JPH09246440A - Manufacture of package - Google Patents

Manufacture of package

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Publication number
JPH09246440A
JPH09246440A JP5752096A JP5752096A JPH09246440A JP H09246440 A JPH09246440 A JP H09246440A JP 5752096 A JP5752096 A JP 5752096A JP 5752096 A JP5752096 A JP 5752096A JP H09246440 A JPH09246440 A JP H09246440A
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JP
Japan
Prior art keywords
case
package
hard
lead
brazing
Prior art date
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Pending
Application number
JP5752096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideaki Murata
秀明 村田
Kazuto Ono
和人 小野
Takuya Suzuki
卓哉 鈴木
Masayuki Sakamoto
真幸 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP5752096A priority Critical patent/JPH09246440A/en
Publication of JPH09246440A publication Critical patent/JPH09246440A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce warping caused by soldering a radiation board, by dividing a soldering process into two steps, that is, performing hard soldering of a case, a ceramic terminal and a lead, and soft soldering of a radiation board made of a W-group sintered alloy. SOLUTION: First, Au/Ni plating is performed on a radiation board 4. Then, a case 2, a ceramic terminal 3, a lead 5 and a seal ring 6 are heated and hard-soldered, using a foil of silver solder at junction parts. In addition, Au/Ni plating is performed on this silver-soldered assembly member. Next, an AuGe solder material is used between the assembly member and the radiation board 4, and heating and soft soldering are performed. Thus, since the soldering temperature of the radiation board 4 is a low temperature, warping caused by soldering of the radiation board 4 may be reduced. Also, by grinding the outer surface of the hard-soldered radiation board 4 made of a W-group sintered alloy, warping of the radiation board 4 caused by hard soldering may be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を用いた光
モジュールなどのパッケージの製造方法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a package such as an optical module using a semiconductor.

【0002】[0002]

【従来の技術】光通信装置などに用いられる光モジュー
ルのパッケージの一例として、図2にバタフライ形光モ
ジュールパッケージを示す。通常、このバタフライ型光
モジュールパッケージ1は主要構成部材として、ケース
2、セラミック端子3、放熱板4、リード5およびシー
ルリング6からなっている。ケース2は、パッケージ1
の外形を形づくり、内部部品格納およびセラミック端子
3や光ファイバーのホルダー(図示されず)との接合の
基材としての役割を有している。放熱板4は、パッケー
ジ1の底部を形づくり、特にパッケージ1の内部で発生
した熱を効率よく外部へ放つ役割を有している。セラミ
ック端子3は、絶縁性のセラミックの上にAu等により
配線が形成されており、パッケージ1の外部から内部へ
電流を導入する役割を有している。セラミック端子3の
各々の配線の一方の端部はパッケージ1の内部に、他方
の端部は外部に位置するように配置されている。リード
5は、通常金属製で、セラミック端子3のパッケージ1
の外部側に接合されている。リード5はプリント基板な
どとの電気的接続に利用される。通常、材質としては、
ケース2はコバール(FeNiCo合金)、放熱板4は
CuW、セラミック端子3はアルミナ、リード5はコバ
ールからなっている。
2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a butterfly type optical module package as an example of an optical module package used in an optical communication device. Usually, this butterfly type optical module package 1 comprises a case 2, a ceramic terminal 3, a heat sink 4, leads 5 and a seal ring 6 as main constituent members. Case 2 is package 1
Has a role as a base material for shaping the outer shape, storing the internal parts, and joining with the ceramic terminal 3 and the optical fiber holder (not shown). The heat dissipation plate 4 forms the bottom of the package 1, and has a role of efficiently radiating the heat generated inside the package 1 to the outside. The ceramic terminal 3 has a wiring formed of Au or the like on an insulating ceramic and has a role of introducing a current from the outside to the inside of the package 1. One end of each wiring of the ceramic terminal 3 is arranged inside the package 1, and the other end thereof is arranged outside. The lead 5 is usually made of metal, and the package 1 of the ceramic terminal 3 is used.
Is joined to the outer side of. The lead 5 is used for electrical connection with a printed circuit board or the like. Usually, the material is
The case 2 is made of Kovar (FeNiCo alloy), the heat dissipation plate 4 is made of CuW, the ceramic terminals 3 are made of alumina, and the leads 5 are made of Kovar.

