JPH09230600A

JPH09230600A - パターン形成方法

Info

Publication number: JPH09230600A
Application number: JP8040933A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Morisawa; 拓森澤; Hiroshi Shiraishi; 洋白石; Kenji Furusawa; 健志古澤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-02-28
Filing date: 1996-02-28
Publication date: 1997-09-05

Abstract

(57)【要約】【解決手段】被加工材を主表面に有する基体上に形成し
たシラザン結合（図１、１０３）を含むレジスト膜に、
選択的に光を照射して露光部を直接光酸化し、これを現
像して露光部または未露光部を選択的に除去してレジス
トパターンを形成し、これをマスクとして、下地被加工
材をエッチングする。【効果】高い解像性能と、大きなドライエッチ耐性、優
れた寸法制御性を有し、かつ工程数の少ない低コストで
スループットの高いパターン形成が可能となり、半導体
装置製造に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的リソグラフ
ィー装置を用いたパターン形成方法及び上記技術を用い
た半導体装置製造方法に関するもので、特にＭＯＳ半導
体装置製造方法に適する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置製造では回路の高集積化とス
ループットを両立するパターンの形成技術として、短波
長化光源による光リソグラフィー技術が用いられてい
る。現在、次世代短波長光源としてＡｒＦエキシマレー
ザー（波長１９３ｎｍ）の研究が進められている。

【０００３】様々な従来レジストパターン形成方法につ
いては、例えば「レジスト材料・プロセス技術」技術情
報協会刊の第１章１〜５節等に論じられている。

【０００４】また、配線、容量等のパターンを加工する
際、該被加工基体３０１上に酸化シリコン膜３０２を形
成し、単層有機レジスト法によってパターン形成３０３
（図３ａ）して、下地酸化シリコン膜に該パターンを転
写した後、該転写パターン３０２をエッチングマスクと
して上記配線等３０１の加工を行うハードマスク法（図
３ｂ）が知られている。上記ハードマスク法や多層法の
工程を簡略化するために、露光により被加工基体３０１
上に直接ＳｉＯｘパターン３０２を形成（図３ｃ）して
下地の加工３０１を行うハードマスク直接形成法（図３
ｄ）が検討されている。

【０００５】上記ハードマスク直接形成法に用いる材料
プロセスとして、シロキサン結合を持つ材料を光酸化に
よりパターン形成してそれをマスクに下地の加工を行う
パターン形成方法（特願平７−１２７７６９）、又はポ
リシロキサンに酸発生剤（特開平６−２６７９３７）等
を用いるパターン形成方法等が知られている。

【０００６】また、印刷用感光性平板として、紫外線露
光により光酸発生剤より生成した酸を用いてシラザン結
合を開裂することによりポジ型に働く感光性材料も提案
されている（特開昭６１−１６６８７）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記シラザン結合を用
いた酸発生剤を含むポジ型感光性材料は、２２０ｎｍ以
下でシラザン結合自体が強い吸収を持つためポジ型とし
て機能しない。

【０００８】上記ＡｒＦ用化学増幅型有機レジストは、
配線等の金属材料の加工にはエッチング耐性が十分でな
い等の問題がある。

【０００９】上記ハードマスク直接形成法に用いる材料
プロセスは、有機物を含むことや化学増幅型のためプロ
セス裕度に乏しいことといった問題がある。

【００１０】本発明の目的は、以上の問題を解決して、
極めて大きなドライエッチ耐性を有するパターン形成方
法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下地基体上
にシラザン結合を含むポリマー又はオリゴマーを主成分
とする感光性材料からなる薄膜を形成した後、その膜を
波長２２０ｎｍ以下の光源を用いて選択的に露光して露
光部を光酸化し、その後現像して露光部又は未露光部の
膜を選択的に除去しパターンを形成する事により達成さ
れる。本方法は、波長２２０ｎｍ以下の短波長光源を用
いて露光することにより、直接シラザン結合を開裂して
光酸化反応を高効率に起こすことを特徴としている。そ
のため、上記パターン形成法は、前記感光平板用シラザ
ン含有レジストと用途が違う上に、安定性、プロセス裕
度等に優れており、構成も作用も違う別発明であること
は明らかである。

