JPH09312252A - Ｘ線反射型マスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 パターンの欠陥がある場合でも、該欠陥を精
度良く安定してリペアすることができるＸ線反射型マス
ク及びパターン欠陥のないＸ線反射型マスクの製造方法
を提供する。 【解決手段】 欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレ
ジスト４を塗布し、さらに吸収体層の欠損にかかる欠陥
部とマスクパターンの非形成領域において開口をそれぞ
れ有するレジストパターン４ａを形成する工程と、前記
開口部分にＸ線吸収体層３ａ，５ａを形成する工程と、
前記レジストパターン４ａを除去する工程と、Ｘ線反射
型マスク上に再びレジスト４を塗布し、さらに多層膜が
露出していない欠陥部とＸ線吸収体層において開口をそ
れぞれ有するレジストパターン４ｂを形成する工程と、
前記開口部分にあるＸ線吸収体層５ａ，３ｂと、前記レ
ジストパターン４ｂを除去する工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線投影露光装置
などのＸ線光学系において用いられるＸ線反射型マスク
及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴
い、光の回折限界により制限される光学系の解像力を向
上させるために、Ｘ線を使用した縮小投影リソグラフィ
ー技術が開発されている。Ｘ線は従来から用いられてい
る紫外線よりも波長が短いのでより微細な回路パターン
を投影することができる。

【０００３】回路パターンを投影するためには、その回
路パターンが描かれたマスクが必要である。この様なマ
スクとしては、透過型マスクと反射型マスクの２種類が
知られている。透過型マスクは、Ｘ線が透過しやすい物
質からなる厚さ１μｍ以下の自立膜（メンブレン）の上
に、Ｘ線を吸収し易い物質からなる薄膜（吸収層）によ
り所望のパターンを形成したものである。

【０００４】しかし、この透過型マスクはメンブレンの
強度が非常に弱いため、大面積のマスクの製造が困難で
あることや、Ｘ線を照射したとき吸収により発生する熱
のためにメンブレンの変形が生じ易い等の問題点があっ
た。そこで、このような問題点を解決するために図３に
示すような反射型マスクが開発された。

【０００５】反射型マスクは、Ｘ線を反射する多層膜を
用いてその反射率の違いによりパターンを形成したもの
であり、具体的にはＸ線反射多層膜ミラーをパターン加
工するものや、Ｘ線反射多層膜ミラー上に形成した吸収
体をパターン加工するもの（図３）が知られている。こ
のような反射型マスクでは、厚い基板上にパターンを形
成するため、前記のような問題点は生じない。

【０００６】マスク基板の表面に形成されるＸ線反射多
層膜（以下、単に多層膜と略す場合がある）２は、屈折
率が大きく異なる２種類の物質を基板上に数nmの厚さで
交互に積層させたものである。一般に、前記２種の層は
重元素を主成分とする物質からなる層（重元素層とい
う）と、軽元素を主成分とする物質からなる層（軽元素
層という）である。

【０００７】Ｘ線反射多層膜は多数の界面で反射した光
の干渉効果を利用したものであり、多層膜ｌ周期の長さ
（周期長）をｄ、Ｘ線の入射角をθ、Ｘ線の波長をλと
すると、ブラッグの条件（２ｄ sinθ＝ｎλ：ｎは正の
整数）を満たすとき高い反射率を示す。吸収体をパター
ン加工して反射型マスクを製造するには二通りの方法が
ある。一つは多層膜上全面に吸収体層を成膜した後、レ
ジストパターンを形成してドライエッチング等により吸
収体層に転写する方法である。この方法では、吸収層に
パターンを転写する際に多層膜２にダメージを与えるの
で、多層膜の反射率が低下するという問題が生じる。

【０００８】もう一つは多層膜上にレジストパターンを
形成し、このパターンをステンシルマスクとしてリフト
オフ法やメッキ法により吸収体３を付加する方法であ
る。この方法では、多層膜２にダメージを与えないの
で、良好な反射型マスクが得られる。我々はこの方法に
着目し、反射型マスクの製造方法を既に提案している
（特願平６−１６８５６６）。

【０００９】メッキ法により吸収体を付加する場合の製
造工程の一例を図４に示す。まず、基板１上に多層膜２
を成膜する（図４（ａ））。このとき、多層膜２の最上
層を電解メッキ用の電極または無電解メッキ用の電極と
して使用できるように、該最上層が導電性や触媒活性な
性質を有する物質となるように多層膜２を形成する。