【0003】パッケージ1の組み立ては、以下のように
して行われる。即ち、 1)先ず、各部材に銀ろう付けの前処理を施す。即ち、
CuWからなる放熱板4にはNiめっきを施す。また、
アルミナからなるセラミック端子3には、WまたはMo
Mnのメタライズ処理とNiめっきを施す。コバールか
らなるケース2とリード5にはNiめっきを施す。 2)次いで、これらの構成部材を、銀ろうとともに組み
立て、加熱して硬ろう付けする。 3)組み立てられたパッケージ1は、通常Au/Niめ
っきが施される。このメッキ処理は、半田材の濡れ性や
ボンディング接合性をよくすためのもので、Auメッキ
層の厚さは1μm以上の厚さとする。 4)さらに、必要に応じて、ケースパイプ部7にはサフ
ァイア等の材質からなるウインドウがろう付けされる場
合がある。この接合方法としては、通常AuGe,Au
Si,AuSn等の軟ろう付け、低融点ガラスによる接
合が用いられる。
The package 1 is assembled as follows. That is, 1) First, each member is subjected to silver brazing pretreatment. That is,
The heat dissipation plate 4 made of CuW is plated with Ni. Also,
The ceramic terminal 3 made of alumina has W or Mo.
Mn metallization and Ni plating are applied. The case 2 made of Kovar and the lead 5 are plated with Ni. 2) Then, these components are assembled with silver brazing material, and heated and hard brazed. 3) The assembled package 1 is usually Au / Ni plated. This plating treatment is for improving the wettability of the solder material and the bonding bondability, and the thickness of the Au plating layer is set to 1 μm or more. 4) Further, a window made of a material such as sapphire may be brazed to the case pipe portion 7 if necessary. This bonding method is usually AuGe, Au.
Soft brazing of Si, AuSn or the like, or joining with a low melting point glass is used.

【0004】ところで、パッケージ1の放熱板4には、
通常パッケージ1をプリント基板などへ固定するための
ネジ穴8が設けられている。ところが、パッケージ1を
ネジ止めする時、CuW材質からなる放熱板4のネジ穴
8またはその付近が折れやすいという欠点があった.こ
れは、放熱板4の材質であるCuWが脆い性質を有する
ために生じている。
By the way, the heat sink 4 of the package 1 is
Usually, a screw hole 8 for fixing the package 1 to a printed circuit board or the like is provided. However, when the package 1 is screwed, there is a drawback that the screw hole 8 of the heat dissipation plate 4 made of CuW material or its vicinity is easily broken. This occurs because CuW, which is the material of the heat dissipation plate 4, has a brittle property.

