JPH09326134A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板厚が異なるディスクＭに対して，アパー
チャを出し入れすることなく対物レンズ１２の閉口数を
変えて，対物レンズ１２の収差による影響を改善する。 【解決手段】 対物レンズ１２とディスクＭとの間に，
上部電極６５と，円形又は楕円形に形成された中央電極
６３ａ及び当該中央電極６３ａの周囲に設けられたりン
グ電極６３ｂからなる下部電極６３とを有し，これらが
エレクトクロミック層６４を挟んで構成されたエレクト
クロミック素子６０を設ける。そして，対物レンズ１２
とディスクＭの記録層との距離に応じて，リング電極６
３ｂに印加する電圧を変化させ，これによりリング電極
６３ｂと上部電極６５とに挟まれたエレクトクロミック
層６４の透過率を変化させて対物レンズ１２に入射する
光ビームを絞ることにより当該対物レンズ１２の開口数
を変える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，集光レンズの開口
数を変える可能な光ピックアップ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年，光を利用した情報記憶媒体におい
て記憶容量の増大が強く望まれ，かかる要請に対処すべ
く記録密度を向上させるための技術開発が日夜行われ，
高密度ＤＶＤ等の提案がなされている。

【０００３】しかし，現行のディスクの基板厚が１．２
ｍｍであるのに対し，高密度ＤＶＤの基板厚が０．６ｍ
ｍであるため，ディスク上の記録層にスポットを形成す
るための対物レンズが，一方の基板厚に対して最適設計
されている場合に，他方のディスクに対して書込／消去
／読出を行うと対物レンズの収差の影響が大きくなり，
当該記録層上に完全にフォーカシングされたスポットを
形成することが困難であった。このため，読み出しエラ
ー等不具合が発生して互換性を保つことが困難であっ
た。

【０００４】なお，本明細書においては，説明の都合か
ら基板厚が厚いディスク（例えば，１．２ｍｍの現行デ
ィスク）を厚ディスク，基板厚が薄いディスク（例え
ば，０．６ｍｍの高密度ＤＶＤ）を薄ディスクと呼称
し，また記録層上に形成されたレーザ光のスポットにお
いて対物レンズの収差が問題にならない状態をフォーカ
ス状態，収差が問題になるような状態をディフォーカス
状態と呼称する。

【０００５】かかる問題に対し，収差の大きくなるレー
ザ光の外周部をアパーチャにより絞り，これによりフォ
ーカス状態にする開口制限法が提案され，その効果も確
認されるに至っている（平成７年応用物理学会 秋季講
演会 講演番号２９ａ−ＺＡ−６ 土屋他 参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
た方法では，光源からディスクまでの光学系の間にアパ
ーチャ及び当該アパーチャを出入れする機構を設ける必
要があるため，機構部品が増える共に，これらは高い位
置精度が要求されるので，光ピックアップ装置の大型化
及びコストアップの要因となり，また高い信頼性を維持
することが困難となっていた。

【０００７】そこで本発明は，アパーチャの出し入れが
不要な構成とし，これにより高い取付け精度を不要にす
ると共に，高信頼，小型化及び低コストの要求を満たす
ことが可能な光ピックアップ装置を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１にかかる発明は，光源からの光ビームを集
光レンズにより集光して，情報記録媒体上にスポットを
形成することにより情報の書込／消去を行うと共に，前
記情報記録媒体からの反射光を前記集光レンズを介して
受光素子により受光することにより前記情報記録媒体に
書き込まれている情報の読取を行う光ピックアップ装置
において，前記情報記録媒体の基板厚に応じて，前記光
源からの光ビームを絞るエレクトクロミック素子を設け
たことを特徴とする。

【０００９】請求項２にかかる発明は，前記反射光を回
折して前記受光素子に当該反射光を入射させるホログラ
ムユニットを有し，かつ，該ホログラムユニットと前記
光源及び前記受光素子とが，一体に設けられていること
を特徴とする。

【００１０】請求項３にかかる発明は，前記エレクトク
ロミック素子が，１枚平板の上部電極と，円形又は楕円
形に形成された中央電極及び当該中央電極の周囲に設け
られたリング電極からなる下部電極とを有し，これらが
エレクトクロミック層を挟んで配設されて，前記情報記
録媒体の基板厚に応じ，前記リング電極に印加する電圧
を変化させて，当該リング電極と前記上部電極とに挟ま
れたエレクトクロミック層の透過率を変化させることに
より入射する光ビームを絞ることを特徴とする。

【００１１】請求項４にかかる発明は，前記エレクトク
ロミック素子に用いられるエレクトクロミック材が，固
体電解質の酸化タングステン系無機材からなることを特
徴とする。

【００１２】請求項５にかかる発明は，光源からの光ビ
ームを集光レンズにより集光し情報記録媒体上にスポッ
トを形成することにより前記情報記録媒体に情報の書込
／消去を行うと共に，前記情報記録媒体からの反射光を
前記集光レンズを介して受光素子により受光することに
より前記情報記録媒体に書き込まれている情報の読取を
行う光ピックアップ装置において，前記情報記録媒体の
基板厚に応じて，入射する光ビームの周辺部分の偏光方
向を当該光ビームの中心部分の偏光方向と異なるように
偏光させる液晶素子と，該液晶素子からの光ビームの周
辺部分の偏光方向が，当該光ビームの中心部分の偏光方
向と異なる場合には，中心部分の光ビームのみを反射又
は透過し，前記集光レンズに向うように配設させたビー
ムスプリッタと，該ビームスプリッタと前記集光レンズ
との間に配設されたλ／４板と，前記ビームスプリッタ
を透過又は反射した前記反射光を前記受光素子に集光さ
せる反射光集光手段とを有することを特徴とする。

