JPH09298193A - Manufacture of passivation film - Google Patents
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- JPH09298193A JPH09298193A JP11400296A JP11400296A JPH09298193A JP H09298193 A JPH09298193 A JP H09298193A JP 11400296 A JP11400296 A JP 11400296A JP 11400296 A JP11400296 A JP 11400296A JP H09298193 A JPH09298193 A JP H09298193A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はパッシベーション膜
の製造方法に関し、特にプラズマＣＶＤ法を用いるパッ
シベーション膜の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a passivation film, and more particularly to a method of manufacturing a passivation film using a plasma CVD method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】パッシベーション膜は、膜の緻密さ（膜
質）、膜の耐湿性等が要求される。パッシベーション膜
は、例えばプラズマＣＶＤシリコン酸化膜で構成され
る。プラズマＣＶＤシリコン酸化膜は、プラズマＣＶＤ
法により形成されるシリコン酸化膜である。2. Description of the Related Art A passivation film is required to have a dense film quality (film quality) and a moisture resistance of the film. The passivation film is composed of, for example, a plasma CVD silicon oxide film. Plasma CVD Silicon oxide film is plasma CVD
Is a silicon oxide film formed by the method.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来は、単一ＲＦ周波
数を用いたプラズマＣＶＤ法により、プラズマＣＶＤシ
リコン酸化膜を製造していた。その場合、膜質を重視す
ると、形成した膜中に強い引っ張り応力が生じるという
問題点があった。引っ張り応力が強いと、パッシベーシ
ョン膜により保護されるべき配線が断線してしまうおそ
れがある。Conventionally, a plasma CVD silicon oxide film has been manufactured by a plasma CVD method using a single RF frequency. In that case, if the film quality is emphasized, there is a problem that a strong tensile stress is generated in the formed film. If the tensile stress is strong, the wiring to be protected by the passivation film may be broken.
【０００４】本発明の目的は、耐湿性および膜質に優
れ、かつストレスを制御することができるパッシベーシ
ョン膜の製造方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a method for producing a passivation film which is excellent in moisture resistance and film quality and which can control stress.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のパッシベーショ
ン膜の製造方法は、内部に２つの電極が配置されたチャ
ンバと、該電極間にプラズマを発生させるための高周波
ＲＦ電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバに接続され、該
チャンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを
供給するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャン
バ内を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣＶ
Ｄ装置におけるパッシベーション膜の製造方法であっ
て、前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する
工程と、前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する前記
低周波ＲＦ電源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定
し、２周波のＲＦ励起により前記被処理物上にパッシベ
ーション膜を堆積する工程とを含む。A method of manufacturing a passivation film according to the present invention comprises a chamber in which two electrodes are arranged, a high frequency RF power source and a low frequency RF power source for generating plasma between the electrodes. , A plasma CV provided with a gas supply pipe connected to the chamber for supplying a desired gas so that plasma can be generated in the chamber, and an exhaust pipe connected to the chamber for evacuating the chamber
A method of manufacturing a passivation film in an apparatus D, wherein a step of disposing an object to be processed on one electrode in the chamber, and a ratio of the RF power of the low frequency RF power source to the RF power of the high frequency RF power source are 1 0.0 or more, and depositing a passivation film on the object to be processed by RF excitation of two frequencies.
【０００６】高周波ＲＦパワーと低周波ＲＦパワーの２
周波励起によりプラズマ状態を生成し、該プラズマ状態
においてパッシベーション膜を成膜する。その際、高周
波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．０以
上に設定することにより、膜質を良好に維持しつつ、パ
ッシベーション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御
することができる。High frequency RF power and low frequency RF power
A plasma state is generated by frequency excitation, and a passivation film is formed in the plasma state. At that time, by setting the ratio of the low-frequency RF power to the high-frequency RF power to 1.0 or more, it is possible to control the humidity resistance and stress of the passivation film to desired values while maintaining good film quality.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施例によるパ
ッシベーション膜の製造方法を実現するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す。1 shows the structure of a plasma CVD apparatus for realizing a method for manufacturing a passivation film according to an embodiment of the present invention.
