JPH09302345A - Antiferroelectric liquid crystal composition - Google Patents

Antiferroelectric liquid crystal composition

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JPH09302345A
JPH09302345A JP11985496A JP11985496A JPH09302345A JP H09302345 A JPH09302345 A JP H09302345A JP 11985496 A JP11985496 A JP 11985496A JP 11985496 A JP11985496 A JP 11985496A JP H09302345 A JPH09302345 A JP H09302345A
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liquid crystal
antiferroelectric
phase
composition according
crystal composition
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JP11985496A
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Takahiro Matsumoto
隆宏 松本
Masahiro Kino
正博 城野
Tomoyuki Yui
知之 油井
Hironori Motoyama
裕規 本山
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an antiferroelectric liquid crystal composition suppressing drop of tilt angle, manifesting low threshold value, excellent in high speed response, suitable for simple matrix type liquid crystal display device, etc., by respectively compounding specific liquid crystal compounds and a specific optically active compound. SOLUTION: The composition comprising a liquid crystal compound of formula I (R<1> is a linear chain alkyl; X<1> , X<2> are each H, F; (m) is 2 to 8; (n) is 1 to 5; C* is an asymmetric carbon) manifesting a wide range of antiferroelectric properties in the series of its liquid crystal phase, preferably, 5 to 40mol.% (in the composition) of a liquid crystal compound of formula I having a smaller (m) than the above compound of formula I and 10 to 50mol.% of an optically active compound of formula II (R<2> is R<1> ; Y<1> and Y<2> are each H, F; Z<1> and Z<2> are each H, F; (p) is 4 to 8). The preferable transferring threshold voltage value of this composition transferring from antiferroelectric state to ferroelectric state is <=10V/μm.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、単純マトリックス型の
液晶表示素子に好適に使用される反強誘電性液晶組成物
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an antiferroelectric liquid crystal composition suitable for use in a simple matrix type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費
電力性、薄型表示が可能である事等により、現在までに
各種の小型表示素子に利用されてきた。しかし、昨今の
情報、OA関連機器分野、あるいは、テレビ分野への液
晶表示素子の応用、用途拡大に伴って、これまでのCR
T表示素子を上回る表示容量、表示品質を持つ高性能大
型液晶表示素子の要求が、急速に高まってきた。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have been used for various small display devices to date because of their low voltage operability, low power consumption, and thin display capability. However, with the recent information, the application of liquid crystal display elements to the OA related equipment field, or the television field, and the expansion of applications, the CR
The demand for a high-performance large-sized liquid crystal display device having a display capacity and display quality higher than that of a T display device has been rapidly increasing.

【0003】しかしながら、現在のネマチック液晶を使
用する限りにおいては、液晶テレビ用に採用されている
アクテイブマトリックス駆動液晶表示素子でも、製造プ
ロセスの複雑さと歩留りの低さにより、その大型化、低
コスト化は容易ではない。又、単純マトリックス駆動の
STN型液晶表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも
容易ではなく、応答時間にも限界があり動画表示は困難
である。更にネマチック液晶を用いた表示素子は、視野
角が狭いということが、大きな問題になってきている。
従って、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型
液晶表示素子への要求を、満足するものとはいい難いの
が実状である。
However, as long as the current nematic liquid crystal is used, even an active matrix drive liquid crystal display element used for a liquid crystal television has a large size and a low cost due to the complexity of the manufacturing process and low yield. Is not easy. Even with a simple matrix driven STN type liquid crystal display element, large capacity driving is not always easy, and the response time is limited, making it difficult to display moving images. Further, a narrow viewing angle of a display element using a nematic liquid crystal has become a serious problem.
Therefore, the nematic liquid crystal display element cannot satisfy the demand for the above-mentioned high performance large liquid crystal display element.

【0004】このような状況のなかで、高速液晶表示素
子として注目されているのが、強誘電性液晶を用いた液
晶表示素子である。クラ−クとラガバ−ルにより発表さ
れた、表面安定化型強誘電性液晶(SSFLC) 素子は、その
従来にない速い応答速度と広い視野角を有する事が注目
され、そのスイッチング特性に関しては詳細に検討され
おり、種々の物性定数を最適化するため、多くの強誘電
性液晶が合成されている。しかしながら、しきい値特性
が不十分である、層の構造がシェブロン構造をしている
などからコントラストが不良である、高速応答が実現さ
れていない、配向制御が困難で SSFLCの最大の特徴の1
つである双安定性の実現が容易でない、機械的衝撃に依
って配向が破壊されそれの回復が困難であるなどの問題
があり、実用化にはこれらの問題の克服が必要である。
In such a situation, a liquid crystal display element using a ferroelectric liquid crystal has attracted attention as a high-speed liquid crystal display element. The surface-stabilized ferroelectric liquid crystal (SSFLC) device, announced by Clark and Lagavar, is noted for its unprecedented fast response speed and wide viewing angle, and its switching characteristics are detailed. In order to optimize various physical constants, many ferroelectric liquid crystals have been synthesized. However, the threshold characteristics are inadequate, the layer structure has a chevron structure, and the contrast is poor. High-speed response is not realized. Alignment control is difficult, which is one of the most important features of SSFLC.
However, there are problems such as difficulty in realizing bistability, which is difficult, and difficulty in recovering the orientation due to mechanical shock, and it is necessary to overcome these problems for practical use.