【0005】そこで、放熱板4をNi、Feを含有し、
さらに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可避不
純物からなる組成を有するW基焼結合金で構成する技術
が開示されている(特開平3−2265411号公報参
照)。この合金は、CuWと比較して、引張強度が大き
く、伸びも大きく、可撓性がある材料である。また、こ
の合金は、金属射出成形法によって、所望の形状に形成
でき、機械加工を大幅に省略して低コストで加工できる
材料でもある。
Therefore, the heat dissipation plate 4 contains Ni and Fe,
Further, a technique is disclosed in which Mo is contained as necessary, and the rest is composed of a W-based sintered alloy having a composition of W and inevitable impurities (see Japanese Patent Laid-Open No. 3-2265411). This alloy has higher tensile strength, higher elongation, and flexibility as compared to CuW. This alloy is also a material that can be formed into a desired shape by a metal injection molding method and can be processed at a low cost by largely omitting machining.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、放熱板
を上記W基焼結合金で形成すると、以下のような問題が
あった。即ち、この合金は平均熱膨張係数がCuWより
も若干小さく、4〜6×10-6/℃であり、銀ろうなど
の硬ろう付けを行うと、熱応力によって、放熱板が若干
反るという問題があった。
However, when the heat dissipation plate is made of the above W-based sintered alloy, there are the following problems. That is, this alloy has an average coefficient of thermal expansion slightly smaller than that of CuW and is 4 to 6 × 10 −6 / ° C., and when hard brazing such as silver brazing is performed, the heat dissipation plate is slightly warped due to thermal stress. There was a problem.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決すべくなされたもので、請求項1記載の発明は、放熱
板、ケース、セラミック端子およびリードを有するパッ
ケージの製造方法であって、放熱板はNi、Feを含有
し、さらに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可
避不純物からなる組成を有するW基焼結合金からなるパ
ッケージの製造方法において、ケース、セラミック端子
およびリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付け
されたケース、セラミック端子およびリードにAu/N
iめっきを施す工程と、放熱板にAu/Niめっきを施
す工程と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端
子およびリードと、前記めっきを施された放熱板を軟ろ
う付けする工程とを有することを特徴とするものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and the invention according to claim 1 is a method of manufacturing a package having a heat sink, a case, ceramic terminals and leads. In a method of manufacturing a package, which comprises a W-based sintered alloy having a composition in which the heat sink contains Ni, Fe, and optionally Mo, and the balance is W and inevitable impurities, a case, a ceramic terminal, and Hard brazing the leads, and Au / N on the hard brazed case, ceramic terminals and leads.
i-plating step, Au / Ni plating step on heat sink, hard brazing case, ceramic terminals and leads, and soft brazing step on the plated heat sink It is characterized by that.

【0008】また、請求項2記載の発明は、放熱板、ケ
ース、セラミック端子およびリードを有するパッケージ
の製造方法であって、放熱板はNi、Feを含有し、さ
らに必要に応じてMoを含有し、残りがWと不可避不純
物からなる組成を有するW基焼結合金からなるパッケー
ジの製造方法において、放熱板、ケース、セラミック端
子およびリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付
けされた放熱板、ケース、セラミック端子およびリード
にAu/Niめっきを施す工程と、前記Au/Niめっ
きを施された放熱板の外表面を研削する工程とを有する
ことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a package having a heat dissipation plate, a case, a ceramic terminal and a lead, wherein the heat dissipation plate contains Ni, Fe and, if necessary, Mo. In the method of manufacturing a package made of a W-based sintered alloy having the composition of the balance W and unavoidable impurities, a step of hard brazing the heat radiating plate, the case, the ceramic terminals and the leads, and the heat radiating by the hard brazing. The method is characterized by including a step of plating the plate, the case, the ceramic terminal and the lead with Au / Ni and a step of grinding the outer surface of the heat dissipation plate plated with Au / Ni.

【0009】上記請求項1に記載のごとく、ろう付工程
を2段階に分けて、ケース、セラミック端子、リードを
銀ろうなどで硬ろう付けし、上述のW基焼結合金からな
る放熱板をAuGe、AuSi、またはAuSnなどで
軟ろう付けすると、放熱板のろう付け温度は低温になる
ため、放熱板のろう付けにより発生する反りを小さくす
ることができる。
As described in claim 1, the brazing process is divided into two steps, and the case, the ceramic terminals, and the leads are hard brazed with silver brazing or the like, and the heat dissipation plate made of the above W-based sintered alloy is obtained. When soft brazing is performed using AuGe, AuSi, AuSn, or the like, the heat radiation plate is brazed at a low temperature, so that the warpage caused by the heat radiation plate can be reduced.

