JPH09291357A - Production of thin film/powder using mixed solid as raw material - Google Patents
Production of thin film/powder using mixed solid as raw materialInfo
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- JPH09291357A JPH09291357A JP13120596A JP13120596A JPH09291357A JP H09291357 A JPH09291357 A JP H09291357A JP 13120596 A JP13120596 A JP 13120596A JP 13120596 A JP13120596 A JP 13120596A JP H09291357 A JPH09291357 A JP H09291357A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を主と
する混合固体から機能性、例えば、焦電・圧電性、ガス
分離特性もしくは/及び傾斜機能を持つ薄膜又は粉末を
製造する方法、詳しくは、第1成分である有機化合物に
第2成分(金属、金属化合物、無機化合物の単独又はこ
れらの混合物)を添加・混合し、成形体とした後、混合
固体にレーザーを照射し、飛翔(アブレーション)した
分子又は励起分子を反応チャンバー内に配置した捕捉体
上にトラップし薄膜又は粉末を生成させる薄膜・粉末の
製造方法に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a thin film or powder having functionality such as pyroelectric / piezoelectric property, gas separation property and / or gradient function from a mixed solid mainly containing an organic compound. Is prepared by adding and mixing the second component (a metal, a metal compound, an inorganic compound alone or a mixture thereof) to the organic compound which is the first component to form a molded body, and then irradiating the mixed solid with a laser to fly ( The present invention relates to a method for producing a thin film / powder in which ablated molecules or excited molecules are trapped on a trapping body placed in a reaction chamber to form a thin film or powder.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機薄膜又は有機粉末を作製する方法と
して、湿式法及び乾式法が知られている。湿式法の一つ
として、特開平2−203954号公報に記載されてい
るように、両親媒性を持つ化合物を液相中に展開し、単
分子膜を形成し、必要に応じ加熱・冷却処理した後、基
板上に積層してピンホール密度の少ない薄膜を製造する
ラングミュア・プロジェット法による有機薄膜製造方法
がある。さらに、テトラエトキシシランをはじめとする
種々の金属アルコキシド化合物の加水分解、重縮合反応
を同時に進行させるゾルゲル法も知られている。これら
の湿式法は常圧下での操作であり、真空下での操作であ
る本発明とは、構成を異にしている。2. Description of the Related Art Wet methods and dry methods are known as methods for producing organic thin films or organic powders. As one of the wet methods, as described in JP-A-2-203954, a compound having an amphipathic property is developed in a liquid phase to form a monomolecular film, and if necessary, heating / cooling treatment. Then, there is a method for manufacturing an organic thin film by the Langmuir-Projet method in which a thin film having a low pinhole density is manufactured by laminating it on a substrate. Further, a sol-gel method is also known in which hydrolysis and polycondensation reactions of various metal alkoxide compounds including tetraethoxysilane are simultaneously advanced. These wet methods are operations under normal pressure and have a different configuration from the present invention, which is an operation under vacuum.
【0003】乾式法での薄膜の製造に関しては、これま
でに真空蒸着法で実施されているが、これは真空中で固
体を加熱し、気体分子に分解し再飛散させ、基板上に再
び薄膜として凝縮させることを基本としている。これに
対して、本発明の薄膜・粉末の製造方法では、空間制御
性、高エネルギー密度に富むレーザーを使用しており、
分子の蒸発、励起方法が異なる方法である。レーザーを
用いた手法としては、紫外域のパルス光を発振するエキ
シマレーザーを用いたアブレーションが、ポリマーの精
密な微細加工方法として、基礎及び応用の両面から活発
に検討が進められている。新納らのグループは、これま
でにアブレーションによってポリマー表面に、(1)液
晶配向膜への応用可能な微細な構造の形成(H.Nli
no,A.Yabe,et al.,Jpn.J.Ap
pl.Phys.,28,L2225(1989);A
ppl.Phys.,55,510(1989);ib
id.,54,2159(1989);ibid.,5
7,2368(1990);J.Photchem.P
hotbiol.A.Chem.,65,303(19
92))及び、(2)表面電位の変化を利用することで
照射位置選択な無電解めっきが行えること(H.Nli
no,A.Yabe,et al.,;Appl.Ph
ys.Lett.,60,2697(1992))を報
告し、これらは周期的な表面形状の変化やイオン種の生
成に基づいていると説明している。The production of a thin film by the dry method has been carried out so far by a vacuum vapor deposition method, which heats a solid in a vacuum, decomposes it into gas molecules and re-disperses it, and again forms a thin film on a substrate. The basic idea is to condense as. On the other hand, the thin film / powder manufacturing method of the present invention uses a laser rich in space controllability and high energy density,
This is a different method of vaporizing and exciting molecules. As a method using a laser, ablation using an excimer laser that oscillates pulsed light in the ultraviolet region has been actively studied as a precise microfabrication method for polymers from both basic and applied viewpoints. The Shinano et al. Group has so far developed (1) formation of a fine structure applicable to a liquid crystal alignment film on a polymer surface by ablation (H. Nli.
no, A.N. Yave, et al. , Jpn. J. Ap
pl. Phys. , 28 , L2225 (1989); A
ppl. Phys. , 55 , 510 (1989); ib
id. , 54 , 2159 (1989); ibid. , 5
7 , 2368 (1990); Photochem. P
hotbiol. A. Chem. , 65 , 303 (19
92)) and (2) that the electroless plating with irradiation position selection can be performed by utilizing the change in surface potential (H. Nli).
no, A.N. Yave, et al. ,; Appl. Ph
ys. Lett. , 60 , 2697 (1992)) and explains that they are based on periodic surface shape changes and generation of ionic species.
