JPH09295263A - Polishing device - Google Patents
Polishing deviceInfo
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- JPH09295263A JPH09295263A JP10888796A JP10888796A JPH09295263A JP H09295263 A JPH09295263 A JP H09295263A JP 10888796 A JP10888796 A JP 10888796A JP 10888796 A JP10888796 A JP 10888796A JP H09295263 A JPH09295263 A JP H09295263A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウエハな
どのウエハ（板状物）等の研磨装置に関し、特に半導体
素子の製造工程で用いられるウエハの研磨に好適な研磨
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a wafer (plate-like object) such as a silicon wafer, and more particularly to a polishing apparatus suitable for polishing a wafer used in a semiconductor element manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子の製造工程におけるウエハの
研磨は、研磨定盤に被着された研磨パッドを試料台のウ
エハ載置部に保持されたウエハに押し当て、その間に研
磨スラリー（砥粒液）を供給し、ウエハ載置部を回転
（自転）させるとともに研磨定盤と試料台のいずれか一
方、または両方を回転（公転）させることにより行われ
る。2. Description of the Related Art A wafer is polished in a semiconductor element manufacturing process by pressing a polishing pad adhered to a polishing platen against a wafer held on a wafer mounting portion of a sample table, and polishing slurry (abrasive grains) between them. Liquid is supplied to rotate (rotate) the wafer mounting portion, and at the same time, rotate (revolve) one or both of the polishing platen and the sample table.
【０００３】この研磨時の回転運動によりウエハの外縁
には大きな力が加わることと、ウエハと研磨パッドの間
から滲みでたスラリーがウエハの外縁付近に滞留するこ
とから、ウエハの周縁部分が過剰に研磨され、面ダレを
起こすことが多い。この対策としてウエハの周囲に所定
厚みのリテーナを設けることが行われる。A large force is applied to the outer edge of the wafer by this rotational movement during polishing, and the slurry exuded from between the wafer and the polishing pad stays near the outer edge of the wafer, so that the peripheral portion of the wafer is excessive. It is often abraded, causing surface sagging. As a countermeasure, a retainer having a predetermined thickness is provided around the wafer.
【０００４】図１は、ウエハの研磨装置を示す模式的縦
断面図である。研磨パッド１２が被着された研磨定盤１
１が、研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’を中心としてこのまわり
を回転（公転）する。ウエハ載置部１４が設けられた試
料台１５が、試料台回転軸Ｂ−Ｂ’を中心としてこのま
わりを回転（公転）する。研磨定盤回転軸Ａ−Ａ’と試
料台回転軸Ｂ−Ｂ’は一致させる場合もあれば、異なら
せる場合もある。リテーナ１３を有するウエハ載置部１
４はウエハ載置部回転軸Ｃ−Ｃ’を中心としてこの回り
を回転する。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing a wafer polishing apparatus. Polishing surface plate 1 to which polishing pad 12 is attached
1 rotates (revolves) around the rotation axis AA ′ of the polishing plate. The sample table 15 provided with the wafer mounting part 14 rotates (revolves) around the sample table rotation axis BB ′. The polishing platen rotation axis AA ′ and the sample stage rotation axis BB ′ may be the same or different. Wafer mount 1 having retainer 13
4 rotates about the wafer mounting portion rotation axis CC ′.
【０００５】なお、回転方向は、研磨定盤１１を上方か
ら見て、時計まわりを＋、反時計まわりを−で表現する
ことにする。図１では、研磨定盤、試料台およびウエハ
載置部は、全て＋方向に回転していることを示してい
る。The rotation direction is represented by + for clockwise and-for counterclockwise when the polishing platen 11 is viewed from above. FIG. 1 shows that the polishing surface plate, the sample table, and the wafer mounting portion are all rotating in the + direction.
【０００６】図２は、ウエハの研磨装置の試料台を示す
模式的平面図である。試料台１５には、ウエハ載置部１
４が５つ設けられている。図２では、それぞれのウエハ
載置部１４、試料台１５、および研磨定盤（図示せず）
は、すべて＋方向に回転している。FIG. 2 is a schematic plan view showing a sample stage of a wafer polishing apparatus. The wafer stage 1 is mounted on the sample table 15.
