JPH09246194A - Container of organic metal compound material and its composite container, and organic metal chemical gas phase growing device - Google Patents
Container of organic metal compound material and its composite container, and organic metal chemical gas phase growing deviceInfo
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- JPH09246194A JPH09246194A JP7522096A JP7522096A JPH09246194A JP H09246194 A JPH09246194 A JP H09246194A JP 7522096 A JP7522096 A JP 7522096A JP 7522096 A JP7522096 A JP 7522096A JP H09246194 A JPH09246194 A JP H09246194A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、有機金属化合物
原料用容器、有機金属化合物原料用複合容器および有機
金属化学気相成長装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a container for an organometallic compound raw material, a composite container for an organometallic compound raw material, and an organometallic chemical vapor deposition apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】化合物半導体の気相成長装置として、従
来、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）装置が知られ
ている。図５は、このＭＯＣＶＤ装置において用いられ
る液体の有機金属化合物原料用容器、すなわちバブラを
示す。ここで、図５Ａは平面図、図５Ｂは図５ＡのＢ−
Ｂ線に沿っての断面図を示す。図５に示すように、この
従来のバブラ１００は円筒状の形状を有している。この
バブラ１００は気密性を有し、その内部に液体の有機金
属化合物原料１０１が収納されている。このバブラ１０
０の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管１０２およ
びガス排出管１０３がそれぞれ接続されている。ガス導
入管１０２は、バブラ１００内に収納された有機金属化
合物原料１０１の液面下に達する長さを有する。また、
ガス排出管１０３は、バブラ１００内に収納された有機
金属化合物原料１０１の液面に達しない上部に位置す
る。符号１０４は、このバブラ１００に有機金属化合物
原料１０１を充填するための充填管を示す。ここで、ガ
ス導入管１０２、ガス排出管１０３および充填管１０４
は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により遮断可能
な構造となっているとともに、気密性を保持して接続可
能な、例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイント
（図示せず）により終端されている。2. Description of the Related Art A metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) apparatus is conventionally known as a vapor phase growth apparatus for compound semiconductors. FIG. 5 shows a liquid metalorganic compound raw material container, that is, a bubbler, used in this MOCVD apparatus. Here, FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is B- of FIG. 5A.
A sectional view taken along line B is shown. As shown in FIG. 5, this conventional bubbler 100 has a cylindrical shape. This bubbler 100 is airtight, and a liquid organometallic compound raw material 101 is housed inside. This bubbler 10
A gas introduction pipe 102 and a gas discharge pipe 103 are connected to the upper part of 0 almost vertically. The gas introduction pipe 102 has a length that reaches below the liquid surface of the organometallic compound raw material 101 housed in the bubbler 100. Also,
The gas discharge pipe 103 is located above the organometallic compound raw material 101 housed in the bubbler 100 and does not reach the liquid surface. Reference numeral 104 indicates a filling pipe for filling the bubbler 100 with the organometallic compound raw material 101. Here, the gas introduction pipe 102, the gas discharge pipe 103, and the filling pipe 104
Each has a structure that can be shut off by a hand valve (not shown), and is terminated by a connection joint (not shown) using, for example, a metal packing that can be connected while maintaining airtightness.
【０００３】この従来のバブラ１００においては、ＭＯ
ＣＶＤ装置の水素（Ｈ2 ）純化装置（図示せず）からの
Ｈ2 ガスがキャリアガスとして、ガス導入管１０２を通
じて有機金属化合物原料１０１中に導入される。このと
き、キャリアガスにより有機金属化合物原料１０１がバ
ブリングされて、その蒸気圧分の原料ガスがキャリアガ
スとともにガス排出管１０３からＭＯＣＶＤ装置のリア
クトラインを通じて反応器（ともに図示せず）に供給さ
れる。In this conventional bubbler 100, the MO
H 2 gas from a hydrogen (H 2 ) purifying device (not shown) of a CVD device is introduced as a carrier gas into the organometallic compound raw material 101 through a gas introduction pipe 102. At this time, the organometallic compound raw material 101 is bubbled by the carrier gas, and the raw material gas corresponding to the vapor pressure thereof is supplied together with the carrier gas from the gas exhaust pipe 103 to the reactor (both not shown) through the reactor of the MOCVD apparatus. .
【０００４】以上は、液体の有機金属化合物原料１０１
を用いる場合についてであるが、トリメチルインジウム
のような固体の有機金属化合物原料を用いる場合には、
バブリングによる原料ガスの供給を行うことができな
い。このため、固体の有機金属化合物原料を用いる場合
には、この固体の有機金属化合物原料を昇華させること
により蒸気圧分の原料ガスの供給が行われる。この場
合、この固体の有機金属化合物原料の結晶の形状を工夫
することによりその表面積を増大させ、この固体の有機
金属化合物原料を効率的に昇華させることにより、蒸気
圧の安定化を図る試みがなされている。The above is the liquid organometallic compound raw material 101.
When using a solid organometallic compound raw material such as trimethylindium,
The source gas cannot be supplied by bubbling. For this reason, when a solid organometallic compound raw material is used, the vaporized raw material gas is supplied by sublimating the solid organometallic compound raw material. In this case, an attempt has been made to stabilize the vapor pressure by devising the crystal shape of the solid organometallic compound raw material to increase its surface area and efficiently sublimate the solid organometallic compound raw material. Has been done.
【０００５】しかしながら、上述の図５に示したバブラ
１００において、液体の有機金属化合物原料１０１の代
わりに固体の有機金属化合物原料を収納した場合には、
その使用がある程度進むと、バブラ１００の内部に固体
の有機金属化合物原料が充分残っているにもかかわら
ず、突然蒸気圧が下がるという問題があった。これは、
使用が進むにつれて固体の有機金属化合物原料の結晶の
形状が変化することが大きな要因として考えられる。However, in the above bubbler 100 shown in FIG. 5, when a solid organometallic compound raw material is stored in place of the liquid organometallic compound raw material 101,
When its use progresses to a certain extent, there is a problem that the vapor pressure suddenly lowers although the solid organometallic compound raw material remains sufficiently inside the bubbler 100. this is,
It is considered that a major factor is that the crystal shape of the solid organometallic compound raw material changes as the use proceeds.
