JPH098329A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

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JPH098329A
JPH098329A JP15962795A JP15962795A JPH098329A JP H098329 A JPH098329 A JP H098329A JP 15962795 A JP15962795 A JP 15962795A JP 15962795 A JP15962795 A JP 15962795A JP H098329 A JPH098329 A JP H098329A
Authority
JP
Japan
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sensor chip
diaphragm
pressure sensor
insulator
sensor
Prior art date
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Pending
Application number
JP15962795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuaki Mizui
伸朗 水井
Hisahiro Ando
久弘 安藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokai Rika Co Ltd filed Critical Tokai Rika Co Ltd
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Publication of JPH098329A publication Critical patent/JPH098329A/en
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Abstract

PURPOSE: To obtain a pressure sensor in which fluctuation in the force for supporting a sensor chip can be suppressed. CONSTITUTION: The insulator 11 of a pressure sensor 1 is provided with leaf springs 12, 13 projecting from the inner side face of the insulator 11. The leaf springs 12, 13 are bent toward the opposite ends of a sensor chip 9 and have a C-shaped cross-section at the forward end thereof. The sensor chip 9 is pressed by the leaf springs 12, 13 operating within the plastic deformation region and held against a diaphragm 3 with a load being applied to the leaf springs 12, 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は圧力センサに関するもの
である。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a pressure sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来の薄膜歪みゲージ式圧力セン
サ(以下、単に圧力センサという)50の正面図、図4
は圧力センサ50の断面図である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a front view of a conventional thin film strain gauge type pressure sensor (hereinafter, simply referred to as a pressure sensor) 50, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view of the pressure sensor 50.

【0003】圧力センサ50のボディ51にはダイアフ
ラム52が形成され、そのダイアフラム52にはセンサ
チップ53が設けられている。そのセンサチップ53
は、位置決めリング54によってセンサチップ53中央
とダイアフラム52の中央とが一致するように位置決め
されており、インシュレータ55に取着された板バネ5
6の弾性力によってダイアフラム52に対して押圧保持
されている。そして、センサチップ53は、導入孔57
から導入された流体の圧力によってダイアフラム52と
共に撓むようになっている。
A diaphragm 52 is formed on a body 51 of the pressure sensor 50, and a sensor chip 53 is provided on the diaphragm 52. The sensor chip 53
Is positioned by a positioning ring 54 so that the center of the sensor chip 53 and the center of the diaphragm 52 coincide with each other, and the leaf spring 5 attached to the insulator 55 is attached.
The elastic force of 6 holds the diaphragm 52 against pressure. The sensor chip 53 has the introduction hole 57.
It is designed to bend together with the diaphragm 52 by the pressure of the fluid introduced from.

