JPH09238921A - Magnetic resonance imaging apparatus - Google Patents

Magnetic resonance imaging apparatus

Info

Publication number
JPH09238921A
JPH09238921A JP8054756A JP5475696A JPH09238921A JP H09238921 A JPH09238921 A JP H09238921A JP 8054756 A JP8054756 A JP 8054756A JP 5475696 A JP5475696 A JP 5475696A JP H09238921 A JPH09238921 A JP H09238921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency
trap
magnetic field
coil
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8054756A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Mori
一生 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8054756A priority Critical patent/JPH09238921A/en
Publication of JPH09238921A publication Critical patent/JPH09238921A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic resonance imaging apparatus which eliminates the need for arranging excess trap circuits to limit the number thereof to the necessary minimum whether a high magnetic field with a higher frequency of an RF magnetic field or a large receiving coil is used. SOLUTION: A coil 31 for RF reception is provided with a trap circuit in which a trap frequency varies so that resonation occurs at a trap frequency having a specified quantity of frequency offset with respect to the frequency of an RF excited magnetic field to present a higher impedance under the normal temperature and with a rise in the temperature, the frequency offset increases while the impedance lowers.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴イメージ
ング装置(以下、MRI装置と略称することがある)に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic resonance imaging apparatus (hereinafter sometimes abbreviated as MRI apparatus).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のMRI装置において、被
検体に磁気共鳴現象を生じさせるRF励起磁場(RFパ
ルス)を発生させるための送信用RFコイルと、被検体
からのMR信号を受信するための受信用RFコイルとが
別体で構成されたものが知られている。受信用RFコイ
ルには、通称トラップ回路と呼ばれる共振回路が挿入さ
れている。トラップ回路は、例えば送信用RFコイルか
らのRF励起に伴って受信用RFコイル内に誘導される
誘導起電力から、受信用RFコイルに接続されているバ
ラクタダイオードやプリアンプなどの脆弱な素子を保護
するとともに、該起電力により受信用RFコイルに誘導
される誘導電流を抑制し励起RF磁場を乱さないように
するために用いられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, in this type of MRI apparatus, a transmitting RF coil for generating an RF excitation magnetic field (RF pulse) that causes a magnetic resonance phenomenon in a subject and an MR signal from the subject are received. It is known that the receiving RF coil for this purpose is configured separately. A resonance circuit commonly called a trap circuit is inserted in the reception RF coil. The trap circuit protects fragile elements such as a varactor diode and a preamplifier connected to the receiving RF coil from the induced electromotive force induced in the receiving RF coil due to the RF excitation from the transmitting RF coil. In addition, it is used to suppress the induced current induced in the receiving RF coil by the electromotive force so as not to disturb the excitation RF magnetic field.

【0003】図5は、このようなトラップ回路の具体的
な回路の構成例を示す図である。トラップ回路40は、
インダクタンスがLtのコイル41及びキャパシタンス
がCtのコンデンサ42が並列に接続された並列共振回
路と、二つのダイオードがバック・トゥー・バック(bac
k to back)で接続されたいわゆるクロスダイオード回路
43とを備えている。CtとLtは、クロスダイオード
回路43が導通状態にあるとき、励起RFの周波数とほ
ぼ同調する周波数(以下、トラップ周波数と称する)で
共振するような値が選定される。すなわちトラップ回路
43は、RF励起時において高い並列共振インピーダン
スを呈することになる。
FIG. 5 is a diagram showing an example of a concrete circuit configuration of such a trap circuit. The trap circuit 40 is
A parallel resonance circuit in which a coil 41 having an inductance Lt and a capacitor 42 having a capacitance Ct are connected in parallel, and two diodes are back-to-back (bac
and a so-called cross diode circuit 43 connected by k to back). The values of Ct and Lt are selected so that when the cross diode circuit 43 is in a conducting state, the resonance occurs at a frequency that is substantially tuned to the frequency of the excitation RF (hereinafter referred to as a trap frequency). That is, the trap circuit 43 exhibits a high parallel resonance impedance during RF excitation.

【0004】図6は、上述したトラップ回路を備えた受
信用RFコイルの具体的な回路の構成例を示す図であ
る。受信用RFコイル44は、インダクタンスがLのR
Fコイル45、トラップ回路40、及びチューニング調
整用の可変コンデンサ46、マッチング調整用の可変コ
ンデンサ47、プリアンプ48を備えている。
FIG. 6 is a diagram showing an example of a concrete circuit configuration of a receiving RF coil provided with the above-mentioned trap circuit. The receiving RF coil 44 has an R of inductance L
An F coil 45, a trap circuit 40, a variable capacitor 46 for tuning adjustment, a variable capacitor 47 for matching adjustment, and a preamplifier 48 are provided.

【0005】送信時において、送信用RFコイルから励
起用の強大なRF磁場を浴びせられると、その周波数に
応じてRFコイル45に誘導起電力が生じる。この場
合、クロスダイオード回路43は所定値以上の電圧が印
加されることになり導通状態となるとともに、コイル4
1及びコンデンサ42から構成される共振回路が共振す
る。
When a strong RF magnetic field for excitation is exposed from the transmitting RF coil during transmission, an induced electromotive force is generated in the RF coil 45 according to the frequency. In this case, the cross diode circuit 43 is applied with a voltage equal to or higher than a predetermined value and becomes conductive, and the coil 4
The resonance circuit composed of 1 and the capacitor 42 resonates.

【0006】その結果、トラップ回路40は高い並列共
振インピーダンスを呈し、RFコイル45には大きな電
流は流れず、チューニング調整用の可変コンデンサ4
6、マッチング調整用の可変コンデンサ47(これらの
コンデンサはしばしばバラクタダイオードなどと同様に
脆弱な素子である)、プリアンプ48には誘導起電力に
よる電圧は殆ど印加されない。同様に、誘導起電力によ
る電流が殆ど流れないから、誘導電流によるRF磁場
が、励起用のRF磁場を乱すこともない。
As a result, the trap circuit 40 exhibits a high parallel resonance impedance, a large current does not flow in the RF coil 45, and the variable capacitor 4 for tuning adjustment is used.
6. The voltage due to the induced electromotive force is hardly applied to the variable capacitors 47 for matching adjustment (these capacitors are often fragile elements like varactor diodes) and the preamplifier 48. Similarly, since the current due to the induced electromotive force hardly flows, the RF magnetic field due to the induced current does not disturb the RF magnetic field for excitation.

