JPH0973648A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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Publication number
JPH0973648A
JPH0973648A JP25694995A JP25694995A JPH0973648A JP H0973648 A JPH0973648 A JP H0973648A JP 25694995 A JP25694995 A JP 25694995A JP 25694995 A JP25694995 A JP 25694995A JP H0973648 A JPH0973648 A JP H0973648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
semiconductor substrate
semiconductor
light
package
Prior art date
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Pending
Application number
JP25694995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisahiro Ishihara
久寛 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0973648A publication Critical patent/JPH0973648A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a substrate formable by a simple semiconductor substrate working process and to provide an inexpensively semiconductor laser device by using a semiconductor substrate without having a mirror surface for polarizing a laser beam. SOLUTION: A semiconductor laser element 2 is arranged and fixed on the base 1a of the recessed part 5 of the substrate 1 and is so arranged that the end face on the side opposite to the end face 2a to emit the laser beam faces the inclined flank 1b, of the recessed part 5. Plural PD elements 4, 6 as photodetectors are arranged on the slope 3 of the substrate 1 and the flank 1b2 of the recessed part 5. The element 4 among these elements receives the reflected light from a disk and exists in a positional relation optical conjugate with the exit end face 2a of the laser beam. On the other hand, the element 6 receives the output light from the backward end face of the element 2 and faces the end face of the element 2 in proximity thereto and, therefore, the high coupling efficiency is obtd. with a small area.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
からのコヒーレント光を用いて光ディスクや光磁気ディ
スクなどの情報記録媒体に記憶される情報の記録や読み
出しなどを行うための光ピックアップ用の半導体レーザ
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor for an optical pickup for recording and reading information stored in an information recording medium such as an optical disk or a magneto-optical disk by using coherent light from a semiconductor laser element. The present invention relates to a laser device.

【0002】[0002]

【従来の技術】CD(コンパクトディスク)において、
記録情報はディスク面に設けられたトラックに沿って並
んだピット列として蓄積されている。対物レンズにて集
光されたコヒーレント光をこのピット列(情報トラッ
ク)に照射すると、スポット位置がピットのエッジ部分
にかかった場合は、位相差をもった反射光の干渉効果に
より、ピット部以外の平らな場所で反射した場合に比べ
て反射光の光量が減少する。光ピックアップでは、この
ピット列に対応した反射光量の減衰パルスを、光検出器
により電気パルス信号に変換して出力している。
2. Description of the Related Art In a CD (compact disc),
The record information is accumulated as a pit row arranged along a track provided on the disc surface. When the pit row (information track) is irradiated with coherent light collected by the objective lens, if the spot position hits the edge of the pit, the reflected light with a phase difference will cause an interference effect, except for the pit area. The amount of reflected light is reduced compared to the case where the light is reflected on a flat place. In the optical pickup, the attenuated pulse of the reflected light amount corresponding to this pit train is converted into an electric pulse signal by the photodetector and output.

【0003】ところで、現実の光ディスクにおいて表面
にそりや歪みを全く持たないような理想的な平坦性を求
めることは極めて困難であり、また取り付け誤差などに
よるドライバーの回転軸の傾きなども考慮すると、正確
な情報読みとりのためにはピックアップの対物レンズと
ディスク表面との位置関係を常に適切に保つように制御
しなければならない。すなわち、レーザからの照射光が
ピット列(情報トラック)からそれないためのトラッキ
ング方向の位置制御と、レーザビームの焦点位置を常に
ディスクの情報面に一致させるためのフォーカシング制
御を行う必要がある。
By the way, it is extremely difficult to obtain the ideal flatness of an actual optical disc without any warp or distortion on the surface, and when the inclination of the rotation axis of the driver due to a mounting error is taken into consideration, In order to read information accurately, the positional relationship between the objective lens of the pickup and the disk surface must be controlled so that it is always appropriate. That is, it is necessary to perform position control in the tracking direction so that the irradiation light from the laser does not diverge from the pit train (information track) and focusing control for always matching the focal position of the laser beam with the information surface of the disc.

