JPH0934129A - Removing solution for photoresist - Google Patents

Removing solution for photoresist

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JPH0934129A
JPH0934129A JP18705195A JP18705195A JPH0934129A JP H0934129 A JPH0934129 A JP H0934129A JP 18705195 A JP18705195 A JP 18705195A JP 18705195 A JP18705195 A JP 18705195A JP H0934129 A JPH0934129 A JP H0934129A
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JP
Japan
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component
photoresist
stripping solution
photoresist film
stripping
Prior art date
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Application number
JP18705195A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Taguchi
敏 田口
Masumi Suetsugu
益実 末次
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Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a removing soln. not requiring rinsing with a special rinsing soln. and having superior removing performance and dissolving abililty even to a photoresist film post-baked at a high temp. or a photoresist film exposed to plasma or ions. SOLUTION: This removing soln. for removing a photoresist film formed on a substrate by coating consists of amino-alcohol (A), N,N-dimethylformamide (B) and glycol monoalkyl ether (C). The amt. of the component A is 5-38wt.%, the total amt. of the components B, C is 95-62wt.% and the weight ratio of the component C to the component B is 0.05-0.8.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト用剥
離液に関する。更に詳しくは、本発明は、特にガラス基
板上にLCD(液晶ディスプレイ)を製造する際や、半
導体基板上にLSI(大規模集積回路)を製造する際の
リソグラフィープロセスに於いて用いられる基板上に塗
布されたフォトレジスト膜を除去するための剥離液であ
って、特殊なリンス液によるリンス処理を必要とせず、
かつ高温でポストベークされたフォトレジスト膜やプラ
ズマやイオンに曝されたフォトレジスト膜に対しても優
れた剥離性能及び溶解性能を発現し得るフォトレジスト
用剥離液に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a stripping solution for photoresist. More specifically, the present invention relates to a substrate used in a lithographic process, particularly when manufacturing an LCD (liquid crystal display) on a glass substrate or when manufacturing an LSI (large scale integrated circuit) on a semiconductor substrate. A stripping solution for removing the applied photoresist film, which does not require a rinse treatment with a special rinse solution,
Further, the present invention relates to a photoresist stripping solution that can exhibit excellent stripping performance and dissolution performance even for a photoresist film post-baked at high temperature or a photoresist film exposed to plasma or ions.

【0002】[0002]

【従来の技術】LSI製造工程においては、近年の高集
積化への要求から、微細なパターンが形成可能なポジ型
フォトレジストが用いられている。また、LCD製造工
程においても、LSI程の微細パターンの要求はないも
のの、LSI製造工程の応用から、ポジ型フォトレジス
トが使用されている。Si(シリコン)基板や酸化シリ
コンなどの酸不溶性のパターン形成時には、硫酸−過酸
化水素の混合液をレジスト剥離液とする方法が一般的で
あるが、Al(アルミ)配線やITO(インジウム錫複
合酸化物)配線などのパターン形成時には、該混合液は
基板上に残すべきAlやITOなどを溶解するため、不
都合である。
2. Description of the Related Art In the LSI manufacturing process, a positive photoresist capable of forming a fine pattern is used because of the recent demand for higher integration. Further, even in the LCD manufacturing process, a positive photoresist is used because of the application of the LSI manufacturing process, although there is no demand for a fine pattern like that of the LSI. When forming an acid-insoluble pattern on a Si (silicon) substrate or silicon oxide, a method of using a mixed solution of sulfuric acid-hydrogen peroxide as a resist stripping solution is generally used, but Al (aluminum) wiring and ITO (indium tin composite) are used. When a pattern such as (oxide) wiring is formed, the mixed solution is inconvenient because it dissolves Al, ITO, etc. which should be left on the substrate.

【0003】従来、ポジ型レジストパターンの一般的な
剥離方法としては、(a)フェノール系の剥離液を用い
る方法(特公平5−67030号公報など)、(b)酸
素プラズマを用いてアッシング除去する方法(特開昭6
3−260032号公報など)をあげることができる。
Conventionally, as a general stripping method for a positive resist pattern, (a) a method using a phenol stripping solution (Japanese Patent Publication No. 5-67030, etc.), and (b) ashing removal using oxygen plasma Method (JP-A-6
No. 3-260032).

