JPH09321637A - Radio transmitter and control method therefor - Google Patents

Radio transmitter and control method therefor

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JPH09321637A
JPH09321637A JP15617796A JP15617796A JPH09321637A JP H09321637 A JPH09321637 A JP H09321637A JP 15617796 A JP15617796 A JP 15617796A JP 15617796 A JP15617796 A JP 15617796A JP H09321637 A JPH09321637 A JP H09321637A
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JP
Japan
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high frequency
transmission power
circuit
frequency power
gain
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JP15617796A
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Japanese (ja)
Inventor
Masami Abe
雅美 阿部
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To compensate gain fluctuation of a high frequency power amplifier circuit in the case of switching transmission power in the radio transmitter of a transmission power control type. SOLUTION: A prescribed high frequency signal is supplied from a variable gain drive amplifier circuit 44. An operating state of a plurality of field-effect transistors(TRs) of a high frequency power amplifier circuit 45 is selected for each group by a bias control circuit 47 controlled by a transmission power control circuit 46 to select transmission power. The transmitter is provided with a compensation control circuit 48 including a generating means for compensation information to compensate a gain fluctuation of the high frequency power amplifier circuit in this switching and the compensation control circuit controls the gain of the drive amplifier circuit under the control of the transmission power control circuit 46.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、携帯電
話などに好適な、送信電力制御型の無線送信装置および
その制御方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission power control type wireless transmission device and a control method thereof, which are suitable for, for example, mobile phones.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば、携帯電話など、多くの無
線通信装置では、消費電力の節減や、他局との干渉低減
などのために、送信電力制御が行なわれている。このよ
うな無線通信装置では、受信信号レベル、もしくは基地
局などの相手局からの指示信号に基づいて、高周波電力
増幅回路の駆動信号レベルを変化させることにより、送
信電力制御が行なわれるように構成されることが多い。
2. Description of the Related Art Conventionally, in many wireless communication devices such as mobile phones, transmission power control is performed in order to save power consumption and reduce interference with other stations. In such a wireless communication device, the transmission power control is performed by changing the drive signal level of the high frequency power amplifier circuit based on the reception signal level or the instruction signal from the partner station such as the base station. It is often done.

【0003】また、低送信出力時の高周波電力増幅回路
の効率を向上させるために、この高周波電力増幅回路に
電源から供給される直流電力を、送信電力制御情報に応
じて制御する技術が、例えば、特開平1−314431
号公報や特公平6−93631号公報などに開示されて
いる。
Further, in order to improve the efficiency of the high frequency power amplifier circuit at the time of low transmission output, there is a technique for controlling the DC power supplied from the power source to the high frequency power amplifier circuit according to the transmission power control information, for example. JP-A-1-314431
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-93631 and the like.

【0004】これらの送信電力制御方式では、低送信出
力時に、高周波電力増幅回路を構成する電界効果トラン
ジスタのゲート電圧を変化させることにより、あるい
は、ドレイン電圧を低減することにより、いずれもドレ
イン電流を低減して、高周波電力増幅回路の消費電力を
減少させるようにしている。
In these transmission power control methods, at the time of low transmission output, the drain current is changed by changing the gate voltage of the field effect transistor forming the high frequency power amplifier circuit or by reducing the drain voltage. The power consumption of the high frequency power amplifier circuit is reduced.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、電界効果ト
ランジスタのゲート電圧対ドレイン電流特性は理想的な
直線特性になっていないため、前述のような送信電力制
御方式では、利得の低下や歪特性の劣化に制約されて、
低送信出力時にも、電界効果トランジスタのドレイン電
流をあまり低減させることができず、高周波電力増幅回
路の消費電力を大幅に減少させることができないという
問題があった。
However, since the gate voltage-drain current characteristic of the field-effect transistor is not an ideal linear characteristic, the above-mentioned transmission power control method causes a decrease in gain and distortion characteristics. Constrained by deterioration,
Even when the transmission power is low, there is a problem that the drain current of the field effect transistor cannot be reduced so much and the power consumption of the high frequency power amplifier circuit cannot be significantly reduced.

【0006】このような問題を解消するため、本出願人
は、平成7年4月27日付の特許出願(整理番号S95
021542)において、低出力時において消費電力を
格段に低減することができる「高周波増幅回路、送信装
置及び受信装置」を既に提案している。
In order to solve such a problem, the applicant of the present invention filed a patent application (reference number S95) dated April 27, 1995.
021542) has already proposed a "high-frequency amplifier circuit, a transmitting device, and a receiving device" capable of significantly reducing power consumption at the time of low output.