【0004】このような制御を行なうための現在位置情
報は、トラッキングずれ信号及びフォーカシングずれ信
号の、独立した2系統に対して検出する必要があり、種
々の光学素子を精密配置した光学系を構成しなければな
らなかった。このため光ピックアップは比較的大容量な
光学素子配置空間が必要となり、組立時には各部の煩雑
な調整作業を施す必要もあった。これらは光ピックアッ
プに求められている、高速アクセスのための小型・軽量
化、及びコスト削減のための無調整化という改善要求の
妨げになっていた。
The current position information for performing such control needs to be detected for two independent systems of the tracking displacement signal and the focusing displacement signal, and an optical system in which various optical elements are precisely arranged is constructed. I had to do it. For this reason, the optical pickup requires a relatively large capacity optical element arrangement space, and it is also necessary to perform complicated adjustment work for each part during assembly. These have hindered the demands for improvement of optical pickups that are compact and lightweight for high-speed access and need no adjustment for cost reduction.

【0005】このような障害の解決のため、従来よりホ
ログラム素子による光学素子機能の複合化で部品点数を
削減し、光ピックアップ・ヘッドの小型・軽量化を図る
試みが盛んに成されてきた。また、この小型・軽量化を
より効果的にするとともに、調整箇所を削減するため
に、ハイブリッド実装により半導体レーザ素子(LD;
レーザダイオード)や光検出器(PD;フォトダイオー
ド)などを一体化するという取り組みも成されてきた。
In order to solve such obstacles, various attempts have conventionally been made to reduce the number of parts by combining the optical element functions of a hologram element to reduce the size and weight of the optical pickup head. In addition, in order to make the size and weight more effective and to reduce the number of adjustment points, the semiconductor laser device (LD; LD;
Efforts have also been made to integrate a laser diode) and a photodetector (PD; photo diode).

【0006】このような半導体レーザと光検出器の、ハ
イブリッド実装一体化の例を図4に示す。シリコン(S
i)などからなる半導体基板14上には、RF情報信
号、エラー信号、及びLDパワーモニター信号を検出す
るための光検出器17,18が多分割pn接合によって
形成されている。またこの半導体基板14の中央部に
は、エッチング加工などにより凹部14aが形成され、
この凹部14aの底面に半導体レーザ素子(LD)15
が配設されている。凹部14aを構成する側面のうちの
一面16は傾斜していて、LD15の出射光の偏向ミラ
ーとして活用されている。したがって、LD15から半
導体基板14の表面および凹部14aの底面に対して水
平な方向に出射されたレーザ光は、偏向ミラーとしての
傾斜面16により半導体基板14表面にほぼ垂直な方向
へと光軸が偏向される訳である。
FIG. 4 shows an example of a hybrid mounting integration of such a semiconductor laser and a photodetector. Silicon (S
Photodetectors 17 and 18 for detecting an RF information signal, an error signal, and an LD power monitor signal are formed on a semiconductor substrate 14 made of i) or the like by a multi-divided pn junction. A recess 14a is formed in the center of the semiconductor substrate 14 by etching or the like.
A semiconductor laser device (LD) 15 is formed on the bottom surface of the recess 14a.
Are arranged. One surface 16 of the side surfaces forming the recess 14a is inclined and is used as a deflection mirror for the emitted light of the LD 15. Therefore, the laser light emitted from the LD 15 in a direction horizontal to the surface of the semiconductor substrate 14 and the bottom surface of the recess 14a has its optical axis in a direction substantially perpendicular to the surface of the semiconductor substrate 14 due to the inclined surface 16 as a deflection mirror. That is why it is biased.