【００１３】請求項６にかかる発明は，光源からの光ビ
ームを集光レンズにより集光し情報記録媒体上にスポッ
トを形成して前記情報記録媒体に情報の書込／消去を行
うと共に，前記情報記録媒体からの反射光を前記集光レ
ンズを介して受光素子により受光することにより前記情
報記録媒体に書き込まれている情報の読取を行う光ピッ
クアップ装置において，前記情報記録媒体の基板厚に応
じて，入射する光ビームの周辺部分の偏光方向を当該光
ビームの中心部分の偏光方向と異なるように偏光させる
液晶素子と，該液晶素子から出射される光ビームの周辺
部分の偏光方向が，当該光ビームの中心部分の偏光方向
と異なる場合には，周辺部分の光ビームを吸収するよう
に配設された偏光子と，該偏光子と前記集光レンズとの
間に配設されたλ／４板と，前記反射光を回折して受光
素子に入射させるホログラムユニットとを有し，かつ，
当該ホログラムユニットと前記光源及び前記受光素子と
が，一体に設けられていることを特徴とする。

【００１４】請求項７にかかる発明は，前記液晶素子
が，１枚平板の上部電極と，円形又は楕円形に形成され
た中央電極及び当該中央電極の周囲に設けられたリング
電極からなる下部電極とを有し，これらが液晶を挟んで
配設されて，前記情報記録媒体の基板厚に応じ，前記リ
ング電極に印加する電圧を変化させて当該リング電極と
前記上部電極とに挟まれた液晶分子のねじれ状態を変化
させることにより，当該領域から出射される光ビームの
偏光方向と，中央電極の領域から出射される光ビームの
偏光方向とを９０°異なるようにしたことを特徴とす
る。

【００１５】請求項８にかかる発明は，前記液晶素子
が，ツイストネマチック型液晶素子からなることを特徴
とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。なお，以下の説明においては，レーザ光の偏光方
向について「紙面に垂直」「紙面に平行」の表現を用い
るが，これらは参照図面に対して水平，垂直を意味し
て，また半導体レーザから出射されるレーザ光は，紙面
と平行に直線偏光しているものとする。また基板厚が厚
いディスク（厚ディスク）を符号ＭＬ，基板厚が薄いデ
ィスク（薄ディスク）を符号ＭＳ，これらを総称する符
号として符号Ｍを用いる。さらに，対物レンズは薄ディ
スクに対して最適設計されているものとする。

【００１７】第１の実施の形態を図に基づき説明する。
図１は，本実施の形態にかかる光ピックアップ装置の光
学系を示したものである。

【００１８】光ピックアップ装置１は，レーザ光を発光
する半導体レーザ１０，該半導体レーザ１０からのレー
ザ光を平行光にするコリメートレンズ１１，入射するレ
ーザ光の偏光方向により当該レーザ光を分割するビーム
スプリッタ（ＰＢＳ）１４，ＰＢＳ１４からのレーザ光
を集光してディスクＭの記録層（図示せず）にスポット
を形成すると共に，当該ディスクＭからの反射光を平行
光にする集光レンズである対物レンズ１２，ＰＢＳ１４
を介して対物レンズ１２からのレーザ光を集光する検出
系レンズ１５，当該検出系レンズ１５からのレーザ光を
受光素子１３上に集光させるシリンドリカルレンズ１
６，受光したレーザ光を電気信号に変換する上述した受
光素子１３等を有し，検出系レンズ１５とシリンドリカ
ルレンズ１６とが反射光集光手段を構成している。

【００１９】また，本実施の形態にかかる光ピックアッ
プ装置１は，さらに半導体レーザ１０とＰＢＳ１４との
間に液晶素子５０が配設され，またＰＢＳ１４と対物レ
ンズ１２の間にλ／４板１７が配設されている。

【００２０】上記構成の光ピックアップ装置１におい
て，半導体レーザ１０から出射されたレーザ光は，コリ
メートレンズ１１により平行光となり，液晶素子５０を
通過しＰＢＳ１４に入射する。当該ＰＢＳ１４に入射し
たレーザ光のうち，偏光方向が紙面に垂直なレーザ光が
ディスクＭの方向に反射されて，λ／４板１７に入射す
る。そしてλ／４板１７からは，円偏光のレーザ光とな
って対物レンズ１２に入射し，当該対物レンズ１２によ
り集光されて記録層上にスポットが形成される。

【００２１】一方，ディスクＭから反射されたレーザ光
は，対物レンズ１２で集光されてλ／４板１７に入射す
る。そして当該λ／４板１７を通過することによりレー
ザ光は紙面と平行に偏光してＰＢＳ１４に入射する。こ
のような偏光状態となるためレーザ光はＰＢＳ１４を通
過し，検出系レンズ１５に入射する。その後，当該検出
系レンズ１５及びシリンドリカルレンズ１６により集光
されて受光素子１３に入射する。

【００２２】ところで上述した液晶素子５０は，基板厚
の異なるディスクＭ間で互換性を保つために設けてい
る。即ち，液晶装置５０は，対物レンズ１２に入射する
レーザ光の径を変化させ，対物レンズ１２の開口数を変
える働きをしている。そして，開口数が変化することに
より，当該対物レンズ１２の収差によるディフォーカス
状態が改善され，これにより基板厚の異なるディスクＭ
でもフォーカス状態が得られるようにしている。

【００２３】例えば，対物レンズ１２が薄ディスクＭＳ
に対して最適設計されている場合に，薄ディスクＭＳに
対して書込／消去／読出を行うときは，液晶素子５０は
対物レンズ１２の開口数を本来の開口数になるようにレ
ーザ光を通過させるが，厚ディスクＭＬに対して書込／
消去／読出を行うときは，開口数が小さくなるようにレ
ーザ光を通過させる。

【００２４】このような働きをする液晶素子５０の構成
を図２に基づき説明する。図２（ａ）は液晶素子５０の
断面を示し，（ｂ）及び（ｃ）は後述する下部電極の構
成を示す斜視図である。

【００２５】液晶素子５０は，ギャップ材５７により所
定距離だけ離れて対峙した，上ガラス基板５１及び下ガ
ラス基板５２を有している。

【００２６】そして，上ガラス基板５１には，ＩＴＯ等
の透明部材からなる１枚形状の上部電極５３が形成さ
れ，その上にポリイミド等からなる配向膜５４が成膜さ
れている。また下ガラス基板５２には，上ガラス基板５
１の場合と同様にＩＴＯ等の透明部材からなる下部電極
５５が形成され，その上にポリイミド等からなる配向膜
５６が成膜されている。

【００２７】また，配向膜５４，５６には，ラビング等
により配向処理が施され，配向膜５４と配向膜５６とで
は配向処理の方向（以下，ラビング方向と呼称する）が
９０°ずれている。