【0004】S.ラザレらは(S.Lazare an
d R.Srinivasan,Journal of
Physical Chemistry,Vol.9
0,2124(1986))、高分子フィルム表面をエ
キシマレーザーで照射すると、照射直後に容易に照射表
面が改質され、新たな官能基が生成していることを報告
している。また、S.ラザレらは、この紫外光レーザー
による高分子表面の光加工は、その表面状態を観察する
のに迅速で簡便な方法であるとしている。このように、
紫外光レーザーを用いた高分子表面の光加工は、精度良
く効率的に処理することができる。さらに、照射条件を
制御することで照射樹脂表面の構造特性、化学的性質や
機能性を向上させることができるため、多彩な表面反応
を制御よく行うことができると報告している。上述手法
において、レーザーを物質の表面改質等に使用してお
り、薄膜等の形成への適用は検討されていない。さら
に、紫外光レーザー用い固体基板表面に有機化合物を堆
積させる方法、すなわち薄膜形成手法として、化学的気
相成長法(Chemical VaporDeposi
tion(CVD))がある(例えば、広瀬全孝,応用
物理、57.1985(1988))。しかし、このレ
ーザーCVDは気体状の有機化合物の導入とレーザー照
射を同時に行うか、または、気体状の有機化合物の導入
を先に行う。一方、本発明では固体原料を使用しており
全く異なる方法である。S. Lazaré et al. (S. Lazare an
d R. Srinivasan, Journal of
Physical Chemistry, Vol. 9
0, 2124 (1986)), it is reported that when the polymer film surface is irradiated with an excimer laser, the irradiated surface is easily modified immediately after irradiation to generate a new functional group. Also, S.I. Lazareth et al. Say that the photomachining of the polymer surface with this ultraviolet laser is a quick and simple method for observing the surface condition. in this way,
Optical processing of a polymer surface using an ultraviolet laser can be processed with high accuracy and efficiency. Furthermore, it has been reported that by controlling the irradiation conditions, it is possible to improve the structural characteristics, chemical properties, and functionality of the irradiated resin surface, so that various surface reactions can be performed with good control. In the above method, a laser is used for surface modification of a substance and the like, and its application to formation of a thin film or the like has not been examined. Furthermore, as a method of depositing an organic compound on the surface of a solid substrate using an ultraviolet laser, that is, a thin film forming method, a chemical vapor deposition method (Chemical Vapor Deposition) is used.
(H. Hirose, Applied Physics, 57.1985 (1988)). However, in this laser CVD, introduction of a gaseous organic compound and laser irradiation are simultaneously performed, or introduction of a gaseous organic compound is performed first. On the other hand, the present invention uses a solid raw material, which is a completely different method.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】有機薄膜及び粉末の作
製においては、前述した手法において試みられている
が、以下の欠点がある。すなわち、有機物を蒸発させる
手法としては有機物を加熱することが挙げられるが、長
時間高温にさらされた場合、有機物が分解、炭化するお
それがある。この対策として本発明者らは既に、特願平
6−331094にてレーザー照射による分解低減、組
成ズレの少ない薄膜形成方法を提案しているが、有機化
合物の中には、使用するレーザー波長域での吸収、熱伝
導の小さい化合物もあり、照射したレーザー強度が十分
活かしきれておらず、成膜速度が非常に遅い。本発明
は、上記の諸点に鑑みされたもので、その目的は、第1
成分である固体の有機化合物に第2成分として金属、金
属化合物、無機化合物又はこれらの混合物等を添加し、
成形体とした後、減圧雰囲気で混合原料にレーザーを照
射し、飛翔した分子又は励起分子を反応チャンバー内に
配置した捕捉体上にトラップし、薄膜又は粉末を生成さ
せることにより、原料の熱伝導を補助して成膜速度を大
きくし、膜質の改善を行うようにした混合固体を原料と
する薄膜・粉末の製造方法を提供することにある。In the production of organic thin films and powders, the methods described above have been attempted, but they have the following drawbacks. That is, as a method of evaporating the organic matter, heating the organic matter can be mentioned. However, when exposed to a high temperature for a long time, the organic matter may be decomposed and carbonized. As measures against this, the present inventors have already proposed in Japanese Patent Application No. 6-331094 a method for forming a thin film with reduced decomposition and less compositional deviation due to laser irradiation. Some compounds have small absorption and heat conduction in the film, the laser intensity applied is not fully utilized, and the film formation rate is very slow. The present invention has been made in view of the above points, and its object is to achieve the first object.
