JPH09329899A - Production of electrophotographic photoreceptor and producing device - Google Patents

Production of electrophotographic photoreceptor and producing device

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JPH09329899A
JPH09329899A JP8149343A JP14934396A JPH09329899A JP H09329899 A JPH09329899 A JP H09329899A JP 8149343 A JP8149343 A JP 8149343A JP 14934396 A JP14934396 A JP 14934396A JP H09329899 A JPH09329899 A JP H09329899A
Authority
JP
Japan
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functional layers
absorbance
wavelength
film thickness
functional
Prior art date
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Pending
Application number
JP8149343A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Nishimura
康治 西村
Takanao Suzuki
孝尚 鈴木
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Xerox Co Ltd filed Critical Fuji Xerox Co Ltd
Priority to JP8149343A priority Critical patent/JPH09329899A/en
Publication of JPH09329899A publication Critical patent/JPH09329899A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To control a thickness of each functional layer by using an intermediate product or finished product obtd. in the production processes. SOLUTION: An electrophotographic photoreceptor is produced by successively forming plural different functional layers on a conductive base body. In this case, after each functional layer is formed, the absorbance of the formed layer is measured by using the light of such wavelength that is specifically absorbed by the objective layer but is hardly absorbed by the functional layers previously formed under the objective layer. The film thickness is determined by using the measured absorbance and the formula to calculate the film thickness from the obtd. absorbance. When the obtd. film thickness differs from the designed film thickness, the drawing speed of the electrophotographic photoreceptor from a coating tank filled with a coating liquid for the functional layer is changed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性基体表面上
に有機系材料を含む複数の異なる機能層を順次積層して
なる電子写真感光体の製造方法及び製造装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member in which a plurality of different functional layers containing an organic material are sequentially laminated on the surface of a conductive substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、複写機やプリンタ等の電子写
真装置に使用される電子写真感光体において、アルミニ
ウムやステンレス等で構成された導電性基体上に有機系
の光導電性材料を電子写真プロセス上の機能に応じて順
次積層させたものが知られている。このような電子写真
感光体は、各機能層を構成するための有機系光導電性材
料が結着樹脂と共に有機溶剤に溶解又は分散された塗布
液を導電性基体の上に順次塗布、乾燥させることにより
製造されている。この塗布液の塗布方法として多くの工
法が知られており、例えば、スプレー塗布法、ロールコ
ート法、浸漬塗布法等が挙げられる。このうち浸漬塗布
法は、前述の塗布液を満たした塗布槽に導電性基体を浸
漬した後にこれを一定速度で引き上げることにより、機
能層を形成する方法であり、その生産性の高さから多く
の感光体の製造において利用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an electrophotographic photosensitive member used in an electrophotographic apparatus such as a copying machine or a printer, an organic photoconductive material is electrophotographically formed on a conductive substrate made of aluminum, stainless steel or the like. It is known that layers are sequentially laminated according to the function in the process. In such an electrophotographic photoreceptor, a coating liquid in which an organic photoconductive material for forming each functional layer is dissolved or dispersed in an organic solvent together with a binder resin is sequentially coated on a conductive substrate and dried. It is manufactured by Many methods are known as coating methods for this coating liquid, and examples thereof include a spray coating method, a roll coating method, and a dip coating method. Of these, the dip coating method is a method of forming a functional layer by immersing a conductive substrate in a coating tank filled with the above-mentioned coating liquid and then pulling it up at a constant speed, and it is often used because of its high productivity. Are used in the manufacture of the photoconductors.

【0003】しかし、浸漬塗布法では、塗布槽内の塗布
液から有機溶剤が蒸発しやすい為、粘度や濃度の変動が
発生しやすく、塗布液の粘度や濃度の変化に伴い塗布膜
厚が変化するので、均一な塗膜を形成することが難し
い。その為、各機能層の塗布工程毎に引き上げ速度や塗
布液粘度等を調整して塗布膜厚の変動を低減すると共に
塗布膜厚を測定して所望の膜厚が得られたか否かを検査
している。
However, in the dip coating method, since the organic solvent easily evaporates from the coating liquid in the coating tank, the viscosity and the concentration are likely to change, and the coating film thickness changes as the viscosity and the concentration of the coating liquid change. Therefore, it is difficult to form a uniform coating film. Therefore, the variation of the coating film thickness is reduced by adjusting the pulling rate and the coating liquid viscosity for each coating process of each functional layer, and the coating film thickness is measured to check whether or not the desired film thickness is obtained. are doing.

【0004】そして、塗布膜厚の測定方法として、従来
から、段差計、表面荒さ計、渦電流膜厚計等を用いた接
触式膜厚測定方法や、色彩色差計、静電容量式膜厚計、
蛍光X線膜厚計、ベータ線膜厚計、光干渉式膜厚計、光
吸収法を用いた膜厚測定方法等の非接触式膜厚測定方
法、又は、光学顕微鏡、電子顕微鏡等で試料断面を観察
する写真法等が知られている。
Conventionally, as a method for measuring the coating film thickness, a contact type film thickness measuring method using a step gauge, a surface roughness meter, an eddy current film thickness meter, a color difference meter, a capacitance type film thickness, etc. Total,
Fluorescent X-ray film thickness meter, beta ray film thickness meter, optical interference type film thickness meter, non-contact type film thickness measuring method such as film thickness measuring method using light absorption method, or sample with optical microscope, electron microscope, etc. A photographic method for observing a cross section is known.

【0005】このうち、接触式膜厚測定方法及び写真法
は、感光体自身を傷つけるため、測定に使用された感光
体を製品として使用できないという欠点を持っている。
また、非接触式膜厚方法においても、色彩色差計では、
電荷発生層のような顔料分散層の膜厚を測定することは
できるが、下引層、電荷輸送層のように顔料を含有しな
い透明な層の膜厚を測定できず、静電容量式膜厚計では
測定精度、測定分解能等に問題があり、蛍光X線膜厚計
やベータ線膜厚計等では特別な施設が必要となる。
Among these, the contact type film thickness measuring method and the photographic method have a drawback that the photoreceptor used for the measurement cannot be used as a product because it damages the photoreceptor itself.
Moreover, even in the non-contact type film thickness method, in the colorimeter,
It is possible to measure the thickness of a pigment dispersion layer such as a charge generation layer, but it is not possible to measure the thickness of a transparent layer that does not contain a pigment such as an undercoat layer or a charge transport layer. Thickness gauges have problems in measurement accuracy and measurement resolution, and fluorescent X-ray film thickness meters and beta ray film thickness meters require special facilities.

【0006】一方、光の多重反射による干渉効果を利用
する光干渉式膜厚計を用いた膜厚測定方法は、比較的平
易且つ短時間での評価が可能なことから、電子写真感光
体の下引層や電荷輸送層のような透明膜の膜厚を測定す
る場合によく用いられており、例えば、特開平4−33
6540号公報では、該方式にて電子写真感光体の下引
層及び電荷輸送層の膜厚を評価して、各塗布工程の塗布
速度を制御する方法が開示されている。
On the other hand, the film thickness measuring method using the light interference type film thickness meter which utilizes the interference effect due to the multiple reflection of light can be evaluated relatively easily and in a short time. It is often used when measuring the film thickness of a transparent film such as an undercoat layer or a charge transport layer.
Japanese Patent No. 6540 discloses a method of controlling the coating speed in each coating step by evaluating the film thickness of the undercoat layer and the charge transport layer of the electrophotographic photosensitive member by this method.

【0007】また、膜厚によって該膜による光の吸収が
変動することを利用する光吸収法を用いた膜厚測定方法
も、比較的平易且つ短時間での評価が可能なことから、
電子写真感光体の膜厚測定によく用いられている。光吸
収法で用いられる実用的な特性値としては、吸収率、反
射率等が挙げられ、いずれも膜への入射光量と反射光量
との比を表すものである。これらの特性値は測定対象の
膜厚と相関関係が有る場合が多く、このような場合、得
られた特性値と予め求めておいた換算式とから膜厚を換
算することが可能である。例えば、特開平6−1306
83号公報では、電子写真感光体の画像形成域外の部分
の基体表面上に下引層を設けることなく直接電荷発生層
の膜を設け、分光光度計により得られた当該位置の光吸
収スペクトルより特定単一波長の入射光量と反射光量の
比、即ち、光の吸収率を求め膜厚を換算する方法が開示
されている。
Further, a film thickness measuring method using a light absorption method, which utilizes the fact that the absorption of light by the film varies depending on the film thickness, can be evaluated relatively easily and in a short time.
It is often used to measure the film thickness of electrophotographic photoreceptors. Practical characteristic values used in the light absorption method include absorptance, reflectance, etc., each of which represents the ratio of the amount of incident light to the film and the amount of reflected light. In many cases, these characteristic values have a correlation with the film thickness to be measured, and in such a case, the film thickness can be converted from the obtained characteristic value and the conversion formula obtained in advance. For example, JP-A-6-1306
No. 83 discloses that a film of a charge generation layer is directly provided on the surface of a substrate outside the image forming area of an electrophotographic photosensitive member without providing an undercoat layer, and a light absorption spectrum at that position obtained by a spectrophotometer is used. A method of calculating the ratio of the incident light amount and the reflected light amount of a specific single wavelength, that is, the light absorptance and converting the film thickness is disclosed.

【0008】しかし、上記2つの方法は、実際の電子写
真感光体製造工程で使用できない場合がある。例えば、
近年主流となっているディジタルカラー複写機やプリン
タ等に用いられる電子写真感光体の場合、ホーニング
法、エッチング法、剛体球落下/衝突法、凹凸形状円筒
体圧接法、研削/切削法、レーザー照射法、高圧水噴射
法等のように機械的に基体表面を荒らす方法、陽極酸化
法、ベーマイト処理法、加熱酸化処理法等のように基体
表面に酸化処理を行う方法、干渉縞防止の為の中間層を
感光層と基体表面間に設ける方法等によって、導電性基
体表面や下引層界面の粗度を高くして膜の干渉縞を防止
することが一般に行われている。このように干渉縞防止
処理が施された導電性基体上の薄膜に干渉型膜厚計の光
を投光した場合、特開平4−336540号公報に示さ
れた方法では、荒れた基体表面又は下引層界面の散乱に
より光の干渉スペクトルが検出できない。また、干渉縞
防止策を施していない場合においても、下引層と電荷発
生層を順次積層させた試料、又は下引層と電荷発生層と
電荷輸送層とを順次積層させた試料では、導電性基体表
面と各層界面での多重干渉が発生するため、導電性基体
上に下引層、電荷発生層及び電荷輸送層のいずれか1層
のみを形成した膜厚測定用の特別なサンプルを使用しな
ければ膜厚を算出するための波形を検出することができ
ない。即ち、該方法では、製造工程上で得られる中間製
品そのものを用いて測定を行うことができない。
However, there are cases where the above two methods cannot be used in the actual manufacturing process of the electrophotographic photosensitive member. For example,
In the case of electrophotographic photoreceptors used in digital color copying machines and printers, which have become mainstream in recent years, honing method, etching method, hard sphere drop / collision method, concavo-convex shape cylindrical body pressure welding method, grinding / cutting method, laser irradiation Method, a method of mechanically roughening the substrate surface such as a high-pressure water jet method, a method of oxidizing the substrate surface such as an anodizing method, a boehmite treatment method, a heat oxidation treatment method, and the like to prevent interference fringes. It is generally practiced to increase the roughness of the conductive substrate surface or the interface of the undercoat layer to prevent the interference fringes of the film by providing an intermediate layer between the photosensitive layer and the substrate surface. When light from an interference-type film thickness meter is projected onto a thin film on a conductive substrate that has been subjected to interference fringe prevention treatment in this way, the method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-336540 discloses a rough substrate surface or The interference spectrum of light cannot be detected due to the scattering at the interface of the undercoat layer. Even when the interference fringe prevention measure is not applied, the sample in which the undercoat layer and the charge generation layer are sequentially stacked, or the sample in which the undercoat layer, the charge generation layer, and the charge transport layer are sequentially stacked is electrically conductive. Since a multiple interference occurs at the surface of each conductive substrate and each layer interface, a special sample for film thickness measurement is used in which only one of the undercoat layer, charge generation layer and charge transport layer is formed on the conductive substrate. Otherwise, the waveform for calculating the film thickness cannot be detected. That is, in this method, the measurement cannot be performed using the intermediate product itself obtained in the manufacturing process.

