JPH0922027A - Production of display device - Google Patents

Production of display device

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Publication number
JPH0922027A
JPH0922027A JP8085989A JP8598996A JPH0922027A JP H0922027 A JPH0922027 A JP H0922027A JP 8085989 A JP8085989 A JP 8085989A JP 8598996 A JP8598996 A JP 8598996A JP H0922027 A JPH0922027 A JP H0922027A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
display device
black
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP8085989A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuki Ibaraki
伸樹 茨木
Kyozo Ide
恭三 井出
Masayuki Oba
正幸 大場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8085989A priority Critical patent/JPH0922027A/en
Publication of JPH0922027A publication Critical patent/JPH0922027A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device in which so-called nonmodulated light from an area except a pixel electrode can be enough blocked and the contrast ratio which is one of the display performances can be improved. SOLUTION: This method includes the following process. A first substrate is produced by forming a pixel electrode 4 connected to each crossing point of matrix wires comprising plural line electrodes and plural column electrodes via a nonlinear element, applying an insulating light-shielding film material comprising an org. resin on the area except the pixel electrodes, hardening the film at <=400 deg.C to form an insulating light-shielding film 11. Then a second substrate having counter electrodes is formed. The first and the second substrates are disposed to face each other to hold the electrodes and a light- modulating material 8 between the substrates.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は表示装置に係わ
り、特に薄膜トランジスタに代表される非線形素子をマ
トリックス配線の交点に設けたいわゆるアクティブ・マ
トリックス型電極構造を有し、液晶などの電気・光変調
物質を動作させてなる表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and in particular, it has an so-called active matrix type electrode structure in which a non-linear element typified by a thin film transistor is provided at an intersection of matrix wirings, and an electric / optical modulation material such as liquid crystal. The present invention relates to a display device that operates.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、ポリシリコン、非結晶シリコ
ン、テルル等の薄膜トランジスタ(以下、TFTと略称
する)、もしくは酸化アルミニウム等を金属薄膜にてサ
ンドイッチ構造とした金属/絶縁膜/金属ダイオード等
の非線形素子を用いたアクティブ・マトリクス型液晶表
示装置は、例えば特開昭56−25714号公報、特開
昭56−25777号公報などに開示され広く知られて
いる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) made of polysilicon, amorphous silicon, tellurium, or a metal / insulating film / metal diode having a sandwich structure of a metal thin film made of aluminum oxide has been used. An active matrix type liquid crystal display device using a non-linear element is disclosed and widely known, for example, in Japanese Patent Laid-Open Nos. 56-25714 and 56-25777.

【0003】この種の表示装置につき、例えばTFTを
用いた場合について、従来技術を説明する。
[0003] With respect to this type of display device, for example, a case in which a TFT is used, a conventional technique will be described.

【0004】即ち、第4図(a)はTFTを用いたアク
ティブ・マトリクス型液晶表示装置の配線を説明するた
めに、通常よく使用されるものであるが、信号線群と走
査線群からなるマトリックス配線の各交差点にTFTが
設けられ、そのソース電極もしくはドレイン電極の一方
が画素電極に接続されている。
That is, FIG. 4 (a), which is often used in order to explain the wiring of an active matrix type liquid crystal display device using TFTs, comprises a signal line group and a scanning line group. A TFT is provided at each intersection of the matrix wiring, and one of its source electrode or drain electrode is connected to the pixel electrode.

