JPH09292415A - 光電気・磁気センサ - Google Patents

光電気・磁気センサ

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JPH09292415A
JPH09292415A JP8109194A JP10919496A JPH09292415A JP H09292415 A JPH09292415 A JP H09292415A JP 8109194 A JP8109194 A JP 8109194A JP 10919496 A JP10919496 A JP 10919496A JP H09292415 A JPH09292415 A JP H09292415A
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JP
Japan
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optical
electro
optical element
sensor
magnetic
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Application number
JP8109194A
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English (en)
Inventor
Shuji Sugano
周二 菅野
Tetsuro Yoshida
哲朗 吉田
Yuji Saito
祐治 齋藤
Yutaka Ono
豊 大野
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Asahi Denshi Co Ltd
Original Assignee
Asahi Denshi Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単かつ短時間で組み立てることができるよ
うにする。高価な筐体を不要としてコストダウンを図
る。 【解決手段】 電気光学素子15を挾んで極板19−
1,19−2を対向配置する。この場合、極板19−2
を基板とし、この基板上に電気光学素子15,偏光子1
3,波長板14,検光子16,光学レンズ12,17を
設ける。そして、この電気光学素子15,極板19−
1,19−2,偏光子13,波長板14,検光子16,
光学レンズ12,17からなる光センサ構成体をUV硬
化樹脂によりコーティングし、熱収縮チューブ20を被
せ、加熱収縮させる。この時、熱収縮チューブ20内に
は、絶縁ガスを充填する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、送配電線、電鉄
き電線などの高電圧を非接触かつ無導体で、もしくは分
担電圧で、また送配電線などの高調波電圧を無切断にて
しかも被覆電線の上から測定するために用いて好適な光
電気センサ、およびリングコアなどを用い電力線などの
電流測定、リニアモータの磁界測定などに用いて好適な
光磁気センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えばLiNbO3 ,BS
O,水晶といった電気光学素子の電気光学効果(ポッケ
ルス効果,カー効果)を利用して電気を測定する光電気
センサがある。この光電気センサでは、直線偏光を入射
し、電気光学素子を通過した偏光を取り出し、この取り
出した偏光の変化に基づいて電気光学素子に加わる電界
(電圧)を測定する。
【0003】図5は従来の光電気センサの要部を示す構
成図である。同図において、1は光ファイバ、2は光学
レンズ、3は受動素子である偏光子、4は波長板、5は
能動素子である電気光学素子、6は検光子、7は光学レ
ンズ、8は光ファイバ、9−1は本体(筐体)、9−2
は蓋(筐体)、10−1および10−2は電気光学素子
5の上面電極および下面電極に接続されたリード線、1
0−3,10−4はリード線10−1,10−2の先端
部に取り付けられたワニ口クリップ、10−5,10−
6は極板であり、極板10−5,10−6はワニ口クリ
ップ10−3,10−4を介してリード線10−1,1
0−2に接続されている。
【0004】この光電気センサにおいて、光学レンズ2
および7は、本体9−1の両側部の貫通孔に接着固定さ
れる。また、偏光子3,波長板4,電気光学素子5,検
光子6は本体9−1内に収容され、光軸を合わせなが
ら、接着固定される。そして、本体9−1に蓋9−2が
被せられ、蓋9−2の上面にリード線10−1が、本体
9−1の下面にリード線10−2が導出される。そし
て、リード線10−1,10−2の先端部にワニ口クリ
ップ10−3,10−4が取り付けられ、ワニ口クリッ
プ10−3,10−4を介して極板10−5,10−6
が接続される。
【0005】なお、本体9−1および蓋9−2は、すな
わち本体9−1と蓋9−2とからなる筐体9は、誘電率