【0004】図5に示すように、センサチップ53の上
面には、薄膜歪みゲージR1〜R4が形成されている。
薄膜歪みゲージR1〜R4は、センサチップ53の撓み
による応力によって圧縮又は伸長され、その圧縮又は伸
長に応じて抵抗値が変化する。従って、薄膜歪みゲージ
R1〜R4の抵抗値は、検出しようとする流体の圧力に
応じて変化する。その薄膜歪みゲージR1〜R4は、図
示しない増幅回路部から供給される所定の電圧を分圧す
る分圧抵抗を構成する。そして、薄膜歪みゲージR1〜
R4による分圧電圧は、図示しない増幅回路部により増
幅され、出力電圧として圧力センサ50外部へ出力され
るようになっている。
As shown in FIG. 5, thin film strain gauges R1 to R4 are formed on the upper surface of the sensor chip 53.
The thin film strain gauges R1 to R4 are compressed or expanded by the stress due to the bending of the sensor chip 53, and the resistance value changes according to the compression or expansion. Therefore, the resistance values of the thin film strain gauges R1 to R4 change according to the pressure of the fluid to be detected. The thin film strain gauges R1 to R4 form a voltage dividing resistor that divides a predetermined voltage supplied from an amplification circuit unit (not shown). And, the thin film strain gauge R1
The divided voltage by R4 is amplified by an amplifier circuit section (not shown) and output as an output voltage to the outside of the pressure sensor 50.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、板バネ56
は、その弾性変形域内でセンサチップ53をダイアフラ
ム52に対して押圧保持している。そのため、センサチ
ップ53の厚みが異なったり、インシュレータ55の寸
法精度によっては、センサチップ53を保持する押圧力
が圧力センサ50毎に異なる場合がある。押圧力が異な
ると、流体の圧力によってダイアフラム52が撓む時
に、センサチップ53の撓みが圧力センサ50毎に異な
り、薄膜歪みゲージR1〜R4の抵抗値の変化が異な
る。その結果、同じ流体の圧力に対して個々の圧力セン
サ50から出力される出力電圧にばらつきが生じるとい
う問題があった。この出力電圧をばらつきは、図示しな
い増幅回路部の増幅率を個々に変更することによって押
さえることができるが、出力電圧のばらつきによって増
幅率を個々に設定しなければならず、面倒であるという
問題があった。
By the way, the leaf spring 56 is used.
Holds the sensor chip 53 against the diaphragm 52 within its elastic deformation region. Therefore, depending on the thickness of the sensor chip 53 or the dimensional accuracy of the insulator 55, the pressing force for holding the sensor chip 53 may be different for each pressure sensor 50. When the pressing force is different, when the diaphragm 52 is bent by the fluid pressure, the bending of the sensor chip 53 is different for each pressure sensor 50, and the resistance values of the thin film strain gauges R1 to R4 are different. As a result, there is a problem in that the output voltage output from each pressure sensor 50 varies for the same fluid pressure. This variation in the output voltage can be suppressed by individually changing the amplification factor of the amplification circuit unit (not shown), but the amplification factor must be set individually due to the variation in the output voltage, which is a troublesome problem. was there.

【0006】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、センサチップを支持す
る力のばらつきを抑えることができる圧力センサを提供
することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a pressure sensor capable of suppressing variations in force for supporting a sensor chip.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項1に記載の発明は、ボディに形成され、流体
の圧力によってたわむダイアフラムと、その上面に圧電
変換素子が形成され、ダイアフラムのたわみによる応力
を検出した検出信号を出力するセンサチップと、ボディ
に固着されたインシュレータと、前記インシュレータに
取着され、前記ダイアフラムに対して前記センサチップ
を押圧保持する弾性体とを備えた圧力センサにおいて、
前記弾性体を塑性変形域において前記センサチップを押
圧保持するようにしたことを要旨とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is characterized in that a diaphragm is formed on a body and is bent by the pressure of a fluid, and a piezoelectric transducer is formed on the upper surface of the diaphragm. Pressure provided with a sensor chip that outputs a detection signal that detects the stress due to bending, an insulator fixed to the body, and an elastic body that is attached to the insulator and presses and holds the sensor chip against the diaphragm. In the sensor,
The gist is that the elastic body presses and holds the sensor chip in a plastic deformation region.

【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の圧力センサにおいて、前記ボディには、前記ダイアフ
ラムに対する前記センサチップの位置を決定するための
位置決め部が形成された位置決めリングが設けられ、そ
の位置決めリングは前記インシュレータと共にボディに
接着されたことを要旨とする。
According to a second aspect of the present invention, in the pressure sensor according to the first aspect, the body is provided with a positioning ring having a positioning portion for determining the position of the sensor chip with respect to the diaphragm. The positioning ring is bonded to the body together with the insulator.

【0009】また、弾性体は、ステンレス製の板バネで
ある。
The elastic body is a leaf spring made of stainless steel.

【0010】[0010]

【作用】従って、請求項1に記載の発明によれば、セン
サチップはダイアフラムに対して塑性変形域で動作する
弾性体によって押圧保持される。
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the sensor chip is pressed and held with respect to the diaphragm by the elastic body that operates in the plastic deformation region.

【0011】請求項2に記載の発明によれば、ボディに
は、インシュレータと共に接着された位置決めリングが
設けられている。センサチップは、位置決めリングの位
置決め部によってダイアフラムに対する位置が決定され
る。
According to the second aspect of the invention, the body is provided with a positioning ring bonded together with the insulator. The position of the sensor chip with respect to the diaphragm is determined by the positioning portion of the positioning ring.

