JPH0962718A - Device and method for simulation - Google Patents

Device and method for simulation

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JPH0962718A
JPH0962718A JP21434495A JP21434495A JPH0962718A JP H0962718 A JPH0962718 A JP H0962718A JP 21434495 A JP21434495 A JP 21434495A JP 21434495 A JP21434495 A JP 21434495A JP H0962718 A JPH0962718 A JP H0962718A
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JP
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Patent type
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concentration distribution
data
impurity concentration
simulation
calculation
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Application number
JP21434495A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Takahashi
敏 高橋
Original Assignee
Sony Corp
ソニー株式会社
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    • Y02P90/30Computing systems specially adapted for manufacturing

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a simulation result with high reliability in a short period of time. SOLUTION: Actual measurement data on an impurity concentration distribution and a simulation result are stored previously in a storage part as a data base 5; and then a calculation part 3 calculates an impurity concentration distribution on the basis of input data and a data processing part 4 performs a concentration converting process for the actual measurement data and simulation result stored in the data base 5 according to the instruction of input data A and then puts together and outputs the concentration distribution after the density conversion and the calculates impurity distribution.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置における基板の不純物濃度分布を計算するシミュレーション装置およびシミュレーション方法に関する。 The present invention relates to relates to a simulation device and simulation method for calculating the impurity concentration distribution of the substrate in a semiconductor device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、半導体装置の多様化、微細化にともない、試作をせず計算によってプロセス条件の検討や特性評価を行うことができるシミュレーションが多く用いられており、その要求も年々厳しいものとなってきている。 In recent years, diversification of the semiconductor device, with the miniaturization, prototypes have been used simulation often can perform study and characterization of the process conditions by calculation without, stricter year by year the request it has become.

【0003】特に、半導体装置の微細化にともないプロセスの低温化、イオン注入の低エネルギー化が進み、イオン注入後の拡散や酸化による不純物濃度分布はイオン注入のダメージによる点欠陥等の影響を受け、計算では予想できないような異常な拡散を引き起こすようになっている。 In particular, low temperature process with the miniaturization of semiconductor devices, the process proceeds is low energy of the ion implantation, the impurity concentration distribution caused by diffusion and oxidation after the ion implantation is influenced such point defects due to damage of the ion implantation , so that the cause abnormal diffusion which can not be expected by calculation.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】不純物濃度分布の計算を行うシミュレーションでは、このような点欠陥等を考慮した拡散モデルを持つ精度の高いシミュレーション装置やシミュレーション方法も用いられるが、限られた条件以外では十分なシミュレーション精度が得られず、また十分なシミュレーション精度を得る場合にも多大な計算時間を要するという問題がある。 In the simulation performed in the calculation of the invention Problems to be Solved by the impurity concentration distribution, such points accurate simulation apparatus having a diffusion model considering defects and simulation methods are also used, but other than a limited condition in there is sufficient simulation accuracy can not be obtained, also it takes a lot of computation time even in the case of obtaining a sufficient simulation accuracy. また、イオン注入の低エネルギー化により材質境界での影響を強く受けるようになり、不純物の拡散がより複雑となってシミュレーション精度の低下を招く原因となっている。 Also it caused the now strongly influenced by material interfaces by low energy of ion implantation, leading to reduction in simulation accuracy diffusion of impurities becomes more complicated.

【0005】 [0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような課題を解決するために成されたシミュレーション装置およびシミュレーション方法である。 The present invention SUMMARY OF] is made simulation device and simulation method to solve such problems. すなわち、本発明のシミュレーション装置は、プロセスの諸条件に基づく入力データを得て基板における不純物濃度分布の計算を行い、その結果を出力するものであり、不純物濃度分布の計算を行う計算部と、予め取り込んでおいた不純物濃度分布の実測データやシミュレーション結果を格納しておく記憶部と、入力データでの指示に基づき記憶部内の実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施し、濃度変換処理の施された変換後濃度分布と計算部にて計算された不純物濃度分布とを合成するデータ処理部とを備えている。 That is, the simulation apparatus of the present invention performs the calculation of the impurity concentration distribution in the substrate to obtain input data based on the conditions of the process, and outputs the result, a calculation unit that calculates the impurity concentration distribution, subjecting the measured data and simulation result storage unit for storing the impurity concentration distribution which had capture advance, the density conversion processing on measured data or simulation results in the storage unit based on an instruction of the input data, facilities of density conversion processing and a data processing unit for combining the computed impurity concentration distribution in transform after concentration distribution and the calculation unit.

