JPH09320513A - Icp mass spectrograph - Google Patents

Icp mass spectrograph

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JPH09320513A
JPH09320513A JP8135106A JP13510696A JPH09320513A JP H09320513 A JPH09320513 A JP H09320513A JP 8135106 A JP8135106 A JP 8135106A JP 13510696 A JP13510696 A JP 13510696A JP H09320513 A JPH09320513 A JP H09320513A
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JP
Japan
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temperature
plasma
plasma stand
heat
waste heat
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JP8135106A
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Koji Okada
幸治 岡田
Takeshi Ishigaki
健 石垣
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Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the power used for regulating the temperature of a plasma stand part. SOLUTION: An RF power supply 5 usually produces about 100W of waste heat, and the waste heat is added to the heat produced by a heater 8 of about 200W and is supplied to a plasma stand part 2 by a blower 7 to elevate the temperature of a plasma stand to a predetermined value. The temperature of the plasma stand part is detected by a temperature sensor 9, and on/off control or PID control of the heater 8 is effected so that its temperature is controlled to a predetermined range, e.g. from 33 to 35 deg.C.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はICP質量分析装置
に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ICP mass spectrometer.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICP質量分析装置は、ICP(高周波
誘導結合プラズマ)によって溶液試料をイオン化し、そ
のイオンを質量分析部に導いてイオンの質量ごとにその
強度を検出することによって、溶液に含まれる測定対象
元素を定性・定量分析する装置である。試料の霧化器や
試料を運ぶガス配管やプラズマトーチなどからなるプラ
ズマスタンド部においては、装置周囲の温度によって試
料の供給量や霧化の状態などが変化し、結果的に測定対
象元素の定量値が影響を受ける。したがって、従来のI
CP質量分析装置ではプラズマスタンド部の温度が自然
に熱平衡になるのを待って定量分析を行うか、あるいは
加熱ヒータと温度センサを備えてプラズマスタンド部を
積極的に温度調節することによって安定した定量結果を
得るようにしていた。
2. Description of the Related Art An ICP mass spectrometer is included in a solution by ionizing a solution sample by ICP (high frequency inductively coupled plasma), guiding the ions to a mass spectrometric section, and detecting the intensity of each ion mass. This is a device for qualitative and quantitative analysis of the elements to be measured. In the plasma stand, which consists of a sample atomizer, gas pipes that carry the sample, and a plasma torch, the amount of sample supplied and the state of atomization change depending on the ambient temperature of the device, resulting in the quantification of the target element The value is affected. Therefore, the conventional I
The CP mass spectrometer waits for the temperature of the plasma stand to reach a natural thermal equilibrium for quantitative analysis, or is equipped with a heater and temperature sensor to positively adjust the temperature of the plasma stand for stable quantitative analysis. I was trying to get results.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来装置のようにプラ
ズマスタンド部を加熱するためのヒータを備えて温度調
節すると、装置全体としての消費電力はその分だけ追加
されることになる。消費電力の増加は装置のランニング
コストの増加をもたらす。また、装置で発生した熱は、
最終的には装置を設置してある室内に放散されることに
なるが、このことは装置を設置してある部屋の温度を上
昇させることになり、部屋の温調設備に負担をかけるこ
とにもなる。
When a heater for heating the plasma stand is provided as in the conventional apparatus and the temperature is adjusted, the power consumption of the entire apparatus is increased accordingly. An increase in power consumption causes an increase in running cost of the device. Also, the heat generated by the device is
Eventually, it will be dissipated into the room where the device is installed, but this will raise the temperature of the room where the device is installed, and it will burden the temperature control equipment of the room. Also becomes.

【0004】本発明は、このような事情に鑑みて成され
たものであり、プラズマスタンド部を温度調節するに当
たって、電力の有効利用をはかり装置全体としての消費
電力を少なくすることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to effectively use electric power in controlling the temperature of the plasma stand portion and reduce the electric power consumption of the entire apparatus. .