【０００８】プラズマＣＶＤ装置は、高周波ＲＦ電源４
Ａと低周波ＲＦ電源４Ｂとの２種類のＲＦ電源を有す
る。高周波ＲＦ電源４Ａは上部電極２Ａに接続され、例
えば１３．５６ＭＨｚのＲＦパワーを供給する。低周波
ＲＦ電源４Ｂは下部電極２Ｂに接続され、例えば２００
〜５００ｋＨｚのＲＦパワーを供給する。The plasma CVD apparatus includes a high frequency RF power source 4
It has two types of RF power sources, A and a low frequency RF power source 4B. The high frequency RF power source 4A is connected to the upper electrode 2A and supplies RF power of 13.56 MHz, for example. The low frequency RF power source 4B is connected to the lower electrode 2B, and is, for example, 200
Provides RF power of ~ 500 kHz.
【０００９】本発明者は、２周波のＲＦ励起によりパッ
シベーション膜を成膜する際、高周波ＲＦ電源４Ａによ
るＲＦパワーと低周波ＲＦ電源４ＢによるＲＦパワーと
の比率を制御することにより、パッシベーション膜の耐
湿性とストレスを制御することができることを発見し
た。The present inventor controls the ratio of the RF power from the high-frequency RF power source 4A to the RF power from the low-frequency RF power source 4B when forming the passivation film by RF excitation of two frequencies. We have found that we can control moisture resistance and stress.
【００１０】上部電極２Ａと下部電極２Ｂは、チャンバ
１内に配置される。下部電極２Ｂ上に、成膜対象の基板
３を載置する。チャンバ１内にプラズマを発生させるた
め、チャンバ１には、ガス供給管５および排気管７を接
続し、チャンバ１内に所望のガスを供給すると共に、内
部を所定の真空度に排気する。The upper electrode 2A and the lower electrode 2B are arranged in the chamber 1. The substrate 3 to be film-formed is placed on the lower electrode 2B. In order to generate plasma in the chamber 1, a gas supply pipe 5 and an exhaust pipe 7 are connected to the chamber 1, a desired gas is supplied into the chamber 1, and the inside is evacuated to a predetermined vacuum degree.
【００１１】真空ポンプ８は、排気管７を介して、チャ
ンバ１内のガスを排気する。圧力制御装置６は、排気管
７に取り付けられ、チャンバ１内の真空度を調整するこ
とができる。The vacuum pump 8 exhausts the gas in the chamber 1 through the exhaust pipe 7. The pressure control device 6 is attached to the exhaust pipe 7 and can adjust the degree of vacuum in the chamber 1.
【００１２】チャンバ１内にプラズマが発生すると、上
部電極２Ａと下部電極２Ｂとの間に発生するプラズマの
作用により、パッシベーション膜が基板３の表面に堆積
される。When plasma is generated in the chamber 1, a passivation film is deposited on the surface of the substrate 3 by the action of the plasma generated between the upper electrode 2A and the lower electrode 2B.
【００１３】例えば、ガス供給管５からＮ2 、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｎ2 Ｏをチャンバ１内に供給すれば、シリコン酸
化窒化膜がパッシベーション膜として基板３上に成膜さ
れる。なお、上部電極２Ａにはコイル９を接続し、下部
電極２Ｂにはコンデンサ１０を接続する。コイル９とコ
ンデンサ１０は、ＲＦ電源のインピーダンス整合を行う
ためのものである。For example, from the gas supply pipe 5 to N 2 , Si
When H 4 and N 2 O are supplied into the chamber 1, a silicon oxynitride film is formed on the substrate 3 as a passivation film. The coil 9 is connected to the upper electrode 2A, and the capacitor 10 is connected to the lower electrode 2B. The coil 9 and the capacitor 10 are for impedance matching of the RF power source.