【0005】又、第4図(b)は第4図(a)のB−B
´に沿って切断した断面を対向基板をも考慮して示すも
ので、基板1と対向基板2との間に電気・光変調光とし
て液晶8を用い、そのどちらかの基板側から光照射を行
って、いわゆる透過型として使用した場合を表してい
る。この時、この表示装置をカラー表示するため、対向
基板2側に赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィ
ルタ6を設けてある。尚、図中の3は偏光板、5は信号
線電極を示す。そして、透過型として動作させる場合、
画素電極4は透明導電膜を用い、厳密にいえば液晶動作
は、この画素電極4は対向電極7の領域のみに限られ
る。
FIG. 4 (b) is a sectional view taken along line BB of FIG.
The cross section taken along ′ is shown in consideration of the counter substrate, and a liquid crystal 8 is used between the substrate 1 and the counter substrate 2 as electro-optical modulation light, and light irradiation is performed from either of the substrates. In this case, the transmission type is used. At this time, a red (R), green (G), and blue (B) color filter 6 is provided on the counter substrate 2 side in order to display the display device in color. In the figure, reference numeral 3 denotes a polarizing plate, and reference numeral 5 denotes a signal line electrode. And when operating as a transmission type,
The pixel electrode 4 uses a transparent conductive film. Strictly speaking, the liquid crystal operation is limited to only the region of the counter electrode 7.

【0006】即ち、この基板上で画素電極領域を除いた
部分の液晶8は、全く動作していないことになる。マト
リックス配線を設けた基板1上には、画素電極領域以外
に信号線の配線電極、走査線の配線電極、TFTが設け
られており、これらは多層構造配線もしくは配線の配置
により相互に電気的に絶縁されている。そのため、例え
ば電極材料に金属薄膜などの不透明材料を用いたとして
も、配線間スペース等が存在する場合が多く、この領域
は液晶8が動作しない、いわゆる非変調光が透過するこ
とになる。この非変調光は、表示装置にとっては常に漏
れ光が存在することを意味し、バック・グラウンドの増
加、即ち、コントラストを著しく低下させる。
That is, the liquid crystal 8 on the substrate except for the pixel electrode region does not operate at all. On the substrate 1 provided with the matrix wiring, wiring electrodes for signal lines, wiring electrodes for scanning lines, and TFTs are provided in addition to the pixel electrode regions, and these are electrically connected to each other by the multilayer wiring or wiring arrangement. Insulated. Therefore, for example, even when an opaque material such as a metal thin film is used as the electrode material, a space between wirings is often present, and the liquid crystal 8 does not operate in this area, so-called unmodulated light is transmitted. The unmodulated light means that there is always leakage light for the display device, and increases the background, that is, significantly lowers the contrast.

【0007】この非変調光を減少させる方法として、例
えば配向制御膜のラビング方向を直角とし基板を挟む2
枚の偏光板配置を平行にし、液晶8に電圧が印加されな
い場合に光を透過させない使い方がある。
As a method of reducing the non-modulated light, for example, the rubbing direction of the alignment control film is set to be a right angle, and
There is a method in which the polarizing plates are arranged in parallel so that light is not transmitted when no voltage is applied to the liquid crystal 8.

【0008】この場合は、信号電圧によって画素電極領
域のみ光変調されるため、原理的には非変調光は有り得
ないことになる。しかし、表示装置の製造工程を考慮し
た場合、2枚の偏光板3の偏光方向を正確に平行に合わ
せる必要があり、漏れ光によるバック・グラウンドはこ
の合わせ精度によってのみ決められることになる。実用
的な合わせ精度として、そのズレ角を1°以内として
も、これを量産時に管理することは非常に困難である。
In this case, since only the pixel electrode region is light-modulated by the signal voltage, in principle, non-modulated light cannot exist. However, when the manufacturing process of the display device is taken into consideration, the polarization directions of the two polarizing plates 3 need to be adjusted to be exactly parallel, and the background due to the leaked light is determined only by this alignment accuracy. Even if the deviation angle is within 1 ° as a practical alignment accuracy, it is very difficult to manage this during mass production.