【００１０】一般に、重原子層が導電性や触媒活性な性
質を示す場合が多いので重原子層が最上層となる。多層
膜を構成する物質がこれらの性質を有していないときに
は、多層膜２の反射率に影響を及ぼさない程度の極薄い
導電性膜や触媒活性膜を多層膜上に成膜しても良い。次
に、多層膜２上にレジスト４を塗布し（図４（ｂ））、
パターン露光、現像を行ってレジストパターン４’を形
成する（図４（ｃ））。そして、このレジストパターン
４’を型にしてレジストが除去された部分のみに（選択
的に）吸収体３をメッキ法により成長させた後（図４
（ｄ））、レジストパターン４’を除去すると、Ｘ線反
射型マスクが得られる（図４（ｅ））。

【００１１】例えばこのようにして製造されたＸ線リソ
グラフィー用の反射型マスクは、パターンが微細である
ため欠陥が生じ易い。一般に半導体集積回路が完成する
までには、数十のマスクパターンを用いて順次回路パタ
ーンを焼き付けている。これらのマスクパターンのうち
一つでも欠陥が存在すると、この欠陥部が回路不良の原
因となってしまう。

【００１２】ところが、上記の方法では無欠陥の反射型
マスクを製造するのはかなり難しく欠陥が発生している
場合が多い。欠陥の一つは、吸収体３があるべき部分
（即ち非反射部）に付加されておらず、多層膜表面（即
ち、反射部）２が露出している場合であり、もう一つは
多層膜２が露出するべき部分（即ち、反射部）を吸収体
（即ち、非反射部）３が覆っている場合である。

【００１３】このように、実際に無欠陥のマスクを製造
することはかなり困難であるため、製造したマスクの欠
陥検査を行い、欠陥を修正することが重要な課題となっ
ている。発見された欠陥の修復（以後リペアという場合
がある）は、欠陥部分が反射部であれば非反射部に変
え、逆に欠陥部分が非反射部であれば反射部に変えれば
良い。

【００１４】一般に吸収体付加型の反射マスクの場合、
非反射部を反射部に変えるにはフォーカスイオンビーム
（ＦＩＢ）等により吸収体の一部を除去すれば良く、ま
た反射部を非反射部に変えるにはレーザー化学蒸着（Ｃ
ＶＤ）等により多層膜の表面に吸収体を付加すれば良
い。我々もリペア工程を有する反射型マスクの製造方法
を既に提案している（特願平７−１７１９８２）。我々
の提案しているリペア工程では、不必要な吸収体部分の
除去には電気分解（電解研磨）法を用い、欠損部分への
吸収体の付加にはメッキ法（電解メッキ法または無電解
メッキ法）を用いている。

【００１５】例えば、欠陥を修正するためには、まず、
吸収体３が付加されていない欠陥の場合には、吸収体を
付加したい部分を残してレジスト等で被覆し、電解メッ
キ法または無電解メッキ法により吸収体を付加すれば良
い。具体的には、レジストを塗布した後、電子線描画装
置などを用いて吸収体付加部分をパターンニングし、得
られたレジストパターンをステンシルマスクとして電解
メッキまたは無電解メッキを行えばよい。

【００１６】また、逆に多層膜２が覆われている欠陥の
場合には、吸収体３の除去したい部分を残してレジスト
等で被覆し、吸収体３の露出した部分を電解研磨にて除
去すれば良い。具体的には、レジストを塗布した後、電
子線描画装置などを用いて吸収体除去部分をパターンニ
ングし、得られたレジストパターンをマスクとして電気
分解を行えばよい。

【００１７】ここで、吸収体パターンの欠陥を修正する
工程の一例を図５に示す。まず、図４の工程により得ら
れた欠陥を有する反射型マスクの表面にレジスト４を塗
布する（図５（ａ））。そして、ＥＢ描画装置を用いて
吸収体を付加したい部分のみが露出するように露光、現
像を行ってレジストパターン４ａを形成する（図５
（ｂ））。

【００１８】このレジストパターン４ａを型にしてレジ
ストが除去された部分のみに（選択的に）吸収体３ａを
メッキ法により成長させた後（図５（ｃ））、レジスト
パターン４ａを除去する（図５（ｄ））。反射型マスク
表面に再度レジスト４を塗布し（図５（ｅ））、ＥＢ描
画装置を用いて吸収体を除去したい部分のみが露出する
ように露光、現像を行ってレジストパターン４ｂを形成
する（図５（ｆ））。