【0012】また、弾性体は、ステンレス製の板バネに
より構成される。
The elastic body is composed of a stainless steel plate spring.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図1〜
図3に従って説明する。図1は本実施例の圧力センサ1
の断面図であり、図2は圧力センサ1の正面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment embodying the present invention will now be described with reference to FIGS.
It will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a pressure sensor 1 of this embodiment.
2 is a front view of the pressure sensor 1. FIG.

【0014】圧力センサ1のボディ2にはダイアフラム
3が形成され、そのダイアフラム3は導入孔4から導入
された流体の圧力によってたわむようになっている。ま
た、ボディ2にはダイアフラム3の円周方向に沿って凹
部5が形成されており、その凹部には位置決めリング6
が収容されている。位置決めリング6には、その中心方
向に向かって位置決め部7,8が突出形成されており、
その位置決め部7,8はダイアフラム3の周辺部上面
(図1において左側面)に配置されている。
A diaphragm 3 is formed on the body 2 of the pressure sensor 1, and the diaphragm 3 is bent by the pressure of the fluid introduced from the introduction hole 4. A recess 5 is formed in the body 2 along the circumferential direction of the diaphragm 3, and a positioning ring 6 is formed in the recess.
Is housed. Positioning portions 7 and 8 are formed on the positioning ring 6 so as to project toward the center thereof.
The positioning portions 7 and 8 are arranged on the upper surface of the peripheral portion of the diaphragm 3 (left side surface in FIG. 1).

【0015】また、圧力センサ1にはセンサチップ9が
設けられている。センサチップ9は位置決め部7,8に
よってその中心がダイアフラム3の中心と一致するよう
に配置されている。ダイアフラム3の上面には凸部3a
が形成されており、その凸部3aによってダイアフラム
3のたわみによる応力がセンサチップ9の中心にのみ加
わり、その応力によってセンサチップ9がわたむように
なっている。
Further, the pressure sensor 1 is provided with a sensor chip 9. The sensor chip 9 is arranged by the positioning portions 7 and 8 so that its center coincides with the center of the diaphragm 3. The convex portion 3a is provided on the upper surface of the diaphragm 3.
The convex portion 3a applies a stress due to the deflection of the diaphragm 3 only to the center of the sensor chip 9, and the stress causes the sensor chip 9 to bend.

【0016】図2に示すように、センサチップ9の上面
には薄膜歪みゲージR1〜R4が形成され、その薄膜歪
みゲージR1〜R4はセンサチップ9のたわみに応じて
それらの抵抗値が変化するようになっている。また、セ
ンサチップ9の上面にはパッド10a〜10fが形成さ
れている。薄膜歪みゲージR1,R3はパッド10a〜
10c間に直接に接続され、薄膜歪みゲージR2,R4
はパッド10d〜10f間に直列に接続されている。
As shown in FIG. 2, thin film strain gauges R1 to R4 are formed on the upper surface of the sensor chip 9, and the resistance values of the thin film strain gauges R1 to R4 change according to the deflection of the sensor chip 9. It is like this. Further, pads 10a to 10f are formed on the upper surface of the sensor chip 9. The thin film strain gauges R1 and R3 are the pads 10a-
Directly connected between 10c, thin film strain gauge R2, R4
Are connected in series between the pads 10d to 10f.

【0017】また、圧力センサ1にはインシュレータ1
1が設けられている。インシュレータ11は樹脂製であ
って,略円筒状に形成されている。インシュレータ11
は、凹部5に挿入され、位置決めリング6と共に接着さ
れている。
The pressure sensor 1 has an insulator 1
1 is provided. The insulator 11 is made of resin and has a substantially cylindrical shape. Insulator 11
Is inserted into the recess 5 and is bonded together with the positioning ring 6.