【0010】また、上記請求項2に記載のごとく、硬ろ
う付けされた上述のW基焼結合金からなる放熱板の外表
面を研削すると、硬ろう付けで発生した放熱板の反りを
小さくすることができる。なお、上述のW基焼結合金は
研削加工することが容易であって、研削加工で欠けたり
割れたりすることはない。また、研削加工すると、放熱
板の外表面にはAu/Niめっきがなくなるが、このW
基焼結合金は十分な耐食性を有しているので、腐食によ
るパッケージの損傷の恐れはない。
When the outer surface of the heat radiating plate made of the above-mentioned W-based sintered alloy that has been hard brazed is ground as described in claim 2, the warp of the heat radiating plate caused by the hard brazing is reduced. be able to. The W-based sintered alloy described above is easy to grind and does not chip or break during grinding. Also, when grinding is performed, the outer surface of the heat sink is free of Au / Ni plating.
Since the base sintered alloy has sufficient corrosion resistance, there is no risk of damage to the package due to corrosion.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるパッケージ
の製造方法の実施の形態を詳細に説明する。先ず、パッ
ケージの部材としてケース(コバール)、セラミック端
子(アルミナ)、シールリング(コバール)、リード
(コバール)、放熱板、ウインドウ(サファイア)を用
意する。ケースは、金属射出成形法と機械加工によって
所望の形状を形成する。セラミック端子は、グリーンシ
ート法によって、内部にWペーストを使用して配線を形
成しつつ、グリーン体を形成して焼成し、両端はさらに
研磨加工して寸法精度を確保し、研磨加工した部分にM
oMnメタライズを施し、Niめっきして、作製する。
シールリングは、コバール板をプレス加工して作製す
る。リードは、コバール板をエッチングして作製する。
ウインドウは、サファイア単結晶を切断研磨し、接合す
る部分にAu/Ni/Crの蒸着メタライズ処理を施
し、また、中央部分に反射防止膜を蒸着して、作製す
る。放熱板は、いずれも平均の粒径が5μm以下のW粉
末、Ni粉末、Fe粉末を金属射出成形法により、射出
成形し、特に1500℃以上の温度で液相焼結して所望
の形状を得る。焼結後にできたWNiFe(Ni3wt%-Fe1.
5wt%) 合金の、Wを主成分とする粒の平均の粒径は15
〜25μmである。さらに、この焼結合金を機械加工し
て、所望の形状の放熱板を得る。このようにして製作し
た部材を以下の実施例に示す方法で組み立てて、パッケ
ージを製作した。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a package manufacturing method according to the present invention will be described in detail below. First, a case (kovar), a ceramic terminal (alumina), a seal ring (kovar), a lead (kovar), a heat sink, and a window (sapphire) are prepared as package members. The case is formed into a desired shape by metal injection molding and machining. The ceramic terminals are formed by the green sheet method to form the wiring inside by using W paste, and the green body is formed and fired. M
It is manufactured by applying oMn metallization and Ni plating.
The seal ring is manufactured by pressing a Kovar plate. The leads are produced by etching a Kovar plate.
The window is produced by cutting and polishing a sapphire single crystal, subjecting the joined portion to a deposition metallization treatment of Au / Ni / Cr, and depositing an antireflection film on the central portion. The heat sink is injection-molded by a metal injection molding method with W powder, Ni powder, and Fe powder each having an average particle diameter of 5 μm or less, and particularly liquid-phase sintered at a temperature of 1500 ° C. or more to obtain a desired shape. obtain. WNiFe (Ni3wt% -Fe1.
5wt%) The average grain size of the grains containing W as the main component is 15
2525 μm. Further, this sintered alloy is machined to obtain a heat sink having a desired shape. The members thus manufactured were assembled by the method shown in the following examples to manufacture a package.