【0007】一方受信時においては、被検体からのRF
磁場(磁気共鳴信号、MR信号)は微弱であり、それが
RFコイル45に誘導する起電力も微弱であり、クロス
ダイオード回路43が導通状態になることはない。従っ
て、コイル41やクロスダイオード回路43は、受信時
には存在しないのと同様であり、コイル45に誘導され
た微弱信号はプリアンプ48まで正常に伝達される。
On the other hand, during reception, RF from the subject is detected.
The magnetic field (magnetic resonance signal, MR signal) is weak, and the electromotive force that induces it in the RF coil 45 is also weak, so that the cross diode circuit 43 does not become conductive. Therefore, the coil 41 and the cross diode circuit 43 are similar to those which do not exist at the time of reception, and the weak signal induced in the coil 45 is normally transmitted to the preamplifier 48.

【0008】図7は、トラップ回路の他の構成例を示す
図である。本回路は、前述のクロスダイオード回路の替
わりにPINダイオード49を備えており、RF励起時
には当該PINダイオード49のバイアスラインに挿入
したインダクタンスLbのコイル501 、502 (ある
いは、低周波信号に対しては低インピーダンスとなり、
RF信号に対しては高インピーダンスとなる回路であれ
ばどの様な回路でもよい)を経由して直流電流を供給す
る。
FIG. 7 is a diagram showing another configuration example of the trap circuit. This circuit is provided with a PIN diode 49 instead of the above-mentioned cross diode circuit, and at the time of RF excitation, coils 501 and 502 of the inductance Lb inserted in the bias line of the PIN diode 49 (or for low frequency signals, Low impedance,
The DC current is supplied to the RF signal via any circuit as long as it has a high impedance.

【0009】直流電流をこのようにバイアスすることに
より、送信時ではPINダイオード49は導通状態とな
る。従ってクロスダイオードの場合と同様に図7に示す
トラップ回路は、励起RF磁場の周波数(トラップ周波
数)において高いインピーダンスを呈する。また受信時
においては、PINダイオード49は逆バイアスとな
り、この状態ではPINダイオード49は導通せず、該
PINダイオード49やコイル41は、やはり存在しな
いと同じである。
By biasing the direct current in this manner, the PIN diode 49 becomes conductive during transmission. Therefore, as in the case of the cross diode, the trap circuit shown in FIG. 7 exhibits a high impedance at the frequency of the excitation RF magnetic field (trap frequency). Further, at the time of reception, the PIN diode 49 is reversely biased, and in this state, the PIN diode 49 does not conduct, and the PIN diode 49 and the coil 41 are the same as not existing.

【0010】余り用いられることはないが、コイル41
とコンデンサ42とを入れ替えて共振回路を構成したよ
うな図8に示すような回路についても、トラップ回路と
して機能させることができる。
Although rarely used, the coil 41
The circuit shown in FIG. 8 in which the resonance circuit is configured by replacing the capacitor 42 with the capacitor 42 can also function as a trap circuit.

【0011】ところで、以上説明したようなトラップ回
路を調整するにあたっては、所定の周波数で共振するよ
うに、コイル41のインダクタンスLt 及びコンデンサ
42のキャパシタンスCt の値を選ぶのであるが、調整
時と実使用時とでは回路状態が異なる。例えば被検体は
固体差を有し千差万別であり、高周波においては何らか
の干渉をトラップ回路に対して行う。また、MRI装置
の磁石内と調整場所とでは高周波的な環境が多少異な
り、従って大体の調整しか施し得ず、実使用時は共振周
波数が励起RF磁場の周波数から僅かばかりずれてしま
う。
By the way, in adjusting the trap circuit as described above, the values of the inductance Lt of the coil 41 and the capacitance Ct of the capacitor 42 are selected so as to resonate at a predetermined frequency. The circuit condition is different from that during use. For example, an object to be inspected has individual differences and is innumerable, and at high frequencies, some kind of interference is caused to the trap circuit. Further, the high-frequency environment is slightly different between the inside of the magnet of the MRI apparatus and the place of adjustment, and therefore, adjustment can be made only roughly, and the resonance frequency deviates slightly from the frequency of the excitation RF magnetic field during actual use.

【0012】また、別の特徴として、ダイオードや共振
回路のコイルは抵抗損失を有し、トラップとして機能し
ている間は(即ちRF励起磁場により共振している間
は)、誘導電流により相当の発熱をする。
As another feature, the diode and the coil of the resonance circuit have resistance loss, and while the diode functions as a trap (that is, while resonating by the RF excitation magnetic field), a considerable amount is induced by the induced current. I have a fever.

【0013】このようなトラップ回路を一つしか用いな
いRFコイルでは、大きな問題は起きない。しかし、大
型の受信コイルを用い、かつ励起RF磁場の周波数が高
い高磁場のMRI装置では、一つのRFコイルに対し一
つのトラップ回路を配するのみでは間に合わないことが
ある。すなわち、発熱が大きすぎてトラップ回路が破損
したり、そこまでいかなくてもトラップ回路の発熱がR
Fコイル表面に伝わり、その局所に被検体(患者)が長
時間触れていると火傷の危険があるといった問題があ
る。そこで一つのRFコイルに対し、図9に示すよう
に、複数のトラップ回路を分散して配置(ここでは40
1 、402 からなる二つのトラップ回路)することが行
われる。図5を用いて先に示したインダクタンスがLの
RFコイル45は、図9に示す回路ではこれが分断して
配置され、インダクタンスがそれぞれL1 〜L3 のコイ
ル451 〜453 に相当する。
A large problem does not occur in the RF coil using only one such trap circuit. However, in a high magnetic field MRI apparatus that uses a large receiving coil and has a high frequency of the excitation RF magnetic field, it may not be enough to arrange only one trap circuit for one RF coil. That is, the heat generation is too great and the trap circuit is damaged.
There is a problem that if the subject (patient) is transmitted to the surface of the F-coil and is locally touched by the subject, there is a risk of burns. Therefore, as shown in FIG. 9, a plurality of trap circuits are distributed and arranged for one RF coil (here, 40
(Two trap circuits consisting of 1 and 402) are performed. The RF coil 45 having the inductance L shown above with reference to FIG. 5 is arranged in a divided manner in the circuit shown in FIG. 9 and corresponds to the coils 451 to 453 having the inductances L1 to L3, respectively.