【００２８】なお，下部電極５５は図２（ｂ），（ｃ）
に見られるように，円形又は楕円形の形状を持つ中央電
極５５ａと，当該中央電極５５ａの外周部にリング状に
設けられたリング電極５５ｂにより構成され，中央電極
５５ａの中心は光学系の光軸と一致するように配設され
ている。

【００２９】ギャップ材５７が含まれる空間には，正の
誘電異方性を有するネマティック液晶５９が封入されて
厚さ約５μｍの液晶層が形成されて，シール材５８によ
り封止されている。

【００３０】液晶素子５０の配置方向は，レーザ光が液
晶装置５０に入射する側の上又は下ガラス基板５１，５
２に設けられている配向膜５４，５５のラビング方向と
レーザ光の直線偏光の方向とが一致するように配置され
ている。

【００３１】例えば，図１においてコリメートレンズ１
１側のガラス基板が下ガラス基板５２であり，半導体レ
ーザ１０からのレーザ光が紙面と垂直の方向に直線偏光
している場合には，下ガラス基板５２側に設けられてい
る配向膜５６のラビング方向が紙面と垂直の方向になる
ように液晶素子５０を配置する。

【００３２】なお上下ガラス基板５１，５２で，ラビン
グ方向が９０°ずれているので，液晶分子は連続的にね
じれ，最終的に９０°の配向性を示すようになってい
る。このような構成の液晶素子５０は，一般にツイスト
ネマティック（ＴＮ）型液晶素子と呼ばれている。

【００３３】かかる液晶素子５０の応答時間（立ち上が
り時間と立ち下がり時間との和）は，約６０ｍｓであ
り，光ピックアップ装置１に用いるに十分な応答性を持
っている。

【００３４】次に，液晶素子５０によるアパーチャの作
用を図３に基づき説明する。液晶素子５０に，閾値電圧
より低い交流電圧を印加した場合，液晶分子はねじれを
解消しないので，当該液晶素子５０に入射したレーザ光
は，液晶分子のねじれに応じて９０°旋光して出射され
る。一方，閾値電圧より高い交流電圧を印加すると，液
晶分子はねじれを解消するため，入射したレーザ光は偏
光方向を変えずに出射される。

【００３５】即ち，液晶素子５０に入射するレーザ光が
紙面と平行に偏光している場合，当該レーザ光が閾値電
圧以下の交流電圧が印加された液晶５９に入射すると，
液晶分子の配向状態に応じて９０°旋光し，これにより
紙面と垂直に偏光したレーザ光となって出射される。

【００３６】このためＰＢＳ１４により反射されて，λ
／４板１７を通って対物レンズ１２に入射するようにな
る。

【００３７】一方，レーザ光が閾値電圧以上の電圧が印
加された液晶５９に入射すると，液晶分子はねじれを解
消するため，レーザ光は偏光されずに出射される。この
ため，ＰＢＳ１４に入射したレーザ光はＰＢＳ１４によ
り反射されずに直進するので，対物レンズ１２にレーザ
光が入射しなくなる。

【００３８】このような液晶素子５０の偏光作用を利用
して，対物レンズ１２が薄ディスクＭＳに対して最適設
計されている場合に，薄ディスクＭＳに対して書込／消
去／読出を行うときは，中央電極５５ａ及びリング電極
５５ｂに閾値電圧以下の交流電圧を印加する。

【００３９】このとき液晶分子はねじれを解消しないの
で，液晶素子５０に入射したレーザ光は全て９０°旋光
して，紙面と垂直な方向に偏光されて出射される。出射
されたレーザ光は，ＰＢＳ１４で反射されて対物レンズ
１２へ入射する。

【００４０】一方，厚ディスクＭＬに対して書込／消去
／読出を行うときは，中央電極５５ａに閾値電圧以下の
交流電圧を印加し，リング電極５５ｂに閾値電圧以上の
交流電圧を印加する。

【００４１】このときリング電極５５ｂと上部電極５３
とに挟まれた液晶分子のねじれ配向が解消し，当該領域
に入射したレーザ光は偏光状態を変えることなく通過す
る。また，中央電極５５ａと上部電極５３とにより挟ま
れた領域の液晶分子は，ねじれを解消していないので，
紙面と平行に偏光しているレーザ光は９０°旋光して紙
面と垂直に偏光して液晶素子５０から出射される。

【００４２】ＰＢＳ１４は，紙面と垂直な方向に偏光し
たレーザ光を反射するが，紙面に平行な方向に偏光した
レーザ光は反射せずに透過させるので，中央電極５５ａ
を通過したレーザ光のみが反射されて対物レンズ１２に
入射するようになる。これにより，対物レンズ１２に入
射するレーザ光の径を変えることができ，対物レンズ１
２の開口数を変えることが可能になる。

【００４３】なお，図１においては，液晶素子５０をコ
リメートレンズ１１とＰＢＳ１４の間に配設している
が，コリメートレンズ１１と半導体レーザ１０との間に
配設しても同様の効果を得ることができる。

【００４４】また，半導体レーザ１０から出射されるレ
ーザ光は，紙面と平行に偏光している場合について説明
したが，紙面と垂直な偏光を持つ場合には，中央電極５
５ａとリング電極５５ｂとに印加する電圧値の関係を逆
にすれば，全く同一の効果が得られることは言うまでも
ない。

【００４５】また，液晶素子５０としてツイストネマテ
ィック型の他に，強誘電性液晶を挾持させて液晶層が双
安定構造を有するＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）型液晶素子，ネマテ
ィック液晶をポリマーに分散した液晶層を挟持した構造
を有するＰＤＬＣ（Ｐｏｌｉｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅ
ｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）素子，液晶分子の
長軸が基板面に並行あるいは垂直に配同した動的散乱型
液晶素子，レーザ光源波長でのレーザ光吸収係数が異方
性を有する二色性色素を添加した液晶層を挟持させたＧ
Ｈ（ゲストホスト）型液晶素子があるが，いずれも液晶
素子を通過したレーザ光の収差を悪化させる要因を含ん
でいたり，レーザ光の透過率が低いなどの特性がある。
従って，ツイストネマティック型液晶素子は，入射光の
偏光方向を９０°旋光する特性のみを利用しているた
め，簡単な構成で，かつ，光学的影響の少ない構成とな
っている。

