JPH09289170A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipmentInfo
- Publication number
- JPH09289170A JPH09289170A JP10112096A JP10112096A JPH09289170A JP H09289170 A JPH09289170 A JP H09289170A JP 10112096 A JP10112096 A JP 10112096A JP 10112096 A JP10112096 A JP 10112096A JP H09289170 A JPH09289170 A JP H09289170A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor manufacturing
- gas supply
- manufacturing apparatus
- head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
するものであり、更に詳しくはガスヘッドからガス供給
面上の基板へ反応ガスを供給する型式の半導体製造装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus of a type that supplies a reaction gas from a gas head to a substrate on a gas supply surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガス供給面上の基板へ反応ガスを供給す
る型式の半導体製造装置においては、反応ガスをシャワ
ー状に供給するために、複数のノズル、ないしは複数の
スリットまたは多孔板を備えたガスヘッドが使用され
る。以降、これらをガスヘッドと総称する。例えば、図
２はベルト搬送方式常圧ＣＶＤ装置２０の要部を示す側
面図であり、図３はその平面図である。また、図４は図
２における［４］−［４］線方向の断面図である。エン
ドレスでメッシュ状の搬送ベルト１の矢印ｍで示す方向
に進行する上行ベルト面で基板としてのウエハーＷが搬
送され、上行ベルトの下方にはヒータ２が設置されてい
る。また上行ベルトの中流部の上方にはマスフローコン
トローラ（ＭＦＣ）３を備えたガス供給管４に接続され
るガスヘッド７が設置されており、薄膜形成用の反応ガ
スが下向きに供給され、ガスヘッド７の下方の搬送ベル
ト１１上がガス供給面となる。すなわち、搬送されてく
るウエハーＷはガス供給面に至り、ガスヘッド７の下面
に取り付けられている図示しないスリットから下向きの
矢印９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ、９ｅ、９ｆ、９ｇで示す
ようにシャワー状に反応ガスが供給されることにより、
ウエハーＷの表面にＣＶＤ（化学的気相成長）による薄
膜が形成される。ウエハーＷ’は薄膜が形成されたもの
を示す。2. Description of the Related Art A semiconductor manufacturing apparatus of a type for supplying a reaction gas to a substrate on a gas supply surface is provided with a plurality of nozzles or a plurality of slits or perforated plates in order to supply the reaction gas in a shower form. A gas head is used. Hereinafter, these are collectively referred to as a gas head. For example, FIG. 2 is a side view showing a main part of the belt transfer type atmospheric pressure CVD apparatus 20, and FIG. 3 is a plan view thereof. FIG. 4 is a sectional view taken along the line [4]-[4] in FIG. A wafer W as a substrate is conveyed on the ascending belt surface of the endless mesh-shaped conveying belt 1 which advances in the direction indicated by the arrow m, and a heater 2 is installed below the ascending belt. Further, a gas head 7 connected to a gas supply pipe 4 equipped with a mass flow controller (MFC) 3 is installed above the midstream portion of the ascending belt, and a reaction gas for forming a thin film is supplied downward, so that the gas head The upper part of the conveyor belt 11 below 7 serves as a gas supply surface. That is, the transferred wafer W reaches the gas supply surface and is showered as shown by downward arrows 9a, 9b, 9c, 9d, 9e, 9f and 9g from a slit (not shown) attached to the lower surface of the gas head 7. By supplying the reaction gas in the form of
A thin film is formed on the surface of the wafer W by CVD (Chemical Vapor Deposition). The wafer W'represents a thin film formed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】図４において、ガスヘ
ッド７から長さの異なる下向きの矢印９ａ、９ｂ、・・
・・・、９ｇで示したように、反応ガスの供給量は必ず
しも均等ではない。図５はガスヘッド７を示す縦断面図
であり、ガスヘッド７には複数のスリット８ａ、８ｂ、
８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ、８ｇが設けられている。しか
し、各スリット８ａ、８ｂ、・・・・・、８ｇの加工精
度のバラツキ、これらの取付け位置精度のバラツキ、な
いしはガス供給管４からの距離、その他による圧力損失
の違い等があることから、スリット８ａ、８ｂ、・・・
・・、８ｇのガス供給量はそれぞれ異なる。従って、図
４に示したように反応ガスは均等に供給され難く、ガス
供給面で反応ガスの濃度が均一にならず、ウエハーＷ’
に形成された薄膜の膜厚や膜質に分布を生じるようにな
る。ガス供給量を均等化するために、ガスヘッド７を複
数化することも行われるが、そのことによって装置自体
が大型化してしまうので好ましい解決策ではない。すな
わち、現在までのところ、ガス供給面の反応ガスの濃度
を制御して均一化することは行われていない。In FIG. 4, downward arrows 9a, 9b having different lengths from the gas head 7 are provided.