【0007】既提案の高周波増幅回路では、ソース接地
接続の複数の電界効果トランジスタが複数のグループに
区分され、各グループごとに、電界効果トランジスタの
ゲートに共通に接続された、直流阻止用の複数のコンデ
ンサを通じて、入力端子からの高周波信号が、全ての電
界効果トランジスタのゲートに共通に供給される。
In the already proposed high-frequency amplifier circuit, a plurality of field-effect transistors connected to the grounded source are divided into a plurality of groups, and each group has a plurality of DC blocking elements commonly connected to the gate of the field-effect transistor. The high-frequency signal from the input terminal is commonly supplied to the gates of all field-effect transistors through the capacitors.

【0008】また、電界効果トランジスタのゲートに
は、各グループごとに、抵抗器を通じて、電界効果トラ
ンジスタが動作状態もしくは非動作状態となる、所要の
ゲートバイアス電圧が、例えば、基地局からの送信電力
指示情報に応じて、選択的に供給される。
In addition, the gate of the field effect transistor has a required gate bias voltage at which the field effect transistor is in an operating state or a non-operating state through a resistor for each group, for example, a transmission power from a base station. It is selectively supplied according to the instruction information.

【0009】そして、各グループの電界効果トランジス
タのドレインは、全て共通に接続され、高周波チョーク
コイルを通じて、電源が供給されると共に、電界効果ト
ランジスタの各ドレインの高周波信号が出力端子に導出
される。なお、各グループの電界効果トランジスタの数
は必ずしも等しくする必要はない。
The drains of the field effect transistors of each group are all connected in common, power is supplied through the high frequency choke coil, and the high frequency signal of each drain of the field effect transistors is led to the output terminal. The number of field effect transistors in each group does not necessarily have to be the same.

【0010】上述のような構成により、既提案の高周波
増幅回路では、送信出力電力が高いときは、全グループ
の電界効果トランジスタが動作状態とされると共に、送
信信号電力が低いときには、幾つかのグループのゲート
バイアス電圧を切り換えて非動作状態にする。
With the above-mentioned configuration, in the proposed high-frequency amplifier circuit, when the transmission output power is high, the field effect transistors of all groups are in the operating state, and when the transmission signal power is low, some The gate bias voltage of the group is switched to make it inactive.

【0011】これにより、既提案の高周波増幅回路で
は、図3に曲線Lpで示すように、例えば、出力電力1
5dBm以下の低出力時には、電界効果トランジスタの
うち、ほぼ半数が動作状態とされるように、ゲートバイ
アス電圧が適宜に切り換えられて、全体として、ドレイ
ン電流を約1/2に低減することができ、低送信出力時
に、利得の低下、歪特性の劣化を伴わずに、高周波電力
増幅回路の消費電力を大幅に減少させることができる。
As a result, in the proposed high-frequency amplifier circuit, for example, as shown by the curve Lp in FIG.
At a low output of 5 dBm or less, the gate bias voltage is appropriately switched so that almost half of the field effect transistors are in the operating state, and the drain current can be reduced to about 1/2 as a whole. At the time of low transmission output, the power consumption of the high frequency power amplifier circuit can be greatly reduced without a decrease in gain and deterioration of distortion characteristics.

【0012】しかしながら、上述のような既提案の高周
波増幅回路では、電界効果トランジスタの動作もしくは
非動作の制御による、出力電力の切換え時に、例えば、
図4に曲線Hp,Lpで示すように、約1.3dBの利
得変動が生じてしまい、この利得の不連続性が、無線通
信装置ないしは無線回線の安定性に影響を及ぼすという
問題が生ずる。
However, in the already proposed high-frequency amplifier circuit as described above, when the output power is switched by controlling the operation or non-operation of the field effect transistor, for example,
As indicated by the curves Hp and Lp in FIG. 4, a gain variation of about 1.3 dB occurs, and the discontinuity of the gain affects the stability of the wireless communication device or the wireless line.

【0013】かかる点に鑑み、この発明の目的は、出力
電力の切換え時に、高周波電力増幅回路の利得変動を補
償することができる、無線送信装置およびその制御方法
を提供するところにある。
In view of the above point, an object of the present invention is to provide a radio transmitter and a control method thereof, which can compensate the gain variation of the high frequency power amplifier circuit when the output power is switched.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、第1のこの発明による無線送信装置は、複数の群に
区分した複数の能動素子を含む高周波電力増幅手段と、
この高周波電力増幅手段の所定の送信電力に対応する送
信電力制御情報を発生する情報発生手段と、この情報発
生手段からの送信電力制御情報に基づいて、高周波電力
増幅手段の能動素子の動作状態を群ごとに切り換える群
制御手段と、高周波電力増幅手段に所定の高周波信号を
供給するための可変利得増幅手段とを備える無線送信装
置であって、能動素子の動作状態を群ごとに切り換える
際の高周波電力増幅手段の利得変動を補償する補償情報
の生成手段を含み、補償情報と送信電力制御情報とに基
づいて、可変利得増幅手段の利得を制御する補償制御手
段を設けたことを特徴とするものである。
In order to solve the above-mentioned problems, a first radio transmitting apparatus according to the present invention comprises a high-frequency power amplifying means including a plurality of active elements divided into a plurality of groups,
The information generating means for generating transmission power control information corresponding to the predetermined transmission power of the high frequency power amplifying means, and the operating state of the active element of the high frequency power amplifying means based on the transmission power control information from the information generating means. A radio transmission device comprising group control means for switching for each group and variable gain amplification means for supplying a predetermined high frequency signal to the high frequency power amplification means, the high frequency for switching the operating state of the active element for each group. Compensation control means for controlling the gain of the variable gain amplification means is provided based on the compensation information and the transmission power control information, including compensation information generation means for compensating the gain fluctuation of the power amplification means. Is.