【0012】[0012]

【実施例】以下に、上述の部材を用いたパッケージの製
造方法に関し、その組み立て工程を変えた実施例につい
て説明する。 (実施例1)図1は本実施例の製造工程説明図である。
工程1.放熱板4には、Au/Niめっきを施した。得
られた放熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め
定盤上でシックネスゲージを用いて検査し、反りが20
μm以下であることを確認した。工程2.ケース2、セ
ラミック端子3、リード5、シールリング6は、接合部
分に銀ろう(BAg−8)の箔を挟んで、カーボン治具
を用いて組み立て、固定保持し、連続式のベルト炉によ
って、約810℃まで加熱して、硬ろう付した。さら
に、この銀ろう付された組立部材に、Au/Niめっき
を施した。工程3.次いで、上記組立部材と放熱板4の
間に、AuGeろう材を挟んで、カーボン治具により保
持固定し、連続式のベルト炉で、約370℃まで加熱し
て、組立部材と放熱板を軟ろう付けした。工程4.さら
に、この後に、ケースのパイプ部7にウインドウ9をA
uSnろう材で軟ろう付けした。
Embodiments of the method of manufacturing a package using the above-described members will be described below by changing the assembling process. (Embodiment 1) FIG. 1 is an explanatory view of a manufacturing process of this embodiment.
Step 1. The heat sink 4 was plated with Au / Ni. The bottom surface (30 mm x 12.7 mm) of the obtained heat sink was inspected in advance using a thickness gauge on the surface plate, and the warp was 20.
It was confirmed to be less than μm. Step 2. The case 2, the ceramic terminal 3, the lead 5, and the seal ring 6 are assembled with a carbon jig by sandwiching a silver brazing (BAg-8) foil in the joint portion, fixedly held, and then by a continuous belt furnace. It was heated to about 810 ° C and brazed. Further, the assembly member brazed with silver was plated with Au / Ni. Step 3. Next, an AuGe brazing material is sandwiched between the assembly member and the heat dissipation plate 4, held and fixed by a carbon jig, and heated to about 370 ° C. in a continuous belt furnace to soften the assembly member and the heat dissipation plate. Brazed Step 4. Furthermore, after this, the window 9 is attached to the pipe portion 7 of the case.
Soft brazing was performed using uSn brazing material.

【0013】(実施例2)工程1〜3は実施例1と同一
である。実施例1の工程4を省略し、ウインドウを設け
ない。本実施例は、実施例1と比較して、ウィンドウの
ろう付けの有無が放熱板の反りに及ぼす影響をみるため
に行った。
(Second Embodiment) Steps 1 to 3 are the same as in the first embodiment. Step 4 of Example 1 is omitted and no window is provided. This example was performed in order to see the influence of the presence or absence of brazing of the window on the warp of the heat sink, as compared with the first example.

【0014】(実施例3)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.組立部材と放熱板の間に、AuSiろ
う材を挟んで、カーボン治具により保持固定し、連続式
のベルト炉で、約400℃まで加熱して、組立部材と放
熱板を軟ろう付けした。工程4は実施例1と同一であ
る。本実施例は、実施例1と比較して、放熱板を軟ろう
付けするろう材の違いによる影響をみるために行った。
(Example 3) Steps 1 and 2 are the same as in Example 1. Step 3. An AuSi brazing material was sandwiched between the assembly member and the heat sink, held and fixed by a carbon jig, and heated to about 400 ° C. in a continuous belt furnace to softly braze the assembly member and the heat sink. Step 4 is the same as in Example 1. This example was performed in order to see the influence of the difference in the brazing material for soft brazing the heat dissipation plate, as compared with the first example.

【0015】(実施例4)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.組立部材と放熱板の間に、AuSiろ
う材を挟んで、組立部材と放熱板を軟ろう付けした。実
施例1の工程4を省略し、ウインドウを設けない。本実
施例は、実施例2と比較して、放熱板の軟ろう付けする
ろう材の違いによる影響をみるために行った。
Example 4 Steps 1 and 2 are the same as in Example 1. Step 3. An AuSi brazing material was sandwiched between the assembly member and the heat dissipation plate, and the assembly member and the heat dissipation plate were softly brazed. Step 4 of Example 1 is omitted and no window is provided. This example was performed in order to see the influence of the difference in the brazing material to be soft brazed on the heat dissipation plate, as compared with the second example.

