JPH0935908A - Positive temperature coefficient thermistor device and demagnetizing circuit using the same - Google Patents

Positive temperature coefficient thermistor device and demagnetizing circuit using the same

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JPH0935908A
JPH0935908A JP18917695A JP18917695A JPH0935908A JP H0935908 A JPH0935908 A JP H0935908A JP 18917695 A JP18917695 A JP 18917695A JP 18917695 A JP18917695 A JP 18917695A JP H0935908 A JPH0935908 A JP H0935908A
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JP
Japan
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temperature coefficient
positive temperature
coefficient thermistor
terminal
thermistor device
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Application number
JP18917695A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroki Tanaka
宏樹 田中
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat dissipation capability and shorten recovery time until a current can be again applied, by accommodating a positive temperature coefficient thermistor element in a case, in the state that the plane part and the spring part of a pair of terminals are made to abut against be electrode of the thermistor element, and extruding the other ends of a pair of the terminals from the case. SOLUTION: In a positive temperature coefficient thermistor device 20, a positive temperature coefficient thermistor element 21 is accomodated in a case 24, in the state that both main surfaces of the element, i.e., electrodes 25, 25 are made to abut against the plane part 22a of a flat terminal 22 and the spring part 23a of a spring terminal 23. The thermistor device 20 is so assembled that the lead terminal part 22b of the flat terminal 22 and the lead terminal part 23b of the spring terminal 23 are extruded from the case 24. A planar radiation board is arranged between the positive temperature coefficient thermistor element 2 and the spring terminal 23.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビやカ
ラーモニター等のブラウン管の消磁用に用いられる正特
性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive temperature coefficient thermistor device used for degaussing a cathode ray tube such as a color television or a color monitor, and a degaussing circuit using the thermistor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】正特性サーミスタ装置として、従来から
図6に示すものがある。この第1従来例の正特性サーミ
スタ装置10は、正特性サーミスタ素子1と一対の端子
2,2とケース4とから構成される。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a positive temperature coefficient thermistor device shown in FIG. The positive temperature coefficient thermistor device 10 of the first conventional example includes a positive temperature coefficient thermistor element 1, a pair of terminals 2 and 2, and a case 4.

【0003】正特性サーミスタ素子1は平板状の正特性
サーミスタ素体の両主面に電極1a,1aが形成されて
いる。一対の端子2,2は一端にバネ部2aが形成さ
れ、他端に細幅状のリード端子部2b,2bが形成され
ている。ケース4は、上面が開口した樹脂成型品のケー
ス本体4aと蓋体4bとからなり、ケース本体4aの上
部開口は蓋体4bで閉じられている。
In the PTC thermistor element 1, electrodes 1a, 1a are formed on both main surfaces of a plate-shaped PTC thermistor element body. A spring portion 2a is formed at one end of the pair of terminals 2 and 2, and narrow lead terminal portions 2b and 2b are formed at the other end. The case 4 is composed of a resin-molded case body 4a having an open top surface and a lid body 4b, and an upper opening of the case body 4a is closed by a lid body 4b.

【0004】正特性サーミスタ装置10は、正特性サー
ミスタ素子1が一対の端子2,2のバネ部2a,2aに
その両主面すなわち電極1a,1aを当接させてケース
4に収納されており、一対の端子2,2の他端がケース
4の外部に延出されて組み立てられている。
In the positive temperature coefficient thermistor device 10, the positive temperature coefficient thermistor element 1 is housed in a case 4 with its main surfaces, that is, the electrodes 1a, 1a, brought into contact with the spring portions 2a, 2a of the pair of terminals 2, 2. The other ends of the pair of terminals 2 and 2 are extended to the outside of the case 4 and assembled.