【0018】インシュレータ11には板バネ12,13
が設けられている。板バネ12,13は例えばステンレ
ス製であって、インシュレータ11の内側面から突出す
るように取着されている。板バネ12,13はセンサチ
ップ9の両端に向かって屈曲形成されており、その先端
は断面C状に形成されている。そして、板バネ12,1
3は、塑性変形域内で動作し、センサチップ9をダイア
フラム3に向かって押圧するようになっている。
The insulator 11 has leaf springs 12, 13
Is provided. The leaf springs 12 and 13 are made of stainless steel, for example, and are attached so as to project from the inner side surface of the insulator 11. The leaf springs 12 and 13 are formed so as to be bent toward both ends of the sensor chip 9, and the tips thereof are formed in a C-shaped cross section. And the leaf springs 12 and 1
3 operates in the plastic deformation region and presses the sensor chip 9 toward the diaphragm 3.

【0019】そして、塑性変形を起こした板バネ12,
13は、加えられた荷重をセンサチップ9へ伝達させ
る。そして、センサチップ9は、板バネ12,13に加
えられた荷重によって押圧されるようになる。従って、
センサチップ9の板厚が異なったり、インシュレータ1
1の寸法精度がばらついても、センサチップ9は板バネ
12,13に加えられた荷重により押圧されるので、押
圧力を一定にすることができ、各圧力センサ1毎のばら
つきを抑えることができる。
The leaf spring 12, which has undergone plastic deformation,
13 transmits the applied load to the sensor chip 9. Then, the sensor chip 9 is pressed by the load applied to the leaf springs 12 and 13. Therefore,
The thickness of the sensor chip 9 may be different, or the insulator 1
Even if the dimensional accuracy of No. 1 varies, the sensor chip 9 is pressed by the load applied to the leaf springs 12 and 13, so that the pressing force can be made constant and the variation for each pressure sensor 1 can be suppressed. it can.

【0020】尚、インシュレータ11には複数の端子1
4が設けられ、それら端子14はセンサチップ9上面に
形成されたパッド10a〜10fとワイヤ15を介して
電気的に接続されている。端子14には増幅回路部16
を構成する電子部品が搭載された基板17が接続されて
いる。増幅回路部16は、コネクタ部18に設けられた
外部端子19から供給される駆動電源に基づいて動作
し、センサチップ9から出力される出力電圧を増幅して
外部端子19を介して圧力センサ1外部へ出力するよう
になっている。
The insulator 11 has a plurality of terminals 1
4 are provided, and the terminals 14 are electrically connected to the pads 10a to 10f formed on the upper surface of the sensor chip 9 through the wires 15. An amplifier circuit section 16 is provided at the terminal 14.
The board 17 on which the electronic components constituting the above are mounted is connected. The amplifier circuit unit 16 operates based on a driving power supply supplied from an external terminal 19 provided in the connector unit 18, amplifies the output voltage output from the sensor chip 9 and the pressure sensor 1 via the external terminal 19. It is designed to output to the outside.

【0021】次に、上記のように構成された圧力センサ
1の作用を説明する。センサチップ9は、表面に熱酸化
膜が形成されたシリコンウエハにクロム薄膜が成膜さ
れ、そのクロム薄膜をフォトリソ工程により薄膜歪みゲ
ージR1〜R4のパターンが形成される。そして、ダイ
サーによりシリコンウエハが切断され、センサチップ9
が形成される。その形成されたセンサチップ9は、位置
決めリング6の位置決め部7,8にセンサチップ9の中
心がダイアフラム3の中心と一致するように配置された
後、板バネ12,13を取着したインシュレータ11が
位置決めリング6と共にボディ2に接着固定される。
Next, the operation of the pressure sensor 1 configured as described above will be described. In the sensor chip 9, a chromium thin film is formed on a silicon wafer having a thermal oxide film formed on its surface, and the thin film strain gauges R1 to R4 are formed by a photolithography process on the chromium thin film. Then, the silicon wafer is cut by the dicer, and the sensor chip 9
Is formed. The sensor chip 9 thus formed is arranged on the positioning portions 7, 8 of the positioning ring 6 such that the center of the sensor chip 9 coincides with the center of the diaphragm 3, and then the insulator 11 having the leaf springs 12, 13 attached thereto. Are bonded and fixed to the body 2 together with the positioning ring 6.

