JPH09260271A - Exposure device - Google Patents

Exposure device

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JPH09260271A
JPH09260271A JP8093145A JP9314596A JPH09260271A JP H09260271 A JPH09260271 A JP H09260271A JP 8093145 A JP8093145 A JP 8093145A JP 9314596 A JP9314596 A JP 9314596A JP H09260271 A JPH09260271 A JP H09260271A
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holding member
reticle
atmospheric pressure
exposure apparatus
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Yasuo Araki
康雄 荒木
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the generation of a positional deviation of a mask from a mask holding member by a method wherein a sealed space is formed between the mask and the mask holding member and the atmospheric pressure in the sealed space is adjusted so that the mask is fixed on the member. SOLUTION: A sealed space 32 is formed between the lower surface of a mask 12 and a mask holding member 18 and the atmospheric pressure in the space 32 is made lower than that in the outside of the space 32 by an atmospheric pressure adjusting member 36. Or with a first space 18 formed between the lower surface of the mask 12 and the member 18, a second space 58 is formed between the upper surface of the mask 12 and a mask holding member 54. The atmospheric pressures in the spaces 32 and 58 are respectively made lower than those in the outsides of the spaces 32 and 58. At this time, it is preferable to make equal the atmospheric pressures in the spaces 32 and 58 with each other. Moreover, in such the case, a suction means for vacuum-sucking the mask 12 to the member 18 may be used jointly.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク上に形成さ
れたパターンの像を感光基板上に転写する露光装置に関
し、特に、マスクと感光基板とを同期して相対移動する
走査型の露光装置に最適なマスクの保持機構に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for transferring an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate, and more particularly to a scanning type exposure apparatus for relatively moving the mask and the photosensitive substrate relative to each other. Optimal mask holding mechanism

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路や液晶表示用基板を製造
するために使用される投影露光装置は、照明光学系から
射出された照明光をマスクに照射して該マスクのパター
ン像を投影光学系を介して感光基板上に結像する。この
種の装置は、基板上の同一領域に複数のパターンを重ね
合わせて露光するため、露光処理する層と前回露光処理
された層との間で高い重ね合わせ精度が要求される。
2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor integrated circuit or a liquid crystal display substrate irradiates a mask with illumination light emitted from an illumination optical system to project a pattern image of the mask onto the projection optical system. An image is formed on the photosensitive substrate via. In this type of apparatus, a plurality of patterns are overlapped and exposed in the same area on the substrate, and therefore, high overlay accuracy is required between the layer to be exposed and the layer subjected to the previous exposure.

【0003】投影露光装置として現在では、露光用の照
明光に対してマスクと感光基板とを同期して相対的に走
査しながら露光を行うステップ・アンド・スキャン方式
の露光装置が提案、実用化されている。このようなステ
ップ・アンド・スキャン方式の露光装置においては、マ
スクホルダに保持されたマスクを移動可能なマスクステ
ージ上に搭載し、感光基板を移動可能な基板ステージ上
に搭載する。マスクステージ上のマスクは、その外周の
一部をマスクホルダに真空吸着によって固定されてい
る。そして、マスクステージと基板ステージとを同期し
て移動することによって、マスクに形成された転写パタ
ーンを感光基板上に投影する。このようなステップ・ア
ンド・スキャン方式の露光装置においては、処理能力
(スループット)の向上のために、マスクを搭載したマ
スクステージ及び感光基板を搭載した基板ステージの高
速移動、及び高加速度化が必要となってきている。
At present, as a projection exposure apparatus, a step-and-scan type exposure apparatus is proposed and put into practical use, in which exposure is performed while synchronously scanning a mask and a photosensitive substrate relative to illumination light for exposure. Has been done. In such a step-and-scan exposure apparatus, a mask held by a mask holder is mounted on a movable mask stage, and a photosensitive substrate is mounted on a movable substrate stage. The mask on the mask stage has a part of its outer periphery fixed to the mask holder by vacuum suction. Then, the transfer pattern formed on the mask is projected onto the photosensitive substrate by moving the mask stage and the substrate stage in synchronization. In such a step-and-scan exposure apparatus, in order to improve the processing capacity (throughput), it is necessary to move the mask stage with a mask and the substrate stage with a photosensitive substrate at high speed and to increase the acceleration. Is becoming.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、マスクステ
ージを高速で駆動すると、マスクホルダ上でマスクの位
置がずれる可能性がある。すなわち、マスクステージの
加速時又は減速時に慣性力によってマスクがマスクホル
ダー上を滑ることがある。特に、縮小投影型の露光装置
においては、マスクの移動距離が感光基板に比べて縮小
倍率分だけ長いため、マスクの位置ずれの問題は顕著に
なる。ここで、マスクの位置は、例えば、マスクステー
ジ上の干渉計移動鏡を利用した移動鏡システムによって
計測されるため、マスクホルダ上でマスクの位置がずれ
ると、干渉計移動鏡に対するマスクの位置が変化してし
まう。この様なマスクの位置ずれは、マスクステージ上
だけの問題だけではなく、結局、感光基板上でのマスク
パターンの重ね合わせ精度の悪化につながる。
However, when the mask stage is driven at high speed, the position of the mask on the mask holder may shift. That is, the mask may slide on the mask holder due to the inertial force when the mask stage is accelerated or decelerated. Particularly, in the reduction projection type exposure apparatus, since the moving distance of the mask is longer than that of the photosensitive substrate by the reduction magnification, the problem of the mask position shift becomes significant. Here, since the position of the mask is measured by, for example, a moving mirror system using an interferometer moving mirror on the mask stage, if the position of the mask shifts on the mask holder, the position of the mask with respect to the interferometer moving mirror will change. It will change. Such a positional deviation of the mask is not only a problem on the mask stage, but eventually leads to deterioration of the overlay accuracy of the mask pattern on the photosensitive substrate.

【0005】本発明は、上記のような状況に鑑みて成さ
れたものであり、マスクの位置ずれを防止できる露光装
置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of preventing the displacement of the mask.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本出願の第1の発明としては、マスク(12)に形
成されたパターンの像を投影光学系(14)を介して感
光基板(16)上に転写露光する露光装置において、マ
スク(12)が載置されたマスク保持部材(18)と;
マスク(12)とマスク保持部材(18)との間に密閉
空間(32,58,67,72)を形成する密閉手段
(30,54,56,68,70)と;マスク(12)
が保持部材(18)に対して固定されるように、密閉空
間(32,58,67,72)の気圧を調整する気圧調
整手段(36,76,78)とを備える。
In order to solve the above-mentioned problems, the first invention of the present application is to provide an image of a pattern formed on a mask (12) through a projection optical system (14) to a photosensitive substrate. (16) A mask holding member (18) on which a mask (12) is placed, in an exposure device that transfers and exposes light onto the mask (12);
Sealing means (30, 54, 56, 68, 70) forming a sealed space (32, 58, 67, 72) between the mask (12) and the mask holding member (18); the mask (12)
So as to be fixed to the holding member (18), and atmospheric pressure adjusting means (36, 76, 78) for adjusting the atmospheric pressure of the closed space (32, 58, 67, 72).

