperture ratio of each pixel in the display area is about 25%. The reduction in the aperture ratio due to the TFT is about 5%. On the other hand, a conventional liquid crystal display device controlled by the TN mode has a display area having an aperture ratio of 50% or more.

【0014】したがって、IPSモードにより制御され
る液晶表示装置においては、表示領域の各画素の開口率
を上げることにより、液晶表示装置の表示輝度を高くす
ることが課題とされる。
Therefore, in the liquid crystal display device controlled in the IPS mode, it is an object to increase the display luminance of the liquid crystal display device by increasing the aperture ratio of each pixel in the display area.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性基板と、一
方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信号線と、該
ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介し
てゲート信号線に直交するソース信号線と、前記ゲート
信号線に対して平行に形成されるコモン信号線と、前記
ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が入力される
薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続される
第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続される第2
の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟
持される液晶分子とからなり、前記ゲート信号が入力さ
れることにより前記薄膜トランジスタのスイッチングが
制御され、前記ソース信号線を経て伝送されるソース信
号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1の画素電極
に印加されて該第1の画素電極の電位が制御され、か
つ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン信号が前
記第2の画素電極に印加されることにより、前記第1の
画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前記透明絶
縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が制御され
て、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置であって、
前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジスタが形成され
てなることを特徴とする。
According to the liquid crystal display device of the present invention, two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, An insulating film formed on the line, a source signal line orthogonal to the gate signal line through the insulating film, a common signal line formed in parallel with the gate signal line, and the gate signal line. A thin film transistor to which a transmitted gate signal is input; a first pixel electrode connected to the thin film transistor; and a second pixel electrode connected to the common signal line.
Pixel electrodes, and liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates. When the gate signal is input, the switching of the thin film transistor is controlled and transmitted through the source signal line. A source signal is applied to the first pixel electrode via the thin film transistor to control the potential of the first pixel electrode, and a common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel. An electric field generated between the first pixel electrode and the second pixel electrode in a horizontal direction on the surface of the transparent insulating substrate is controlled by being applied to the electrodes, so that the liquid crystal molecules are driven. Liquid crystal display device,
The thin film transistor is formed on the gate signal line.

【0016】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第1の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第2の画素電極と、
前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第1の画素電極に印加されて該
第1の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第2の画素電極
に印加されることにより、前記第1の画素電極と前記第
2の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第1の画素電
極が透明性導電膜からなることを特徴とする。
In the liquid crystal display device of the present invention, two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, and a film formed on the gate signal line. An insulating film, a source signal line orthogonal to the gate signal line through the insulating film, a common signal line formed in parallel with the gate signal line, and a gate signal transmitted through the gate signal line. A thin film transistor to be input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, a second pixel electrode connected to the common signal line,
The liquid crystal molecules are sandwiched between the two transparent insulating substrates, and the switching of the thin film transistor is controlled by the input of the gate signal, and the source signal transmitted through the source signal line is the source signal. A potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode via a thin film transistor, and a common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode. Accordingly, an electric field generated in the horizontal direction on the surface of the transparent insulating substrate between the first pixel electrode and the second pixel electrode is controlled, and the liquid crystal molecules are driven. Wherein the first pixel electrode is made of a transparent conductive film.

【0017】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。
It is preferable that the thin film transistor is formed on the gate signal line because the aperture ratio can be further increased.

【0018】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第1の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第2の画素電極と、
前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第1の画素電極に印加されて該
第1の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第2の画素電極
に印加されることにより、前記第1の画素電極と前記第
2の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第2の画素電
極が透明性導電膜からなることを特徴とする。
In the liquid crystal display device of the present invention, two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, and a film formed on the gate signal line. An insulating film, a source signal line orthogonal to the gate signal line through the insulating film, a common signal line formed in parallel with the gate signal line, and a gate signal transmitted through the gate signal line. A thin film transistor to be input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, a second pixel electrode connected to the common signal line,
The liquid crystal molecules are sandwiched between the two transparent insulating substrates, and the switching of the thin film transistor is controlled by the input of the gate signal, and the source signal transmitted through the source signal line is the source signal. A potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode via a thin film transistor, and a common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode. Thereby, an electric field generated in the horizontal direction on the surface of the transparent insulating substrate between the first pixel electrode and the second pixel electrode is controlled, and the liquid crystal molecules are driven. Wherein the second pixel electrode is made of a transparent conductive film.

