JPH09304795A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH09304795A JPH09304795A JP9059304A JP5930497A JPH09304795A JP H09304795 A JPH09304795 A JP H09304795A JP 9059304 A JP9059304 A JP 9059304A JP 5930497 A JP5930497 A JP 5930497A JP H09304795 A JPH09304795 A JP H09304795A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 連続的に階調表示できることを特徴とするア
クティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 絶縁膜、配向膜からなる絶縁層が形成さ
れた２枚のガラス基板のうち、第１のガラス基板に画素
電極と画素電極に接続されたアクティブ素子がマトリッ
クス状に配置されており、第２のガラス基板に前記画素
電極に対向する共通電極が設置され、ガラス基板の間隙
を１〜３μｍとし、この間隙に層構造を持つ液晶が挟持
され、この液晶は前記画素電極と共通電極に電圧を印加
した際、電場の作用により、２つのフェリ誘電相の共存
状態と２つの強誘電状態およびその中間状態で変化する
ことができるフェリ誘電性液晶或いはフェリ誘電性液晶
組成物。
クティブマトリックス液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 絶縁膜、配向膜からなる絶縁層が形成さ
れた２枚のガラス基板のうち、第１のガラス基板に画素
電極と画素電極に接続されたアクティブ素子がマトリッ
クス状に配置されており、第２のガラス基板に前記画素
電極に対向する共通電極が設置され、ガラス基板の間隙
を１〜３μｍとし、この間隙に層構造を持つ液晶が挟持
され、この液晶は前記画素電極と共通電極に電圧を印加
した際、電場の作用により、２つのフェリ誘電相の共存
状態と２つの強誘電状態およびその中間状態で変化する
ことができるフェリ誘電性液晶或いはフェリ誘電性液晶
組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェリ誘電性液晶また
はフェリ誘電性液晶組成物を画素電極に接続された薄膜
トランジスタあるいはダイオード等のアクティブ素子を
使用して、各画素毎に駆動するアクティブマトリクス型
の液晶表示素子に関する。
はフェリ誘電性液晶組成物を画素電極に接続された薄膜
トランジスタあるいはダイオード等のアクティブ素子を
使用して、各画素毎に駆動するアクティブマトリクス型
の液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子(LCD) は、従来のブラウン
管ディスプレイに代わるフラットパネルディスプレイと
して、既にポータブル機器を中心に普及しつつある。最
近のパーソナルコンピュータやワードプロセッサの機能
拡大、および処理情報の大量化にともない、LCD にもよ
り高い機能、即ち大表示容量化、フルカラー表示、広視
野角、高速応答、高コントラスト化等が要求されてい
る。この様な要求に応える液晶表示方式（液晶駆動方
式）として、画面の各画素毎に薄膜トランジスタ(TFT)
あるいはダイオード(MIM) を形成し、各画素毎に独立し
て液晶を駆動する方式であるアクディブマトリクス(AM)
表示素子が提案実施されている。この表示方式は、製造
歩留まりが低いため低コスト化が困難である、大画面化
が困難である等の問題はあるものの表示品位の高さによ
り従来主流であったＳＴＮ表示方式を凌駕し、ＣＲＴに
迫る勢いとなっている。
管ディスプレイに代わるフラットパネルディスプレイと
して、既にポータブル機器を中心に普及しつつある。最
近のパーソナルコンピュータやワードプロセッサの機能
拡大、および処理情報の大量化にともない、LCD にもよ
り高い機能、即ち大表示容量化、フルカラー表示、広視
野角、高速応答、高コントラスト化等が要求されてい
る。この様な要求に応える液晶表示方式（液晶駆動方
式）として、画面の各画素毎に薄膜トランジスタ(TFT)
あるいはダイオード(MIM) を形成し、各画素毎に独立し
て液晶を駆動する方式であるアクディブマトリクス(AM)
表示素子が提案実施されている。この表示方式は、製造
歩留まりが低いため低コスト化が困難である、大画面化
が困難である等の問題はあるものの表示品位の高さによ
り従来主流であったＳＴＮ表示方式を凌駕し、ＣＲＴに
迫る勢いとなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
なＡＭ表示素子において、液晶材料としてＴＮ（ツイス
テッドネマチック）液晶を用いているため、次のような
問題が生じている。 (1) ＴＮ液晶はネマチック液晶であり、応答速度が一般
的に遅く（数十ｍｓ）、動画表示を行うとき良好な画質
が得られない。 (2) 液晶分子のねじれ状態（ツイスト配向）を利用して
表示するため、視野角が狭い。特に階調表示を行うと、
視野角が急激に狭くなる。すなわち、ディスプレイを見
る角度によって、コントラスト比、色などが変わってし
まう。
なＡＭ表示素子において、液晶材料としてＴＮ（ツイス
テッドネマチック）液晶を用いているため、次のような
問題が生じている。 (1) ＴＮ液晶はネマチック液晶であり、応答速度が一般
的に遅く（数十ｍｓ）、動画表示を行うとき良好な画質
が得られない。 (2) 液晶分子のねじれ状態（ツイスト配向）を利用して
表示するため、視野角が狭い。特に階調表示を行うと、
視野角が急激に狭くなる。すなわち、ディスプレイを見
る角度によって、コントラスト比、色などが変わってし
まう。
【０００４】これらの問題を解決するため、ＴＮ液晶に
代えて、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を採用したＡＭ
パネルの提案も近年行われているが（特開平5-249502、
同5-150257、同6-95080 等）、次のような問題点があり
実用化には至っていない。 (1) 強誘電性液晶は自発分極を有しているが、自発分極
が常に存在するため画面の焼き付きが起こりやすく駆動
が困難となる。また、一般的な表示モードである表面安
定化型強誘電性液晶素子の場合は、原理的には黒、白の
２値表示しかできないため、階調表示はきわめて困難で
ある。階調表示を行うとするときには特別な工夫が必要
であり（例えば単安定を使用した強誘電性液晶素子；Ke
iichi NITO et.al.,SID'94、Preprint, p48 ）、極めて
高度な技術開発が必要とされる。 (2) 反強誘電性液晶は、永久自発分極が存在しないため
上記（１）で述べられている焼き付の問題は回避されて
