JPH09252043A - Positioning method - Google Patents

Positioning method

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JPH09252043A
JPH09252043A JP5789396A JP5789396A JPH09252043A JP H09252043 A JPH09252043 A JP H09252043A JP 5789396 A JP5789396 A JP 5789396A JP 5789396 A JP5789396 A JP 5789396A JP H09252043 A JPH09252043 A JP H09252043A
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JP
Japan
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wafer
photosensitive substrate
alignment
stage
virtual
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JP5789396A
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Japanese (ja)
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Yoshiki Kida
佳己 木田
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Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new pre-alignment method which carries out alignment in a non-contact manner and is interchangeable with a conventional pre- alignment method where pins are used. SOLUTION: A wafer W1 is placed on the center-up of a wafer stage, the image of the periphery of the wafer 1 is picked up in observation visual fields 50a, 51a, and 52a and measured, and the position and posture of the wafer W1 placed on the center-up are obtained from the measurement result. Thereafter, the center-up is driven to rotate the wafer W1 to make a pre-alignment of it so as to make the position and posture of the wafer W1 equal to a pre- alignment result obtained by a conventional pre-alignment method where pre- alignment is carried out by making pins P1 , P2 , and P3 bear against the wafer W1 . Thereafter, the center-up is made to descend to place the wafer W1 in a substrate holder, and the wafer W1 is fixed by vacuum suction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやガ
ラスプレート等の感光基板を基板ステージ上に位置決め
する方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for positioning a photosensitive substrate such as a semiconductor wafer or a glass plate on a substrate stage.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子を製造するた
めにステッパー等の投影露光装置が用いられている。投
影露光装置においては、レジスト等の感光剤が塗布され
たレチクル又はフォトマスク(以下、レチクルという)
上に形成されたパターンをウエハ又はガラスプレート等
の感光基板(以下、ウエハという)の所定の領域に高い
精度で転写するために、レチクルとウエハを高精度に位
置合わせ(アライメント)する必要がある。
2. Description of the Related Art A projection exposure apparatus such as a stepper is used for manufacturing semiconductor elements and liquid crystal display elements. In a projection exposure apparatus, a reticle or photomask coated with a photosensitive agent such as resist (hereinafter referred to as reticle)
In order to transfer the pattern formed above onto a predetermined area of a photosensitive substrate (hereinafter referred to as a wafer) such as a wafer or a glass plate with high accuracy, it is necessary to align the reticle and the wafer with high accuracy. .

【0003】そのため、この種の投影露光装置には、ウ
エハ上に形成されたアライメントマークを光電的に検出
してレチクルとウエハとの位置合わせを行う、ファイン
アライメント光学系が組み込まれている。このファイン
アライメントの方式としては、レーザ光をウエハ上のド
ット列状のアライメントマークに照射し、そのマークに
より回折又は散乱された光を用いてマーク位置を検出す
るLSA(Laser StepAligmnent)方式、ハロゲンラン
プ等を光源とする波長帯域幅の広い光で照明して撮像し
たアライメントマークの画像データを画像処理して計測
するFIA(Field Image Alignment)方式、あるいは
ウエハ上の回折格子状のアライメントマークに周波数を
僅かに変えたレーザ光を2方向から照射し、発生した2
つの回折光を干渉させ、その位相からアライメントマー
クの位置を計測するLIA(Laser Interferometric Al
ingnment)方式等がある。また、アライメント方式は、
投影光学系を介してウエハの位置を計測するTTL(Th
rough the Lens)方式、投影光学系及びレチクルを介し
てレチクルとウエハとの位置関係を計測するTTR(Th
rough The Leticle)方式及び投影光学系を介すること
なく直接ウエハの位置を計測するオフ・アクシス方式に
大別される。
Therefore, this type of projection exposure apparatus incorporates a fine alignment optical system for photoelectrically detecting an alignment mark formed on the wafer to align the reticle and the wafer. As the fine alignment method, an LSA (Laser Step Aligmnent) method in which a laser beam is applied to an alignment mark in a dot array on a wafer and the mark position is detected using light diffracted or scattered by the mark, a halogen lamp FIA (Field Image Alignment) method of image processing and measuring the image data of the alignment mark imaged by illuminating with light having a wide wavelength band such as a light source, or the frequency is set to the diffraction grating alignment mark on the wafer. 2 generated by irradiating slightly changed laser light from 2 directions
LIA (Laser Interferometric Alf) that measures the position of the alignment mark from the phase by interfering two diffracted lights
ingnment) method. Also, the alignment method is
TTL (Thr that measures the position of the wafer through the projection optical system
rough the lens) method, a projection optical system and a reticle are used to measure the positional relationship between the reticle and the wafer.
rough the leticle) method and the off-axis method that directly measures the position of the wafer without going through the projection optical system.

【0004】ファインアライメント光学系によると、ウ
エハステージ上に載置されたウエハの少なくとも2点の
位置検出を行うことにより、並進方向及び回転方向の位
置を極めて高精度に検出することができる。しかし、こ
のファインアライメント光学系は、アライメントマーク
を照射するスポット光の投射範囲が狭いため、そのスポ
ット光の投射光軸近傍にアライメントマークがないとき
は、ウエハを大きく移動して広い領域をサーチしなけれ
ばならず、アライメントマークのサーチに多くの時間を
要する。このサーチ時間を短縮するためには、ウエハが
ウエハステージ上に載置されたときにウエハのアライメ
ントマークがファインアライメント光学系の視野内にな
ければならない。そのため、ウエハの搬送路中に回転テ
ーブルを備えるプリアライメント装置を設け、このプリ
アライメント装置によってウエハ搬送装置に対して回転
方向を含むウエハの位置規制を行い、ウエハステージ上
にピンを備えるプリアライメント機構を設け、ウエハを
ウエハステージ上に載置したときにピンにウエハを接触
させてプリアライメントを行っている。
According to the fine alignment optical system, by detecting the positions of at least two points of the wafer placed on the wafer stage, the positions in the translational direction and the rotational direction can be detected with extremely high accuracy. However, since this fine alignment optical system has a narrow projection range of the spot light that illuminates the alignment mark, when there is no alignment mark near the projection optical axis of the spot light, the wafer is moved greatly to search a wide area. Therefore, it takes a lot of time to search the alignment mark. In order to reduce the search time, the alignment mark of the wafer must be within the field of view of the fine alignment optical system when the wafer is placed on the wafer stage. Therefore, a pre-alignment device having a rotary table is provided in the wafer transfer path, the position of the wafer including the rotation direction is regulated with respect to the wafer transfer device by the pre-alignment device, and a pre-alignment mechanism having pins on the wafer stage is provided. Is provided, and when the wafer is placed on the wafer stage, the wafer is brought into contact with the pins for pre-alignment.

【0005】図15は、外周の一部に直線状の切り欠き
部すなわちオリエンテーションフラット部が設けられた
ウエハに対する従来のプリアライメント機構の説明図で
ある。ウエハステージST上には所定の位置関係で3本
の固定ピン91,92,93と1本の移動ピン94が設
けられている。移動ピン94は、矢印で示す1次元方向
に移動可能になっている。
FIG. 15 is an explanatory view of a conventional pre-alignment mechanism for a wafer having a linear notch, that is, an orientation flat, on a part of the outer circumference. On the wafer stage ST, three fixed pins 91, 92, 93 and one moving pin 94 are provided in a predetermined positional relationship. The moving pin 94 is movable in the one-dimensional direction indicated by the arrow.

【0006】オリエンテーションフラット部FPを有す
るウエハW1は、そのFP部分が2本の固定ピン91,
92の近傍に位置し、円周部分が残りの1本の固定ピン
93の近傍に位置するようにして、図示しないウエハ搬
送機構によりウエハステージSTのウエハホルダWH上
に載置される。続いて、移動ピン94によって斜め方向
からウエハW1を3本の固定ピン91,92,93に押
し付けることで、ウエハW1はウエハステージST上に
一義的に位置づけられ、プリアライメントされる。プリ
アライメント後、ウエハW1はウエハホルダWHに真空
吸着されて固定される。
The wafer W1 having the orientation flat portion FP has a fixing pin 91 having two FP portions.
The wafer is placed on the wafer holder WH of the wafer stage ST by a wafer transfer mechanism (not shown) so that it is located in the vicinity of 92 and its circumferential portion is located in the vicinity of the remaining one fixing pin 93. Subsequently, the wafer W1 is uniquely positioned on the wafer stage ST and pre-aligned by pressing the wafer W1 against the three fixed pins 91, 92, 93 in an oblique direction by the moving pin 94. After the pre-alignment, the wafer W1 is vacuum sucked and fixed to the wafer holder WH.

【0007】図16は、外周の一部にV字形の切り欠き
部すなわちノッチ部が設けられたノッチウエハに対する
従来のプリアライメント機構の説明図である。ウエハス
テージST上には所定の位置関係で2本の固定ピン9
6,97と、固定ピン96,97に対して矢印で示すよ
うに1次元方向に移動可能な1本の移動ピン98が設け
られている。
FIG. 16 is an explanatory view of a conventional pre-alignment mechanism for a notch wafer in which a V-shaped notch, that is, a notch is provided on a part of the outer circumference. Two fixing pins 9 are arranged on the wafer stage ST in a predetermined positional relationship.
6 and 97, and one movable pin 98 that is movable in one-dimensional direction with respect to the fixed pins 96 and 97 as shown by arrows.

【0008】ノッチウエハW2は、そのノッチ部NPが
移動ピン98の近傍に位置し、NP部分の反対側の円周
部分が固定ピン96,97の近傍に位置するように、図
示しないウエハ搬送機構によりウエハステージST上に
載置される。続いて、移動ピン98をウエハW2のNP
部分に噛み合わせ、他の2本の固定ピン96,97の方
に押し付けることで、ウエハW2はウエハステージST
上に一義的に位置づけられて、プリアライメントされ
る。プリアライメント後、ウエハW2はウエハホルダW
Hに真空吸着されて固定される。
The notch wafer W2 is moved by a wafer transfer mechanism (not shown) so that the notch portion NP is located near the moving pin 98 and the circumferential portion on the opposite side of the NP portion is located near the fixing pins 96 and 97. It is placed on the wafer stage ST. Subsequently, the moving pin 98 is set to the NP of the wafer W2.
The wafer W2 is moved to the wafer stage ST by engaging with the portion and pressing it toward the other two fixing pins 96 and 97.
It is uniquely positioned on top and pre-aligned. After pre-alignment, the wafer W2 is placed on the wafer holder W.
It is vacuum-adsorbed to H and fixed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来のプリアライメン
ト機構は、上述のようにウエハをウエハステージのウエ
ハホルダに載置した状態で、その外周部分をステージ上
に設けた固定ピン及び移動ピンに機械的に接触させてプ
リアライメントを行っていた。しかし、ウエハとピンが
機械的に接触することで、ウエハ上に塗布されているレ
ジストの一部が剥離して微細な粒子となって飛散する。
飛散した微細な粒子はウエハ表面やレチクルに付着し、
ウエハ上へのパターン形成の妨げとなってデバイス製造
の歩留まりを低下させる原因となっていた。したがっ
て、プリアライメント操作によってウエハから微細な粒
子を飛散させないためにはプリアライメントを非接触で
行うことが望ましい。
In the conventional pre-alignment mechanism, with the wafer placed on the wafer holder of the wafer stage as described above, the outer peripheral portion of the pre-alignment mechanism is mechanically attached to the fixed pin and the movable pin provided on the stage. The pre-alignment was carried out by contacting with. However, the mechanical contact between the wafer and the pins causes a part of the resist applied on the wafer to peel off and become fine particles and scatter.
The scattered fine particles adhere to the wafer surface and reticle,
This has hindered the pattern formation on the wafer, and has been a cause of lowering the device manufacturing yield. Therefore, in order to prevent fine particles from being scattered from the wafer by the prealignment operation, it is desirable to perform the prealignment without contact.