【0019】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。
It is preferable that the thin film transistor is formed on the gate signal line because the aperture ratio can be further increased.

【0020】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
上に形成されるゲート信号線と、該ゲート信号線上に成
膜される絶縁膜と、該絶縁膜を介してゲート信号線に直
交するソース信号線と、前記ゲート信号線に対して平行
に形成されるコモン信号線と、前記ゲート信号線を経て
伝送されるゲート信号が入力される薄膜トランジスタ
と、該薄膜トランジスタに接続される第1の画素電極
と、前記コモン信号線に接続される第2の画素電極と、
前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持される液晶分
子とからなり、前記ゲート信号が入力されることにより
前記薄膜トランジスタのスイッチングが制御され、前記
ソース信号線を経て伝送されるソース信号が前記薄膜ト
ランジスタを介して前記第1の画素電極に印加されて該
第1の画素電極の電位が制御され、かつ、前記コモン信
号線を経て伝送されるコモン信号が前記第2の画素電極
に印加されることにより、前記第1の画素電極と前記第
2の画素電極とのあいだで前記透明絶縁性基板の表面に
水平な方向に発生する電界が制御されて、前記液晶分子
が駆動される液晶表示装置であって、前記第1の画素電
極および前記第2の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする。
In the liquid crystal display device of the present invention, two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, and a film formed on the gate signal line. An insulating film, a source signal line orthogonal to the gate signal line through the insulating film, a common signal line formed in parallel with the gate signal line, and a gate signal transmitted through the gate signal line. A thin film transistor to be input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, a second pixel electrode connected to the common signal line,
The liquid crystal molecules are sandwiched between the two transparent insulating substrates, and the switching of the thin film transistor is controlled by the input of the gate signal, and the source signal transmitted through the source signal line is the source signal. A potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode via a thin film transistor, and a common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode. Thereby, an electric field generated in the horizontal direction on the surface of the transparent insulating substrate between the first pixel electrode and the second pixel electrode is controlled, and the liquid crystal molecules are driven. Wherein the first pixel electrode and the second pixel electrode are made of a transparent conductive film.

【0021】前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジス
タが形成されてなることが、より開口率を上げることが
できるため好ましい。
It is preferable that the thin film transistor is formed on the gate signal line because the aperture ratio can be further increased.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の液晶表示装置について説明する。
Next, a liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0023】実施の形態1 図1は本発明の液晶表示装置の一実施の形態を示す説明
図である。図1(a)は、液晶表示装置の表示領域にマ
トリクス状に形成された複数の画素のうち、ある1つの
画素を示す平面説明図である。図1(b)は、図1
(a)のA−A線断面を示す断面説明図である。図1
(c)は、図1(a)の電気的等価回路を示す説明図で
ある。図1において、1はゲート信号線、2はソース信
号線、3はコモン信号線、4はTFT、9は絶縁膜、1
0は透明絶縁性基板、15は第1の画素電極、16は第
2の画素電極を示す。図1(a)において、絶縁膜9お
よび透明絶縁性基板10は図示されていない。図1
(c)において、11は液晶分子を示し、また、12は
第1の画素電極15とコモン信号線3とのあいだに形成
される保持容量を示す。
Embodiment 1 FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 1A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of a liquid crystal display device. FIG.
FIG. 3A is a cross-sectional explanatory view illustrating a cross section taken along line AA of FIG. FIG.
FIG. 2C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. In FIG. 1, 1 is a gate signal line, 2 is a source signal line, 3 is a common signal line, 4 is a TFT, 9 is an insulating film, 1
0 denotes a transparent insulating substrate, 15 denotes a first pixel electrode, and 16 denotes a second pixel electrode. In FIG. 1A, the insulating film 9 and the transparent insulating substrate 10 are not shown. FIG.
In (c), reference numeral 11 denotes liquid crystal molecules, and reference numeral 12 denotes a storage capacitor formed between the first pixel electrode 15 and the common signal line 3.