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、ICPプラズマスタンド部と各種電源を
有するICP質量分析装置において、前記プラズマスタ
ンド部の温度を検出する温度センサと、前記各種電源の
廃熱を前記プラズマスタンドに送る送風手段と、前記プ
ラズマスタンド部の温度を上昇させる発熱手段と、前記
温度センサからの信号に基づいて前記発熱手段の発熱量
を制御する温調制御器とを備え、前記各種電源の廃熱と
前記発熱手段による発熱を用いて前記プラズマスタンド
部の温度を上昇させ、前記温調制御器によって前記発熱
手段の発熱量を制御することで前記プラズマスタンド部
の温度が所定温度となるように制御することを特徴とし
ている。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an ICP mass spectrometer having an ICP plasma stand unit and various power supplies, and a temperature sensor for detecting the temperature of the plasma stand unit, Blower means for sending waste heat of various power sources to the plasma stand, heat generating means for raising the temperature of the plasma stand portion, and a temperature controller for controlling the heat generation amount of the heat generating means based on a signal from the temperature sensor. And increasing the temperature of the plasma stand unit by using waste heat of the various power sources and heat generated by the heat generating unit, and controlling the heat generation amount of the heat generating unit by the temperature control controller. It is characterized in that the temperature is controlled to a predetermined temperature.

【0006】プラズマスタンド部は、各種電源の廃熱と
発熱手段で発生する熱によって暖められ、周囲への放熱
によって冷却される。温度センサによって検出されるプ
ラズマスタンド部の温度が所定の値となるように温調制
御手段によって発熱手段の発熱量を制御することでプラ
ズマスタンド部は所定の一定温度に保たれる。
The plasma stand portion is warmed by the waste heat of various power sources and the heat generated by the heat generating means, and is cooled by heat radiation to the surroundings. By controlling the amount of heat generated by the heat generating means by the temperature control means so that the temperature of the plasma stand section detected by the temperature sensor becomes a predetermined value, the plasma stand section is maintained at a predetermined constant temperature.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下に図面を参照しながら本発明
の実施の形態の一例を説明する。図1は本発明のICP
質量分析装置の本体部分を示す概略図である。ICP質
量分析装置1の本体はおよそプラズマスタンド部2と質
量分析部4からなりたっている。プラズマスタンド部2
には高周波誘導結合によって点火されているプラズマト
ーチ3や溶液試料を吸い上げて運ぶ溶液配管、溶液試料
を霧状にする霧化器、霧化した試料をプラズマトーチま
で運ぶアルゴンガス配管などが収納されている。質量分
析部4は四重極マスフィルタなどからなる質量分析器を
主体として各種の電極やイオン検出器などから構成され
ている。質量分析器としての四重極マスフィルタにはマ
スフィルタとして働かせるための高周波電源5(以下、
RF電源という)が接続されている。プラズマトーチ3
でイオン化された試料は、質量分析部4に導かれて質量
ごとに分離・検出される。このようにしてICP質量分
析装置1は溶液試料にどのような元素がどのくらい含ま
れているかを調べることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows the ICP of the present invention.
It is the schematic which shows the main-body part of a mass spectrometer. The main body of the ICP mass spectrometer 1 comprises a plasma stand section 2 and a mass spectrometric section 4. Plasma stand part 2
Contains a plasma torch 3 ignited by high frequency inductive coupling, a solution pipe that sucks up and carries the solution sample, an atomizer that atomizes the solution sample, and an argon gas pipe that carries the atomized sample to the plasma torch. ing. The mass spectrometric unit 4 is mainly composed of a mass spectroscope such as a quadrupole mass filter and is composed of various electrodes and an ion detector. For the quadrupole mass filter as a mass spectrometer, a high frequency power source 5 (hereinafter,
RF power source) is connected. Plasma torch 3
The sample ionized in (3) is guided to the mass spectrometric section 4 where it is separated and detected for each mass. In this way, the ICP mass spectrometer 1 can check what kind of element and how much the solution sample contains.