【0009】一方、特開平6−130683号公報で開
示されている光吸収スペクトルを用いる方法において
も、分光光度計のみでは反射光しか測定できず、必然的
に反射光量しか得ることができない為、吸収率を算出す
るために不可欠である入射光量を測定するためのセンサ
を別途設ける必要がある。また、電子写真感光体の膜厚
は必ずしも均一ではない為、周方向ムラ、軸方向ムラ、
ダレ等の不均一性の評価が不可欠である。特に、電荷発
生層の膜には膜厚ムラが大きいことが一般に知られてお
り、上記のような方法を用いた場合、下引層を形成しな
い部分、即ち、画像形成域外の膜厚評価しか行うことが
できず実用的でない。
On the other hand, even in the method using the light absorption spectrum disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-130683, only the reflected light can be measured only by the spectrophotometer, and only the reflected light amount can be obtained. It is necessary to separately provide a sensor for measuring the amount of incident light, which is essential for calculating the absorption rate. Further, since the film thickness of the electrophotographic photosensitive member is not always uniform, unevenness in the circumferential direction, unevenness in the axial direction,
It is essential to evaluate unevenness such as sagging. In particular, it is generally known that the film of the charge generation layer has large unevenness in thickness, and when the above method is used, only the portion where the undercoat layer is not formed, that is, the film thickness evaluation outside the image forming area is evaluated. It cannot be done and is not practical.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、製造工程上
で得られる中間製品や最終製品を用いて該中間製品又は
最終製品の各機能層の吸光度を順次測定し、これにより
電子写真感光体の各膜厚の変動を防止し、一定の特性を
有する電子写真感光体を得ることができる製造方法及び
製造装置を提供することを目的とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention uses an intermediate product or a final product obtained in a manufacturing process to sequentially measure the absorbance of each functional layer of the intermediate product or the final product. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus capable of preventing the fluctuation of each film thickness and obtaining an electrophotographic photosensitive member having a certain characteristic.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基体表
面上に有機系材料を含む複数の異なる機能層を順次積層
してなる電子写真感光体の製造方法において、前記各機
能層形成後に、前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前
記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波長
における吸光度を測定する吸光度測定工程と、測定され
た前記吸光度に基づいて前記各機能層の膜厚が一定にな
るように前記各機能層の塗布を制御する制御工程と、を
有することを特徴とする。
The present invention provides a method for manufacturing an electrophotographic photosensitive member comprising a conductive substrate, and a plurality of different functional layers containing an organic material sequentially laminated on the surface of the conductive substrate. An absorbance measurement step of measuring the absorbance at a wavelength at which the absorption of the functional layer formed under each of the functional layers is small and which is characteristically absorbed by each of the functional layers, and each of the functions based on the measured absorbance. A control step of controlling the application of each of the functional layers so that the thickness of the layer becomes constant.

【0012】また、本発明は、導電性基体表面上に有機
系材料を含む複数の異なる機能層を順次積層してなる電
子写真感光体の製造装置において、前記各機能層形成後
に、前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前記各機能層
の下に形成された機能層の吸収が少ない波長における吸
光度を測定する吸光度測定手段と、測定された前記吸光
度に基づいて前記各機能層の膜厚が一定になるように前
記各機能層の塗布を制御する制御手段と、を有すること
を特徴とする。
Further, the present invention is an apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member comprising a conductive substrate surface on which a plurality of different functional layers containing an organic material are sequentially laminated. Absorbance measuring means for measuring the absorbance at a wavelength that is characteristically absorbed in the layer and is less absorbed by the functional layer formed under each of the functional layers, and the film thickness of each of the functional layers based on the measured absorbance. Control means for controlling the application of each of the functional layers so that the above is constant.

【0013】このように、吸光度の測定に、各機能層に
特徴的に吸収され且つ前記各機能層の下に形成された機
能層の吸収が少ない波長を使用するため、干渉縞防止処
理が施された導電性基体が使用されたものや、有機系材
料を含む複数の異なる機能層を有する中間製品や最終製
品そのものを使用して各機能層の膜厚を測定することが
できる。また、中間製品や最終製品そのものを使用して
各機能層の膜厚を測定することができるため、同一サン
プルにおいて膜厚測定位置を変えることにより、周方向
ムラ、軸方向ムラ、ダレ等の不均一性の評価を行うこと
ができる。
As described above, since the wavelengths that are characteristically absorbed by each functional layer and are less absorbed by the functional layer formed under each functional layer are used for the measurement of the absorbance, the interference fringe prevention treatment is performed. It is possible to measure the film thickness of each functional layer by using the above-mentioned conductive substrate, an intermediate product having a plurality of different functional layers containing an organic material, or the final product itself. In addition, since the film thickness of each functional layer can be measured using the intermediate product or the final product itself, by changing the film thickness measurement position in the same sample, there will be no unevenness in the circumferential direction, unevenness in the axial direction, sagging, etc. Uniformity can be evaluated.

【0014】上記発明において、各機能層に特徴的に吸
収され且つ前記各機能層の下に形成された機能層の吸収
が少ない波長における吸光度は、前記各機能層に特徴的
に吸収され且つ前記各機能層の下に形成された機能層の
吸収が少ない波長における吸光度並びに前記各機能層及
び前記各機能層の下に形成された機能層のいずれにおい
ても吸収が少ない波長における吸光度を測定することに
よって、測定することができる。
In the above invention, the absorbance at a wavelength characteristically absorbed by each functional layer and less absorbed by the functional layer formed under each functional layer is characteristically absorbed by each functional layer and Measuring the absorbance at a wavelength at which the functional layer formed under each functional layer has a small absorption and the absorbance at a wavelength at which the functional layer formed under each of the functional layers and each of the functional layers has a small absorption. Can be measured by

【0015】また、上記制御工程や制御手段において、
吸光度から膜厚を計算するための膜厚計算式と測定され
た前記吸光度とから求められた理論値が設定された膜厚
と異なるか否かを判定することができる。
In the above control process and control means,
It is possible to determine whether or not the theoretical value obtained from the film thickness calculation formula for calculating the film thickness from the absorbance and the measured absorbance is different from the set film thickness.

【0016】吸光度の測定に使用される波長は、赤外領
域にあっても、可視波長領域にあってもよい。吸光度の
測定に使用される波長が赤外領域にある場合には、下引
層や電荷輸送層のように顔料を含有しない透明な層の吸
光度を測定することができる。一方、吸光度の測定に使
用される波長が可視波長領域にある場合には、電荷発生
層のように顔料が分散されており、膜による光の吸収が
可視波長領域で顕著に現れるような機能層の吸光度を測
定することができる。なお、電荷発生層の吸光度の測定
には赤外領域にある波長を使用してもよい。
The wavelength used for measuring the absorbance may be in the infrared region or in the visible wavelength region. When the wavelength used for measuring the absorbance is in the infrared region, the absorbance of a transparent layer containing no pigment such as the undercoat layer or the charge transport layer can be measured. On the other hand, when the wavelength used for measuring the absorbance is in the visible wavelength region, the pigment is dispersed like the charge generation layer, and the functional layer in which the absorption of light by the film appears remarkably in the visible wavelength region. The absorbance of can be measured. A wavelength in the infrared region may be used for measuring the absorbance of the charge generation layer.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.

【0018】図9には、本実施の形態に使用される電子
写真感光体の一例が示されている。この図9に示される
電子写真感光体1は、予めホーニングにより干渉縞防止
処理が施された円筒状の導電性基体2上に、導電性基体
2側から順に顔料を含有しない透明な下引層3、顔料を
含有する電荷発生層4及び顔料を含有しない透明な電荷
輸送層5が積層されている。
FIG. 9 shows an example of the electrophotographic photosensitive member used in this embodiment. The electrophotographic photosensitive member 1 shown in FIG. 9 is a transparent undercoat layer containing no pigment in order from the conductive substrate 2 side on a cylindrical conductive substrate 2 which has been subjected to interference fringe prevention treatment in advance by honing. 3. A charge generation layer 4 containing a pigment and a transparent charge transport layer 5 containing no pigment are laminated.