【0024】本発明の液晶表示装置は、互いに平行に対
向する2枚の透明絶縁性基板と、一方の透明絶縁性基板
10上に形成されるゲート信号線1と、該ゲート信号線
1上に成膜される絶縁膜9と、該絶縁膜9を介してゲー
ト信号線1に直交するソース信号線2と、前記ゲート信
号線1に対して平行に形成されるコモン信号線3と、前
記ゲート信号線1を経て伝送されるゲート信号が入力さ
れるTFT4と、該TFTに接続される第1の画素電極
15と、前記コモン信号線3に接続される第2の画素電
極16と、前記2枚の透明絶縁性基板のあいだに挟持さ
れる液晶分子(図示せず)とからなる。なお、図1
(a)には、前記互いに平行に対向する2枚の透明絶縁
性基板のうち、一方の透明絶縁性基板10の表面の、他
方の透明絶縁性基板に対向する側の表面付近が示されて
いる。
In the liquid crystal display device of the present invention, two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line 1 formed on one transparent insulating substrate 10, and An insulating film 9 to be formed; a source signal line 2 orthogonal to the gate signal line 1 through the insulating film 9; a common signal line 3 formed in parallel with the gate signal line 1; A TFT 4 to which a gate signal transmitted via the signal line 1 is input; a first pixel electrode 15 connected to the TFT; a second pixel electrode 16 connected to the common signal line 3; And liquid crystal molecules (not shown) sandwiched between two transparent insulating substrates. FIG.
(A) of the two transparent insulating substrates opposed to each other in parallel with each other shows the vicinity of the surface of one transparent insulating substrate 10 on the side facing the other transparent insulating substrate. I have.

【0025】前記ゲート信号が入力されることにより前
記TFT4のスイッチングが制御され、前記ソース信号
線1を経て伝送されるソース信号が前記TFT4を介し
て前記第1の画素電極15に印加されて該第1の画素電
極15の電位が制御され、かつ、前記コモン信号線3を
経て伝送されるコモン信号が前記第2の画素電極16に
印加されることにより、前記第1の画素電極15と前記
第2の画素電極16とのあいだにおいて、前記透明絶縁
性基板の表面に水平な方向に電界が発生し、液晶分子の
配向が制御される。すなわち、前記電界により液晶分子
が駆動される。前記コモン信号線3はゲート信号線1と
同様に透明絶縁性基板10上に形成される。
The switching of the TFT 4 is controlled by the input of the gate signal, and a source signal transmitted through the source signal line 1 is applied to the first pixel electrode 15 through the TFT 4 to be switched. The potential of the first pixel electrode 15 is controlled, and a common signal transmitted via the common signal line 3 is applied to the second pixel electrode 16 so that the first pixel electrode 15 and the An electric field is generated in the horizontal direction on the surface of the transparent insulating substrate between the second pixel electrode 16 and the alignment of the liquid crystal molecules is controlled. That is, the liquid crystal molecules are driven by the electric field. The common signal line 3 is formed on the transparent insulating substrate 10 like the gate signal line 1.

【0026】本実施の形態において、前記TFT4はゲ
ート信号線1上に形成される(図1(a)参照)。した
がって、従来の液晶表示装置の画素においてTFTが形
成されていた部分に、第1の画素電極15および第2の
画素電極16を形成することができ、本発明の液晶表示
装置の表示領域の各画素の開口率は30%程度となる。
In the present embodiment, the TFT 4 is formed on the gate signal line 1 (see FIG. 1A). Therefore, the first pixel electrode 15 and the second pixel electrode 16 can be formed in the portion where the TFT is formed in the pixel of the conventional liquid crystal display device, and each of the display regions of the liquid crystal display device of the present invention is formed. The aperture ratio of the pixel is about 30%.

【0027】実施の形態2 つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。
Embodiment 2 Next, another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【0028】図2は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図2(a)は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある1つの画素を示す平面説明図である。図2
(b)は、図2(a)のA−A線断面を示す断面説明図
である。図2(c)は、図2(a)の電気的等価回路を
示す説明図である。図2において、従来の液晶表示装置
を示す図8に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 2A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of the liquid crystal display device. FIG.
FIG. 2B is an explanatory cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA of FIG. FIG. 2C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. 2, the same reference numerals are used for the same portions as those shown in FIG. 8 showing the conventional liquid crystal display device.