【0008】ICP質量分析装置の周囲温度の変化によ
って測定元素の定量値が変動することを防ぐために、プ
ラズマスタンド部が一定の温度となるように温度調節を
する方が好ましい。そのために、本発明のICP質量分
析装置は、プラズマスタンド部2の温度を測定するため
の温度センサ9と、加熱手段であるヒータ8を備えてい
る。さらにRF電源5の廃熱6をプラズマスタンド部2
に供給するための送風機7を備えている。この送風機7
はヒータ8によって発生した熱をプラズマスタンド部2
に供給する送風機をかねている。
In order to prevent the quantitative value of the element to be measured from fluctuating due to the change in ambient temperature of the ICP mass spectrometer, it is preferable to adjust the temperature of the plasma stand so that the temperature is constant. Therefore, the ICP mass spectrometer of the present invention includes a temperature sensor 9 for measuring the temperature of the plasma stand portion 2 and a heater 8 as a heating means. Further, the waste heat 6 of the RF power source 5 is supplied to the plasma stand 2
Blower 7 for supplying the This blower 7
Is heat generated by the heater 8 in the plasma stand 2
Also acts as a blower to supply to.

【0009】室温が23℃程度であるとすると、プラズ
マスタンド部2は例えば室温より10℃程度高くした3
3〜35℃に設定する。RF電源5は通常100W程度
の廃熱があるので、この廃熱を200W程度の大きさの
加熱用ヒータ8の発生する熱に加えてプラズマスタンド
部2に供給することによって、プラズマスタンド部2の
温度を所定の値まで上昇させる。プラズマスタンド部2
の温度は温度センサ9によって検出されるが、ヒータ8
をON/OFF制御またはPID制御することによっ
て、プラズマスタンド部2の温度が所定の例えば33な
いし35℃になるように制御する。このようにすること
によって、100W程度あるRF電源5の廃熱を加熱用
ヒータ8の発生する熱に加えてプラズマスタンド部2に
供給することで、装置全体としては100W程度の省エ
ネルギーが可能となる。
Assuming that the room temperature is about 23 ° C., the temperature of the plasma stand portion 2 is set to about 10 ° C. higher than the room temperature.
Set to 3-35 ° C. Since the RF power source 5 normally has a waste heat of about 100 W, the waste heat is supplied to the plasma stand unit 2 in addition to the heat generated by the heating heater 8 having a size of about 200 W. Raise the temperature to a predetermined value. Plasma stand part 2
The temperature of the heater 8 is detected by the temperature sensor 9.
ON / OFF control or PID control is performed to control the temperature of the plasma stand unit 2 to a predetermined temperature, for example, 33 to 35 ° C. By doing so, the waste heat of the RF power source 5 of about 100 W is supplied to the plasma stand unit 2 in addition to the heat generated by the heater 8 for heating, so that energy saving of about 100 W is possible for the entire apparatus. .

【0010】また、通常プラズマスタンド2の上部には
プラズマトーチ3で発生する熱およびプラズマトーチ3
に供給されるキャリアガスなどのガスを排出するために
排気筒11が備えられ、さらにその上にはその排気を室
外まで運び出すための排気ダクト12が備えられてい
る。本発明の装置においてはRF電源5の廃熱は、一旦
プラズマスタンド部2を暖めるために利用され、最終的
には排気筒11を通じて排気ダクト12によって室外ま
で運ばれるので、RF電源から直接室内に放散すること
が少なく、部屋の温度を上昇させることが少ない。
In addition, the heat generated by the plasma torch 3 and the plasma torch 3 are usually provided above the plasma stand 2.
An exhaust pipe 11 is provided for exhausting a gas such as a carrier gas supplied to the exhaust pipe, and an exhaust duct 12 for delivering the exhaust gas to the outside of the room is further provided on the exhaust pipe 11. In the apparatus of the present invention, the waste heat of the RF power source 5 is once used to warm the plasma stand portion 2 and finally carried to the outside by the exhaust duct 12 through the exhaust tube 11, so that the RF power source directly enters the room. It rarely dissipates and raises the temperature of the room.

