JPH0933352A - Method for measuring radiation temperature and radiation thermometer - Google Patents

Method for measuring radiation temperature and radiation thermometer

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Publication number
JPH0933352A
JPH0933352A JP7187126A JP18712695A JPH0933352A JP H0933352 A JPH0933352 A JP H0933352A JP 7187126 A JP7187126 A JP 7187126A JP 18712695 A JP18712695 A JP 18712695A JP H0933352 A JPH0933352 A JP H0933352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emissivity
temperature
polarized
radiance
spectral component
Prior art date
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Application number
JP7187126A
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Japanese (ja)
Inventor
Miki Ootsuki
未来 大月
Akira Torao
彰 虎尾
Shinichi Takechi
真一 武智
Takatoshi Goto
貴敏 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
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Publication of JPH0933352A publication Critical patent/JPH0933352A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the measuring precision by finding the relation of emissivity ratio to emissivity of P-polarized and S-polarized spectral components of a heat radiant light emitted in the direction of the radiating angle of polarizing angle (Brewster angle) of a thin film. SOLUTION: An emissivity relation arithmetic device 14 finds the functional relation of P-polarized emissivity to emissivity and the functional relation of S-polarized emissivity to emissivity, and the resulting data relating to the functional relations are stored in an emissivity function memory device 15. When the temperature of the surface of an object 1 to be temperature-measured is found, P-polarized emissivity is found from a prescribed expression by use of the P-polarized emissivity ratio obtained by an emissivity ratio arithmetic device 12A on the basis of a prescribed expression. By use of the S-polarized emissivity ratio, S-polarized emissivity is found from a prescribed expression. The temperature is found according to the Wien expression by use of the P- polarized and S-polarized emissivities.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜で被覆された
被測温物体表面から特定放射角度の方向に放射される熱
放射光の、特定波長成分分光のP偏光の放射輝度、及
び、S偏光の放射輝度を検出し、これらP偏光分光成分
放射輝度及びS偏光分光成分放射輝度から前記被測温物
体表面の温度を求めるようにした放射温度測定方法及び
放射温度計に係り、特に、被測温物体表面からの熱放射
光の強さを検出する際の誤差の、求められる被測温物体
表面の温度に対する影響の度合をより抑えて、求められ
る該温度の精度をより向上すると共に、該温度を求める
過程で逐次計算がなされないように配慮することで、実
行すべき演算や用いる装置の簡略化をはかることができ
る放射温度測定方法及び放射温度計に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to radiance of P-polarized light of a specific wavelength component spectrum of thermal radiation emitted from a surface of an object to be measured coated with a thin film in a direction of a specific radiation angle, and S. A radiant temperature measuring method and a radiant thermometer for detecting the radiance of polarized light and obtaining the temperature of the surface of the object to be measured from the radiances of the P-polarized spectral component and the S-polarized spectral component radiance. An error in detecting the intensity of heat radiation from the surface of the temperature-measuring object, further suppressing the degree of influence on the temperature of the temperature-measured object surface that is required, and further improving the accuracy of the required temperature, The present invention relates to a radiation temperature measuring method and a radiation thermometer capable of simplifying an operation to be performed and a device to be used by taking care so that sequential calculation is not performed in the process of obtaining the temperature.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から被測温物体表面の温度をウィー
ンの法則に基づき、該被測温物体表面からの熱放射光か
ら測定することが行われている。例えば、被測温物体表
面の温度に応じてその熱放射光の放射輝度(放射エネル
ギ)が変化するという、ウィーンの放射法則を用いた放
射温度測定方法や放射温度計が従来から用いられてい
る。あるいは、被測温物体表面の温度に応じてその熱放
射光の放射輝度(放射エネルギ)が最大になる波長が変
化するという、ウィーンの変位則を用いた放射温度測定
方法や放射温度計が用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, the temperature of the surface of an object to be measured has been measured from the heat radiation from the surface of the object to be measured based on Wien's law. For example, a radiant temperature measuring method and a radiant thermometer using the Wien's radiance law, in which the radiance (radiant energy) of the thermal radiant light changes according to the temperature of the surface of the object to be measured, have been conventionally used. . Alternatively, the radiation temperature measuring method using the Wien's displacement law or a radiation thermometer is used, in which the wavelength at which the radiance (radiant energy) of the thermal radiation changes to maximum depending on the temperature of the surface of the object to be measured. Has been.

【0003】又、近年では、波長や偏光角が互いに異な
る複数の放射輝度を検出し、これに基づいて被測温物体
表面での放射率を補正しながら,該被測温物体表面の温
度をより精度よく測定するという、放射率補正型の測温
技術が知られている。
Further, in recent years, a plurality of radiances having different wavelengths and polarization angles are detected, and the emissivity on the surface of the object to be measured is corrected based on the detected radiance, and the temperature of the surface of the object to be measured is measured. There is known an emissivity-corrected temperature measurement technique that measures more accurately.

【0004】例えば、特開平5−273045では、偏
光角が異なる2つの熱放射光の放射輝度、特にP偏光の
放射輝度とS偏光の放射輝度とから、これら2つの偏光
放射率を計算しながら、被測温物体表面の温度を求める
技術が開示されている。該特開平5−273045で
は、被測温物体表面が酸化物などの薄膜で被覆されてし
まった被測温物体表面を想定し、このような被測温物体
表面の温度測定誤差を改善するために、被測温物体表面
の薄膜のブリュースター角θbの放射角度の方向に放射
される熱放射光の放射輝度を検出するようにしている。
For example, in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 5-273045, while calculating the radiances of two thermal radiations having different polarization angles, particularly the radiances of P-polarized light and S-polarized light, the polarization emissivity of these two is calculated. , A technique for obtaining the temperature of the surface of a temperature-measured object is disclosed. In JP-A-5-273045, the surface of the object to be measured is assumed to be covered with a thin film such as an oxide, and the temperature measurement error of the surface of the object to be measured is improved. In addition, the radiance of the thermal radiation light emitted in the direction of the Brewster angle θb of the thin film on the surface of the object to be measured is detected.

【0005】ここで、上述の特開平5−273045に
開示されている測温技術を中心としながら、従来の放射
温度測定方法、及び放射温度計をこの順に説明する。
Here, a conventional radiation temperature measuring method and a radiation thermometer will be described in this order, focusing on the temperature measuring technique disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 5-273045.

【0006】まず、以下に述べる従来の放射温度測定方
法及び放射温度計と共に、本発明にも係る、「P偏
光」、「S偏光」、及び「ブリュースター角θb」につ
いて説明する。
First, "P-polarized light", "S-polarized light", and "Brewster angle θb" according to the present invention will be described together with the conventional radiation temperature measuring method and radiation thermometer described below.

【0007】図8は、酸化膜が形成される試料に対して
入射された光線の反射屈折経路を示す側面図である。
FIG. 8 is a side view showing a catadioptric path of a light beam incident on a sample on which an oxide film is formed.

【0008】この図8では、表面に酸化膜の薄膜3aが
形成されるステンレス鋼(SUS304)の母材3bで
ある、2層の媒質構造となった試料3が対象となってい
る。この図8では、このような試料3に対して、入射角
度θの空気中からの入射光の反射経路、又、屈折経路が
示される。この図8の左方から入射される、P偏光LP
およびS偏光LSを含む入射光LIは、まず直線偏光フ
ィルタ80を通過する。該直線偏光フィルタ80によっ
てS偏光LSが除去され、P偏光LPのみが試料3へ入
射される。
In FIG. 8, a sample 3 having a two-layer medium structure, which is a base material 3b of stainless steel (SUS304) on which an oxide thin film 3a is formed, is targeted. In FIG. 8, a reflection path and a refraction path of incident light from the air with an incident angle θ are shown for such a sample 3. P-polarized LP incident from the left side of FIG.
Incident light LI including and S-polarized light LS first passes through the linear polarization filter 80. The S polarization LS is removed by the linear polarization filter 80, and only the P polarization LP is incident on the sample 3.

【0009】ここで、P偏光とは、例えばこの図8の試
料3などの反射面に垂直な、入射光線を含む平面(該平
面を以降入射面と称する)と平行な、光の直線偏光成分
である。又、S偏光は、このようなP偏光に対して垂直
な直線偏光成分である。又、この図8では空気である
が、このようなものに限らず入射光線が入射する媒質
を、以降、媒質1と称する。上述のようなステンレス鋼
の場合に限らず、試料3の薄膜3aを媒質2と称し、母
材3bを媒質3と称する。
Here, the P-polarized light is, for example, a linearly polarized light component of light which is perpendicular to the reflecting surface of the sample 3 in FIG. 8 and which is parallel to a plane including an incident light ray (this plane is hereinafter referred to as an incident surface). Is. The S-polarized light is a linearly polarized light component perpendicular to the P-polarized light. Further, although it is air in FIG. 8, the medium into which the incident light beam is incident is not limited to this, and is hereinafter referred to as medium 1. Not limited to the case of stainless steel as described above, the thin film 3a of the sample 3 is referred to as the medium 2 and the base material 3b is referred to as the medium 3.