【0010】ところで、ウエハの半径には±0.1mm
程度の製造誤差がある。従来の接触ピンを用いるプリア
ライメント機構によると、このような形状に個体差があ
るウエハであってもウエハステージ上に各ウエハ毎に一
義的に位置決めして、プリアライメントされる。
By the way, the radius of the wafer is ± 0.1 mm.
There is some manufacturing error. According to the conventional pre-alignment mechanism using contact pins, even wafers having such individual differences in shape are uniquely positioned and pre-aligned for each wafer on the wafer stage.

【0011】新しい非接触式のプリアライメント機構を
開発する場合、その新しい機構を搭載した投影露光装置
は従来の接触ピンによるプリアライメント機構を搭載し
た投影露光装置と混在して用いられる可能性が多分にあ
ることを考慮すると、非接触の新方式のプリアライメン
ト機構は接触ピンを用いる従来のプリアライメント機構
と互換性を有し、両者によって同等のプリアライメント
結果が得られることが望ましい。
When developing a new non-contact type pre-alignment mechanism, there is a possibility that the projection exposure apparatus equipped with the new mechanism will be used together with the projection exposure apparatus equipped with the conventional pre-alignment mechanism using contact pins. In consideration of the above, it is desirable that the new non-contact type pre-alignment mechanism is compatible with the conventional pre-alignment mechanism using the contact pin, and both can obtain the same pre-alignment result.

【0012】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、非接触で行うことができ、かつ従来のピン
を用いたプリアライメント方法と互換性を有する新規な
プリアライメント方法を提供することを目的とするもの
である。
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a novel prealignment method that can be performed in a non-contact manner and is compatible with a conventional prealignment method using a pin. The purpose is to do.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、ウエハやガラスプレート等の感光基板
が基板ステージ(ウエハステージ)のセンターアップ上
に載置されている状態で、感光基板の外周部を撮像して
画像計測し、画像計測の結果から、センターアップ上に
載置されている感光基板の位置及び姿勢を求める。その
後、感光基板の位置及び姿勢が従来のピンを押し当てて
行うプリアライメント方法によるプリアライメント結果
と同じになるように、センターアップを駆動して感光基
板を動かしプリアライメントを行う。その後にセンター
アップを下降させて、感光基板を基板ホルダに載置し、
真空吸着して固定する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a photosensitive substrate such as a wafer or a glass plate is placed on the center-up of a substrate stage (wafer stage). An image of the outer peripheral portion of the substrate is picked up and an image is measured, and the position and orientation of the photosensitive substrate placed on the center-up is obtained from the result of the image measurement. Then, the center-up is driven to move the photosensitive substrate to perform pre-alignment so that the position and orientation of the photosensitive substrate are the same as the pre-alignment result obtained by the pre-alignment method performed by pressing the conventional pins. After that, lower the center up and place the photosensitive substrate on the substrate holder.
Vacuum adsorption and fixation.

【0014】すなわち、本発明は、2次元方向に移動可
能な基板ステージ上に実質的に円形で外周の一部に直線
状切り欠き部(オリエンテーションフラット部)を有す
る感光基板を位置決めするための位置決め方法におい
て、感光基板を基板ステージの上方の所定の受け渡し点
(センターアップ)に搬送し、受け渡し点において感光
基板の外周部を撮像し、所定の相対位置関係にある3本
の仮想ピンのうち2本の仮想ピンがオリエンテーション
フラット部に接触し残りの1本の仮想ピンが円形部分に
接触して感光基板の外周部に同時に接触するとしたとき
の3本の仮想ピンの第1の位置を求める工程と、第1の
位置を基板ステージ上に設定された3本の仮想ピンの第
2の位置に一致させるために必要な回転角及び並進位置
ずれ量を求める工程と、求められた回転角だけ感光基板
を回転させる工程とを含むことを特徴とするものであ
る。
That is, according to the present invention, the positioning for positioning the photosensitive substrate having a substantially circular shape and a linear notch (orientation flat) on a part of the outer circumference on the substrate stage movable in the two-dimensional direction. In the method, the photosensitive substrate is conveyed to a predetermined transfer point (center-up) above the substrate stage, the outer peripheral portion of the photosensitive substrate is imaged at the transfer point, and two of the three virtual pins in a predetermined relative positional relationship are taken. A first position of the three virtual pins when the virtual pins of the book contact the orientation flat portion and the remaining one virtual pin contacts the circular portion and simultaneously contacts the outer peripheral portion of the photosensitive substrate. And a step of obtaining a rotation angle and a translational displacement amount necessary to match the first position with the second position of the three virtual pins set on the substrate stage. And it is characterized in that it comprises a step of rotating only the rotation angle photosensitive substrate obtained.

【0015】この第1の方法における3本の仮想ピン
は、従来のプリアライメント機構における3本の固定ピ
ンに相当し、3本の仮想ピンの相対位置関係は、従来の
プリアライメント機構で用いられている3本の固定ピン
の相対位置関係と同一である。また、基板ステージ上に
設定された3本の仮想ピンの第2の位置は、従来のプリ
アライメント機構における基板ステージ上の3本の固定
ピンの位置と同一である。換言すると、この第1の方法
は、センターアップ上に載置された感光基板に対して3
本の固定ピンがその相対位置関係を保ったまま感光基板
の定められた部分に密着できる位置(第1の位置)を画
像計測で求め、その第1の位置と本来の固定ピンの位置
である第2の位置との間の位置関係から、プリアライメ
ントに必要な感光基板の回転角と並進量を求めるもので
ある。この第1の方法による感光基板のプリアライメン
トが、従来のピンを用いるプリアライメントと同等の結
果をもたらすことは明らかである。
The three virtual pins in the first method correspond to the three fixed pins in the conventional prealignment mechanism, and the relative positional relationship of the three virtual pins is used in the conventional prealignment mechanism. It is the same as the relative positional relationship of the three fixing pins. The second positions of the three virtual pins set on the substrate stage are the same as the positions of the three fixed pins on the substrate stage in the conventional pre-alignment mechanism. In other words, this first method is 3 for the photosensitive substrate placed on the center-up.
The position (first position) at which the fixed pin of the book can be brought into close contact with a predetermined portion of the photosensitive substrate while maintaining its relative positional relationship is obtained by image measurement, and is the first position and the position of the original fixed pin. From the positional relationship between the second position and the second position, the rotation angle and the translation amount of the photosensitive substrate necessary for prealignment are obtained. It is clear that the pre-alignment of the photosensitive substrate according to this first method gives the same result as the pre-alignment using the conventional pin.

【0016】また、本発明は、2次元方向に移動可能な
基板ステージ上に実質的に円形で外周の一部に直線状切
り欠き部(オリエンテーションフラット部)を有する感
光基板を位置決めするための位置決め方法において、感
光基板を基板ステージの上方の所定の受け渡し点(セン
ターアップ)に搬送し、受け渡し点において感光基板の
外周部を撮像し、オリエンテーションフラット部の方向
に基づいて感光基板の回転角を求める工程と、オリエン
テーションフラット部に平行でオリエンテーションフラ
ット部から所定距離だけ離れた直線と感光基板の外周と
の2つの交点のうちの一方の交点の位置を求め、その交
点の位置及びオリエンテーションフラット部の方向に基
づいて感光基板の並進位置ずれ量を求める工程と、求め
られた回転角だけ感光基板を回転させる工程とを含むこ
とを特徴とするものである。
Further, according to the present invention, a positioning for positioning a substantially circular photosensitive substrate having a linear notch (orientation flat portion) on a part of its outer periphery on a substrate stage movable in a two-dimensional direction. In the method, the photosensitive substrate is conveyed to a predetermined transfer point (center-up) above the substrate stage, the outer peripheral portion of the photosensitive substrate is imaged at the transfer point, and the rotation angle of the photosensitive substrate is obtained based on the orientation flat portion direction. The process and the position of one of the two intersections of the straight line parallel to the orientation flat portion and separated from the orientation flat portion by a predetermined distance and the outer periphery of the photosensitive substrate are obtained, and the position of the intersection point and the direction of the orientation flat portion Step of obtaining the translational displacement of the photosensitive substrate based on It is characterized in that comprising the step of rotating the optical substrate.

【0017】この第2の方法では、まず画像計測でオリ
エンテーションフラット部の方向を求める。続いて、従
来のプリアライメント機構における3本の固定ピンと同
じ相対位置関係にある上述の3本の仮想ピンが、その相
対位置関係を保ったままセンターアッップ上に載置され
ている感光基板の定められた部分に密着したとして、円
周部分に接する仮想ピンの座標を求める。そして、オリ
エンテーションフラット部の方向からプリアライメント
に必要な感光基板の回転角を求め、また感光基板の回転
角と円周部分に接する仮想ピンの座標からプリアライメ
ントに必要な感光基板の並進移動量を求める。この第2
の方法による感光基板のプリアライメントが、従来のピ
ンを用いるプリアライメントと同等の結果をもたらすこ
とは明らかである。
In the second method, the direction of the orientation flat portion is first obtained by measuring the image. Subsequently, the above-mentioned three virtual pins having the same relative positional relationship as the three fixed pins in the conventional pre-alignment mechanism are set on the center substrate while maintaining the relative positional relationship. Assuming that the virtual pin is in close contact with the given portion, the coordinates of the virtual pin that contacts the circumferential portion are obtained. Then, the rotation angle of the photosensitive substrate required for pre-alignment is obtained from the direction of the orientation flat portion, and the translation amount of the photosensitive substrate required for pre-alignment is calculated from the rotation angle of the photosensitive substrate and the coordinates of the virtual pin in contact with the circumferential portion. Ask. This second
It is clear that the pre-alignment of the photosensitive substrate by the method described in (1) gives the same result as the pre-alignment using the conventional pin.

【0018】また、本発明は、2次元方向に移動可能な
基板ステージ上に実質的に円形で外周の一部にV字形の
切り欠き部(ノッチ部)を有する感光基板を位置決めす
るための位置決め方法において、感光基板を基板ステー
ジの上方の所定の受け渡し点(センターアップ)に搬送
し、受け渡し点において感光基板の外周部を撮像し、ノ
ッチ部の位置を求める工程と、所定間隔の2本の仮想ピ
ンとその2本の仮想ピンに対して定められた1次元方向
に移動可能な1本の仮想可動ピンが、仮想可動ピンをノ
ッチ部に位置させ残りの2本の仮想ピンを円形部分に接
触させて感光基板の外周部に同時に接触するとしたとき
の3本の仮想ピンの位置を求める工程と、前記3本の仮
想ピンの位置から感光基板の回転角及び並進位置ずれ量
を求める工程と、求められた回転角だけ感光基板を回転
させる工程とを含むことを特徴とするものである。
Further, according to the present invention, a positioning for positioning a substantially circular photosensitive substrate having a V-shaped notch portion (notch portion) at a part of its outer periphery on a substrate stage movable in a two-dimensional direction. In the method, the photosensitive substrate is conveyed to a predetermined transfer point (center-up) above the substrate stage, the outer peripheral portion of the photosensitive substrate is imaged at the transfer point, and the position of the notch is determined, and two steps at predetermined intervals are performed. The virtual pin and one virtual movable pin that can move in the one-dimensional direction defined with respect to the two virtual pins position the virtual movable pin in the notch and contact the remaining two virtual pins with the circular portion. And a step of obtaining the positions of the three virtual pins when simultaneously contacting the outer peripheral portion of the photosensitive substrate, and a step of obtaining the rotation angle and the translational position deviation amount of the photosensitive substrate from the positions of the three virtual pins. It is characterized in that comprises a step of rotating only the photosensitive substrate rotation angle because obtained.