【0022】このとき、板バネ12,13は加えられる
荷重によってたわみ塑性変形する。すると、センサチッ
プ9はその塑性変形した板バネ12,13によって押圧
保持される。そして、センサチップ9に対する押圧力は
板バネ12,13に加えられる荷重となる。従って、セ
ンサチップ9の板厚等がばらついても、センサチップ9
に対する押圧力のばらつきを抑えることができ、同じ流
体の圧力に対して各圧力センサ1から一定の出力電圧が
出力される。その結果、各圧力センサ1毎に増幅率を設
定する必要がなく、面倒がない。
At this time, the leaf springs 12 and 13 are flexibly plastically deformed by the applied load. Then, the sensor chip 9 is pressed and held by the plastically deformed leaf springs 12 and 13. The pressing force applied to the sensor chip 9 becomes the load applied to the leaf springs 12 and 13. Therefore, even if the plate thickness of the sensor chip 9 varies, the sensor chip 9
It is possible to suppress the variation in the pressing force with respect to, and each pressure sensor 1 outputs a constant output voltage for the same fluid pressure. As a result, it is not necessary to set the amplification factor for each pressure sensor 1, and there is no trouble.

【0023】上記したように、本実施例の圧力センサ1
によれば、センサチップ9を押圧保持する板バネ12,
13に対して、それら板バネ12,13が塑性変形域内
で動作するように荷重をかけたわませるようにした。そ
の結果、センサチップ9の板厚やインシュレータ11の
寸法精度等がばらついても、板バネ12,13に加える
荷重によってセンサチップ9を押圧保持することができ
るので、センサチップ9に対する押圧力のばらつきを抑
えることができる。
As described above, the pressure sensor 1 of this embodiment
According to the above, the leaf spring 12, which presses and holds the sensor chip 9,
The leaf springs 12 and 13 are subjected to a load so that the leaf springs 12 and 13 operate in the plastic deformation region. As a result, even if the plate thickness of the sensor chip 9 or the dimensional accuracy of the insulator 11 varies, the sensor chip 9 can be pressed and held by the load applied to the plate springs 12 and 13, so that the pressing force on the sensor chip 9 varies. Can be suppressed.

【0024】尚、本発明は以下のように変更してもよ
く、その場合にも同様の作用及び効果が得られる。 1)上記実施例では、弾性体として板バネ12,13を
用いて実施したが、コイルスプリング等のバネを用いて
そのバネを塑性変形させて実施してもよい。
It should be noted that the present invention may be modified as follows, and in that case, the same operation and effect can be obtained. 1) In the above embodiment, the leaf springs 12 and 13 were used as the elastic body, but it is also possible to use a spring such as a coil spring to plastically deform the spring.

【0025】2)上記実施例では、ステンレス製の板バ
ネ12,13を用いたが、ベリリウム銅等の他の材質を
用いて実施してもよい。 3)上記実施例では、センサチップ9の上面に薄膜歪み
ゲージR1〜R4を形成したが、拡散歪みゲージを形成
して実施してもよい。
2) In the above embodiment, the leaf springs 12 and 13 made of stainless steel were used, but other materials such as beryllium copper may be used. 3) In the above embodiment, the thin film strain gauges R1 to R4 are formed on the upper surface of the sensor chip 9, but a diffusion strain gauge may be formed.

【0026】以上、この発明の各実施例について説明し
たが、各実施例から把握できる請求項以外の技術思想に
ついて、以下にそれらの効果とともに記載する。 イ)請求項1〜3に記載の圧力センサにおいて、前記セ
ンサチップ9からの検出信号を増幅し出力する増幅回路
部16を備えた圧力センサ。この構成によると、流体の
圧力に応じた信号を増幅し出力することが可能となる。
Although the respective embodiments of the present invention have been described above, technical ideas other than the claims which can be understood from the respective embodiments will be described below together with their effects. A) The pressure sensor according to any one of claims 1 to 3, comprising an amplifier circuit section 16 for amplifying and outputting a detection signal from the sensor chip 9. With this configuration, it is possible to amplify and output a signal according to the fluid pressure.

