JPH09230380A - Active matrix substrate and liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix substrate and liquid crystal display device

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JPH09230380A
JPH09230380A JP4012796A JP4012796A JPH09230380A JP H09230380 A JPH09230380 A JP H09230380A JP 4012796 A JP4012796 A JP 4012796A JP 4012796 A JP4012796 A JP 4012796A JP H09230380 A JPH09230380 A JP H09230380A
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JP
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formed
electrode
counter
liquid crystal
substrate
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JP4012796A
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Inventor
Yoshihiro Shimada
吉祐 嶋田
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improving an opening rate and to embody a display having high image quality.
SOLUTION: This active matrix substrate has a plurality of switching elements which are arranged in a matrix form on an insulating substrate, first signal wirings which apply the signals to control these switching elements, second signal wirings which are arranged to intersect with the first wirings and apply data signals to the switching elements, interlayer insulating films 9 which are formed thereon and pixel electrodes 11 are counter electrodes 13 which are formed are formed on these interlayer insulating films 9. In such a case, the counter electrodes 13 are arranged to face the second signal wirings via the interlayer insulating films 9 along the second signal wirings. The pixel electrodes 11 are arranged along the same direction as the direction of the counter electrodes 13. The pixel electrodes 11 are the counter electrodes 13 are so alternately arranged that the pixel electrodes 11 and the counter electrodes 13 are substantially equally spaced.
COPYRIGHT: (C)1997,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ(以下、TFTという)などのスイッチング素子を備え、表示媒体として液晶等を用いた表示装置に関し、特にアクティブマトリクス基板の構成に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) comprising a switching element such as, relates to a display device using a liquid crystal or the like as a display medium, and more particularly to an active matrix substrate.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ガラス等の絶縁基板の上にTFTをマトリクス状に形成し、これをスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質のフラットパネルディスプレイを実現するものとして期待されている。 The TFT on an insulating substrate such as a Related Art glass formed in a matrix, an active matrix type liquid crystal display device used as a switching element, and are expected to realize a high-quality flat panel display there. 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置において広視野角化を実現する有効な手段として、液晶に対して基板にほぼ平行な方向に電界を印可する方式が提案されている(例えば、特開平7−360513号公報)。 As an effective means to achieve a wide viewing angle in the conventional active matrix type liquid crystal display device, a method of applying an electric field is proposed in a direction substantially parallel to the substrate relative to the liquid crystal (e.g., JP-A-7-360513 JP).

【0003】図14(a)、(b)及び図15は、このような従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置20 [0003] FIG. 14 (a), (b) and 15, such a conventional active matrix type liquid crystal display device 20
0の構成を示している。 It shows the 0 configuration. 図14(a)及び(b)は、アクティブマトリクス基板201における1絵素に対応する部分を示し、図15は、図14(a)に示される線A Figure 14 (a) and (b) shows a part corresponding to one picture element in the active matrix substrate 201, FIG. 15, line A which is shown in FIG. 14 (a)
−A'に沿ったアクティブマトリクス型液晶表示装置2 An active matrix along -A 'liquid crystal display device 2
00の断面を示している。 It shows 00 of the cross-section.

【0004】図15に示されるように、アクティブマトリクス型液晶表示装置200は、アクティブマトリクス基板201、対向基板202、及び両基板間に挟持された液晶層17を備えている。 [0004] As shown in FIG. 15, an active matrix type liquid crystal display device 200 includes an active matrix substrate 201, a counter substrate 202, and a liquid crystal layer 17 sandwiched between the substrates. アクティブマトリクス基板201は、ガラス基板1と、ガラス基板1上に形成されたゲート信号線2、共通電極23、ゲート絶縁膜3、ソース信号線8、半導体層4、絵素電極11、及び駆動電極13を有している。 The active matrix substrate 201 includes a glass substrate 1, the gate signal line 2 formed on the glass substrate 1, the common electrode 23, the gate insulating film 3, the source signal line 8, the semiconductor layer 4, picture element electrodes 11, and the driving electrodes It has a 13. ゲート絶縁膜3は、ゲート信号配線2及び共通電極23を覆うように形成され、その上に、半導体層4、ソース信号配線8、絵素電極11、及び駆動電極13が形成される。 The gate insulating film 3 is formed to cover the gate signal lines 2 and the common electrode 23, on which the semiconductor layer 4, the source signal line 8, the picture element electrode 11, and the drive electrodes 13 are formed.

【0005】図14(a)及び(b)に示されるように、ソース信号線8は、ソース信号線8がゲート信号線2と交差する部分に分岐8'を有しており、ゲート信号線2をゲート電極、分岐部8'をソース電極、絵素電極11をドレイン電極として、スイッチング素子(TF [0005] As shown in FIG. 14 (a) and (b), the source signal line 8 has a branch 8 'in part the source signal line 8 intersects the gate signal line 2, gate signal lines 2 gate electrode, a source electrode branching section 8 ', a pixel electrode 11 as a drain electrode, the switching element (TF
T)203が構成される。 T) 203 is configured. また、駆動電極13は、絵素電極11と同一の材料から形成される。 The drive electrodes 13 are formed of the same material as the pixel electrode 11. 駆動電極13 Drive electrodes 13
は、コンタクトホール10を介して共通電極23に接続されている。 It is connected to the common electrode 23 via the contact hole 10.

【0006】ソース信号線8、絵素電極11、駆動電極13、及びスイッチング素子203を覆うようにして保護絶縁膜24が形成され、その上に配向膜16が形成される。 [0006] The source signal line 8, the picture element electrodes 11, drive electrodes 13 and the protective insulating film 24 so as to cover the switching elements 203, is formed, an alignment film 16 is formed thereon. 共通電極23と絵素電極11とはゲート絶縁膜3 Common electrode 23 and the gate insulating film 3 and the picture element electrode 11
を介して交差しており、この交差部に補助容量が形成される。 Intersect through the storage capacitor is formed in the intersection.

【0007】対向基板202は、基板14と、基板14 [0007] The counter substrate 202 includes a substrate 14, a substrate 14
のアクティブマトリクス基板201側に形成された配向膜16と、外側に形成された偏向板12とを備えている。 An alignment film 16 formed on the active matrix substrate 201 side, and a deflecting plate 12 which is formed on the outer side.

【0008】このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置200においては、基板面にほぼ平行な方向に形成される電界によって液晶層17が駆動される(横電界駆動方式)。 [0008] In such an active matrix type liquid crystal display device 200, the liquid crystal layer 17 is driven by an electric field formed in a direction substantially parallel to the substrate surface (lateral electric field drive system). 図14(a)に示すように、電圧が印可されない状態において、液晶分子25は、絵素電極11及び駆動電極13の長手方向に対して若干の角度(0度以上15度未満)を持つように配向される。 As shown in FIG. 14 (a), in a state where no voltage is applied, the liquid crystal molecules 25, so as to have a slight angle (less than 0 degrees 15 degrees) to the longitudinal direction of the picture element electrode 11 and the driving electrodes 13 It is oriented to. 絵素電極11 The picture element electrode 11
及び駆動電極13間に電圧が印可されると、図14 And when a voltage is applied between the driving electrodes 13, 14
(b)に示すように、液晶分子25は絵素電極11から駆動電極13に向かう電界Eに沿って配向する。 (B), the liquid crystal molecules 25 are aligned along the electric field E directed from the pixel electrodes 11 to driving electrodes 13.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】上述のような横電界駆動方式のの液晶表示装置200においては、共通電極2 [SUMMARY OF THE INVENTION A liquid crystal display device 200 of the transverse electric field driving method as described above, the common electrode 2
3及びその駆動電極13がTFT基板側に配置されているため、共通電極(駆動電極)が対向基板側に配置された従来の縦電界駆動方式の液晶表示装置に比較して、アクティブマトリクス基板側の電極の配線構造が複雑になる。 For 3 and a driving electrode 13 is disposed on the TFT substrate side, as compared to the liquid crystal display device of the common electrode conventional vertical electric field driving method (driving electrodes) are arranged on the counter substrate side, the active matrix substrate side It is complicated wiring structure of the electrode. そのため、各配線間での寄生容量によるクロストークが生じやすいという問題点があった。 Therefore, there is a problem that crosstalk is likely to occur due to parasitic capacitance between the wirings. 更に、透過型他液晶表示装置の場合、共通電極及び駆動電極の存在によってバックライト光の透過する開口部の面積が狭くなるため、十分な輝度が得られなかった。 Further, in the case of transmissive type other liquid crystal display device, the area of ​​the opening for transmitting the backlight by the presence of the common electrode and the drive electrodes is narrowed, a sufficient brightness can not be obtained.

【0010】本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、(1)表示領域の開口部の面積を広くすることにより、高輝度の表示あるいは低消費電力を実現できる液晶表示装置を提供し、 [0010] The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object, by widening the area of ​​the opening of the (1) display area, a display or a low power consumption with high brightness to provide a liquid crystal display device which can realize,
(2)絵素電極及び対向電極を実質的に等間隔に配置することにより、表示ムラや視角による差異を減少させて高品位の表示を実現する液晶表示装置を提供し、また(3)絵素電極に対するソース信号線の影響を抑制することにより、クロストークを低減させた高品位の表示を実現する液晶表示装置を提供することにある。 (2) By disposing the pixel electrode and the counter electrode substantially equal intervals, it provides to reduce the difference by the display unevenness and the viewing angle liquid crystal display device which realizes high-quality display, and (3) picture by suppressing the influence of the source signal lines for pixel electrodes, it is to provide a liquid crystal display device which realizes high-quality display with reduced cross talk.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマトリクスは、絶縁性基板と、該絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を制御する信号を該スイッチング素子に与える第1の信号配線と、該第1の配線に交差するように配置され、該スイッチング素子にデータ信号を与える第2の信号配線と、該スイッチング素子及び該第1及び第2の信号配線を覆うように形成され、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、該コンタクトホールを通して該スイッチング素子に電気的に接続された絵素電極と、該層間絶縁膜上に形成された対向電極と、を有している。 Means for Solving the Problems] active matrix of the present invention, an insulating substrate, a plurality of switching elements arranged in a matrix on the insulating substrate, signal the switching elements for controlling the switching element a first signal line to be supplied to, is arranged so as to intersect the interconnection of said first and second signal lines to provide data signals to the switching element, the switching element and the first and second signal lines It is formed so as to cover the interlayer insulating film having a contact hole is formed on the interlayer insulating film, and the pixel electrode electrically connected to the switching element through the contact hole, on the interlayer insulating film a counter electrode formed, a has. 該アクティブマトリクス基板において、該対向電極は該第2の信号配線に沿って、該第2の信号配線に該層間絶縁膜を介して対向するように配置され、該絵素電極は該対向電極と同一の方向に沿って配置され、且つ該絵素電極及び該対向電極は、該絵素電極及び該対向電極が実質的に等間隔になるように交互に配置されており、そのことにより上記目的が達成される。 In the active matrix substrate, the counter electrode along a signal line of the second, is disposed so as to face each other with a interlayer insulating film to the second signal line, picture elements electrodes and the counter electrode They are arranged along the same direction, and picture elements electrodes and the counter electrodes, picture elements electrodes and the counter electrodes are alternately arranged so as to be substantially equidistant above object by its There is achieved.

【0012】1つの実施の形態において、各スイッチング素子に対応する1つの絵素領域は、少なくとも1つの絵素電極を含み、各絵素電極は2本の前記対向電極によって挟まれている。 [0012] In one embodiment, one picture element area corresponding to each switching element comprises at least one picture element electrodes, each picture element electrode is sandwiched by the counter electrodes of the two.

【0013】隣接した絵素領域において、前記方向に沿って隣り合う2つの絵素電極の境界は、好ましくは、前記第1の信号配線上に形成されている。 [0013] In the adjacent pixel regions, the boundaries of the two pixel electrodes adjacent to each other along said direction are preferably formed on the first signal line.

【0014】好ましくは、前記対向電極の幅は前記第2 [0014] Preferably, the width of the counter electrode and the second
の信号配線の幅よりも広く、且つ該対向電極の配線幅が該第2の信号配線を完全に覆うように形成されている。 Wider than the width of the signal wiring, and the wiring width of the counter electrode is formed so as to completely cover the signal wirings of the second.

【0015】前記対向電極は、前記層間絶縁膜を介し、 [0015] The counter electrode through the interlayer insulating film,
全ての前記第2の信号配線上に形成されている場合がある。 It may have been formed on all of the second signal wire.

【0016】前記アクティブマトリクス基板は、前記第2の信号配線上以外にも、前記絵素電極の間に配置された対向電極を更に有していてもよい。 [0016] The active matrix substrate, wherein besides the second signal wire, and may further have a counter electrode disposed between the picture element electrode.

【0017】前記対向電極は、好ましくは、表示領域外で相互に接続され、電気的に同電位となっている。 [0017] The counter electrode is preferably connected to each other outside the display area, it has an electric equipotential.

【0018】前記アクティブマトリクス基板は、前記絵素電極と交差するように配置され、該絵素電極との間に補助容量を形成する共通電極を有しており、前記対向電極は、該共通電極に電気的に接続されている場合がある。 [0018] The active matrix substrate is arranged so as to intersect the pixel electrode has a common electrode which forms an auxiliary capacitance between the picture elements electrodes, the counter electrode, the common electrode it may have been electrically connected to the.

【0019】1つの実施の形態において、前記層間絶縁膜は、カラーフィルタを形成する3色の絶縁膜からなる第1の絶縁層と、該第1絶縁層を覆うように形成された第2の絶縁層と、を含んでいる。 [0019] In one embodiment, the interlayer insulating film includes a first insulating layer made of three colors of the insulating film to form a color filter, a second formed to cover the first insulating layer it includes an insulating layer.

【0020】前記カラーフィルタは、3色の感光性を有するフィルム状樹脂をパターニングして形成されていてもよい。 [0020] The color filter may be formed by patterning the film-like resin having photosensitivity three colors.

【0021】前記絵素電極は、前記第1の絶縁層に形成された第1のコンタクトホールと、前記第2の絶縁層に形成された第2のコンタクトホールとを通して前記スイッチング素子に電気的に接続されていてもよい。 [0021] The pixel electrode includes a first contact hole formed on the first insulating layer, the electrically to the switching element through a second contact hole formed in the second insulating layer it may be connected.

【0022】前記第1のコンタクトホールは、好ましくは、その幅が前記共通電極の幅よりも小さく、かつ完全に重なる様に形成され、前記第2のコンタクトホールは、その幅が該第1のコンタクトホールの幅よりも小さく、かつ該第1のコンタクトホールの内側になるように形成される。 [0022] The first contact hole is preferably smaller than the width of the width of the common electrode, and is formed so as completely overlap, the second contact hole, the width of the first smaller than the width of the contact hole, and is formed to be inside the first contact hole.

【0023】本発明の液晶表示装置は、上記のアクティブマトリクス基板と、透明絶縁性基板を有する対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えており、そのことにより上記目的が達成される。 The liquid crystal display device of the present invention includes the active matrix substrate described above, a counter substrate having a transparent insulating substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate the object can be achieved.