が低い絶縁物、例えばセラミックとされている。また、
極板10−5,10−6は、電気光学素子5への電界強
度を強めるために設けられ、発生している電界をキャッ
チする。この光電気センサでは、極板10−5,10−
6を外せば、リード線10−1,10−2の先端に接続
されたワニ口クリップにより、被測定端子間に生ずる電
圧を測定することもできる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光電気センサによると、箱形の本体9−1内
で光軸合わせを行いながら偏光子3,波長板4,電気光
学素子5,検光子6を接着固定しなければならず、複雑
で困難な作業(光軸合わせ作業等)となり、時間もかか
る。また、筐体9としてセラミックなどを使用するた
め、非常に高価となる。なお、電気光学素子に代えて磁
気光学素子(例えば、鉛ガラス)の磁気光学効果(ファ
ラデー回転の物理効果)を利用して磁界を測定する光磁
気センサもある。この光磁気センサでは、直線偏光を入
射し、磁気光学素子を通過した偏光を取り出し、この取
り出した偏光の変化に基づいて磁気光学素子に加わる磁
界を測定する。この光磁気センサについても、上述した
光電気センサと同様の構成がとられ、同様の問題が生じ
る。
【0007】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、その目的とするところは、簡単かつ短
時間で組み立てることができ、高価な筐体を不要として
コストダウンを図ることのできる光電気センサおよび光
磁気センサを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、第1発明(請求項1に係る発明)は、上述し
た光電気・磁気センサにおいて、電気・磁気光学素子を
挾んで第1および第2の極板を対向配置し、この第1お
よび第2の極板と電気・磁気光学素子とを含む光センサ
構成体を熱収縮チューブにて密封するようにしたもので
ある。この発明によれば、光センサ構成体が熱収縮チュ
ーブにて密封され、その保護および固定が図られる。
【0009】第2発明(請求項2に係る発明)は、第1
発明において、光センサ構成体を電気・磁気光学素子,
第1および第2の極板,偏光子,波長板,検光子,光学
レンズよりなるものとし、この光センサ構成体の電気・
磁気光学素子,偏光子,波長板,検光子,光学レンズを
第1および第2の極板の何れか一方を基板とし、この基
板上に設けるようにしたものである。この発明によれ
ば、例えば第1の極板を基板として、この基板上に偏光
子,波長板,検光子,光学レンズが設けられる(透過
型)。
【0010】第3発明(請求項3に係る発明)は、第1
発明において、光センサ構成体を電気・磁気光学素子,
第1および第2の極板,偏光子,波長板,反射板,光学
レンズよりなるものとし、この光センサ構成体の電気・
磁気光学素子,偏光子,波長板,反射板,光学レンズを
第1および第2の極板の何れか一方を基板とし、この基
板上に設けるようにしたものである。この発明によれ
ば、例えば第1の極板を基板として、この基板上に偏光
子,波長板,反射板,光学レンズが設けられる(反射
型)。
【0011】第4発明(請求項4に係る発明)は、第1
〜第3発明において、光センサ構成体を樹脂材でコーテ
ィングするようにしたものである。この発明によれば、
コーティングされた樹脂材によって、光センサ構成体の
保護効果が高まると共に、光センサ構成体を構成する各
素子の固定が強化される。
【0012】第5発明(請求項5に係る発明)は、第1
〜第4発明において、熱収縮チューブ内に絶縁ガスを充
填するようにしたものである。この発明によれば、充填
された絶縁ガスによって、外部との遮断がより高まる。
【0013】第6発明(請求項6に係る発明)は、第1
〜第4発明において、熱収縮チューブ内に吸水材料を充
填するようにしたものである。この発明によれば、充填
された吸水材料によって、熱収縮チューブ内の防水効果
が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
き詳細に説明する。 〔透過型光電気センサ〕図1はこの発明に係る光電気セ
ンサの要部を示す構成図である。同図において、11は
光ファイバ、12は光学レンズ、13は偏光子、14は
波長板、15はLiNbO3 ,BSO,水晶等の電気光
学素子、16は検光子、17は光学レンズ、18は光フ
ァイバ、19−1は第1の極板、19−2は基板を兼ね
る第2の極板、20は熱収縮チューブである。
【0015】極板19−1,19−2は電気光学素子1
5よりも誘電率の高い誘電体とされている。極板19−
1は、平板状とされ、その下面に溝19−11が形成さ
れている。極板19−2は、断面ほゞ「コ」字状に形成
され、その左右の立上片に貫通孔19−21および19
−22が形成され、その基板面に溝19−23〜19−
26が形成されている。なお、溝19−25は、極板1
9−2の中央部に隆起して設けられた段部19−27に