【００１４】図２は、基板３上に成膜されるパッシベー
ション膜１３を示す。基板３は、例えばシリコンウエハ
１１の上にＢＰＳＧ膜１２が形成されたものである。パ
ッシベーション膜１３は、上記の方法に従い、基板３の
上に成膜される。FIG. 2 shows the passivation film 13 formed on the substrate 3. The substrate 3 is, for example, a silicon wafer 11 on which a BPSG film 12 is formed. The passivation film 13 is formed on the substrate 3 according to the above method.
【００１５】図３は、パッシベーション膜について高温
高湿試験を行った結果を示すグラフである。この試験
は、いわゆるＰＣＴと言われるものであり、図２に示
す、シリコンウエハ１１とＢＰＳＧ膜１２により形成さ
れる基板３の上にパッシベーション膜１３を成膜した半
導体装置について行った。FIG. 3 is a graph showing the results of a high temperature and high humidity test performed on the passivation film. This test is what is called PCT, and was conducted on a semiconductor device shown in FIG. 2 in which a passivation film 13 was formed on a substrate 3 formed by a silicon wafer 11 and a BPSG film 12.
【００１６】パッシベーション膜１３の成膜条件は、以
下の通りである。 基板温度 ３００〔℃〕 圧力 ２．００〔Ｔｏｒｒ〕 Ｎ2 流量 ４．５０〔ＳＬＭ〕 ＳｉＨ4 流量 ０．２０〔ＳＬＭ〕 Ｎ2 Ｏ流量 １．００〔ＳＬＭ〕 高周波ＲＦ周波数 １３．５６〔ＭＨｚ〕 低周波ＲＦ周波数 ３００〔ｋＨｚ〕 この成膜条件によって、シリコン酸化窒化膜がパッシベ
ーション膜１３として基板３上に成膜される。The film forming conditions for the passivation film 13 are as follows. Substrate temperature 300 [° C] Pressure 2.00 [Torr] N 2 flow rate 4.50 [SLM] SiH 4 flow rate 0.20 [SLM] N 2 O flow rate 1.00 [SLM] High frequency RF frequency 13.56 [MHz] Low frequency RF frequency 300 [kHz] Under these film forming conditions, a silicon oxynitride film is formed as a passivation film 13 on the substrate 3.
【００１７】図に示すグラフの横軸は試験時間を示し、
縦軸はＰ＝Ｏ結合のピーク消失量、すなわち吸湿性の高
さを示す。ＢＰＳＧ膜１２（図２）は、Ｐを含み、水分
を吸収するとＰ＝Ｏピーク消失量が多くなる。Ｐ＝Ｏピ
ーク消失量が小さいほど、耐湿性が優れていることを示
す。通常、時間（横軸）の経過と共に吸収した水分の量
（縦軸）が多くなっていく。The horizontal axis of the graph shown in the figure represents the test time,
The vertical axis represents the amount of peak disappearance of the P = O bond, that is, the hygroscopicity. The BPSG film 12 (FIG. 2) contains P, and when water is absorbed, the amount of disappearance of the P═O peak increases. The smaller the P = O peak disappearance amount, the better the moisture resistance. Usually, the amount of absorbed water (vertical axis) increases with the passage of time (horizontal axis).
【００１８】グラフ中の記号●と■は、共にＲＦトータ
ルパワーを１ｋＷとし、高周波ＲＦパワーに対する低周
波ＲＦパワーの比率を変えたものである。●は、低周波
ＲＦパワーが０．７ｋＷであり、高周波ＲＦパワーが
０．３ｋＷである場合を示す。ＲＦトータルパワーは、
０．７＋０．３＝１ｋＷである。低周波ＲＦパワー／高
周波ＲＦパワーをＲＦ印加比率αとして表すと、α＝
０．７／０．３≒２．３３である。Symbols ● and ■ in the graph both show that the total RF power is 1 kW and the ratio of the low frequency RF power to the high frequency RF power is changed. A black circle indicates that the low frequency RF power is 0.7 kW and the high frequency RF power is 0.3 kW. RF total power is
0.7 + 0.3 = 1 kW. When low frequency RF power / high frequency RF power is expressed as an RF application ratio α, α =
0.7 / 0.3≈2.33.