【0005】さらに、他の正特性サーミスタ装置として
従来から図7に示すものがある。この第2従来例の正特
性サーミスタ装置11は、正特性サーミスタ素子1と一
対の端子6,6と絶縁被膜7とから構成される。この正
特性サーミスタ装置11は、正特性サーミスタ素子1の
電極1a,1aにリード線等からなる一対の端子6,6
の一端が半田8によって半田付けされ、例えば、エポキ
シ樹脂などの絶縁被膜7によって正特性サーミスタ素子
1が被覆されたものである。
Further, another PTC thermistor device is conventionally shown in FIG. The PTC thermistor device 11 of the second conventional example is composed of a PTC thermistor element 1, a pair of terminals 6 and 6, and an insulating coating 7. This positive temperature coefficient thermistor device 11 includes a pair of terminals 6 and 6 formed of lead wires or the like on the electrodes 1a of the positive temperature coefficient thermistor element 1.
One end of the positive temperature coefficient thermistor element 1 is soldered with a solder 8 and the positive temperature coefficient thermistor element 1 is covered with an insulating coating 7 such as an epoxy resin.

【0006】このような正特性サーミスタ装置10,1
1の適用例として図8に示す消磁回路がある。この消磁
回路は、正特性サーミスタ装置10または11と消磁コ
イル13とスイッチ14とが電源15に直列に接続され
て構成されている。この消磁回路において、スイッチ1
4をオンにして通電すると、通電開始時に正特性サーミ
スタ装置10(11)と消磁コイル13に初期電流が流
れる。そして、正特性サーミスタ装置10(11)の電
流時間特性によって消磁回路に流れる電流が徐々に小さ
くなりながら、正特性サーミスタ装置10(11)の放
熱と発熱とが平衡状態に達して安定電流になる。
[0006] Such a positive temperature coefficient thermistor device 10, 1
As an application example of No. 1, there is a degaussing circuit shown in FIG. This degaussing circuit is configured by connecting a positive temperature coefficient thermistor device 10 or 11, a degaussing coil 13, and a switch 14 to a power supply 15 in series. In this degaussing circuit, switch 1
When 4 is turned on and power is supplied, an initial current flows through the positive temperature coefficient thermistor device 10 (11) and the degaussing coil 13 at the start of power supply. Then, while the current flowing through the degaussing circuit gradually decreases due to the current-time characteristic of the positive temperature coefficient thermistor device 10 (11), heat dissipation and heat generation of the positive temperature coefficient thermistor device 10 (11) reach a balanced state and become a stable current. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の正特性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路
には、次のような問題があった。即ち、第1従来例の正
特性サーミスタ装置10及び第2従来例の正特性サーミ
スタ装置11では、熱放散効果を発揮する構造でないた
め消磁回路の電源15を切断後、正特性サーミスタ素子
1の抵抗値が十分に小さくなるまでに時間を要した。こ
のため、例えば、正特性サーミスタ装置10,11が復
帰する前に再通電しても、消磁回路に流れる突入電流が
小さくなり、消磁効果が十分に発揮できなかった。
However, the above-mentioned conventional positive temperature coefficient thermistor device and the degaussing circuit using the same have the following problems. That is, since the positive temperature coefficient thermistor device 10 of the first conventional example and the positive temperature coefficient thermistor device 11 of the second conventional example do not have a structure that exhibits a heat dissipation effect, the resistance of the positive temperature coefficient thermistor element 1 is cut off after the power supply 15 of the degaussing circuit is cut off. It took time for the value to become sufficiently small. Therefore, for example, even if the positive temperature coefficient thermistor devices 10 and 11 are re-energized before they are restored, the inrush current flowing in the degaussing circuit becomes small, and the degaussing effect cannot be sufficiently exhibited.