【0006】また、本発明のシミュレーション方法は、 [0006] In addition, the simulation method of the present invention,
予め、不純物濃度分布の実測データやシミュレーション結果を記憶部内に格納しておき、次に、不純物濃度分布の計算を行うとともに、入力データでの指示に基づいて記憶部内に格納されている実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施し、次いで、濃度変換処理の施された変換後濃度分布と、計算による不純物濃度分布とを合成する方法である。 Preliminarily stores measured data and simulation results of the impurity concentration distribution in the storage section, then, along with the calculation of the impurity concentration distribution, the actually measured data are stored in the storage portion based on an instruction of the input data or subjected to density conversion processing on the simulation results, then, is a method of synthesizing the converted concentration distribution has been subjected to density conversion processing, an impurity concentration distribution by calculation.

【0007】このようなシミュレーション装置では、計算部にて入力データに基づく不純物濃度分布の計算を行い、データ処理部にて入力データでの指示に基づき記憶部内の実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施している。 [0007] In this simulation apparatus, it performs the computation of the impurity concentration distribution based on input data at calculation unit, density conversion processing for measured data or simulation results in the storage unit based on an instruction of the input data by the data processing unit It is subjected to. つまり、入力データにはプロセスの諸条件に基づく記述が成されており、計算部にて不純物濃度分布を計算させる指示と、記憶部内の実測データやシミュレーション結果を適宜濃度変換して用いる指示とが書き込まれている。 That is, the input data are made is described based on the conditions of the process, instructions and for calculating the impurity concentration distribution in calculating portion, and the instruction using the actual measurement data and simulation results of the storage unit appropriately density conversion It is written in. そして、計算による不純物濃度分布とデータ処理部にて濃度変換処理の施された変換後濃度分布との合成を行い、必要な部分のみ実測データやシミュレーション結果から得たデータを使用した不純物濃度分布の結果を出力する。 Then, at the impurity concentration distribution and a data processing unit by calculating perform a combination of the applied transform after concentration distribution of density conversion processing, only the necessary portions of the impurity concentration distribution obtained by using data obtained from the measured data and simulation results and outputs the result.

【0008】また、本発明のシミュレーション方法では、予め不純物濃度分布の実測データやシミュレーション結果を記憶部内に格納しておき、入力データの指示に基づいての通常の不純物濃度分布の計算や、記憶部内に格納されている実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施し、計算によって得られた不純物濃度分布と、濃度変換処理の施された変換後濃度分布とを適宜合成している。 [0008] In the simulation method of the present invention may be stored measured data and simulation results of previously impurity concentration distribution in the storage portion, calculation and the normal distribution of impurity concentration on the basis of the instruction of the input data, storage portion subjected to density conversion processing on measured data or simulation results are stored in the impurity concentration distribution obtained by calculation, and appropriately combining the converted concentration distribution has been subjected to density conversion processing. これにより、計算では精度が不十分となる部分には実測データまたはシミュレーション結果から得た不純物濃度分布を用い、計算でも十分な精度を得ることができる部分には計算による不純物濃度分布を用いて、最終的な結果として信頼性の高いものを出力できるようにしている。 Thus, calculations using the impurity concentration distribution obtained from the measured data or simulation results in part accuracy may become insufficient, with reference to the impurity concentration distribution by calculating the portions can also obtain sufficient accuracy in the calculation, and to be able to output a highly reliable end result.