【0004】しかし、(a)の方法では、用いる剥離液
が有害なフェノールを主成分とするうえ、ジクロルベン
ゼンやテトラクロルエチレンなどの有害な塩素系溶剤が
加えられており、安全衛生上の観点から問題がある。更
に、これらの溶剤を溶かすトリクレンなどの有機溶媒に
よるリンスが必要であるうえ、この剥離液は吸湿により
酸性となるため、配線に用いられるAlなどを腐食しや
すいという短所を有している。
However, in the method (a), the stripping solution to be used contains harmful phenol as a main component, and harmful chlorine-based solvents such as dichlorobenzene and tetrachloroethylene are added, which is a safety and health concern. There is a problem from a perspective. Further, it requires rinsing with an organic solvent such as trichlene that dissolves these solvents, and since this stripping solution becomes acidic due to moisture absorption, it has a disadvantage that it easily corrodes Al and the like used for wiring.

【0005】(b)の方法は、廃液処理が不要となる点
では剥離液を用いる方法より優れているものの、真空装
置を必要とするため装置コストが高くなることや、基板
面内で剥離速度が均一となりにくいためレジスト残渣が
生じやすく、剥離液を用いる方法より時間がかかるため
スループットが低下するなどの欠点を有する。
The method (b) is superior to the method using a stripping solution in that waste liquid treatment is not required, but it requires a vacuum device, which increases the cost of the apparatus and the stripping rate in the plane of the substrate. Is less likely to be uniform, resist residues tend to occur, and it takes longer than the method using a stripping solution, resulting in a decrease in throughput.

【0006】その他にもアミン系の水溶性の剥離液を用
いる方法も知られている(特公昭64−5695号公報
など)が、この方法では(a)(b)の方法の欠点はあ
る程度解消されているものの、剥離液としては十分満足
な性能を有するものは得られていない。
In addition, a method using an amine-based water-soluble stripping solution is also known (Japanese Patent Publication No. 64-5695, etc.), but this method eliminates the drawbacks of the methods (a) and (b) to some extent. However, as a stripper, a stripper having sufficiently satisfactory performance has not been obtained.

【0007】ところで、近年においては、基板の加工精
度を向上させるために現像後のポストベーク温度を高く
して、フォトレジストをより強固に硬化させ、その耐熱
性を上げる傾向がある。また、微細加工時にドライエッ
チングやイオン打ち込みを行うと、その際フォトレジス
トはプラズマやイオンに曝されたり高熱に曝されるた
め、変質や硬化を起こし、より強固に基板と接着して剥
離しにくくなるとともに、剥離したレジスト残渣が剥離
液に溶解しにくくなる。剥離液中にレジスト残渣が残存
した場合、基盤上に該残渣が再付着し、極めて不都合で
ある。つまり、剥離液としては、剥離性能及び溶解性能
の両方に優れることが必要である。そして、従来の剥離
液より剥離性能及び溶解性能の優れた剥離液の出現が強
く望まれている。
By the way, in recent years, in order to improve the processing accuracy of the substrate, there is a tendency that the post-baking temperature after development is increased to harden the photoresist more strongly and to improve its heat resistance. Also, when dry etching or ion implantation is performed during microfabrication, the photoresist is exposed to plasma or ions or exposed to high heat at that time, which causes alteration or hardening, and more firmly adheres to the substrate to prevent peeling. At the same time, the resist residue that has been stripped is less likely to dissolve in the stripping solution. When the resist residue remains in the stripping solution, the residue re-adheres on the substrate, which is extremely inconvenient. That is, it is necessary that the stripping liquid has both excellent stripping performance and dissolution performance. Then, the appearance of a stripping solution that is more excellent in stripping performance and dissolution performance than conventional stripping solutions is strongly desired.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】かかる状況において、
本発明が解決しようとする課題は、基板上に塗布された
フォトレジスト膜を除去するための剥離液であって、特
殊なリンス液によるリンス処理を必要とせず、かつ高温
でポストベークされたフォトレジスト膜やプラズマやイ
オンに曝されたフォトレジスト膜に対しても優れた剥離
性能及び溶解性能を発現し得るフォトレジスト用剥離液
を提供する点に存する。
In such a situation,
The problem to be solved by the present invention is a stripping solution for removing a photoresist film coated on a substrate, which does not require a rinse treatment with a special rinse solution, and which is post-baked at a high temperature. An object of the present invention is to provide a stripping solution for photoresist that can exhibit excellent stripping performance and dissolution performance even for a resist film or a photoresist film exposed to plasma or ions.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、基
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、下記(A)成分、(B)成分及び(C)
成分からなり、(A)成分の含有量が5〜38重量%で
あり、(B)成分及び(C)成分の合計含有量が95〜
62重量%であり、かつ(C)成分/(B)成分の重量
比が0.05〜0.8であるフォトレジスト用剥離液に
係るものである。 (A):アミノアルコール (B):N,N−ジメチルホルムアミド (C):グリコールモノアルキルエーテル
That is, the present invention is a stripping solution for removing a photoresist film coated on a substrate, which comprises the following components (A), (B) and (C):
The content of the component (A) is 5 to 38% by weight, and the total content of the component (B) and the component (C) is 95 to
It relates to a stripping solution for photoresist having a weight ratio of component (C) / component (B) of 0.05 to 0.8, which is 62% by weight. (A): Amino alcohol (B): N, N-dimethylformamide (C): Glycol monoalkyl ether