【0024】1つの実施の形態において、本発明の液晶表示装置は、上記のアクティブマトリクス基板と、鏡面状の反射表面を有する対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えており、そのことにより上記目的が達成される。 [0024] In one embodiment, the liquid crystal display device of the present invention is sandwiched between the active matrix substrate described above, a counter substrate having a mirror-like reflection surface, and the active matrix substrate and the counter substrate It includes a liquid crystal layer, the above-described object can be achieved.

【0025】もう1つの実施の形態において、本発明の液晶表示装置は、第1の絶縁性基板と、該絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を制御する信号を該スイッチング素子に与える第1の信号配線と、該第1の配線に交差するように配置され、該スイッチング素子にデータ信号を与える第2の信号配線と、該スイッチング素子及び該第1及び第2の信号配線を覆うように形成され、コンタクトホールを有する絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、 [0025] In another embodiment, the liquid crystal display device of the present invention includes a first insulating substrate, a plurality of switching elements arranged in a matrix on the insulating substrate, control the switching element a first signal wire that gives a signal to the switching element, is disposed so as to intersect the interconnection of said first and second signal lines to provide data signals to the switching element, the switching element and the first and it is formed to cover the second signal wiring, an insulating film having a contact hole is formed on the insulating film,
該コンタクトホールを通して該スイッチング素子に電気的に接続された絵素電極と、を有するアクティブマトリクス基板と、第2の絶縁性基板と、該第2の絶縁性基板上に形成された対向電極とを有する対向基板と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えている。 And the pixel electrode electrically connected to the switching element through the contact hole, the active matrix substrate having a second insulating substrate, and a counter electrode formed on the second insulating substrate a counter substrate having, and a liquid crystal layer held between the active matrix substrate and the counter substrate. 該液晶表示装置において、該対向電極は、該液晶層を挟んで、該第2の信号配線に沿って、且つ該第2の信号配線に対向するように配置され、該絵素電極は、該対向電極と同一の方向に沿って配置され、且つ、該絵素電極及び該対向電極が実質的に等間隔になるように交互に配置されており、そのことにより上記目的が達成される。 In the liquid crystal display device, the counter electrode sandwiching the liquid crystal layer, along the second signal lines are arranged and to face the second signal lines, picture elements electrodes, said disposed along the counter electrode and the same direction, and, picture elements electrodes and the counter electrodes are alternately arranged so as to be substantially equidistant, above objects can be achieved.

【0026】前記対向基板は、前記第2の絶縁性基板上に形成されたカラーフィルタを有していてもよい。 [0026] The counter substrate may have a color filter formed on the second insulating substrate.

【0027】以下、作用について説明する。 [0027] The following is a description of the operation.

【0028】絵素電極と対向電極とが実質的に等間隔になるように形成しているため、絵素電極が2本の対向電極のほぼ中央に配置される。 [0028] Since the pixel electrode and the counter electrode are formed to be substantially equally spaced, is the picture element electrode is disposed substantially at the center of the two counter electrodes. このことにより、各絵素領域において形成される電界は、絵素電極の両側で実質的に等しくなり、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラが減少する。 Thus, the electric field formed in each picture element region is substantially equal on both sides of the picture element electrode, differences and display unevenness of the viewing angle is reduced in each picture element region. また、1つの絵素領域内に複数の絵素電極及び対応する共通電極を配置する場合には、電極間のピッチが縮小され、より低い駆動電圧で表示を行うことができる。 Further, when arranging a common electrode pixel electrodes and a corresponding plurality of a single picture element region, the pitch between electrodes is reduced, it can be displayed at a lower driving voltage.

【0029】また、隣接した絵素領域において、隣り合う2つの絵素電極の境界を第1の信号配線(ゲート信号線)上に形成することにより、表示に寄与しない絵素電極の分離部分が第1の信号配線上に配置され、別途に遮光部分を設ける必要がなく、開口率を向上させることができる。 Further, in adjacent pixel regions, by forming a boundary between two pixel electrodes adjacent on the first signal wiring (gate signal line), the separation portion of the pixel electrode which does not contribute to the display is disposed on the first signal wiring, there is no need to provide a light shielding portion separately, it is possible to improve the aperture ratio.

【0030】対向電極は、第2の信号配線(ソース信号線)に沿って形成され、対向電極の幅が第2の信号配の幅よりも広く且つ第2の信号配線を完全に覆うように形成される。 The counter electrode is formed along the second signal lines (source signal lines), so that the width of the counter electrodes completely cover the wide and second signal lines than the width of the second signal distribution It is formed. この事により、第2の信号配線が対向電極の配線幅内に完全に収まるように配置されるため、第2の信号配線の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積が増大する。 By this, since the second signal line are arranged to fit entirely within the line width of the counter electrode, the area of ​​the opening without wiring width of the second signal wire is excessively occupy the opening There is increased.

【0031】1つの絵素領域は、2本の第1の信号配線と2本の第2の信号配線とによって囲まれた領域に対応している。 [0031] One picture element region corresponds to a region surrounded by the two first signal lines and second signal lines of the two. 従って、各絵素領域に1本の絵素電極が配置される場合は、全ての対向電極は第2の信号配線上に形成される。 Therefore, if the pixel electrode of one for each picture element region is arranged, all of the counter electrode is formed on the second signal line. 各絵素領域に複数本の絵素電極が配置される場合には、対向電極は、全ての第2の信号配線の上と、 When the pixel electrode of the plurality of the respective picture element region is arranged, the counter electrode, the upper of all of the second signal lines,
更に第2の信号配線の間の領域とに形成される。 It is further formed on a region between the second signal wire. 第2の信号配線の間の領域に形成される対向電極は、絵素電極の間に配置される。 Counter electrode formed in a region between the second signal wire is disposed between the picture element electrode.

【0032】また、対向電極を、層間絶縁膜を挟んで第2の信号配線を完全に覆うように形成することにより、 Further, a counter electrode, by forming so as to completely cover the second signal wiring sandwiching the interlayer insulating film,
第2の信号配線線によって形成される電界が対向電極によってシールドされる(シールド効果)。 Field formed by the second signal wire line is shielded by the counter electrode (shield effect). 特に、対向電極を、液晶層と第2の信号配線との間に立体的に配置することにより、第2信号配線によって生じる電界が液晶層に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 In particular, the counter electrode, by sterically disposed between the liquid crystal layer and the second signal wire can be electric field generated by the second signal wiring influence on the liquid crystal layer, to shield more effectively . この事により、液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できる。 By this, the cross-talk can be suppressed to prevent the disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules.

【0033】また、絵素電極に交差する共通電極を設け、この共通電極を、同電位にされた対向電極に電気的に接続することにより、絵素電極と共通電極との間に補助容量を形成することがきる。 Further, the common electrodes intersecting the pixel electrode is provided, the common electrode, by electrically connecting the counter electrode which is at the same potential, an auxiliary capacitance between the pixel electrode and the common electrode kill be formed.

【0034】また、カラーフィルタを層間絶縁膜を用いて形成し、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板側に設ける場合には、対向基板との貼り合わせ精度に起因する開口率の低下を回避できる。 Further, a color filter formed by using the interlayer insulating film, in the case of providing a color filter on the active matrix substrate side, it is possible to avoid the reduction in the aperture ratio due to the bonding accuracy of a counter substrate.

【0035】また、対向電極を、液晶層を挟んで対向基板側に形成する場合には、寄生容量を減少させることができ、更に対向基板にカラーフィルタが形成されている場合には、対向電極がブラックマトリクスを兼ねることができる。 Further, a counter electrode, in the case of forming the counter substrate side across the liquid crystal layer can be reduced parasitic capacitance, when it is a color filter is further formed on the counter substrate, the counter electrode There can also serve as a black matrix.

【0036】 [0036]

【発明の実施の形態】以下に、本発明を実施の形態によって説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described by embodiments.

【0037】(実施例1)図1は、本発明の第1の実施例による液晶表示装置100の平面図である。 [0037] (Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device 100 according to a first embodiment of the present invention. 図2 Figure 2
(a)は、図1に示される線A−A'に沿った液晶表示装置100の断面を示し、図2(b)は、図1に示される線B−B'に沿った断面を示している。 (A) is 'a liquid crystal display device 100 of the cross-section along, FIG. 2 (b), line B-B shown in FIG. 1' line A-A shown in FIG. 1 shows a section along the ing. 図2(a)及び(b)に示されるように、液晶表示装置100は、アクティブマトリクス基板101、対向基板102、及びアクティブマトリクス基板101と対向基板102との間に挟持された液晶層17を備えている。 As shown in FIG. 2 (a) and (b), the liquid crystal display device 100, the active matrix substrate 101, an opposite substrate 102 and a liquid crystal layer 17 sandwiched between the active matrix substrate 101 and the counter substrate 102, It is provided.

【0038】まず、アクティブマトリクス基板101の基本的な構成を説明する。 [0038] First, the basic configuration of an active matrix substrate 101. 図1及び図2(a)に示されるように、アクティブトリクス基板101においては、 As shown in FIGS. 1 and 2 (a), in the active tri box board 101,
ガラス等の透明絶縁性基板1の上に、ゲート信号線2、 On the transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, the gate signal line 2,
ゲート信号線2から分岐したゲート電極2'及び共通電極15が形成されている。 The gate electrode 2 'and the common electrode 15 which is branched from the gate signal line 2 is formed. その上に、ゲート絶縁膜3を介して、ゲート信号線2及び共通電極15と交差するように、ソース信号線8が形成されている。 Thereon, via a gate insulating film 3, so as to intersect with the gate signal line 2 and the common electrode 15, the source signal line 8 is formed. その上に、層間絶縁膜9を介して絵素電極11及び対向電極13が形成されている。 Thereon, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 through the interlayer insulating film 9 is formed. 絵素電極11及び対向電極13は、ゲート信号線2及び共通電極15'に交差しており、各対向電極13は、対応するソース信号線8に沿って形成されている。 Picture element electrodes 11 and the counter electrode 13, intersects the gate signal line 2 and the common electrode 15 ', the counter electrodes 13 are formed along the corresponding source signal line 8.

【0039】図1に示されるように、絵素電極11及び対向電極13は、絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように交互に配置されている。 [0039] As shown in FIG. 1, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately disposed so as to be substantially equidistant.
本実施例においては、1つの絵素領域(単位表示領域) In the present embodiment, one picture element region (the unit display region)
は、2本のゲート信号線2と2本のソース信号線8(及び層間絶縁膜9を介してソース信号線8上に重畳した対向電極13)とによって囲まれる領域であり、各絵素領域は中央に配された絵素電極11を含んでいる。 Is an area surrounded by two gate signal lines 2 and the two source signal line 8 (and the counter electrode 13 superimposed on the source signal line 8 via an interlayer insulating film 9), each picture element region includes a picture element electrode 11 disposed in the center. 隣接する2つの絵素電極11(図1における縦方向)を分離する部分31(図2(a))は、ゲート信号線2上に設けられている。 Two adjacent picture element electrode 11 portion 31 for separating the (vertical direction in FIG. 1) (FIG. 2 (a)) is provided on the gate signal line 2. このように分離部分31を形成することにより、各絵素の境界領域を最少にすることができ、開口率を向上することができる。 By thus forming the separation portion 31, each pixel of the boundary area can be minimized, thereby improving the aperture ratio.

【0040】ソース信号線8とゲート信号線2との交差部には、各絵素領域に対応するように、スイッチング素子としてTFT30が形成されている。 [0040] at the intersection of the source signal line 8 and the gate signal line 2, so as to correspond to the respective picture element region, TFT 30 is formed as a switching element. 図2(b)に示されるように、TFT30は、透明性基板1の上に形成されたゲート電極2'、ゲート絶縁膜3、半導体層4、 As shown in FIG. 2 (b), TFT 30 includes a gate electrode 2 formed on the transparent substrate 1 ', the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4,
半導体層4の中央部に形成されたチャネル保護層5、チャネル保護層5の両側に形成されたコンタクト層6a及び6bを有している。 Channel protective layer 5 formed in a central portion of the semiconductor layer 4, and a contact layer 6a and 6b formed on both sides of the channel protective layer 5. コンタクト層6aには、ソース信号線8及び下層の透明導電膜7aが重畳するように接続している。 The contact layer 6a, is connected to the source signal line 8 and the lower layer of the transparent conductive film 7a is superimposed. この重畳する部分がソース電極8aとなる。 Portion this superposition is the source electrode 8a.
コンタクト層6bには、ドレイン電極8b及び下層の透明導電膜7bが重畳するように接続している。 The contact layer 6b, the drain electrode 8b and the lower transparent conductive film 7b is connected so as to overlap. TFT3 TFT3
0、ゲート信号線2、ソース信号線8を覆うように、層間絶縁膜9が形成されている。 0, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 8, the interlayer insulating film 9 is formed.

【0041】図1及び図2(a)に示すように、透明導電膜7bはその上部に形成された絵素電極11に沿って延長し、ゲート絶縁膜3を介して共通電極15に対向している。 As shown in FIGS. 1 and 2 (a), the transparent conductive film 7b is extended along the pixel electrodes 11 formed thereon faces the common electrode 15 via the gate insulating film 3 ing. 透明導電膜7bが共通電極15に対向する部分において、絵素電極11は、層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール10を通して透明導電膜7bに電気的に接続している。 In part transparent conductive film 7b is opposed to the common electrode 15, the picture element electrode 11 is electrically connected to the transparent conductive film 7b through the contact hole 10 provided in the interlayer insulating film 9.

【0042】図3に示すように、全ての対向電極13 [0042] As shown in FIG. 3, all of the counter electrode 13
は、絶縁性基板1の表示領域外の部分13'において相互に接続され、同電位となっている。 Are connected to each other in the display area outside the portion 13 'insulating substrate 1, it has the same potential. 対向電極13は、 The counter electrode 13,
表示領域外の部分13'においてコンタクトホール1 Contact holes 1 in the portion 13 'of the outside of the display region
0'を通じて共通電極15に接続されている。 It is connected to the common electrode 15 through 0 '. このようにして、共通電極15と、絵素電極11と同電位の透明導電膜7bとによって、補助容量が形成される。 In this way, the common electrode 15, the transparent conductive film 7b of the picture element electrode 11 the same potential, the auxiliary capacitance is formed.

【0043】次に、図1、図2(a)及び(b)を参照しながら、液晶表示装置100の作製方法を説明する。 Next, with reference to FIGS. 1, 2 (a) and (b), and manufacturing method of the liquid crystal display device 100.
まず、アクティブマトリクス基板101において、透明絶縁性基板1上にゲート信号線2、ゲート電極2'、及び共通電極15を、Ta、Al等の金属層をパターニングすることによって形成する。 First, in the active matrix substrate 101, a transparent insulating substrate 1 a gate signal line 2 on, the gate electrode 2 'and the common electrode 15, Ta, is formed by patterning a metal layer such as Al. 金属層の厚さは、約36 The thickness of the metal layer is about 36
00〜6500Åが好ましい。 00~6500Å is preferable. その上に、ゲート信号線2、ゲート電極2'及び共通電極15を覆うように絶縁性基板1全体にゲート絶縁膜3を形成する。 Thereon, the gate signal line 2, a gate insulating film 3 on the entire insulating substrate 1 so as to cover the gate electrodes 2 'and the common electrode 15. ゲート絶縁膜は、例えば、約3000〜5000ÅのSiNx、S The gate insulating film is, for example, about 3000~5000Å SiNx, S
iO 2等を用いることができる。 iO 2 or the like can be used.