【0015】また、第2のこの発明による無線送信装置
の制御方法は、可変利得増幅手段から所定の高周波信号
が供給される高周波電力増幅手段の複数の能動素子を複
数の群に区分し、所定の送信電力に対応する送信電力制
御情報に基づいて、高周波電力増幅手段の能動素子の動
作状態を群ごとに切り換えるようにした無線送信装置の
制御方法であって、能動素子の動作状態を群ごとに切り
換える際の高周波電力増幅手段の利得変動を補償する補
償情報を生成し、この補償情報と送信電力制御情報とに
基づいて、可変利得増幅手段の利得を制御するようにし
たことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a radio transmitting apparatus, wherein a plurality of active elements of a high frequency power amplification means to which a predetermined high frequency signal is supplied from a variable gain amplification means are divided into a plurality of groups. A method for controlling a wireless transmission device in which the operating states of the active elements of the high-frequency power amplification means are switched for each group based on the transmission power control information corresponding to the transmission power of Compensation information for compensating for gain fluctuations of the high frequency power amplification means when switching to is generated, and the gain of the variable gain amplification means is controlled based on this compensation information and transmission power control information. It is a thing.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図1および図2を参照しな
がら、この発明による無線送信装置およびその制御方法
の実施の形態について説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a wireless transmission device and a control method thereof according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2.

【0017】この発明の実施の形態の全体の構成を図1
に示し、その要部の構成を図2に示す。
FIG. 1 shows the overall configuration of the embodiment of the present invention.
2 and the configuration of the main part thereof is shown in FIG.

【0018】図1において、周波数分割デュプレクス方
式に対応するため、送受信用のアンテナ11が、アンテ
ナ共用回路12のアンテナポート12aに接続される。
このアンテナ共用回路12は、送信側ポート12tおよ
び受信側のポート12rを備え、所定の特性の帯域通過
フィルタ(図示は省略)が、アンテナポート12aと送
信側ポート12tとの間と、アンテナポート12aと受
信側ポート12rとの間とに、それぞれ接続される。
In FIG. 1, the antenna 11 for transmission and reception is connected to the antenna port 12a of the antenna common circuit 12 in order to support the frequency division duplex system.
The antenna sharing circuit 12 includes a transmission side port 12t and a reception side port 12r, and a band pass filter (not shown) having a predetermined characteristic is provided between the antenna port 12a and the transmission side port 12t and between the antenna port 12a. And the receiving-side port 12r.

【0019】アンテナ共用回路12の受信側ポート12
rからの高周波信号が、受信回路20の低雑音高周波増
幅回路21を通じて、混合回路22に供給される。この
混合回路22には、局部発振回路23からの局部発振信
号が供給されており、低雑音増幅回路21からの高周波
信号は中間周波信号に変換され、中間周波増幅回路24
を通じて、復調回路25に供給されると共に、受信電力
検知回路26に供給される。
The receiving side port 12 of the antenna sharing circuit 12
The high frequency signal from r is supplied to the mixing circuit 22 through the low noise high frequency amplification circuit 21 of the reception circuit 20. The local oscillation signal from the local oscillation circuit 23 is supplied to the mixing circuit 22, the high frequency signal from the low noise amplification circuit 21 is converted into an intermediate frequency signal, and the intermediate frequency amplification circuit 24.
Through the demodulation circuit 25 and the received power detection circuit 26.

【0020】この受信電力検知回路26の出力が中間周
波増幅回路24に負帰還されて、その利得が自動的に制
御されると共に、復調回路25の出力はベースバンド信
号処理回路31に供給されて、所定の信号処理が施さ
れ、音声信号などの受信情報が再生される。再生された
受信情報には、基地局などからの送信電力指示情報が含
まれており、この指示情報がマイクロコンピュータ32
に取り込まれる。
The output of the received power detection circuit 26 is negatively fed back to the intermediate frequency amplification circuit 24 so that its gain is automatically controlled, and the output of the demodulation circuit 25 is supplied to the baseband signal processing circuit 31. , Predetermined signal processing is performed, and reception information such as a voice signal is reproduced. The reproduced reception information includes transmission power instruction information from the base station or the like, and this instruction information is used by the microcomputer 32.
Is taken into.