【0010】以下、詳細に説明する。The details will be described below.

【0011】本発明において、基板とは、LSI作製用
のSiウエハー、Ga(ガリウム)−As(砒素)ウエ
ハーなどの半導体基板やLCD作製用のガラス基板を指
し、更にそれらの基板上に、二酸化ケイ素、窒化ケイ
素、ポリシリコン、アモルファスシリコン、Ga−A
s、Ga−Al−As、アルミニウム、酸化アルミニウ
ム、銅、ITO、クロム、酸化クロム、モリブデン、酸
化モリブデン、タンタル、酸化タンタル、チタン、酸化
チタン、窒化チタンなどの薄膜が形成されているものも
含む。
In the present invention, the substrate means a semiconductor substrate such as a Si wafer for producing LSI, a Ga (gallium) -As (arsenic) wafer or the like, or a glass substrate for producing LCD, and further, on those substrates, a dioxide is formed. Silicon, silicon nitride, polysilicon, amorphous silicon, Ga-A
s, Ga-Al-As, aluminum, aluminum oxide, copper, ITO, chromium, chromium oxide, molybdenum, molybdenum oxide, tantalum, tantalum oxide, titanium, titanium oxide, titanium nitride, etc. are also included. .

【0012】本発明の(A)成分は、アミノアルコール
である。その具体例としては、2−アミノエタノール、
1−アミノ−2−プロパノール、2−アミノ−1−プロ
パノール、3−アミノ−1−プロパノール、2−アミノ
−1−ブタノール、4−アミノ−1−ブタノールなどを
あげることができる。なかでも2−アミノエタノール
が、剥離性能や価格を考慮すると工業的見地から好まし
い。なお、(A)成分であるアミノアルコールとして
は、一般工業グレードのものでもよいが、使用用途がL
SIやLCD製造工程であるので、金属類の含有量の少
ないものが好ましい。
The component (A) of the present invention is amino alcohol. Specific examples thereof include 2-aminoethanol,
1-amino-2-propanol, 2-amino-1-propanol, 3-amino-1-propanol, 2-amino-1-butanol, 4-amino-1-butanol, etc. can be mentioned. Among them, 2-aminoethanol is preferable from the industrial viewpoint in consideration of peeling performance and price. The amino alcohol which is the component (A) may be a general industrial grade one, but the intended use is L
Since it is an SI or LCD manufacturing process, one having a low content of metals is preferable.

【0013】フォトレジスト用剥離液中における(A)
成分の含有量は、5〜38重量%、好ましくは15〜3
8重量%である。(A)成分の含有量が過少であると剥
離性能が低下し、一方該含有量が過多であると剥離した
フォトレジストの溶解性能が低下する。
(A) in a stripping solution for photoresist
The content of the components is 5 to 38% by weight, preferably 15 to 3
8% by weight. If the content of the component (A) is too small, the stripping performance is deteriorated, while if the content is too large, the dissolution performance of the stripped photoresist is deteriorated.

【0014】本発明の成分(B)成分は、N,N−ジメ
チルホルムアミドであり、一般工業グレードのものでも
よいが、使用用途がLSIやLCD製造工程であるの
で、金属類の含有量の少ないものが好ましい。
The component (B) of the present invention is N, N-dimethylformamide, which may be a general industrial grade, but since it is used in the LSI or LCD manufacturing process, it has a low content of metals. Those are preferable.

