JPH09282715A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
- Publication number
- JPH09282715A JPH09282715A JP8083851A JP8385196A JPH09282715A JP H09282715 A JPH09282715 A JP H09282715A JP 8083851 A JP8083851 A JP 8083851A JP 8385196 A JP8385196 A JP 8385196A JP H09282715 A JPH09282715 A JP H09282715A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- area
- recording
- rom
- optical disc
- pitch
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録密度に無駄がないＲＯＭ、ＲＡＭ混在型
のディスクを実現する。 【解決手段】 ＲＯＭ領域には、再生時のクロストーク
量に基づいて決定したピッチ幅１．０μｍのピット３を
形成する。ＲＡＭ領域には、記録時のクロスイレーズ量
に基づいて決定したピッチ１．６μｍのスパイラル状の
グルーブ５を形成する。このような基板２の上に、下地
層、記録層、保護層を順次形成する。ＲＯＭ領域におけ
るトラックピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチ
とを変えることにより、各々に最適なトラックピッチを
設定することができ、ＲＯＭ領域の記録密度を向上させ
ることが可能となる。
のディスクを実現する。 【解決手段】 ＲＯＭ領域には、再生時のクロストーク
量に基づいて決定したピッチ幅１．０μｍのピット３を
形成する。ＲＡＭ領域には、記録時のクロスイレーズ量
に基づいて決定したピッチ１．６μｍのスパイラル状の
グルーブ５を形成する。このような基板２の上に、下地
層、記録層、保護層を順次形成する。ＲＯＭ領域におけ
るトラックピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチ
とを変えることにより、各々に最適なトラックピッチを
設定することができ、ＲＯＭ領域の記録密度を向上させ
ることが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、再生専用のＲＯＭ
領域と記録再生可能なＲＡＭ領域の両方を有する光ディ
スクに関するものである。
領域と記録再生可能なＲＡＭ領域の両方を有する光ディ
スクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、高密度、大容量、高いア
クセス速度並びに高信頼性等の特徴を備え、期待されて
いる記録媒体である。特に、近年になり動画や静止画を
多く扱うようになって大容量のデータをより速くやりと
りする必要性がでてきている。また、コンピュータが一
般的に普及するに従い、その大容量のデータをより小さ
い記録媒体に詰め込む技術が要求されている。このよう
な光ディスクのうち再生専用型には、いわゆるコンパク
トディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の予め情報が記録されてい
る記録媒体が知られている。また、記録可能なものに
は、現在実用化されているものとして光磁気記録型、相
変化型、穴開け型などがある。
クセス速度並びに高信頼性等の特徴を備え、期待されて
いる記録媒体である。特に、近年になり動画や静止画を
多く扱うようになって大容量のデータをより速くやりと
りする必要性がでてきている。また、コンピュータが一
般的に普及するに従い、その大容量のデータをより小さ
い記録媒体に詰め込む技術が要求されている。このよう
な光ディスクのうち再生専用型には、いわゆるコンパク
トディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の予め情報が記録されてい
る記録媒体が知られている。また、記録可能なものに
は、現在実用化されているものとして光磁気記録型、相
変化型、穴開け型などがある。
【０００３】再生専用型の光ディスクと記録再生型の光
ディスクのいずれも光、例えばレーザ光等を利用して記
録あるいは再生するという点で共通している。したがっ
て、再生専用型と記録再生型を組み合わせたものも提案
されている。例えば、再生専用のリードオンリーメモリ