【0019】この第3の方法は、ノッチ部を有する感光
基板のプリアライメント方法に関する。所定間隔の2本
の仮想ピンと1本の仮想可動ピンは、従来のプリアライ
メント機構における2本の固定ピンと1本の移動ピンに
それぞれ相当する。2本の仮想ピンの間隔は、従来のプ
リアライメント機構で用いられている2本の固定ピンの
間の間隔と同一であり、2本の仮想ピンに対する1本の
仮想可動ピンの関係は従来のプリアライメント機構にお
ける2本の固定ピンに対する移動ピンの関係と同一であ
る。つまり、この第3の方法は、センターアップ上に載
置された感光基板に対して2本の固定ピンと1本の移動
ピンが、従来のプリアライメント機構におけるピン同士
の関係を保ちながら感光基板の定められた部分に密着で
きる位置を画像計測で求め、その位置情報に基づいてプ
リアライメントに必要な感光基板の回転角と並進量を求
めるものである。この第3の方法による感光基板のプリ
アライメントが、従来のピンを用いるプリアライメント
と同等の結果をもたらすことは明らかである。
The third method relates to a pre-alignment method for a photosensitive substrate having a notch portion. The two virtual pins and the one virtual movable pin at predetermined intervals correspond to the two fixed pins and one moving pin in the conventional pre-alignment mechanism, respectively. The distance between the two virtual pins is the same as the distance between the two fixed pins used in the conventional pre-alignment mechanism, and the relationship between the one virtual movable pin and the two virtual pins is the same as in the conventional case. This is the same as the relationship between the movable pin and the two fixed pins in the pre-alignment mechanism. That is, in the third method, the two fixed pins and the one moving pin with respect to the photosensitive substrate placed on the center-up position of the photosensitive substrate while maintaining the relationship between the pins in the conventional pre-alignment mechanism. The position at which a predetermined portion can be brought into close contact is obtained by image measurement, and the rotation angle and translation amount of the photosensitive substrate necessary for prealignment are obtained based on the position information. It is clear that the pre-alignment of the photosensitive substrate according to the third method provides the same result as the pre-alignment using the conventional pin.

【0020】前記第1、第2、第3のいずれの方法にお
いても、プリアライメントに必要な感光基板の回転は、
センターアップを回転駆動することで行うことができ
る。また、並進位置ずれ量は基板ステージの2次元方向
移動のオフセットとすることでプリアライメントを行う
ことができる。
In any of the first, second, and third methods, the rotation of the photosensitive substrate required for prealignment is
This can be done by rotating the center up. In addition, pre-alignment can be performed by setting the translational position shift amount as an offset for the two-dimensional movement of the substrate stage.

【0021】本発明によると、感光基板を基板ステージ
の基板ホルダに精度良く載せるプリアライメントを非接
触に行うことができる。そのため、従来問題となってい
たような、感光基板のレジスト等がピンに接触して剥離
することによる微細な粒子の発生を防ぐことができる。
また、従来のピンを用いるプリアライメント機構との互
換性を保つことができる。
According to the present invention, the pre-alignment for placing the photosensitive substrate on the substrate holder of the substrate stage with high precision can be performed in a non-contact manner. Therefore, it is possible to prevent the generation of fine particles due to the resist or the like of the photosensitive substrate coming into contact with the pins and peeling, which has been a problem in the past.
Moreover, compatibility with the conventional pre-alignment mechanism using pins can be maintained.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明による投影露光装
置の一例の概略構成を示す図である。水銀灯やエキシマ
レーザ等からなる光源、フライアイレンズ、コンデンサ
レンズ等を含む照明系IAからの照明光ILのもとで、
レチクル1上のパターンが投影光学系3を介して例えば
1/4もしくは1/5に縮小されて、フォトレジストが
塗布されたウエハ6の各ショット領域に投影露光され
る。図1において、投影光学系3の光軸AXに平行にZ
軸をとり、Z軸に垂直な平面内で図1の紙面に平行にX
軸を、図1の紙面に垂直にY軸をとる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a projection exposure apparatus according to the present invention. Under illumination light IL from an illumination system IA including a light source including a mercury lamp, an excimer laser, a fly-eye lens, a condenser lens, and the like,
The pattern on the reticle 1 is reduced to, for example, 1/4 or 1/5 via the projection optical system 3 and projected onto each shot area of the wafer 6 coated with the photoresist. In FIG. 1, Z is parallel to the optical axis AX of the projection optical system 3.
Take the axis and in the plane perpendicular to the Z-axis, parallel to the plane of the paper in Fig. 1, X
The axis is taken as the Y axis perpendicular to the plane of FIG.

【0023】レチクル1は、レチクル架台31上に載置
されたレチクルステージ32上に保持されている。レチ
クルステージ32は、図示しないレチクル駆動系により
XY平面内での並進移動及びθ方向(回転方向)への回
転ができるように構成されている。レチクルステージ3
2の上端部にはX方向、Y方向ともに移動鏡33が設置
されており、移動鏡33とレチクル架台31上に固定さ
れたレーザ干渉計34とによってレチクルステージ32
のX方向及びY方向の位置が例えば0.01μm程度の
分解能で常時検出され、同時にレチクルステージ32の
回転角も検出されている。レーザ干渉計34の測定値は
ステージ制御系16に送られ、ステージ制御系16はそ
の情報に基づいてレチクル架台31上のレチクル駆動系
を制御する。また、ステージ制御系16から中央制御系
18にレーザ干渉計34の測定値の情報が供給されてお
り、中央制御系18はその情報に基づいてステージ制御
系16を制御する構成となっている。
The reticle 1 is held on a reticle stage 32 mounted on a reticle stand 31. The reticle stage 32 is configured to be capable of translational movement in the XY plane and rotation in the θ direction (rotational direction) by a reticle drive system (not shown). Reticle stage 3
A moving mirror 33 is installed at the upper end of 2 in both the X and Y directions. The moving mirror 33 and a laser interferometer 34 fixed on the reticle mount 31 cause the reticle stage 32 to move.
The positions in the X and Y directions are always detected with a resolution of, for example, about 0.01 μm, and at the same time, the rotation angle of the reticle stage 32 is also detected. The measurement value of the laser interferometer 34 is sent to the stage control system 16, and the stage control system 16 controls the reticle drive system on the reticle mount 31 based on the information. The stage control system 16 supplies information on the measurement value of the laser interferometer 34 to the central control system 18, and the central control system 18 controls the stage control system 16 based on the information.

【0024】一方、ウエハ6は、Xステージ11上の試
料台29に固定されたウエハホルダ30上に真空吸着さ
れて保持されている。試料台29はウエハ6の、投影光
学系3の光軸AX方向(Z方向)の位置及びチルト(傾
き)を補正するZチルト駆動部(本例では3個のそれぞ
れZ方向に移動される部材よりなる)10に支持され、
Zチルト駆動部10はXステージ11上に固定されてい
る。また、Xステージ11はYステージ12上に載置さ
れ、Yステージ12はウエハベース14上に載置され、
それぞれ図示しないウエハステージ駆動系を介してX方
向及びY方向に移動できるようになっている。また、試
料台29の上端部にはL字型の移動鏡13が固定され、
この移動鏡13と移動鏡13に対向して配置されたレー
ザ干渉計17とにより試料台29のX方向及びY方向の
座標及び回転角が検出される。
On the other hand, the wafer 6 is vacuum-sucked and held on a wafer holder 30 fixed to a sample table 29 on the X stage 11. The sample table 29 is a Z tilt drive unit (three members that are moved in the Z direction in this example) for correcting the position and tilt of the wafer 6 in the optical axis AX direction (Z direction) of the projection optical system 3. Supported by 10),
The Z tilt drive unit 10 is fixed on the X stage 11. The X stage 11 is placed on the Y stage 12, and the Y stage 12 is placed on the wafer base 14.
Each of them can be moved in the X and Y directions via a wafer stage drive system (not shown). An L-shaped movable mirror 13 is fixed to the upper end of the sample table 29,
Coordinates and rotation angles of the sample table 29 in the X and Y directions are detected by the movable mirror 13 and the laser interferometer 17 arranged so as to face the movable mirror 13.

【0025】レーザ干渉計17の測定値はステージ制御
系16に送られ、ステージ制御系16はその情報に基づ
いてウエハステージ駆動系を制御する。また、ステージ
制御系16から中央制御系18にレーザ干渉計17の測
定値の情報が供給されており、中央制御系18はその情
報に基づいてステージ制御系16を制御する構成となっ
ている。ウエハステージの近傍にはウエハ6を受け渡し
するためのウエハ搬送装置39(図2参照)が配置さ
れ、後述するようにウエハステージ内にはウエハの受け
渡し機構が備えられている。
The measurement value of the laser interferometer 17 is sent to the stage control system 16, and the stage control system 16 controls the wafer stage drive system based on the information. Further, information on the measurement values of the laser interferometer 17 is supplied from the stage control system 16 to the central control system 18, and the central control system 18 controls the stage control system 16 based on the information. A wafer transfer device 39 (see FIG. 2) for transferring the wafer 6 is arranged near the wafer stage, and a wafer transfer mechanism is provided in the wafer stage as described later.

【0026】この投影露光装置には、レチクル1とウエ
ハ6との位置合わせを行うための例えばTTL方式のア
ライメントセンサ4及びオフアクシス方式の2つのアラ
イメントセンサ5a,5bが備えられている。アライメ
ント時には、これらのアライメントセンサ4,5a,5
bの何れかによりウエハ6上に形成されたアライメント
マークの位置又は所定のパターンの位置を検出し、その
検出結果に基づいて、常時ウエハ6の各ショット領域に
前工程で形成されたパターンとレチクル上のパターンと
を正確に位置合わせする。これらのアライメントセンサ
4,5a,5bからの検出信号はアライメント制御系1
5によって処理され、アライメント制御系15は中央制
御系18により制御されている。また、試料台29上
に、ウエハ6の表面と同じ高さの表面を有する基準マー
ク部材43が固定され、基準マーク部材43の表面には
アライメントの基準となるマークが形成されている。
This projection exposure apparatus is provided with, for example, a TTL alignment sensor 4 and two off-axis alignment sensors 5a and 5b for aligning the reticle 1 and the wafer 6. At the time of alignment, these alignment sensors 4, 5a, 5
The position of the alignment mark or the position of a predetermined pattern formed on the wafer 6 is detected by either of the steps b), and the pattern and the reticle formed in the previous process are constantly formed in each shot area of the wafer 6 based on the detection result. Align it exactly with the pattern above. The detection signals from these alignment sensors 4, 5a, 5b are the alignment control system 1
5, the alignment control system 15 is controlled by the central control system 18. A reference mark member 43 having the same height as the surface of the wafer 6 is fixed on the sample table 29, and a mark serving as a reference for alignment is formed on the surface of the reference mark member 43.

【0027】以上のように、ステージ制御系16及びア
ライメント制御系15は中央制御系18により制御さ
れ、中央制御系18が投影露光装置の全体を統括的に制
御して、一定のシーケンスで露光動作が行われる構成と
なっている。
As described above, the stage control system 16 and the alignment control system 15 are controlled by the central control system 18, and the central control system 18 comprehensively controls the entire projection exposure apparatus to perform the exposure operation in a fixed sequence. Is performed.

【0028】投影光学系3のウエハ側の端部付近には、
3個のオフ・アクシス方式の2次元の画像処理装置5
0,51,52が配置されている。これらの画像処理装
置50,51,52は、それぞれウエハが後述のように
ウエハホルダ30の上方のローディングポジション(受
け渡し位置)に搬送されたときに、ウエハの外周部分の
エッジ部の像を撮像するものである。画像処理装置5
0,51,52からの撮像信号はアライメント制御系1
5に供給される。アライメント制御系15では、供給さ
れた撮像信号から、その受け渡し位置にあるウエハの横
ずれ誤差及び回転誤差を算出する。画像処理装置50,
51,52の配置及び誤差の算出方法については後述す
る。
Near the wafer-side end of the projection optical system 3,
Three off-axis two-dimensional image processing devices 5
0, 51, 52 are arranged. These image processing devices 50, 51 and 52 respectively capture an image of the edge portion of the outer peripheral portion of the wafer when the wafer is carried to the loading position (delivery position) above the wafer holder 30 as described later. Is. Image processing device 5
The image pickup signals from 0, 51 and 52 are the alignment control system 1
5 is supplied. The alignment control system 15 calculates the lateral deviation error and the rotation error of the wafer at the transfer position from the supplied image pickup signal. Image processing device 50,
The arrangement of 51 and 52 and the method of calculating the error will be described later.