【0015】本発明の成分(C)成分は、グリコールモ
ノアルキルエーテルである。グリコールモノアルキルエ
ーテルの具体例としては、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレング
リコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、
ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどをあげる
ことができる。なかでもジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルが好ましい。なお、グリコールモノアルキル
エーテルとしては、一般工業グレードのものでもよい
が、使用用途がLSIやLCD製造工程であるので、金
属類の含有量の少ないものが好ましい。
The component (C) of the present invention is a glycol monoalkyl ether. Specific examples of glycol monoalkyl ethers include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether,
Ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether,
Examples thereof include diethylene glycol monobutyl ether. Of these, diethylene glycol monobutyl ether is preferable. The glycol monoalkyl ether may be a general industrial grade one, but since it is used in the LSI or LCD manufacturing process, one having a low metal content is preferable.

【0016】本発明のフォトレジスト用剥離液中におけ
る(B)成分及び(C)成分の合計含有量は95〜62
重量%、好ましくは85〜62重量%である。該合計含
有量が過少であると剥離したフォトレジストの溶解性能
が低下し、一方該合計含有量が過多であると剥離性能が
低下する。
The total content of the components (B) and (C) in the photoresist stripping solution of the present invention is 95-62.
%, Preferably 85 to 62% by weight. If the total content is too small, the dissolution performance of the stripped photoresist is deteriorated, while if the total content is too large, the separation performance is deteriorated.

【0017】本発明のフォトレジスト用剥離液中におけ
る(C)成分/(B)成分の重量比は0.05〜0.
8、好ましくは0.05〜0.25である。該比が過小
であると剥離したフォトレジストの溶解性能が低下し、
一方該比が過大であると剥離性能が低下する。
The weight ratio of component (C) / component (B) in the photoresist stripping solution of the present invention is 0.05 to 0.
8, preferably 0.05 to 0.25. If the ratio is too small, the dissolution performance of the peeled photoresist decreases,
On the other hand, if the ratio is too large, the peeling performance will be deteriorated.

【0018】本発明のフォトレジスト用剥離液を得るに
は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の所定量を
混合すればよい。たとえば、簡単な撹拌機を有する混合
器を準備し、三成分を導入し、室温で撹拌するなど公知
の方法を用いることができる。なお、混合後の液は、
0.2ミクロン以下のフィルターで濾過することによ
り、LCDやLSI製造プロセスで嫌われる微粒子を除
去することができる。
In order to obtain the photoresist stripping solution of the present invention, the components (A), (B) and (C) may be mixed in predetermined amounts. For example, a known method such as preparing a mixer having a simple stirrer, introducing the three components, and stirring at room temperature can be used. The liquid after mixing is
By filtering with a filter of 0.2 μm or less, it is possible to remove fine particles that are disliked in the LCD or LSI manufacturing process.

【0019】本発明による剥離液を用いて基板上のフォ
トレジスト膜を剥離する方法としては、単に剥離液中に
前記基板を浸漬する方法、剥離液に前記基板を浸漬する
とともに、超音波振動や撹拌羽根などにより剥離液を撹
拌する方法、剥離液を前記基板上にスプレーする方法な
どをあげることができる。なお、剥離操作時の剥離液の
温度としては、20〜90℃が適当である。
The method of stripping the photoresist film on the substrate using the stripping solution according to the present invention includes a method of simply dipping the substrate in the stripping solution, a method of dipping the substrate in the stripping solution, ultrasonic vibration and Examples thereof include a method of stirring the stripping solution with a stirring blade, a method of spraying the stripping solution on the substrate, and the like. The temperature of the stripping solution during the stripping operation is preferably 20 to 90 ° C.

【0020】本発明の剥離液を用いることにより、11
0℃程度の通常のポストベークを行ったフォトレジスト
のみでなく、150℃以上の温度でポストベークされた
ポジ型フォトレジスト膜、プラズマに曝されたフォトレ
ジスト膜又はイオンに曝されたフォトレジスト膜といっ
た高度に硬化したり変質したフォトレジスト膜の剥離を
容易に行うことができる。
By using the stripping solution of the present invention, 11
Not only the photoresist that has been normally post-baked at 0 ° C., but also a positive photoresist film that has been post-baked at a temperature of 150 ° C. or higher, a photoresist film that has been exposed to plasma, or a photoresist film that has been exposed to ions Such a highly hardened or altered photoresist film can be easily peeled off.