As a second component, a metal, a metal compound, an inorganic compound or a mixture thereof is added to the solid organic compound that is a component,
After forming into a compact, the mixed raw material is irradiated with a laser in a reduced pressure atmosphere, and the flying molecules or excited molecules are trapped on the trapping body placed in the reaction chamber to generate a thin film or powder, thereby thermally conducting the raw material. Another object of the present invention is to provide a method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material, which is intended to increase the film formation rate to improve the film quality.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の混合固体を原料とする薄膜・粉末の製造
方法は、第1成分である有機化合物に第2成分である金
属、金属化合物及び無機化合物の少なくともいずれかを
添加・混合した混合固体を反応チャンバー内に配置し、
この反応チャンバー内を排気して10-1〜10-6Pa、望
ましくは10-3〜10-5Paの減圧状態にした後、この混
合固体へレーザーを照射して加熱・励起することによ
り、分子を飛び出させ、捕捉体上に分子を析出させるよ
うに構成されている。反応チャンバー内の圧力が上記の
範囲未満の場合は、レーザーの照射により固体表面から
飛翔した分子が固体原料表面に再付着する。一方、上記
の範囲を超える場合は、薄膜及び粉末の製造へは特に影
響を与えないが、真空排気時間に多大を要し、また、高
性能な真空排気装置が必要である。この方法において、
混合固体へ照射するレーザーとして、0.8〜11μm
の波長を持つ赤外光レーザーを用いることが好ましい。
また、混合固体へ照射するレーザーとして、0.2〜
0.45μm の波長を持つ紫外光レーザーを用いること
が好ましい。In order to achieve the above object, a method of producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to the present invention comprises an organic compound as a first component, a metal as a second component, A mixed solid obtained by adding and mixing at least one of a metal compound and an inorganic compound is placed in the reaction chamber,
The reaction chamber is evacuated to a reduced pressure of 10 -1 to 10 -6 Pa, preferably 10 -3 to 10 -5 Pa, and then the mixed solid is irradiated with a laser to be heated and excited, It is configured so that the molecules are ejected and the molecules are deposited on the capturing body. When the pressure in the reaction chamber is less than the above range, molecules flying from the solid surface due to laser irradiation reattach to the surface of the solid raw material. On the other hand, when the amount exceeds the above range, it does not particularly affect the production of the thin film and the powder, but it takes a long time for vacuum evacuation and a high-performance vacuum evacuation device is required. In this method,
As a laser for irradiating mixed solids, 0.8-11 μm
It is preferable to use an infrared laser having a wavelength of.
Further, as a laser for irradiating a mixed solid, 0.2 to
It is preferable to use an ultraviolet laser having a wavelength of 0.45 μm.
【0007】第1成分である有機化合物としては、ビニ
ル基、アリル基等の反応性官能基を持つ有機化合物、有
機ポリマー及び液晶性を持つ有機化合物の少なくともい
ずれかを用いることが好ましい。ビニル基等の反応性官
能基を持つ化合物としては1−4フェニレンビス{4−
6(アクリロイオキシ)ヘキシルオキシ}ベンゾエート
等が挙げられる。また、有機ポリマーとしては、PE
T,PVDF等が挙げられ、また、液晶性を持つ有機化
合物としては、パラアゾキシアニソール等が挙げられ
る。第2成分である金属としては、Co、Fe、Ni及
びCuの少なくともいずれかを用いることが好ましい。
また、第2成分である金属化合物としては、Co化合
物、Fe化合物、Ni化合物及びCu化合物の少なくと
もいずれかを用いることが好ましい。また、第2成分で
ある無機化合物としては、AlNに代表されるセラミッ
クスを用いることが好ましい。As the organic compound as the first component, it is preferable to use at least one of an organic compound having a reactive functional group such as a vinyl group and an allyl group, an organic polymer and an organic compound having a liquid crystallinity. As a compound having a reactive functional group such as a vinyl group, 1-4 phenylenebis {4-
6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate and the like. Also, as the organic polymer, PE
Examples thereof include T and PVDF, and examples of the organic compound having liquid crystallinity include paraazoxyanisole. As the metal that is the second component, it is preferable to use at least one of Co, Fe, Ni, and Cu.
Further, it is preferable to use at least one of a Co compound, an Fe compound, a Ni compound and a Cu compound as the second component metal compound. Further, as the inorganic compound which is the second component, it is preferable to use ceramics represented by AlN.
【0008】第2成分の添加量としては、薄膜、粉末に
したい材料と添加物質により最適値が存在する。例え
ば、1−4フェニレンビス{4−6(アクリロイオキ
シ)ヘキシルオキシ}ベンゾエートで有機分子のみの薄
膜・粉末を得たいときは、Co粒子等の第2成分のを添
加量として0.05〜10wt%程度が望ましい。有機化
合物への添加量が0.05%未満であると、照射したレ
ーザーの熱源などが十分原料化合物に伝わらず、分子が
飛翔しない。一方、10wt%を超える添加量であれば、
Co等第2成分の単独粒子では分子の飛翔のないレーザ
ー強度であっても、原料化合物の分子とともに飛沫同伴
し、膜内又は粉末へ取り込まれるからである。また、そ
の一方で、薄膜内又は粉末に、添加した金属等の第2成
分を混入させるときは、添加量を増やすかレーザーの強
度を大きくして達成することができる。第1成分である
原料有機化合物への第2成分添加法としては、撹拌混
合、又は乳鉢等ですり潰しながら撹拌することで容易に
混合することができる。その後、約1トン/cm2 で圧縮
成形体としたものを使用する。また、予め混合したもの
を有機化合物の融点まで加熱し、有機物−金属の混合物
としても良い。As the amount of the second component added, there is an optimum value depending on the material to be thin film or powder and the added substance. For example, when it is desired to obtain a thin film / powder containing only organic molecules with 1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate, the addition amount of the second component such as Co particles is 0.05 to About 10 wt% is desirable. If the amount added to the organic compound is less than 0.05%, the heat source of the irradiated laser is not sufficiently transmitted to the raw material compound, and the molecule does not fly. On the other hand, if the addition amount exceeds 10 wt%,
This is because, even if the laser intensity is such that the particles of the second component such as Co do not fly, the particles are entrained together with the molecules of the raw material compound and taken into the film or the powder. On the other hand, when the second component such as the added metal is mixed in the thin film or in the powder, it can be achieved by increasing the addition amount or increasing the laser intensity. As a method of adding the second component to the raw material organic compound which is the first component, it is possible to easily mix by stirring and mixing, or by stirring while mashing with a mortar or the like. After that, a compression-molded body at about 1 ton / cm 2 is used. Alternatively, a premixed material may be heated to the melting point of the organic compound to form an organic material-metal mixture.