【0009】これに対し、偏光板配置を直角にした場合
は、その角度ズレは端に透過率の若干の低下を招くだけ
で、コントラストに与える影響は少なく、量産性に富む
と言える。この時、信号電圧が印加された画素電極領域
に対応する液晶のみが光変調効果を与え、前述の非変調
光がコントラストを決定する。この解決策として従来行
われてきた方法は、対向基板側に金属薄膜で遮光スクリ
ーンを設けることである。
On the other hand, when the polarizing plate is arranged at a right angle, the angular deviation causes only a slight decrease in the transmittance at the end, has little influence on the contrast, and can be said to be highly producible in mass production. At this time, only the liquid crystal corresponding to the pixel electrode region to which the signal voltage has been applied gives a light modulation effect, and the aforementioned unmodulated light determines the contrast. A conventional method for solving this problem is to provide a light shielding screen with a thin metal film on the counter substrate side.

【0010】即ち、第4図(c)に示すように、対向基
板2上の画素電極4に対応する領域のみに、例えばR,
G,Bのカラーフィルタ6を配し、残りの全ての領域を
金属薄膜からなる遮光スクリーン9にて覆う方法であ
る。これは、たしかに初期の目的は達成するが、この方
法にも次に述べる短所がある。
That is, as shown in FIG. 4 (c), only the R,
This is a method in which the G and B color filters 6 are arranged and all the remaining regions are covered with a light shielding screen 9 made of a metal thin film. This certainly achieves its initial purpose, but this method also has the following disadvantages.

【0011】第1に、マトリックス配線基板1と遮光ス
クリーン9を設けた対向基板2の両者を、正確な位置関
係をもって固定しなければならない点である。このよう
な液晶表示装置では、画素ピッチが数百ミクロンで設計
される場合が多く、例えば200ミクロンピッチとした
とき、所定の開口率を得るためには合わせ精度は数ミク
ロン程度となる。
First, both the matrix wiring substrate 1 and the counter substrate 2 provided with the light shielding screen 9 must be fixed in an accurate positional relationship. In such a liquid crystal display device, the pixel pitch is often designed to be several hundred microns. For example, when the pixel pitch is set to 200 microns, the alignment accuracy is about several microns in order to obtain a predetermined aperture ratio.

【0012】又、光源からの光は完全な平行光線とは言
い難く、基板に対し斜方入射する光の非変調光成分をも
考慮すると、更に開口率は小さくなる。例えば上述の2
00ミクロンピッチの場合、信号走査線電極中を10ミ
クロン、更にTFT部の面積をも考慮した場合、有効な
画素電極サイズを開口率に表すと、約50〜60%とな
る。これに合わせ精度、斜方入射光のマージンを組入れ
ると、開口率は約40〜50%に低下する。この開口率
の低下は、直接に表示装置の画質の低下を招く。
Also, the light from the light source is hardly a perfect parallel ray, and the aperture ratio is further reduced in consideration of the non-modulated light component of the light obliquely incident on the substrate. For example, the above 2
In the case of the 00 micron pitch, 10 μm in the signal scanning line electrode, and in consideration of the area of the TFT portion, the effective pixel electrode size is approximately 50 to 60% in terms of the aperture ratio. When the precision and the margin of the oblique incident light are taken into account, the aperture ratio is reduced to about 40 to 50%. This decrease in the aperture ratio directly leads to a decrease in the image quality of the display device.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記の従来で見られる
ように、液晶表示装置の画質低下の一因である非変調光
の問題は、偏光板3の偏光方向による液晶動作状態、対
向基板上1での遮光スクリーン9、マトリックス基板1
上での遮光スクリーン9と種々工夫が行われているが、
夫々短所があり、又、その短所は直接に量産時の歩留り
低下を招くものである。
As seen in the above-mentioned prior art, the problem of non-modulated light, which is one of the causes of the deterioration of the image quality of the liquid crystal display device, is caused by the polarization direction of the polarizing plate 3, the liquid crystal operating state, the opposite substrate, and the like. Shading screen 9 and matrix substrate 1
Although the light-shielding screen 9 above has been variously devised,
Each has its own disadvantages, and the disadvantages directly lead to a decrease in yield during mass production.