【０００６】この対策として、固体の有機金属化合物原
料を用いる場合には、バブラのガス導入管とガス排出管
との使い方を図５に示したバブラ１００と逆にする試み
がなされている。すなわち、図６に示すように、バブラ
２００の内部に固体の有機金属化合物原料２０１が収納
されている。ここで、図６Ａは平面図、図６Ｂは図６Ａ
のＢ−Ｂ線に沿っての断面図である。このバブラ２００
の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２０２および
ガス排出管２０３がそれぞれ接続されている。ここで、
ガス排出管２０３は、バブラ２００内の有機金属化合物
原料２０１の内部に達する長さを有している。また、ガ
ス導入管２０２は、バブラ２００内の有機金属化合物原
料２０１の内部に達しない上部に位置する。この場合、
有機金属化合物原料２０１が固体であるので、ガス排出
管２０３がこの有機金属化合物原料２０１中にディッピ
ングされていても、ガス排出管２０３に有機金属化合物
原料２０１が流入することがない。これにより、図５に
示したバブラ１００を用いる場合よりも、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率が高い。As a countermeasure against this, when a solid organometallic compound raw material is used, an attempt has been made to reverse the usage of the gas introduction pipe and the gas discharge pipe of the bubbler to that of the bubbler 100 shown in FIG. That is, as shown in FIG. 6, a solid organometallic compound raw material 201 is housed inside the bubbler 200. 6A is a plan view and FIG. 6B is FIG. 6A.
3 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. This bubbler 200
A gas introduction pipe 202 and a gas discharge pipe 203 are connected to the upper part of the substantially vertical direction. here,
The gas exhaust pipe 203 has a length that reaches the inside of the organometallic compound raw material 201 in the bubbler 200. Further, the gas introduction pipe 202 is located in an upper portion which does not reach the inside of the organometallic compound raw material 201 in the bubbler 200. in this case,
Since the organometallic compound raw material 201 is solid, even if the gas exhaust pipe 203 is dipped in the organometallic compound raw material 201, the organometallic compound raw material 201 does not flow into the gas exhaust pipe 203. Thereby, the use efficiency of the solid organometallic compound raw material 201 is higher than that in the case where the bubbler 100 shown in FIG. 5 is used.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図６に示したバブラ２００を用いた場合、固体の有機金
属化合物原料２０１の使用効率をある程度高めることは
できるものの、圧力が安定な状態で原料ガスを供給する
ことができる限界のときの固体の有機金属化合物原料２
０１の残量を、図５に示したバブラ１００に液体の有機
金属化合物原料１０１を収納して使用したときのこの有
機金属化合物原料１０１の残量と同程度にまですること
はできなかった。このため、固体の有機金属化合物原料
２０１の残量がかなりあるにもかかわらず、高価な有機
金属化合物原料２０１を交換せざるを得なかった。However, when the bubbler 200 shown in FIG. 6 described above is used, although the use efficiency of the solid organometallic compound raw material 201 can be increased to some extent, the raw material is kept in a stable pressure state. Solid organometallic compound raw material 2 at the limit of gas supply
It was not possible to make the remaining amount of 01 equal to the remaining amount of the organometallic compound raw material 101 when the liquid organometallic compound raw material 101 was stored in the bubbler 100 shown in FIG. For this reason, the expensive organometallic compound raw material 201 had to be replaced even though the amount of the solid organometallic compound raw material 201 was considerably large.
【０００８】一方、ＭＯＣＶＤ装置において、成長させ
る化合物半導体の組成制御の観点から、同種の有機金属
化合物原料が収納された複数のバブラを使用し、これら
のバブラから同種の原料ガスを供給する場合がある。と
ころが、各バブラが入れられた恒温槽毎に微妙に保持温
度が異なるので、各バブラから得られる蒸気圧が異な
る。したがって、化合物半導体の成長を行う際の組成制
御に、その点を考慮に入れなければならず、成長条件が
制限されるなど、好ましくなかった。On the other hand, in a MOCVD apparatus, from the viewpoint of controlling the composition of a compound semiconductor to be grown, a plurality of bubblers containing the same kind of organometallic compound raw material may be used, and the same kind of raw material gas may be supplied from these bubblers. is there. However, since the holding temperature is slightly different depending on the constant temperature bath in which each bubbler is placed, the vapor pressure obtained from each bubbler is different. Therefore, that point must be taken into consideration in the composition control when growing the compound semiconductor, which is not preferable because the growth conditions are limited.
【０００９】したがって、この発明の目的は、固体の有
機金属化合物原料を用いる場合でも、原料の使用効率が
高い有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原料用
複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長装置
を提供することにある。この発明の他の目的は、複数の
有機金属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすること
ができる有機金属化合物原料用容器、有機金属化合物原
料用複合容器およびそれを用いた有機金属化学気相成長
装置を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a container for an organometallic compound raw material, a composite container for an organometallic compound raw material, and a metalorganic chemistry using the same, in which the use efficiency of the raw material is high even when a solid organometallic compound raw material is used. It is to provide a vapor phase growth apparatus. Another object of the present invention is to provide a container for an organometallic compound raw material, a composite container for an organometallic compound raw material, and a metalorganic chemical vapor deposition using the same, in which the temperatures of a plurality of organometallic compound raw material containers can be made substantially equal. To provide a device.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明による有機金属化合物原料用
容器は、半円筒状の形状を有することを特徴とするもの
である。言い換えると、この有機金属化合物原料用容器
は、円筒をその中心軸を通る平面で二分割したときの一
方の部分に対応した形状を有する。In order to achieve the above object, the container for an organometallic compound raw material according to the first invention of the present invention is characterized by having a semi-cylindrical shape. In other words, this metal-organic compound raw material container has a shape corresponding to one part when the cylinder is divided into two parts by a plane passing through the central axis thereof.