【0009】レーザーとしては、有機化合物及び添加物
の吸収波長、吸収の度合いを考慮して、赤外光レーザー
(波長0.8から11μm )、紫外光レーザー(0.2
から0.45μm )を使うことができる。赤外光レーザ
ーとしては、Nd:YAGレーザー(励起手法はランプ
励起、ダイオード励起等が可能)、半導体レーザー、N
d:ガラスレーザー、色素レーザー、化学レーザー、ア
レキサンドライドレーザー、炭酸ガスレーザー、Fセン
ターレーザー、ヨウ素レーザー、自由電子レーザー等を
用いることができる。紫外光レーザーとしては、XeF
(351nm)、XeCl(308nm)、KrF(248
nm)、ArF(193nm)、又はF2 (157nm)エキ
シマレーザー等を挙げることができる。また、Nd:Y
AGレーザー、色素レーザー、Krイオンレーザー、A
rイオンレーザー又は銅蒸気レーザーにおいても、基本
発振波長光を非線形光学素子などにより、紫外光領域の
レーザーに変換したものを用いることもできる。レーザ
ーを照射する際に、照射するレーザーの強度を調節する
ことにより、希望の組成を持つ薄膜又は粉末を形成させ
ることができる。薄膜を形成する基板の捕捉体として
は、有機材料、無機材料、金属材料のいずれも使用する
ことができる。また、粉体を捕捉するためには、布製、
紙製、無機材料フィルター等を捕捉体として使用するこ
とができる。As the laser, an infrared light laser (wavelength 0.8 to 11 μm) and an ultraviolet light laser (0.2 nm) are taken into consideration in consideration of the absorption wavelength and the degree of absorption of organic compounds and additives.
To 0.45 μm) can be used. As the infrared laser, Nd: YAG laser (excitation method can be lamp excitation, diode excitation, etc.), semiconductor laser, N
d: Glass laser, dye laser, chemical laser, alexandrite laser, carbon dioxide gas laser, F center laser, iodine laser, free electron laser and the like can be used. XeF as an ultraviolet laser
(351 nm), XeCl (308 nm), KrF (248
nm), ArF (193 nm), or F 2 (157 nm) excimer laser. Nd: Y
AG laser, dye laser, Kr ion laser, A
Also in the r-ion laser or the copper vapor laser, it is possible to use a laser in which the fundamental oscillation wavelength light is converted into a laser in the ultraviolet region by a non-linear optical element or the like. A thin film or powder having a desired composition can be formed by adjusting the intensity of the laser when the laser is irradiated. As the capturing body of the substrate on which the thin film is formed, any of organic materials, inorganic materials and metallic materials can be used. Also, in order to capture the powder,
Paper, an inorganic material filter, or the like can be used as the capturing body.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明するが、本発明は下記の実施の形態に何ら限定さ
れるものではなく、適宜変更して実施することが可能で
ある。図1は、本発明の第1の実施の形態を示してい
る。図1に示すように、本発明の方法を実施する装置
は、真空ポンプ、計測器等からなる真空排気系10に接
続され、石英窓等のレーザー導入口12を有する反応チ
ャンバー(成膜室)14と、この反応チャンバー14内
に配置され、混合固体(ターゲット)16を取り付ける
ためのターゲットホルダー18と、反応チャンバー14
内に配置され、ターゲットホルダー18に対面して空間
を介して配置された成膜用の捕捉体(基板)20と、こ
の捕捉体20を取り付けるための捕捉体ホルダー22
と、ターゲットホルダー18に取り付けられた混合固体
16にレーザーを照射するためのレーザー発振器24
と、からなっている。26は形成された薄膜である。薄
膜を捕捉体20上に形成させるに際し、捕捉体20を3
0〜500℃、望ましくは100〜300℃に加熱して
励起・活性化された分子の運動を促進させる必要があ
る。このため、捕捉体20に加熱手段を内蔵させるか、
又は加熱手段を接続している。すなわち、捕捉体ホルダ
ー22は、加熱装置の機能をも備えている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with appropriate modifications. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the apparatus for carrying out the method of the present invention is connected to a vacuum exhaust system 10 including a vacuum pump, a measuring instrument, etc., and has a reaction chamber (film forming chamber) having a laser inlet 12 such as a quartz window. 14, a target holder 18 for mounting a mixed solid (target) 16 disposed in the reaction chamber 14, and a reaction chamber 14
A capture body (substrate) 20 for film formation, which is disposed in the interior and faces the target holder 18 through a space, and a capture body holder 22 for mounting the capture body 20.
And a laser oscillator 24 for irradiating the mixed solid 16 attached to the target holder 18 with a laser.
And, it consists of. Reference numeral 26 is a formed thin film. When the thin film is formed on the capturing body 20, the capturing body 20 is separated into three layers.
