JPH09275328A - Variable capacitance circuit and analog filter circuit using it - Google Patents

Variable capacitance circuit and analog filter circuit using it

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JPH09275328A
JPH09275328A JP8252796A JP8252796A JPH09275328A JP H09275328 A JPH09275328 A JP H09275328A JP 8252796 A JP8252796 A JP 8252796A JP 8252796 A JP8252796 A JP 8252796A JP H09275328 A JPH09275328 A JP H09275328A
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voltage
input
differential amplifier
signal
current
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JP8252796A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Yamakido
一夫 山木戸
Sadahiro Miota
禎宏 見尾田
Yoshiharu Nagayama
義治 永山
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Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an analog filter whose cut-off frequency is less fluctuated even when the resistance of a resistive element formed on a semiconductor subscriber is largely dispersed. SOLUTION: A variable capacitance circuit 30 consisting of parallel connection of a variable capacitance circuit section making up of components 20, 3' whose gain is inversely proportioned to the resistance R of a resistive element 2 of the filter and of a fixed capacitance circuit section making up of components 21, 3" whose gain of an amplifier is fixed with respect to input signal terminals T1, VB is used for a capacitive element of the filter and its equivalent capacitance is set proportional to a multiple of the gain of the amplifier 20. Even when the resistance of the resistive element 2 formed on a semiconductor substrate is largely fluctuated, the gain of the amplifier 20 is changed inversely proportional to the resistance and the equivalent capacitance of the variable capacitance circuit cancels the fluctuation of the resistive element 2 of the CR filter circuit thereby keeping the cut-off frequency to be a desired value automatically and stably.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、信号処理回路さら
にはアナログフィルタ回路及びそれに利用して好適な可
変容量回路に係り、特に半導体集積回路化するのに好適
なアナログフィルタ回路、そしてATM−LANインタ
フェースカードの波形等化回路などに適用して有効な技
術に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal processing circuit, an analog filter circuit, and a variable capacitance circuit suitable for use in the analog filter circuit, and particularly to an analog filter circuit suitable for forming a semiconductor integrated circuit, and an ATM-LAN. The present invention relates to a technique effectively applied to a waveform equalization circuit of an interface card.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路化されたアナログ
フィルタ回路の1例として容量と抵抗とを用いた図16
に示すようなCRフィルタ回路が知られている。図16
のフィルタ回路は、アナログ信号の入力端子1と出力端
子4との間に抵抗値Rの抵抗素子2が接続され、出力端
子4と固定電位VBとの間に容量値Cの容量素子3が接
続されたものである。このフィルタはカットオフ周波数
がfc=1/2πCRで表わされるローパス特性を有す
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an example of an analog filter circuit formed into a semiconductor integrated circuit, a capacitor and a resistor are used in FIG.
A CR filter circuit as shown in (1) is known. FIG.
In the filter circuit, the resistance element 2 having the resistance value R is connected between the analog signal input terminal 1 and the output terminal 4, and the capacitance element 3 having the capacitance value C is connected between the output terminal 4 and the fixed potential VB. It was done. This filter has a low-pass characteristic whose cutoff frequency is represented by fc = 1 / 2πCR.

【0003】しかしながら、上述したアナログフィルタ
技術には、次のような問題がある。すなわち、通常の半
導体基板上に形成された抵抗素子や容量素子の値は製造
ばらつきを有するため、これによって上記フィルタ回路
のカットオフ周波数fcが所望値から大きくずれてしま
うというものである。
However, the above-mentioned analog filter technology has the following problems. That is, since the values of the resistance element and the capacitance element formed on a normal semiconductor substrate have manufacturing variations, the cutoff frequency fc of the filter circuit largely deviates from the desired value.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】この問題を解決するた
めに、本発明者は以下に示す技術を検討したが、それら
技術の何れも、アナログフィルタ回路を内蔵して実現さ
れるチップコストの経済性、アナログフィルタ回路の消
費電力、または周波数帯域の点などにおける適用範囲の
汎用性及び特性の安定性等において、さらに解決すべき
課題を残していることが明らかにされた。
In order to solve this problem, the present inventor has examined the following techniques, and all of these techniques have an economical chip cost realized by incorporating an analog filter circuit. It has been clarified that there are still problems to be solved in terms of performance, power consumption of the analog filter circuit, versatility of application range in terms of frequency band, stability of characteristics, and the like.

【0005】先ず第1の検討技術として、CRフィルタ
回路の抵抗素子をアンプを用いて実現したトランスコン
ダクタンス回路、すなわち電圧/電流変換回路で置換
し、その変換比を制御することによってフィルタのカッ
トオフ周波数のばらつきを抑えるOTA−C(Operatio
nal Trans-conductance Amplifier−Capacitor)回路が
ある。この方法では、例えばIEEE Journal of Solid-St
ate Circuits, vol.23,No.3, June 1988の750ページ
から758ページに記載されているように、トランスコ
ンダクタンスの制御のためにフィルタと同一の半導体集
積回路内に、それ専用のPLL(Phase-Locked Loop)
回路が別に必要であり、かつ一般的にPLL回路は比較
的大きな回路規模を占めるため、次数の大きいフィルタ
や多数のフィルタが集積される場合を除いては、低コス
ト化および低消費電力化実現の障害要因となっている。
As a first study technique, the resistance element of the CR filter circuit is replaced with a transconductance circuit realized by using an amplifier, that is, a voltage / current conversion circuit, and the conversion ratio is controlled to cut off the filter. OTA-C (Operatio) which suppresses the frequency variation
nal Trans-conductance Amplifier-Capacitor) circuit. In this method, for example, IEEE Journal of Solid-St
As described in ate Circuits, vol.23, No.3, June 1988, pages 750 to 758, a dedicated PLL (Phase Phase) is provided in the same semiconductor integrated circuit as the filter for controlling transconductance. -Locked Loop)
Since a separate circuit is required and the PLL circuit generally occupies a relatively large circuit scale, cost reduction and power consumption reduction are realized unless a filter with a large order or a large number of filters are integrated. Has become an obstacle factor.

【0006】第2の検討技術は、CRフィルタ回路の容
量素子として差動増幅器(以下単にアンプと言う)の利
得倍に近似された可変容量回路を用い、この利得を調整
することによってフィルタのカットオフ周波数を調整す
るものである。例えば図2に示されるように、非反転入
力端子(+)が固定電位VBに接続された差動アンプ2
0と、その出力端子と反転入力端子T1との間に接続さ
れた容量素子3’とにより構成されている。ここでアン
プ20の差動利得をG、容量素子3’の容量値をC(イ
ンピーダンスをZ)、端子T1の電圧をV1とすると、
アンプ20の交流出力電圧は−GV1となり、端子T1
から容量素子3’に流れ込む電流iはアンプ20の入出
力間電圧差をインピーダンスZで除したものとなるか
ら、 i=(V1+GV1)/Z=(1+G)V1/Z…(式1) のように表される。
The second study technique uses a variable capacitance circuit which is approximated to a gain multiple of a differential amplifier (hereinafter simply referred to as an amplifier) as a capacitance element of a CR filter circuit, and adjusts the gain to cut the filter. The off frequency is adjusted. For example, as shown in FIG. 2, the differential amplifier 2 whose non-inverting input terminal (+) is connected to the fixed potential VB
0 and a capacitive element 3 ′ connected between its output terminal and the inverting input terminal T1. Here, when the differential gain of the amplifier 20 is G, the capacitance value of the capacitive element 3 ′ is C (impedance is Z), and the voltage of the terminal T1 is V1,
The AC output voltage of the amplifier 20 becomes -GV1, and the terminal T1
Since the current i flowing from the capacitor 3'to the capacitive element 3'is obtained by dividing the voltage difference between the input and output of the amplifier 20 by the impedance Z, i = (V1 + GV1) / Z = (1 + G) V1 / Z ... (Equation 1) Represented by.

【0007】ここでZ=1/sC(sは複素角周波数)
であるから、上記式1を変形して得られる端子T1から
見た回路の等価インピーダンスZe(=V1/i)は、 Ze=1/(1+G)C…(式2) となる。これにより、図2の可変容量回路の等価的な容
量値は、容量素子3’の容量値Cの(1+G)倍とな
り、フィルタ回路の入出力伝達関数Vout/Vin、
およびカットオフ周波数fcはそれぞれ、 Vout/Vin=1/{1+s(1+G)CR}…(式3) fc=1/2π(1+G)CR…(式4) にように表わすことができる。
Where Z = 1 / sC (s is a complex angular frequency)
Therefore, the equivalent impedance Ze (= V1 / i) of the circuit seen from the terminal T1 obtained by modifying the above equation 1 is Ze = 1 / (1 + G) C ... (Equation 2). As a result, the equivalent capacitance value of the variable capacitance circuit of FIG. 2 becomes (1 + G) times the capacitance value C of the capacitance element 3 ′, and the input / output transfer function Vout / Vin of the filter circuit,
And the cutoff frequency fc can be expressed as follows: Vout / Vin = 1 / {1 + s (1 + G) CR} ... (Equation 3) fc = 1 / 2π (1 + G) CR ... (Equation 4)

【0008】ここで、例えば特公平1−14726号で
提案されているようにアンプ20の利得Gを1より十分
大きい値にすることができれば、上記(式4)は fc≒1/2πGCR…(式4’) に近似する事ができ、抵抗値が大きくまたは小さくなっ
た場合に、アンプの利得を逆に小さくまたは大きくする
ことによって、理論的にはフィルタのカットオフ周波数
の変動を小さくできる。しかしながら、アンプの利得を
大きくすると、アンプ出力が歪んだり飽和を生じるほ
か、一般的に製造技術が同じ単体トランジスタは動作電
流を変化させてもその利得帯域積は制限されるから、取
り扱える信号帯域が狭り、低消費電力で高周波数のカッ
トオフを実現するのが難しくなる。また逆にアンプの利
得が小さい場合にはフィルタ回路のカットオフ周波数が
所望値から大きくずれを生じ、したがって実用は困難で
ある。
Here, if the gain G of the amplifier 20 can be set to a value sufficiently larger than 1 as proposed in Japanese Examined Patent Publication No. 1-14726, the above (formula 4) can be expressed as fc≈1 / 2πGCR ... ( 4 ') can be approximated, and when the resistance value becomes large or small, the gain of the amplifier can be made small or large conversely to theoretically reduce the fluctuation of the cutoff frequency of the filter. However, if the gain of the amplifier is increased, the output of the amplifier is distorted or saturated, and in general, the gain band product of a single transistor with the same manufacturing technology is limited even if the operating current is changed. It becomes difficult to realize a high frequency cutoff with narrow power consumption and low power consumption. On the other hand, when the gain of the amplifier is small, the cutoff frequency of the filter circuit largely deviates from the desired value, which makes practical use difficult.

【0009】一方、本発明の出願に先立って本発明者ら
が特願平5−230093号で提案した回路構成を用い
れば、全てのアンプ利得に対してもG倍の等価容量を得
ることができるが、残念ながら上記提案では2つのアン
プが縦続構成であるため、動作遅延が比較的大きくて高
周波領域での応用が制限されるという問題を残してい
る。
On the other hand, if the circuit configuration proposed by the present inventors in Japanese Patent Application No. 5-230093 is used prior to the application of the present invention, an equivalent capacitance of G times can be obtained for all amplifier gains. However, unfortunately, in the above proposal, since the two amplifiers are cascaded, the operation delay is relatively large, and the application in the high frequency region remains limited.

【0010】本発明の目的は、半導体基板上に形成され
た抵抗素子の値が大きくばらついても、カットオフ周波
数のばらつきが少なく、かつ余分に大規模な周波数制御
機能回路の追加を必要としない低コストのアナログフィ
ルタ回路、およびそれに適した可変容量回路を提供する
ことにある。
It is an object of the present invention that even if the values of the resistance elements formed on the semiconductor substrate greatly vary, the variation in cutoff frequency is small and an extra large-scale frequency control function circuit is not required. An object is to provide a low-cost analog filter circuit and a variable capacitance circuit suitable for the analog filter circuit.

【0011】本発明の他の目的は、従来一般に10MH
z以上の比較的高いカットオフ周波数が要求される分野
に用いるには他の半導体プロセスより不利とされた相補
型MOS技術を用いても、低消費電力でかつ高周波のア
ナログフィルタ回路を提供することにある。
Another object of the present invention is conventionally 10 MH.
To provide an analog filter circuit of low power consumption and high frequency even if the complementary MOS technology, which is disadvantageous to other semiconductor processes, is used for a field requiring a relatively high cutoff frequency of z or higher. It is in.

【0012】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

〔1〕先ず、本願において開示される発明のうち代表的
なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。即
ち、図1に例示されるように、CRフィルタ回路の容量
素子として、アンプの利得がCRフィルタ回路の抵抗素
子(2)の値(R)に逆比例した比較的小さな値を有す
る可変容量回路部(20,3’)と、アンプの利得が固
定された固定容量回路部(21,3”)とを入力信号
(T1,VB)に対して並列に接続した可変容量回路
(30)を用い、可変容量回路(30)の等価的な容量
値がアンプ(20)の利得倍に比例するようにする。こ
こで、前記アンプ(20)の利得がCRフィルタ回路の
抵抗素子(2)の値(R)に逆比例するとは、CRフィ
ルタ回路の抵抗素子(2)が形成されている半導体基板
に前記アンプ(20)が形成され、そのアンプ(20)
は当該半導体基板に形成された抵抗素子を有し、この抵
抗素子の抵抗値が前記フィルタ回路の抵抗素子(2)の
抵抗値(R)に等しくされているという、一例を意味し
ている。要は、前記可変容量回路部を構成するアンプ
(20)の差動利得が、当該アンプ(20)に含まれる
前記抵抗素子の値に逆比例するということである。
[1] First, the outline of a typical invention disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, as illustrated in FIG. 1, as a capacitance element of the CR filter circuit, a variable capacitance circuit having a relatively small value in which the gain of the amplifier is inversely proportional to the value (R) of the resistance element (2) of the CR filter circuit. A variable capacitance circuit (30) is used in which a section (20, 3 ′) and a fixed capacitance circuit section (21, 3 ″) in which the gain of the amplifier is fixed are connected in parallel to the input signal (T1, VB). The equivalent capacitance value of the variable capacitance circuit (30) is proportional to the gain times of the amplifier (20), where the gain of the amplifier (20) is the value of the resistance element (2) of the CR filter circuit. Inversely proportional to (R) means that the amplifier (20) is formed on the semiconductor substrate on which the resistance element (2) of the CR filter circuit is formed, and the amplifier (20) is formed.
Means an example in which it has a resistance element formed on the semiconductor substrate, and the resistance value of this resistance element is made equal to the resistance value (R) of the resistance element (2) of the filter circuit. The point is that the differential gain of the amplifier (20) forming the variable capacitance circuit section is inversely proportional to the value of the resistance element included in the amplifier (20).

【0014】半導体基板上に形成された抵抗素子の値の
変動幅は例えば±30%程度、容量素子値の変動幅はそ
れに対して±10%程度と小さくされる。このとき、上
記した手段によれば、半導体基板上に形成されたCRフ
ィルタ回路の抵抗素子(2)の値が上記した範囲程度に
大きく変動しても、その変動を打ち消すように可変容量
回路(30)を構成するアンプ(20)の利得が逆比例
して、可変容量回路の等価容量の値が前記CRフィルタ
回路の抵抗素子(2)の変動分を相殺するように変化
し、フィルタ回路のカットオフ周波数を所望の値に自動
的かつ安定に保つ。上記手段では、可変及び固定容量回
路部にそれぞれ含まれる容量素子それ自体の値の変動に
よるカットオフ周波数の補正はされないが、前記したよ
うに容量値の製造変動幅は抵抗素子に比べるとはるかに
小さいから、それがカットオフ周波数の許容変動範囲内
であれば、従来技術OTA−Cフィルタに必要とされた
PLLのようなフィルタ回路のカットオフ周波数を制御
するために付加される比較的大規模な回路を用いる必要
もなく、かつアンプ利得も小さいから低電源電圧で動作
が可能となり、実現される半導体集積回路の低コスト
化、低消費電力化が可能になる。
The fluctuation range of the value of the resistance element formed on the semiconductor substrate is set to, for example, about ± 30%, and the fluctuation range of the value of the capacitance element is set to about ± 10%. At this time, according to the above means, even if the value of the resistance element (2) of the CR filter circuit formed on the semiconductor substrate fluctuates largely within the above-mentioned range, the variable capacitance circuit (to cancel the fluctuation. The gain of the amplifier (20) constituting the circuit 30) is inversely proportional, and the value of the equivalent capacitance of the variable capacitance circuit changes so as to cancel the variation of the resistance element (2) of the CR filter circuit. Keep the cutoff frequency automatically and stable at the desired value. In the above means, the cutoff frequency is not corrected by the variation of the value of the capacitance element itself included in each of the variable and fixed capacitance circuit parts, but as described above, the manufacturing variation width of the capacitance value is far larger than that of the resistance element. Since it is small, if it is within the allowable variation range of the cutoff frequency, a relatively large scale is added to control the cutoff frequency of the filter circuit such as the PLL required for the prior art OTA-C filter. Since it is not necessary to use such a circuit and the amplifier gain is small, it is possible to operate with a low power supply voltage, and it is possible to reduce the cost and power consumption of the realized semiconductor integrated circuit.

【0015】上記した手段の説明はCRフィルタ回路を
一例としており、そこに含まれる可変容量回路、これを
用いたその他のフィルタ回路に関する手段を以下個々に
説明する。
A CR filter circuit is taken as an example in the above description of the means, and a variable capacitance circuit included therein and other filter circuit means using the variable capacitance circuit will be individually described below.