Five 4 are provided. In FIG. 2, each wafer mounting portion 14, sample stage 15, and polishing platen (not shown)
Are all rotating in the + direction.
【０００７】図３は、ウエハの研磨装置のウエハ載置部
を示す模式的縦断面図である。ウエハ載置部１４のウエ
ハ載置面１６にはウエハ保持用溝１７が形成され、排気
用貫通孔１８を介してこのウエハ保持用溝１７を真空に
排気することにより、ウエハＳがこのウエハ載置面１６
に真空吸着される。このウエハ載置面１６の周囲に、リ
テーナ１３が配設されている。このリテーナ１３の上面
は、ウエハＳをウエハ載置面１６に載置したとき、ウエ
ハＳの表面とほぼ同一の高さになる程度の高さに調整さ
れており、これによりウエハＳを研磨する際、研磨パッ
ド１２が安定した平面で回転し、ウエハＳ周縁部の面ダ
レの発生が防止されるように構成されている。FIG. 3 is a schematic vertical sectional view showing a wafer mounting portion of a wafer polishing apparatus. A wafer holding groove 17 is formed on the wafer mounting surface 16 of the wafer mounting portion 14, and by evacuating the wafer holding groove 17 to a vacuum through the exhaust through hole 18, the wafer S is mounted on the wafer mounting surface 14. Surface 16
Is adsorbed in vacuum. A retainer 13 is arranged around the wafer mounting surface 16. The upper surface of the retainer 13 is adjusted to have a height that is substantially the same as the surface of the wafer S when the wafer S is mounted on the wafer mounting surface 16, and thus the wafer S is polished. At this time, the polishing pad 12 is rotated in a stable plane, and the occurrence of surface sagging at the peripheral portion of the wafer S is prevented.
【０００８】リテーナは、通常研磨される材料とほぼ同
じ材質、例えばウエハＳ上のシリコン酸化膜を研磨する
場合は、石英で作製されている。また、リテーナの表面
は平坦な面に作製されている。The retainer is made of substantially the same material as the material that is usually polished, for example, quartz when polishing the silicon oxide film on the wafer S. The surface of the retainer is made flat.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような研磨パッドを用いた研磨装置には、研磨処理の
時間が経過するにつれて、研磨パッドの目詰まりが進行
し、ウエハの研磨速度が低下するという問題がある。However, in the polishing apparatus using the polishing pad as described above, the polishing pad is clogged and the polishing rate of the wafer decreases as the polishing time elapses. There is a problem.
【００１０】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、研磨パッドの目詰まりの進行を
抑え、長期間にわたってウエハの研磨速度を安定させる
ことができる研磨装置を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made to solve such a problem, and provides a polishing apparatus capable of suppressing the progress of clogging of a polishing pad and stabilizing the polishing rate of a wafer for a long period of time. Is intended.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の研磨装置は、ウ
エハ載置部が配置された試料台と、研磨パッドが被着さ
れた研磨定盤と、ウエハ載置部をその中心軸のまわりに
回転させる機構と、試料台をその中心軸のまわりに回転
させる機構および／または研磨定盤をその中心軸のまわ
りに回転させる機構を備え、ウエハ載置部に保持された
ウエハに、研磨定盤に被着された研磨パッドを押し当
て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリーを供給し、
ウエハ載置部と試料台および／または研磨定盤とを回転
させてウエハを研磨する研磨装置であって、ウエハ載置
部のウエハ載置面の外周部にリテーナを備え、前記リテ
ーナの研磨パッドと対向する面に、溝の各部とリテーナ
中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向
に向かうにしたがい大きくなる形状の溝が複数設けられ
ていることを特徴としている。A polishing apparatus according to the present invention comprises a sample stage on which a wafer mounting portion is arranged, a polishing surface plate on which a polishing pad is attached, and a wafer mounting portion around a central axis thereof. And a mechanism for rotating the sample table around its central axis and / or a mechanism for rotating the polishing platen around its central axis. Press the polishing pad attached to the board, supply the polishing slurry between the wafer and the polishing pad,
A polishing apparatus for polishing a wafer by rotating a wafer mounting part and a sample table and / or a polishing platen, comprising a retainer on an outer peripheral portion of a wafer mounting surface of the wafer mounting part, and the polishing pad of the retainer. A plurality of grooves each having a shape in which the distance between each part of the groove and the center of the retainer increases in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting portion are provided on the surface facing the groove.