形成されている。
【0016】熱収縮チューブ20は、その材質を熱安定
性,難燃性を持つポリオレフィンとしており、放射線架
橋が施されている。この実施の形態で用いる熱収縮チュ
ーブ20は、均質であり、傷、小穴、気泡、継ぎ目、ク
ラック、混入物等の無いものとする。
【0017】〔組み立て〕この光電気センサにおいて、
その組み立ては、次のようにして行う。電気光学素子1
5を、極板19−2の溝19−25に嵌め込む。そし
て、この電気光学素子15の上面に、その溝19−11
を嵌め合わせて極板19−1を配置し、極板19−1,
電気光学素子15,極板19−2間を接着固定する。こ
れにより、極板19−1と19−2とが、電気光学素子
15を挾んで対向配置された恰好となる。
【0018】偏光子13,波長板14,検光子16を溝
19−23,19−24,19−26に合わせて配置
し、極板19−2上に接着固定する。また、極板19−
2の両側部に設けられた貫通孔19−21および19−
22に、光学レンズ12および17を光ファイバ11お
よび18がその貫通孔内に位置するまで差し込み、接着
固定する。
【0019】このようにして組み合わされた構成体、す
なわち電気光学素子15,極板19−1,19−2,偏
光子13,波長板14,検光子16,光学レンズ12,
17を光センサ構成体と呼ぶことにする。
【0020】そして、この光センサ構成体を、ウレタン
アクリレート,アクリルモノマーを主成分とするUV硬
化樹脂によりコーティングする。このUV硬化樹脂によ
って、光センサ構成体の保護効果が高まると共に、光セ
ンサ構成体を構成する各素子の固定が強化される。
【0021】そして、この光センサ構成体へのUV硬化
樹脂のコーティング後、熱収縮チューブ20を光センサ
構成体に被せ、加熱収縮させる。この時、熱収縮チュー
ブ20内には、絶縁ガス(SF6 など)を充填する。熱
収縮チューブ20の加熱収縮により、光センサ構成体が
密封され、その保護および固定が図られる。また、充填
された絶縁ガスによって、外部との遮断がより高まり、
屋外での使用が可能となり、長寿命となる。
【0022】以上の説明から明らかなように、この実施
の形態によれば、熱収縮チューブ20を用いることによ
り、オープンな環境で光センサ構成体を構築することが
でき、簡単かつ短時間での組み立てが可能となり、高価
な筐体を不要としてコストダウンを図ることができるよ
うになる。
【0023】なお、この実施の形態では、熱収縮チュー
ブ20を収縮するときにチューブ内に絶縁ガスを充填す
るようにしたが、吸水材料を充填するようにしてもよ
い。吸水材料を充填することにより、熱収縮チューブ2
0内の防水効果が得られ、絶縁ガスを充填する場合と同
様、屋外での使用が可能となり、長寿命とすることがで
きる。
【0024】また、この実施の形態では、極板19−
1,19−2を電気光学素子15よりも誘電率の高い誘
電体としたが、導体としてもよい。極板19−1,19
−2を誘電体とすることにより、電気光学素子15に加
わる電界を乱さないで測定することが可能となり、より
安全性が高まる。
【0025】また、この実施の形態では、電気光学素子
15の下面に配置した極板19−2を基板として兼用し
たが、電気光学素子15の上面に配置される極板19−
1を基板として兼用するようにしてもよい。
【0026】また、この実施の形態では、極板19−2
を基板として兼用したが、必ずしも基板として兼用しな
くてもよい。すなわち、図2に示すように、極板19−
1と同一形状の極板19−2’を電気光学素子15の下
面に配置し、この極板19−1と19−2’とで挾まれ
た電気光学素子15を絶縁物よりなる基板21に載置す
るようにしてもよい。基板21をFRP等の柔軟性のあ
る材料で形成するようにすれば、光ファイバ11や18
を介して加わる力に対して柔軟に変形し、簡単に破壊さ
れてしまうことがなくなる。
【0027】また、この実施の形態では、電界を測定す
るものとしたが、極板19−1,19−2(19−
2’)にリード線を接続し、熱収縮チューブ20の両側
あるいは片側の開口から導出するようにすれば、そのリ
ード線の先端にワニ口クリップを取り付けて、被測定端
子間に生ずる電圧を測定することもできる。
【0028】〔反射型光電気センサ〕また、この実施の
形態では、透過型の光電気センサを例にとって説明した
が、反射型の光電気センサについても同様にして適用す
ることができる。図3はこの反射型光電気センサの要部
を示す構成図である。
【0029】同図において、31は光ファイバ、32は
光学レンズ、33は偏光子、34は波長板、35はLi
NbO3 ,BSO,水晶等の電気光学素子、36は反射
板、37は光分配器、38−1は光ファイバ(光源
側)、38−2は光ファイバ(受光側)、39−1は第
1の極板、39−2は基板を兼ねる第2の極板、40は
熱収縮チューブである。
【0030】この場合、光センサ構成体は、電気光学素
子35,極板39−1,39−2,偏光子33,波長板