【0014】この発明は、非変調光をなくすと共に、製
造工程上容易にして高歩留りを与える表示装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device which eliminates non-modulated light and which can be easily manufactured to provide a high yield.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載される発
明は、第1の基板上に複数の行電極および複数の列電極
から構成されるマトリックス配線の各交点に非線形素子
を介して接続された画素電極を形成する工程と、上記画
素電極を除いた領域上に有機樹脂からなる絶縁性遮光膜
材料を塗布し、400℃以下の温度にて硬化して絶縁性
遮光膜を形成する工程と、第2の基板上に対向電極を形
成する工程と、前記第1の基板と第2の基板とを対向配
置し、その間に電極・光変調物質を狭持する工程とから
なる表示装置の製造方法である。
According to a first aspect of the present invention, a non-linear element is connected to each intersection of a matrix wiring composed of a plurality of row electrodes and a plurality of column electrodes on a first substrate. And a step of applying an insulating light-shielding film material made of an organic resin on a region excluding the pixel electrode and curing the material at a temperature of 400 ° C. or lower to form an insulating light-shielding film. And a step of forming a counter electrode on the second substrate, and a step of arranging the first substrate and the second substrate so as to face each other and sandwiching an electrode / light modulation substance therebetween. It is a manufacturing method.

【0016】請求項2に記載される発明は、前記絶縁性
遮光膜は、200℃以下の温度にて硬化されることを特
徴とする請求項1記載の表示装置の製造方法である。
The invention described in claim 2 is the method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the insulating light-shielding film is cured at a temperature of 200 ° C. or less.

【0017】本発明における絶縁性遮光膜の材料として
は、その成分の1つに染料を含むものが適している。こ
こに硬化とは、ポリイミド系樹脂ではその前駆体である
ポリアミド酸を加熱処理してポリイミドを生成すること
を意味し、その他の有機樹脂の場合、有機樹脂溶液から
遮光膜形成後、加熱処理して残存溶剤を除去することを
意味する。
As the material of the insulating light-shielding film in the present invention, one containing a dye as one of its components is suitable. Here, curing means that in the case of a polyimide-based resin, a polyamic acid as a precursor thereof is heat-treated to form a polyimide, and in the case of other organic resins, a heat-shielding film is formed from an organic resin solution and then heat-treated. To remove residual solvent.

【0018】遮光効果としては、用いる光源のスペクト
ルにも依存するが、一般に光透過率スペクトルにおいて
可視域の平均光学濃度が1.0以上あることが望まし
く、又、配線間リーク電流等の見地から、その電気抵抗
率は10オーム・センチメートル以上が望ましい。特に
有機樹脂としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリアミド、ポリエステルアミド、
及びポリエーテルスルホンの少なくとも一種からなるポ
リマーが好ましい。
The light-shielding effect depends on the spectrum of the light source used, but it is generally desirable that the average optical density in the visible region is 1.0 or more in the light transmittance spectrum, and from the viewpoint of inter-wiring leak current and the like. The electric resistivity is preferably 10 ohm cm or more. In particular, as the organic resin, polyimide, polyamide imide, polyester imide, polyamide, polyester amide,
And a polymer comprising at least one of polyether sulfone is preferable.

【0019】このように絶縁性遮光膜がマトリックス配
線を有する基板上即ち画素電極部に直接設けられるた
め、従来例で指摘したような偏光板の角度合わせ精度の
問題、開口率の問題は除外出来、又、金属材料とは異な
り高抵抗材料であるために、電気的な短絡、層間ショー
ト等の問題も解決される。
As described above, since the insulating light-shielding film is directly provided on the substrate having the matrix wiring, that is, on the pixel electrode portion, the problems of the angle alignment accuracy of the polarizing plate and the problem of the aperture ratio as pointed out in the conventional example can be excluded. Also, unlike metal materials, since they are high-resistance materials, problems such as electrical short circuits and interlayer short circuits can be solved.