It is necessary to heat at 0 to 500 ° C., preferably 100 to 300 ° C. to promote the motion of excited / activated molecules. For this reason, a heating means is built in the capturing body 20, or
Alternatively, heating means is connected. That is, the capturing body holder 22 also has a function of a heating device.
【0011】図2は、本発明の第2の実施の形態を示し
ている。本実施形態は、薄膜の代りに粉体28を製造す
るもので、捕捉体として基板の代りに布製、紙製、無機
材料製のフィルター等の多孔体からなる捕捉体20aを
用いるものである。本実施形態では、捕捉体ホルダー2
2aは加熱機能を備える必要はない。また、捕捉体ホル
ダー22aを用いずに、捕捉体20aのみを反応チャン
バー14内に固定する構成としても良い。他の構成及び
作用は図1の場合と同様である。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, the powder 28 is manufactured instead of the thin film, and instead of the substrate, the capturing body 20a made of a porous material such as a cloth, paper or inorganic material filter is used as the capturing body. In this embodiment, the capturing body holder 2
2a does not need to have a heating function. Alternatively, the capturing body holder 22a may not be used, and only the capturing body 20a may be fixed in the reaction chamber 14. Other configurations and operations are the same as those in FIG.
【0012】図3は、本発明の第3の実施の形態を示し
ている。本実施形態は、図2に示す構成に加えて、反応
チャンバー14内の真空排気系の上流側に多孔体からな
る捕捉体30を設けて、この捕捉体30においても粉末
を捕捉できるようにしたものである。他の構成及び作用
は図2の場合と同様である。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In the present embodiment, in addition to the configuration shown in FIG. 2, a capturing body 30 made of a porous body is provided on the upstream side of the vacuum exhaust system in the reaction chamber 14 so that the capturing body 30 can also capture powder. It is a thing. Other configurations and operations are similar to those in the case of FIG.
【0013】図4は、本発明の第4の実施の形態を示し
ている。本実施形態は、図1に示す構成に加えて、捕捉
体20にレーザーを照射するためのレーザー発振器32
を設け、混合固体16と捕捉体20との間の空間にレー
ザーを照射するためのレーザー発振器34を設けて、励
起・活性化された分子の運動を促進させるように構成し
たものである。36はレーザー導入口、38、40、4
2は反射ミラーである。レーザー発振器24、32、3
4は、赤外光レーザー発振器もしくは紫外光レーザー発
振器又はこれらの組合せとすることができる。他の構成
及び作用は図1の場合と同様である。FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention. In the present embodiment, in addition to the configuration shown in FIG.
And a laser oscillator 34 for irradiating a laser in the space between the mixed solid 16 and the capturing body 20 to promote the movement of the excited / activated molecule. 36 is a laser inlet, 38, 40, 4
2 is a reflection mirror. Laser oscillator 24, 32, 3
4 can be an infrared light laser oscillator or an ultraviolet light laser oscillator or a combination thereof. Other configurations and operations are the same as those in FIG.
【0014】図5は、本発明の第5の実施の形態を示し
ている。本実施形態は、図2に示す構成に加えて、捕捉
体20aにレーザーを照射するためのレーザー発振器3
2を設け、混合固体16と捕捉体20aとの間の空間に
レーザーを照射するためのレーザー発振器34を設け
て、励起・活性化された分子の運動を促進させるように
構成したものである。36はレーザー導入口、38、4
0、42は反射ミラーである。レーザー発振器24、3
2、34は、赤外光レーザー発振器もしくは紫外光レー
ザー発振器又はこれらの組合せとすることができる。他
の構成及び作用は図2の場合と同様である。FIG. 5 shows a fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, in addition to the configuration shown in FIG. 2, a laser oscillator 3 for irradiating the capturing body 20a with a laser is provided.
2 is provided, and a laser oscillator 34 for irradiating a laser to the space between the mixed solid 16 and the capturing body 20a is provided to promote the movement of excited / activated molecules. 36 is a laser inlet, 38, 4
Reference numerals 0 and 42 are reflection mirrors. Laser oscillator 24, 3
2, 34 can be an infrared laser oscillator or an ultraviolet laser oscillator or a combination thereof. Other configurations and operations are similar to those in the case of FIG.
【0015】図6は、本発明の第6の実施の形態を示し
ている。本実施形態は、図3に示す構成に加えて、捕捉
体20aにレーザーを照射するためのレーザー発振器3
2を設け、混合固体16と捕捉体20aとの間の空間に
レーザーを照射するためのレーザー発振器34を設け
て、励起・活性化された分子の運動を促進させるように
構成したものである。36はレーザー導入口、38、4
0、42は反射ミラーである。レーザー発振器24、3
2、34は、赤外光レーザー発振器もしくは紫外光レー
ザー発振器又はこれらの組合せとすることができる。他
の構成及び作用は図3の場合と同様である。FIG. 6 shows a sixth embodiment of the present invention. In the present embodiment, in addition to the configuration shown in FIG. 3, a laser oscillator 3 for irradiating the capturing body 20a with a laser is provided.