いる。しかしながら反強誘電性液晶は一般にしきい値電
圧が大きく、低電圧駆動は困難である。また、光学応答
に履歴（ヒステリシス）があるため階調表示が困難であ
るなどの問題を有している。
代えて、強誘電性液晶や反強誘電性液晶を採用したＡＭ
パネルの提案も近年行われているが（特開平5-249502、
同5-150257、同6-95080 等）、次のような問題点があり
実用化には至っていない。 (1) 強誘電性液晶は自発分極を有しているが、自発分極
が常に存在するため画面の焼き付きが起こりやすく駆動
が困難となる。また、一般的な表示モードである表面安
定化型強誘電性液晶素子の場合は、原理的には黒、白の
２値表示しかできないため、階調表示はきわめて困難で
ある。階調表示を行うとするときには特別な工夫が必要
であり（例えば単安定を使用した強誘電性液晶素子；Ke
iichi NITO et.al.,SID'94、Preprint, p48 ）、極めて
高度な技術開発が必要とされる。 (2) 反強誘電性液晶は、永久自発分極が存在しないため
上記（１）で述べられている焼き付の問題は回避されて
いる。しかしながら反強誘電性液晶は一般にしきい値電
圧が大きく、低電圧駆動は困難である。また、光学応答
に履歴（ヒステリシス）があるため階調表示が困難であ
るなどの問題を有している。
【０００５】本発明の目的は、以上のような問題点を改
善し、より高画質のアクティブマトリックス液晶素子を
実現する事にあるが、フェリ誘電性液晶を各画素毎に薄
膜トランジスタあるいはダイオード等の非線形能動素子
を設置した基板間に狭持することによって目的を達成す
るものである。
善し、より高画質のアクティブマトリックス液晶素子を
実現する事にあるが、フェリ誘電性液晶を各画素毎に薄
膜トランジスタあるいはダイオード等の非線形能動素子
を設置した基板間に狭持することによって目的を達成す
るものである。
【０００６】フェリ誘電相（SCγ* 相）は、1989年、4-
(4−オクチルオキシフェニル）安息香酸-4-(1-メチルヘ
プチロキシカルボニル）フェニル（略称 MHPOBC)におい
て初めて発見された(Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol.29, No.1, 1990,pp.L131-137)。MHPOBCの構
造式ならびに相系列を次に示した。 構造式 : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 但し、アルキル基は直鎖、-Ph-は1,4-フェニレン基、C*
は不斉炭素を表す。 相系列 : Cr(30)SIA*(65)SCA*(118)SCγ*(119)SC*(12
1)SCα*(122)SA(147)I 但し、Crは結晶相、SIA*は反強誘電性のスメクチックＩ
相、SCA*はカイラルスメクチックＣＡ相（反強誘電
相）、SCγ* はカイラルスメクチックＣγ相（フェリ誘
電相）、SC* はカイラルスメクチックＣ相（強誘電
相）、SCα* はカイラルスメクチックＣα相、SAはスメ
クチックＡ相、()内は相転移温度（℃）を示す。
(4−オクチルオキシフェニル）安息香酸-4-(1-メチルヘ
プチロキシカルボニル）フェニル（略称 MHPOBC)におい
て初めて発見された(Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol.29, No.1, 1990,pp.L131-137)。MHPOBCの構
造式ならびに相系列を次に示した。 構造式 : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 但し、アルキル基は直鎖、-Ph-は1,4-フェニレン基、C*
は不斉炭素を表す。 相系列 : Cr(30)SIA*(65)SCA*(118)SCγ*(119)SC*(12
1)SCα*(122)SA(147)I 但し、Crは結晶相、SIA*は反強誘電性のスメクチックＩ
相、SCA*はカイラルスメクチックＣＡ相（反強誘電
相）、SCγ* はカイラルスメクチックＣγ相（フェリ誘
電相）、SC* はカイラルスメクチックＣ相（強誘電
相）、SCα* はカイラルスメクチックＣα相、SAはスメ
クチックＡ相、()内は相転移温度（℃）を示す。
【０００７】コノスコープ像の観察は、フェリ誘電相の
確認に極めて有力な手段である。該MHPOBC について、
強誘電相(SC*) 、フェリ誘電相 (SCγ*)、反強誘電相(S
CA*)のコノスコープ像 (写真) を図示したものを図２に
示した。なお、図２には、後記の実施例１に用いた液晶
A のコノスコープ像も同様に示した。コノスコープ像の
観察は、文献(Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.31, No. 6B, 1992, pp.L793-796)にしたがって行っ
た。図１にコノスコープ像の観察に用いたセルの構造を
示した。
確認に極めて有力な手段である。該MHPOBC について、
強誘電相(SC*) 、フェリ誘電相 (SCγ*)、反強誘電相(S
CA*)のコノスコープ像 (写真) を図示したものを図２に
示した。なお、図２には、後記の実施例１に用いた液晶
A のコノスコープ像も同様に示した。コノスコープ像の
観察は、文献(Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.31, No. 6B, 1992, pp.L793-796)にしたがって行っ
た。図１にコノスコープ像の観察に用いたセルの構造を
示した。
【０００８】図２のA-1 は 120℃で印加電圧 0 (リファ
ランス) 、A-2 は印加電圧 80Vで観察した強誘電相のコ
ノスコープ像である。図２のB-2 は 118.5℃で印加電圧
50Vで観察したフェリ誘電相のコノスコープ像である。
図２のC-2 は 117℃で印加電圧500Vで観察した反強誘電
相のコノスコープ像である。図２のD-2 は実施例１の液
晶A を69℃で印加電圧 2V で観察したコノスコープ像で
ある。上記において、電界の方向は図の上向きである。
ランス) 、A-2 は印加電圧 80Vで観察した強誘電相のコ
ノスコープ像である。図２のB-2 は 118.5℃で印加電圧
50Vで観察したフェリ誘電相のコノスコープ像である。
図２のC-2 は 117℃で印加電圧500Vで観察した反強誘電
相のコノスコープ像である。図２のD-2 は実施例１の液
晶A を69℃で印加電圧 2V で観察したコノスコープ像で
ある。上記において、電界の方向は図の上向きである。
【０００９】図２において、B-2, C-2およびD-2 の測定
においても、各温度において電界無印加時のコノスコー
プ像、その後、電界印加時のコノスコープ像をとった。
電界無印加時の場合、いずれも、分子の長軸が層法線か
ら傾いており、かつ、螺旋構造を取っているので、光軸