【0021】また、ベースバンド信号処理回路31にお
いては、音声信号などの送信情報に所定の信号処理が施
されて、ベースバンド信号処理回路31の出力信号が、
送信回路40の変調回路41に供給され、変調回路41
の出力が、中間周波増幅回路42を通じて、混合回路4
3に供給される。
In the baseband signal processing circuit 31, the transmission information such as a voice signal is subjected to predetermined signal processing, and the output signal of the baseband signal processing circuit 31 becomes
The modulation circuit 41 is supplied to the modulation circuit 41 of the transmission circuit 40,
Is output to the mixing circuit 4 through the intermediate frequency amplification circuit 42.
3 is supplied.

【0022】この混合回路43には、局部発振回路23
からの局部発振信号が供給されて、中間周波増幅回路4
2からの中間周波信号が高周波信号に変換され、駆動増
幅回路44および高周波電力増幅回路45を通じて、ア
ンテナ共用回路12の送信側ポート12tに供給され
る。
The mixing circuit 43 includes a local oscillation circuit 23.
From the intermediate frequency amplifier circuit 4
The intermediate frequency signal from 2 is converted into a high frequency signal, and is supplied to the transmission side port 12t of the antenna sharing circuit 12 through the drive amplification circuit 44 and the high frequency power amplification circuit 45.

【0023】なお、中間周波増幅回路42は、送信電力
制御回路46からの送信電力制御信号により、その利得
が制御される。この送信電力制御信号は、受信電力検知
回路26からの受信電力検知情報と、マイクロコンピュ
ータ32からの送信電力指示情報とに基づいて生成され
る。上述のような構成は、既提案の無線送信装置と同様
である。
The gain of the intermediate frequency amplifier circuit 42 is controlled by the transmission power control signal from the transmission power control circuit 46. This transmission power control signal is generated based on the reception power detection information from the reception power detection circuit 26 and the transmission power instruction information from the microcomputer 32. The configuration as described above is the same as that of the already proposed wireless transmission device.

【0024】図1の実施の形態では、送信回路40の高
周波電力増幅回路45に対してバイアス制御を行うバイ
アス制御回路47が設けられると共に、可変利得の駆動
増幅回路44に対して利得補償制御を行う補償制御回路
48が設けられる。そして、両制御回路47,48に
は、それぞれ送信電力制御回路46からの送信電力制御
信号が供給される。
In the embodiment of FIG. 1, a bias control circuit 47 for performing bias control is provided for the high frequency power amplification circuit 45 of the transmission circuit 40, and gain compensation control is performed for the variable gain drive amplification circuit 44. A compensation control circuit 48 is provided. Then, a transmission power control signal from the transmission power control circuit 46 is supplied to each of the control circuits 47 and 48.

【0025】高周波電力増幅回路45とバイアス制御回
路47とは、次の図2に示すように構成される。また、
補償制御回路48は、例えば、送信電力の所定の切換レ
ベルと、各切換レベルに対応する高周波電力増幅回路4
5の利得変動量とのROMテーブルを含んで構成され
る。
The high frequency power amplifier circuit 45 and the bias control circuit 47 are constructed as shown in FIG. Also,
The compensation control circuit 48 is, for example, a predetermined switching level of the transmission power and the high frequency power amplifier circuit 4 corresponding to each switching level.
It is configured to include a ROM table with gain variation amounts of 5.

【0026】図2に示すように、この実施の形態の高周
波電力増幅回路45は、既提案の高周波増幅回路と同様
に、複数のグループ45a,45b‥‥45jに区分さ
れた、複数の電界効果トランジスタQa1,Qa2,‥‥,
QaL;Qb1,Qb2,‥‥,Qbm;‥‥;Qj1,Qj2,‥
‥,Qjnを含んで構成され、これらの電界効果トランジ
スタQa1〜Qjnのソースが全て接地される。
As shown in FIG. 2, the high frequency power amplifier circuit 45 of this embodiment has a plurality of electric field effects divided into a plurality of groups 45a, 45b ... Transistors Qa1, Qa2, ...
QaL; Qb1, Qb2, ..., Qbm; ...; Qj1, Qj2, ...
, Qjn are included, and the sources of these field effect transistors Qa1 to Qjn are all grounded.

【0027】入力端子Tiからの高周波信号が、整合回
路2と、その出力側に並列に接続されたコンデンサC
a,Cb‥‥Cjとを通じて、各グループ45a〜45
jの全ての電界効果トランジスタQa1〜Qjnのゲートに
共通に供給される。
A high-frequency signal from the input terminal Ti receives the matching circuit 2 and a capacitor C connected in parallel to the output side thereof.
Each group 45a to 45 through a, Cb ...
It is commonly supplied to the gates of all field effect transistors Qa1 to Qjn of j.