【0029】次に、ウエハ搬送系及びウエハステージ上
のウエハ受け渡し機構について図2を参照して説明す
る。なお、ウエハステージとは、ウエハホルダ30、試
料台29、Zチルト駆動部10、Xステージ11、Yス
テージ12及びウエハベース14を総称するものであ
る。
Next, the wafer transfer system and the wafer transfer mechanism on the wafer stage will be described with reference to FIG. The wafer stage is a general term for the wafer holder 30, the sample table 29, the Z tilt drive unit 10, the X stage 11, the Y stage 12, and the wafer base 14.

【0030】図2(a)はウエハ搬送系及びウエハステ
ージ周辺の構成の平面図、図2(b)はその側面図であ
る。図2(a)及び図2(b)において、ウエハステー
ジの−X方向の上方には、ウエハを受け渡しするための
ウエハ搬送装置39が配置されている。ウエハ搬送装置
39は、X方向に直列に並んだウエハアーム21,2
2、それらのウエハアーム21,22を所定の位置まで
スライドさせるスライダー23、及びウエハアーム2
1,22を駆動する図示しないアーム駆動系から構成さ
れている。また、スライダー23は露光装置本体とは独
立に設置されており、スライダー23の駆動時の振動が
露光装置本体側に伝わらないようになっている。2つの
ウエハアーム21,22はともにU字型の平板部を有
し、それらの上表面にウエハが載置されるようになって
いる。これらの2つのウエハアーム21,22により露
光後のウエハをアンロード(搬出)すると同時に、次の
ウエハをロードできるようになっている。
FIG. 2A is a plan view of the structure around the wafer transfer system and the wafer stage, and FIG. 2B is a side view thereof. In FIGS. 2A and 2B, a wafer transfer device 39 for transferring the wafer is arranged above the wafer stage in the −X direction. The wafer transfer device 39 includes the wafer arms 21 and 2 arranged in series in the X direction.
2, a slider 23 for sliding the wafer arms 21 and 22 to a predetermined position, and the wafer arm 2
It is composed of an arm drive system (not shown) that drives the motors 1 and 22. Further, the slider 23 is installed independently of the exposure apparatus main body, so that vibration when the slider 23 is driven is not transmitted to the exposure apparatus main body side. Each of the two wafer arms 21 and 22 has a U-shaped flat plate portion, and the wafer is placed on the upper surface thereof. With these two wafer arms 21 and 22, a wafer after exposure can be unloaded (carried out), and at the same time, the next wafer can be loaded.

【0031】すなわち、ウエハアーム21,22は、ロ
ーダ制御装置24からの指令に基づき、スライダ23に
沿って、ウエハがウエハステージ系に受け渡されるロー
ディングポジションまで移動し、ウエハアーム22によ
り露光済みのウエハ6aを搬出する。その後、ウエハア
ーム21により次に露光されるウエハ6をウエハステー
ジ上に移動し、センターアップ38上に載置する。図2
(b)は、スライダー23上のウエハアーム22に露光
済みのウエハ6aが載置され、ウエハアーム21からセ
ンターアップ38の先端部にウエハ6が渡された状態を
示している。
That is, the wafer arms 21 and 22 are moved along the slider 23 to the loading position where the wafer is transferred to the wafer stage system based on a command from the loader controller 24, and the wafer 6 exposed by the wafer arm 22 is exposed. Carry out. After that, the wafer 6 to be exposed next is moved to the wafer stage by the wafer arm 21 and placed on the center-up 38. FIG.
(B) shows a state in which the exposed wafer 6 a is placed on the wafer arm 22 on the slider 23 and the wafer 6 is transferred from the wafer arm 21 to the tip of the center-up 38.

【0032】センターアップ38は、Xステージ11上
に設けられた伸縮機構35に支持され、試料台29及び
ウエハホルダ30の開口に遊嵌する3本のスピンドル部
38a〜38cを有し、伸縮機構35の上下方向(Z方
向)への移動により3本のスピンドル部38a〜38c
がウエハを上下させてウエハの受け渡しが行われる。3
本のスピンドル部38a〜38cの先端にはそれぞれ真
空吸着用の吸着孔が設けられており、それらの先端はウ
エハ受け渡し時にはウエハアーム21,22との間で受
け渡しのできる高さまで移動し、ウエハをウエハホルダ
30上に載置する際にはウエハホルダ30の表面より低
い位置まで移動する。また、スピンドル部38a〜38
cの先端を真空吸引することにより、センターアップ3
8を上下させるときにウエハがずれないようになってい
る。
The center-up 38 is supported by a telescopic mechanism 35 provided on the X stage 11, has three spindle portions 38a to 38c which are loosely fitted in the openings of the sample table 29 and the wafer holder 30, and the telescopic mechanism 35. Of the three spindles 38a to 38c by moving the vertical direction (Z direction) of the
Moves the wafer up and down to transfer the wafer. 3
Vacuum suction holes are provided at the tips of the spindles 38a to 38c of the book, and these tips move to a height at which they can be delivered to and from the wafer arms 21 and 22 when the wafer is delivered to the wafer holder. When the wafer holder 30 is placed on the wafer 30, the wafer holder 30 is moved to a position lower than the surface of the wafer holder 30. Further, the spindle parts 38a to 38
Center up 3 by vacuuming the tip of c
The wafer is prevented from shifting when 8 is moved up and down.

【0033】伸縮機構35は、その中心軸35zを中心
としてXY平面上で回転自在に支持され、Xステージ1
1上に設けられた回転駆動系36により回転する駆動軸
37と係合して、回転駆動系36を制御する中央制御系
18からの指令により所望の角度まで回転できるように
なっている。この回転制御系36、駆動軸37及び伸縮
機構35からなる回転系は十分な角度設定分解能を持っ
ており、例えば20μradの精度でウエハ6を回転さ
せることができる。
The extension / contraction mechanism 35 is rotatably supported on the XY plane about the central axis 35z of the X stage 1.
The rotary drive system 36 provided on the drive shaft 1 engages with the drive shaft 37 that rotates and can be rotated to a desired angle by a command from the central control system 18 that controls the rotary drive system 36. The rotation system including the rotation control system 36, the drive shaft 37, and the expansion / contraction mechanism 35 has a sufficient angle setting resolution, and can rotate the wafer 6 with an accuracy of 20 μrad, for example.

【0034】図3を用いて、ウエハ搬送系におけるウエ
ハの姿勢制御について説明する。図3(a)は、ウエハ
搬送系中に設けられたターンテーブル60を示す。図2
に示したウエハアーム21は、このターンテーブル60
上のウエハ6をウエハステージのセンターアップ38に
渡す。ターンテーブル60の近傍には、スリット状の光
ビーム63をウエハ6の外周部に照射する投光部61a
と、ウエハ6の外周部を通過した光ビームを受光して光
電変換する受光部61bとを含む偏心センサ61が配置
され、受光部61bからの検出信号S1は中央制御系1
8に供給されている。ターンテーブル60がウエハ6を
吸着保持した状態で回転すると、ウエハ6の偏心及び切
り欠き部(オリエンテーションフラット部又はノッチ
部)の存在によって偏心センサ61内を通過するウエハ
6の幅が変化し、受光部61bで受光される光ビーム6
3の光量が変化する。
The attitude control of the wafer in the wafer transfer system will be described with reference to FIG. FIG. 3A shows a turntable 60 provided in the wafer transfer system. FIG.
The wafer arm 21 shown in FIG.
The upper wafer 6 is transferred to the center-up 38 of the wafer stage. In the vicinity of the turntable 60, a light projecting portion 61 a for irradiating the outer peripheral portion of the wafer 6 with a slit-shaped light beam 63.
And an eccentric sensor 61 including a light receiving portion 61b that receives and photoelectrically converts the light beam that has passed through the outer peripheral portion of the wafer 6, and the detection signal S1 from the light receiving portion 61b is transmitted by the central control system 1.
8. When the turntable 60 is rotated while sucking and holding the wafer 6, the width of the wafer 6 passing through the eccentricity sensor 61 changes due to the eccentricity of the wafer 6 and the presence of the notch portion (orientation flat portion or notch portion). Light beam 6 received by the part 61b
The light quantity of 3 changes.

【0035】図3(b)は、受光部61bから出力され
る検出信号S1を示す。検出信号S1は、ターンテーブ
ル60の回転角φに対して、正弦波状で、切り欠き部に
対応する部分62で高レベルとなるように変化する。中
央制御系18では、この検出信号S1及びターンテーブ
ル60の回転角φより、偏心センサ61の中心に切り欠
き部が位置しているときの回転角φ0、及びウエハ6の
偏心量を求め、切り欠き部が所定の方向になるようにし
てターンテーブル60を静止させる。また、中央制御系
18は、その偏心量の情報に基づいて、ウエハ6をロー
ディングポジションで受け取るときのウエハ用の試料台
29の位置を調整する。
FIG. 3B shows the detection signal S1 output from the light receiving section 61b. The detection signal S1 is sinusoidal with respect to the rotation angle φ of the turntable 60, and changes so as to have a high level in the portion 62 corresponding to the cutout portion. The central control system 18 obtains the rotation angle φ 0 when the notch is located at the center of the eccentricity sensor 61 and the eccentricity amount of the wafer 6 from the detection signal S1 and the rotation angle φ of the turntable 60, The turntable 60 is stopped so that the cutout portion is oriented in a predetermined direction. Further, the central control system 18 adjusts the position of the wafer sample table 29 when the wafer 6 is received at the loading position, based on the eccentricity information.

【0036】次に、図4により画像処理装置50につい
て説明する。図4において、ランプ又は発光ダイオード
等の光源58から、ウエハ6に塗布されているフォトレ
ジストに対する感光性の弱い波長帯の照明光が、光ガイ
ド57の一端に集光される。そして、光ガイド57の他
端から射出された照明光が、コリメータレンズ56、ハ
ーフプリズム54及び対物レンズ53を介して、3本の
スピンドル部38a〜38cの先端上のローディングポ
ジションにあるウエハ6の外周のエッジ部に照射されて
いる。そのエッジ部からの反射光は、対物レンズ53、
ハーフプリズム54及び結像レンズ55を経て2次元C
CD等からなる撮像素子59に入射し、撮像素子59の
撮像面にウエハ6のエッジ部の像が形成される。
Next, the image processing apparatus 50 will be described with reference to FIG. In FIG. 4, illumination light in a wavelength band in which the photoresist coated on the wafer 6 is weakly sensitive is focused on one end of the light guide 57 from a light source 58 such as a lamp or a light emitting diode. Then, the illumination light emitted from the other end of the light guide 57 passes through the collimator lens 56, the half prism 54 and the objective lens 53, and the wafer 6 at the loading position on the tips of the three spindle portions 38a to 38c. Irradiation is applied to the outer edge portion. The reflected light from the edge portion is the objective lens 53,
Two-dimensional C through half prism 54 and imaging lens 55
The light enters the image pickup device 59 such as a CD, and an image of the edge portion of the wafer 6 is formed on the image pickup surface of the image pickup device 59.

【0037】ここでは、画像処理装置50についてのみ
説明したが、他の画像処理装置51,52も同様の構成
を有する。各撮像装置50,51,52からの撮像信号
はアライメント制御系15に供給され、アライメント制
御系15では、その撮像信号よりウエハ6の検出対象の
エッジ位置を求め、後述する演算処理を行ってプリアラ
イメントに必要なウエハの回転角及び並進移動量を計算
する。
Although only the image processing apparatus 50 has been described here, the other image processing apparatuses 51 and 52 have the same configuration. The image pickup signals from the respective image pickup devices 50, 51, 52 are supplied to the alignment control system 15, and the alignment control system 15 obtains the edge position of the detection target of the wafer 6 from the image pickup signal and performs the arithmetic processing described later to perform the preprocessing. The rotation angle and the translational movement amount of the wafer required for alignment are calculated.