【0008】したがって、本発明の目的は、上述の問題
点を解消するためになされたもので、正特性サーミスタ
装置の放熱性が良く、再通電できるまでの復帰時間が短
い正特性サーミスタ装置及びそれを用いた消磁回路を提
供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and a positive temperature coefficient thermistor device having good heat dissipation of the positive temperature coefficient thermistor device and a short recovery time before re-energization, and the same. The purpose is to provide a degaussing circuit using.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の正特性サーミスタ装置においては、正特性
サーミスタ素子と一対の端子とケースとから構成され、
前記正特性サーミスタ素子は平板状の正特性サーミスタ
素体の両主面に電極が形成されており、前記一対の端子
は一端に平板部を有する平端子とバネ部を有するバネ端
子とからなり、前記正特性サーミスタ素子の電極に前記
一対の端子の平板部とバネ部とが当接した状態で前記ケ
ースに収納されるとともに、該ケースからは前記一対の
端子の他端が延出していることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a PTC thermistor device of the present invention comprises a PTC thermistor element, a pair of terminals, and a case,
The positive temperature coefficient thermistor element is an electrode is formed on both main surfaces of a plate-shaped positive temperature coefficient thermistor body, the pair of terminals comprises a flat terminal having a flat plate portion at one end and a spring terminal having a spring portion, The positive temperature coefficient thermistor element electrodes are accommodated in the case in which the flat plate portions and the spring portions of the pair of terminals are in contact with each other, and the other ends of the pair of terminals extend from the case. Is characterized by.

【0010】また、前記平端子の平板部が前記ケースの
内壁に当接していることを特徴とする。さらにまた、上
述した正特性サーミスタ装置であって、前記正特性サー
ミスタ素子と前記バネ端子との間に平板状の放熱板が配
設されたことを特徴とする。
Further, the flat plate portion of the flat terminal is in contact with the inner wall of the case. Furthermore, the above-mentioned PTC thermistor device is characterized in that a plate-shaped heat dissipation plate is arranged between the PTC thermistor element and the spring terminal.

【0011】さらにまた、正特性サーミスタ装置と消磁
コイルと通電遮断素子とが電源に直列接続され、通電開
始から所定時間経過後に前記通電遮断素子によって通電
が遮断される回路に用いられることを特徴とする。
Furthermore, the positive temperature coefficient thermistor device, the degaussing coil, and the energization interruption element are connected in series to the power source, and are used in a circuit in which the energization interruption element interrupts energization after a lapse of a predetermined time from the start of energization. To do.

【0012】そして、本発明による正特性サーミスタ装
置を用いた消磁回路においては、正特性サーミスタ装置
と消磁コイルと通電遮断素子とが電源に直列接続され、
通電開始から所定時間経過後に前記通電遮断素子によっ
て通電が遮断されることを特徴とする。
In the degaussing circuit using the PTC thermistor device according to the present invention, the PTC thermistor device, the degaussing coil, and the energization interruption element are connected in series to the power source.
It is characterized in that energization is interrupted by the energization interrupting element after a lapse of a predetermined time from the start of energization.

【0013】これにより、正特性サーミスタ素子の一方
の主面に平端子の平面部が当接され、さらに、ケースに
当接されており、正特性サーミスタ素子からの熱が平端
子,ケースを介して放熱される。さらにまた、バネ端子
と当接する正特性サーミスタの他方の主面に放熱板が当
接されており、正特性サーミスタ素子からの熱が放熱板
を介して放熱される。
As a result, the flat portion of the flat terminal is brought into contact with one main surface of the PTC thermistor element, and is further brought into contact with the case, and the heat from the PTC thermistor element passes through the flat terminal and the case. Is dissipated. Furthermore, the heat dissipation plate is in contact with the other main surface of the positive temperature coefficient thermistor which is in contact with the spring terminal, and the heat from the positive temperature coefficient thermistor element is radiated through the heat dissipation plate.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明による一つの実施の
形態を図1及び図2を参照して詳細に説明する。この正
特性サーミスタ装置20は、正特性サーミスタ素子21
と、一対の端子である平端子22及びバネ端子23と、
ケース24とから構成される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION One embodiment according to the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. The PTC thermistor device 20 includes a PTC thermistor element 21.
And a flat terminal 22 and a spring terminal 23, which are a pair of terminals,
And a case 24.