【００１９】■は、低周波ＲＦパワーが０．３ｋＷであ
り、高周波ＲＦパワーが０．７ｋＷである場合を示す。
ＲＦトータルパワーは、●と同じく、０．３＋０．７＝
１ｋＷである。ＲＦ印加比率α＝０．３／０．７≒０．
４３である。(1) shows the case where the low frequency RF power is 0.3 kW and the high frequency RF power is 0.7 kW.
RF total power is 0.3 + 0.7 =
It is 1 kW. RF application ratio α = 0.3 / 0.7≈0.
43.
【００２０】ＲＦ印加比率αが大きいと、Ｐ＝Ｏピーク
消失量が小さい、すなわち耐湿性がよいという傾向を予
測できる。なお、Ｐ＝Ｏピーク消失量は、４００付近で
飽和する。次に、この試験結果に基づき、より詳細な試
験を行った結果を示す。If the RF application ratio α is large, it can be predicted that the amount of P = O peak disappearance is small, that is, the moisture resistance is good. The P = 0 disappearance amount saturates around 400. Next, based on this test result, the result of a more detailed test is shown.
【００２１】図４は、パッシベーション膜についてより
詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフである。
横軸は試験時間を示し、縦軸はＰＯ結合（Ｐ＝Ｏ）ピー
ク消失量を示す。FIG. 4 is a graph showing the results of a more detailed high temperature and high humidity test performed on the passivation film.
The horizontal axis represents the test time, and the vertical axis represents the PO bond (P = O) peak disappearance amount.
【００２２】この試験は、先の高温高湿試験と同じ成膜
条件により生成したパッシベーション膜について行っ
た。ただし、ＢＰＳＧ膜（図２）中のＢとＰの濃度、ま
たはパッシベーション膜の膜厚が先の高温高湿試験と異
なるため、Ｐ＝Ｏピーク消失量の値が少しずれている。This test was conducted on the passivation film produced under the same film forming conditions as the above-mentioned high temperature and high humidity test. However, since the concentrations of B and P in the BPSG film (FIG. 2) or the film thickness of the passivation film are different from those in the previous high temperature and high humidity test, the value of the P = 0 peak disappearance amount is slightly different.
【００２３】ＲＦトータルパワーを同じとし、高周波Ｒ
Ｆパワーと低周波ＲＦパワーの比率を変えた以下の４つ
の条件について試験を行った。RF total power is the same, high frequency R
The test was conducted under the following four conditions in which the ratio of F power and low frequency RF power was changed.
【００２４】グラフ中の記号■は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．６７〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．３３〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ０．５０The symbol (1) in the graph indicates the following conditions. High frequency RF power 0.67 [kW] Low frequency RF power 0.33 [kW] RF application ratio α 0.50
【００２５】□は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．５０〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．５０〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α １．００□ indicates the following conditions. High frequency RF power 0.50 [kW] Low frequency RF power 0.50 [kW] RF application ratio α 1.00
【００２６】●は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．３３〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．６７〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ２．００ indicates the following conditions. High frequency RF power 0.33 [kW] Low frequency RF power 0.67 [kW] RF application ratio α 2.00
【００２７】○は、以下の条件である。 高周波ＲＦパワー ０．２５〔ｋＷ〕 低周波ＲＦパワー ０．７５〔ｋｗ〕 ＲＦ印加比率α ３．００ 表１は、この４つのαの条件における試験結果を示す。◯ indicates the following conditions. High frequency RF power 0.25 [kW] Low frequency RF power 0.75 [kW] RF application ratio α 3.00 Table 1 shows the test results under the conditions of these four α.