【0010】ここで、前記直線偏光フィルタ80を通過
した入射光線LIが入射角度θで前記試料3へ入射する
際、前記薄膜3a表面において、前述の入射角度θと同
一角度の反射角度θにて反射する、反射光線LR1が得
られる。
Here, when the incident light beam LI that has passed through the linear polarization filter 80 is incident on the sample 3 at an incident angle θ, the reflection angle θ is the same as the incident angle θ on the surface of the thin film 3a. A reflected ray LR1 that is reflected is obtained.

【0011】一方、このように入射角度θで入射した前
記入射光線LIは、空気(媒質1)と前記薄膜3a(媒
質2)との境界面において屈折角度φで屈折し、該薄膜
3a中を進む。又、該薄膜3a中を進むこの光線は、前
記薄膜3a(媒質2)と前記母材3b(媒質3)との境
界面で反射し、更に、空気(媒質1)と前記薄膜3a
(媒質2)との境界面で屈折し、反射光線LR2とな
る。
On the other hand, the incident light beam LI thus incident at the incident angle θ is refracted at the refraction angle φ at the boundary surface between the air (medium 1) and the thin film 3a (medium 2), so that the light beam passes through the thin film 3a. move on. Further, this light ray traveling through the thin film 3a is reflected at the boundary surface between the thin film 3a (medium 2) and the base material 3b (medium 3), and further, air (medium 1) and the thin film 3a.
It is refracted at the interface with (medium 2) and becomes a reflected light ray LR2.

【0012】ここで、ある媒質1から入射角度θで入射
し、該媒質1と媒質2との境界面での屈折角度がφのと
き、これら媒質1と媒質2との間における相対屈折率を
N(ただし、実数とする)とすれば、一般に次式が成り
立つ。
When a medium 1 is incident at an incident angle θ and the refraction angle at the interface between the medium 1 and the medium 2 is φ, the relative refractive index between the medium 1 and the medium 2 is If N is a real number, the following equation is generally established.

【0013】 (sinθ/sinφ)=N …(1)(Sin θ / sin φ) = N (1)

【0014】又、このように入射角度θで入射したP偏
光の媒質1と媒質2との境界面における反射率は、次式
のように表すことができる。
Further, the reflectance at the boundary surface between the medium 1 and the medium 2 of P-polarized light incident at the incident angle θ can be expressed by the following equation.

【0015】 Rp=|{tan(θ−φ)/{tan(θ+φ)}|2 …(2)Rp = | {tan (θ−φ) / {tan (θ + φ)} | 2 (2)

【0016】ここで、前述のブリュースター角θbは、
上記(2)式の反射率Rpが”0”となる、前述のよう
な入射角度θと定義される。従って、このようなブリュ
ースター角度θbでは、上記(2)式の右辺が”0”と
なるため、この時の入射角度θ及び屈折角度φについて
は、次式のような条件となる。なお、このブリュースタ
ー角θbは、試料3の材質や表面状態等の物性に大きく
依存する。
Here, the aforementioned Brewster angle θb is
It is defined as the above-mentioned incident angle θ at which the reflectance Rp of the above formula (2) becomes “0”. Therefore, with such a Brewster angle θb, the right side of the above equation (2) is “0”, so that the incident angle θ and the refraction angle φ at this time satisfy the following equations. The Brewster angle θb largely depends on the physical properties of the sample 3 such as the material and surface condition.

【0017】 tan(θb+φ)=∞ …(3a) θb+φ=(π/2) …(3b)Tan (θb + φ) = ∞ (3a) θb + φ = (π / 2) (3b)

【0018】即ち、図8に示される空気と前記薄膜3a
との間の境界面における前記反射光線LR1について考
えた場合、入射角度θがブリュースター角θbとなる
と、例えば図9のごとく(θ´=θb)、当該反射光線
LR1は存在しなくなる。ここで、上記(3b)式は、
次の(3c)式の如く変形することができる。又、該
(3c)式、及び、前記(1)式から、次の(4)式を
得ることができる。
That is, the air and the thin film 3a shown in FIG.
Considering the reflected ray LR1 at the boundary surface between and, when the incident angle θ becomes the Brewster angle θb, the reflected ray LR1 does not exist, for example, as shown in FIG. 9 (θ ′ = θb). Here, the above equation (3b) is
It can be transformed as in the following equation (3c). Further, the following equation (4) can be obtained from the equation (3c) and the equation (1).

【0019】 θb=(π/2)−φ …(3c) tanθb=N …(4)Θb = (π / 2) −φ (3c) tan θb = N (4)

【0020】ここで、光が反射する境界面には、通常凹
凸が存在し(表面状態)、又、光が境界面を通過した後
の媒質2には内部での光吸収等が存在するため、一般に
媒質2の相対屈折率は次式のように表すことができる。
なお、次式において、iは虚数であり、n及びkは、そ
れぞれ、屈折率の実数部及び虚数部である。なお、kは
減衰定数と考えることもできる。
Here, since the boundary surface where the light is reflected usually has unevenness (surface state), and the medium 2 after the light has passed through the boundary surface has internal light absorption and the like. Generally, the relative refractive index of the medium 2 can be expressed by the following equation.
In the following equation, i is an imaginary number, and n and k are a real part and an imaginary part of the refractive index, respectively. Note that k can also be considered as a damping constant.

【0021】 N=n+ik …(5)N = n + ik (5)

【0022】厳密に言うならば、前述の(4)式が成立
する入射角度θ(即ち、θ=θb)でも、P偏光の反射
率は必ずしも”0”とはならない。しかしながら、以下
の説明において、媒質2の複素屈折率の実数部をRe
(N)とした場合、次式で定義される入射角度をブリュ
ースター角θbと呼ぶことにする。
Strictly speaking, the reflectance of P-polarized light is not always "0" even at the incident angle θ (that is, θ = θb) where the above-mentioned expression (4) is established. However, in the following description, the real part of the complex refractive index of the medium 2 is Re
In the case of (N), the incident angle defined by the following equation will be referred to as Brewster angle θb.

【0023】 tanθ=Re(N) …(6)Tan θ = Re (N) (6)

【0024】以下、前述の特開平5−273045に開
示されている測温技術を中心とし、従来の放射温度測定
方法について説明する。
A conventional radiation temperature measuring method will be described below, centering on the temperature measuring technique disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 5-273045.

【0025】この放射温度測定方法では、まず、金属酸
化膜などの薄膜で被覆された金属などの被測温物体表面
から、前記薄膜のブリュースター角θbの方向に放射さ
れる、特定波長λ1 成分の分光のP偏光の熱放射光の放
射輝度Sp、及び、S偏光の熱放射光の放射輝度Ssを
検出する。又、これらP偏光分光成分放射輝度Sp、及
びS偏光分光成分放射輝度Ssから、被測温物体表面の
温度Tを求める。
In this radiation temperature measuring method, first, a specific wavelength λ1 component radiated in the direction of Brewster's angle θb of the thin film from the surface of a temperature-measured object such as a metal covered with a thin film such as a metal oxide film. The radiance Sp of the P-polarized thermal radiation light and the radiance Ss of the S-polarized thermal radiation light of the spectrum are detected. Further, the temperature T of the surface of the object to be measured is obtained from the P-polarized spectral component radiance Sp and the S-polarized spectral component radiance Ss.

【0026】ここで、P偏光分光成分の放射率をεpと
し、S偏光分光成分の放射率をεsとする。すると、輝
度温度とほぼ同等の前述のような放射輝度Sp及びSs
と、測定対象の真の温度Tとの間には、次の2つの式か
らなるウィーンの式がなりたつ。なお、次式において、
C2(=14388μm・K)はプランクの第2定数で
ある。
Here, the emissivity of the P-polarized spectral component is εp, and the emissivity of the S-polarized spectral component is εs. Then, the above-mentioned radiances Sp and Ss that are almost equal to the brightness temperature are obtained.
And the true temperature T of the object to be measured, there is a Wien's equation consisting of the following two equations. In the following equation,
C2 (= 14388 μm · K) is Planck's second constant.

【0027】 (1/T)=(1/Sp)+(λ1 /C2)ln(εp) …(7) (1/T)=(1/Ss)+(λ1 /C2)ln(εs) …(8)(1 / T) = (1 / Sp) + (λ1 / C2) ln (εp) (7) (1 / T) = (1 / Ss) + (λ1 / C2) ln (εs) (8)

【0028】ここで、上記(7)式及び(8)式からT
を消去すると、次式を導き出すことができる。
From the above equations (7) and (8), T
By eliminating, the following equation can be derived.