【0020】更に、遮光効果に関しては、金属材料の場
合は容易に光学濃度4以上が得られるが、ポリマー材料
の場合、その透過スペクトルは、全ての波長域にわたっ
て一定値とはなり得ないが、少なくとも可視域で平均光
学濃度1.0以上あれば、非変調光の遮光目的は十分に
達せられる。
Further, regarding the light-shielding effect, in the case of a metal material, an optical density of 4 or more can be easily obtained, but in the case of a polymer material, its transmission spectrum cannot be a constant value over all wavelength ranges. If the average optical density is 1.0 or more in at least the visible region, the purpose of blocking unmodulated light can be sufficiently achieved.

【0021】又、製造工程の観点から、既に完成したマ
トリックス配線基板上に、既存のフォトリソグラフィ技
術を用いて容易に遮光膜が形成出来、その合わせ精度は
用いるフォトリソグラフィーの精度にて単純に決定し、
量産時においてさえ、その精度を例えば3μm以内に納
めることも容易である。
Further, from the viewpoint of the manufacturing process, the light shielding film can be easily formed on the already completed matrix wiring substrate by using the existing photolithography technique, and the alignment precision thereof is simply determined by the precision of the photolithography used. Then
Even during mass production, it is easy to set the accuracy within 3 μm.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の一実施例を詳細に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0023】第1図(a)、(b)は、この発明による
表示装置の一実施例を示したもので、従来例と同一箇所
は同一符号を付すことにすると、非線形素子としてTF
Tを用いたマトリックス配線を形成した第1の基板と、
カラーフィルタ及び対向電極を形成した第2の基板との
間に、電気・光変調物質である液晶を狭持してなる透過
型TNモードで使用されるカラー液晶表示装置に適用し
た例である。
FIGS. 1 (a) and 1 (b) show an embodiment of a display device according to the present invention. The same parts as those of the conventional example are designated by the same reference numerals, and a TF is used as a non-linear element.
A first substrate on which matrix wiring using T is formed;
This is an example applied to a color liquid crystal display device used in a transmissive TN mode in which a liquid crystal which is an electro-optical modulator is sandwiched between a color filter and a second substrate on which a counter electrode is formed.

【0024】即ち、第1図(b)中の1及び2は、液晶
8を狭持するガラス等からなる透明な基板であり、各基
板1、2の夫々外側の表面には偏向板が設けられてい
る。
That is, 1 and 2 in FIG. 1 (b) are transparent substrates made of glass or the like for sandwiching the liquid crystal 8, and a deflection plate is provided on the outer surface of each of the substrates 1 and 2. Has been.

【0025】更に、基板1はマトリックス基板とも言わ
れるもので、この透明基板1の内面には、TFTのゲー
ト電極に接続された走査線及びドレイン電極もしくはソ
ース電極に接続された画素電極4等が形成されている。
Further, the substrate 1 is also called a matrix substrate, and the scanning line connected to the gate electrode of the TFT and the pixel electrode 4 connected to the drain electrode or the source electrode are formed on the inner surface of the transparent substrate 1. Has been formed.

【0026】このような基板1上の画素電極4領域を除
いた他の部分、即ち、マトリックス配線やTFT等の領
域を通過する透過光を阻止するために、この発明では絶
縁性遮光膜11が設けられ、この遮光膜11上に例えば
ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等から
なる液晶配向制御膜(図示せず)がラビング処理により
形成され、液晶8に接している。
In the present invention, the insulating light-shielding film 11 is provided in order to block the transmitted light which passes through other portions except the pixel electrode 4 region on the substrate 1, that is, the regions such as the matrix wiring and the TFT. A liquid crystal orientation control film (not shown) made of, for example, polyimide, polyamide, polyvinyl alcohol, or the like is provided on the light shielding film 11 by rubbing treatment, and is in contact with the liquid crystal 8.