【0021】また、本発明による剥離液は、構成成分が
何れも水溶性であるのでトリクレンなどの特殊なリンス
液によるリンス処理を必要とせず、プロセスが簡素化で
きるという特徴をも有している。
Further, the stripping solution according to the present invention is characterized in that it does not require a rinsing treatment with a special rinsing solution such as trichlene because the constituents are all water-soluble, and the process can be simplified. .

【0022】[0022]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0023】実施例1〜3及び比較例1〜3 シリコンウエハー上にポジ型フォトレジストを1.2ミ
クロンの厚さに塗布してプリベーク処理を行った後、フ
ォトリソグラフィー処理として露光及び現像を行うこと
により、レジストパターンを形成し、200℃で30分
間ポストベークを行った。このレジストパターン付きウ
エハーを用い、剥離液に浸漬し、水洗した。水洗後のウ
エハーを光学顕微鏡で観察し、フォトレジストの残存状
況から剥離に要する時間を求め、剥離性能を評価した。
結果を表1に示した。
Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 A positive photoresist is applied on a silicon wafer to a thickness of 1.2 μm, a pre-baking process is performed, and then exposure and development are performed as a photolithography process. Thus, a resist pattern was formed and post baking was performed at 200 ° C. for 30 minutes. The wafer with the resist pattern was used, immersed in a stripping solution, and washed with water. The wafer after washing with water was observed with an optical microscope, the time required for peeling was determined from the residual state of the photoresist, and the peeling performance was evaluated.
The results are shown in Table 1.

【0024】実施例4〜15及び比較例4〜14 ここでは剥離したフォトレジスト膜の溶解状況を観察し
て溶解性能も測定できるように、あえてパターンは形成
せずに実験を行った。すなわち、約1ミクロンの熱酸化
膜付きのシリコンウエハー上にポジ型フォトレジストを
1.2ミクロンの厚さに塗布してプリベーク処理を行っ
た後、180℃又は200℃で再度ベーキングを行っ
た。このフォトレジスト付きの基板を各種組成の剥離液
中に浸漬し、剥離状況及び溶解状況を観察した。なお、
180℃ベークのものは溶解時間の測定に、200℃ベ
ークのものは剥離時間の測定に用い、剥離実験での液温
は50℃、溶解実験での液温は80℃とした。結果を表
2〜表5に示した。剥離性能の評価は実施例1と同様に
光学顕微鏡を用いて行った。また、溶解性能の判定は、
剥離液中のレジスト片の溶解による消失を目視観察して
行った。
Examples 4 to 15 and Comparative Examples 4 to 14 Here, an experiment was conducted without forming a pattern so that the dissolution performance of the peeled photoresist film can be observed and the dissolution performance can be measured. That is, a positive photoresist was applied to a thickness of 1.2 microns on a silicon wafer having a thermal oxide film of about 1 micron, prebaked, and then baked again at 180 ° C or 200 ° C. The substrate with the photoresist was immersed in a stripping solution having various compositions, and the stripping state and the dissolving state were observed. In addition,
The 180 ° C-baked one was used for the dissolution time measurement, and the 200 ° C-baked one was used for the peeling time measurement. The liquid temperature in the peeling experiment was 50 ° C and the liquid temperature in the melting experiment was 80 ° C. The results are shown in Tables 2 to 5. The peeling performance was evaluated using an optical microscope as in Example 1. In addition, the determination of dissolution performance is
The disappearance of the resist pieces in the stripper due to dissolution was visually observed.