【0007】このハイブリッド素子のパッケージ形態
は、図5に模式的に示すようであり、パッケージ19の
図示上側の入出射面20に設けられた透明窓を通してレ
ーザ光が出射され、情報記録媒体としての光ディスクか
らの反射光も同様にパッケージの入出射面20から入射
される。
The package form of this hybrid element is as schematically shown in FIG. 5, in which laser light is emitted through a transparent window provided on the entrance / exit surface 20 on the upper side of the package 19 in the figure, and the hybrid element serves as an information recording medium. Similarly, the reflected light from the optical disk is incident on the entrance / exit surface 20 of the package.

【0008】次に、このハイブリッド素子を用いた光ピ
ックアップの、光学系模式図を図6に示す。薄型化を図
った光ピックアップの一般的設計手法に則り、対物レン
ズ23直下に配置した立ち上げミラー22に至るまでの
光路を、ピックアップベース面21と平行にする構成に
なっている。すなわち、LD15から出射されたレーザ
光は偏向ミラー16で偏向され、パッケージ19の上面
に設けられた透明窓からピックアップベース面21と平
行に光路を形成する。そして、このレーザ光は立ち上げ
ミラー22で垂直に偏向された後、対物レンズ23で集
光されて、回転する光ディスクの情報トラックに照射さ
れる。光ディスクからの反射光は、逆の光路で、対物レ
ンズ23、立ち上げミラー22を通った後、回折光を形
成するホログラム素子25で複数に分割され、半導体基
板14に設けられた光検出器17で受光されるようにな
っている。
Next, FIG. 6 shows a schematic diagram of an optical system of an optical pickup using this hybrid element. According to a general design method of an optical pickup which is made thin, the optical path to the raising mirror 22 arranged directly below the objective lens 23 is made parallel to the pickup base surface 21. That is, the laser light emitted from the LD 15 is deflected by the deflection mirror 16 and forms an optical path in parallel with the pickup base surface 21 from the transparent window provided on the upper surface of the package 19. Then, the laser light is vertically deflected by the rising mirror 22, condensed by the objective lens 23, and applied to the information track of the rotating optical disk. The reflected light from the optical disk passes through the objective lens 23 and the rising mirror 22 in the opposite optical path, and then is divided into a plurality of pieces by the hologram element 25 that forms diffracted light, and the photodetector 17 provided on the semiconductor substrate 14 is provided. It is designed to be received by.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
面の高密度なピット情報を誤り無く読みとるためには、
焦点位置での光スポット品質が重要であり、半導体基板
の傾斜面16をレーザ光の偏向ミラーとして用いる場合
には、そのミラー面には高い面精度が要求される。ま
た、この偏向ミラーから高反射率を得るためには、反射
膜の形成条件も厳密に管理する必要があった。したがっ
て、このような半導体基板ミラーをレーザ出射光偏向ミ
ラーとする方式は、その基板加工に厳密なプロセス管理
が要求され、コストの低減が困難であった。
By the way, in order to read the high-density pit information on the optical disk surface without error,
The quality of the light spot at the focal position is important, and when the inclined surface 16 of the semiconductor substrate is used as a deflection mirror for laser light, high surface accuracy is required for the mirror surface. Further, in order to obtain a high reflectance from this deflecting mirror, it was necessary to strictly control the conditions for forming the reflective film. Therefore, in the method of using such a semiconductor substrate mirror as a laser emission light deflection mirror, strict process control is required for processing the substrate, and it is difficult to reduce the cost.

【0010】また、図6のような光ピックアップ光学系
を構築する場合、LD/PDハイブリッド素子のパッケ
ージ19は透明窓が設けられた入出射面20に対して垂
直方向にレーザ光が出射されるので、この入出射面20
がピックアップベース面21と直交するよう起こして配
置する必要がある。ところが、こうした場合、図のよう
にパッケージ19の高さ寸法w1の分だけ高さを要する
ため、パッケージ19の最も低い高さ寸法w2を活かせ
ずに、ピックアップ装置全体の厚みを増大する要因とも
なっていた。
Further, in the case of constructing an optical pickup optical system as shown in FIG. 6, the LD / PD hybrid device package 19 emits laser light in a direction perpendicular to an entrance / exit surface 20 provided with a transparent window. Therefore, this entrance / exit surface 20
Must be raised so as to be orthogonal to the pickup base surface 21. However, in such a case, as shown in the figure, a height corresponding to the height dimension w1 of the package 19 is required, which is a factor of increasing the thickness of the entire pickup device without utilizing the lowest height dimension w2 of the package 19. It was