【００１１】この発明の第２の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合していることを
特徴とするものである。A composite container for an organometallic compound raw material according to a second invention of the present invention comprises a first organometallic compound raw material container having a semicylindrical shape and a second organometallic compound container having a semicylindrical shape. The container for compound raw material is characterized in that the first container for raw material of organometallic compound and the second container for raw material of organometallic compound are connected to each other at their flat side surfaces.
【００１２】この発明の第３の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、半円筒状の形状を有する第１の有
機金属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第
２の有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機
金属化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容
器とはそれらの平坦な側面で互いに結合しており、か
つ、互いに連通していることを特徴とするものである。A composite container for an organometallic compound raw material according to a third invention of the present invention comprises a first organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape and a second organometallic compound container having a semi-cylindrical shape. It is composed of a compound raw material container, and the first organometallic compound raw material container and the second organometallic compound raw material container are connected to each other at their flat sides and are in communication with each other. It is a feature.
【００１３】この発明の第４の発明による有機金属化合
物原料用複合容器は、円筒をその中心軸に対して平行な
平面で複数に分割したときの各分割部に対応した形状を
有する複数の有機金属化合物原料用容器からなり、複数
の有機金属化合物原料用容器が全体として円筒状の形状
をなすように互いに結合していることを特徴とするもの
である。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a composite container for an organometallic compound raw material, wherein a plurality of organic materials having a shape corresponding to each divided portion when the cylinder is divided into a plurality of planes parallel to the central axis thereof. It is characterized in that it is composed of a metal compound raw material container, and that a plurality of organometallic compound raw material containers are joined together so as to form a cylindrical shape as a whole.
【００１４】この発明の第５の発明による有機金属化学
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合している有機金属化
合物原料用複合容器を有することを特徴とするものであ
る。The metal-organic chemical vapor deposition apparatus according to the fifth aspect of the present invention comprises a first metal-organic compound material container having a semi-cylindrical shape and a second metal-organic material having a semi-cylindrical shape. A container for compound raw material, wherein the first container for raw material of organometallic compound and the second container for raw material of organometallic compound have a composite container for raw material of organometallic compound which are bonded to each other at their flat sides. It is characterized by.
【００１５】この発明の第６の発明による有機金属化学
気相成長装置は、半円筒状の形状を有する第１の有機金
属化合物原料用容器と、半円筒状の形状を有する第２の
有機金属化合物原料用容器とからなり、第１の有機金属
化合物原料用容器と第２の有機金属化合物原料用容器と
はそれらの平坦な側面で互いに結合しており、かつ、互
いに連通している有機金属化合物原料用複合容器が有す
ることを特徴とするものである。The metal-organic chemical vapor deposition apparatus according to the sixth aspect of the present invention comprises a first metal-organic compound raw material container having a semi-cylindrical shape and a second metal-organic material having a semi-cylindrical shape. An organic metal comprising a compound raw material container, wherein the first organometallic compound raw material container and the second organometallic compound raw material container are connected to each other at their flat sides and communicate with each other. The composite container for compound raw material has the feature.
【００１６】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、半円筒状の形状を有する二つの有機金属化合物原料
用容器をそれらの平坦な側面で互いに結合することによ
り、全体として円筒状の形状にすることができ、これら
の有機金属化合物原料用容器を同一の恒温槽に入れるこ
とができる。これらの二つの有機金属化合物原料用容器
は、互いに独立して用いることもできるし、直列に接続
してたがいに連通した一つの有機金属化合物原料用複合
容器とすることもできる。後者の場合には、固体の有機
金属化合物原料を用いる場合にも、上流側の有機金属化
合物原料用容器内の有機金属化合物原料をほぼ完全に使
用することができる。According to the present invention configured as described above, the two containers having a semi-cylindrical shape for the organometallic compound raw material are joined to each other at their flat side surfaces to form a cylindrical shape as a whole. And the containers for these organometallic compound raw materials can be placed in the same constant temperature bath. These two containers for organometallic compound raw materials may be used independently of each other, or may be connected in series to form a single composite container for organometallic compound raw materials. In the latter case, even when a solid organometallic compound raw material is used, the organometallic compound raw material in the upstream organometallic compound raw material container can be used almost completely.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same or corresponding portions are denoted by the same reference numerals.
【００１８】まず、この発明の第１の実施形態について
説明する。図１は、この第１の実施形態によるＭＯＣＶ
Ｄ装置の構成例を示す略線図である。図１に示すよう
に、このＭＯＣＶＤ装置においては、Ｈ2 純化装置１に
より高純度化されたＨ2 ガスがキャリアガスとしてバル
ブＶ1 を通じてバブラ２〜５のそれぞれに供給される。
符号Ｖ2 、Ｖ3 、Ｖ4 はバブラ２〜５のそれぞれに接続
されたバルブを示す。バブラ２〜５の中には、化合物半
導体の成長に用いられる有機金属化合物やドーピングに
用いられる有機金属化合物などの原料が収納されてい
る。符号６はガスボンベを示す。このガスボンベ６に
は、化合物半導体の成長に用いられる原料ガスやドーピ
ングに用いられる原料ガスなどが収納されている。符号
７はガスボンベ６に接続されたレギュレータを示す。First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows the MOCV according to the first embodiment.
It is an approximate line figure showing the example of composition of D device. As shown in FIG. 1, in this MOCVD apparatus, H 2 gas highly purified by the H 2 purifying apparatus 1 is supplied as a carrier gas to each of the bubblers 2 to 5 through a valve V 1 .