【0019】このような電子写真感光体1の各機能層の
形成には、例えば、図10に示される塗布装置6を使用
することができる。図10において、矢印A方向は装置
上方を、矢印B方向は装置奥行き方向をそれぞれ示す。
塗布装置6は、有底円筒状の塗布槽7、塗布槽7から導
電性基体2を引き上げるための昇降機9、及び昇降機9
と電気接続され塗布装置6全体を制御する操作制御部1
0を備えている。塗布槽7内には、下引層3、電荷発生
層4及び電荷輸送層5のいずれか1層を形成するための
塗布液11が満たされており、塗布液11の粘度は図示
しない粘度コントローラによって一定値に保たれてい
る。また、昇降機9は、矢印A方向及び矢印B方向の双
方に直行する方向に長い箱状の支持体9A、支持体9A
から垂直に立設し、支持体9Aの長手方向に沿って長手
方向が配置された板状の立設部9B、立設部9Bの長手
方向に沿って長手方向が配置され立設部9Bに沿って上
下移動が可能となるように立設部9Bに支持され、且つ
図示しない昇降手段に接続された昇降部9C、及び昇降
部9Cの長手方向に沿って移動可能となるように昇降部
9Cの立設部9B側とは反対側に取付けられた一対の支
持アーム9Dを備えている。支持アーム9Dは、昇降部
9C側に配置された板状の支持部9E、及び支持部9E
の昇降部9C側とは反対側に配置され、上から見た形状
が略半円状とされた挟持部9Fを備え、一対の支持アー
ム9Dの挟持部9Fは、上から見たときに突出している
側が互いに外側になるように且つ塗布槽7の上方に配置
されるように昇降部9Cに取付けられる。そして、一対
の支持アーム9Dの挟持部9Fが円筒状の導電性基体2
の外周を挟持することにより導電性基体2が支持アーム
9Dに支持されると共に昇降部9Cの昇降に伴う支持ア
ーム9Dの昇降によって、塗布槽7に浸漬され、且つ引
き上げられる。塗布液11の粘度が一定であるとき、こ
の引き上げ速度と膜厚とは一般にある範囲においてリニ
アな関係にあり、引き上げ速度を一定にすることによっ
て、膜厚を一定にすることができる。そして、引き上げ
速度を調整することにより、膜厚を調整することができ
る。但し、塗布液11の粘度及び引き上げ速度が一定で
あっても、老化率や導電性基体2の粗さ等によって膜厚
が変化する場合があり、本発明はこのような場合等の膜
厚の変化を検知する。
For forming each functional layer of such an electrophotographic photosensitive member 1, for example, a coating device 6 shown in FIG. 10 can be used. In FIG. 10, the arrow A direction indicates the upper side of the device, and the arrow B direction indicates the device depth direction.
The coating device 6 includes a bottomed cylindrical coating tank 7, a lift 9 for pulling up the conductive substrate 2 from the coating tank 7, and a lift 9
An operation control unit 1 which is electrically connected to and controls the entire coating device 6.
0 is provided. The coating tank 7 is filled with a coating liquid 11 for forming any one of the undercoat layer 3, the charge generation layer 4, and the charge transport layer 5, and the viscosity of the coating liquid 11 is a viscosity controller (not shown). Is kept constant by. Further, the elevator 9 includes a box-shaped support 9A and a support 9A that are long in a direction orthogonal to both the arrow A direction and the arrow B direction.
From the vertical direction, the plate-shaped standing portion 9B having the longitudinal direction arranged along the longitudinal direction of the support 9A, the longitudinal direction is arranged along the longitudinal direction of the standing portion 9B, An elevating part 9C supported by an upright part 9B so as to be vertically movable along the elevating part 9C and connected to elevating means (not shown), and an elevating part 9C so as to be movable along the longitudinal direction of the elevating part 9C. It has a pair of support arms 9D attached to the side opposite to the standing portion 9B side. The support arm 9D includes a plate-shaped support portion 9E disposed on the side of the elevating portion 9C, and the support portion 9E.
Is provided on the side opposite to the elevating part 9C side, and is provided with a sandwiching part 9F having a substantially semicircular shape when viewed from above, and the sandwiching parts 9F of the pair of support arms 9D project when viewed from above. They are attached to the elevating part 9C so that the side where they are located is outside each other and is arranged above the coating tank 7. The sandwiching portion 9F of the pair of support arms 9D has a cylindrical conductive base 2
The conductive substrate 2 is supported by the support arm 9D by sandwiching the outer periphery thereof and is immersed in the coating tank 7 and pulled up by the elevation of the support arm 9D as the elevation unit 9C moves up and down. When the viscosity of the coating liquid 11 is constant, the pulling speed and the film thickness generally have a linear relationship within a certain range, and the film thickness can be made constant by keeping the pulling speed constant. Then, the film thickness can be adjusted by adjusting the pulling rate. However, even if the viscosity and the pulling rate of the coating liquid 11 are constant, the film thickness may change depending on the aging rate, the roughness of the conductive substrate 2, and the like. Detect changes.

【0020】本発明の実施にあたって、まず最初に、下
引層3、電荷発生層4及び電荷輸送層5の材料をそれぞ
れ選定し、次に、これらの機能層の各々について検量式
を求める。検量式は実際の膜厚(実膜厚)と吸光度との
関係を表す式であり、一般に実膜厚を吸光度とはリニア
な関係を示す。
In carrying out the present invention, first, the materials of the undercoat layer 3, the charge generation layer 4 and the charge transport layer 5 are selected, and then the calibration formulas are obtained for each of these functional layers. The calibration formula is a formula expressing the relationship between the actual film thickness (actual film thickness) and the absorbance, and generally the actual film thickness shows a linear relationship with the absorbance.

【0021】実膜厚の測定には、段差法、光学顕微鏡や
電子顕微鏡を使用する写真法等のような公知の方法を使
用することができる。
The actual film thickness can be measured by a known method such as a step method or a photographic method using an optical microscope or an electron microscope.

【0022】一方、吸光度の測定は以下のように行う。
下引層3及び電荷輸送層5のように顔料を含有しない層
の吸光度の測定には赤外領域にある波長及び次式を使用
する。 吸光度=L(λ2 )−{L(λ1 )+L(λ3 )}/2−−(1) 式中、λ2 は当該層に特徴的に吸収される波長を、λ1
は当該層の吸収が少なく且つλ2 より短い波長を、λ3
当該層の吸収が少なく且つλ2 より長い波長を、L
(λ)は波長λでの吸光度をそれぞれ示す。
On the other hand, the absorbance is measured as follows.
The wavelength in the infrared region and the following formula are used for measuring the absorbance of layers containing no pigment such as the undercoat layer 3 and the charge transport layer 5. Absorbance = L (λ 2 ) − {L (λ 1 ) + L (λ 3 )} / 2− (1) In the formula, λ 2 is the wavelength characteristically absorbed by the layer, and λ 1
The wavelengths shorter than the absorption is small and lambda 2 of the layer, lambda 3
A wavelength longer than λ 2 with less absorption in the layer is
(Λ) indicates the absorbance at the wavelength λ.

【0023】上記吸光度計算式(1)による3つの波長
を用いた吸光度算出方式は、表面反射・錯乱・内部多重
反射等の誤差要因を排除でき、対象とする層のみの吸光
度を正確に算出できる。
The absorbance calculation method using three wavelengths according to the above absorbance calculation formula (1) can eliminate error factors such as surface reflection, confusion, and internal multiple reflection, and can accurately calculate the absorbance of only the target layer. .

【0024】電荷発生層4の吸光度の測定は上記下引層
3や電荷輸送層5と同様に行うことができるが、本実施
の形態に係る電子写真感光体1のように、顔料を含有す
る層が1つしかない場合や顔料を有する層が互いに異な
る吸収波長を有する顔料を含有している場合には、可視
波長領域にある波長及び次式を使用することができる。 吸光度=L(λ4 )/L(λ5 )−−−−−−−−−−−−(2) 式中、λ4 は電荷発生層5において最も吸収の少ない波
長を、λ5 は電荷発生層5において吸収の多い波長を、
L(λ)は波長λでの吸光度をそれぞれ示す。
The absorbance of the charge generation layer 4 can be measured in the same manner as the undercoat layer 3 and the charge transport layer 5, but it contains a pigment like the electrophotographic photoreceptor 1 according to the present embodiment. If there is only one layer or if the layers with pigments contain pigments with different absorption wavelengths, the wavelengths in the visible wavelength range and the following formula can be used. Absorbance = L (λ 4 ) / L (λ 5 ) −−−−−−−−−−−− (2) In the formula, λ 4 is the wavelength with the least absorption in the charge generation layer 5, and λ 5 is the charge. The wavelength with a large absorption in the generation layer 5 is
L (λ) indicates the absorbance at the wavelength λ.

【0025】電荷発生層4の吸光度の測定に使用する波
長λ4 、λ5 は、電荷発生層4に可視光を照射し、分光
光度計等のように可視光の光量を測定可能な光量センサ
を用いて吸光度スペクトルを測定することにより求め、
前述のとおり最も吸収の少ない波長X1 、吸収の多い波
長X2 をそれぞれを、λ4 、λ5 と決定する。
The wavelengths λ 4 and λ 5 used for measuring the absorbance of the charge generation layer 4 irradiate the charge generation layer 4 with visible light and measure the amount of visible light, such as a spectrophotometer. Obtained by measuring the absorbance spectrum using
As described above, the wavelength X 1 having the least absorption and the wavelength X 2 having the most absorption are determined as λ 4 and λ 5 , respectively.

【0026】他方、下引層3や電荷輸送層5の吸光度の
測定に使用する波長は次のように決定する。まず、下引
層3、電荷発生層4、電荷輸送層5に使用される有機系
光導電性材料や結着樹脂中に含まれる物質の赤外線吸収
スペクトルを測定する。次いで、これらの赤外線吸収ス
ペクトルに基づいて、下引層3や電荷輸送層5の吸光度
測定に使用する波長を選定する。具体的には、電荷輸送
層5の赤外線吸収スペクトルにおいて吸収ピークを示す
波長のうち、電荷輸送層5の下に形成される下引層3や
電荷発生層4での吸収が少ない波長X4 を電荷輸送層5
における特徴的に吸収される波長λ2 とする。また、下
引層3の赤外線吸収スペクトルにおいて吸収ピークを示
す波長であって、波長X4 と異なる波長X7 を下引層3
における特徴的に吸収される波長λ2 とする。次いで、
下引層3の吸収が少なく、波長X 7 より短い波長X6
前述のλ1 とし、下引層3の吸収が少なく、波長X7
り長い波長X8 を前述のλ3 とする。同様に、下引層
3、電荷発生層4、及び電荷輸送層5の吸収の少ない波
長であって且つ波長X4 より短い波長X3 を電荷輸送層
5における波長λ1 とし、下引層3、電荷発生層4、及
び電荷輸送層5の吸収の少ない波長であって且つ波長X
4 より長い波長X5 を前述のλ3 とする。なお、波長X
3 と波長X6 、波長X5 と波長X8 は同じであっても異
なってもよい。図7は波長λ1 〜λ3 と吸光度との関係
を示す。
On the other hand, the absorbance of the undercoat layer 3 and the charge transport layer 5
The wavelength used for measurement is determined as follows. First of all
Organic system used for layer 3, charge generation layer 4 and charge transport layer 5
Infrared absorption of photoconductive materials and substances contained in binder resins
Measure the spectrum. Then these infrared absorption
Absorbance of the undercoat layer 3 and the charge transport layer 5 based on the vector
Select the wavelength used for measurement. Specifically, charge transport
Shows an absorption peak in the infrared absorption spectrum of layer 5
Of the wavelengths, the undercoat layer 3 formed below the charge transport layer 5 and
Wavelength X with little absorption in the charge generation layer 4FourThe charge transport layer 5
Wavelength λ characteristically absorbed at2And Also below
Shows an absorption peak in the infrared absorption spectrum of pulling layer 3
Wavelength, wavelength XFourDifferent wavelength X7Undercoat layer 3
Wavelength λ characteristically absorbed at2And Then
The absorption of the undercoat layer 3 is small and the wavelength X 7Shorter wavelength X6To
Λ above1And the absorption of the undercoat layer 3 is small and the wavelength X7Yo
Longer wavelength X8Is the above λThreeAnd Similarly, undercoat layer
Waves with little absorption in the charge generation layer 4, the charge generation layer 4, and the charge transport layer 5
Long and wavelength XFourShorter wavelength XThreeThe charge transport layer
Wavelength λ at 51And the undercoat layer 3, charge generation layer 4, and
And the wavelength of which the absorption of the charge transport layer 5 is small and the wavelength X
FourLonger wavelength XFiveIs the above λThreeAnd The wavelength X
ThreeAnd wavelength X6, Wavelength XFiveAnd wavelength X8Are the same but different
May be. Figure 7 shows the wavelength λ1~ ΛThreeAnd the absorbance
Is shown.