【００１２】上記シラザン結合を持つ感光性材料とし
て、化１の一般式で表される化合物、またはこれらの混
合物を用いることができる。

【００１３】

【化１】

【００１４】化１の図中のＲは水素基、又は水酸基、又
は無機物塩基の何れかを表す。

【００１５】本発明の反応機構をポリヒドロシラザン１
０２の場合について、図１を用いて説明する。

【００１６】基体上に回転塗布法等により形成した上記
膜にエキシマレーザー光１０１を照射すると、露光エネ
ルギーは主にシラザン結合１０３に吸収されて（図１
ａ）露光部中感光分子の化学結合が活性化される。上記
切断により活性化された結合は酸素分子１０４、又は水
１０５等と反応してＳｉＯｘ化する（図１ｂ）。そのた
め上記露光においては、酸素分子と水分子の存在が反応
に重要である。

【００１７】上記光酸化反応は化学増幅反応ではないの
で寸法制御に優れ、かつ環境耐性をもつ化学反応であ
る。このため、従来化学増幅型レジストにおける（１）
空気中アミン等の微量のコンタミネーションにより露光
後表面難溶化層が生じる。（２）レジスト感度が空気中
放置時間に依存する。（３）露光後の熱処理（ＰＥＢ）
による触媒反応を用いるため、ＰＥＢの条件のわずかな
変動により感度や寸法が大きくばらついてしまう。
（４）露光部に発生した酸触媒がレジスト中を拡散して
しまい寸歩制御性が悪い等の問題を回避することができ
る。

【００１８】この反応は以下の実験結果からも裏付けら
る。

【００１９】第１に、上記ポリヒドロシラザンのＡｒＦ
エキシマレーザー露光前後のフーリエ赤外吸収スペクト
ル変化を調べたところ、ＡｒＦ露光後にシラザン結合に
よる吸収が減少し、シロキサン結合による吸収が増大す
る。このことは上記ＡｒＦ（フォトンエネルギーが約
６.４ｅＶ）露光により、上記ポリヒドロシラザン中の
シラザン結合（結合エネルギーが４.４ｅＶ）やシリコ
ンと水素（結合エネルギーが３.２４ｅＶ）の結合を切
断し、シロキサン結合（エネルギーが８.３ｅＶ）生成
する光酸化反応を示している。

【００２０】第２に、上記ポリヒドロシラザンは波長２
２０ｎｍ以上の光に対しては透明であるが、波長２２０
ｎｍ以下光に対しては吸収が強くなりＡｒＦエキシマレ
ーザーの波長（１９３ｎｍ）では殆ど光を透過しない
（吸収率＝２０／μｍ）。そして、ＡｒＦ露光により強
くブリーチング（吸収率＝０．３／μｍ）することは、
効率よくＳｉＯ₂（１９３ｎｍで透過率９０％以上）化
することを示している。

【００２１】上記短波長露光によりＳｉＯｘ化した該露
光部はアルカリ溶液、又はアルコール等の現像液にたい
して溶解速度の選択比を得ることができ、ネガ型パター
ンを得ることができる。なお現像コントラストを向上さ
せるため現像液、現像液濃度等を最適化する事が好まし
い。

【００２２】以上の説明では、ポリヒドロシラザンの場
合について述べたが、本発明の趣旨を変えない範囲のシ
ラザン含有感光材料をすべて用いることができる。

【００２３】また、上記感光材と上記基体との密着性を
強化するため、下地基体に表面処理を行うことや上記感
光材に密着性を向上させる材料を添加することが好まし
い。さらに、上記感光性材料に遠紫外光照射によってラ
ジカルを発生させる化合物を導入、混合することは感度
の向上に極めて有効である。

【００２４】上記ＳｉＯｘパターンは、高効率でＳｉＯ
₂化しているためＯ₂ＲＩＥのみならず、塩素等のエッチ
ングガスに対しても高いドライエッチング耐性を持つ。
そのため、上記ＳｉＯｘパターンをマスクとして下地ポ
リシリコン等をドライエッチング加工すると、有機物に
よって構成された従来のレジストをマスクとする場合よ
り１桁以上高い選択比が得られる。また、露光により半
分程度しか酸化しない上記シラン系材料を用いて直接形
成したハードマスクと比してもエッチング耐性が高い。

【００２５】上記露光時ブリーチングの効果により、下
地基体からの反射と膜内多重干渉による寸法変動の影響
を抑えられる。また、少なくとも１．４μｍの膜厚の良
好な形状のレジストパターンを形成可能である。

