JPH09311468A - Adhesive sheet for removing resist and method for removing resist - Google Patents

Adhesive sheet for removing resist and method for removing resist

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JPH09311468A
JPH09311468A JP12564496A JP12564496A JPH09311468A JP H09311468 A JPH09311468 A JP H09311468A JP 12564496 A JP12564496 A JP 12564496A JP 12564496 A JP12564496 A JP 12564496A JP H09311468 A JPH09311468 A JP H09311468A
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adhesive layer
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康夫 木原
Koichi Hashimoto
浩一 橋本
Tatsuya Sekido
達也 関戸
Yasu Chikada
縁 近田
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To peel and remove an unnecessary resist film image on an article with an adhesive sheet, to suppress the sticking of harmful metals derived from the sheet on the article and to eliminate harmful effects on the electrical characteristics of the article such as a semiconductor wafer. SOLUTION: An adhesive sheet is composed of a film substrate and an adhesive layer formed on the substrate or a separator is further stuck on the surface of the adhesive layer and a trapping agent capable of bonding to harmful metals in the constituent members is incorporated into the adhesive layer. The resultant adhesive sheet for removing a resist is stuck on an article on which a resist film image exists after the separator is peeled when the sheet has the separator, and the sheet, together with the resist material, is peeled to remove the resist material on the article. When the sheet is a curable sheet, it is cured before the peeling.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造に際して、不要となつたレジスト膜画
像(レジストパタ―ン)を除去する技術に関するもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention eliminates unnecessary resist film images (resist patterns) in the production of microfabricated parts such as semiconductors, circuits, various printed boards, various masks and lead frames. It is related to the technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定のレジスト膜画像が形成される。これをマ
スクとして、エツチング後、不要となつたレジスト材が
除去され、所定の回路が形成される。ついで、つぎの回
路を形成するため、再度レジスト材を塗布するというサ
イクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回路を形
成する場合も、レジスト膜画像の形成後、不要となつた
レジスト材が除去される。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a resist material is applied onto a silicon wafer and a predetermined resist film image is formed by a normal photo process. Using this as a mask, the unnecessary resist material is removed after etching to form a predetermined circuit. Then, in order to form the next circuit, the cycle of applying the resist material again is repeated. Also, when forming a circuit on various substrates, unnecessary resist material is removed after the resist film image is formed.

【0003】この際、不要となつたレジスト材の除去は
アツシヤ―(灰化手段)や溶剤、薬品などにて行われる
のが一般的である。しかし、レジスト材の除去にアツシ
ヤ―を用いると、作業に長時間を要したり、レジスト材
中の不純物がウエハに注入されるおそれがあり、また半
導体基板にダメ─ジを与えることがある。また、溶剤や
薬品を用いると、作業環境を害するという問題があつ
た。
At this time, the unnecessary resist material is generally removed by an asher (ashing means), a solvent, a chemical, or the like. However, if the asher is used to remove the resist material, it may take a long time for the work, the impurities in the resist material may be injected into the wafer, and the semiconductor substrate may be damaged. In addition, there is a problem that the working environment is harmed when a solvent or a chemical is used.

【0004】このため、レジスト膜画像の除去に際し、
高分子重合体の溶液を上記画像を有する半導体基板上に
塗布し、加熱乾燥などの特定の処理を施したのち、高分
子重合体とレジスト材とを一体に剥離する方法、高分子
重合体からなる接着シ―ト類をレジスト膜画像の上面に
貼り付け、加熱処理などの特定の処理を施したのち、こ
の接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離する方法な
どが提案された。とくに、後者の方法は、簡易な除去方
法として注目されている。
Therefore, when removing the resist film image,
A method in which a solution of a high molecular polymer is applied onto a semiconductor substrate having the above image and subjected to a specific treatment such as heating and drying, and then the high molecular polymer and the resist material are integrally peeled from the high molecular polymer. A method has been proposed in which the following adhesive sheets are attached to the upper surface of the resist film image, subjected to a specific treatment such as heat treatment, and then the adhesive sheets and the resist material are integrally peeled off. In particular, the latter method is drawing attention as a simple removal method.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、接着シ―ト
類を用いる方法には、レジストが剥離されたウエハ上に
接着シ─ト類由来の有害金属が転写、転移などにより付
着し、これがウエハの電気特性などに悪影響をおよぼす
難点があつた。このため、接着シ─ト類の構成材料に含
まれる有害金属を洗浄、精製により低減する方法が採ら
れたが、有害金属の低減が難しかつたり、コストが高く
なるなどの問題があつた。
However, in the method using the adhesive sheet, the harmful metal derived from the adhesive sheet adheres to the wafer from which the resist has been peeled off by transfer, transfer, etc. There was a problem that it adversely affected the electrical characteristics of the. For this reason, a method has been adopted in which harmful metals contained in the constituent materials of the adhesive sheets are reduced by cleaning and refining, but there are problems such as difficulty in reducing harmful metals and high cost.