【0016】(実施例5)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.ケースのパイプ部にウインドウをAu
Geろう材で軟ろう付けした。工程4.工程3で形成さ
れた組み立て部材と放熱板の間に、AuSnろう材を挟
んで、カーボン治具により保持固定し、連続式のベルト
炉で、約300℃まで加熱して、組立部材と放熱板を軟
ろう付けした。本実施例は、ウインドウをろう付けした
後に放熱板をろう付けする点で、実施例1と相違する。
(Example 5) Steps 1 and 2 are the same as in Example 1. Step 3. Au window on the pipe part of the case
Soft brazing was performed with a Ge brazing material. Step 4. An AuSn brazing material is sandwiched between the assembly member and the heat sink formed in step 3, held and fixed by a carbon jig, and heated to about 300 ° C in a continuous belt furnace to soften the assembly member and the heat sink. Brazed This embodiment is different from the first embodiment in that the heat radiating plate is brazed after the window is brazed.

【0017】(実施例6)工程1、2は実施例1と同一
である。工程3.ケースのパイプ部にウインドウをAu
Siろう材軟ろう付した。工程4は実施例5と同一であ
る。本実施例は、ウインドウをろう付けするろう材が実
施例5と異なる。
Example 6 Steps 1 and 2 are the same as in Example 1. Step 3. Au window on the pipe part of the case
Si brazing material was soft brazed. Step 4 is the same as in Example 5. In this embodiment, the brazing material for brazing the window is different from that in the fifth embodiment.

【0018】(実施例7)本実施例は、実施例5におい
て工程3を除き、ウインドウをろう付けしない点を除
き、実施例5と同様である。
(Embodiment 7) This embodiment is the same as Embodiment 5 except that Step 3 is omitted from Embodiment 5 and the window is not brazed.

【0019】(実施例8) 工程1.放熱板には、Niめっきを施した。得られた放
熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め定盤上で
シックネスゲージを用いて検査し、反りが20μm以下
であることを確認した。 工程2.ケース、セラミック端子、シールリング、リー
ドおよび放熱板は、接合部分に銀ろう(BAg−8)の
箔を挟んで、カーボン治具を用いて組み立て、固定保持
し、連続式のベルト炉によって、約810℃まで加熱し
て、硬ろう付けした。さらに、この硬ろう付けされた組
立部材に、Au/Niめっきを施した。 工程3.放熱板底面を仮基準面として、ケースの上側に
ろう付けされたシールリングを平面研削加工し、さらに
このシールリング面を基準面として放熱板底面を平面研
削加工した。 工程4.ケースパイプ部にウインドウをAuSnで軟ろ
う材けした。
(Embodiment 8) Step 1. The heat sink was plated with Ni. The bottom surface (30 mm × 12.7 mm) of the obtained heat dissipation plate was previously inspected on a surface plate using a thickness gauge, and it was confirmed that the warp was 20 μm or less. Step 2. The case, the ceramic terminal, the seal ring, the lead, and the heat sink are sandwiched with a silver brazing (BAg-8) foil at the joint portion, assembled using a carbon jig, fixedly held, and then held together by a continuous belt furnace. It was heated to 810 ° C and brazed. Further, the hard brazed assembly member was plated with Au / Ni. Step 3. Using the bottom surface of the heat sink as a temporary reference surface, the seal ring brazed to the upper side of the case was subjected to surface grinding, and the bottom surface of the heat sink was subjected to surface grinding using this seal ring surface as a reference surface. Step 4. The window was softened with AuSn on the case pipe.