【0027】一方、基板2の内面には、各画素電極4に
対応した位置にR,G,Bのカラーフィルタ6が形成さ
れ、このカラーフィルタ6上には例えばインジウム・ス
ズ酸化膜等からなる透明導電膜、更にその上にラビング
処理された液晶配向制御膜(図示せず)からなる対向電
極7が形成され、液晶8に接している。
On the other hand, on the inner surface of the substrate 2, R, G, B color filters 6 are formed at positions corresponding to the respective pixel electrodes 4, and on the color filters 6, for example, an indium tin oxide film or the like is formed. A transparent conductive film and a counter electrode 7 made of a rubbing-processed liquid crystal alignment control film (not shown) are formed on the transparent conductive film, and are in contact with the liquid crystal 8.

【0028】さて次に、特に具体的な実施例として、絶
縁性遮光膜11の材料に黒色染料を含有したポリマーを
用いた場合につき説明する。
Next, as a particularly specific example, a case where a polymer containing a black dye is used as a material of the insulating light-shielding film 11 will be described.

【0029】この母材となるポリマーとしては、電気絶
縁性及び耐熱性に優れ、且つ染料との素相溶性が良好で
あることが要求され、具体例としてはポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミド、ポリアミド、ポリ
エステルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホ
ン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポ
リアセタール、ポリカーボネート、ナイロン、ポリブチ
レンテレフタレート、(変性)ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリフェニレンスルフィド、エポキシ樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂等を挙げること
が出来、これらポリマーは1種もしくは2種以上の混合
系で使用される。
The polymer used as the base material is required to have excellent electrical insulation and heat resistance and good compatibility with the dye. Specific examples include polyimide, polyamideimide, polyesterimide and polyamide. , Polyesteramide, polysulfone, polyethersulfone, polyarylate, polyetheretherketone, polyacetal, polycarbonate, nylon, polybutylene terephthalate, (modified) polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, epoxy resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, etc. These polymers may be used in one kind or in a mixed system of two or more kinds.

【0030】又、黒色染料としては、可視域即ち、少な
くとも400〜800nmの波長域において、光を吸収
するものであれば、いかなるものでも良く、具体例とし
ては、住友化学(株)製の商品名アミルブラックF−8
BL、スミライトブラックGconc、ダイレクトディ
ープブラックXA、スミフィックスブラックB、アミル
ブラックF−GL、スミカロンブラックS−BF、スピ
リットブラックNo920、ジャパノールファーストブ
ラックDconc、スミカラーブラックPR−3F−3
65、スミカラーブラックPR−8T−364、スミカ
ラーブラックPR−8T−363、オイルブラックNo
1、三井東圧化学(株)製の商品名ミツイPSブラック
EX−58、ミツイPSブラックEX−174、田岡化
学(株)製の商品名オレオゾールファーストブラックB
LN等を挙げることが出来る。
The black dye may be any one as long as it absorbs light in the visible range, that is, in the wavelength range of at least 400 to 800 nm. Specific examples thereof include products manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. Name Amil Black F-8
BL, Sumilite Black Gconc, Direct Deep Black XA, Sumifix Black B, Amil Black F-GL, Sumicaron Black S-BF, Spirit Black No. 920, Japananol First Black Dconc, Sumicolor Black PR-3F-3
65, Sumicolor Black PR-8T-364, Sumicolor Black PR-8T-363, Oil Black No
1. Mitsui PS Black EX-58 and Mitsui PS Black EX-174 manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc .; Oleosol First Black B manufactured by Taoka Chemical Co., Ltd.
LN and the like.

【0031】又、赤色染料、青色染料、緑色染料、黄色
染料等の着色染料を2種以上配合し、黒色化して使用す
る方法も包含するものである。
It also includes a method in which two or more coloring dyes such as a red dye, a blue dye, a green dye and a yellow dye are blended and blackened to be used.