【0014】このように、複数のトラップ回路を分散し
て配置すれば、トラップ回路一カ所あたりの発熱は、そ
れが設けられる個数に応じて低減でき好ましい。しかし
ながら、前述したようにトラップ回路の調整は完全では
ないので、共振時において、あるトラップ回路のインピ
ーダンスは十分高いが、別のトラップ回路のインピーダ
ンスは低いということが起こり得る。そしてこのような
アンバランスな状態にあっては、インピーダンスの高い
トラップ回路に誘導起電力が集中してしまうという問題
点がある。
By disposing a plurality of trap circuits in a distributed manner as described above, it is preferable that the heat generation per location of the trap circuit can be reduced according to the number of the trap circuits provided. However, as described above, since the adjustment of the trap circuit is not perfect, it is possible that at the time of resonance, the impedance of one trap circuit is sufficiently high, but the impedance of another trap circuit is low. In such an unbalanced state, there is a problem that the induced electromotive force concentrates on the trap circuit with high impedance.

【0015】この結果、誘導起電力が集中して印加され
たトラップ回路の発熱が過大となり、まずこのトラップ
回路が壊れ、続いて、残ったトラップ回路のうち、いず
れかのトラップ回路に再び誘導起電力が集中し、順次壊
れていくという問題が生じることがある。このような問
題を回避するため、各々のトラップ回路のインピーダン
スが十分にバランスしていれば数個のトラップで済むと
ころを、従来では、少々のアンバランスがあっても最大
のインピーダンスのトラップの熱負荷が破損限度以内と
なるように負荷をさらに分散するべく、より多数のトラ
ップを設けねばならない。
As a result, the heat generated in the trap circuit, to which the induced electromotive force is concentrated and applied, becomes excessive, the trap circuit is destroyed first, and subsequently, one of the remaining trap circuits is induced again. There may be a problem that electric power is concentrated and sequentially broken. In order to avoid such a problem, if the impedance of each trap circuit is well balanced, only a few traps are needed. More traps should be provided to further distribute the load so that it is within the damage limit.

【0016】RFコイルに多数のトラップ回路を挿入す
ることは次のような不都合があり好ましくない。 (1) 個数が増える分、各々のトラップ回路の調整が大変
になる。 (2) RFコイルがかさばって使いにくくなる。またRF
コイルの製造コストが高くなる。 (3) RFコイルの性能が落ちる。これはトラップ回路の
高周波損失による。クロスダイオードは、微少な電圧が
印加されている場合(すなわち受信時)にあっても、多
少の漏れ電流がある。これが抵抗損失となって現れるこ
とにより、RFコイルのQ値を低下させてしまう。従っ
てトラップ回路が多数設けられていれば、その分RFコ
イルのQ値の低下が著しくなり、その結果、MRI画像
のSNRが低下してしまう。尚、クロスダイオードでは
なく、PINダイオードを用いるトラップ回路は、この
ようなQ値の低下は比較的小さいが、PINダイオード
は高価でありコスト高となる。また、PINダイオード
は、そのバイアスラインにおいて高周波を完全に遮断で
きないため、受信した信号が多少漏れてしまう。この点
においてもPINダイオードを用いるトラップ回路にも
RFコイルの性能低下があり、やはりトラップの数が増
えるのは問題である。
Inserting a large number of trap circuits in the RF coil is not preferable because of the following disadvantages. (1) As the number increases, the adjustment of each trap circuit becomes difficult. (2) The RF coil is bulky and difficult to use. Also RF
The manufacturing cost of the coil increases. (3) The performance of the RF coil deteriorates. This is due to the high frequency loss of the trap circuit. The cross diode has some leakage current even when a minute voltage is applied (that is, when receiving). This appears as resistance loss, which lowers the Q value of the RF coil. Therefore, if a large number of trap circuits are provided, the Q value of the RF coil significantly decreases, and as a result, the SNR of the MRI image decreases. In the trap circuit using the PIN diode instead of the cross diode, such a decrease in Q value is relatively small, but the PIN diode is expensive and costly. Further, since the PIN diode cannot completely block high frequency waves in its bias line, the received signal leaks to some extent. In this respect as well, the trap circuit using the PIN diode also has a decrease in the performance of the RF coil, and again, the number of traps increases, which is a problem.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に対処すべくなされたもので、その目的は、RF磁場の
周波数が高い高磁場を用いる場合、あるいは大型の受信
コイルを用いる場合であっても、余分のトラップ回路を
設ける必要がなく、その数が必要最小限で済む磁気共鳴
イメージング装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address the above-mentioned circumstances, and its purpose is to use a high magnetic field having a high RF magnetic field frequency or to use a large receiving coil. Even so, it is an object of the present invention to provide a magnetic resonance imaging apparatus in which the number of extra trap circuits is not required and the number thereof can be minimized.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1の磁気
共鳴イメージング装置は、RF励起磁場が印加されるR
Fコイルと、前記RFコイルに接続され、常温時では、
前記RF励起磁場の周波数に対して所定量の周波数オフ
セットを有するトラップ周波数において共振することに
より高いインピーダンスを呈し、温度上昇に伴って、前
記周波数オフセットが増加し、且つ前記インピーダンス
が低下するように前記トラップ周波数が変化する共振手
段とを具備することを特徴とする。
According to the magnetic resonance imaging apparatus of the first aspect of the present invention, R to which an RF excitation magnetic field is applied.
Connected to the F coil and the RF coil, at room temperature,
The impedance is increased by resonating at a trap frequency having a predetermined frequency offset with respect to the frequency of the RF excitation magnetic field, and the frequency offset increases and the impedance decreases as the temperature rises. And a resonance means for changing the trap frequency.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る磁気共鳴イメージング装置の第1の実施形態を説明す
る。図1はこの実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。ガントリ20内には静磁場磁石1、X軸・Y軸・
Z軸傾斜磁場コイル2、及び送信用RFコイル31、受
信用RFコイル32が設けられている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of a magnetic resonance imaging apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of this embodiment. In the gantry 20, the static magnetic field magnet 1, X-axis, Y-axis,
A Z-axis gradient magnetic field coil 2, a transmission RF coil 31, and a reception RF coil 32 are provided.