【0011】[0011]

【問題を解決するための手段】本発明による光ピックア
ップにおける半導体レーザ装置は、レーザ光を情報記録
媒体のトラック上に照射する半導体レーザ素子と、上記
情報記録媒体からの反射光を検知する光検出器と、上記
半導体レーザ素子および上記光検出器を配置した半導体
基板とを備えた半導体レーザ装置において、上記半導体
基板は、底面と側面と少なくとも側面の一部が開放され
た開放部とを有する凹部、および、上記底面に対して非
平行に形成された傾斜面を備え、上記半導体レーザは、
上記半導体基板の凹部の底面に固着されると共に、レー
ザ光を開放部側から出射し、上記光検出器は、上記半導
体基板の傾斜面に形成されていることを特徴とする。ま
た、前記半導体基板はパッケージに実装され、このパッ
ケージが最も低い高さで配置された時に、その側面部か
らレーザ光の出入射を行うことを特徴とする。
A semiconductor laser device in an optical pickup according to the present invention comprises a semiconductor laser element for irradiating a track of an information recording medium with a laser beam, and a light detection for detecting a reflected light from the information recording medium. And a semiconductor substrate on which the semiconductor laser element and the photodetector are arranged, the semiconductor substrate is a recess having a bottom surface, a side surface, and an open portion in which at least a part of the side surface is open. , And an inclined surface formed non-parallel to the bottom surface, the semiconductor laser,
It is characterized in that it is fixed to the bottom surface of the concave portion of the semiconductor substrate and emits laser light from the open portion side, and the photodetector is formed on the inclined surface of the semiconductor substrate. Further, the semiconductor substrate is mounted on a package, and when the package is arranged at the lowest height, laser light is emitted and incident from a side surface portion thereof.

【0012】本発明による光ピックアップにおける半導
体レーザ装置は、レーザ光を偏向せずに出射させ、ディ
スクからの反射光、即ち信号光を半導体基板の傾斜面に
形成した光検出器としてのPDで受光する構成であり、
傾斜面を偏向ミラーとして用いないため、従来のように
偏向ミラー面を形成する必要がなく、半導体基板加工の
面精度などのプロセス管理は緩やかで良い。また、ハイ
ブリッド実装されたパッケージが最も低い高さで配置さ
れた時に、その側面部からレーザ光が出入射する構造の
ため、この薄型パッケージをピックアップベース面と平
行方向に組み込めばよく、ピックアップ装置全体の薄型
化を図ることができる。
In the semiconductor laser device in the optical pickup according to the present invention, the laser light is emitted without being deflected, and the reflected light from the disk, that is, the signal light is received by the PD as a photodetector formed on the inclined surface of the semiconductor substrate. It is configured to
Since the inclined surface is not used as the deflecting mirror, it is not necessary to form the deflecting mirror surface as in the conventional case, and the process control such as surface accuracy of semiconductor substrate processing can be loose. In addition, when the hybrid-mounted package is placed at the lowest height, the structure allows laser light to enter and exit from the side of the package, so this thin package should be installed in the direction parallel to the pickup base surface. Can be made thinner.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる半導体レー
ザ装置の実施の形態について図面を参照しながら詳細に
説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a semiconductor laser device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0014】[0014]