【００１２】なお、溝の各部とリテーナ中心間の距離が
ウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向かうにした
がい大きくなるとは、例えば、図４に示すように、リテ
ーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と逆向きに
並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテーナの中心
からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増加するこ
とを意味している。The fact that the distance between each part of the groove and the center of the retainer increases in the direction opposite to the direction of rotation of the wafer mounting part means that, for example, as shown in FIG. Means that the distances RV, RW, RX, RY, and RZ from the center of the retainer sequentially increase with respect to points V, W, X, Y, and Z that are arranged in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting portion. are doing.
【００１３】本発明の研磨装置によれば、リテーナの表
面（上面）に溝が設けられているので、このリテーナ表
面の溝の角で、研磨パッドの表面を削りとり、シーズニ
ング（目たて）することができる。このため、研磨パッ
ドの目詰まりの進行を抑えることができる。その結果、
ウエハの研磨速度の低下が抑えられ、長期間安定したウ
エハの研磨が可能になる。According to the polishing apparatus of the present invention, since a groove is provided on the surface (upper surface) of the retainer, the surface of the polishing pad is scraped off at the corners of the groove on the surface of the retainer, and seasoning is performed. can do. Therefore, the progress of clogging of the polishing pad can be suppressed. as a result,
A decrease in the polishing rate of the wafer is suppressed, and stable polishing of the wafer can be performed for a long period of time.
【００１４】また、この溝の平面パターンが、溝の各部
とリテーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆
向きの方向に向かうにしたがい大きくなる複数の溝で形
成されているので、研磨パッドの表面を均一に削りとる
ことができる。すなわち、均一にシーズニング（目た
て）することができる。その結果、この研磨装置では、
研磨パッドを長期間安定して使用することも可能にな
る。Further, since the plane pattern of the groove is formed by a plurality of grooves in which the distance between each part of the groove and the center of the retainer increases in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting portion, The surface of the polishing pad can be scraped off uniformly. That is, the seasoning can be performed uniformly. As a result, with this polishing machine,
It is also possible to use the polishing pad stably for a long period of time.
【００１５】リテーナの溝の平面パターンが研磨パッド
のシーズニングの分布に与える影響について、以下のよ
うにして数値計算により評価した。The effect of the planar pattern of the groove of the retainer on the seasoning distribution of the polishing pad was evaluated by numerical calculation as follows.
【００１６】図６は、リテーナの溝の研磨パッド上の平
面運動を説明する模式図である。この図は、研磨パッド
上の座標平面から見たものである。リテーナ１３の溝２
１はウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨定盤の回転と試料台の回転の合成された方向に回転
（公転）し、研磨パッド上を走査する。FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the plane movement of the groove of the retainer on the polishing pad. This figure is viewed from the coordinate plane on the polishing pad. Groove 2 of retainer 13
1 is rotating (spinning) with the rotation of the wafer mounting part,
The polishing pad is rotated (revolved) in the combined direction of the rotation of the polishing platen and the rotation of the sample table, and the polishing pad is scanned.
【００１７】リテーナの溝上の点がパッド表面に描く軌
跡を計算し、研磨パッド表面をメッシュに分割し、各メ
ッシュについて、この溝上の点が通過する回数を計算し
た。そして、研磨パッドの１つの直径に着目して、この
通過回数のヒストグラムを作成した。計算は、研磨パッ
ド中心と試料台中心を１０（ｍｍ）離した条件で、研磨
パッドの回転速度と試料台の回転速度の差、すなわち公
転の回転速度、とウエハ載置部の回転速度、すなわち自
転の回転速度、との比がほぼ１の条件で、行った。追跡
したそれぞれ溝の点の数は、１３個である。The locus of the point on the groove of the retainer drawn on the pad surface was calculated, the surface of the polishing pad was divided into meshes, and the number of times the point on the groove passed was calculated for each mesh. Then, focusing on one diameter of the polishing pad, a histogram of the number of passages was created. The calculation is performed under the condition that the center of the polishing pad and the center of the sample stage are separated by 10 (mm), that is, the difference between the rotation speed of the polishing pad and the rotation speed of the sample stage, that is, the revolution speed of the revolution, and the rotation speed of the wafer mounting part, It was performed under the condition that the ratio to the rotation speed of rotation was about 1. The number of traced points in each groove is 13.