【0020】静磁場発生装置としての静磁場磁石1は例
えば超電導コイル、または常伝導コイルを用いて構成さ
れる。X軸・Y軸・Z軸傾斜磁場コイル2はX軸傾斜磁
場Gx、Y軸傾斜磁場Gy、Z軸傾斜磁場Gzを発生す
るためのコイルである。送信用RFコイル31は、スラ
イスを選択するための選択励起パルスとしての高周波
(RF)パルスを発生するものであり、受信用RFコイ
ル32は、磁気共鳴により発生した磁気共鳴信号(MR
信号)を検出するものである。寝台13の天板上に載置
された対象物Mはガントリ20内のイメージング可能領
域(イメージング用磁場が形成される球状の領域であ
り、この領域内でのみ診断が可能となる)に挿入され
る。
The static magnetic field magnet 1 as the static magnetic field generator is constructed by using, for example, a superconducting coil or a normal conducting coil. The X-axis / Y-axis / Z-axis gradient magnetic field coil 2 is a coil for generating an X-axis gradient magnetic field Gx, a Y-axis gradient magnetic field Gy, and a Z-axis gradient magnetic field Gz. The transmission RF coil 31 is for generating a radio frequency (RF) pulse as a selective excitation pulse for selecting a slice, and the reception RF coil 32 is for a magnetic resonance signal (MR) generated by magnetic resonance.
Signal). The object M placed on the tabletop of the bed 13 is inserted into an imageable region (a spherical region where an imaging magnetic field is formed and a diagnosis is possible only in this region) in the gantry 20. It

【0021】静磁場磁石1は静磁場制御装置4により駆
動される。送信用RFコイル31は磁気共鳴の励起時に
は送信器5により駆動され、受信用RFコイル32は、
磁気共鳴信号の検出時には受信器6に結合される。X軸
・Y軸・Z軸傾斜磁場コイル2はX軸傾斜磁場電源7、
Y軸傾斜磁場電源8、Z軸傾斜磁場電源9により駆動さ
れる。
The static magnetic field magnet 1 is driven by the static magnetic field controller 4. The transmitting RF coil 31 is driven by the transmitter 5 when magnetic resonance is excited, and the receiving RF coil 32 is
When the magnetic resonance signal is detected, it is coupled to the receiver 6. The X-axis / Y-axis / Z-axis gradient magnetic field coil 2 includes an X-axis gradient magnetic field power supply 7,
It is driven by a Y-axis gradient magnetic field power supply 8 and a Z-axis gradient magnetic field power supply 9.

【0022】X軸傾斜磁場電源7、Y軸傾斜磁場電源
8、Z軸傾斜磁場電源9、送信器5はシーケンサ10に
より所定のシーケンスに従って駆動され、X軸傾斜磁場
Gx、Y軸傾斜磁場Gy、Z軸傾斜磁場Gz、高周波
(RF)パルスを、所定のパルスシーケンスで発生す
る。この場合、X軸傾斜磁場Gx、Y軸傾斜磁場Gy,
Z軸傾斜磁場Gzは主として、例えば位相エンコード用
傾斜磁場Ge、読出し用傾斜磁場Gr、スライス用傾斜
磁場Gsとしてそれぞれ使用される。コンピュータシス
テム11はシーケンサ10を駆動制御するとともに、受
信用RFコイル32を介して受信器6で受信される磁気
共鳴信号を取り込んで、所定の信号処理を施すことによ
り、対象物の断層像を生成し表示部12で表示する。
The X-axis gradient magnetic field power source 7, the Y-axis gradient magnetic field power source 8, the Z-axis gradient magnetic field power source 9 and the transmitter 5 are driven by a sequencer 10 according to a predetermined sequence, and an X-axis gradient magnetic field Gx, a Y-axis gradient magnetic field Gy, A Z-axis gradient magnetic field Gz and a radio frequency (RF) pulse are generated in a predetermined pulse sequence. In this case, the X-axis gradient magnetic field Gx, the Y-axis gradient magnetic field Gy,
The Z-axis gradient magnetic field Gz is mainly used as, for example, the phase encoding gradient magnetic field Ge, the reading gradient magnetic field Gr, and the slice gradient magnetic field Gs. The computer system 11 drives and controls the sequencer 10, captures the magnetic resonance signal received by the receiver 6 via the receiving RF coil 32, and performs predetermined signal processing to generate a tomographic image of the object. It is displayed on the display unit 12.

【0023】本実施形態は概略以上のように構成されて
いる。さらに本実施形態の受信用コイル32は、前掲し
た図5と同様な構造のトラップ回路40(但し、共振回
路を構成する、コイル41のインダクタンスLt 、及び
コンデンサ42のキャパシタンスCt は従来のものとは
異なる値に設定される)が図9に示したように複数接続
されて構成されている。なお、当該トラップ回路40
は、図5に示した構造のみならず前掲した図7又は図8
と同様の構造としても良い。
The present embodiment is constructed as described above. Further, the receiving coil 32 of the present embodiment has a trap circuit 40 having the same structure as that shown in FIG. 5 (however, the inductance Lt of the coil 41 and the capacitance Ct of the capacitor 42, which form a resonance circuit, are different from those of the conventional one. (Set to different values), a plurality of them are connected as shown in FIG. The trap circuit 40
Shows not only the structure shown in FIG. 5 but also FIG.
The same structure may be used.

【0024】トラップ回路のトラップ周波数(共振周波
数)は、温度上昇に伴って高い方か低い方かのいずれか
の方向にずれる。これは、Ct やLt の温度特性による
ものである。またこの場合、トラップ周波数が高い方と
低い方のいずれの方向にずれるかは、これらCt やLt
の特性に応じて異なる。
The trap frequency (resonance frequency) of the trap circuit shifts to either the higher direction or the lower direction as the temperature rises. This is due to the temperature characteristics of Ct and Lt. Further, in this case, whether the trap frequency shifts to the higher side or the lower side is determined by these Ct and Lt.
Depends on the characteristics of.

【0025】さらに、コンデンサ42のキャパシタンC
t は、受信時のチューニングに直接的に関与するため、
温度によりそのリアクタンスがあまり変わることがない
ものが選択されることが一般的である。従って多くの場
合、例えば本実施形態のトラップ回路40においてはコ
イル41のインダクタンスLt がトラップ周波数の温度
特性を定めることになる。尚、前掲した図8のようにト
ラップ回路を構成した場合は、コイル41のLt が受信
時のチューニングに直接的に関与する。従ってこの場合
は、同様にコンデンサ42のキャパシタンスCt がトラ
ップ周波数の温度特性を定めることになる。
Further, the capacitor C of the capacitor 42
Since t is directly involved in tuning on reception,
It is common to select a material whose reactance does not change significantly with temperature. Therefore, in many cases, for example, in the trap circuit 40 of the present embodiment, the inductance Lt of the coil 41 determines the temperature characteristic of the trap frequency. When the trap circuit is configured as shown in FIG. 8 described above, Lt of the coil 41 is directly involved in tuning during reception. Therefore, in this case, similarly, the capacitance Ct of the capacitor 42 determines the temperature characteristic of the trap frequency.