【0029】 (1/Ss)−(1/Sp)=(λ1 /C2)ln(εp/εs)…(9)(1 / Ss)-(1 / Sp) = (λ1 / C2) ln (εp / εs) (9)

【0030】又、上記(9)式にある放射率比、即ち
(εp/εs)が温度Tに依存しないことから、次式が
成り立つ。
Since the emissivity ratio in the above equation (9), that is, (εp / εs) does not depend on the temperature T, the following equation holds.

【0031】 εp=(εp0 /εs0 )・εs …(10)Εp = (εp0 / εs0) · εs (10)

【0032】一方、前記(7)式及び前記(8)式をそ
れぞれ変形して、次の2つの式を得ることができる。
On the other hand, the following two equations can be obtained by modifying the equations (7) and (8) respectively.

【0033】 εp0 =exp〔(C2/λ1 ){(1/T)−(1/Sp0 )}〕 …(11) εs0 =exp〔(C2/λ1 ){(1/T)−(1/Ss0 )}〕 …(12)Εp0 = exp [(C2 / λ1) {(1 / T)-(1 / Sp0)}] (11) εs0 = exp [(C2 / λ1) {(1 / T)-(1 / Ss0 )}]… (12)

【0034】ここで、P偏光に係る放射率εpと、S偏
光に係る放射率εsとの間には、一般に一定関係があ
る。この一定関係を相関関係関数g0 とすれば、次式の
ように表すことができる。ここで、このような相関関係
関数g0 は、予め求めておくことができる。このような
相関関係関数g0 や、次の(14)式によれば、放射率
εpと放射率εsとにあって、一方から他方を求めるこ
とができる。
Here, there is generally a fixed relationship between the emissivity εp for P-polarized light and the emissivity εs for S-polarized light. If this constant relationship is defined as a correlation function g0, it can be expressed as the following equation. Here, such a correlation function g0 can be obtained in advance. According to such a correlation function g0 and the following equation (14), it is possible to obtain the other from the emissivity εp and the emissivity εs.

【0035】 εp=g0 (εs) …(13)Εp = g 0 (εs) (13)

【0036】従来、放射温度測定方法に際しては、次に
列挙するステップS1〜S5が順次なされている。特
に、ステップS2〜S5は、温度Tが求められるまで繰
り返し実行されている。
Conventionally, in the radiation temperature measuring method, steps S1 to S5 listed below are sequentially performed. Particularly, steps S2 to S5 are repeatedly executed until the temperature T is obtained.

【0037】ステップS1:温度Tの初期値設定(温度
Tに仮にT1 を初期値として設定する。即ち、(T=T
1 )とする。又、放射輝度Sp、及び放射輝度Ssの初
期値を、それぞれ、実際に検出された放射輝度Sp0、
及び放射輝度Ss0 に設定する。
Step S1: Initial setting of temperature T (T1 is set as an initial value for the temperature T. That is, (T = T
1). In addition, the initial values of the radiance Sp and the radiance Ss are respectively the actually detected radiance Sp0,
And radiance Ss0.

【0038】ステップS2:放射率εp0 及びεs0 を
求める。即ち、与えられている放射輝度Sp及び放射輝
度Ss、又、与えられている温度Tを前述の(11)式
及び(12)式に代入して、放射率εp0 及び放射率ε
s0 を求める。
Step S2: Emissivity εp0 and εs0 are obtained. That is, the given radiance Sp and radiance Ss, and the given temperature T are substituted into the above equations (11) and (12) to obtain the emissivity εp0 and the emissivity ε.
Find s0.

【0039】ステップS3:放射率εp、及び放射率ε
sを求める。即ち、前記(10)式及び前記(13)式
を同時に満たす、放射率εp及び放射率εsを求める。
Step S3: Emissivity εp and emissivity ε
Find s. That is, the emissivity εp and the emissivity εs that simultaneously satisfy the expressions (10) and (13) are obtained.

【0040】ステップS4:温度T(=T(k+1))
を求める。即ち、ステップS3で求められた放射率εp
及び放射率εs、又、予め設定された放射輝度Sp及び
Ssを用いると共に、前記(7)式及び前記(8)式を
用いて温度T(=T(k+1))を求める。
Step S4: Temperature T (= T (k + 1))
Ask for. That is, the emissivity εp obtained in step S3
And emissivity εs, and preset radiances Sp and Ss are used, and the temperature T (= T (k + 1)) is calculated using the equations (7) and (8).

【0041】ステップS5:温度Tの演算完了の判定。
即ち、ステップS4で求められた温度Tについて、(T
(k+1))≠(T(k))ならば、改めて(T=T
(k+1))と仮定し、ステップS2から再び一連のス
テップS2〜S5を実行する。一方、(T(k+1)=
T(k))ならば、温度Tが求められたこととし、以上
の一連の演算を完了する。
Step S5: Determination of completion of calculation of temperature T.
That is, regarding the temperature T obtained in step S4, (T
If (k + 1)) ≠ (T (k)), another (T = T
(K + 1)), a series of steps S2 to S5 is executed again from step S2. On the other hand, (T (k + 1) =
If T (k)), it is determined that the temperature T has been obtained, and the series of operations described above is completed.

【0042】このように、従来の放射温度測定方法で
は、ステップS1〜S5の如く、多数の処理を逐次実行
するものである。特に、温度Tを求める際、場合によっ
ては、ステップS2〜S5が多数回繰り返し実行され
る。このように放射率を補正しながら、より精度良く温
度をTを求めることができる。
As described above, in the conventional radiation temperature measuring method, a large number of processes are sequentially executed as in steps S1 to S5. In particular, when obtaining the temperature T, steps S2 to S5 are repeatedly executed many times depending on the case. Thus, the temperature T can be obtained with higher accuracy while correcting the emissivity.

【0043】図10は、従来例の放射温度計の構成を示
すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram showing the structure of a conventional radiation thermometer.

【0044】この図10では、前述した測定原理の従来
の放射温度測定方法に基づいた放射温度計の構成が示さ
れる。この図10に示される如く、該放射温度計は検出
装置4Cと、温度計算装置9Cと、温度データ記憶出力
装置19とにより構成される。又、前記温度計算装置9
Cは、逐次計算部51と、初期設定部52と、再設定部
53と、データ記憶装置55と、放射率計算部57と、
温度計算部58と、処理判定部59とにより構成され
る。
FIG. 10 shows the construction of a radiation thermometer based on the conventional radiation temperature measuring method based on the above-described measurement principle. As shown in FIG. 10, the radiation thermometer comprises a detection device 4C, a temperature calculation device 9C, and a temperature data storage / output device 19. Also, the temperature calculation device 9
C is a sequential calculation unit 51, an initial setting unit 52, a resetting unit 53, a data storage device 55, an emissivity calculation unit 57,
The temperature calculation unit 58 and the process determination unit 59 are included.

【0045】前記検出装置4Cは、図11に示される如
く、検出部4a及び4bとにより構成される。又、これ
ら検出部4a及び4bは、それぞれ、直線偏光フィルタ
80と、集光光学部81と、光学フィルタ82と、測温
素子85と、データサンプリング回路86とにより構成
される。
As shown in FIG. 11, the detecting device 4C is composed of detecting portions 4a and 4b. Each of the detection units 4a and 4b includes a linear polarization filter 80, a condensing optical unit 81, an optical filter 82, a temperature measuring element 85, and a data sampling circuit 86.

【0046】まず、前記検出部4aであれば、前記直線
偏光フィルタ80はP偏光を抽出するものである。一
方、前記検出部4bであれば、該直線偏光フィルタ80
はS偏光を抽出するものである。
First, in the detection section 4a, the linear polarization filter 80 extracts P-polarized light. On the other hand, in the case of the detection unit 4b, the linear polarization filter 80
Is for extracting S-polarized light.

【0047】前記集光光学部81は、被測温物体1表面
からの熱放射光を後述する測温素子85へ集光する。前
記光学フィルタ82は、特定波長λ成分を分光する干渉
フィルタであり、具体的には、特定波長の赤外光を分光
する。
The condensing optical section 81 condenses the heat radiation light from the surface of the object 1 to be measured to the temperature measuring element 85 described later. The optical filter 82 is an interference filter that disperses a specific wavelength λ component, and specifically disperses infrared light having a specific wavelength.

【0048】次に、前記測温素子85は、前述の集光光
学部81によって集光される、特定波長λ成分分光のP
偏光、あるいはS偏光の放射輝度に従った、輝度温度S
pあるいはSsを検出する。前記データサンプリング回
路86は、外部からのタイミング信号に従って、前記測
温素子85で測定された前記輝度温度Sp又はSsのデ
ータを一時記憶し、出力する。
Next, the temperature measuring element 85 has a P of the specific wavelength λ component spectrum which is condensed by the condensing optical section 81.
Brightness temperature S according to the radiance of polarized light or S-polarized light
Detect p or Ss. The data sampling circuit 86 temporarily stores and outputs the data of the brightness temperature Sp or Ss measured by the temperature measuring element 85 according to a timing signal from the outside.