【0005】これとは別に、SSFLC と異なるスイッチン
グ機構の素子の開発も、同時に進められている。反強誘
電相を有する液晶物質(以下、反強誘電性液晶物質と呼
ぶ)の三安定状態間のスイッチングも、これらの新しい
スイッチング機構の1つである(Japanese Journal of A
pplied Physics, Vol.27, pp.L729, 1988)。反強誘電性
液晶素子は、3つの安定な状態を有する。すなわち、強
誘電性液晶素子で見られる2つのユニフォ−ム状態(Ur,
Ul)と第三状態である。この第三状態が、反強誘電相で
あることをChandaniらが報告している(Japanese Journa
l of Applied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989、Japa
nese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L1265,
1989)。このような三安定状態間のスイッチングが、反
強誘電性液晶素子の第1の特徴である。
[0005] Apart from this, the development of elements having a switching mechanism different from that of SSFLC is also proceeding at the same time. Switching between the three stable states of a liquid crystal material having an antiferroelectric phase (hereinafter referred to as an antiferroelectric liquid crystal material) is one of these new switching mechanisms (Japanese Journal of A).
pplied Physics, Vol.27, pp.L729, 1988). The antiferroelectric liquid crystal device has three stable states. That is, the two uniform states (Ur,
Ul) and the third state. Chandani et al. Report that this third state is an antiferroelectric phase (Japanese Journa
l of Applied Physics, Vol.28, pp.L1261, 1989, Japa
nese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L1265,
1989). Such switching between the three stable states is the first feature of the antiferroelectric liquid crystal device.

【0006】反強誘電性液晶素子の第2の特徴は、印加
電圧に対して明確なしきい値が存在することである。更
に、メモリ−性を有しており、これが反強誘電性液晶素
子の第3の特徴である。これらの優れた特徴を利用する
ことにより、応答速度が速く、コントラストが良好な液
晶表示素子を実現できる。
A second feature of the antiferroelectric liquid crystal element is that a clear threshold value exists for an applied voltage. Furthermore, it has a memory property, which is the third feature of the antiferroelectric liquid crystal element. By utilizing these excellent characteristics, it is possible to realize a liquid crystal display device having a high response speed and a good contrast.

【0007】又、もう一つの大きな特徴として、層構造
が、電界により容易にスイッチングする事があげられる
(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L
119,1989、Japanese Journal of Applied Physics, Vo
l.29, pp.L111, 1990) 。このことにより、欠陥が極め
て少なく、配向の自己修復能力のある液晶表示素子の作
製が可能となり、コントラストに優れた液晶素子を実現
できる。更に、強誘電性液晶では殆ど不可能である電圧
階調が、反強誘電性液晶では可能であることが実証さ
れ、フルカラー化への道が開け、一層反強誘電性液晶の
重要性が増してきている(第4回強誘電性液晶国際会議
予稿集、77頁、1993) 。
Another major feature is that the layer structure is easily switched by an electric field.
(Japanese Journal of Applied Physics, Vol.28, pp.L
119,1989, Japanese Journal of Applied Physics, Vo
l.29, pp.L111, 1990). This makes it possible to manufacture a liquid crystal display element having a very small number of defects and a self-healing ability for alignment, and to realize a liquid crystal element having excellent contrast. Furthermore, it has been demonstrated that voltage gradation that is almost impossible with ferroelectric liquid crystal is possible with antiferroelectric liquid crystal, opening the way to full color, and the importance of antiferroelectric liquid crystal is further increasing. (Proceedings of the 4th International Conference on Ferroelectric Liquid Crystals, p. 77, 1993).

【0008】以上のように、反強誘電性液晶の優位性は
確かなものになりつつあるが、駆動温度範囲の拡大と高
精細素子実現のための応答速度のより一層の向上、駆動
ICへの負荷を軽減するための駆動電圧の低下などの改
善、さらには良好な配向を実現するためのスメクチック
A相が存在する反強誘電性液晶の開発が望まれている。
上記のうち、応答速度の改善はもっとも重要な課題であ
る。それは、年々液晶ディスプレーの表示品位に対する
要求は厳しくなってきており、特に走査線数の多い高精
細ディスプレーの実現は不可欠になってきている。走査
線数の多いディスプレーの実現のためには応答速度の高
速化が必要である。
As described above, the superiority of the antiferroelectric liquid crystal is becoming clear, but the response temperature for expanding the driving temperature range and realizing a high-definition device is further improved, and the driving speed is improved.
It is desired to improve anti-ferroelectric liquid crystal having a smectic A phase for improving the reduction of driving voltage for reducing the load on the IC and for realizing good alignment.
Of the above, improving the response speed is the most important issue. The demands on the display quality of liquid crystal displays have become stricter year by year, and in particular, the realization of high-definition displays with a large number of scanning lines has become indispensable. In order to realize a display with a large number of scanning lines, it is necessary to increase the response speed.

【0009】反強誘電性液晶の場合、反強誘電状態から
強誘電状態へ、強誘電状態から反強誘電状態への二つの
スイッチングが存在する。この電圧による二つのスイッ
チング速度、即ち、応答速度が表示素子の表示品質を決
める重要な因子となる。反強誘電状態から強誘電状態へ
の応答速度(以下、応答速度I とする)は、例えば線順
次走査する単純マトリックス駆動に於て、走査線一ライ
ン当りの書き込み速度となるので一画面を構成する走査
線数を決定することになり最も重要である。応答速度I
が速ければ速いほど走査線数を増やすことができ、高精
細素子の実現が可能となる。
In the case of antiferroelectric liquid crystals, there are two switchings from the antiferroelectric state to the ferroelectric state and from the ferroelectric state to the antiferroelectric state. Two switching speeds by the voltage, that is, a response speed is an important factor that determines the display quality of the display element. The response speed from the antiferroelectric state to the ferroelectric state (hereinafter referred to as the response speed I) is the writing speed per scan line in simple matrix drive for line-sequential scanning, so one screen is configured. This is the most important because it determines the number of scan lines to be scanned. Response speed I
The faster the number, the more the number of scanning lines can be increased, and a high-definition element can be realized.