【0026】本実施形態は、以上説明したようなコイル
41のインダクタンスLt あるいはコンデンサ42のキ
ャパシタンスCt の温度特性を積極的に利用するもので
ある。
The present embodiment positively utilizes the temperature characteristics of the inductance Lt of the coil 41 or the capacitance Ct of the capacitor 42 as described above.

【0027】もしも、トラップ周波数が温度上昇に伴い
上昇する特性をもっている場合、このトラップ周波数
は、常温における初期調整においてRF励起磁場の周波
数に対し所定量の周波数オフセットを有するようにやや
高く設定され、温度上昇に伴い、RF励起磁場周波数に
おけるインピーダンス(以下、トラップインピーダンス
と称する)が低下するように設定される。このようなト
ラップ周波数の設定は、コイル41のインダクタンスL
t あるいはコンデンサ42のキャパシタンスCtの、常
温における初期調整による。
If the trap frequency has a characteristic of increasing with temperature rise, the trap frequency is set to be slightly high so as to have a predetermined amount of frequency offset with respect to the frequency of the RF excitation magnetic field in initial adjustment at room temperature, The impedance at the RF excitation magnetic field frequency (hereinafter, referred to as trap impedance) is set to decrease as the temperature rises. Such setting of the trap frequency is performed by setting the inductance L of the coil 41.
t or the capacitance Ct of the capacitor 42 is initially adjusted at room temperature.

【0028】図2は、トラップ回路のトラップ周波数及
びトラップインピーダンスと、RF励起磁場周波数との
関係を概略的に示すグラフである。また、同図は温度上
昇に伴いトラップ周波数が増加する場合を示す。温度上
昇に伴いトラップ周波数が増加すると、トラップインピ
ーダンスの特性カーブは全体的に右側に移動する。これ
によりRF励起磁場の周波数におけるトラップインピー
ダンスは低下する。言い替えれば、トラップ回路は、常
温時では、RF励起磁場の周波数に対して所定量の周波
数オフセットを有するトラップ周波数において共振する
ことにより高いインピーダンスを呈し、温度上昇に伴っ
て周波数オフセットが増加し、且つインピーダンスが低
下するようにトラップ周波数が変化する。
FIG. 2 is a graph schematically showing the relationship between the trap frequency and trap impedance of the trap circuit and the RF excitation magnetic field frequency. Further, the same figure shows a case where the trap frequency increases as the temperature rises. When the trap frequency increases as the temperature rises, the characteristic curve of the trap impedance moves to the right as a whole. This reduces the trap impedance at the frequency of the RF excitation field. In other words, the trap circuit exhibits a high impedance by resonating at a trap frequency having a predetermined amount of frequency offset with respect to the frequency of the RF excitation magnetic field at room temperature, and the frequency offset increases as the temperature rises, and The trap frequency changes so that the impedance decreases.

【0029】なお、RF励起磁場の周波数に対しトラッ
プ周波数をどの程度「やや高く」設定するか、すなわち
上記周波数オフセット量を具体的にどのような値とする
かは、トラップ回路の並列共振のQ値に基づく。さらに
具体的には、該周波数オフセット量は、トラップ周波数
を中心とし、共振回路のQ値の逆数にRF励起磁場の周
波数を乗じて決まる帯域幅内を超えない値とする。例え
ば励起RF磁場周波数が63.9MHz(1.5テスラ
のプロトンの共鳴周波数)であって、Q値が100程度
である場合は、トラップの帯域幅は0.64MHzとな
るから、RF励起磁場の周波数に対する周波数オフセッ
ト量は、このトラップ帯域幅内の近傍の値である数10
0KHzとする。これをさらに大きく、例えば1MHz
程度のオフセット量で初期設定すると、トラップインピ
ーダンスが下がりすぎてしまい、RF励起磁場による誘
導電流を十分効果的には抑制できない。
It should be noted that how much the trap frequency is set to be "slightly higher" with respect to the frequency of the RF excitation magnetic field, that is, what value the above-mentioned frequency offset amount is specifically set, is the Q of the parallel resonance of the trap circuit. Based on value. More specifically, the frequency offset amount is set to a value that does not exceed the bandwidth determined by multiplying the reciprocal of the Q value of the resonance circuit by the frequency of the RF excitation magnetic field with the trap frequency as the center. For example, when the excitation RF magnetic field frequency is 63.9 MHz (1.5 Tesla proton resonance frequency) and the Q value is about 100, the trap bandwidth is 0.64 MHz. The amount of frequency offset with respect to the frequency is a value in the vicinity of this trap bandwidth, which is expressed by the formula 10
0 kHz. This is much larger, for example 1MHz
If the initial setting is performed with a certain offset amount, the trap impedance will drop too much, and the induced current due to the RF excitation magnetic field cannot be suppressed sufficiently effectively.

【0030】また、該周波数オフセット量は、少なくと
も上記帯域幅の10分の1よりも大きい値とすることが
好ましい。これは、数10KHz程度のオフセット量で
は、そもそもこの程度の周波数調整精度は元来得られな
いし、得られたとしても、共振特性(トラップインピー
ダンス)のピークに近い部分は、温度上昇でトラップ周
波数がずれたとしても、インピーダンスがあまり変わら
ないためである。
Further, it is preferable that the frequency offset amount is a value larger than at least 1/10 of the bandwidth. This is because, with an offset amount of about several tens of KHz, frequency adjustment accuracy of this degree cannot be originally obtained, and even if it is obtained, the trap frequency shifts due to temperature rise in the portion close to the peak of the resonance characteristic (trap impedance). Even if it does, the impedance does not change much.

【0031】もし、トラップ周波数が温度上昇とともに
低下する特性をもっているとすれば、勿論、同様な調整
ではあるが、初期調整でのトラップ周波数を励起RF磁
場の周波数よりも低く調整する。
If the trap frequency has a characteristic of decreasing with temperature rise, the trap frequency in the initial adjustment is adjusted to be lower than the frequency of the excitation RF magnetic field, although the adjustment is similar.