【0006】本発明は、上記の事情に照らし、物品上の
不要となつたレジスト膜画像を接着シ―ト類を用いて剥
離除去するとともに、その際接着シ―ト類由来の有害金
属が物品上に付着するのを抑制して、半導体ウエハなど
の物品に対しその電気特性などへの悪影響を防ぐことを
目的としている。
In view of the above-mentioned circumstances, the present invention peels off unnecessary resist film images on an article by using adhesive sheets and removes harmful metals derived from the adhesive sheets from the articles. The purpose is to suppress the adhesion to the top and prevent adverse effects on the electrical characteristics of an article such as a semiconductor wafer.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、接着シ―ト類と
して接着剤層中に有害金属と結合可能なトラツプ剤を含
ませたものを用いることにより、半導体ウエハなどの物
品上からレジスト膜画像を簡単に除去できるとともに、
上記物品にその電気特性などに悪影響を及ぼす有害金属
が付着するのを抑制できることを見い出し、本発明を完
成するに至つた。
In order to achieve the above object, the inventors of the present invention have conducted extensive studies, and as a result, as an adhesive sheet, the adhesive layer contains a trapping agent capable of binding a harmful metal. The resist film image can be easily removed from an article such as a semiconductor wafer by using
The inventors have found that it is possible to suppress the adhesion of harmful metals that adversely affect the electric characteristics and the like to the above-mentioned articles, and have completed the present invention.

【0008】すなわち、本発明は、フイルム基材とこの
上に設けられた接着剤層(あるいはこれらとさらに接着
剤層面に貼り合わされたセパレ―タ)とにより接着シ─
ト類を構成し、これら構成部材の有する有害金属と結合
可能なトラツプ剤を接着剤層中に含ませたことを特徴と
するシ―ト状やテ―プ状などのレジスト除去用接着シ―
ト類(請求項1)と、レジスト膜画像が存在する物品上
に、上記構成の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合わ
されたものではこれを剥がして、貼り付け、この接着シ
―ト類が硬化型であるときはこれを硬化させたのちに、
この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物
品上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト
除去方法(請求項2)に係るものである。
That is, according to the present invention, an adhesive sheet is formed by a film base material and an adhesive layer provided on the film base material (or a separator attached to the film base material and the adhesive layer surface).
Adhesive sheet for resist removal, such as sheets and tapes, characterized in that the adhesive layer contains a trapping agent that composes a sheet and is capable of binding to harmful metals of these constituent members.
The adhesive sheet having the above-mentioned constitution is peeled off and attached to the article having the resist film image and the adhesive sheet (Claim 1), and the adhesive sheet is attached. If the type is a curable type, after curing it,
A resist removing method (claim 2) is characterized in that the adhesive sheet and the resist material are integrally peeled off to remove the resist material on the article.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明のレジスト除去用接着シ―
ト類において、フイルム基材としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ─ト、アセチ
ルセルロ―スなどからなる厚さが通常10〜100μm
程度のプラスチツクフイルムが好ましく用いられる。と
くに接着剤層が光硬化型のものであるときは、紫外線な
どの光を透過するプラスチツクフイルムが選択使用され
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An adhesive sheet for resist removal according to the present invention
As the film base material, polyethylene,
The thickness of polypropylene, polyethylene terephthalate, acetyl cellulose, etc. is usually 10-100 μm.
Some plastic films are preferably used. In particular, when the adhesive layer is a photo-curable type, a plastic film that transmits light such as ultraviolet rays is selectively used.

【0010】このフイルム基材上に通常10〜180μ
m程度の接着剤層を設けて、シ―ト状やテ―プ状などの
レジスト除去用接着シ―ト類とする。この接着シ―ト類
は、フイルム基材の背面側にシリコン処理などの剥離処
理を施したうえでロ―ル状に巻回されるか、あるいは接
着剤層面にシリコン処理などの剥離処理を施したシ―ト
類などからなるセパレ―タが貼り合わされてロ―ル状に
巻回される。つまり、この接着シ―ト類は、フイルム基
材と接着剤層(あるいはこれらとさらに接着剤層面に貼
り合わされたセパレ―タ)とを構成部材とする。
Usually 10 to 180 μm is formed on the film base material.
An adhesive layer of about m is provided to form sheet-shaped or tape-shaped adhesive sheets for resist removal. These adhesive sheets are either rolled into a roll after the release treatment such as silicon treatment is applied to the back side of the film base, or the adhesive layer surface is subjected to release treatment such as silicon treatment. Separate separators made of sheets and the like are attached and rolled into a roll. In other words, the adhesive sheets have a film base material and an adhesive layer (or a separator attached to the film substrate and the adhesive layer surface) as constituent members.