2 is provided, and a laser oscillator 34 for irradiating a laser to the space between the mixed solid 16 and the capturing body 20a is provided to promote the movement of excited / activated molecules. 36 is a laser inlet, 38, 4
Reference numerals 0 and 42 are reflection mirrors. Laser oscillator 24, 3
2, 34 can be an infrared laser oscillator or an ultraviolet laser oscillator or a combination thereof. Other configurations and operations are the same as those in FIG.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例について説
明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるもの
ではない。 実施例1 図4に示す装置を用いて、薄膜を製造した。すなわち、
成膜室である反応チャンバー内へ、原料有機化合物(1
−4フェニレンビス{4−6(アクリロイオキシ)ヘキ
シルオキシ}ベンゾエート)にCo粒子(大きさ0.0
3μm )を0.05wt%添加し、圧縮成形体としたもの
をレーザー照射体(混合固体、ターゲット)として使用
した。また、フッ化カルシウム製の板(大きさ;一辺4
9.8mmの正方形で厚み1mm)を薄膜作製用基板として
取り付け、真空ポンプにより成膜室内を10-4Paに排気
して真空状態とした。この後、以下に示す条件によって
赤外光レーザーを3箇所に12分間照射し成膜を行なっ
た。 レーザー波長 :1.064μm(Nd:YA
Gレーザー、パルス発振) レーザー強度 :210mJ/cm2 ・パルス レーザー繰り返し周波数:10Hz ターゲット、基板間距離:90mm(図4におけるDの距
離) 基板温度 :125℃ ターゲット温度 :30℃EXAMPLES Examples and comparative examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to the following examples. Example 1 A thin film was manufactured using the apparatus shown in FIG. That is,
A raw material organic compound (1
-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate) with Co particles (size 0.0
3 .mu.m) was added in an amount of 0.05 wt% to obtain a compression molded body, which was used as a laser irradiation body (mixed solid, target). Also, a plate made of calcium fluoride (size: 4 sides)
A 9.8 mm square with a thickness of 1 mm) was attached as a thin film forming substrate, and the film forming chamber was evacuated to 10 −4 Pa by a vacuum pump to obtain a vacuum state. After that, the infrared light laser was irradiated to three places for 12 minutes under the following conditions to form a film. Laser wavelength: 1.064 μm (Nd: YA
Laser intensity: 210 mJ / cm 2 · pulse Laser repetition frequency: 10 Hz Target-substrate distance: 90 mm (distance D in FIG. 4) Substrate temperature: 125 ° C. Target temperature: 30 ° C.
【0017】比較例1 上記実施例1において、Co粒子を添加しないターゲッ
トを使用してレーザー成膜試験を実施した。他の条件は
実施例1と同じである。Comparative Example 1 In the above Example 1, a laser film forming test was carried out using a target to which Co particles were not added. Other conditions are the same as in the first embodiment.
【0018】図7は、成膜試験に供試した原料化合物
(1−4フェニレンビス{4−6(アクリロイオキシ)
ヘキシルオキシ}ベンゾエート)の近赤外分光スペクト
ルを示す。本試験で使用したNd:YAGレーザーの波
長は、1.064μm であり、波数に換算すると939
8cm-1であるが、この部分での吸収は見られない。比較
例1に記載したCo粒子を添加しない試験の場合、捕捉
体上に薄膜を形成するためには、約50分を要した。図
8に示した成膜装置内の真空度の変化とほぼ相関してい
る。一方、Co粒子を添加した場合、図9から明らかな
ように、レーザーの照射とともに原料化合物から分子の
飛翔が確認された。図10は第2成分を添加する前の原
料化合物の赤外スペクトル(IR)チャートを示し、図
11は得られた薄膜の赤外スペクトル(IR)チャート
を示す。薄膜のIRチャートでは−CH=CH2 吸収帯
の強度が原料のそれに比べ減少しており、ポリマー薄膜
が形成されていることがわかる。図12は薄膜の表面写
真(倍率40倍)を示すが、表面が滑らかな薄膜が形成
されていることがわかる。図13はエネルギー分散型X
線分光法(EDS)の結果を示す。作製した薄膜内にお
いて、添加したCo粒子は検出されなかった。実施例1
での薄膜の厚みは約7μm であり、同厚みの薄膜を無添
加系で作製したときに比べ、成膜時間が1/30に短縮
することが可能となった。FIG. 7 shows the raw material compound (1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy)) used in the film formation test.
2 shows a near-infrared spectrum of hexyloxy} benzoate). The wavelength of the Nd: YAG laser used in this test is 1.064 μm, which is 939 when converted to wavenumber.
It is 8 cm -1 , but no absorption is observed in this part. In the test described in Comparative Example 1 in which Co particles were not added, it took about 50 minutes to form a thin film on the capturing body. It is almost correlated with the change in the degree of vacuum in the film forming apparatus shown in FIG. On the other hand, when Co particles were added, as is clear from FIG. 9, flight of molecules from the raw material compound was confirmed with laser irradiation. FIG. 10 shows an infrared spectrum (IR) chart of the starting compound before the addition of the second component, and FIG. 11 shows an infrared spectrum (IR) chart of the obtained thin film. In the IR chart of the thin film, the intensity of the —CH═CH 2 absorption band is lower than that of the raw material, and it can be seen that the polymer thin film is formed. FIG. 12 shows a photograph of the surface of the thin film (magnification: 40 times). It can be seen that the thin film has a smooth surface. Figure 13 shows energy dispersive X
The result of a line spectroscopy (EDS) is shown. The added Co particles were not detected in the produced thin film. Example 1
The thickness of the thin film was about 7 μm, and it was possible to shorten the film formation time to 1/30 compared with the case where a thin film of the same thickness was prepared in the additive-free system.