【0032】以上説明したように本実施形態では、送信
用RFコイル31による励起RFの送信時においては、
受信用RFコイル32ではトラップが機能し、そして個
々のトラップ回路の特性の違いにより、いずれかのトラ
ップ回路に誘導起電力が集中し、当該トラップ回路の温
度が上昇したとしても、共振周波数の温度変化を見越し
た周波数オフセットが初期状態において設定されている
ことにより、その温度上昇に応じてトラップ共振周波数
が、RF励起磁場のトラップ帯域(周波数帯域)から適
宜外れ、すなわちトラップインピーダンスが低下するの
で、当該トラップ回路のみに誘導起電力が集中すること
がなく他のトラップ回路に分散されるようになり、過大
な誘導電流による発熱に起因するトラップ回路の損壊を
未然に防ぐことができる。したがって、例えば受信用R
Fコイル32が、高周波磁場が印加されるような大型の
受信コイルであっても、多数のトラップ回路を設ける必
要がなく、その数が必要最小限で済む。
As described above, in this embodiment, when transmitting the excitation RF by the transmission RF coil 31,
The trap functions in the RF coil 32 for reception, and even if the temperature of the trap circuit rises due to the concentration of the induced electromotive force in any of the trap circuits due to the difference in the characteristics of the individual trap circuits, the temperature of the resonance frequency increases. Since the frequency offset in anticipation of change is set in the initial state, the trap resonance frequency appropriately deviates from the trap band (frequency band) of the RF excitation magnetic field according to the temperature rise, that is, the trap impedance decreases, The induced electromotive force is not concentrated only on the trap circuit and is distributed to other trap circuits, so that the trap circuit can be prevented from being damaged due to heat generation due to an excessive induced current. Therefore, for example, R for reception
Even if the F coil 32 is a large receiving coil to which a high-frequency magnetic field is applied, it is not necessary to provide a large number of trap circuits, and the number of trap circuits can be minimized.

【0033】さらに、トラップ回路の信頼性が向上しそ
の調整が容易となる、RFコイルのコストが安くなる、
RFコイルがかさばることがなく取扱いが容易になる、
RFコイル全体としての性能が向上しMRI画像のSN
Rの向上に寄与する、といった効果を期待できる。
Furthermore, the reliability of the trap circuit is improved, its adjustment is easy, and the cost of the RF coil is reduced.
RF coil is not bulky and easy to handle,
The performance of the RF coil as a whole is improved, and the SN of MRI images is improved.
The effect of contributing to the improvement of R can be expected.

【0034】次に、本発明の第2の実施形態を説明す
る。第2の実施形態は、トラップ回路の共振周波数の初
期調整を、トラップ周波数の温度係数に応じて、RF励
起磁場周波数よりもやや高くあるいは低く設定する点に
おいて前述した第1の実施形態と同様の構成である。そ
して第2の実施形態は、さらに積極的に、トラップ回路
内に温度に応じてリアクタンスを変動させるための素子
を導入したものである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment is similar to the first embodiment described above in that the initial adjustment of the resonance frequency of the trap circuit is set slightly higher or lower than the RF excitation magnetic field frequency according to the temperature coefficient of the trap frequency. It is a composition. The second embodiment further positively introduces an element for varying the reactance in the trap circuit according to the temperature.

【0035】第1の実施形態では、Lt やCt が必要十
分な温度係数を有していない場合にあっては、温度が上
昇しても有意にトラップインピーダンスが変わらないこ
とがあり得る。そこで、第2の実施形態は、図3に示す
ように容量の温度依存性が大きなタイプのコンデンサ5
2(キャパシタンスCtmp )をインダクタンスLt のコ
イル41に対し直列に挿入して構成する。
In the first embodiment, when Lt and Ct do not have necessary and sufficient temperature coefficients, the trap impedance may not change significantly even if the temperature rises. Therefore, in the second embodiment, as shown in FIG. 3, the capacitor 5 of the type having a large temperature dependence of capacitance is used.
2 (capacitance Ctmp) is inserted in series with the coil 41 having an inductance Lt.

【0036】Ctmp とLt との合成リアクタンスは、角
周波数をωとするとき、式(1)のようになる。 合成リアクタンス=ωLt −1/(ωCtmp ) …(1) そして、Ctmp とLt のとから成る回路は、式(2)に
示すように、上記合成リアクタンスに等しいリアクタン
スを有する一のインダクタンス(これをLt ′とする)
とみなすことができる。
The combined reactance of Ctmp and Lt is given by equation (1), where ω is the angular frequency. Combined reactance = ωLt −1 / (ωCtmp) (1) Then, the circuit formed by Ctmp and Lt has one inductance (this is Lt which has a reactance equal to the above combined reactance, as shown in Expression (2). ’)
Can be regarded as

【0037】 Lt ′=Lt ・[1−1/(ω2 ・Ctmp ・Lt )] …(2) そして、RF励起磁場周波数をω0 とするとき、Lt ′
が正となるようなCtmp を選定する。
Lt ′ = Lt · [1-1 / (ω2 · Ctmp · Lt)] (2) Then, when the RF excitation magnetic field frequency is ω0, Lt ′
Select Ctmp so that is positive.

【0038】ところで、次式(3)に示すようにCtmp
を表現しても良い。次式(3)においてKは1より大き
い正の値とする。 Ctmp =K・[1/(ω2 ・Lt )] …(3) このような場合、Lt ′は、次式(4)のようになる。
By the way, as shown in the following equation (3), Ctmp
May be expressed. In the following equation (3), K is a positive value larger than 1. Ctmp = K.multidot. [1 / (. Omega.2 .multidot.Lt)] (3) In such a case, Lt 'is given by the following equation (4).

【0039】 Lt ′=Lt ・[1−(1/K)] …(4) そして、Lt ′とCt との共振周波数が大体ω0 の近傍
の値となるように、Lt とK(すなわちCtmp )を選定
する。
Lt ′ = Lt · [1− (1 / K)] (4) Then, Lt and K (that is, Ctmp) so that the resonance frequencies of Lt ′ and Ct are values near approximately ω 0. Is selected.

【0040】ここで、Ctmp の容量の温度係数をα、初
期状態からの温度上昇をΔTとするとき、Ctmp 、L
t′は、式(5)、式(6)のようになる。 Ctmp =K・[1/(ω2 ・Lt )]・(1+α・ΔT) …(5) Lt ′=Lt ・[1−1/(K・(1+α・ΔT))] …(6) α・ΔTは1より十分小さいから近似的に、Lt ′は次
式(7)のようにしてもよい。
Here, when the temperature coefficient of the capacity of Ctmp is α and the temperature rise from the initial state is ΔT, Ctmp, L
t'is as shown in equations (5) and (6). Ctmp = K · [1 / (ω2 · Lt)] · (1 + α · ΔT) (5) Lt ′ = Lt · [1-1 / (K · (1 + α · ΔT))]… (6) α · ΔT Since L is sufficiently smaller than 1, Lt 'may be approximated by the following equation (7).