34,反射板36,光学レンズ32より構成される。こ
の反射型光電気センサも図1に示した透過型光電気セン
サと同様にして組み立てられる。この反射型光電気セン
サについても、透過型光電気センサと同様、熱収縮チュ
ーブ40を加熱収縮するときにチューブ内に吸水材料を
充填するようにしてもよいなど、各種の変形が自在であ
る。
【0031】〔光磁気センサ〕また、上述した実施の形
態では、光電気センサを例にとって説明したが、光磁気
センサについても同様にして適用することができる。図
4はこの光磁気センサの要部を示す構成図である。同図
において、51は光ファイバ、52は光学レンズ、53
は偏光子、54,55は直角プリズム、56は検光子、
57は光学レンズ、58は光ファイバ、59は磁気光学
素子(例えば、鉛ガラス)、60−1は第1の誘電体多
層膜、60−2は第2の誘電体多層膜、61は熱収縮チ
ューブ、62はFRP等の柔軟性のある材料で形成され
た基板である。
【0032】この場合、光センサ構成体は、磁気光学素
子59,誘電体多層膜60−1,60−2,偏光子5
3,直角プリズム54,55,検光子56,光学レンズ
52,57により構成される。この光磁気センサについ
ても、上述した光電気センサと同様、熱収縮チューブ6
1を加熱収縮するときにチューブ内に吸水材料を充填す
るようにしてもよいなど、各種の変形が自在である。
【0033】〔透過型光電気センサの基本動作〕図1に
示した透過型光電気センサにおいて、発光ダイオード等
の光源(図示せず)からの光Pinは光ファイバ11によ
り伝送され、光学レンズ12により平行光とされる。平
行光となった光は、偏光子13を通過することによって
直線偏光となり、直線偏光は波長板14により光学的バ
イアスが与えられ、円偏光となる。
【0034】この円偏光となった偏光が電気光学素子1
5へ入射される。この偏光(円偏光)は、電気光学素子
15を通過すると、外部発生電界に応じ素子内の光学的
バイアスが変化することによって、楕円偏光となる。ま
た、電気光学素子15は極板19−1,19−2によっ
て素子内部の電界強度が強められていて、感度が良くな
っている。楕円偏光となった偏光は、検光子16により
再度直線偏光となり、光強度の変化として検出され、光
学レンズ17と光ファイバ18によって光電変換装置
(図示せず)へと導かれ、電気信号に変換される。
【0035】〔反射型光電気センサの基本動作〕図3に
示した反射型光電気センサにおいて、発光ダイオード等
の光源(図示せず)からの光Pinは光ファイバ38−
1,光分配器37,光ファイバ31により伝送され、光
学レンズ32により平行光とされる。平行光となった光
は、偏光子33を通過することによって直線偏光とな
り、直線偏光は波長板34により光学的バイアスが与え
られ、円偏光となる。
【0036】この円偏光となった偏光が電気光学素子3
5へ入射される。この偏光(円偏光)は、電気光学素子
35を通過すると、外部発生電界に応じ素子内の光学的
バイアスが変化することによって、楕円偏光となる。ま
た、電気光学素子35は極板39−1,39−2によっ
て素子内部の電界強度が強められていて、感度が良くな
っている。
【0037】楕円偏光となった偏光は、反射板36によ
って反射され、電気光学素子35へ再入射され、電気光
学素子35を通過して、波長板34,偏光子33,光学
レンズ32,光ファイバ31の経路で光分配器37へ至
り、光分配器37によって光ファイバ38−2へと送ら
れ、光電変換装置(図示せず)へと導かれ、電気信号に
変換される。
【0038】〔光磁気センサの基本動作〕図4に示した
光磁気センサにおいて、発光ダイオード等の光源(図示
せず)からの光Pinは光ファイバ51により伝送され、
光学レンズ52により平行光とされる。平行光となった
光は、偏光子53により偏光(直線偏光)された後、直
角プリズム54を介して磁気光学素子59の厚み方向へ
と入射される。そして、この磁気光学素子59に入射さ
れた偏光は、素子内で多重反射した後、直角プリズム5
5から取り出される。
【0039】この場合、直角プリズム55から取り出さ
れる偏光の偏波面は、磁気光学素子59の反射面と直角
方向に磁界が存在すれば、この磁界の強さHと磁気光学
素子59中の実効光路長との積に比例して回転する。こ
の偏波面の回転角が光学バイアス的に45゜傾けた検光
子56により光量の変化として検出され、光学レンズ5
7と光ファイバ58によって光電変換装置(図示せず)
へと導かれ、電気信号に変換される。
【0040】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、電気・磁気光学素子を挾んで第1および
第2の極板を対向配置し、この第1および第2の極板と
電気・磁気光学素子とを含む光センサ構成体を熱収縮チ
ューブにて密封するようにしたので、オープンな環境で
光センサ構成体を構築することができ、簡単かつ短時間
での組み立てが可能となり、高価な筐体を不要としてコ