【0044】次に、ゲート絶縁膜3上に、ゲート電極2'に対向するように半導体層4を形成する。 Next, on the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4 so as to face the gate electrode 2 '. 半導体層4としては、a−Si、p−Si等を用いることができる。 The semiconductor layer 4 can be used for a-Si, p-Si or the like. 半導体層4の厚さは、約300〜500Åが好ましい。 The thickness of the semiconductor layer 4 is about 300~500Å are preferred. 半導体層4の中央部の上にチャネル保護層5をパターン形成する。 The patterning channel protective layer 5 on the central portion of the semiconductor layer 4. チャネル保護層としては、例えば、約1 The channel protective layer, for example, about 1
000ÅのSiNx層等を用いることができる。 SiNx layer or the like of 000Å can be used. 次に、 next,
チャネル保護層5の両端部に重畳し、半導体層4を覆うようにして、約700Åのn + −Si層からなるコンタクト層6a(ソース電極側)及び6b(ドレイン電極側)を形成する。 Superimposed on both end portions of the channel protection layer 5, so as to cover the semiconductor layer 4 to form a contact layer 6a made of n + -Si layer of about 700 Å (source electrode side) and 6b (the drain electrode side).

【0045】その上に、ITO等の透明導電膜をスパッタリングによって形成し、パターニングすることによって、ソース信号線の下層及びソース電極の下層となる透明導電膜7aと、ドレイン電極の下層となり共通電極1 [0045] thereon, a transparent conductive film of ITO or the like is formed by sputtering, by patterning a transparent conductive film 7a to be lower in the lower and the source electrode of the source signal line, the common electrode 1 becomes lower drain electrode
5に向かって延長する透明導電膜7bとを形成する。 Forming the transparent conductive film 7b extending toward the 5. その上に、Ta、Al等の金属層8をスパッタリングによって約3600〜6500Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、ソース信号線の上層8、ソース電極8a、及びドレイン電極8bを形成する。 Thereon, Ta, a metal layer 8 of Al or the like is formed to a thickness of about 3600~6500Å by sputtering, by patterning, the upper layer 8 of the source signal line, forming a source electrode 8a, and the drain electrode 8b. 本実施例においては、図2(b)に示すように、上層の金属層8と下層の透明導電膜7aとによって、2層構造のソース信号線8'を形成している。 In this embodiment, as shown in FIG. 2 (b), and an upper metal layer 8 and the underlying transparent conductive film 7a, and forms a source signal line 8 'of the two-layer structure. このように、ソース信号線8'を2層構造とすることによって、上層の金属層8の一部に欠損が生じた場合にも、下層の透明導電膜7aによって電気的に接続されているため、ソース信号線8' Thus, by a two-layer structure of the source signal line 8 ', even if the defect in a part of the upper metal layer 8 occurs, because it is electrically connected by the underlying transparent conductive film 7a , the source signal line 8 '
の断線を減少できるという利点がある。 There is an advantage of being able to reduce the disconnection.

【0046】次に、TFT30、ゲート信号線2、ソース信号線3、及び透明導電膜7bを覆うように、例えば、感光性アクリル樹脂を用いて層間絶縁膜9を形成する。 Next, TFT 30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 3, and the transparent conductive film 7b, for example, an interlayer insulating film 9 by using a photosensitive acrylic resin. 層間絶縁膜9の形成工程において、露光、アルカリ現像により、同時にコンタクトホール10が形成される。 In the step of forming the interlayer insulating film 9, exposure and alkali development, the contact holes 10 at the same time it is formed. 層間絶縁膜9の厚さは、約3μmとしている。 The thickness of the interlayer insulating film 9 is set to about 3 [mu] m. コンタクトホール10の開口面積は広いほうが良い。 The opening area of ​​the contact hole 10 is wider is better. 好ましくは、コンタクトホール10の幅は、共通電極15の幅よりも小さく、かつ完全に重なる様に形成される。 Preferably, the width of the contact hole 10 is smaller than the width of the common electrode 15, and is formed to completely overlap. また、層間絶縁膜9は、ポリイミド等の樹脂を用いて形成してもよい。 Further, the interlayer insulating film 9 may be formed by using a resin such as polyimide.

【0047】次に、層間絶縁膜9の上に、Ta、Al等の金属層をスパッタリングによって約5000〜700 Next, approximately on the interlayer insulating film 9, Ta, by sputtering a metal layer such as Al 5000-700
0Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、絵素電極11及び対向電極13を形成する。 It formed to a thickness of 0 Å, by patterning, to form a picture element electrode 11 and the counter electrode 13. 絵素電極11 The picture element electrode 11
は、層間絶縁膜9に形成されたコンタクトホール10を通して、ドレイン電極8bに接続した透明導電膜7bに電気的に接続している。 , Through a contact hole 10 formed in the interlayer insulating film 9 is electrically connected to the transparent conductive film 7b which is connected to the drain electrode 8b. 本実施例においては、絵素電極11及び対向電極13が同一方向に交互に配置され、絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように配置されている。 In the present embodiment, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately arranged in the same direction, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are arranged to be substantially equally spaced. 本実施例において、対向電極13は、層間絶縁膜9を挟んで表示画面内の全てのソース信号線8上に対向するように形成されている。 In this embodiment, the counter electrode 13 is formed so as to face on to all the source signal lines 8 in the display screen across the interlayer insulating film 9. 更に、対向電極13の幅がソース信号線8の幅よりも広くなるように、且つソース信号線8を完全に覆うように形成される。 Further, as the width of the counter electrode 13 is wider than the width of the source signal line 8 is formed and so as to cover the source signal line 8 completely.

【0048】一方、対向基板102においては、透明絶縁性基板12上に感光性カラーレジストを塗布し、露光、現像することにより、赤、緑、青の各色のカラーフィルタ14を形成する。 Meanwhile, the counter substrate 102, a photosensitive color resist is applied on a transparent insulating substrate 12, exposure and developed to form red, green, a color filter 14 of blue color. その後、アクティブマトリクス基板101及び対向基板102の双方にそれぞれ配向膜16を形成する。 Thereafter, an alignment film 16 respectively on both of the active matrix substrate 101 and the counter substrate 102. そして、両基板101及び102を所定の間隙を設けて貼り合わせ、液晶材料をこの間隙の中に注入して液晶層17を形成する。 Then, the substrates 101 and 102 bonded with a predetermined gap to form a liquid crystal layer 17 by injecting liquid crystal material into the gap. このようにして液晶表示装置100が完成する。 This so that the liquid crystal display device 100 is completed.

【0049】図4(a)及び(b)は、上述のようにして作製された液晶表示装置100によって液晶層17を駆動する様子を示している。 [0049] FIG. 4 (a) and (b) shows a state of driving the liquid crystal layer 17 by the liquid crystal display device 100 fabricated as described above. 図4(a)は電圧が印可されない状態、図4(b)は電圧が印可された状態を示している。 4 (a) shows a state where no voltage is applied, FIG. 4 (b) shows a state where a voltage is applied. 図4(a)に示すように、液晶分子25は、絵素電極11及び駆動電極13の長手方向に対して若干の角度(0度以上15度未満)を持つように配向している。 As shown in FIG. 4 (a), the liquid crystal molecules 25 are oriented to have a slight angle (less than 0 degrees 15 degrees) to the longitudinal direction of the picture element electrode 11 and the driving electrodes 13. 絵素電極11及び駆動電極13間に電圧が印可されると、図13(b)に示すように、基板面にほぼ平行な方向に電界Eが形成され、液晶分子25は絵素電極11 When the voltage across the picture element electrode 11 and the driving electrode 13 is applied, as shown in FIG. 13 (b), the electric field E is formed in a direction substantially parallel to the substrate surface, the liquid crystal molecules 25 are picture element electrodes 11
から駆動電極13に向かう電界Eに沿って配向する。 Oriented along the electric field E toward the drive electrode 13 from. 本実施例においては、絵素電極11は2本の対向電極13 In the present embodiment, the picture element electrode 11 two counter electrodes 13
のほぼ中央に配置されているため、各絵素領域において形成される電界Eは、絵素電極11の両側で実質的に等しくなる。 Because it is located approximately in the center of the electric field E is formed in each pixel region is substantially equal on both sides of the picture element electrode 11. 従って、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラを減少させ、さらに高画質の表示を実現することができる。 Therefore, reducing the differences and display unevenness of the viewing angle in each picture element region, so it is possible to realize a high quality display.

【0050】上述のように、本実施例においては、対向電極13がソース信号線8に沿って形成され、且つソース信号線8が対向電極13の配線幅内に完全に収まるように配置されるため、ソース信号線8の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 [0050] As described above, in the present embodiment, the counter electrode 13 is formed along the source signal line 8 are arranged and so that the source signal line 8 is entirely within the wiring width of the counter electrode 13 Therefore, it is possible to increase the area of ​​the opening without wiring width of the source signal line 8 occupy extra opening. また、絵素電極11の分離部分31をゲート信号線2上に配置することにより、更に開口率を向上させることができる。 Further, by arranging the separating portion 31 of the picture element electrode 11 on the gate signal line 2, it is possible to further improve the aperture ratio. このことにより、バックライト光の透過する開口部の面積を大きくできるので従来のバックライトを用いて高輝度の液晶表示装置を提供することができ、また、より少ない消費電力で従来の輝度を実現する液晶表示装置を提供することができる。 Thus, it is possible to increase the area of ​​the opening for transmitting the backlight can provide a liquid crystal display device of high luminance by using a conventional backlight, also realize the conventional luminance with less power consumption it is possible to provide a liquid crystal display device which.

【0051】また、上述のように、対向電極13を、層間絶縁膜9を挟んでソース信号線8を完全に覆うように形成することにより、ソース信号線8によって形成される電界を対向電極13によってシールドすることができる(シールド効果)。 [0051] Further, as described above, the counter electrode 13, by forming so as to completely cover the source signal line 8 across the interlayer insulating film 9, the counter electrode 13 an electric field that is formed by the source signal line 8 it can be shielded by (shield effect). 特に、対向電極13は、液晶層1 In particular, the counter electrode 13, the liquid crystal layer 1
7とソース信号線8との間に立体的に配置されるため、 7 and to be sterically arranged between the source signal line 8,
ソース信号線8によって生じる電界が液晶層17に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 The influence of the electric field due to the source signal line 8 is provided to the liquid crystal layer 17 can be shielded more effectively. この事により、ソース信号線8によって形成される電界の乱れを防ぎ、液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できるので、より高品位の液晶表示装置を提供することができる。 This can prevent disturbance of the electric field formed by the source signal line 8, it is possible to suppress crosstalk and prevent disturbance of the alignment of the liquid crystal molecules, it is possible to provide a liquid crystal display device of higher quality.

【0052】(実施例2)図5は、本発明の第2の実施例による液晶表示装置110の平面図である。 [0052] (Embodiment 2) FIG. 5 is a plan view of a liquid crystal display device 110 according to a second embodiment of the present invention. 図6 Figure 6
(a)は、図5に示される線C−C'に沿った液晶表示装置110の断面を示し、図6(b)は、図5に示される線D−D'に沿った断面を示している。 (A) is 'shows a cross section of a liquid crystal display device 110 taken along, FIG. 6 (b), the line D-D shown in FIG. 5' line C-C shown in FIG. 5 shows a section along the ing. 図6(a)及び(b)に示されるように、液晶表示装置110は、アクティブマトリクス基板111、対向基板112、及びアクティブマトリクス基板111と対向基板112との間に挟持された液晶層17を備えている。 As shown in FIG. 6 (a) and (b), the liquid crystal display device 110, the active matrix substrate 111, a liquid crystal layer 17 sandwiched between the counter substrate 112 and the active matrix substrate 111 and the counter substrate 112, It is provided.

【0053】まず、アクティブマトリクス基板111の基本的な構成を説明する。 [0053] First, the basic configuration of an active matrix substrate 111. 図5、図6(a)及び(b) 5, FIG. 6 (a) and (b)
に示されるように、アクティブトリクス基板111においては、ガラス等の透明絶縁性基板1の上に、ゲート信号線2、ゲート信号線2から分岐したゲート電極2'及び共通電極15が形成されている。 As shown, in the active tri box board 111, on a transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, the gate signal line 2, gate electrodes 2 'and the common electrode 15 which is branched from the gate signal line 2 is formed . その上に、ゲート絶縁膜3を介して、ゲート信号線2及び共通電極15と交差するように、ソース信号線8が形成されている。 Thereon, via a gate insulating film 3, so as to intersect with the gate signal line 2 and the common electrode 15, the source signal line 8 is formed. その上に、層間絶縁膜9を介して絵素電極11及び対向電極13が形成されている。 Thereon, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 through the interlayer insulating film 9 is formed. 絵素電極11及び対向電極13 Picture element electrodes 11 and the counter electrode 13
は、ゲート信号線2及び共通電極15'に交差している。 Intersects the gate signal line 2 and the common electrode 15 '.

【0054】図5に示されるように、絵素電極11及び対向電極13は、絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように交互に配置されている。 [0054] As shown in FIG. 5, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately disposed so as to be substantially equidistant.
本実施例においては、1つの絵素領域(単位表示領域) In the present embodiment, one picture element region (the unit display region)
は、2本のゲート信号線2と2本のソース信号線8(及び層間絶縁膜9を介してソース信号線8上に重畳した対向電極13)とによって囲まれる領域であり、各絵素領域は、ほぼ中央に配された1本の対向電極13と、その両側に配された2本の絵素電極11とを含んでいる。 Is an area surrounded by two gate signal lines 2 and the two source signal line 8 (and the counter electrode 13 superimposed on the source signal line 8 via an interlayer insulating film 9), each picture element region includes a single counter electrode 13 arranged substantially in the center, and two of the picture element electrode 11 disposed on both sides thereof. すなわち、1つの絵素領域に含まれる2本の絵素電極11 That is, two of the picture element electrode 11 included in one picture element region
は、それぞれが対向電極13によって挟まれるように配置されている。 It is arranged such that each sandwiched between the counter electrode 13. 図6(a)及び(b)からもわかるように、絵素領域中央の対向電極13の下には、ソース信号線2は形成されていない。 As can be seen from FIG. 6 (a) and (b), the bottom of the picture element region center of the counter electrode 13, the source signal line 2 is not formed.

【0055】隣接する2つの絵素電極11(図5における縦方向)を分離する部分31は、ゲート信号線2上に設けられている。 [0055] portion 31 separating the two adjacent picture element electrode 11 (vertical direction in FIG. 5) is provided on the gate signal line 2. このように分離部分31を形成することにより、各絵素の境界領域を最少にすることができ、 By thus forming the separation portion 31, it is possible to each pixel of the border area to minimize
開口率を向上することができる。 It is possible to improve the aperture ratio.