（以下、ＲＯＭとする）領域には、プリピットデータを
予め記録し（プリフォーマット）、記録再生可能なラン
ダムアクセスメモリ（以下、ＲＡＭとする）領域には光
磁気記録を行うものが考えられる。ところで、大量のデ
ータをより小さく格納する、つまり高密度化するための
技術課題はいろいろ検討されているが、特に隣合うトラ
ック間距離（トラックピッチ）は記録情報密度に直接関
わる因子である。高密度化するためには、トラックピッ
チを狭くし単位面積当たりに記録する情報量を大きくす
る。
ディスクのいずれも光、例えばレーザ光等を利用して記
録あるいは再生するという点で共通している。したがっ
て、再生専用型と記録再生型を組み合わせたものも提案
されている。例えば、再生専用のリードオンリーメモリ
（以下、ＲＯＭとする）領域には、プリピットデータを
予め記録し（プリフォーマット）、記録再生可能なラン
ダムアクセスメモリ（以下、ＲＡＭとする）領域には光
磁気記録を行うものが考えられる。ところで、大量のデ
ータをより小さく格納する、つまり高密度化するための
技術課題はいろいろ検討されているが、特に隣合うトラ
ック間距離（トラックピッチ）は記録情報密度に直接関
わる因子である。高密度化するためには、トラックピッ
チを狭くし単位面積当たりに記録する情報量を大きくす
る。
【０００４】しかし、高密度化のためにトラックピッチ
を狭くすると、記録情報を再生する際に、現在再生して
いるトラックの隣のトラックも一緒に再生してしまうと
いう問題点がある。すなわち、あるトラックピッチ限界
値を超えると、隣接トラックからの信号漏れ（クロスト
ーク）が発生し、再生信号品質の低下を招き、ひいては
データの信頼性を失う。また、情報を記録する際にも、
トラックピッチは記録密度及び信号品質と大いに関係が
ある。例えば光磁気記録は、レーザー光によって媒体の
温度を上げて、外部磁界をかけて目的の情報を記録する
熱記録である。これにより、再生と同様に記録密度を上
げようとしてトラックピッチを狭めていくと、隣のトラ
ックへの熱拡散により、本来記録したくない隣接トラッ
クに情報を記録、あるいは隣接トラックの情報を消去し
てしまう現象（クロスイレーズ）が生じる。
を狭くすると、記録情報を再生する際に、現在再生して
いるトラックの隣のトラックも一緒に再生してしまうと
いう問題点がある。すなわち、あるトラックピッチ限界
値を超えると、隣接トラックからの信号漏れ（クロスト
ーク）が発生し、再生信号品質の低下を招き、ひいては
データの信頼性を失う。また、情報を記録する際にも、
トラックピッチは記録密度及び信号品質と大いに関係が
ある。例えば光磁気記録は、レーザー光によって媒体の
温度を上げて、外部磁界をかけて目的の情報を記録する
熱記録である。これにより、再生と同様に記録密度を上
げようとしてトラックピッチを狭めていくと、隣のトラ
ックへの熱拡散により、本来記録したくない隣接トラッ
クに情報を記録、あるいは隣接トラックの情報を消去し
てしまう現象（クロスイレーズ）が生じる。
【０００５】したがって、再生時、記録時のそれぞれの
現在の要素技術で可能なピッチの限界を求めて適正なト
ラックピッチに設定している。このとき、再生時のクロ
ストーク量によって決まる最適なトラックピッチは例え
ば１．０μｍで、記録時のクロスイレーズ量（上記隣接
トラックのキャリアレベルの低下で判断する）によって
決まる最適なトラックピッチは例えば１．６μｍであ
る。よって、上述のようなＲＯＭ領域とＲＡＭ領域の両
方を有する光ディスクの場合、再生時のクロストーク量
によって決まる値から両方のトラックピッチを設定する
と、ＲＡＭ領域においてクロスイレーズが発生してしま
う。一方、記録時のクロスイレーズ量によって決まる値
から両方のトラックピッチを設定すると、ＲＯＭ領域で
はクロストーク限界に対して余裕を持ったピッチとなる
ため、情報密度に無駄が生じ、高密度化に逆行する。
現在の要素技術で可能なピッチの限界を求めて適正なト
ラックピッチに設定している。このとき、再生時のクロ
ストーク量によって決まる最適なトラックピッチは例え
ば１．０μｍで、記録時のクロスイレーズ量（上記隣接
トラックのキャリアレベルの低下で判断する）によって
決まる最適なトラックピッチは例えば１．６μｍであ
る。よって、上述のようなＲＯＭ領域とＲＡＭ領域の両
方を有する光ディスクの場合、再生時のクロストーク量
によって決まる値から両方のトラックピッチを設定する
と、ＲＡＭ領域においてクロスイレーズが発生してしま
う。一方、記録時のクロスイレーズ量によって決まる値
から両方のトラックピッチを設定すると、ＲＯＭ領域で