... As shown by 9 g, the supply amount of the reaction gas is not necessarily equal. FIG. 5 is a vertical sectional view showing the gas head 7. The gas head 7 has a plurality of slits 8a, 8b,
8c, 8d, 8e, 8f and 8g are provided. However, there are variations in the processing accuracy of the slits 8a, 8b, ..., 8g, variations in the mounting position accuracy of these slits 8a, 8b, ..., 8g, the distance from the gas supply pipe 4, and the difference in pressure loss due to other factors. Slits 8a, 8b, ...
.., 8g gas supply amount is different. Therefore, as shown in FIG. 4, it is difficult to uniformly supply the reaction gas, and the concentration of the reaction gas is not uniform on the gas supply surface.
A distribution is generated in the film thickness and film quality of the thin film formed on the substrate. A plurality of gas heads 7 may be used in order to equalize the gas supply amount, but this is not a preferable solution because the device itself becomes large. That is, to date, the concentration of the reaction gas on the gas supply surface has not been controlled and made uniform.
【０００４】そしてこのことは同様に薄膜形成用の反応
ガスをガス供給面上の基板へ供給して薄膜を形成させる
減圧ＣＶＤ装置、エピタキシャル成長装置や、基板上の
薄膜へエッチング用の反応ガスを供給して回路を形成さ
せるエッチング装置の如き半導体製造装置にも共通す
る。[0006] Similarly, this applies a low-pressure CVD apparatus for forming a thin film by supplying a reaction gas for forming a thin film to a substrate on a gas supply surface, an epitaxial growth apparatus, and a reaction gas for etching a thin film on a substrate. It is also common to semiconductor manufacturing equipment such as etching equipment for forming circuits.
【０００５】従って、本発明は装置を大型化することな
く、ガス供給面に反応ガスを均等に供給し得る半導体製
造装置を提供することを課題とする。Therefore, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of uniformly supplying a reaction gas to a gas supply surface without increasing the size of the apparatus.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は反応ガスをガス
ヘッドへ導くガス供給管を途中で分岐管に分岐させて、
それぞれの分岐管に微調整用の流量調節バルブを取り付
けており、例えばガス供給面における反応ガスの濃度を
計測し、これをフィードバックして流量調節バルブの開
度を制御することにより、ガス供給面における反応ガス
の濃度を均一化するようにしている。According to the present invention, a gas supply pipe for guiding a reaction gas to a gas head is branched into a branch pipe on the way,
A flow control valve for fine adjustment is attached to each branch pipe.For example, by measuring the concentration of the reaction gas on the gas supply surface and feeding it back to control the opening of the flow control valve, The concentration of the reaction gas in is made uniform.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０００８】図１は半導体製造装置としてのベルト搬送
方式常圧ＣＶＤ装置１０における搬送ベルト１１、ガス
供給管１４、およびガスヘッド１７等の配置を示す縦断
面図であり、従来例における図４に相当する図面であ
る。搬送ベルト１１の上行ベルトの下方に設置されるヒ
ータは省略されている。また、側面図、平面図は従来例
の側面図である図２、従来例の平面図である図３と同様
に示されるので省略する。FIG. 1 is a vertical sectional view showing the arrangement of a conveyor belt 11, a gas supply pipe 14, a gas head 17, etc. in a belt conveyor type atmospheric pressure CVD apparatus 10 as a semiconductor manufacturing apparatus. It is a corresponding drawing. The heater installed below the ascending belt of the conveyor belt 11 is omitted. The side view and the plan view are the same as those of the side view of the conventional example shown in FIG. 2 and the plan view of the conventional example shown in FIG.