【0038】図5は、画像処理装置の他の構成例を示す
図である。図5において、図示しないランプ又は発光ダ
イオード等の光源から発せられた、フォトレジストに対
する感光性の弱い波長帯の照明光が光ガイド72の一端
に集光される。光ガイド72の他端から射出された照明
光は、偏向ミラー73により折り曲げられ、試料台29
aの上面の開口部75を通して射出される。試料台29
a上に配置されたウエハホルダ30aには、その開口部
75を通過した照明光を通すための切り欠き部74が設
けてある。3本のスピンドル部38a〜38cの先端上
のローディングポジションにあるウエハ6の外周のエッ
ジ部には、開口部75及び切り欠き部74を通過した照
明光が照射される。そして、そのエッジ部の近傍を通過
した照明光は、対物レンズ53a、結像レンズ55aを
経て、2次元CCD等からなる撮像素子59の撮像面に
そのエッジ部の像を形成する。光源からの照明光を光ガ
イド72によって試料台29aの開口部75に導く代わ
りに、試料台29aの開口部75の位置に発光ダイオー
ド等の光源を直接配置してもよい。
FIG. 5 is a diagram showing another configuration example of the image processing apparatus. In FIG. 5, the illumination light emitted from a light source such as a lamp or a light emitting diode (not shown) in a wavelength band in which the photoresist has a weak sensitivity is focused on one end of the light guide 72. The illumination light emitted from the other end of the light guide 72 is bent by the deflection mirror 73, and the sample table 29
It is injected through the opening 75 on the upper surface of a. Sample table 29
The wafer holder 30a arranged on a is provided with a cutout portion 74 for passing the illumination light that has passed through the opening 75 thereof. Illumination light that has passed through the opening 75 and the cutout 74 is applied to the outer peripheral edge of the wafer 6 at the loading position on the tips of the three spindles 38a to 38c. Then, the illumination light passing near the edge portion passes through the objective lens 53a and the imaging lens 55a and forms an image of the edge portion on the image pickup surface of the image pickup device 59 such as a two-dimensional CCD. Instead of guiding the illumination light from the light source to the opening 75 of the sample table 29a by the light guide 72, a light source such as a light emitting diode may be directly arranged at the position of the opening 75 of the sample table 29a.

【0039】続いて、オリエンテーションフラット部を
有するウエハとノッチ部を有するウエハの各々につい
て、画像処理装置50,51,52による計測結果から
ウエハの回転角と並進位置ずれを求め、プリアライメン
トを行う処理手順について詳述する。
Subsequently, for each of the wafer having the orientation flat portion and the wafer having the notch portion, the rotation angle and the translational displacement of the wafer are obtained from the measurement results by the image processing devices 50, 51 and 52, and the pre-alignment processing is performed. The procedure will be described in detail.

【0040】〔処理手順1〕最初に、図6及び図7に示
したウエハの配置図と図8のフローチャートを用いて、
オリエンテーションフラット部(FP)を有するウエハ
W1をプリアライメントするための処理手順について説
明する。
[Processing Procedure 1] First, using the wafer layout diagrams shown in FIGS. 6 and 7 and the flow chart of FIG. 8,
A processing procedure for pre-aligning the wafer W1 having the orientation flat portion (FP) will be described.

【0041】図6は、図15に示した従来のプリアライ
メント機構の3本の固定ピン91,92,93の位置関
係を説明する図である。図示するように、ピン91及び
ピン92はウエハW1のオリエンテーションフラット部
FPに接点91a及び接点92aで接触し、ピン93は
ウエハW1の円周部分に接点93aで接触している。直
線SLは、点93aを通り、点91aと点92aを結ぶ
直線に平行な直線である。また、点CPは、点92aか
ら直線SLに向けて引いた垂線が直線SLと交わる点で
ある。このとき、点92aと点CPとの間の距離はa、
点93aと点CPの間の距離はb、点91aと点92a
の間の距離はcであるとする。これらの値a,b,c
は、ピン91,92,93の配置によって定まる設計値
である。
FIG. 6 is a view for explaining the positional relationship between the three fixing pins 91, 92, 93 of the conventional pre-alignment mechanism shown in FIG. As shown, the pins 91 and 92 are in contact with the orientation flat portion FP of the wafer W1 at contact points 91a and 92a, and the pin 93 is in contact with the circumferential portion of the wafer W1 at contact point 93a. The straight line SL is a straight line which passes through the point 93a and is parallel to the straight line connecting the points 91a and 92a. The point CP is a point where a perpendicular line drawn from the point 92a toward the straight line SL intersects with the straight line SL. At this time, the distance between the point 92a and the point CP is a,
The distance between the point 93a and the point CP is b, and the points 91a and 92a are
Let the distance between them be c. These values a, b, c
Is a design value determined by the arrangement of the pins 91, 92, 93.

【0042】図7は、図1に示した投影露光装置が備え
る3つの画像処理装置50,51,52によるウエハス
テージ上の観察視野50a,51a,52aとセンター
アップ38上に保持されたウエハW1の位置関係を示し
ている。図7に示すように、ウエハW1のFP部分の上
に画像処理装置50,51による2つの観察視野50
a,51aが設定され、ウエハW1の円周上に画像処理
装置52による残りの1個の観察視野52aが設定され
ている。観察視野50a,51a,52aの位置は予め
装置定数として定められている。
FIG. 7 shows the observation fields 50a, 51a, 52a on the wafer stage and the wafer W1 held on the center-up 38 by the three image processing devices 50, 51, 52 provided in the projection exposure apparatus shown in FIG. Shows the positional relationship of. As shown in FIG. 7, two observation visual fields 50 by the image processing devices 50 and 51 are provided on the FP portion of the wafer W1.
a and 51a are set, and the remaining one observation visual field 52a by the image processing device 52 is set on the circumference of the wafer W1. The positions of the observation fields of view 50a, 51a, 52a are predetermined as device constants.

【0043】図7において、P1,P2,P3は仮想ピン
を表す。これらの仮想ピンP1,P2,P3は、図6及び
図15に示した従来のプリアライメント機構の固定ピン
91,92,93と同一の位置関係を有するが、実際に
ウエハステージ上に存在するわけではない。
In FIG. 7, P 1 , P 2 and P 3 represent virtual pins. These virtual pins P 1 , P 2 , P 3 have the same positional relationship as the fixing pins 91, 92, 93 of the conventional pre-alignment mechanism shown in FIGS. 6 and 15, but actually they are on the wafer stage. It does not exist.

【0044】まず、ウエハW1のFP部分に観察視野を
有する画像処理装置によって、ウエハW1のFP部分を
表す直線の式を求める(S801)。これは、観察視野
50aを有する画像処理装置50による計測結果から求
めた下記〔数1〕の直線式と観察視野51aを有する画
像処理装置51による計測結果から求めた下記〔数2〕
の直線式を平均することで〔数3〕のように求められ
る。もちろん、〔数3〕の代わりに〔数1〕又は〔数
2〕を用いることもできる。
First, a straight line expression representing the FP portion of the wafer W1 is obtained by an image processing apparatus having an observation visual field in the FP portion of the wafer W1 (S801). This is obtained by the following [equation 2] obtained from the measurement result by the image processing device 51 having the observation visual field 51a and the linear equation of the following [equation 1] obtained from the measurement result by the image processing device 50 having the observation visual field 50a.
By averaging the linear equations of, it can be obtained as in [Equation 3]. Of course, it is possible to use [Equation 1] or [Equation 2] instead of [Equation 3].

【0045】[0045]

【数1】Y=A1X+B1 [Equation 1] Y = A 1 X + B 1

【0046】[0046]

【数2】Y=A2X+B2 [Formula 2] Y = A 2 X + B 2

【0047】[0047]

【数3】Y=AX+B A=(A1+A2)/2、B=(B1+B2)/2 次に、ウエハW1の円周部分に観察視野52aを有する
画像処理装置52による計測結果から、ウエハW1の円
周部分を表す円の式を次の〔数4〕のように求める(S
802)。
## EQU3 ## Y = AX + B A = (A 1 + A 2 ) / 2, B = (B 1 + B 2 ) / 2 Next, the measurement result by the image processing device 52 having the observation visual field 52a in the circumferential portion of the wafer W1. From the above, the formula of the circle representing the circumference of the wafer W1 is calculated as in the following [Equation 4] (S).
802).

【0048】[0048]

【数4】(X−X0)2+(Y−Y0)2=R0 2 続いて、〔数3〕で表される直線に平行でウエハW1の
中心に向かって距離aだけ離れた直線L3を〔数5〕の
ように求める(S803)。
Equation 4] (X-X 0) 2 + (Y-Y 0) 2 = R 0 2 followed by a distance a towards the center of the wafer W1 parallel to the line represented by Formula 3 The straight line L 3 is calculated as in [Equation 5] (S803).

【0049】[0049]

【数5】Y=AX+B+a(1+A2)1/2 次に、前記〔数4〕によって表されるウエハの円周部分
と前記〔数5〕によって表される直線L3との交点P
3(X3,Y3)を次式〔数6〕のように求める(S80
4)。
[Formula 5] Y = AX + B + a (1 + A 2 ) 1/2 Next, the intersection point P between the circumferential portion of the wafer represented by [Formula 4] and the straight line L 3 represented by [Formula 5].
3 (X 3 , Y 3 ) is calculated by the following equation (Equation 6) (S80
4).

【0050】[0050]

【数6】X3=[X0−AC+[(X0−AC)2−(1+A2)
(X0 2+C2−R0 2)]1/2]/(1+A2) Y3=AX3+B+a(1+A2)1/2 ただし、C=B+a(1+A2)1/2−Y0 次に、交点P3からの距離がbで直線L3上の点P4(X4,
4)と、点P4からの距離がcで直線L3上の点P5(X5,
5)を次式〔数7〕のように求める(S805)。
## EQU6 ## X 3 = [X 0 −AC + [(X 0 −AC) 2 − (1 + A 2 )
(X 0 2 + C 2 −R 0 2 )] 1/2 ] / (1 + A 2 ) Y 3 = AX 3 + B + a (1 + A 2 ) 1/2 However, C = B + a (1 + A 2 ) 1/2 −Y 0th order , the intersection point P distance from 3 points on the straight line L 3 in b P 4 (X 4,
Y 4) and the point P 5 on the straight line L 3 distance from the point P 4 is in c (X 5,
Y 5 ) is calculated by the following equation (Equation 7) (S805).

【0051】[0051]

【数7】X4=X3−b/(1+A) Y4=AX3−Ab/(1+A)+B+a(1+A2)1/25=X3−(b+c)/(1+A) Y5=AX3−A(b+c)/(1+A)+B+a(1+A2)
1/2 次に、P4を通り直線L3に垂直な直線L2とFP部分と
の交点P2(X2,Y2)と、P5を通り直線L3に垂直な直線
1とFP部分との交点P1(X1,Y1)を次式〔数8〕の
ように求める(S806)。
Equation 7] X 4 = X 3 -b / ( 1 + A) Y 4 = AX 3 -Ab / (1 + A) + B + a (1 + A 2) 1/2 X 5 = X 3 - (b + c) / (1 + A) Y 5 = AX 3 -A (b + c) / (1 + A) + B + a (1 + A 2)
1/2 Next, an intersection point P 2 (X 2 , Y 2 ) between the straight line L 2 passing through P 4 and perpendicular to the straight line L 3 and the FP portion, and a straight line L 1 passing through P 5 and perpendicular to the straight line L 3 The intersection point P 1 (X 1 , Y 1 ) with the FP portion is obtained by the following equation (Equation 8) (S806).