【0029】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第1の画素電
極5が透明性導電膜で形成されることである。前記第1
の画素電極5は、たとえば酸化スズの膜または酸化イン
ジウム(ITO)の膜などからなり、パターニング性が
容易であり、光透過率が高く、かつ、導電率が高いとい
う点でスパッタ法で形成された厚さ1000Å程度、幅
10μm程度のITOの膜からなることが最も好まし
い。第1の画素電極5が透明性導電膜で形成されること
により、画素のうち第1の画素電極5が形成される部分
にもバックライトから照射された光を透過させうる。そ
の結果、液晶表示装置の表示領域の各画素の開口率は4
0%程度となる。
The difference between the conventional liquid crystal display device and the liquid crystal display device of the present embodiment is that the first pixel electrode 5 is formed of a transparent conductive film. The first
The pixel electrode 5 is formed of, for example, a film of tin oxide or a film of indium oxide (ITO), and is formed by a sputtering method in that patterning is easy, light transmittance is high, and conductivity is high. Most preferably, it is made of an ITO film having a thickness of about 1000 ° and a width of about 10 μm. Since the first pixel electrode 5 is formed of a transparent conductive film, light emitted from the backlight can be transmitted to a portion of the pixel where the first pixel electrode 5 is formed. As a result, the aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display device is 4
It is about 0%.

【0030】また、図2に示される液晶表示装置のTF
Tを実施の形態1と同様にゲート信号線1上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図3に示
す。図3(a)は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある1つの画素を
示す平面説明図である。図3(b)は、図3(a)のB
−B線断面を示す断面説明図である。図3(c)は、図
3(a)の電気的等価回路を示す説明図である。図3に
おいて、図2に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。
The TF of the liquid crystal display device shown in FIG.
T may be formed on the gate signal line 1 as in the first embodiment. FIG. 3 shows a liquid crystal display device having such a structure. FIG. 3A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of the liquid crystal display device. FIG. 3 (b) is a view of B in FIG. 3 (a).
It is sectional explanatory drawing which shows the -B line cross section. FIG. 3C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. In FIG. 3, the same portions as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals.

【0031】図3に示される液晶表示装置は、第1の画
素電極5が透明性導電膜で形成され、かつ、TFT4が
ゲート信号線1上に形成されるため、図2に示される液
晶表示装置よりもさらに表示領域の各画素の開口率が上
がる。図3に示される液晶表示装置の表示領域の各画素
の開口率は45%程度となる。
In the liquid crystal display device shown in FIG. 3, since the first pixel electrode 5 is formed of a transparent conductive film and the TFT 4 is formed on the gate signal line 1, the liquid crystal display device shown in FIG. The aperture ratio of each pixel in the display area is higher than that of the device. The aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display device shown in FIG. 3 is about 45%.

【0032】実施の形態3 つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。
Embodiment 3 Next, another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【0033】図4は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図4(a)は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある1つの画素を示す平面説明図である。図4
(b)は、図4(a)のC−C線断面を示す断面説明図
である。図4(c)は、図4(a)の電気的等価回路を
示す説明図である。図4において、従来の液晶表示装置
を示す図8に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。
FIG. 4 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 4A is an explanatory plan view showing a certain pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of the liquid crystal display device. FIG.
FIG. 4B is an explanatory cross-sectional view showing a cross section taken along line CC of FIG. FIG. 4C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. 4, the same reference numerals are used for the same portions as those shown in FIG. 8 showing the conventional liquid crystal display device.

【0034】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第2の画素電
極6が透明性導電膜で形成されることである。第2の画
素電極6は、たとえば酸化スズの膜またはITOの膜な
どからなり、パターニング性が容易であり、光透過率が
高く、かつ、導電率が高いという点でスパッタ法で形成
された厚さ1000Å程度、幅10μm程度のITOの
膜からなることが最も好ましい。第2の画素電極6が透
明性導電膜で形成されることにより、画素のうち第2の
画素電極6が形成される部分にもバックライトから照射
された光を透過させうる。その結果、液晶表示装置の表
示領域の各画素の開口率は35%程度となる。
The difference between the conventional liquid crystal display device and the liquid crystal display device of the present embodiment is that the second pixel electrode 6 is formed of a transparent conductive film. The second pixel electrode 6 is made of, for example, a tin oxide film or an ITO film, and has a thickness formed by a sputtering method in that it is easy to pattern, has high light transmittance, and has high conductivity. Most preferably, it is made of an ITO film having a thickness of about 1000 ° and a width of about 10 μm. Since the second pixel electrode 6 is formed of a transparent conductive film, light emitted from the backlight can be transmitted to a portion of the pixel where the second pixel electrode 6 is formed. As a result, the aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display device is about 35%.