【0010】また、強誘電状態から反強誘電状態への応
答速度(以下、応答速度IIとする)は、素子の駆動方法
の設計により必要とされる速度は変わる。例えば、オフ
セット電圧の設定電圧によって変わるものである。しか
し、余りにも応答速度IIが速い場合は強誘電状態を維持
(明或は暗状態の維持)できず、逆に余りにも遅い場合
には強誘電状態から反強誘電状態への変化(明或は暗状
態から暗或は明状態への書換え)が起こらず、不都合と
なる。応答速度IIは、駆動方法を決定した後に最適な値
を設定することになる。以上、高精細素子の実現のため
には、応答速度Iが高速であることが極めて重要であ
る。
Further, the response speed from the ferroelectric state to the antiferroelectric state (hereinafter referred to as response speed II) changes depending on the design of the driving method of the element. For example, it changes depending on the set voltage of the offset voltage. However, if the response speed II is too fast, the ferroelectric state cannot be maintained (maintaining the bright or dark state). Conversely, if the response speed II is too slow, the ferroelectric state changes to the antiferroelectric state (bright or dark). Is not rewritten from the dark state to the dark or bright state), which is inconvenient. The response speed II is set to an optimum value after the drive method is determined. As described above, it is extremely important that the response speed I be high in order to realize a high definition element.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】反強誘電性液晶を実用
材料とするには、特に、ある一定の大きさ以上のチルト
角を維持し、応答速度、駆動電圧、反強誘電相の温度範
囲の改善などが必要である。またこれらの要件のほか
に、配向性の面からスメクチックA相が存在しているこ
とが望ましい。応答速度は、M. Nakagawa によれば反強
誘電性液晶の場合、液晶分子の回転粘性に依存すること
が示されている(Masahiro Nakagawa, Japanese Journal
ofApplied Physics,30,1759(1991)) 。即ち粘性が低い
ほど応答速度は速くなる。従って、応答速度改善の1つ
の方法は液晶の粘性を下げることである。
In order to use the antiferroelectric liquid crystal as a practical material, in particular, the tilt angle of a certain value or more is maintained, the response speed, the driving voltage, and the temperature range of the antiferroelectric phase. Need to be improved. In addition to these requirements, it is desirable that the smectic A phase be present in terms of orientation. According to M. Nakagawa, the response speed has been shown to depend on the rotational viscosity of liquid crystal molecules in the case of antiferroelectric liquid crystals (Masahiro Nakagawa, Japanese Journal
of Applied Physics, 30, 1759 (1991)). That is, the lower the viscosity, the faster the response speed. Therefore, one method of improving the response speed is to reduce the viscosity of the liquid crystal.

【0012】応答速度改善のもう一つの方法として、液
晶にかかる電圧をできるだけ大きくすることである。通
常印加電圧は一定であると考えなければならないので、
液晶にかかる実質的な電圧(実効電圧)はしきい値電圧
が小さいほど大きくなる。即ち、しきい値電圧の大小は
液晶にかかる実効電圧の大小に直接影響するものであ
り、液晶にかける印加電圧を一定として考えると、しき
い値電圧が小さいほど液晶にかかる実質的な電圧(実効
電圧)は大きくなるので、高速応答性が期待できる。更
に、当然のことながらしきい値電圧が小さい液晶は、印
加電圧を下げることができるので、駆動用ICへの負荷を
軽減できるので好都合である。
Another method for improving the response speed is to increase the voltage applied to the liquid crystal as much as possible. Normally, the applied voltage must be considered to be constant, so
The substantial voltage (effective voltage) applied to the liquid crystal increases as the threshold voltage decreases. That is, the magnitude of the threshold voltage directly influences the magnitude of the effective voltage applied to the liquid crystal, and if the applied voltage applied to the liquid crystal is considered to be constant, the smaller the threshold voltage is, the more substantial voltage ( Since the effective voltage) becomes large, high-speed response can be expected. Further, as a matter of course, the liquid crystal having a small threshold voltage can reduce the applied voltage, which is convenient because the load on the driving IC can be reduced.

【0013】一般にディスプレーとしての反強誘電性液
晶素子を考えたとき、バックライトにより素子の温度は
少なくとも40℃ぐらいになると考えられるので、正常な
素子の駆動のためには反強誘電相の上限温度は少なくと
も40℃以上必要であり、望ましくは50℃以上必要であ
る。そしてこの温度より高温側に、良好な配向を得るた
めにスメクチックA相が存在していることが特に望まし
い。また、低温側では少なくとも10℃で素子は駆動でき
ることが必要である。従って、素子の正常な駆動のため
には反強誘電相の下限温度は0℃以下であることが望ま
しい。
Generally, when an antiferroelectric liquid crystal device as a display is considered, the temperature of the device is considered to be at least about 40 ° C. due to the backlight. Therefore, in order to drive the device normally, the upper limit of the antiferroelectric phase is required. The temperature must be at least 40 ° C or higher, preferably 50 ° C or higher. It is particularly desirable that the smectic A phase is present on the higher temperature side than this temperature in order to obtain good orientation. On the low-temperature side, it is necessary that the element can be driven at least at 10 ° C. Therefore, the lower limit temperature of the antiferroelectric phase is preferably 0 ° C. or lower for normal driving of the device.

【0014】本発明はこの様な観点からなされたもので
あり、チルト角が大きく、スメクチックA相が存在し、
広い温度範囲で反強誘電相を確保できると同時に、しき
い値電圧が低く、高速な応答をする反強誘電性液晶組成
物を得ることにある。
The present invention has been made from such a viewpoint, has a large tilt angle, and has a smectic A phase.
An object of the present invention is to obtain an antiferroelectric liquid crystal composition which can secure an antiferroelectric phase in a wide temperature range, has a low threshold voltage, and responds at high speed.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、下
記一般式(1) で表される液晶化合物であって、その液晶
相系列中で広い反強誘電相を有する液晶化合物(1) に、
下記一般式(1) で表される液晶化合物であって該液晶化
合物(1) よりも (m)が小さい液晶化合物(1')及び下記一
般式(2) で表される光学活性化合物を混合してなる反強
誘電性液晶組成物である。
That is, the present invention provides a liquid crystal compound represented by the following general formula (1), which has a wide antiferroelectric phase in the liquid crystal phase series: ,
A liquid crystal compound represented by the following general formula (1), wherein the liquid crystal compound (1 ') having a smaller (m) than the liquid crystal compound (1) and an optically active compound represented by the following general formula (2) are mixed. The antiferroelectric liquid crystal composition obtained by