【００１９】このレジストパターン４ｂを型にしてレジ
ストの除去された部分のみ（選択的に）吸収体３ｂを電
解研磨法により除去した後（図５（ｇ））、レジストパ
ターン４ｂを除去する（図５（ｈ））。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電気分解
（電解研磨）や電解メッキにおいては、電流密度を一定
として通電を行うため、定電流電源を用いるのが一般的
である。例えば、電解メッキを行う際には、所望のパタ
ーン形状によりメッキ面積が異なるため、パターン面積
に応じて電流密度が一定となるように総電流量を変化さ
せる必要がある。電気分解を行う場合も同様である。

【００２１】ここで、リペア対象となる欠陥部分の面積
は、吸収体パターンの全面積よりも非常に微少になって
しまうので、欠陥をリペアするためには非常に微少な電
流を安定して供給する必要がある。しかしながら、吸収
体パターン全体に電解メッキを施す場合に必要な電流量
よりも遥かに微少な電流を欠陥部分に通電した時に精度
良く安定して、電解メッキパターンを得たり、或いはパ
ターンの一部を電気分解することは非常に困難である。

【００２２】そのため、パターンの欠陥を精度良く安定
してリペアすることができないという問題点があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、
パターンの欠陥がある場合でも、該欠陥を精度良く安定
してリペアすることができるＸ線反射型マスク及びパタ
ーン欠陥のないＸ線反射型マスクの製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に、「少なくとも、基板上に形成されたＸ線反射多層膜
と、該多層膜上に形成されたＸ線吸収体層とを備えたＸ
線反射型マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体層は、マスク
パターンの形成領域にあるパターン状のＸ線吸収体層
と、該マスクパターンの非形成領域にあるＸ線吸収体層
とを有することを特徴とするＸ線反射型マスク（請求項
１）」を提供する。

【００２４】また、本発明では第二に「前記マスクパタ
ーンの非形成領域にあるＸ線吸収体層は、該マスクパタ
ーンに欠陥部がある場合に、該欠陥部をメッキ法または
電解研磨法により修復するときに流れる電流量を増大化
させるために、該修復に伴って設けられるか、或いは予
め設けられた層であることを特徴とする請求項１記載の
Ｘ線反射型マスク（請求項２）」を提供する。

【００２５】また、本発明では第三に「前記Ｘ線吸収体
層にＮｉが使用されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のＸ線反射型マスク（請求項３）」を提供す
る。また、本発明では第四に「前記多層膜にＭｏ／Ｓｉ
交互多層膜が使用されていることを特徴とする請求項１
〜３記載のＸ線反射型マスク（請求項４）」を提供す
る。

【００２６】また、本発明では第五に「少なくとも、基
板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成さ
れたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えたマ
スクであり、マスクパターンの形成領域に前記吸収体層
の欠損にかかる欠陥部を有するＸ線反射型マスクを用意
する工程と、前記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上に
レジストを塗布し、さらに該欠陥部と前記マスクパター
ンの非形成領域において開口をそれぞれ有するレジスト
パターンを形成する工程と、前記開口部分にメッキ法に
よりＸ線吸収体層を形成する工程と、前記レジストパタ
ーンを除去する工程と、を有するＸ線反射型マスクの製
造方法（請求項５）」を提供する。

【００２７】また、本発明では第六に「少なくとも、基
板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成さ
れたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えたマ
スクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜が
露出していない欠陥部をマスクパターンの形成領域に有
し、かつ該マスクパターンの非形成領域においてＸ線吸
収体層を有するＸ線反射型マスクを用意する工程と、前
記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗布
し、さらに該欠陥部と前記マスクパターンの非形成領域
にあるＸ線吸収体層において開口をそれぞれ有するレジ
ストパターンを形成する工程と、前記開口部分にあるＸ
線吸収体層を電解研磨法により除去する工程と、前記レ
ジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線反射型
マスクの製造方法（請求項６）」を提供する。