【0007】上記第1の発明の態様として、マスク(1
2)の下面とマスク保持部材(18)との間に密閉空間
(32)を形成する。そして、気圧調整手段(36)に
より、密閉空間(32)の気圧を当該空間(32)の外
部の気圧より低くする。また他の態様としては、マスク
(12)の下面とマスク保持部材(18)との間に第1
空間(18)を形成すると共に、マスク(12)の上面
とマスク保持部材(54)との間に第2空間(58)を
形成する。そして、気圧調整手段(36)により、第1
及び第2空間(32,58)の気圧を当該空間(32,
58)の外部の気圧より低くする。この時、第1空間
(32)と第2空間(58)との気圧を互いに等しくす
ることが望ましい。更に他の態様としては、マスク(1
2)の上面とマスク保持部材(68)との間に密閉空間
(72)を形成し、気圧調整手段(76,78)によ
り、密閉空間(72)の気圧を当該空間(72)の外部
の気圧より高くする。
As an aspect of the first invention, a mask (1
A closed space (32) is formed between the lower surface of 2) and the mask holding member (18). Then, the air pressure in the closed space (32) is made lower than the air pressure outside the space (32) by the air pressure adjusting means (36). In another aspect, the first portion is provided between the lower surface of the mask (12) and the mask holding member (18).
The space (18) is formed, and the second space (58) is formed between the upper surface of the mask (12) and the mask holding member (54). Then, by the atmospheric pressure adjusting means (36), the first
And the atmospheric pressure of the second space (32, 58)
Lower than the atmospheric pressure outside 58). At this time, it is desirable to make the atmospheric pressures of the first space (32) and the second space (58) equal to each other. In still another aspect, the mask (1
A closed space (72) is formed between the upper surface of 2) and the mask holding member (68), and the air pressure of the closed space (72) is adjusted to the outside of the space (72) by the air pressure adjusting means (76, 78). Make it higher than atmospheric pressure.

【0008】上記のような各態様において、マスク(1
2)を保持部材(18,62)に対して真空吸着する吸
着手段(64,66)を併用しても良い。また、気圧調
整手段(36,76,78)による密閉空間(32,5
8,67,72)と当該空間の外部との圧力差によって
生じるマスク(12)の撓みに起因するパターンの投影
像の結像誤差を補正すべく投影光学系(14)を調整す
る調整手段(38,40)を更に設けてもよい。
In each of the above modes, the mask (1
You may use together the adsorption | suction means (64, 66) which vacuum-sucks 2) with respect to the holding member (18, 62). In addition, the closed space (32, 5) by the air pressure adjusting means (36, 76, 78)
8, 67, 72) and the outside of the space to adjust the projection optical system (14) to correct the image forming error of the projected image of the pattern caused by the bending of the mask (12). 38, 40) may be further provided.

【0009】本出願の第2の発明では、マスクの位置ず
れを防止するために、マスク(12)に形成されたパタ
ーンの像を投影光学系(14)を介して感光基板(1
6)上に転写露光する露光装置において、マスク(1
2)が載置されたマスク保持部材(80)と;磁力によ
ってマスク(12)をマスク保持部材(80)に対して
固定する固定手段(82a,82b,90a,90b,
92a,92b,94等)とを備える。
In the second invention of the present application, in order to prevent the displacement of the mask, the image of the pattern formed on the mask (12) is transferred through the projection optical system (14) to the photosensitive substrate (1).
6) In an exposure device that transfers and exposes light onto a mask (1
A mask holding member (80) on which 2) is placed; fixing means (82a, 82b, 90a, 90b, for fixing the mask (12) to the mask holding member (80) by magnetic force.
92a, 92b, 94, etc.).

【0010】上記のような第2の発明の一つの態様とし
ては、マスク(12)に対して接触、離脱可能に設けら
れた押圧部材(88a,88b)と;マスク保持部材
(80)に固定された電磁石(82a,82b)と;押
圧部材(88a,88b)に固定され、電磁石(82
a,82b)に対向して配置される永久磁石(90a,
90b)と;マスク(12)のマスク保持部材(80)
に対する固定及びその解除を行うように、電磁石(82
a,82b)の磁性を制御する制御手段(94)とによ
って、マスク(12)をマスク保持部材(80)に対し
て固定する。
As one aspect of the second aspect of the invention as described above, the pressing members (88a, 88b) provided so as to be in contact with and removable from the mask (12); and fixed to the mask holding member (80). And the electromagnets (82a, 82b) that are fixed to the pressing members (88a, 88b).
a, 82b) and a permanent magnet (90a,
90b) and; the mask holding member (80) of the mask (12)
The electromagnet (82
The mask (12) is fixed to the mask holding member (80) by the control means (94) for controlling the magnetism of a, 82b).

【0011】[0011]

【作用】上記のような本出願の第1の発明においては、
マスク(12)とマスク保持部材(18)との間に密閉
空間(32,58,67,72)を形成し、その密閉空
間(32,58,67,72)の気圧を調整することに
よって、マスク(12)が保持部材(18)に対して固
定されるように構成しているため、マスク(12)のマ
スク保持部材(18)に対する吸着面を転写パターンが
形成された領域を含む広い範囲まで拡大できる。即ち、
マスク(12)自体の面積より一回り小さい面積にまで
拡大できる。
In the first invention of the present application as described above,
By forming a closed space (32, 58, 67, 72) between the mask (12) and the mask holding member (18) and adjusting the atmospheric pressure of the closed space (32, 58, 67, 72), Since the mask (12) is configured to be fixed to the holding member (18), the suction surface of the mask (12) with respect to the mask holding member (18) covers a wide range including the region where the transfer pattern is formed. Can be expanded to. That is,
It can be expanded to an area slightly smaller than the area of the mask (12) itself.