Reference numerals V 2 , V 3 and V 4 indicate valves connected to the bubblers 2 to 5, respectively. In the bubblers 2 to 5, raw materials such as an organometallic compound used for growing a compound semiconductor and an organometallic compound used for doping are stored. Reference numeral 6 indicates a gas cylinder. The gas cylinder 6 stores a raw material gas used for growing a compound semiconductor, a raw material gas used for doping, and the like. Reference numeral 7 indicates a regulator connected to the gas cylinder 6.
【００１９】バブラ２〜５にＨ2 純化装置１からのＨ2
ガスが供給されることにより、それぞれのバブラ２〜５
から原料ガスが、キャリアガスとしてのＨ2 ガスととも
に、リアクトライン８を通って反応器９に供給される。
反応器９内にはサセプタ１０が設置され、その上に半導
体基板１１が置かれる。また、ガスボンベ６内の原料ガ
スやドーピング用ガスなども、キャリアガスとしてのＨ
2 ガスとともに、リアクトライン８を通って反応器９に
供給される。The bubblers 2 to 5 are supplied with H 2 from the H 2 purifier 1.
By supplying gas, each bubbler 2-5
The raw material gas is supplied to the reactor 9 through the reactor line 8 together with H 2 gas as a carrier gas.
A susceptor 10 is installed in the reactor 9, and a semiconductor substrate 11 is placed thereon. In addition, the raw material gas and the doping gas in the gas cylinder 6 are also used as H as a carrier gas.
It is supplied to the reactor 9 through the reactor line 8 together with the two gases.
【００２０】符号１２はベントラインを示す。この場
合、バブラ２〜５から発生される原料ガスまたはドーピ
ング用ガスのリアクトライン８とベントライン１２との
間での切り替えはバルブＶ5 、Ｖ6 の開閉により行うこ
とができるようになっている。また、同様に、ガスボン
ベ６から供給される原料ガスのリアクトライン８とベン
トライン１２との間での切り替えはバルブＶ7 、Ｖ8 の
開閉により行うことができるようになっている。符号１
３は、Ｈ2 純化装置１から供給されるＨ2 ガスの流量制
御のためのマスフローコンローラを示す。また、符号１
４は、ガスボンベ６から供給される原料ガスの流量制御
のためのマスフローコントローラを示す。Reference numeral 12 indicates a vent line. In this case, the source gas or the doping gas generated from the bubblers 2 to 5 can be switched between the reactor line 8 and the vent line 12 by opening and closing the valves V 5 and V 6 . . Similarly, the switching of the source gas supplied from the gas cylinder 6 between the reactor line 8 and the vent line 12 can be performed by opening and closing the valves V 7 and V 8 . Sign 1
Reference numeral 3 denotes a mass flow controller for controlling the flow rate of the H 2 gas supplied from the H 2 purifying device 1. Also, reference numeral 1
Reference numeral 4 denotes a mass flow controller for controlling the flow rate of the raw material gas supplied from the gas cylinder 6.
【００２１】このＭＯＣＶＤ装置において、バブラ４、
５には、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）などの液体の有
機金属化合物原料が収納されている。これらのバブラ
４、５は、例えば、図５に示した従来のバブラ１００と
同様に構成されている。一方、バブラ２、３には、例え
ばトリメチルインジウムのような固体の有機金属化合物
原料が収納されている。In this MOCVD apparatus, the bubbler 4,
5 stores a liquid organometallic compound raw material such as trimethylgallium (TMG). These bubblers 4 and 5 are configured similarly to the conventional bubbler 100 shown in FIG. 5, for example. On the other hand, the bubblers 2 and 3 contain solid organometallic compound raw materials such as trimethylindium.
【００２２】図２は、バブラ２、３の詳細を示す。ここ
で、図２Ａは平面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に沿っ
ての断面図、図２Ｃは図２ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面
図である。図２に示すように、バブラ２、３はそれぞれ
同一の半円筒状の形状、すなわち、底面が半円の筒状の
形状を有している。これらのバブラ２、３はそれぞれの
平坦な側面で取り外し可能な状態で互いに結合され、全
体として円筒状の形状をなす一つの複合バブラを構成し
ている。FIG. 2 shows details of the bubblers 2 and 3. Here, FIG. 2A is a plan view, FIG. 2B is a sectional view taken along line BB of FIG. 2A, and FIG. 2C is a sectional view taken along line CC of FIG. 2A. As shown in FIG. 2, the bubblers 2 and 3 have the same semi-cylindrical shape, that is, the bottom surface has a semi-circular cylindrical shape. These bubblers 2 and 3 are detachably coupled to each other on their flat side surfaces to form a composite bubbler having a generally cylindrical shape.
【００２３】これらのバブラ２、３はそれぞれ気密性を
有し、それぞれの内部に高純度の固体の有機金属化合物
原料２１、３１が収納されている。この場合、これらの
有機金属化合物原料２１、３１は同種のものである。バ
ブラ２の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管２２お
よびガス排出管２３がそれぞれ接続されている。同様
に、バブラ３の上部には、これとほぼ垂直にガス導入管
３２およびガス排出管３３がそれぞれ接続されている。
ここで、ガス排出管２３、３３はともに、バブラ２、３
内に収納された有機金属化合物原料２１、３１中に達す
る長さを有する。また、ガス排出管２３、３３はとも
に、バブラ２、３内に収納された有機金属化合物原料２
１、３１中に達しない上部に位置する。符号２４、３４
は、それぞれバブラ２、３に有機金属化合物原料２１、
３１を充填するための充填管をそれぞれ示す。ガス導入
管２２、３２、ガス排出管２３、３３および充填管２
４、３４は、いずれもハンドバルブ（図示せず）により
遮断可能な構造となっているとともに、気密性を保持し
て接続可能な例えばメタルパッキンを用いる接続ジョイ
ント（図示せず）で終端されている。Each of these bubblers 2 and 3 has airtightness, and the high-purity solid organometallic compound raw materials 21 and 31 are housed inside thereof. In this case, these organometallic compound raw materials 21 and 31 are of the same kind. A gas introduction pipe 22 and a gas discharge pipe 23 are connected to the upper portion of the bubbler 2 substantially perpendicularly thereto. Similarly, a gas introduction pipe 32 and a gas discharge pipe 33 are connected to the upper portion of the bubbler 3 substantially perpendicularly thereto.