【0049】次に、前記温度計算装置9Cでは、前述の
ステップS1〜S5で示される処理が行われる。このよ
うな処理の際に用いられる、前記(13)式で前述した
相関関係関数g0 については、予め求められ、テーブル
データとして前記データ記憶装置55に記憶されてい
る。前記初期設定部52では、前述のステップS1の処
理がなされる。前記逐次計算部51では、前述のステッ
プS2の処理がなされる。前記放射率計算部57では、
前述のステップS3の処理がなされる。前記温度計算部
58では、前述のステップS4の処理がなされる。前記
処理判定部59では、前述のステップS5の処理がなさ
れる。前記再設定部53では、前述のステップS5で再
度計算を行うと判定された場合に、温度T等の再設定を
行う。
Next, in the temperature calculation device 9C, the processes shown in steps S1 to S5 described above are performed. The correlation function g0 described above in the equation (13) used in such processing is previously obtained and stored in the data storage device 55 as table data. In the initial setting section 52, the process of step S1 described above is performed. The sequential calculation unit 51 performs the process of step S2 described above. In the emissivity calculator 57,
The process of step S3 described above is performed. The temperature calculation unit 58 performs the process of step S4 described above. The process determination unit 59 performs the process of step S5 described above. The resetting unit 53 resets the temperature T and the like when it is determined in step S5 that the calculation is to be performed again.

【0050】次に、前記温度計算装置9Cで求めらた温
度Tのデータは、データ記憶装置19a及びデータ出力
装置19bで構成される前記温度データ記憶出力装置1
9を経て、外部へ出力される。ここで、前記データ記憶
装置19aは、当該温度データ記憶出力装置19へ入力
された温度データを一時記憶する。又、前記データ出力
装置19bは、前記データ記憶装置19aに一時記憶さ
れる温度データを外部へ出力する出力回路である。
Next, the data of the temperature T obtained by the temperature calculating device 9C is the temperature data storing / outputting device 1 constituted by the data storing device 19a and the data outputting device 19b.
It is output to the outside after passing through 9. Here, the data storage device 19a temporarily stores the temperature data input to the temperature data storage output device 19. The data output device 19b is an output circuit that outputs the temperature data temporarily stored in the data storage device 19a to the outside.

【0051】以上説明したような従来例の放射温度計に
よれば、前記(1)式〜前記(13)式を用いて前述し
たような放射温度測定方法を実際の放射温度計として構
成することができ、P偏光の放射輝度Sp、及びS偏光
の放射輝度Ssを検出し、放射率を補正しながらより精
度良く温度測定を行うことができる。
According to the radiation thermometer of the conventional example as described above, the radiation temperature measuring method as described above is configured as an actual radiation thermometer by using the equations (1) to (13). Therefore, it is possible to detect the P-polarized radiance Sp and the S-polarized radiance Ss, and perform the temperature measurement with higher accuracy while correcting the emissivity.

【0052】[0052]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平5−273045に係る従来の放射温度測定方法及
び放射温度計では、前述したS1〜S5の如く、温度を
求める過程で多数の処理による逐次計算が入る。このた
め、装置構成が複雑になってしまったり、処理内容が多
くなってしまうという問題がある。
However, in the conventional radiation temperature measuring method and radiation thermometer according to the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 5-273045, sequential calculation by a large number of processes is performed in the process of obtaining the temperature, as in S1 to S5 described above. Goes in. For this reason, there are problems that the device configuration becomes complicated and the processing content increases.

【0053】なお、2つの偏光角の異なる熱放射光の放
射輝度を検出して被測温物体表面の温度を測定する方法
として、他に特開平5−215610がある。これは、
放射率比(εp/εs)に対する、放射率の対数の比
〔ln(εp)〕/ln(εs)〕の、あるいは放射率
εpの、又は放射率εsの関係による放射率補正を行い
ながら、より精度よく温度を測定するという方法が開示
されている。しかしながら、この特開平5−21561
0では、放射輝度Spや放射輝度Ssを検出する検出器
の設置位置について考慮しておらず、このため検出器の
位置によっては、測定誤差が大きくなってしまうという
場合がある。例えば、被測温物体表面に対して真上付近
にこのような検出器が配置される場合、当該検出器の有
する誤差が、最終的に求められる温度に対して大きな影
響を与えてしまい、測温誤差が大きくなってしまうとい
う問題がある。
As another method for measuring the temperature of the surface of the object to be measured by detecting the radiances of the two thermal radiations having different polarization angles, there is JP-A-5-215610. this is,
While performing emissivity correction according to the ratio of the logarithm of the emissivity to the emissivity ratio (εp / εs) [ln (εp)] / ln (εs)], the emissivity εp, or the emissivity εs, A method of more accurately measuring temperature is disclosed. However, this Japanese Patent Laid-Open No. 5-21561
At 0, the installation position of the detector that detects the radiance Sp and the radiance Ss is not taken into consideration, and therefore the measurement error may increase depending on the position of the detector. For example, when such a detector is arranged right above the surface of the object to be measured, the error that the detector has has a great influence on the finally obtained temperature, and There is a problem that the temperature error becomes large.

【0054】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、被測温物体表面からの熱放射光の強
さを検出する際の誤差の、求められる被測温物体表面の
温度に対する影響の度合をより抑えて、求められる該温
度の精度をより向上すると共に、該温度を求める過程で
逐次計算がなされないように配慮することで、実行すべ
き演算の簡略化や、温度を求めるための装置(放射温度
計)の構成の簡素化を図ることが可能な放射温度測定方
法、及び放射温度計を提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, and the error in detecting the intensity of the heat radiation light from the surface of the object to be measured is the required surface of the object to be measured. The degree of influence on the temperature is further suppressed, the accuracy of the required temperature is further improved, and consideration is given so that sequential calculation is not performed in the process of obtaining the temperature, thereby simplifying the operation to be performed and the temperature. It is an object of the present invention to provide a radiation temperature measuring method and a radiation thermometer capable of simplifying the configuration of a device (radiation thermometer) for obtaining the temperature.

【0055】[0055]

【課題を解決するための手段】まず、本願の第1発明の
放射温度測定方法は、薄膜で被覆された被測温物体表面
から、特定放射角度方向に放射される熱放射光の内か
ら、特定波長成分分光のP偏光の放射輝度、及び、S偏
光の放射輝度を検出し、これらP偏光分光成分放射輝度
及びS偏光分光成分放射輝度から前記被測温物体表面の
温度を求めるようにした放射温度測定方法において、前
記薄膜のブリュースター角θbの放射角度の方向に放射
される熱放射光の、P偏光分光成分の放射率及びS偏光
分光成分の放射率の放射率比に対する、前記ブリュース
ター角θbの方向に放射される熱放射光に関する放射率
の関係を、放射率比対放射率関係として予め求めてお
き、前記被測温物体表面の温度を求める際には、まず、
前記P偏光分光成分放射輝度及び前記S偏光分光成分放
射輝度を検出し、検出されたこれらP偏光分光成分放射
輝度及びS偏光分光成分放射輝度に基づいて、前記放射
率比を求め、求められた該放射率比に基づいて、前記放
射率比対放射率関係から放射率を求め、該放射率に基づ
いて、前記被測温物体表面の温度を求めるようにしたこ
とにより、前記課題を解決することができる放射温度測
定方法を提供したものである。
First, the radiation temperature measuring method of the first invention of the present application is as follows. From the thermal radiation light radiated in a specific radiation angle direction from the surface of the temperature-measured object covered with a thin film, The P-polarized radiance and the S-polarized radiance of the specific wavelength component spectrum are detected, and the temperature of the surface of the temperature-measured object is obtained from the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance. In the radiation temperature measuring method, the brewing of the thermal radiation emitted in the direction of the Brewster angle θb of the thin film with respect to the emissivity ratio of the emissivity of the P-polarized spectroscopic component and the emissivity of the S-polarized spectroscopic component. When the relationship of the emissivity regarding the thermal radiation light radiated in the direction of the star angle θb is obtained in advance as the emissivity ratio-emissivity relationship, and the temperature of the surface of the object to be measured is obtained, first,
The P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance are detected, and the emissivity ratio is determined based on the detected P-polarized spectral component radiance and S-polarized spectral component radiance. The problem is solved by determining the emissivity from the emissivity ratio-to-emissivity relationship based on the emissivity ratio, and determining the temperature of the surface of the temperature-measuring object based on the emissivity. The present invention provides a radiation temperature measuring method capable of performing the measurement.