【００２８】また、本発明では第七に「少なくとも、基
板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成さ
れたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えたマ
スクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜が
露出していない欠陥部をマスクパターンの形成領域に有
するＸ線反射型マスクを用意する工程と、前記欠陥部を
有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗布し、さらに
前記マスクパターンの非形成領域において開口を有する
レジストパターンを形成する工程と、前記開口部分にメ
ッキ法によりＸ線吸収体層を形成する工程と、前記レジ
ストパターンを除去する工程と、前記レジストパターン
を除去したＸ線反射型マスク上に再びレジストを塗布
し、さらに前記欠陥部と前記マスクパターンの非形成領
域にあるＸ線吸収体層において開口をそれぞれ有するレ
ジストパターンを形成する工程と、前記開口部分にある
Ｘ線吸収体層を電解研磨法により除去する工程と、前記
レジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線反射
型マスクの製造方法（請求項７）」を提供する。

【００２９】また、本発明では第八に「少なくとも、基
板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成さ
れたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えたマ
スクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜が
露出していない欠陥部と、前記吸収体層の欠損にかかる
欠陥部とをマスクパターンの形成領域に有するＸ線反射
型マスクを用意する工程と、前記欠陥部を有するＸ線反
射型マスク上にレジストを塗布し、さらに前記吸収体層
の欠損にかかる欠陥部と前記マスクパターンの非形成領
域において開口をそれぞれ有するレジストパターンを形
成する工程と、前記開口部分にメッキ法によりＸ線吸収
体層を形成する工程と、前記レジストパターンを除去す
る工程と、前記レジストパターンを除去したＸ線反射型
マスク上に再びレジストを塗布し、さらに前記吸収体層
の誤形成により前記多層膜が露出していない欠陥部と前
記マスクパターンの非形成領域にあるＸ線吸収体層にお
いて開口をそれぞれ有するレジストパターンを形成する
工程と、前記開口部分にあるＸ線吸収体層を電解研磨法
により除去する工程と、前記レジストパターンを除去す
る工程と、を有するＸ線反射型マスクの製造方法（請求
項８）」を提供する。

【００３０】

【発明の実施の形態】本発明の少なくとも、基板上に形
成されたＸ線反射多層膜と、該多層膜上に形成されたＸ
線吸収体層とを備えたＸ線反射型マスクにかかるＸ線吸
収体層は、マスクパターンの形成領域にあるパターン状
のＸ線吸収体層と、該マスクパターンの非形成領域にあ
るＸ線吸収体層とを有するので、マスクパターンに欠陥
がある場合でも、該欠陥を精度良く安定してリペアする
ことができる（請求項１）。

【００３１】前記マスクパターンの非形成領域にＸ線吸
収体層が設けられるか、或いは予め設けられていると、
該マスクパターンに欠陥部がある場合に、該欠陥部をメ
ッキ法または電解研磨法により修復するときに流れる電
流量を増大化させることができる（請求項２）。また、
本発明のＸ線反射型マスクの製造方法（請求項５〜８）
においては、マスクパターンに欠陥部がある場合に、該
欠陥部をメッキ法または電解研磨法により修復するとき
に流れる電流量を増大化させるため、マスクパターンの
非形成領域に、前記修復に伴ってＸ線吸収体層を設ける
か、或いはＸ線吸収体層を予め設けている。

【００３２】マスクパターンの非形成領域にＸ線吸収体
層が設けられるか、或いは予め設けられていると、この
Ｘ線吸収体層を、マスクパターンの欠陥部をメッキ法ま
たは電解研磨法により修復する際の電極（ダミー電極）
として形成または使用することが可能であり、そのた
め、電極の総面積を広くすることができるので、微少電
流を通電する必要はなくなる。

【００３３】従って、本発明にかかるＸ線反射型マスク
（請求項１〜４）によれば、前記欠陥部を修復するとき
に流れる電流量を増大化させることが可能であり、その
結果、マスクパターンの欠陥を精度良く安定してリペア
することができる。また、本発明にかかるＸ線反射型マ
スクの製造方法（請求項５〜８）によれば欠陥部を修復
するときに流れる電流量を増大化させることが可能であ
り、その結果、マスクパターンの欠陥を精度良く安定し
てリペアすることができるので、マスクパターンに欠陥
がないマスクを製造することができる。