【００２６】上記感光性材料に、金属錯体、又は有機金
属、又は金属酸化物等を添加するとドライエッチング耐
性が向上する。上記の性質はアルミ系、タングステン系
等の金属膜のドライエッチングマスクに適用する際、大
きな利点となる。

【００２７】また、本材料は過去の２層レジスト法にお
ける上層レジストとして用いることが可能なことはいう
までもない。また、ウェットエッチングのマスクに用い
ることも可能である。

【００２８】上記現像後、基体を１００度以上に加熱す
る、又は酸素アッシングや酸素リアクティブイオンエッ
チング等により酸素プラズマにさらす、又は波長３００
ｎｍ以下の光を照射する等によって、上記パターンのＳ
ｉＯ２化を促進してドライエッチング耐性、吸湿性等の
膜の性質を改善することができる。

【００２９】一方、窒素雰囲気中や還元雰囲気中で加熱
することにより、レジストパターンをシリコンナイトラ
イド化する事も可能であり、ドライエッチング耐性、吸
湿性等の膜の性質を改善することができる。

【００３０】上記ＳｉＯｘレジストパターンは下地エッ
チング加工後、機械的な研磨、又は希フッ酸や強アルカ
リ等ウェット工程、又はフッ素ガス系等を用いたドライ
エッチング等により除去することができる。

【００３１】前記ハードマスク法、多層レジスト法等を
含めた従来の有機レジストを用いるパターン形成工程
は、上記パターン形成方法に代替可能である。これによ
り工程数の少ない寸法制御に優れたパターン形成が可能
である。

【００３２】上記のパターン形成方法を用いることによ
りメモリーまたはマイクロプロセッサー等様々な半導体
集積回路（ＬＳＩ）の製造に適用することができる。Ｍ
ＯＳ半導体の場合、ＬＯＣＯＳフィールド酸化のマスク
に用いるシリコンナイトライド膜の直接パターン形成
や、アモルファスシリコン又はメタル等のゲート材料の
パターン形成、タングステンや銅等の配線材料のパター
ン形成、スルーホールの形成等様々な工程で上記パター
ン形成方法を利用することができる。この際ＡｒＦエキ
シマレーザーステッパーを用いて露光することが望まし
い。工程が簡単なためスループットと歩留まりがよい利
点がある。また、寸法制御性がよいため、ゲートの閾値
電圧をばらつきを抑えた性能の良いＬＳＩを製造でき
る。

【００３３】上記パターンは下地加工後、除去しても良
いが、除去せずに半導体装置中に残残せば製造工程は一
層簡便になる。この場合その誘電率がＣＶＤシリコン酸
化膜等に比べて小さい、また上記パターン中に有機分を
含まないため信頼性が高い等の利点がある。また、デバ
イスの構造上等の理由により、通常のＣＶＤ膜や有機ポ
リイミド膜と組み合わせて使用することも可能である。

【００３４】

【発明の実施の形態】

（実施例１）基板上にポリヒドロシラザンのキシレン１
５重量パーセント溶液を２０００ｒｐｍ６０秒の条件で
回転塗布し、その後８０℃で３分熱処理して、膜厚３０
０ｎｍレジスト膜を形成した。ポリヒドロシラザンはス
ピンコートにより膜厚３０〜１０００ｎｍの均一な薄膜
が用意に形成可能である。また、アルコール系の溶媒も
使用可能なため安全性に優れる。

【００３５】上記基板に、ＡｒＦエキシマレーザー露光
装置（ＮＡ＝０.５５）を用いて寸法０.１３μｍから１
μｍの各種パターンを露光した。次にテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド５％水溶液で３０秒現像し
た後水洗して、１８０℃６０秒熱処理した。パターン露
光部を、走査型電子顕微鏡で観察した結果、レーザー照
射量４０ｍＪ／ｃｍ²に対して、最小寸法０.１３μｍの
パターンが形成されたことを確認した。また、周期型位
相シフトマスクを用いた場合には、寸法８０ｎｍのパタ
ーンを形成できた。

【００３６】また、表面上に段差を有する基体上でパタ
ーン形成を行うことも可能であるが、その際プラズマＣ
ＶＤにより薄膜形成を行うと、ステップカバレジがスピ
ン塗布法による薄膜より良好であった。