【0009】 [0009]

【発明の実施の形態】以下に、本発明のシミュレーション装置およびシミュレーション方法における実施の形態を図に基づいて説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS, exemplary embodiments will be described in the simulation device and simulation method of the present invention with reference to FIG. 図1は、本発明のシミュレーション装置を説明するブロック図である。 Figure 1 is a block diagram illustrating a simulation apparatus of the present invention. すなわち、このシミュレーション装置1は、入力データAを読み込むための前処理部2と、前処理部2から入力データAを受けて所定の計算(イオン注入計算、拡散計算、酸化計算、堆積計算、エッチング計算、エピタキシー計算等) In other words, the simulator 1, the input preprocessing unit 2 to read data A, a predetermined calculation from the preprocessing unit 2 receives the input data A (ion implantation calculated, diffusion calculation oxide calculated, deposition calculations, etching calculation, epitaxy calculation, etc.)
を行う計算部3と、入力データAの指示に基づいて所定の処理を行うデータ処理部4と、プロセス条件データ5 A calculation unit 3 which performs a data processing unit 4 for performing a predetermined process based on the instruction of the input data A, the process condition data 5
aや種々の実測データ、高精度不純物シミュレーション結果5dを格納するデータベース5と、計算結果Bの出力を行うための後処理部6とを備えている。 a and various measured data, and a database 5 for storing high precision impurity simulation 5d, and a post-processing unit 6 for performing an output calculation result B.

【0010】本発明のシミュレーション装置1では、特にデータベース5内に不純物濃度分布の実測データであるSIMS測定データ5bやSR測定データ5c、モンテカルロシミュレーション等による高精度不純物シミュレーション結果5dを備えており、入力データAに記述された要求に基づいてこれらデータベース5内のデータを読み出し、計算部3で計算した不純物濃度分布との合成を行う点に特徴がある。 [0010] In the simulation apparatus 1 of the present invention, in particular with SIMS measurement data 5b and SR measurement data 5c is actually measured data of the impurity concentration distribution, a highly accurate impurity simulation 5d by Monte Carlo simulation or the like in the database 5, the input reading the data in these databases 5 based on the request of the data a has been described, it is characterized in that performing the synthesis of the calculated impurity concentration distribution calculation section 3.

【0011】また、データベース5内のSIMS測定データ5bやSR測定データ5c、高精度不純物シミュレーション結果5dはデータ処理部4にて所定の濃度変換が施され、計算部3に渡される。 Further, SIMS measurement data 5b and SR measurement data 5c in the database 5, precision impurity simulation 5d predetermined density conversion by the data processing unit 4 is subjected, it is passed to the calculating unit 3. これにより、所望のシミュレーション条件に適合した型でSIMS測定データ5b、SR測定データ5c等の実測データや高精度不純物シミュレーション結果5dを計算結果に反映させることが可能となる。 This makes it possible to reflect the SIMS measurement data 5b, the results calculated measured data and high precision impurity simulation 5d such SR measured data 5c the type adapted to the desired simulation conditions.

【0012】例えば、低温プロセスによりイオン注入を行った場合、この際のダメージによって発生した基板内の点欠陥の影響等により異常な不純物拡散を起こすことが分かっている。 [0012] For example, it has been found to cause when performing ion implantation by a low-temperature process, abnormal diffusion due to the influence or the like of the point defects in the substrate generated by damage during this. このようなプロセスにおけるシミュレーションを行う場合、異常な不純物拡散を起こすイオン注入に対応した不純物濃度分布を、データベース5から読み込んだSIMS測定データ5bやSR測定データ5 When performing a simulation in such a process, the impurity concentration distribution corresponding to the ion implantation to cause abnormal diffusion, SIMS measurement data 5b and SR measurement data 5 read from the database 5
c等の実測データまたは高精度不純物シミュレーション結果5dを用いて合成する。 Synthesized using measured data or accurate impurity simulation 5d of c, and the like.