【0012】この時、マスク(12)の下面とマスク保
持部材(18)との間に密閉空間(32)を形成し、そ
の気圧を外部の気圧より低くした場合には、マスク(1
2)はマスク保持部材(18)に全面で吸着されるよう
な状態となる。また、マスク(12)の下面とマスク保
持部材(18)との間と、上面とマスク保持部材(5
4)との間に2つの空間(32,58)を形成し、両空
間(32,58)の気圧を外部の気圧より低くし、且つ
両空間(32,58)の気圧を等しくすれば、マスク
(12)の撓み(変形)を最小限に抑えることができ
る。また、マスク(12)の上面とマスク保持部材(6
8)との間に密閉空間(72)を形成し、その気圧を外
部の気圧より高くした場合には、マスク(12)が密閉
空間(72)の圧力によって、マスク保持部材(68)
に押し付けられるような状態となる。
At this time, if a closed space (32) is formed between the lower surface of the mask (12) and the mask holding member (18) and the atmospheric pressure is made lower than the external atmospheric pressure, the mask (1
2) is in a state where it is adsorbed on the entire surface by the mask holding member (18). Further, between the lower surface of the mask (12) and the mask holding member (18), and between the upper surface and the mask holding member (5).
By forming two spaces (32, 58) between them and 4), making the pressure in both spaces (32, 58) lower than the external pressure, and making the pressures in both spaces (32, 58) equal, The bending (deformation) of the mask (12) can be minimized. In addition, the upper surface of the mask (12) and the mask holding member (6
When a closed space (72) is formed between the mask holding member (68) and the mask holding member (68) by the pressure of the closed space (72).
It will be pressed against.

【0013】ここで、マスク(12)の移動時の慣性力
をFk 、マスク(12)の摩擦によるマスク保持部材
(18)への保持力をFh、マスク(12)の質量を
m、マスク(12)に働く垂直抗力をN、マスク(1
2)の移動時の加速度をa、マスク(12)とマスク保
持部材(18)との摩擦係数をμすると、以下の式
(A),式(B)が成り立つ。 Fk =ma ・・・・・(A) Fh=Nμ ・・・・・(B)
Here, the inertial force during movement of the mask (12) is Fk, the holding force on the mask holding member (18) due to the friction of the mask (12) is Fh, the mass of the mask (12) is m, and the mask ( 12) normal force acting on N, mask (1
When the acceleration in the movement of 2) is a and the friction coefficient between the mask (12) and the mask holding member (18) is μ, the following expressions (A) and (B) are established. Fk = ma (A) Fh = Nμ (B)

【0014】また、マスク(12)が移動時の慣性力で
動かないためには、以下の式(C)の条件を満たす必要
がある。 Fk <Fh ・・・・・(C) そして、上記の式(A)、式(B)及び式(C)より、
以下の式(D)が導き出される。 a <Nμ/m ・・・・・ (D)
Further, in order that the mask (12) does not move due to inertial force during movement, it is necessary to satisfy the condition of the following expression (C). Fk <Fh (C) Then, from the above formulas (A), (B) and (C),
The following formula (D) is derived. a <Nμ / m (D)

【0015】ここで、マスク(12)の質量mと、マス
ク(12)とマスク保持部材(18)との間の摩擦係数
μは、ほぼ一定値であるので、加速度aを大きくするた
めには、Nを大きくすればよいことがわかる。また、マ
スク(12)を真空吸着によりマスク保持部材(18)
に保持する場合、吸着面積をS、外気圧をPo、真空圧
をPvとすると、以下の式(E)が成り立つ。 N=S(Po−Pv) ・・・・・(E)
Here, the mass m of the mask (12) and the coefficient of friction μ between the mask (12) and the mask holding member (18) are substantially constant values, and therefore, in order to increase the acceleration a, , N should be increased. Further, the mask holding member (18) is formed by vacuum suction of the mask (12).
When the adsorption area is S, the external pressure is Po, and the vacuum pressure is Pv, the following equation (E) is established. N = S (Po-Pv) (E)

【0016】本出願の第1の本発明の何れの態様におい
ても、マスク(12)のマスク保持部材(18)に対す
る吸着面積Sをマスク(12)の面積より一回り小さい
面積にまで拡大したのと等価と見ることができる。その
結果、式(D)、式(E)より、マスク(12)移動時
の加速度aを大きくすることが可能となる。
In any of the first aspects of the present invention, the suction area S of the mask (12) with respect to the mask holding member (18) is expanded to an area slightly smaller than the area of the mask (12). Can be seen as equivalent to As a result, it is possible to increase the acceleration a when the mask (12) moves from the equations (D) and (E).

【0017】一方、本出願の第2の発明においては、磁
力によってマスク(12)をマスク保持部材(80)に
対して固定しているため、従来のようにマスクの一部の
みを真空吸着によって固定する場合に比べて、マスク
(12)をマスク保持部材(80)に対して強く固定す
ることができる。例えば、マスク(12)の交換時に
は、電磁石(82a,82b)と永久磁石(90a,9
0b)が反発し合うようにして、押え部材(88a,8
8b)を上方に退避させる。そして、マスク(12)を
マスク保持部材(80)上に載置した後、電磁石(82
a,82b)と永久磁石(90a,90b)とが引き合
うようにし、押え部材(88a,88b)が電磁石(8
2a,82b)と永久磁石(90a,90b)の吸引力
により、マスク(12)をマスク保持部材(80)に対
して押し付ける。この時、電磁石(82a,82b)に
流す電流値を調整することにより、マスク(12)の保
持力をコントロールすることができる。
On the other hand, in the second invention of the present application, since the mask (12) is fixed to the mask holding member (80) by magnetic force, only a part of the mask is vacuum-adsorbed as in the conventional case. The mask (12) can be strongly fixed to the mask holding member (80) as compared with the case of fixing. For example, when the mask (12) is replaced, the electromagnets (82a, 82b) and the permanent magnets (90a, 9a)
0b) repel each other, and presser members (88a, 8a)
8b) is retracted upward. Then, after placing the mask (12) on the mask holding member (80), the electromagnet (82
a, 82b) and the permanent magnets (90a, 90b) are attracted to each other, and the holding members (88a, 88b) are attached to the electromagnets (8
The mask (12) is pressed against the mask holding member (80) by the attraction force of 2a, 82b) and the permanent magnets (90a, 90b). At this time, the holding force of the mask (12) can be controlled by adjusting the value of the current passed through the electromagnets (82a, 82b).

【0018】上記第1及び第2の発明の各態様を、マス
ク(12)と感光基板(16)とを同期して相対移動す
る走査型の露光装置に適用した場合に効果が大きい。こ
れは、この種の露光装置においては、スループット向上
のために、マスク(12)を高加速度で駆動する要請が
強いためである。
The respective effects of the first and second inventions are greatly effective when applied to a scanning type exposure apparatus in which the mask (12) and the photosensitive substrate (16) move relative to each other in synchronization. This is because in this type of exposure apparatus, there is a strong demand for driving the mask (12) at high acceleration in order to improve throughput.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を以下
に示す実施例に基づいて説明する。なお、これから説明
する各実施例は、半導体デバイス製造用の走査型投影露
光装置に本発明を適用したものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the following examples. It should be noted that each of the embodiments described below applies the present invention to a scanning projection exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device.