【００３４】また、本発明にかかるＸ線反射型マスク
（請求項１〜８）によれば、リペアに用いる微少電流電
源を別途を用意しなくても、反射型マスクを製造する際
に使用するメッキ用電源を流用してリペアを行うことが
できるのでコストパフォーマンスが向上する。本発明に
かかるＸ線反射型マスクにおいては、軟Ｘ線領域（特
に、Ｘ線縮小投影露光で有望とされる波長１３ｎｍ）の
Ｘ線を反射させる場合に、Ｘ線吸収体層にＮｉを用いる
と、コントラストのよい反射型マスクとすることができ
るので好ましい（請求項３）。

【００３５】本発明にかかるＸ線反射型マスクにおいて
は、軟Ｘ線領域（特に、Ｘ線縮小投影露光で有望とされ
る波長１３ｎｍ）のＸ線を反射させる場合に、Ｘ線反射
多層膜にＭｏ／Ｓｉ交互多層膜を用いると、高反射率の
反射型マスクとすることができるので好ましい（請求項
４）。本発明にかかる、マスクパターンに欠陥がないＸ
線反射型マスクを製造する方法（リペア工程を含む）の
一例を図２に示す。

【００３６】まず、図４の工程により得られたマスクパ
ターンに欠陥を有する反射型マスクの表面にレジスト４
を塗布する（図２（ａ））。ＥＢ描画装置を用いて、吸
収体を付加したい部分（欠陥部）及びダミー電極を形成
する箇所（マスクパターンの非形成領域内）５のみが露
出するように露光、現像を行うことにより、前記欠陥部
及び前記ダミー電極の形成予定箇所において開口をそれ
ぞれ有するレジストパターン４ａを形成する（図２
（ｂ））。

【００３７】このレジストパターン４ａを型にして、開
口部分のみに選択的に吸収体３ａ及びダミー電極５ａを
メッキ法により成長させた後（図２（ｃ））、レジスト
パターン４ａを除去する（図２（ｄ））。次に、反射型
マスク表面にレジスト４を再度塗布し（図２（ｅ））、
ＥＢ描画装置を用いて、吸収体を除去したい部分（欠陥
部）３ｂ及びダミー電極５ａのみが露出するように露
光、現像を行うことにより、前記欠陥部３ｂ及び前記ダ
ミー電極５ａにおいて開口をそれぞれ有するレジストパ
ターン４ｂを形成する（図２（ｆ））。

【００３８】このレジストパターン４ｂを型にして、開
口部分の吸収体３ｂ及びダミー電極５ａを電解研磨法に
より選択的に除去した後（図２（ｇ））、レジストパタ
ーン４ｂを除去する（図２（ｈ））。以上の工程によ
り、マスクパターンに欠陥がないＸ線反射型マスクを製
造することができる。

【００３９】なお、吸収体パターンの付加工程、除去工
程は必要に応じてどちらか一方だけを行ってもかまわな
い。また、除去工程を先に行ってもかまわない。除去工
程のみを行う場合には、ダミー電極用の吸収体を予め形
成しておけばよい。また、除去工程を先に行う場合には
吸収体パターン（マスクパターン形成領域）を形成する
際に、ダミー電極用の吸収体（マスクパターン非形成領
域）を同時に形成しておくことが望ましい。

【００４０】また、パターンニングに用いるレジスト
は、反射型マスク表面の吸収体を付加または除去したい
部分だけが露出するように露光、現像すればよいので、
ポジ型、ネガ型を選ばない。したがって、作業者にとっ
て作業性のよいレジストを状況に応じて選択することが
できる。以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。

【００４１】

【実施例】

−第１実施例− 図１は本実施例の製造方法により作製された、マスクパ
ターンに欠陥がないＸ線反射型マスクの概略断面図であ
る。図２を引用して、本実施例にかかる反射型マスクの
製造方法を説明する。

【００４２】まず、基板上にＸ線反射多層膜を形成し、
さらに該多層膜上に所望のパターンを有するＸ線吸収層
を形成して製造したＸ線反射型マスクのうち、マスクパ
ターンに欠陥を有するものを抽出し、またその欠陥部分
を見つけておく。前記Ｘ線反射型マスクは、Ｓｉ基板１
上にＭｏ／Ｓｉ多層膜２をイオンビームスパッタ法にて
最上層がＭｏ層となるように成膜し、このＭｏ層を電極
（陰極）としてＮｉ吸収体パターン３を電解メッキ法に
て形成したものである。