Here, the gas discharge pipes 23 and 33 are both
It has a length that reaches the inside of the organometallic compound raw materials 21 and 31 housed inside. Further, the gas discharge pipes 23 and 33 are both provided with the organometallic compound raw material 2 housed in the bubblers 2 and 3.
It is located in the upper part, which does not reach the inside of 1, 31. Reference numerals 24 and 34
Are the metal bubble compound raw materials 21,
The filling pipe for filling 31 is shown respectively. Gas introduction pipes 22, 32, gas discharge pipes 23, 33 and filling pipe 2
4, 34 have a structure that can be shut off by a hand valve (not shown), and are terminated by a connection joint (not shown) using, for example, metal packing that can be connected while maintaining airtightness. There is.
【００２４】この場合、バブラ２のガス排出管２３とバ
ブラ３のガス導入管３２とは互いに接続されており、し
たがって、これらのバブラ２、３は互いに連通してい
る。言い換えると、これらのバブラ２、３は互いに直列
に接続されている。また、バブラ２のガス導入管２２
は、図１に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントロ
ーラ１３を介してＨ2 純化装置１と接続され、バブラ３
のガス排出管３３は、リアクトライン８およびベントラ
イン１２に接続されている。なお、互いに接続されたバ
ブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス導入管３
２には、バブラ２、３の交換の際のパージや真空引きな
どのメンテナンスを行うことができるようなエアオペレ
ートバルブなどで遮断可能なパージライン（図示せず）
を設けるのが望ましい。In this case, the gas discharge pipe 23 of the bubbler 2 and the gas introduction pipe 32 of the bubbler 3 are connected to each other, and therefore these bubblers 2 and 3 are in communication with each other. In other words, these bubblers 2, 3 are connected in series with each other. In addition, the gas introduction pipe 22 of the bubbler 2
Is connected to the H 2 purifying apparatus 1 via the mass flow controller 13 of the MOCVD apparatus shown in FIG.
The gas exhaust pipe 33 is connected to the reactor line 8 and the vent line 12. The gas discharge pipe 23 of the bubbler 2 and the gas introduction pipe 3 of the bubbler 3 connected to each other
2 includes a purge line (not shown) that can be shut off by an air-operated valve or the like that allows maintenance such as purging and vacuuming when replacing the bubblers 2 and 3.
Is desirably provided.
【００２５】次に、上述のように構成されたバブラ２、
３の使用方法について説明する。図１に示したこのＭＯ
ＣＶＤ装置においては、全体として円筒状の形状をなす
ように互いに結合され、かつ、互いに直列に接続された
バブラ２、３は、同一の恒温槽（図示せず）に入れられ
ている。これらのバブラ２、３には、まず、Ｈ2 純化装
置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスが、ガス導入管
２２を通してバブラ２の内部に導入される。このとき、
このバブラ２の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料２１が昇華し、その蒸気圧分の原料ガスが発生す
る。この原料ガスはキャリアガスとともに、ガス排出管
２３およびガス導入管３２を通りバブラ３の内部に導入
される。このとき、このバブラ３の内部に導入されたガ
ス中には、すでに蒸気圧分の原料ガスが含まれているた
め、バブラ３の内部に収納された固体の有機金属化合物
原料３１は昇華せず、減少しない。したがって、このバ
ブラ３に導入された原料ガスはキャリアガスとともにそ
のままガス排出管３３を通り、リアクトライン８を通し
て反応器９に供給される。Next, the bubbler 2 constructed as described above,
The usage method of 3 will be described. This MO shown in FIG.
In the CVD apparatus, the bubblers 2 and 3 which are connected to each other so as to form a cylindrical shape as a whole and are connected in series with each other are put in the same constant temperature bath (not shown). These bubblers 2,3, firstly, H 2 gas as a carrier gas from the H 2 purification apparatus 1 is introduced into the bubbler 2 through the gas inlet tube 22. At this time,
The solid organometallic compound raw material 21 housed inside the bubbler 2 is sublimated, and a raw material gas corresponding to the vapor pressure thereof is generated. This source gas is introduced into the bubbler 3 together with the carrier gas through the gas discharge pipe 23 and the gas introduction pipe 32. At this time, since the gas introduced into the bubbler 3 already contains the raw material gas for the vapor pressure, the solid organometallic compound raw material 31 contained in the bubbler 3 does not sublime. , Does not decrease. Therefore, the raw material gas introduced into the bubbler 3 passes through the gas discharge pipe 33 as it is together with the carrier gas and is supplied to the reactor 9 through the reactor line 8.
【００２６】この状態でＭＯＣＶＤ装置の稼動を続ける
と、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１の減
少が進むため、この有機金属化合物原料２１から必要な
蒸気圧分の原料ガスの供給が受けられなくなり、ついに
は、バブラ２に収納された有機金属化合物原料２１はほ
ぼ完全に無くなってしまう。しかしながら、このとき、
バブラ３にはまだ充分な量の有機金属化合物原料３１が
残っているため、この有機金属化合物原料３１から蒸気
圧分の原料ガスが供給される。If the MOCVD apparatus continues to operate in this state, the amount of the organometallic compound raw material 21 stored in the bubbler 2 decreases, so that the raw material gas of the required vapor pressure is supplied from the organometallic compound raw material 21. Finally, the organometallic compound raw material 21 stored in the bubbler 2 is almost completely lost. However, at this time,
Since a sufficient amount of the organometallic compound raw material 31 still remains in the bubbler 3, a raw material gas having a vapor pressure is supplied from the organometallic compound raw material 31.