【0020】[0020]

【実施例】図1は本発明の第1実施例にかかる投影露光
装置全体の構成を示し、図2は当該投影露光装置のレチ
クルステージ周辺の構成を示す。本実施例の投影露光装
置は、照明光学系から射出される露光用の光をコンデン
サレンズ10を介してレチクル12に照射し、レチクル
12上に形成された所定のパターンの像を、投影光学系
14を介してウエハ16上に転写するものである。投影
光学系14は、架台17によって装置に対して固定され
ており、所定の縮小倍率(1/4,1/5等)でレチク
ル12のパターンの像をウエハ16上に投影するように
なっている。
FIG. 1 shows the overall construction of a projection exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the construction around a reticle stage of the projection exposure apparatus. The projection exposure apparatus of the present embodiment irradiates the reticle 12 with the exposure light emitted from the illumination optical system through the condenser lens 10, and projects the image of the predetermined pattern formed on the reticle 12 into the projection optical system. It is transferred onto the wafer 16 via 14. The projection optical system 14 is fixed to the apparatus by a pedestal 17, and is adapted to project an image of the pattern of the reticle 12 onto the wafer 16 at a predetermined reduction magnification (1/4, 1/5, etc.). There is.

【0021】レチクル12は、その外周部4カ所におい
てレチクルホルダ18に真空吸着によって固定された状
態でレチクルステージ20上に載置されている。レチク
ルステージ20は、レチクルステージ駆動系24によっ
て走査方向(Y方向)に所定の速度で移動可能になって
いる。レチクルステージ20上には、レチクル干渉計2
6から出力されるレーザ光を反射する移動鏡28が固定
配置されており、レチクル干渉計26によってレチクル
ステージ20の位置を常時モニターできるようになって
いる。なお、図1においては、走査方向(Y方向)の位
置を計測するレチクル干渉計26及び移動鏡28のみ示
しているが、実際には、非走査方向(X方向)の位置を
計測する干渉計及び移動鏡も備えられている。
The reticle 12 is mounted on the reticle stage 20 in a state where it is fixed to the reticle holder 18 by vacuum suction at four locations on its outer peripheral portion. The reticle stage 20 can be moved at a predetermined speed in the scanning direction (Y direction) by a reticle stage drive system 24. On the reticle stage 20, the reticle interferometer 2
A movable mirror 28 that reflects the laser light output from the laser 6 is fixedly arranged, and the position of the reticle stage 20 can be constantly monitored by the reticle interferometer 26. In FIG. 1, only the reticle interferometer 26 and the movable mirror 28 that measure the position in the scanning direction (Y direction) are shown, but in reality, the interferometer that measures the position in the non-scanning direction (X direction). And a moving mirror is also provided.

【0022】レチクルホルダ18の底部には、アパーチ
ャガラス30が取り付けられ、レチクルホルダ18と、
レチクル12と、このアパーチャガラス30とによっ
て、レチクル12の下側に外気と遮断された密閉空間3
2を形成している。なお、密閉空間32を形成するため
に、アパーチャガラス30を用いたのは、照明光を透過
させるためである。密閉空間32には、バキューム配管
34を介してバキュームソース36が接続されている。
そして、バキュームソース36によって密閉空間32の
気圧を外気圧より低くすることにより、レチクル12を
レチクルホルダ18に強く保持できるようになってい
る。この時、レチクル12は密閉空間32と外気との気
圧差によって変形が生じることがあるが、その変形に起
因するレチクルパターンの投影像の結像誤差は、制御部
38がレンズコントローラ40を介して投影光学系14
の結像状態を調整することによってキャンセルするよう
になっている。
An aperture glass 30 is attached to the bottom of the reticle holder 18, and the reticle holder 18 and
The closed space 3 below the reticle 12 is shielded from the outside air by the reticle 12 and the aperture glass 30.
2 are formed. The reason why the aperture glass 30 is used to form the closed space 32 is to transmit the illumination light. A vacuum source 36 is connected to the closed space 32 via a vacuum pipe 34.
The reticle 12 can be strongly held by the reticle holder 18 by lowering the atmospheric pressure of the closed space 32 below the atmospheric pressure by the vacuum source 36. At this time, the reticle 12 may be deformed due to the atmospheric pressure difference between the closed space 32 and the outside air. However, the control unit 38 causes an error in the projection image of the reticle pattern due to the deformation via the lens controller 40. Projection optical system 14
It is designed to be canceled by adjusting the image forming state of.

【0023】投影光学系14の下方に配置されたウエハ
16は、ウエハホルダ42に真空吸着された状態で、ウ
エハステージ44上に載置されている。ウエハステージ
44は、ウエハステージ駆動系46によって、投影光学
系14の光軸に垂直な面内(XY面内)で移動可能に構
成され、ウエハ16がレチクル12の走査と同期して移
動するように駆動される。ウエハステージ44上には、
ウエハ干渉計48から出力されるレーザ光を反射する移
動鏡50が固定されており、この移動鏡50からの反射
光と投影光学系14の下端に設置された固定鏡(図示せ
ず)からの反射光とからなる干渉光によって、ウエハス
テージ44の位置を常時モニターできるようになってい
る。なお、図1においては、Y方向の位置を計測するウ
エハ干渉計48及び移動鏡50のみ示しているが、実際
には、X方向の位置を計測する干渉計及び移動鏡も備え
られている。
The wafer 16 arranged below the projection optical system 14 is mounted on the wafer stage 44 in a state of being vacuum-sucked by the wafer holder 42. The wafer stage 44 is configured to be movable in a plane (XY plane) perpendicular to the optical axis of the projection optical system 14 by a wafer stage drive system 46 so that the wafer 16 moves in synchronization with the scanning of the reticle 12. Driven to. On the wafer stage 44,
A movable mirror 50 that reflects the laser light output from the wafer interferometer 48 is fixed, and reflected light from the movable mirror 50 and a fixed mirror (not shown) installed at the lower end of the projection optical system 14 are fixed. The position of the wafer stage 44 can be constantly monitored by the interference light including the reflected light. In FIG. 1, only the wafer interferometer 48 and the movable mirror 50 for measuring the position in the Y direction are shown, but actually, an interferometer and a movable mirror for measuring the position in the X direction are also provided.