はクロストーク限界に対して余裕を持ったピッチとなる
ため、情報密度に無駄が生じ、高密度化に逆行する。
【０００６】また、上記と反対に、クロスイレーズ量に
よって決まるトラックピッチの方がクロストークによっ
て決まるピッチよりも狭い場合、クロスイレーズ量によ
って決まる値から両方のトラックピッチを決定すると、
ＲＯＭ、ＲＡＭ領域共に再生時にクロストークが発生し
てしまう。
よって決まるトラックピッチの方がクロストークによっ
て決まるピッチよりも狭い場合、クロスイレーズ量によ
って決まる値から両方のトラックピッチを決定すると、
ＲＯＭ、ＲＡＭ領域共に再生時にクロストークが発生し
てしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の光
ディスクでは、再生専用のＲＯＭ領域と記録再生可能な
ＲＡＭ領域を混在させる場合、両方のトラックピッチを
同一にするため、情報密度に無駄が生じたり、クロスト
ークあるいはクロスイレーズが生じたりするという問題
点があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、記録密度に無駄がなく、かつクロストーク
及びクロスイレーズが生じることのないＲＯＭ、ＲＡＭ
混在型の光ディスクを提供することを目的とする。
ディスクでは、再生専用のＲＯＭ領域と記録再生可能な
ＲＡＭ領域を混在させる場合、両方のトラックピッチを
同一にするため、情報密度に無駄が生じたり、クロスト
ークあるいはクロスイレーズが生じたりするという問題
点があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、記録密度に無駄がなく、かつクロストーク
及びクロスイレーズが生じることのないＲＯＭ、ＲＡＭ
混在型の光ディスクを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
請求項１に記載のように、ＲＯＭ領域におけるトラック
ピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチとが異なる
ものである。ＲＯＭ領域におけるトラックピッチとＲＡ
Ｍ領域におけるトラックピッチとを変えることにより、
各々に最適なトラックピッチを設定することができる。
また、請求項２に記載のように、一面にＲＯＭ領域が配
置され、他の面にＲＡＭ領域が配置されたものである。
請求項１に記載のように、ＲＯＭ領域におけるトラック
ピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチとが異なる
ものである。ＲＯＭ領域におけるトラックピッチとＲＡ
Ｍ領域におけるトラックピッチとを変えることにより、
各々に最適なトラックピッチを設定することができる。
また、請求項２に記載のように、一面にＲＯＭ領域が配
置され、他の面にＲＡＭ領域が配置されたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】 実施の形態の１．図１（ａ）は本発明の第１の実施の形
態を示す光ディスクの外観図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線で
切断した図１（ａ）の光ディスクの１部分Ｂを斜め上方
から見た拡大図である。１は光ディスク、２は案内溝付
き基板、３は基板２に形成された孔状のピット、４は図
示しない光ピックアップ側（図１下側）から見て凹とな
るランド、５は凸となるグルーブである。なお、図１で
は、基板２上に形成する記録膜等を省いている。
態を示す光ディスクの外観図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線で
切断した図１（ａ）の光ディスクの１部分Ｂを斜め上方
から見た拡大図である。１は光ディスク、２は案内溝付
き基板、３は基板２に形成された孔状のピット、４は図
示しない光ピックアップ側（図１下側）から見て凹とな
るランド、５は凸となるグルーブである。なお、図１で
は、基板２上に形成する記録膜等を省いている。
【００１０】次に、このような光ディスク１の製造方法
を説明する。まず、ディスク１の原盤（スタンパ）と直
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板とを用意す
る。そして、スタンパと基板間に紫外線硬化性樹脂を注
入して紫外線で樹脂を硬化させる２Ｐ法により、ピット
３、ランド４及びグルーブ５を有する樹脂がガラス基板
上に形成された案内溝付き基板２を作製する。
を説明する。まず、ディスク１の原盤（スタンパ）と直