【0027】次に、選定したこれらの波長を使用して検
量式を決定する。検量式の決定に際して、吸光度の測定
に使用する特定の一波長のみを通過させるフィルタを準
備する。このフィルタは選定した波長X1 〜X8 の各々
に対応させて用意する。また、赤外領域用光源は選定し
た波長X3 〜X5 の赤外光を照射できるもの及び波長X
6 〜X8 の赤外光を照射できるもの又は波長X3 〜X8
の赤外光を照射できるものを用意する。このような赤外
領域用光源として、例えば、ニクロム線光源等を使用す
ることができる。また、可視領域用光源は波長X1 〜X
2 の可視光を照射できるものを用意する。このような可
視領域用光源として、例えば、ハロゲンランプ等を使用
することができる。さらに、吸光度の測定には、赤外線
吸光度測定器や分光光度計を使用することができる。
Next, a calibration formula is determined using these selected wavelengths. When determining the calibration formula, a filter that allows only one specific wavelength used for measuring the absorbance to pass is prepared. The filter is prepared in correspondence to each of the wavelength X 1 to X 8 which was selected. In addition, the light source for the infrared region can emit infrared light of the selected wavelengths X 3 to X 5 and the wavelength X.
Those capable of irradiating infrared light of 6 to X 8 or wavelengths X 3 to X 8
Prepare the one that can irradiate the infrared light. As such a light source for the infrared region, for example, a nichrome line light source or the like can be used. Further, the light source for the visible region has wavelengths X 1 to X.
Prepare the one that can irradiate 2 visible light. As such a light source for the visible region, for example, a halogen lamp or the like can be used. Further, an infrared absorbance measuring instrument or a spectrophotometer can be used for measuring the absorbance.

【0028】一方、前述の塗布装置6を使用して検量式
決定のための複数のサンプルを作成する。例えば、同一
素材及び同一形状の導電性基体2上に膜厚が異なる下引
層3が形成された複数のサンプルと、同一素材及び同一
形状の導電性基体2上に同一の膜厚の下引層3が形成さ
れ、その上に膜厚が異なる電荷発生層4が形成された複
数のサンプルと、同一素材及び同一形状の導電性基体2
上に同一の膜厚の下引層3が形成され且つその上に同一
の膜厚の電荷発生層4が形成され、さらにその上に膜厚
が異なる電荷輸送層5が形成された複数のサンプルとを
作成する。サンプルの作成に先立って実膜厚と引き上げ
速度との関係式を求めておく。そして、オペレータが操
作制御部10に設定膜厚を入力することにより、操作制
御部10が入力された設定膜厚に対応する引き上げ速度
を選定し、選定された引き上げ速度で各機能層が形成さ
れサンプルが作成される。
On the other hand, a plurality of samples for determining the calibration formula are prepared using the coating device 6 described above. For example, a plurality of samples in which an undercoat layer 3 having a different film thickness is formed on a conductive substrate 2 having the same material and the same shape, and an undercoat having the same film thickness on the conductive substrate 2 having the same material and the same shape. A plurality of samples each having a layer 3 formed thereon and a charge generation layer 4 having a different film thickness formed thereon, and a conductive substrate 2 made of the same material and having the same shape.
A plurality of samples in which the undercoat layer 3 having the same thickness is formed on the charge generation layer 4, the charge generation layer 4 having the same thickness is formed thereon, and the charge transport layer 5 having the different thickness is further formed thereon. And create. Prior to the preparation of the sample, the relational expression between the actual film thickness and the pulling rate is obtained. Then, the operator inputs the set film thickness to the operation control unit 10 so that the operation control unit 10 selects the pulling speed corresponding to the input set film thickness, and each functional layer is formed at the selected pulling speed. A sample is created.

【0029】上記のように準備したサンプル、光源及び
フィルタを使用して吸光度を測定し、同一サンプルを使
用して測定した実膜厚と測定した吸光度とから検量式を
求める。検量式決定後は、実際の製造工程で得られる中
間製品や最終製品を使用して、各機能層形成工程毎に、
最も新しく形成された機能層、即ち、下引層3の形成工
程では下引層3、電荷発生層4の形成工程では電荷発生
層4、電荷輸送層5の形成工程では電荷輸送層5の吸光
度を測定し、測定した吸光度及び決定された検量式から
予想膜厚を求め、予想膜厚が設定された膜厚と同じであ
るか否かを判断し、予想膜厚が設定された膜厚と異なる
場合に、引き上げ速度を調整すること等により各機能層
の膜厚が設定された膜厚と一致するように塗布を制御す
る。この検量式決定及び予想膜厚算出には、例えば、図
1に示される膜厚測定装置20を使用することができ
る。
The absorbance is measured using the sample, the light source and the filter prepared as described above, and the calibration formula is obtained from the actual film thickness measured using the same sample and the measured absorbance. After determining the calibration formula, use intermediate products and final products obtained in the actual manufacturing process, and for each functional layer formation process,
The absorbance of the most recently formed functional layer, that is, the undercoat layer 3 in the process of forming the undercoat layer 3, the charge generation layer 4 in the process of forming the charge generation layer 4, and the charge transport layer 5 in the process of forming the charge transport layer 5. The expected film thickness is obtained from the measured absorbance and the determined calibration formula, and it is determined whether the expected film thickness is the same as the set film thickness. If they are different, the application is controlled so that the film thickness of each functional layer matches the set film thickness by adjusting the pulling rate or the like. For the determination of the calibration formula and the calculation of the expected film thickness, for example, the film thickness measuring device 20 shown in FIG. 1 can be used.

【0030】膜厚測定装置20は、膜厚測定装置20全
体を制御するCPU22と、膜厚測定装置20全体を制
御するためのプログラム、後述する制御プログラム及び
前述の2つの吸光度計算式(1)、(2)等を記憶した
ROM24と、ワークエリアとしてのRAM26と、デ
ィスク28と、同期をとるためのRTC(リアルタイム
クロック)30と、データやコマンド等の入力のための
キーボード32と、入力データや計算結果等を表示する
ためのディスプレイ34と、計算結果等を出力するため
のプリンタ36とを備えており、これらはシステムバス
38を介して相互に接続されている。また、この膜厚測
定装置20は、測定しようとする機能層の吸光度の測定
用に選定された波長に対応する光源40と、サンプル4
4の吸光度を測定するための光量センサ42と、光源4
0及び光量センサ42に接続され、光源40から照射さ
れた光をサンプル44に照射し、サンプル44から反射
された光を光量センサ42に案内するプローブ46と、
光量センサ42及びシステムバス38に接続され、シス
テムバス38を介してCPU22からSH(サンプルホ
ールド)信号が出力されたときに光量センサ42によっ
て測定された吸光度データをサンプルホールドするSH
回路48と、SH回路48及びシステムバス38に接続
され、SH回路48によってサンプルホールドされたア
ナログデータである吸光度データをディジタルデータに
変換するためのA/D(アナログ−ディジタル)変換器
50とを備えている。
The film thickness measuring device 20 includes a CPU 22 for controlling the film thickness measuring device 20 as a whole, a program for controlling the film thickness measuring device 20 as a whole, a control program which will be described later, and the above two absorbance calculation formulas (1). , (2) and the like stored in ROM 24, RAM 26 as a work area, disk 28, RTC (real-time clock) 30 for synchronizing, keyboard 32 for inputting data and commands, and input data. A display 34 for displaying the calculation result and the like, and a printer 36 for outputting the calculation result and the like are provided, and these are connected to each other via a system bus 38. Further, the film thickness measuring device 20 includes a light source 40 corresponding to a wavelength selected for measuring the absorbance of the functional layer to be measured, and a sample 4
4, a light quantity sensor 42 for measuring the absorbance of the light source 4, and a light source 4
0 and a light amount sensor 42, which irradiates the sample 44 with the light emitted from the light source 40 and guides the light reflected from the sample 44 to the light amount sensor 42;
An SH that is connected to the light amount sensor 42 and the system bus 38 and samples and holds the absorbance data measured by the light amount sensor 42 when an SH (sample hold) signal is output from the CPU 22 via the system bus 38.
A circuit 48 and an A / D (analog-digital) converter 50 connected to the SH circuit 48 and the system bus 38 for converting the absorbance data, which is analog data sampled and held by the SH circuit 48, into digital data. I have it.

【0031】図2〜図6には、この膜厚測定装置20の
CPU22の動作の一例が示されている。
2 to 6 show an example of the operation of the CPU 22 of the film thickness measuring device 20.

【0032】膜厚測定装置20の電源(光源40及び光
量センサ42の電源を含む)をオンにし、検量式作成及
び膜厚測定のためのプログラムを起動した後、オペレー
タはキーボード32を介して検量式作成又は膜厚測定を
指示する所定のキー操作を行う。操作手順としては、最
初に検量式を作成し、次に膜厚測定を行う。なお、予め
検量式を作成しその検量式が既にディスク28に記憶さ
れている場合には、膜厚測定をすぐに実施してもよい。
After turning on the power source of the film thickness measuring device 20 (including the power source of the light source 40 and the light amount sensor 42) and activating the program for preparing the calibration formula and the film thickness measurement, the operator performs the calibration through the keyboard 32. A predetermined key operation for instructing formula formation or film thickness measurement is performed. As an operation procedure, first, a calibration formula is created, and then film thickness measurement is performed. When a calibration formula is created in advance and the calibration formula is already stored in the disk 28, the film thickness measurement may be performed immediately.

【0033】図2のステップ100では、キーボード3
2からの入力があったか否かを判定し、入力がない場合
には待機し、入力があった場合には次のステップ102
で、キーボード32からの入力が検量式作成を指示する
ものか否かを判定する。
In step 100 of FIG. 2, the keyboard 3
It is determined whether or not there is an input from 2, and if there is no input, it waits, and if there is an input, the next step 102
Then, it is determined whether or not the input from the keyboard 32 is an instruction to create a calibration formula.

【0034】オペレータが検量式作成を指示する所定の
キー操作を行った場合には、ステップ102の判定が肯
定され、次のステップ104で、図3〜図4のサブルー
チンに従って検量式を作成し、ルーチンを終了する。
When the operator performs a predetermined key operation for instructing the preparation of the calibration formula, the determination at step 102 is affirmative, and at the next step 104, the calibration formula is prepared according to the subroutines of FIGS. Exit the routine.

【0035】図3〜図4の検量式作成サブルーチンで
は、ステップ110で吸光度の計算に前述の吸光度計算
式(1)、(2)のいずれを使用するのか、その選定を
行うべき旨をディスプレイ34に表示する。次のステッ
プ112では、オペレータがキーボード32を介して入
力した吸光度計算式選定データを取り込み、次のステッ
プ114で、取り込んだ吸光度計算式選定データから検
量式の作成に使用する吸光度計算式及びそのパラメータ
数nを決定する。ここで、パラメータ数nは、吸光度計
算式(1)の場合、L(λ1 )、L(λ2 )及びL(λ
3 )の3つであり、吸光度計算式(2)の場合L
(λ4 )及びL(λ5 )の2つである。
In the calibration formula creating subroutine shown in FIGS. 3 to 4, the display 34 indicates whether to select which of the above formulas (1) and (2) is used to calculate the absorbance at step 110. To display. In the next step 112, the absorbance calculation formula selection data input by the operator via the keyboard 32 is taken in, and in the next step 114, the absorbance calculation formula and its parameters used to create the calibration formula from the taken absorbance calculation formula selection data. Determine the number n. Here, the parameter number n is L (λ 1 ), L (λ 2 ) and L (λ 2 ) in the case of the absorbance calculation formula (1).
3 ), and L in the case of absorbance calculation formula (2)
4 ) and L (λ 5 ).