【0011】本発明では、このような接着シ─ト類にお
いて、上記構成部材の有する有害金属と結合可能なトラ
ツプ剤を接着剤層中に含ませたことを特徴とする。この
トラツプ剤は接着剤層中の有害金属と反応してこれをト
ラツプし、また接着剤層と接触するフイルム基材やセパ
レ―タに含まれる有害金属とも反応してこれらをトラツ
プする。このため、接着シ─ト類を半導体ウエハなどに
貼り付けたときに、上記構成部材に由来する有害金属が
上記物品に転写ないし転移する心配は少なく、上記物品
への電気特性などの悪影響が著しく抑制される。
The present invention is characterized in that, in such an adhesive sheet, a trap agent capable of bonding with a harmful metal contained in the above-mentioned constituent member is contained in the adhesive layer. The trapping agent reacts with and traps harmful metals in the adhesive layer, and also reacts with harmful metals contained in the film substrate and the separator which come into contact with the adhesive layer to trap them. Therefore, when the adhesive sheets are attached to a semiconductor wafer or the like, there is little concern that harmful metals derived from the above-mentioned constituent members are transferred or transferred to the above-mentioned article, and adverse effects such as electrical characteristics on the above-mentioned article are remarkable. Suppressed.

【0012】ここで、有害金属とは、半導体材料として
のウエハでは周期律表の第2、第3、第4、第5周期の
アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属などであ
り、具体的には、Li、Na、K、Be、Mg、Ca、
Sr、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、C
u、Zn、As、Seなどである。
Here, the harmful metals are, for a wafer as a semiconductor material, alkali metals, alkaline earth metals, transition metals, etc. of the 2nd, 3rd, 4th and 5th periods of the periodic table, and they are concrete. Include Li, Na, K, Be, Mg, Ca,
Sr, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, C
u, Zn, As, Se and the like.

【0013】この有害金属と結合可能なトラツプ剤とし
ては、エチレンジアミン四酢酸、ヘキサメチレンジアミ
ン四酢酸、ニトリロ三酢酸、ポリアミノカルボン酸、ク
エン酸、グリシン、ジメチルグリオキシム、オキシンな
ど、金属と錯体やイオン結合を形成する化合物が用いら
れる。これらのトラツプ剤は、接着シ─ト類の構成部材
の有する有害金属の種類や量などに応じて、適宜、単独
または混合物として、使用される。使用量は、トラツプ
剤や金属の種類、量により異なるが、通常は、接着剤層
の重量に対して、100ppm 〜100,000ppm 、好
適には500〜10,000ppm である。過少ではトラ
ツプ剤としての効果がなく、過多となるとレジスト除去
性が悪化するなどの問題がある。
Examples of the trapping agent capable of binding to the harmful metals include ethylenediaminetetraacetic acid, hexamethylenediaminetetraacetic acid, nitrilotriacetic acid, polyaminocarboxylic acid, citric acid, glycine, dimethylglyoxime and oxine, and complexes and ions. A compound that forms a bond is used. These trap agents are appropriately used alone or as a mixture depending on the kind and amount of harmful metals contained in the constituent members of the adhesive sheets. The amount used varies depending on the type and amount of trapping agent or metal, but is usually 100 ppm to 100,000 ppm, preferably 500 to 10,000 ppm, based on the weight of the adhesive layer. If the amount is too small, there is no effect as a trapping agent, and if the amount is too large, there is a problem that the resist removability deteriorates.

【0014】これらのトラツプ剤を含ませる接着剤は、
通常感圧接着性を有し、かつ物品上のレジスト材との親
和性が良好なものであれば、その種類はとくに問われな
い。好ましくは、光照射などにより硬化してレジスト材
と一体となる硬化型接着剤を用いるのがよく、中でも、
高分子重合体に光重合性化合物と光重合開始剤を含ませ
てなる光硬化型接着剤が好ましく用いられる。
Adhesives containing these trapping agents are
The type is not particularly limited as long as it has a pressure-sensitive adhesive property and has a good affinity with the resist material on the article. Preferably, it is preferable to use a curable adhesive that is cured by irradiation with light and is integrated with the resist material.
A photocurable adhesive obtained by adding a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator to a high molecular polymer is preferably used.

【0015】高分子重合体は、感圧性接着剤に適用され
る公知の各種重合体、たとえば、一般のアクリル系重合
体、ポリビニルアルコ―ル、ポリアクリル酸などの合成
高分子や、天然高分子として澱粉、カルボキシメチルセ
ルロ―スなどのセルロ―ス系重合体などをいずれも使用
可能である。通常は、重量平均分子量が6千〜100万
の重合体が好ましく用いられる。分子量が低すぎると、
接着剤層とレジスト材とを一体に剥離する際に、皮膜強
度が十分でないため、破断や凝集破壊を生じるおそれが
あり、レジスト材を十分に剥離することが難しい。ま
た、分子量が高すぎると、取り扱い上の問題を生じやす
い。
The high molecular polymer is various known polymers applied to pressure-sensitive adhesives, for example, general acrylic polymers, polyvinyl alcohol, polyacrylic acid and other synthetic polymers, and natural polymers. As such, any of starch, cellulose polymers such as carboxymethyl cellulose and the like can be used. Usually, a polymer having a weight average molecular weight of 6,000 to 1,000,000 is preferably used. If the molecular weight is too low,
When the adhesive layer and the resist material are peeled together, the film strength is not sufficient, so that breakage or cohesive failure may occur, and it is difficult to peel the resist material sufficiently. If the molecular weight is too high, handling problems are likely to occur.

【0016】このような高分子重合体の中でも、とくに
アクリル酸アルキルエステルおよび/またはメタクリル
酸アルキルエステルを主単量体としたアクリル系重合体
が好ましく用いられる。このアクリル系重合体は、アク
リル酸やメタクリル酸と炭素数が通常12以下のアルコ
―ル類とのエステルを主単量体とし、必要によりカルボ
キシル基ないし水酸基含有単量体やその他の改質用単量
体を加えて、これらの単量体を常法により溶液重合、乳
化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させるこ
とにより、得ることができる。
Among such high molecular weight polymers, an acrylic polymer having an acrylic acid alkyl ester and / or a methacrylic acid alkyl ester as a main monomer is preferably used. This acrylic polymer has an ester of acrylic acid or methacrylic acid and an alcohol having a carbon number of usually 12 or less as a main monomer, and if necessary, a carboxyl group- or hydroxyl group-containing monomer or other modifying agent. It can be obtained by adding a monomer and polymerizing these monomers by a method such as solution polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization or bulk polymerization according to a conventional method.

【0017】上記のカルボキシル基含有単量体として
は、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などが、水
酸基含有単量体としては、ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリレ─ト、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレ─ト
などが、それぞれ用いられる。また、その他の改質用単
量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、スチ
レン、(メタ)アクリロニトリル、アクリルアミド、グ
リシジルメタクリレ─トなどを挙げることができる。
Acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid and the like are used as the carboxyl group-containing monomer, and hydroxyethyl (meth) acrylate and hydroxypropyl (meth) acrylate are used as the hydroxyl group-containing monomer. Etc. are used respectively. Examples of other modifying monomers include vinyl acetate, vinyl propionate, styrene, (meth) acrylonitrile, acrylamide, glycidyl methacrylate and the like.

【0018】光重合性化合物は、光照射により硬化しう
る不飽和二重結合を1個以上有する不揮発性化合物であ
り、ここで、不揮発性とは、接着剤の製造工程、たとえ
ば塗布工程や乾燥工程などにおいて、この化合物が簡単
に揮散してしまうことがないことを意味している。この
光重合性化合物の使用量は、高分子重合体100重量部
あたり、通常200重量部以下とするのがよい。この使
用量が過多となると、保存時に接着剤が流れ出すため、
好ましくない。
The photopolymerizable compound is a non-volatile compound having at least one unsaturated double bond which can be cured by irradiation with light, and the term "non-volatile" as used herein means an adhesive manufacturing process, such as a coating process or a drying process. This means that the compound does not easily volatilize in the process and the like. The amount of the photopolymerizable compound used is usually 200 parts by weight or less per 100 parts by weight of the polymer. If this amount is used too much, the adhesive will flow out during storage,
Not preferred.

【0019】このような重合性化合物としては、たとえ
ば、フエノキシポリエチレングリコ―ル(メタ)アクリ
レ─ト、ε−カプロラクトン(メタ)アクリレ─ト、ポ
リエチレングリコ―ルジ(メタ)アクリレ─ト、ポリプ
ロピレングリコ―ルジ(メタ)アクリレ─ト、トリメチ
ロ─ルプロパントリ(メタ)アクリレ─ト、ジペンタエ
リスリト─ルヘキサ(メタ)アクリレ─ト、ウレタン
(メタ)アクリレ─ト、エポキシ(メタ)アクリレ─
ト、オリゴエステル(メタ)アクリレ─トなどが挙げら
れ、これらの中から、1種または2種以上が用いられ
る。
Examples of such a polymerizable compound include phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, ε-caprolactone (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate and polypropylene. Glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexahexa (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate
And oligoester (meth) acrylates, and of these, one kind or two or more kinds are used.

【0020】光重合開始剤は、紫外線などの光照射によ
りラジカルを発生するものであり、ベンゾイン、ベンゾ
インエチルエ―テル、ジベンジルなどの公知の光重合開
始剤をいずれも使用できる。これらの光重合開始剤は、
高分子重合体100重量部あたり、通常0.1〜10重
量部の範囲で使用される。
The photopolymerization initiator generates a radical upon irradiation with light such as ultraviolet rays, and any known photopolymerization initiator such as benzoin, benzoin ethyl ether and dibenzyl can be used. These photopolymerization initiators,
It is usually used in the range of 0.1 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the high molecular weight polymer.

【0021】これらの成分からなる光硬化型接着剤は、
弾性率が光硬化前で0.05〜1kg/mm2 、光硬化後で
1〜500kg/mm2 となるように、各成分の種類や量を
決めるのが望ましい。光硬化前つまり貼り付け時の弾性
率が小さすぎると保存時に接着剤が流れ出すおそれがあ
り、逆に大きすぎると貼り付け時にレジスト材との一体
化が不十分となつて、レジスト除去性に劣りやすい。ま
た、光硬化後の弾性率が小さすぎるとレジスト除去性に
劣り、大きすぎると接着剤層の切断が生じやすくなつ
て、レジスト除去性にやはり劣ることになる。
The photocurable adhesive composed of these components is
0.05~1kg / mm 2 elastic modulus before photocuring, so that the 1~500kg / mm 2 after photocuring, desirably determine the kind and amount of each component. If the elastic modulus before photo-curing, that is, when attached is too small, the adhesive may flow out during storage, while if it is too large, the integration with the resist material during attachment becomes insufficient, resulting in poor resist removability. Cheap. Further, if the elastic modulus after photocuring is too small, the resist removability is inferior, and if it is too large, the adhesive layer is liable to be cut and the resist removability is also inferior.

【0022】本発明のレジスト除去方法においては、ま
ず、レジスト膜画像が存在する半導体ウエハなどの物品
上に、上記構成の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合
わされたものではこれを剥がして、貼り付ける。これに
より、接着剤層とレジスト材とが一体化するが、この一
体化を促進するため、貼り付け時に加熱および/または
加圧してもよい。この一体化後、接着シ―ト類が硬化型
のものであるときはこれを硬化させたのち、とくに光硬
化型のものでは紫外線を300〜3,000mj/cm2
度の照射量で照射して光硬化させたのち、この接着シ―
ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物品上のレジス
ト材を除去する。
In the resist removing method of the present invention, first, the adhesive sheet having the above-mentioned structure is peeled off from the article such as a semiconductor wafer having a resist film image on it, when the separator is attached. And paste. As a result, the adhesive layer and the resist material are integrated, but in order to promote this integration, heating and / or pressure may be applied at the time of attachment. After this integration, if the adhesive sheets are of the curable type, they are cured, and especially for the photocurable type, the ultraviolet rays are irradiated at an irradiation dose of about 300 to 3,000 mj / cm 2. After light curing, this adhesive sheet
The resist material on the article is removed by peeling the mold and the resist material together.

【0023】これにより、物品上のレジスト膜画像は簡
単にかつ確実に除去される。また、このようにレジスト
材が除去された物品の表面には、接着シ―ト類に由来す
る有害金属がほとんど転写ないし転移しておらず、この
有害金属に起因した半導体ウエハの電気特性などへの悪
影響の心配はとくにない。
As a result, the resist film image on the article is easily and surely removed. In addition, on the surface of the article from which the resist material has been removed in this manner, almost no harmful metal derived from the adhesive sheet is transferred or transferred. There is no particular concern about the adverse effects of.

【0024】[0024]

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離除去の対象とした
レジスト膜画像Aは、つぎの参考例1の方法により半導
体ウエハ上に形成されたものである。
Next, an embodiment of the present invention will be described in more detail. The resist film image A, which was the object of peeling and removal in the examples, was formed on a semiconductor wafer by the method of Reference Example 1 below.

【0025】参考例1 5インチのシリコンウエハ(ベア―ウエハ)の表面にノ
ボラツクとナフトキノンジアジドからなるレジスト材を
塗布し、加熱、露光、現像を行い、レジスト膜画像を全
表面に形成した。これをレジスト膜画像Aとした。
Reference Example 1 A resist material consisting of novolak and naphthoquinone diazide was applied to the surface of a 5-inch silicon wafer (bare wafer), and heating, exposure and development were carried out to form a resist film image on the entire surface. This was designated as resist film image A.

【0026】実施例1 アクリル酸/アクリル酸メチル=80/20(重量比)
の共重合体(重量平均分子量33万)60g、エチレン
ジアミン四酢酸0.5g、ポリエチレングリコ―ルジア
クリレ―ト45g、光重合開始剤2gのメタノ―ル溶液
を、厚さが50μmのポリエステルフイルムからなるフ
イルム基材上に塗布し、乾燥オ─ブンにて70℃および
130℃で各々3分間乾燥して、厚さが50μmの接着
剤層を形成し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを
作製した。
Example 1 Acrylic acid / methyl acrylate = 80/20 (weight ratio)
60 g of a copolymer (weight average molecular weight of 330,000), 0.5 g of ethylenediaminetetraacetic acid, 45 g of polyethylene glycol diacrylate, and 2 g of a photopolymerization initiator were added to a methanol solution of a film made of a polyester film having a thickness of 50 μm. It is coated on a substrate and dried in a drying oven at 70 ° C and 130 ° C for 3 minutes each to form an adhesive layer with a thickness of 50 μm, and a photocurable resist removing adhesive sheet is formed. It was made.

【0027】この接着シ―トについて、フイルム基材と
接着剤層(ただし、エチレンジアミン四酢酸を除いた接
着剤成分)に含まれる有害金属(Ca,Fe,Sb)
を、誘導結合プラズマ発光分光分析装置(以下、ICP
発光分析という)により調べたところ、フイルム基材で
は、Ca:0.09ppm 、Fe:0.85ppm 、Sb:
3.0ppm 、接着剤層では、Ca:0.01ppm 、F
e:0.05ppm 、Sb:0.1ppm であつた。
Regarding this adhesive sheet, harmful metals (Ca, Fe, Sb) contained in the film substrate and the adhesive layer (however, the adhesive component excluding ethylenediaminetetraacetic acid)
An inductively coupled plasma optical emission spectrometer (hereinafter referred to as ICP
The film substrate was found to have Ca: 0.09 ppm, Fe: 0.85 ppm, Sb:
3.0 ppm, in the adhesive layer, Ca: 0.01 ppm, F
e: 0.05 ppm, Sb: 0.1 ppm.

【0028】つぎに、半導体ウエハ上のレジスト膜画像
Aに、上記の接着シ―トを加熱下、圧着ロ─ルにより貼
り付けたのち、高圧水銀ランプにより、紫外線を2J/
cm2の照射量で照射し、接着シ―トを硬化させた。その
後、この接着シ―トと上記画像Aとを一体に剥離して、
ウエハ上から上記画像Aを除去した。
Next, the above-mentioned adhesive sheet was attached to the resist film image A on the semiconductor wafer with a pressure roll under heating, and then 2 J / ul of ultraviolet light was applied by a high pressure mercury lamp.
Irradiation was carried out at a dose of cm 2 to cure the adhesive sheet. After that, peel off the adhesive sheet and the image A,
The image A was removed from the wafer.

【0029】実施例2 実施例1で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、シリコン処理を施した厚さ38μmのポリエス
テルフイルムからなるセパレ―タの上記シリコン処理面
を貼り合わせて、セパレ―タ付きの接着シ―トとした。
Example 2 The above-mentioned silicon-treated surface of a separator made of a silicon-treated polyester film having a thickness of 38 μm was bonded to the adhesive layer surface of the resist-removing adhesive sheet prepared in Example 1. , Adhesive sheet with separator.

【0030】なお、セパレ―タに含まれる有害金属は、
ICP発光分析により、Ca:0.35ppm 、Fe:
1.11ppm 、Sb:5.5ppm であつた。つぎに、こ
の接着シ―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時
にセパレ―タを剥がした以外は、実施例1と同様にし
て、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
The harmful metals contained in the separator are
By ICP emission analysis, Ca: 0.35 ppm, Fe:
The values were 1.11 ppm and Sb: 5.5 ppm. Next, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled off in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0031】実施例3 アクリル酸ブチル/アクリル酸エチル/アクリル酸=8
0/15/5(重量比)の共重合体(重量平均分子量5
6万)60g、ヘキサメチレンジアミン四酢酸0.3
g、ポリエチレングリコ―ルジメタクリレ―ト45g、
光重合開始剤2gの酢酸エチル溶液を使用し、実施例1
と同一のフイルム基材上に実施例1と同様にして、厚さ
が50μmの接着剤層を形成し、光硬化型のレジスト除
去用接着シ―トを作製した。
Example 3 Butyl acrylate / Ethyl acrylate / Acrylic acid = 8
0/15/5 (weight ratio) copolymer (weight average molecular weight 5
60,000) 60 g, hexamethylenediaminetetraacetic acid 0.3
g, polyethylene glycol dimethacrylate 45 g,
Example 1 using a solution of 2 g of a photopolymerization initiator in ethyl acetate was used.
An adhesive layer having a thickness of 50 μm was formed on the same film substrate as in Example 1 to prepare a photocurable resist removing adhesive sheet.

【0032】なお、上記の接着剤層(ただし、ヘキサメ
チレンジアミン四酢酸を除いた接着剤成分)に含まれる
有害金属は、ICP発光分析により、Ca:0.01pp
m 、Fe:0.05ppm 、Sb:0.1ppm であつた。
つぎに、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様にし
て、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
The harmful metal contained in the above-mentioned adhesive layer (however, the adhesive component excluding hexamethylenediaminetetraacetic acid) was Ca: 0.01 pp by ICP emission analysis.
m, Fe: 0.05 ppm, Sb: 0.1 ppm.
Next, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1.

【0033】実施例4 実施例3で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、
セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ
―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ
―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジス
ト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Example 4 The same separator as in Example 2 was attached to the adhesive layer surface of the adhesive sheet for resist removal prepared in Example 3,
An adhesive sheet with a separator was used. Further, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0034】実施例5 ポリアクリル酸(重量平均分子量66万)60g、クエ
ン酸0.5g、エチレンオキシド変性オリゴエステルト
リアクリレ―ト50g、光重合開始剤2gのメタノ―ル
溶液を使用し、実施例1と同一のフイルム基材上に実施
例1と同様にして、厚さが50μmの接着剤層を形成
し、光硬化型のレジスト除去用接着シ―トを作製した。
Example 5 Using a methanol solution of 60 g of polyacrylic acid (weight average molecular weight of 660,000), 0.5 g of citric acid, 50 g of ethylene oxide-modified oligoester triacrylate, and 2 g of a photopolymerization initiator, An adhesive layer having a thickness of 50 μm was formed on the same film substrate as in Example 1 in the same manner as in Example 1 to prepare a photocurable resist removing adhesive sheet.

【0035】なお、上記の接着剤層(ただし、クエン酸
を除いた接着剤成分)に含まれる有害金属は、ICP発
光分析により、Ca:95.0ppm 、Fe:0.90pp
m 、Sb:0.1ppm であつた。つぎに、この接着シ―
トを用いて、実施例1と同様にして、レジスト膜画像A
の剥離除去を行つた。
The harmful metals contained in the above-mentioned adhesive layer (however, the adhesive component excluding citric acid) were Ca: 95.0 ppm, Fe: 0.90 pp by ICP emission analysis.
m, Sb: 0.1 ppm. Next, this adhesive sheet
Resist film image A in the same manner as in Example 1
Was removed.

【0036】実施例6 実施例5で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、
セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ
―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ
―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジス
ト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Example 6 The same separator as in Example 2 was attached to the adhesive layer surface of the resist removing adhesive sheet prepared in Example 5,
An adhesive sheet with a separator was used. Further, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0037】比較例1 トラツプ剤(エチレンジアミン四酢酸)の使用を省いた
以外は、実施例1と同様にして、レジスト除去用接着シ
―トを作製した。また、この接着シ―トを用いて、実施
例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つ
た。
Comparative Example 1 An adhesive sheet for resist removal was prepared in the same manner as in Example 1 except that the trap agent (ethylenediaminetetraacetic acid) was omitted. Using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1.

【0038】比較例2 比較例1で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、
セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ
―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ
―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジス
ト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Comparative Example 2 The same separator as in Example 2 was attached to the adhesive layer surface of the adhesive sheet for resist removal prepared in Comparative Example 1,
An adhesive sheet with a separator was used. Further, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0039】比較例3 トラツプ剤(ヘキサメチレンジアミン四酢酸)の使用を
省いた以外は、実施例3と同様にして、レジスト除去用
接着シ―トを作製した。また、この接着シ―トを用い
て、実施例1と同様にして、レジスト膜画像Aの剥離除
去を行つた。
Comparative Example 3 An adhesive sheet for resist removal was prepared in the same manner as in Example 3 except that the trap agent (hexamethylenediaminetetraacetic acid) was omitted. Using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1.

【0040】比較例4 比較例3で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、
セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ
―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ
―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジス
ト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Comparative Example 4 The same separator as in Example 2 was attached to the adhesive layer surface of the adhesive sheet for resist removal prepared in Comparative Example 3,
An adhesive sheet with a separator was used. Further, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0041】比較例5 トラツプ剤(クエン酸)の使用を省いた以外は、実施例
5と同様にして、レジスト除去用接着シ―トを作製し
た。また、この接着シ―トを用いて、実施例1と同様に
して、レジスト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Comparative Example 5 An adhesive sheet for resist removal was prepared in the same manner as in Example 5 except that the trap agent (citric acid) was omitted. Using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1.

【0042】比較例6 比較例5で作製したレジスト除去用接着シ―トの接着剤
層面に、実施例2と同一のセパレ―タを貼り合わせて、
セパレ―タ付きの接着シ―トとした。また、この接着シ
―トを用い、レジスト膜画像Aへの貼り付け時にセパレ
―タを剥がした以外は、実施例1と同様にして、レジス
ト膜画像Aの剥離除去を行つた。
Comparative Example 6 The same separator as in Example 2 was attached to the adhesive layer surface of the adhesive sheet for resist removal prepared in Comparative Example 5,
An adhesive sheet with a separator was used. Further, using this adhesive sheet, the resist film image A was peeled and removed in the same manner as in Example 1 except that the separator was peeled off at the time of sticking to the resist film image A.

【0043】上記の実施例1〜6および比較例1〜6に
よるレジスト膜画像Aの剥離除去の結果について、その
レジスト除去性を下記の基準で評価した。 ◎:レジストが全く認められない。 ○:レジストが痕跡量認められる。 △:レジストが部分的にしか除去されない。 ×:レジストが全く除去されない。
With respect to the results of peeling and removing the resist film image A according to the above Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 6, the resist removability was evaluated according to the following criteria. A: No resist is recognized. A: Trace amount of resist is recognized. Δ: The resist is only partially removed. X: The resist is not removed at all.

【0044】このレジスト除去性の結果を、各例で用い
たレジスト除去用接着シ―トから転写ないし転移により
シリコンウエハ上に付着した有害金属(Ca,Fe,S
b)の量とともに、下記の表1に示した。なお、上記の
有害金属の測定は、接着シ―ト由来の有害金属の量を調
べる見地から、レジスト膜画像Aを形成しないベア―ウ
エハに対し上記接着シ―トを貼り付け、室温(20℃)
で剥がしたのち、ウエハ表面の金属元素を全反射蛍光X
線分析(テクノス社製のTREX−610T)により、
表面を5点測定し、その平均値にて表したものである。
The result of the resist removability is transferred from the adhesive sheet for resist removal used in each example to a harmful metal (Ca, Fe, S) deposited on the silicon wafer by transfer or transfer.
It is shown in Table 1 below together with the amount of b). In addition, the above-mentioned measurement of the harmful metal is carried out at room temperature (20 ° C.) by sticking the above-mentioned adhesive sheet on a bare wafer on which the resist film image A is not formed, from the viewpoint of examining the amount of the harmful metal derived from the adhesive sheet. )
After peeling off the metal element on the wafer surface with total reflection fluorescence X
By line analysis (TREX-610T manufactured by Technos),
The surface is measured at 5 points and the average value is shown.

【0045】 [0045]

【0046】上記の表1の結果から明らかなように、本
発明の実施例1〜6の接着シ―トを用いたときには、レ
ジスト膜画像Aの除去性に好結果が得られ、しかもウエ
ハ表面への有害金属の付着が大きく抑制されていること
がわかる。
As is clear from the results shown in Table 1 above, when the adhesive sheets of Examples 1 to 6 of the present invention were used, good results were obtained in the removability of the resist film image A and the wafer surface was obtained. It can be seen that the adhesion of harmful metals to the is greatly suppressed.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上のように、本発明は、レジスト除去
用接着シ―ト類として、接着剤層中に有害金属と結合可
能なトラツプ剤を含ませたものを用いたことにより、半
導体ウエハなどの物品上の不要となつたレジスト膜画像
を簡単に除去できるとともに、半導体ウエハなどへの有
害金属の付着を大きく抑制でき、この金属に起因した電
気特性などへの悪影響を防ぐことができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, as the adhesive sheet for removing resist, the one in which the trapping agent capable of binding the harmful metal in the adhesive layer is used is used to obtain the semiconductor wafer. It is possible to easily remove the unnecessary resist film image on the article, etc., and it is possible to greatly suppress the adhesion of harmful metals to the semiconductor wafer and the like, and to prevent adverse effects on the electrical characteristics and the like due to the metals.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近田 縁 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号 日東 電工株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Ryo Chikada 1-2-1, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フイルム基材とこの上に設けられた接着
剤層(あるいはこれらとさらに接着剤層面に貼り合わさ
れたセパレ―タ)とにより接着シ─ト類を構成し、これ
ら構成部材の有する有害金属と結合可能なトラツプ剤を
接着剤層中に含ませたことを特徴とするレジスト除去用
接着シ―ト類。
1. An adhesive sheet comprising a film substrate and an adhesive layer (or a separator attached to the adhesive layer surface) provided on the film substrate. An adhesive sheet for resist removal, characterized in that a trapping agent capable of binding a harmful metal is contained in the adhesive layer.
【請求項2】 レジスト膜画像が存在する物品上に、請
求項1に記載の接着シ―ト類を、セパレ―タが貼り合わ
されたものではこれを剥がして、貼り付け、この接着シ
―ト類が硬化型であるときはこれを硬化させたのちに、
この接着シ―ト類とレジスト材とを一体に剥離して、物
品上のレジスト材を除去することを特徴とするレジスト
除去方法。
2. The adhesive sheet according to claim 1 is peeled off and attached to an article having a resist film image when the separator is attached, and the adhesive sheet is attached. If the kind is a hardening type, after hardening it,
A resist removing method, characterized in that the adhesive sheet and the resist material are integrally peeled off to remove the resist material on the article.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071216A (en) * 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Corp Semiconductor device and adhesive sheet
US8294282B2 (en) 2009-09-24 2012-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and adhesive sheet
CN110462879A (en) * 2017-03-31 2019-11-15 远景Aesc能源元器件有限公司 The joint method of separator, the manufacturing method of electrochemical device and electrochemical device

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