が層法線に平行な１軸性物質となり、１軸性のコノスコ
ープ像(A-1) と実質的に同一のものが観察された。
においても、各温度において電界無印加時のコノスコー
プ像、その後、電界印加時のコノスコープ像をとった。
電界無印加時の場合、いずれも、分子の長軸が層法線か
ら傾いており、かつ、螺旋構造を取っているので、光軸
が層法線に平行な１軸性物質となり、１軸性のコノスコ
ープ像(A-1) と実質的に同一のものが観察された。
【００１０】これに対して、適度な電界を印加した状態
が、図２の A-2, B-2, C-2およびD-2 であり、各相独特
のコノスコープ像が観察される。図２の A-2は、光軸が
電界と垂直な方向に２本あり、かつ同方向に像の中心が
シフトしている。図２の B-2は、光軸が電界と平行な方
向に２本あり、像の中心は A-2と同じように電界と垂直
な方向にシフトしている。図２の C-2は、 A-2と同じよ
うに光軸が電界と垂直な方向に２本あるが、像の中心は
シフトしていない。図２の D-2は、光軸が電界と平行な
方向に２本あり、像の中心は電界と垂直な方向にシフト
している。このコノスコープ像の特徴は、B-2 のフェリ
誘電相のコノスコープ相と同一であり、フェリ誘電相と
認定される。
が、図２の A-2, B-2, C-2およびD-2 であり、各相独特
のコノスコープ像が観察される。図２の A-2は、光軸が
電界と垂直な方向に２本あり、かつ同方向に像の中心が
シフトしている。図２の B-2は、光軸が電界と平行な方
向に２本あり、像の中心は A-2と同じように電界と垂直
な方向にシフトしている。図２の C-2は、 A-2と同じよ
うに光軸が電界と垂直な方向に２本あるが、像の中心は
シフトしていない。図２の D-2は、光軸が電界と平行な
方向に２本あり、像の中心は電界と垂直な方向にシフト
している。このコノスコープ像の特徴は、B-2 のフェリ
誘電相のコノスコープ相と同一であり、フェリ誘電相と
認定される。
【００１１】次に、液晶セルに封入した状態におけるフ
ェリ誘電相の印加電圧に対する挙動を説明するために、
図３にフェリ誘電相における分子配列状態を、図４にフ
ェリ誘電相の三角波に対する光学応答を示した。フェリ
誘電相では、図３の FI(+)あるいは FI(-)の分子配列を
している。電場のない状態 (印加電圧 0) では、 FI(+)
と FI(-)は等価であるので、共存していると考えられ
る。従って、平均的な光軸は層法線方向となり、図３に
示した偏光板の条件下では暗状態となる。この状態は図
２において電圧０で透過光強度が０のところに相当す
る。また、 FI(+)およびFI(-) は、分子配列状態から明
らかなようにそれぞれ自発分極を有するが、これらの共
存状態では自発分極を打ち消し合うため、平均的な自発
分極は零となる。このことから、フェリ誘電相において
は、反強誘電相と同様に強誘電相に見られる焼き付き現
象から逃れられる。
ェリ誘電相の印加電圧に対する挙動を説明するために、
図３にフェリ誘電相における分子配列状態を、図４にフ
ェリ誘電相の三角波に対する光学応答を示した。フェリ
誘電相では、図３の FI(+)あるいは FI(-)の分子配列を
している。電場のない状態 (印加電圧 0) では、 FI(+)
と FI(-)は等価であるので、共存していると考えられ
る。従って、平均的な光軸は層法線方向となり、図３に
示した偏光板の条件下では暗状態となる。この状態は図
２において電圧０で透過光強度が０のところに相当す
る。また、 FI(+)およびFI(-) は、分子配列状態から明
らかなようにそれぞれ自発分極を有するが、これらの共
存状態では自発分極を打ち消し合うため、平均的な自発
分極は零となる。このことから、フェリ誘電相において
は、反強誘電相と同様に強誘電相に見られる焼き付き現
象から逃れられる。
【００１２】フェリ誘電相に電圧を印加していくとある
電圧で、層法線方向と強誘電状態の光軸方向の間に消光
位を持つ領域（ドメイン）が一つ現れる。このことは、
この領域が強誘電状態ほどではないが層法線方向より傾
いた方向に光軸を有していることを示している。この中
間的な状態が FI(+)またはFI(-) と考えられる。尚、こ
の場合、図４において電圧 0〜4 Ｖの間では、透過光強
度の変化は連続的ではなく階段状の透過光強度変化が観
測されるはずである。ところが、図４のように連続的な
透過光強度の変化が観測される。これは、 FI(±) から
FO(±)へ変化するときのしきい値が急峻でないこと、
すなわち、しきい値を示さないことによると考えられ
る。
電圧で、層法線方向と強誘電状態の光軸方向の間に消光
位を持つ領域（ドメイン）が一つ現れる。このことは、
この領域が強誘電状態ほどではないが層法線方向より傾
いた方向に光軸を有していることを示している。この中
間的な状態が FI(+)またはFI(-) と考えられる。尚、こ
の場合、図４において電圧 0〜4 Ｖの間では、透過光強
度の変化は連続的ではなく階段状の透過光強度変化が観
測されるはずである。ところが、図４のように連続的な
透過光強度の変化が観測される。これは、 FI(±) から
FO(±)へ変化するときのしきい値が急峻でないこと、
すなわち、しきい値を示さないことによると考えられ
る。
【００１３】さらに、フェリ誘電相に電場を印加する
と、電場の向きに応じ安定な状態である強誘電相 FO(+)
またはFO(-) に相転移する。すなわち、図４において透
過光強度が飽和状態（左右の平坦部）となったものが F
O(+)またはFO(-) である。図３に示した偏光板の条件下
では、両強誘電状態は明状態となる。以上のように、フ
ェリ誘電相では、 FI(+)と FI(-)の共存状態を暗、強誘
電状態 FO(+)およびFO(-) を明として使用できる。従来
の強誘電相は FO(+)とFO(-) との間のスイッチングであ
ったのに対し、フェリ誘電相では FO(+), FI(+), FI(-)
および FO(-)の４状態間でスイッチングをするという大
きな特徴を有している。
と、電場の向きに応じ安定な状態である強誘電相 FO(+)
またはFO(-) に相転移する。すなわち、図４において透
過光強度が飽和状態（左右の平坦部）となったものが F
O(+)またはFO(-) である。図３に示した偏光板の条件下
では、両強誘電状態は明状態となる。以上のように、フ
ェリ誘電相では、 FI(+)と FI(-)の共存状態を暗、強誘
電状態 FO(+)およびFO(-) を明として使用できる。従来
の強誘電相は FO(+)とFO(-) との間のスイッチングであ
ったのに対し、フェリ誘電相では FO(+), FI(+), FI(-)
および FO(-)の４状態間でスイッチングをするという大
きな特徴を有している。
【００１４】これらの液晶相による表示原理はいずれも
液晶の複屈折性を利用したものであるが、視角依存性の
小さな表示素子の作製が可能である。フェリ誘電相では