【0052】[0052]

【数8】X2=X4+aA/(1+A21/22=AX4+aA2/(1+A21/2+B X1=X5+aA/(1+A21/21=AX5+aA2/(1+A21/2+B こうして求められた座標P1(X1,Y1),P2(X2,Y2),
3(X3,Y3)は、従来のプリアライメント機構のピン9
1,92,93がウエハW1に接触する点の座標であ
る。続いて、ウエハホルダに対して点P1(X1,Y1),P
2(X2,Y2),P3(X3,Y3)の位置の回転角θと、ウエハ
の仮想中心の座標PC(XC,YC)を求める(S807)。
計測された仮想ピンの座標P1(X1,Y1),P2(X2,
2),P3(X3,Y3)と固定ピンの位置の座標P1'(x1,
1),P2'(x2,y2),P3'(x3,y3)の間には、次の
〔数9〕関係がある。
[Formula 8] X 2 = X 4 + aA / (1 + A 2 ) 1/2 Y 2 = AX 4 + aA 2 / (1 + A 2 ) 1/2 + B X 1 = X 5 + aA / (1 + A 2 ) 1/2 Y 1 = AX 5 + aA 2 / (1 + A 2 ) 1/2 + B The coordinates P 1 (X 1 , Y 1 ), P 2 (X 2 , Y 2 ), thus obtained,
P 3 (X 3 , Y 3 ) is the pin 9 of the conventional pre-alignment mechanism.
1, 92, and 93 are coordinates of points that contact the wafer W1. Then, points P 1 (X 1 , Y 1 ), P
The rotation angle θ at the positions of 2 (X 2 , Y 2 ), P 3 (X 3 , Y 3 ) and the coordinates P C (X C , Y C ) of the virtual center of the wafer are obtained (S807).
Coordinates P 1 (X 1 , Y 1 ), P 2 (X 2 ,
Y 2 ), P 3 (X 3 , Y 3 ), and the coordinates of the position of the fixed pin P 1 '(x 1 ,
y 1 ), P 2 ′ (x 2 , y 2 ), and P 3 ′ (x 3 , y 3 ) have the following [Equation 9] relationship.

【0053】[0053]

【数9】xj=Xjcosθ−Yjsinθ+XCj=Xjsinθ+Yjcosθ+YC (j=1,2,3) 前記式〔数9〕で求めた回転角θ及びウエハW1の仮想
中心の座標位置PC(XC,YC)に基づいてウエハW1のプ
リアライメント、すなわちウエハW1の回転と位置補正
を行う。ウエハW1の回転方向のプリアライメントは、
回転制御系36、駆動軸37及び伸縮機構35からなる
回転系によってウエハステージのセンターアップ38を
−θだけ回転駆動して行う(S808)。
X j = X j cos θ−Y j sin θ + X C y j = X j sin θ + Y j cos θ + Y C (j = 1,2,3) The rotation angle θ calculated by the above formula [Formula 9] and the imaginary wafer W1 Prealignment of the wafer W1, that is, rotation and position correction of the wafer W1 is performed based on the coordinate position P C (X C , Y C ) of the center. The pre-alignment of the wafer W1 in the rotation direction is
The rotation system including the rotation control system 36, the drive shaft 37, and the expansion / contraction mechanism 35 rotationally drives the center-up 38 of the wafer stage by -θ (S808).

【0054】また、並進方向のプリアライメントは、
X,Yステージの位置にずれの分だけオフセットをのせ
ることによって行う。すなわち、ウエハの回転後の仮想
中心の位置PC'(XC',YC')は、プリアライメント座標
系でのセンターアップ回転中心の座標を(X0,Y0)とし
て、次の〔数10〕のようになるため、この(XC',
C')の値をX,Y方向のオフセットとして用いる(S
809)。
The pre-alignment in the translational direction is
This is done by offsetting the positions of the X and Y stages by the amount of the shift. That is, the position P C ′ (X C ′, Y C ′) of the virtual center after the rotation of the wafer is defined as the following [X 0 , Y 0 ) with the coordinates of the center up rotation center in the pre-alignment coordinate system as Since it becomes like (Equation 10), this (X C ',
The value of Y C ') is used as an offset in the X and Y directions (S
809).

【0055】[0055]

【数10】 XC'=(XC−X0)cosθ+(YC−Y0)sinθ+X0C'=−(XC−X0)sinθ+(YC−Y0)cosθ+Y0 X C '= (X C −X 0 ) cos θ + (Y C −Y 0 ) sin θ + X 0 Y C ′ = − (X C −X 0 ) sin θ + (Y C −Y 0 ) cos θ + Y 0

【0056】〔処理手順2〕次に、図9に示したウエハ
の配置図及び図10のフローチャートを用いて、オリエ
ンテーションフラット(FP)部を有するウエハW1を
プリアライメントするための処理手順の他の例について
説明する。
[Processing Procedure 2] Next, another processing procedure for pre-aligning the wafer W1 having the orientation flat (FP) portion will be described with reference to the wafer layout shown in FIG. 9 and the flowchart in FIG. An example will be described.

【0057】図9において、実線で描かれたウエハW1
はウエハステージのセンターアップ上に保持されている
プリアライメント前のウエハを表し、仮想線で描かれて
いるウエハは従来のピンを用いたプリアライメント機構
でプリアライメントされた状態のウエハを表す。固定ピ
ン91,92,93及び仮想ピンP1,P2,P3の位置
関係は、図6及び図7で説明したのと同様である。この
例では、ウエハW1はプリアライメント状態から角度θ
だけ回転し、ウエハの仮想中心がX方向にXCだけ位置
ずれし、Y方向にYCだけ位置ずれした座標PC(XC,
C)に位置してセンターアップ上に保持されている。
In FIG. 9, the wafer W1 drawn by a solid line
Represents a wafer before pre-alignment held on the center-up of the wafer stage, and a wafer drawn by an imaginary line represents a wafer that has been pre-aligned by a conventional pre-alignment mechanism using pins. The positional relationship between the fixed pins 91, 92, 93 and the virtual pins P 1 , P 2 , P 3 is the same as that described with reference to FIGS. 6 and 7. In this example, the wafer W1 has an angle θ from the pre-alignment state.
Only rotated, virtual center of the wafer misaligned by X C X direction, the coordinate misaligned only Y C in the Y direction P C (X C,
Y C ) and is held on the center up.

【0058】まず、初期値としてウエハの回転角θ=
0、ウエハの仮想中心の位置としてXC=0、YC=0を
設定し、カウンタをn=1に設定する(S1001)。
次に、カウンタnに1を加算した後(S1002)、仮
想ピンP1,P2がオリエンテーションフラット部FPと
接触する点P1(X1,Y1),P2(X2,Y2)を次式〔数1
1〕から求める(S1003)。ただし、〔数11〕に
おいて、2d0=c、h=aとした。
First, as an initial value, the wafer rotation angle θ =
0, X C = 0 and Y C = 0 are set as the position of the virtual center of the wafer, and the counter is set to n = 1 (S1001).
Next, after adding 1 to the counter n (S1002), the points P 1 (X 1 , Y 1 ) and P 2 (X 2 , Y 2 ) at which the virtual pins P 1 and P 2 contact the orientation flat portion FP. Is expressed by the following formula
1] is obtained (S1003). However, in [Equation 11], 2d 0 = c and h = a.

【0059】[0059]

【数11】X1=−d0cosθ+hsinθ+XC1=−d0sinθ−hcosθ+YC2=d0cosθ+hsinθ+XC2=d0sinθ−hcosθ+YC 次に、点P1を通りY軸からθ傾いた直線L1と、点P2
を通りY軸からθ傾いた直線L2を次式〔数12〕から
求める(S1004)。
X 1 = −d 0 cos θ + h sin θ + X C Y 1 = −d 0 sin θ−h cos θ + Y C X 2 = d 0 cos θ + h sin θ + X C Y 2 = d 0 sin θ−h cos θ + Y C Next, from the Y axis through the point P 1 , θ Inclined straight line L 1 and point P 2
A straight line L 2 that passes through and is inclined by θ from the Y axis is obtained from the following equation (Equation 12) (S1004).

【0060】[0060]

【数12】直線L1:(X−X1)=−tanθ(Y−Y1) 直線L2:(X−X2)=−tanθ(Y−Y2) 次に、観察視野50a及び51aにより、直線L1とF
P部分との交点P1(X1,Y1)及び直線L2とFP部分と
の交点P2(X2,Y2)を画像処理で求め(S1005)、
画像処理で求めた交点P1及びP2の座標に基づいてθ値
を次式〔数13〕で修正する(S1006)。
## EQU12 ## Line L 1 : (X-X 1 ) =-tan θ (Y-Y 1 ) Line L 2 : (X-X 2 ) =-tan θ (Y-Y 2 ) Next, the observation visual fields 50a and 51a. By the straight lines L 1 and F
An intersection P 1 (X 1 , Y 1 ) with the P portion and an intersection P 2 (X 2 , Y 2 ) with the straight line L 2 and the FP portion are obtained by image processing (S1005),
Based on the coordinates of the intersection points P 1 and P 2 obtained by the image processing, the θ value is corrected by the following equation (Equation 13) (S1006).

【0061】[0061]

【数13】θ=tan-1[(Y2−Y1)/(X2−X1)] 次に、直線P12に平行で距離hだけウエハ中心よりの
直線L3を求める(S1007)。この直線L3は、次の
〔数14〕で表される。
Θ = tan −1 [(Y 2 −Y 1 ) / (X 2 −X 1 )] Next, a straight line L 3 parallel to the straight lines P 1 P 2 and a distance h from the wafer center is obtained ( S1007). This straight line L 3 is represented by the following [Equation 14].

【0062】[0062]

【数14】直線L3:(Y2−Y1)X−(X2−X1)Y−X1
2+X21+h[(Y2−Y1)2−(X2−X1)2]1/2=0 次に、直線L3とウエハ円周の交点P3(X3,Y3)を画像
処理で求め(S1008)、ウエハの仮想中心の座標P
C(XC,YC)を次式〔数15〕によって求める(S100
9)。
Equation 14] straight L 3: (Y 2 -Y 1 ) X- (X 2 -X 1) Y-X 1
Y 2 + X 2 Y 1 + h [(Y 2 -Y 1) 2 - (X 2 -X 1) 2] 1/2 = 0 Next, the line L 3 and the wafer circumference of intersection P 3 (X 3, Y 3 ) is obtained by image processing (S1008), and the coordinate P of the virtual center of the wafer is obtained.
C (X C , Y C ) is calculated by the following equation (Equation 15) (S100
9).

【0063】[0063]

【数15】XC=X3−R0cosθ YC=Y3−R0sinθ 再度ステップ1002から1009を繰り返し(S10
10)、ウエハW1の回転角θ及び仮想中心の座標P
C(XC,YC)を求める。こうして求めた回転角θ及び仮想
中心の座標PC(XC,YC)に基づいてウエハW1のプリア
ライメントを行う。ウエハW1の回転方向のプリアライ
メントは、回転制御系36、駆動軸37及び伸縮機構3
5からなる回転系によってセンターアップ38を−θだ
け回転駆動して行う(S1011)。
X C = X 3 −R 0 cos θ Y C = Y 3 −R 0 sin θ Steps 1002 to 1009 are repeated again (S10
10), the rotation angle θ of the wafer W1 and the coordinate P of the virtual center
Find C (X C , Y C ). Pre-alignment of the wafer W1 is performed based on the rotation angle θ and the coordinate P C (X C , Y C ) of the virtual center thus obtained. The pre-alignment of the wafer W1 in the rotation direction is performed by the rotation control system 36, the drive shaft 37, and the extension / contraction mechanism 3.
The center-up unit 38 is rotationally driven by-[theta] by a rotating system composed of 5 (S1011).