【0041】 Lt ′=Lt ・[1−(1−α・ΔT)/K] …(7) これをΔT=0のLt ′で割ると次式(8)のようにな
る。 Lt ′(ΔT)/Lt ′(ΔT=0)=1+[α・ΔT/(K−1)]…(8) つまり、合成された新たなインダクタンスLt ′に温度
係数α/(K−1)が導入されたことに等しい。
Lt ′ = Lt · [1- (1-α · ΔT) / K] (7) When this is divided by Lt ′ of ΔT = 0, the following formula (8) is obtained. Lt '(. DELTA.T) / Lt' (. DELTA.T = 0) = 1 + [. Alpha..multidot..DELTA.T / (K-1)] ... (8) That is, the new combined inductance Lt 'has a temperature coefficient .alpha ./ (K-1). Is introduced.

【0042】一般に、LC共振回路の共振周波数は、L
とCの積の平方根で定まるから、トラップ回路のトラッ
プ周波数はα/(K−1)/2の温度係数となる。比較
的大きなα、例えば+1000ppm/degを持つコ
ンデンサの入手は容易であり、Kとして小さな値、例え
ばK=2とすることはなんら困難ではなく、そうする
と、トラップ周波数は+500pp 次に、本発明の第3の実施形態を説明する。第3の実施
形態は、第2の実施形態の変形に係り、トラップ回路内
に温度でリアクタンスが変わる素子を導入し、トラップ
回路共振周波数が意図的な温度係数を持つようにする点
は第2の実施の形態と同じであるが、図4に示すよう
に、Lt に対しCtmp を並列に挿入したものである。
Generally, the resonance frequency of the LC resonance circuit is L
Since it is determined by the square root of the product of C and C, the trap frequency of the trap circuit has a temperature coefficient of α / (K-1) / 2. It is easy to obtain a capacitor having a relatively large α, for example, +1000 ppm / deg, and it is not difficult to set a small value for K, for example, K = 2, and then the trap frequency is +500 pp. The third embodiment will be described. The third embodiment relates to the modification of the second embodiment, and the second point is that the trap circuit resonance frequency has an intentional temperature coefficient by introducing an element whose reactance changes with temperature in the trap circuit. However, as shown in FIG. 4, Ctmp is inserted in parallel with Lt as shown in FIG.

【0043】本実施形態では、角周波数をωとすると
き、Lt とCtmp の合成リアクタンスは、Ctmp が1/
(ω2 ・Lt )よりも小さな値である場合に限り、次式
(9)にのようなインダクタンスLt ′と同じである。
In the present embodiment, when the angular frequency is ω, the combined reactance of Lt and Ctmp is such that Ctmp is 1 /
Only when the value is smaller than (ω2 · Lt), is it the same as the inductance Lt 'as in the following equation (9).

【0044】 Lt ′=Lt /(1−ω2 ・Ctmp ・Lt ) …(9) このようなLt ′についても、Ctmp に起因する温度係
数を第2の実施形態と同様に意図的に導入できる。
Lt ′ = Lt / (1-ω2 · Ctmp · Lt) (9) With respect to such Lt ′, the temperature coefficient due to Ctmp can be intentionally introduced as in the second embodiment.

【0045】以上説明したような本発明の特徴点は、R
Fコイルに流れる誘導電流を共振回路を用いて抑止する
回路において、温度変化を見越して、共振周波数がシフ
トして行くであろう方向に初期状態を意図的に最初から
適切な程度ずらしておくこと、および共振回路に温度係
数が既知のリアクタンスを意図的に導入することにより
共振回路の温度特性を意図的に作り出すことにある。従
って、本発明は第1実施形態〜第3実施形態にて示した
ようなトラップ回路に限定されるものではなく、種々変
形して実施可能である。
The characteristic point of the present invention as described above is that R
In a circuit that uses a resonant circuit to suppress the induced current flowing in the F coil, intentionally shift the initial state from the beginning to an appropriate degree in the direction in which the resonant frequency will shift, in anticipation of temperature changes. , And intentionally introducing the reactance with a known temperature coefficient into the resonant circuit to intentionally create the temperature characteristic of the resonant circuit. Therefore, the present invention is not limited to the trap circuits as shown in the first to third embodiments, but can be implemented with various modifications.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、R
F磁場の周波数が高い高磁場を用いる場合、あるいは大
型の受信コイルを用いる場合であっても、余分のトラッ
プ回路を設ける必要がなく、その数が必要最小限で済む
磁気共鳴イメージング装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, R
Provided is a magnetic resonance imaging apparatus which does not require an extra trap circuit even when a high magnetic field having a high F magnetic field frequency is used or a large receiving coil is used, and the number of trap circuits can be minimized. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る磁気共鳴イメー
ジング装置の概略構成を示すブロック図。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a magnetic resonance imaging apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】トラップ回路のトラップ周波数及びトラップイ
ンピーダンスとRF励起磁場周波数との関係を示すグラ
フ。
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the trap frequency and trap impedance of the trap circuit and the RF excitation magnetic field frequency.

【図3】本発明の第2の実施形態に係るトラップ回路の
回路構成例を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a circuit configuration example of a trap circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3の実施形態に係るトラップ回路の
回路構成例を示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration example of a trap circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図5】従来のトラップ回路の回路構成例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing a circuit configuration example of a conventional trap circuit.

【図6】従来のトラップ回路を備えた受信用RFコイル
の回路構成例を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing a circuit configuration example of a receiving RF coil including a conventional trap circuit.

【図7】従来のトラップ回路の他の回路構成例を示す
図。
FIG. 7 is a diagram showing another circuit configuration example of a conventional trap circuit.

【図8】従来のトラップ回路のさらに他の回路構成例を
示す図。
FIG. 8 is a diagram showing still another circuit configuration example of the conventional trap circuit.