【００４６】以上の説明した構成により，リング電極５
５ｂに印加する電圧値によりアパーチャ効果を具現して
いるので，アパーチャの出入れ機構が不要になると共
に，取付が容易になり，これによって光ピックアップ装
置の小型化，組付工数の低減，信頼性の向上及びコスト
ダウンを図ることが可能になった。

【００４７】本発明の第２の実施の形態を図に基づき説
明する。なお第１の実施に形態と同一構成については同
一符号を用いて説明を省略する。

【００４８】第１の実施の形態においては，半導体レー
ザ１０から出射したレーザ光は，ＰＢＳ１４により反射
されて対物レンズ１２に入射し，当該対物レンズ１２に
より記録層上にスポットが形成され，またディスクＭか
らの反射光は対物レンズ１２により集光され，ＰＢＳ１
４を通過して受光素子１３に入射する構成となってい
た。

【００４９】かかる構成に対し，本実施の形態にかかる
光ピックアップ装置は，半導体レーザと受光素子とが一
体化された一体ユニットを用いている。

【００５０】図４及び図５は，本実施の形態にかかる光
ピックアップ装置の光学系を示したもので，図４は厚デ
ィスクＭＬに対して書込／消去／読出を行う場合，図５
は薄ディスクＭＳに対して書込／消去／読出を行う場合
を示している。また，図４（ａ）及び図５（ａ）は，半
導体レーザからレーザ光が出射されてディスクＭに到達
するまでの光路を示し，図４（ｂ）及び図５（ｂ）は，
ディスクＭからの反射光が受光素子２３に入射するまで
の光路を示している。

【００５１】光ピックアップ装置２は，ホログラムユニ
ット２８と半導体レーザ２０と多分割受光素子２３とが
一体に設けられた一体ユニット２９（以下単に一体ユニ
ットと略記する），コリメートレンズ１１及び対物レン
ズ１２を有している。

【００５２】またコリメートレンズ１１と対物レンズ１
２との間には，第１の実施の形態で説明した液晶素子５
０，偏光子２４及びλ／４板１７が配設されている。

【００５３】偏光子２４は，中央電極５５ａと同じ形状
を持つ円形又は楕円形の偏光作用を持たない非偏光部２
４ｂと，その周囲に設けられた偏光作用を持つ偏光部２
４ａとにより構成されている。そして偏光子２４は，λ
／４板１７と液晶素子５０の間に当該変更視の中心が光
軸と一致するように配設され，かつ，偏光子２４の偏光
方向を隣接する上又は下ガラス基板５１，５２（例えば
図４では上ガラス基板）に設けられている配向膜５４の
ラビング方向と一致するように配置されている。

【００５４】上記構成の光ピックアップ装置２におい
て，半導体レーザ２０から出射されたレーザ光は，コリ
メートレンズ１１により平行光となる。そして液晶素子
５０を通過して，偏光子２４及びλ／４板１７を通り対
物レンズ１２で集光されて記録層上にスポットが形成さ
れる。

【００５５】一方，記録層からの反射光は，対物レンズ
１２により集光され，λ／４板１７，偏光子２４及び液
晶素子５０を通りコリメートレンズ１１により集光され
て一体ユニット２９に入射する。この際，入射した反射
光は，ホログラムユニット２８で回折されて光路を変
え，受光素子２３に入射する。

【００５６】上記構成において，厚ディスクＭＬ及び薄
ディスクＭＳに対して書込／消去／読出する際の動作を
説明する。厚ディスクＭＬの場合は，中央電極５５ａに
閾値電圧以下の交流電圧を印加し，リング電極５５ｂに
閾値電圧以上の交流電圧を印加する。

【００５７】これにより，リング電極５５ｂと上部電極
５３との間に挟まれた領域の液晶分子はねじれを解消
し，当該液晶領域に入射したレーザ光は偏光状態（紙面
と平行方向）を変えず，そのまま偏光子２４に出射す
る。

【００５８】このとき偏光子２４における偏光部２４ａ
は，紙面と垂直方向に偏光したレーザ光を通過させるよ
うに配置されているので（配向膜５３のラビング方向と
一致するように配置されている），当該偏光部２４ａに
入射したレーザ光は偏光部２４ａにより遮光され，対物
レンズ１２に入射しない。

【００５９】ところが，偏光子２４の非偏光部２４ｂは
偏光作用を持たないので，当該非偏光部２４ｂに入射す
るレーザ光は，偏光状態にかかわらずそのまま通過して
対物レンズ１２に入射する。

【００６０】即ち，レーザ光は非偏光部２４ｂの形状に
絞られてλ／４板１７を通過して対物レンズ１２に入射
する。従って，対物レンズ１２の開口数が小さくなる。

【００６１】これによって，対物レンズ１２が，薄ディ
スクＬＳに対して最適設計されていても，厚ディスクＭ
Ｌに対してフォーカシングされたスポットを形成するこ
とが可能になる。

【００６２】一方，記録層から反射されたレーザ光は，
λ／４板１７を通過して，紙面と平行に偏光したレーザ
光となる。このとき偏光子２４における偏光部２４ａ
は，紙面と垂直方向に偏光したレーザ光を通過させるよ
うに配設されているので，偏光子２４に入射したレーザ
光は非偏光部２５ｂの形状に絞られて液晶素子５０に入
射する。

【００６３】非偏光部２４ｂは，中央電極５５ａと同じ
形状であるので，液晶素子５０に入射したレーザ光は全
て９０°旋光し，紙面と平行な方向に偏光したレーザ光
となって，コリメートレンズ１１に入射する。そして，
ホログラムユニツト２８により回折されて受光素子２３
に入射し検出信号が出力される。

【００６４】これによって，対物レンズが薄ディスクＬ
Ｓに対して最適設計されているため，反射光に含まれる
マーク以外の部分からのレーザ光が遮蔽されるようにな
って，以後の情報処理を容易に行うことが可能になる。

【００６５】薄ディスクＭＳの場合には，中央電極５５
ａ及びリング電極５５ｂに閾値電圧以下の交流電圧を印
加する。従って液晶分子は，全てねじれを解消していな
い。このため，当該液晶素子５０から出射されるレーザ
光は，９０°旋光して紙面と平行になって偏光子２４に
入射する。