【0025】実施例16及び比較例15 約1ミクロンの熱酸化膜付きのシリコンウエハー上にポ
ジ型フォトレジストを1.2ミクロンの厚さに塗布して
プリベーク処理を行った後、フォトリソグラフィー処理
として露光及び現像を行うことによりレジストパターン
を形成し、120℃で30分ポストベークを行った。こ
のレジストパターン付きウエハーをドライエッチング装
置に配置し、酸素を2体積%含むCHF3 ガスプラズマ
でエッチングを行い酸化膜のパターンを形成した。表4
に示す2種の剥離液を用い、80℃で5分間剥離処理を
行った後、電子顕微鏡でフォトレジストの剥離状況を観
察した。結果を表6に示した。
Example 16 and Comparative Example 15 A positive type photoresist was applied to a thickness of 1.2 μm on a silicon wafer having a thermal oxide film of about 1 μm, prebaked and then subjected to photolithography. A resist pattern was formed by performing exposure and development, and post baking was performed at 120 ° C. for 30 minutes. The wafer with the resist pattern was placed in a dry etching apparatus, and etching was performed with CHF 3 gas plasma containing 2% by volume of oxygen to form a pattern of an oxide film. Table 4
After the stripping treatment was performed at 80 ° C. for 5 minutes using the two types of stripping solutions shown in 1), the stripping state of the photoresist was observed with an electron microscope. The results are shown in Table 6.

【0026】[0026]

【表1】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 比 較 例 実施例 比較例 1 2 1 2 3 3 剥離液組成 *1 (A) wt% 30 30 30 0 30 30 (B) wt% 60 40 0 70 60 0 (C) wt% 10 30 70 30 10 70 (C)/(B) wt比 0.17 0.75 - 0.43 0.17 - 剥離液温度℃ 50 ← ← ← 80 ← 剥離時間 分 1 2 >30 >30 < 1 >30 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−[Table 1] ------------------------------------- Examples Comparative Examples Comparative Examples 1 2 1 2 3 3 Stripper composition * 1 (A) wt% 30 30 30 0 30 30 (B) wt% 60 40 0 70 60 0 (C) wt% 10 30 70 30 10 70 (C) / (B) wt ratio 0.17 0.75 -0.43 0.17-Stripper temperature ℃ 50 ← ← ← 80 ← Minute of stripping time 1 2> 30> 30 <1> 30 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− −−−−−−−−

【0027】[0027]

【表2】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 4 5 6 7 8 9 剥離液組成 *1 (A) wt% 35 35 35 30 30 30 (B) wt% 60 50 40 65 60 40 (C) wt% 5 15 25 5 10 30 (C)/(B) wt比 0.08 0.30 0.63 0.08 0.17 0.75 剥離時間 分 1 1 2 1 1 2 溶解時間 分 17 18 17 17 17 16 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−[Table 2] -------------------------------------------- Example 4 5 6 7 8 9 Stripping solution composition * 1 ( A) wt% 35 35 35 30 30 30 (B) wt% 60 50 40 65 60 40 (C) wt% 5 15 25 5 10 30 (C) / (B) wt ratio 0.08 0.30 0.63 0.08 0.17 0.75 1 1 2 1 1 2 Dissolution time Minutes 17 18 17 17 17 16 16 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【0028】[0028]

【表3】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実 施 例 10 11 12 13 14 15 剥離液組成 *1 (A) wt% 20 20 20 10 10 10 (B) wt% 70 60 50 80 70 60 (C) wt% 10 20 30 10 20 30 (C)/(B) wt比 0.14 0.33 0.60 0.13 0.29 0.50 剥離時間 分 1 2 2 1 1 2 溶解時間 分 16 16 17 16 18 16 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−[Table 3] ------------------------------------------- Actual Example 10 11 12 13 14 15 Stripping solution composition * 1 ( A) wt% 20 20 20 10 10 10 (B) wt% 70 60 50 80 70 60 (C) wt% 10 20 30 10 20 30 (C) / (B) wt ratio 0.14 0.33 0.60 0.13 0.29 0.50 1 2 2 1 1 2 Dissolution time Minutes 16 16 17 16 18 16 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【0029】[0029]

【表4】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 比 較 例 4 5 6 7 8 9 剥離液組成 *1 (A) wt% 100 70 50 50 50 40 (B) wt% 0 30 50 40 0 30 (C) wt% 0 0 0 10 50 30 (C)/(B) wt比 - 0 0 0.25 - 1 剥離時間 分 2 2 2 2 4 3 溶解時間 分 >30 >30 28 23 25 22 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−[Table 4] ------------------------------------------------ Comparative Example 4 5 6 7 8 9 Stripping solution composition * 1 ( A) wt% 100 70 50 50 50 40 (B) wt% 0 30 50 40 0 30 (C) wt% 0 0 0 10 50 30 (C) / (B) wt ratio-0 0 0.25-1 Peeling time 2 2 2 2 4 3 Dissolution time Minutes> 30> 30 28 23 25 22 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【0030】[0030]