【0056】ソース信号線8とゲート信号線2との交差部には、各絵素領域に対応するように、スイッチング素子としてTFT30が形成されている。 [0056] at the intersection of the source signal line 8 and the gate signal line 2, so as to correspond to the respective picture element region, TFT 30 is formed as a switching element. 本実施例によるTFT30の構成は、図2(b)に示される実施例1によるTFT30と全く同様であリ、透明性基板1の上に形成されたゲート電極2'、ゲート絶縁膜3、半導体層4、半導体層4の中央部に形成されたチャネル保護層5、チャネル保護層5の両側に形成されたコンタクト層6a及び6bを有している。 Configuration of the TFT 30 according to this embodiment, FIG. 2 according to Example 1 shown in (b) TFT 30 in exactly the same manner as ants, a gate electrode 2 formed on the transparent substrate 1 ', the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4, the channel protective layer 5 formed in a central portion of the semiconductor layer 4, and a contact layer 6a and 6b formed on both sides of the channel protective layer 5. コンタクト層6aには、ソース信号線8及び下層の透明導電膜7aが重畳するように接続している。 The contact layer 6a, is connected to the source signal line 8 and the lower layer of the transparent conductive film 7a is superimposed. この重畳する部分がソース電極8aとなる。 Portion this superposition is the source electrode 8a. コンタクト層6bには、ドレイン電極8b及び下層の透明導電膜7bが重畳するように接続している。 The contact layer 6b, the drain electrode 8b and the lower transparent conductive film 7b is connected so as to overlap.

【0057】図5、図6(a)及び(b)に示すように、透明導電膜7bはドレイン電極6bから一方の絵素電極11に沿って延長し、ゲート絶縁膜3を介して共通電極15に対向している。 [0057] As shown in FIGS. 5, 6 (a) and (b), the transparent conductive film 7b is extended along one of the picture element electrode 11 from the drain electrode 6b, the common electrode through the gate insulating film 3 It is opposed to the 15. 透明導電膜7bは、共通電極15に沿って延長し、2本の絵素電極11及びその間に配置された1本の共通電極13と、相関絶縁膜9を介して交差している。 The transparent conductive film 7b is extended along a common electrode 15, and one common electrode 13 which is disposed to two pixel electrodes 11 and between the intersect through the correlation insulating film 9. 各絵素電極11は、この交差部において、層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール10を通して透明導電膜7bに電気的に接続される。 Each picture element electrode 11, in this intersection, are electrically connected to the transparent conductive film 7b through the contact hole 10 provided in the interlayer insulating film 9.

【0058】実施例1の場合と同様に、全ての対向電極13は、絶縁性基板1の表示領域外の部分13'において相互に接続され、同電位となっている(図3)。 [0058] As in Example 1, all of the counter electrodes 13 are connected to each other in a portion 13 'of the outside of the display area of ​​the insulating substrate 1, it is at the same potential (Fig. 3). 対向電極13は、表示領域外の部分13'においてコンタクトホール10'を通じて共通電極15に接続されている。 The counter electrode 13 is connected to the common electrode 15 through the 'contact hole 10 in the' portion 13 outside the display area. このようにして、共通電極15と、絵素電極11と同電位の透明導電膜7bとによって、補助容量が形成される。 In this way, the common electrode 15, the transparent conductive film 7b of the picture element electrode 11 the same potential, the auxiliary capacitance is formed.

【0059】本実施例においても、絵素電極11及び対向電極13は同一方向に交互に配置され、絵素電極11 [0059] Also in this embodiment, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are arranged alternately in the same direction, the picture element electrode 11
と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように配置されている。 Distance between opposing electrode 13 is arranged to be substantially equally spaced with. 本実施例において、対向電極13は、 In this embodiment, the counter electrode 13,
層間絶縁膜9を挟んで表示画面内の全てのソース信号線8上に対向するように形成され、さらに、絵素領域のほぼ中央にも配置されている。 It is formed so as to face on to all the source signal lines 8 in the display screen across the interlayer insulating film 9, further being arranged substantially in the center of the pixel region. 対向電極13の幅はソース信号線8の幅よりも広くなるように、且つソース信号線8の配線幅を完全に覆うように形成される。 The width of the counter electrode 13 so as to be wider than the width of the source signal line 8 is formed and so as to completely cover the wiring width of the source signal line 8. このようにして、ソース信号線8が対向電極13の配線幅内に完全に収まるように形成されるため、ソース信号線8の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 In this way, since the source signal line 8 is formed to fit entirely within the line width of the counter electrode 13, the area of ​​it without opening the wiring width of the source signal line 8 occupy extra opening it can be increased.

【0060】また、対向電極13を、層間絶縁膜9を挟んでソース信号線8を完全に覆うように形成することにより、ソース信号線8によって形成される電界を対向電極13によってシールドすることができる。 [0060] Further, the counter electrode 13, by forming so as to completely cover the source signal line 8 across the interlayer insulating film 9, to be shielding the electric field formed by the source signal line 8 by the counter electrode 13 it can. 特に、対向電極13は、液晶層17とソース信号線8との間に立体的に配置されるため、ソース信号線8によって生じる電界が液晶層17に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 In particular, the counter electrode 13, since they are three-dimensionally disposed between the liquid crystal layer 17 and the source signal line 8, the electric field due to the source signal line 8 is the influence of the liquid crystal layer 17, to shield more effectively can. この事により、ソース信号線8によって形成される電界の乱れを防ぎ、液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できる。 This can prevent disturbance of the electric field formed by the source signal line 8, the crosstalk can be suppressed to prevent disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules.

【0061】本実施例の場合、1つの絵素領域の中に2 [0061] In this embodiment, 2 in one picture element region
本の絵素電極11を含んでいるため、実施例1の場合に比べて絵素電極11と対向電極13との幅が縮小され、 Because it contains the picture element electrode 11 of the width of the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 as compared with the case of Example 1 is reduced,
駆動電圧を小さくすることできる。 The driving voltage can be reduced. 絵素電極11の数は3本以上であってもよい。 The number of the picture element electrode 11 may be three or more. このように、1つの絵素領域内に複数本の絵信号電極11及び対応する対向電極13 Thus, the counter electrode 13 corresponding to and a plurality of picture signal electrodes 11 in one picture element region
を配置することにより、電極間のピッチを狭くすることができ、より低い駆動電圧で表示を行うことができる。 By placing the, it is possible to narrow the pitch between the electrodes, it can be displayed at a lower driving voltage.

【0062】本実施例による液晶表示装置110の作製方法は、実施例1による液晶表示装置100と同様であるので説明を省略する。 [0062] The method for manufacturing a liquid crystal display device 110 according to this embodiment will be omitted because it is similar to the liquid crystal display device 100 according to Example 1.

【0063】(実施例3)図7は、本発明の第3の実施例による液晶表示装置120の平面図である。 [0063] (Embodiment 3) FIG. 7 is a plan view of a liquid crystal display device 120 according to a third embodiment of the present invention. 図8 Figure 8
(a)は、図7に示される線A−A'に沿った液晶表示装置120の断面を示し、図8(b)は、図7に示される線B−B'に沿った断面を示している。 (A) is 'shows a cross section of a liquid crystal display device 120 taken along, FIG. 8 (b), line B-B shown in FIG. 7' line A-A shown in FIG. 7 shows a section along the ing. 図8(a)及び(b)に示されるように、液晶表示装置120は、アクティブマトリクス基板121、対向基板122、及びアクティブマトリクス基板121と対向基板122との間に挟持された液晶層17を備えている。 As shown in FIG. 8 (a) and (b), the liquid crystal display device 120, the active matrix substrate 121, a liquid crystal layer 17 sandwiched between the counter substrate 122 and the active matrix substrate 121 and the counter substrate 122, It is provided.

【0064】まず、アクティブマトリクス基板121の基本的な構成を説明する。 [0064] First, the basic configuration of an active matrix substrate 121. 図7及び図8(a)に示されるように、アクティブトリクス基板121においては、 As shown in FIGS. 7 and FIG. 8 (a), the in active birds box board 121,
ガラス等の透明絶縁性基板1の上に、ゲート信号線2、 On the transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, the gate signal line 2,
ゲート信号線2から分岐したゲート電極2'及び共通電極15が形成されている。 The gate electrode 2 'and the common electrode 15 which is branched from the gate signal line 2 is formed. その上に、ゲート絶縁膜3を介して、ゲート信号線2及び共通電極15と交差するように、ソース信号線8が形成されている。 Thereon, via a gate insulating film 3, so as to intersect with the gate signal line 2 and the common electrode 15, the source signal line 8 is formed. その上に、カラーフィルタ18及び層間絶縁膜9を介して絵素電極1 Thereon, pixel electrode 1 via the color filter 18 and the interlayer insulating film 9
1及び対向電極13が形成されている。 1 and the counter electrode 13 is formed. 絵素電極11及び対向電極13は、ゲート信号線2及び共通電極15' Picture element electrodes 11 and the counter electrode 13, the gate signal line 2 and the common electrode 15 '
に交差しており、各対向電極13は、対応するソース信号線8に沿って形成されている。 Intersect, the counter electrodes 13 are formed along the corresponding source signal line 8.

【0065】図7に示されるように、絵素電極11及び対向電極13は、絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように交互に配置されている。 [0065] As shown in FIG. 7, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately disposed so as to be substantially equidistant.
本実施例においては、1つの絵素領域(単位表示領域) In the present embodiment, one picture element region (the unit display region)
は、2本のゲート信号線2と2本のソース信号線8(及びソース信号線8上に重畳した対向電極13)とによって囲まれる領域であり、各絵素領域は中央に配された絵素電極11を含んでいる。 Painting a region surrounded by the two gate signal lines 2 and the two source signal line 8 (and the counter electrode 13 superimposed on the source signal line 8), each picture element region disposed in the center it includes pixel electrodes 11. 隣接する2つの絵素電極11 Two adjacent picture element electrodes 11
(図7における縦方向)を分離する部分31(図8 Portion 31 for separating the (vertical direction in FIG. 7) (FIG. 8
(a))は、ゲート信号線2上に設けられている。 (A)) is provided on the gate signal line 2. このように分離部分31を形成することにより、各絵素の境界領域を最少にすることができ、開口率を向上することができる。 By thus forming the separation portion 31, each pixel of the boundary area can be minimized, thereby improving the aperture ratio.

【0066】ソース信号線8とゲート信号線2との交差部には、各絵素領域に対応するように、スイッチング素子としてTFT30が形成されている。 [0066] at the intersection of the source signal line 8 and the gate signal line 2, so as to correspond to the respective picture element region, TFT 30 is formed as a switching element. 図8(b)に示されるように、TFT30は、透明性基板1の上に形成されたゲート電極2'、ゲート絶縁膜3、半導体層4、 As shown in FIG. 8 (b), TFT 30 includes a gate electrode 2 formed on the transparent substrate 1 ', the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4,
半導体層4の中央部に形成されたチャネル保護層5、チャネル保護層5の両側に形成されたコンタクト層6a及び6bを有している。 Channel protective layer 5 formed in a central portion of the semiconductor layer 4, and a contact layer 6a and 6b formed on both sides of the channel protective layer 5. コンタクト層6aには、ソース信号線8及び下層の透明導電膜7aが重畳するように接続している。 The contact layer 6a, is connected to the source signal line 8 and the lower layer of the transparent conductive film 7a is superimposed. この重畳する部分がソース電極8aとなる。 Portion this superposition is the source electrode 8a.
コンタクト層6bには、ドレイン電極8b及び下層の透明導電膜7bが重畳するように接続している。 The contact layer 6b, the drain electrode 8b and the lower transparent conductive film 7b is connected so as to overlap. TFT TFT
30、ゲート信号線2、ソース信号線8を覆うように、 30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 8,
層間絶縁膜9'が形成されている。 Interlayer insulating film 9 'is formed.

【0067】本実施例の層間絶縁膜9'は、各絵素領域を覆うようにして形成された、カラーフィルタ18となる3色の絶縁膜と、その上に形成された層間絶縁膜9とからなる。 [0067] interlayer insulating film 9 'of the present embodiment is formed so as to cover the respective pixel regions, an insulating film of three colors as a color filter 18, an interlayer insulating film 9 formed thereon consisting of. カラーフィルタ18において、3色の絶縁膜はストライプ型、デルタ型等、所定の配列で配置される。 In the color filter 18, the three colors of the insulating film is a stripe type, delta type or the like, are arranged in a predetermined arrangement. カラーフィルタ18のコンタクトホール21と層間絶縁膜9のコンタクトホール10とは、同じ位置に設けられている。 The contact hole 21 and the contact hole 10 of the interlayer insulating film 9 of the color filter 18, are provided at the same position.

【0068】図7及び図8(a)に示すように、透明導電膜7bは絵素電極11に沿って延長し、ゲート絶縁膜3を介して共通電極15に重畳している。 [0068] As shown in FIGS. 7 and FIG. 8 (a), the transparent conductive film 7b is extended along the picture element electrode 11, overlaps the common electrode 15 via the gate insulating film 3. 透明導電膜7 Transparent conductive film 7
bが共通電極15に対向する部分において、絵素電極1 In part b is opposed to the common electrode 15, the pixel electrode 1
1は、層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール10 1, a contact hole 10 provided in the interlayer insulating film 9
及びカラーフィルタ18に設けられたするコンタクトホール21を通して透明導電膜7bに電気的に接続される。 And it is electrically connected to the transparent conductive film 7b through the contact hole 21 to which is provided on the color filter 18.

【0069】本実施例に置いても、実施例1の場合と同様に、図3に示すように、全ての対向電極13は、絶縁性基板1の表示領域外の部分13'において相互に接続され、同電位となっている。 [0069] be placed in this embodiment, as in the case of Example 1, as shown in FIG. 3, all of the counter electrodes 13 are mutually connected in the portion 13 'of the outside of the display area of ​​the insulating substrate 1 are, it is at the same potential. 対向電極13は、表示領域外の部分13'においてコンタクトホール10'を通じて共通電極15に接続されている。 The counter electrode 13 is connected to the common electrode 15 through the 'contact hole 10 in the' portion 13 outside the display area. このようにして、共通電極15と、絵素電極11と同電位の透明導電膜7b In this way, the common electrode 15, a transparent conductive film 7b of the picture element electrode 11 the same potential
とによって、補助容量が形成される。 And the storage capacitance is formed.

【0070】次に、図7、図8(a)及び(b)を参照しながら、液晶表示装置120の作製方法を説明する。 Next, FIG. 7, with reference to FIGS. 8 (a) and (b), and method for manufacturing a liquid crystal display device 120.
まず、アクティブマトリクス基板121において、透明絶縁性基板1上にゲート信号線2、ゲート電極2'、及び共通電極15を、Ta、Al等の金属層をパターニングすることによって形成する。 First, in the active matrix substrate 121, a transparent insulating substrate 1 a gate signal line 2 on, the gate electrode 2 'and the common electrode 15, Ta, is formed by patterning a metal layer such as Al. 金属層の厚さは、約36 The thickness of the metal layer is about 36
00〜6500Åが好ましい。 00~6500Å is preferable. 次に、ゲート信号線2、 Next, the gate signal line 2,
ゲート電極2'及び共通電極15を覆うように、絶縁性基板1全体にゲート絶縁膜3を形成する。 So as to cover the gate electrodes 2 'and the common electrode 15, a gate insulating film 3 on the entire insulating substrate 1. ゲート絶縁膜は、例えば、約3000〜5000ÅのSiNx、Si The gate insulating film is, for example, SiNx about 3000~5000A, Si
2等を用いることができる。 O 2 or the like can be used.