【０００９】すなわち、図１において、メッシュ状の搬
送ベルト１１の上行ベルト面にウエハーＷが載置されて
搬送される。ガス供給面となる搬送ベルト１１の中流部
の上方では、ガス供給管１４がマスフローコントローラ
（ＭＦＣ）１３の下流側で３本の分岐管１５1 、１５
2 、１５3 に分岐されて、従来例の図５で示したと同様
なガスヘッド１７の中央部および幅方向の両端部に接続
されている。また、分岐管１５1 、１５2 、１５3 には
それぞれ微調整用の流量調節バルブ２３1 、２３2 、２
３3 が取り付けられており、これらはコントローラ２２
によって開度が制御される。更には、ガスヘッド１７の
下方となる搬送ベルト１１のガス供給面には上方の３本
の分岐管１５1 、１５2 、１５3 に対応させウエハーＷ
の搬送される領域を避けてガス濃度センサ２１1 、２１
2 、２１3 が配置されており、それらによる濃度の計測
信号がコントローラ２２へ入力されるようになってい
る。なお、図１においてはガス濃度センサー２１1 、２
１2 、２１3 自体を搬送ベルト１１の上行ベルトの下面
に近接させて設けているが、上面に設けてもよく、また
ガス濃度センサ２１1 、２１2 、２１3 は離隔して設置
し、反応ガスをガス濃度センサ２１1 、２１2 、２１3
まで導くポートを当該箇所に設置するようにしてもよ
い。また、ＣＶＤの条件、例えば加熱温度の変更に対応
して最適の条件を選択し得るように、ガス濃度センサ２
１1 、２１2 、２１3 、またはそれらのポートは図示せ
ずとも上下に、または搬送方向の前後左右に位置調整可
能に取り付けられる。That is, in FIG. 1, the wafer W is placed and transported on the ascending belt surface of the mesh-shaped transport belt 11. Above the midstream portion of the conveyor belt 11, which is the gas supply surface, the gas supply pipe 14 is located downstream of the mass flow controller (MFC) 13 and has three branch pipes 15 1 , 15
It is branched into 2 and 15 3 and is connected to the central portion and both ends in the width direction of the gas head 17 similar to that shown in FIG. 5 of the conventional example. Further, the branch pipes 15 1 , 15 2 and 15 3 are respectively provided with flow control valves 23 1 , 23 2 and 2 for fine adjustment.
3 3 are attached and these are the controller 22
Controls the opening. Further, the gas supply surface of the conveyor belt 11 below the gas head 17 is made to correspond to the upper three branch pipes 15 1 , 15 2 and 15 3 by the wafer W.
Of the gas concentration sensors 21 1 and 21
2 and 21 3 are arranged, and the measurement signal of the concentration by them is input to the controller 22. In FIG. 1, the gas concentration sensors 21 1 , 2
Although 1 2 and 21 3 are provided close to the lower surface of the ascending belt of the conveyor belt 11, they may be provided on the upper surface, and the gas concentration sensors 21 1 , 21 2 and 21 3 are installed separately. The reaction gas is supplied to the gas concentration sensors 21 1 , 21 2 , 21 3
A port leading up to may be installed at the location. In addition, the gas concentration sensor 2 is provided so that the optimum condition can be selected according to the condition of CVD, for example, the change of heating temperature.
Although not shown, 1 1 , 21 2 , and 21 3 , or their ports are attached so as to be positionally adjustable in the vertical direction or in the front-rear, left-right direction in the transport direction.
【００１０】本実施の形態によるベルト搬送方式常圧Ｃ
ＶＤ装置１０は以上のように構成されるが、次にその作
用を説明する。Belt conveyor type normal pressure C according to the present embodiment
The VD device 10 is configured as described above, and its operation will be described next.
【００１１】ガス供給管１４を送られてくる反応ガスは
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１３において所定の
質量流量に制御された後、分岐管１５1 、１５2 、１５
3 に分配されてガスヘッド１７内へ送り込まれ、搬送ベ
ルト１１の上行ベルトに載置され搬送されてくるウエハ
ーＷに対し、図示しないスリットから下方へ矢印１９
ａ、１９ｂ、・・・・・、１９ｇで示すように反応ガス
がシャワー状に供給される。The reaction gas sent through the gas supply pipe 14 is controlled to have a predetermined mass flow rate by a mass flow controller (MFC) 13, and then branched pipes 15 1 , 15 2 , 15
The wafer W, which is divided into three and fed into the gas head 17, is placed on the ascending belt of the conveyor belt 11 and conveyed, and a downward arrow 19 is drawn from a slit (not shown).