【0016】[0016]

【化2】 (式中のR1, R2は直鎖アルキル基、X1,X2は水素原子ま
たは一方がフッ素原子で他方が水素原子、Y1,Y2は水素
原子または一方がフッ素原子で他方が水素原子、Z1,Z2
は水素原子または一方がフッ素原子で他方が水素原子、
mは2〜8の整数、nは1〜5の整数、pは 4〜8 の整
数、C*は不斉炭素である)。
Embedded image (Wherein R 1 and R 2 are linear alkyl groups, X 1 and X 2 are hydrogen atoms or one is a fluorine atom and the other is a hydrogen atom, Y 1 and Y 2 are hydrogen atoms or one is a fluorine atom and the other is Hydrogen atom, Z 1 , Z 2
Is a hydrogen atom or one is a fluorine atom and the other is a hydrogen atom,
m is an integer of 2-8, n is an integer of 1-5, p is an integer of 4-8, and C * is an asymmetric carbon).

【0017】本発明の上記一般式(1) で表される化合物
は、末端長鎖アルキル基(R1)、コア部分の不斉炭素側に
近いフェニル基へのフッ素置換の有無、m、nによっ
て、その液晶相系列が異なったものとなり、反強誘電性
相、フェリ誘電相、強誘電相などが存在することが、本
発明者らの種々の検討により確認されている。
The compound represented by the above general formula (1) of the present invention has a terminal long-chain alkyl group (R 1 ), the presence or absence of fluorine substitution in the phenyl group near the asymmetric carbon side of the core part, m, n It has been confirmed by various studies by the present inventors that the liquid crystal phase series becomes different due to the existence of antiferroelectric phase, ferrielectric phase, and ferroelectric phase.

【0018】本発明で用いられる一般式(1) の反強誘電
相を有する液晶化合物としては、R1の炭素数が 8〜10、
mが5、X1がF原子、nが2である反強誘電性液晶が好
ましい。液晶化合物(1')としては、R1の炭素数が 8〜1
0、mが3または4、nが2であることが好ましく、そ
の液晶相系列中にフェリ誘電相を有する液晶化合物が好
ましい。また、その添加量は、組成物の 1〜50モル%の
範囲、好ましくは 5〜40モル%の範囲である。また、一
般式(2) の光学活性化合物としては、R2の炭素数が 8〜
12、pが6であることが好ましい。また、その添加量
は、組成物の 1〜60モル%の範囲、好ましくは10〜50モ
ル%の範囲である。
The liquid crystal compound having an antiferroelectric phase of the general formula (1) used in the present invention has R 1 having 8 to 10 carbon atoms,
An antiferroelectric liquid crystal in which m is 5, X 1 is an F atom and n is 2 is preferable. The liquid crystal compound (1 ') has 8 to 1 carbon atoms in R 1.
It is preferable that 0, m is 3 or 4, and n is 2, and a liquid crystal compound having a ferrielectric phase in its liquid crystal phase series is preferable. Further, the addition amount thereof is in the range of 1 to 50 mol% of the composition, preferably in the range of 5 to 40 mol%. Further, as the optically active compound of the general formula (2), R 2 has 8 to 8 carbon atoms.
It is preferable that 12 and p are 6. Further, the addition amount thereof is in the range of 1 to 60 mol% of the composition, preferably in the range of 10 to 50 mol%.

【0019】本発明で用いる一般式(1) の反強誘電相を
有する液晶化合物単体または反強誘電性液晶単体は、通
常、スメクチックA相を有しない。このため、配向性は
悪く、単独使用は困難である。この点から、本発明で調
整する反強誘電性液晶組成物においては、反強誘電相よ
りも高温側にスメクチックA相を有することがよい。ま
た、液晶表示素子の実用温度範囲から、少なくとも 0〜
40℃の範囲、より好ましくは少なくとも 0〜50℃の範囲
で反強誘電相であることが好ましい。液晶素子の駆動電
圧、応答速度の面から該組成物の反強誘電状態から強誘
電状態へ転移するときのしきい値電圧が10V/μm以下で
あることが好ましく、特に、5V/μm以下であることが
好ましい。
The liquid crystal compound having the antiferroelectric phase of the general formula (1) or the antiferroelectric liquid crystal having no smectic A phase is usually used in the present invention. Therefore, the orientation is poor and it is difficult to use it alone. From this point, the antiferroelectric liquid crystal composition prepared in the present invention preferably has a smectic A phase on the higher temperature side than the antiferroelectric phase. Further, from the practical temperature range of the liquid crystal display element, at least 0 to
The antiferroelectric phase is preferably in the range of 40 ° C, more preferably in the range of at least 0 to 50 ° C. The threshold voltage when the composition transitions from the antiferroelectric state to the ferroelectric state is preferably 10 V / μm or less, particularly 5 V / μm or less, in view of driving voltage and response speed of the liquid crystal element. Preferably there is.

【0020】そして、本発明においては、走査電極と信
号電極をマトリックス上に配置した基板間に請求項1記
載の反強誘電性液晶組成物を狭持することを特徴とする
単純マトリックス液晶表示素子とされ、該素子の電圧に
よる駆動を、1つの反強誘電状態と2つの強誘電状態の
間でスイッチグすることにより行われる。
In the present invention, a simple matrix liquid crystal display device characterized in that the antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1 is sandwiched between substrates in which scanning electrodes and signal electrodes are arranged on a matrix. And the driving of the element by voltage is performed by switching between one antiferroelectric state and two ferroelectric states.