【0056】一方、本願の第2発明の放射温度計は、薄
膜で被覆された被測温物体表面から特定放射角度の方向
に放射される熱放射光の、特定波長成分分光のP偏光の
放射輝度、及び、S偏光の放射輝度を検出し、これらP
偏光分光成分放射輝度及びS偏光分光成分放射輝度から
前記被測温物体表面の温度を求めるようにした放射温度
計において、前記薄膜のブリュースター角θbの放射角
度の方向に放射される熱放射光の前記P偏光分光成分放
射輝度及び前記S偏光分光成分放射輝度をそれぞれ検出
する、受光部の面積が検出すべき熱放射光の放射角度の
許容範囲に応じて定められている測温素子と、前記被測
温物体表面からの熱放射光を前記測温素子の受光部へ集
光する集光光学部と、P偏光分光成分の放射率及びS偏
光分光成分の放射率の放射率比に対する、前記被測温物
体表面から前記ブリュースター角θbの方向に放射され
る熱放射光に関する放射率の関係である、予め求められ
た放射率比対放射率関係を記憶する放射率関係記憶装置
と、検出された前記P偏光分光成分放射輝度及び前記S
偏光分光成分放射輝度に基づいて、前記放射率比を求め
る放射率比演算装置と、求められた該放射率比に基づい
て、前記放射率比対放射率関係から放射率を求め、該放
射率に基づいて、前記被測温物体表面の温度を求める温
度計算装置とを備えたことにより、前記課題を解決する
ことができる放射温度計を提供したものである。
On the other hand, in the radiation thermometer of the second invention of the present application, the P-polarized radiation of the specific wavelength component spectrum of the thermal radiation light radiated from the surface of the temperature-measured object covered with the thin film in the direction of the specific radiation angle. The brightness and the radiance of S-polarized light are detected, and P
In a radiation thermometer for determining the temperature of the surface of the object to be measured from the polarization spectral component radiance and the S polarization spectral component radiance, the thermal radiation emitted in the direction of the Brewster angle θb of the thin film. A temperature measuring element for respectively detecting the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance, wherein the area of the light receiving portion is determined according to the allowable range of the radiation angle of the thermal radiation to be detected, A condensing optical unit that condenses the heat radiation light from the surface of the object to be measured to the light receiving unit of the temperature measuring element, and an emissivity ratio of the emissivity of the P-polarized spectral component and the S-polarized spectral component, An emissivity relationship storage device for storing a previously determined emissivity ratio-emissivity relationship, which is a relationship of emissivity related to thermal radiation emitted from the surface of the object to be measured in the direction of the Brewster angle θb, The detected P polarization spectral component radiance and S
An emissivity ratio calculating device for obtaining the emissivity ratio based on the polarization spectral component radiance, and an emissivity is obtained from the emissivity ratio versus the emissivity relationship based on the obtained emissivity ratio. Based on the above, a radiation thermometer that can solve the above problems is provided by including a temperature calculation device that obtains the temperature of the surface of the object to be measured.

【0057】[0057]

【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0058】図1は、前記第1発明及び前記第2発明が
適用された放射温度計の第1実施形態の構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a first embodiment of a radiation thermometer to which the first invention and the second invention are applied.

【0059】本実施形態は、被測温物体1表面からの熱
放射光について、被測温物体1表面、厳密には該被測温
物体1表面の薄膜(金属酸化膜)表面からの、ブリュー
スター角θbの放射角度方向に放射される、特定波長λ
成分分光のP偏光の熱放射光の放射輝度Spと、S偏光
の熱放射光の放射輝度Ssを検出することで、当該被測
温物体1表面の温度を求めている。本実施形態の放射温
度計は、検出装置4Aと、温度計算装置9Aと、前記温
度データ記憶出力装置19とにより構成される。又、前
記温度計算装置9Aは、放射率比演算装置12Aと、放
射率関係演算装置14及び放射率関係記憶装置15で構
成されるデータ記憶装置13と、温度計算装置17とを
有する。
In this embodiment, the heat radiation from the surface of the temperature-measured object 1 is brewed from the surface of the temperature-measured object 1 or, strictly speaking, from the surface of the thin film (metal oxide film) on the surface of the temperature-measured object 1. Specific wavelength λ emitted in the emission angle direction of the star angle θb
By detecting the radiance Sp of the P-polarized thermal radiation of the component spectrum and the radiance Ss of the S-polarized thermal radiation, the temperature of the surface of the temperature-measured object 1 is obtained. The radiation thermometer of this embodiment is composed of a detection device 4A, a temperature calculation device 9A, and the temperature data storage / output device 19. The temperature calculation device 9A includes an emissivity ratio calculation device 12A, a data storage device 13 including an emissivity relation calculation device 14 and an emissivity relation storage device 15, and a temperature calculation device 17.

【0060】以下、本実施形態の作用を説明しながら、
前述の温度計算装置9Aでなされる処理について合わせ
て説明する。
Hereinafter, while explaining the operation of the present embodiment,
The processing performed by the temperature calculation device 9A described above will also be described.

【0061】まず、従来例の説明で示した前記(9)式
を変形すると、次式を得ることができる。この式は、特
定波長λ成分分光のP偏光での放射率εpと、該特定波
長λ成分分光のS偏光での放射率εsとの比を求めるた
めの計算式である。又、この式を用い、放射輝度Sp及
びSsから放射率比(εp/εs)を求める演算は、前
記放射率比演算装置12Aにおいてなされている。
First, by modifying the equation (9) shown in the description of the conventional example, the following equation can be obtained. This formula is a calculation formula for obtaining the ratio of the emissivity εp for P-polarized light of the specific wavelength λ component spectrum and the emissivity εs for S-polarized light of the specific wavelength λ component spectrum. Further, using this equation, the emissivity ratio arithmetic unit 12A performs an operation for obtaining the emissivity ratio (εp / εs) from the radiances Sp and Ss.

【0062】 (εp/εs) =exp〔(C2/λ1 ){(1/Ss)−(1/Sp)}〕 …(14)(Εp / εs) = exp [(C2 / λ1) {(1 / Ss)-(1 / Sp)}] (14)

【0063】次に、放射率比(εp/εs)と放射率ε
pとの間、又、放射率比(εp/εs)と放射率εsと
の間には、被測温物体1に応じて、一定の関係がある。
これらの関係を、それぞれ、放射率比対放射率関係関数
f、あるいは、放射率比対放射率関係関数gとすれば、
次式を得ることができる。ここで、このような関数fや
関数gの関係は、予め求めておくことができる。本実施
形態において、これら関数f及び関数gは予め前記放射
率関係演算装置14にて求められ、得られたこれら関数
f及び関数gに関するデータはデータテーブルとして前
記放射率関係記憶装置15に記憶している。
Next, the emissivity ratio (εp / εs) and the emissivity ε
Depending on the object 1 to be measured, there is a certain relationship between p and p, or between the emissivity ratio (εp / εs) and the emissivity εs.
Let these relationships be the emissivity ratio-to-emissivity relationship function f or the emissivity ratio-to-emissivity relationship function g, respectively:
The following equation can be obtained. Here, such a relationship between the function f and the function g can be obtained in advance. In the present embodiment, these functions f and g are obtained in advance by the emissivity relation computing device 14, and the obtained data relating to these functions f and g are stored in the emissivity relation storage device 15 as a data table. ing.

【0064】 εp=f(εp/εs) …(15) εs=g(εp/εs) …(16)Εp = f (εp / εs) (15) εs = g (εp / εs) (16)

【0065】又、実際に被測温物体1表面の温度Tを求
める際には、前記(14)式に基づいて前記放射率演算
装置12Aで求められた放射率比(εp/εs)を用い
て、前記(15)式に基づいて放射率εpを求める。
又、該放射率比(εp/εs)を用いて、前記(16)
式に基づいて放射率εsを求める。更に、これら放射率
εp及び放射率εsが求められれば、前記(7)式や
(8)式などのウィーンの式に従って、温度Tを求める
ことができる。
When the temperature T of the surface of the object 1 to be measured is actually obtained, the emissivity ratio (εp / εs) obtained by the emissivity calculating unit 12A based on the equation (14) is used. Then, the emissivity εp is obtained based on the equation (15).
Further, by using the emissivity ratio (εp / εs), the above (16)
The emissivity εs is calculated based on the equation. Furthermore, if the emissivity εp and the emissivity εs are obtained, the temperature T can be obtained according to the Wien's equations such as the equations (7) and (8).