【００６６】上述したように偏光子２４の偏光部２４ａ
は，紙面に垂直方向に偏向した光を通過するので，偏光
子２４に入射した全てのレーザ光が，そのままλ／４板
１７に入射して対物レンズ１２に入射する。

【００６７】従って，液晶素子５０に入射したレーザ光
は，絞られないで対物レンズ１２に入射するようにな
る。即ち，対物レンズ１２が本来の開口数を持つように
なる。

【００６８】一方，薄ディスクＭＳから反射してきたレ
ーザ光は，対物レンズ１２を通過してλ／４板１７に入
射する。レーザ光はλ／４板１７により偏光されるが，
往復２度当該λ／４板１７を通過するので，結局９０°
旋光したことになり紙面と平行に偏光したレーザ光が偏
光子２４に入射するようになる。

【００６９】偏光子２４の偏光部２４ａは，紙面と垂直
方向に偏向したレーザ光を通過させるので，偏光子２４
に入射したレーザ光は非偏向部２４ｂの大きさに絞られ
て，液晶素子５０に入射する様になる。

【００７０】そしてレーザ光は，液晶素子５０により９
０°旋光されて，紙面と垂直方向に偏光したレーザ光と
なって，コリメートレンズ１１に入射し，その後ホログ
ラムユニット２８に入射して，当該ホログラムユニット
２８により回折されて受光素子２３に入射する。

【００７１】以上の説明した構成により，リング電極５
５ｂに印加する電圧値によりアパーチャ効果を具現して
いるので，アパーチャの出入れ機構が不要になると共
に，取付が容易になり，これによってピックアップの小
型化，組付工数の低減，信頼性の向上及びコストダウン
を図ることが可能になった。

【００７２】なお，上記説明においては，偏光子２４を
用いたが，当該偏光子２４の代わりに図６に示すように
ＰＢＳ１８を用いることもできる。

【００７３】この場合，ＰＢＳ１８は，リング電極５５
ｂと同じ内径を持つリング状の半透膜１９が形成された
三角プリズムを貼り合わせて構成し，かつ，ＰＢＳ１８
の機能を当該リング状半透膜１９の部分のみに限定し，
中央部は単純な透過特性を持つように構成する。

【００７４】そしてかかるＰＢＳ１８をλ／４板１７と
液晶素子５０の間に，それぞれの中央を一致させて配置
することにより上記偏光子２４と全く同一の動作を行う
ことが可能になる。

【００７５】ところで，偏光子２４又はＰＢＳ１８にお
いて，これらの中央部を透過するレーザ光と，リング状
に構成された偏光子２４の偏光部２４ａ又はリング状半
透膜１９を通過するレーザ光とで光路差による位相差が
発生し，記録層上に形成したスポットに収差が発生する
場合には，それぞれの中央部に対し外周部と略同一の光
路差をもつ透明膜を形成することにより前述の位相差の
発生が防止できる。

【００７６】特にＰＢＳ１８に透明膜を形成する場合に
は，当該透明膜は薄膜であるため光学的設計が容易であ
り，これによりレーザ光の位相差の発生が容易に防止で
き，記録層上に収差のないフォーカシングされたスポッ
トを形成することが可能になる。従って，受光素子２３
に入射するレーザ光は不要な情報を殆ども持たなくなる
ため，当該受光素子２３からの検出信号におけるＣ／Ｎ
が向上する。

【００７７】なお，偏光子２４又はＰＢＳ１８は，ホロ
グラムユニツトでの回折効率を良好にするために設けて
いるので，半導体レーザ２０の発光パワーを大きくする
ならば，偏光子２４又はＰＢＳ１８を用いなくても同等
の再生信号が得られる。即ち，これらを用いなくても発
明の効果を得ることができる。

【００７８】次ぎに本発明にかかる第３の実施の形態を
図に基づき説明する。なお，上述した実施の形態と同一
構成については，同一符号を用いて説明を省略する。

【００７９】これまでの実施の形態では，液晶素子をア
パーチャとして用い，これにより対物レンズの開口数を
換えていた。本実施の形態では，かかる作用をエレクト
ロクロミック（ＥＣ）素子により行うものである。

【００８０】図７は，本実施の形態にかかる光ピックア
ップ装置３の光学系を示したものである。ＥＣ素子６０
は電極間に形成されたＥＣ膜６４に電圧を印加すること
で，ＥＣ膜６４に着色／消色反応を起こさせて透過率を
制御する素子であり，また液晶素子と異なり通過する光
を偏光させない性質を持っている。

【００８１】半導体レーザ１０から出射されたレーザ光
は，コリメートレンズ１１により平行光となってＥＣ素
子６０に入射する。そして当該ＥＣ素子６０を透過した
レーザ光はＰＢＳ１４によりディスクＭの方向に反射さ
れ，λ／４板１７を通過し円偏光となって対物レンズ１
２に入射する。これによりレーザ光は集光されて記録層
上にスポットが形成される。

【００８２】一方，記録層から反射されたレーザ光は対
物レンズ１２により平行光となり，λ／４板１７を通過
することで半導体レーザ１０から出射された偏光状態か
ら９０°旋光して，紙面と平行に偏光した光となってＰ
ＢＳ１４に入射する。従って，レーザ光はＰＢＳ１４を
通過して，検出系レンズ１５に入射するようになる。そ
の後，シリンドリカルレンズ１６により集光されて受光
素子１３に入射する。

【００８３】ＥＣ素子６０は，例えば薄ディスクＭＳに
対して最適設計された対物レンズ１２を用いて，厚ディ
スクＭＬに対して互換性を保つために，当該厚ディスク
ＭＬがセットされている場合にはＥＣ素子６０のアパー
チャ効果により対物レンズ１２に入射するレーザ光を絞
る。

【００８４】これにより，対物レンズ１２の開口数が小
さくなり，厚ディスクＭＬ上に形成されるスポットに収
差による影響を改善している。

【００８５】次ぎに，ＥＣ素子６０の構成を図８に基づ
き説明する。ＥＣ素子６０は，上及び下ガラス基板６
２，６１を有し，下ガラス基板６１にはＩＴＯ等の透明
部材からなる下部電極６３が形成されている。そして当
該下部電極６３の上に，酸化タングステン系のＥＣ膜６
４が設けられ，その上にＩＴＯ等の透明部材からなる上
部電極６５が形成されている。