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】図４は、表１をグラフで表したものであ
る。Ｐ＝Ｏピーク消失量は、３００を越えたところで飽
和する。この高温高湿試験により、耐湿性の良否を判定
することができる。通常、試験時間が２００ｈｏｕｒに
おいて、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００未満であれば、耐
湿性試験に合格したといえる。FIG. 4 is a graphical representation of Table 1. The disappearance amount of the P = O peak is saturated when it exceeds 300. By this high temperature and high humidity test, it is possible to judge whether the moisture resistance is good or bad. Usually, when the test time is 200 hours and the amount of P = O peak disappearance is less than 300, it can be said that the moisture resistance test has passed.
【００３０】ここでは、試験の都合上、２００ｈｏｕｒ
に代え、１６０ｈｏｕｒにおけるＰ＝Ｏピーク消失量を
判定する。α＝０．５０と１．００では、Ｐ＝Ｏピーク
消失量が３００以上であるので、不合格である。α＝
２．００と３．００では、Ｐ＝Ｏピーク消失量が３００
未満であるので、合格である。ＲＦ印加比率αを大きく
するほど、耐湿性の優れたパッシベーション膜を製造で
きることがわかる。Here, for the convenience of the test, 200 hours
Instead, the P = O peak disappearance amount at 160 hours is determined. At α = 0.50 and 1.00, the P = O peak disappearance amount is 300 or more, and therefore it is unacceptable. α =
At 2.00 and 3.00, the P = O peak disappearance amount is 300.
It is less than, so it passes. It is understood that the passivation film having excellent moisture resistance can be manufactured as the RF application ratio α is increased.
【００３１】図５は、ＲＦ印加比率αと膜ストレスの関
係を示すグラフである。横軸は、ＲＦ印加比率αを示
し、縦軸は膜ストレスを示す。通常、パッシベーション
膜のストレスが大きいと、条件に応じて保護すべき配線
が断線することがあるので、一般的に好ましくない。FIG. 5 is a graph showing the relationship between the RF application ratio α and the film stress. The horizontal axis represents the RF application ratio α, and the vertical axis represents the film stress. Usually, if the stress of the passivation film is large, the wiring to be protected may be disconnected depending on the conditions, which is generally not preferable.
【００３２】このストレス試験は、図４の高温高湿試験
に用いたサンプルと同じ成膜条件により生成したパッシ
ベーション膜について行った。表２は、先の試験と同様
に、ＲＦトータルパワーを１ｋＷとしたときの、４つの
ＲＦ印加比率α＝０．５，１．０，２．０，３．０につ
いて行ったストレス試験の結果である。This stress test was conducted on a passivation film formed under the same film forming conditions as the sample used in the high temperature and high humidity test of FIG. Table 2 shows the results of the stress test performed for four RF application ratios α = 0.5, 1.0, 2.0, and 3.0 when the RF total power is 1 kW, as in the previous test. Is.
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】図５は、表２をグラフで表したものであ
る。ＲＦ印加比率αを大きくするほど、パッシベーショ
ン膜中のストレスが大きくなることがわかる。FIG. 5 is a graphical representation of Table 2. It can be seen that the stress in the passivation film increases as the RF application ratio α increases.
【００３５】上記の高温高湿試験とストレス試験の結果
より、ＲＦ印加比率αを大きくすると、耐湿性は優れ好
ましいが、ストレスが大きくなってしまい好ましくな
い。そこで、パッシベーション膜の耐湿性とストレスと
の兼ね合いで、パッシベーション膜の使用状況に応じ
て、ＲＦ印加比率αを決める必要がある。From the results of the above high temperature and high humidity test and the stress test, when the RF application ratio α is increased, the moisture resistance is excellent and preferable, but the stress becomes large, which is not preferable. Therefore, it is necessary to determine the RF application ratio α depending on the usage of the passivation film in consideration of the moisture resistance of the passivation film and the stress.