【0028】また、電界効果トランジスタQa1〜QaL;
Qb1〜Qbm;‥‥;Qj1〜Qjnのゲートには、送信電力
制御情報により制御されるバイアス制御回路47から、
抵抗器Ra,Rb,‥‥,Rjを通じて、各グループ4
5a,45b,‥‥,45jごとに、所要のゲートバイ
アス電圧が供給される。
The field effect transistors Qa1 to QaL;
The gates of Qb1 to Qbm; ..., Qj1 to Qjn are supplied to the gates of the bias control circuit 47 controlled by the transmission power control information.
Each group 4 through the resistors Ra, Rb, ..., Rj.
A required gate bias voltage is supplied to each of 5a, 45b, ..., 45j.

【0029】図2の実施の形態では、第1のグループ4
5aの電界効果トランジスタQa1〜QaLのゲートには、
電界効果トランジスタが動作状態となるゲートバイアス
電圧Vg-onが常時供給される。また、第2〜第jのグル
ープ45b,‥‥,45jの電界効果トランジスタQb1
〜Qbm;‥‥;Qj1〜Qjnのゲートには、バイアス制御
回路47の切換えスイッチ47b,‥‥,47jを通じ
て、電界効果トランジスタが動作状態となるゲートバイ
アス電圧Vg-on、または、電界効果トランジスタが非動
作状態となるゲートバイアス電圧Vg-off が、選択的に
供給される。
In the embodiment of FIG. 2, the first group 4
The gates of the field effect transistors Qa1 to QaL of 5a are
The gate bias voltage Vg-on for operating the field effect transistor is constantly supplied. Also, the field effect transistors Qb1 of the second to jth groups 45b, ..., 45j.
˜Qbm; ...; The gates of Qj1 to Qjn are connected to the gate bias voltage Vg-on or the field effect transistor which activates the field effect transistor through the changeover switches 47b, ..., 47j of the bias control circuit 47. The gate bias voltage Vg-off which is in a non-operating state is selectively supplied.

【0030】そして、各グループ45a〜45jの電界
効果トランジスタQa1〜Qjnのドレインは、全て共通に
接続され、高周波チョークコイルLchを通じて、電源V
ddが供給されると共に、電界効果トランジスタQa1〜Q
jnの各ドレインの高周波信号が、整合回路3を通じて、
出力端子Toに導出される。
The drains of the field effect transistors Qa1 to Qjn of the groups 45a to 45j are all connected in common, and the power source V is supplied through the high frequency choke coil Lch.
dd is supplied, and field effect transistors Qa1 to Qa
The high frequency signal of each drain of jn goes through the matching circuit 3,
It is led to the output terminal To.

【0031】なお、各グループ45a〜45jの電界効
果トランジスタの数L,m,‥‥,nは必ずしも等しく
する必要はない。また、切換えスイッチ47b,‥‥,
47jは、例えば、半導体スイッチとされ、既提案のよ
うに、電界効果トランジスタQa1〜Qjnと同じ製造プロ
セスで集積化することも可能である。
The numbers L, m, ..., N of the field effect transistors of each group 45a to 45j do not necessarily have to be equal. Further, the changeover switches 47b, ...
47j is, for example, a semiconductor switch, and can be integrated in the same manufacturing process as the field effect transistors Qa1 to Qjn as already proposed.

【0032】次に、この発明の実施の形態の動作につい
て説明する。この実施の形態では、送信電力制御回路4
6において、例えば、基地局などからの送信電力指示情
報に基づいて、送信電力制御情報が生成され、この制御
情報がバイアス制御回路47および補償制御回路48に
供給されて、高周波電力増幅回路45のバイアス制御
と、駆動増幅回路44の補償制御とが行なわれる。
Next, the operation of the embodiment of the present invention will be described. In this embodiment, the transmission power control circuit 4
6, the transmission power control information is generated based on the transmission power instruction information from the base station or the like, and this control information is supplied to the bias control circuit 47 and the compensation control circuit 48, and the high frequency power amplification circuit 45 Bias control and compensation control of the drive amplifier circuit 44 are performed.

【0033】そして、このバイアス制御および補償制御
の結果として、高周波電力増幅回路45における電力制
御が行われると共に、駆動増幅回路44においては、高
周波電力増幅回路45における電力制御に伴う利得変動
の補償分を含んで、利得制御が行われて、駆動増幅回路
44の出力レベルが変化する。
As a result of the bias control and the compensation control, the power control in the high frequency power amplifier circuit 45 is performed, and in the drive amplifier circuit 44, the compensation amount of the gain variation accompanying the power control in the high frequency power amplifier circuit 45 is compensated. , The gain control is performed, and the output level of the drive amplification circuit 44 changes.