【0015】正特性サーミスタ素子21は平板状の正特
性サーミスタ素体21aの両主面に電極25,25が形
成されたものである。この電極25は、正特性サーミス
タ素体21aとオーム性接触が保たれる、例えば、下層
25aに無電解めっきによるニッケル層と、外層25b
に焼付けによる銀を主成分とする銀層とから構成され
る。そして、銀によるマイグレーション防止のために、
下層25aが正特性サーミスタ素体の両主面に形成さ
れ、最外層25bが下層25aの端部からギャップGを
設けて形成されることが好ましい。
The positive temperature coefficient thermistor element 21 is a plate-shaped positive temperature coefficient thermistor element 21a having electrodes 25 formed on both main surfaces thereof. This electrode 25 maintains an ohmic contact with the PTC thermistor body 21a, for example, a nickel layer formed by electroless plating on the lower layer 25a and an outer layer 25b.
And a silver layer containing silver as a main component by baking. And to prevent migration by silver,
The lower layer 25a is preferably formed on both main surfaces of the PTC thermistor element body, and the outermost layer 25b is preferably formed with a gap G from the end of the lower layer 25a.

【0016】平端子22は、洋白等の熱伝導がよい金属
からなり、一端に正特性サーミスタ素子21の径より大
きい平板部22aを有し、他端に平板部22aより細幅
のリード端子部22bを有する。ばね端子23は、リン
青銅等のバネ性のよい金属からなり、一端に正特性サー
ミスタ素子21の径より大きい平面部から突出されたバ
ネ部23aを有し、他端に平面部より細幅のリード端子
部23bを有する。
The flat terminal 22 is made of a metal such as nickel silver having a good thermal conductivity, has a flat plate portion 22a larger than the diameter of the positive temperature coefficient thermistor element 21 at one end, and has a narrower lead terminal than the flat plate portion 22a at the other end. It has a portion 22b. The spring terminal 23 is made of a metal having a good spring property such as phosphor bronze, has a spring portion 23a protruding from a flat portion larger than the diameter of the positive temperature coefficient thermistor element 21 at one end, and has a width narrower than the flat portion at the other end. It has a lead terminal portion 23b.

【0017】ケース24は、上面が開口した樹脂成型品
のケース本体24aと、ケース本体24aの開口部を閉
じる蓋体24bとからなる。ケース本体24aの底部
は、平端子22,バネ端子23のそれぞれのリード端子
部22b,23bが挿入できる孔(図示せず)を有して
いる。
The case 24 is composed of a resin-molded case body 24a having an open top surface and a lid 24b for closing the opening of the case body 24a. The bottom of the case body 24a has holes (not shown) into which the lead terminals 22b and 23b of the flat terminal 22 and the spring terminal 23 can be inserted.

【0018】正特性サーミスタ装置20は、正特性サー
ミスタ素子21が平端子22の平板部22a及びバネ端
子23のバネ部23aにその両主面、すなわち、電極2
5,25を当接させてケース24に収納されており、平
端子22のリード端子部22b及びバネ端子23のリー
ド端子部23bがケース24の外部に延出されて組み立
てられている。そして、平端子22の平板部22aがケ
ース24の内壁24cに当接される。したがって、正特
性サーミスタ素子21の一方の主面は平板部22aを介
してケース24の内壁24aに当接される。
In the PTC thermistor device 20, the PTC thermistor element 21 has a flat plate portion 22a of the flat terminal 22 and a spring portion 23a of the spring terminal 23 on both main surfaces thereof, that is, the electrodes 2.
The lead terminals 22b of the flat terminals 22 and the lead terminals 23b of the spring terminals 23 are extended to the outside of the case 24 and assembled. Then, the flat plate portion 22a of the flat terminal 22 is brought into contact with the inner wall 24c of the case 24. Therefore, one main surface of the positive temperature coefficient thermistor element 21 is brought into contact with the inner wall 24a of the case 24 via the flat plate portion 22a.