【0066】なお、前記(15)式を用いて放射率εp
を求めること、前記(16)式を用いて放射率εsを求
めること、更には、これら放射率εp及び放射率εsを
用いてウィーンの式に基づいて被測温物体1表面の温度
Tを求めることは、前記温度計算装置17で行われる。
又、このように温度Tが求められれば、前述した前記温
度データ記憶出力装置19を経て、求めた温度Tのデー
タを出力することができる。
It should be noted that the emissivity εp is calculated by using the above equation (15).
To obtain the emissivity εs using the above equation (16), and further to obtain the temperature T of the surface of the object 1 to be measured based on the Wien's equation using the emissivity εp and the emissivity εs. This is performed by the temperature calculation device 17.
Further, if the temperature T is obtained in this way, the data of the obtained temperature T can be output via the temperature data storage output device 19 described above.

【0067】図2は、前記第1実施形態に用いられる光
学系の構成を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing the structure of the optical system used in the first embodiment.

【0068】本実施形態での前記検出装置4Aの構成
は、基本的には、前記図11の従来例の前記検出装置4
Cと同じである。又、本実施形態では、前記測温素子8
5の受光部が十分小さくされていることが特徴である。
The structure of the detection device 4A in this embodiment is basically the same as the detection device 4 of the conventional example shown in FIG.
Same as C. In the present embodiment, the temperature measuring element 8
The feature is that the light receiving portion of 5 is made sufficiently small.

【0069】ここで、前記集光光学部81の光軸を考え
る。この光軸は、前記集光光学部81を例えば単純な光
学レンズとした場合の、当該レンズの中心の表面に対し
て直角に通る光軸に相当するものとする。ここで、符号
A1の部分と、符号A2で示される部分とでは、前述の
ような光軸までのそれぞれの距離が相互に異なる。する
と、符号A1の部分と、符号A2で示される部分とで
は、検出しようとする熱放射光の、被測温物体1からの
放射角度θが相互に異なる。例えば符号A1とした場合
放射角度はθ1であり、符号A2とした場合放射角度は
θ2である。
Now, consider the optical axis of the condensing optical section 81. This optical axis corresponds to an optical axis that passes at right angles to the center surface of the lens when the condensing optical unit 81 is, for example, a simple optical lens. Here, the distance indicated by the reference numeral A1 and the distance indicated by the reference numeral A2 are different from each other in the distance to the optical axis. Then, the radiation angle θ from the temperature-measured object 1 of the thermal radiation to be detected is different between the portion indicated by the reference numeral A1 and the portion indicated by the reference numeral A2. For example, when the code is A1, the radiation angle is θ1, and when the code is A2, the radiation angle is θ2.

【0070】従って、本実施形態では、受光部4aが図
2の符号A1の位置となるように配置した、受光部面積
を十分小さくした前記測温素子85に相当するものを用
いる。この様に小さくされる受光面積の大きさは、検出
すべき熱放射光の放射角度の許容範囲に応じて定められ
る。この様に受光部を小さくすることによって、所望の
放射角度、具体的にはブリュースター角度θbの熱放射
光のみをより厳密に抽出して、放射輝度を求めることが
できている。
Therefore, in this embodiment, the one corresponding to the temperature measuring element 85 in which the light receiving portion 4a is arranged so as to be at the position of the symbol A1 in FIG. The size of the light receiving area thus reduced is determined according to the allowable range of the radiation angle of the thermal radiation light to be detected. By reducing the size of the light receiving portion in this manner, it is possible to more exactly extract only the thermal radiation light having a desired radiation angle, specifically, the Brewster angle θb, to obtain the radiance.

【0071】以上説明したとおり、本実施形態について
は、例えば図10及び図11を用いて前述した従来例に
比べ、逐次計算される処理が軽減されている。特に、繰
り返し実行される処理がより削減されるように、本実施
形態では実行すべき処理が配慮されている。又、本実施
形態では、前記検出装置4Aがブリュースター角θbと
なるよう配置されているため、実施例として図6及び図
7を用いて後に詳しく述べるとおり、温度測定精度をよ
り向上することができる。
As described above, in the present embodiment, compared with the conventional example described above with reference to FIGS. 10 and 11, for example, the processing to be sequentially calculated is reduced. In particular, the processing to be executed is taken into consideration in this embodiment so that the processing that is repeatedly executed is further reduced. Further, in the present embodiment, since the detection device 4A is arranged so as to have the Brewster angle θb, it is possible to further improve the temperature measurement accuracy as will be described later in detail with reference to FIGS. 6 and 7 as an example. it can.

【0072】図3は、前記第1発明及び前記第2発明が
適用された放射温度計の第2実施形態の構成を示すブロ
ック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a second embodiment of a radiation thermometer to which the first invention and the second invention are applied.

【0073】本第2実施形態については、前記第1実施
形態と比較した場合、検出装置4Bが異なる。前記第1
実施形態では前記図11に示したようなP偏光とS偏光
を検出する前記検出部4a及び4bをそれぞれ有する前
記検出部4Aを用いていた。これに対して、本第2実施
形態では、図4に示すような検出装置4Bであり、前記
集光光学部81や前記測温素子85を、P偏光とS偏光
とで共用して用いている。
The second embodiment differs from the first embodiment in the detection device 4B. The first
In the embodiment, the detector 4A having the detectors 4a and 4b for detecting P-polarized light and S-polarized light as shown in FIG. 11 is used. On the other hand, in the second embodiment, the detection device 4B as shown in FIG. 4 uses the condensing optical unit 81 and the temperature measuring element 85 commonly for P-polarized light and S-polarized light. There is.

【0074】この図4において、前記検出装置4Bは、
直線偏光フィルタ本体80a及び80b、又、これが取
り付けられる偏光フィルタ枠80cで構成される直線偏
光フィルタ80Bと、前記集光光学部81と、前記光学
フィルタ82と、前記測温素子85と、前記データサン
プリング回路86と、ステップモータ73とにより構成
されている。
In FIG. 4, the detection device 4B is
Linear polarization filter main body 80a and 80b, and a linear polarization filter 80B configured with a polarization filter frame 80c to which the linear polarization filter main body 80a and 80b are attached, the condensing optical unit 81, the optical filter 82, the temperature measuring element 85, and the data. It is composed of a sampling circuit 86 and a step motor 73.

【0075】本実施形態では、前記ステップモータ73
によって前記直線偏光フィルタ80Bを回転させること
で、P偏光を抽出するようにも、S偏光を抽出するよう
にも設定することができる。ここで、前記直線偏光フィ
ルタ本体80a及び80bは、それぞれ、P偏光用、あ
るいはS偏光用である。
In this embodiment, the step motor 73 is used.
By rotating the linear polarization filter 80B, it is possible to set to extract P-polarized light or S-polarized light. Here, the linear polarization filter bodies 80a and 80b are for P polarization or S polarization, respectively.

【0076】図5は、本第2実施形態に用いられる放射
率比演算装置12Bの構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the emissivity ratio computing device 12B used in the second embodiment.

【0077】本実施形態では、前述のように、1つの前
記測温素子85等を、P偏光にも又S偏光にも用いてい
る。このため、P偏光の放射輝度SpとS偏光の放射輝
度Ssとを、同時に検出することはできない。このた
め、前記放射率比演算装置12Bに内蔵される、前記第
1実施形態と同様の前記放射率比演算装置12Aの前段
には、順次入力されるこれら放射輝度Sp及びSsを記
憶するための放射輝度記憶装置11が、当該放射率比演
算装置12B内で配置されている。
In this embodiment, as described above, one temperature measuring element 85 and the like are used for both P-polarized light and S-polarized light. Therefore, the P-polarized radiance Sp and the S-polarized radiance Ss cannot be detected at the same time. Therefore, in order to store these radiances Sp and Ss, which are sequentially input, in the previous stage of the emissivity ratio calculation device 12A similar to that of the first embodiment, which is built in the emissivity ratio calculation device 12B. The radiance storage device 11 is arranged in the emissivity ratio calculation device 12B.

【0078】このような本第2実施形態によれば、P偏
光とS偏光とで、前記集光光学部81、前記光学フィル
タ82、前記測温素子85及び前記データサンプル回路
86等を共用することができ、これらに関するコストを
低減することができる。
According to the second embodiment, the P-polarized light and the S-polarized light share the condensing optical section 81, the optical filter 82, the temperature measuring element 85, the data sampling circuit 86 and the like. It is possible to reduce the cost related to these.

【0079】なお、本第2実施形態において、前記直線
偏光フィルタ80Bを高速で回転させ、P偏光あるいは
S偏光となる位置にてパルス信号を発生し、該パルス信
号に同期させて、前記データサンプル回路86の取り込
みタイミングや、前記放射輝度記憶装置11の前記放射
輝度SpあるいはSsの取り込みタイミングを設定して
もよい。
In the second embodiment, the linear polarization filter 80B is rotated at a high speed to generate a pulse signal at a position where it becomes P-polarized light or S-polarized light, and the data sample is synchronized with the pulse signal. The fetch timing of the circuit 86 or the fetch timing of the radiance Sp or Ss of the radiance storage device 11 may be set.