【0071】次に、ゲート絶縁膜3上に、ゲート電極2'に対向するように半導体層4を形成する。 Next, on the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4 so as to face the gate electrode 2 '. 半導体層4としては、a−Si、p−Si等を用いることができる。 The semiconductor layer 4 can be used for a-Si, p-Si or the like. 半導体層4の厚さは、約300〜500Åが好ましい。 The thickness of the semiconductor layer 4 is about 300~500Å are preferred. 半導体層4の中央部の上にチャネル保護層5をパターン形成する。 The patterning channel protective layer 5 on the central portion of the semiconductor layer 4. チャネル保護層としては、例えば、約1 The channel protective layer, for example, about 1
000ÅのSiNx層等を用いることができる。 SiNx layer or the like of 000Å can be used. 次に、 next,
チャネル保護層5の両端部に重畳し、半導体層4を覆うようにして、約700Åのn + −Si層からなるコンタクト層6a(ソース電極側)及び6b(ドレイン電極側)を形成する。 Superimposed on both end portions of the channel protection layer 5, so as to cover the semiconductor layer 4 to form a contact layer 6a made of n + -Si layer of about 700 Å (source electrode side) and 6b (the drain electrode side).

【0072】その上に、ITO等の透明導電膜をスパッタリングによって形成し、パターニングすることによって、ソース信号線の下層及びソース電極の下層となる透明導電膜7aと、ドレイン電極の下層となり共通電極1 [0072] thereon, a transparent conductive film of ITO or the like is formed by sputtering, by patterning a transparent conductive film 7a to be lower in the lower and the source electrode of the source signal line, the common electrode 1 becomes lower drain electrode
5に向かって延長する透明導電膜7bとを形成する。 Forming the transparent conductive film 7b extending toward the 5. その上に、Ta、Al等の金属層8をスパッタリングによって約3600〜6500Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、ソース信号線の上層8、ソース電極8a、及びドレイン電極8bを形成する。 Thereon, Ta, a metal layer 8 of Al or the like is formed to a thickness of about 3600~6500Å by sputtering, by patterning, the upper layer 8 of the source signal line, forming a source electrode 8a, and the drain electrode 8b. 本実施例においては、図8(b)に示すように、上層の金属層8と下層の透明導電膜7aとによって、2層構造のソース信号線8'を形成している。 In this embodiment, as shown in FIG. 8 (b), by the upper metal layer 8 and the underlying transparent conductive film 7a, and forms a source signal line 8 'of the two-layer structure. このように、ソース信号線8'を2層構造とすることによって、上層の金属層8の一部に欠損が生じた場合にも、下層の透明導電膜7aによって電気的に接続されているため、ソース信号線8' Thus, by a two-layer structure of the source signal line 8 ', even if the defect in a part of the upper metal layer 8 occurs, because it is electrically connected by the underlying transparent conductive film 7a , the source signal line 8 '
の断線を減少できるという利点がある。 There is an advantage of being able to reduce the disconnection.

【0073】次に、TFT30、ゲート信号線2、ソース信号線3、及び透明導電膜7bを覆うように、赤色の感光性フィルム状樹脂を貼り付けて、露光・現像を行うことによりパターニングし、赤色フィルタとなる第1の絶縁膜を形成する。 [0073] Next, TFT 30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 3, and the transparent conductive film 7b, paste the red photosensitive film-like resin, is patterned by performing exposure and development, forming a first insulating film to be a red filter. パターニングの際に、コンタクトホール21が同時に形成される。 During patterning, the contact hole 21 is formed at the same time. 同様にして、緑色及び青色の感光性フィルム状樹脂を用いて、それぞれ緑色及び青色フィルタとなる第2及び第3の絶縁膜を形成する。 Similarly, using the green and blue photosensitive film-shaped resin, to form the second and third insulating film to be the green and blue filters, respectively.
これらの第1〜3の絶縁膜によってコンタクトホール2 Contact holes 2 by these first to third insulating film
1を有するカラーフィルタ18が形成される。 The color filter 18 is formed having a 1.

【0074】その上に、例えば、感光性アクリル樹脂を用いて層間絶縁膜9を形成する。 [0074] thereon, for example, an interlayer insulating film 9 by using a photosensitive acrylic resin. 層間絶縁膜9の形成工程において、露光、アルカリ現像により、コンタクトホール21と同じ位置にコンタクトホール10が形成される。 In the step of forming the interlayer insulating film 9, exposure and alkali development, the contact hole 10 is formed in the same position as the contact hole 21. カラーフィルタ18及び層間絶縁膜9をあわせた層間絶縁膜9'の厚さは、約3μmとしている。 The thickness of the color filter 18 and the interlayer insulating film 9 combined interlayer insulating film 9 'is set to about 3 [mu] m. コンタクトホール10及び21の開口面積は広いほうが良い。 The opening area of ​​the contact holes 10 and 21 are wide is better. 好ましくは、コンタクトホール21の幅は、共通電極15 Preferably, the width of the contact hole 21, the common electrode 15
の幅よりも小さく、かつ完全に重なる様に形成される。 Smaller than the width, and is formed to completely overlap.
さらに、コンタクトホール10は、その幅がコンタクトホール21の幅よりも小さくなるように、かつコンタクトホール21の内側に形成される。 Further, the contact hole 10, the width to be smaller than the width of the contact hole 21, and is formed inside the contact hole 21. また、層間絶縁膜9 In addition, the interlayer insulating film 9
をカラーフィルタ18の上に形成することにより、層間絶縁膜9'の表面を平坦に形成することができる。 The by forming on the color filter 18, it can be formed flat surface of the interlayer insulating film 9 '. 尚、 still,
層間絶縁膜9は、ポリイミド等の樹脂を用いて形成してもよい。 Interlayer insulating film 9 may be formed by using a resin such as polyimide.

【0075】次に、層間絶縁膜9の上に、Ta、Al等の金属層をスパッタリングによって約5000〜700 Next, on the interlayer insulating film 9, Ta, by sputtering a metal layer such as Al about 5000-700
0Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、絵素電極11及び対向電極13を形成する。 It formed to a thickness of 0 Å, by patterning, to form a picture element electrode 11 and the counter electrode 13. 絵素電極11 The picture element electrode 11
は、層間絶縁膜9に形成されたコンタクトホール10及びカラーフィルタ18に形成されたコンタクトホール2 Contact holes 2 formed in the contact hole 10 and the color filter 18 formed in the interlayer insulating film 9
1を通して、ドレイン電極8bに接続した透明導電膜7 Through 1, the transparent conductive film 7 which is connected to the drain electrode 8b
bに電気的に接続される。 It is electrically connected to the b. 本実施例においては、絵素電極11及び対向電極13が同一方向に交互に配置され、 In the present embodiment, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately arranged in the same direction,
絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように配置されている。 Distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are arranged to be substantially equally spaced. 本実施例において、対向電極13は、層間絶縁膜9'を挟んで表示画面内の全てのソース信号線8上に対向するように形成されている。 In this embodiment, the counter electrode 13 is formed so as to face on all of the source signal lines 8 in the display screen across the interlayer insulating film 9 '.
更に、対向電極13の幅がソース信号線8の幅よりも広くなるように、且つソース信号線8を完全に覆うように形成される。 Further, as the width of the counter electrode 13 is wider than the width of the source signal line 8 is formed and so as to cover the source signal line 8 completely.

【0076】その後、アクティブマトリクス基板121 [0076] Thereafter, the active matrix substrate 121
及び対向基板122の双方にそれぞれ配向膜16を形成する。 And respectively forming an alignment film 16 on both of the opposing substrate 122. そして、両基板121及び122を所定の間隙を設けて貼り合わせ、液晶材料をこの間隙の中に注入して液晶層17を形成する。 Then, the substrates 121 and 122 bonded with a predetermined gap to form a liquid crystal layer 17 by injecting liquid crystal material into the gap. このようにして液晶表示装置1 The liquid crystal display device 1 in this way
20が完成する。 20 is completed.

【0077】このように、本実施例による液晶表示装置120によれば、ソース信号線8が対向電極13の配線幅内に完全に収まるように形成されるため、ソース信号線8の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 [0077] Thus, according to the liquid crystal display device 120 according to this embodiment, since the source signal line 8 is formed to fit entirely within the line width of the counter electrode 13, the wiring width of the source signal line 8 it is possible to increase the area of ​​the opening without extra occupying opening. また、絵素電極1 Further, the pixel electrode 1
1の分離部分31をゲート信号線2上に配置することにより、開口部の面積を更に大きくすることができ、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。 By arranging the first separation portion 31 on the gate signal line 2, the area of ​​the opening can be further increased, it is possible to realize a liquid crystal display having a high aperture ratio. この事により、従来のバックライトを用いて高輝度の液晶表示装置を提供することができ、また、より少ない消費電力で従来の輝度を実現する液晶表示装置を提供することができる。 By this, using a conventional backlight can provide a liquid crystal display device of high brightness, also can provide a liquid crystal display apparatus for realizing the conventional luminance with less power consumption.

【0078】また、対向電極13を、層間絶縁膜9'を挟んでソース信号線8を完全に覆うように形成することにより、ソース信号線8によって形成される電界を対向電極13によってシールドすることができる(シールド効果)。 [0078] Further, the counter electrode 13, by forming so as to completely cover the source signal line 8 across the interlayer insulating film 9 ', shielding the electric field formed by the source signal line 8 by the counter electrode 13 can (shield effect). 特に、対向電極13は、液晶層17とソース信号線8との間に立体的に配置されるため、ソース信号線8によって生じる電界が液晶層17に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 In particular, the counter electrode 13, since they are three-dimensionally disposed between the liquid crystal layer 17 and the source signal line 8, the electric field due to the source signal line 8 is the influence of the liquid crystal layer 17, to shield more effectively can. この事により、 By this thing,
ソース信号線8によって形成される電界の乱れを防ぎ、 Prevent disturbance of the electric field formed by the source signal line 8,
液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できる。 The cross-talk can be suppressed to prevent the disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules.

【0079】液晶表示装置120による液晶層17の駆動は、実施例1による液晶表示装置100の場合(図(a)及び(b))と同様である。 [0079] driving the liquid crystal layer 17 by the liquid crystal display device 120 is similar to the case of the liquid crystal display device 100 according to Embodiment 1 (FIG. (A) and (b)). 液晶表示装置120 The liquid crystal display device 120
においても、絵素電極11は2本の対向電極13のほぼ中央に配置されているため、各絵素領域において形成される電界Eは、絵素電極11の両側で実質的に等しくなる。 In even for the picture element electrodes 11 are arranged substantially in the center of the two opposing electrodes 13, an electric field E to be formed in each pixel region is substantially equal on both sides of the picture element electrode 11. 従って、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラを減少させ、さらに高画質の液晶表示装置を実現することができる。 Therefore, reducing the differences and display unevenness of the viewing angle in each picture element region, so it is possible to realize a liquid crystal display device of high image quality.

【0080】更に、本実施例においては、層間絶縁膜9'の一部としてカラーフィルタ18を形成することにより、対向基板122を実質的に透明絶縁性基板12のみとすることができる。 [0080] Further, in this embodiment, by forming the color filter 18 as part of the interlayer insulating film 9 'may be a counter substrate 122 only substantially transparent insulating substrate 12. このことにより、アクティブマトリクス基板121及び対向基板122の貼り合わせ精度に起因する開口率の低下を防止できるため、更なる高開口率化及びコストダウンが可能となる。 Thus, it is possible to prevent a decrease in aperture ratio due to the bonding accuracy of the active matrix substrate 121 and the counter substrate 122, thereby enabling a high aperture ratio and cost further.

【0081】(実施例4)図9は、本発明の第4の実施例による反射型液晶表示装置130の平面図である。 [0081] (Embodiment 4) FIG. 9 is a plan view of a reflective liquid crystal display device 130 according to a fourth embodiment of the present invention. 図10(a)は、図8に示される線A−A'に沿った液晶表示装置130の断面を示し、図10(b)は、図8に示される線B−B'に沿った断面を示している。 10 (a) is 'shows a cross section of a liquid crystal display device 130 taken along, FIG. 10 (b), line B-B shown in FIG. 8' line A-A shown in FIG. 8 taken along section the shows. 図10 Figure 10
(a)及び(b)に示されるように、液晶表示装置13 As shown in (a) and (b), the liquid crystal display device 13
0は、アクティブマトリクス基板131、対向基板13 0, the active matrix substrate 131, a counter substrate 13
2、及びアクティブマトリクス基板131と対向基板1 2, and an active matrix substrate 131 and the counter substrate 1
32との間に挟持された液晶層17を備えている。 And a liquid crystal layer 17 sandwiched between the 32. 本実施例において、対向基板132は、表面が鏡面上に仕上げられた基板22を有している。 In this embodiment, the counter substrate 132 has a substrate 22 which surface has been finished on the mirror surface.

【0082】まず、アクティブマトリクス基板131の基本的な構成を説明する。 [0082] First, the basic configuration of an active matrix substrate 131. 図9及び図10(a)に示されるように、アクティブトリクス基板131においては、ガラス等の透明絶縁性基板1の上に、ゲート信号線2、ゲート信号線2から分岐したゲート電極2'及び共通電極15が形成されている。 As shown in FIGS. 9 and FIG. 10 (a), the in active birds box board 131, on a transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, the gate signal line 2, the gate electrode 2 is branched from the gate signal line 2 'and the common electrode 15 is formed. その上に、ゲート絶縁膜3を介して、ゲート信号線2及び共通電極15と交差するように、ソース信号線8が形成されている。 Thereon, via a gate insulating film 3, so as to intersect with the gate signal line 2 and the common electrode 15, the source signal line 8 is formed. その上に、カラーフィルタ18及び層間絶縁膜9からなる層間絶縁膜9'を介して絵素電極11及び対向電極13が形成されている。 Thereon, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 through the interlayer insulating film 9 'made of the color filter 18 and the interlayer insulating film 9 is formed. 絵素電極11及び対向電極13は、ゲート信号線2及び共通電極15'に交差しており、各対向電極13は、対応するソース信号線8に沿って形成されている。 Picture element electrodes 11 and the counter electrode 13, intersects the gate signal line 2 and the common electrode 15 ', the counter electrodes 13 are formed along the corresponding source signal line 8.