【0034】基地局などからの送信電力指示情報によ
り、高周波電力増幅回路45の最大出力での送信が指示
された場合、送信電力制御回路46において生成された
送信電力制御信号により、バイアス制御回路47の全て
の切換えスイッチ47b〜47jが、図示のn側に切り
換えられる。
When the transmission power instruction information from the base station or the like instructs the transmission at the maximum output of the high frequency power amplifier circuit 45, the bias control circuit 47 is generated by the transmission power control signal generated by the transmission power control circuit 46. All the changeover switches 47b to 47j are switched to the n side shown in the figure.

【0035】この場合、ゲートバイアス電圧Vg-onが、
全てのグループ45a〜45jの電界効果トランジスタ
Qa1〜Qjnのゲートに供給されて、全ての電界効果トラ
ンジスタQa1〜Qjnが動作状態とされ、高周波電力増幅
回路45の出力が最大となると共に、消費電流も最大と
なる。
In this case, the gate bias voltage Vg-on is
The field effect transistors Qa1 to Qjn of all the groups 45a to 45j are supplied to the gates to activate all the field effect transistors Qa1 to Qjn, the output of the high frequency power amplifier circuit 45 is maximized, and the current consumption is also increased. It will be the maximum.

【0036】また、送信電力指示情報により、高周波電
力増幅回路45の最小出力での送信が指示された場合
は、送信電力制御回路46において生成された送信電力
制御信号により、バイアス制御回路47の全ての切換え
スイッチ47b〜47kが、図示のf側に切り換えられ
る。
When the transmission power instruction information instructs the transmission at the minimum output of the high frequency power amplifier circuit 45, the transmission power control signal generated in the transmission power control circuit 46 causes all of the bias control circuits 47 to be transmitted. The changeover switches 47b to 47k are switched to the illustrated f side.

【0037】この場合は、ゲートバイアス電圧Vg-off
が、第2〜第jのグループ45b‥‥45jの電界効果
トランジスタQb1〜Qbm;‥‥;Qj1〜Qjnのゲートに
供給されて、電界効果トランジスタQb1〜Qbm;‥‥;
Qj1〜Qjnが非動作状態とされると共に、ゲートバイア
ス電圧Vg-onが、第1グループ45aの電界効果トラン
ジスタQa1〜QaLのゲートに供給されて、電界効果トラ
ンジスタQa1〜QaLのみが動作状態とされ、高周波電力
増幅回路45の出力が最小となると共に、消費電流も最
小となる。
In this case, the gate bias voltage Vg-off
Are supplied to the gates of the field effect transistors Qb1 to Qbm of the second to jth groups 45b to 45j ... Qj1 to Qjn, and the field effect transistors Qb1 to Qbm;
The gate bias voltage Vg-on is supplied to the gates of the field effect transistors Qa1 to QaL of the first group 45a so that only the field effect transistors Qa1 to QaL are activated while Qj1 to Qjn are deactivated. The output of the high frequency power amplifier circuit 45 is minimized and the current consumption is also minimized.

【0038】そして、送信電力指示情報により、高周波
電力増幅回路45の中間出力での送信が指示された場合
には、その中間出力の値に応じて、例えば、図1に示す
ように、バイアス制御回路47の切換えスイッチ47b
がn側に切り換えられ、切換えスイッチ47jがf側に
切り換えられると共に、残余の切換えスイッチ(図示は
省略)は、n側またはf側のいずれかに適宜に切り換え
られる。
When the transmission power instruction information instructs transmission at the intermediate output of the high frequency power amplifier circuit 45, bias control is performed according to the value of the intermediate output, for example, as shown in FIG. Changeover switch 47b of circuit 47
Is switched to the n side, the changeover switch 47j is changed to the f side, and the remaining changeover switches (not shown) are appropriately changed over to either the n side or the f side.

【0039】この場合には、ゲートバイアス電圧Vg-of
f が、少なくとも、第jのグループ45jの電界効果ト
ランジスタQj1〜Qjnのゲートに供給されて、電界効果
トランジスタQj1〜Qjnが非動作状態とされると共に、
ゲートバイアス電圧Vg-onが、第1および第2のグルー
プ45a,45bの電界効果トランジスタQa1〜QaL;
Qb1〜Qbmのゲートに供給されて、電界効果トランジス
タQa1〜QaL;Qb1〜Qbmが動作状態とされ、残余のグ
ループ(図示は省略)の電界効果トランジスタは、中間
出力の値に応じて、動作または非動作のいずれかの状態
とされ、高周波電力増幅回路45の出力および消費電流
は、いずれも最大値と最小値との中間の適宜の値とな
る。
In this case, the gate bias voltage Vg-of
f is supplied to at least the gates of the field effect transistors Qj1 to Qjn of the j-th group 45j to deactivate the field effect transistors Qj1 to Qjn, and
The gate bias voltage Vg-on has field effect transistors Qa1 to QaL of the first and second groups 45a and 45b;
The field effect transistors Qa1 to QaL; Qb1 to Qbm are supplied to the gates of Qb1 to Qbm to operate, and the field effect transistors of the remaining group (not shown) operate or operate according to the value of the intermediate output. The output of the high-frequency power amplifier circuit 45 and the consumed current are both in the non-operating state, and have an appropriate value between the maximum value and the minimum value.