【００１８】図７は、この計算に用いた３種類の溝のパ
ターンを示す模式図である。図７（ａ）に示す溝は、溝
とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θaが−４５
゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中心間
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなるものである。図７（ｂ）に示す
溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θb
が０゜のものである。すなわち、溝の各部とリテーナ中
心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に
向かうにしたがい大きくなるとも小さくなるともいえな
いものであり、その境界のものである。図７（ｃ）に示
す溝は、溝とリテーナの直径方向（O-O'）となす角度θ
cが＋４５゜のものである。すなわち、溝の各部とリテ
ーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの
方向に向かうにしたがい小さくなるものである。角度θ
a、θcの符号は、ウエハ載置部の回転方向に進んだもの
を＋、遅れたものを−と表現している。FIG. 7 is a schematic diagram showing the patterns of the three types of grooves used in this calculation. In the groove shown in FIG. 7A, the angle θa formed between the groove and the diametrical direction (OO ′) of the retainer is −45.
゜. That is, the distance between each part of the groove and the center of the retainer increases in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting part. The groove shown in FIG. 7B has an angle θb between the groove and the diametrical direction (OO ′) of the retainer.
Is 0 °. That is, it cannot be said that the distance between each part of the groove and the center of the retainer becomes larger and smaller as it goes in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting part, and it is at the boundary thereof. The groove shown in FIG. 7 (c) has an angle θ between the groove and the diametrical direction (O-O ') of the retainer.
c is + 45 °. That is, the distance between each part of the groove and the center of the retainer becomes smaller in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting part. Angle θ
The signs of a and θc are expressed as + when the wafer mounting portion advances in the rotation direction and as − when the wafer mounting portion is delayed.
【００１９】図８は、研磨パッドの直径部分の通過回数
のヒストグラムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）およ
び（ｃ）は、それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および
（ｃ）に示す溝パターンに関する計算結果である。図８
（ａ）の分布は、図８（ｂ）および（ｃ）の分布に比
べ、通過回数が均一になっている。FIG. 8 shows the result of a histogram of the number of passages through the diameter portion of the polishing pad. FIGS. 8A, 8B and 8C are calculation results for the groove patterns shown in FIGS. 7A, 7B and 7C, respectively. FIG.
In the distribution of (a), the number of passages is more uniform than the distributions of FIGS. 8 (b) and 8 (c).
【００２０】この結果から、溝の各部とリテーナ中心間
の距離がウエハ載置部の回転方向と逆向きの方向に向か
うにしたがい大きくなる溝とすれば、研磨パッドの表面
を均一に削りとることができることがわかる。From these results, if the distance between each part of the groove and the center of the retainer becomes larger in the direction opposite to the direction of rotation of the wafer mounting part, the surface of the polishing pad should be scraped uniformly. You can see that
【００２１】なお、図７で行ったように、リテーナの溝
のリテーナの直径方向となす角度でこの溝の平面パター
ンを簡易的に表現することができる。リテーナの溝のリ
テーナの直径方向となす角度を用いた場合、その最適値
は、研磨パッドの回転数、試料台の回転数、ウエハ載置
部の回転数、および研磨パッド中心と試料台中心の距離
などから決まるが、通常、ウエハ載置部の回転方向に対
して−８０゜から−２５゜の角度をなすようにすれば良
い。As shown in FIG. 7, the planar pattern of the groove of the retainer can be simply expressed by the angle formed with the diameter direction of the retainer. When the angle formed by the groove of the retainer and the diameter direction of the retainer is used, the optimum values are the number of rotations of the polishing pad, the number of rotations of the sample stage, the number of rotations of the wafer mounting part, and the center of the polishing pad and the center of the sample stage. Although it is determined by the distance or the like, it is usually sufficient to form an angle of -80 ° to -25 ° with respect to the rotation direction of the wafer mounting portion.