【0024】次に、以上のような構成の第1実施例の動
作及び原理について説明する。コンデンサレンズ10を
通って集光された均一な照明光でレチクル12が照明さ
れると、レチクル12上の照明領域に対しててレチクル
ステージ20が走査方向(Y方向)に移動し、これと同
期してウエハ16を搭載したウエハステージ44がレチ
クルステージ20の移動方向と逆方向に移動する。この
時、レチクル12とウエハ16の相対的な位置はレチク
ル干渉計26、及びとウエハ干渉計48によりそれぞれ
モニタされる。
Next, the operation and principle of the first embodiment having the above configuration will be described. When the reticle 12 is illuminated with the uniform illumination light condensed through the condenser lens 10, the reticle stage 20 moves in the scanning direction (Y direction) with respect to the illumination area on the reticle 12, and is synchronized with this. Then, the wafer stage 44 on which the wafer 16 is mounted moves in the direction opposite to the moving direction of the reticle stage 20. At this time, the relative positions of the reticle 12 and the wafer 16 are monitored by the reticle interferometer 26 and the wafer interferometer 48, respectively.

【0025】ここで、レチクル12の移動時の慣性力を
Fk 、レチクル12の摩擦によるレチクルホルダ18へ
の保持力をFh、レチクル12の質量をm、レチクル1
2に働く垂直抗力をN、レチクル12の移動時の加速度
をa、レチクル12とレチクルホルダ18との摩擦係数
をμすると、以下の式(1),式(2)が成り立つ。 Fk =ma ・・・・・(1) Fh=Nμ ・・・・・(2)
Here, the inertial force during movement of the reticle 12 is Fk, the holding force on the reticle holder 18 due to friction of the reticle 12 is Fh, the mass of the reticle 12 is m, and the reticle 1 is
When the normal force acting on 2 is N, the acceleration when the reticle 12 is moving is a, and the friction coefficient between the reticle 12 and the reticle holder 18 is μ, the following equations (1) and (2) are established. Fk = ma (1) Fh = Nμ (2)

【0026】また、レチクル12が移動時の慣性力で動
かないためには、以下の式(3)の条件を満たす必要が
ある。 Fk <Fh ・・・・・(3)
Further, in order that the reticle 12 does not move due to inertial force during movement, it is necessary to satisfy the condition of the following expression (3). Fk <Fh (3)

【0027】そして、上記の式(1)、式(2)及び式
(3)より、以下の式(4)が導き出される。 a <Nμ/m ・・・・・ (4)
Then, the following equation (4) is derived from the above equations (1), (2) and (3). a <Nμ / m (4)

【0028】ここで、レチクル12の質量mと、レチク
ル12とレチクルホルダ18との間の摩擦係数μは、ほ
ぼ一定値であるので、加速度aを大きくするためには、
Nを大きくすればよいことがわかる。また、レチクル1
2を真空吸着によりレチクルホルダ18に保持する場
合、吸着面積をS、外気圧をPo、真空圧をPvとする
と、以下の式(5)が成り立つ。 N=S(Po−Pv) ・・・・・(5)
Here, since the mass m of the reticle 12 and the friction coefficient μ between the reticle 12 and the reticle holder 18 are substantially constant values, in order to increase the acceleration a,
It can be seen that N should be increased. Also, reticle 1
When holding 2 on the reticle holder 18 by vacuum suction, the following equation (5) is established, where S is the suction area, P is the external pressure, and Pv is the vacuum pressure. N = S (Po-Pv) (5)

【0029】本実施例においては、レチクル12の下側
の密閉空間32の気圧を外気圧より低く設定しているた
め、レチクル12のレチクルホルダ18に対する吸着面
を転写パターンが形成された領域を含む広い範囲まで拡
大することができる。すなわち、吸着面積Sをレチクル
12の面積より一回り小さい面積にまで拡大したのと等
価と見ることができる。その結果、式(4)、式(5)
より、レチクル12移動時の加速度aを大きくすること
が可能となる。また、レチクル12のパタンーン面が外
気と遮断されているので、レチクル12の汚染を防止で
きるという利点もある。
In this embodiment, since the air pressure in the closed space 32 below the reticle 12 is set lower than the atmospheric pressure, the suction surface of the reticle 12 with respect to the reticle holder 18 includes the area where the transfer pattern is formed. It can be expanded to a wide range. That is, it can be regarded as equivalent to expanding the suction area S to an area slightly smaller than the area of the reticle 12. As a result, formula (4) and formula (5)
As a result, the acceleration a when the reticle 12 moves can be increased. Further, since the pattern surface of the reticle 12 is shielded from the outside air, there is an advantage that the reticle 12 can be prevented from being contaminated.

【0030】図3は、本発明の第2実施例にかかる投影
露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示
す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ
周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と
同様であるため、本実施例においては図示及びその説明
を省略する。また、図3中、上記第1実施例と同一又は
対応する構成要素に関しては、同一の符号を付し、ここ
では重複した説明を省略する。図において、レチクルホ
ルダ18の底面付近にはアパーチャガラス30が配置さ
れ、上記第1実施例と同様に、レチクル12,レチクル
ホルダ18,アパーチャガラス30とによって第1密閉
空間32が形成されている。レチクル12の上部には、
隔壁54が設けられ、隔壁54の天井部分にはアパーチ
ャガラス56が設置されている。そして、レチクル12
の上面と、これら隔壁54及びアパーチャガラス56に
よって、第2密閉空間58が形成される。
FIG. 3 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the second embodiment of the present invention. Since the configuration of the projection exposure apparatus of this embodiment other than the periphery of the reticle stage is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, illustration and description thereof will be omitted in this embodiment. Further, in FIG. 3, the same or corresponding constituent elements as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and a duplicate description thereof will be omitted here. In the figure, an aperture glass 30 is arranged near the bottom surface of the reticle holder 18, and the reticle 12, the reticle holder 18, and the aperture glass 30 form a first closed space 32 as in the first embodiment. At the top of the reticle 12,
A partition wall 54 is provided, and an aperture glass 56 is installed on the ceiling portion of the partition wall 54. And reticle 12
A second closed space 58 is formed by the upper surface of the partition wall 54, the partition wall 54, and the aperture glass 56.