【0080】[0080]

【実施例】以上説明した本実施形態については、下記の
表1に示される被測温物体1に関して、実際に多くのデ
ータを得ている。
EXAMPLE Regarding the present embodiment described above, many data were actually obtained for the temperature-measured object 1 shown in Table 1 below.

【0081】[0081]

【表1】 [Table 1]

【0082】この表1では、ステンレス鋼(SUS30
4)の母材の表面に酸化膜が形成されている被測温物体
1が前提とされ、前記(5)式に示される複素屈折率
の、屈折率実数部nと屈折率虚数部kの値が示されてい
る。なお、この表1では、温度測定の際に用いられる熱
放射光は、前記図11の前記光学フィルタ82で抽出さ
れる波長λが、1.4μmの特定波長成分分光となって
いる。
In Table 1, stainless steel (SUS30
Assuming that the temperature-measured object 1 has an oxide film formed on the surface of the base material of 4), the real part n of the refractive index n and the imaginary part k of the refractive index of the complex index of refraction shown in the equation (5) are calculated. Values are shown. In Table 1, the thermal radiation used for temperature measurement is a specific wavelength component spectrum in which the wavelength λ extracted by the optical filter 82 in FIG. 11 is 1.4 μm.

【0083】図6は、本実施形態においてブリュースタ
ー角θbに設定した場合の放射率比と放射率との関係を
示すグラフである。一方、図7は、ブリュースター角θ
b以外に設定したときの放射率比と放射率との関係を示
すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the emissivity ratio and the emissivity when the Brewster angle θb is set in this embodiment. On the other hand, FIG. 7 shows the Brewster angle θ.
It is a graph which shows the relationship between an emissivity ratio and emissivity when it sets to other than b.

【0084】これら図6及び図7における被測温物体1
の条件は、前述した表1の通りである。又、前記図6で
は、被測温物体1表面から薄膜の酸化膜のブリュースタ
ー角θbの放射角度の方向に放射される熱放射光を、図
1に示した検出装置4A又は図3に示した検出装置4B
で検出する。該ブリュースター角θbは、具体的には6
8度である。一方、前記図7では、ブリュースター角θ
bではない放射角度の方向に放射される熱放射光の放射
輝度を、これら図1に示した検出装置4A又は図3に示
した検出装置4Bで検出している。具体的には、この図
7での設定角度は10度である。
The object to be measured 1 shown in FIGS. 6 and 7
The conditions are as shown in Table 1 above. Further, in FIG. 6, the thermal radiation light radiated from the surface of the temperature-measured object 1 in the radiation angle direction of the Brewster angle θb of the thin oxide film is shown in the detection device 4A or FIG. 3 shown in FIG. Detector 4B
To detect. Specifically, the Brewster angle θb is 6
8 degrees. On the other hand, in FIG. 7, the Brewster angle θ
The radiance of the thermal radiation light radiated in the direction of the radiation angle other than b is detected by the detection device 4A shown in FIG. 1 or the detection device 4B shown in FIG. Specifically, the set angle in FIG. 7 is 10 degrees.

【0085】まず、ブリュースター角θbの場合の前記
図6に注目すると、放射率比(εp/εs)が1.0か
ら5.0まで変化しても、放射率εpは僅か0.2程度
しか変化していない。比較して、ブリュースター角では
ない前記図7では、放射率比(εp/εs)が1.0か
ら1.025程度変化しただけでも、放射率εpは1.
0から0.3まで大幅に変化している。
First, paying attention to FIG. 6 for the Brewster angle θb, even when the emissivity ratio (εp / εs) changes from 1.0 to 5.0, the emissivity εp is only about 0.2. Only changed. In comparison, in FIG. 7, which is not the Brewster angle, the emissivity εp is 1. even if the emissivity ratio (εp / εs) changes from about 1.0 to 1.025.
It has changed drastically from 0 to 0.3.

【0086】ここで、図1に示した検出装置4Aから出
力される放射輝度Spの誤差や、図3に示した検出装置
4Bから出力される放射輝度Ssの誤差は、放射率εp
や放射率εs、更には放射率比(εp/εs)に対して
影響を与える。ここで、放射輝度Sp及びSsを検出し
て最終的に温度Tを求める過程で放射率比(εp/ε
s)から放射率εpやεsを求める際、放射輝度Spや
Ssの誤差に起因する放射率比(εp/εs)の変化に
対して、放射率εpの変化が小さいほど、あるいは放射
率εsの変化が小さいほど、(15)式で求められる放
射率εpや前記(16)式で求められる放射率εsの誤
差も小さくなり、従って最終的に求められる温度Tの誤
差も小さくなる。
The error of the radiance Sp output from the detector 4A shown in FIG. 1 and the error of the radiance Ss output from the detector 4B shown in FIG.
And the emissivity εs and the emissivity ratio (εp / εs). Here, in the process of detecting the radiances Sp and Ss and finally obtaining the temperature T, the emissivity ratio (εp / ε
When the emissivity εp or εs is obtained from s), the smaller the change in the emissivity εp or the smaller the emissivity εs with respect to the change in the emissivity ratio (εp / εs) caused by the error in the radiance Sp or Ss. The smaller the change, the smaller the error in the emissivity εp obtained by the equation (15) and the error in the emissivity εs obtained by the equation (16), and therefore the error in the temperature T finally obtained.

【0087】このことを考えると、前記図6及び前記図
7のグラフの傾向から明らかな通り、ブリュースター角
θbに設定した方が、求められる温度Tの精度が高いこ
とが分かる。例えば、被測温物体1の表面に酸化膜が徐
々に成長していく場合にも、より高精度の測温が可能と
なる。
Considering this, as is clear from the trends in the graphs of FIGS. 6 and 7, it can be seen that the temperature T obtained is more accurate when the Brewster angle θb is set. For example, even when an oxide film gradually grows on the surface of the object 1 to be measured, the temperature can be measured with higher accuracy.

【0088】この点については、下記の表2に示す通り
である。この表2では、前記表1に示されるような被測
温物体1において、前記図6の条件で求められた放射率
比ER2と、これに対する測温誤差(ΔT/ΔS)が示
されている。又、前記図7の条件で求められた放射率比
ER1と、これに対する測温誤差(ΔT/ΔS)が示さ
れている。
This point is as shown in Table 2 below. In Table 2, the emissivity ratio ER2 obtained under the conditions of FIG. 6 and the temperature measurement error (ΔT / ΔS) for the object 1 to be measured as shown in Table 1 are shown. . Further, the emissivity ratio ER1 obtained under the conditions of FIG. 7 and the temperature measurement error (ΔT / ΔS) corresponding thereto are shown.

【0089】[0089]

【表2】 [Table 2]

【0090】この表2において、例えば酸化膜厚が0.
1μmでは、ブリュースター角θbとした前記図3の条
件では(ΔT/ΔS)が0.889なのに対し、前記図
7の条件では(ΔT/ΔS)が137.4となり、ブリ
ュースター角θbとした方がはるかに誤差が小さい。即
ち、検出された放射輝度の誤差の、求められる温度Tに
対する影響による誤差が小さい。
In Table 2, for example, when the oxide film thickness is 0.
At 1 μm, (ΔT / ΔS) is 0.889 under the condition of FIG. 3 which is the Brewster angle θb, whereas (ΔT / ΔS) is 137.4 under the condition of FIG. 7, which is the Brewster angle θb. The error is much smaller. That is, the error due to the influence of the detected radiance error on the required temperature T is small.

【0091】[0091]

【発明の効果】以上説明した通り、前記第1発明及び前
記第2発明によれば、被測温物体表面からの熱放射光の
強さを検出する際の誤差の、求められる被測温物体表面
の温度に対する影響の度合をより抑えて、求められる該
温度の精度をより向上すると共に、該温度を求める過程
で多数の処理の逐次計算がなされないように配慮するこ
とで、実行すべき演算の簡略化や、温度を求めるための
装置(放射温度計)の構成の簡素化を図ることができる
という優れた効果を得ることができる。
As described above, according to the first invention and the second invention, the temperature of the object to be measured, which is required for the error in detecting the intensity of the heat radiation light from the surface of the object to be measured, is calculated. An operation to be executed by further suppressing the degree of influence on the temperature of the surface, further improving the accuracy of the required temperature, and taking care that a large number of processes are not sequentially calculated in the process of obtaining the temperature. It is possible to obtain the excellent effect that the device can be simplified and the configuration of the device (radiation thermometer) for obtaining the temperature can be simplified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本願の第1発明の放射温度測定方法及び第2発
明の放射温度計が適用された放射温度計の第1実施形態
の構成を示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a first embodiment of a radiation thermometer to which a radiation temperature measuring method of a first invention of the present application and a radiation thermometer of a second invention are applied.