The reaction gas is supplied in a shower shape as indicated by a, 19b, ..., 19g.
【００１２】この時、ガス供給面に設置したガス濃度セ
ンサ２１1 、２１2 、２１3 によってガス濃度が計測さ
れ、それらの計測信号はコントローラ２２へ入力され
る。コントローラ２２は各ガス濃度センサ２１1 、２１
2 、２１3 による濃度計測値の平均値を求め、平均値よ
り濃度の高い箇所に対応する分岐管、例えば分岐管１５
2 に取り付けられている流量調節バルブ２３2 の開度を
小さくし、平均値より濃度の低い箇所に対応する分岐管
１５1 、１５3 の流量調節バルブ２３1 、２３3の開度
を大きくする。このようなガス濃度センサ２１1 、２１
2 、２１3 による計測と流量調節バルブ２３1 、２３
2 、２３3 の開度調節とのサイクルが連続的に繰り返さ
れることにより、図１の矢印１９ａ、１９ｂ、・・・・
・、１９ｇで示す反応ガスの不均等な供給量の差が解消
される。従って、形成される薄膜の膜厚、膜質のバラツ
キが解消されてウエハーＷ’内、およびウエハーＷ’間
でのバラツキがなくなり均質化される。At this time, the gas concentration sensors 21 1 , 21 2 and 21 3 installed on the gas supply surface measure the gas concentrations, and the measurement signals are input to the controller 22. The controller 22 uses the gas concentration sensors 21 1 , 21
2 and 21 3 , the average value of the concentration measurement values is obtained, and a branch pipe corresponding to a portion having a higher concentration than the average value, for example, the branch pipe 15
A flow control opening of the valve 23 2 attached to the 2 smaller, to increase the opening of the branch pipe 15 1, 15 3 of the flow rate regulating valve 23 1, 23 3 corresponding to the lower portion density than the average value . Such gas concentration sensors 21 1 , 21
Measurement by 2 and 21 3 and flow control valves 23 1 and 23
By repeating the cycle of opening adjustment of 2 and 23 3 continuously, arrows 19a, 19b, ...
The difference in the non-uniform supply amount of the reaction gas indicated by 19 g is eliminated. Therefore, variations in film thickness and film quality of the formed thin film are eliminated, and variations within the wafer W ′ and between wafers W ′ are eliminated and the film is homogenized.
【００１３】本実施の形態によるベルト搬送方式常圧Ｃ
ＶＤ装置１０は以上のように構成され作用するが、勿
論、本発明はこれに限られることなく、本発明の技術的
思想に基づいて種々の変形が可能である。Belt conveyor type normal pressure C according to the present embodiment
The VD device 10 is configured and operates as described above, but of course, the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
【００１４】例えば本実施の形態においては、搬送ベル
ト１１の幅方向に単列に３本並べた分岐管１５1 、１５
2 、１５3 からガスヘッド１７へ反応ガスを送ったが、
これを３本以上としてもよく、また、単列の分岐管を並
べ搬送方向に直交する複列として分岐管を設けてもよ
い。ガスヘッド１７についても、図５に示す従来例と同
じく幅方向に７本のスリットを設けたが、スリットの数
を増減させ得ることは言うまでもない。For example, in the present embodiment, three branch pipes 15 1 , 15 are arranged in a single row in the width direction of the conveyor belt 11.
2 and 15 3 sent the reaction gas to the gas head 17,
The number of pipes may be three or more, or the branch pipes may be provided as a double row in which single-row branch pipes are arranged and orthogonal to the transport direction. Also in the gas head 17, seven slits are provided in the width direction as in the conventional example shown in FIG. 5, but it goes without saying that the number of slits can be increased or decreased.