【0040】高周波電力増幅回路45における、上述の
ような送信電力切換の際には、補償制御回路48におい
て、前述のようなROMテーブルに基づいて、高周波電
力増幅回路45の送信電力の各切換レベルに対応する利
得変動量が設定され、この利得変動量を加除して、駆動
増幅回路44の駆動出力の制御が行われる。
When the transmission power is switched in the high frequency power amplifier circuit 45 as described above, the compensation control circuit 48 switches each transmission power level of the high frequency power amplifier circuit 45 based on the ROM table as described above. Is set, and the drive output of the drive amplifier circuit 44 is controlled by adding or subtracting the gain change amount.

【0041】即ち、送信電力を低減する場合、高周波電
力増幅回路45においては、上述のように、バイアス制
御回路47により、電界効果トランジスタが動作状態の
グループの数が減少されて、高周波電力増幅回路45の
利得が低下する。
That is, in the case of reducing the transmission power, in the high frequency power amplifier circuit 45, as described above, the bias control circuit 47 reduces the number of groups in which the field effect transistors are in the operating state, and the high frequency power amplifier circuit is reduced. The gain of 45 decreases.

【0042】この場合、補償制御回路48においては、
ROMテーブルに基づいて、高周波電力増幅回路45の
利得低下分が設定され、この利得低下分だけ、駆動増幅
回路44の利得を上昇させるような制御信号を発生す
る。
In this case, in the compensation control circuit 48,
A gain reduction amount of the high frequency power amplification circuit 45 is set based on the ROM table, and a control signal for increasing the gain of the drive amplification circuit 44 is generated by the gain reduction amount.

【0043】また、送信電力を増加する場合は、高周波
電力増幅回路45においては、上述のように、バイアス
制御回路47により、電界効果トランジスタが動作状態
のグループの数が増やされて、高周波電力増幅回路45
の利得が上昇する。この場合は、補償制御回路48にお
いては、ROMテーブルに基づいて、高周波電力増幅回
路45の利得上昇分が設定され、この利得上昇分だけ、
駆動増幅回路44の利得を低下させるような制御信号を
発生する。
Further, in the case of increasing the transmission power, in the high frequency power amplifier circuit 45, the bias control circuit 47 increases the number of groups in which the field effect transistors are in the operating state as described above, and the high frequency power amplifier circuit is amplified. Circuit 45
Gain of. In this case, in the compensation control circuit 48, the gain increase amount of the high frequency power amplifier circuit 45 is set based on the ROM table, and only this gain increase amount is set.
A control signal that reduces the gain of the drive amplifier circuit 44 is generated.

【0044】これにより、高周波電力増幅回路45にお
ける電力制御に伴う利得変動が、駆動増幅回路44にお
いて補償される。
Thus, the gain variation due to the power control in the high frequency power amplifier circuit 45 is compensated in the drive amplifier circuit 44.

【0045】[他の実施の形態]上述の実施の形態で
は、高周波電力増幅回路45の直前の駆動増幅回路44
において、高周波電力増幅回路45の送信電力制御に伴
う利得変動を補償するようにしたが、更に前段の、中間
周波増幅回路42において、高周波電力増幅回路45の
送信電力制御に伴う利得変動を補償するようにしてもよ
い。
[Other Embodiments] In the above embodiment, the drive amplifier circuit 44 immediately before the high frequency power amplifier circuit 45 is used.
In the above, the gain fluctuation due to the transmission power control of the high frequency power amplifier circuit 45 is compensated, but the gain fluctuation due to the transmission power control of the high frequency power amplifier circuit 45 is further compensated in the preceding intermediate frequency amplifier circuit 42. You may do it.

【0046】また、上述の実施の形態では、高周波電力
増幅回路45の能動素子として、電界効果トランジスタ
を用いたが、バイポーラトランジスタを用いてもよい。
In the above embodiment, the field effect transistor is used as the active element of the high frequency power amplifier circuit 45, but a bipolar transistor may be used.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高周波電力増幅回路の能動素子の動作状態を群ごと
に切り換えて、送信電力を制御する際の利得変動を補償
することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to switch the operating state of the active elements of the high frequency power amplifier circuit for each group to compensate for the gain fluctuation when controlling the transmission power.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明による無線送信装置の実施の形態の全
体の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of an embodiment of a wireless transmission device according to the present invention.

【図2】この発明の実施の形態の要部の構成を示す図で
ある。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a main part of an embodiment of the present invention.