【００３６】ストレスは、使用状況に応じて大きくまた
は小さく設定すればよい。一方、耐湿性は、パッシベー
ション膜を用いる半導体装置の寿命にかかわるので、一
定基準以上が要求される。The stress may be set to be large or small depending on the use situation. On the other hand, the moisture resistance is required to exceed a certain standard because it affects the life of a semiconductor device using a passivation film.
【００３７】ストレスを重視するときには、ＲＦ印加比
率αを１．０以上に設定すれば、ある程度の耐湿性を維
持しつつ、ストレスを小さくすることができる。この範
囲であれば、膜質のよいパッシベーション膜を製造する
ことができる。一方、耐湿性を重視するときには、ＲＦ
印加比率を２．０以上に設定すれば、耐湿性を良好にし
つつ、ストレスの値を所望の値に制御することができ
る。When stress is emphasized, if the RF application ratio α is set to 1.0 or more, the stress can be reduced while maintaining moisture resistance to some extent. Within this range, a passivation film with good film quality can be manufactured. On the other hand, when importance is attached to moisture resistance, RF
When the application ratio is set to 2.0 or more, it is possible to control the stress value to a desired value while improving the moisture resistance.
【００３８】ＲＦ印加比率αの上限は３．０が好まし
い。したがって、ＲＦ印加比率は１．０≦α≦３．０、
より好ましくは２．０≦α≦３．０である。２周波励起
のうち、高周波ＲＦ周波数は１３．５６ＭＨｚ、低周波
ＲＦ周波数は９０ｋＨｚから４５０ｋＨｚが好ましい。The upper limit of the RF application ratio α is preferably 3.0. Therefore, the RF application ratio is 1.0 ≦ α ≦ 3.0,
More preferably, 2.0 ≦ α ≦ 3.0. Of the two-frequency excitation, the high frequency RF frequency is preferably 13.56 MHz, and the low frequency RF frequency is preferably 90 kHz to 450 kHz.
【００３９】なお、本実施例では、パッシベーション膜
としてシリコン酸化窒化膜を成膜する例を説明したが、
それに限定されるものでなない。例えば、供給ガスの条
件を変えて酸化膜または窒化膜をパッシベーション膜と
して成膜する場合にも、適用することができる。In this embodiment, an example in which a silicon oxynitride film is formed as a passivation film has been described.
It is not limited to that. For example, it can be applied to the case where an oxide film or a nitride film is formed as a passivation film by changing the conditions of the supply gas.
【００４０】また、パッシベーション膜は、種々の膜の
上に成膜することができ、ファイナルパッシベーション
膜または層間絶縁膜として使用する場合は勿論のこと、
半導体技術分野以外でも適用することができる。Further, the passivation film can be formed on various films. Of course, when it is used as a final passivation film or an interlayer insulating film,
It can also be applied outside the field of semiconductor technology.
【００４１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。The present invention has been described in connection with the preferred embodiments.
The present invention is not limited to these. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
【００４２】[0042]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波ＲＦパワーに対する低周波ＲＦパワーの比を１．
０以上に設定した２周波励起によりパッシベーション膜
を成膜するので、膜質を良好に維持しつつ、パッシベー
ション膜の耐湿性とストレスを所望の値に制御すること
ができる。As described above, according to the present invention,
The ratio of low frequency RF power to high frequency RF power is 1.
Since the passivation film is formed by two-frequency excitation set to 0 or more, the moisture resistance and stress of the passivation film can be controlled to desired values while maintaining good film quality.
【図１】本発明の実施例によるパッシベーション膜の製
造方法を実現するためのプラズマＣＶＤ装置の構成を示
す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a plasma CVD apparatus for realizing a method for manufacturing a passivation film according to an example of the present invention.