【0027】ロ)請求項3に記載の圧力センサにおい
て、圧電変換素子は薄膜歪みゲージR1〜R4である。
この構成によると、ダイアフラム3のたわみによる応力
を容易に検出可能である。
(B) In the pressure sensor according to the third aspect, the piezoelectric conversion elements are thin film strain gauges R1 to R4.
With this configuration, the stress due to the deflection of the diaphragm 3 can be easily detected.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、セ
ンサチップを支持する力のばらつきを抑えることが可能
な圧力センサを提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide the pressure sensor capable of suppressing the variation in the force for supporting the sensor chip.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 一実施例の圧力センサの断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a pressure sensor according to an embodiment.

【図2】 一実施例の圧力センサの正面図。FIG. 2 is a front view of a pressure sensor according to an embodiment.

【図3】 一実施例の圧力センサの全体を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an entire pressure sensor of one embodiment.

【図4】 従来の圧力センサの断面図。FIG. 4 is a sectional view of a conventional pressure sensor.

【図5】 従来の圧力センサの正面図。FIG. 5 is a front view of a conventional pressure sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…ボディ、3…ダイアフラム、6…位置決めリング、
7,8…位置決め部、9…センサチップ、11…インシ
ュレータ、12,13…弾性体としての板バネ、16…
増幅回路部、R1〜R4…圧電変換素子としての薄膜歪
みゲージ。
2 ... Body, 3 ... Diaphragm, 6 ... Positioning ring,
7, 8 ... Positioning part, 9 ... Sensor chip, 11 ... Insulator, 12, 13 ... Leaf spring as elastic body, 16 ...
Amplifier circuit section, R1 to R4 ... Thin film strain gauge as a piezoelectric conversion element.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ボディ(2)に形成され、流体の圧力に
よってたわむダイアフラム(3)と、 その上面に圧電変換素子(R1〜R4)が形成され、ダ
イアフラム(3)のたわみによる応力を検出した検出信
号を出力するセンサチップ(9)と、 ボディ(2)に固着されたインシュレータ(11)と、 前記インシュレータ(11)に取着され、前記ダイアフ
ラム(3)に対して前記センサチップ(9)を押圧保持
する弾性体(12,13)とを備えた圧力センサにおい
て、 前記弾性体(12,13)を塑性変形域において前記セ
ンサチップ(9)を押圧保持するようにした圧力セン
サ。
1. A diaphragm (3) which is formed on a body (2) and is bent by the pressure of a fluid, and piezoelectric conversion elements (R1 to R4) are formed on the upper surface of the diaphragm (3) to detect the stress due to the bending of the diaphragm (3). A sensor chip (9) for outputting a detection signal; an insulator (11) fixed to a body (2); and a sensor chip (9) attached to the insulator (11) and attached to the diaphragm (3). A pressure sensor comprising: an elastic body (12, 13) for pressing and holding the sensor chip (9) in a plastic deformation region of the elastic body (12, 13).
【請求項2】 請求項1に記載の圧力センサにおいて、 前記ボディ(2)には、前記ダイアフラム(3)に対す
る前記センサチップ(9)の位置を決定するための位置
決め部(7,8)が形成された位置決めリング(6)が
設けられ、その位置決めリング(6)は前記インシュレ
ータ(11)と共にボディ(2)に接着された圧力セン
サ。
2. The pressure sensor according to claim 1, wherein the body (2) has positioning portions (7, 8) for determining the position of the sensor chip (9) with respect to the diaphragm (3). A pressure sensor provided with a formed positioning ring (6), the positioning ring (6) being bonded to the body (2) together with the insulator (11).
【請求項3】 請求項1又は2に記載の圧力センサにお
いて、 前記弾性体は、ステンレス製の板バネ(12,13)で
ある圧力センサ。
3. The pressure sensor according to claim 1, wherein the elastic body is a leaf spring (12, 13) made of stainless steel.
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