【0064】また、並進方向のプリアライメントは、
X,Yステージの位置にずれの分だけオフセットをのせ
ることによって行う。すなわち、ウエハの回転後の仮想
中心の位置PC'(XC',YC')は、プリアライメント座標
系でのセンターアップ回転中心の座標を(X0,Y0)とし
て次の〔数16〕のようになるため、この(XC',YC')
の値をX,Y方向のオフセットとして用いる(S101
2)。
The pre-alignment in the translation direction is
This is done by offsetting the positions of the X and Y stages by the amount of the shift. That is, the position P C ′ (X C ′, Y C ′) of the virtual center after the rotation of the wafer is expressed by the following [Numbers] with the coordinates of the center-up rotation center in the pre-alignment coordinate system being (X 0 , Y 0 ). 16], so this (X C ', Y C ')
Is used as an offset in the X and Y directions (S101
2).

【0065】[0065]

【数16】 XC'=(XC−X0)cosθ+(YC−Y0)sinθ+X0C'=−(XC−X0)sinθ+(YC−Y0)cosθ+Y0 X C '= (X C −X 0 ) cos θ + (Y C −Y 0 ) sin θ + X 0 Y C ′ = − (X C −X 0 ) sin θ + (Y C −Y 0 ) cos θ + Y 0

【0066】〔処理手順3〕次に、図11及び図12に
示したウエハの配置図、図13のフローチャート及び図
14に示すノッチ位置の説明図を用いて、ノッチ部を有
するウエハW2のプリアライメントのための処理手順に
ついて説明する。
[Processing Procedure 3] Next, using the wafer layout diagrams shown in FIGS. 11 and 12, the flowchart of FIG. 13 and the notch position explanatory diagram shown in FIG. 14, a pre-process of the wafer W2 having a notch portion is performed. A processing procedure for alignment will be described.

【0067】図11は、図1に示した投影露光装置に備
えられている3つの画像処理装置50,51,52によ
るウエハステージ上の観察視野50a,51a,52a
とセンターアップ38上に保持されたウエハW2の位置
関係を示している。図11に示すように、ノッチ部NP
の上に画像処理装置50の観察視野50aが設定され、
NP部分と反対側のウエハW2の円周上に画像処理装置
51及び52による観察視野51a,52aが設定され
ている。観察視野50a,51a,52aの位置は予め
装置定数として定められている。
FIG. 11 shows observation visual fields 50a, 51a, 52a on the wafer stage by the three image processing devices 50, 51, 52 provided in the projection exposure apparatus shown in FIG.
Shows the positional relationship of the wafer W2 held on the center-up 38. As shown in FIG. 11, the notch portion NP
The observation field of view 50a of the image processing device 50 is set on the
Observation fields 51a and 52a of the image processing devices 51 and 52 are set on the circumference of the wafer W2 opposite to the NP portion. The positions of the observation fields of view 50a, 51a, 52a are predetermined as device constants.

【0068】図11において、P1,P2は仮想固定ピン
を表し、PNは仮想移動ピンを表す。これらの仮想ピン
1,P2,PNは、図16に示した従来のプリアライメ
ント機構の固定ピン96,97及び移動ピン98と同一
の位置関係を有するが、実際にウエハステージ上に存在
するわけではない。仮想ピンP1とP2の間隔は2d0
1/20である。
In FIG. 11, P 1 and P 2 represent virtual fixed pins, and P N represents virtual moving pins. These virtual pins P 1 , P 2 , P N have the same positional relationship as the fixed pins 96, 97 and the moving pin 98 of the conventional pre-alignment mechanism shown in FIG. 16, but actually exist on the wafer stage. It doesn't. The distance between the virtual pins P 1 and P 2 is 2d 0 =
2 1/2 R 0 .

【0069】図12は、プリアライメント座標系に対し
て角度θだけ回転してセンターアップ上に保持されたウ
エハW2に、仮想ピンP1,P2,PNが接触した状態を
図示する説明図である。仮想ピンP1とP2を結ぶ線分を
斜辺とする直角二等辺三角形の直角を挟む頂点をウエハ
W2の仮想中心PCとし、この仮想中心PCとノッチ部分
NPの位置PN(ノッチ部NPの2つのエッジに接触す
る仮想位置決めピン中心Oの位置)の間の距離をRとす
る。
FIG. 12 is an explanatory view showing a state in which the virtual pins P 1 , P 2 , P N are in contact with the wafer W2 held on the center-up by rotating by an angle θ with respect to the pre-alignment coordinate system. Is. The vertices sandwiching a right angle of a right-angled isosceles triangle whose hypotenuse is a line segment connecting the virtual pins P 1 and P 2 are defined as a virtual center P C of the wafer W2, and the position P N between the virtual center P C and the notch portion NP (notch portion) Let R be the distance between the positions of the virtual locating pin center O that contacts the two edges of the NP.

【0070】まず、初期値としてウエハの回転角θに対
してθ=0を、ウエハの半径Rに対してR=R0を設定
し、カウンタnをn=1に設定する(S1301)。次
に、画像処理装置50の計測結果からノッチ部NPの位
置PN(XN,N)を求める(S1302)。
First, as initial values, θ = 0 is set for the rotation angle θ of the wafer, R = R 0 is set for the radius R of the wafer, and the counter n is set to n = 1 (S1301). Next, the position P N (X N, Y N ) of the notch portion NP is obtained from the measurement result of the image processing device 50 (S1302).

【0071】ノッチ部NPの位置PN(XN,N)の検出方
法について、図14を参照して説明する。図14(a)
は、ウエハW2のノッチ部NPの拡大図である。従来の
プリアライメント機構は、ウエハホルダ上でウエハW2
の位置決めを行うために、ノッチ部NPに所定の直径d
の円柱状の位置決めピンを押し当てていた。したがっ
て、ノッチ部NPの形状の規格はその位置決めピンの形
状に基づいて定められていた。そこで、ノッチ部NPを
観察視野50a内に含む画像処理装置50からの画像デ
ータより、ノッチ部NPの2つのエッジに接触する直径
dの仮想位置決めピン64を想定し、この仮想位置決め
ピン64の中心OのX座標及びY座標を検出する。この
仮想位置決めピン64の中心Oの位置をノッチ部NPの
位置PN(XN,N)とする。
A method of detecting the position P N (X N, Y N ) of the notch portion NP will be described with reference to FIG. FIG. 14 (a)
[FIG. 7] is an enlarged view of a notch portion NP of wafer W2. The conventional pre-alignment mechanism uses the wafer W2 on the wafer holder.
For positioning the notch NP with a predetermined diameter d.
The columnar positioning pin was pressed against. Therefore, the standard of the shape of the notch portion NP has been determined based on the shape of the positioning pin. Therefore, from the image data from the image processing device 50 that includes the notch portion NP in the observation visual field 50a, a virtual positioning pin 64 having a diameter d that contacts two edges of the notch portion NP is assumed, and the center of the virtual positioning pin 64 is assumed. The X and Y coordinates of O are detected. The position of the center O of the virtual positioning pin 64 is defined as the position P N (X N, Y N ) of the notch portion NP.

【0072】また、別の方法として、図14(b)に示
すように、観察視野50a内の画像データよりノッチ部
NPの2つのエッジ65a,65bの交点Pの座標、及
び一方のエッジ65bとウエハの外周との交点65cの
座標を求める方法もある。この場合、エッジ65a上に
交点65cと対象な位置に交点65dを仮想的に設け、
3つの交点P,65c,65dを頂点とする三角形を仮
定する。そして、底辺である交点65c,65dの間隔
に対して比例配分によって、底辺の間隔がdとなる三角
形の位置を求め、この三角形の底辺の中心を中心Oとし
て、この中心OのX座標及びY座標を求め、それをノッ
チ部NPの位置PN(XN,N)としてもよい。処理ステッ
プに戻り、次に、カウンタnに1を加算し(S130
3)、次の〔数17〕からPMの座標PM(XM,YM)を求
める(S1304)。
As another method, as shown in FIG. 14B, the coordinates of the intersection P of the two edges 65a and 65b of the notch portion NP and one edge 65b are determined from the image data in the observation visual field 50a. There is also a method of obtaining the coordinates of the intersection point 65c with the outer circumference of the wafer. In this case, the intersection 65c is virtually provided on the edge 65a and the intersection 65d at the target position,
A triangle whose vertices are three intersections P, 65c, 65d is assumed. Then, by proportional distribution with respect to the distance between the intersection points 65c and 65d, which is the base, the position of the triangle whose distance between the bases is d is obtained, and the center of the base of the triangle is taken as the center O, and the X coordinate and Y of this center O The coordinates may be obtained and used as the position P N (X N, Y N ) of the notch portion NP. Returning to the processing step, next, 1 is added to the counter n (S130
3) Then, the coordinate P M (X M , Y M ) of P M is obtained from the following [Equation 17] (S1304).

【0073】[0073]

【数17】XM=XN−(R+d0)sinθ YM=YN+(R+d0)cosθ 次に、下記の〔数18〕によって表される、PMを通り
MNに垂直な直線Lと画像処理装置51,52による
計測によって得られるウエハ円周との交点P1(X1,
1),P2(X2,Y2)を求める(S1305)。
Equation 17] X M = X N - (R + d 0) sinθ Y M = Y N + (R + d 0) cosθ Next, as represented by the following [Equation 18], the vertical as the P M P M P N Of the straight line L and the circumference of the wafer obtained by measurement by the image processing devices 51 and 52, P 1 (X 1 ,
Y 1 ), P 2 (X 2 , Y 2 ) are calculated (S1305).

【0074】[0074]

【数18】直線L:(Y−YM)=A(X−XM) A=−(XM−XN)/(YM−YN) 次に、下記の〔数19〕により、交点P1とP2の中点P
M'(XM',YM')を求める(S1306)。
## EQU16 ## Straight line L: (Y−Y M ) = A (X−X M ) A = − (X M −X N ) / (Y M −Y N ). Then, according to the following [Formula 19], Midpoint P of intersection points P 1 and P 2
M '(X M ', Y M ') is calculated (S1306).

【0075】[0075]

【数19】XM'=(X1+X2)/2 YM'=(Y1+Y2)/2 続いて、点PMと点PM'の座標値を用いて、次の〔数2
0〕に従って回転角θの値を変更する(S1307)。
X M '= (X 1 + X 2 ) / 2 Y M ' = (Y 1 + Y 2 ) / 2 Then, using the coordinate values of the points P M and P M ', Two
0], the value of the rotation angle θ is changed (S1307).

【0076】[0076]

【数20】θ→θ+(XM−XM')/[R0(1+A2)1/2] 次に、点P1と点P2の距離Dを求め、下記の〔数21〕
に従って設計値D0=2d0の値からRの値を変更する
(S1308)。
[Equation 20] θ → θ + (X M −X M ') / [R 0 (1 + A 2 ) 1/2 ] Next, the distance D between the points P 1 and P 2 is calculated, and the following [Equation 21] is obtained.
In accordance with this, the value of R is changed from the value of design value D 0 = 2d 0 (S1308).

【0077】[0077]

【数21】R→R+(D−D0)/2 次に、下記の〔数22〕に基づいてウエハW2の仮想中
心の座標PC(XC,YC)を求める(S1309)。
[Formula 21] R → R + (D−D 0 ) / 2 Next, the coordinate P C (X C , Y C ) of the virtual center of the wafer W2 is obtained based on the following [Formula 22] (S1309).

【0078】[0078]

【数22】XC=XN−Rsinθ YC=YN+Rcosθ 再度ステップ1303からステップ1309を繰り返し
(S1310)、回転角θ及び仮想中心の座標PC(XC,
C)を求める。この値に基づいてウエハW2のプリアラ
イメントを行う。ウエハW2の回転方向のプリアライメ
ントは、回転制御系36、駆動軸37及び伸縮機構35
からなる回転系によってセンターアップ38を−θだけ
回転駆動して行う(S1311)。
Equation 22] X C = X N -Rsinθ Y C = Y N + Rcosθ Repeat step 1309 from step 1303 once again (S1310), the coordinates P C (X C of the rotation angle θ and virtual center,
Y C ). Pre-alignment of the wafer W2 is performed based on this value. The pre-alignment of the wafer W2 in the rotation direction is performed by the rotation control system 36, the drive shaft 37, and the extension / contraction mechanism 35.
The center-up 38 is rotationally driven by -θ by the rotation system consisting of (S1311).