【００８６】そして上部電極６５の上には，保護膜及び
封止材として作用する封止樹脂６６が設けられ，さらに
その上に上ガラス基板６２が設けられた構成となってい
る。

【００８７】下部電極６３は，図８（ｂ），（ｃ）に示
すように円形あるいは楕円形の形状の中央電極６３ａ
と，その周囲に設けられたリング電極６３ｂとからなっ
ている。なお上部電極６５は，１枚形状に形成されて中
央電極６３ａ及びリング電極６３ｂの対向電極となって
いる。

【００８８】このような構造のＥＣ素子６０に負の電圧
を印加すると，ＥＣ膜６４においてＷＯ₃＋ｘＭ⁺＋ｘｅ
^-→ＭｘＷＯ₃の着色反応（Ｍ⁺はＨ⁺，Ｌ⁺などのカチオ
ン）が起こり，入射したレーザ光はこのＥＣ膜６４で吸
収され遮光される。

【００８９】逆に，このＥＣ素子６０に正の電圧を印加
すると，ＥＣ膜６４において逆の消色反応が起こり消色
されるので，レーザ光は吸収されることなく透過する。

【００９０】このときのＥＣ素子６０の応答速度は着色
／消色ともに約３００ｍｓであり，光ピックアップ装置
３において十分に許容される速度である。

【００９１】図９は，上述した酸化タングステン系の材
料からなるＥＣ素子６０の着色／消色状態における透過
スペクトルを示したものである。

【００９２】通常，光ピックアップ装置に用いられる半
導体レーザの発光波長は６３５〜７８０ｎｍ程度であ
り，特に高密度ＤＶＤと現行のＣＤとの互換性がある最
近の光ピックアップ装置では６３５〜６８０ｎｍが用い
られている。よって，酸化タングステン系のＥＣ素子
は，この波長範囲で良好な透過／遮光特性を有している
ことがわかる。

【００９３】次ぎに，上記構成の光ピックアップ装置３
の動作を説明する。薄ディスクＭＳの場合には，中央電
極６３ａ及びリング電極６３ｂに正の電圧を印加する。
これによりＥＣ膜６４は消色状態となり，紙面と垂直に
偏光したレーザ光は，そのままの偏光状態で出射してＰ
ＢＳ１４に入射する。ＰＢＳ１４に入射したレーザ光
は，紙面と垂直に偏光しているので，当該ＰＢＳ１４に
より反射されて対物レンズ１２に入射するようになる。

【００９４】一方，厚ディスクＭＬの場合には，リング
電極６３ｂに負の電圧を印加し，中央電極６３ａに正の
電圧を印加する。これによりリング電極６３ｂと上部電
極６５とにより挟まれたＥＣ膜６４は着色状態となり，
また中央電極６３ａと上部電極６５とにより挟まれたＥ
Ｃ膜６４は消色状態となる。

【００９５】従って，リング電極６３ｂの領域に入射し
たレーザ光は遮光され，中央電極６３ａに入射したレー
ザ光のみがＰＢＳ１４に入射して，上述した理由により
反射されて対物レンズ１２に入射するようになる。

【００９６】これにより，対物レンズ１２に入射するレ
ーザ光を絞ることができ，対物レンズ１２の開口数を小
さくすることが可能になる。

【００９７】なお上記説明においては，ＥＣ素子６０を
コリメートレンズ１１とＰＢＳ１４との間に配設した場
合について説明したが，ＥＣ素子６０は入射する光の偏
光状態と無関係に透過／遮光を行うことができるため，
図７において点線で示すように，ＰＢＳ１４とλ／４板
１７との間に配設することも可能である。

【００９８】また，ＰＢＳ１４と検出系レンズ１５との
間に配設することにより反射光を絞ることができるの
で，不要のレーザ光を遮光することが可能になる。この
場合は，コリメートレンズ１１とＰＢＳ１４との間にも
併せて配設すると，ＰＢＳ１４とλ／４板１７との間に
配設した場合と同様の効果を得ることが可能になる。

【００９９】なお，ＥＣ膜６４としては，この他に表１
に示す無機薄膜を用いても，同様の効果を得ることがで
きる。

【０１００】

【表１】

【０１０１】また，このような無機薄膜による全固体型
の他に，イオン伝導性に優れた ＭＡｇ₄Ｉ₅，Ｎａ₃Ｚｒ₂Ｓｉ₂ＰＯ₁₂，ＮａＹＳｉ₄Ｏ₁₂ などの固体電解質を用い，イオン供給源とする構成とし
てもよい。

【０１０２】以上説明したように，本実施の形態によれ
ば，中央電極とリング電極とを有したＥＣ素子を設け，
これらの電極に印加する電圧極性によりレーザ光を絞る
ことが可能になるので，従来技術の様にアパーチャを出
し入れする機構及びその際に必要となる高い取付精度が
不要になり，信頼性が向上すると共に，光ピックアップ
装置を小型化することが容易になる。

【０１０３】本発明にかかる第４の実施の形態を図に基
づき説明する。なお，上述した実施の形態と同一構成に
ついては，同一符号を用いて説明を省略する。

【０１０４】本実施の形態にかかる光ピックアップ装置
４は，図１０に示すように第２の実施の形態における液
晶素子と偏光板とを，第３の実施の形態で説明したＥＣ
素子により置き換えた構成となっている。

【０１０５】半導体レーザ１０より出射されたレーザ光
は，コリメートレンズ１１により平行光となりＥＣ素子
６０に入射し，λ／４板１７を通り，対物レンズ１２に
より集光されてディスクＭの記録層上にスポットが形成
される。

【０１０６】そしてディスクＭからの反射光は，対物レ
ンズ１２により平行光となってλ／４板１７を通りＥＣ
素子６０の入射し，コリメートレンズ１１により集光さ
れてホログラムユニット２８により回折され，受光素子
２３に受光される。