【００１５】また、本実施の形態においては、ガス供給
面の直下に設置したガス濃度センサ２１1 、２１2 、２
１3 によるガス濃度の計測値をフィードバックしてガス
供給管１５1 、１５2 、１５3 の流量調節バルブ２３
1 、２３2 、２３3 の開度を調節するようにしたが、ガ
ス供給面より下流側において、ウエハーＷ’の表面に形
成されている薄膜の厚さを連続的に計測し、その膜厚を
フィードバックして流量調節バルブ２３1 、２３2 、２
３3 の開度を調節するようにしてもよい。Further, in the present embodiment, the gas concentration sensors 21 1 , 21 2 , 2 installed directly below the gas supply surface.
The flow rate control valve 23 of the gas supply pipes 15 1 , 15 2 and 15 3 is fed back by feeding back the measured value of the gas concentration by 1 3.
Although the openings of 1 , 23 2 and 23 3 are adjusted, the thickness of the thin film formed on the surface of the wafer W ′ is continuously measured on the downstream side of the gas supply surface, and the film thickness is measured. By feeding back the flow rate adjusting valves 23 1 , 23 2 , 2
The opening of 3 3 may be adjusted.
【００１６】また、本実施の形態においてはベルト搬送
方式常圧ＣＶＤ装置１０を取り上げて説明したが、本発
明の半導体製造装置はこれ以外に、同様にウエハーＷを
載置するガス供給面に反応ガスを供給する減圧ＣＶＤ装
置、プラズマＣＶＤ装置やエピタキシャル成長装置の如
き薄膜形成用の半導体製造装置が含まれる。また、薄膜
の形成されたウエハーＷ’を載置するガス供給面にエッ
チング用の反応ガスを供給して薄膜に回路を形成させる
エッチング装置、プラズマ・エッチング装置、ないしは
同様にアッシング用の反応ガスを供給してウエハーＷ’
の表面上のレジスト膜を灰化させるアッシング装置、プ
ラズマ・アッシング装置の如き半導体製造装置も含まれ
る。Further, in the present embodiment, the belt transfer type atmospheric pressure CVD apparatus 10 is taken up for description, but the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention similarly reacts on the gas supply surface on which the wafer W is placed. A semiconductor manufacturing apparatus for thin film formation such as a low pressure CVD apparatus for supplying a gas, a plasma CVD apparatus, or an epitaxial growth apparatus is included. In addition, an etching device for supplying a reaction gas for etching to form a circuit on the thin film by supplying a reaction gas for etching to the gas supply surface on which the wafer W'where the thin film is formed, a plasma etching device, or similarly, a reaction gas for ashing is used. Supply and wafer W '
Also included are semiconductor manufacturing devices such as an ashing device and a plasma ashing device for ashing the resist film on the surface of the.
【００１７】また、本実施の形態ではガス濃度センサに
よる計測値をフィードバックしてガス供給面におけるガ
ス濃度を均一化させたが、高速道路のトンネル内の出入
口近辺の照明にも同様な制御技術を応用し得る。すなわ
ち、トンネル内の出入口照明はトンネル外の明るさに合
わせるように明るくし、瞳孔が追随し得る時間をかけて
中央部の照明を下げ所定の明るさにしているが、夜間で
はトンネルの出入口と中央部とで明るさに変化を与える
必要はない。従って、出入口に照度センサを設置してト
ンネル外の明るさをフィードバックし、昼間は明るく、
夜間は中央部と同程度に暗い照明とする様な制御も可能
である。Further, in the present embodiment, the measurement value by the gas concentration sensor is fed back to make the gas concentration on the gas supply surface uniform, but a similar control technique is applied to the illumination near the entrance and exit in the tunnel of the highway. It can be applied. In other words, the entrance and exit lights inside the tunnel are brightened to match the brightness outside the tunnel, and the lighting in the center is lowered to a predetermined brightness over the time that the pupil can follow. It is not necessary to change the brightness at the center. Therefore, an illuminance sensor is installed at the entrance to feed back the brightness outside the tunnel, making it bright during the day,
At night, it is possible to control the lighting so that it is as dark as the central area.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明は以上に説明したような形態で実
施され、次に記載するような効果を奏する。The present invention is embodied in the form described above, and has the following effects.