図４に示されているように、一般的にフェリ誘電状態か
ら強誘電状態へ変化する電圧と、強誘電状態からフェリ
誘電状態へ変化する電圧の差が小さい即ちヒステリシス
の幅が狭い傾向が強くＡＭ駆動及びＡＭ駆動における階
調表示に適した性質を持っている。また、フェリ誘電相
では、電圧による変化において、フェリ誘電状態から強
誘電状態へ変化する電圧 (以下「スイッチング電圧」と
記す) は、反強誘電性液晶に比べて小さい傾向を有し、
この点からもフェリ誘電相はＡＭ駆動に適しているとい
える。
液晶の複屈折性を利用したものであるが、視角依存性の
小さな表示素子の作製が可能である。フェリ誘電相では
図４に示されているように、一般的にフェリ誘電状態か
ら強誘電状態へ変化する電圧と、強誘電状態からフェリ
誘電状態へ変化する電圧の差が小さい即ちヒステリシス
の幅が狭い傾向が強くＡＭ駆動及びＡＭ駆動における階
調表示に適した性質を持っている。また、フェリ誘電相
では、電圧による変化において、フェリ誘電状態から強
誘電状態へ変化する電圧 (以下「スイッチング電圧」と
記す) は、反強誘電性液晶に比べて小さい傾向を有し、
この点からもフェリ誘電相はＡＭ駆動に適しているとい
える。
【００１５】しかしながら、ヒステリシスが小さく、十
分に小さいスイッチング電圧とコントラストに大きな影
響をもたらす印加電圧０における良好な暗状態などを得
るためには、フェリ誘電相の本質的に有する特性のみで
は十分ではなく、ＡＭ駆動用の液晶セルの最適化が必要
である。本発明はフェリ誘電相をＡＭ駆動する為の、好
適なＡＭ駆動素子の形成に関するものである。
分に小さいスイッチング電圧とコントラストに大きな影
響をもたらす印加電圧０における良好な暗状態などを得
るためには、フェリ誘電相の本質的に有する特性のみで
は十分ではなく、ＡＭ駆動用の液晶セルの最適化が必要
である。本発明はフェリ誘電相をＡＭ駆動する為の、好
適なＡＭ駆動素子の形成に関するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁膜、配向
膜からなる絶縁層が形成された２枚のガラス基板のう
ち、第１のガラス基板に画素電極と画素電極に接続され
たアクティブ素子がマトリックス状に配置されており、
第２のガラス基板に前記画素電極に対向する共通電極が
設置され、該第１のガラス基板と第２のガラス基板の間
隙を１〜３μｍとし、この間隙に層構造を持つ液晶が挟
持され、この液晶は前記画素電極と共通電極に電圧を印
加した際、電場の作用により、２つのフェリ誘電相の共
存状態と２つの強誘電状態およびその中間状態で変化す
ることができるフェリ誘電性液晶或いはフェリ誘電性液
晶組成物であり、該第１のガラス基板と第２のガラス基
板に、直交する偏光膜が前記２つの強誘電状態が明とな
るごとく配置され、前記画素電極と共通電極との間に印
加する電圧を制御することによって、フェリ誘電状態か
ら強誘電状態への変化の際と、強誘電状態からフェリ誘
電状態への変化の際との履歴が小さく、しきい値がなく
電圧によって連続的に階調表示できることを特徴とする
アクティブマトリックス液晶表示素子である。
膜からなる絶縁層が形成された２枚のガラス基板のう
ち、第１のガラス基板に画素電極と画素電極に接続され
たアクティブ素子がマトリックス状に配置されており、
第２のガラス基板に前記画素電極に対向する共通電極が
設置され、該第１のガラス基板と第２のガラス基板の間
隙を１〜３μｍとし、この間隙に層構造を持つ液晶が挟
持され、この液晶は前記画素電極と共通電極に電圧を印
加した際、電場の作用により、２つのフェリ誘電相の共
存状態と２つの強誘電状態およびその中間状態で変化す
ることができるフェリ誘電性液晶或いはフェリ誘電性液
晶組成物であり、該第１のガラス基板と第２のガラス基
板に、直交する偏光膜が前記２つの強誘電状態が明とな
るごとく配置され、前記画素電極と共通電極との間に印
加する電圧を制御することによって、フェリ誘電状態か
ら強誘電状態への変化の際と、強誘電状態からフェリ誘
電状態への変化の際との履歴が小さく、しきい値がなく
電圧によって連続的に階調表示できることを特徴とする
アクティブマトリックス液晶表示素子である。
【００１７】該第１のガラス基板と第２のガラス基板の
間隙（セルギャップ）は、印加電圧０における光漏れ
と、履歴に関係する。印加電圧０における光漏れは、基
板間隙が広くなるほど大きくなり、また、履歴も大きく
なる傾向を有する。なお、印加電圧０における光漏れの
大小は、コントラストに大きく影響し光漏れは小さいほ
ど好ましい。これらの点から、基板間隙は１〜３μｍ、
好適には１〜２μｍが適当である。
間隙（セルギャップ）は、印加電圧０における光漏れ
と、履歴に関係する。印加電圧０における光漏れは、基
板間隙が広くなるほど大きくなり、また、履歴も大きく
なる傾向を有する。なお、印加電圧０における光漏れの
大小は、コントラストに大きく影響し光漏れは小さいほ
ど好ましい。これらの点から、基板間隙は１〜３μｍ、
好適には１〜２μｍが適当である。
【００１８】本発明において、基板に形成する絶縁層の
静電容量の大小は、履歴の大小、並びに、２つのフェリ
誘電相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の電圧、
強誘電状態から２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化す
る際の電圧（以下「スイッチング電圧」と記す）に関係
する。履歴は絶縁層の静電容量が大きい場合に大きく、
小さくなるにしたがって、小さくなる傾向を有する。一
方、スイッチング電圧は、絶縁層の静電容量が小さくな
るほど（厚くなるほど）大きくなる傾向を有する。
静電容量の大小は、履歴の大小、並びに、２つのフェリ
誘電相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の電圧、
強誘電状態から２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化す
る際の電圧（以下「スイッチング電圧」と記す）に関係
する。履歴は絶縁層の静電容量が大きい場合に大きく、
小さくなるにしたがって、小さくなる傾向を有する。一
方、スイッチング電圧は、絶縁層の静電容量が小さくな
るほど（厚くなるほど）大きくなる傾向を有する。
【００１９】絶縁層の静電容量は次の式で表される。 Ｃ＝ε・ε0 ・Ｓ／ｄ Ｃ：静電容量、ε：絶縁層の誘電率、ε0 ：真空の誘電
率、Ｓ：面積、ｄ：絶縁層の膜厚をそれぞれ表す。従っ
て、絶縁層の静電容量は、次式で示されるパラメーター
Ｐで評価することが出来る。 Ｐ＝ｄ／ε 履歴、スイッチング電圧の両面を考慮して好ましいＰの
範囲は10〜24nm、もっとも好ましくは13〜20である。
率、Ｓ：面積、ｄ：絶縁層の膜厚をそれぞれ表す。従っ
て、絶縁層の静電容量は、次式で示されるパラメーター