【実施例】図1は、本発明の一実施例による光ピックア
ップ用の半導体レーザ装置の要部構造を示す斜視図であ
る。図において符号1はシリコン(Si)からなる半導
体基板であり、エッチング処理により所定形状の段差が
形成されている。この段差の中には、数十μmの深さに
形成された底面1aと、長手方向が数百μmの側面1b
1 と、側面の一部が開放された開放部1cとを有する凹
部5が含まれている。この段差領域を上面から見た形状
は略凸状となっており、この突出した部分の段差領域の
飛び出し量は半導体レーザ素子2のチップ長を若干上回
る長さに設定されている。また、上記凹部5以外の段差
として、開放部1cに連通して半導体基板1の縁部に形
成された傾斜面3があり、この傾斜面3は凹部の底面1
aに対して非平行に形成されている。なお、底面1aと
半導体基板1の表面1dとは平行となっている。
1 is a perspective view showing the structure of a main part of a semiconductor laser device for an optical pickup according to an embodiment of the present invention. In the figure, reference numeral 1 is a semiconductor substrate made of silicon (Si), and a step having a predetermined shape is formed by etching. Inside this step, there is a bottom surface 1a having a depth of several tens of μm and a side surface 1b having a longitudinal direction of several hundreds of μm.
1 and includes a recess 5 having an opening portion 1c which part of the side is opened. The shape of the step region seen from the upper surface is substantially convex, and the protrusion amount of the step region in the protruding portion is set to be slightly longer than the chip length of the semiconductor laser element 2. Further, as a step other than the concave portion 5, there is an inclined surface 3 which is formed at the edge of the semiconductor substrate 1 and communicates with the open portion 1c.
It is formed non-parallel to a. The bottom surface 1a and the surface 1d of the semiconductor substrate 1 are parallel to each other.

【0015】半導体レーザ素子2は凹部5の底面1aに
配置され、低融点金属で融着されて固着されると共に、
レーザ光が出射される端面2aの反対側の端面が凹部5
の傾斜した側面1b2 と向かい合うように配置されてい
る。
The semiconductor laser element 2 is disposed on the bottom surface 1a of the recess 5 and is fused and fixed with a low melting point metal.
The end surface on the opposite side of the end surface 2a from which the laser light is emitted is a recess 5
It is arranged so as to face the inclined side surface 1b 2 of the .

【0016】半導体基板の傾斜面3、および凹部5にお
ける傾斜した側面1b2 には、所定の選択領域にpn接
合によって、光検出器としてのPDエレメント4,6が
複数配設されている。このうち傾斜面3に形成されたP
Dエレメント4は、ディスクからの反射光を受光するた
めのもので、レーザ光が出射される端面2aと光学的に
共役な位置関係となっている。PDエレメント4が半導
体基板の傾斜面3に形成されているため、即ち傾斜面3
が半導体基板1の表面および凹部5の底面1aと平行で
なく角度を成しているため、半導体レーザ素子2の端面
2aからの出射光に対して概ね逆方向に戻ってくる反射
信号光は、この傾斜面3に形成されたPDエレメント4
に容易に結合される。
On the inclined surface 3 of the semiconductor substrate and the inclined side surface 1b 2 of the recess 5, a plurality of PD elements 4 and 6 as photodetectors are arranged by pn junction in a predetermined selected region. Of these, P formed on the inclined surface 3
The D element 4 is for receiving the reflected light from the disc, and is in a position optically conjugate with the end face 2a from which the laser light is emitted. Since the PD element 4 is formed on the inclined surface 3 of the semiconductor substrate, that is, the inclined surface 3
Is not parallel to the surface of the semiconductor substrate 1 and the bottom surface 1a of the recess 5 but forms an angle, the reflected signal light returning substantially in the opposite direction to the light emitted from the end surface 2a of the semiconductor laser element 2 is PD element 4 formed on this inclined surface 3
Easily combined with.