【0019】次に、本発明による他の実施の形態を図3
及び図4を参照して詳細に説明する。但し、前述の一つ
の実施の形態と同一部分については、同一の符号を付
し、詳細な説明を省略する。この正特性サーミスタ装置
30は、正特性サーミスタ素子21と、一対の端子であ
る平端子22及びバネ端子33と、放熱板36と、ケー
ス24とから構成される。
Next, another embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described in detail with reference to FIG. However, the same parts as those in the above-described one embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. The PTC thermistor device 30 includes a PTC thermistor element 21, a pair of terminals, a flat terminal 22 and a spring terminal 33, a heat radiating plate 36, and a case 24.

【0020】バネ端子33は、リン青銅等のバネ性の金
属からなり、一端に正特性サーミスタ素子21を押圧す
るために折り曲げ形成されたバネ部33aを有し、他端
に細幅のリード端子部33bを有する。
The spring terminal 33 is made of a spring metal such as phosphor bronze, has a spring portion 33a bent at one end to press the PTC thermistor element 21, and has a narrow lead terminal at the other end. It has a portion 33b.

【0021】放熱板36は銅合金等の熱伝導がよい金属
からなり、正特性サーミスタ素子21の径より大きい平
板状をなす。
The heat radiating plate 36 is made of a metal having good heat conduction such as a copper alloy and has a flat plate shape larger than the diameter of the positive temperature coefficient thermistor element 21.

【0022】正特性サーミスタ装置30は、正特性サー
ミスタ素子21が平端子22の平板部22a及び放熱板
36にその両主面の電極25,25を当接させた状態
で、バネ端子33のバネ部33aにより放熱板36を介
して押圧されて、ケース24に収納されている。そし
て、平端子22のリード端子部22b及びバネ端子33
のリード端子部33bがケース24の外部に延出されて
組み立てられている。さらに、平端子22の平板部22
aがケース24の内壁24cに当接されている。したが
って、正特性サーミスタ素子21の一方の主面は平板部
22aを介してケース24の内壁24aに当接される。
In the PTC thermistor device 30, the PTC thermistor element 21 contacts the flat plate portion 22a of the flat terminal 22 and the heat radiating plate 36 with the electrodes 25, 25 on both main surfaces thereof in contact with the spring of the spring terminal 33. The portion 33 a is pressed through the heat dissipation plate 36 and is housed in the case 24. Then, the lead terminal portion 22b of the flat terminal 22 and the spring terminal 33
The lead terminal portion 33b is extended to the outside of the case 24 and assembled. Further, the flat plate portion 22 of the flat terminal 22
The a is in contact with the inner wall 24c of the case 24. Therefore, one main surface of the positive temperature coefficient thermistor element 21 is brought into contact with the inner wall 24a of the case 24 via the flat plate portion 22a.

【0023】次に、本発明による消磁回路について、図
5を参照して詳細に説明する。この消磁回路は、正特性
サーミスタ装置40と消磁コイル42とスイッチ43と
通電遮断素子44が電源45に直列に接続されている。
Next, the degaussing circuit according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. In this degaussing circuit, a positive temperature coefficient thermistor device 40, a degaussing coil 42, a switch 43, and an energization interruption element 44 are connected in series to a power supply 45.

【0024】消磁コイル42はカラーブラウン管等のシ
ャドウマスクに着磁した磁界を除去するためのコイルで
ある。通電遮断素子44は、リレー又はバイメタル等に
よって通電開始から所定時間、例えば5〜30秒経過後
に通電を遮断するものである。
The degaussing coil 42 is a coil for removing the magnetic field magnetized in the shadow mask such as a color cathode ray tube. The energization interrupting element 44 interrupts energization by a relay, a bimetal or the like after a lapse of a predetermined time, for example, 5 to 30 seconds from the start of energization.