【0021】次に、本発明で使用される一般式(1) の液
晶化合物は本発明者らが既に明らかにした方法(特開平
3-198155号)によって製造できる。その製造法の概略は
次の通りである。 (イ) AcO-Ph(X)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(X)-COCl (ロ) (イ) + R*OH → AcO-Ph(3X)-COO-R* (ハ) (ロ) + Ph-CH2NH2 → HO-Ph(3X)-COO-R* (ニ) R-O-Ph-Ph-COOH + SOCl2 → R-O-Ph-Ph-COCl (ホ) (ハ) + (ニ) → 目的液晶化合物 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(X) はフッ素置換(X1o
rX2)していてもよい1,4-フェニレン基、R*は式: -C*H
(CF3)-(CH2)mOCnH2n+1 で表される光学活性アルコール
の残基を示す。
Next, the liquid crystal compound of the general formula (1) used in the present invention is obtained by the method already disclosed by the present inventors.
3-198155). The outline of the manufacturing method is as follows. (B) AcO-Ph (X) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (X) -COCl (b) (b) + R * OH → AcO-Ph (3X) -COO-R * (c) (b) ) + Ph-CH 2 NH 2 → HO-Ph (3X) -COO-R * (d) RO-Ph-Ph-COOH + SOCl 2 → RO-Ph-Ph-COCl (e) (ha) + (d) ) → Target liquid crystal compound Ph in the formula is a 1,4-phenylene group, Ph (X) is a fluorine-substituted (X 1 o
rX 2 ), optionally 1,4-phenylene group, R * is of the formula: -C * H
The residue of the optically active alcohol represented by (CF 3 )-(CH 2 ) m OC n H 2n + 1 is shown.

【0022】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(イ) はp-アセトキシ安息香酸の塩化チオニルによ
る塩素化。(ロ) は塩化物(イ) と光学活性アルコールとの
反応によるエステルの生成。(ハ) はエステル(ロ) のベン
ジルアミンによる脱アセチル化。(ニ) は 4'-アルキルオ
キシビフェニル−4-カルボン酸の塩化チオニルによる塩
素化。(ホ) は (ハ)と(ニ) との反応による目的液晶化合物
の生成。
The above manufacturing method will be briefly described as follows. (A) is chlorination of p-acetoxybenzoic acid with thionyl chloride. (B) is an ester produced by the reaction of chloride (B) with an optically active alcohol. (C) is deacetylation of ester (B) with benzylamine. (D) is chlorination of 4'-alkyloxybiphenyl-4-carboxylic acid with thionyl chloride. (E) is the formation of the target liquid crystal compound by the reaction of (c) and (d).

【0023】本発明で使用される光学活性化合物は本発
明者らが既に明らかにした方法(特開平6-316810号)に
よって容易に製造できる。その製造法の概略は次の通り
である。 (1) HO-Ph(Y)-COOH + R3COCl → R3COO-Ph(X)-COOH (2) AcO-Ph(Z)-COOH + SOCl2 → AcO-Ph(X)-COCl (3) (2) + R*OH → AcO-Ph(X)-COOR* (4) (3) + PhCH2NH2 → HO-Ph(X)-COOR* (5) (1) + SOCl2 → R3COO-Ph(X)-COCl (6) (4) + (5) → 目的光学活性化合物 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(Y),Ph(Z) はフッ素置
換(Y1orY2,Z1orZ2) していてもよい1,4-フェニレン基、
R*は光学活性アルコール残基を示す。
The optically active compound used in the present invention can be easily produced by the method already disclosed by the present inventors (JP-A-6-316810). The outline of the manufacturing method is as follows. (1) HO-Ph (Y) -COOH + R 3 COCl → R 3 COO-Ph (X) -COOH (2) AcO-Ph (Z) -COOH + SOCl 2 → AcO-Ph (X) -COCl ( 3) (2) + R * OH → AcO-Ph (X) -COOR * (4) (3) + PhCH 2 NH 2 → HO-Ph (X) -COOR * (5) (1) + SOCl 2 → R 3 COO-Ph (X) -COCl (6) (4) + (5) → objective optically active compound Ph in the formula is 1,4-phenylene group, Ph (Y), Ph (Z) are fluorine-substituted ( Y 1 orY 2, Z 1 orZ 2) and each may be a 1,4-phenylene group,
R * represents an optically active alcohol residue.

【0024】上記製造法を簡単に説明すると次の通りで
ある。(1) はp-ヒドロキシ安息香酸と脂肪族酸塩化物と
の反応によるエステルの生成。(2) はp-アセトキシ安息
香酸の塩化チオニルによる酸塩化物の生成。(3) は (2)
の酸塩化物と光学活性アルコールとの反応によるエステ
ルの生成。(4) は (3)のベンジルアミンによる脱アセチ
ル化。(5) は (1)の塩化チオニルによる塩素化物の生
成。(6) は (4)と(5) による目的光学活性化合物の生
成。
The above manufacturing method will be briefly described as follows. (1) is the formation of an ester by the reaction of p-hydroxybenzoic acid with an aliphatic acid chloride. (2) is the formation of acid chloride by thionyl chloride of p-acetoxybenzoic acid. (3) is (2)
Of an ester by the reaction of an acid chloride of a salt with an optically active alcohol. (4) is deacetylation of (3) with benzylamine. (5) is the formation of a chlorinated product from thionyl chloride in (1). (6) is the formation of the target optically active compound by (4) and (5).

【0025】[0025]

【発明の効果】本発明の反強誘電性液晶組成物は、チル
ト角の低下が小さいにもかかわらず、しきい値電圧が低
く、高速応答性を示すものであった。
The antiferroelectric liquid crystal composition of the present invention has a low threshold voltage and exhibits a high-speed response, although the tilt angle is small.

【0026】[0026]

【実施例】以下の実施例において、本発明を更に詳細に
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 下記の化学式で示される反強誘電性液晶(1A)に、液晶化
合物(1'A) を10モル%、光学活性化合物(2A)を38モル%
の割合で混合した。 1A : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 1'A : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)3OC2H5 2A : C9H19-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位(X2)にフッ
素置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 In an antiferroelectric liquid crystal (1A) represented by the following chemical formula, 10 mol% of a liquid crystal compound (1'A) and 38 mol% of an optically active compound (2A) were used.
At a rate of 1A : C 8 H 17 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 1'A: C 8 H 17 -O-Ph -Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 3 OC 2 H 5 2A: C 9 H 19 -COO-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (3F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position (X 2 ), and C * is an asymmetric carbon.