【0035】また、図4に示される液晶表示装置のTF
Tを実施の形態1と同様にゲート信号線1上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図5に示
す。図5(a)は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある1つの画素を
示す平面説明図である。図5(b)は、図5(a)のC
−C線断面を示す断面説明図である。図5(c)は、図
5(a)の電気的等価回路を示す説明図である。図5に
おいて、図4に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。
The TF of the liquid crystal display shown in FIG.
T may be formed on the gate signal line 1 as in the first embodiment. FIG. 5 shows a liquid crystal display device having such a structure. FIG. 5A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of a liquid crystal display device. FIG. 5 (b) is a view of C in FIG. 5 (a).
It is sectional explanatory drawing which shows the -C line cross section. FIG. 5C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. In FIG. 5, the same portions as those shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals.

【0036】図5に示される液晶表示装置は、第2の画
素電極6が透明性導電膜で形成され、かつ、TFT4が
ゲート信号線1上に形成されるため、図4に示される液
晶表示装置よりもさらに表示領域の各画素の開口率が上
がる。図5に示される液晶表示装置の表示領域の各画素
の開口率は40%程度となる。
In the liquid crystal display device shown in FIG. 5, since the second pixel electrode 6 is formed of a transparent conductive film and the TFT 4 is formed on the gate signal line 1, the liquid crystal display device shown in FIG. The aperture ratio of each pixel in the display area is higher than that of the device. The aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display device shown in FIG. 5 is about 40%.

【0037】実施の形態4 つぎに、本発明の液晶表示装置の他の実施の形態につい
て説明する。
Embodiment 4 Next, another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described.

【0038】図6は本発明の液晶表示装置の他の実施の
形態を示す説明図である。図6(a)は、液晶表示装置
の表示領域にマトリクス状に形成された複数の画素のう
ち、ある1つの画素を示す平面説明図である。図6
(b)は、図6(a)のD−D線断面を示す断面説明図
である。図6(c)は、図6(a)の電気的等価回路を
示す説明図である。図6において、従来の液晶表示装置
を示す図8に示した部分と同じ部分には同一の符号が用
いられる。
FIG. 6 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. FIG. 6A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of the liquid crystal display device. FIG.
FIG. 6B is a cross-sectional explanatory view showing a cross section taken along line DD of FIG. FIG. 6C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. 6A. 6, the same reference numerals are used for the same portions as those shown in FIG. 8 showing the conventional liquid crystal display device.

【0039】従来の液晶表示装置と本実施の形態の液晶
表示装置とのあいだで異なっている点は、第1の画素電
極5および第2の画素電極6が透明性導電膜で形成され
ることである。前記第1の画素電極5および第2の画素
電極6は、たとえば酸化スズの膜またはITOの膜など
からなり、パターニング性が容易であり、光透過率が高
く、かつ、導電率が高いという点でスパッタ法で形成さ
れた厚さ1000Å程度、幅10μm程度のITOの膜
からなることが最も好ましい。第1の画素電極5および
第2の画素電極6が透明性導電膜で形成されることによ
り、画素のうち第1の画素電極5および第2の画素電極
6が形成される部分にもバックライトから照射された光
を透過させうる。その結果、液晶表示装置の表示領域の
各画素の開口率は50%程度となる。
The difference between the conventional liquid crystal display device and the liquid crystal display device of the present embodiment is that the first pixel electrode 5 and the second pixel electrode 6 are formed of a transparent conductive film. It is. The first pixel electrode 5 and the second pixel electrode 6 are made of, for example, a tin oxide film or an ITO film, and are easily patterned, have high light transmittance, and have high conductivity. Most preferably, it is formed of an ITO film having a thickness of about 1000 ° and a width of about 10 μm formed by sputtering. Since the first pixel electrode 5 and the second pixel electrode 6 are formed of a transparent conductive film, a portion of the pixel where the first pixel electrode 5 and the second pixel electrode 6 are formed has a backlight. Can be transmitted through the device. As a result, the aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display becomes about 50%.

【0040】また、図6に示される液晶表示装置のTF
Tを実施の形態1と同様にゲート信号線1上に形成して
もよい。かかる構造を有する液晶表示装置を図7に示
す。図7(a)は、液晶表示装置の表示領域にマトリク
ス状に形成された複数の画素のうち、ある1つの画素を
示す平面説明図である。図7(b)は、図7(a)のD
−D線断面を示す断面説明図である。図7(c)は、図
7(a)の電気的等価回路を示す説明図である。図7に
おいて、図6に示した部分と同じ部分には同一の符号が
用いられている。
The TF of the liquid crystal display device shown in FIG.
T may be formed on the gate signal line 1 as in the first embodiment. FIG. 7 shows a liquid crystal display device having such a structure. FIG. 7A is an explanatory plan view showing one pixel among a plurality of pixels formed in a matrix in a display area of a liquid crystal display device. FIG. 7 (b) is a diagram of D in FIG. 7 (a).
It is sectional explanatory drawing which shows the -D line cross section. FIG. 7C is an explanatory diagram showing an electrical equivalent circuit of FIG. 7A. 7, the same parts as those shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.