【図２】本実施例により基板上に成膜されるパッシベー
ション膜を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a passivation film formed on a substrate according to this embodiment.
【図３】本実施例によるパッシベーション膜について高
温高湿試験を行った結果を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the results of a high temperature and high humidity test performed on the passivation film according to this example.
【図４】本実施例によるパッシベーション膜についてよ
り詳細な高温高湿試験を行った結果を示すグラフであ
る。FIG. 4 is a graph showing the results of a more detailed high temperature and high humidity test performed on the passivation film according to this example.
【図５】ＲＦ印加比率と膜ストレスの関係を示すグラフ
である。FIG. 5 is a graph showing the relationship between RF application ratio and film stress.
１ チャンバ ２Ａ 上部電極 ２Ｂ 下部電極 ３ 基板 ４Ａ 高周波ＲＦ電源 ４Ｂ 低周波ＲＦ電源 ５ ガス供給管 ６ 圧力制御装置 ７ 排気管 ８ 真空ポンプ ９ コイル １０ コンデンサ １１ シリコンウエハ １２ ＢＰＳＧ膜 １３ パッシベーション膜 1 Chamber 2A Upper Electrode 2B Lower Electrode 3 Substrate 4A High Frequency RF Power Source 4B Low Frequency RF Power Source 5 Gas Supply Pipe 6 Pressure Control Device 7 Exhaust Pipe 8 Vacuum Pump 9 Coil 10 Capacitor 11 Silicon Wafer 12 BPSG Film 13 Passivation Film
Claims (2)
と、該電極間にプラズマを発生させるための高周波ＲＦ
電源と低周波ＲＦ電源と、チャンバに接続され、該チャ
ンバ内にプラズマが発生し得るように所望のガスを供給
するガス供給管と、チャンバに接続され、該チャンバ内
を真空にするための排気管とを備えたプラズマＣＶＤ装
置におけるパッシベーション膜の製造方法であって、 前記チャンバ内の一の電極上に被処理物を配置する工程
と、 前記高周波ＲＦ電源のＲＦパワーに対する前記低周波Ｒ
Ｆ電源のＲＦパワーの比を１．０以上に設定し、２周波
のＲＦ励起により前記被処理物上にパッシベーション膜
を堆積する工程とを含むパッシベーション膜の製造方
法。1. A chamber in which two electrodes are arranged, and a high frequency RF for generating plasma between the electrodes.
A power supply, a low-frequency RF power supply, a gas supply pipe that is connected to the chamber and supplies a desired gas so that plasma can be generated in the chamber, and an exhaust gas that is connected to the chamber and forms a vacuum in the chamber. A method of manufacturing a passivation film in a plasma CVD apparatus including a tube, comprising: disposing an object to be processed on one electrode in the chamber; and the low frequency R with respect to the RF power of the high frequency RF power source.
A method of manufacturing a passivation film, comprising the step of setting the RF power ratio of the F power source to 1.0 or more and depositing a passivation film on the object to be processed by RF excitation of two frequencies.
る前記低周波ＲＦ電源のＲＦパワーの比を２．０以上に
設定し、２周波のＲＦ励起により前記被処理物上にパッ
シベーション膜を堆積する請求項１記載のパッシベーシ
ョン膜の製造方法。2. The ratio of the RF power of the low frequency RF power supply to the RF power of the high frequency RF power supply is set to 2.0 or more, and a passivation film is deposited on the object to be processed by RF excitation of two frequencies. Item 2. A method for manufacturing a passivation film according to item 1.
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| JP11400296A JPH09298193A (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Manufacture of passivation film |
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| JPH09298193A true JPH09298193A (en) | 1997-11-18 |
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ID=14626608
Family Applications (1)
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| JP11400296A Withdrawn JPH09298193A (en) | 1996-05-08 | 1996-05-08 | Manufacture of passivation film |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-05-08 JP JP11400296A patent/JPH09298193A/en not_active Withdrawn
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