【0027】得られた組成物の物性測定をした結果を下
記の表1、2に示した。本組成物はスメクチックA相を
持ち、また反強誘電相の温度範囲は実用材料として好ま
しく、また、しきい値電圧が低く、高速応答性を示し
た。なお、相の同定は、テクスチャー観察、コノスコー
プ像の観察、及びDSC(示差走差熱量計)の測定により行
なった。
The results of measuring the physical properties of the obtained composition are shown in Tables 1 and 2 below. The composition had a smectic A phase, the temperature range of the antiferroelectric phase was preferable as a practical material, the threshold voltage was low, and high-speed response was exhibited. The phase was identified by texture observation, conoscopic image observation, and DSC (differential differential scanning calorimeter) measurement.

【0028】得られた液晶組成物の光学応答を30℃で調
べた。セルは以下の手順で作製した。ITO 電極付きのガ
ラス基板をポリイミドコ−ティング後、一対のガラス基
板の片方のみをラビング処理した。粒径 1.6μmのスペ
−サ−を介し、一対のガラス基板を貼り合わせテストセ
ルとした。セル厚は 2μmであった。液晶が等方相とな
る温度まで加熱し、毛細管現象によりテストセル中に前
記液晶を注入した。その後、1℃/分の速度で徐冷し液
晶を平行配向させ、更に30℃まで冷却し物性を測定し
た。
The optical response of the obtained liquid crystal composition was examined at 30 ° C. The cell was produced by the following procedure. After the glass substrate with the ITO electrode was coated with polyimide, only one of the pair of glass substrates was rubbed. A pair of glass substrates were bonded together via a spacer having a particle diameter of 1.6 μm to form a test cell. The cell thickness was 2 μm. The liquid crystal was heated to a temperature at which the liquid crystal was in an isotropic phase, and the liquid crystal was injected into the test cell by a capillary phenomenon. Then, the liquid crystal was aligned in parallel by slow cooling at a rate of 1 ° C./minute, and further cooled to 30 ° C. to measure the physical properties.

【0029】次に、テストセルに±40V, 50mHzの三角波
電圧を印加し駆動を行い、透過光変化を調べた。透過光
強度が最低を0%、最高を 100%とし、反強誘電相から
強誘電相へ相転移する際に透過光強度が90%となる電圧
をしきい値電圧I と定義してしきい値電圧を測定した。
また、周波数 10Hz, 30Vのパルス電圧を印加して、透過
光強度が90%変化するに要する時間を応答時間と定義
し、反強誘電相から強誘電相へ相転移する場合を応答時
間I 、強誘電相から反強誘電相へ相転移する場合を応答
時間IIとした。得られた結果を後記表1、2に示した。
Next, a triangular wave voltage of ± 40 V and 50 mHz was applied to the test cell to drive it, and the change in transmitted light was examined. The threshold voltage I is defined as the voltage at which the transmitted light intensity is 90% when the phase transition from the antiferroelectric phase to the ferroelectric phase takes place, with the minimum transmitted light intensity being 0% and the maximum being 100%. The value voltage was measured.
The response time is defined as the response time, which is the time required for the transmitted light intensity to change by 90% when a pulse voltage with a frequency of 10 Hz and 30 V is applied. The response time II is the phase transition from the ferroelectric phase to the antiferroelectric phase. The obtained results are shown in Tables 1 and 2 below.

【0030】実施例2 実施例1で用いた反強誘電性液晶(1A)に、下記のフェリ
誘電性液晶(1'B) を30モル%、光学活性化合物(2B)を25
モル%の割合で混合した。 1'B : C8H17-O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CF3)(CH2)4OC2H5 2B : C10H21-COO-Ph-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のC*は不斉炭素を示す。得られた組成物はスメクチ
ックA相を持ち、また反強誘電相の温度範囲は実用材料
として好ましいものであった。
Example 2 To the antiferroelectric liquid crystal (1A) used in Example 1, 30 mol% of the following ferrielectric liquid crystal (1'B) and 25% of the optically active compound (2B) were added.
Mixed at a molar percentage. 1'B: C 8 H 17 -O-Ph-Ph-COO-Ph-COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 4 OC 2 H 5 2B: C 10 H 21 -COO-Ph-COO- Ph-COO-C * H ( CH 3) C 6 H 13 in formula C * is an asymmetric carbon. The obtained composition had a smectic A phase, and the temperature range of the antiferroelectric phase was preferable as a practical material.

【0031】実施例3 下記の反強誘電性液晶(1B)に、実施例2で用いたフェリ
誘電性液晶(1'B) を16モル%、光学活性化合物(2B)を20
モル%の割合で混合した。 1B : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)5OC2H5 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位(X2)にフッ
素置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
得られた組成物はスメクチックA相を持ち、また反強誘
電相の温度範囲は実用材料として好ましいものであっ
た。
Example 3 In the following antiferroelectric liquid crystal (1B), 16 mol% of the ferrielectric liquid crystal (1'B) used in Example 2 and 20% of the optically active compound (2B) were used.
Mixed at a molar percentage. 1B: C 9 H 19 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 5 OC 2 H 5 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, Ph (3F) is a 1,4-phenylene group substituted with fluorine at the 3-position (X 2 ), and C * is an asymmetric carbon.
The obtained composition had a smectic A phase, and the temperature range of the antiferroelectric phase was preferable as a practical material.

【0032】実施例4 実施例3で用いた反強誘電性液晶(1B)に、下記のフェリ
誘電性液晶(1'C) を10モル%、光学活性化合物(2C)を20
モル%の割合で混合した。 1'C : C9H19-O-Ph-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CF3)(CH2)4OC2H5 2C : C9H19-COO-Ph(2F)-COO-Ph-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位(X2)にフッ
素置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
得られた組成物の反強誘電相の温度範囲は実用材料とし
て好ましいものであった。
Example 4 In the antiferroelectric liquid crystal (1B) used in Example 3, 10 mol% of the following ferrielectric liquid crystal (1'C) and 20% of the optically active compound (2C) were added.
Mixed at a molar percentage. 1'C: C 9 H 19 -O-Ph-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CF 3 ) (CH 2 ) 4 OC 2 H 5 2C: C 9 H 19 -COO-Ph (2F) -COO-Ph-COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 In the formula, Ph is a 1,4-phenylene group, and Ph (3F) is fluorine-substituted at the 3-position (X 2 ) 1 The 1,4-phenylene group and C * represent an asymmetric carbon.
The temperature range of the antiferroelectric phase of the obtained composition was preferable as a practical material.