径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス基板とを用意す
る。そして、スタンパと基板間に紫外線硬化性樹脂を注
入して紫外線で樹脂を硬化させる２Ｐ法により、ピット
３、ランド４及びグルーブ５を有する樹脂がガラス基板
上に形成された案内溝付き基板２を作製する。
【００１１】このとき、半径４０ｍｍから４５ｍｍ、半
径５０ｍｍから５５ｍｍ、半径６０ｍｍから６５ｍｍま
での領域をＲＯＭ領域とした。そして、これらのＲＯＭ
領域には、クロストーク量に基づいて決定したピッチ幅
１．０μｍ、深さ５０ｎｍのピット３を形成した。記録
情報は、このピット３の有り無しとそれらの長さによっ
て表現される。
径５０ｍｍから５５ｍｍ、半径６０ｍｍから６５ｍｍま
での領域をＲＯＭ領域とした。そして、これらのＲＯＭ
領域には、クロストーク量に基づいて決定したピッチ幅
１．０μｍ、深さ５０ｎｍのピット３を形成した。記録
情報は、このピット３の有り無しとそれらの長さによっ
て表現される。
【００１２】また、半径４５ｍｍから５０ｍｍ、半径５
５ｍｍから６０ｍｍまでの領域をＲＡＭ領域とした。そ
して、これらのＲＡＭ領域には、クロスイレーズ量に基
づいて決定したピッチ１．６μｍ、深さ５０ｎｍの連続
スパイラル状のグルーブ５を形成した。なお、本実施の
形態の光ディスク１は、ランドあるいはグルーブの一方
のみに情報を記録するものである。
５ｍｍから６０ｍｍまでの領域をＲＡＭ領域とした。そ
して、これらのＲＡＭ領域には、クロスイレーズ量に基
づいて決定したピッチ１．６μｍ、深さ５０ｎｍの連続
スパイラル状のグルーブ５を形成した。なお、本実施の
形態の光ディスク１は、ランドあるいはグルーブの一方
のみに情報を記録するものである。
【００１３】続いて、こうして作製した基板２の上に、
マグネトロンスパッタリング法により、ＳｉＮからなる
厚さ５０ｎｍの下地層、ＴｂＦｅＣｏからなる厚さ７０
ｎｍの記録層、ＳｉＮからなる厚さ５０ｎｍの保護層を
順次形成する。そして、最後にハードコートとして、厚
さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂を形成する。こうして、
光ディスク１の作製が終了する。なお、本実施の形態の
光ディスク１は、ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域の両方を有す
るが、ディスク全体としては光磁気ディスクとなってい
る。
マグネトロンスパッタリング法により、ＳｉＮからなる
厚さ５０ｎｍの下地層、ＴｂＦｅＣｏからなる厚さ７０
ｎｍの記録層、ＳｉＮからなる厚さ５０ｎｍの保護層を
順次形成する。そして、最後にハードコートとして、厚
さ１０μｍの紫外線硬化性樹脂を形成する。こうして、
光ディスク１の作製が終了する。なお、本実施の形態の
光ディスク１は、ＲＯＭ領域とＲＡＭ領域の両方を有す
るが、ディスク全体としては光磁気ディスクとなってい
る。
【００１４】この光ディスク１の半径４５〜５０ｍｍ、
半径５５〜６０ｍｍのＲＡＭ領域に周波数５ＭＨｚのマ
ーク（情報）を光磁気記録すれば、この光ディスク１を
半径４０〜６５ｍｍの位置で連続再生することができ
る。これにより、トラックピッチ１．６μｍの従来のＲ
ＡＭ型光ディスクに比べて約１．５倍の記録密度を得る
ことができる。
半径５５〜６０ｍｍのＲＡＭ領域に周波数５ＭＨｚのマ
ーク（情報）を光磁気記録すれば、この光ディスク１を
半径４０〜６５ｍｍの位置で連続再生することができ
る。これにより、トラックピッチ１．６μｍの従来のＲ
ＡＭ型光ディスクに比べて約１．５倍の記録密度を得る
ことができる。
【００１５】実施の形態の２．実施の形態の１では、片
面の光ディスクで説明したが、一面にＲＯＭ領域を配置
して他の面にＲＡＭ領域を配置し、これらのトラックピ
ッチを変えてもよい。このような両面型の光ディスクを
作成するには、ピットのみを形成したＲＯＭ型光ディス
クとランド及びグルーブを形成したＲＡＭ型光ディスク
のハードコート同士を接着剤にて貼り合わせればよい。
このような両面型の光ディスクは、例えばＳＤ規格のＤ
ＶＤ（ディジタルビデオディスク）等への応用が考えら
れる。
面の光ディスクで説明したが、一面にＲＯＭ領域を配置
して他の面にＲＡＭ領域を配置し、これらのトラックピ
ッチを変えてもよい。このような両面型の光ディスクを
作成するには、ピットのみを形成したＲＯＭ型光ディス
クとランド及びグルーブを形成したＲＡＭ型光ディスク
のハードコート同士を接着剤にて貼り合わせればよい。