【0036】次のステップ116では、サンプルNo.
を計測するためのカウンタi及びパラメータ数を計測す
るためのカウンタjをそれぞれ1にする。
In the next step 116, the sample No.
Is set to 1 and the counter j for measuring the number of parameters is set to 1.

【0037】次のステップ118では、サンプルNo.
iを所定の位置にセッティングすべき旨及びセッティン
グ完了後にセッティング完了信号を入力すべき旨をディ
スプレイ34に表示する。この表示により、オペレータ
はサンプルNo.iをセッティングし、キーボード32
を介して所定のキー操作を行う。
In the next step 118, the sample No.
The display 34 indicates that i should be set at a predetermined position and that a setting completion signal should be input after setting is completed. By this display, the operator can select the sample No. Set i, keyboard 32
A predetermined key operation is performed via.

【0038】次のステップ120では、キーボード32
からセッティング完了信号が入力されたか否かを判定
し、セッティング完了信号が入力されていない場合に
は、ステップ118に戻る。一方、セッティング完了信
号が入力された場合には、次のステップ122で、図5
のサブルーチンに従って吸光度を算出する。
In the next step 120, the keyboard 32
It is determined whether or not the setting completion signal has been input from the above. If the setting completion signal has not been input, the process returns to step 118. On the other hand, when the setting completion signal is input, in the next step 122, the process shown in FIG.
Calculate the absorbance according to the subroutine.

【0039】図5の吸光度算出サブルーチンでは、ステ
ップ146で、フィルタNo.jを光源40にセッティ
ングすべき旨及びセッティング完了後にセッティング完
了信号を入力すべき旨をディスプレイ34に表示する。
この表示により、オペレータは選定された波長λ1 、λ
2 及びλ3 のいずれか又は波長λ4 及びλ5 のいずれか
に対応したフィルタNo.jをセッティングし、キーボ
ード32を介して所定のキー操作を行う。
In the subroutine for calculating the absorbance shown in FIG. The display 34 indicates that j should be set in the light source 40 and that a setting completion signal should be input after the setting is completed.
This display allows the operator to select the selected wavelengths λ 1 , λ
Filter No. 2 corresponding to either wavelength 2 or λ 3 or wavelength λ 4 or λ 5 . j is set, and a predetermined key operation is performed via the keyboard 32.

【0040】次のステップ148では、キーボード32
からセッティング完了信号が入力されたか否かを判定
し、セッティング完了信号が入力されていない場合に
は、ステップ146に戻る。一方、セッティング完了信
号が入力された場合には、次のステップ150で、シス
テムバス38を介してSH回路48にSH信号を出力す
る。これにより、SH回路48は、フィルタNo.jを
介して光源40から照射され、且つサンプルNo.iに
よって反射され、光量センサ42によって電気信号に変
換された吸光度データをサンプルホールドする。サンプ
ルホールドされた吸光度データはA/D変換器50によ
ってアナログデータからディジタルデータに変換され
る。次のステップ152では、システムバス38を介し
て変換された吸光度データを取り込む。
In the next step 148, the keyboard 32
It is determined whether or not the setting completion signal has been input from the above. If the setting completion signal has not been input, the process returns to step 146. On the other hand, when the setting completion signal is input, in the next step 150, the SH signal is output to the SH circuit 48 via the system bus 38. As a result, the SH circuit 48 causes the filter No. is emitted from the light source 40 via the sample No. j. The absorbance data reflected by i and converted into an electric signal by the light amount sensor 42 is sample-held. The sample-held absorbance data is converted from analog data to digital data by the A / D converter 50. In the next step 152, the converted absorbance data is captured via the system bus 38.

【0041】次のステップ154では、カウンタjがパ
ラメータ数nに達したか否かを判定し、カウンタjがパ
ラメータ数nに達していない場合には、ステップ156
でjを1インクリメントしてステップ146に戻る。一
方、カウンタjがパラメータ数nに達した場合には、次
のステップ158で、選定した吸光度計算式及び2つ又
は3つの吸光度データからサンプルNo.jの吸光度を
算出し、次のステップ160でディスプレイ34に算出
した吸光度を表示して、図3のルーチンに戻る。
In the next step 154, it is judged whether or not the counter j has reached the parameter number n, and if the counter j has not reached the parameter number n, step 156.
Then, j is incremented by 1 and the process returns to step 146. On the other hand, when the counter j reaches the parameter number n, in the next step 158, the sample No. is determined from the selected absorbance calculation formula and the two or three absorbance data. The absorbance of j is calculated, the calculated absorbance is displayed on the display 34 in the next step 160, and the process returns to the routine of FIG.

【0042】検量式を求めるには最低2つのデータが必
要であるので、吸光度測定後、図3のステップ124
で、カウンタiが1であるか否かを判定する。カウンタ
iが1である場合には、次のステップ126でカウンタ
iを1インクリメントし、カウンタjを1にしてステッ
プ118に戻る。一方、カウンタiが1でない場合に
は、ステップ124の判定は否定され、次のステップ1
28で、吸光度を算出するための操作を続行するか否か
を指示すべき旨をディスプレイ34に表示する。この表
示により、オペレータはキーボード32を介して操作の
続行又は操作の終了を指示する所定のキー操作を行う。
Since at least two data are required to obtain the calibration formula, after measuring the absorbance, step 124 in FIG.
Then, it is determined whether or not the counter i is 1. When the counter i is 1, the counter i is incremented by 1 in the next step 126, the counter j is set to 1, and the process returns to step 118. On the other hand, if the counter i is not 1, the determination at step 124 is negative and the next step 1
At 28, it is displayed on the display 34 that it is instructed whether or not to continue the operation for calculating the absorbance. With this display, the operator performs a predetermined key operation for instructing the continuation of the operation or the end of the operation via the keyboard 32.

【0043】次のステップ130では、キーボード32
からの入力があるか否かを判定し、キーボード32から
の入力がない場合にはステップ128に戻る。一方、キ
ーボード32からの入力がある場合には、次のステップ
132で、キーボード32からの入力が操作の続行を指
示するものであるか否かを判定し、キーボード32から
の入力が操作の続行を指示するものである場合にはステ
ップ126に進む。また、キーボード32からの入力が
操作の続行を指示するものでない場合には、次のステッ
プ134(図4)で、サンプルNo.1〜iまでの実膜
厚を入力すべき旨をディスプレイ34に表示する。オペ
レータは、吸光度測定の前又は後に同一サンプルを使用
して実膜厚を測定し、測定した実膜厚をキーボード32
を介して入力する。
In the next step 130, the keyboard 32
If there is no input from the keyboard 32, it returns to step 128. On the other hand, if there is an input from the keyboard 32, in the next step 132, it is determined whether or not the input from the keyboard 32 is an instruction to continue the operation, and the input from the keyboard 32 continues the operation. If the instruction is for, the process proceeds to step 126. If the input from the keyboard 32 does not indicate that the operation should be continued, then in step 134 (FIG. 4), the sample No. The display 34 indicates that the actual film thicknesses 1 to i should be input. The operator measures the actual film thickness using the same sample before or after the absorbance measurement, and the measured actual film thickness is determined by the keyboard 32.
To enter via.

【0044】次のステップ136では、入力されたサン
プルNo.1〜iまでの実膜厚を取り込み、次のステッ
プ138で、算出した吸光度及び対応する実膜厚から検
量式を決定する。
In the next step 136, the input sample number. The actual film thicknesses from 1 to i are taken in, and in the next step 138, the calibration formula is determined from the calculated absorbance and the corresponding actual film thickness.

【0045】次のステップ140では、ファイル名を入
力すべき旨をディスプレイ34に表示する。これによ
り、オペレータはキーボード32を介してファイル名を
入力する。次のステップ142では、キーボード32か
らの入力があるか否かを判定し、キーボード32からの
入力がない場合にはステップ140に戻り、キーボード
32からの入力がある場合には、次のステップ144
で、入力されたファイル名、検量式及び吸光度計算式選
定データをディスク28に記憶して、図2のルーチンに
戻る。
At the next step 140, the display 34 indicates that the file name should be input. Thereby, the operator inputs the file name via the keyboard 32. In the next step 142, it is determined whether or not there is an input from the keyboard 32. If there is no input from the keyboard 32, the process returns to step 140, and if there is an input from the keyboard 32, the next step 144
Then, the input file name, calibration formula, and absorbance calculation formula selection data are stored in the disk 28, and the process returns to the routine of FIG.

【0046】各機能層の検量式の作成が終了すると、実
際の製品の製造を行い、各機能層の形成毎に該機能層の
膜厚を膜厚測定装置20によって測定する。この膜厚測
定には実際の製造肯定で得られる中間製品や最終製品を
使用することができる。
When the preparation of the calibration formula for each functional layer is completed, the actual product is manufactured, and the film thickness of the functional layer is measured by the film thickness measuring device 20 each time the functional layer is formed. For the film thickness measurement, an intermediate product or final product obtained by actual manufacturing affirmation can be used.

【0047】前述の図2のステップ102においてキー
ボード32からの入力が検量式作成を指示するものでな
い場合には、次のステップ106で、キーボード32か
らの入力が膜厚測定を指示するものか否かを判定する。
キーボード32からの入力が膜厚測定を指示するもので
ない場合には、ルーチンを終了する。他方、キーボード
32からの入力が膜厚測定を指示するものである場合に
は、次のステップ108で、図6のサブルーチンに従っ
て膜厚測定を行い、ルーチンを終了する。
If the input from the keyboard 32 does not instruct the preparation of the calibration formula in step 102 of FIG. 2 described above, in the next step 106, it is determined whether or not the input from the keyboard 32 instructs the film thickness measurement. To determine.
If the input from the keyboard 32 does not instruct the film thickness measurement, the routine ends. On the other hand, when the input from the keyboard 32 is to instruct the film thickness measurement, the film thickness is measured according to the subroutine of FIG. 6 in the next step 108, and the routine ends.

【0048】図6の膜厚測定のサブルーチンでは、ステ
ップ162で、ファイル名を入力すべき旨をディスプレ
イ34に表示する。この表示により、オペレータはキー
ボード32を介して形成した機能層の膜厚測定に使用す
る検量式を記憶したファイル名を入力する。次のステッ
プ164では、入力されたファイル名を取り込み、次の
ステップ166で、取り込んだファイル名のファイルを
ディスク28から読み出す。
In the film thickness measurement subroutine of FIG. 6, in step 162, the display 34 indicates that a file name should be input. By this display, the operator inputs the file name storing the calibration formula used for measuring the film thickness of the functional layer formed through the keyboard 32. In the next step 164, the input file name is fetched, and in the next step 166, the file having the fetched file name is read from the disk 28.

【0049】次のステップ168では、設定膜厚を入力
すべき旨をディスプレイ34に表示する。この表示によ
り、オペレータはキーボード32を介して塗布装置6に
入力した設定膜厚と同一の設定膜厚を入力する。なお、
設定膜厚として数値範囲を入力してもよい。
In the next step 168, the fact that the set film thickness should be input is displayed on the display 34. By this display, the operator inputs the same set film thickness as the set film thickness input to the coating device 6 via the keyboard 32. In addition,
A numerical range may be entered as the set film thickness.