【0079】また、並進方向のプリアライメントは、
X,Yステージの位置にずれの分だけオフセットをのせ
ることによって行う。すなわち、ウエハの回転後の仮想
中心の位置PC'(XC',YC')は、プリアライメント座標
系でのセンターアップ回転中心の座標を(X0,Y0)とし
て次の〔数23〕のようになるため、この(XC',YC')
の値をX,Y方向のオフセットとして用いる(S131
2)。
The pre-alignment in the translation direction is
This is done by offsetting the positions of the X and Y stages by the amount of the shift. That is, the position of the virtual center of the rotated wafer P C '(X C', Y C ') , the following [Equation coordinates of the center-up rotation center of the pre-alignment coordinate system as (X 0, Y 0) 23], so this (X C ', Y C ')
Is used as an offset in the X and Y directions (S131).
2).

【0080】[0080]

【数23】 XC'=(XC−X0)cosθ+(YC−Y0)sinθ+X0C'=−(XC−X0)sinθ+(YC−Y0)cosθ+Y0 X C '= (X C -X 0 ) cos θ + (Y C -Y 0 ) sin θ + X 0 Y C ' =-(X C -X 0 ) sin θ + (Y C -Y 0 ) cos θ + Y 0

【0081】[0081]

【発明の効果】本発明によると、感光基板に非接触でプ
リアライメントを行うことができるため、感光基板にピ
ンが接触することによるゴミの発生を防ぐことができ
る。また、従来のプリアライメント方法との互換性を保
つことができる。
According to the present invention, since pre-alignment can be performed without contacting the photosensitive substrate, it is possible to prevent the generation of dust due to the pins coming into contact with the photosensitive substrate. In addition, compatibility with the conventional pre-alignment method can be maintained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による投影露光装置の一例の概略構成を
示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a projection exposure apparatus according to the present invention.

【図2】ウエハ搬送系及びウエハステージ上のウエハ受
け渡し機構についての説明図であり、(a)はウエハ搬
送系及びウエハステージ周辺の構成の平面図、(b)は
その側面図。
2A and 2B are explanatory views of a wafer transfer system and a wafer transfer mechanism on a wafer stage, FIG. 2A is a plan view of a configuration around a wafer transfer system and a wafer stage, and FIG.

【図3】ウエハ搬送系におけるウエハの姿勢制御につい
て説明図であり、(a)はターンテーブルの概略図、
(b)は検出信号を示す図。
3A and 3B are explanatory views of wafer attitude control in a wafer transfer system, in which FIG. 3A is a schematic view of a turntable;
(B) is a figure which shows a detection signal.

【図4】画像処理装置の一例の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of an example of an image processing apparatus.

【図5】画像処理装置の他の例の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of another example of the image processing apparatus.

【図6】従来のプリアライメント機構の3本の固定ピン
の位置関係を説明する図。
FIG. 6 is a diagram illustrating a positional relationship of three fixing pins of a conventional pre-alignment mechanism.

【図7】ウエハに対する画像処理装置の観察視野の位置
関係を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a positional relationship of an observation visual field of an image processing apparatus with respect to a wafer.

【図8】ウエハをプリアライメントするための処理手順
の一例を示すフローチャート。
FIG. 8 is a flowchart showing an example of a processing procedure for pre-aligning a wafer.

【図9】処理手順を説明するためのウエハの配置図。FIG. 9 is a wafer layout diagram for explaining a processing procedure.

【図10】ウエハをプリアライメントするための処理手
順の他の例を示すフローチャート。
FIG. 10 is a flowchart showing another example of a processing procedure for pre-aligning a wafer.

【図11】ウエハに対する画像処理装置の観察視野の位
置関係を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing a positional relationship of an observation visual field of the image processing apparatus with respect to the wafer.

【図12】処理手順を説明するためのウエハの配置図。FIG. 12 is a layout view of wafers for explaining a processing procedure.

【図13】ウエハをプリアライメントするための処理手
順の他の例を示すフローチャート。
FIG. 13 is a flowchart showing another example of a processing procedure for prealigning a wafer.

【図14】ノッチウエハのノッチ部の位置を検出する方
法を説明する図。
FIG. 14 is a diagram illustrating a method of detecting the position of a notch portion of a notch wafer.

【図15】オリエンテーションフラット部が設けられた
ウエハに対する従来のプリアライメント機構の説明図で
ある。
FIG. 15 is an explanatory diagram of a conventional pre-alignment mechanism for a wafer provided with an orientation flat portion.

【図16】ノッチ部が設けられたウエハに対する従来の
プリアライメント機構の説明図。
FIG. 16 is an explanatory diagram of a conventional pre-alignment mechanism for a wafer having a notch portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レチクル、3…投影光学系、6…ウエハ、10…Z
チルト駆動部、11…Xステージ、12…Yステージ、
14…ウエハベース、15…アライメント制御系、16
…ステージ制御系、18…中央制御系、21,22…ウ
エハアーム、23…スライダー、29…試料台、30…
ウエハホルダ、35…伸縮機構、36…回転制御系、3
7…駆動軸、38…センターアップ、38a〜38c…
スピンドル部、39…ウエハ搬送装置、50,51,5
2…画像処理装置、50a,51a,52a…観察視
野、59…撮像素子、60…ターンテーブル、61…偏
心センサ、91,92,93…固定ピン、94…移動ピ
ン、96,97…固定ピン、98…移動ピン、FP…オ
リエンテーションフラット部、NP…ノッチ部、P1
2,P3,PN…仮想ピン、W1,W2…ウエハ
1 ... Reticle, 3 ... Projection optical system, 6 ... Wafer, 10 ... Z
Tilt drive unit, 11 ... X stage, 12 ... Y stage,
14 ... Wafer base, 15 ... Alignment control system, 16
... Stage control system, 18 ... Central control system, 21,22 ... Wafer arm, 23 ... Slider, 29 ... Sample stage, 30 ...
Wafer holder, 35 ... Expansion / contraction mechanism, 36 ... Rotation control system, 3
7 ... Drive shaft, 38 ... Center up, 38a-38c ...
Spindle part, 39 ... Wafer transfer device, 50, 51, 5
2 ... Image processing device, 50a, 51a, 52a ... Observation field of view, 59 ... Imaging element, 60 ... Turntable, 61 ... Eccentricity sensor, 91, 92, 93 ... Fixed pin, 94 ... Moving pin, 96, 97 ... Fixed pin , 98 ... Moving pin, FP ... Orientation flat part, NP ... Notch part, P 1 ,
P 2 , P 3 , P N ... Virtual pins, W1, W2 ... Wafer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 2次元方向に移動可能な基板ステージ上
に実質的に円形で外周の一部に直線状切り欠き部を有す
る感光基板を位置決めするための位置決め方法におい
て、 前記感光基板を前記基板ステージの上方の所定の受け渡
し点に搬送し、前記受け渡し点において前記感光基板の
外周部を撮像し、所定の相対位置関係にある3本の仮想
ピンのうち2本の仮想ピンが前記直線状切り欠き部に接
触し残りの1本の仮想ピンが前記円形部分に接触して前
記感光基板の外周部に同時に接触するとしたときの前記
3本の仮想ピンの第1の位置を求める工程と、 前記第1の位置を前記基板ステージ上に設定された前記
3本の仮想ピンの第2の位置に一致させるために必要な
回転角及び並進位置ずれ量を求める工程と、 前記求められた回転角だけ前記感光基板を回転させる工
程とを含むことを特徴とする位置決め方法。
1. A positioning method for positioning a photosensitive substrate, which is substantially circular and has a linear notch in a part of its outer periphery, on a substrate stage movable in a two-dimensional direction. It is conveyed to a predetermined transfer point above the stage, the outer peripheral portion of the photosensitive substrate is imaged at the transfer point, and two of the three virtual pins in a predetermined relative positional relationship are cut into the linear shape. Determining a first position of the three virtual pins when the remaining one virtual pin contacts the circular portion and simultaneously contacts the outer peripheral portion of the photosensitive substrate. A step of obtaining a rotation angle and a translational displacement amount necessary to match a first position with a second position of the three virtual pins set on the substrate stage; and only the obtained rotation angle. The photosensitivity And a step of rotating the substrate.
【請求項2】 2次元方向に移動可能な基板ステージ上
に実質的に円形で外周の一部に直線状切り欠き部を有す
る感光基板を位置決めするための位置決め方法におい
て、 前記感光基板を前記基板ステージの上方の所定の受け渡
し点に搬送し、前記受け渡し点において前記感光基板の
外周部を撮像し、前記感光基板の前記直線状切り欠き部
の方向に基づいて前記感光基板の回転角を求める工程
と、 前記直線状切り欠き部に平行で前記直線状切り欠き部か
ら所定距離だけ離れた直線と前記感光基板の外周との2
つの交点のうちの一方の交点の位置を求め、前記交点の
位置及び前記直線状切り欠き部の方向に基づいて前記感
光基板の並進位置ずれ量を求める工程と、 前記求められた回転角だけ前記感光基板を回転させる工
程とを含むことを特徴とする位置決め方法。
2. A positioning method for positioning a photosensitive substrate, which is substantially circular and has a linear notch in a part of its outer periphery, on a substrate stage that is movable in two dimensions. A step of conveying the photosensitive substrate to a predetermined transfer point above the stage, imaging the outer peripheral portion of the photosensitive substrate at the transfer point, and obtaining a rotation angle of the photosensitive substrate based on the direction of the linear cutout portion of the photosensitive substrate. A straight line parallel to the linear cutout portion and separated from the linear cutout portion by a predetermined distance, and the outer circumference of the photosensitive substrate.
Obtaining the position of one of the two intersections, determining the translational displacement of the photosensitive substrate based on the position of the intersection and the direction of the linear notch, and only the determined rotation angle And a step of rotating the photosensitive substrate.
【請求項3】 2次元方向に移動可能な基板ステージ上
に実質的に円形で外周の一部にV字形の切り欠き部を有
する感光基板を位置決めするための位置決め方法におい
て、 前記感光基板を前記基板ステージの上方の所定の受け渡
し点に搬送し、前記受け渡し点において前記感光基板の
外周部を撮像し、前記V字形の切り欠き部の位置を求め
る工程と、 所定間隔の2本の仮想ピンと前記2本の仮想ピンに対し
て定められた1次元方向に移動可能な1本の仮想可動ピ
ンが、前記仮想可動ピンを前記V字形切り欠き部に位置
させ残りの2本の仮想ピンを前記円形部分に接触させて
前記感光基板の外周部に同時に接触するとしたときの前
記3本の仮想ピンの位置を求める工程と、 前記3本の
仮想ピンの位置から前記感光基板の回転角及び並進位置
ずれ量を求める工程と、 前記求められた回転角だけ前記感光基板を回転させる工
程とを含むことを特徴とする位置決め方法。
3. A positioning method for positioning a photosensitive substrate, which is substantially circular and has a V-shaped notch in a part of its outer periphery, on a substrate stage movable in a two-dimensional direction. Transporting to a predetermined transfer point above the substrate stage, imaging the outer peripheral portion of the photosensitive substrate at the transfer point, and obtaining the position of the V-shaped notch; One virtual movable pin that is movable in a one-dimensional direction defined with respect to the two virtual pins positions the virtual movable pin in the V-shaped cutout portion, and the remaining two virtual pins are circular. Determining the positions of the three virtual pins when they are in contact with the outer peripheral portion of the photosensitive substrate at the same time, and the rotational angle and the translational position shift of the photosensitive substrate from the positions of the three virtual pins. A positioning method comprising: a step of obtaining an amount; and a step of rotating the photosensitive substrate by the obtained rotation angle.
【請求項4】 前記並進位置ずれ量を前記基板ステージ
の2次元方向移動のオフセットとすることを特徴とする
請求項1〜4のいずれか1項記載の位置決め方法。
4. The positioning method according to claim 1, wherein the translational positional deviation amount is used as an offset for two-dimensional movement of the substrate stage.
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