【００２７】さらにこの状態でＭＯＣＶＤ装置の稼動を
続けると、従来と同様な理由から、バブラ３の有機金属
化合物原料３１の残量があるにもかかわらず、リアクト
ライン８に供給される原料ガスの圧力が減少する。この
場合には、一旦ＭＯＣＶＤ装置の運転を停止して、有機
金属化合物原料２１が空になったバブラ２を有機金属化
合物原料２１が充填された新たなものと交換する。この
交換の際には、途中まで使用したバブラ３をＨ2 純化装
置１に近い方、すなわち上流側に接続する。この場合、
バブラ３のガス排出管３３と新たなバブラ２のガス導入
管２２とを互いに接続する。また、バブラ３のガス導入
管３２をＨ2 純化装置１に接続し、新たなバブラ２のガ
ス排出管２３をリアクトライン８に接続する。このよう
にすることにより、バブラ３に収納された有機金属化合
物原料３１をほぼ完全に使用することができる。If the MOCVD apparatus continues to operate in this state, for the same reason as in the conventional case, the raw material gas supplied to the reactor line 8 is reduced even though the organometallic compound raw material 31 of the bubbler 3 remains. The pressure decreases. In this case, the operation of the MOCVD apparatus is once stopped, and the bubbler 2 in which the organometallic compound raw material 21 is empty is replaced with a new one filled with the organometallic compound raw material 21. At the time of this replacement, the bubbler 3 used partway is connected to the one closer to the H 2 purifying device 1, that is, the upstream side. in this case,
The gas discharge pipe 33 of the bubbler 3 and the gas introduction pipe 22 of the new bubbler 2 are connected to each other. Further, the gas introduction pipe 32 of the bubbler 3 is connected to the H 2 purifying device 1, and the gas discharge pipe 23 of the new bubbler 2 is connected to the reactor line 8. By doing so, the organometallic compound raw material 31 housed in the bubbler 3 can be used almost completely.
【００２８】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、半円筒状の形状を有する二つのバブラ２、３を互い
に直列に接続して使用し、上流側のバブラ内の固体の有
機金属化合物原料を使い切ったら、固体の有機金属化合
物原料が充填された新たなバブラと交換するとともに、
そのバブラを下流側に接続して使用しているので、バブ
ラ２、３に収納された高純度ゆえ高価な固体の有機金属
化合物原料２１、３１をほぼ完全に使用することができ
る。このため固体の有機金属化合物原料の使用効率を向
上させることができる。これにより、このＭＯＣＶＤ装
置を用いて化合物半導体の成長を行う場合、その成長コ
ストを低減することができる。As described above, according to the first embodiment, the two bubblers 2 and 3 having the semi-cylindrical shape are connected in series to each other and used, and the solid organic material in the upstream bubbler is used. When the metal compound raw material is used up, replace it with a new bubbler filled with a solid organometallic compound raw material,
Since the bubbler is used by being connected to the downstream side, the high-purity and expensive solid organometallic compound raw materials 21 and 31 housed in the bubblers 2 and 3 can be used almost completely. Therefore, the use efficiency of the solid organometallic compound raw material can be improved. Thereby, when growing a compound semiconductor using this MOCVD apparatus, the growth cost can be reduced.
【００２９】図３は、この発明の第２の実施形態による
ＭＯＣＶＤ装置の構成例を示す略線図である。また、図
４は、この第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装置に用い
られるバブラ２、３を示す。ここで、図４Ａは平面図、
図４Ｂは図４ＡのＢ−Ｂ線に沿っての断面図、図４Ｃは
図４ＡのＣ−Ｃ線に沿っての断面図である。図３および
図４に示すように、この第２の実施形態においては、バ
ブラ２、３の接続状態が第１の実施形態と異なる。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration example of the MOCVD apparatus according to the second embodiment of the present invention. Further, FIG. 4 shows bubblers 2 and 3 used in the MOCVD apparatus according to the second embodiment. Here, FIG. 4A is a plan view,
4B is a sectional view taken along line BB of FIG. 4A, and FIG. 4C is a sectional view taken along line CC of FIG. 4A. As shown in FIGS. 3 and 4, in the second embodiment, the connection state of the bubblers 2 and 3 is different from that in the first embodiment.
【００３０】すなわち、図４に示したバブラ２のガス導
入管２２およびバブラ３のガス導入管３２は、それぞれ
図３に示したＭＯＣＶＤ装置のマスフローコントローラ
１３を介してＨ2 純化装置１に接続されている。また、
バブラ２のガス排出管２３およびバブラ３のガス排出管
３３は、それぞれリアクトライン８およびベントライン
１２に接続されている。この場合、バブラ２、３は互い
に連通しておらず、互いに独立して使用される。このと
き、これらのバブラ２、３は同一の恒温槽（図示せず）
内に入れられている。その他のことは、第１の実施形態
と同様であるので、説明を省略する。That is, the gas introduction pipe 22 of the bubbler 2 and the gas introduction pipe 32 of the bubbler 3 shown in FIG. 4 are connected to the H 2 purifying device 1 via the mass flow controller 13 of the MOCVD device shown in FIG. 3, respectively. ing. Also,
The gas exhaust pipe 23 of the bubbler 2 and the gas exhaust pipe 33 of the bubbler 3 are connected to the reactor line 8 and the vent line 12, respectively. In this case, the bubblers 2 and 3 are not in communication with each other and are used independently of each other. At this time, these bubblers 2 and 3 are in the same constant temperature tank (not shown).