【0050】次のステップ170では、入力されたデー
タを取り込み、これを設定膜厚tsとする。次のステッ
プ172では、パラメータ数を計測するためのカウンタ
jを1にする。
In the next step 170, the input data is fetched and set as the set film thickness t s . In the next step 172, the counter j for measuring the number of parameters is set to 1.

【0051】次のステップ174では、サンプルである
中間製品又は最終製品を所定の位置にセッティングすべ
き旨及びセッティング完了後にセッティング完了信号を
入力すべき旨をディスプレイ34に表示する。この表示
により、オペレータはサンプルをセッティングし、キー
ボード32を介して所定のキー操作を行う。
In the next step 174, the display 34 indicates that the sample intermediate product or final product should be set at a predetermined position and that a setting completion signal should be input after the setting is completed. With this display, the operator sets the sample and performs a predetermined key operation via the keyboard 32.

【0052】次のステップ176では、キーボード32
からセッティング完了信号が入力されたか否かを判定
し、セッティング完了信号が入力されていない場合に
は、ステップ174に戻る。一方、セッティング完了信
号が入力された場合には、次のステップ178で、前述
の図5のサブルーチンに従って吸光度を算出する。
At the next step 176, the keyboard 32
It is determined whether or not the setting completion signal has been input from the above. If the setting completion signal has not been input, the process returns to step 174. On the other hand, when the setting completion signal is input, in the next step 178, the absorbance is calculated according to the above-mentioned subroutine of FIG.

【0053】次のステップ180では、読み出した検量
式及び算出した吸光度から予想膜厚tc を算出する。次
のステップ182では、算出した予想膜厚tc が設定膜
厚t s と一致するか否かを判定する。このとき、設定膜
厚ts が数値範囲である場合には、算出した予想膜厚t
c が設定膜厚ts の数値範囲に包含されるか否かを判定
する。算出した予想膜厚tc が設定膜厚ts と一致する
場合には、次のステップ184で、ディスプレイ34に
合格である旨を表示してステップ188に進む。一方、
算出した予想膜厚tc が設定膜厚ts と一致しない場合
には、次のステップ186で、ディスプレイ34に不合
格である旨、予想膜厚tc 及び設定膜厚ts を表示して
ステップ188に進む。
In the next step 180, the read calibration
Expected film thickness t from the formula and calculated absorbancecTo calculate. Next
In step 182, the calculated expected film thickness tcSet membrane
Thickness t sIt is determined whether or not At this time, the setting film
Thickness tsIs within the numerical range, the calculated expected film thickness t
cIs the set film thickness tsWhether included in the numerical range of
I do. Calculated expected film thickness tcIs the set film thickness tsMatches
If so, in the next step 184, display 34
A message that the result is passed is displayed and the process proceeds to step 188. on the other hand,
Calculated expected film thickness tcIs the set film thickness tsIf does not match
The display 34 in the next step 186.
The expected film thickness tcAnd set film thickness tsTo display
Go to step 188.

【0054】ステップ188では、別のサンプルを使用
して膜厚測定を続行するか否かの指示を入力すべき旨を
ディスプレイ34に表示する。この表示により、オペレ
ータはキーボード32を介して膜厚測定の続行を指示す
る所定のキー操作又は膜厚測定の終了を指示する所定の
キー操作を行う。
In step 188, it is displayed on the display 34 that an instruction as to whether or not to continue the film thickness measurement using another sample should be input. By this display, the operator performs a predetermined key operation for instructing to continue the film thickness measurement or a predetermined key operation for instructing the end of the film thickness measurement via the keyboard 32.

【0055】次のステップ190では、キーボード32
からの入力があるか否かを判定し、キーボード32から
の入力がない場合にはステップ188に戻り、キーボー
ド32からの入力がある場合には、次のステップ192
で、キーボード32からの入力が膜厚測定の続行を指示
するものであるか否かを判定する。キーボード32から
の入力が膜厚測定の続行を指示するものである場合に
は、ステップ192の判定は肯定され、ステップ172
に戻る。一方、キーボード32からの入力が膜厚測定の
続行を指示するものでない場合には、図2のルーチンに
戻る。
In the next step 190, the keyboard 32
If there is no input from the keyboard 32, the process returns to step 188. If there is an input from the keyboard 32, the next step 192 is performed.
Then, it is determined whether or not the input from the keyboard 32 is an instruction to continue the film thickness measurement. If the input from the keyboard 32 is an instruction to continue the film thickness measurement, the determination in step 192 is affirmative and step 172
Return to On the other hand, if the input from the keyboard 32 does not instruct to continue the film thickness measurement, the process returns to the routine of FIG.

【0056】以上のように、本実施の形態に係る膜厚測
定装置20は、各機能層形成後に、最も新しく形成され
た機能層に特徴的に吸収され且つこの機能層の下に形成
された機能層の吸収が少ない波長によって吸光度を測定
しており、測定対象となる機能層以外の機能層における
吸収に影響されることなく、測定対象となる機能層の吸
光度を測定することができるため、実際の製造で得られ
る中間製品や最終製品を用いて膜厚を測定することがで
きる。また、本実施の形態に係る膜厚測定装置20は、
測定した吸光度を基にサンプルの合否を判定し、これを
表示しているため、オペレータはサンプルの合否を認識
することができ、また、表示された予想膜厚tc 及び設
定膜厚ts に基づいて塗布装置6の引き上げ速度を調整
することができる。
As described above, in the film thickness measuring device 20 according to the present embodiment, after each functional layer is formed, it is characteristically absorbed by the most recently formed functional layer and is formed under this functional layer. The absorption of the functional layer is measured by a small wavelength absorption, without being affected by absorption in the functional layer other than the functional layer to be measured, it is possible to measure the absorbance of the functional layer to be measured, The film thickness can be measured using an intermediate product or a final product obtained in actual manufacturing. Further, the film thickness measuring device 20 according to the present embodiment is
Since the pass / fail of the sample is determined based on the measured absorbance and is displayed, the operator can recognize the pass / fail of the sample, and the expected film thickness t c and the set film thickness t s are displayed. Based on this, the pulling rate of the coating device 6 can be adjusted.

【0057】なお、上記実施の形態では、ファイルを読
み出した後に設定膜厚を入力しているが、設定膜厚も一
緒に該ファイルに記憶して、ファイルの読み出し時に設
定膜厚を一緒に読み出してもよい。
In the above embodiment, the set film thickness is input after reading the file. However, the set film thickness is also stored in the file and the set film thickness is read together when the file is read. May be.

【0058】また、上記実施の形態では、サンプルのセ
ッティング完了をオペレータからのセッティング完了信
号により確認しているが、サンプルが所定の位置にセッ
ティングされているか否かを検出するフォトセンサのよ
うなセンサを配置して、このセンサの検出信号によって
サンプルのセッティング完了を確認し、オペレータのセ
ッティング完了信号入力操作を省略してもよい。
In the above embodiment, the completion of setting the sample is confirmed by the setting completion signal from the operator. However, a sensor such as a photo sensor for detecting whether the sample is set at a predetermined position or not. May be arranged to confirm the completion of setting of the sample by the detection signal of this sensor, and the operator's input operation of the setting completion signal may be omitted.

【0059】さらに、上記実施の形態では、測定を続行
するか否かをその都度オペレータに入力させているが、
ステップ188及び190を省略し且つステップ192
で、測定終了信号が入力されたか否かを判定し、測定終
了信号が入力されない限り測定を続行させて、該測定を
連続的に行ってもよい。
Further, in the above embodiment, the operator is made to input each time whether or not to continue the measurement.
Omit steps 188 and 190 and step 192
Then, it may be determined whether or not the measurement end signal is input, and the measurement may be continuously performed unless the measurement end signal is input, and the measurement may be continuously performed.

【0060】また、測定される光源40の光量が一定に
なるように光源40用の光量コントローラを設けてもよ
い。この場合、図5のステップ146とステップ148
との間等に光源40の光量を調整するためのステップを
設けてもよい。
A light amount controller for the light source 40 may be provided so that the measured light amount of the light source 40 is constant. In this case, steps 146 and 148 of FIG.
A step for adjusting the light amount of the light source 40 may be provided between and.

【0061】また、上記実施の形態では、合否判定後の
速度調整を手動で行っているが、塗布装置6と膜厚測定
装置20とを接続して、合否判定後の速度調整を自動で
行ってもよい。この場合、膜厚測定装置20のCPU2
2によって昇降機9を制御することにより、操作制御部
10を省略してもよい。
Further, in the above embodiment, the speed adjustment after the pass / fail judgment is manually performed, but the coating device 6 and the film thickness measuring device 20 are connected to automatically perform the speed adjustment after the pass / fail judgment. May be. In this case, the CPU 2 of the film thickness measuring device 20
The operation control unit 10 may be omitted by controlling the elevator 9 by means of 2.

【0062】さらに、上記実施の形態では、検量式決定
後に中間製品や最終製品を使用して膜厚を測定している
が、膜厚測定用の特別のサンプルを用いて吸光度を測定
してもよい。
Furthermore, in the above embodiment, the film thickness is measured using the intermediate product or the final product after the determination of the calibration formula, but the absorbance can be measured using a special sample for film thickness measurement. Good.

【0063】また、浸漬塗布法以外の塗布法に本発明を
適用してもよい。
The present invention may be applied to a coating method other than the dip coating method.

【0064】[0064]

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0065】本発明の実施例で使用した導電性基体の材
料及び各機能層の塗布液の組成は以下のとおりである。 (導電性基体)予めホーニング法により荒らしたアルミ
ニウムパイプ(直径30mm、長さ340mm) (下引層塗布液) トリブトキシジルコニウムアセチルアセトネート50%トルエン溶液 90重量部 γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン 11重量部 i−プロピルアルコール 400重量部 n−ブチルアルコール 200重量部 (電荷発生層塗布液) クロロガリウムフタロシアニン結晶 1重量部 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 1重量部 酢酸n−ブチル 100重量部 (電荷輸送層) N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジン化合物{構造式(I)} 2重量部 構造式(II)で示される繰り返し単位よりなるホモポリマー (重量平均分子量:129,000) 2重量部 モノクロベンゼン 20重量部
The material of the conductive substrate and the composition of the coating liquid for each functional layer used in the examples of the present invention are as follows. (Conductive Substrate) Aluminum Pipe (Diameter 30 mm, Length 340 mm) Roughened by Honing in advance (Undercoating layer coating liquid) Tributoxyzirconium acetylacetonate 50% toluene solution 90 parts by weight γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane 11 Parts by weight i-propyl alcohol 400 parts by weight n-butyl alcohol 200 parts by weight (charge generation layer coating solution) chlorogallium phthalocyanine crystals 1 part by weight vinyl chloride-vinyl acetate copolymer 1 part by weight n-butyl acetate 100 parts by weight (charge Transport Layer) N, N, N ′, N′-Tetraphenylbenzidine Compound {Structural Formula (I)} 2 parts by weight Homopolymer composed of repeating units represented by Structural Formula (II) (weight average molecular weight: 129000) 2 parts by weight Monochrome benzene 20 parts by weight

【0066】[0066]

【化1】 Embedded image

【0067】下引層及び電荷輸送層の吸光度の算出には
前述の吸光度計算式(1)を使用した。吸光度測定に使
用する波長は、導電性基体表面上に下引層、電荷発生
層、電荷輸送層をそれぞれ単層塗布したサンプルを別途
作成し、各々赤外反射吸収スペクトルをフーリエ変換赤
外分光光度計JIR−7000(日本電子株式会社製)
により測定し、その結果から波長λ1 、λ2 及びλ3
選定した。選定した波長を表1及び表2に示す。
The absorbance calculation formula (1) described above was used to calculate the absorbances of the undercoat layer and the charge transport layer. The wavelength used for the absorbance measurement is a sample in which an undercoat layer, a charge generation layer, and a charge transport layer are each applied as a single layer on the surface of a conductive substrate, and a sample is separately prepared. Total JIR-7000 (made by JEOL Ltd.)
The wavelengths λ 1 , λ 2 and λ 3 were selected from the results. The selected wavelengths are shown in Tables 1 and 2.