【0019】実施例2 上記実施例1において、添加物をCo粒子からAlN粒
子(サイズ約1μm )に変えて成膜試験を実施した。他
の条件は実施例1と同じである。図14にEDSチャー
トを示す。添加したAlNに由来のAlピークが検出さ
れた。Example 2 A film forming test was carried out by changing the additive from Co particles to AlN particles (size of about 1 μm) in Example 1 above. Other conditions are the same as in the first embodiment. FIG. 14 shows an EDS chart. An Al peak derived from the added AlN was detected.
【0020】[0020]
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 (1) レーザーを照射する原料有機化合物に金属、金
属化合物もしくは無機化合物の単独物又はこれらの混合
物を添加し、原料有機化合物の熱伝導を大きくしている
ので、成膜速度又は粉末製造速度が大きくなり、しか
も、膜質又は粉末質の向上を図ることができる。As described above, the present invention has the following effects. (1) A metal, a metal compound or an inorganic compound alone or a mixture thereof is added to a raw material organic compound to be irradiated with laser to increase the thermal conductivity of the raw material organic compound. In addition, it is possible to improve the film quality or the powder quality.
【図1】本発明の第1の実施の形態による混合固体を原
料とする薄膜・粉末の製造方法を実施する装置の概略構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for carrying out a method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図7】実施例1、2及び比較例1における1−4フェ
ニレンビス{4−6(アクリロイオキシ)ヘキシルオキ
シ}ベンゾエートの近赤外分光(1〜2.5μm )スペ
クトル図である。FIG. 7 is a near-infrared (1-2.5 μm) spectrum diagram of 1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.
【図8】比較例1での反応チャンバー内の真空度及び原
料化合物(混合固体)の温度変化を示すグラフである。8 is a graph showing a degree of vacuum in a reaction chamber and a temperature change of a raw material compound (mixed solid) in Comparative Example 1. FIG.
【図9】実施例1での反応チャンバー内の真空度及び原
料化合物(混合固体)の温度変化を示すグラフである。9 is a graph showing the degree of vacuum in the reaction chamber and the temperature change of the raw material compound (mixed solid) in Example 1. FIG.
【図10】1−4フェニレンビス{4−6(アクリロイ
オキシ)ヘキシルオキシ}ベンゾエートの赤外分光
(2.5〜25μm )スペクトル図である。FIG. 10 is an infrared spectroscopic (2.5 to 25 μm) spectrum diagram of 1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate.
【図11】薄膜の赤外スペクトルチャートである。FIG. 11 is an infrared spectrum chart of a thin film.
【図12】薄膜の表面写真である(倍率40倍)。FIG. 12 is a surface photograph of a thin film (magnification: 40 times).
【図13】実施例1での薄膜のエネルギー分散型X線分
光法(EDS)チャートである。FIG. 13 is an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) chart of the thin film in Example 1.
【図14】実施例2での薄膜のエネルギー分散型X線分
光法(EDS)チャートである。14 is an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) chart of the thin film in Example 2. FIG.
10 真空排気系 12、36 レーザー導入口 14 反応チャンバー 16 混合固体(ターゲット) 18 ターゲットホルダー 20 捕捉体(基板) 20a、30 捕捉体(多孔体) 22、22a 捕捉体ホルダー 24、32、34 レーザー発振器 26 薄膜 28 粉末 38、40、42 反射ミラー 10 Vacuum Evacuation System 12, 36 Laser Inlet 14 Reaction Chamber 16 Mixed Solid (Target) 18 Target Holder 20 Capture Body (Substrate) 20a, 30 Capture Body (Porous Body) 22, 22a Capture Body Holder 24, 32, 34 Laser Oscillator 26 Thin Film 28 Powder 38, 40, 42 Reflective Mirror
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成8年7月5日[Submission date] July 5, 1996
【手続補正1】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Correction target item name] Brief description of drawings
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図1】本発明の第1の実施の形態による混合固体を原
料とする薄膜・粉末の製造方法を実施する装置の概略構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus for carrying out a method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6の実施の形態を示す概略構成図で
ある。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a sixth embodiment of the present invention.
【図7】実施例1、2及び比較例1における1−4フェ
ニレンビス{4−6(アクリロイオキシ)ヘキシルオキ
シ}ベンゾエートの近赤外分光(1〜2.5μm)スペ
クトル図である。FIG. 7 is a near-infrared spectrum (1-2.5 μm) spectrum diagram of 1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1.
【図8】比較例1での反応チャンバー内の真空度及び原
料化合物(混合固体)の温度変化を示すグラフである。8 is a graph showing a degree of vacuum in a reaction chamber and a temperature change of a raw material compound (mixed solid) in Comparative Example 1. FIG.
【図9】実施例1での反応チャンバー内の真空度及び原
料化合物(混合固体)の温度変化を示すグラフである。9 is a graph showing the degree of vacuum in the reaction chamber and the temperature change of the raw material compound (mixed solid) in Example 1. FIG.
【図10】1−4フェニレンビス{4−6(アクリロイ
オキシ)ヘキシルオキシ}ベンゾエートの赤外分光
(2.5〜25μm)スペクトル図である。FIG. 10 is an infrared spectroscopy (2.5 to 25 μm) spectrum diagram of 1-4 phenylene bis {4-6 (acryloyloxy) hexyloxy} benzoate.
【図11】薄膜の赤外スペクトルチャートである。FIG. 11 is an infrared spectrum chart of a thin film.