【0025】かかる消磁回路において、スイッチ43を
オンにして消磁回路に通電すると、通電開始時に正特性
サーミスタ装置40と消磁コイル42に初期電流が流れ
る。そして、正特性サーミスタ装置40の電流時間特性
によって消磁回路に流れる電流が徐々に小さくなる一方
で、電流遮断素子43によって、5〜30秒後に消磁回
路の通電が遮断される。遮断後に、正特性サーミスタ装
置40の熱が放散され、例えば、略2分後に復帰可能状
態になる。そして、この消磁回路に示した正特性サーミ
スタ装置40は上述した実施の形態の正特性サーミスタ
装置20及び正特性サーミスタ装置30が用いられる。
In this degaussing circuit, when the switch 43 is turned on and the degaussing circuit is energized, an initial current flows through the positive temperature coefficient thermistor device 40 and the degaussing coil 42 at the start of energization. Then, while the current flowing through the degaussing circuit gradually decreases due to the current-time characteristic of the positive temperature coefficient thermistor device 40, the current cut-off element 43 cuts off the energization of the degaussing circuit after 5 to 30 seconds. After the interruption, the heat of the positive temperature coefficient thermistor device 40 is dissipated, and for example, after about 2 minutes, the heat is restored. As the PTC thermistor device 40 shown in this degaussing circuit, the PTC thermistor device 20 and the PTC thermistor device 30 of the above-described embodiment are used.

【0026】(評価試験)上述した実施の形態と従来例
との放熱効果を比較した評価例を以下に説明する。直径
14mm,厚さ2.3mm、常温抵抗5Ω、キュリー温
度60℃の正特性サーミスタ素子を準備して、一つの実
施の形態である正特性サーミスタ装置20を作成した。
そして、図5に示した消磁回路に正特性サーミスタ装置
20と消磁コイル42に5Ωのコイルを装填し、電源4
5にAC100Vrms,60Hz、電源遮断素子44
によって6秒間印加の後電源45を切断して、正特性サ
ーミスタ装置20が復帰する時間を測定した。その結果
を表1に示す。この際の復帰時間とは、25℃における
正特性サーミスタ素子の抵抗値の2倍の抵抗値、即ち正
特性サーミスタ素子の抵抗値が10Ωに戻る時間であ
る。
(Evaluation Test) An evaluation example comparing the heat radiation effect between the above-described embodiment and the conventional example will be described below. A PTC thermistor device 20 according to one embodiment was prepared by preparing a PTC thermistor element having a diameter of 14 mm, a thickness of 2.3 mm, a room temperature resistance of 5Ω, and a Curie temperature of 60 ° C.
Then, the degaussing circuit shown in FIG.
5 AC100Vrms, 60Hz, power cutoff element 44
After applying for 6 seconds, the power supply 45 was cut off and the time for the PTC thermistor device 20 to recover was measured. Table 1 shows the results. The recovery time at this time is a resistance value that is twice the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor element at 25 ° C., that is, the time when the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor element returns to 10Ω.

【0027】比較例1として上述と同一の正特性サーミ
スタ素子を用い、第1従来例の正特性サーミスタ装置1
0を作成した。また、比較例2として上述と同一の正特
性サーミスタ素子を用い、第2従来例の正特性サーミス
タ装置11を作成した。そして、上述と同一の条件で復
帰時間をそれぞれ測定し、その結果を表1に示す。
As Comparative Example 1, the same positive temperature coefficient thermistor element as described above is used, and the positive temperature coefficient thermistor device 1 of the first conventional example is used.
0 was created. Further, as Comparative Example 2, the same positive temperature coefficient thermistor element as described above was used, and a positive temperature coefficient thermistor device 11 of the second conventional example was produced. Then, the recovery times were measured under the same conditions as above, and the results are shown in Table 1.

【0028】表1から理解できるように、本発明による
正特性サーミスタ装置の復帰時間が従来例より短くなっ
ていることがわかる。
As can be seen from Table 1, the recovery time of the PTC thermistor device according to the present invention is shorter than that of the conventional example.

