JPH097991A - シリコンウェーハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウェーハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH097991A JPH097991A JP17268195A JP17268195A JPH097991A JP H097991 A JPH097991 A JP H097991A JP 17268195 A JP17268195 A JP 17268195A JP 17268195 A JP17268195 A JP 17268195A JP H097991 A JPH097991 A JP H097991A
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- JP
- Japan
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- wafer
- silicon wafer
- cleaning
- treatment
- lapping
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- Detergent Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ラッピングパウダの残留によるＨＦ溶液中で
のシリコンウェーハ表面への転写パーティクルを低減す
る。ポリッシュドウェーハの裏面に残留しているパーテ
ィクル成分を除去する。 【構成】 ラッピング直後の洗浄処理において、シリコ
ンウェーハの表面電位（Ψｓ）が−１００ｍＶ以上とな
るようなクエン酸処理を施す（ｐＨ＝３、２０℃、５分
間）。未処理の場合に比べてシリコンウェーハの表面電
位が低下する。この後、２％ＨＦ溶液中に４分間浸漬処
理でのシリコンウェーハ裏面からその表面に転写するパ
ーティクル（アルミナ粒子）を抑制することができる。
のシリコンウェーハ表面への転写パーティクルを低減す
る。ポリッシュドウェーハの裏面に残留しているパーテ
ィクル成分を除去する。 【構成】 ラッピング直後の洗浄処理において、シリコ
ンウェーハの表面電位（Ψｓ）が−１００ｍＶ以上とな
るようなクエン酸処理を施す（ｐＨ＝３、２０℃、５分
間）。未処理の場合に比べてシリコンウェーハの表面電
位が低下する。この後、２％ＨＦ溶液中に４分間浸漬処
理でのシリコンウェーハ裏面からその表面に転写するパ
ーティクル（アルミナ粒子）を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンウェーハの洗
浄方法、詳しくはラッピング完了後、ＨＦ溶液による洗
浄前でのシリコンウェーハの洗浄方法に関する。
浄方法、詳しくはラッピング完了後、ＨＦ溶液による洗
浄前でのシリコンウェーハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ラッピング後のシリコンウェ
ーハには、ＨＣｌ処理、純水洗浄、エッチング、研磨、
ＳＣ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ）−１洗浄
の各処理が順番に施される。特に、ラップ工程で主にア
ルミナ粉（Ａｌ2Ｏ3）によるラッピング処理されたシリ
コンウェーハは、その後水洗もしくはＨＣｌ処理されて
から、次工程でエッチング処理が施されている。このラ
ップ直後のＨＣｌ処理は、ラッピング定盤の構成成分で
あるＦｅ粒子がウェーハ表面に磁化残留するのを防止す
る役割を果たしている。
ーハには、ＨＣｌ処理、純水洗浄、エッチング、研磨、
ＳＣ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｌｅａｎｉｎｇ）−１洗浄
の各処理が順番に施される。特に、ラップ工程で主にア
ルミナ粉（Ａｌ2Ｏ3）によるラッピング処理されたシリ
コンウェーハは、その後水洗もしくはＨＣｌ処理されて
から、次工程でエッチング処理が施されている。このラ
ップ直後のＨＣｌ処理は、ラッピング定盤の構成成分で
あるＦｅ粒子がウェーハ表面に磁化残留するのを防止す
る役割を果たしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなラップ後の処理では、スラリー中に含まれるラップ
剤であるアルミナ粉をシリコンウェーハ表裏面から完全
に除去することができない。そして、このアルミナ粉
は、エッチングあるいはＳＣ−１処理後も、そのシリコ
ンウェーハの裏面に付着し残留する傾向があった。しか
も、これらのアルミナ粒子は、その後、シリコンウェー
ハをＨＦ溶液中にて処理すると、このＨＦ溶液中でシリ
コンウェーハ裏面から遊離し、対向するシリコンウェー
ハ表面に再吸着する。この結果、ＨＦ洗浄処理されたポ
リッシュドウェーハＰＷ表面のパーティクルレベルを著
しく悪化させていた。
うなラップ後の処理では、スラリー中に含まれるラップ
剤であるアルミナ粉をシリコンウェーハ表裏面から完全
に除去することができない。そして、このアルミナ粉
は、エッチングあるいはＳＣ−１処理後も、そのシリコ
ンウェーハの裏面に付着し残留する傾向があった。しか
も、これらのアルミナ粒子は、その後、シリコンウェー
ハをＨＦ溶液中にて処理すると、このＨＦ溶液中でシリ
コンウェーハ裏面から遊離し、対向するシリコンウェー
ハ表面に再吸着する。この結果、ＨＦ洗浄処理されたポ
リッシュドウェーハＰＷ表面のパーティクルレベルを著
しく悪化させていた。
【０００４】そこで、この発明者らは、上記課題を解決
すべく検討を重ねた結果、ラッピング処理後に、シリコ
ンウェーハの表面（表裏面）電位を制御することによ
り、アルミナ粒子の付着を効果的に抑制することができ
ることを見出した。例えば有機酸による処理を施すこと
により、裏面に残留するアルミナ粉を効率よく除去する
ことが可能であることを見出した。この有機酸は、ウェ
ーハ表面の電荷中和作用を低下させることができ、その
結果、アルミナ粉の付着を防止することができるものと
考えられる。
すべく検討を重ねた結果、ラッピング処理後に、シリコ
ンウェーハの表面（表裏面）電位を制御することによ
り、アルミナ粒子の付着を効果的に抑制することができ
ることを見出した。例えば有機酸による処理を施すこと
により、裏面に残留するアルミナ粉を効率よく除去する
ことが可能であることを見出した。この有機酸は、ウェ
ーハ表面の電荷中和作用を低下させることができ、その
結果、アルミナ粉の付着を防止することができるものと
考えられる。
【０００５】
【発明の目的】この発明の目的は、ラッピングパウダの
残留によるＨＦ溶液中でのシリコンウェーハ表面への転
写パーティクルを低減することにある。また、ポリッシ
ュドウェーハの裏面に残留しているパーティクル成分を
除去することにある。
残留によるＨＦ溶液中でのシリコンウェーハ表面への転
写パーティクルを低減することにある。また、ポリッシ
ュドウェーハの裏面に残留しているパーティクル成分を
除去することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、アルミナ粉を含むラッピング剤を用いてラッピング
処理が施されたシリコンウェーハを洗浄するシリコンウ
ェーハの洗浄方法であって、このシリコンウェーハの表
面電位（Ψｓ）が次式を満足するように、シリコンウェ
ーハを処理するシリコンウェーハの洗浄方法である。す
なわち、 Ψｓ≧−１００ｍＶ である。
は、アルミナ粉を含むラッピング剤を用いてラッピング
処理が施されたシリコンウェーハを洗浄するシリコンウ
ェーハの洗浄方法であって、このシリコンウェーハの表
面電位（Ψｓ）が次式を満足するように、シリコンウェ
ーハを処理するシリコンウェーハの洗浄方法である。す
なわち、 Ψｓ≧−１００ｍＶ である。
【０００７】請求項２に記載の発明は、上記シリコンウ
ェーハの処理は、シリコンウェーハを有機酸溶液中に浸
漬する請求項１に記載のシリコンウェーハの洗浄方法で
ある。
ェーハの処理は、シリコンウェーハを有機酸溶液中に浸
漬する請求項１に記載のシリコンウェーハの洗浄方法で
ある。
【０００８】
【作用】この発明に係るシリコンウェーハの洗浄方法に
よれば、ラッピング後の任意の洗浄処理、例えばエッチ
ング後の洗浄、研麿後の洗浄などにおいて、シリコンウ
ェーハの表面電位（Ψｓ）が−１００ｍＶ以上となるよ
うな例えば有機酸処理を施す。この結果、シリコンウェ
ーハの表面電位が未処理の場合よりも低下する。よっ
て、この後のＨＦ洗浄でのシリコンウェーハ裏面からそ
の表面に転写するパーティクル（主としてアルミナ粒
子）を抑制することができる。
よれば、ラッピング後の任意の洗浄処理、例えばエッチ
ング後の洗浄、研麿後の洗浄などにおいて、シリコンウ
ェーハの表面電位（Ψｓ）が−１００ｍＶ以上となるよ
うな例えば有機酸処理を施す。この結果、シリコンウェ
ーハの表面電位が未処理の場合よりも低下する。よっ
て、この後のＨＦ洗浄でのシリコンウェーハ裏面からそ
の表面に転写するパーティクル（主としてアルミナ粒
子）を抑制することができる。
【０００９】
【実施例】以下、図を用いてこの発明の一実施例を説明
する。図１は一実施例に係る転写処理結果を示すグラフ
である。図２はこの転写処理を説明する図である、図３
は有機酸としてクエン酸を用いた場合、そのｐＨと転写
量との相関を示すグラフである。図４はそのクエン酸の
水素イオン濃度とシリコンウェーハの表面電位との関係
を示すグラフである。
する。図１は一実施例に係る転写処理結果を示すグラフ
である。図２はこの転写処理を説明する図である、図３
は有機酸としてクエン酸を用いた場合、そのｐＨと転写
量との相関を示すグラフである。図４はそのクエン酸の
水素イオン濃度とシリコンウェーハの表面電位との関係
を示すグラフである。
【００１０】この実施例でのサンプルウェーハとして
は、ラッピング処理済みのシリコンウェーハ｛（１０
０）・Ｐ型・ＣＺウェーハ｝を用いた。ラッピングパウ
ダにはアルミナ粒子を主成分とする公知のものを使用し
た。そして、このサンプルウェーハをラッピング処理直
後、この発明に係るクエン酸溶液（ｐＨ＝３・２０℃）
中に例えば５分間浸漬し、さらに、これに転写処理を施
した。比較例として、上記クエン酸処理に替えて純水で
洗浄した場合、および、ＨＣｌ処理を施した場合をも同
時に示す。この結果、従来通りの純水処理もしくはＨＣ
ｌ処理を施したサンプルウェーハに比較して、この実施
例に係るクエン酸処理の場合が、その転写量は大幅に低
減されていることが、明らかである。
は、ラッピング処理済みのシリコンウェーハ｛（１０
０）・Ｐ型・ＣＺウェーハ｝を用いた。ラッピングパウ
ダにはアルミナ粒子を主成分とする公知のものを使用し
た。そして、このサンプルウェーハをラッピング処理直
後、この発明に係るクエン酸溶液（ｐＨ＝３・２０℃）
中に例えば５分間浸漬し、さらに、これに転写処理を施
した。比較例として、上記クエン酸処理に替えて純水で
洗浄した場合、および、ＨＣｌ処理を施した場合をも同
時に示す。この結果、従来通りの純水処理もしくはＨＣ
ｌ処理を施したサンプルウェーハに比較して、この実施
例に係るクエン酸処理の場合が、その転写量は大幅に低
減されていることが、明らかである。
【００１１】上記転写処理は、図２に示すように、転写
前処理としてＳＣ−１液中に８分間浸漬して工程外での
付着パーティクルを評価用のシリコンウェーハから除去
しておく。テフロン製の転写専用治具を用い、洗浄処理
後、この評価用のシリコンウェーハを、標準ウェーハと
並べて、転写溶液である２％ＨＦ溶液中にて４分間浸漬
する。標準ウェーハとしては、あらかじめパーティクル
レベルを測定済みのポリッシュドウェーハを用いる。そ
して、この標準ウェーハの表面に転写してきたパーティ
クルの数をパーティクルカウンタ（ＳＳ−６２００）に
て測定する。この結果として転写量が得られる。図３に
示すように、エッチング処理後にクエン酸処理を施して
さらにＨＦ溶液中で転写したパーティクルのレベルは、
０．２μｍ以下のパーティクルにおいても改善効果が確
認されていることが判る。
前処理としてＳＣ−１液中に８分間浸漬して工程外での
付着パーティクルを評価用のシリコンウェーハから除去
しておく。テフロン製の転写専用治具を用い、洗浄処理
後、この評価用のシリコンウェーハを、標準ウェーハと
並べて、転写溶液である２％ＨＦ溶液中にて４分間浸漬
する。標準ウェーハとしては、あらかじめパーティクル
レベルを測定済みのポリッシュドウェーハを用いる。そ
して、この標準ウェーハの表面に転写してきたパーティ
クルの数をパーティクルカウンタ（ＳＳ−６２００）に
て測定する。この結果として転写量が得られる。図３に
示すように、エッチング処理後にクエン酸処理を施して
さらにＨＦ溶液中で転写したパーティクルのレベルは、
０．２μｍ以下のパーティクルにおいても改善効果が確
認されていることが判る。
【００１２】また、図３は、今回使用したクエン酸のｐ
Ｈ値に対する転写パーティクル抑制効果を比較したもの
である。ｐＨ≧３において顕著な抑制効果を見出すこと
ができる。これを、ウェーハの表面電位（Ψｓ）で表す
と、Ψｓ≧−１００ｍＶ以上の有機酸処理を施すことで
ある。図４はウェーハ表面電位（Ψｓ）と水素イオン濃
度との関係を示している。また、このウェーハ表面電位
（Ψｓ）は次式（数１）を用いて計算する。ただし、こ
の式にて、［ｎ］は表面吸着サイト密度を、［Ｈ+］bは
溶液バルク濃度を、［Ａ-］はクエン酸等のｃｏｕｎｔ