【００４３】Ｍｏ／Ｓｉ多層膜２の周期長は6.7 ｎｍ、
Γ（＝Ｍｏ層の厚さ／周期長）は１／３、積層数は５０
ペアのものとした。Ｎｉ吸収体３は0.4 〜４μｍＬ＆Ｓ
とし、約１１０ｎｍの厚さになるよう成長させた。この
反射型マスク表面にレジスト４（ＯＥＢＲ−１０００）
を膜厚約0.2 μｍ塗布した（図２（ａ））。

【００４４】次に、電子線描画装置を用いて、吸収体を
付加したい部分（欠陥部）及びダミー電極を形成する箇
所（マスクパターンの非形成領域内）５のみが露出する
ように露光、現像及びベークを行うことにより、前記欠
陥部及び前記ダミー電極の形成予定箇所において開口を
それぞれ有するレジストパターン４ａを形成した（図２
（ｂ））。

【００４５】このレジストパターン４ａを型にして、開
口部分のみに選択的に厚さが約１１０ｎｍの吸収体３ａ
及びダミー電極５ａをメッキ法により成長させた（図２
（ｃ））。電解めっき液組成は、スルファミン酸ニッケ
ル４５０ｇ／ｌ、ほう酸３０ｇ／ｌ、ラウリル硫酸ナト
リウム0.5 ｇ／ｌの水溶液とし、電解めっき条件は、例
えば電流密度１〜４ｍＡ/ ｃｍ² 、ｐＨ３〜４、浴温５
０°Ｃとした。

【００４６】電解めっき後、純水を用いて洗浄、乾燥
し、レジストパターン４ａを除去した（図２（ｄ））。
レジストパターン４ａの除去には、アセトン洗浄法、ま
たはＯ₂ アッシング法を用いた。反射型マスクの表面を
十分に洗浄した後、再度レジスト４（ＯＥＢＲ−１００
０）を膜厚約0.2 μｍ塗布した（図２（ｅ））。

【００４７】次に、電子線描画装置を用いて吸収体を除
去したい部分（欠陥部３ｂ）とダミー電極５ａ部分のみ
が露出するように露光、現像及びベークを行うことによ
り、欠陥部３ｂ及びダミー電極５ａにおいて開口をそれ
ぞれ有するレジストパターン４ｂを形成した（図２
（ｆ））。このレジストパターン４ｂを型にして、開口
部分の吸収体３ｂ及びダミー電極５ａを電解研磨法によ
り選択的に除去した（図２（ｇ））。電解研磨液組成は
電解メッキ液と同様とし、電解研磨条件は、例えば電流
密度0.1 〜１ｍＡ/ ｃｍ²、ｐＨ３〜４、浴温５０℃と
した。

【００４８】電解研磨後、純水を用いて洗浄、乾燥し、
レジストパターン４ｂを除去した（図２（ｈ））。レジ
ストパターン４ｂの除去には、アセトン洗浄法、または
Ｏ₂アッシング法を用いた。以上の工程により欠陥がな
く正確なパターンを有するＸ線反射型マスクを効率よく
得ることができた。

【００４９】−第２実施例− 図１は本実施例の製造方法により作製された、マスクパ
ターンに欠陥がないＸ線反射型マスクの概略断面図であ
る。図２を引用して、本実施例にかかる反射型マスクの
製造方法を説明する。まず、基板上にＸ線反射多層膜を
形成し、さらに該多層膜上に所望のパターンを有するＸ
線吸収層を形成して製造したＸ線反射型マスクのうち、
マスクパターンに欠陥を有するものを抽出し、またその
欠陥部分を見つけておく。

【００５０】前記Ｘ線反射型マスクは、Ｓｉ基板１１上
にＰｄ／Ｓｉ多層膜１２をイオンビームスパッタ法にて
最上層がＰｄ層となるように成膜し、このＰｄ層を電極
（陰極）としてＮｉ吸収体パターン１３を電解メッキ法
にて形成したものである。Ｐｄ／Ｓｉ多層膜１２の周期
長は6.7 ｎｍ、Γ（＝Ｐｄ層の厚さ／周期長）は１／
３、積層数は５０ペアのものとした。Ｎｉ吸収体１３は
0.4 〜４μｍＬ＆Ｓとし、約１５０ｎｍの厚さになるよ
う成長させた。