【図9】従来のトラップ回路が複数、分散配置された受
信用RFコイルを回路構成例を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration example of a receiving RF coil in which a plurality of conventional trap circuits are distributed and arranged.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…静磁場磁石、 2…X軸・Y軸・Z軸傾斜磁場コイル、 31…送信用RFコイル、 32…受信用RFコイル 4…静磁場制御装置、 5…送信器、 6…受信器、 7…X軸傾斜磁場アンプ、 8…Y軸傾斜磁場アンプ、 9…Z軸傾斜磁場アンプ、 10…シーケンサ、 11…コンピュータシステム、 12…表示部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Static magnetic field magnet, 2 ... X-axis / Y-axis / Z-axis gradient magnetic field coil, 31 ... RF coil for transmission, 32 ... RF coil for reception 4 ... Static magnetic field control device, 5 ... Transmitter, 6 ... Receiver, 7 ... X-axis gradient magnetic field amplifier, 8 ... Y-axis gradient magnetic field amplifier, 9 ... Z-axis gradient magnetic field amplifier, 10 ... Sequencer, 11 ... Computer system, 12 ... Display part.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 RF励起磁場が印加されるRFコイル
と、 前記RFコイルに接続され、常温時では、前記RF励起
磁場の周波数に対して所定量の周波数オフセットを有す
るトラップ周波数において共振することにより高いイン
ピーダンスを呈し、温度上昇に伴って、前記周波数オフ
セットが増加し、且つ前記インピーダンスが低下するよ
うに前記トラップ周波数が変化する共振手段とを具備す
ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
1. An RF coil to which an RF excitation magnetic field is applied, which is connected to the RF coil and resonates at a trap frequency having a predetermined frequency offset with respect to the frequency of the RF excitation magnetic field at room temperature. A magnetic resonance imaging apparatus comprising: a resonance unit that exhibits a high impedance and that changes the trap frequency so that the frequency offset increases and the impedance decreases as the temperature rises.
【請求項2】 前記周波数オフセット量は、前記トラッ
プ周波数を中心とし、前記共振手段のQ値の逆数に前記
RF励起磁場の周波数を乗じて決まる帯域幅内にあるこ
とを特徴とする請求項1に記載の磁気共鳴イメージング
装置。
2. The frequency offset amount is within a bandwidth centered on the trap frequency and determined by multiplying the reciprocal of the Q value of the resonance means by the frequency of the RF excitation magnetic field. The magnetic resonance imaging apparatus according to.
【請求項3】 前記周波数オフセット量は、前記トラッ
プ周波数を中心とし、前記共振手段のQ値の逆数に前記
RF励起磁場の周波数を乗じて決まる帯域幅の10分の
1より大であることを特徴とする請求項1に記載の磁気
共鳴イメージング装置。
3. The frequency offset amount is greater than one-tenth of the bandwidth determined by multiplying the reciprocal of the Q value of the resonance means by the frequency of the RF excitation magnetic field with the trap frequency as the center. The magnetic resonance imaging apparatus according to claim 1, wherein the magnetic resonance imaging apparatus is a magnetic resonance imaging apparatus.
【請求項4】 前記共振手段は、共振のためのインダク
タンスおよび第1のキャパシタンスとを具備し、 前記インダクタンスに対し直列又は並列に接続され、該
共振手段の温度特性を所望のものとし、前記トラップ周
波数を該温度特性に応じて変化させるための第2のキャ
パシタンスをさらに具備することを特徴とする請求項1
乃至請求項3のいずれかに記載の磁気共鳴イメージング
装置。
4. The resonance means comprises an inductance for resonance and a first capacitance, is connected in series or in parallel with the inductance, and has a desired temperature characteristic of the resonance means. 2. A second capacitance for changing the frequency according to the temperature characteristic is further provided.
The magnetic resonance imaging apparatus according to claim 3.
JP8054756A 1996-03-12 1996-03-12 Magnetic resonance imaging apparatus Pending JPH09238921A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8054756A JPH09238921A (en) 1996-03-12 1996-03-12 Magnetic resonance imaging apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8054756A JPH09238921A (en) 1996-03-12 1996-03-12 Magnetic resonance imaging apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09238921A true JPH09238921A (en) 1997-09-16

Family

ID=12979628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8054756A Pending JPH09238921A (en) 1996-03-12 1996-03-12 Magnetic resonance imaging apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09238921A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031673A (en) * 2000-05-25 2002-01-31 Bruker Sa Multi-frequency rf signal generator
JP2008212437A (en) * 2007-03-06 2008-09-18 Hitachi Medical Corp Magnetic resonance imaging apparatus
JP2009302040A (en) * 2008-05-13 2009-12-24 Keio Gijuku Fuel cell system
WO2014027261A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-20 Koninklijke Philips N.V. Detuning circuit for mri local rf coils comprising ptc resistor
CN108366754A (en) * 2016-01-18 2018-08-03 三星电子株式会社 The control method of local coil equipment, magnetic resonance imaging (MRI) equipment and local coil equipment

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031673A (en) * 2000-05-25 2002-01-31 Bruker Sa Multi-frequency rf signal generator
JP2008212437A (en) * 2007-03-06 2008-09-18 Hitachi Medical Corp Magnetic resonance imaging apparatus
JP2009302040A (en) * 2008-05-13 2009-12-24 Keio Gijuku Fuel cell system
WO2014027261A1 (en) * 2012-08-13 2014-02-20 Koninklijke Philips N.V. Detuning circuit for mri local rf coils comprising ptc resistor
CN108366754A (en) * 2016-01-18 2018-08-03 三星电子株式会社 The control method of local coil equipment, magnetic resonance imaging (MRI) equipment and local coil equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007511331A (en) Phased array knee coil
JP4806494B2 (en) Decoupled magnetic resonance RF receiver coil
JP4625834B2 (en) RF surface resonator
JP3432896B2 (en) High frequency equipment for nuclear spin tomography
US20080197848A1 (en) Rf Volume Coil With Selectable Field of View
US20030088181A1 (en) Method of localizing an object in an MR apparatus, a catheter and an MR apparatus for carrying out the method
WO1990002342A1 (en) Quadrature surface coils for magnetic resonance imaging
JPH0350542B2 (en)
US5347222A (en) Signal/noise ratio optimization tuning system
US7391213B2 (en) Three axis angle invariant RF coil assembly and method and system employing same
US7723988B2 (en) Passively damped magnetic resonance (MR) detection configuration
JPH09238921A (en) Magnetic resonance imaging apparatus
US4731584A (en) Magnetic resonance probe for operation at frequencies above self resonance
US8791696B2 (en) System and method providing preamplifier feedback for magnetic resonance imaging
JP4455323B2 (en) Magnetic resonance equipment
JP3502696B2 (en) RF coil for MRI
JPH07163547A (en) Double resonance antenna device for magnetic resonance device
JPH10179539A (en) Receiving rf coil for magnetic resonance tomograph
JPH0263010B2 (en)
JP3442478B2 (en) Head-neck coil
JPH0243494B2 (en)
JP3170771B2 (en) Receiving coil for magnetic resonance imaging equipment
JP2531879B2 (en) Magnetic resonance imaging device
JPH01129842A (en) Nuclear magnetic resonance imaging apparatus
JPH07265279A (en) Magnetic resonance imaging system