【0016】〔2〕可変容量回路の基本形は、図1に例
示されるように、可変容量回路部(20,3’)と固定
容量回路部(21,3”)が、入力信号(T1,VB)
に対して並列に接続されて成る。可変容量回路部は、第
1極性の第1の入力端子(例えば反転入力端子(−))
及び第2極性の第2の入力端子(例えば非反転入力端子
(+))を有する第1の差動アンプ(20)、及び該第
1の差動アンプの出力端子と前記第1の入力端子との間
に接続された第1の容量素子(3’)を含み、前記第1
の差動アンプの差動利得が当該差動アンプに含まれる抵
抗素子(例えば図10の抵抗RC0)の値に逆比例する
ように構成される。固定容量回路部は、第1極性の第3
の入力端子(例えば反転入力端子(−))及び第2極性
の第4の入力端子(例えば非反転入力端子(+))を有
する第2の差動アンプ(21)、及び該第2の差動アン
プの出力端子と第4の入力端子との間に接続された第2
の容量素子(3”)とを含み、前記第2の差動アンプの
差動利得が固定されて成る。前記第1の差動アンプ(2
0)と第2の差動アンプ(21)は、反転入力端子と非
反転入力端子を相互に入れ換えた回路構成を有するか
ら、第1の差動アンプ(20)の等価容量はC(1+
G)、第2の差動アンプ(21)の等価容量はC(1−
G)とされ、その並列接続を考えれば、固定容量回路部
を構成する差動アンプ(21)の利得と容量を適当に決
定すれば、可変容量回路の等価容量は、アンプ(20)
の利得(G)のあらゆる値に対して実質的に比例したも
のとされる。さらに、2個の差動アンプは入力信号に対
して並列接続であるから、2個のアンプを縦続接続して
可変容量回路を構成する場合に比べ、動作遅延が小さく
高周波領域での応用が制限されないという利点を有して
いる。
[2] As shown in FIG. 1, the basic form of the variable capacitance circuit is such that the variable capacitance circuit section (20, 3 ′) and the fixed capacitance circuit section (21, 3 ″) are input signals (T1, VB)
Are connected in parallel to. The variable capacitance circuit unit has a first input terminal of a first polarity (for example, an inverting input terminal (-)).
And a first differential amplifier (20) having a second input terminal of a second polarity (for example, a non-inverting input terminal (+)), and an output terminal of the first differential amplifier and the first input terminal. A first capacitive element (3 ') connected between
The differential gain of the differential amplifier is configured to be inversely proportional to the value of the resistance element (for example, the resistor RC0 in FIG. 10) included in the differential amplifier. The fixed-capacitance circuit unit is the third of the first polarity
Second differential amplifier (21) having an input terminal (eg, inverting input terminal (−)) and a fourth input terminal (eg, non-inverting input terminal (+)) of the second polarity, and the second difference The second terminal connected between the output terminal and the fourth input terminal of the dynamic amplifier
And a capacitive element (3 ″) of the second differential amplifier are fixed. The first differential amplifier (2
0) and the second differential amplifier (21) have a circuit configuration in which the inverting input terminal and the non-inverting input terminal are interchanged, so that the equivalent capacitance of the first differential amplifier (20) is C (1+
G), the equivalent capacitance of the second differential amplifier (21) is C (1-
G), and considering the parallel connection, the equivalent capacitance of the variable capacitance circuit can be obtained by appropriately determining the gain and capacitance of the differential amplifier (21) that constitutes the fixed capacitance circuit unit.
Is substantially proportional to any value of the gain (G). Furthermore, since the two differential amplifiers are connected in parallel to the input signal, the operation delay is smaller than in the case where two amplifiers are connected in cascade to form a variable capacitance circuit, and application in the high frequency region is limited. It has the advantage that it is not done.

【0017】上記可変容量回路の基本形において、双方
のアンプ(20,21)の容量を等しくするとき、前記
固定容量回路部の第2の差動アンプ(21)の差動利得
は2に設定すればよい。この態様によって安定した回路
動作を期待できる。
In the basic form of the variable capacitance circuit, when the capacitances of both amplifiers (20, 21) are made equal, the differential gain of the second differential amplifier (21) of the fixed capacitance circuit section is set to 2. Good. With this mode, stable circuit operation can be expected.

【0018】〔3〕前記基本形を成す可変容量回路を応
用したローパスフィルタのようなアナログフィルタ回路
は、図1に例示されるように、一端が信号入力端子
(1)に接続された抵抗素子(2)と前記可変容量回路
を含み、前記第1の差動アンプ(20)の第1の入力端
子と第2の差動アンプ(21)の第4の入力端子を前記
抵抗素子(2)の他の端子に、前記第1の差動アンプ
(20)の第2の入力端子と前記第2の差動アンプ(2
1)の第3の入力端子を固定電位(VB)に、それぞれ
接続して成る。このフィルタ回路の作用は前述の通りで
ある。
[3] An analog filter circuit such as a low-pass filter to which the variable capacitance circuit of the above basic form is applied has a resistance element (one end of which is connected to the signal input terminal (1) as illustrated in FIG. 2) and the variable capacitance circuit, and the first input terminal of the first differential amplifier (20) and the fourth input terminal of the second differential amplifier (21) are connected to the resistance element (2). The second input terminal of the first differential amplifier (20) and the second differential amplifier (2
The third input terminal 1) is connected to a fixed potential (VB), respectively. The operation of this filter circuit is as described above.

【0019】また、図4に例示されるように、そのよう
なフィルタ回路を並列に設け、各アナログフィルタ回路
に互いに極性が反転した入力信号(+Vin,−Vi
n)が差動的に供給される差動形式にすることも可能で
ある。出力については、各アナログフィルタ回路の出力
に互いに極性が反転した出力信号(+Vout,−Vo
ut)を形成することになるが、その差動出力信号の差
分をフィルタ出力とする事も可能である。差動入力を採
用すれば、入力アナログ信号に同相的に重畳された雑音
や、同一の半導体基板上に形成集積された大規模論理回
路から発生されて重畳される雑音が問題となる場合に、
これらの影響を軽減できる。
Further, as illustrated in FIG. 4, such filter circuits are provided in parallel, and input signals (+ Vin, -Vi) whose polarities are inverted to each analog filter circuit are provided.
It is also possible to adopt a differential form in which n) is supplied differentially. Regarding the output, the output signals (+ Vout, -Vo) whose polarities are inverted to the output of each analog filter circuit
ut) is formed, the difference between the differential output signals can be used as the filter output. If a differential input is adopted, noise that is superimposed in phase with the input analog signal or noise that is generated and superimposed from a large-scale logic circuit formed and integrated on the same semiconductor substrate becomes a problem.
These effects can be reduced.

【0020】〔4〕差動入力を考慮したときの可変容量
回路の形態は前記基本形以外に、図5に例示される可変
容量回路(31)のように、差動入力・出力形式の固定
容量回路部のアンプ(21)を2個の可変容量回路部の
アンプ(20−1,20−2)に兼用させる回路形式に
よっても実現可能である。即ち、この構成に応ずる固定
容量回路部は、差動入力及び差動出力を有する固定利得
の第3の差動アンプ(21)、該第3の差動アンプの一
方の入力とそれと同極性の出力との間に接続された第3
の容量素子(3”−1)、及び第3の差動アンプ(2
1)の他方の入力とそれと同極性の出力との間に接続さ
れた第4の容量素子(3”−2)を含み、第3の差動ア
ンプ(21)の一方の入力(+)と一方の可変容量回路
部のアンプ(20−1)の入力(−)とは相互に逆極性
同士で結合され、第3の差動アンプ(21)の他方の入
力(−)と他方の可変容量回路部のアンプ(20−2)
の入力(−)とは相互に同極性同士で結合される。この
構成により、固定容量回路部の回路規模を削減できる。
[4] The form of the variable capacitance circuit in consideration of the differential input is not limited to the basic form described above, but a variable capacitance circuit (31) illustrated in FIG. It can also be realized by a circuit form in which the amplifier (21) of the circuit section is also used as the amplifiers (20-1, 20-2) of the two variable capacitance circuit sections. That is, the fixed capacitance circuit section according to this configuration is a fixed-gain third differential amplifier (21) having a differential input and a differential output, one input of the third differential amplifier and the same polarity as that. The third connected between the output and
Capacitive element (3 "-1) and a third differential amplifier (2
1) includes a fourth capacitive element (3 ″ -2) connected between the other input and the output of the same polarity, and one input (+) of the third differential amplifier (21) and The input (−) of the amplifier (20-1) of the one variable capacitance circuit unit is coupled to each other with opposite polarities, and the other input (−) and the other variable capacitance of the third differential amplifier (21) are connected. Circuit part amplifier (20-2)
The input (-) is coupled to each other with the same polarity. With this configuration, the circuit scale of the fixed capacitance circuit section can be reduced.

【0021】このとき、前記固定容量回路部に含まれる
第3の差動アンプの固定差動利得を1とすれば、前記基
本形の可変容量回路においてアンプ(21)のゲインを
2とした場合と同じ特性を得ることができる。
At this time, assuming that the fixed differential gain of the third differential amplifier included in the fixed capacitance circuit section is 1, the case where the gain of the amplifier (21) in the basic type variable capacitance circuit is 2 is set. The same characteristics can be obtained.

【0022】この可変容量回路(31)を応用したロー
パスフィルタのようなアナログフィルタ回路は、図5に
例示されるように、可変容量回路(31)と共に、一端
が非反転入力信号端子(1−1)に接続された第1の抵
抗素子(2−1)と、一端が反転入力信号端子(1−
2)に接続された第2の抵抗素子(2−2)とを備え
る。可変容量回路(31)は、その非反転入力端子(T
1−1)が前記第1の抵抗素子の他端に、その反転入力
端子(T1−2)が前記第2の抵抗素子の他端に接続さ
れる。
As shown in FIG. 5, an analog filter circuit such as a low-pass filter to which the variable capacitance circuit (31) is applied has a variable capacitance circuit (31) and a non-inverting input signal terminal (1- 1) connected to the first resistor element (2-1) and one end of the inverted input signal terminal (1-
2) connected to the second resistance element (2-2). The variable capacitance circuit (31) has a non-inverting input terminal (T
1-1) is connected to the other end of the first resistance element, and its inverting input terminal (T1-2) is connected to the other end of the second resistance element.

【0023】〔5〕可変容量回路を応用したアナログフ
ィルタは、ハイパスフィルタとし構成することも可能で
ある。即ち、図7及び図8に例示されるように、入力信
号を受ける抵抗素子(2−1)及び可変容量回路(3
0,32)を含むローパスフィルタの出力信号をアンプ
(7−1)を介して前記入力信号から減ずることによっ
てハイパスフィルタ特性を得るようアナログフィルタ回
路を構成できる。可変容量回路を非接地形式で接続する
回路構成を採用しないので、低消費電力で且つカットオ
フ周波数の高いハイパスフィルを容易に実現できる。
[5] The analog filter to which the variable capacitance circuit is applied may be configured as a high pass filter. That is, as illustrated in FIGS. 7 and 8, the resistance element (2-1) that receives the input signal and the variable capacitance circuit (3
The analog filter circuit can be configured to obtain a high-pass filter characteristic by subtracting the output signal of the low-pass filter including 0, 32) from the input signal via the amplifier (7-1). Since the circuit configuration in which the variable capacitance circuits are connected in a non-grounded manner is not adopted, it is possible to easily realize a high-pass fill with low power consumption and high cutoff frequency.

【0024】そのようなアナログフィルタ回路を並列に
設けることによって差動入力形式のハイパスフィルタを
構成することができる。そのときの出力は、差動出力、
或いは、差動出力信号の差分の出力とすることができ
る。
By providing such analog filter circuits in parallel, a high-pass filter of the differential input type can be constructed. The output at that time is the differential output,
Alternatively, the difference between the differential output signals can be output.

【0025】〔6〕さらに回路規模を減少させた可変容
量回路(32)は、図7に例示されるように、差動入力
及び差動出力を有し、差動利得が当該差動アンプに含ま
れる抵抗素子の値に逆比例する第1の差動アンプ(2
0)、この第1の差動アンプの一方の入力端子とそれと
逆極性の出力との間に接続された第1の容量素子(3’
−1)、及び第1の差動アンプの他方の入力端子とそれ
と逆極性の出力との間に接続された第2の容量素子
(3’−2)とを含んで成る可変容量回路部を備え、そ
して、差動入力及び差動出力を有する固定利得の第2の
差動アンプ(21)、該第2の差動アンプの一方の入力
端子とそれと同極性の出力との間に接続された第3の容
量素子(3”−1)、及び第3の差動アンプの他方の入
力端子とそれと同極性の出力との間に接続された第4の
容量素子(3”−2)とを含んで成る固定容量回路部と
有する。前記第1の差動アンプ(20)の差動入力と第
2の差動アンプ(21)の差動入力とは相互に極性の異
なるもの同士で接続され、一方の接続ノードを非反転入
力端子、他方の接続ノードを反転入力端子として構成さ
れる。
[6] The variable capacitance circuit (32) having a further reduced circuit scale has a differential input and a differential output, as shown in FIG. A first differential amplifier (2 that is inversely proportional to the value of the included resistance element)
0), the first capacitive element (3 ′) connected between one input terminal of the first differential amplifier and the output of the opposite polarity.
-1), and a variable capacitance circuit section including a second capacitance element (3′-2) connected between the other input terminal of the first differential amplifier and the output of the opposite polarity. A fixed gain second differential amplifier (21) having a differential input and a differential output, connected between one input terminal of the second differential amplifier and an output of the same polarity A third capacitive element (3 "-1), and a fourth capacitive element (3" -2) connected between the other input terminal of the third differential amplifier and the output of the same polarity. And a fixed capacitance circuit section including. The differential input of the first differential amplifier (20) and the differential input of the second differential amplifier (21) are connected with mutually different polarities, and one connection node is a non-inverting input terminal. , The other connection node is configured as an inverting input terminal.

【0026】この可変容量回路(32)は、当該可変容
量回路の前記非反転入力端子を第1の抵抗素子(2−
1)の他端に、前記可変容量回路の前記反転入力端子を
第2の抵抗素子(2−2)の他端に、それぞれ接続して
成るローパスフィルタに適用できる。また、図7に例示
されるように、そのアナログフィルタ回路の差動出力信
号を夫々に対応される差動入力信号から減ずる手段(7
−1,7−2)を更に備えてハイパスフィルタ特性を得
るよう構成できる。
In this variable capacitance circuit (32), the non-inverting input terminal of the variable capacitance circuit is connected to the first resistance element (2-
The present invention can be applied to a low-pass filter formed by connecting the inverting input terminal of the variable capacitance circuit to the other end of 1) and the other end of the second resistance element (2-2). Further, as illustrated in FIG. 7, means (7) for subtracting the differential output signal of the analog filter circuit from the corresponding differential input signal.
-1, 7-2) can be further provided to obtain a high-pass filter characteristic.

【0027】〔7〕前記各種可変容量回路に適用される
差動アンプは、図10、図11に例示されるように、第
1の入力電圧(ViP)と第2の入力電圧(ViM)と
の差をそれに比例した電流信号に変換する電圧/電流変
換部(50)と、該電圧/電流変換部で変換された電流
信号をそれに比例した電圧信号に変換する電流/電圧変
換部(60,61)とを備える。前記電圧/電流変換部
(50)は、前記第1、第2の入力電圧がゲート電極に
供給された第1、第2のPMOSトランジスタ(MT
1,MT2)と、該第1、第2のPMOSトランジスタ
のソース電極に接続された第1、第2の定電流源(IB
1,IB2))と、前記各ソース電極間に接続され半導
体基板上に形成される第1の抵抗素子(RC0)と、前
記第1、第2のPMOSトランジスタのドレイン電極に
接続された第3、第4の定電流源(IB3,IB4)
と、前記第1、第2のPMOSトランジスタのそれぞれ
のソースとドレイン電極にドレインとゲート電極が接続
された第1、第2のNMOSトランジスタ(MT3,M
T4)とを含み、前記第1、第2のNMOSトランジス
タ(MT3,MT4)には、前記第1の電流源電流と第
3の電流源電流との差分、上記第2の電流源電流と第4
の電流源電流との差分をそれぞれのバイアス電流とする
ときに、前記第1の入力電圧(ViP)と第2の入力電
圧(ViM)との差を前記第1の抵抗素子(RC0)の
値で除した信号電流(is)が相補的に加算されるよう
にされる。前記電流/電圧変換部(60,61)は、そ
の出力をシングルエンドとする場合には、前記第1のN
MOSトランジスタに発生する上記信号電流に比例した
信号電流を発生するよう接続されたNMOSトランジス
タ(MT5、MT9)と、該トランジスタと固定電位間
に接続された抵抗素子(RC1,RC3)を含んで構成
され、上記第1の入力電圧と第2の入力電圧との差に比
例した信号電圧(VGOP)を出力する。
[7] The differential amplifier applied to the various variable capacitance circuits has a first input voltage (ViP) and a second input voltage (ViM) as illustrated in FIGS. Voltage / current conversion unit (50) for converting the difference between the current signals into a current signal proportional thereto, and a current / voltage conversion unit (60, for converting the current signal converted by the voltage / current conversion unit into a voltage signal proportional thereto. 61) and. The voltage / current conversion unit (50) includes first and second PMOS transistors (MT) to which the first and second input voltages are supplied to a gate electrode.
1, MT2) and the first and second constant current sources (IB) connected to the source electrodes of the first and second PMOS transistors.
1, IB2)), a first resistance element (RC0) connected between the source electrodes and formed on the semiconductor substrate, and a third resistance element connected to the drain electrodes of the first and second PMOS transistors. , 4th constant current source (IB3, IB4)
And the first and second NMOS transistors (MT3, M3) in which the drain and gate electrodes are connected to the source and drain electrodes of the first and second PMOS transistors, respectively.
T4), the first and second NMOS transistors (MT3, MT4) have a difference between the first current source current and a third current source current, the second current source current and the second current source current. Four
Of the first input voltage (ViP) and the second input voltage (ViM), the difference between the first source voltage (ViP) and the second input voltage (ViM) is set to the value of the first resistance element (RC0). The signal current (is) divided by is complementarily added. The current / voltage conversion unit (60, 61) is configured to output the first N
A configuration including NMOS transistors (MT5, MT9) connected to generate a signal current proportional to the signal current generated in the MOS transistor, and resistance elements (RC1, RC3) connected between the transistors and a fixed potential. Then, a signal voltage (VGOP) proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage is output.

【0028】この差動アンプの出力を差動とする場合、
前記電流/電圧変換部(60,61)は更に、前記第2
のNMOSトランジスタ(MT4)に発生する上記信号
電流に比例した信号電流を発生するよう接続されたNM
OSトランジスタ(MT6,MT10)と、該トランジ
スタと固定電位間に接続された抵抗素子(RC2,RC
4)とを含み、上記第1の入力電圧(ViP)と第2の
入力電圧(ViM)との差に比例した信号電圧(VGO
P,VGOM))を差動出力する。
When the output of this differential amplifier is made differential,
The current / voltage converter (60, 61) further includes the second
NM connected to generate a signal current proportional to the signal current generated in the NMOS transistor (MT4) of
OS transistors (MT6, MT10) and resistance elements (RC2, RC) connected between the transistors and a fixed potential.
4) and a signal voltage (VGO) proportional to the difference between the first input voltage (ViP) and the second input voltage (ViM).
P, VGOM)) is output differentially.

【0029】そのようなアンプによれば、NMOSトラ
ンジスタ(MT3,MT4)には、差動入力電圧に比例
し、第1の抵抗素子(RC0)の値に逆比例した互いに
相補的な交流信号電流を形成でき、当該交流信号電流を
電圧に変換するときの抵抗素子(RC1,RC2,RC
3,RC4)の値と前記第1の抵抗素子(RC0)との
比によってアンプのゲインを決定することが出来る。
According to such an amplifier, in the NMOS transistors (MT3, MT4), mutually complementary AC signal currents proportional to the differential input voltage and inversely proportional to the value of the first resistance element (RC0). And a resistance element (RC1, RC2, RC) for converting the AC signal current into a voltage.
3, RC4) and the ratio of the first resistance element (RC0), the gain of the amplifier can be determined.

【0030】このアンプを可変容量回路部の利得可変の
アンプ(20,20−1,20−2)とするには、図1
0に例示されるように、第1の電流/電圧変換部(6
0)は、それに含まれる前記抵抗素子(RC1,RC
2)を前記第1の抵抗素子(RC0)に比べて抵抗値変
動が少ない特性を有する抵抗素子、例えば第1の抵抗素
子と一緒に同じ半導体基板に形成されていない外付け抵
抗素子とし、前記第1の入力電圧と第2の入力電圧との
差に比例し、かつ前記第1の抵抗素子の値に反比例した
信号電圧を出力させるようにすればよい。
To use this amplifier as a variable gain amplifier (20, 20-1, 20-2) of the variable capacitance circuit section,
0, the first current / voltage converter (6
0) is the resistance element (RC1, RC1) included in it.
2) is a resistance element having a characteristic that the resistance value variation is smaller than that of the first resistance element (RC0), for example, an external resistance element that is not formed on the same semiconductor substrate together with the first resistance element, A signal voltage proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage and inversely proportional to the value of the first resistance element may be output.

【0031】前記アンプを固定容量回路部の利得固定の
アンプ(21)とするには、図11に例示されるよう
に、第2の電流/電圧変換部(61)は、それに含まれ
る前記抵抗素子(RC3,RC4)を前記第1の抵抗素
子(RC0)と同一半導体基板上に形成されて前記第1
の抵抗素子と実質的に同一の抵抗値変動を有する抵抗素
子とし、前記第1の入力電圧と第2の入力電圧との差に
比例した固定利得の信号電圧を出力させるようにすれば
よい。
In order to use the amplifier as a fixed-gain amplifier (21) of a fixed capacitance circuit section, as shown in FIG. 11, the second current / voltage conversion section (61) includes the resistor included therein. The elements (RC3, RC4) are formed on the same semiconductor substrate as the first resistance element (RC0), and
The resistance element may have substantially the same resistance value variation as that of the first resistance element, and a signal voltage having a fixed gain proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage may be output.

【0032】可変容量回路部と固定容量回路部から成る
可変容量回路全体としてのアンプの回路規模を更に減少
させるには、図12に例示されるように、前記電圧/電
流変換部(50)と共に、当該電圧/電流変換部(5
0)で変換された電流信号をそれに比例した電圧信号に
変換する第1及び第2の電流/電圧変換部(60、6
1)の双方を採用してアンプ(22)を構成する。
In order to further reduce the circuit scale of the amplifier as the whole variable capacitance circuit including the variable capacitance circuit portion and the fixed capacitance circuit portion, as shown in FIG. 12, together with the voltage / current conversion portion (50). , The voltage / current converter (5
0), the first and second current / voltage converters (60, 6) for converting the current signal converted into a voltage signal proportional thereto.
The amplifier (22) is configured by adopting both of 1).

【0033】〔8〕このように可変容量回路部と固定容
量回路部のアンプの回路規模が減少された当該差動アン
プ(22)を用いた可変容量回路(33)は、図13に
代表的に示されるように、当該差動アンプ(22)と、
この差動アンプ(22)の前記第1の電流/電圧変換部
(60)の非反転出力及び第2の電流/電圧変換部(6
1)の反転出力と前記第1の入力電圧との間にそれぞれ
接続される第1及び第2の容量素子(3’−1,3”−
1)と、前記差動アンプアンプの前記第1の電流/電圧
変換部(60)の反転出力及び第2の電流/電圧変換部
(61)の非反転出力と前記第2の入力電圧との間にそ
れぞれ接続された第3及び第4の容量素子(3’−2,
3”−2)とを備えて成る。
[8] A variable capacitance circuit (33) using the differential amplifier (22) in which the circuit scale of the amplifiers of the variable capacitance circuit section and the fixed capacitance circuit section is reduced in this way is typical in FIG. As shown in, the differential amplifier (22),
The non-inverting output of the first current / voltage converter (60) and the second current / voltage converter (6) of the differential amplifier (22).
1) The first and second capacitive elements (3′-1, 3 ″ −) respectively connected between the inverted output and the first input voltage.
1), the inverting output of the first current / voltage converter (60) and the non-inverting output of the second current / voltage converter (61) of the differential amplifier, and the second input voltage. Third and fourth capacitive elements (3'-2, 3'-2,
3 ″ -2) and.

【0034】[0034]

〔9〕前記可変容量アンプは、図13に例
示されるように、差動入力電圧信号(+Vin,−Vi
n)の直流電圧をシフトしかつ交流振幅を減衰させる手
段(RIP1,RIP2,RIM1,RIM2)と、こ
の手段により得られた差動信号を低インピーダンスで出
力するバッファ手段(6−1,6−2)と、該バッファ
手段の出力を入力信号とする抵抗素子(2−1,2−
2)及び可変容量回路(33)を含むローパスフィルタ
の出力信号を、前記入力信号からアンプ(7−1,7−
2)で減ずることによってハイパスフィルタ特性を得る
よう構成されたアナログフィルタ回路に適用することが
できる。前記ローパスフィルタは、前記差動信号の非反
転信号を入力に受ける前記バッファ手段の出力に一端が
接続された第1の抵抗素子(2−1)と、該第1の抵抗
素子と固定電位(VB)との間に接続された第2の抵抗
素子(5−1)と、前記差動信号の反転信号を入力に受
ける前記バッファ手段の出力に一端が接続された第3の
抵抗素子(2−2)と、該第3の抵抗素子と固定電位
(VB)との間に接続された第4の抵抗素子(5−2)
と、前記可変容量回路(33)とを含んで構成され、前
記可変容量回路(33)に含まれる差動アンプの前記第
1の入力端子(反転入力端子(−))が前記第1の抵抗
素子と第2の抵抗素子との結合点に接続され、前記差動
アンプの前記第2の入力端子(非反転入力端子(+))
が前記第3の抵抗素子と第4の抵抗素子との結合点に接
続されて成る。
[9] The variable capacitance amplifier has a differential input voltage signal (+ Vin, −Vi) as illustrated in FIG.
n) means for shifting the DC voltage and attenuating the AC amplitude (RIP1, RIP2, RIM1, RIM2), and buffer means (6-1, 6-) for outputting the differential signal obtained by this means with low impedance. 2) and a resistance element (2-1, 2-
2) and the output signal of the low-pass filter including the variable capacitance circuit (33) from the input signal to the amplifiers (7-1, 7-).
It can be applied to an analog filter circuit configured to obtain a high-pass filter characteristic by reducing it in 2). The low-pass filter has a first resistance element (2-1) whose one end is connected to the output of the buffer means which receives the non-inverted signal of the differential signal at its input, and the first resistance element and a fixed potential ( VB), and a third resistance element (5-1) whose one end is connected to the output of the buffer means which receives the inverted signal of the differential signal at its input. -2) and a fourth resistance element (5-2) connected between the third resistance element and a fixed potential (VB).
And a variable capacitance circuit (33), wherein the first input terminal (inverting input terminal (−)) of the differential amplifier included in the variable capacitance circuit (33) is the first resistor. The second input terminal (non-inverting input terminal (+)) of the differential amplifier, which is connected to the connection point of the element and the second resistance element.
Is connected to the connection point of the third resistance element and the fourth resistance element.

【0035】〔10〕上記可変容回路(33)を用いた
ハイパスフィルタ特性を有するアナログフィルタ回路は
16MHzまでのような比較的高い周波数範囲のハイパ
ス特性を得ることができる。このアナログフィルタ回路
を含み、該アナログフィルタ回路の周波数特性が金属導
線ケーブルを伝送線路として受信された信号の周波数特
性の逆特性を近似することにより、当該アナログフィル
タ回路はATM−LANインタフェース用の波形等化フ
ィルタ回路(902)に最適である。さらに、そのフィ
ルタ回路(902)の低消費電力と高いカットオフ周波
数とにより、このフィルタ回路(902)を含むATM
−LAN用フィジカルレイヤ用の半導体集積回路をCM
OS回路技術を用いて実現できる。そのような半導体集
積回路を搭載して、パーソナルコンピュータに実装可能
なサイズを有て成るICカード又は回路ボード化された
ATM−LANインタフェースカードを実現できる。
[10] An analog filter circuit having a high-pass filter characteristic using the variable capacitance circuit (33) can obtain a high-pass characteristic in a relatively high frequency range up to 16 MHz. This analog filter circuit includes the analog filter circuit, and the frequency characteristic of the analog filter circuit approximates the inverse characteristic of the frequency characteristic of a signal received using a metal conductor cable as a transmission line, so that the analog filter circuit has a waveform for an ATM-LAN interface. It is most suitable for the equalization filter circuit (902). Furthermore, due to the low power consumption and high cutoff frequency of the filter circuit (902), an ATM including this filter circuit (902) is provided.
-CM for semiconductor integrated circuit for physical layer for LAN
It can be realized using OS circuit technology. By mounting such a semiconductor integrated circuit, it is possible to realize an IC card having a size mountable on a personal computer or an ATM-LAN interface card formed into a circuit board.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】図1には本発明に係る可変容量回
路を容量素子として用いたアナログローパスフィルタ回
路の一例回路とその等価回路が示されている。同図に示
される可変容量回路30は、差動アンプ(以下単にアン
プとも記す)20と容量素子3’からなる反転入力型の
可変容量回路部を主回路として備え、これに、アンプ2
1と容量素子3”からなる非反転入力型の固定容量回路
部を副回路とし、入力(T1,VB)に対して並列に接
続されて成る。前記主回路としての反転入力型可変容量
回路部(20、3’)は図2に基づいて説明した通りで
ある。前記副回路としての非反転入力型の固定容量回路
部(21、3”)は、図3に示されるように、図2に示
された可変容量回路(すなわち反転入力型)に対して、
アンプの反転入力端子(−)と非反転入力端子(+)を
互いに入れ替えた構成を有する非反転入力型の容量回路
とされる。すなわち、アンプ21の反転入力端子(−)
が固定電位VBに、非反転入力端子(+)と出力端子と
の間に容量値Cの容量素子3”が配置されている。この
非反転入力型固定容量回路部の等価容量は(1−G)C
となる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example circuit of an analog low-pass filter circuit using a variable capacitance circuit according to the present invention as a capacitance element and its equivalent circuit. The variable capacitance circuit 30 shown in the figure includes an inverting input type variable capacitance circuit section including a differential amplifier (hereinafter also simply referred to as an amplifier) 20 and a capacitance element 3 ′ as a main circuit.
A non-inverting input type fixed capacitance circuit section composed of 1 and a capacitance element 3 "is used as a sub circuit and is connected in parallel to the input (T1, VB). The inverting input type variable capacitance circuit section as the main circuit. (20, 3 ') is as described based on Fig. 2. The non-inverting input type fixed capacitance circuit section (21, 3 ") as the sub-circuit is, as shown in Fig. 3, For the variable capacitance circuit (that is, inverting input type) shown in,
The non-inverting input type capacitance circuit has a configuration in which the inverting input terminal (−) and the non-inverting input terminal (+) of the amplifier are replaced with each other. That is, the inverting input terminal (-) of the amplifier 21
Is arranged at the fixed potential VB between the non-inverting input terminal (+) and the output terminal, and the capacitive element 3 ″ having the capacitance value C is arranged. The equivalent capacitance of the non-inverting input type fixed capacitance circuit section is (1- G) C
Becomes

【0037】前記アンプ20は、可変容量回路部の容量
値を可変にするために、その利得は可変にされる。ま
た、前記アンプ21は、固定容量回路部の容量値を固定
にするために、そのゲインは固定値とされる。ここで、
それらアンプ20,21のゲインが可変、固定であると
は、それらアンプが形成される半導体集積回路のプロセ
スばらつきや雰囲気温度の変化などに対して、可変、一
定の許容範囲をもって固定にされることを意味する。各
種アンプのゲインに関する可変、固定の文言は、本明細
書の全てにおいてその意味で用いられている。アンプ2
0,21の具体的な回路構成については詳細を後述する
が、例えばアンプ20、21のゲインが第1の抵抗素子
の抵抗値に対する第2の抵抗素子の抵抗値の割合(第2
の抵抗素子の抵抗値/第1の抵抗素子の抵抗値)をもっ
て決定されるものとすると、アンプ20の場合には、前
記第2の抵抗素子は半導体基板にその他の回路素子と一
緒に形成されていない外付け抵抗のような抵抗素子とさ
れ、第1の抵抗素子は半導体基板にその他の回路素子と
一緒に形成されている抵抗素子とされる。アンプ21の
場合には第1及び第2の抵抗素子共に半導体基板にその
他の回路素子と一緒に形成されている抵抗素子とされ
る。
The gain of the amplifier 20 is made variable in order to make the capacitance value of the variable capacitance circuit section variable. The gain of the amplifier 21 is set to a fixed value in order to fix the capacitance value of the fixed capacitance circuit section. here,
That the gains of the amplifiers 20 and 21 are variable and fixed means that the gains of the amplifiers 20 and 21 are variable and fixed with a certain allowable range with respect to process variations of semiconductor integrated circuits in which the amplifiers are formed and changes in ambient temperature. Means Variable and fixed terms relating to the gain of various amplifiers are used in that meaning throughout the specification. Amplifier 2
Although the specific circuit configuration of 0 and 21 will be described in detail later, for example, the gain of the amplifiers 20 and 21 is the ratio of the resistance value of the second resistance element to the resistance value of the first resistance element (second
Of the resistance element / the resistance value of the first resistance element), in the case of the amplifier 20, the second resistance element is formed on the semiconductor substrate together with other circuit elements. The first resistance element is a resistance element formed on the semiconductor substrate together with other circuit elements. In the case of the amplifier 21, both the first and second resistance elements are resistance elements formed on the semiconductor substrate together with other circuit elements.

【0038】特に制限されないが、図1において、副回
路のアンプ21の利得は固定値2とされている。図2及
び図3の夫々に示されている等価回路の並列接続で考え
れば容易に理解されるように、図1の回路では端子T1
から見た回路の等価的な容量GCは差動アンプ20の利
得Gのあらゆる値について正確に正比例したものとな
る。尚、この関係は、アンプ21の利得が2の場合に限
定されず、容量素子3”の容量値との関係で任意であ
り、例えば容量素子3”の容量値をC/2とし、アンプ
21の利得Gを3にしても同じである。
Although not particularly limited, in FIG. 1, the gain of the amplifier 21 of the sub circuit is set to a fixed value 2. As will be easily understood by considering the parallel connection of the equivalent circuits shown in FIGS. 2 and 3, respectively, in the circuit of FIG.
The equivalent capacitance GC of the circuit seen from is exactly proportional to any value of the gain G of the differential amplifier 20. Note that this relationship is not limited to the case where the gain of the amplifier 21 is 2, and is arbitrary in relation to the capacitance value of the capacitive element 3 ″. For example, the capacitance value of the capacitive element 3 ″ is C / 2, and the amplifier 21 The same is true even if the gain G is set to 3.

【0039】したがって、フィルタ回路の入出力伝達関
数およびカットオフ周波数fcはそれぞれ、 Vout/Vin=1/{1+sGCR}…(式5) fc=1/2πGCR…(式6) のように表わすことができる。
Therefore, the input / output transfer function of the filter circuit and the cutoff frequency fc can be expressed as Vout / Vin = 1 / {1 + sGCR} ... (Equation 5) fc = 1 / 2πGCR ... (Equation 6) it can.

【0040】ここで、アンプ20の利得Gを、例えばG
=R0/Rとする。R0はその値の変動が少い抵抗素
子、特に限定されないが、例えば半導体基板外に設けた
温度変動係数などが小さい抵抗素子のあらかじめ選定さ
れた値とされる。Rは前記アンプ20に含まれる抵抗素
子(半導体基板に形成された抵抗素子であって前記抵抗
素子2と同じプロセスで形成される)の値とされる。こ
こでは、そのような抵抗素子の抵抗値として、特に制限
されないが、上記抵抗素子2の抵抗値Rと同じ値を想定
している。このアンプ20のゲインG(=R0/R)
は、当該アンプ20内の抵抗値Rを持った抵抗素子の値
Rに逆比例することになる。前記抵抗2の抵抗値Rが設
計値に対してプロセスばらつき等の影響を受けて変動す
ると、それに応じて同じだけ前記アンプ20内の抵抗値
Rを持った抵抗素子の抵抗値も変動される。前記抵抗値
R0の具体的な値として、これも特に限定されるもので
はないが、アンプ20の利得の中心値が例えばG=1に
なるようR0=Rに設定する。これにより、上記(式
6)は、 fc=1/2πCR0…(式6’) のように書き換えられる。
Here, the gain G of the amplifier 20 is, for example, G
= R0 / R. R0 is a preselected value of a resistance element whose value varies little, but is not particularly limited, for example, a resistance element provided outside the semiconductor substrate and having a small temperature variation coefficient. R is a value of a resistance element (a resistance element formed on a semiconductor substrate and formed in the same process as the resistance element 2) included in the amplifier 20. Here, the resistance value of such a resistance element is not particularly limited, but the same value as the resistance value R of the resistance element 2 is assumed. Gain G of this amplifier 20 (= R0 / R)
Is inversely proportional to the value R of the resistance element having the resistance value R in the amplifier 20. When the resistance value R of the resistor 2 fluctuates with respect to the design value under the influence of process variations or the like, the resistance value of the resistance element having the resistance value R in the amplifier 20 also fluctuates accordingly. The specific value of the resistance value R0 is also not particularly limited, but R0 = R is set so that the center value of the gain of the amplifier 20 is, for example, G = 1. As a result, the above (formula 6) is rewritten as fc = 1 / 2πCR0 ... (Formula 6 ′).

【0041】したがって、フィルタ回路の抵抗素子2の
抵抗値Rが大きく変動しても、それと同じ割合をもっ
て、アンプ20内の抵抗値Rを有する抵抗素子の抵抗値
も変動するから、可変容量回路30の等価的な容量値G
Cが自動的に変化して、アナログローパスフィルタ回路
のカットオフ周波数fcを安定かつ所望の値に保つこと
ができる。すなわち、(式6)において、Rが変動する
と、Gはそれに逆比例して変動し、双方の変動分が相殺
される。
Therefore, even if the resistance value R of the resistance element 2 of the filter circuit largely changes, the resistance value of the resistance element having the resistance value R in the amplifier 20 also changes at the same rate, so that the variable capacitance circuit 30. Equivalent capacitance value G
C automatically changes, and the cutoff frequency fc of the analog low-pass filter circuit can be kept stable and at a desired value. That is, in (Equation 6), when R changes, G changes in inverse proportion to it, and both fluctuations cancel each other out.

【0042】図4には、図1に示された可変容量回路3
0を差動構成にした場合の可変容量回路31とそれを応
用したアナログフィルタ回路の一例が示される。一般的
に差動構成は素子数が概略2倍必要になるが、入力アナ
ログ信号に同相的に重畳された雑音や、同一の半導体基
板上に形成集積された大規模論理回路から発生されて重
畳される雑音が問題となる場合には、これらの影響を軽
減する手段として極めて有効である。図4の差動構成
は、図1の構成を単に2系統並列にして、それぞれの入
力端子に互いに反転した信号+Vin,−Vinを供給
することによって実現されている。フィルタ回路の差動
出力は+Vout,−Voutとして図示されている。
FIG. 4 shows the variable capacitance circuit 3 shown in FIG.
An example of a variable capacitance circuit 31 in the case where 0 has a differential configuration and an analog filter circuit to which the variable capacitance circuit 31 is applied is shown. Generally, the number of elements is approximately doubled in the differential configuration, but noise superimposed in phase with the input analog signal and generated by a large-scale logic circuit formed and integrated on the same semiconductor substrate are superimposed. When the generated noise becomes a problem, it is extremely effective as a means for reducing these effects. The differential configuration of FIG. 4 is realized by simply making the configuration of FIG. 1 parallel in two lines and supplying signals + Vin and −Vin, which are mutually inverted, to the respective input terminals. The differential output of the filter circuit is shown as + Vout, -Vout.

【0043】図5には図1に示された可変容量回路30
を差動構成にした更に別の可変容量回路31とそれを応
用した差動アナログフィルタ回路の一例が示され、図6
には図5のフィルタ回路の等価回路が示されている。図
5の場合には、可変容量回路31を構成する固定利得ア
ンプ21を反転および非反転信号の差動入力とし、かつ
その差動利得を固定値1としている。それによって固定
利得アンプの数を1つ減らすことができる。この差動型
ローパスフィルタ回路の入出力伝達関数とカットオフ周
波数fcは前記の(式5)、(式6)または(式6’)
とそれぞれ同じである。尚、図5の容量素子3’−1,
3’−2は図1の容量素子3’に対応され、アンプ20
−1,20−2はそれぞれ前記アンプ20に対応され、
容量素子3”−1,3”−2はそれぞれ前記容量素子
3”に対応され、抵抗素子2−1,2−2はそれぞれ前
記抵抗素子2に対応される。また、図6において非反転
入力側の31−1と反転入力側の31−2とは可変容量
回路31を指称する。
FIG. 5 shows the variable capacitance circuit 30 shown in FIG.
6 shows another example of the variable capacitance circuit 31 having a differential configuration and a differential analog filter circuit to which the variable capacitance circuit 31 is applied.
Shows an equivalent circuit of the filter circuit of FIG. In the case of FIG. 5, the fixed gain amplifier 21 forming the variable capacitance circuit 31 is used as a differential input of inverted and non-inverted signals, and the differential gain thereof is set to a fixed value 1. This can reduce the number of fixed gain amplifiers by one. The input / output transfer function and the cut-off frequency fc of this differential low-pass filter circuit are the above-mentioned (Equation 5), (Equation 6) or (Equation 6 ').
Is the same as In addition, the capacitive element 3'-1,
3'-2 corresponds to the capacitive element 3'of FIG.
-1, 20-2 correspond to the amplifier 20, respectively,
Capacitance elements 3 "-1, 3" -2 correspond to the capacitance element 3 ", and resistance elements 2-1 and 2-2 correspond to the resistance element 2. Also, in FIG. The side 31-1 and the inverting input side 31-2 refer to the variable capacitance circuit 31.

【0044】図7には、第3の例に係る可変容量回路3
2と、それを差動アナログフィルタ回路へ応用した一例
として、一定の低周波利得を有するハイパスフィルタ回
路が示されている。一般的にハイパスフィルタ回路には
非接地型の容量素子が用いられるが、この容量素子とし
て、図1で説明したような可変容量回路をハイパスフィ
ルタに用いるには、その可変容量回路のアンプには、高
い周波数領域に渡って一定以上の利得を必要とするか
ら、特に低消費電力でカットオフ周波数が高いハイパス
フィルタを実現するのが難しくなる。そこで、図7では
バッファーアンプ6の非反転及び反転出力信号から差動
ローパスフィルタの非反転及び反転出力信号をそれぞれ
アンプ7−1、アンプ7−2を用いて減じる構成とし、
ローパスフィルタの容量素子として接地型の可変容量回
路が用いられている。この場合、抵抗素子2−1と5−
1の接続点、および抵抗素子2−2と5−2の各接続点
に前記図1の可変容量回路30または図5の可変容量回
路31を接続しても実現できるが、図7では可変容量回
路32を用いている。この可変容量回路32は、主回路
のアンプ20および副回路のアンプ21を共に反転およ
び非反転の差動入力、差動出力形式として、アンプ20
の差動利得を図5の場合の半分(G/2)とし、副アン
プ21は図5の場合と同じように構成されている。それ
によって差動可変容量回路に必要なアンプの数は、図5
に比べてアンプ20の数が更に一つ減少されている。
FIG. 7 shows a variable capacitance circuit 3 according to the third example.
2 and a high-pass filter circuit having a constant low frequency gain is shown as an example in which it is applied to a differential analog filter circuit. Generally, a non-grounded type capacitance element is used in a high pass filter circuit. To use the variable capacitance circuit as described in FIG. 1 as a high pass filter as the capacitance element, the amplifier of the variable capacitance circuit is used. Since a certain gain or more is required over a high frequency range, it is difficult to realize a high-pass filter with low power consumption and a high cutoff frequency. Therefore, in FIG. 7, the non-inverting and inverting output signals of the buffer amplifier 6 are subtracted from the non-inverting and inverting output signals of the differential low-pass filter by using the amplifiers 7-1 and 7-2, respectively,
A grounded variable capacitance circuit is used as the capacitance element of the low-pass filter. In this case, the resistance elements 2-1 and 5-
The variable capacitance circuit 30 of FIG. 1 or the variable capacitance circuit 31 of FIG. 5 may be connected to the connection point of No. 1 and the connection points of the resistance elements 2-2 and 5-2, but in FIG. The circuit 32 is used. In the variable capacitance circuit 32, the amplifier 20 of the main circuit and the amplifier 21 of the sub circuit are both configured as an amplifier 20 having an inverted and non-inverted differential input and differential output format.
The differential gain is set to half (G / 2) of that in the case of FIG. 5, and the sub-amplifier 21 is configured in the same manner as in the case of FIG. Therefore, the number of amplifiers required for the differential variable capacitance circuit is shown in FIG.
The number of amplifiers 20 is further reduced by one as compared with.

【0045】このハイパスフィルタは低周波領域にも一
定の利得を有するため2つのカットオフ周波数が存在す
る。その入出力伝達関数と第1のカットオフ周波数f
1、第2のカットオフ周波数f2は、アンプ6、7−1
及び7−2の利得を共に1とすると、それぞれ、 Vout/Vin=R2(1+sGCR1)/(R1+R2+sGCR1R2) …(式9) f1=1/2πGCR1…(式10) f2=(R1+R2)/2πGCR1R2…(式11) のように表わすことができる。
Since this high-pass filter has a constant gain even in the low frequency region, there are two cutoff frequencies. The input / output transfer function and the first cutoff frequency f
The first and second cutoff frequencies f2 are equal to the amplifiers 6 and 7-1.
When the gains of 7 and 7-2 are both set to 1, Vout / Vin = R2 (1 + sGCR1) / (R1 + R2 + sGCR1R2) (Equation 9) f1 = 1 / 2πGCR1 ... (Equation 10) f2 = (R1 + R2) / 2πGCR1R2 ... (Equation 10) It can be expressed as in Equation 11).

【0046】ここで差動アンプ20の利得Gは例えばG
=R0/R1とする。R1は前記アンプ20に含まれる
抵抗素子の抵抗値であり、特に制限されないが、この抵
抗と一緒に同一の半導体基板に形成されている抵抗素子
5−1,5−2の抵抗値R1と等しくされている。R0
はその値の変動が少い抵抗素子、特に限定されないが、
例えば半導体基板外に設けた温度変動係数などが小さい
抵抗素子のあらかじめ選定された値とし、その具体的な
値として、これも特に限定されるものではないが、利得
の中心値が例えばG=1になるようR0=R1に設定す
ることにより、上記(式10)と(式11)はそれぞ
れ、 f1=1/2πCR0…(式10’) f2={(R1+R2)/R2}/2πCR0…(式11’) のように書き換えられる。
Here, the gain G of the differential amplifier 20 is, for example, G
= R0 / R1. R1 is the resistance value of the resistance element included in the amplifier 20, and is not particularly limited, but is equal to the resistance value R1 of the resistance elements 5-1 and 5-2 formed on the same semiconductor substrate together with this resistance. Has been done. R0
Is a resistance element whose value varies little, but is not particularly limited,
For example, a resistance element provided outside the semiconductor substrate and having a small temperature variation coefficient is a preselected value, and its specific value is not particularly limited, but the central value of the gain is, for example, G = 1. By setting R0 = R1 so that, the above equations (10) and (11) are respectively f1 = 1 / 2πCR0 ... (Equation 10 ′) f2 = {(R1 + R2) / R2} / 2πCR0. 11 ').

【0047】したがって、半導体基板上に形成された抵
抗素子2と5の値R1、R2が変動しても、第1のカッ
トオフ周波数f1は前述と同様に安定であり、また抵抗
比(R1+R2)/R2 は原理的に一定であるから第
2のカットオフ周波数f2についても共に安定化され
る。さらに(式9)の入出力利得についても、f1より
十分に低い周波数に対してはR1/(R1+R2)で表
わされ、またf2より十分高い周波数に対しては利得が
1となるから共に安定にできる。図7において前記固定
電位VBはアナロググランドとされる。この固定電位V
Bは、例えばシリコンのバンドギャップなどを利用して
安定な電圧を形成する図示しない基準電圧発生回路で生
成した基準電位とすることができる。
Therefore, even if the values R1 and R2 of the resistance elements 2 and 5 formed on the semiconductor substrate fluctuate, the first cutoff frequency f1 is stable as described above, and the resistance ratio (R1 + R2). Since / R2 is basically constant, the second cutoff frequency f2 is also stabilized. Further, the input / output gain of (Equation 9) is also expressed as R1 / (R1 + R2) for frequencies sufficiently lower than f1, and is stable for frequencies sufficiently higher than f2, so both are stable. You can In FIG. 7, the fixed potential VB is an analog ground. This fixed potential V
B can be a reference potential generated by a reference voltage generation circuit (not shown) that forms a stable voltage by using, for example, a band gap of silicon.

【0048】尚、図7において差動アンプ6の反転及び
非反転入力端子にはそれぞれ互いに位相が反転した信号
+Vin、−Vinが供給されているが、場合によって
はどちらか一方の入力信号を省いて利用することも可能
である。また、図7に代表されるようなハイパスフィル
タ回路の構成は、差動入力+Vin,−Vinと差動出
力+Vout,−Voutを有するものに限定されず、
例えば図8のように構成することも可能である。図8に
おいて入力信号Vinはソースフォロア回路のようなバ
ッファアンプ6で受け、バッファアンプ6の出力側には
抵抗素子R2を介して図1の可変容量回路30が固定電
位(VB)との間に配置されている。
In FIG. 7, the inverting and non-inverting input terminals of the differential amplifier 6 are supplied with signals + Vin and -Vin whose phases are mutually inverted, but depending on the case, one of the input signals may be omitted. It is also possible to use it. The configuration of the high-pass filter circuit represented by FIG. 7 is not limited to the one having the differential inputs + Vin, −Vin and the differential outputs + Vout, −Vout,
For example, it is possible to configure as shown in FIG. In FIG. 8, the input signal Vin is received by a buffer amplifier 6 such as a source follower circuit, and the variable capacitance circuit 30 of FIG. 1 is connected to a fixed potential (VB) on the output side of the buffer amplifier 6 via a resistance element R2. It is arranged.

【0049】図9には、本発明に係る可変容量回路およ
びアナログフィルタ回路に利用して好適な前記各種アン
プのバイアス電流回路が示されている。図9において、
トランジスタMP1、MP2および抵抗素子Ri1は、
外部抵抗素子Rrefが接地電位端子GNDとの間に接
続される外部端子TR0に対する半導体集積回路の入力
保護回路を構成している。アンプOP1は、ここではパ
ワーダウン制御信号PDが低電位でトランジスタMA1
及びMA2をオン状態に、トランジスタMA7及びMA
8をオフ状態とさせる時に、その非反転入力端(+)に
供給される固定電位VBを上記外部抵抗素子Rrefの
抵抗値で除した値の電流をトランジスタMA5およびM
A3に生じせしめるよう動作する。このトランジスタM
A3に流れる電流は、トランジスタMA4、MA6、M
A9に、順次それらの寸法比に応じた比例倍のミラー電
流を生じさせ、トランジスタMA6及びMA10のドレ
インノードA3及びA4、トランジスタMA12のドレ
インノードA5、及びトランジスタMA13のドレイン
ノードA6にそれぞれ一定の電圧を形成させる。これに
より、後述する図10、図11及び図12の差動アンプ
のバイアス電流を所望の値に設定することができる。こ
のとき、前記固定電位VBは図示しない基準電圧発生回
路で発生させる安定な電圧とすることができ、また、外
部抵抗素子Rrefには比較的低価格で温度変動係数な
どが小さい素子を選定することが可能であるから、この
図9及び後述するアンプのバイアス電流を比較的高精度
かつ安定に設定し保持することは容易である。
FIG. 9 shows a bias current circuit of the various amplifiers suitable for use in the variable capacitance circuit and the analog filter circuit according to the present invention. In FIG.
The transistors MP1 and MP2 and the resistance element Ri1 are
The external resistance element Rref constitutes an input protection circuit of the semiconductor integrated circuit for the external terminal TR0 connected between the external resistance element Rref and the ground potential terminal GND. In the amplifier OP1, the power-down control signal PD is low potential here and the transistor MA1
And MA2 are turned on, and transistors MA7 and MA
When the transistor 8 is turned off, a current having a value obtained by dividing the fixed potential VB supplied to the non-inverting input terminal (+) by the resistance value of the external resistance element Rref is used as the transistors MA5 and M5.
It operates to cause A3. This transistor M
The current flowing through A3 is generated by the transistors MA4, MA6, M
A9 sequentially generates a mirror current that is proportional to the dimension ratio of the transistors MA6 and MA10, drain voltages A3 and A4 of the transistors MA6 and MA10, a drain node A5 of the transistor MA12, and a drain node A6 of the transistor MA13. To form. As a result, the bias current of the differential amplifiers of FIGS. 10, 11 and 12 described later can be set to a desired value. At this time, the fixed potential VB can be a stable voltage generated by a reference voltage generating circuit (not shown), and an element having a relatively low price and a small temperature variation coefficient can be selected as the external resistance element Rref. Therefore, it is easy to set and hold the bias current of the amplifier shown in FIG. 9 and described later with relatively high precision and stability.

【0050】図10には、本発明に係る可変容量回路お
よびアナログフィルタ回路に利用して好適な可変利得を
有する差動アンプ20、20−1,20−2の詳細な一
例が示されている。同図に示されているアンプは、非反
転電圧入力信号ViPと反転電圧入力信号ViMの差動
成分を抵抗素子RC0の値に反比例した電流信号isに
変換する電圧/電流変換部50と、該電流信号isをそ
れに比例した電圧信号に変換する電流/電圧変換部60
とから構成されている。
FIG. 10 shows a detailed example of the differential amplifiers 20, 20-1 and 20-2 having a variable gain suitable for use in the variable capacitance circuit and the analog filter circuit according to the present invention. . The amplifier shown in the figure includes a voltage / current conversion unit 50 that converts a differential component of the non-inverted voltage input signal ViP and the inverted voltage input signal ViM into a current signal is that is inversely proportional to the value of the resistance element RC0. A current / voltage conversion unit 60 for converting the current signal is into a voltage signal proportional thereto
It is composed of

【0051】電圧/電流変換部50では、ゲートに非反
転電圧入力信号ViPが供給されたPMOSトランジス
タMT1と、そのソースおよびドレインに接続された定
電流源IB1及びIB3と、ゲートに反転電圧入力信号
ViMが供給されたPMOSトランジスタMT2と、そ
のソース及びドレインに接続された定電流源IB2及び
IB4と、トランジスタMT1及びMT2のそれぞれの
ソース、ドレインにドレイン、ゲートが接続され、その
ソースが接地電位GNDに接続されたNMOSトランジ
MT3及びMT4と、トランジスタMT1とMT2のソ
ース間に接続された半導体基板上に形成された抵抗素子
RC0とから構成されている。
In the voltage / current converter 50, the PMOS transistor MT1 whose gate is supplied with the non-inverted voltage input signal ViP, the constant current sources IB1 and IB3 connected to its source and drain, and the inverted voltage input signal to its gate. The PMOS transistor MT2 supplied with ViM, the constant current sources IB2 and IB4 connected to the sources and drains thereof, the drain and gate of the sources and drains of the transistors MT1 and MT2, respectively, and the source thereof to the ground potential GND. And the NMOS transistors MT3 and MT4 connected to each other, and the resistance element RC0 formed on the semiconductor substrate and connected between the sources of the transistors MT1 and MT2.

【0052】ここで定電流源IB1とIB2を構成する
それぞれ直列接続された電流源MOSトランジスタのゲ
ートには図9の前記バイアス回路で形成されたノードA
4、ノードA5又はA6の電位が供給される。定電流源
IB3とIB4を構成する電流源MOSトランジスタの
ゲートには図9の前記バイアス回路で形成されたノード
A3の電位が供給される。これによってそれら定電流源
IB1,IB2,IB3,IB4は夫々に対応されるノ
ードA3、A4、A5またはA6のミラー倍の電流を流
すよう設定されている。定電流源IB1とIB3、IB
2とIB4の各電流値についてはIB1=IB2、IB
3=IB4、且つIB1>IB3のように設定され、P
MOSトランジスタMT1、MT2には常に定電流源I
B3、IB4の定電流が流れている。
Here, the gates of the current source MOS transistors connected in series which form the constant current sources IB1 and IB2 are connected to the node A formed by the bias circuit of FIG.
4, the potential of the node A5 or A6 is supplied. The gate of the current source MOS transistor forming the constant current sources IB3 and IB4 is supplied with the potential of the node A3 formed by the bias circuit of FIG. As a result, the constant current sources IB1, IB2, IB3, IB4 are set so as to flow a mirror-multiplied current of the corresponding node A3, A4, A5 or A6. Constant current sources IB1 and IB3, IB
2 and IB4, IB1 = IB2, IB
3 = IB4 and IB1> IB3, and P
A constant current source I is always applied to the MOS transistors MT1 and MT2.
The constant currents of B3 and IB4 are flowing.

【0053】いま入力電圧がViP=ViMのときには
ノードv1およびv2の電位は等しいから抵抗素子RC
0には電流が流れず、トランジスタMT3、MT4には
等しい差電流のIB1−IB3が流れる。一方、入力電
圧ViPとViMが例えば図示の矢印で示すような方
向、すなわちViP>ViMに変化した場合、その差電
圧Δ=Vip−ViMに等しい電位差がv1とv2間に
も生じるから、抵抗素子RC0にはis=Δ/RC0の
電流が流れる。その結果、トランジスタMT3の電流は
i3=IB1−IB3−isとなり、他方のトランジス
タMT4の電流はi4=IB1−IB3+isとなる。
したがって、以上から明らかなように、トランジスタM
T3とMT4には差動入力電圧Δに比例し、抵抗素子R
C0の値に反比例(逆比例)した互いに相補的な交流信
号電流±isが流れる。
When the input voltage is ViP = ViM, the potentials of the nodes v1 and v2 are equal, so that the resistance element RC is used.
No current flows in 0, and IB1 to IB3 having the same difference current flows in the transistors MT3 and MT4. On the other hand, when the input voltages ViP and ViM change, for example, in the directions shown by the arrows in the figure, that is, when ViP> ViM, a potential difference equal to the difference voltage Δ = Vip−ViM also occurs between v1 and v2. A current of is = Δ / RC0 flows through RC0. As a result, the current of the transistor MT3 becomes i3 = IB1-IB3-is, and the current of the other transistor MT4 becomes i4 = IB1-IB3 + is.
Therefore, as is clear from the above, the transistor M
T3 and MT4 have a resistance element R proportional to the differential input voltage Δ.
AC signal currents ± is complementary to each other and inversely proportional (inversely proportional) to the value of C0 flow.

【0054】前記電流/電圧変換部60は、上記NMO
SトランジスタMT3とMT4の電流に対してそれぞれ
のミラー比倍の電流を流すよう設定されたNMOSトラ
ンジスタMT5、MT6と、それらのドレインノードv
5、v6に接続された定電流源IB5、IB6と、特に
限定されないが、例えば外部接続端子TR1およびTR
2と固定電位供給端子TRAGとの間に接続され半導体
基板外に設けた温度変動係数などが小さく抵抗値が予め
選定された抵抗素子RC1、RC2とを備える。そし
て、前記ノードv5とv6の各電圧を低インピーダンス
で出力するための、PMOSトランジスタMT7及び定
電流源IB7から成るソースフォロア回路と、同じくP
MOSトランジスタMT8と定電流源IB8から成るソ
ースフォロア回路が設けられている。ここで定電流源I
B5、IB6、IB7及びIB8は前記定電流源IB
1,IB2と同じように図9のバイアス回路から供給さ
れたノードA4、A5又はA6の電圧によってそれぞれ
ミラー倍の電流を流すよう設定されている。
The current / voltage conversion unit 60 has the NMO
The NMOS transistors MT5 and MT6, which are set so as to pass the currents having the respective mirror ratio times the currents of the S transistors MT3 and MT4, and their drain nodes v
Constant current sources IB5 and IB6 connected to V5 and v6, for example, but not limited to, for example, external connection terminals TR1 and TR
2 and the fixed potential supply terminal TRAG, and provided outside the semiconductor substrate are resistance elements RC1 and RC2 having a small temperature variation coefficient and a resistance value preselected. Then, a source follower circuit composed of a PMOS transistor MT7 and a constant current source IB7 for outputting the respective voltages of the nodes v5 and v6 with low impedance, and P
A source follower circuit including a MOS transistor MT8 and a constant current source IB8 is provided. Where constant current source I
B5, IB6, IB7 and IB8 are the constant current sources IB
Like IB1 and IB2, the voltage of the node A4, A5 or A6 supplied from the bias circuit of FIG.

【0055】上記抵抗素子RC1とRC2の具体的な値
は、上記NMOSトランジスタMT3とMT5の間のミ
ラー比、NMOSトランジスタMT4とMT6の間のミ
ラー比、所望とする差動増幅利得G、および抵抗素子R
C0の値によって異なり、多種の組み合わせが可能であ
る。例えばトランジスタMT3とMT5の間のミラー
比、トランジスタMT4とMT6の間のミラー比をそれ
ぞれ1とした場合、RC1(=RC2)/RC0が所望
のアンプ差動利得Gの中心値に等しくなるよう選ぶこと
ができる。図10に示されたアンプの利得の中心値をG
=1に選ぶにはRC1=RC2=RC0とすればよい。
またこの場合、トランジスタMT3とMT5およびMT
4とMT6のミラー比を一般的にnとした場合は、RC
1=RC2=RC0/nとしてもよい。これらの場合、
各抵抗素子の絶対値は直接には利得Gとは関係しないか
ら、それら各抵抗素子RC1,RC2,RC0の値は、
回路各部の線形動作が可能でかつ妥当な消費電力となる
よう決定すればよい。
Specific values of the resistance elements RC1 and RC2 are as follows: the mirror ratio between the NMOS transistors MT3 and MT5, the mirror ratio between the NMOS transistors MT4 and MT6, the desired differential amplification gain G, and the resistance. Element R
Depending on the value of C0, various combinations are possible. For example, when the mirror ratio between the transistors MT3 and MT5 and the mirror ratio between the transistors MT4 and MT6 are 1, respectively, RC1 (= RC2) / RC0 is selected to be equal to the center value of the desired amplifier differential gain G. be able to. The central value of the gain of the amplifier shown in FIG.
To select = 1, RC1 = RC2 = RC0 may be set.
In this case, the transistors MT3, MT5 and MT
When the mirror ratio between 4 and MT6 is generally n, RC
It may be 1 = RC2 = RC0 / n. In these cases,
Since the absolute value of each resistance element is not directly related to the gain G, the value of each resistance element RC1, RC2, RC0 is
It may be determined so that the linear operation of each part of the circuit is possible and the power consumption is appropriate.

【0056】上述のように抵抗値が設定されたとき、抵
抗素子RC0の抵抗値が0.7倍または1.3倍に変動
すると、アンプの差動利得はそれぞれG≒1.43、
0.77とされる。更に付言すれば、抵抗素子RC0の
抵抗値が0.7倍または1.3倍に変動した場合、当該
抵抗素子RC0と同一の半導体基板に形成された、例え
ばアナログフィルタを構成する抵抗素子の抵抗値も0.
7倍または1.3倍に変動している。
When the resistance value is set as described above and the resistance value of the resistance element RC0 changes 0.7 times or 1.3 times, the differential gain of the amplifier is G≈1.43, respectively.
It is set to 0.77. Further, in addition, when the resistance value of the resistance element RC0 changes 0.7 times or 1.3 times, the resistance of the resistance element formed on the same semiconductor substrate as the resistance element RC0, for example, forming an analog filter. The value is 0.
It fluctuates 7 times or 1.3 times.

【0057】図11には、本発明に係る可変容量回路お
よびアナログフィルタ回路に利用して好適な固定利得を
有する差動アンプ21の実施例が示されている。このア
ンプ21は、前記図10と同じ構成の電圧/電流変換部
50と、電流/電圧変換部61から構成されている。た
だし、電流/電圧変換部61には抵抗素子RC0と同じ
半導体基板上に形成された抵抗素子RC3とRC4が接
続されている。この場合の各抵抗素子の値は、上述した
図10の場合と全く同様にして決定でき、例えばNMO
SトランジスタMT3とMT9のミラー比、及びNMO
SトランジスタMT4とMT10のミラー比を、それぞ
れ1とし、アンプ21の差動利得をG=2に選ぶ場合に
は、RC1(=RC2)/RC0=2とすればよい。こ
の場合には、抵抗素子RC3とRC4は抵抗素子RC0
と同じように変動するから、抵抗素子RC0が0.7倍
または1.3倍に変動しても、差動利得は2のまま一定
に保たれる。
FIG. 11 shows an embodiment of a differential amplifier 21 having a fixed gain suitable for use in the variable capacitance circuit and the analog filter circuit according to the present invention. The amplifier 21 is composed of a voltage / current conversion unit 50 and a current / voltage conversion unit 61 which have the same configuration as in FIG. However, resistance elements RC3 and RC4 formed on the same semiconductor substrate as the resistance element RC0 are connected to the current / voltage converter 61. The value of each resistance element in this case can be determined in exactly the same manner as in the case of FIG. 10 described above.
Mirror ratio of S-transistors MT3 and MT9, and NMO
When the mirror ratios of the S transistors MT4 and MT10 are each 1 and the differential gain of the amplifier 21 is G = 2, RC1 (= RC2) / RC0 = 2 may be set. In this case, the resistance elements RC3 and RC4 are the resistance elements RC0.
Therefore, even if the resistance element RC0 changes 0.7 times or 1.3 times, the differential gain remains constant at 2.

【0058】図12には、本発明に係る可変容量回路お
よびアナログフィルタ回路に利用して好適な可変利得と
固定利得の夫々の差動出力を有したアンプ22の一例が
示されている。このアンプは、前記図10と図11の回
路を合成して実現されたものであり、共通の電圧/電流
変換部50に、抵抗素子RC0の値の変動に対して固定
利得の差動電圧V2OP、V2OMを出力する電流/電
圧変換部60と、抵抗素子RC0の値の変動に対して反
比例利得Gの差動電圧VGOP、VGOMを出力する電
流/電圧変換部61とが並列に接続された構成を有す
る。この図12の動作および各抵抗素子の値については
図10及び図11についての説明の内容と同じであるか
らその詳細は省略する。
FIG. 12 shows an example of an amplifier 22 having differential outputs of variable gain and fixed gain which are suitable for use in the variable capacitance circuit and the analog filter circuit according to the present invention. This amplifier is realized by combining the circuits of FIG. 10 and FIG. 11, and the common voltage / current conversion unit 50 has a differential voltage V2OP having a fixed gain with respect to a change in the value of the resistance element RC0. , V2OM for outputting the current / voltage converting section 60 and a current / voltage converting section 61 for outputting the differential voltages VGOP and VGOM having the inverse proportional gain G with respect to the variation of the value of the resistance element RC0 are connected in parallel. Have. The operation of FIG. 12 and the value of each resistance element are the same as those described with reference to FIGS. 10 and 11, and the detailed description thereof will be omitted.

【0059】図13には、図12に示されたアンプ22
の適用例として、低周波数領域に一定の利得を有したハ
イパスフィルタ回路が示されている。このフィルタ回路
は、例えば金属導線ケーブルを用いた伝送システムの波
形再生に不可欠な波形等化フィルタ回路として好適であ
る。一般に金属導線ケーブルを伝送線路に用いるディジ
タルパルス信号伝送では、高い周波数ほど、またケーブ
ル長が長いほど、周波数の平方根に比例した大きい減衰
を生じるため、信号パルス波形は減少かつ歪み、そのま
までは元のデータを誤りなく受信することは困難にな
る。したがって、元の信号を最小の誤り率で受信するた
めには、伝送線路の逆の周波数特性を持たせた波形等化
フィルタを受信側に設け、送信パルス波形の歪みを補正
することが必要となる。
FIG. 13 shows the amplifier 22 shown in FIG.
As an application example of, a high-pass filter circuit having a constant gain in the low frequency region is shown. This filter circuit is suitable, for example, as a waveform equalization filter circuit that is indispensable for waveform reproduction of a transmission system using a metal conductor cable. Generally, in digital pulse signal transmission using a metal conductor cable as a transmission line, the higher the frequency and the longer the cable length, the greater the attenuation that is proportional to the square root of the frequency. Therefore, the signal pulse waveform decreases and distorts. It becomes difficult to receive data without error. Therefore, in order to receive the original signal with the minimum error rate, it is necessary to provide a waveform equalization filter having an inverse frequency characteristic of the transmission line on the reception side and correct the distortion of the transmission pulse waveform. Become.

【0060】図13において、RT1は伝送線路のイン
ピーダンスを整合終端するための外部抵抗素子である。
入力端子RXA、RXBには+Vinおよび−Vinと
して受信された差動信号が供給され、半導体集積基板上
に形成された内部抵抗RIP1、RIP2、RIM1及
びRIM2によって、固定電位VBを中心として振幅が
RIP2・Vin/(RIP1+RIP2)の内部差動
信号に変換される。このように内部差動信号の振幅を、
抵抗分圧によって入力差動信号+Vin,−Vinの振
幅よりも小さくするのは、当該入力差動信号+Vin,
−Vinの振幅が大きい場合(送信端からの伝送線の長
さが短いような場合)であっても、後段に配置されたア
ンプ22の入力がその動作電源電圧寄りにならないよう
にしたものである。この点においても、アンプ22は周
波数の広い範囲に亘って安定動作することが考慮されて
いる。ここで、RIP1=RIM1、PIP2=RIM
2であり、また固定電位VBには、特に限定はされない
が、例えば半導体集積回路に供給される電源電圧VDD
と接地電位GNDとの大略中間の値が供給される。この
固定電位VBは、特に制限されないが、基準電圧発生回
路を用いて形成することができる。
In FIG. 13, RT1 is an external resistance element for matching termination of the impedance of the transmission line.
The differential signals received as + Vin and −Vin are supplied to the input terminals RXA and RXB, and the internal resistors RIP1, RIP2, RIM1 and RIM2 formed on the semiconductor integrated substrate cause the amplitude RIP2 around the fixed potential VB. Converted to an internal differential signal of Vin / (RIP1 + RIP2). In this way, the amplitude of the internal differential signal is
The reason why the amplitude of the input differential signal + Vin, −Vin is made smaller by the resistance voltage division is that the input differential signal + Vin,
Even when the amplitude of −Vin is large (when the length of the transmission line from the transmitting end is short), the input of the amplifier 22 arranged in the subsequent stage is prevented from being closer to the operating power supply voltage. is there. Also in this respect, it is considered that the amplifier 22 operates stably over a wide range of frequencies. Here, RIP1 = RIM1 and PIP2 = RIM
The fixed potential VB is 2, but is not particularly limited. For example, the power supply voltage VDD supplied to the semiconductor integrated circuit.
And a value approximately intermediate between the ground potential GND and the ground potential GND are supplied. The fixed potential VB can be formed by using a reference voltage generating circuit, although not particularly limited.

【0061】上記の内部差動入力信号はインピーダンス
変換を主目的としたアンプ(例えばソースフォロア回
路)6−1、6−2を介して波形等化フィルタ40に供
給される。この波形等化フィルタ40は、可変容量回路
部と固定容量回路部のアンプの回路規模が減少された差
動アンプ22を用いた可変容量回路33を備える。この
可変容量回路33は、前記差動アンプ22と、この差動
アンプ22の前記第1の電流/電圧変換部60の非反転
出力VGOP及び第2の電流/電圧変換部61の反転出
力V2OMとアンプ22の反転入力端子(−)との間に
それぞれ接続される容量素子3’−1,3”−1と、前
記差動アンプアンプ22の前記第1の電流/電圧変換部
60の反転出力VGOM及び第2の電流/電圧変換部6
1の非反転出力V2OPと前記アンプ22の非反転入力
端子(+)との間にそれぞれ接続された容量素子3’−
2,3”−2とを備えて構成される。波形等化フィルタ
回路40は、前記図7の構成と基本的には同じであり、
したがってその入出力伝達関数と第1のカットオフ周波
数f1及び第2のカットオフ周波数f2は、アンプ6
(6−1,6−2)までの利得及びアンプ7(7−1,
7−2)の利得の影響を省略すれば、上記の(式9)、
(式10)および(式11)とそれぞれ同じである。但
し、実際にはアンプ6−1、6−2及び7−1、7−2
自体が有する高周波数領域での利得の減衰によってバン
ドパス特性となる。
The above-mentioned internal differential input signal is supplied to the waveform equalizing filter 40 via amplifiers (for example, source follower circuits) 6-1 and 6-2 whose main purpose is impedance conversion. The waveform equalization filter 40 includes a variable capacitance circuit 33 using a differential amplifier 22 in which the circuit scale of the amplifiers of the variable capacitance circuit unit and the fixed capacitance circuit unit is reduced. The variable capacitance circuit 33 includes the differential amplifier 22, a non-inverted output VGOP of the first current / voltage converter 60 and an inverted output V2OM of the second current / voltage converter 61 of the differential amplifier 22. Capacitance elements 3'-1, 3 "-1 respectively connected between the inverting input terminal (-) of the amplifier 22 and the inverting output of the first current / voltage conversion unit 60 of the differential amplifier 22. VGOM and second current / voltage converter 6
1 non-inverting output V2OP and the non-inverting input terminal (+) of the amplifier 22 respectively connected to the capacitive element 3'-
2, 3 ″ -2. The waveform equalization filter circuit 40 is basically the same as the configuration of FIG.
Therefore, the input / output transfer function and the first cutoff frequency f1 and the second cutoff frequency f2 are
The gain up to (6-1, 6-2) and the amplifier 7 (7-1,
If the effect of the gain of 7-2) is omitted, the above (Equation 9),
They are the same as (Equation 10) and (Equation 11), respectively. However, in reality, the amplifiers 6-1, 6-2 and 7-1, 7-2
Attenuation of the gain in the high frequency region of the device itself causes a bandpass characteristic.

【0062】図13においてアンプ6−3は、上記アン
プ6−1及び6−2に不可避的に発生するであろう直流
オフセット電圧の影響を避けるために付加したものであ
り、アンプ6−3の出力が抵抗素子5−1と5−2の結
合点に与えられることによって、そのオフセット電圧の
影響をアンプ7−1,7−2による減算に際してキャン
セルできるようになっている。尚、製品の特性仕様によ
ってはそのような構成を省くことが出来る。また、これ
らアンプ6−1〜6−3および7−1、7−2は従来公
知の回路形式で実現されたものを用いることができる。
さらに、アンプ8は波形等化フィルタ40の差動出力+
Vout、−Voutを単一出力に変換するために付加
されたものであるが、その出力9の波形がパルスに変換
される非線形アンプ、たとえば電圧比較器であってもよ
い。さらに、当然ながら、波形等化フィルタ40はその
可変容量回路として前記図1、図5、または図7に示さ
れた可変容量回路を用いても実現できる。
In FIG. 13, the amplifier 6-3 is added in order to avoid the influence of the DC offset voltage that is unavoidably generated in the amplifiers 6-1 and 6-2. The output is given to the connection point of the resistance elements 5-1 and 5-2, so that the influence of the offset voltage can be canceled at the time of subtraction by the amplifiers 7-1 and 7-2. Incidentally, such a configuration can be omitted depending on the characteristic specifications of the product. As the amplifiers 6-1 to 6-3 and 7-1 and 7-2, those realized by a conventionally known circuit format can be used.
Further, the amplifier 8 is the differential output of the waveform equalization filter 40+
Although it is added to convert Vout and -Vout into a single output, it may be a non-linear amplifier whose output 9 waveform is converted into a pulse, for example, a voltage comparator. Further, as a matter of course, the waveform equalization filter 40 can be realized also by using the variable capacitance circuit shown in FIG. 1, FIG. 5 or FIG. 7 as the variable capacitance circuit.

【0063】図14には、図13に示されている波形等
化フィルタ回路の適用例として、例えば伝送速度25.
6M(メガ)ビット/秒のATM−LAN(Asynchrono
us Transfer Mode-Local Area Network)システムに用
いられる物理レイヤの回線終端装置(PMD=Physical
Media Dependent)90とトランスモジュール91の構
成が示されている。前記回線終端装置90は、特に制限
されないが、MOS半導体集積回路製造技術によって1
個の半導体基板に形成されており、以下単にPMD−L
SI(Large Scale Integration)90とも記す。前記
トランスモジュール91はハイブリッドモジュール若し
くは混成集積回路として構成されている。
FIG. 14 shows an example of application of the waveform equalization filter circuit shown in FIG.
ATM-LAN (Asynchrono 6Mbit / s)
us Transfer Mode-Local Area Network) Physical layer line terminator (PMD = Physical)
The configurations of the Media Dependent) 90 and the transformer module 91 are shown. The line terminating device 90 is not particularly limited, but may be formed by a MOS semiconductor integrated circuit manufacturing technique.
It is formed on each semiconductor substrate, and is simply referred to as PMD-L below.
Also referred to as SI (Large Scale Integration) 90. The transformer module 91 is configured as a hybrid module or a hybrid integrated circuit.

【0064】図14において、TX−Dataは、例え
ばパーソナルコンピュータ内などで扱われる文字や画像
などのデータ信号であり、送信クロックTX−CLKで
PMD−LSI90のラッチ回路(Data Latch)900
に取り込まれ、送信ドライバ回路901から出力され
て、その出力パルス波形を規定値内に制限する送信波形
テンプレートフィルタ(送信フィルタ)910、送信ト
ランス911を介して出力される。この送信出力信号
は、最長100m、特性インピーダンス100ΩのUT
P(無シールド・ツイストペア線)または同120Ωの
もしくは150ΩのSTP(シールド・ツイストペア
線)のような伝送線92を介して伝送される。一方、伝
送線92から受信トランス912を経てPMD−LSI
90に入力された受信信号は、例えば図13の回路構成
の波形等化フィルタ回路902によってパルス波形に再
生される。伝送速度25.6Mビット/秒のATM−L
ANシステムでは、4B/5B変換されたNRZI(No
n-Return to Zero Inverse)符号が用いられるため、実
際に伝送される信号は最高32Mビット/秒であり、1
6MHzまでの周波数成分が含まれる。したがって上記
の波形等化フィルタ回路902では16MHzまでの周
波数範囲のハイパス特性が必要となる。
In FIG. 14, TX-Data is a data signal of characters, images, etc. handled in, for example, a personal computer, and a latch circuit (Data Latch) 900 of the PMD-LSI 90 at the transmission clock TX-CLK.
Are output from the transmission driver circuit 901, and are output via a transmission waveform template filter (transmission filter) 910 that limits the output pulse waveform within a specified value, and a transmission transformer 911. This transmission output signal is a UT with a maximum length of 100 m and a characteristic impedance of 100Ω.
It is transmitted via a transmission line 92 such as P (unshielded twisted pair wire) or STP (shielded twisted pair wire) of 120Ω or 150Ω. On the other hand, from the transmission line 92 through the receiving transformer 912 to the PMD-LSI.
The received signal input to 90 is reproduced into a pulse waveform by the waveform equalization filter circuit 902 having the circuit configuration of FIG. 13, for example. ATM-L with a transmission rate of 25.6 Mbit / s
In the AN system, 4B / 5B converted NRZI (No
Since the n-Return to Zero Inverse) code is used, the maximum signal actually transmitted is 32 Mbit / sec.
Frequency components up to 6 MHz are included. Therefore, the waveform equalization filter circuit 902 described above requires high-pass characteristics in the frequency range up to 16 MHz.

【0065】クロック抽出PLL(Phase-Locked Loo
p)903は波形等化フィルタ回路902の出力信号か
ら32MHzの安定したクロックをRX−CLKとして
同期抽出するためのものであり、このクロックRX−C
LKによって波形等化フィルタ回路902の出力をラッ
チ回路(Data Latch)904を介して、データRx−D
ataとしてPMD−LSI90から出力する。尚、図
中のループバック905は、ここには示されていない受
信信号の検出手段が通信中に受信信号の断を検出した場
合に、送信信号を代用して、ある時間前記クロック抽出
用PLL903の同期を保持するために設けられた機能
であると同時に、例えばPMD−LSI90に電源が投
入された直後の非送信時に不要な信号が送出されること
を防ぐ機能としても用いられる。906は基準電圧発生
回路であり、波形等化フィルタ回路で用いられる固定電
位VB等の基準電位(温度変化などに依存せず実質的に
一定の安定な電圧)を発生する回路である。
Clock extraction PLL (Phase-Locked Loo)
p) 903 is for synchronously extracting a stable clock of 32 MHz as RX-CLK from the output signal of the waveform equalization filter circuit 902. This clock RX-C
LK outputs the output of the waveform equalization filter circuit 902 to a data Rx-D via a latch circuit (Data Latch) 904.
The data is output from the PMD-LSI 90. A loopback 905 in the figure substitutes the transmission signal when the reception signal detecting means (not shown) detects disconnection of the reception signal during communication, and substitutes the transmission signal for a certain time. At the same time, it is used as a function to prevent unnecessary signals from being sent out during non-transmission immediately after the PMD-LSI 90 is powered on. A reference voltage generation circuit 906 is a circuit that generates a reference potential (a substantially constant stable voltage that does not depend on a temperature change or the like) such as a fixed potential VB used in the waveform equalization filter circuit.

【0066】図15には前記PMD−LSI90とトラ
ンスモジュール91が適用されたATM−LAN用イン
タフェースカードの一例が示される。このATM−LA
N用インタフェースカードは、前記図14に示された波
形等化回路の応用例としてのPMD−LSI90をトラ
ンスモジュール91およびその他の集積回路と共に横8
5.6mm、縦54.0mm、厚み5.0mmのいわゆ
るタイプ2と呼ばれる標準カード100に実装して実現
された、例えば伝送速度25.6Mビット/秒のATM
−LAN用のICカード化されたインタフェースカード
とされる。前記トランスモジュール91の送受信信号
は、このカード本体100に設けられた第1の端子群
(図示せず)とこれに着脱自在に接続されるコネクタ1
01を介して最長5mのツイストペア線92と接続さ
れ、このツイストペア線92は規定のジャック/ソケッ
ト102によって最長90mの前記UTPまたはSTP
103に接続される。一方、このカード本体100はた
とえばノート型のパーソナルコンピュータ本体に挿し込
まれ、カード本体100に設けられた第2の端子群10
4からPCMCIA(Personal Computer Memory Card
International Association)バスインタフェースなど
を通じて図示を省略するパーソナルコンピュータ本体に
搭載されたマイクロプロッセサと直接または間接的に接
続され、本LANカードを用いた各種データの送受信お
よび表示、加工などを可能とする。
FIG. 15 shows an example of an ATM-LAN interface card to which the PMD-LSI 90 and the transformer module 91 are applied. This ATM-LA
In the N interface card, a PMD-LSI 90 as an application example of the waveform equalization circuit shown in FIG. 14 is arranged side by side with a transformer module 91 and other integrated circuits.
For example, an ATM having a transmission speed of 25.6 Mbit / sec, which is realized by being mounted on a so-called type 2 standard card 100 of 5.6 mm, length 54.0 mm, and thickness 5.0 mm.
An interface card which is an IC card for LAN. A transmission / reception signal of the transformer module 91 is connected to a first terminal group (not shown) provided on the card body 100 and a connector 1 detachably connected to the first terminal group.
It is connected to a twisted pair wire 92 having a maximum length of 5 m via 01, and the twisted pair wire 92 is provided with a specified jack / socket 102 and has a maximum length of 90 m of the UTP or STP.
Connected to 103. On the other hand, the card body 100 is inserted into, for example, a notebook type personal computer body, and the second terminal group 10 provided in the card body 100.
4 to PCMCIA (Personal Computer Memory Card)
It is directly or indirectly connected to a microprocessor mounted in a main body of a personal computer (not shown) through a bus interface or the like, and enables transmission / reception, display, and processing of various data using this LAN card.

【0067】図中のTC(Transmission Convergence)
部93はPMD−LSI90と共にATM−LANの物
理レイヤを構成し、送受信データセルのスクランブル/
デスクランブル、4ビット/5ビット変換、NRZ/N
RZI符号変換、などの機能を実現する。ATMコント
ローラ部(ATM−LSI)94は、マイクロプロセッ
サ(MCU)95、マイクロプロセッサ95の動作プロ
グラムや定数データ若しくは定数テーブルなどを保有す
るROM96、前記マイクロプロセッサ95のワーク領
域若しくはデータに一時記憶領域とされるRAM97、
及びDRAM等によって構成されるバッファメモリ98
と共に、例えば可変長パケットの各種データと固定長の
ATMセルとの変換、各種異なるバス形式のインタフェ
ース変換などの機能を実現する。
TC (Transmission Convergence) in the figure
The unit 93 constitutes the physical layer of the ATM-LAN together with the PMD-LSI 90, and scrambles / transmits data cells.
Descramble, 4-bit / 5-bit conversion, NRZ / N
It realizes functions such as RZI code conversion. The ATM controller unit (ATM-LSI) 94 includes a microprocessor (MCU) 95, a ROM 96 holding an operation program of the microprocessor 95 and constant data or a constant table, and a temporary storage area in the work area or data of the microprocessor 95. RAM97,
And a buffer memory 98 including a DRAM and the like
At the same time, functions such as conversion of various data of variable-length packets and fixed-length ATM cells, interface conversion of various bus formats, and the like are realized.

【0068】なお、このPMDおよびTC等の機能仕様
については、1994年から1995年にかけてATM Fo
rum Technical Committeeから発行されたPhysical Inte
rface Specification for 25.6Mb/s over Twisted Pair
Cableに詳しく述べられている。
Regarding the functional specifications of PMD, TC, etc., from 1994 to 1995, ATM Fo
Physical Inte issued by rum Technical Committee
rface Specification for 25.6Mb / s over Twisted Pair
More on Cable.

【0069】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited thereto and needless to say, various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Yes.

【0070】例えば、図10、図11及び図12に示さ
れた差動アンプはPMOSトランジスタ入力および差動
出力としたが、NMOSトランジスタ入力としてもよ
く、また、フィルタ構成に合わせて単一出力でもよい。
そのための回路構成の変更は当該分野の技術者は容易に
可能である。また、それらのアンプの電流/電圧変換回
路に接続された半導体基板外に設けた温度変動係数など
が小さい抵抗素子は、外部接続端子TR1およびTR2
と固定電位供給端子TRAGとの間に接続された抵抗素
子と説明したが、それに制限されることはなく、たとえ
ば半導体基板上に形成された絶縁材上に実現される金属
被膜抵抗素子(その抵抗値はトリミングによって微調整
することも可能である)などであってもよく、その場合
は外部接続端子は必要なく、集積回路を封止するパッケ
ージ内で接続可能である。
For example, the differential amplifier shown in FIGS. 10, 11 and 12 has PMOS transistor inputs and differential outputs, but it may have NMOS transistor inputs and may have a single output according to the filter configuration. Good.
A person skilled in the art can easily change the circuit configuration for that purpose. Further, the resistance elements provided outside the semiconductor substrate connected to the current / voltage conversion circuits of those amplifiers and having a small temperature variation coefficient are the external connection terminals TR1 and TR2.
The resistance element connected between the fixed potential supply terminal TRAG and the fixed potential supply terminal TRAG has been described. However, the resistance element is not limited to the resistance element. The value may be finely adjusted by trimming) or the like, and in that case, an external connection terminal is not necessary and connection is possible within a package that seals the integrated circuit.

【0071】本発明はまた、図1、図4、図5、図7、
図8及び図13では1次のフィルタで説明されたが、2
次以上のフィルタにも適用可能であることは言うまでも
ない。また、図14および図15の応用例におけるPM
D−LSI90とTC93は、1つの半導体チップ上に
形成することは容易であり、さらに、その他の周辺機能
94から97までを、図15に示されるように1つの半
導体チップ99上に形成することも可能である。
The present invention also relates to FIG. 1, FIG. 4, FIG. 5, FIG.
Although the first-order filter is described in FIGS. 8 and 13,
It goes without saying that it is also applicable to the filters of the following or higher. In addition, PM in the application example of FIG. 14 and FIG.
It is easy to form the D-LSI 90 and the TC 93 on one semiconductor chip, and further form the other peripheral functions 94 to 97 on one semiconductor chip 99 as shown in FIG. Is also possible.

【0072】更にまた本発明は、図10から図12まで
に示された可変容量回路内の可変利得Gを中心値1と
し、固定利得アンプの利得を2または1として説明した
が、例えば固定利得アンプの利得をそれぞれ3とし、そ
の出力に接続された容量素子の値を1/2倍にしてもよ
い。
Furthermore, the present invention has been described with the variable gain G in the variable capacitance circuit shown in FIGS. 10 to 12 as the center value of 1 and the fixed gain amplifier as 2 or 1. The gain of each amplifier may be set to 3, and the value of the capacitive element connected to its output may be halved.

【0073】さらにまた、本発明ではアナログフィルタ
回路の抵抗素子の値の変動に対して可変容量回路による
容量素子の値が自動的に変化してカットオフ周波数を所
期値に保つが、しかし一方、容量素子自体の変動による
カットオフ周波数の補正はできないと述べたが、本発明
の可変容量回路を複数個並列に接続し、少なくとも一つ
の可変容量回路の利得を外部から調整する手段を付加す
ることによって、容量素子自体の初期変動によるカット
オフ周波数の補正を行うことは可能である。
Furthermore, according to the present invention, the value of the capacitance element by the variable capacitance circuit is automatically changed with respect to the variation of the value of the resistance element of the analog filter circuit to keep the cutoff frequency at the desired value. Although it has been described that the cutoff frequency cannot be corrected by the fluctuation of the capacitance element itself, a plurality of variable capacitance circuits of the present invention are connected in parallel and a means for externally adjusting the gain of at least one variable capacitance circuit is added. By doing so, it is possible to correct the cutoff frequency due to the initial fluctuation of the capacitive element itself.

【0074】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるフィル
タ回路に適用した場合について説明したが、本発明は容
量素子を有するアナログ集積回路一般に利用することが
できる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a filter circuit which is a field of application which is the background of the invention has been described. However, the present invention is generally applied to analog integrated circuits having a capacitive element. You can

【0075】[0075]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0076】すなわち、半導体集積回路化された場合
に、容量や抵抗の値がばらついてもカットオフ周波数の
ばらつが少ないアナログフィルタを容易かつ経済的に実
現することができる。
That is, in the case of a semiconductor integrated circuit, it is possible to easily and economically realize an analog filter in which the variation in the cutoff frequency is small even if the values of capacitance and resistance vary.

【0077】半導体基板上に形成された抵抗素子の値が
大きくばらついても、カットオフ周波数のばらつきが少
なく、かつ余分に大規模な周波数制御機能回路の追加を
必要としない低コストのアナログフィルタ回路、及びそ
れに適した可変容量回路を実現することができる。
A low-cost analog filter circuit in which even if the values of the resistance elements formed on the semiconductor substrate greatly vary, the variation in cutoff frequency is small and an extra large-scale frequency control function circuit is not required to be added. , And a variable capacitance circuit suitable therefor can be realized.

【0078】従来一般に10MHz以上の比較的高いカ
ットオフ周波数が要求される分野に用いるには他の半導
体プロセスより不利とされた相補型MOS技術を用いて
も、低消費電力でかつ高周波の信号に適用できるアナロ
グフィルタ回路を実現することができる。
Conventionally, in the field where a relatively high cut-off frequency of 10 MHz or more is required, even if the complementary MOS technology, which is disadvantageous to other semiconductor processes, is used, low power consumption and high frequency signals are obtained. An applicable analog filter circuit can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る可変容量回路及びそれを用いたア
ナログフィルタ回路の第1の回路例とそのその等価回路
を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first circuit example of a variable capacitance circuit according to the present invention and an analog filter circuit using the variable capacitance circuit and its equivalent circuit.

【図2】図1の可変容量回路に含まれる主回路部分とし
ての可変容量回路部に関する説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a variable capacitance circuit section as a main circuit portion included in the variable capacitance circuit of FIG.

【図3】図1の可変容量回路に含まれる副回路部分とし
ての固定容量回路部に関する説明図である。
3 is an explanatory diagram of a fixed capacitance circuit section as a sub circuit portion included in the variable capacitance circuit of FIG.

【図4】可変容量回路及びそれを用いたアナログフィル
タ回路の第2の回路例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a second circuit example of a variable capacitance circuit and an analog filter circuit using the variable capacitance circuit.

【図5】可変容量回路及びそれを用いたアナログフィル
タ回路の第2の回路例に対して回路規模を削減した回路
例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a circuit example in which the circuit scale is reduced with respect to the second circuit example of the variable capacitance circuit and the analog filter circuit using the variable capacitance circuit.

【図6】図5の等価回路図である。6 is an equivalent circuit diagram of FIG.

【図7】可変容量回路及びそれを用いたアナログフィル
タ回路の第3の回路例として差動入出力形式のハイパス
フィルタ回路を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a differential input / output type high-pass filter circuit as a third circuit example of a variable capacitance circuit and an analog filter circuit using the variable capacitance circuit.

【図8】可変容量回路及びそれを用いたアナログフィル
タ回路の第3の回路例として別の回路形式のハイパスフ
ィルタ回路を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a high-pass filter circuit of another circuit type as a third circuit example of a variable capacitance circuit and an analog filter circuit using the variable capacitance circuit.

【図9】図10、図11及び図12の差動アンプの定電
流源にバイアス電圧を供給するバイアス回路の一例回路
図である。
9 is a circuit diagram of an example of a bias circuit that supplies a bias voltage to a constant current source of the differential amplifier of FIGS. 10, 11 and 12. FIG.

【図10】可変利得を有する差動アンプの一例回路図で
ある。
FIG. 10 is a circuit diagram of an example of a differential amplifier having a variable gain.

【図11】固定利得を有する差動アンプの一例回路図で
ある。
FIG. 11 is a circuit diagram of an example of a differential amplifier having a fixed gain.

【図12】可変利得と固定利得の両方を有する差動アン
プの一例回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram of an example of a differential amplifier having both variable gain and fixed gain.

【図13】図12に示されている差動アンプを用いた可
変容量回路と、それを容量素子として用いたアナログフ
ィルタ回路を示す回路図である。
13 is a circuit diagram showing a variable capacitance circuit using the differential amplifier shown in FIG. 12 and an analog filter circuit using the variable capacitance circuit as a capacitance element.

【図14】図13に示されているアナログフィルタ回路
を波形等化回路に用いたATM−LAN用PMD−LS
Iとトランスモジュールの機能ブロック構成図である。
14 is a PMD-LS for ATM-LAN using the analog filter circuit shown in FIG. 13 as a waveform equalizing circuit.
It is a functional block block diagram of I and a transformer module.

【図15】図14に示されているATM−LAN用PM
D−LSIとトランスモジュールを搭載したATM−L
ANカードの構成図である。
15 is a PM for ATM-LAN shown in FIG.
ATM-L equipped with D-LSI and transformer module
It is a block diagram of an AN card.

【図16】CRアナログフィルタ回路の一例を示す回路
図である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing an example of a CR analog filter circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1(1−1,1−2) フィルタ入力 2(2−1,2−2),5(5−1,5−2) 抵抗素
子 3’(3’−1,3’−2),3”(3”−1,3”−
2) 容量素子 4(4−1,4−2) フィルタ出力 6,7,8,20(20−1,20−2),21,22
差動アンプ 30,31,32,33 可変容量回路 40 波形等化フィルタ 50 電圧/電流変換回路 60,61 電流/電圧変換回路 MT1,MT2 PMOSトランジスタ MT3,MT4 NMOSトランジスタ MT5〜MT12 NMOSトランジスタ IB1〜IB12 定電流源 RC0〜RC4 抵抗素子 is 電流信号 ViP,ViM 差動入力電圧信号 VGOP,VGOM 差動出力電圧 V2OP,V2OM 差動出力電圧 90 PMD−LSI 91 トランスモジュール 100 標準カード
1 (1-1, 1-2) Filter input 2 (2-1, 2-2), 5 (5-1, 5-2) Resistance element 3 '(3'-1, 3'-2), 3 "(3" -1, 3 "-
2) Capacitance element 4 (4-1, 4-2) filter output 6, 7, 8, 20 (20-1, 20-2), 21, 22
Differential amplifier 30, 31, 32, 33 Variable capacitance circuit 40 Waveform equalization filter 50 Voltage / current conversion circuit 60, 61 Current / voltage conversion circuit MT1, MT2 PMOS transistors MT3, MT4 NMOS transistors MT5 to MT12 NMOS transistors IB1 to IB12 Constant current source RC0 to RC4 Resistance element is Current signal ViP, ViM Differential input voltage signal VGOP, VGOM Differential output voltage V2OP, V2OM Differential output voltage 90 PMD-LSI 91 Transformer module 100 Standard card

フロントページの続き (72)発明者 見尾田 禎宏 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内 (72)発明者 永山 義治 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内Front page continued (72) Inventor Sadahiro Mioda 1 Horiyamashita, Hadano City, Kanagawa Prefecture Hitachi Computer Engineering Co., Ltd. (72) Inventor Yoshiharu Nagayama 2326 Imai, Ome City, Tokyo Hitachi Device Development Co., Ltd. In the center

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1極性の第1の入力端子及び第2極性
の第2の入力端子を有する第1の差動アンプ、及び該第
1の差動アンプの出力端子と前記第1の入力端子との間
に接続された第1の容量素子を含み、前記第1の差動ア
ンプの差動利得が当該差動アンプに含まれる抵抗素子の
値に逆比例する可変容量回路部と、 第1極性の第3の入力端子及び第2極性の第4の入力端
子を有する第2の差動アンプ、及び該第2の差動アンプ
の出力端子と第4の入力端子との間に接続された第2の
容量素子とを含み、前記第2の差動アンプの差動利得が
固定された固定容量回路部とを有し、 前記可変容量回路部と固定容量回路部が、入力信号に対
して並列に接続されて成るものであることを特徴とする
可変容量回路。
1. A first differential amplifier having a first input terminal of a first polarity and a second input terminal of a second polarity, and an output terminal of the first differential amplifier and the first input. A variable capacitance circuit section including a first capacitive element connected between the terminal and a terminal, wherein a differential gain of the first differential amplifier is inversely proportional to a value of a resistive element included in the differential amplifier; A second differential amplifier having a third input terminal of one polarity and a fourth input terminal of second polarity; and a second differential amplifier connected between the output terminal and the fourth input terminal of the second differential amplifier. And a fixed capacitance circuit unit having a fixed differential gain of the second differential amplifier, the variable capacitance circuit unit and the fixed capacitance circuit unit having a fixed capacitance circuit unit with respect to an input signal. A variable capacitance circuit characterized by being connected in parallel with each other.
【請求項2】 前記固定容量回路部の第2の差動アンプ
の差動利得が2に設定されて成るものであることを特徴
とする請求項1記載の可変容量回路。
2. The variable capacitance circuit according to claim 1, wherein the differential gain of the second differential amplifier of the fixed capacitance circuit section is set to 2.
【請求項3】 一端が信号入力端子に接続された抵抗素
子と一端が固定電位に接続された容量素子とを含むアナ
ログフィルタ回路において、前記容量素子として請求項
1又は請求項2に記載の可変容量回路を用い、前記第1
の差動アンプの第1の入力端子と第2の差動アンプの第
4の入力端子を前記抵抗素子の他の端子に、前記第1の
差動アンプの第2の入力端子と前記第2の差動アンプの
第3の入力端子を固定電位に、それぞれ接続して成るも
のであることを特徴とするアナログフィルタ回路。
3. The variable filter according to claim 1, wherein the capacitance element is an analog filter circuit including a resistance element having one end connected to a signal input terminal and a capacitance element having one end connected to a fixed potential. Using a capacitance circuit, the first
The first input terminal of the differential amplifier and the fourth input terminal of the second differential amplifier to the other terminal of the resistive element, and the second input terminal of the first differential amplifier to the second input terminal of the second differential amplifier. An analog filter circuit, wherein the third input terminal of the differential amplifier is connected to a fixed potential, respectively.
【請求項4】 請求項3記載のアナログフィルタ回路を
並列に設け、各アナログフィルタ回路に互いに極性が反
転した入力信号が差動的に供給され、各アナログフィル
タ回路の出力に互いに極性が反転した出力信号を形成す
るものであることを特徴とするアナログフィルタ回路。
4. The analog filter circuits according to claim 3 are provided in parallel, input signals whose polarities are inverted to each other are differentially supplied to the respective analog filter circuits, and polarities are inverted to the output of each analog filter circuit. An analog filter circuit, which forms an output signal.
【請求項5】 第1極性の第1の入力端子及び第2極性
の第2の入力端子を有する第1の差動アンプ、及び該第
1の差動アンプの出力端子と前記第1の入力端子との間
に接続された第1の容量素子を含み、前記第1の差動ア
ンプの差動利得が当該差動アンプに含まれる抵抗素子の
値に逆比例する第1の可変容量回路部と、 第1極性の第1の入力端子及び第2極性の第2の入力端
子を有する第2の差動アンプ、及び該第2の差動アンプ
の出力端子と第1の入力端子との間に接続された第2の
容量素子を含み、前記第2の差動アンプの差動利得が当
該差動アンプに含まれる抵抗素子の値に逆比例する第2
の可変容量回路部と、 差動入力及び差動出力を有する固定利得の第3の差動ア
ンプ、該第3の差動アンプの一方の入力とそれと同極性
の出力との間に接続された第3の容量素子、及び第3の
差動アンプの他方の入力とそれと同極性の出力との間に
接続された第4の容量素子を含んで成る固定容量回路部
とを有し、 前記第3の差動アンプの前記一方の入力端子が前記第1
可変容量回路部の第1の入力端子に対して異なる極性と
なるよう接続され、前記第3の差動アンプの前記他方の
入力端子が前記第2可変容量回路部の差動アンプ入力端
子に対して同じ極性となるよう接続され、前記第1の可
変容量回路部の第1の入力端子と第2の可変容量回路部
の第1の入力端子の内の何れか一方を非反転入力端子、
他方を反転入力端子として成るものであることを特徴と
する差動信号入力型の可変容量回路。
5. A first differential amplifier having a first input terminal having a first polarity and a second input terminal having a second polarity, and an output terminal of the first differential amplifier and the first input. A first variable capacitance circuit unit including a first capacitance element connected between the terminal and a terminal, and a differential gain of the first differential amplifier is inversely proportional to a value of a resistance element included in the differential amplifier. And a second differential amplifier having a first input terminal of the first polarity and a second input terminal of the second polarity, and between the output terminal and the first input terminal of the second differential amplifier A second capacitive element connected to the second differential amplifier, wherein the differential gain of the second differential amplifier is inversely proportional to the value of the resistive element included in the differential amplifier.
A variable-capacitance circuit section, a third differential amplifier having a fixed gain having a differential input and a differential output, and is connected between one input of the third differential amplifier and an output having the same polarity as that of the third differential amplifier. A fixed capacitance circuit section including a third capacitance element and a fourth capacitance element connected between the other input of the third differential amplifier and the output having the same polarity as the third input; The one input terminal of the differential amplifier 3 is the first
The variable capacitance circuit section is connected to the first input terminal so as to have different polarities, and the other input terminal of the third differential amplifier is connected to the differential amplifier input terminal of the second variable capacitance circuit section. Are connected so that they have the same polarity, and one of the first input terminal of the first variable capacitance circuit section and the first input terminal of the second variable capacitance circuit section is a non-inverting input terminal,
A differential signal input type variable capacitance circuit characterized in that the other is formed as an inverting input terminal.
【請求項6】 前記固定容量回路部に含まれる第3の差
動アンプの固定差動利得が1に設定されて成るものであ
ることを特徴とする請求項5記載の可変容量回路。
6. The variable capacitance circuit according to claim 5, wherein the fixed differential gain of the third differential amplifier included in the fixed capacitance circuit section is set to 1.
【請求項7】 一端が非反転入力信号端子に接続された
第1の抵抗素子と、一端が反転入力信号端子に接続され
た第2の抵抗素子と、一端が固定電位に接続される容量
素子とを含むアナログフィルタ回路において、 前記容量素子として請求項5又は請求項6に記載の可変
容量回路を用い、この可変容量回路の前記非反転入力端
子を前記第1の抵抗素子の他端に、前記可変容量回路の
前記反転入力端子を前記第2の抵抗素子の他端に、前記
第1及び第2の差動アンプの第2の入力端子を固定電位
に、それぞれ接続して成るものであることを特徴とする
アナログフィルタ回路。
7. A first resistance element having one end connected to the non-inverting input signal terminal, a second resistance element having one end connected to the inverting input signal terminal, and a capacitance element having one end connected to a fixed potential. In an analog filter circuit including, the variable capacitance circuit according to claim 5 or 6 is used as the capacitance element, and the non-inverting input terminal of the variable capacitance circuit is at the other end of the first resistance element, The inverting input terminal of the variable capacitance circuit is connected to the other end of the second resistance element, and the second input terminals of the first and second differential amplifiers are connected to a fixed potential, respectively. An analog filter circuit characterized by the above.
【請求項8】 入力信号を受ける抵抗素子及び容量素子
を含むローパスフィルタの出力信号を前記入力信号から
減ずることによってハイパスフィルタ特性を得るよう構
成されたアナログフィルタ回路であって、 前記容量素子として請求項1又は項2記載の可変容量回
路を用いたことを特徴とするアナログフィルタ回路。
8. An analog filter circuit configured to obtain a high-pass filter characteristic by subtracting an output signal of a low-pass filter including a resistance element and a capacitance element receiving an input signal from the input signal, wherein the capacitance element is an analog filter circuit. An analog filter circuit using the variable capacitance circuit according to item 1 or 2.
【請求項9】 請求項8記載のアナログフィルタ回路を
並列に設け、各アナログフィルタ回路に互いに極性が反
転した入力信号が差動的に供給され、各アナログフィル
タ回路の出力に互いに極性が反転した出力信号を差動的
に形成するものであることを特徴とするアナログフィル
タ回路。
9. The analog filter circuits according to claim 8 are provided in parallel, input signals whose polarities are inverted to each other are differentially supplied to each analog filter circuit, and polarities are inverted to the output of each analog filter circuit. An analog filter circuit characterized in that an output signal is formed differentially.
【請求項10】 差動入力及び差動出力を有し、差動利
得が当該差動アンプに含まれる抵抗素子の値に逆比例す
る第1の差動アンプ、該第1の差動アンプの一方の入力
端子とそれと逆極性の出力との間に接続された第1の容
量素子、及び第1の差動アンプの他方の入力端子とそれ
と逆極性の出力との間に接続された第2の容量素子とを
含んで成る可変容量回路部と、 差動入力及び差動出力を有する固定利得の第2の差動ア
ンプ、該第2の差動アンプの一方の入力端子とそれと同
極性の出力との間に接続された第3の容量素子、及び第
3の差動アンプの他方の入力端子とそれと同極性の出力
との間に接続された第4の容量素子とを含んで成る固定
容量回路部とを有し、 前記第1の差動アンプの差動入力と第2の差動アンプの
差動入力とを相互に極性の異なるもの同士で接続し、一
方の接続ノードを非反転入力端子、他方の接続ノードを
反転入力端子として成るものであることを特徴とする差
動信号入力型の可変容量回路。
10. A first differential amplifier having a differential input and a differential output, the differential gain of which is inversely proportional to the value of a resistance element included in the differential amplifier, and the first differential amplifier of the first differential amplifier. A first capacitive element connected between one input terminal and an output of opposite polarity, and a second capacitive element connected between the other input terminal of the first differential amplifier and an output of opposite polarity. A variable-capacitance circuit section including a capacitive element, a fixed-gain second differential amplifier having a differential input and a differential output, one input terminal of the second differential amplifier, and the same polarity as the input terminal. Fixed comprising a third capacitance element connected between the output and a third capacitance element, and a fourth capacitance element connected between the other input terminal of the third differential amplifier and the output of the same polarity. A capacitive circuit section, and the differential input of the first differential amplifier and the differential input of the second differential amplifier are mutually connected. Connect with each other sexually different things, one of the non-inverting input terminal connected node, the differential signal input type variable capacitance circuit, characterized in that those comprising the other connection node as an inverting input terminal.
【請求項11】 一端が非反転入力信号端子に接続され
た第1の抵抗素子と、一端が反転入力信号端子に接続さ
れた第2の抵抗素子と、請求項10記載の可変容量回路
とを含むアナログフィルタ回路であって、 前記可変容量回路の前記非反転入力端子を前記第1の抵
抗素子の他端に、前記可変容量回路の前記反転入力端子
を前記第2の抵抗素子の他端に、それぞれ接続して成る
ものであることを特徴とするアナログフィルタ回路。
11. A variable resistance circuit according to claim 10, wherein a first resistance element having one end connected to the non-inverting input signal terminal, a second resistance element having one end connected to the inverting input signal terminal, and the variable capacitance circuit according to claim 10. An analog filter circuit including the variable capacitance circuit, wherein the non-inverting input terminal is at the other end of the first resistance element, and the inverting input terminal of the variable capacitance circuit is at the other end of the second resistance element. , An analog filter circuit characterized by being connected to each other.
【請求項12】 請求項11記載のアナログフィルタ回
路の差動出力信号を夫々に対応される差動入力信号から
減ずる手段を更に備えてハイパスフィルタ特性を得るよ
う構成されたアナログフィルタ回路。
12. An analog filter circuit configured to obtain a high pass filter characteristic, further comprising means for subtracting the differential output signal of the analog filter circuit according to claim 11 from the corresponding differential input signal.
【請求項13】 第1の入力電圧と第2の入力電圧との
差をそれに比例した電流信号に変換する電圧/電流変換
部と、該電圧/電流変換部で変換された電流信号をそれ
に比例した電圧信号に変換する第1の電流/電圧変換部
とを備え、 前記電圧/電流変換部は、前記第1、第2の入力電圧が
ゲート電極に供給された第1、第2のPMOSトランジ
スタと、該第1、第2のPMOSトランジスタのソース
電極に接続された第1、第2の定電流源と、前記各ソー
ス電極間に接続され半導体基板上に形成される第1の抵
抗素子と、前記第1、第2のPMOSトランジスタのド
レイン電極に接続された第3、第4の定電流源と、前記
第1、第2のPMOSトランジスタのそれぞれのソース
とドレイン電極にドレインとゲート電極が接続された第
1、第2のNMOSトランジスタとを含み、前記第1、
第2のNMOSトランジスタには、前記第1の電流源電
流と第3の電流源電流との差分、上記第2の電流源電流
と第4の電流源電流との差分をそれぞれのバイアス電流
とするときに、前記第1の入力電圧と第2の入力電圧と
の差を前記第1の抵抗素子の値で除した信号電流が相補
的に加算されるようにされ、 前記第1の電流/電圧変換部は、前記第1のNMOSト
ランジスタに発生する上記信号電流に比例した信号電流
を発生するよう接続された第3のNMOSトランジスタ
と、該トランジスタと固定電位間に接続された第2の抵
抗素子を含んで構成され、上記第1の入力電圧と第2の
入力電圧との差に比例した信号電圧を出力することを特
徴とする差動アンプ。
13. A voltage / current converter for converting a difference between a first input voltage and a second input voltage into a current signal proportional thereto, and a current signal converted by the voltage / current converter proportional thereto. A first current / voltage conversion unit for converting the voltage signal into a first voltage / current conversion unit, the voltage / current conversion unit having first and second input voltages supplied to a gate electrode. And first and second constant current sources connected to the source electrodes of the first and second PMOS transistors, and a first resistance element connected between the source electrodes and formed on a semiconductor substrate. , Third and fourth constant current sources connected to the drain electrodes of the first and second PMOS transistors, and drain and gate electrodes at the source and drain electrodes of the first and second PMOS transistors, respectively. Connected first, first Of and a NMOS transistor, the first,
In the second NMOS transistor, the difference between the first current source current and the third current source current and the difference between the second current source current and the fourth current source current are respectively bias currents. At this time, the signal currents obtained by dividing the difference between the first input voltage and the second input voltage by the value of the first resistance element are complementarily added, and the first current / voltage The conversion unit includes a third NMOS transistor connected to generate a signal current proportional to the signal current generated in the first NMOS transistor, and a second resistance element connected between the transistor and a fixed potential. And a signal amplifier that outputs a signal voltage proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage.
【請求項14】 前記第1の電流/電圧変換部は、前記
第2のNMOSトランジスタに発生する上記信号電流に
比例した信号電流を発生するよう接続された第4のNM
OSトランジスタと、該トランジスタと固定電位間に接
続された第3の抵抗素子とを更に含み、上記第1の入力
電圧と第2の入力電圧との差に比例した信号電圧を差動
出力することを特徴とする請求項13記載の差動アン
プ。
14. A fourth NM connected to the first current / voltage conversion unit so as to generate a signal current proportional to the signal current generated in the second NMOS transistor.
Differentially outputting a signal voltage proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage, further including an OS transistor and a third resistance element connected between the transistor and a fixed potential 14. The differential amplifier according to claim 13, wherein:
【請求項15】 前記第1の電流/電圧変換部は、それ
に含まれる前記第2の抵抗素子が前記第1の抵抗素子に
比べて抵抗値変動が少ない特性を有し、前記第1の入力
電圧と第2の入力電圧との差に比例し、かつ前記第1の
抵抗素子の値に反比例した信号電圧を出力することを特
徴とする請求項13記載の差動アンプ。
15. In the first current / voltage conversion unit, the second resistance element included in the first current / voltage conversion section has a characteristic that the resistance value variation is smaller than that of the first resistance element, and the first input 14. The differential amplifier according to claim 13, wherein the differential amplifier outputs a signal voltage that is proportional to the difference between the voltage and the second input voltage and is inversely proportional to the value of the first resistance element.
【請求項16】 前記第1の電流/電圧変換部は、それ
に含まれる前記第2及び第3の抵抗素子が前記第1の抵
抗素子に比べて抵抗値変動が少ない特性を有し、前記第
1の入力電圧と第2の入力電圧との差に比例し、かつ前
記第1の抵抗素子の値に反比例した信号電圧を差動出力
することを特徴とする請求項14記載の差動アンプ。
16. The first current / voltage conversion unit has a characteristic that the second and third resistance elements included in the first current / voltage conversion section have less variation in resistance value than the first resistance element. 15. The differential amplifier according to claim 14, wherein a signal voltage that is proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage and that is inversely proportional to the value of the first resistance element is differentially output.
【請求項17】 前記第1の電流/電圧変換部は、それ
に含まれる前記第2の抵抗素子が前記第1の抵抗素子と
同一半導体基板上に形成されて前記第1の抵抗素子と実
質的に同一の抵抗値変動を有し、前記第1の入力電圧と
第2の入力電圧との差に比例した固定利得の信号電圧を
出力することを特徴とする請求項13記載の差動アン
プ。
17. In the first current / voltage conversion unit, the second resistance element included in the first current / voltage conversion unit is formed on the same semiconductor substrate as the first resistance element, and is substantially the same as the first resistance element. 14. The differential amplifier according to claim 13, wherein the differential amplifier outputs the signal voltage having a fixed gain proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage.
【請求項18】 前記第1の電流/電圧変換部は、それ
に含まれる前記第2及び第3の抵抗素子が前記第1の抵
抗素子と同一半導体基板上に形成されて前記第1の抵抗
素子と実質的に同一の抵抗値変動を有し、前記第1の入
力電圧と第2の入力電圧との差に比例した固定利得の信
号電圧を差動出力することを特徴とする請求項14記載
の差動アンプ。
18. The first current / voltage conversion unit, wherein the second and third resistance elements included therein are formed on the same semiconductor substrate as the first resistance element, and the first resistance element is formed. 15. A signal voltage having a fixed gain, which has substantially the same resistance value variation as that of the first input voltage and is proportional to the difference between the first input voltage and the second input voltage, is differentially output. Differential amplifier.
【請求項19】 前記電圧/電流変換部で変換された電
流信号をそれに比例した電圧信号に変換する第2の電流
/電圧変換部を更に備え、 前記第2の電流変換部は、前記第1のNMOSトランジ
スタに発生する上記信号電流に比例した信号電流を発生
するよう接続された第5のNMOSトランジスタと、該
トランジスタと固定電位間に接続された第4の抵抗素子
を含み、前記第4の抵抗素子が前記第1の抵抗素子と同
一半導体基板上に形成されて前記第1の抵抗素子と実質
的に同一の抵抗値変動を有し、前記第1の入力電圧と第
2の入力電圧との差に比例した固定利得の信号電圧を出
力するものであることを特徴とする請求項15記載の差
動アンプ。
19. A second current / voltage conversion unit for converting the current signal converted by the voltage / current conversion unit into a voltage signal proportional thereto, wherein the second current conversion unit includes the first current / voltage conversion unit. A fifth NMOS transistor connected to generate a signal current proportional to the signal current generated in the NMOS transistor, and a fourth resistance element connected between the transistor and a fixed potential. A resistance element is formed on the same semiconductor substrate as the first resistance element and has substantially the same resistance variation as the first resistance element, and the first input voltage and the second input voltage are the same. 16. The differential amplifier according to claim 15, wherein the differential amplifier outputs a signal voltage having a fixed gain proportional to the difference between the two.
【請求項20】 前記電圧/電流変換部で変換された電
流信号をそれに比例した電圧信号に変換する第2の電流
/電圧変換部を更に備え、 前記第2の電流変換部は、前記第1及び第2のNMOS
トランジスタに発生する上記信号電流に比例した信号電
流を発生するよう接続された第5及び第6のNMOSト
ランジスタと、該トランジスタと固定電位間に接続され
た第4及び第5の抵抗素子を含み、前記第4及び第5の
抵抗素子が前記第1の抵抗素子と同一半導体基板上に形
成されて前記第1の抵抗素子と実質的に同一の抵抗値変
動を有し、前記第1の入力電圧と第2の入力電圧との差
に比例した固定利得の信号電圧を差動出力するものであ
ることを特徴とする請求項16記載の差動アンプ。
20. A second current / voltage conversion unit for converting the current signal converted by the voltage / current conversion unit into a voltage signal proportional thereto, wherein the second current conversion unit is the first current / voltage conversion unit. And a second NMOS
A fifth and sixth NMOS transistor connected to generate a signal current proportional to the signal current generated in the transistor, and fourth and fifth resistance elements connected between the transistor and a fixed potential; The fourth and fifth resistance elements are formed on the same semiconductor substrate as the first resistance element and have substantially the same resistance variation as the first resistance element, and the first input voltage 17. The differential amplifier according to claim 16, which differentially outputs a signal voltage having a fixed gain proportional to the difference between the input voltage and the second input voltage.
【請求項21】 請求項20記載の差動アンプと、この
差動アンプの前記第1の電流/電圧変換部の非反転出力
及び第2の電流/電圧変換部の反転出力と前記第1の入
力電圧との間にそれぞれ接続される第1及び第2の容量
素子と、前記差動アンプアンプの前記第1の電流/電圧
変換部の反転出力及び第2の電流/電圧変換部の非反転
出力と前記第2の入力電圧との間にそれぞれ接続された
第3及び第4の容量素子とを備えて成るものであること
を特徴とする可変容量回路。
21. A differential amplifier according to claim 20, a non-inverted output of the first current / voltage converter and an inverted output of a second current / voltage converter of the differential amplifier, and the first amplifier. First and second capacitive elements respectively connected between an input voltage, an inverting output of the first current / voltage converting section of the differential amplifier and a non-inverting output of the second current / voltage converting section A variable capacitance circuit comprising: a third capacitance element and a fourth capacitance element respectively connected between an output and the second input voltage.
【請求項22】 差動入力電圧信号の直流電圧をシフト
しかつ交流振幅を減衰させる手段と、この手段により得
られた差動信号を低インピーダンスで出力するバッファ
手段と、該バッファ手段の出力を入力信号とする抵抗素
子および容量素子を含むローパスフィルタの出力信号を
前記入力信号から減ずることによってハイパスフィルタ
特性を得るよう構成されたアナログフィルタ回路であっ
て、 前記ローパスフィルタは、前記差動信号の非反転信号を
入力に受ける前記バッファ手段の出力に一端が接続され
た第1の抵抗素子と、該第1の抵抗素子と固定電位間に
接続された第2の抵抗素子と、前記差動信号の反転信号
を入力に受ける前記バッファ手段の出力に一端が接続さ
れた第3の抵抗素子と、該第3の抵抗素子と固定電位間
に接続された第4の抵抗素子と、請求項21記載の可変
容量回路とを含んで構成され、 前記可変容量回路に含まれる差動アンプの前記第1の入
力端子が前記第1の抵抗素子と第2の抵抗素子との結合
点に接続され、前記差動アンプの前記第2の入力端子が
前記第3の抵抗素子と第4の抵抗素子との結合点に接続
されて成るものであることを特徴とするアナログフィル
タ回路。
22. A means for shifting the DC voltage of the differential input voltage signal and attenuating the AC amplitude, a buffer means for outputting the differential signal obtained by this means with a low impedance, and an output of the buffer means. An analog filter circuit configured to obtain a high-pass filter characteristic by subtracting an output signal of a low-pass filter including a resistance element and a capacitive element as an input signal from the input signal, wherein the low-pass filter is a differential signal of the differential signal. A first resistance element whose one end is connected to the output of the buffer means that receives a non-inverted signal at its input; a second resistance element connected between the first resistance element and a fixed potential; and the differential signal. A third resistance element whose one end is connected to the output of the buffer means for receiving an inverted signal of the input, and between the third resistance element and a fixed potential. 22. The variable capacitance circuit according to claim 21, and the variable capacitance circuit according to claim 21, wherein the first input terminal of the differential amplifier included in the variable capacitance circuit is the first resistance element and the second resistance. The second input terminal of the differential amplifier is connected to a connection point with an element, and the second input terminal of the differential amplifier is connected to a connection point between the third resistance element and the fourth resistance element. Analog filter circuit.
【請求項23】 請求項22記載のアナログフィルタ回
路を含み、該アナログフィルタ回路の周波数特性が金属
導線ケーブルを伝送線路として受信された信号の周波数
特性の逆特性を近似したことを特徴としたCMOS技術
を用いて実現されたATM−LAN用フィジカルレイヤ
用の半導体集積回路。
23. A CMOS comprising the analog filter circuit according to claim 22, wherein the frequency characteristic of the analog filter circuit approximates an inverse characteristic of a frequency characteristic of a signal received using a metal conductor cable as a transmission line. A semiconductor integrated circuit for a physical layer for ATM-LAN realized by using the technology.
【請求項24】 パーソナルコンピュータに実装可能な
サイズを有し、少なくとも請求項23記載の半導体集積
回路が搭載されて、ICカード又は回路ボード化されて
成るものであることを特徴とするATM−LANインタ
フェースカード。
24. An ATM-LAN having a size mountable in a personal computer, comprising at least the semiconductor integrated circuit according to claim 23 mounted thereon, and formed into an IC card or a circuit board. Interface card.
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