【００５１】この反射型マスク表面にレジスト１４（Ｏ
ＥＢＲ−１０００）を膜厚約0.2μｍ塗布した（図２
（ａ））。次に、電子線描画装置を用いて、吸収体を付
加したい部分（欠陥部）及びダミー電極を形成する箇所
（マスクパターンの非形成領域内）１５のみが露出する
ように露光、現像及びベークを行うことにより、前記欠
陥部及び前記ダミー電極の形成予定箇所において開口を
それぞれ有するレジストパターン１４ａを形成した（図
２（ｂ））。

【００５２】このレジストパターン１４ａを型にして、
開口部分のみに選択的に厚さが約１５０ｎｍ（ニッケ
ル）の吸収体１３ａ及びダミー電極１５ａを無電解めっ
き法により成長させた（図２（ｃ））。無電解めっき液
組成は、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜りん酸ナトリウ
ム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌの水溶液
とし、無電解めっき条件は、例えばｐＨ４〜６、浴温９
０℃とした。

【００５３】無電解めっき後、純水を用いて洗浄、乾燥
し、レジストパターン１４ａを除去した（図２
（ｄ））。レジストパターン１４ａの除去には、アセト
ン洗浄法、またはＯ₂ アッシング法を用いた。反射型マ
スクの表面を十分に洗浄した後、再度レジスト１４（Ｏ
ＥＢＲ−１０００）を膜厚約0.2 μｍ塗布した（図２
（ｅ））。

【００５４】次に、電子線描画装置を用いて吸収体を除
去したい部分（欠陥部１３ｂ）とダミー電極１５ａ部分
のみが露出するように露光、現像及びベークを行うこと
により、欠陥部１３ｂ及びダミー電極１５ａにおいて開
口をそれぞれ有するレジストパターン１４ｂを形成した
（図２（ｆ））。このレジストパターン１４ｂを型にし
て、開口部分の吸収体１３ｂ及びダミー電極１５ａを電
解研磨法により選択的に除去した（図２（ｇ））。電解
研磨液組成は電解メッキ液と同様とし、電解研磨条件
は、例えば電流密度0.1 〜１ｍＡ/ｃｍ² 、ｐＨ３〜
４、浴温５０℃とした。

【００５５】電解研磨後、純水を用いて洗浄、乾燥し、
レジストパターン１４ｂを除去した（図２（ｈ））。レ
ジストパターン１４ｂの除去には、アセトン洗浄法、ま
たはＯ₂ アッシング法を用いた。以上の工程により欠陥
がなく正確なパターンを有するＸ線反射型マスクを効率
よく得ることができた。

【００５６】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明にかかる
Ｘ線反射型マスク（請求項１〜４）によれば、前記欠陥
部を修復するときに流れる電流量を増大化させることが
可能であり、その結果、マスクパターンの欠陥を精度良
く安定してリペアすることができる。

【００５７】また、本発明にかかるＸ線反射型マスクの
製造方法（請求項５〜８）によれば欠陥部を修復すると
きに流れる電流量を増大化させることが可能であり、そ
の結果、マスクパターンの欠陥を精度良く安定してリペ
アすることができるので、マスクパターンに欠陥がない
マスクを製造することができる。また、本発明にかかる
Ｘ線反射型マスク（請求項１〜８）によれば、リペアに
用いる微少電流電源を別途を用意しなくても、反射型マ
スクを製造する際に使用するメッキ用電源を流用してリ
ペアを行うことができるのでコストパフォーマンスが向
上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、実施例の製造方法により作製された、マス
クパターンに欠陥がないＸ線反射型マスクの概略断面図
である。

【図２】は、実施例にかかるＸ線反射型マスクを製造す
る工程を示す概略断面図である。

【図３】は吸収体付加型のＸ線反射型マスク（一例）の
概略断面図である。

【図４】は、メッキ法を用いて吸収体を付加する方法に
よりＸ線反射型マスクを製造する工程（一例）を示す概
略断面図である。

【図５】は、欠陥修正工程として、吸収体付加にメッキ
法を用い、吸収体削除に電気分解法を用いてＸ線反射型
マスクを修正する工程（一例）を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１、１１・・・基板 ２、１２・・・多層膜 ３、３ａ、３ｂ・・・吸収体 １３、１３ａ、１３ｂ・・・吸収体 ４、１４・・・レジスト ４’、４ａ、４ｂ・・・レジストパターン １４ａ、１４ｂ・・・レジストパターン １５、１５ａ・・・ダミー電極 以上