ｅｒｉｃ ｉｏｎ種、ε，ε0 は水および真空中の誘電
率を、それぞれ示している。
Ｈ値に対する転写パーティクル抑制効果を比較したもの
である。ｐＨ≧３において顕著な抑制効果を見出すこと
ができる。これを、ウェーハの表面電位（Ψｓ）で表す
と、Ψｓ≧−１００ｍＶ以上の有機酸処理を施すことで
ある。図４はウェーハ表面電位（Ψｓ）と水素イオン濃
度との関係を示している。また、このウェーハ表面電位
（Ψｓ）は次式（数１）を用いて計算する。ただし、こ
の式にて、［ｎ］は表面吸着サイト密度を、［Ｈ+］bは
溶液バルク濃度を、［Ａ-］はクエン酸等のｃｏｕｎｔ
ｅｒｉｃ ｉｏｎ種、ε，ε0 は水および真空中の誘電
率を、それぞれ示している。
【００１３】
【数１】
【００１４】なお、上記有機酸としては、クエン酸の他
にも、ヒドロキシ酢酸、乳酸、グルコン酸、酢酸シュウ
酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、グルコール酸、ギ酸
などを用いることができる。
にも、ヒドロキシ酢酸、乳酸、グルコン酸、酢酸シュウ
酸、酒石酸、コハク酸、リンゴ酸、グルコール酸、ギ酸
などを用いることができる。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、シリコンウェーハを
ＨＦ洗浄したときの転写パーティクル数を大幅に抑制す
ることができる。
ＨＦ洗浄したときの転写パーティクル数を大幅に抑制す
ることができる。
【図１】この発明の一実施例に係る洗浄処理を施したシ
リコンウェーハに転写したパーティクル数を示すグラフ
である。
リコンウェーハに転写したパーティクル数を示すグラフ
である。
【図２】この発明の一実施例に係る転写処理を説明する
模式図である。
模式図である。
【図３】この発明の一実施例に係るクエン酸のｐＨと転
写量との関係を示すグラフである。
写量との関係を示すグラフである。
【図４】この発明の一実施例に係るクエン酸の水素イオ
ン濃度とシリコンウェーハの表面電位との関係を示すグ
ラフである。
ン濃度とシリコンウェーハの表面電位との関係を示すグ
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 秀夫 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミナ粉を含むラッピング剤を用いて
ラッピング処理が施されたシリコンウェーハを洗浄する
シリコンウェーハの洗浄方法であって、 このシリコンウェーハの表面電位（Ψｓ）が次式を満足
するように、シリコンウェーハを処理するシリコンウェ
ーハの洗浄方法。 Ψｓ≧−１００ｍＶ - 【請求項２】 上記シリコンウェーハの処理は、シリコ
ンウェーハを有機酸溶液中に浸漬する請求項１に記載の
シリコンウェーハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17268195A JPH097991A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17268195A JPH097991A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097991A true JPH097991A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15946399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17268195A Pending JPH097991A (ja) | 1995-06-14 | 1995-06-14 | シリコンウェーハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097991A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031724A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
-
1995
- 1995-06-14 JP JP17268195A patent/JPH097991A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031724A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000516 |