【0033】実施例5 実施例2で用いた反強誘電性液晶(1B)に、実施例2で用
いたフェリ誘電性液晶(2B)を15モル%、及び次の化学構
造式で示される光学活性化合物(3D)を30モル%の割合で
混合した。 2D : C9H19-COO-Ph-COO-Ph(3F)-COO-C*H(CH3)C6H13 式中のPhは1,4-フェニレン基、Ph(3F)は3位(Z2)にフッ
素置換された1,4-フェニレン基、C*は不斉炭素を示す。
得られた組成物の反強誘電相の温度範囲は実用材料とし
て好ましいものであった。
Example 5 15 mol% of the ferrielectric liquid crystal (2B) used in Example 2 was added to the antiferroelectric liquid crystal (1B) used in Example 2, and the optical structure represented by the following chemical structure was used. The active compound (3D) was mixed in a proportion of 30 mol%. 2D: C 9 H 19 -COO-Ph-COO-Ph (3F) -COO-C * H (CH 3 ) C 6 H 13 In the formula, Ph is 1,4-phenylene group and Ph (3F) is 3-position Fluorine-substituted 1,4-phenylene group in (Z 2 ), C * represents an asymmetric carbon.
The temperature range of the antiferroelectric phase of the obtained composition was preferable as a practical material.

【0034】実施例2〜5で得た組成物の物性を実施例
1と同様に測定した結果を下記の表1、2に示した。ま
た、用いた成分についても同様に物性測定をした結果を
示した。なお、一般式(2) で示される光学活性化合物
は、液晶相を持たず、融点はそれぞれ2A(27)、2B(47)、
2C(-7)、2D(45) (括弧内は融点 (℃))であった。
The physical properties of the compositions obtained in Examples 2 to 5 were measured in the same manner as in Example 1 and the results are shown in Tables 1 and 2 below. In addition, the results of similarly measuring the physical properties of the components used are also shown. The optically active compound represented by the general formula (2) does not have a liquid crystal phase and has melting points of 2A (27), 2B (47),
It was 2C (-7), 2D (45) (melting point (° C) in parentheses).

【0035】[0035]

【表1】 相 系 列 成分 モル比 実施例1 Cr(<-20)SCA*(61)SA(73)I 1A/1'A/2A =52/10/38 〃 2 Cr(<-20)SCA*(63)SC*(67)SA(77)I 1A/1'B/2B =45/30/25 〃 3 Cr(<-20)SCA*(61)SC*(71)SA(76)I 1B/1'B/2B =64/16/20 〃 4 Cr(<-20)SCA*(56)SC*(67)SA(72)I 1B/1'C/2C =70/10/20 〃 5 Cr(<-20)SCA*(58)SC*(60)SA(67)I 1B/1'B/2D =70/10/20 液晶 1A Cr(40)SCA*(77)SC*(83)I 1B Cr(<-50)SCA*(77)SC*(83)I 液晶 1'A Cr(56)SC*(108)SX(110)I 1'B Cr(57)SCγ*(101)SA(111)I 1'C Cr(<-20)SCγ*(89)SX(91)I 上記相系列において、 () 内は相転移温度 (℃) を示
し、SCA*は反強誘電相、SAはスメクチックA相、SC* は
カイラルスメクチックC相(強誘電相)、SCγ* はフェ
リ誘電相、Crは結晶相、Iは等方相を示す。
[Table 1] Phase system Sequence component Molar ratio Example 1 Cr (<-20) SCA * (61) SA (73) I 1A / 1'A / 2A = 52/10 / 38〃 2Cr (<-20) SCA * (63) SC * (67) SA (77) I 1A / 1'B / 2B = 45/30/25 〃 3 Cr (<-20) SCA * (61) SC * (71) SA (76) I 1B / 1'B / 2B = 64/16/20 〃 4 Cr (<-20) SCA * (56) SC * (67) SA (72) I 1B / 1'C / 2C = 70/10/20 〃 5 Cr (<-20) SCA * (58) SC * (60) SA (67) I 1B / 1'B / 2D = 70/10/20 LCD 1A Cr (40) SCA * (77) SC * ( 83) I 1B Cr (<-50) SCA * (77) SC * (83) I LCD 1'A Cr (56) SC * (108) SX (110) I 1'B Cr (57) SCγ * (101 ) SA (111) I 1'C Cr (<-20) SCγ * (89) SX (91) I In the above phase series, () indicates the phase transition temperature (° C) and SCA * is the antiferroelectric phase. , SA is a smectic A phase, SC * is a chiral smectic C phase (ferroelectric phase), SCγ * is a ferrielectric phase, Cr is a crystalline phase, and I is an isotropic phase.