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｇ２１Ｋ 1/06 Ｃ Ｄ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、基板上に形成されたＸ線反
   射多層膜と、該多層膜上に形成されたＸ線吸収体層とを
   備えたＸ線反射型マスクにおいて、 前記Ｘ線吸収体層は、マスクパターンの形成領域にある
   パターン状のＸ線吸収体層と、該マスクパターンの非形
   成領域にあるＸ線吸収体層とを有することを特徴とする
   Ｘ線反射型マスク。
2. 【請求項２】 前記マスクパターンの非形成領域にある
   Ｘ線吸収体層は、該マスクパターンに欠陥部がある場合
   に、該欠陥部をメッキ法または電解研磨法により修復す
   るときに流れる電流量を増大化させるために、該修復に
   伴って設けられるか、或いは予め設けられた層であるこ
   とを特徴とする請求項１記載のＸ線反射型マスク。
3. 【請求項３】 前記Ｘ線吸収体層にＮｉが使用されてい
   ることを特徴とする請求項１または２記載のＸ線反射型
   マスク。
4. 【請求項４】 前記多層膜にＭｏ／Ｓｉ交互多層膜が使
   用されていることを特徴とする請求項１〜３記載のＸ線
   反射型マスク。
5. 【請求項５】 少なくとも、 基板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成
   されたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えた
   マスクであり、マスクパターンの形成領域に前記吸収体
   層の欠損にかかる欠陥部を有するＸ線反射型マスクを用
   意する工程と、 前記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗
   布し、さらに該欠陥部と前記マスクパターンの非形成領
   域において開口をそれぞれ有するレジストパターンを形
   成する工程と、 前記開口部分にメッキ法によりＸ線吸収体層を形成する
   工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線
   反射型マスクの製造方法。
6. 【請求項６】 少なくとも、 基板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成
   されたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えた
   マスクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜
   が露出していない欠陥部をマスクパターンの形成領域に
   有し、かつ該マスクパターンの非形成領域においてＸ線
   吸収体層を有するＸ線反射型マスクを用意する工程と、 前記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗
   布し、さらに該欠陥部と前記マスクパターンの非形成領
   域にあるＸ線吸収体層において開口をそれぞれ有するレ
   ジストパターンを形成する工程と、 前記開口部分にあるＸ線吸収体層を電解研磨法により除
   去する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線
   反射型マスクの製造方法。
7. 【請求項７】 少なくとも、 基板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成
   されたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えた
   マスクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜
   が露出していない欠陥部をマスクパターンの形成領域に
   有するＸ線反射型マスクを用意する工程と、 前記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗
   布し、さらに前記マスクパターンの非形成領域において
   開口を有するレジストパターンを形成する工程と、 前記開口部分にメッキ法によりＸ線吸収体層を形成する
   工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記レジストパターンを除去したＸ線反射型マスク上に
   再びレジストを塗布し、さらに前記欠陥部と前記マスク
   パターンの非形成領域にあるＸ線吸収体層において開口
   をそれぞれ有するレジストパターンを形成する工程と、 前記開口部分にあるＸ線吸収体層を電解研磨法により除
   去する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線
   反射型マスクの製造方法。
8. 【請求項８】 少なくとも、 基板上に形成されたＸ線反射多層膜と該多層膜上に形成
   されたパターン状のＸ線吸収体層とを少なくとも備えた
   マスクであり、前記吸収体層の誤形成により前記多層膜
   が露出していない欠陥部と、前記吸収体層の欠損にかか
   る欠陥部とをマスクパターンの形成領域に有するＸ線反
   射型マスクを用意する工程と、 前記欠陥部を有するＸ線反射型マスク上にレジストを塗
   布し、さらに前記吸収体層の欠損にかかる欠陥部と前記
   マスクパターンの非形成領域において開口をそれぞれ有
   するレジストパターンを形成する工程と、 前記開口部分にメッキ法によりＸ線吸収体層を形成する
   工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記レジストパターンを除去したＸ線反射型マスク上に
   再びレジストを塗布し、さらに前記吸収体層の誤形成に
   より前記多層膜が露出していない欠陥部と前記マスクパ
   ターンの非形成領域にあるＸ線吸収体層において開口を
   それぞれ有するレジストパターンを形成する工程と、 前記開口部分にあるＸ線吸収体層を電解研磨法により除
   去する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、を有するＸ線
   反射型マスクの製造方法。