【０１０７】このような構成の光ピックアップ装置４
に，厚ディスクＭＬがセットされた場合には，中央電極
６３ａに正の電圧を印加し，リング電極６３ｂに負の電
圧を印加する。これによりリング電極６３ｂと上部電極
６５とに挟まれたＥＣ膜６４の領域が着色状態となり，
中央電極６３ａに挟まれたＥＣ膜６４の領域が消色状態
となる。

【０１０８】そして，消色状態に対応する領域に入射し
たレーザ光のみが通過してλ／４板１７に入射する。従
って，対物レンズ１２に入射する光は絞られ開口数が小
さくなる。

【０１０９】この後，レーザ光は，対物レンズ１２によ
り集光されて記録層上にフォーカシングされたスポット
を形成する。

【０１１０】また，厚ディスクＭＬからの反射光は，対
物レンズ１２により集光され，λ／４板１７を通過して
ＥＣ素子６０を通過する。その後，コリメートレンズ１
１により集光されて，ホログラムユニット２８により回
折して受光素子１３に入射する。

【０１１１】一方，薄ディスクＭＳがセットされた場合
には，リング電極６３ｂ及び中央電極６３ａに正の電圧
を印加してＥＣ膜６４を消色状態にする。

【０１１２】これにより，ＥＣ素子６０に入射したレー
ザ光は遮光されることなく通過して，対物レンズ１２に
入射する。従って，対物レンズ１２の開口数は変化しな
い。

【０１１３】また，ディスクＭからの反射光は，対物レ
ンズ１２により集光され，λ／４板１７を通過して紙面
と平行に偏光した光となってＥＣ素子６０を通過する。
その後，コリメートレンズ１１により集光されて，ホロ
グラムユニット２８により回折して受光素子１３に入射
する。

【０１１４】以上説明したように，本実施の形態によれ
ば，中央電極とリング電極とを有したＥＣ素子を設け，
これらの電極に印加する電圧極性によりレーザ光を絞る
ことが可能になる。

【０１１５】また，液晶素子を使用する場合はアパーチ
ヤ付偏光板が必要であったが，ＥＣ素子６０では透過率
のみを変化させるため偏光子を必要とせず，このため部
品点数を減らすことが可能になる。

【０１１６】さらに，偏光子やＰＢＳを使用しないため
光路差による位相差が発生する懸念がなくなり，また，
ＥＣ素子６０は光学部品間のどの部分でも配置可能であ
りレイアウトが容易になった。

【０１１７】依って，従来技術の様にアパーチャを出し
入れする機構及びその際に必要となる高い取付精度が不
要になり，信頼性が向上すると共に，光ピックアップ装
置を小型化することが容易になった。

【０１１８】

【発明の効果】請求項１にかかる発明によれば，記録媒
体の基板厚に応じて，光源からの光ビームを絞るエレク
トロクロミック素子を設けたので，複数の部品によりア
パーチャを構成し，これを高精度で出し入れする必要が
なくなり，従来技術の様にアパーチャを出し入れする機
構及びその際に必要となる高い取付精度が不要になり，
信頼性が向上すると共に，光ピックアップ装置を小型化
することが容易になった。

【０１１９】請求項２にかかる発明によれば，反射光を
回折して受光素子に入射させるホログラムユニットを有
し，かつ，ホログラムユニットと光源及び受光素子と
が，一体に設けられているので，装置の組立が容易にな
るとともに，信頼性が向上すると共に，光ピックアップ
装置を小型化することが容易になった。

【０１２０】請求項３にかかる発明によれば，記録媒体
の基板厚に応じて，リング電極に印加する電圧を変化さ
せて当該リング電極と上部電極とに挟まれたエレクトロ
クロミック層の透過率を変化させることにより入射する
光ビームを絞るようにしたので，ディスクの基板厚が異
なっても集光レンズの収差による影響を改善することが
可能になり，アパーチャを出し入れする必要がなくなる
と共に，従来技術の様にアパーチャを出し入れする機構
及びその際に必要となる高い取付精度が不要になり，信
頼性が向上すると共に，光ピックアップ装置を小型化す
ることが容易になった。

【０１２１】請求項４にかかる発明によれば，エレクト
ロクロミック素子に用いられるエレクトロクロミック材
を固体電解質を酸化タングステン系無機材により構成し
たので，良好な透過／遮光特性を得ることができ，光ピ
ックアップ装置の機能を損なうことなく，アパーチャ効
果を得ることができるようになった。

【０１２２】請求項５にかかる発明によれば，記録媒体
の基板厚に応じて，入射する光ビームの周辺部分の偏光
方向を当該光ビームの中心部分の偏光方向と異なるよう
に偏光させることにより，アパーチャを高精度で出し入
れする必要がなくなり，信頼性が向上すると共に，光ピ
ックアップ装置の小型化，低コスト化が可能になった。

【０１２３】請求項６にかかる発明によれば，反射光を
回折して受光素子に入射させるホログラムユニットと光
源及び受光素子とを一体に設けたので，信頼性が向上す
ると共に，光ピックアップ装置の小型化，低コスト化が
可能になった。

【０１２４】請求項７にかかる発明によれば，記録媒体
の基板厚に応じて，リング電極に印加する電圧を変化さ
せて当該リング電極と上部電極とに挟まれた液晶分子の
ねじれ状態を変化させ，当該領域から出射する光ビーム
の偏光方向と，中央電極の領域から出射する光ビームの
偏光方向とが９０°異なるようにしたので，集光レンズ
に入射するレーザ光を容易に絞ることが可能になり，依
って集光レンズによる収差の影響を改善することが可能
になった。

【０１２５】請求項８にかかる発明によれば，前記液晶
素子をツイストネマチック型液晶素子により構成したの
で，レーザ光の偏光方向だけを変化させるだけで集光レ
ンズに入射するレーザ光を容易に絞ることが可能にな
り，依って集光レンズによる収差の影響を改善すること
が可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の説明に適用される光ピック
アップ装置の構成図である。

【図２】液晶素子の図で，（ａ）は断面図，（ｂ）及び
（ｃ）は下部電極の構成を示す斜視図である。

【図３】液晶素子により入射したレーザ光及び出射した
レーザ光の偏光状態を示す図である。

【図４】第２の実施の形態の説明にてき容易される光ピ
ックアップ装置の構成図で，基板厚が厚い場合の光路を
示す図で，（ａ）はディスクへの入射光路，（ｂ）は光
路を示す図である。