【００１９】ガス供給面に反応ガスを供給する形式の半
導体製造装置において、ガス供給面での反応ガスの濃度
が均一化されることにより、薄膜形成装置においては形
成される薄膜の膜厚、膜質のバラツキが解消され品質が
向上する。また、エッチング装置、アッシング装置にお
いてはエッチング、アッシングが過不足なく行われるよ
うになる。In the semiconductor manufacturing apparatus of the type in which the reaction gas is supplied to the gas supply surface, the concentration of the reaction gas on the gas supply surface is made uniform, so that the film thickness and film quality of the thin film to be formed in the thin film forming apparatus. Variation is eliminated and quality is improved. Further, in the etching device and the ashing device, etching and ashing can be performed without excess or deficiency.
【００２０】また反応ガスの供給を均等化するためにガ
スヘッドを複数に設けて大型化している装置において
は、複数にする必要がなくなり、これを小型に改造し得
る。Further, in an apparatus in which a plurality of gas heads are provided in order to equalize the supply of the reaction gas and the size is increased, it is not necessary to use a plurality of gas heads, and this can be modified into a small size.
【００２１】また、従来は形成される薄膜にバラツキが
現れることによって行っていたガスヘッドのメンテナン
ス作業が不必要となることから、メンテナンスの工数が
不要となるほか、半導体製造装置の稼働時間が長くなり
生産性が向上する。Further, since the maintenance work of the gas head, which has been conventionally performed due to the variation in the formed thin film, becomes unnecessary, the man-hours for the maintenance become unnecessary, and the operating time of the semiconductor manufacturing apparatus is long. And productivity is improved.
【００２２】また、ガス濃度を定期的にチェックするこ
とにより、マスフローコントローラの異常も検知し得
る。Further, by periodically checking the gas concentration, it is possible to detect an abnormality in the mass flow controller.
【図１】実施の形態のベルト搬送方式常圧ＣＶＤ装置の
ガス供給管、ガスヘッド、ガス濃度センサ等の配置を示
す図であり、従来例の図４に相当する縦断面図である。FIG. 1 is a diagram showing an arrangement of a gas supply pipe, a gas head, a gas concentration sensor, and the like of a belt-conveying atmospheric pressure CVD apparatus according to an embodiment, and is a vertical cross-sectional view corresponding to FIG. 4 of a conventional example.
【図２】従来例のベルト搬送方式常圧ＣＶＤ装置の要部
を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a main part of a conventional belt-conveying atmospheric pressure CVD apparatus.
【図３】同平面図である。FIG. 3 is a plan view of the same.
【図４】図２における［４］−［４］線方向の断面図で
ある。4 is a cross-sectional view taken along line [4]-[4] in FIG.
【図５】従来例のガスヘッドの縦断面図である。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of a conventional gas head.
１０……実施の形態のベルト搬送方式常圧ＣＶＤ装置、
１１……搬送ベルト、１３……マスフローコントロー
ラ、１４……ガス供給管、１５1 、１５2 、１５3 ……
分岐管、１７……ガスヘッド、１９ａ、１９ｂ、１９ｃ
……反応ガスの流れ、１１……従来例のベルト搬送方式
常圧ＣＶＤ装置、２１1 、２１2 、２１3……ガス濃度
センサ、２２……コントローラ、２３1 、２３2 、２３
3 ……流量調節バルブ、Ｗ……ウエハー。10 ... Belt conveyor type atmospheric pressure CVD apparatus according to the embodiment,
11 ... Conveyor belt, 13 ... Mass flow controller, 14 ... Gas supply pipe, 15 1 , 15 2 , 15 3 ......
Branch pipe, 17 ... Gas head, 19a, 19b, 19c
...... Reaction gas flow, 11 …… Conventional belt conveyor type atmospheric pressure CVD apparatus, 21 1 , 21 2 , 21 3 …… Gas concentration sensor, 22 …… Controller, 23 1 , 23 2 , 23
3 …… Flow control valve, W …… Wafer.
Claims (5)
ガス供給面上の基板へ反応ガスを供給する型式の半導体
製造装置において、前記ガス供給管が分岐管に分岐され
て前記ガスヘッドに接続されており、かつ前記分岐管の
それぞれに微調整用の流量制御バルブが取り付けられて
いることを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus of a type for supplying a reaction gas from a gas head connected to a gas supply pipe to a substrate on a gas supply surface, wherein the gas supply pipe is branched into a branch pipe and connected to the gas head. And a flow control valve for fine adjustment is attached to each of the branch pipes.