【0017】このPDエレメント4の出力から、公知の
スポットサイズ法やナイフエッジ法などの方法でフォー
カスエラー信号が得られ、また公知の3ビーム法やプッ
シュプル法などの方法によりトラッキングエラー信号が
得られると同時に、RF情報信号を得ることもできる。
ここでエラー信号検出方式の選択に応じて、これらPD
エレメント4の詳細分割パターンを決定することによ
り、種々の検出方法への対応ができる。
From the output of the PD element 4, a focus error signal can be obtained by a known spot size method, a knife edge method, or the like, and a tracking error signal can be obtained by a known method such as a three-beam method or a push-pull method. At the same time, the RF information signal can be obtained.
Here, depending on the selection of the error signal detection method, the PD
By determining the detailed division pattern of the element 4, various detection methods can be supported.

【0018】一方、凹部5の側面1b2 に形成された光
検出器としてのPDエレメント6は、半導体レーザ2の
後方端面からの出力を受光するためのものであるが、半
導体レーザ2の端面に近接して対向しているので、小面
積で高い結合効率を得ることができる。PDエレメント
6が小面積、即ちPD素子が低接合容量特性である点を
活かして、このPDエレメント6を公知のSCOOP
elf Coupled ptical ic
kup)方式のRF情報信号検出に用いることも可能と
なった。
On the other hand, the PD element 6 as a photodetector formed on the side surface 1b 2 of the concave portion 5 is for receiving the output from the rear end surface of the semiconductor laser 2, and is provided on the end surface of the semiconductor laser 2. Since they face each other in close proximity, high coupling efficiency can be obtained in a small area. Taking advantage of the fact that the PD element 6 has a small area, that is, the PD element has a low junction capacitance characteristic, the PD element 6 is known as a SCOOP.
(S elf Co upled O ptical P ic
It has also become possible to use it for RF information signal detection of the kup) method.

【0019】図2は、半導体レーザ2と光検出器4を備
えた本発明にかかる半導体基板1をパッケージ7に実装
した状態を示すな斜視図である。本実施例によれば、半
導体基板1の表面および半導体レーザ素子2が固着され
た凹部5の底面1aと水平な方向に出射される半導体レ
ーザ素子2からのレーザ光は、偏向ミラーで偏向される
ことなく、直進して、パッケージ7の側面部から出射さ
れる。また、光ディスクで反射した信号光も同様にパッ
ケージ7の側面部から入射する。なお、符号8はパッケ
ージ7に実装した半導体基板1を保護すると共に、レー
ザ光を透過する透明窓である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which the semiconductor substrate 1 according to the present invention including the semiconductor laser 2 and the photodetector 4 is mounted on the package 7. According to the present embodiment, the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 emitted in the horizontal direction to the surface of the semiconductor substrate 1 and the bottom surface 1a of the recess 5 to which the semiconductor laser element 2 is fixed is deflected by the deflection mirror. Without moving, it goes straight and is emitted from the side surface portion of the package 7. Further, the signal light reflected by the optical disk also enters from the side surface of the package 7. Reference numeral 8 is a transparent window that protects the semiconductor substrate 1 mounted on the package 7 and transmits laser light.

【0020】このようなパッケージ7をピックアップ・
ベース部材13へ取り付けた状態の光学系模式図を図3
に示す。図3(A)はパッケージ7の入出射面に対して
直交する側面方向から見た図で、図3(B)は図3
(A)におけるx─x’からパッケージ7側に向かって
見た平面図である。なお、光路を示す矢印は光束の中心
を表している。図3において、パッケージ7から出るレ
ーザ光の光路は、従来例の図6に示した光路と同様の光
路を辿って情報記録媒体としてのディスク12に照射さ
れ、反射光はやはり同様の光路で戻り、パッケージ7に
至る。
Picking up such a package 7
FIG. 3 is a schematic diagram of the optical system in a state of being attached to the base member 13.
Shown in 3A is a view as seen from a side surface direction orthogonal to the entrance / exit surface of the package 7, and FIG.
FIG. 7 is a plan view seen from xx ′ in FIG. The arrow indicating the optical path indicates the center of the light flux. In FIG. 3, the optical path of the laser light emitted from the package 7 follows the same optical path as that shown in FIG. 6 of the conventional example and is applied to the disk 12 as an information recording medium, and the reflected light also returns in the same optical path. , Package 7.