【0011】上述した説明では、質量分析部用電源(R
F電源)の廃熱をプラズマスタンド部の温度調節に利用
する例を示したが、本発明はこれに限られることなく、
それ以外の例えばプラズマ発生用の電源や電気回路用の
DC電源の廃熱をプラズマスタンド部の温度調節に利用
してもよい。
In the above description, the mass spectrometric power supply (R
Although the example in which the waste heat of the F power source) is used to control the temperature of the plasma stand is shown, the present invention is not limited to this.
Other than that, for example, waste heat of a power source for plasma generation or a DC power source for electric circuits may be used for temperature control of the plasma stand portion.

【0012】[0012]

【発明の効果】本発明のICP質量分析装置において
は、例えば質量分析部に供給する質量分離のための高周
波電源などの廃熱をプラズマスタンド部の温度調節に利
用するから、発熱手段に供給する電力を少なくし、省電
力化できる。また、各種の電源で発生していた不要な廃
熱は、従来技術においては装置の設置室内に捨てられて
いたが、本発明装置においてはその廃熱をプラズマの熱
とともに排気ダクトから放出できるため室温を上昇させ
ることがない。したがって、装置の設置室の温度を上昇
させることが少なくなり、部屋の温調設備への負担も少
なくなる。
In the ICP mass spectrometer of the present invention, waste heat such as a high-frequency power source for mass separation supplied to the mass spectrometric section is used for temperature control of the plasma stand section, so that it is supplied to the heating means. Power consumption can be reduced by reducing power consumption. Further, unnecessary waste heat generated by various power sources was discarded in the installation room of the device in the conventional technique, but in the device of the present invention, the waste heat can be discharged from the exhaust duct together with the heat of plasma. Does not raise room temperature. Therefore, the temperature in the installation room of the device is less likely to rise, and the load on the temperature control equipment in the room is also reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のICP質量分析装置の実施の形態の一
例である。
FIG. 1 is an example of an embodiment of an ICP mass spectrometer of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ICP質量分析装置 2…プラズマスタンド部 3…プラズマトーチ 4…質量分析部 5…質量分析部用電源 6…廃熱 7…送風機 8…ヒータ 9…温度センサ 10…温調制御器 11…排気筒 12…排気ダクト 1 ... ICP mass spectrometer 2 ... Plasma stand 3 ... Plasma torch 4 ... Mass analyzer 5 ... Mass analyzer power supply 6 ... Waste heat 7 ... Blower 8 ... Heater 9 ... Temperature sensor 10 ... Temperature controller 11 ... Exhaust Cylinder 12 ... Exhaust duct

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ICPプラズマスタンド部と各種電源を
有するICP質量分析装置において、前記プラズマスタ
ンド部の温度を検出する温度センサと、前記各種電源の
廃熱を前記プラズマスタンドに送る送風手段と、前記プ
ラズマスタンド部の温度を上昇させる発熱手段と、前記
温度センサからの信号に基づいて前記発熱手段の発熱量
を制御する温調制御器とを備え、前記各種電源の廃熱と
前記発熱手段による発熱を用いて前記プラズマスタンド
部の温度を上昇させ、前記温調制御器によって前記発熱
手段の発熱量を制御することで前記プラズマスタンド部
の温度が所定温度となるように制御することを特徴とす
るICP質量分析装置。
1. An ICP mass spectrometer having an ICP plasma stand unit and various power supplies, a temperature sensor for detecting the temperature of the plasma stand unit, a blower for sending waste heat of the various power supplies to the plasma stand, A heat generating means for raising the temperature of the plasma stand section and a temperature controller for controlling the heat generation amount of the heat generating means based on a signal from the temperature sensor are provided, and waste heat of the various power sources and heat generation by the heat generating means are provided. Is used to raise the temperature of the plasma stand portion, and the temperature control controller controls the amount of heat generated by the heat generating means to control the temperature of the plasma stand portion to a predetermined temperature. ICP mass spectrometer.
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