センサが配置されており、それらの計測値に基づいて前
記流量制御バルブの開度が制御されて前記ガス供給面に
おけるガス濃度が均一化されることを特徴とする請求項
１に記載の半導体製造装置。2. A plurality of gas concentration sensors are arranged in the vicinity of the gas supply surface, and the opening of the flow control valve is controlled on the basis of the measured values thereof so that the gas concentration on the gas supply surface is uniform. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is embodied.
に対応させて同数、または同数以上設けられていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製
造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of gas concentration sensors are provided in the same number or in the same number or more corresponding to the branch pipes.
ラが設置されており、 該マスフローコントローラの下流側において前記ガス供
給管が分岐されて前記分岐管が形成されていることを特
徴とする請求項１から請求項３までの何れかに記載の半
導体製造装置。4. A mass flow controller is installed in the gas supply pipe, and the gas supply pipe is branched on the downstream side of the mass flow controller to form the branch pipe. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3.
圧ＣＶＤ装置であることを特徴とする請求項１から請求
項４までの何れかに記載の半導体製造装置。5. The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is a belt-conveying atmospheric pressure CVD apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112096A JPH09289170A (en) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112096A JPH09289170A (en) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289170A true JPH09289170A (en) | 1997-11-04 |
Family
ID=14292225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112096A Pending JPH09289170A (en) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289170A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083628A (en) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 박종섭 | Belt type cvd apparatus for semiconductor wafer |
| JP2006216855A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Film forming equipment and measuring method |
| CN100390933C (en) * | 2004-12-09 | 2008-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
| US7647887B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
| WO2013061660A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | Vapor deposition device |
| JP2015021173A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日東電工株式会社 | Film deposition apparatus |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP10112096A patent/JPH09289170A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010083628A (en) * | 2000-02-17 | 2001-09-01 | 박종섭 | Belt type cvd apparatus for semiconductor wafer |
| US7647887B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-01-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin film forming apparatus |
| CN100390933C (en) * | 2004-12-09 | 2008-05-28 | 东京毅力科创株式会社 | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
| JP2006216855A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Film forming equipment and measuring method |
| WO2013061660A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | シャープ株式会社 | Vapor deposition device |
| JP2015021173A (en) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日東電工株式会社 | Film deposition apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5268766B2 (en) | Film forming reaction apparatus and film forming substrate manufacturing method | |
| US20070281084A1 (en) | Apparatus and method for depositing layer on substrate | |
| TWI490919B (en) | Reaction chamber | |
| US5819684A (en) | Gas injection system for reaction chambers in CVD systems | |
| EP1043763B1 (en) | Vapor growth apparatus for semiconductor wafers with dopant gas feed assembly | |
| KR100341521B1 (en) | Gas distribution system | |
| US20130045548A1 (en) | Apparatus and method for simultaneous deposition of a plurality of semiconductor layers in a plurality of process chambers | |
| JPH06295862A (en) | Compound semiconductor fabrication system and organic metal material vessel | |
| JP2007324285A (en) | Film forming reaction apparatus | |
| JPH09289170A (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| CN110400768A (en) | Reaction chamber | |
| CN201437552U (en) | Gas inlet system | |
| JP4581868B2 (en) | Epitaxial growth apparatus and manufacturing method thereof | |
| JP2005038239A (en) | Flow rate controller | |
| TWI776114B (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP6628065B2 (en) | Vapor phase growth apparatus, method for manufacturing epitaxial wafer, and attachment for vapor phase growth apparatus | |
| JPH02229788A (en) | Vapor phase growth device | |
| JP2005353775A (en) | Epitaxial device | |
| CN109661715B (en) | Vapor phase growth apparatus and epitaxial wafer manufacturing method | |
| KR200327634Y1 (en) | Apparatus for atomic layer deposition | |
| JPWO2007032053A1 (en) | Reaction gas supply apparatus and semiconductor manufacturing apparatus | |
| US7084074B1 (en) | CVD gas injector and method therefor | |
| JPH06232049A (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| CN109003886A (en) | The preparation method of middle thickness extension | |
| JPH07142406A (en) | Method and system for semiconductor vapor phase epitaxial growth |