【0083】図9に示されるように、絵素電極11及び対向電極13は、絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように交互に配置されている。 [0083] As shown in FIG. 9, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately disposed so as to be substantially equidistant.
本実施例においては、1つの絵素領域(単位表示領域) In the present embodiment, one picture element region (the unit display region)
は、2本のゲート信号線2と2本のソース信号線8(及びソース信号線8上に重畳した対向電極13)とによって囲まれる領域であり、各絵素領域は中央に配された絵素電極11を含んでいる。 Painting a region surrounded by the two gate signal lines 2 and the two source signal line 8 (and the counter electrode 13 superimposed on the source signal line 8), each picture element region disposed in the center it includes pixel electrodes 11. 隣接する2つの絵素電極11 Two adjacent picture element electrodes 11
(図9における縦方向)を分離する部分31(図10 Portion 31 for separating the (vertical direction in FIG. 9) (FIG. 10
(a))は、ゲート信号線2上に設けられている。 (A)) is provided on the gate signal line 2. このように分離部分31を形成することにより、各絵素の境界領域を最少にすることができ、開口率を向上することができる。 By thus forming the separation portion 31, each pixel of the boundary area can be minimized, thereby improving the aperture ratio.

【0084】ソース信号線8とゲート信号線2との交差部には、各絵素領域に対応するように、スイッチング素子としてTFT30が形成されている。 [0084] at the intersection of the source signal line 8 and the gate signal line 2, so as to correspond to the respective picture element region, TFT 30 is formed as a switching element. 図10(b)に示されるように、TFT30は、透明性基板1の上に形成されたゲート電極2'、ゲート絶縁膜3、半導体層4、半導体層4の中央部に形成されたチャネル保護層5、チャネル保護層5の両側に形成されたコンタクト層6a及び6bを有している。 Figure 10 As shown in (b), TFT 30 includes a gate electrode 2 'formed on a transparent substrate 1, a gate insulating film 3, the semiconductor layer 4, the channel protection formed in the central portion of the semiconductor layer 4 layer 5, and a contact layer 6a and 6b formed on both sides of the channel protective layer 5. コンタクト層6aには、ソース信号線8及び下層の透明導電膜7aが重畳するように接続している。 The contact layer 6a, is connected to the source signal line 8 and the lower layer of the transparent conductive film 7a is superimposed. この重畳する部分がソース電極8aとなる。 Portion this superposition is the source electrode 8a. コンタクト層6bには、ドレイン電極8b及び下層の透明導電膜7bが重畳するように接続している。 The contact layer 6b, the drain electrode 8b and the lower transparent conductive film 7b is connected so as to overlap.
TFT30、ゲート信号線2、ソース信号線8を覆うように、層間絶縁膜9'が形成されている。 TFT 30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 8, the interlayer insulating film 9 'is formed.

【0085】本実施例の層間絶縁膜9'は、各絵素領域を覆うようにして形成された、カラーフィルタ18となる3色の絶縁膜と、その上に形成された層間絶縁膜9とからなる。 [0085] interlayer insulating film 9 'of the present embodiment is formed so as to cover the respective pixel regions, an insulating film of three colors as a color filter 18, an interlayer insulating film 9 formed thereon consisting of. カラーフィルタ18において、3色の絶縁膜はストライプ型、デルタ型等、所定の配列で配置される。 In the color filter 18, the three colors of the insulating film is a stripe type, delta type or the like, are arranged in a predetermined arrangement. カラーフィルタ18のコンタクトホール21と層間絶縁膜9のコンタクトホール10とは、同じ位置に設けられている。 The contact hole 21 and the contact hole 10 of the interlayer insulating film 9 of the color filter 18, are provided at the same position.

【0086】図9及び図10(a)に示すように、透明導電膜7bは絵素電極11に沿って延長し、ゲート絶縁膜3を介して共通電極15に重畳している。 [0086] As shown in FIGS. 9 and FIG. 10 (a), the transparent conductive film 7b is extended along the picture element electrode 11, overlaps the common electrode 15 via the gate insulating film 3. 透明導電膜7bが共通電極15に対向する部分において、絵素電極11は、層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール1 In part transparent conductive film 7b is opposed to the common electrode 15, the picture element electrode 11, a contact hole 1 provided in the interlayer insulating film 9
0及びカラーフィルタ18に設けられたするホール21 0 and holes 21 which are provided on the color filter 18
を通して透明導電膜7bに電気的に接続される。 It is electrically connected to the transparent conductive film 7b through.

【0087】本実施例に置いても、実施例1の場合と同様に、図3に示すように、全ての対向電極13は、絶縁性基板1の表示領域外の部分13'において相互に接続され、同電位となっている。 [0087] be placed in this embodiment, as in the case of Example 1, as shown in FIG. 3, all of the counter electrodes 13 are mutually connected in the portion 13 'of the outside of the display area of ​​the insulating substrate 1 are, it is at the same potential. 対向電極13は、表示領域外の部分13'においてコンタクトホール10'を通じて共通電極15に接続されている。 The counter electrode 13 is connected to the common electrode 15 through the 'contact hole 10 in the' portion 13 outside the display area. このようにして、共通電極15と、絵素電極11と同電位の透明導電膜7b In this way, the common electrode 15, a transparent conductive film 7b of the picture element electrode 11 the same potential
とによって、補助容量が形成される。 And the storage capacitance is formed.

【0088】本実施例によるアクティブマトリクス基板131の作製方法は、実施例3によるアクティブマトリクス基板121の場合と同様であるので詳しい説明は省略する。 [0088] method of manufacturing an active matrix substrate 131 according to this embodiment will be omitted if the description detailed than is the same as the active matrix substrate 121 according to the third embodiment. 対向基板132の基板22は鏡面状の表面を有しており反射板となる。 Substrate 22 of the counter substrate 132 is a reflector has a mirror-like surface. アクティブマトリクス基板13 Active matrix substrate 13
1及び対向基板132のそれぞれに配向膜16に形成した後、両基板131及び132を所定の間隙を設けて貼り合わせ、液晶材料をこの間隙の中に注入して液晶層1 After forming the first and the alignment film 16 on each of the opposite substrate 132, the substrates 131 and 132 bonded with a predetermined gap, the liquid crystal layer 1 by injecting liquid crystal material into the gap
7を形成する。 7 to the formation. このようにして液晶表示装置130が完成する。 This so that the liquid crystal display device 130 is completed.

【0089】本実施例による液晶表示装置130によれば、ソース信号線8が対向電極13の配線幅内に完全に収まるように形成されるため、ソース信号線8の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 According to [0089] the liquid crystal display device 130 according to this embodiment, since the source signal line 8 is formed to fit entirely within the line width of the counter electrode 13, the wiring width is extra opening of the source signal line 8 area of ​​the opening without occupying can be increased. また、絵素電極11の分離部分31をゲート信号線2上に配置することにより、開口部の面積を更に大きくすることができ、高開口率の液晶表示装置を実現することができる。 Further, by arranging the separating portion 31 of the picture element electrode 11 on the gate signal line 2, the area of ​​the opening can be further increased, it is possible to realize a liquid crystal display having a high aperture ratio.

【0090】また、対向電極13を、層間絶縁膜9'を挟んでソース信号線8を完全に覆うように形成することにより、ソース信号線8によって形成される電界を対向電極13によってシールドすることができる(シールド効果)。 [0090] Further, the counter electrode 13, by forming so as to completely cover the source signal line 8 across the interlayer insulating film 9 ', shielding the electric field formed by the source signal line 8 by the counter electrode 13 can (shield effect). 特に、対向電極13は、液晶層17とソース信号線8との間に立体的に配置されるため、ソース信号線8によって生じる電界が液晶層17に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 In particular, the counter electrode 13, since they are three-dimensionally disposed between the liquid crystal layer 17 and the source signal line 8, the electric field due to the source signal line 8 is the influence of the liquid crystal layer 17, to shield more effectively can. この事により、 By this thing,
ソース信号線8によって形成される電界の乱れを防ぎ、 Prevent disturbance of the electric field formed by the source signal line 8,
液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できる。 The cross-talk can be suppressed to prevent the disturbance of the orientation of the liquid crystal molecules.

【0091】液晶表示装置130による液晶層17の駆動は、実施例1による液晶表示装置100の場合(図(a)及び(b))と同様である。 [0091] driving the liquid crystal layer 17 by the liquid crystal display device 130 is similar to the case of the liquid crystal display device 100 according to Embodiment 1 (FIG. (A) and (b)). 液晶表示装置130 The liquid crystal display device 130
においても、絵素電極11は2本の対向電極13のほぼ中央に配置されているため、各絵素領域において形成される電界Eは、絵素電極11の両側で実質的に等しくなる。 In even for the picture element electrodes 11 are arranged substantially in the center of the two opposing electrodes 13, an electric field E to be formed in each pixel region is substantially equal on both sides of the picture element electrode 11. 従って、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラを減少させ、さらに高画質の液晶表示装置を実現することができる。 Therefore, reducing the differences and display unevenness of the viewing angle in each picture element region, so it is possible to realize a liquid crystal display device of high image quality.

【0092】(実施例5)図11は、本発明の第5の実施例による液晶表示装置140の平面図を示している。 [0092] (Embodiment 5) FIG. 11 shows a plan view of a liquid crystal display device 140 according to a fifth embodiment of the present invention.
図12(a)は、図11に示される線B−B'に沿った液晶表示装置140の断面を示し、図12(b)は、図11に示される線D−D'に沿った断面を示している。 FIG. 12 (a) 'shows a cross section of a liquid crystal display device 140 taken along, FIG. 12 (b), the line D-D shown in FIG. 11' line B-B shown in FIG. 11 taken along section the shows.
図12(a)及び(b)に示されるように、液晶表示装置140は、アクティブマトリクス基板141、対向基板142、及びアクティブマトリクス基板141と対向基板142との間に挟持された液晶層17を備えている。 As illustrated in FIG. 12 (a) and (b), a liquid crystal display device 140, the active matrix substrate 141, a liquid crystal layer 17 sandwiched between the counter substrate 142 and the active matrix substrate 141 and the counter substrate 142, It is provided.

【0093】まず、アクティブマトリクス基板141の基本的な構成を説明する。 [0093] First, the basic configuration of an active matrix substrate 141. 図11及び図12(a)に示されるように、アクティブトリクス基板141においては、ガラス等の透明絶縁性基板1の上に、ゲート信号線2、ゲート信号線2から分岐したゲート電極2'及び共通電極15が形成されている。 As shown in FIGS. 11 and FIG. 12 (a), the in active birds box board 141, on a transparent insulating substrate 1 made of glass or the like, the gate signal line 2, the gate electrode 2 is branched from the gate signal line 2 'and the common electrode 15 is formed. その上に、ゲート絶縁膜3を介して、ゲート信号線2及び共通電極15と交差するように、ソース信号線8が形成されている。 Thereon, via a gate insulating film 3, so as to intersect with the gate signal line 2 and the common electrode 15, the source signal line 8 is formed. その上に、層間絶縁膜9を介して絵素電極11形成されている。 Thereon are picture element electrodes 11 formed through the interlayer insulating film 9. 絵素電極11はゲート信号線2及び共通電極15' Picture element electrode 11 is the gate signal line 2 and the common electrode 15 '
に交差している。 Intersect in.

【0094】対向基板142においては、ガラス等の透明絶縁性基板11の上にカラーフィルタ14が形成され、その上に対向電極13が形成されている。 [0094] In the opposing substrate 142, a color filter 14 is formed on the transparent insulating substrate 11 of glass or the like, the counter electrode 13 is formed thereon. 本実施例においては、対向電極13は、アクティブマトリクス基板141側ではなく、対向基板142側に設けられている。 In the present embodiment, the counter electrode 13 is not in the active matrix substrate 141 side, is provided on the counter substrate 142 side.

【0095】図12(a)及び(b)に示されるように、対向電極13は、液晶層17を挟み、対応するソース信号線8に沿うように形成されている。 [0095] As shown in FIG. 12 (a) and 12 (b), the counter electrode 13, sandwiching a liquid crystal layer 17, is formed along the corresponding source signal line 8. 図11に示されるように、絵素電極11及び対向電極13は、平面的に見たときに絵素電極11と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように交互に配置されている。 As shown in FIG. 11, the pixel electrode 11 and the counter electrode 13, the distance between the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately arranged so as to be substantially equally spaced when viewed in a plan view ing. 本実施例においては、1つの絵素領域(単位表示領域)は、 In the present embodiment, one picture element region (the unit display region)
2本のゲート信号線2と2本のソース信号線8(及び層間絶縁膜9を介してソース信号線8上に重畳した対向電極13)とによって囲まれる領域であり、各絵素領域は中央に配された絵素電極11を含んでいる。 A region surrounded by the two gate signal lines 2 and the two source signal line 8 (and the counter electrode 13 superimposed on the source signal line 8 via an interlayer insulating film 9), each picture element region is a central it includes pixel electrodes 11 arranged on the. 隣接する2 Adjacent 2
つの絵素電極11(図11における縦方向)を分離する部分31はゲート信号線2上に設けられている。 One portion 31 which separates the (vertical direction in FIG. 11) the picture element electrode 11 is provided on the gate signal line 2. このように分離部分31を形成することにより、各絵素の境界領域を最少にすることができ、開口率を向上することができる。 By thus forming the separation portion 31, each pixel of the boundary area can be minimized, thereby improving the aperture ratio.

【0096】ソース信号線8とゲート信号線2との交差部には、各絵素領域に対応するように、スイッチング素子としてTFT30が形成されている。 [0096] at the intersection of the source signal line 8 and the gate signal line 2, so as to correspond to the respective picture element region, TFT 30 is formed as a switching element. 図12(a)に示されるように、TFT30は、透明性基板1の上に形成されたゲート電極2'、ゲート絶縁膜3、半導体層4、半導体層4の中央部に形成されたチャネル保護層5、チャネル保護層5の両側に形成されたコンタクト層6a及び6bを有している。 Figure 12 As shown in (a), TFT 30 includes a gate electrode 2 'formed on a transparent substrate 1, a gate insulating film 3, the semiconductor layer 4, the channel protection formed in the central portion of the semiconductor layer 4 layer 5, and a contact layer 6a and 6b formed on both sides of the channel protective layer 5. コンタクト層6aには、ソース信号線8及び下層の透明導電膜7aが重畳するように接続している。 The contact layer 6a, is connected to the source signal line 8 and the lower layer of the transparent conductive film 7a is superimposed. この重畳する部分がソース電極8aとなる。 Portion this superposition is the source electrode 8a. コンタクト層6bには、ドレイン電極8b及び下層の透明導電膜7bが重畳するように接続している。 The contact layer 6b, the drain electrode 8b and the lower transparent conductive film 7b is connected so as to overlap. T
FT30、ゲート信号線2、ソース信号線8を覆うように、層間絶縁膜9が形成されている。 FT30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 8, the interlayer insulating film 9 is formed.

【0097】図11及び図12(b)に示すように、透明導電膜7bはその上部に形成された絵素電極11に沿って延長し、ゲート絶縁膜3を介して共通電極15に対向している。 [0097] As shown in FIGS. 11 and FIG. 12 (b), the transparent conductive film 7b is extended along the pixel electrodes 11 formed thereon faces the common electrode 15 via the gate insulating film 3 ing. 透明導電膜7bが共通電極15に対向する部分において、絵素電極11は、層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール10を通して透明導電膜7bに電気的に接続している。 In part transparent conductive film 7b is opposed to the common electrode 15, the picture element electrode 11 is electrically connected to the transparent conductive film 7b through the contact hole 10 provided in the interlayer insulating film 9.