【0013】この合成を行うにあたり、どのようなイオン注入に対してデータベース5からのデータを取り込むか等の情報は入力データAに予め記述されている。 [0013] In performing this synthesis, information such as whether capture data from a database 5 for any ion implantation is previously described in the input data A. 図2 Figure 2
は入力データの一例を示す図である。 Is a diagram showing an example of the input data. すなわち、この入力データには、大別して〜までのシミュレーションに必要な記述が書き込まれており、このうちの、、 That is, the input data has been written is required described simulation to ~ roughly, ,, of the
、は通常のシミュレーション計算を行うためのプロセス諸条件が記述されている。 , The process conditions for performing normal simulation calculation is described. また、ととの間にあるの記述は、図1に示すデータベース5から実測データまたはシミュレーション結果を取り込むための指示が書き込まれている。 Also, the description of is between Toto, instructions for taking the measured data or simulation results from a database 5 shown in FIG. 1 has been written.

【0014】このような入力データは、図1に示すシミュレーション装置1を用いてシミュレーションを行う場合に、オペレータによって作成されたり、また所定の指定(半導体装置の構造やシミュレーション位置等の指定)を行うことで自動的に作成される。 [0014] Such input data, when performing the simulation, or created by the operator, also predetermined specify (designation of the structure and simulation position of the semiconductor device) performed using the simulation apparatus 1 shown in FIG. 1 It is automatically created by.

【0015】入力データの記述では、「INIT」として基板の材質や結晶方位、導電型とその濃度、厚さ、 [0015] In the description of the input data, the material and crystal orientation of the substrate as "INIT", conductivity type and its concentration, thickness,
シミュレーションを行う場合のメッシュの間隔や総数から成る初期値が指定されている。 The initial value consisting interval and the total number of meshes in the case of performing the simulation is specified. また、記述、には、「DEPO」として堆積条件、「IMPL」としてイオン注入条件、「ETCH」としてエッチング条件、 Also, descriptions, the deposition conditions as "DEPO", ion implantation conditions as "IMPL" etching condition as "ETCH"
「DIFF」として拡散や酸化の条件がプロセスに応じて指定されている。 Diffusion and oxidation conditions are specified according to the process as "DIFF".

【0016】さらに、記述には、「PRINT」として計算結果の出力条件が指定されている。 [0016] In addition, the description, the output conditions of the calculation result as a "PRINT" is specified. 入力データの中の記述は、記述までの条件により計算された不純物濃度分布に対して、図1に示すデータベース5から実測データまたはシミュレーション結果を読み込んで適宜合成するための指示が書き込まれている。 Description in the input data, to the computed impurity concentration distribution by conditions up descriptions, instructions for appropriately synthesized reads the measured data or simulation results from a database 5 shown in FIG. 1 has been written.

【0017】図1に示すデータ処理部4は、この入力データの記述を参照して、データベース5から指定されたデータを読み出し、所定の濃度変化処理を施して計算部3へ渡している。 The data processing unit 4 shown in FIG. 1 refers to the description of the input data, it reads the data specified from the database 5, and passing to the calculating unit 3 performs predetermined concentration change process.

【0018】例えば、図2に示す入力データにおける記述では、「ION1」としてイオン種の指定を行い、 [0018] For example, in the description in the input data shown in FIG. 2, and specify the ionic species as "ION1"
「DATA」として読み出すデータベース5内のデータの種類を指定し、「NUMM」として指定された種類のデータの中の番号を指定している。 It specifies the type of data in the database 5 for reading as "DATA", and designates the number in the specified type of data as "NUMM".

【0019】また、「METHOD」の中の「DOS [0019] In addition, "DOS in the" METHOD "
E」には、読み出したデータに対する濃度変換の指定が記述され、また「REPLACE」として濃度変換を施した後の変換後濃度分布をどのように合成するかの指定を行っている。 To E ", the read specified density conversion to the data are described, also has been how synthesized or specify converted concentration distribution was subjected to density conversion as" REPLACE ". この「REPLACE」では、計算により得られた不純物濃度分布を、変換後濃度分布に置き換えて合成することを指定している。 This "REPLACE", the impurity concentration distribution obtained by calculation, specifies the synthesis by replacing the converted density distribution. なお、置き換え以外にも、例えば計算により得られた不純物濃度分布と変換後濃度分布とを加算して合成することも他の記述により指定できる。 In addition to the replacement can also be specified by other description be synthesized by adding, for example, the impurity concentration distribution obtained by the calculation and the converted density distribution.