【0031】第1及び第2密閉空間32,58には、バ
キューム配管60が接続され、バキュームソース36に
よって第1及び第2密閉空間32,58の気圧を外気圧
より低く調整するようになっている。これによって、レ
チクル12をレチクルホルダ18に強く保持することが
できる。この場合、レチクル12の下側の第1密閉空間
32とレチクル12の上側の密閉空間58とをバキュー
ム配管60で互いに連結し、両密閉空間32,58の圧
力を同じにすることにより、レチクル12の上面と下面
にかかる圧力差によってレチクル12に変形が生じるこ
とを防止できる。
A vacuum pipe 60 is connected to the first and second closed spaces 32 and 58, and the vacuum source 36 adjusts the atmospheric pressure of the first and second closed spaces 32 and 58 to be lower than the atmospheric pressure. There is. As a result, the reticle 12 can be strongly held by the reticle holder 18. In this case, the first closed space 32 on the lower side of the reticle 12 and the closed space 58 on the upper side of the reticle 12 are connected to each other by a vacuum pipe 60, and the pressures of the closed spaces 32 and 58 are made equal to each other, so that the reticle 12 is closed. It is possible to prevent the reticle 12 from being deformed due to the pressure difference between the upper surface and the lower surface of the reticle 12.

【0032】本実施例においても、レチクル12の上下
の密閉空間32,58の気圧を外気圧より低く設定して
いるため、レチクル12のレチクルホルダ18に対する
吸着面を転写パターンが形成された領域を含む広い範囲
まで拡大することができる。すなわち、吸着面積Sをレ
チクル12の面積より一回り小さい面積にまで拡大した
のと等価と見ることができる。その結果、式(4)、式
(5)より、レチクル12移動時の加速度aを大きくす
ることが可能となる。
Also in this embodiment, since the atmospheric pressures of the upper and lower closed spaces 32 and 58 of the reticle 12 are set to be lower than the atmospheric pressure, the suction surface of the reticle 12 to the reticle holder 18 is set to the area where the transfer pattern is formed. It can be expanded to a wide range including. That is, it can be regarded as equivalent to expanding the suction area S to an area slightly smaller than the area of the reticle 12. As a result, it is possible to increase the acceleration a when the reticle 12 is moving, from the expressions (4) and (5).

【0033】図4は、本発明の第3実施例にかかる投影
露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示
す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ
周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と
同様であるため、本実施例においては図示及びその説明
を省略する。また、図4中、上記第1及び第2実施例と
同一又は対応する構成要素に関しては、同一の符号を付
し、ここでは重複した説明を省略する。図において、レ
チクル12が載置されるレチクルホルダ62の上面に
は、吸着用の穴(図示せず)が形成されており、バキュ
ーム配管64を介してバキュームソース66によって、
レチクル12を真空吸着で固定するようになっている。
FIG. 4 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the third embodiment of the present invention. Since the configuration of the projection exposure apparatus of this embodiment other than the periphery of the reticle stage is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, illustration and description thereof will be omitted in this embodiment. Further, in FIG. 4, the same or corresponding constituent elements as those of the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and a duplicate description thereof will be omitted here. In the figure, a suction hole (not shown) is formed on the upper surface of the reticle holder 62 on which the reticle 12 is placed, and a vacuum source 66 is provided via a vacuum pipe 64 to
The reticle 12 is fixed by vacuum suction.

【0034】また、レチクルホルダ62の底面にはアパ
ーチャガラス30が配置され、上記第1及び第2実施例
と同様に、レチクル12,レチクルホルダ62,アパー
チャガラス30とによって第1密閉空間67が形成され
ている。レチクル12の上部には、隔壁68が設けら
れ、隔壁68の天井部分にはアパーチャガラス70が設
置されている。そして、レチクル12の上面と、これら
隔壁68及びアパーチャガラス70によって、第2密閉
空間72が形成される。第2密閉空間72は、エア配管
74及びレギュレータ76を介してコンプレッサ78に
接続されている。そして、コンプレッサ78によって、
レチクル12の上下の第1及び第2密閉空間67,72
の圧力を大気圧よりも高く設定する。これにより、レチ
クル12がレチクルホルダ62に対して押し付けられる
ような状態になり、レチクル12のレチクルホルダ62
に対する保持力が強くなる。この場合、レギュレータ7
6を用いて、レチクル12の上下の第1及び第2密閉空
間67,72の圧力をコントロールすることにより、そ
の保持力をコントロールすることができる。例えば、レ
チクル12の上側の第2密閉空間72内の気圧を下側の
第1密閉空間67内の気圧より若干大きく設定する。
Further, the aperture glass 30 is arranged on the bottom surface of the reticle holder 62, and the reticle 12, the reticle holder 62 and the aperture glass 30 form a first closed space 67 as in the first and second embodiments. Has been done. A partition 68 is provided above the reticle 12, and an aperture glass 70 is installed on the ceiling of the partition 68. Then, the upper surface of the reticle 12, the partition wall 68 and the aperture glass 70 form a second closed space 72. The second closed space 72 is connected to the compressor 78 via an air pipe 74 and a regulator 76. Then, by the compressor 78,
First and second closed spaces 67, 72 above and below the reticle 12.
The pressure of is set higher than the atmospheric pressure. As a result, the reticle 12 is pressed against the reticle holder 62, and the reticle holder 62 of the reticle 12 is pressed.
The holding power for becomes stronger. In this case, regulator 7
6, the holding force of the reticle 12 can be controlled by controlling the pressure in the first and second closed spaces 67, 72 above and below the reticle 12. For example, the atmospheric pressure in the second closed space 72 on the upper side of the reticle 12 is set to be slightly larger than the atmospheric pressure in the first closed space 67 on the lower side.

【0035】本実施例においては、レチクル12の上下
の密閉空間67,72の気圧を外気圧より高く設定する
とともに、レチクル12とレチクルステージ62との接
触面をバキューム吸着することにより、圧力差(Po−
Pv)を大きくすることができ。その結果、式(4)、
式(5)より、レチクル12移動時の加速度aを大きく
することが可能となる。
In the present embodiment, the pressure difference between the closed spaces 67 and 72 above and below the reticle 12 is set to be higher than the atmospheric pressure, and the contact surface between the reticle 12 and the reticle stage 62 is vacuum-adsorbed. Po-
Pv) can be increased. As a result, equation (4),
From the equation (5), it is possible to increase the acceleration a when the reticle 12 moves.

【0036】図5は、本発明の第4実施例にかかる投影
露光装置のレチクルステージ(20)周辺の構造を示
す。なお、本実施例の投影露光装置のレチクルステージ
周辺以外の構成については、図1に示した第1実施例と
同様であるため、本実施例においては重複する図示及び
その説明を省略する。また、図5中、上記第1,第2及
び第3実施例と同一又は対応する構成要素に関しては、
同一の符号を付すものとする。図において、レチクル1
2が載置されるレチクルホルダ80の両側には、電磁石
82a,82bが固定配置されている。電磁石82a,
82bの側部には、それぞれ支持ブロック84a,84
bが設置されている。
FIG. 5 shows the structure around the reticle stage (20) of the projection exposure apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. Since the configuration of the projection exposure apparatus of this embodiment other than the periphery of the reticle stage is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1, duplicated illustration and description thereof will be omitted in this embodiment. Further, in FIG. 5, regarding the same or corresponding components as those of the first, second and third embodiments,
The same symbols shall be attached. In the figure, reticle 1
Electromagnets 82a and 82b are fixedly arranged on both sides of the reticle holder 80 on which the 2 is placed. Electromagnet 82a,
The support blocks 84a and 84 are provided on the side portions of 82b, respectively.
b is installed.