Inside. Since the other points are the same as those in the first embodiment, description thereof will be omitted.
【００３１】次に、上述のように構成されたバブラ２、
３の使用方法について説明する。このＭＯＣＶＤ装置に
おいては、例えば成長される化合物半導体の組成制御を
目的として、バブラ２、３に同種の固体の有機金属化合
物原料２１、３１を収納し、これらのバブラ２、３から
同種の原料ガスを供給する。このとき、バブラ２、３
は、異なるマスフローコントローラ１３を通してＨ2 純
化装置１からキャリアガスとしてのＨ2 ガスの供給を受
ける。また、バブラ２、３は、これらがともに入れられ
た同一の恒温槽（図示せず）により温度制御される。Next, the bubbler 2 constructed as described above,
The usage method of 3 will be described. In this MOCVD apparatus, for example, for the purpose of controlling the composition of the compound semiconductor to be grown, the same kind of solid metalorganic compound raw materials 21 and 31 are stored in the bubblers 2 and 3, and the same kind of raw material gas is supplied from these bubblers 2 and 3. To supply. At this time, bubblers 2, 3
Are supplied with H 2 gas as a carrier gas from the H 2 purifying device 1 through different mass flow controllers 13. Further, the bubblers 2 and 3 are temperature-controlled by the same constant temperature bath (not shown) in which they are both put.
【００３２】この第２の実施形態によれば、次のような
効果が得られる。すなわち、同種の原料ガスを供給する
互いに独立した二つのバブラ２、３が同一の恒温槽に入
れられ、温度制御されているので、これらのバブラ２、
３の温度をほぼ等しくすることができ、したがって、そ
れぞれのバブラ２、３から供給される原料ガスの圧力を
ほぼ等しくすることができる。このため、バブラ２、３
から供給される原料ガスの圧力制御を容易に行うことが
できる。また、化合物半導体の組成の制御性を高めるこ
とができる。According to the second embodiment, the following effects can be obtained. That is, since the two bubblers 2 and 3 which supply the same kind of raw material gas and which are independent of each other are put in the same constant temperature bath and the temperature is controlled, these bubblers 2,
3 can be made substantially equal, and therefore, the pressures of the raw material gases supplied from the respective bubblers 2, 3 can be made substantially equal. Therefore, the bubblers 2, 3
The pressure of the raw material gas supplied from can be easily controlled. In addition, the controllability of the composition of the compound semiconductor can be improved.
【００３３】さらに、同種の原料ガスを供給する独立し
た二つのバブラ２、３が、同一の恒温槽に入れられてい
るので、ＭＯＣＶＤ装置の恒温槽の個数を減らすことが
できる。これにより、ＭＯＣＶＤ装置の構成を簡略化す
ることができる。Furthermore, since two independent bubblers 2 and 3 for supplying the same kind of raw material gas are put in the same constant temperature bath, the number of constant temperature baths of the MOCVD apparatus can be reduced. As a result, the structure of the MOCVD apparatus can be simplified.
【００３４】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。The embodiments of the present invention have been specifically described above, but the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
【００３５】例えば、上述の第１および第２の実施形態
における有機金属化合物原料２１、３１は、トリメチル
インジウム以外の他の固体の有機金属化合物原料であっ
てもよい。さらに、固体の有機金属化合物原料２１、３
１の代わりに液体の有機金属化合物原料を用いてもよ
い。この場合、バブラ２のガス導入管２２は、バブラ２
に収納された有機金属化合物原料２１の液面下に達する
長さにする。同様に、バブラ３のガス導入管３２は、バ
ブラ３に収納された有機金属化合物原料３１の液面下に
達する長さにする。また、バブラ２のガス排出管２３お
よびバブラ３のガス排出管３３は、液面に達しない上部
に位置する。For example, the organometallic compound raw materials 21 and 31 in the above-described first and second embodiments may be solid organometallic compound raw materials other than trimethylindium. Furthermore, solid organometallic compound raw materials 21, 3
Instead of 1, a liquid organometallic compound raw material may be used. In this case, the gas introduction pipe 22 of the bubbler 2 is
The length is such that it reaches below the liquid surface of the organometallic compound raw material 21 stored in. Similarly, the gas introduction pipe 32 of the bubbler 3 has a length that reaches below the liquid surface of the organometallic compound raw material 31 housed in the bubbler 3. Further, the gas exhaust pipe 23 of the bubbler 2 and the gas exhaust pipe 33 of the bubbler 3 are located in the upper portion that does not reach the liquid surface.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、固体の有機金属化合物原料を用いた場合にも原料の
使用効率を高くすることができる。また、複数の有機金
属化合物原料用容器の温度をほぼ等しくすることができ
る。As described above, according to the present invention, it is possible to improve the use efficiency of the raw material even when the solid organometallic compound raw material is used. Further, the temperatures of the plurality of organometallic compound raw material containers can be made substantially equal.
【図１】この発明の第１の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置の構成例を示す略線図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of an MOCVD apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第１の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。2A and 2B are a plan view and a cross-sectional view showing a bubbler for a solid organometallic compound raw material in the MOCVD apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置の構成例を示す略線図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration example of an MOCVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】この発明の第２の実施形態によるＭＯＣＶＤ装
置における固体の有機金属化合物原料用のバブラを示す
平面図および断面図である。FIG. 4 is a plan view and a cross-sectional view showing a bubbler for a solid metalorganic compound raw material in a MOCVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】従来の液体の有機金属化合物原料用のバブラを
示す平面図および断面図である。5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view showing a conventional bubbler for a liquid organic metal compound raw material.
【図６】従来の固体の有機金属化合物原料用のバブラを
示す平面図および断面図である。6A and 6B are a plan view and a cross-sectional view showing a conventional bubbler for solid metalorganic compound raw material.