【0098】本実施例においても、対向基板142において、全ての対向電極13は絶縁性基板12の表示領域外の部分において相互に接続され、同電位となっている。 [0098] Also in this embodiment, the counter substrate 142, all of the counter electrode 13 are connected to each other in the display area outside the portion of the insulating substrate 12, have the same potential. 対向電極13は、表示領域外の部分を通じて、アクティブマトリクス基板141側の共通電極15に接続されている。 The counter electrode 13, through the portion outside the display area, is connected to the common electrode 15 of the active matrix substrate 141 side. このようにして、共通電極15と、絵素電極11と同電位の透明導電膜7bとによって、補助容量が形成される。 In this way, the common electrode 15, the transparent conductive film 7b of the picture element electrode 11 the same potential, the auxiliary capacitance is formed.

【0099】次に、図11、図12(a)及び(b)を参照しながら、液晶表示装置140の作製方法を説明する。 [0099] Next, FIG. 11, with reference to FIGS. 12 (a) and 12 (b), and method for manufacturing a liquid crystal display device 140. まず、アクティブマトリクス基板141において、 First, in the active matrix substrate 141,
透明絶縁性基板1上にゲート信号線2、ゲート電極2'、及び共通電極15を、Ta、Al等の金属層をパターニングすることによって形成する。 The gate signal line 2 on a transparent insulating substrate 1, a gate electrode 2 'and the common electrode 15, Ta, is formed by patterning a metal layer such as Al. 金属層の厚さは、約3600〜6500Åが好ましい。 The thickness of the metal layer is about 3600~6500Å are preferred. その上に、ゲート信号線2、ゲート電極2'及び共通電極15を覆うように絶縁性基板1全体にゲート絶縁膜3を形成する。 Thereon, the gate signal line 2, a gate insulating film 3 on the entire insulating substrate 1 so as to cover the gate electrodes 2 'and the common electrode 15.
ゲート絶縁膜は、例えば、約3000〜5000ÅのS The gate insulating film is, for example, about 3000~5000A S
iNx、SiO 2等を用いることができる。 INX, it is possible to use SiO 2.

【0100】次に、ゲート絶縁膜3上に、ゲート電極2'に対向するように半導体層4を形成する。 Next, on the gate insulating film 3, the semiconductor layer 4 so as to face the gate electrode 2 '. 半導体層4としては、a−Si、p−Si等を用いることができる。 The semiconductor layer 4 can be used for a-Si, p-Si or the like. 半導体層4の厚さは、約300〜500Åが好ましい。 The thickness of the semiconductor layer 4 is about 300~500Å are preferred. 半導体層4の中央部の上にチャネル保護層5をパターン形成する。 The patterning channel protective layer 5 on the central portion of the semiconductor layer 4. チャネル保護層としては、例えば、約1 The channel protective layer, for example, about 1
000ÅのSiNx層等を用いることができる。 SiNx layer or the like of 000Å can be used. 次に、 next,
チャネル保護層5の両端部に重畳し、半導体層4を覆うようにして、約700Åのn + −Si層からなるコンタクト層6a(ソース電極側)及び6b(ドレイン電極側)を形成する。 Superimposed on both end portions of the channel protection layer 5, so as to cover the semiconductor layer 4 to form a contact layer 6a made of n + -Si layer of about 700 Å (source electrode side) and 6b (the drain electrode side).

【0101】その上に、ITO等の透明導電膜をスパッタリングによって形成し、パターニングすることによって、ソース信号線の下層及びソース電極の下層となる透明導電膜7aと、ドレイン電極の下層となり共通電極1 [0102] thereon, a transparent conductive film of ITO or the like is formed by sputtering, by patterning a transparent conductive film 7a to be lower in the lower and the source electrode of the source signal line, the common electrode 1 becomes lower drain electrode
5に向かって延長する透明導電膜7bとを形成する。 Forming the transparent conductive film 7b extending toward the 5. その上に、Ta、Al等の金属層8をスパッタリングによって約3600〜6500Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、ソース信号線の上層8、ソース電極8a、及びドレイン電極8bを形成する。 Thereon, Ta, a metal layer 8 of Al or the like is formed to a thickness of about 3600~6500Å by sputtering, by patterning, the upper layer 8 of the source signal line, forming a source electrode 8a, and the drain electrode 8b. 本実施例においては、図12(b)に示すように、上層の金属層8 In the present embodiment, as shown in FIG. 12 (b), an upper metal layer 8
と下層の透明導電膜7aとによって、2層構造のソース信号線8'を形成している。 And by the lower layer of the transparent conductive film 7a, and it forms a source signal line 8 'of the two-layer structure. このように、ソース信号線8'を2層構造とすることによって、上層の金属層8の一部に欠損が生じた場合にも、下層の透明導電膜7aによって電気的に接続されているため、ソース信号線8' Thus, by a two-layer structure of the source signal line 8 ', even if the defect in a part of the upper metal layer 8 occurs, because it is electrically connected by the underlying transparent conductive film 7a , the source signal line 8 '
の断線を減少できるという利点がある。 There is an advantage of being able to reduce the disconnection.

【0102】次に、TFT30、ゲート信号線2、ソース信号線3、及び透明導電膜7bを覆うように、例えば、感光性アクリル樹脂を用いて層間絶縁膜9を形成する。 [0102] Next, TFT 30, the gate signal line 2, so as to cover the source signal line 3, and the transparent conductive film 7b, for example, an interlayer insulating film 9 by using a photosensitive acrylic resin. 層間絶縁膜9の形成工程において、露光、アルカリ現像により、同時にコンタクトホール10が形成される。 In the step of forming the interlayer insulating film 9, exposure and alkali development, the contact holes 10 at the same time it is formed. 層間絶縁膜9の厚さは、約3μmとしている。 The thickness of the interlayer insulating film 9 is set to about 3 [mu] m. コンタクトホール10の開口面積は広いほうが良い。 The opening area of ​​the contact hole 10 is wider is better. また、 Also,
層間絶縁膜9は、ポリイミド等の樹脂を用いて形成してもよい。 Interlayer insulating film 9 may be formed by using a resin such as polyimide.

【0103】次に、層間絶縁膜9の上に、Ta、Al等の金属層をスパッタリングによって約5000〜700 [0103] Next, on the interlayer insulating film 9, Ta, by sputtering a metal layer such as Al about 5000-700
0Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、絵素電極11を形成する。 It formed to a thickness of 0 Å, by patterning, to form a picture element electrode 11. 絵素電極11は、図12(b) Picture element electrodes 11, and FIG. 12 (b)
に示すように、層間絶縁膜9に形成されたコンタクトホール10を通して、ドレイン電極8bに接続した透明導電膜7bに電気的に接続している。 As shown in, through the contact hole 10 formed in the interlayer insulating film 9 is electrically connected to the transparent conductive film 7b which is connected to the drain electrode 8b.

【0104】一方、対向基板142においては、透明絶縁性基板12上に感光性カラーレジストを塗布し、露光、現像することにより、赤、緑、青の各色のカラーフィルタ14を形成する。 [0104] On the other hand, the counter substrate 142, a photosensitive color resist is applied on a transparent insulating substrate 12, exposure and developed to form red, green, a color filter 14 of blue color. そして、カラーフィルタ14の上にTa、Al等の金属層をスパッタリングによって約5000〜7000Åの厚さに形成し、パターニングすることにより、対向電極13を形成する。 Then, Ta, a metal layer of Al or the like is formed to a thickness of about 5000~7000Å by sputtering on the color filter 14, by patterning, forming the counter electrode 13.

【0105】その後、アクティブマトリクス基板141 [0105] Thereafter, the active matrix substrate 141
及び対向基板142の双方にそれぞれ配向膜16を形成する。 And respectively forming an alignment film 16 on both of the opposite substrate 142. そして、両基板141及び142を所定の間隙を設けて貼り合わせ、液晶材料をこの間隙の中に注入して液晶層17を形成する。 Then, the substrates 141 and 142 bonded with a predetermined gap to form a liquid crystal layer 17 by injecting liquid crystal material into the gap. このようにして液晶表示装置1 The liquid crystal display device 1 in this way
40が完成する。 40 is completed.

【0106】本実施例においては、絵素電極11及び対向電極13が同一方向に交互に配置され、絵素電極11 [0106] In this embodiment, the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 are alternately arranged in the same direction, the picture element electrode 11
と対向電極13との間隔が実質的に等間隔になるように配置されている。 Distance between opposing electrode 13 is arranged to be substantially equally spaced with. 更に、対向電極13は、液晶層17を挟んで表示画面内の全てのソース信号線8上に対向するように形成され、対向電極13の幅がソース信号線8の幅よりも広くなるように、且つソース信号線8を完全に覆うように形成される。 Furthermore, the counter electrode 13 is formed so as to face on all of the source signal lines 8 in the display screen across the liquid crystal layer 17, so that the width of the counter electrode 13 is wider than the width of the source signal line 8 , it is formed and as a source signal line 8 completely covers.

【0107】以上のように、ソース信号線8が対向電極13の配線幅内に完全に収まるように形成されるため、 [0107] As described above, since the source signal line 8 is formed to fit entirely within the line width of the counter electrode 13,
ソース信号線8の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 Area of ​​the opening without wiring width of the source signal line 8 extra occupy an opening can be increased. 更に、 In addition,
対向電極13をカラーフィルタ14を有する対向基板1 A counter substrate opposing electrode 13 having a color filter 14 1
42側に形成することにより、対向電極13がブラックマトリクスを兼ねることができる。 By forming the 42 side, it is possible to counter electrode 13 also serves as a black matrix. このように、開口率を高くすることにより、バックライト光の透過する面積が大きくなるため、従来のバックライトを用いて高輝度の液晶表示装置を提供することができる。 Thus, by increasing the aperture ratio, for transmission to the area of ​​the backlight is increased, it is possible to provide a liquid crystal display device of high luminance by using a conventional backlight. また、より少ない消費電力で従来の輝度を実現する液晶表示装置を提供することができる。 Further, it is possible to provide a liquid crystal display apparatus for realizing the conventional luminance with less power consumption.

【0108】また、本実施例においては、対向電極13 [0108] In the present embodiment, the counter electrode 13
をカラーフィルタ14を有する対向基板142側に形成することにより、対向電極13をアクティブマトリクス基板141側に形成した場合に比べて、寄生容量を減少させることができる。 The by forming the counter substrate 142 side with a color filter 14, as compared with the case where the counter electrode 13 is formed on the active matrix substrate 141 side, it is possible to reduce the parasitic capacitance.

【0109】また、絵素電極11は2本の対向電極13 [0109] Also, the picture element electrodes 11 are two counter electrodes 13
のほぼ中央に配置されているため、各絵素領域において形成される電界は、絵素電極11の両側で実質的に等しくなる。 Because it is located approximately in the center of the electric field formed in each picture element region is substantially equal on both sides of the picture element electrode 11. 従って、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラを減少させ、さらに高画質の表示を実現することができる。 Therefore, reducing the differences and display unevenness of the viewing angle in each picture element region, so it is possible to realize a high quality display.

【0110】尚、上述の実施例1〜5においては、対向電極13をストライプ状に形成しているが、対向電極1 [0110] In Examples 1 to 5 above, the counter electrode 13 are formed in stripes, the counter electrode 1
3の形状はこれに限られるものではない。 3 shape is not limited thereto. いずれの実施例においても、例えば、図13に示すような櫛形に形成された対向電極を用いることができる。 In either embodiment, for example, it can be used counter electrode formed in a comb shape as shown in FIG. 13. 各実施例で説明したソース信号線8との配置関係を満たすように対向電極13を形成すれば、本発明の効果を得ることができる。 By forming the counter electrode 13 so as to satisfy the positional relationship between the source signal line 8 as described in each embodiment, it is possible to obtain the effect of the present invention.

【0111】また、実施例2で説明した、各絵素領域に2本以上の絵素電極11が含まれ、各絵素電極11が対向電極13によって挟まれている配置も、実施例3〜5 [0111] Further, as described in Example 2, the picture element electrodes 11 of two or more in each picture element region includes, also arranged that the picture element electrode 11 is sandwiched by the counter electrode 13, Example 3 5
の場合について応用することができる。 It can be applied for the case of. 各絵素領域における絵素電極11及び対向電極13の配置と、カラーフィルタ14あるいは18との組み合わせは、透過型及び反射型液晶表示装置のいずれに対しても有効である。 The combination of the arrangement of the picture element electrode 11 and the counter electrode 13 in each picture element region, a color filter 14 or 18 is effective for both transmissive and reflective liquid crystal display device.

【0112】当業者は、これらのことを上記の実施例1 [0112] Those skilled in the art Example 1 that these above
〜5の説明によって理解することができる。 It can be understood by the description of 5.

【0113】 [0113]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、絵素電極及び対向電極を実質的に等間隔に形成することにより、絵素電極が2本の対向電極のほぼ中央に配置される。 As evident from the foregoing description, according to the present invention, by forming a substantially equal interval pixel electrode and the counter electrode, the pixel electrode is disposed substantially at the center of the two counter electrodes . このことにより、各絵素領域において形成される電界は、絵素電極の両側で実質的に等しくなり、各絵素領域内における視角の違いや表示ムラを減少させ、高画質の表示を実現することができる。 Thus, the electric field formed in each picture element region is substantially equal on both sides of the picture element electrode reduces differences and display unevenness of the viewing angle in each picture element region, to realize a display of high quality be able to.

【0114】また、1つの絵素領域内に複数の絵素電極及び対応する共通電極を配置することにより、電極間のピッチを縮小し、より低い駆動電圧で表示を行うことができる。 [0114] Further, by arranging a plurality of pixel electrodes and the corresponding common electrode in one picture element region, to reduce the pitch between the electrodes, it can be displayed at a lower driving voltage.

【0115】また、本発明によれば、対向電極がソース信号線に沿って形成され、且つソース信号線が対向電極の配線幅内に完全に収まるように配置されるため、ソース信号線の配線幅が余分に開口部を占領することがなく開口部の面積を大きくすることができる。 [0115] Further, according to the present invention, the counter electrode is formed along the source signal line, and since the source signal line is arranged to fit entirely within the wiring width of the counter electrode, the wiring of the source signal line width can be increased area of ​​the opening without extra occupying opening. また、絵素電極の分離部分をゲート信号線上に配置することにより、 Further, by arranging the separating portion of the picture element electrode on the gate signal line,
更に開口率を向上させることができる。 It can further improve the aperture ratio. このことにより、バックライト光の透過する開口部の面積を大きくできるので 従来のバックライトを用いて高輝度の液晶表示装置を提供することができ、また、より少ない消費電力で従来の輝度を実現する液晶表示装置を提供することができる。 Thus, it is possible to increase the area of ​​the opening for transmitting the backlight can provide a liquid crystal display device of high luminance by using a conventional backlight, also realize the conventional luminance with less power consumption it is possible to provide a liquid crystal display device which.