【図５】基板厚が薄い場合の光路を示す図で，（ａ）は
ディスクへの入射光路，（ｂ）は光路を示す図である。

【図６】偏光子の働きを持つビームスプリッタの構成図
である。

【図７】第３の実施の形態の説明にてき容易される光ピ
ックアップ装置の構成図である。

【図８】エレクトロクロミック素子の構成を示す図で，
（ａ）は断面図，（ｂ）及び（ｃ）は下部電極の構成を
示す斜視図である。

【図９】酸化タングステン系無機材を用いたエレクトロ
クロミック素子の透過率を示す図である。

【図１０】第４の実施の形態の説明に適用される光ピッ
クアップ装置の構成図である。

【符号の説明】

１，２，３，４ 光ピックアップ装置 １０ 半導体レーザ １１ コリメートレンズ １２ 対物レンズ １３ 受光素子 １４ ビームスプリッタ １５ 検出系レンズ １６ シリンドリカルレンズ １７ λ／４板 １８ ホログラムユニット １９ 一体化ユニット ５０ 液晶素子 ５３ 上部電極 ５５ 下部電極 ５５ａ 中央電極 ５５ｂ リング電極 ６０ エレクトロクロミック素子 ６３ 下部電極 ６３ａ 中央電極 ６３ｂ リング電極 ６５ 上部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 義孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 秋山 洋 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 大野 武英 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 寺嶌 隆雄 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源からの光ビームを集光レンズにより
   集光して，情報記録媒体上にスポットを形成することに
   より情報の書込／消去を行うと共に，前記情報記録媒体
   からの反射光を前記集光レンズを介して受光素子で受光
   することにより前記情報記録媒体に書き込まれている情
   報の読取を行う光ピックアップ装置において，前記情報
   記録媒体の基板厚に応じて，前記光源からの光ビームを
   絞るエレクトクロミック素子を設けたことを特徴とする
   光ピックアップ装置。
2. 【請求項２】 前記反射光を回折して前記受光素子に当
   該反射光を入射させるホログラムユニットを有し，か
   つ，該ホログラムユニットと前記光源及び前記受光素子
   とが，一体に設けられていることを特徴とする請求項１
   記載の光ピックアップ装置。
3. 【請求項３】 前記エレクトクロミック素子が，１枚平
   板の上部電極と，円形又は楕円形に形成された中央電極
   及び当該中央電極の周囲に設けられたリング電極からな
   る下部電極とを有し，これらがエレクトクロミック層を
   挟んで配設されて，前記情報記録媒体の基板厚に応じ前
   記リング電極に印加する電圧を変化させて，当該リング
   電極と前記上部電極とに挟まれたエレクトクロミック層
   の透過率を変化させることにより入射する光ビームを絞
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の光ピックアッ
   プ装置。
4. 【請求項４】 前記エレクトクロミック素子に用いられ
   るエレクトクロミック材が，固体電解質の酸化タングス
   テン系無機材からなることを特徴とする請求項１乃至３
   いずれか１項記載の光ピックアップ装置。
5. 【請求項５】 光源からの光ビームを集光レンズにより
   集光し情報記録媒体上にスポットを形成することにより
   前記情報記録媒体に情報の書込／消去を行うと共に，前
   記情報記録媒体からの反射光を前記集光レンズを介して
   受光素子により受光することにより前記情報記録媒体に
   書き込まれている情報の読取を行う光ピックアップ装置
   において，前記情報記録媒体の基板厚に応じて，入射す
   る光ビームの周辺部分の偏光方向を当該光ビームの中心
   部分の偏光方向と異なるように偏光させる液晶素子と，
   該液晶素子からの光ビームの周辺部分の偏光方向が，当
   該光ビームの中心部分の偏光方向と異なる場合には，中
   心部分の光ビームのみを反射又は透過し，前記集光レン
   ズに向うように配設させたビームスプリッタと，該ビー
   ムスプリッタと前記集光レンズとの間に配設されたλ／
   ４板と，前記ビームスプリッタを透過又は反射した前記
   反射光を前記受光素子に集光させる反射光集光手段とを
   有することを特徴とする光ピックアップ装置。
6. 【請求項６】 光源からの光ビームを集光レンズにより
   集光し情報記録媒体上にスポットを形成して前記情報記
   録媒体に情報の書込／消去を行うと共に，前記情報記録
   媒体からの反射光を前記集光レンズを介して受光素子に
   より受光することにより前記情報記録媒体に書き込まれ
   ている情報の読取を行う光ピックアップ装置において，
   前記情報記録媒体の基板厚に応じて，入射する光ビーム
   の周辺部分の偏光方向を当該光ビームの中心部分の偏光
   方向と異なるように偏光させる液晶素子と，該液晶素子
   から出射される光ビームの周辺部分の偏光方向が，当該
   光ビームの中心部分の偏光方向と異なる場合には，周辺
   部分の光ビームを吸収するように配設された偏光子と，
   該偏光子と前記集光レンズとの間に配設されたλ／４板
   と，前記反射光を回折して受光素子に入射させるホログ
   ラムユニットとを有し，かつ，当該ホログラムユニット
   と前記光源及び前記受光素子とが，一体に設けられてい
   ることを特徴とする光ピックアップ装置。
7. 【請求項７】 前記液晶素子が，１枚平板の上部電極
   と，円形又は楕円形に形成された中央電極及び当該中央
   電極の周囲に設けられたリング電極からなる下部電極と
   を有し，これらが液晶を挟んで配設されて，前記情報記
   録媒体の基板厚に応じ，前記リング電極に印加する電圧
   を変化させて当該リング電極と前記上部電極とに挟まれ
   た液晶分子のねじれ状態を変化させることにより，当該
   領域から出射される光ビームの偏光方向と，中央電極の
   領域から出射される光ビームの偏光方向とを９０°異な
   るようにしたことを特徴とする請求項５又は６記載の光
   ピックアップ装置。
8. 【請求項８】 前記液晶素子が，ツイストネマチック型
   液晶素子からなることを特徴とする請求項５乃至７いず
   れか１項記載の光ピックアップ装置。