【００３７】本実施例では、ポリヒドロシラザンをレジ
ストに用いたが、シラザン結合を持つ物質で露光により
光酸化する材料なら本実施例に示したものに限らない。

【００３８】本実施例により、実用的な感度でＡｒＦ露
光を用いて、高いドライエッチ耐性を持つ微細パターン
を形成することができた。

【００３９】（実施例２）ポリメチルシルセスキオキサ
ンと、ポリヒドロシラザンの４：１の混合物は、ＡｒＦ
エキシマレーザーに対し０.５μｍの膜厚で７０パーセ
ントの透過率を持つ。上記混合物のエチルセルソルブ１
０重量パーセント溶液を２０００ｒｐｍ６０秒の条件で
回転塗布し、その後８０℃で３分熱処理して、膜厚３０
０ｎｍのレジスト膜を形成した。上記基体に、ＡｒＦエ
キシマレーザー露光装置（ＮＡ＝０.５５）を用いて寸
法０.２μｍから１μｍの各種パターンを露光した。次
にテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド５％水
溶液で３０秒現像した後水洗して、１６０℃４０秒熱処
理した。パターン露光部を、走査型電子顕微鏡で観察し
た結果、レーザー照射量６０ｍＪ／ｃｍ²に対して、寸
法０.２μｍのパターンが形成されたことを確認した。

【００４０】本実施例により、ドライエッチング耐性の
高い微細レジストパターンの形成できた。

【００４１】（実施例３）シリコン基体上にポリヒドロ
シラザンとトリクロロフェノール（ラジカル発生剤）を
重量比１０：１混合溶液を４０００ｒｐｍ６０秒の条件
で回転塗布し、その後８０℃で３分熱処理して、膜厚３
００ｎｍ感光膜を形成した。上記基体に、ＡｒＦエキシ
マレーザー露光装置（ＮＡ＝０.５５）を用いて０.１３
μｍから１μｍの寸法のパターンを露光した。その後テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド５％水溶液
で３０秒現像した後、水洗して１００℃４０秒熱処理し
た。パターン露光部を、走査型電子顕微鏡で観察した結
果、レーザー照射量５ｍＪ／ｃｍ²に対して、寸法０.１
３μｍのパターンが形成されたことを確認した。

【００４２】本実施例では高感度化のためラジカル発生
剤としてトリクロロフェノールを用いたが、露光によっ
てラジカルを発生させるものであれば本実施例にとらわ
れない。例えば、塩素系化合物や、臭素系化合物、沃素
系化合物等が考えられるが、使用する化合物の吸収係数
によってシラザン含有ポリマーとの混合の比率を調整し
なければならない。

【００４３】本実施例により、ＡｒＦ露光により高感度
にレジストパターンを形成できた。

【００４４】（実施例４）シリコン基体上にポリヒドロ
シラザンとチタンアルコキシド４：１の１０重量パーセ
ント溶液を３０００ｒｐｍ６０秒の条件で回転塗布し、
その後８０℃で３分熱処理して、膜厚２００ｎｍレジス
ト膜を形成した。上記基体に、ＡｒＦエキシマレーザー
露光装置（ＮＡ＝０.５５）を用いて０.１３μｍから１
μｍの寸法のパターンを露光した。テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド５％水溶液で３０秒現像した
後水洗して、１００℃４０秒熱処理した。パターン露光
部を、走査型電子顕微鏡で観察した結果、レーザー照射
量４０ｍＪ／ｃｍ²に対して、寸法０.１３μｍのパター
ンが形成されたことを確認した。

【００４５】上記パターンを用いて、タングステン膜を
フッ素系ガスを用いてドライエッチングしたところ、Ｃ
ＶＤ法によって形成したシリコン酸化膜ハードマスクと
して用いた場合に比べて上記下地タングステン膜に対し
てエッチング選択比が２倍向上した。本実施例では、ポ
リヒドロシラザンにチタンアルコキシドを混合した材料
を用いたが、シラザン結合を持つ物質で露光により光酸
化する材料と、ドライエッチング耐性を向上させる金属
含有物との混合物なら本実施例にとらわれず使用するこ
とができる。