Ｐで評価することが出来る。 Ｐ＝ｄ／ε 履歴、スイッチング電圧の両面を考慮して好ましいＰの
範囲は10〜24nm、もっとも好ましくは13〜20である。
【００２０】また、基板に塗布される絶縁膜の種類とし
ては、通常用いられている種類のものでよく、SiO2、Zr
O2、Al2O3 等を用いることが出来る。また、絶縁膜、配
向膜からなる絶縁層の厚さが 60〜90nmであることが好
ましい。そして、特に実用素子とするためには、より低
い電圧で駆動できることが必須である。この点から、該
フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電性液晶組成物が、２
つの強誘電状態の光透過率を 100％、光透過率が最低の
ときの光透過率を０％としたときに、２つのフェリ誘電
相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の光透過率
90％における電圧（以下「Ｕ90」と記す) 、並びに強誘
電状態から２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化する際
の光透過率 90％における電圧（以下「Ｄ90」と記す)
が 5V 以下であり、また、このときの電圧の差が 0.6 V
以下であることが好ましい。
ては、通常用いられている種類のものでよく、SiO2、Zr
O2、Al2O3 等を用いることが出来る。また、絶縁膜、配
向膜からなる絶縁層の厚さが 60〜90nmであることが好
ましい。そして、特に実用素子とするためには、より低
い電圧で駆動できることが必須である。この点から、該
フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電性液晶組成物が、２
つの強誘電状態の光透過率を 100％、光透過率が最低の
ときの光透過率を０％としたときに、２つのフェリ誘電
相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の光透過率
90％における電圧（以下「Ｕ90」と記す) 、並びに強誘
電状態から２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化する際
の光透過率 90％における電圧（以下「Ｄ90」と記す)
が 5V 以下であり、また、このときの電圧の差が 0.6 V
以下であることが好ましい。
【００２１】本発明において用いるフェリ誘電性液晶ま
たはフェリ誘電性液晶組成物としては、下記一般式(1)
で表されるフェリ誘電性液晶またはそれを含むフェリ誘
電性液晶組成物が好ましい。そして、該フェリ誘電性液
晶またはフェリ誘電性液晶組成物は、ラセンピッチが 1
μｍ以上、より好ましくは 1.5μｍ以上である。
たはフェリ誘電性液晶組成物としては、下記一般式(1)
で表されるフェリ誘電性液晶またはそれを含むフェリ誘
電性液晶組成物が好ましい。そして、該フェリ誘電性液
晶またはフェリ誘電性液晶組成物は、ラセンピッチが 1
μｍ以上、より好ましくは 1.5μｍ以上である。
【００２２】
【化２】 （式中のｍは 9〜12、ｐは 2〜4 、ｎは 2〜4 、X, Yは
Ｈまたはいずれか一方がＦ原子である。）
Ｈまたはいずれか一方がＦ原子である。）
【００２３】
【発明の効果】フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電性液
晶組成物を充填したＡＭ駆動液晶表示素子において、適
切な絶縁膜の種類、膜厚、セルギャップ(=基板間の間
隙) を設定することにより高速応答性、視野角に優れた
ＡＭ駆動液晶素子を実現できる。
晶組成物を充填したＡＭ駆動液晶表示素子において、適
切な絶縁膜の種類、膜厚、セルギャップ(=基板間の間
隙) を設定することにより高速応答性、視野角に優れた
ＡＭ駆動液晶素子を実現できる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例にて更に詳細に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 参考例１ フェリ誘電相を有する液晶として、4-(4−オクチルフェ
ニル）安息香酸-4-(1-メチルヘプチロキシカルボニル）
フェニルを用いた。この化合物の構造式ならびに相転移
温度（℃）は次の通りである。尚、この化合物がフェリ
誘電相を示すことは(Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol.31, No.6B, 1992, pp.L793-796) に記載され
ている。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。 参考例１ フェリ誘電相を有する液晶として、4-(4−オクチルフェ
ニル）安息香酸-4-(1-メチルヘプチロキシカルボニル）
フェニルを用いた。この化合物の構造式ならびに相転移
温度（℃）は次の通りである。尚、この化合物がフェリ
誘電相を示すことは(Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol.31, No.6B, 1992, pp.L793-796) に記載され
ている。
【００２５】 構造式 : C8H17-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 但し、アルキル基は直鎖、Phは1,4-フェニレン基、C*は
不斉炭素を表す。 相系列 : I(109.0)SA(76.3)SCα*(72.1)AF*(66.4)SC
γ*(64.9)SCA* ・・ 但し、Ｉは等方相、SAはスメクチックＡ相、SCα* はカ
イラルスメクチックＣα相、AF* はSCA*とは分子配列が
異なる反強誘電相、SCγ* はカイラルスメクチックＣγ
相（フェリ誘電相）、SCA*はカイラルスメクチックCA相
（反強誘電相）を表し、括弧内の数値は降温時の転移温
度 (℃) である。
不斉炭素を表す。 相系列 : I(109.0)SA(76.3)SCα*(72.1)AF*(66.4)SC
γ*(64.9)SCA* ・・ 但し、Ｉは等方相、SAはスメクチックＡ相、SCα* はカ
イラルスメクチックＣα相、AF* はSCA*とは分子配列が
異なる反強誘電相、SCγ* はカイラルスメクチックＣγ
相（フェリ誘電相）、SCA*はカイラルスメクチックCA相
（反強誘電相）を表し、括弧内の数値は降温時の転移温
度 (℃) である。
【００２６】平行配向セルを用いフェリ誘電相における
液晶の電気光学応答を調べた。セルは以下の手順で作製
した。ITO 電極付きのガラス基板をポリイミドコーティ
ング後（膜厚約30nm、誘電率3.2)、一対のガラス基板の
片方のみをラビング処理した。粒系 1.6μｍのスペーサ
ーを介し、一対のガラス基板を貼り合わせテストセルと
した。このセルの絶縁層の静電容量を示すパラメーター