このような両面型の光ディスクは、例えばＳＤ規格のＤ
ＶＤ（ディジタルビデオディスク）等への応用が考えら
れる。
【００１６】なお、以上の実施の形態では、ＲＯＭ領域
の最適なトラックピッチを１．０μｍ、ＲＡＭ領域の最
適なトラックピッチを１．６μｍと設定したが、これら
以外の数値が有り得ることは言うまでもない。また、光
磁気ディスクを例にとって説明したが、相変化等の他の
光ディスクに適用してもよいことは言うまでもない。
の最適なトラックピッチを１．０μｍ、ＲＡＭ領域の最
適なトラックピッチを１．６μｍと設定したが、これら
以外の数値が有り得ることは言うまでもない。また、光
磁気ディスクを例にとって説明したが、相変化等の他の
光ディスクに適用してもよいことは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ＲＯＭ領域におけるト
ラックピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチとを
変えることにより、各々に最適なトラックピッチを設定
することができるので、ＲＯＭ領域の記録密度を向上さ
せることが可能となり、クロストークやクロスイレーズ
が生じることがなくなる。
ラックピッチとＲＡＭ領域におけるトラックピッチとを
変えることにより、各々に最適なトラックピッチを設定
することができるので、ＲＯＭ領域の記録密度を向上さ
せることが可能となり、クロストークやクロスイレーズ
が生じることがなくなる。
【００１８】また、一面にＲＯＭ領域を配置し、他の面
にＲＡＭ領域を配置することにより、各面に対応する光
ピックアップをそれぞれ設置すれば、ＲＯＭ領域とＲＡ
Ｍ領域を同時にアクセスすることができる。
にＲＡＭ領域を配置することにより、各面に対応する光
ピックアップをそれぞれ設置すれば、ＲＯＭ領域とＲＡ
Ｍ領域を同時にアクセスすることができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す光ディスク
の外観図及び光ディスクの１部分を斜め上方から見た拡
大図である。
の外観図及び光ディスクの１部分を斜め上方から見た拡
大図である。
１…光ディスク、２…案内溝付き基板、３…ピット、４
…ランド、５…グルーブ。
…ランド、５…グルーブ。
Claims (2)
- 【請求項１】 再生専用のＲＯＭ領域と記録再生可能な
ＲＡＭ領域とを有する光ディスクにおいて、 前記ＲＯＭ領域におけるトラックピッチとＲＡＭ領域に
おけるトラックピッチとが異なることを特徴とする光デ
ィスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の光ディスクにおいて、 前記光ディスクは、一面に前記ＲＯＭ領域が配置され、
他の面に前記ＲＡＭ領域が配置されたものであることを
特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083851A JPH09282715A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083851A JPH09282715A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09282715A true JPH09282715A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13814208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8083851A Pending JPH09282715A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09282715A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300041B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-10-09 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8083851A patent/JPH09282715A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300041B1 (en) * | 1997-06-10 | 2001-10-09 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |