JPH09266052A - Surge absorber - Google Patents

Surge absorber

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JPH09266052A
JPH09266052A JP9913596A JP9913596A JPH09266052A JP H09266052 A JPH09266052 A JP H09266052A JP 9913596 A JP9913596 A JP 9913596A JP 9913596 A JP9913596 A JP 9913596A JP H09266052 A JPH09266052 A JP H09266052A
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JP
Japan
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discharge
surge
absorbing element
surge absorbing
discharge electrodes
Prior art date
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Application number
JP9913596A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshito Kasai
良人 河西
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Okaya Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Okaya Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surge absorber which can even deal with low-voltage surges which conventional gas arrestors cannot deal with. SOLUTION: In a first surge absorber 10, in which a pair of discharge electrodes 16, 16 are oppositely arranged at a predetermined distance to each other inside an airtight container 26 filled with a discharge gas with a discharge gap 18 formed between the end discharge parts 16a, 16a of the discharge electrodes and with lead terminals 24, 24 brought out, a CR connection 20 in which a ceramic capacitor 40 is integrated with a ceramic resistance 42 via a conductive adhesive is connected between recesses 16b, 16b in the discharge electrodes and thereby connected in parallel with the discharge gap 18.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電源線や通信線
等を伝って侵入して来るサージ等の過電圧から電子機器
の電子回路を保護するために、電子機器の前段に挿入さ
れるサージ吸収素子に係り、特に、放電間隙における放
電現象を利用してサージ等を吸収する仕組みを備えた放
電型のサージ吸収素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surge absorber which is inserted in a front stage of an electronic device in order to protect an electronic circuit of the electronic device from an overvoltage such as a surge which intrudes along a power line or a communication line. The present invention relates to an element, and more particularly, to a discharge type surge absorbing element having a mechanism for absorbing a surge or the like by utilizing a discharge phenomenon in a discharge gap.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子機器の電子回路に通じる電源
線や通信線等の線間、あるいは各線とグランドとの間
に、放電型サージ吸収素子の一種であるガスアレスタや
電圧非直線特性を備えた高抵抗体素子であるバリスタ等
のサージ吸収素子を接続し、サージから電子回路を保護
することが行われている。図6は、このような保護回路
の一例を示すものであり、電子機器の電子回路50に通じ
る一対の電源線L1,L2の線間にサージ吸収素子52が接
続されると共に、電源線L1,L2とグランド(GND)
との間にも、それぞれ他のサージ吸収素子54,54が挿入
接続されている。また、電源線L1には、過電流遮断用
のヒューズ56が接続されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a gas arrester, which is a kind of a discharge type surge absorbing element, or a voltage non-linear characteristic is provided between lines such as a power supply line and a communication line leading to an electronic circuit of an electronic device or between each line and the ground. A surge absorbing element such as a varistor, which is a high resistance element provided, is connected to protect an electronic circuit from a surge. FIG. 6 shows an example of such a protection circuit. A surge absorbing element 52 is connected between a pair of power supply lines L1 and L2 leading to an electronic circuit 50 of an electronic device, and a power supply line L1, L2 and ground (GND)
Other surge absorbing elements 54, 54 are also inserted and connected between and. A fuse 56 for shutting off overcurrent is connected to the power line L1.

【0003】上記電源線L1,L2に線間を往復するノー
マルモードのサージ電圧が印加された場合には、線間の
サージ吸収素子52が動作してこれを吸収する。また、線
−グランド間を伝わるコモンモードのサージ電圧が印加
された場合には、線−グランド間のサージ吸収素子54,
54が動作してこれをグランド側に逃がすものである。
When a normal mode surge voltage that reciprocates between the power lines L1 and L2 is applied, the surge absorbing element 52 between the lines operates to absorb the surge voltage. When a common-mode surge voltage that propagates between the line and ground is applied, the surge absorbing element 54,
54 operates and lets this escape to the ground side.

【0004】線間に挿入されるサージ吸収素子52として
は、バリスタが選定される場合が多く、線−グランド間
に挿入されるサージ吸収素子54,54としては、一般にガ
スアレスタが選定される。
A varistor is often selected as the surge absorbing element 52 inserted between the lines, and a gas arrester is generally selected as the surge absorbing elements 54, 54 inserted between the line and the ground.

【0005】図7は、ガスアレスタ60の構造を示すもの
であり、ガラス管の上下両端を溶融封着させて成る気密
容器62内に、不活性ガス等の放電ガスを封入すると共
に、一対の放電電極64,64を一定の距離を隔てて対向配
置して、両放電電極64,64間に放電間隙66を形成して成
る。上記放電電極64,64は、下端にリード線68,68を接
続したニッケル製の棒状電極基体70,70の表面に、六硼
化ランタン等より成るエミッタ層72,72を形成して成
り、リード線68,68の下端は気密容器62の下端封着部62
aを貫通して外部に導出されている。
FIG. 7 shows the structure of the gas arrester 60, in which a discharge gas such as an inert gas is enclosed in an airtight container 62 formed by melting and sealing the upper and lower ends of a glass tube, and a pair of them is formed. The discharge electrodes 64, 64 are arranged so as to face each other with a constant distance, and a discharge gap 66 is formed between the discharge electrodes 64, 64. The discharge electrodes 64, 64 are formed by forming emitter layers 72, 72 made of lanthanum hexaboride or the like on the surface of rod-shaped electrode base bodies 70, 70 made of nickel with lead wires 68, 68 connected to their lower ends. The lower ends of the lines 68 and 68 are the lower end sealing portion 62 of the airtight container 62.
It passes through a and is led to the outside.

【0006】しかして、上記電源線L1,L2に、ガスア
レスタ60の動作電圧以上のコモンモード・サージ電圧が
入力側から印加されると、放電間隙66にグロー放電を経
てアーク放電が生成し、該アーク放電の大電流を通じ
て、サージはグランド側に逃がされることとなり、電子
機器の電子回路50がサージから保護されるのである。な
お、ガスアレスタ60を用いる場合には、続流防止のた
め、図6に示したように抵抗74,74等が直列接続され
る。このように、ガスアレスタ60は放電間隙66における
アーク放電の大電流を通じてサージを吸収するものであ
るため、電流耐量が比較的大きく、線−グランド間に挿
入するサージ吸収素子として適しているといえる。
However, when a common mode surge voltage higher than the operating voltage of the gas arrester 60 is applied to the power supply lines L1 and L2 from the input side, arc discharge is generated through glow discharge in the discharge gap 66, Due to the large current of the arc discharge, the surge is released to the ground side, and the electronic circuit 50 of the electronic device is protected from the surge. When the gas arrester 60 is used, the resistors 74, 74, etc. are connected in series as shown in FIG. As described above, since the gas arrester 60 absorbs a surge through a large current of arc discharge in the discharge gap 66, it has a relatively large current withstand capability and can be said to be suitable as a surge absorbing element to be inserted between the line and the ground. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このガスアレスタの性
能特性は、一般に直流放電開始電圧(Ez)をもって示
される。例えば、Ez値が90Vの素子であれば、90
V以上の過電圧が印加された場合にONしてこれを吸収
することとなる。ところで、このガスアレスタは、気体
放電現象を利用してサージを吸収する仕組みであるた
め、Ez値を80V以下に設定できないという構造上の
限界があった。このため、ガスアレスタを組み込んだ保
護回路に80V以下の過電圧が印加された場合には、こ
れを有効に吸収し得ず、電子機器の電子回路を保護しき
れないという問題があった。
The performance characteristics of this gas arrester are generally indicated by the DC discharge inception voltage (Ez). For example, if the element has an Ez value of 90V, 90
When an overvoltage of V or more is applied, it is turned on and absorbed. By the way, this gas arrester has a structural limitation that the Ez value cannot be set to 80 V or less because it has a mechanism of absorbing a surge by utilizing a gas discharge phenomenon. For this reason, when an overvoltage of 80 V or less is applied to the protection circuit incorporating the gas arrester, it cannot be effectively absorbed, and there is a problem that the electronic circuit of the electronic device cannot be completely protected.

【0008】この発明は、上記問題に鑑みてなされたも
のであり、従来のガスアレスタでは対処し得なかった低
電圧のサージにも対応可能なサージ吸収素子を実現する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to realize a surge absorbing element which can cope with a low voltage surge which cannot be dealt with by a conventional gas arrester.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明に係るサージ吸収素子は、放電ガスを充填
した気密容器内に複数の放電電極を所定の距離を隔てて
対向配置し、各放電電極間に放電間隙を形成すると共
に、各放電電極に接続されたリード端子を気密容器外に
導出して成るサージ吸収素子において、コンデンサと抵
抗とを直列接続したCR接続体を、上記放電間隙に対し
て並列接続させたことを特徴とする。例えば、一対の放
電電極を所定の距離を隔てて対向配置し、両放電電極の
先端放電部間に放電間隙を形成すると共に、両放電電極
の他の部分間を上記CR接続体を介して接続することが
該当する。また、上記CR接続体としては、セラミック
コンデンサとセラミック抵抗とを、導電性接着剤を介し
て一体化させたものを用いるのが望ましい。
In order to achieve the above object, a surge absorbing element according to the present invention has a plurality of discharge electrodes arranged facing each other at a predetermined distance in an airtight container filled with discharge gas. In a surge absorbing element formed by forming a discharge gap between each discharge electrode and leading a lead terminal connected to each discharge electrode out of an airtight container, a CR connection body in which a capacitor and a resistor are connected in series The feature is that they are connected in parallel to the gap. For example, a pair of discharge electrodes are arranged to face each other with a predetermined distance, and a discharge gap is formed between the tip discharge parts of both discharge electrodes, and the other parts of both discharge electrodes are connected via the CR connector. That is applicable. Further, as the CR connection body, it is desirable to use a ceramic capacitor and a ceramic resistor integrated via a conductive adhesive.

【0010】上記サージ吸収素子の一方のリード端子
を、電子機器の電子回路に通じる電源線等に接続すると
共に、他方を接地することにより、サージ吸収素子は線
−グランド間に挿入接続される。しかして、上記電源線
等を伝って入力側よりコモンモードのサージ電圧が印加
されると、まずCR接続体がフィルタとして機能し、直
ちに当該サージの減衰動作を開始する。そして、当該サ
ージが予め設定された放電間隙の動作電圧(Ez値)以
上である場合には、一定時間経過後に放電間隙にグロー
放電を経て主放電としてのアーク放電が生成され、アー
ク放電の大電流を通じてサージの吸収が開始される。こ
れに対し、印加されたサージ電圧が放電間隙の動作電圧
未満の場合には、放電間隙における放電生成は起こら
ず、アレスタ動作を利用してのサージ吸収は行われない
が、CR接続体によるサージの減衰動作が行われている
ため、電子機器の電子回路が損傷することを有効に回避
できる。
The surge absorbing element is inserted and connected between the line and the ground by connecting one lead terminal of the surge absorbing element to a power supply line or the like communicating with an electronic circuit of an electronic device and grounding the other. Then, when a common mode surge voltage is applied from the input side through the power supply line or the like, the CR connection body first functions as a filter and immediately starts the surge attenuation operation. When the surge is equal to or higher than the preset operating voltage (Ez value) of the discharge gap, after a certain period of time, an arc discharge as a main discharge is generated through a glow discharge in the discharge gap, and a large arc discharge is generated. Surge absorption is started through the electric current. On the other hand, when the applied surge voltage is less than the operating voltage of the discharge gap, no discharge is generated in the discharge gap and the surge absorption by the arrester operation is not performed, but the surge by the CR connector is not generated. Since the damping operation is performed, it is possible to effectively prevent the electronic circuit of the electronic device from being damaged.

【0011】[0011]

【発明の実施の態様】図1に示すように、本発明に係る
第1のサージ吸収素子10は、フォルステライト等のセラ
ミックより成る円筒体12と、該円筒体12の両端開口を閉
塞する426合金等より成る導電性の蓋部材14,14と、
各蓋部材14,14の内面に接続された鉄やニッケル等より
成る放電電極16,16と、両放電電極16,16の先端放電部
16a,16a間に形成された放電間隙18と、両放電電極1
6,16の凹部16b,16b間に挟持されたCR接続体20
と、上記蓋部材の外面中央にハンダ22,22を介して接続
されたリード端子24,24とを備えている。上記円筒体12
の開口と蓋部材14とは、封着材25を介して気密に接続さ
れており、この結果、気密容器26が形成されている。ま
た、この気密容器26内には不活性ガス等の放電ガスが充
填されている。図示は省略したが、放電電極16,16の表
面には、六硼化ランタンや六硼化ガドリニウム、六硼化
イットリウム等より成るエミッタ物質が被着されてい
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION As shown in FIG. 1, a first surge absorbing element 10 according to the present invention has a cylindrical body 12 made of ceramic such as forsterite, and 426 for closing both end openings of the cylindrical body 12. Conductive cover members 14, 14 made of an alloy or the like,
Discharge electrodes 16 and 16 made of iron, nickel or the like connected to the inner surfaces of the lid members 14 and tip discharge parts of both discharge electrodes 16 and 16.
Discharge gap 18 formed between 16a and 16a and both discharge electrodes 1
CR connector 20 sandwiched between 6 and 16 recesses 16b and 16b
And lead terminals 24, 24 connected to the outer surface center of the lid member via solders 22, 22. The cylindrical body 12
The opening and the lid member 14 are airtightly connected via a sealing material 25, and as a result, an airtight container 26 is formed. The airtight container 26 is filled with a discharge gas such as an inert gas. Although not shown, the discharge electrodes 16 and 16 are coated on their surfaces with an emitter material made of lanthanum hexaboride, gadolinium hexaboride, yttrium hexaboride, or the like.

【0012】また、図2に示すように、第2のサージ吸
収素子30は、ガラス管の両端開口を溶融封着させて形成
した気密容器32内に、不活性ガス等の放電ガスを充填す
ると共に、42合金やニッケル等より成る一対の放電電
極34,34を対向配置させて、先端放電部34a,34a間に
放電間隙18を形成し、各放電電極34,34の凹部34b,34
b間をCR接続体20を介して接続して成る。上記放電電
極34,34の各端面には、ハンダ22,22を介してリード端
子としてのジュメット線36,36が接続されており、該ジ
ュメット線36,36の他端は気密容器32の封着部を貫通し
て外部に導出されている。図示は省略したが、放電電極
34,34の表面にも、上記と同様のエミッタ物質が被着さ
れている。
Further, as shown in FIG. 2, the second surge absorbing element 30 is filled with a discharge gas such as an inert gas in an airtight container 32 formed by melting and sealing both ends of a glass tube. At the same time, a pair of discharge electrodes 34, 34 made of 42 alloy, nickel or the like are arranged to face each other to form a discharge gap 18 between the tip discharge parts 34a, 34a, and the recesses 34b, 34 of the discharge electrodes 34, 34 are formed.
b is connected via a CR connector 20. Dumet wires 36, 36 as lead terminals are connected to the respective end faces of the discharge electrodes 34, 34 via solders 22, 22, and the other ends of the dumet wires 36, 36 are sealed with an airtight container 32. It is led out through the part. Although not shown, the discharge electrode
The same emitter material as described above is also deposited on the surfaces of 34 and 34.

【0013】上記CR接続体20は、図3に示すように円
筒状に加工したセラミックコンデンサ40の一端面40a
と、同じく円筒状に加工したセラミック抵抗42の一端面
42aとを、導電性接着剤44を介して接続すると共に、表
面に脱鉛ビスマスガラス等よりなる絶縁層(図示省略)
を形成して成り、該CR接続体20の両端面20a,20b
を、導電性接着剤(図示省略)を介して上記放電電極の
凹部16b,16b(34b,34b)間に接着することで固定
配置されている。
The CR connecting body 20 is one end surface 40a of a ceramic capacitor 40 which is processed into a cylindrical shape as shown in FIG.
And one end face of the ceramic resistor 42, which is also processed into a cylindrical shape
42a is connected via a conductive adhesive 44, and an insulating layer (not shown) made of lead-free bismuth glass or the like on the surface
Both ends 20a, 20b of the CR connector 20.
Is fixed between the recesses 16b, 16b (34b, 34b) of the discharge electrode via a conductive adhesive (not shown).

【0014】以上の結果、図4の等価回路図に示すよう
に、第1のサージ吸収素子10及び第2のサージ吸収素子
30は、放電間隙18とCR接続体20とを並列接続させた構
造となり、コンデンサと抵抗の直列回路をガスアレスタ
に対して並列接続したのと同様の構成が実現されてい
る。
As a result of the above, as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 4, the first surge absorbing element 10 and the second surge absorbing element 10
30 has a structure in which the discharge gap 18 and the CR connection body 20 are connected in parallel, and the same configuration as that in which a series circuit of a capacitor and a resistor is connected in parallel to the gas arrester is realized.

【0015】図6に示すように、この第1のサージ吸収
素子10あるいは第2のサージ吸収素子30を2個用い、各
リード端子の一端を電源線L1,L2に接続すると共に、
他端を接地することにより、第1のサージ吸収素子10あ
るいは第2のサージ吸収素子30は、サージ吸収素子54,
54として各電源線L1,L2とグランド(GND)間に挿
入される。しかして、電源線L1,L2を伝って入力側よ
りコモンモードのサージ電圧が印加されると、まず第1
のサージ吸収素子10あるいは第2のサージ吸収素子30の
CR接続体20がフィルタとして機能し、速やかにサージ
の減衰動作を開始する。
As shown in FIG. 6, two first surge absorbing elements 10 or second surge absorbing elements 30 are used, one end of each lead terminal is connected to the power supply lines L1 and L2, and
By grounding the other end, the first surge absorbing element 10 or the second surge absorbing element 30 becomes the surge absorbing element 54,
54 is inserted between each power supply line L1 and L2 and the ground (GND). When a common mode surge voltage is applied from the input side through the power lines L1 and L2, the first
The CR connection body 20 of the surge absorbing element 10 or the second surge absorbing element 30 functions as a filter and promptly starts the surge damping operation.

【0016】図5は、CR接続体20によるサージの減衰
効果を示すグラフであり、二点鎖線で示した原サージの
波形に比較し、実線で示した減衰波形が極めて小さくな
っている様子が見て取れ、原サージはCR接続体20によ
って確実に減衰されている。CR接続体を構成するセラ
ミックコンデンサ40及びセラミック抵抗42の各値と上記
減衰波形との間には、セラミックコンデンサ40の静電容
量が大きくなる程ピークの高さhが低くなり、セラミッ
ク抵抗42の抵抗値が高くなる程ピーク幅wが狭くなると
いう関係がある。したがって、サージ電圧の減衰という
目的のためには、セラミックコンデンサ40及びセラミッ
ク抵抗42の各値を可能な限り大きく設定することが望ま
しいともいえるが、あまりセラミックコンデンサ40の値
を大きく設定し過ぎると、インピーダンスが低下して漏
れ電流の値が大きくなるという問題が生じる。電子機器
の通常使用時に許容される漏れ電流の値が最大限で1m
Aであることを考えると、セラミックコンデンサ40の値
を0.022μF以下に設定しておくことが実用上望ま
しい。また、セラミック抵抗42については、10〜15
0Ωの値で、定格電力が0.5〜10Wのものを選定す
るのが望ましい。
FIG. 5 is a graph showing the effect of damping the surge by the CR connector 20, showing that the attenuation waveform shown by the solid line is extremely small compared with the waveform of the original surge shown by the two-dot chain line. As can be seen, the original surge is reliably damped by the CR connector 20. Between the respective values of the ceramic capacitor 40 and the ceramic resistor 42 forming the CR connection and the above-mentioned attenuation waveform, the peak height h decreases as the capacitance of the ceramic capacitor 40 increases, and the ceramic resistor 42 There is a relation that the peak width w becomes narrower as the resistance value becomes higher. Therefore, it can be said that it is desirable to set each value of the ceramic capacitor 40 and the ceramic resistor 42 as large as possible for the purpose of damping the surge voltage, but if the value of the ceramic capacitor 40 is set too large, There is a problem that the impedance decreases and the value of the leakage current increases. Maximum allowable leakage current during normal use of electronic equipment is 1 m
Considering A, it is practically desirable to set the value of the ceramic capacitor 40 to 0.022 μF or less. For the ceramic resistor 42, 10 to 15
It is desirable to select a value of 0Ω and a rated power of 0.5 to 10W.

【0017】印加されたサージ電圧が、放電間隙18にお
けるEz値以上のものである場合には、一定の時間経過
後に放電間隙18にグロー放電を経て主放電としてのアー
ク放電が生成され、以後はアレスタ動作によるサージの
吸収が実現される。なお、続流防止のため、第1のサー
ジ吸収素子10あるいは第2のサージ吸収素子30には、抵
抗やバリスタを直列接続することが望ましい。印加され
たサージ電圧が放電間隙18のEz値未満のものである場
合には、放電間隙18に放電が生成されず、アレスタ動作
によるサージの吸収は行われないが、CR接続体20によ
るサージの減衰が行われるため、サージ電圧が電子機器
の電子回路にそのまま印加されることを回避できる。
When the applied surge voltage is equal to or higher than the Ez value in the discharge gap 18, an arc discharge as a main discharge is generated through a glow discharge in the discharge gap 18 after a certain period of time, and thereafter. Surge absorption due to arrester operation is realized. In order to prevent follow current, it is desirable to connect a resistor or a varistor in series to the first surge absorbing element 10 or the second surge absorbing element 30. If the applied surge voltage is less than the Ez value of the discharge gap 18, no discharge is generated in the discharge gap 18 and the surge is not absorbed by the arrester operation, but Since the attenuation is performed, it is possible to prevent the surge voltage from being directly applied to the electronic circuit of the electronic device.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明に係るサージ吸収素子にあって
は、CR接続体を放電間隙に対して並列接続しているた
め、放電間隙に放電が生成されない場合でも、CR接続
体によってサージ等の過電圧を減衰することができ、放
電間隙の直流放電開始電圧を下回るサージ電圧の印加に
も十分対応することが可能である。
In the surge absorbing element according to the present invention, since the CR connecting body is connected in parallel to the discharge gap, even if no discharge is generated in the discharge gap, the CR connecting body prevents surges or the like. The overvoltage can be attenuated, and it is possible to sufficiently cope with the application of a surge voltage below the DC discharge starting voltage in the discharge gap.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1のサージ吸収素子を示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a first surge absorbing element according to the present invention.

【図2】本発明に係る第2のサージ吸収素子を示す断面
図である。
FIG. 2 is a sectional view showing a second surge absorbing element according to the present invention.

【図3】第1のサージ吸収素子及び第2のサージ吸収素
子に係るCR接続体を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a CR connection body related to a first surge absorbing element and a second surge absorbing element.

【図4】第1のサージ吸収素子及び第2のサージ吸収素
子の等価回路図である。
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a first surge absorbing element and a second surge absorbing element.

【図5】CR接続体によってサージが減衰される様子を
示すグラフである。
FIG. 5 is a graph showing how surges are attenuated by a CR connector.

【図6】サージ吸収素子の接続例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a connection example of a surge absorbing element.

【図7】従来のガスアレスタを示す断面図である。FIG. 7 is a sectional view showing a conventional gas arrester.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 第1のサージ吸収素子 16 放電電極 16a 放電電極の先端放電部 16b 放電電極の凹部 18 放電間隙 20 CR接続体 24 リード端子 26 気密容器 30 第2のサージ吸収素子 32 気密容器 34 放電電極 34a 放電電極の先端放電部 34b 放電電極の凹部 36 ジュメット線 40 セラミックコンデンサ 42 セラミック抵抗 L1 電源線 L2 電源線 GND グランド 10 First surge absorber 16 Discharge electrode 16a Discharge electrode tip discharge part 16b Discharge electrode recess 18 Discharge gap 20 CR connector 24 Lead terminal 26 Airtight container 30 Second surge absorber 32 Airtight container 34 Discharge electrode 34a Discharge Electrode tip Discharge part 34b Discharge electrode recess 36 Dumet wire 40 Ceramic capacitor 42 Ceramic resistance L1 power line L2 power line GND ground

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放電ガスを充填した気密容器内に複数の
放電電極を所定の距離を隔てて対向配置し、各放電電極
間に放電間隙を形成すると共に、各放電電極に接続され
たリード端子を気密容器外に導出して成るサージ吸収素
子において、コンデンサと抵抗とを直列接続したCR接
続体を、上記放電間隙に対して並列接続させたことを特
徴とするサージ吸収素子。
1. A lead terminal connected to each discharge electrode, wherein a plurality of discharge electrodes are arranged facing each other with a predetermined distance in an airtight container filled with discharge gas to form a discharge gap between the discharge electrodes. In a surge absorbing element obtained by deriving the element outside the airtight container, a CR connecting body in which a capacitor and a resistor are connected in series is connected in parallel to the discharge gap.
【請求項2】 一対の放電電極を所定の距離を隔てて対
向配置し、両放電電極の先端放電部間に放電間隙を形成
すると共に、両放電電極の他の部分間を上記CR接続体
を介して接続したことを特徴とする請求項1に記載のサ
ージ吸収素子。
2. A pair of discharge electrodes are arranged so as to face each other with a predetermined distance, a discharge gap is formed between the tip discharge parts of both discharge electrodes, and the CR connection body is provided between the other parts of both discharge electrodes. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the surge absorbing element is connected via the surge absorbing element.
【請求項3】 上記CR接続体が、セラミックコンデン
サとセラミック抵抗とを、導電性接着剤を介して一体化
させたものであることを特徴とする請求項1または2に
記載のサージ吸収素子。
3. The surge absorbing element according to claim 1, wherein the CR connection body is formed by integrating a ceramic capacitor and a ceramic resistor via a conductive adhesive.
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