【0041】図7に示される液晶表示装置は、第1の画
素電極5および第2の画素電極6が透明性導電膜で形成
され、かつ、TFT4がゲート信号線1上に形成される
ため、図6に示される液晶表示装置よりもさらに表示領
域の各画素の開口率が上がる。図7に示される液晶表示
装置の表示領域の各画素の開口率は55%程度となる。
In the liquid crystal display device shown in FIG. 7, the first pixel electrode 5 and the second pixel electrode 6 are formed of a transparent conductive film, and the TFT 4 is formed on the gate signal line 1. The aperture ratio of each pixel in the display area is higher than in the liquid crystal display device shown in FIG. The aperture ratio of each pixel in the display area of the liquid crystal display device shown in FIG. 7 is about 55%.

【0042】前述の実施の形態1〜4において、透明絶
縁性基板は、石英基板またはガラス基板からなることが
好ましく、コストが低い点で厚さ1mm程度のガラス基
板からなることが最も好ましく、ゲート信号線は、たと
えばクロム(Cr)の膜、アルミニウム(Al)の膜ま
たはタンタル(Ta)の膜などの材質からなり、平坦度
が良い点で厚さ3000Å程度、幅20μm程度の膜か
らなることが最も好ましく、絶縁膜は、窒化シリコン
(SiN)の膜または酸化シリコン(SiO2)の膜か
らなることが好ましく、誘電率が高い点でプラズマCV
D法で形成された厚さ3000Å程度のSiNの膜から
なることが最も好ましく、ソース信号線は、ITOの
膜、Crの膜またはAlの膜からなることが好ましく、
導電率が高い点でスパッタ法で形成された厚さ4000
Å程度、幅10μm程度のAlの膜からなることが最も
好ましく、コモン信号線は、たとえばCrの膜、Alの
膜またはTaの膜などの材質からなり、平坦度が良い点
で厚さ3000Å程度、幅20μm程度の膜からなるこ
とが最も好ましく、TFTは、エッチストッパ型TFT
またはチャネルエッチ型TFTであることが好ましく、
製造工程数の低減という点でチャネルエッチ型TFTで
あることが最も好ましい。
In the first to fourth embodiments, the transparent insulating substrate is preferably made of a quartz substrate or a glass substrate, most preferably a glass substrate having a thickness of about 1 mm in terms of low cost. The signal line is made of a material such as a chromium (Cr) film, an aluminum (Al) film, or a tantalum (Ta) film, and is made of a film having a thickness of about 3000 mm and a width of about 20 μm in terms of good flatness. It is most preferable that the insulating film is made of a silicon nitride (SiN) film or a silicon oxide (SiO 2 ) film.
It is most preferable that the source signal line is made of an ITO film, a Cr film, or an Al film.
Thickness 4000 formed by sputtering because of high conductivity
Most preferably, the common signal line is made of a material such as a Cr film, an Al film or a Ta film, and has a thickness of about 3000 mm in terms of good flatness. And most preferably a film having a width of about 20 μm.
Or it is preferably a channel-etch type TFT,
It is most preferable to use a channel-etch type TFT from the viewpoint of reducing the number of manufacturing steps.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、前述のように
構成されてなるので、つぎに示すような効果を奏する。
Since the liquid crystal display device of the present invention is constructed as described above, it has the following effects.

【0044】本発明の液晶表示装置は、ゲート信号線上
に薄膜トランジスタが形成されてなるため、各画素にお
いて光を透過しうる部分の表面積を大きくすることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。
In the liquid crystal display device of the present invention, a thin film transistor is formed on the gate signal line, so that the surface area of a portion through which light can be transmitted in each pixel can be increased, and a liquid crystal display device having high display luminance can be obtained. You can get.

【0045】本発明の液晶表示装置は、第1の画素電極
が透明性導電膜からなるため、各画素において第1の画
素電極が形成される部分にも光を透過させることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。
In the liquid crystal display device according to the present invention, since the first pixel electrode is made of a transparent conductive film, light can be transmitted also to the portion where the first pixel electrode is formed in each pixel, and a high display can be achieved. A liquid crystal display device having luminance can be obtained.

【0046】また、第1の画素電極が透明性導電膜から
なり、かつ、ゲート信号線上に薄膜トランジスタが形成
されてなることにより、より高い表示輝度を有する液晶
表示装置をうることができる。
Further, a liquid crystal display device having higher display luminance can be obtained by forming the first pixel electrode from a transparent conductive film and forming a thin film transistor on the gate signal line.

【0047】本発明の液晶表示装置は、第2の画素電極
が透明性導電膜からなるため、各画素において第2の画
素電極が形成される部分にも光を透過させることがで
き、高い表示輝度を有する液晶表示装置をうることがで
きる。
In the liquid crystal display device of the present invention, since the second pixel electrode is made of a transparent conductive film, light can be transmitted also to the portion where the second pixel electrode is formed in each pixel, and high display can be achieved. A liquid crystal display device having luminance can be obtained.

【0048】また、第2の画素電極が透明性導電膜から
なり、かつ、ゲート信号線上に薄膜トランジスタが形成
されてなるため、より高い表示輝度を有する液晶表示装
置をうることができる。
Further, since the second pixel electrode is formed of a transparent conductive film and a thin film transistor is formed on a gate signal line, a liquid crystal display device having higher display luminance can be obtained.

【0049】本発明の液晶表示装置は、第1の画素電極
および第2の画素電極が透明性導電膜からなるため、各
画素において第1の画素電極および第2の画素電極が形
成される部分にも光を透過させることができ、高い表示
輝度を有する液晶表示装置をうることができる。
In the liquid crystal display device of the present invention, since the first pixel electrode and the second pixel electrode are made of a transparent conductive film, a portion where the first pixel electrode and the second pixel electrode are formed in each pixel. Thus, a liquid crystal display device having high display luminance can be obtained.

【0050】また、第1の画素電極および第2の画素電
極が透明性導電膜からなり、かつ、ゲート信号線上に薄
膜トランジスタが形成されてなるため、より高い表示輝
度を有する液晶表示装置をうることができる。
Further, since the first pixel electrode and the second pixel electrode are made of a transparent conductive film and thin film transistors are formed on gate signal lines, a liquid crystal display device having higher display luminance can be obtained. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置の一実施の形態を示す説
明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing one embodiment of a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図3】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図4】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図5】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図6】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図7】本発明の液晶表示装置の他の実施の形態を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing another embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図8】従来の液晶表示装置を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲート信号線 2 ソース信号線 3 コモン信号線 4 TFT 5 第1の画素電極 6 第2の画素電極 7 保持容量形成部 8 コンタクトホール 9 絶縁膜 10 透明絶縁性基板 11 液晶分子 12 保持容量 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Gate signal line 2 Source signal line 3 Common signal line 4 TFT 5 1st pixel electrode 6 2nd pixel electrode 7 Storage capacity formation part 8 Contact hole 9 Insulating film 10 Transparent insulating substrate 11 Liquid crystal molecule 12 Storage capacity

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第2の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1
の画素電極に印加されて該第1の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第2の画素電極に印加されることにより、前
記第1の画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジスタが
形成されてなることを特徴とする液晶表示装置。
1. Two transparent insulating substrates facing in parallel with each other, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, an insulating film formed on the gate signal line, A source signal line orthogonal to the gate signal line via the film,
A common signal line formed in parallel with the gate signal line, a thin film transistor to which a gate signal transmitted through the gate signal line is input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, A second pixel electrode connected to a signal line, and liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates, wherein the switching of the thin film transistor is controlled by inputting the gate signal; A source signal transmitted through the source signal line is transmitted to the first signal through the thin film transistor.
The potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode, and the common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode, whereby the first pixel electrode is controlled. A liquid crystal display device in which an electric field generated between a pixel electrode and the second pixel electrode in a horizontal direction on a surface of the transparent insulating substrate is controlled to drive the liquid crystal molecules, wherein the gate signal A liquid crystal display device comprising the thin film transistor formed on a line.
【請求項2】 互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第2の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1
の画素電極に印加されて該第1の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第2の画素電極に印加されることにより、前
記第1の画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第1の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
2. Two transparent insulating substrates facing in parallel with each other, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, an insulating film formed on the gate signal line, and the insulating film. A source signal line orthogonal to the gate signal line via the film,
A common signal line formed in parallel with the gate signal line, a thin film transistor to which a gate signal transmitted through the gate signal line is input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, A second pixel electrode connected to a signal line, and liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates, wherein the switching of the thin film transistor is controlled by inputting the gate signal; A source signal transmitted through the source signal line is transmitted to the first signal through the thin film transistor.
The potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode, and the common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode, whereby the first pixel electrode is controlled. A liquid crystal display device in which an electric field generated between a pixel electrode and the second pixel electrode in a horizontal direction on a surface of the transparent insulating substrate is controlled to drive the liquid crystal molecules; A liquid crystal display device, wherein the pixel electrode is made of a transparent conductive film.
【請求項3】 前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項2記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein said thin film transistor is formed on said gate signal line.
【請求項4】 互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第2の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1
の画素電極に印加されて該第1の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第2の画素電極に印加されることにより、前
記第1の画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第2の画素電極が透明性導電膜からなるこ
とを特徴とする液晶表示装置。
4. Two transparent insulating substrates opposing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, an insulating film formed on the gate signal line, A source signal line orthogonal to the gate signal line via the film,
A common signal line formed in parallel with the gate signal line, a thin film transistor to which a gate signal transmitted through the gate signal line is input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, A second pixel electrode connected to a signal line, and liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates, and the switching of the thin film transistor is controlled by inputting the gate signal; A source signal transmitted through the source signal line is transmitted to the first signal through the thin film transistor.
The first pixel electrode is controlled in potential by being applied to the first pixel electrode, and the common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode, whereby the first pixel electrode is controlled. A liquid crystal display device in which an electric field generated between a pixel electrode and the second pixel electrode in a horizontal direction on a surface of the transparent insulating substrate is controlled to drive the liquid crystal molecules; A liquid crystal display device, wherein the pixel electrode is made of a transparent conductive film.
【請求項5】 前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項4記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein said thin film transistor is formed on said gate signal line.
【請求項6】 互いに平行に対向する2枚の透明絶縁性
基板と、一方の透明絶縁性基板上に形成されるゲート信
号線と、該ゲート信号線上に成膜される絶縁膜と、該絶
縁膜を介してゲート信号線に直交するソース信号線と、
前記ゲート信号線に対して平行に形成されるコモン信号
線と、前記ゲート信号線を経て伝送されるゲート信号が
入力される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに
接続される第1の画素電極と、前記コモン信号線に接続
される第2の画素電極と、前記2枚の透明絶縁性基板の
あいだに挟持される液晶分子とからなり、前記ゲート信
号が入力されることにより前記薄膜トランジスタのスイ
ッチングが制御され、前記ソース信号線を経て伝送され
るソース信号が前記薄膜トランジスタを介して前記第1
の画素電極に印加されて該第1の画素電極の電位が制御
され、かつ、前記コモン信号線を経て伝送されるコモン
信号が前記第2の画素電極に印加されることにより、前
記第1の画素電極と前記第2の画素電極とのあいだで前
記透明絶縁性基板の表面に水平な方向に発生する電界が
制御されて、前記液晶分子が駆動される液晶表示装置で
あって、前記第1の画素電極および前記第2の画素電極
が透明性導電膜からなることを特徴とする液晶表示装
置。
6. Two transparent insulating substrates facing each other in parallel, a gate signal line formed on one of the transparent insulating substrates, an insulating film formed on the gate signal line, and the insulating film. A source signal line orthogonal to the gate signal line via the film,
A common signal line formed in parallel with the gate signal line, a thin film transistor to which a gate signal transmitted through the gate signal line is input, a first pixel electrode connected to the thin film transistor, A second pixel electrode connected to a signal line, and liquid crystal molecules sandwiched between the two transparent insulating substrates, wherein the switching of the thin film transistor is controlled by inputting the gate signal; A source signal transmitted through the source signal line is transmitted to the first signal through the thin film transistor.
The potential of the first pixel electrode is controlled by being applied to the first pixel electrode, and the common signal transmitted through the common signal line is applied to the second pixel electrode, whereby the first pixel electrode is controlled. A liquid crystal display device in which an electric field generated between a pixel electrode and the second pixel electrode in a horizontal direction on a surface of the transparent insulating substrate is controlled to drive the liquid crystal molecules, Wherein the pixel electrode and the second pixel electrode are made of a transparent conductive film.
【請求項7】 前記ゲート信号線上に前記薄膜トランジ
スタが形成されてなる請求項6記載の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the thin film transistor is formed on the gate signal line.
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