【表5】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 比 較 例 10 11 12 13 14 剥離液組成 *1 (A) wt% 30 30 30 20 0 (B) wt% 70 20 0 40 70 (C) wt% 0 50 70 40 30 (C)/(B) wt比 0 2.5 - 1 0.43 剥離時間 分 1 4 8 3 >30 溶解時間 分 20 18 21 20 >30 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−[Table 5] ------------------ Comparative example 10 11 12 13 14 Stripper composition * 1 (A) wt% 30 30 30 20 0 (B) wt% 70 20 0 40 70 (C) wt% 0 50 70 40 30 (C) / (B) wt ratio 0 2.5-1 0.43 Peeling time min 1 4 8 3> 30 Melting time min 20 18 21 20> 30 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−

【0031】[0031]

【表6】 [Table 6]

【0032】*1 剥離液組成 (A):2−アミノエタノール (B):N,N−ジメチルホルムアミド (C):ジエチレングリコールモノブチルエーテル *2 剥離状況(酸化膜パターン上のフォトレジスト残
渣の有無) ○:残渣は認められなかった ×:かなりの残渣が認められた
* 1 Stripping solution composition (A): 2-aminoethanol (B): N, N-dimethylformamide (C): Diethylene glycol monobutyl ether * 2 Stripping situation (presence or absence of photoresist residue on oxide film pattern) : No residue was found. X: Significant residue was found.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明により、基
板上に塗布されたフォトレジスト膜を除去するための剥
離液であって、特殊なリンス液によるリンス処理を必要
とせず、かつ高温でポストベークされたフォトレジスト
膜やプラズマやイオンに曝されたフォトレジスト膜に対
しても優れた剥離性能及び溶解性能を発現し得るフォト
レジスト用剥離液を提供することができた。
As described above, according to the present invention, a stripping solution for removing a photoresist film coated on a substrate, which does not require a rinsing treatment with a special rinsing solution, and can be post-processed at a high temperature. It has been possible to provide a photoresist stripping solution capable of exhibiting excellent stripping performance and dissolution performance even for a baked photoresist film or a photoresist film exposed to plasma or ions.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に塗布されたフォトレジスト膜を
除去するための剥離液であって、下記(A)成分、
(B)成分及び(C)成分からなり、(A)成分の含有
量が5〜38重量%であり、(B)成分及び(C)成分
の合計含有量が95〜62重量%であり、かつ(C)成
分/(B)成分の重量比が0.05〜0.8であるフォ
トレジスト用剥離液。 (A):アミノアルコール (B):N,N−ジメチルホルムアミド (C):グリコールモノアルキルエーテル
1. A stripping solution for removing a photoresist film coated on a substrate, which comprises the following component (A):
Consisting of the component (B) and the component (C), the content of the component (A) is 5 to 38% by weight, the total content of the component (B) and the component (C) is 95 to 62% by weight, A photoresist stripping solution having a weight ratio of component (C) / component (B) of 0.05 to 0.8. (A): Amino alcohol (B): N, N-dimethylformamide (C): Glycol monoalkyl ether
【請求項2】 (A)成分が2−アミノエタノールであ
り、かつ(C)成分がジエチレングリコールモノブチル
エーテルである請求項1記載のフォトレジスト用剥離
液。
2. The stripping solution for photoresist according to claim 1, wherein the component (A) is 2-aminoethanol and the component (C) is diethylene glycol monobutyl ether.
【請求項3】 150℃以上の温度でポストベークされ
たポジ型フォトレジスト膜、プラズマに曝されたポジ型
フォトレジスト膜又はイオンに曝されたポジ型フォトレ
ジスト膜の少なくとも一種のフォトレジスト膜を除去す
るための請求項1記載のフォトレジスト用剥離液。
3. A positive photoresist film post-baked at a temperature of 150 ° C. or higher, a positive photoresist film exposed to plasma, or at least one photoresist film exposed to ions. The stripping solution for photoresist according to claim 1, which is for removing.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100708635B1 (en) * 2000-09-08 2007-04-17 삼성에스디아이 주식회사 Cleaning composition for removing residue on substrate of display device
JP2010002580A (en) * 2008-06-19 2010-01-07 Tosoh Corp Resist stripping liquid

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