【００４６】（実施例５）次に図２を用いて本発明を用
いたＭＯＳ半導体の装置の製造方法について説明する。

【００４７】（１）ＬＯＣＯＳ形成シリコン基体２０１を熱酸化２０２した後、実施例２に
示した方法を用いてＬＯＣＯＳマスクレジストパターン
２０３を形成した（図２ａ）。次にこれをマスクとして
フィールド酸化を行ってＬＯＣＯＳ２０４形成を行っ
た。その後アクティブ領域のレジストパターン膜、酸化
シリコン膜を除去した（図２ｂ）。

【００４８】（２）ゲート形成次にドライ酸化によってゲート酸化２０５を行った後、
酸化シリコン膜上にＣＶＤにより膜厚０.２μｍのリン
をドープしたアモルファスシリコン膜２０６を形成し、
この基体上に実施例１に示した方法を用いてゲート加工
用レジストパターン２０７を形成した（図２ｃ）。上記
パターンをマスクとして、塩素（＋酸素）をエッチング
ガスとしてＥＣＲμ波プラズマエッチングをおこない下
地ポリシリコンゲート２０９を加工した（図２ｄ）。

【００４９】エッチングガスとして塩素ガスを用いた
が、ポリシリコンのエッチングガスとして用いられるガ
スなら、本実施例にとらわれず使用できる。例えば臭酸
（＋酸素）等の臭素系ガス、又はフッ素系ガスを用いて
もよい。

【００５０】また、本実施例と同様にして、アモルファ
スシリコンゲート、メタルゲート等の加工を行うことが
できる。

【００５１】（３）コンタクトホール形成上記ゲート加工用レジストパターンを除去せずに通常の
ＬＤＤ形成プロセスに従いソースドレイン２０８の形成
を行った後、シリコン酸化膜による絶縁膜を形成し平坦
化２１０した。その基体上に０.７μｍ膜厚のノボラッ
ク樹脂膜２１１を回転塗布により形成してハードベイク
した。その後実施例３に示した方法を用いてコンタクト
ホール用レジストパターン２１２形成をした（図２
ｅ）。次にこれをマスクとした酸素リアクティブイオン
エッチングにより下地ノボラック樹脂にパターンを転写
した。更にこれをマスクとしてテトラクロロカーボン
（＋酸素）をエッチングガスに用いてシリコン酸化膜の
ドライエッチングを行いコンタクトホール２１３を形成
した（図２ｆ）。その後アッシングにより上記樹脂を取
り除いた。

【００５２】（４）配線形成配線すべき層にスパッタ法により膜厚０.５μｍのアル
ミニウム膜２１４を形成した後、実施例４に示した方法
を用いて配線用レジストパターン２１５形成した（図２
ｇ）。次にこれをマスクとしてテトラクロロカーボン
（＋塩素）をエッチングガスに用いたドライエッチング
を行い配線２１６を形成した（図２ｈ）。

【００５３】エッチングガスは上記ガスに限らず適当に
変更できる。例えばトリクロロホウ素＋塩素（＋テトラ
クロロカーボン）等のエッチングガスを用いることもで
きる。

【００５４】上記と同様にして、タングステン、チタン
ナイトライド、銅等の配線パターン形成を行うことがで
きるが、エッチング方法についてはそれぞれ最適化が必
要である。

【００５５】なお、ここには示さないが、本発明による
パターン形成方法はＭＯＳ半導体装置の他の構成要素、
例えばＤＲＡＭや強誘電体メモリーにおけるキャパシタ
ーの加工等に用いる事ができる。本発明によるレジスト
パターンは極めてドライエッチング耐性に優れるため、
これをマスクとして白金−ＰＺＴ−白金構造のキャパシ
ター膜を一括してエッチング加工する事も可能である。

【００５６】以上の工程を用いてＭＯＳ集積回路を製作
し、その動作を確認した。本実施例により従来と比べて
製造工程の工程数を削減できた。

【００５７】以上、ＭＯＳＬＳＩの基本パターンに本発
明を適用した例について述べたが、本実施例にとらわれ
ずＬＳＩの他の工程や、さらに他の種類や材質の半導体
装置、例えばバイポーラＬＳＩやオプティカルエレクト
ロニックＩＣ、レーザー、ガリウム砒素系半導体等に適
用することもできる。その場合、被加工材、感光材の種
類、露光方法、現像方法、エッチング方法やガス等を、
本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて自由に変えるこ
とができるが、レジスト膜厚、塗布条件、エッチングガ
ス等の条件は変更、最適化する事が望ましい。