【0037】支持ブロック84a,84bには、ヒンジ
86a,86bを介してレチクル押さえ部材88a,8
8bがそれぞれ取り付けられ、レチクル押え部材88
a,88bの下面には、それぞれ永久磁石90a,90
bが取り付けてある。電磁石82a,82bには、磁力
発生用の電流供給部92a,92bがそれぞれ接続され
ている。そして、電流制御部94の制御により、電流供
給部92a,92bより電磁石82a,82bに電流が
供給されると、電磁石82a,82bの上部に磁界が発
生するようになっている。
Reticle holding members 88a, 8b are attached to the support blocks 84a, 84b via hinges 86a, 86b.
8b are attached to each of the reticle pressing members 88.
The lower surfaces of a and 88b respectively have permanent magnets 90a and 90b.
b is attached. Current supply units 92a and 92b for generating magnetic force are connected to the electromagnets 82a and 82b, respectively. When current is supplied to the electromagnets 82a and 82b from the current supply units 92a and 92b under the control of the current control unit 94, a magnetic field is generated above the electromagnets 82a and 82b.

【0038】上記のような実施例において、電流制御部
94は、レチクル12の交換時においては、電磁石82
a,82bに対して、永久磁石90a,90bと反発し
合うような方向の磁力が発生するように、電流供給部9
2a,92bを制御する。そして、電磁石82a,82
bと永久磁石90a,90bの反発力によって、レチク
ル押え部材88a,88bが上方に退避する。レチクル
押さえ部材88a,88bが開放(退避)している状態
で、レチクル12をレチクルホルダ80上に載置した後
は、電流制御部94により、電磁石82a,82bに対
して、永久磁石90a,90bと引き合うような方向の
磁力が発生するように、電流供給部92a,92bを制
御する。そして、レチクル押え部材88a,88bが電
磁石82a,82bと永久磁石90a,90bの吸引力
により、レチクル12をレチクルホルダ80に対して押
し付ける。これによって、レチクル12がレチクルホル
ダ80に対して固定される。この場合、電磁石82a,
82bに流す電流値を調整することにより、レチクル1
2の保持力をコントロールすることができる。また、電
磁石82a,82bと永久磁石90a,90bとの間隔
を小さくすれば、少ない電流値で大きな保持力が得られ
る。
In the embodiment as described above, the current controller 94 controls the electromagnet 82 when the reticle 12 is replaced.
In order to generate a magnetic force in a direction in which the permanent magnets 90a and 90b repel each other with respect to a and 82b, the current supply unit 9
2a and 92b are controlled. Then, the electromagnets 82a, 82
The reticle pressing members 88a and 88b retreat upward due to the repulsive force of b and the permanent magnets 90a and 90b. After the reticle 12 is placed on the reticle holder 80 in a state where the reticle pressing members 88a and 88b are opened (retracted), the current control unit 94 causes the permanent magnets 90a and 90b with respect to the electromagnets 82a and 82b. The current supply units 92a and 92b are controlled so that a magnetic force in a direction that attracts Then, the reticle pressing members 88a and 88b press the reticle 12 against the reticle holder 80 by the attraction force of the electromagnets 82a and 82b and the permanent magnets 90a and 90b. As a result, the reticle 12 is fixed to the reticle holder 80. In this case, the electromagnets 82a,
The reticle 1 is adjusted by adjusting the value of the current flowing through 82b.
The holding power of 2 can be controlled. Further, if the distance between the electromagnets 82a, 82b and the permanent magnets 90a, 90b is made small, a large holding force can be obtained with a small current value.

【0039】本実施例においては、磁力によりレチクル
12をレチクルホルダ80に押し付けることにより垂直
抗力をNを大きくすることができ、式(4)より、レチ
クル移動時の加速度aを大きくすることが可能となる。
In this embodiment, the normal force N can be increased by pressing the reticle 12 against the reticle holder 80 by the magnetic force, and the acceleration a when the reticle is moved can be increased from the equation (4). Becomes

【0040】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments and does not deviate from the gist of the technical idea of the present invention shown in the claims. Various changes can be made within the range.

【0041】[0041]

【発明の効果】本出願の第1の発明によれば、マスク
(12)とマスク保持部材(18)との間に密閉空間
(32,58,67,72)を形成し、その密閉空間
(32,58,67,72)の気圧を調整することによ
って、マスク(12)を保持部材(18)に対して固定
しているため、マスク(12)を高加速度で駆動した場
合にも位置ずれを生じることが無い。また、本出願の第
2の発明においても、磁力によってマスク(12)をマ
スク保持部材(80)に対して固定しているため、マス
ク(12)をマスク保持部材(80)に対して強く固定
することができ、マスク(12)を高加速度で駆動した
場合にも位置ずれを生じることが無い。
According to the first invention of the present application, a closed space (32, 58, 67, 72) is formed between the mask (12) and the mask holding member (18), and the closed space ( Since the mask (12) is fixed to the holding member (18) by adjusting the atmospheric pressure of (32, 58, 67, 72), even when the mask (12) is driven at high acceleration, the positional deviation occurs. Does not occur. Also in the second invention of the present application, since the mask (12) is fixed to the mask holding member (80) by the magnetic force, the mask (12) is strongly fixed to the mask holding member (80). Therefore, even when the mask (12) is driven at high acceleration, there is no displacement.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明の第1実施例にかかる投影露光
装置の構成を示す概念図(正面図)である。
FIG. 1 is a conceptual diagram (front view) showing a configuration of a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図2は、第1実施例の要部であるレチクルステ
ージ周辺の構成を示す一部断面による正面図である。
FIG. 2 is a partial cross-sectional front view showing the configuration around a reticle stage, which is an essential part of the first embodiment.

【図3】図3は、本発明の第2実施例の要部であるレチ
クルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図で
ある。
FIG. 3 is a partial cross-sectional front view showing the configuration around a reticle stage, which is an essential part of a second embodiment of the present invention.

【図4】図4は、本発明の第3実施例の要部であるレチ
クルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図で
ある。
FIG. 4 is a partial cross-sectional front view showing the configuration around a reticle stage, which is an essential part of a third embodiment of the present invention.