Ｐは 9.4nmである。セル厚 (基板間の間隙) は２μｍで
あった。
液晶の電気光学応答を調べた。セルは以下の手順で作製
した。ITO 電極付きのガラス基板をポリイミドコーティ
ング後（膜厚約30nm、誘電率3.2)、一対のガラス基板の
片方のみをラビング処理した。粒系 1.6μｍのスペーサ
ーを介し、一対のガラス基板を貼り合わせテストセルと
した。このセルの絶縁層の静電容量を示すパラメーター
Ｐは 9.4nmである。セル厚 (基板間の間隙) は２μｍで
あった。
【００２７】液晶が等方相となる温度まで加熱し、毛細
管現象によりテストセル中に前記液晶を注入した。その
後、１℃／分の速度で徐冷し液晶を平行配向させ、更に
65.5℃（フェリ誘電相）まで冷却した。テストセルに±
10Ｖ，30 Hz の三角波電圧を印加し駆動を行い、透過光
変化を調べた。結果を図２に示した。透過光強度が90％
となる電圧は 2.5Ｖと小さく、光学応答のヒステリシス
も比較的小さかった。以上より、フェリ誘電性液晶はＡ
Ｍ駆動に適した材料であることが分かる。
管現象によりテストセル中に前記液晶を注入した。その
後、１℃／分の速度で徐冷し液晶を平行配向させ、更に
65.5℃（フェリ誘電相）まで冷却した。テストセルに±
10Ｖ，30 Hz の三角波電圧を印加し駆動を行い、透過光
変化を調べた。結果を図２に示した。透過光強度が90％
となる電圧は 2.5Ｖと小さく、光学応答のヒステリシス
も比較的小さかった。以上より、フェリ誘電性液晶はＡ
Ｍ駆動に適した材料であることが分かる。
【００２８】参考例２、３ 参考例１において、液晶化合物として下記の化学構造式
で示される強誘電性液晶(B) 、反強誘電性液晶(C) をそ
れぞれ用いる他は参考例１と同様にして、光学応答履歴
を調べた。結果を図５、６にそれぞれ示した。 液晶B : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)3OC2H5 液晶C : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)5OC2H5 Phは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は３位にＦ置換された1,
4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。強誘電性液晶
(B) は、Ｗ字型履歴を示し、かつ電圧０における光透過
量が大きく、また、反強誘電性液晶(C) は、明白なヒス
テリシスを示し、いずれもＡＭ駆動には適さない光学応
答性であった。
で示される強誘電性液晶(B) 、反強誘電性液晶(C) をそ
れぞれ用いる他は参考例１と同様にして、光学応答履歴
を調べた。結果を図５、６にそれぞれ示した。 液晶B : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)3OC2H5 液晶C : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)5OC2H5 Phは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は３位にＦ置換された1,
4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。強誘電性液晶
(B) は、Ｗ字型履歴を示し、かつ電圧０における光透過
量が大きく、また、反強誘電性液晶(C) は、明白なヒス
テリシスを示し、いずれもＡＭ駆動には適さない光学応
答性であった。
【００２９】実施例１、２および比較例１、２ ITO 電極付きのガラス基板の両面にそれぞれ絶縁膜とし
てSiO2を 20nm(実施例1)、 40nm(実施例2)、 70nm(比較
例1)および100nm(比較例2)の膜厚でそれぞれコーティン
グし、更に両面にポリイミドコーティング後（膜厚約30
nm、誘電率誘電率 3.2) 、一対のガラス基板の片方のみ
をラビング処理した。このセルの絶縁層の静電容量を示
すパラメーターＰは 14.6nm(実施例1)、 19.9nm(実施例
2)、27.8nm(比較例1)および 35.7nm(比較例2)であっ
た。
てSiO2を 20nm(実施例1)、 40nm(実施例2)、 70nm(比較
例1)および100nm(比較例2)の膜厚でそれぞれコーティン
グし、更に両面にポリイミドコーティング後（膜厚約30
nm、誘電率誘電率 3.2) 、一対のガラス基板の片方のみ
をラビング処理した。このセルの絶縁層の静電容量を示
すパラメーターＰは 14.6nm(実施例1)、 19.9nm(実施例
2)、27.8nm(比較例1)および 35.7nm(比較例2)であっ
た。
【００３０】この液晶セルに、次の化学構造式で示され
るフェリ誘電性液晶 (液晶A)を充填し、50℃で参考例１
と同様にして光学応答を調べた（但し、印加電圧は25
Ｖ、周波数 1Hzとした）。結果を図７〜１０に示した。 液晶A : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)3OC2H5 Phは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は３位にＦ置換された1,
4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。 相系列 : Cr(34)SCγ*(101)SCα*(103)I 但し、括弧内の数値は転移温度 (℃) 、Crは結晶相、SC
γ* はカイラルスメクチックＣγ相（フェリ誘電相）、
SCα* はカイラルスメクチックＣα相、Ｉは等方相であ
る。
るフェリ誘電性液晶 (液晶A)を充填し、50℃で参考例１
と同様にして光学応答を調べた（但し、印加電圧は25
Ｖ、周波数 1Hzとした）。結果を図７〜１０に示した。 液晶A : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)
(CH2)3OC2H5 Phは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は３位にＦ置換された1,
4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。 相系列 : Cr(34)SCγ*(101)SCα*(103)I 但し、括弧内の数値は転移温度 (℃) 、Crは結晶相、SC
γ* はカイラルスメクチックＣγ相（フェリ誘電相）、
SCα* はカイラルスメクチックＣα相、Ｉは等方相であ
る。
【００３１】また、この液晶A の螺旋ピッチを測定した
結果、 1.7μｍであった。螺旋ピッチの測定は、自己保
持膜（８mm×1.5mm の貫通孔を有するガラスプレートの
該貫通孔に形成した膜) を用い、温度35℃において、分