【0020】次に、以下のような比較例を製作した。 工程1.放熱板には、Niめっきを施した。得られた放
熱板底面(30mm×12.7mm)は、予め定盤上で
シックネスゲージを用いて検査し、反りが20μm以下
であることを確認した。 工程2.ケース、セラミック端子、シールリング、リー
ドおよび放熱板は、接合部分に銀ろう(BAg−8)の
箔を挟んで、カーボン治具を用いて組み立て、固定保持
し、連続式のベルト炉によって、約810℃まで加熱し
て、硬ろう付した。さらに、この硬ろう付された組立部
材に、Au/Niめっきを施した。 工程3.ケースパイプ部にウインドウをAuSnで軟ろ
う材けした。本比較例は、放熱板底面を平面研削加工し
ない点を除き、実施例8と同一である。
Next, the following comparative example was manufactured. Step 1. The heat sink was plated with Ni. The bottom surface (30 mm × 12.7 mm) of the obtained heat dissipation plate was previously inspected on a surface plate using a thickness gauge, and it was confirmed that the warp was 20 μm or less. Step 2. The case, the ceramic terminal, the seal ring, the lead, and the heat sink are sandwiched with a silver brazing (BAg-8) foil at the joint portion, assembled using a carbon jig, fixedly held, and then held together by a continuous belt furnace. It was heated to 810 ° C and brazed. Further, the hard brazed assembly member was plated with Au / Ni. Step 3. The window was softened with AuSn on the case pipe. This comparative example is the same as Example 8 except that the bottom surface of the heat sink is not ground.

【0021】次に、これらの実施例および比較例の製造
方法で、それぞれ40個のパッケージを製作し、反りの
状態を検査した。この検査は、パッケージ底面(すなわ
ち、放熱板底面)を、定盤上でシックネスゲージを用い
て、反りが20μm以下かどうかを調べた。その結果、
実施例1〜8については、すべてのパッケージが20μ
m以下の反りであった。一方、比較例については、40
個のうち、14個が20μmを越える反りを示した。
Next, 40 packages each were manufactured by the manufacturing methods of these Examples and Comparative Examples, and the warped state was inspected. In this inspection, the bottom surface of the package (that is, the bottom surface of the heat sink) was examined on a surface plate by using a thickness gauge to determine whether the warp was 20 μm or less. as a result,
For Examples 1-8, all packages were 20μ
The warp was less than m. On the other hand, for the comparative example, 40
Among them, 14 showed a warp exceeding 20 μm.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1のパッケ
ージの製造方法によれば、ケース、セラミック端子およ
びリードを硬ろう付けする工程と、前記硬ろう付けされ
たケース、セラミック端子およびリードにAu/Niめ
っきを施す工程と、放熱板にAu/Niめっきを施す工
程と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端子お
よびリードと、前記めっきを施された放熱板を軟ろう付
けする工程とを有するため、パッケージの底部をなす放
熱板の反りを防ぐことができるという優れた効果があ
る。また、請求項2のパッケージの製造方法によれば、
放熱板、ケース、セラミック端子およびリードを硬ろう
付けする工程と、前記硬ろう付けされた放熱板、ケー
ス、セラミック端子およびリードにAu/Niめっきを
施す工程と、前記Au/Niめっきを施された放熱板の
外表面を研削する工程とを有することを特徴とするた
め、パッケージの底部をなす放熱板の反りを防ぐことが
できるという優れた効果がある。
As described above, according to the package manufacturing method of the first aspect, the step of brazing the case, the ceramic terminals and the leads, and the step of brazing the case, the ceramic terminals and the leads. A step of applying Au / Ni plating, a step of applying Au / Ni plating to the heat dissipation plate, a step of soft brazing the hardened case, the ceramic terminals and the leads, and the plated heat dissipation plate. Therefore, there is an excellent effect that it is possible to prevent the heat dissipation plate forming the bottom of the package from warping. Further, according to the package manufacturing method of claim 2,
A step of hard brazing the heat sink, the case, the ceramic terminals and the leads; a step of plating the hard brazed heat sink, the case, the ceramic terminals and the leads with Au / Ni; and a step of applying the Au / Ni plating. And the step of grinding the outer surface of the heat dissipation plate. Therefore, there is an excellent effect that the warp of the heat dissipation plate forming the bottom of the package can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るパッケージの製造方法の一実施例
の工程説明図である。
FIG. 1 is a process explanatory view of an embodiment of a package manufacturing method according to the present invention.