【図2】前記第1実施形態に用いられる光学系を示す側
面図
FIG. 2 is a side view showing an optical system used in the first embodiment.

【図3】前記第1発明及び前記第2発明が適用される放
射温度計の第2実施形態の構成を示すブロック図
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a second embodiment of a radiation thermometer to which the first invention and the second invention are applied.

【図4】前記第2実施形態に用いられる検出装置の構成
を示すブロック図
FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a detection device used in the second embodiment.

【図5】前記第2実施形態に用いられる放射率比演算装
置の構成を示すブロック図
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of an emissivity ratio computing device used in the second embodiment.

【図6】前記被測温物体の条件例におけるブリュースタ
ー角とした場合の放射率比と放射率との関係を示すグラ
FIG. 6 is a graph showing the relationship between the emissivity ratio and the emissivity when the Brewster angle is used in the condition example of the temperature-measuring object.

【図7】前記被測温物体の条件例におけるブリュースタ
ー角ではない角度とした場合の放射率比と放射率との関
係を示すグラフ
FIG. 7 is a graph showing a relationship between an emissivity ratio and an emissivity when an angle other than Brewster's angle is set in the condition example of the temperature-measuring object.

【図8】薄膜で被覆された被測温物体表面での入射光線
の反射を示す側面図
FIG. 8 is a side view showing reflection of incident light rays on the surface of the temperature-measured object covered with a thin film.

【図9】薄膜で被覆された被測温物体表面のブリュース
ター角での入射光線の反射を示す側面図
FIG. 9 is a side view showing reflection of an incident light ray at the Brewster's angle on the surface of the temperature-measured object coated with the thin film.

【図10】従来例の放射温度計の構成を示すブロック図FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of a conventional radiation thermometer.

【図11】前記従来例に用いられる検出装置の構成を示
すブロック図
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a detection device used in the conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…被測温物体 3…試料 3a…薄膜 3b…母材 4A〜4C…検出装置 4a、4b…検出部 9A〜9C…温度計算装置 11…放射温度記憶装置 12A、12B…放射率比演算装置 13、19a、55…データ記憶装置 14…放射率関係演算装置 15…放射率関係記憶装置 17…温度計算装置 19…温度データ記憶出力装置 19b…データ出力装置 51…逐次計算部 52…初期設定部 53…再設定部 57…放射率計算部 58…温度計算部 59…処理判定部 73…ステップモータ 80…直線偏光フィルタ 80a、80b…直線偏光フィルタ本体 80c…直線偏光フィルタ取付枠 81…集光光学部 85…測温素子 86…データサンプリング回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Object to be measured 3 ... Sample 3a ... Thin film 3b ... Base material 4A-4C ... Detection device 4a, 4b ... Detection part 9A-9C ... Temperature calculation device 11 ... Radiation temperature storage device 12A, 12B ... Emissivity ratio calculation device 13, 19a, 55 ... Data storage device 14 ... Emissivity relation calculation device 15 ... Emissivity relation storage device 17 ... Temperature calculation device 19 ... Temperature data storage output device 19b ... Data output device 51 ... Sequential calculation part 52 ... Initial setting part 53 ... Re-setting unit 57 ... Emissivity calculating unit 58 ... Temperature calculating unit 59 ... Processing determining unit 73 ... Step motor 80 ... Linear polarizing filter 80a, 80b ... Linear polarizing filter main body 80c ... Linear polarizing filter mounting frame 81 ... Condensing optics Part 85 ... Temperature measuring element 86 ... Data sampling circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武智 真一 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社千葉製鉄所内 (72)発明者 後藤 貴敏 千葉県千葉市中央区川崎町1番地 川崎製 鉄株式会社千葉製鉄所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Shinichi Takechi Inventor 1 Kawasaki-cho, Chuo-ku, Chiba-shi, Chiba Kawasaki Steel Corporation Chiba Works (72) Inventor Takatoshi Goto 1 Kawasaki-cho, Chuo-ku, Chiba Chiba Chiba Steel Works, Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】薄膜で被覆された被測温物体表面から特定
放射角度の方向に放射される熱放射光の内から、特定波
長成分分光のP偏光の放射輝度、及び、S偏光の放射輝
度を検出し、これらP偏光分光成分放射輝度及びS偏光
分光成分放射輝度から前記被測温物体表面の温度を求め
るようにした放射温度測定方法において、 前記薄膜のブリュースター角θbの放射角度の方向に放
射される熱放射光の、P偏光分光成分の放射率及びS偏
光分光成分の放射率の放射率比に対する、前記ブリュー
スター角θbの方向に放射される熱放射光に関する放射
率の関係を、放射率比対放射率関係として予め求めてお
き、 前記被測温物体表面の温度を求める際には、まず、前記
P偏光分光成分放射輝度及び前記S偏光分光成分放射輝
度を検出し、 検出されたこれらP偏光分光成分放射輝度及びS偏光分
光成分放射輝度に基づいて、前記放射率比を求め、 求められた該放射率比に基づいて、前記放射率比対放射
率関係から放射率を求め、 該放射率に基づいて、前記被測温物体表面の温度を求め
るようにしたことを特徴とする放射温度測定方法。
1. A radiance of P-polarized light and a radiated brightness of S-polarized light of a specific wavelength component spectrum from among thermal radiated light radiated in a direction of a specific radiation angle from a surface of an object to be measured coated with a thin film. Of the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance to obtain the temperature of the surface of the object to be measured in the radiant temperature measurement method, The relationship of the emissivity of the thermal radiation emitted in the direction of the Brewster angle θb to the emissivity ratio of the P-polarized spectral component and the S-polarized spectral component of the thermal radiation emitted to , The emissivity ratio to the emissivity relationship is obtained in advance. When obtaining the temperature of the surface of the temperature-measured object, first, the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance are detected and detected. It was The emissivity ratio is determined based on the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance, and the emissivity is determined from the emissivity ratio-emissivity relationship based on the determined emissivity ratio. A radiation temperature measuring method, characterized in that the temperature of the surface of the object to be measured is obtained based on the emissivity.
【請求項2】薄膜で被覆された被測温物体表面から特定
放射角度の方向に放射される熱放射光の、特定波長成分
分光のP偏光の放射輝度、及び、S偏光の放射輝度を検
出し、これらP偏光分光成分放射輝度及びS偏光分光成
分放射輝度から前記被測温物体表面の温度を求めるよう
にした放射温度計において、 前記薄膜のブリュースター角θbの放射角度の方向に放
射される熱放射光の、前記P偏光分光成分放射輝度及び
前記S偏光分光成分放射輝度をそれぞれ検出する、受光
部の面積が検出すべき熱放射光の放射角度の許容範囲に
応じて定められている測温素子と、 前記被測温物体表面からの熱放射光を前記測温素子の受
光部へ集光する集光光学部と、 P偏光分光成分の放射率及びS偏光分光成分の放射率の
放射率比に対する、前記被測温物体表面から前記ブリュ
ースター角θbの方向に放射される熱放射光に関する放
射率の関係である、予め求められた放射率比対放射率関
係を記憶する放射率関係記憶装置と、 検出された前記P偏光分光成分放射輝度及び前記S偏光
分光成分放射輝度に基づいて、前記放射率比を求める放
射率比演算装置と、 求められた該放射率比に基づいて、前記放射率比対放射
率関係から放射率を求め、該放射率に基づいて、前記被
測温物体表面の温度を求める温度計算装置とを備えたこ
とを特徴とする放射温度計。
2. A P-polarized radiance and a S-polarized radiance of a specific wavelength component spectrum of thermal radiation emitted from a surface of a temperature-measured object coated with a thin film in a direction of a specific radiation angle are detected. Then, in a radiation thermometer that determines the temperature of the surface of the object to be measured from these P-polarized spectral component radiance and S-polarized spectral component radiance, radiation is performed in the direction of the Brewster angle θb of the thin film. The area of the light receiving portion for detecting the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance of the thermal radiated light is determined according to the allowable range of the radiation angle of the thermal radiated light to be detected. A temperature-measuring element, a condensing optical section for condensing heat radiation light from the surface of the temperature-measuring object to a light-receiving section of the temperature-measuring element, and an emissivity of a P-polarized spectral component and an S-polarized spectral component. The measured temperature against the emissivity ratio An emissivity relationship storage device for storing a previously determined emissivity ratio-emissivity relationship, which is a relationship of emissivity relating to thermal radiation emitted from the body surface in the direction of the Brewster angle θb; An emissivity ratio calculator for obtaining the emissivity ratio based on the P-polarized spectral component radiance and the S-polarized spectral component radiance, and the emissivity ratio-to-emissivity relationship based on the obtained emissivity ratio. And a temperature calculator for calculating the temperature of the surface of the object to be measured based on the emissivity.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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