光器で吸収スペクトル (螺旋構造による選択反射) を測
定し、次式から求めた。 λ＝Ｐ・ｎ （λ：選択反射波長、Ｐ：ピッチ、ｎ：平
均屈折率（約 1.5)
結果、 1.7μｍであった。螺旋ピッチの測定は、自己保
持膜（８mm×1.5mm の貫通孔を有するガラスプレートの
該貫通孔に形成した膜) を用い、温度35℃において、分
光器で吸収スペクトル (螺旋構造による選択反射) を測
定し、次式から求めた。 λ＝Ｐ・ｎ （λ：選択反射波長、Ｐ：ピッチ、ｎ：平
均屈折率（約 1.5)
【００３２】図７ (実施例１) 及び図８ (実施例２) で
は、２つの強誘電状態の光透過率を100％、光透過率が
最低のときの光透過率を０％としたときに、２つのフェ
リ誘電相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の光透
過率 90％における電圧（Ｕ90) 、並びに強誘電状態か
ら２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化する際の光透過
率 90％における電圧（Ｄ90) が 5V 以下であり、特に
図７ (実施例１) は2V程度と極めて小さく、また、図８
(実施例２) では、Ｕ90, Ｄ90の電圧差も殆どなく、Ａ
Ｍ駆動に最適な光学応答性を示した。これに対して、図
９ (比較例１) では、Ｕ90, Ｄ90の電圧が高く、さらに
図１０ (比較例２) では、その電圧差も大きくなり、実
用上問題であった。
は、２つの強誘電状態の光透過率を100％、光透過率が
最低のときの光透過率を０％としたときに、２つのフェ
リ誘電相の共存状態から強誘電状態へ変化する際の光透
過率 90％における電圧（Ｕ90) 、並びに強誘電状態か
ら２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化する際の光透過
率 90％における電圧（Ｄ90) が 5V 以下であり、特に
図７ (実施例１) は2V程度と極めて小さく、また、図８
(実施例２) では、Ｕ90, Ｄ90の電圧差も殆どなく、Ａ
Ｍ駆動に最適な光学応答性を示した。これに対して、図
９ (比較例１) では、Ｕ90, Ｄ90の電圧が高く、さらに
図１０ (比較例２) では、その電圧差も大きくなり、実
用上問題であった。
【００３３】実施例３、４ 絶縁膜であるSiO2の膜厚を40nmとし、セルギャップを１
μｍ（実施例３）、３μｍ（実施例４）として実施例１
と同様にして光学応答を調べた。結果を図１１、図１２
に示した。いずれも、Ｕ90, Ｄ90は５Ｖ以下であり、電
圧差も 0.6V 以下と許容できるものであった。
μｍ（実施例３）、３μｍ（実施例４）として実施例１
と同様にして光学応答を調べた。結果を図１１、図１２
に示した。いずれも、Ｕ90, Ｄ90は５Ｖ以下であり、電
圧差も 0.6V 以下と許容できるものであった。
【００３４】比較例３、４ 絶縁膜であるSiO2の膜厚を40nmとし、セルギャップを５
μｍ（比較例３）、10μｍ（比較例４）として光学応答
を調べた。結果を図１３、図１４に示した。Ｕ90, Ｄ90
はが大きくなるとともに、履歴が生じ、また、印加電圧
０における光漏れが極めて増大する傾向を示した。
μｍ（比較例３）、10μｍ（比較例４）として光学応答
を調べた。結果を図１３、図１４に示した。Ｕ90, Ｄ90
はが大きくなるとともに、履歴が生じ、また、印加電圧
０における光漏れが極めて増大する傾向を示した。
【００３５】実施例５〜７ 絶縁膜の種類をSiO2、ZrO2、Al2O3 とし、Ｐの値が概ね
同じになるように膜厚を設定して、しきい値電圧を調べ
た結果を下記表１に示した。いずれの絶縁膜でもＵ90,
Ｄ90は低く、又、履歴の幅も小さかった。
同じになるように膜厚を設定して、しきい値電圧を調べ
た結果を下記表１に示した。いずれの絶縁膜でもＵ90,
Ｄ90は低く、又、履歴の幅も小さかった。
【００３６】
【表１】 実施例 絶縁膜 誘電率 絶縁層 Ｐ Ｕ90 Ｄ90 No. の種類 （ε） 厚(nm) (V／μｍ） ５ SiO2 3.8 40 19.9 1.9 1.8 ６ ZrO2 10 100 19.4 1.6 1.0 ７ Al2O3 13 100 17.1 1.2 1.1
【図１】コノスコープ像の観察に用いたセルの構造を示
す図。
す図。
【図２】MHPOBC の、強誘電相(SC*) 、フェリ誘電相 (S
Cγ*)、反強誘電相(SCA*)のコノスコープ像、および実
施例１に用いた液晶A のコノスコープ像。
Cγ*)、反強誘電相(SCA*)のコノスコープ像、および実
施例１に用いた液晶A のコノスコープ像。
【図３】フェリ誘電相の分子配列を示す図。FI(+), FI
(-)はフェリ誘電状態、FO(+), FO(-)は強誘電状態を表
す。
(-)はフェリ誘電状態、FO(+), FO(-)は強誘電状態を表
す。
【図４】フェリ誘電性液晶の三角波電圧に対する光学応
答を示す図。
答を示す図。
【図５】強誘電性液晶の三角波電圧に対する光学応答を
示す図。
示す図。
【図６】反強誘電性液晶の三角波電圧に対する光学応答
を示す図。
を示す図。
【図７】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 20.0nm 、セルギャ
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
【図８】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 40.0nm 、セルギャ
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
【図９】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 70.0nm 、セルギャ
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
ップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波電
圧に対する光学応答を示す図。
【図１０】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 100.0nm、セルギ
ャップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
ャップ 2μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
【図１１】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 40.0nm 、セルギ
ャップ 1μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