【図12】基板上に形成された薄膜を表す顕微鏡写真で
ある(倍率40倍)。FIG. 12 is a micrograph showing a thin film formed on a substrate (40 × magnification).
【図13】実施例1での薄膜のエネルギー分散型X線分
光法(EDS)チャートである。FIG. 13 is an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) chart of the thin film in Example 1.
【図14】実施例2での薄膜のエネルギー分散型X線分
光法(EDS)チャートである。14 is an energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS) chart of the thin film in Example 2. FIG.
【符号の説明】 10 真空排気系 12、36 レーザー導入口 14 反応チャンバー 16 混合固体(ターゲット) 18 ターゲットホルダー 20 捕捉体(基板) 20a、30 捕捉体(多孔体) 22、22a 捕捉体ホルダー 24、32、34 レーザー発振器 26 薄膜 28 粉末 38、40、42 反射ミラー[Explanation of Codes] 10 Vacuum Evacuation System 12, 36 Laser Inlet 14 Reaction Chamber 16 Mixed Solid (Target) 18 Target Holder 20 Capture Body (Substrate) 20a, 30 Capture Body (Porous Body) 22, 22a Capture Body Holder 24, 32, 34 Laser oscillator 26 Thin film 28 Powder 38, 40, 42 Reflecting mirror
Claims (8)
ある金属、金属化合物及び無機化合物の少なくともいず
れかを添加・混合した混合固体を反応チャンバー内に配
置し、この反応チャンバー内を排気して10-1〜10-6
Paの減圧状態にした後、この混合固体へレーザーを照射
して加熱・励起することにより、分子を飛び出させ、捕
捉体上に分子を析出させることを特徴とする混合固体を
原料とする薄膜・粉末の製造方法。1. A mixed solid obtained by adding and mixing at least one of a metal, a metal compound and an inorganic compound, which is a second component, to an organic compound, which is a first component, is placed in a reaction chamber, and the inside of the reaction chamber is evacuated. Then 10 -1 to 10 -6
After reducing the pressure of Pa, the mixed solid is irradiated with a laser to be heated and excited to cause the molecules to fly out and deposit the molecules on the capturing body. Powder manufacturing method.
0.8〜11μm の波長を持つ赤外光レーザーを用いる
請求項1記載の混合固体を原料とする薄膜・粉末の製造
方法。2. A laser for irradiating a mixed solid,
The method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to claim 1, wherein an infrared laser having a wavelength of 0.8 to 11 µm is used.
0.2〜0.45μmの波長を持つ紫外光レーザーを用
いる請求項1記載の混合固体を原料とする薄膜・粉末の
製造方法。3. A laser for irradiating a mixed solid,
The method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to claim 1, wherein an ultraviolet laser having a wavelength of 0.2 to 0.45 μm is used.
性官能基を持つ有機化合物、有機ポリマー及び液晶性を
持つ有機化合物の少なくともいずれかを用いる請求項
1、2又は3記載の混合固体を原料とする薄膜・粉末の
製造方法。4. The mixed solid according to claim 1, 2 or 3, wherein at least one of an organic compound having a reactive functional group, an organic polymer and an organic compound having a liquid crystallinity is used as the first component organic compound. Method of manufacturing thin film / powder as raw material.
e、Ni及びCuの少なくともいずれかを用いる請求項
1〜4のいずれかに記載の混合固体を原料とする薄膜・
粉末の製造方法。5. Co, F as the second component metal
A thin film using the mixed solid as a raw material according to claim 1, wherein at least one of e, Ni and Cu is used.
Powder manufacturing method.
化合物、Fe化合物、Ni化合物及びCu化合物の少な
くともいずれかを用いる請求項1〜4のいずれかに記載
の混合固体を原料とする薄膜・粉末の製造方法。6. Co as the second component metal compound
A method for producing a thin film / powder using the mixed solid as a raw material according to claim 1, wherein at least one of a compound, an Fe compound, a Ni compound and a Cu compound is used.
ミックスを用いる請求項1〜4のいずれかに記載の混合
固体を原料とする薄膜・粉末の製造方法。7. The method for producing a thin film / powder using a mixed solid as a raw material according to claim 1, wherein ceramics is used as an inorganic compound as a second component.
の範囲である請求項1〜7のいずれかに記載の混合固体
を原料とする薄膜・粉末の製造方法。8. The amount of the second component added is 0.05 to 10 wt%.
The method for producing a thin film / powder using the mixed solid according to any one of claims 1 to 7 as a raw material.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP13120596A JP3506196B2 (en) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | Method for producing thin films and powders from mixed solids |
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JPH09291357A true JPH09291357A (en) | 1997-11-11 |
JP3506196B2 JP3506196B2 (en) | 2004-03-15 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002544115A (en) * | 1999-05-15 | 2002-12-24 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | Method and composition for producing a hydrophobic layer over a fluoride layer |
JP2005171269A (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Noritake Co Ltd | Method for manufacturing composite material |
JP2010062143A (en) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of fabricating light emitting device |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP13120596A patent/JP3506196B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002544115A (en) * | 1999-05-15 | 2002-12-24 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | Method and composition for producing a hydrophobic layer over a fluoride layer |
JP4896297B2 (en) * | 1999-05-15 | 2012-03-14 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Porous mold for producing a hydrophobic layer on a fluoride layer |
JP2005171269A (en) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Noritake Co Ltd | Method for manufacturing composite material |
JP2010062143A (en) * | 2008-08-08 | 2010-03-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Method of fabricating light emitting device |
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