【0029】[0029]

【表1】 [Table 1]

【0030】上述した評価例からもわかるように、本発
明による正特性サーミスタ装置30,40は発熱した正
特性サーミスタ素子21からの放熱がよくなり、その結
果消磁後に正特性サーミスタ装置30,40に流れる安
定電流が従来例の正特性サーミスタ装置10,11に流
れる安定電流より大きくなる。したがって、この放熱特
性を改善した本発明による正特性サーミスタ装置は、電
流遮断素子44を用いた消磁回路に適している。また、
本実施の形態による消磁回路に本発明による正特性サー
ミスタ装置を用いると、消磁回路を断続的に動作させる
場合の待ち時間を短くすることができる。
As can be seen from the above-mentioned evaluation example, the positive temperature coefficient thermistor devices 30 and 40 according to the present invention radiate heat well from the heat generated positive temperature coefficient thermistor element 21, and as a result, the positive temperature coefficient thermistor devices 30 and 40 are demagnetized. The stable current flowing becomes larger than the stable current flowing through the positive temperature coefficient thermistor devices 10 and 11 of the conventional example. Therefore, the positive temperature coefficient thermistor device according to the present invention having the improved heat dissipation characteristic is suitable for the degaussing circuit using the current cutoff element 44. Also,
By using the positive temperature coefficient thermistor device according to the present invention for the degaussing circuit according to the present embodiment, it is possible to shorten the waiting time when the degaussing circuit is operated intermittently.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上のように、本発明による正特性サー
ミスタ装置では、正特性サーミスタ素子の一方の主面に
熱伝導がよい平端子の平板部が当接されているために、
平端子を介して正特性サーミスタ素子からの熱がよく放
散される。
As described above, in the PTC thermistor device according to the present invention, since the flat plate portion of the flat terminal having good heat conduction is in contact with one main surface of the PTC thermistor element,
Heat from the PTC thermistor element is well dissipated through the flat terminal.

【0032】また、正特性サーミスタ素子の一方の主面
に当接された平端子の平板部がさらにケースの内壁に当
接されているために、ケースを介して正特性サーミスタ
素子の熱がよく放散される。
Further, since the flat plate portion of the flat terminal which is in contact with one main surface of the positive temperature coefficient thermistor element is further in contact with the inner wall of the case, heat of the positive temperature coefficient thermistor element is well transferred through the case. Dissipated.

【0033】さらにまた、正特性サーミスタ素子の他方
の主面にも熱伝導がよい放熱板を当接させたものは、さ
らにこの放熱板を介して正特性サーミスタ素子の熱がよ
く放散されるという効果が得られる。
Furthermore, when the heat dissipation plate having good heat conduction is brought into contact with the other main surface of the PTC thermistor element, the heat of the PTC thermistor element is well dissipated through the heat dissipation plate. The effect is obtained.

【0034】そして、本発明による正特性サーミスタ装
置及び電流遮断素子が直列に接続されて消磁回路を構成
することにより、正特性サーミスタ装置に流れる安定電
流が所定時間経過後に遮断されるとともに、正特性サー
ミスタ装置が早く放熱されて再通電の際に、正特性サー
ミスタ装置及び消磁コイルに十分な初期電流が流れると
いう効果が得られる。
The positive characteristic thermistor device and the current cutoff element according to the present invention are connected in series to form a degaussing circuit, whereby the stable current flowing through the positive characteristic thermistor device is cut off after a predetermined time elapses, and the positive characteristic When the thermistor device is quickly dissipated and re-energized, an effect is obtained in which a sufficient initial current flows through the PTC thermistor device and the degaussing coil.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一つの実施の形態に係る正特性サーミ
スタ装置を示す一部側面断面図である。
FIG. 1 is a partial side sectional view showing a PTC thermistor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に用いられる正特性サーミスタ素子,平端
子,バネ端子の斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view of a positive temperature coefficient thermistor element, a flat terminal, and a spring terminal used in FIG.

【図3】本発明の他の実施の形態に係る正特性サーミス
タ装置の一部側面断面図である。
FIG. 3 is a partial side sectional view of a positive temperature coefficient thermistor device according to another embodiment of the present invention.

【図4】図3に用いられる正特性サーミスタ素子,平端
子,バネ端子,放熱板の斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a positive temperature coefficient thermistor element, a flat terminal, a spring terminal, and a heat sink used in FIG.

【図5】実施の形態の消磁回路を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a degaussing circuit according to an embodiment.