【0020】このような入力データに基づき、本発明のシミュレーション装置1はシミュレーション計算を行い、入力データ内での指定によって適宜データベース5 [0020] Based on such input data, the simulation apparatus 1 of the present invention performs simulation calculations, appropriate database 5 by specifying in the input data
内のデータを読み出して、計算による不純物濃度分布との合成を行っている。 Reads the data of the inner, it is carried out the synthesis of the impurity concentration distribution by calculation. これにより、計算では精度が不十分となる不純物濃度分布を、予めデータベース5内に格納されているSIMS測定データ5bやSR測定データ5c、高精度シミュレーション結果5dに基づく変換後濃度分布に置き換えたり、加算等を行って、信頼性の高い不純物濃度分布の結果を出力することができるようになる。 Accordingly, the impurity concentration distribution precision is insufficient in the calculation, or replace previously database 5 in which is stored in the SIMS measurement data 5b and SR measurement data 5c, the converted density distribution based on the high precision simulation 5d, performing addition or the like, it is possible to output a result of the high impurity concentration distribution reliability.

【0021】次に、このシミュレーション装置1による不純物濃度分布のシミュレーション方法を順に説明する。 [0021] Next, a simulation method of simulating device impurity concentration distribution by 1 in order. 先ず、図1に示すシミュレーション装置1のデータベース5内に、SIMS測定データ5bやSR測定データ5c等の実測データと、モンテカルロシミュレーション等による高精度不純物シミュレーション結果5dを格納しておく。 First, in the database 5 of the simulation device 1 shown in FIG. 1, the measured data, such as SIMS measurement data 5b and SR measurement data 5c, it stores the high-accuracy impurity simulation 5d by Monte Carlo simulation. これらのデータは、予め適宜求めておき、 These data, previously obtained in advance as appropriate,
求められた段階でデータベース5内に順次蓄積していくようにする。 In the obtained phase so as sequentially accumulated in the database 5.

【0022】次いで、図1に示すシミュレーション装置1における前処理部2での入力データAの読み込みと、 [0022] Then, the reading of the input data A at the pre-processing unit 2 in the simulation apparatus 1 shown in FIG. 1,
この読み込んだ入力データAにおける書式等のチェックを行う。 A check of the format, such as in the read input data A is performed. そして、チェック後の入力データAを計算部3 The calculating unit 3 input data A after check
へ渡す。 Pass to.

【0023】計算部3では、前処理部2から渡された入力データAに基づいてイオン注入計算、拡散計算、酸化計算、堆積計算、エッチング計算、エピタキシー計算等の種々のシミュレーション計算を行う。 [0023] In the calculating unit 3, based on the input data A passed from the pre-processing unit 2 ion implantation calculated, diffusion calculation is performed oxide calculated, deposition calculations, etching calculation, the various simulation calculations such as epitaxy calculations. この際、図2に示すような入力データが渡された場合には、その記述、に基づいて所定のイオン注入と拡散とによる不純物濃度分布の計算を行う。 At this time, when the input data as shown in FIG. 2 was passed, the calculation of the impurity concentration distribution by diffusion to a predetermined ion implantation on the basis of the description, the.

【0024】そして、記述に基づいて、計算部3はデータ処理部4にこの記述によるデータベース5内のデータの種類や濃度変換情報、合成情報をデータ処理部4 [0024] Then, based on the description, the calculation unit 3 type and concentration conversion information of the data in the database 5 according to the description in the data processing unit 4, the synthesis information data processing unit 4
へ渡す。 Pass to. データ処理部4は、計算部3から渡されたこれらの情報に基づきデータベース5内のデータに対する所定の処理を行う。 The data processing unit 4 performs a predetermined process based on data in the database 5 in the information passed from the calculation unit 3. このデータ処理部4での処理を、図3 The processing in this data processing unit 4, FIG. 3
のフローチャートに基づいて詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to the flowchart of.