【００５８】

【発明の効果】以上本発明によれば、被加工材を主表面
に有する基体上に形成したシラザン結合を含むレジスト
膜に、選択的に光を照射して露光部を直接光酸化し、こ
れを現像して露光部又は未露光部を選択的に除去してレ
ジストパターンを形成することにより、高い解像性能
と、大きなドライエッチ耐性、優れた寸法制御性を有す
るパターン形成が可能である。さらに、上記パターンを
マスクとしてデバイス材料をエッチングすることにより
工程数の少ない低コストの半導体製造装置製造が可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理を示す模式図である。

【図２】本発明を用いた実施例を示す模式図である。

【図３】本発明の工程と従来技術の工程の対比を示す模
式図である。

【符号の説明】

３０１…下地被加工材料、３０２…酸化シリコン膜、３
０３…有機レジストパターン、１０１…露光光、１０２
…ポリヒドロシラザン分子、１０３…シラザン結合、１
０４…酸素、１０５…水酸基、２０１…シリコン基体、
２０２…シリコンナイトライド膜、２０３…ＬＯＣＯＳ
レジストパターン、２０４…ＬＯＣＯＳ、２０５…ゲー
ト酸化膜、２０６…ゲートポリシリコン、２０７…ゲー
トレジストパターン、２０８…ソース・ドレイン、２０
９…ゲート、２１０…層間絶縁膜、２１１…ノボラック
樹脂膜、２１２…コンタクトホールレジストパターン、
２１３…コンタクトホール、２１４…配線材料膜、２１
５…配線レジストパターン、２１６…配線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シラザン結合を含むポリマー又はオリゴマ
ーを主たる成分として構成する感光性材料からなる薄膜
を基体上に形成する第１の工程、上記感光性膜に遠紫外
光を選択的に露光し、該露光された部分のシラザン結合
を切断することにより光酸化する第２の工程、上記感光
性膜を現像して上記露光部、又は上記露光部以外の膜を
選択的に除去しパターンを形成する第３の工程とを含む
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】半導体光リソグラフィを用いてパターンを
形成する工程において、シラザン結合を含むポリマー又
はオリゴマーを主たる成分として構成する感光性材料か
らなる薄膜を基体上に回転塗布により形成する第１の工
程、上記感光性膜に波長２２０ｎｍ以下の光を選択的に
露光し、該露光された部分のシラザン結合を切断するこ
とにより光酸化する第２の工程、上記感光性膜をウェッ
ト現像して上記露光部、又は上記露光部以外の膜を選択
的に除去しパターンを形成する第３の工程とを含むこと
を特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】上記第２の工程において、ＡｒＦエキシマ
レーザー光を用いて露光する事を特徴とする請求項３記
載のパターン形成方法。
【請求項４】前記感光性材料の主成分たるポリマー又は
オリゴマーが、化１の一般式で表される化合物、または
これらの混合物である事を特徴とする請求項２記載のパ
ターン形成方法。【化１】図中のＲは水素基、又は水酸基、又は無機物塩基の何れ
かを表す。
【請求項５】前記第３の工程の後、ＳｉＯ２化する工程
を含むことを特徴とする請求項１記載のパターン形成方
法。
【請求項６】前記基体が被加工材を主表面に有し、前記
パターンをマスクとして上記被加工材をエッチングする
第４の工程を含むことを特徴とする請求項１記載のパタ
ーン形成方法。
【請求項７】前記エッチング後、前記マスクパターンを
除去しないことを特徴とする請求項６記載のパターン形
成方法。
【請求項８】半導体装置製造方法で前記装置の主表面に
パターンを形成する方法において、シラザン結合を含む
ポリマー又はオリゴマーを主たる成分として構成する感
光性材料からなる薄膜を上記装置表面に形成する第１の
工程、上記感光性膜に波長２２０ｎｍ以下の光を用いて
選択的に露光し、露光された部分のシラザン結合を切断
して上記露光部を光酸化する第２の工程、上記感光性膜
を現像して上記露光部、又は上記露光部以外の膜を選択
的に除去しパターンを形成する第３の工程、上記現像
後、前記パターンをマスクとして、前記半導体装置デバ
イス材料をエッチングする第４の工程とを含むことを特
徴とする半導体装置製造方法。
【請求項９】前記第４の工程の後、前記マスクパターン
を除去しない事を特徴とする請求項８記載の半導体装置
製造方法。