【図5】図5は、本発明の第4実施例の要部であるレチ
クルステージ周辺の構成を示す一部断面による正面図で
ある。
FIG. 5 is a partial cross-sectional front view showing the configuration around a reticle stage, which is an essential part of a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12・・・レチクル 14・・・投影光学系 16・・・ウエハ 18,62,80・・・レチクルホルダ 20・・・レチクルステージ 30,56,70・・・アパーチャガラス 32・・・密閉空間 34,64・・・バキューム配管 36,66・・・バキュームソース 38・・・制御部 40・・・レンズコントローラ 54,68・・・隔壁 56・・・アパーチャガラス 58・・・第2密閉空間 60・・・バキューム配管 67・・・第1密閉空間 72・・・第2密閉空間 74・・・エア配管 76・・・レギュレータ 78・・・コンプレッサ 82a,82b・・・電磁石 84a,84b・・・ブロック 86a,86b・・・ヒンジ 88a,88b・・・レチクル押さえ部材 90a,90b・・・永久磁石 92a,92b・・・電流供給部 94・・・電流制御部 12 ... Reticle 14 ... Projection optical system 16 ... Wafer 18, 62, 80 ... Reticle holder 20 ... Reticle stage 30, 56, 70 ... Aperture glass 32 ... Closed space 34 , 64 ... Vacuum piping 36, 66 ... Vacuum source 38 ... Control unit 40 ... Lens controller 54, 68 ... Partition wall 56 ... Aperture glass 58 ... Second sealed space 60 ... ..Vacuum piping 67 ... first sealed space 72 ... second sealed space 74 ... air piping 76 ... regulator 78 ... compressor 82a, 82b ... electromagnet 84a, 84b ... block 86a, 86b ... Hinge 88a, 88b ... Reticle holding member 90a, 90b ... Permanent magnet 92a, 92b ... Current supply Section 94 ... Current control section

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】マスクに形成されたパターンの像を投影光
学系を介して感光基板上に転写露光する露光装置におい
て、 前記マスクが載置されたマスク保持部材と;前記マスク
と前記マスク保持部材との間に密閉空間を形成する密閉
手段と;前記マスクが前記保持部材に対して固定される
ように、前記密閉空間の気圧を調整する気圧調整手段と
を備えたことを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus that transfers and exposes an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system; a mask holding member on which the mask is placed; the mask and the mask holding member. And an air-tightness adjusting unit that adjusts the air pressure in the hermetically sealed space so that the mask is fixed to the holding member. .
【請求項2】前記密閉空間は、前記マスクの下面と前記
マスク保持部材との間に形成され、 前記気圧調整手段は、前記密閉空間の気圧を当該空間の
外部の気圧より低くすることを特徴とする請求項1に記
載の露光装置。
2. The closed space is formed between the lower surface of the mask and the mask holding member, and the atmospheric pressure adjusting means makes the atmospheric pressure of the closed space lower than the atmospheric pressure outside the space. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項3】前記密閉空間は、前記マスクの下面と前記
マスク保持部材との間に形成された第1空間及び、前記
マスクの上面と前記マスク保持部材との間に形成された
第2空間とから成り、 前記気圧調整手段は、前記第1及び第2空間の気圧を当
該空間の外部の気圧より低くすることを特徴とする請求
項1に記載の露光装置。
3. The closed space is a first space formed between the lower surface of the mask and the mask holding member, and a second space formed between the upper surface of the mask and the mask holding member. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the atmospheric pressure adjusting unit sets the atmospheric pressure of the first and second spaces lower than the atmospheric pressure outside the spaces.
【請求項4】前記気圧調整手段は、前記第1空間と前記
第2空間との気圧を互いに等しくすることを特徴とする
請求項3に記載の露光装置。
4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the atmospheric pressure adjusting means makes the atmospheric pressures of the first space and the second space equal to each other.
【請求項5】前記密閉空間は、前記マスクの上面と前記
マスク保持部材との間に形成され、 前記気圧調整手段は、前記密閉空間の気圧を当該空間の
外部の気圧より高くすることを特徴とする請求項1に記
載の露光装置。
5. The closed space is formed between an upper surface of the mask and the mask holding member, and the atmospheric pressure adjusting means makes the atmospheric pressure of the closed space higher than the atmospheric pressure outside the space. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項6】前記マスクを前記保持部材に対して真空吸
着する吸着手段を更に備えることを特徴とする請求項
1,2,3又は4に記載の露光装置。、
6. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising suction means for vacuum-sucking the mask to the holding member. ,
【請求項7】前記気圧調整手段による前記密閉空間と当
該空間の外部との圧力差によって生じる前記マスクの撓
みに起因する前記パターンの投影像の結像誤差を補正す
べく前記投影光学系を調整する調整手段を更に備えたこ
とを特徴とする請求項1,2,3,4又は5に記載の露
光装置。
7. The projection optical system is adjusted to correct an image forming error of a projected image of the pattern caused by a bending of the mask caused by a pressure difference between the closed space and the outside of the closed space by the atmospheric pressure adjusting means. 6. The exposure apparatus according to claim 1, further comprising: an adjusting unit that adjusts.
【請求項8】マスクに形成されたパターンの像を投影光
学系を介して感光基板上に転写露光する露光装置におい
て、 前記マスクが載置されたマスク保持部材と;磁力によっ
て前記マスクを前記マスク保持部材に対して固定する固
定手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
8. An exposure apparatus for transferring and exposing an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system, comprising: a mask holding member on which the mask is mounted; An exposure apparatus comprising: fixing means for fixing to a holding member.
【請求項9】前記固定手段は、前記マスクに対して接
触、離脱可能に設けられた押圧部材と;前記マスク保持
部材に固定された電磁石と;前記押圧部材に固定され、
前記電磁石に対向して配置される永久磁石と;前記マス
クの前記マスク保持部材に対する固定及びその解除を行
うように、前記電磁石の磁性を制御する制御手段とを備
えたことを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
9. The fixing means comprises: a pressing member provided so as to be in contact with and removable from the mask; an electromagnet fixed to the mask holding member; and fixed to the pressing member,
A permanent magnet arranged to face said electromagnet; and a control means for controlling magnetism of said electromagnet so as to fix and release said mask to said mask holding member. 8. The exposure apparatus according to item 8.
【請求項10】前記マスクと前記感光基板とを同期して
相対移動することによって、前記マスクのパターンの像
を前記感光基板上に転写露光するように構成されている
ことを特徴とする請求項1,2,3,4,5,6,7、
8又は9に記載の露光装置。
10. A structure in which the image of the pattern of the mask is transferred and exposed on the photosensitive substrate by synchronously moving the mask and the photosensitive substrate relative to each other. 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
The exposure apparatus according to 8 or 9.
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