【0116】また、上述のように、対向電極を、層間絶縁膜を挟んでソース信号線を完全に覆うように形成することにより、ソース信号線によって形成される電界を対向電極によってシールドすることができる(シールド効果)。 [0116] Further, as described above, the counter electrode, by forming so as to completely cover the source signal line across the interlayer insulating film, be shielded by the counter electrode an electric field formed by the source signal line can (shield effect). 特に、対向電極を、液晶層とソース信号線との間に立体的に配置した場合には、ソース信号線によって生じる電界が液晶層に与える影響を、より効果的にシールドすることができる。 In particular, the counter electrode, when sterically disposed between the liquid crystal layer and the source signal line can be an electric field due to the source signal line is the effect on the liquid crystal layer, to shield more effectively. この事により、ソース信号線によって形成される電界の乱れを防ぎ、液晶分子の配向の乱れを防止してクロストークを抑制できるので、より高品位の液晶表示装置を提供することができる。 This can prevent disturbance of the electric field formed by the source signal line, it is possible to suppress crosstalk and prevent disturbance of the alignment of the liquid crystal molecules, it is possible to provide a liquid crystal display device of higher quality.

【0117】また、対向電極を、液晶層を挟んで対向基板側に形成した場合には、寄生容量を減少させることができ、更に対向基板にカラーフィルタが形成されている場合には、対向電極がブラックマトリクスを兼ねることができる。 [0117] Also, when the counter electrode was formed on the counter substrate side across the liquid crystal layer can be reduced parasitic capacitance, when it is a color filter is further formed on the counter substrate, the counter electrode There can also serve as a black matrix.

【0118】また、カラーフィルタをアクティブマトリクス基板側に形成した場合には、対向基板にカラーフィルタを形成した場合に比べて、貼り合わせ精度に対する要求が厳しくないため、貼り合わせ精度に起因する開口率の低下を回避できる。 [0118] Also, in the case of forming a color filter on the active matrix substrate side, since the opposing substrate than in the case of forming a color filter, less stringent demands for bonding accuracy, the aperture ratio due to the bonding accuracy a decrease in can be avoided.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の1つの実施例による液晶表示装置の構成を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention; FIG.

【図2】(a)及び(b)は、それぞれ、図1に示す液晶表示装置の線A−A'及びB−B'に沿った断面を示す図である。 Figure 2 (a) and (b) are diagrams showing the line A-A 'and cross section B-B' along the liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】本発明の1つの実施例による液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の概略図である。 Figure 3 is a schematic view of an active matrix substrate of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.

【図4】(a)及び(b)は、本発明の1つの実施例による液晶表示装置によって液晶を駆動する様子を示す図である。 4 (a) and (b) is a diagram showing how to drive the liquid crystal by a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明のもう1つの実施例による液晶表示装置の構成を示す平面図である。 5 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to another embodiment of the present invention.

【図6】(a)及び(b)は、それぞれ、図5に示す液晶表示装置の線C−C'及びD−D'に沿った断面を示す図である。 6 (a) and (b) are diagrams showing a line C-C 'and D-D' cross section along the liquid crystal display device shown in FIG.

【図7】本発明のまた別の実施例による液晶表示装置の構成を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to yet another embodiment of the present invention; FIG.

【図8】(a)及び(b)は、それぞれ、図7に示す液晶表示装置の線A−A'及びB−B'に沿った断面を示す図である。 8 (a) and (b) are diagrams showing the line A-A 'and cross section B-B' along the liquid crystal display device shown in FIG.

【図9】本発明のまた別の実施例による液晶表示装置の構成を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to yet another embodiment of the present invention; FIG.

【図10】(a)及び(b)は、それぞれ、図9に示す液晶表示装置の線A−A'及びB−B'に沿った断面を示す図である。 [10] (a) and (b) are diagrams showing the line A-A 'and cross section B-B' along the liquid crystal display device shown in FIG.

【図11】本発明のまた別の実施例による液晶表示装置の構成を示す平面図である。 Is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to yet another embodiment of 11 the present invention.

【図12】(a)及び(b)は、それぞれ、図11に示す液晶表示装置の線B−B'及びD−D'に沿った断面を示す図である。 [12] (a) and (b) are diagrams showing the line B-B 'and D-D' cross section along the liquid crystal display device shown in FIG. 11.

【図13】共通電極の他の形状を示す図である。 13 is a diagram showing another shape of the common electrode.

【図14】(a)及び(b)は、従来の液晶表示装置の平面構成を示す図である。 [14] (a) and (b) is a diagram showing a planar structure of a conventional liquid crystal display device.

【図15】図14に示される従来の液晶表示装置の線A [15] line of a conventional liquid crystal display device shown in FIG. 14 A
−A'に沿った断面を示す図である。 It is a diagram showing a cross-section along the -A '.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 透明絶縁性基板 2 ゲート信号線 2' ゲート電極 3 ゲート絶縁膜 4 半導体層 5 チャネル保護層 6a、6b コンタクト層 7a、7b 透明導電膜 8 ソース信号線の上層金属層 8a ソース電極 8b ドレイン電極 9 層間絶縁膜 10 コンタクトホール 11 絵素電極 12 透明絶縁性基板 13 対向電極 14 カラーフィルタ 15 共通電極 16 配向膜 17 液晶層 30 TFT 31 絵素電極間の分離部分 100 液晶表示装置 101 アクティブマトリクス基板 102 対向基板 First transparent insulating substrate 2 gate signal line 2 'gate electrode 3 gate insulating film 4 semiconductor layer 5 a channel protection layer 6a, 6b the contact layer 7a, 7b of the transparent conductive film 8 source signal line upper metal layer 8a source electrode 8b drain electrodes 9 interlayer insulating film 10 between the contact holes 11 pixel electrode 12 a transparent insulating substrate 13 counter electrode 14 color filter 15 common electrode 16 alignment film 17 liquid crystal layer 30 TFT 31 pixel electrode separating portions 100 liquid crystal display device 101 active matrix substrate 102 facing substrate

Claims (17)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 絶縁性基板と、 該絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数のスイッチング素子と、 該スイッチング素子を制御する信号を該スイッチング素子に与える第1の信号配線と、 該第1の配線に交差するように配置され、該スイッチング素子にデータ信号を与える第2の信号配線と、 該スイッチング素子及び該第1及び第2の信号配線を覆うように形成され、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、 該層間絶縁膜上に形成され、該コンタクトホールを通して該スイッチング素子に電気的に接続された絵素電極と、 該層間絶縁膜上に形成された対向電極と、 を有するアクティブマトリクス基板であって、 該対向電極は、該第2の信号配線に沿って、該第2の信号配線に該層間絶縁膜を介して対向するように配置され、 該絵素 And 1. A insulating substrate, a plurality of switching elements arranged in a matrix on the insulating substrate, a first signal line for providing a signal for controlling the switching element to the switching element, said are arranged so as to intersect the first wiring, a second signal wire that gives the data signal to the switching element, it is formed so as to cover the switching elements and the first and second signal lines, having a contact hole an interlayer insulating film, is formed on the interlayer insulating film, an active matrix having a pixel electrode electrically connected to the switching element through the contact hole, and a counter electrode formed on the interlayer insulating film, the a substrate, the counter electrode along the second signal lines are arranged to face each other with a interlayer insulating film to the second signal line, picture elements 電極は該対向電極と同一の方向に沿って配置され、 且つ該絵素電極及び該対向電極は、該絵素電極及び該対向電極が実質的に等間隔になるように交互に配置されている、 アクティブマトリクス基板。 The electrodes are arranged along the same direction as the counter electrode, and picture elements electrodes and the counter electrodes, picture elements electrodes and the counter electrodes are alternately disposed so as to be substantially equidistant , active matrix substrate.
  2. 【請求項2】 各スイッチング素子に対応する1つの絵素領域は、少なくとも1つの絵素電極を含み、各絵素電極は2本の前記対向電極によって挟まれている、請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 2. One pixel region corresponding to each switching element comprises at least one picture element electrodes, each picture element electrode is sandwiched by the counter electrodes of the two, according to claim 1 active matrix substrate.
  3. 【請求項3】 隣接した絵素領域において、前記方向に沿って隣り合う2つの絵素電極の境界は、前記第1の信号配線上に形成されている、請求項1及び2のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 3. The adjacent pixel regions, the boundaries of the two pixel electrodes adjacent to each other along said direction, the are formed on the first signal wiring to any one of claims 1 and 2 the active matrix substrate according.
  4. 【請求項4】 前記対向電極の幅は前記第2の信号配線の幅よりも広く、且つ該対向電極の配線幅が該第2の信号配線を完全に覆うように形成されている、請求項1〜 Wherein the width of the counter electrode wider than the width of said second signal wiring, and the wiring width of the counter electrode is formed so as to completely cover the signal lines of the second, claim 1
    3のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 The active matrix substrate according to any one of the three.
  5. 【請求項5】 前記対向電極は、前記層間絶縁膜を介し、全ての前記第2の信号配線上に形成されている、請求項1〜4に記載のアクティブマトリクス基板。 Wherein said counter electrode, wherein an interlayer insulating film is formed on all of the second signal lines, the active matrix substrate according to claim 1 to 4.
  6. 【請求項6】 前記第2の信号配線上以外にも、前記絵素電極の間に配置された対向電極を更に有する、請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。 Wherein said other than on the second signal line further comprises a arranged opposed electrodes between the pixel electrodes, an active matrix substrate according to claim 5.
  7. 【請求項7】 前記対向電極は、表示領域外で相互に接続され、電気的に同電位となっている、請求項1〜6に記載のアクティブマトリクス基板。 Wherein said counter electrode is connected to each other outside the display area, it has an electric equipotential, the active matrix substrate according to claims 1-6.
  8. 【請求項8】 前記絵素電極と交差するように配置され、該絵素電極との間に補助容量を形成する共通電極を有しており、 前記対向電極は、該共通電極に電気的に接続されている、 請求項7に記載のアクティブマトリクス基板。 8. disposed so as to intersect the pixel electrode has a common electrode which forms an auxiliary capacitance between the picture elements electrodes, the counter electrode, electrically to the common electrode It is connected, an active matrix substrate according to claim 7.
  9. 【請求項9】 前記層間絶縁膜は、カラーフィルタを形成する3色の絶縁膜からなる第1の絶縁層と、 該第1絶縁層を覆うように形成された第2の絶縁層と、 を含んでいる、請求項1〜8に記載アクティブマトリクス基板。 Wherein said interlayer insulating film includes a first insulating layer made of three colors of the insulating film to form a color filter, a second insulating layer formed to cover the first insulating layer, the comprising, an active matrix substrate according to claims 1-8.
  10. 【請求項10】 前記カラーフィルタは、3色の感光性を有するフィルム状樹脂をパターニングして形成されている、請求項9に記載のアクティブマトリクス基板。 Wherein said color filter by patterning a film-like resin having photosensitivity three colors are formed, the active matrix substrate according to claim 9.
  11. 【請求項11】 前記絵素電極は、前記第1の絶縁層に形成された第1のコンタクトホールと、前記第2の絶縁層に形成された第2のコンタクトホールとを通して前記スイッチング素子に電気的に接続されている、請求項9 Wherein said picture element electrodes, the a first contact hole formed in the first insulating layer, electrically to the switching element through a second contact hole formed in the second insulating layer It is connected, according to claim 9
    及び10のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 The active matrix substrate according to any one of and 10.
  12. 【請求項12】 前記第1のコンタクトホールは、その幅が前記共通電極の幅よりも小さく、かつ完全に重なる様に形成され、 前記第2のコンタクトホールは、その幅が該第1のコンタクトホールの幅よりも小さく、かつ該第1のコンタクトホールの内側になるように形成される、請求項第11 Wherein said first contact hole is smaller than the width of the width of the common electrode, and is formed so as completely overlap, the second contact hole, the contact width is the first smaller than the width of the hole, and is formed to be inside the first contact hole, claim 11
    に記載のアクティブマトリクス基板。 The active matrix substrate according to.
  13. 【請求項13】 請求項1〜8のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示装置。 An active matrix substrate according to any one of claims 13] claims 1-8, and a counter substrate, the liquid crystal display device and a liquid crystal layer sandwiched between the active matrix substrate and the counter substrate.
  14. 【請求項14】 請求項9〜12のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、透明絶縁性基板を有する対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示装置。 14. The active matrix substrate according to any one of claims 9 to 12, a counter substrate having a transparent insulating substrate, and a liquid crystal layer held between the active matrix substrate and the counter substrate, the the liquid crystal display device provided.
  15. 【請求項15】 請求項1〜12のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、鏡面状の反射表面を有する対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えた反射型液晶表示装置。 15. The active matrix substrate according to any one of claims 1 to 12, a counter substrate having a mirror-like reflection surface, and a liquid crystal layer sandwiched between said active matrix substrate and the counter substrate, reflection type liquid crystal display device provided with.
  16. 【請求項16】 第1の絶縁性基板と、 該絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数のスイッチング素子と、 該スイッチング素子を制御する信号を該スイッチング素子に与える第1の信号配線と、 該第1の配線に交差するように配置され、該スイッチング素子にデータ信号を与える第2の信号配線と、 該スイッチング素子及び該第1及び第2の信号配線を覆うように形成され、コンタクトホールを有する絶縁膜と、 該絶縁膜上に形成され、該コンタクトホールを通して該スイッチング素子に電気的に接続された絵素電極と、 を有するアクティブマトリクス基板と、 第2の絶縁性基板と、該第2の絶縁性基板上に形成された対向電極とを有する対向基板と、 該アクティブマトリクス基板と該対向基板との間に挟持された液晶層と、を備 16. A first insulating substrate, a plurality of switching elements arranged in a matrix on the insulating substrate, a first signal line for providing a signal for controlling the switching element to the switching element It is arranged so as to intersect the wire of the first, is formed to cover the second signal wiring to provide a data signal to the switching element, the switching element and the first and second signal lines, the contact an insulating film having a hole, is formed on the insulating film, an active matrix substrate having a pixel electrode electrically connected to the switching element through the contact holes, a second insulating substrate, said Bei a counter substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between said active matrix substrate and the counter substrate, a and a counter electrode formed on the second insulating substrate た液晶表示装置であって、 該対向電極は、該液晶層を挟んで、該第2の信号配線に沿って、且つ該第2の信号配線に対向するように配置され、 該絵素電極は、該対向電極と同一の方向に沿って配置され、 且つ、該絵素電極及び該対向電極が実質的に等間隔になるように交互に配置されている、 液晶表示装置。 And a liquid crystal display device, the counter electrode sandwiching the liquid crystal layer, along the second signal lines are arranged and to face the second signal lines, picture elements electrodes are arranged along the same direction as the counter electrode, and, picture elements electrodes and the counter electrodes are alternately disposed so as to be substantially equidistant, a liquid crystal display device.
  17. 【請求項17】 前記対向基板は、前記第2の絶縁性基板上に形成されたカラーフィルタを有する、請求項16 17. The counter substrate includes a color filter formed on the second insulating substrate, according to claim 16
    に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to.
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