【0021】このとき、パッケージ7はピックアップ・
ベース部材13に対して最も高さが低くなるように配置
されていて、その側面部からレーザ光が入出射される。
すなわち、パッケージ7の高さがw2となるように配置
され、従来例の図6のようにw1を高さ寸法とする必要
がない。したがって、従来構造に比べて光ピックアップ
全体の薄型化を図れることになる。尚、図3において、
符号13は回折光を形成するホログラム素子で、該ホロ
グラム素子13には、光ディスクからの反射光を半導体
レーザ2近傍に配設されたPDエレメント4に分配・結
合させ、そのPD出力からエラー信号及びRF情報信号
を得るように設計された、ホログラムパターンが形成さ
れている。また、符号10は立ち上げミラー、符号11
は対物レンズである。
At this time, the package 7 is a pickup
It is arranged so as to have the lowest height with respect to the base member 13, and the laser light enters and exits from its side surface.
That is, the package 7 is arranged such that the height thereof is w2, and it is not necessary to set w1 to the height dimension as in the conventional example shown in FIG. Therefore, the overall thickness of the optical pickup can be reduced as compared with the conventional structure. In FIG. 3,
Reference numeral 13 is a hologram element that forms diffracted light. In the hologram element 13, the reflected light from the optical disk is distributed and coupled to the PD element 4 disposed near the semiconductor laser 2, and an error signal and an error signal are output from the PD output. A hologram pattern designed to obtain an RF information signal is formed. Further, reference numeral 10 is a rising mirror, reference numeral 11
Is an objective lens.

【0022】本実施例における半導体基板を形成するに
は、周知のシリコン加工プロセスで対応が可能であり、
半導体レーザ素子からのレーザ光を偏向させる偏向ミラ
ーを形成する必要がないので、エッチング加工時の面精
度管理は従来例より緩やかでよい。また、本実施例に於
いて、半導体基板1上にPDで受光した信号の処理を行
う集積回路を形成することも可能であり、その場合光ピ
ックアップの一層の小型・軽量化が図れる。
The formation of the semiconductor substrate in this embodiment can be performed by a known silicon processing process,
Since it is not necessary to form a deflecting mirror for deflecting the laser light from the semiconductor laser element, the surface precision control during etching processing may be more gradual than in the conventional example. Further, in the present embodiment, it is possible to form an integrated circuit for processing the signal received by the PD on the semiconductor substrate 1, in which case the optical pickup can be made smaller and lighter.

【0023】また、本実施例では、レーザ光が発光され
る半導体レーザ素子2の端面2aと光検出器4を配設し
た受光面との位置を揃え、光学的に共役な位置関係にな
ることを利用したが、本発明はこれに限定されるもので
なく、HOEなどの光学系の設計仕様により、エッチン
グ面の位置、即ち光検出器としてのPDエレメント4の
位置と半導体レーザ素子2の固着位置関係は自由に設定
できるものである。
Further, in this embodiment, the end surface 2a of the semiconductor laser device 2 for emitting the laser beam and the light receiving surface on which the photodetector 4 is arranged are aligned with each other to have an optically conjugate positional relationship. However, the present invention is not limited to this, and the position of the etching surface, that is, the position of the PD element 4 as the photodetector and the fixation of the semiconductor laser element 2 are determined by the design specifications of the optical system such as HOE. The positional relationship can be set freely.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
半導体レーザ素子から発せられるレーザ光を偏向するミ
ラー面を有しない半導体基板を用いることにより、簡単
な半導体基板加工プロセスで基板の形成が可能となり、
安価な半導体レーザ装置を提供することができる。さら
に、本発明によれば、半導体基板が実装されたパッケー
ジが最も低い高さで配置された時に、その側面部からレ
ーザ光の入出射を行うようにしたので光ピックアップ全
体の薄型化に対して有効な半導体レーザ装置を提供する
ことができる。
As described above, according to the present invention,
By using a semiconductor substrate that does not have a mirror surface that deflects the laser light emitted from the semiconductor laser element, the substrate can be formed by a simple semiconductor substrate processing process,
It is possible to provide an inexpensive semiconductor laser device. Further, according to the present invention, when the package on which the semiconductor substrate is mounted is arranged at the lowest height, the laser light is incident and emitted from the side surface portion thereof, so that it is possible to reduce the thickness of the entire optical pickup. An effective semiconductor laser device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる半導体レーザ装置の実施例の要
部を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a main part of an embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention.