【００２２】なお、本発明の研磨装置は、リテーナの溝
が、ウエハ載置部の回転に伴い回転（自転）しながら、
研磨パッド上を回転（公転）し走査する研磨装置に適用
することが可能である。したがって、研磨定盤と試料台
のいずれか一方が回転（公転）すれば良いので、研磨定
盤と試料台のいずれか一方が回転しない研磨装置にも適
用することができる。In the polishing apparatus of the present invention, the groove of the retainer rotates (rotates) as the wafer mounting portion rotates,
The present invention can be applied to a polishing device that rotates (revolves) and scans on a polishing pad. Therefore, since it suffices that either one of the polishing platen and the sample table rotates (revolves), the present invention can be applied to a polishing apparatus in which one of the polishing platen and the sample table does not rotate.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】本発明の研磨装置の例について説
明する。本発明の研磨装置の例は、図１、図２および図
３に示す研磨装置であって、リテーナのみが溝を施した
点で従来と異なるものである。したがって、リテーナの
みを説明し、それ以外の説明は省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An example of a polishing apparatus according to the present invention will be described. An example of the polishing apparatus of the present invention is the polishing apparatus shown in FIGS. 1, 2, and 3, which is different from the conventional one in that only the retainer has grooves. Therefore, only the retainer will be described and the other description will be omitted.
【００２４】図４は、本発明の研磨装置のリテーナの１
例の模式的平面図である。この例は、直線の溝の例であ
る。リテーナの１つの溝の、ウエハ載置部の回転方向と
逆向きに並ぶ点、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚに対して、リテー
ナの中心からの距離ＲV、ＲW、ＲX、ＲY、ＲZが順次増
加している。この例では、溝２１とリテーナの直径方向
（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ1が−７５゜としている。前
述のように、この溝のリテーナの直径方向となす角度
は、通常−８０゜から−２５゜とすれば良い。溝部の幅
は、１〜７ｍｍ程度、その深さは、０．０５〜２ｍｍ程
度とすれば良い。FIG. 4 shows a retainer 1 of the polishing apparatus of the present invention.
It is a schematic plan view of an example. This example is an example of a straight groove. The distances RV, RW, RX, RY, and RZ from the center of the retainer to the points V, W, X, Y, and Z that are aligned in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting portion of one groove of the retainer are It is gradually increasing. In this example, the angle θ1 formed between the groove 21 and the retainer diametrical direction (OO ′) is −75 °. As described above, the angle formed between the groove and the diametrical direction of the retainer may normally be -80 ° to -25 °. The groove may have a width of about 1 to 7 mm and a depth of about 0.05 to 2 mm.
【００２５】リテーナ１３は、例えばＳｉ3Ｎ4、Ｓｉ
Ｃ、Ａｌ2Ｏ3のような高硬度のセラミックスやステンレ
ス鋼により作製すれば良い。The retainer 13 is made of, for example, Si 3 N 4 or Si.
It may be made of high hardness ceramics such as C or Al 2 O 3 or stainless steel.
【００２６】図５は、本発明の研磨装置のリテーナの別
の例の模式的平面図である。この例は、曲線の溝の例で
ある。この例では、溝２１の平均的な方向（図中、点
線）とリテーナの直径方向（Ｏ−Ｏ’）とのなす角θ2
をやはり−７５゜としている。FIG. 5 is a schematic plan view of another example of the retainer of the polishing apparatus of the present invention. This example is an example of a curved groove. In this example, the angle θ2 formed between the average direction of the groove 21 (dotted line in the figure) and the diametrical direction of the retainer (OO ′).
Is also set to -75 °.
【００２７】図４および図５に示すようなリテーナを用
いることにより、研磨パッドの表面を均一に削りとり、
シーズニング（目たて）することができる。したがっ
て、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、ウエハの研磨
速度の低下を生じることなく、長期間にわたって安定し
たウエハの研磨を行うことができる。By using a retainer as shown in FIGS. 4 and 5, the surface of the polishing pad is evenly scraped,
You can season. Therefore, the progress of clogging of the polishing pad can be suppressed, and the polishing of the wafer can be stably performed for a long period of time without lowering the polishing rate of the wafer.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の研磨装置
によれば、研磨パッドの目詰まりの進行を抑え、長期間
にわたってウエハの研磨速度を安定させることができ
る。As described in detail above, according to the polishing apparatus of the present invention, the progress of clogging of the polishing pad can be suppressed and the polishing rate of the wafer can be stabilized for a long period of time.