【図3】先に提案した無線送信装置の一例の動作を説明
するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining an operation of an example of a previously proposed wireless transmission device.

【図4】先に提案した無線送信装置の一例の動作を説明
するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of an example of the previously proposed wireless transmission device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…アンテナ、12…アンテナ共用回路、20…受信
回路、21…高周波増幅回路、25…復調回路、26…
受信電力検知回路、31…ベースバンド信号処理回路、
32…マイクロコンピュータ、40…送信回路、41…
変調回路、42…中間周波増幅回路、44…駆動増幅回
路、45…高周波電力増幅回路、46…送信電力制御回
路、47…バイアス制御回路、48…補償制御回路、Q
a1〜Qjn…電界効果トランジスタ
11 antenna, 12 antenna common circuit, 20 receiving circuit, 21 high-frequency amplifier circuit, 25 demodulation circuit, 26 ...
Received power detection circuit, 31 ... Baseband signal processing circuit,
32 ... Microcomputer, 40 ... Transmission circuit, 41 ...
Modulation circuit, 42 ... Intermediate frequency amplification circuit, 44 ... Drive amplification circuit, 45 ... High frequency power amplification circuit, 46 ... Transmission power control circuit, 47 ... Bias control circuit, 48 ... Compensation control circuit, Q
a1 to Qjn ... Field effect transistor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03G 5/16 H03G 5/16 B ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H03G 5/16 H03G 5/16 B

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の群に区分した複数の能動素子を含む
高周波電力増幅手段と、 この高周波電力増幅手段の所定の送信電力に対応する送
信電力制御情報を発生する情報発生手段と、 この情報発生手段からの上記送信電力制御情報に基づい
て、上記高周波電力増幅手段の上記能動素子の動作状態
を上記群ごとに切り換える群制御手段と、 上記高周波電力増幅手段に所定の高周波信号を供給する
ための可変利得増幅手段とを備える無線送信装置であっ
て、 上記能動素子の動作状態を上記群ごとに切り換える際の
上記高周波電力増幅手段の利得変動を補償する補償情報
の生成手段を含み、 上記補償情報と上記送信電力制御情報とに基づいて、上
記可変利得増幅手段の利得を制御する補償制御手段を設
けたことを特徴とする無線送信装置。
1. A high frequency power amplification means including a plurality of active elements divided into a plurality of groups, an information generation means for generating transmission power control information corresponding to a predetermined transmission power of the high frequency power amplification means, and this information. Group control means for switching the operating state of the active elements of the high frequency power amplification means for each group based on the transmission power control information from the generation means, and for supplying a predetermined high frequency signal to the high frequency power amplification means Variable gain amplifying means, including a compensation information generating means for compensating for a gain variation of the high frequency power amplifying means when switching the operating states of the active elements for each of the groups. A radio transmitting apparatus comprising: compensation control means for controlling the gain of the variable gain amplifying means based on information and the transmission power control information.
【請求項2】上記可変利得増幅手段が上記高周波電力増
幅手段に直接に高周波信号を供給する駆動増幅手段であ
る請求項1に記載の無線送信装置。
2. The radio transmitting apparatus according to claim 1, wherein the variable gain amplifying means is a drive amplifying means for directly supplying a high frequency signal to the high frequency power amplifying means.
【請求項3】上記可変利得増幅手段が上記高周波電力増
幅手段に間接に高周波信号を供給する中間周波増幅手段
である請求項1に記載の無線送信装置。
3. The radio transmitting apparatus according to claim 1, wherein the variable gain amplifying means is an intermediate frequency amplifying means for indirectly supplying a high frequency signal to the high frequency power amplifying means.
【請求項4】可変利得増幅手段から所定の高周波信号が
供給される高周波電力増幅手段の複数の能動素子を複数
の群に区分し、 所定の送信電力に対応する送信電力制御情報に基づい
て、上記高周波電力増幅手段の上記能動素子の動作状態
を上記群ごとに切り換えるようにした無線送信装置の制
御方法であって、 上記能動素子の動作状態を上記群ごとに切り換える際の
上記高周波電力増幅手段の利得変動を補償する補償情報
を生成し、 この補償情報と上記送信電力制御情報とに基づいて、上
記可変利得増幅手段の利得を制御するようにしたことを
特徴とする無線送信装置の制御方法。
4. A plurality of active elements of the high frequency power amplification means to which a predetermined high frequency signal is supplied from the variable gain amplification means are divided into a plurality of groups, and based on transmission power control information corresponding to a predetermined transmission power, A method of controlling a radio transmitter for switching the operating states of the active elements of the high-frequency power amplifying means for each group, wherein the high-frequency power amplifying means for switching the operating states of the active elements for each group. Generating compensation information for compensating the gain fluctuation of the variable gain amplifying means, and controlling the gain of the variable gain amplifying means based on the compensation information and the transmission power control information. .
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