【図2】本発明にかかる半導体レーザ装置の実施例を示
す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention.

【図3】本発明にかかる半導体レーザ装置を用いた光ピ
ックアップの光学系を説明するための模式図であり、
(A)は側面図、(B)は平面図である。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining an optical system of an optical pickup using the semiconductor laser device according to the present invention,
(A) is a side view and (B) is a plan view.

【図4】従来例の半導体レーザ装置の要部を示す斜視図
である。
FIG. 4 is a perspective view showing a main part of a conventional semiconductor laser device.

【図5】従来例の半導体レーザ装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser device.

【図6】従来例の半導体レーザ装置を用いた光ピックア
ップの光学系を説明するための模式図である。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining an optical system of an optical pickup using a conventional semiconductor laser device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体基板 1a 凹部の底面 1b1 ,1b2 凹部の側面 1c 凹部の開放部 2 半導体レーザ素子(LD) 3 傾斜面 4,6 光検出器(PD) 5 凹部 7 パッケージ 12 情報記録媒体DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 1a Bottom of recess 1b 1 , 1b 2 Side of recess 1c Open of recess 2 Semiconductor laser device (LD) 3 Inclined surface 4, 6 Photodetector (PD) 5 Recess 7 Package 12 Information recording medium

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】レーザ光を情報記録媒体のトラック上に照
射する半導体レーザ素子と、上記情報記録媒体からの反
射光を検知する光検出器と、上記半導体レーザ素子およ
び上記光検出器を配置した半導体基板とを備えた半導体
レーザ装置において、 上記半導体基板は、底面と側面と少なくとも側面の一部
が開放された開放部とを有する凹部、および、上記底面
に対して非平行に形成された傾斜面を備え、 上記半導体レーザは、上記半導体基板の凹部の底面に固
着されると共に、レーザ光を上記開放部側から出射し、 上記光検出器は、上記半導体基板の傾斜面に形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ装置。
1. A semiconductor laser element for irradiating a track of an information recording medium with a laser beam, a photodetector for detecting reflected light from the information recording medium, the semiconductor laser element and the photodetector are arranged. In a semiconductor laser device including a semiconductor substrate, the semiconductor substrate has a concave portion having a bottom surface, a side surface, and an open portion in which at least a part of the side surface is open, and an inclination formed non-parallel to the bottom surface. A surface, the semiconductor laser is fixed to the bottom surface of the recess of the semiconductor substrate, emits laser light from the open side, and the photodetector is formed on an inclined surface of the semiconductor substrate. A semiconductor laser device characterized by the above.
【請求項2】前記半導体基板はパッケージに実装され、
このパッケージが最も低い高さで配置された時に、その
側面部からレーザ光の出入射を行うことを特徴とする請
求項1に記載の半導体レーザ装置。
2. The semiconductor substrate is mounted on a package,
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein when the package is arranged at the lowest height, the laser light is emitted / incident from a side surface portion thereof.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005100601A (en) * 2003-08-18 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical head, optical information medium driving device, and sensor
US7643391B2 (en) 2003-08-18 2010-01-05 Panasonic Corporation Optical head, optical-information medium driving device, and sensor

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