【0068】[0068]

【表1】 [Table 1]

【0069】[0069]

【表2】 [Table 2]

【0070】また、電荷発生層の吸光度の算出には前述
の吸光度計算式(2)を使用した。吸光度の測定に使用
する波長は、導電性基体表面上に電荷発生層を単層塗布
したサンプルについて可視光反射吸収スペクトルを分光
光度計MCPD−200(大塚電子株式会社製)により
測定し、その結果から波長λ4 及びλ5 を選定した。波
長λ5 には、吸収が比較的多く、且つs/n比が最もよ
い570nmの波長を用いた。選定した波長を表3に示
す。
In addition, the above-described absorbance calculation formula (2) was used to calculate the absorbance of the charge generation layer. The wavelength used for measuring the absorbance is a visible light reflection / absorption spectrum of a sample in which a single layer of a charge generation layer is coated on the surface of a conductive substrate, and the visible light reflection / absorption spectrum is measured by a spectrophotometer MCPD-200 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) The wavelengths λ 4 and λ 5 were selected from As the wavelength λ 5 , a wavelength of 570 nm, which has a relatively large absorption and has the best s / n ratio, was used. Table 3 shows the selected wavelengths.

【0071】[0071]

【表3】 [Table 3]

【0072】また、これらの波長と吸光度との関係を図
8に示す。次に、検量式作成用のサンプルを作成した。
下引層の検量式作成用のサンプルは、前記導電性基体を
下引層塗布液に浸漬し、次いでこの導電性基体を引き上
げて導電性基体上に下引層を形成することにより作成し
た。この際、引き上げ速度を150、190、230、
270、310mm/min.の5水準とし、且つ設定
膜厚を1.0、1.2、1.3、1.5、1.6μmと
し、それぞれサンプルNo.1〜5とした。
The relationship between these wavelengths and the absorbance is shown in FIG. Next, a sample for preparing the calibration formula was prepared.
The sample for preparing the calibration formula of the undercoat layer was prepared by immersing the conductive substrate in the coating solution for the undercoat layer and then pulling up the conductive substrate to form the undercoat layer on the conductive substrate. At this time, the pulling rate is 150, 190, 230,
270, 310 mm / min. 5 and the set film thicknesses are 1.0, 1.2, 1.3, 1.5 and 1.6 μm. It was set to 1-5.

【0073】また、電荷発生層の検量式作成用のサンプ
ルは、前記導電性基体上に膜厚1.3μmの下引層が形
成されたものを電荷発生層塗布液に浸漬し、次いでこれ
を引き上げて下引層上に電荷発生層を形成することによ
り作成した。この際、引き上げ速度を100、150、
200、250、300mm/min.の5水準とし、
且つ設定膜厚を0.1、0.13、0.15、0.1
8、0.2μmとし、それぞれサンプルNo.6〜10
とした。
The sample for preparing the calibration formula for the charge generation layer was prepared by immersing a conductive substrate on which an undercoat layer having a thickness of 1.3 μm was formed in a charge generation layer coating solution. It was prepared by pulling up and forming a charge generation layer on the undercoat layer. At this time, the pulling rate is 100, 150,
200, 250, 300 mm / min. 5 levels,
Moreover, the set film thickness is 0.1, 0.13, 0.15, 0.1.
Sample No. 8 and 0.2 μm, respectively. 6-10
And

【0074】電荷輸送層の検量式作成用のサンプルは、
前記導電性基体上に膜厚1.3μmの下引層が形成さ
れ、その上に膜厚0.15μmの電荷発生層が形成され
たものを電荷輸送層塗布液に浸漬し、次いでこれを引き
上げて電荷発生層上に電荷輸送層を形成することにより
作成した。この際、引き上げ速度を140、160、1
80、200、220mm/min.の5水準とし、且
つ設定膜厚を20、22、24、26、28μmとし、
それぞれサンプルNo.11〜15とした。
The sample for preparing the calibration formula of the charge transport layer is
An undercoating layer having a film thickness of 1.3 μm is formed on the conductive substrate, and a charge generating layer having a film thickness of 0.15 μm is formed on the electroconductive substrate. Was formed by forming a charge transport layer on the charge generation layer. At this time, the pulling rate is 140, 160, 1
80, 200, 220 mm / min. 5 and the set film thickness is 20, 22, 24, 26, 28 μm,
Sample No. It was set to 11-15.

【0075】次に、サンプルNo.1〜15の吸光度を
前述の膜厚測定装置20を用いて測定した。なお、サン
プルNo.1〜5及びサンプルNo.11〜15の測定
に使用した測定機は赤外線膜厚計KG−100−CM
(倉敷紡績株式会社製)であり、サンプルNo.6〜1
0の測定に使用した測定機は分光光度計MCPD−20
0(大塚電子株式会社製)であった。なお、上記測定機
は光源40及び光量センサ42を内蔵している。
Next, sample No. Absorbances of 1 to 15 were measured using the film thickness measuring device 20 described above. Sample No. 1 to 5 and sample No. The measuring machine used to measure 11 to 15 is an infrared film thickness meter KG-100-CM.
(Manufactured by Kurashiki Spinning Co., Ltd.) and sample No. 6-1
The measuring instrument used to measure 0 is a spectrophotometer MCPD-20.
It was 0 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.). The measuring machine has a light source 40 and a light amount sensor 42 built therein.

【0076】サンプルNo.1〜15の吸光度はそれぞ
れ、0.17、0.20、0.22、0.23、0.2
5、0.80、0.77、0.75、0.72、0.6
9、0.41、0.46、0.47、0.48、0.5
1であった。
Sample No. The absorbances of 1 to 15 are 0.17, 0.20, 0.22, 0.23 and 0.2, respectively.
5, 0.80, 0.77, 0.75, 0.72, 0.6
9, 0.41, 0.46, 0.47, 0.48, 0.5
It was one.

【0077】また、サンプルNo.1〜15の実膜厚を
層の切断面の拡大写真を透過型顕微鏡により撮影して求
め、それぞれ、1.03、1.18、1.34、1.4
8、1.62、0.10、0.13、0.15、0.1
8、0.21、20.94、22.39、24.29、
25.58、27.00μmであった。
Sample No. The actual film thickness of 1 to 15 was obtained by taking an enlarged photograph of a cut surface of the layer with a transmission microscope to obtain 1.03, 1.18, 1.34 and 1.4 respectively.
8, 1.62, 0.10, 0.13, 0.15, 0.1
8, 0.21, 20.94, 22.39, 24.29,
It was 25.58 and 27.00 μm.

【0078】これらのデータから単回帰式を用いて検量
式を作成した。得られた検量式を表4に示す。
A calibration formula was prepared from these data using a single regression formula. The calibration formula obtained is shown in Table 4.

【0079】[0079]

【表4】 [Table 4]

【0080】式中、Xは吸光度を、Yは実膜厚(μm)
をそれぞれ示す。これらの検量式の精度を測るために、
各検量式及び前記サンプルの吸光度から換算される予想
膜厚と前記サンプルの実膜厚との相関係数を求めた。下
引層、電荷発生層、電荷輸送層における相関係数は、そ
れぞれ0.996、0.990、0.942であり、良
好な結果が得られた。
In the formula, X is the absorbance and Y is the actual film thickness (μm)
Are shown respectively. To measure the accuracy of these calibration formulas,
The correlation coefficient between the expected film thickness converted from each calibration formula and the absorbance of the sample and the actual film thickness of the sample was obtained. The correlation coefficients of the undercoat layer, the charge generation layer, and the charge transport layer were 0.996, 0.990, and 0.942, respectively, and good results were obtained.

【0081】また、各サンプルを作成する際の引き上げ
速度と吸光度との関係を示す検量式も作成した。得られ
た検量式を表5に示す。
Further, a calibration formula showing the relationship between the pulling rate and the absorbance when preparing each sample was also prepared. Table 5 shows the obtained calibration formula.

【0082】[0082]

【表5】 [Table 5]

【0083】式中、Xは引き上げ速度(m/s)を、Y
は吸光度をそれぞれ示す。これらの検量式の精度を測る
ために、各検量式及び前記サンプルの吸光度から換算さ
れる予想引き上げ速度と前記サンプル作成時の実際の引
き上げ速度との相関係数を求めた。下引層、電荷発生
層、電荷輸送層における相関係数は、それぞれ0.99
7、0.992、0.953であり、良好な結果が得ら
れた。
In the equation, X is the pulling speed (m / s), and Y is
Indicates the absorbance, respectively. In order to measure the accuracy of these calibration formulas, a correlation coefficient between each calibration formula and the expected pulling rate converted from the absorbance of the sample and the actual pulling rate at the time of preparing the sample was determined. The correlation coefficients of the undercoat layer, the charge generation layer, and the charge transport layer are 0.99, respectively.
7, 0.992, 0.953, and good results were obtained.

【0084】以上の実施例より、予め物理的に荒らされ
た導電性基体表面上に下引層、電荷発生層、電荷輸送層
を順次形成した電子写真感光体の中間製品や最終製品の
吸光度測定結果より膜厚を正確に予測、評価することが
可能であることがわかる。そして、これにより塗布液の
濃度若しくは粘度又は浸漬塗布速度の変動等の製造工程
の変動をいち早く検知することができる。
From the above examples, the absorbance measurement of the intermediate product and final product of the electrophotographic photosensitive member in which the undercoat layer, the charge generation layer and the charge transport layer were sequentially formed on the surface of the electrically conductive substrate which was physically roughened in advance. The results show that it is possible to accurately predict and evaluate the film thickness. Thus, it is possible to promptly detect a change in the manufacturing process such as a change in the concentration or viscosity of the coating liquid or a dip coating speed.

【0085】[0085]

【発明の効果】本発明により、各機能層形成後に、各機
能層に特徴的に吸収され且つこの機能層の下に形成され
た機能層の吸収が少ない波長を使用しているため、吸光
度の測定に実際の製造で得られる中間製品や最終製品を
用いることができる。
According to the present invention, after the formation of each functional layer, a wavelength which is characteristically absorbed by each functional layer and which is less absorbed by the functional layer formed below this functional layer is used. For the measurement, an intermediate product or a final product obtained by actual manufacturing can be used.