ストダウンを図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る光電気センサ(透過型光電気セ
ンサ)の要部を示す構成図である。
【図2】 図1において基板を絶縁物とした例を示す図
である。
【図3】 本発明に係る光電気センサ(反射型光電気セ
ンサ)の要部を示す構成図である。
【図4】 本発明に係る光磁気センサ(透過型光磁気セ
ンサ)の要部を示す構成図である。
【図5】 従来の光電気センサ(透過型光電気センサ)
の要部を示す構成図である。
【符号の説明】
11…光ファイバ、12…光学レンズ、13…偏光子、
14…波長板、15…電気光学素子、16…検光子、1
7…光学レンズ、18…光ファイバ、19−1第1の極
板,19−2…第2の極板、20…熱収縮チューブ、2
1…基板、31…光ファイバ、32…光学レンズ、33
…偏光子、34…波長板、35…電気光学素子、36…
反射板、37…光分配器、38−1…光ファイバ(光源
側)、38−2…光ファイバ(受光側)、39−1…第
1の極板、39−2…第2の極板、40…熱収縮チュー
ブ、51…光ファイバ、52…光学レンズ、53…偏光
子、54,55…直角プリズム、56…検光子、57…
光学レンズ、58…光ファイバ、59…磁気光学素子、
60−1…第1の誘電体多層膜、60−2…第2の誘電
体多層膜、61…熱収縮チューブ、62…基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 祐治 福島県伊達郡伊達町字坂ノ下15番地 アサ ヒ電子株式会社内 (72)発明者 大野 豊 東京都中野区鷺宮4−5−1

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電気・磁気光学素子に偏光を入射し、こ
    の電気・磁気光学素子を通過した偏光を取り出し、この
    取り出した偏光の変化に基づいて前記電気・磁気光学素
    子に加わる電気・磁気を測定する光電気・磁気センサに
    おいて、 前記電気・磁気光学素子を挾んで第1および第2の極板
    が対向配置され、この第1および第2の極板と能動素子
    である電気・磁気光学素子とを含む光センサ構成体が熱
    収縮チューブにて密封されていることを特徴とする光電
    気・磁気センサ。
  2. 【請求項2】 請求項1において、光センサ構成体が電
    気・磁気光学素子,第1および第2の極板,受動素子で
    ある偏光子,波長板,検光子,光学レンズよりなり、こ
    の光センサ構成体の電気・磁気光学素子,偏光子,波長
    板,検光子,光学レンズが第1および第2の極板の何れ
    か一方を基板とし、この基板上に設けられていることを
    特徴とする光電気・磁気センサ。
  3. 【請求項3】 請求項1において、光センサ構成体が電
    気・磁気光学素子,第1および第2の極板,受動素子で
    ある偏光子,波長板,反射板,光学レンズよりなり、こ
    の光センサ構成体の電気・磁気光学素子,偏光子,波長
    板,反射板,光学レンズが第1および第2の極板の何れ
    か一方を基板とし、この基板上に設けられていることを
    特徴とする光電気・磁気センサ。
  4. 【請求項4】 請求項1〜3の何れか1項において、光
    センサ構成体が樹脂材でコーティングされていることを
    特徴とする光電気・磁気センサ。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4の何れか1項において、熱
    収縮チューブ内に絶縁ガスが充填されていることを特徴
    とする光電気・磁気センサ。
  6. 【請求項6】 請求項1〜4の何れか1項において、熱
    収縮チューブ内に吸水材料が充填されていることを特徴
    とする光電気・磁気センサ。
JP8109194A 1996-04-30 1996-04-30 光電気・磁気センサ Pending JPH09292415A (ja)

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JP8109194A JPH09292415A (ja) 1996-04-30 1996-04-30 光電気・磁気センサ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102251284B1 (ko) * 2020-11-27 2021-05-12 국방과학연구소 광학 소자를 이용하여 전압을 측정하기 위한 장치 및 방법

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KR102251284B1 (ko) * 2020-11-27 2021-05-12 국방과학연구소 광학 소자를 이용하여 전압을 측정하기 위한 장치 및 방법

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