ャップ 1μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
【図１２】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 40.0nm 、セルギ
ャップ 3μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
ャップ 3μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
【図１３】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 40.0nm 、セルギ
ャップ 5μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
ャップ 5μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角波
電圧に対する光学応答を示す図。
【図１４】絶縁膜の種類 SiO2 、膜厚 40.0nm 、セルギ
ャップ 10μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角
波電圧に対する光学応答を示す図。
ャップ 10μｍのセルにおけるフェリ誘電性液晶の三角
波電圧に対する光学応答を示す図。
フロントページの続き (72)発明者 伊藤 真樹 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁膜、配向膜からなる絶縁層が形成さ
れた２枚のガラス基板のうち、第１のガラス基板に画素
電極と画素電極に接続されたアクティブ素子がマトリッ
クス状に配置されており、第２のガラス基板に前記画素
電極に対向する共通電極が設置され、 該第１のガラス基板と第２のガラス基板の間隙を１〜３
μｍとし、この間隙に層構造を持つ液晶が挟持され、こ
の液晶は前記画素電極と共通電極に電圧を印加した際、
電場の作用により、２つのフェリ誘電相の共存状態と２
つの強誘電状態およびその中間状態で変化することがで
きるフェリ誘電性液晶或いはフェリ誘電性液晶組成物で
あり、 該第１のガラス基板と第２のガラス基板に、直交する偏
光膜が前記２つの強誘電状態が明となるごとく配置さ
れ、 前記画素電極と共通電極との間に印加する電圧を制御す
ることによって、フェリ誘電状態から強誘電状態への変
化の際と、強誘電状態からフェリ誘電状態への変化の際
との履歴が小さく、しきい値がなく電圧によって連続的
に階調表示できることを特徴とするアクティブマトリッ
クス液晶表示素子。 - 【請求項２】 該第１のガラス基板と第２のガラス基板
の間隙が、 1〜2 μｍである請求項１記載のアクティブ
マトリックス液晶表示素子。 - 【請求項３】 該絶縁膜の種類が SiO2, ZrO2, Al2O3の
いづれかである請求項１記載のアクティブマトリックス
液晶表示素子。 - 【請求項４】 該絶縁層の厚さが 60〜90nmである請求
項３記載のアクティブマトリックス液晶表示素子。 - 【請求項５】 該絶縁層の静電容量を示すパラメーター
Ｐの値が10〜24 nmである請求項３記載のアクティブマ
トリックス液晶表示素子。 - 【請求項６】 該絶縁層の静電容量を示すパラメーター
Ｐの値が13〜20 nmである請求項３記載のアクティブマ
トリックス液晶表示素子。 - 【請求項７】 該フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電性
液晶組成物が、２つの強誘電状態の光透過率を 100％、
光透過率が最低のときの光透過率を０％としたときに、
２つのフェリ誘電相の共存状態から強誘電状態へ変化す
る際の光透過率 90％における電圧、並びに強誘電状態
から２つのフェリ誘電相の共存状態へ変化する際の光透
過率 90％における電圧が 5V 以下である請求項１記載
のアクティブマトリックス液晶表示素子。 - 【請求項８】 該光透過率 90％における電圧の差が
0.6 V以下である請求項７記載のアクティブマトリクス
液晶表示素子。 - 【請求項９】 該フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電性
液晶組成物が、下記一般式(1) で表されるフェリ誘電性
液晶またはそれを含むフェリ誘電性液晶組成物である請
求項１記載のアクティブマトリクス液晶表示素子。 【化１】 （式中のｍは 9〜12、ｐは 2〜4 、ｎは 2〜4 、X, Yは
Ｈまたはいずれか一方がＦ原子である。） - 【請求項１０】 該フェリ誘電性液晶またはフェリ誘電
性液晶組成物のラセンピッチが 1μｍ以上であることを
特徴とする請求項９記載のアクティブマトリクス液晶表
示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9059304A JPH09304795A (ja) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5866696 | 1996-03-15 | ||
| JP8-58666 | 1996-03-15 | ||
| JP9059304A JPH09304795A (ja) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304795A true JPH09304795A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=26399692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9059304A Pending JPH09304795A (ja) | 1996-03-15 | 1997-03-13 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304795A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532613A (ja) * | 1998-12-11 | 2002-10-02 | クラリアント ゲーエムベーハー | 広い作動温度範囲を有する強誘電性アクティブマトリックスディスプレイ |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP9059304A patent/JPH09304795A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002532613A (ja) * | 1998-12-11 | 2002-10-02 | クラリアント ゲーエムベーハー | 広い作動温度範囲を有する強誘電性アクティブマトリックスディスプレイ |
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