１・・・Ｈ2 純化装置、２〜５・・・バブラ、８・・・
リアクトライン、１２・・・ベントライン、２１，３１
・・・有機金属化合物原料、２２，３２・・・ガス導入
管、２３，３３・・・ガス排出管、２４，３４・・・充
填管1 ... H 2 purifier, 2-5 ... Bubbler, 8 ...
React line, 12 ... Vent line, 21, 31
... Organometallic compound raw material, 22, 32 ... Gas introduction pipe, 23, 33 ... Gas discharge pipe, 24, 34 ... Filling pipe
Claims (10)
る有機金属化合物原料用容器。1. A container for an organometallic compound raw material, which has a semi-cylindrical shape.
部にガス導入管およびガス排出管がそれぞれ接続されて
いることを特徴とする請求項１記載の有機金属化合物原
料用容器。2. The container for an organometallic compound raw material according to claim 1, wherein a gas introduction pipe and a gas exhaust pipe are connected to an upper portion of the container for an organometallic compound raw material.
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合していることを特徴とする有機金属化合物原料用複
合容器。3. A first organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, and a second organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, wherein the first organometallic compound is used. A composite container for an organometallic compound raw material, wherein the raw material container and the second organometallic compound raw material container are bonded to each other at their flat side surfaces.
上部に第１のガス導入管および第１のガス排出管がそれ
ぞれ接続され、上記第２の有機金属化合物原料用容器の
上部に第２のガス導入管および第２のガス排出管がそれ
ぞれ接続されていることを特徴とする請求項３記載の有
機金属化合物原料用複合容器。4. A first gas introduction pipe and a first gas discharge pipe are respectively connected to an upper portion of the first metal-organic compound raw material container, and a first gas introduction pipe and a first gas discharge pipe are connected to an upper portion of the second metal-organic compound raw material container. The composite container for organometallic compound raw material according to claim 3, wherein the second gas introduction pipe and the second gas discharge pipe are connected to each other.
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合しており、かつ、互いに連通していることを特徴と
する有機金属化合物原料用複合容器。5. The first organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, and the second organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, wherein the first organometallic compound is used. A composite container for an organometallic compound raw material, wherein the raw material container and the second organometallic compound raw material container are connected to each other at their flat sides and communicate with each other.
上部に第１のガス導入管および第１のガス排出管がそれ
ぞれ接続され、上記第２の有機金属化合物原料用容器の
上部に第２のガス導入管および第２のガス排出管がそれ
ぞれ接続されていることを特徴とする請求項５記載の有
機金属化合物原料用複合容器。6. A first gas introduction pipe and a first gas discharge pipe are respectively connected to an upper portion of the first metalorganic compound raw material container, and a first gas introduction pipe and a first gas discharge pipe are connected to an upper portion of the second metalorganic compound raw material container. The composite container for organometallic compound raw material according to claim 5, wherein the second gas introduction pipe and the second gas discharge pipe are connected to each other.
導入管とが互いに接続されていることを特徴とする請求
項６記載の有機金属化合物原料用複合容器。7. The composite container for an organometallic compound raw material according to claim 6, wherein the first gas discharge pipe and the second gas introduction pipe are connected to each other.
複数に分割したときの各分割部に対応した形状を有する
複数の有機金属化合物原料用容器からなり、 上記複数の有機金属化合物原料用容器が全体として円筒
状の形状をなすように互いに結合していることを特徴と
する有機金属化合物原料用複合容器。8. A plurality of organometallic compound raw material containers each having a shape corresponding to each divided portion when the cylinder is divided into a plurality of planes parallel to the central axis thereof, wherein the plurality of organometallic compound raw materials are provided. A composite container for an organometallic compound raw material, wherein the containers are bonded to each other so as to form a cylindrical shape as a whole.
化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合している有機金属化合物原料用複合容器を有するこ
とを特徴とする有機金属化学気相成長装置。9. A first organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, and a second organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, wherein the first organometallic compound is used. A metal-organic chemical vapor deposition apparatus, characterized in that the raw material container and the second metal-organic compound raw material container have a composite metal-organic compound raw material container bonded to each other at their flat side surfaces.
属化合物原料用容器と、 半円筒状の形状を有する第２の有機金属化合物原料用容
器とからなり、 上記第１の有機金属化合物原料用容器と上記第２の有機
金属化合物原料用容器とはそれらの平坦な側面で互いに
結合しており、かつ、互いに連通している有機金属化合
物原料用複合容器を有することを特徴とする有機金属化
学気相成長装置。10. A first organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape and a second organometallic compound raw material container having a semi-cylindrical shape, wherein the first organometallic compound is used. The organic material characterized in that the raw material container and the second organic metal compound raw material container are bonded to each other at their flat side surfaces and have an organometallic compound raw material composite container in communication with each other. Metal chemical vapor deposition equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7522096A JPH09246194A (en) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Container of organic metal compound material and its composite container, and organic metal chemical gas phase growing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7522096A JPH09246194A (en) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Container of organic metal compound material and its composite container, and organic metal chemical gas phase growing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246194A true JPH09246194A (en) | 1997-09-19 |
Family
ID=13569929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7522096A Pending JPH09246194A (en) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | Container of organic metal compound material and its composite container, and organic metal chemical gas phase growing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246194A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006291258A (en) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Tohoku Univ | Film deposition apparatus, and film deposition method |
| KR101029894B1 (en) * | 2003-07-08 | 2011-04-18 | 토소 화인켐 가부시키가이샤 | Container and method for filling solid organometallic compound |
| JP2016192515A (en) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社東芝 | Vaporization system |
| KR102208303B1 (en) * | 2019-09-25 | 2021-01-28 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | Apparatus for supplying organometallic compound |
-
1996
- 1996-03-05 JP JP7522096A patent/JPH09246194A/en active Pending
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