【0086】また、本発明は、予め求めておいた膜厚計
算式と測定された吸光度とから、膜厚を正確に予測、評
価することが可能となり、製造工程の変動をいち早く検
知でき、工程の安定化、適正な膜厚を有する電子写真感
光体の製造を可能にすることができる。
Further, according to the present invention, it is possible to accurately predict and evaluate the film thickness from the previously calculated film thickness calculation formula and the measured absorbance, and it is possible to promptly detect the variation in the manufacturing process, And the production of an electrophotographic photosensitive member having an appropriate film thickness can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る膜厚測定装置の構成
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a film thickness measuring device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の膜厚測定装置のCPUのフローチャート
である。
FIG. 2 is a flowchart of a CPU of the film thickness measuring device of FIG.

【図3】図1の膜厚測定装置のCPUのフローチャート
である。
FIG. 3 is a flowchart of a CPU of the film thickness measuring device of FIG.

【図4】図1の膜厚測定装置のCPUのフローチャート
である。
4 is a flowchart of a CPU of the film thickness measuring device in FIG.

【図5】図1の膜厚測定装置のCPUのフローチャート
である。
5 is a flowchart of a CPU of the film thickness measuring device in FIG.

【図6】図1の膜厚測定装置のCPUのフローチャート
である。
FIG. 6 is a flowchart of a CPU of the film thickness measuring device of FIG.

【図7】波長λ1 〜λ3 と吸光度との関係を示すグラフ
である。
FIG. 7 is a graph showing the relationship between wavelengths λ 1 to λ 3 and absorbance.

【図8】実施例の電荷発生層の吸光度の測定に使用され
た波長と吸光度との関係を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the wavelength and the absorbance used for measuring the absorbance of the charge generation layer of the example.

【図9】本発明の実施の形態に使用される電子写真感光
体の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of an electrophotographic photosensitive member used in an embodiment of the present invention.

【図10】図9の電子写真感光体の製造に使用される塗
布装置の概略構成図である。
10 is a schematic configuration diagram of a coating device used for manufacturing the electrophotographic photosensitive member of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

6 塗布装置 9 昇降機 10 操作制御部 20 膜厚測定装置 22 CPU 24 ROM 40 光源 42 光量センサ 44 サンプル 6 Coating Device 9 Elevator 10 Operation Control Unit 20 Film Thickness Measuring Device 22 CPU 24 ROM 40 Light Source 42 Light Quantity Sensor 44 Sample

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導電性基体表面上に有機系材料を含む複
数の異なる機能層を順次積層してなる電子写真感光体の
製造方法において、 前記各機能層形成後に、前記各機能層に特徴的に吸収さ
れ且つ前記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少
ない波長における吸光度を測定する吸光度測定工程と、 測定された前記吸光度に基づいて前記各機能層の膜厚が
一定になるように前記各機能層の塗布を制御する制御工
程と、 を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
1. A method of manufacturing an electrophotographic photosensitive member comprising a plurality of different functional layers containing an organic material sequentially laminated on a surface of a conductive substrate, characterized in that each functional layer is formed after the respective functional layers are formed. Absorbance measurement step of measuring the absorbance at a wavelength at which the absorption of the functional layer formed under each of the functional layers is small, and the film thickness of each of the functional layers becomes constant based on the measured absorbance. And a control step of controlling the coating of each of the functional layers as described above.
【請求項2】 前記制御工程が、吸光度から膜厚を計算
するための膜厚計算式と測定された前記吸光度とから求
められた理論値が設定された膜厚と一致するか否かを判
定する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の電
子写真感光体の製造方法。
2. The control step determines whether or not a theoretical value obtained from a film thickness calculation formula for calculating the film thickness from the absorbance and the measured absorbance matches the set film thickness. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前
記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波長
における吸光度並びに前記各機能層及び前記各機能層の
下に形成された機能層の双方の吸収が少ない波長におけ
る吸光度から、前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前
記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波長
における吸光度を測定することを特徴とする請求項1又
は2に記載の電子写真感光体の製造方法。
3. The absorbance at a wavelength which is characteristically absorbed by each of the functional layers and which is less absorbed by the functional layers formed under each of the functional layers, and each of the functional layers and each of the functional layers are formed under each of the functional layers. From the absorbance at a wavelength at which both functional layers have low absorption, the absorbance at a wavelength at which the functional layers characteristically absorbed by the functional layers and formed below the functional layers have low absorption is measured. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前
記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波長
並びに前記各機能層及び前記各機能層の下に形成された
機能層の双方の吸収が少ない波長が赤外波長領域にある
ことを特徴とする請求項3に記載の電子写真感光体の製
造方法。
4. A wavelength that is characteristically absorbed by each of the functional layers and is less absorbed by the functional layer formed under each of the functional layers, and a function formed by each of the functional layers and each of the functional layers. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 3, wherein a wavelength at which both layers have a small absorption is in an infrared wavelength region.
【請求項5】 前記各機能層及び前記各機能層の下に形
成された機能層の双方の吸収が少ない波長は、前記各機
能層に特徴的に吸収され且つ前記各機能層の下に形成さ
れた機能層の吸収が少ない波長より長い波長及び前記各
機能層に特徴的に吸収され且つ前記各機能層の下に形成
された機能層の吸収が少ない波長より短い波長であるこ
とを特徴とする請求項4に記載の電子写真感光体の製造
方法。
5. A wavelength having a small absorption in both the functional layers and the functional layers formed under the functional layers is characteristically absorbed in the functional layers and is formed under the functional layers. The absorption wavelength of the functional layer is longer than the wavelength of less than the absorption wavelength of the functional layer formed under each of the functional layers and shorter than the wavelength of less absorption of the functional layer formed under each of the functional layers. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 4.
【請求項6】 吸光度が測定される機能層が顔料を含有
しないことを特徴とする請求項1、2、3、4及び5の
いずれか1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
6. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the functional layer whose absorbance is measured does not contain a pigment.
【請求項7】 吸光度が測定される機能層が下引層及び
電荷輸送層であることを特徴とする請求項6に記載の電
子写真感光体の製造方法。
7. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 6, wherein the functional layers whose absorbance is measured are an undercoat layer and a charge transport layer.
【請求項8】 前記各機能層に特徴的に吸収され且つ前
記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波長
並びに前記各機能層及び前記各機能層の下に形成された
機能層の双方の吸収が少ない波長が可視波長領域にある
ことを特徴とする請求項3に記載の電子写真感光体の製
造方法。
8. A wavelength characteristically absorbed by each of the functional layers and having less absorption of the functional layer formed under each of the functional layers, and a function formed under each of the functional layers and each of the functional layers. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 3, wherein a wavelength at which both layers have a small absorption is in a visible wavelength region.
【請求項9】 吸光度が測定される機能層が顔料を含有
することを特徴とする請求項1、2、3及び8のいずれ
か1項に記載の電子写真感光体の製造方法。
9. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the functional layer whose absorbance is measured contains a pigment.
【請求項10】 吸光度が測定される機能層が電荷発生
層であることを特徴とする請求項9に記載の電子写真感
光体の製造方法。
10. The method for producing an electrophotographic photosensitive member according to claim 9, wherein the functional layer whose absorbance is measured is a charge generation layer.
【請求項11】 導電性基体表面上に有機系材料を含む
複数の異なる機能層を順次積層してなる電子写真感光体
の製造装置において、 前記各機能層形成後に、前記各機能層に特徴的に吸収さ
れ且つ前記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少
ない波長における吸光度を測定する吸光度測定手段と、 測定された前記吸光度に基づいて前記各機能層の膜厚が
一定になるように前記各機能層の塗布を制御する制御手
段と、 を有することを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
11. An electrophotographic photoconductor manufacturing apparatus comprising a conductive substrate, and a plurality of different functional layers containing an organic material, which are sequentially laminated on the surface of the conductive substrate. Absorbance measuring means for measuring the absorbance at a wavelength at which the absorption of the functional layer formed under each of the functional layers is small, and the film thickness of each of the functional layers becomes constant based on the measured absorbance. An apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member, comprising: a control unit that controls coating of each of the functional layers.
【請求項12】 前記制御手段が、吸光度から膜厚を計
算するための膜厚計算式と測定された前記吸光度とから
求められた理論値が設定された膜厚と一致するか否かを
判定する判定手段を含むことを特徴とする請求項11に
記載の電子写真感光体の製造装置。
12. The control means determines whether or not a theoretical value obtained from a film thickness calculation formula for calculating the film thickness from the absorbance and the measured absorbance matches the set film thickness. The manufacturing apparatus for an electrophotographic photosensitive member according to claim 11, further comprising a determining unit that performs the determination.
【請求項13】 前記吸光度測定手段は、前記各機能層
に特徴的に吸収され且つ前記各機能層の下に形成された
機能層の吸収が少ない波長における吸光度並びに前記各
機能層及び前記各機能層の下に形成された機能層の双方
の吸収が少ない波長における吸光度から、前記各機能層
に特徴的に吸収され且つ前記各機能層の下に形成された
機能層の吸収が少ない波長における吸光度を測定するこ
とを特徴とする請求項11又は12に記載の電子写真感
光体の製造装置。
13. The absorbance measuring means has an absorbance at a wavelength that is characteristically absorbed by each of the functional layers and is less absorbed by the functional layers formed under each of the functional layers, the functional layers and the respective functions. From the absorbance at a wavelength at which both functional layers formed below the layer absorb less, the absorbance at a wavelength at which the functional layers characteristically absorbed by each functional layer and below the functional layer absorb less The apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member according to claim 11, wherein the electrophotographic photosensitive member is measured.
【請求項14】 前記各機能層に特徴的に吸収され且つ
前記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波
長並びに前記各機能層及び前記各機能層の下に形成され
た機能層の双方の吸収が少ない波長が赤外波長領域にあ
ることを特徴とする請求項13に記載の電子写真感光体
の製造装置。
14. A wavelength that is characteristically absorbed by each of the functional layers and is less absorbed by the functional layer formed under each of the functional layers, and a function formed by each of the functional layers and each of the functional layers. 14. The apparatus for manufacturing an electrophotographic photosensitive member according to claim 13, wherein a wavelength at which absorption of both layers is small is in an infrared wavelength region.
【請求項15】 前記各機能層に特徴的に吸収され且つ
前記各機能層の下に形成された機能層の吸収が少ない波
長並びに前記各機能層及び前記各機能層の下に形成され
た機能層の双方の吸収が少ない波長が可視波長領域にあ
ることを特徴とする請求項13に記載の電子写真感光体
の製造装置。
15. A wavelength characteristically absorbed by each of the functional layers and having less absorption of the functional layer formed under each of the functional layers, and a function formed by each of the functional layers and each of the functional layers. 14. The electrophotographic photosensitive member manufacturing apparatus according to claim 13, wherein a wavelength at which both layers have a small absorption is in a visible wavelength region.
JP8149343A 1996-06-11 1996-06-11 Production of electrophotographic photoreceptor and producing device Pending JPH09329899A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009163181A (en) * 2008-01-10 2009-07-23 Kyocera Mita Corp Method for inspecting electrophotographic photoreceptor and method for manufacturing the same
JP2009163053A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Kyocera Mita Corp Method of inspecting electrophotographic photoreceptor and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009163053A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Kyocera Mita Corp Method of inspecting electrophotographic photoreceptor and method of manufacturing the same
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