【図6】第1従来例の構造を示す一部側面断面図であ
る。
FIG. 6 is a partial side sectional view showing a structure of a first conventional example.

【図7】第2従来例の構造を示す一部側面断面図であ
る。
FIG. 7 is a partial side sectional view showing a structure of a second conventional example.

【図8】従来例の消磁回路を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a conventional degaussing circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20,30 正特性サーミスタ装置 21 正特性サーミスタ素子 22 平端子 22a 平板部 22b 平端子のリード端子部 23 バネ端子 23a バネ部 23b バネ端子のリード端子部 24 ケース 24c 内壁 25 電極 36 放熱板 40 正特性サーミスタ装置 42 消磁コイル 44 電流遮断素子 20, 30 Positive characteristic thermistor device 21 Positive characteristic thermistor element 22 Flat terminal 22a Flat plate portion 22b Flat terminal lead terminal portion 23 Spring terminal 23a Spring portion 23b Spring terminal lead terminal portion 24 Case 24c Inner wall 25 Electrode 36 Heat sink 40 Positive characteristic Thermistor device 42 Degaussing coil 44 Current interruption element

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 正特性サーミスタ素子と一対の端子とケ
ースとから構成され、前記正特性サーミスタ素子は平板
状の正特性サーミスタ素体の両主面に電極が形成されて
おり、前記一対の端子は一端に平板部を有する平端子と
バネ部を有するバネ端子とからなり、前記正特性サーミ
スタ素子の電極に前記一対の端子の平板部とバネ部とが
当接した状態で前記ケースに収納されるとともに、該ケ
ースからは前記一対の端子の他端が延出していることを
特徴とする正特性サーミスタ装置。
1. A positive temperature coefficient thermistor element, a pair of terminals, and a case, wherein the positive temperature coefficient thermistor element has electrodes formed on both main surfaces of a plate-shaped positive temperature coefficient thermistor element, and the pair of terminals. Is composed of a flat terminal having a flat plate portion at one end and a spring terminal having a spring portion, and is housed in the case in a state where the flat plate portion and the spring portion of the pair of terminals are in contact with the electrodes of the positive temperature coefficient thermistor element. A positive temperature coefficient thermistor device, wherein the other ends of the pair of terminals extend from the case.
【請求項2】 前記平端子の平板部が前記ケースの内壁
に当接していることを特徴とする請求項1に記載の正特
性サーミスタ装置。
2. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, wherein a flat plate portion of the flat terminal is in contact with an inner wall of the case.
【請求項3】 請求項1又は2に記載の正特性サーミス
タ装置であって、前記正特性サーミスタ素子と前記バネ
端子との間に平板状の放熱板が配設されたことを特徴と
する正特性サーミスタ装置。
3. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1 or 2, wherein a flat heat dissipation plate is disposed between the positive temperature coefficient thermistor element and the spring terminal. Characteristic thermistor device.
【請求項4】 正特性サーミスタ装置と消磁コイルと通
電遮断素子とが電源に直列接続され、通電開始から所定
時間経過後に前記通電遮断素子によって通電が遮断され
る消磁回路に用いられることを特徴とする請求項1,2
又は3に記載の正特性サーミスタ装置。
4. A positive temperature coefficient thermistor device, a degaussing coil, and an energization interruption element are connected in series to a power source, and are used in a degaussing circuit whose energization is interrupted by the energization interruption element after a lapse of a predetermined time from the start of energization. Claims 1, 2
Alternatively, the positive temperature coefficient thermistor device according to item 3.
【請求項5】 請求項1,2又は3に記載の正特性サー
ミスタ装置と消磁コイルと通電遮断素子とが電源に直列
接続され、通電開始から所定時間経過後に前記通電遮断
素子によって通電が遮断されることを特徴とする消磁回
路。
5. The positive temperature coefficient thermistor device according to claim 1, 2 or 3, a degaussing coil and an energization interruption element are connected in series to a power source, and energization is interrupted by the energization interruption element after a lapse of a predetermined time from the start of energization. A degaussing circuit characterized in that
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