【0036】[0036]

【表2】 しきい値電圧I 応答時間(μ秒) チルト角 (V/μm) I II ° 実施例1 4.8 23 1180 29 〃 2 3.0 23 5950 31 〃 3 4.0 35 2000 35 〃 4 4.9 23 3490 33 〃 5 3.6 28 7550 34 液晶 1A 4.2 55 1300 33 1B 4.5 58 3600 37 [Table 2] Threshold voltage I Response time (μsec) Tilt angle (V / μm) I II ° Example 1 4.8 23 1180 29 〃 2 3.0 23 5950 31 〃 3 4.0 35 2000 35 〃 4 4.9 23 3490 33 〃 5 3.6 28 7550 34 LCD 1A 4.2 55 1300 33 1B 4.5 58 3600 37

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本山 裕規 茨城県つくば市和台22番地 三菱瓦斯化学 株式会社総合研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Hironori Motoyama 22 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(1) で表される液晶化合物で
あって、その液晶相系列中で広い反強誘電相を有する液
晶化合物(1) に、下記一般式(1) で表される液晶化合物
であって該液晶化合物(1) よりも (m)が小さい液晶化合
物(1')及び下記一般式(2) で表される光学活性化合物を
混合してなる反強誘電性液晶組成物。 【化1】 (式中のR1, R2は直鎖アルキル基、X1,X2は水素原子ま
たは一方がフッ素原子で他方が水素原子、Y1,Y2は水素
原子または一方がフッ素原子で他方が水素原子、Z1,Z2
は水素原子または一方がフッ素原子で他方が水素原子、
mは2〜8の整数、nは1〜5の整数、pは 4〜8 の整
数、C*は不斉炭素である)。
1. A liquid crystal compound represented by the following general formula (1), which is a liquid crystal compound (1) having a wide antiferroelectric phase in its liquid crystal phase series. Anti-ferroelectric liquid crystal composition obtained by mixing a liquid crystal compound (1 ′) having a smaller (m) than the liquid crystal compound (1) and an optically active compound represented by the following general formula (2) Stuff. Embedded image (Wherein R 1 and R 2 are linear alkyl groups, X 1 and X 2 are hydrogen atoms or one is a fluorine atom and the other is a hydrogen atom, Y 1 and Y 2 are hydrogen atoms or one is a fluorine atom and the other is Hydrogen atom, Z 1 , Z 2
Is a hydrogen atom or one is a fluorine atom and the other is a hydrogen atom,
m is an integer of 2-8, n is an integer of 1-5, p is an integer of 4-8, and C * is an asymmetric carbon).
【請求項2】 該液晶化合物(1) が該一般式(1) におい
て、R1の炭素数が 8〜10、mが5〜8の範囲であって、
その液晶相系列中において反強誘電相がもっとも広い反
強誘電性液晶から選択する請求項1記載の反強誘電性液
晶組成物。
2. The liquid crystal compound (1) in the general formula (1), wherein R 1 has 8 to 10 carbon atoms and m is 5 to 8;
The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which is selected from antiferroelectric liquid crystals having the widest antiferroelectric phase in the liquid crystal phase series.
【請求項3】 該液晶化合物(1) が該一般式(1) におい
て、mが5、nが2の反強誘電性液晶である請求項2記
載の反強誘電性液晶組成物。
3. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 2, wherein the liquid crystal compound (1) is an antiferroelectric liquid crystal in which m is 5 and n is 2 in the general formula (1).
【請求項4】 該液晶化合物(1')が該一般式(1) におい
て、R1の炭素数が 8〜10、mが2〜4、nが2〜4の範
囲であって、その液晶相系列中にフェリ誘電相を有する
液晶化合物から選択する請求項1記載の反強誘電性液晶
組成物。
4. The liquid crystal compound (1 ′) according to the general formula (1), wherein R 1 has 8 to 10 carbon atoms, m is 2 to 4 and n is 2 to 4; The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which is selected from liquid crystal compounds having a ferrielectric phase in the phase sequence.
【請求項5】 該液晶化合物(1')の含量が組成物の 5〜
40モル%の範囲である請求項1記載の反強誘電性液晶組
成物。
5. The content of the liquid crystal compound (1 ′) is 5 to 5% of the composition.
The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which is in the range of 40 mol%.
【請求項6】 該一般式(2) におけるR2の炭素数が 8〜
12である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
6. The carbon number of R 2 in the general formula (2) is 8 to
The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which is 12.
【請求項7】 該一般式(2) におけるpが6である請求
項1記載の反強誘電性液晶組成物。
7. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein p in the general formula (2) is 6.
【請求項8】 該一般式(2) で表される光学活性化合物
の含量が組成物の10〜50モル%である請求項1記載の反
強誘電性液晶組成物。
8. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the content of the optically active compound represented by the general formula (2) is 10 to 50 mol% of the composition.
【請求項9】 該液晶組成物において、反強誘電相より
も高温側にスメクチックA相を有する請求項1記載の反
強誘電性液晶組成物。
9. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the liquid crystal composition has a smectic A phase on a higher temperature side than the antiferroelectric phase.
【請求項10】 少なくとも 0〜40℃の温度範囲で反強
誘電相である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
10. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which has an antiferroelectric phase in a temperature range of at least 0 to 40 ° C.
【請求項11】 少なくとも 0〜50℃の範囲で反強誘電
相である請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
11. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, which has an antiferroelectric phase at least in the range of 0 to 50 ° C.
【請求項12】 該組成物の反強誘電状態から強誘電状
態へ転移するときのしきい値電圧が10V/μm以下である
請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
12. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the threshold voltage at the time of transition from the antiferroelectric state to the ferroelectric state of the composition is 10 V / μm or less.
【請求項13】 該組成物の反強誘電状態から強誘電状
態へ転移するときのしきい値電圧が 5V/μm以下である
請求項1記載の反強誘電性液晶組成物。
13. The antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1, wherein the threshold voltage when the composition transitions from the antiferroelectric state to the ferroelectric state is 5 V / μm or less.
【請求項14】 走査電極と信号電極をマトリックス上
に配置した基板間に請求項1記載の反強誘電性液晶組成
物を狭持することを特徴とする単純マトリックス液晶表
示素子。
14. A simple matrix liquid crystal display device, characterized in that the antiferroelectric liquid crystal composition according to claim 1 is sandwiched between substrates on which scan electrodes and signal electrodes are arranged on a matrix.
【請求項15】 単純マトリックス液晶素子による電圧
による駆動を、1つの反強誘電状態と2つの強誘電状態
の間でスイッチグすることを特徴とする請求項14記載
の液晶組成物。
15. The liquid crystal composition according to claim 14, wherein the driving by the voltage of the simple matrix liquid crystal element is switched between one antiferroelectric state and two ferroelectric states.
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