【図１】ウエハの研磨装置を示す模式的縦断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing a wafer polishing apparatus.
【図２】ウエハの研磨装置を示す模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a wafer polishing apparatus.
【図３】ウエハの研磨装置のウエハ載置部を示す模式的
縦断面図である。FIG. 3 is a schematic vertical sectional view showing a wafer mounting portion of a wafer polishing apparatus.
【図４】本発明の研磨装置のリテーナの１例の模式的平
面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of an example of a retainer of the polishing apparatus of the present invention.
【図５】本発明の研磨装置のリテーナの別の例の模式的
平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view of another example of the retainer of the polishing apparatus of the present invention.
【図６】リテーナの溝の研磨パッド上の平面運動を説明
する模式図である。この図は、研磨パッド上の座標平面
から見たものである。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating planar movement of a groove of a retainer on a polishing pad. This figure is viewed from the coordinate plane on the polishing pad.
【図７】数値計算に用いた３種類の溝のパターンを示す
模式図である。（ａ）に示す溝は、角度θaが−４５゜
のものである。（ｂ）に示す溝は、角度θbが０゜のも
のである。（ｃ）に示す溝は、角度θcが＋４５゜のも
のである。FIG. 7 is a schematic diagram showing patterns of three types of grooves used for numerical calculation. The groove shown in (a) has an angle θa of −45 °. The groove shown in (b) has an angle θb of 0 °. The groove shown in (c) has an angle θc of + 45 °.
【図８】研磨パッドの直径部分の通過回数のヒストグラ
ムの結果である。図８（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
それぞれ、図７（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す溝パ
ターンの結果である。FIG. 8 is a result of a histogram of the number of passages through the diameter portion of the polishing pad. 8 (a), (b) and (c),
7A and 7B are results of the groove patterns shown in FIGS. 7A, 7B, and 7C, respectively.
１１ 研磨定盤 １２ 研磨パッド １３ リテーナ １４ ウエハ載置部 １５ 試料台 １６ ウエハ載置面 １７ ウエハ保持用溝 １８ 排気用貫通孔 ２１ 溝 ３１ 研磨パッド上の通過領域 Ｓ ウエハ 11 Polishing Surface Plate 12 Polishing Pad 13 Retainer 14 Wafer Mounting Part 15 Sample Table 16 Wafer Mounting Surface 17 Wafer Holding Groove 18 Exhaust Through Hole 21 Groove 31 Passing Area on Polishing Pad S Wafer
Claims (1)
パッドが被着された研磨定盤と、ウエハ載置部をその中
心軸のまわりに回転させる機構と、試料台をその中心軸
のまわりに回転させる機構および／または研磨定盤をそ
の中心軸のまわりに回転させる機構を備え、ウエハ載置
部に保持されたウエハに、研磨定盤に被着された研磨パ
ッドを押し当て、ウエハと研磨パッドの間に研磨スラリ
ーを供給し、ウエハ載置部と試料台および／または研磨
定盤とを回転させてウエハを研磨する研磨装置であっ
て、ウエハ載置部のウエハ載置面の外周部にリテーナを
備え、前記リテーナの研磨パッドと対向する面に、溝の
各部とリテーナ中心間の距離がウエハ載置部の回転方向
と逆向きの方向に向かうにしたがい大きくなる形状の溝
が複数設けられていることを特徴とする研磨装置。1. A sample stage on which a wafer mounting portion is arranged, a polishing platen on which a polishing pad is adhered, a mechanism for rotating the wafer mounting portion around its central axis, and a sample stage at its center. Equipped with a mechanism for rotating around the axis and / or a mechanism for rotating the polishing surface plate around its central axis, and pressing the polishing pad adhered to the polishing surface plate against the wafer held on the wafer mounting part A polishing apparatus for polishing a wafer by supplying a polishing slurry between a wafer and a polishing pad, and rotating a wafer mounting section and a sample table and / or a polishing platen. A retainer is provided on the outer peripheral portion of the surface, and on the surface of the retainer facing the polishing pad, the distance between each part of the groove and the center of the retainer increases in the direction opposite to the rotation direction of the wafer mounting portion. There are multiple grooves Polishing and wherein the.
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1996
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