【図2】パッケージの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッケージ 2 ケース 3 セラミック端子 4 放熱板 5 リード 6 シールリング 7 ケースパイプ部 8 ネジ穴 9 ウインドウ 1 Package 2 Case 3 Ceramic Terminal 4 Heat Sink 5 Lead 6 Seal Ring 7 Case Pipe 8 Screw Hole 9 Window

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 真幸 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Masayuki Sakamoto 2-6-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放熱板、ケース、セラミック端子および
リードを有するパッケージの製造方法であって、放熱板
はNi、Feを含有し、さらに必要に応じてMoを含有
し、残りがWと不可避不純物からなる組成を有するW基
焼結合金からなるパッケージの製造方法において、ケー
ス、セラミック端子およびリードを硬ろう付けする工程
と、前記硬ろう付けされたケース、セラミック端子およ
びリードにAu/Niめっきを施す工程と、放熱板にA
u/Niめっきを施す工程と、前記硬ろう付けされたケ
ース、セラミック端子およびリードと、前記めっきを施
された放熱板を軟ろう付けする工程とを有することを特
徴とするパッケージの製造方法。
1. A method of manufacturing a package having a heat radiating plate, a case, a ceramic terminal and a lead, wherein the heat radiating plate contains Ni, Fe, and optionally Mo, and the rest is W and inevitable impurities. In a method of manufacturing a package made of a W-based sintered alloy having a composition of, a step of hard brazing a case, a ceramic terminal and a lead, and Au / Ni plating on the hard brazed case, the ceramic terminal and the lead. The process of applying and the heat sink A
A method of manufacturing a package, comprising: a step of applying u / Ni plating; a step of hard brazing the case, a ceramic terminal and a lead; and a step of soft brazing the plated heat dissipation plate.
【請求項2】 放熱板、ケース、セラミック端子および
リードを有するパッケージの製造方法であって、放熱板
はNi、Feを含有し、さらに必要に応じてMoを含有
し、残りがWと不可避不純物からなる組成を有するW基
焼結合金からなるパッケージの製造方法において、放熱
板、ケース、セラミック端子およびリードを硬ろう付け
する工程と、前記硬ろう付けされた放熱板、ケース、セ
ラミック端子およびリードにAu/Niめっきを施す工
程と、前記Au/Niめっきを施された放熱板の外表面
を研削する工程とを有することを特徴とするパッケージ
の製造方法。
2. A method of manufacturing a package having a heat dissipation plate, a case, a ceramic terminal and a lead, wherein the heat dissipation plate contains Ni, Fe, and optionally Mo, and the rest is W and inevitable impurities. In a method of manufacturing a package made of a W-based sintered alloy having a composition of, a step of hard brazing a heat radiating plate, a case, a ceramic terminal and a lead, and the hard radiating plate, a case, a ceramic terminal and a lead A method of manufacturing a package, comprising: a step of applying Au / Ni plating to the metal; and a step of grinding the outer surface of the heat dissipation plate plated with Au / Ni.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037247A (en) * 2001-07-25 2003-02-07 Kyocera Corp Package for housing optical semiconductor element, and optical semiconductor device
JP2008306218A (en) * 2008-09-19 2008-12-18 Furukawa Electric Co Ltd:The Package for semiconductor device
CN113977026A (en) * 2021-11-05 2022-01-28 西安赛尔电子材料科技有限公司 Process for improving brazing reliability of high-power shell

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003037247A (en) * 2001-07-25 2003-02-07 Kyocera Corp Package for housing optical semiconductor element, and optical semiconductor device
JP4497762B2 (en) * 2001-07-25 2010-07-07 京セラ株式会社 Optical semiconductor element storage package and optical semiconductor device
JP2008306218A (en) * 2008-09-19 2008-12-18 Furukawa Electric Co Ltd:The Package for semiconductor device
CN113977026A (en) * 2021-11-05 2022-01-28 西安赛尔电子材料科技有限公司 Process for improving brazing reliability of high-power shell

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