【0025】先ず、ステップS1に示すように、データ処理部4は計算部3から計算した不純物濃度分布の読み込みを行い、次のステップS2では、計算部3からデータ処理条件の読み込み(例えば、入力データの記述に書き込まれたデータの種類、データ番号、データ処理方法等の読み込み)を行う。 [0025] First, as shown in step S1, the data processing unit 4 performs the read of the calculated impurity concentration distribution from the calculation unit 3, the next step S2, reading from the calculation unit 3 of the data processing conditions (e.g., input the type of data written to the description of the data, data number, read) such as data processing method performed.

【0026】次いで、ステップS3に示すように、データ処理部4は、指定された不純物濃度分布をデータベース5から読み込む処理を行う。 [0026] Then, as shown in step S3, the data processing unit 4 performs processing for reading the specified impurity concentration distribution from the database 5. 例えば、先に説明した入力データの記述では、データの種類として「BOR For example, in the description of the input data described above, "BOR as the type of data
O」および「SIMS」が指定され、データ番号として「B.12.1」が指定され、データ処理方法として「DOSE=5E12」および「REPLACE」が指定されている。 O "and" SIMS "is designated," B.12.1 "is designated as the data number" DOSE = 5E12 "and" REPLACE "is specified as the data processing method. また、データの取り込み範囲として「T In addition, "T as the capture range of data
OPD=0.0」から「BOTD=1.0」が指定されている。 "BOTD = 1.0" is specified from OPD = 0.0 ".

【0027】これにより、データ処理部4は、データベース5内のSIMS測定データ5bのうちのボロンに関するデータ番号「B.12.1」の不純物濃度分布を、 [0027] Thus, the data processing unit 4, the impurity concentration distribution of the data number "B.12.1" for boron of SIMS measurement data 5b in the database 5,
基板の表面から1μmの深さまでの範囲で読み込む。 Read in the range of from the surface of the substrate to a depth of 1 [mu] m. なお、このデータベース5内の不純物濃度分布としては、 As the impurity concentration distribution in the database 5,
測定したままのデータや測定したデータに対して所定のノイズ除去処理が施されたものも含まれている。 Predetermined noise removal process is also included that is performed on the measured remained data and measured data. 上記のデータ番号「B.12.1」の末尾に付された「1」 Attached to the end of the above-mentioned data number "B.12.1" and "1"
は、この不純物濃度分布に対してノイズ除去処理が施されていることを示している。 Indicates that the noise removal process is performed on the impurity concentration distribution.

【0028】次のステップS5では、データ処理部4によってデータベース5から読み出した不純物濃度分布に対して濃度変換を行うか否かの判断を行う。 [0028] In the next step S5, it is judged whether or not the density conversion on the impurity concentration distribution read from the database 5 by the data processing unit 4. 濃度変換を行う場合にはステップS6で所定の濃度変換を行いステップS7へ進む。 In the case of performing density conversion processing proceeds to step S7 performs predetermined density conversion in the step S6. また、濃度変換を行わない場合にはそのままステップS7へ進む。 Further, it is the case where no density conversion processing proceeds to step S7.

【0029】図2に示す入力データの場合には、その記述の中の「METHOD」において、「DOSE=5 [0029] When the input data shown in FIG. 2, in the "METHOD" in the description, "DOSE = 5
E12」が指定されているため、この指定によってデータベース5から読み出した不純物濃度分布に対して濃度変換を行うことが分かる。 Because E12 "is specified, it can be seen that the density conversion on the impurity concentration distribution read from the database 5 by the designation. この場合には、読み出した不純物濃度分布に対して所定の関数を用い、その濃度が5 Using a predetermined function with respect to this case, the read impurity concentration distribution, its concentration 5
×10 12 cm -3となるような濃度変換を行う。 × performs density conversion such that 10 12 cm -3.

【0030】次に、ステップS7では、ステップS1で読み込んだ計算部3からの不純物濃度分布と、データベース5から読み出して必要に応じて濃度変換を行った不純物濃度分布との合成を行う。 Next, in step S7, it carries out a distribution of impurity concentration from the calculation unit 3 read in step S1, a combination of the impurity concentration distribution the density was converted as necessary are read from the database 5. 図4は不純物濃度分布データの合成の一例を説明する図で、(a)は合成前、 Figure 4 is a view for explaining an example of the synthesis of the impurity concentration distribution data, (a) shows the pre-synthesis,
(b)は合成後を示している。 (B) shows the post-synthesis.

【0031】すなわち、図4(a)に示すように、合成前においては図中実線で示すような計算部3での計算による不純物濃度分布が得られている。 [0031] That is, as shown in FIG. 4 (a), before synthesis impurity concentration distribution is obtained by calculation in the calculation section 3, as shown by the solid line in FIG. この例では、基板の浅い位置から深い位置に向けてボロンB、砒素As、 In this example, boron B toward a deep position from the shallow position of the substrate, arsenic As,
燐Pの順で分布している。 It is distributed in the order of phosphorus P. ところが、実際のボロンBの分布は計算による分布とは異なっており、図中破線で示すような分布(B)となっている。 However, has a distribution of the actual boron B is different from the distribution by calculation, distribution as indicated by a broken line in the figure (B).

【0032】そこで、図2に示す入力データの記述に基づき、ボロンの不純物濃度分布を、データベース5から読み出したデータに基づく不純物濃度分布と置き換えて合成する処理を行う。 [0032] Therefore, based on the description of the input data shown in FIG. 2, the impurity concentration distribution of boron, performs a process of combining replace the impurity concentration distribution based on the read data from the database 5. これにより、図4(b)の実線で示すような不純物濃度分布を得ることができる。 Thus, it is possible to obtain impurity concentration distribution shown by the solid line in Figure 4 (b). なお、図4(b)に示す破線は、置き換え前のボロン(B)の分布を示している。 The broken line shown in FIG. 4 (b) shows the distribution of boron (B) prior to replacement.

【0033】図3に示すステップS7では、このように入力データに基づいた不純物濃度分布の合成を行う。 [0033] At step S7 shown in FIG. 3, a synthesis of the impurity concentration distribution based on the input data thus. その後は、ステップS8に示すように、この合成後の不純物濃度分布を計算部3へ渡す処理を行う。 Thereafter, as shown in step S8, it performs a process of passing the impurity concentration distribution after the synthesis to the computing unit 3. 計算部3では渡された合成後の不純物濃度分布を用い、図2に示す入力データの記述、に従ったシミュレーション計算を続けて行う。 Using the impurity concentration distribution after passed the calculator 3 synthesis, is continuously performed a simulation calculation in accordance with the description, the input data shown in FIG. そして、後処理部6を介して計算結果Bを例えばディスプレイ等に表示出力する。 The display outputs a calculation result B through the post-treatment section 6, for example on a display or the like.

【0034】なお、本実施形態では、データベース5に格納しておく実測データとしてSIMS測定データ5b [0034] In the present embodiment, SIMS measurement data 5b as measured data to be stored in the database 5
やSR測定データ5cを例として説明したが、これ以外の測定方法により得た不純物濃度分布の実測データであっても同様である。 And it has been described as an example SR measurement data 5c, but the same applies to the actual measurement data of the impurity concentration distribution obtained by a measuring method other than this. また、不純物濃度分布の合成では、 Further, in the synthesis of the impurity concentration distribution,
主としてボロンをデータベース5の実測データに基づく不純物濃度分布と置き換えて合成する例を示したが、これ以外の不純物を置き換えたり、加算して合成する場合であっても同様である。 Primarily an example of synthesizing replaced with impurity concentration distribution based boron on the measured data in the database 5, and replace the other impurities, the same applies to the case of synthesizing by adding.

【0035】さらに、図2に示す入力データの記述の記載内容や記載形式はこれに限定されず、データベース5内のどのデータを用い、これに対してどのような処理を施すかが分かるような記載内容および記載形式であれば図2に示すものに限定されない。 Furthermore, not limited to this description and description format of description of the input data shown in FIG. 2, such as using any data in the database 5, what processing performed is found contrary if the description and description format is not limited to that shown in FIG.

【0036】 [0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシミュレーション装置およびシミュレーション方法によれば次のような効果がある。 As described in the foregoing, according to the simulation device and simulation method of the present invention has the following advantages. すなわち、本発明によれば計算のみでは正確な不純物濃度分布のシミュレーション結果を得ることができない場合であっても、記憶部であるデータベース内に予め格納しておいた実測データやシミュレーション結果を用いて合成しているため、正確なシミュレーション結果を出力することが可能となる。 That is, even when only calculated according to the present invention can not be obtained a simulation result of the exact impurity concentration distribution, using the measured data and simulation results previously stored in a storage unit in the database since the synthesized, it is possible to output an accurate simulation results. また、複雑な計算を行うことなく簡単な処理による合成でシミュレーション結果を得ているため、短時間でも信頼性の高いシミュレーションを行うことが可能となる。 Further, since the obtained simulation results in synthesis by a simple process without performing complex calculations, it is possible to simulate high reliability even for a short time.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明のシミュレーション装置を説明するブロック図である。 1 is a block diagram illustrating a simulation apparatus of the present invention.

【図2】入力データの一例を示す図である。 2 is a diagram showing an example of the input data.

【図3】データ処理のフローチャートである。 3 is a flow chart of a data processing.

【図4】データ合成の一例を説明する図で、(a)は合成前、(b)は合成後の分布を示している。 [Figure 4] a view for explaining an example of data synthesis, shows (a) is before synthesis, (b) the distribution after synthesis.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 シミュレーション装置 2 前処理部 3 計算部 4 データ処理部 5 データベース 6 後処理部 A 入力データ B 計算結果 Simulation device 2 preprocessing unit 3 calculator 4 the data processing unit 5 database 6 post-processing unit A input data B calculated results

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 プロセスの諸条件に基づく入力データを得て基板における不純物濃度分布の計算を行い、その結果を出力するシミュレーション装置であって、 前記不純物濃度分布の計算を行う計算部と、 予め取り込んでおいた不純物濃度分布の実測データやシミュレーション結果を格納しておく記憶部と、 前記入力データでの指示に基づき前記記憶部内の実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施し、この濃度変換処理の施された変換後濃度分布と前記計算部にて計算された不純物濃度分布とを合成して該計算部へ出力するデータ処理部とを備えていることを特徴とするシミュレーション装置。 1. A performs calculation of the impurity concentration distribution in the substrate to obtain input data based on the conditions of the process, a simulation device for outputting the result, a calculation unit that calculates the impurity concentration distribution, pre takes in advance a storage unit for storing measured data and simulation results of the impurity concentration distribution was subjected to a density conversion processing for measured data or simulation results in said storage unit based on an instruction by the input data, the density conversion processing simulation apparatus characterized by by combining the calculated impurity concentration distribution at decorated with converted density distribution of said calculator and a data processing unit for outputting to said calculation unit.
  2. 【請求項2】 プロセスの諸条件に基づく入力データを参照し、基板における不純物濃度分布の計算を行い、その結果を出力するシミュレーション方法であって、 予め、不純物濃度分布の実測データやシミュレーション結果を記憶部内に格納しておき、 次に、前記不純物濃度分布の計算を行うとともに、前記入力データでの指示に基づいて前記記憶部内に格納されている実測データまたはシミュレーション結果に対する濃度変換処理を施し、 次いで、前記濃度変換処理の施された変換後濃度分布と、前記計算による不純物濃度分布とを合成することを特徴とするシミュレーション方法。 2. A reference input data based on the conditions of the process, perform calculations of the impurity concentration distribution in the substrate, a simulation method outputs the result, previously, the measured data and simulation results of the impurity concentration distribution may be stored in the storage section, then performs calculations of the impurity concentration distribution, subjected to density conversion processing on measured data or simulation results are stored in the storage portion based on an instruction by the input data, then, simulation method characterized by combining the converted concentration distribution has been subjected to the density conversion processing, an impurity concentration distribution according to the calculation.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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