【0032】この発明における黒色染料の使用量は、ポ
リマー100重量部に対し1〜200重量部、好ましく
は5〜150重量部の範囲である。黒色染料の使用量が
1重量部未満の場合には、光の吸収効果が劣り、一方、
200重量部を越える場合には、塗膜の形成が困難とな
る。
The amount of the black dye used in the present invention is in the range of 1 to 200 parts by weight, preferably 5 to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer. When the amount of the black dye used is less than 1 part by weight, the light absorbing effect is poor.
If it exceeds 200 parts by weight, it becomes difficult to form a coating film.

【0033】又、この発明においては、光吸収能の効果
を向上させる目的で、赤外線吸収剤を使用することも可
能である。このとき用いる赤外線吸収剤は、700〜1
500nmの波長域において光を吸収するものであれ
ば、特に限定されず、具体例としては三井東圧化学
(株)製の商品名PA1001、PA1005、PA1
006等のPAシリーズ、保土ヶ谷化学工業(株)製の
商品名HR102、HR105−R等のHRシリーズを
挙げることが出来る。これら赤外線吸収剤の使用量は、
上記ポリマー100重量部に対し0.1〜50重量部、
好ましくは0.5〜40重量部の範囲である。
In the present invention, it is also possible to use an infrared absorbing agent for the purpose of improving the effect of light absorption ability. The infrared absorber used at this time is 700 to 1
There is no particular limitation as long as it absorbs light in a wavelength region of 500 nm. Specific examples include PA1001, PA1005, and PA1 manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.
HR and HR series such as HR102 and HR105-R manufactured by Hodogaya Chemical Industry Co., Ltd. The amount of these infrared absorbers used is
0.1 to 50 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer,
Preferably it is in the range of 0.5 to 40 parts by weight.

【0034】次に、具体例を挙げ、更に詳しく説明す
る。
Next, a specific example will be given to explain in more detail.

【0035】具体例1…黒色ポリマーの調整及び性能 撹はん棒、温度計及び滴下ロートを備えた反応フラスコ
(内容積500ml)にピロメリット酸二無水物13.
086g、3、3′、4、4′−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物19.340g、及びN、N−ジメ
チルアセトアミド150gを投入し、十分に撹はんして
0℃に保持したまま、ここに1,4−ビス(4−アミノ
フェキシ)ベンゼン17.538gをN、N−ジメチル
アセトアミド130gに溶解した溶液を滴下ロートで徐
々に滴下した。滴下終了後、0〜10℃で4時間撹はん
を行い、ポリアミド酸溶液を得た。このようにして得ら
れたポリアミド酸溶液に黒色染料(住友化学(株)製の
商品名スピリットブラックの920)4.2g及び赤外
線吸収剤(三井東圧化学(株)製の商品名PA100
6)1.0gをN、N−ジメチルアセトアミド35gに
溶解した溶液を加え、充分に混合して黒色ポリアミド酸
溶液を得た。この溶液を石英のガラスウエハーに回転数
2000rpnにてスピンナー塗布した。次いで100
℃で20分間、150℃で20分間、250℃で1時間
乾燥及び硬化して、膜厚1.8μmの黒色ポリイミド膜
を形成した。このようにして得られた黒色ポリイミド膜
の光透過率を測定して得られた黒色ポリイミド膜の光透
過率を測定した結果、第2図に示すように満足すべきも
のであった。
Specific Example 1 Preparation and Performance of Black Polymer Pyrromellitic dianhydride was added to a reaction flask (internal volume: 500 ml) equipped with a stir bar, thermometer and dropping funnel.
086 g, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride 19.340 g and N, N-dimethylacetamide 150 g were added, and the mixture was sufficiently stirred and kept at 0 ° C. A solution obtained by dissolving 17.538 g of 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene in 130 g of N, N-dimethylacetamide was gradually added dropwise to the addition funnel. After completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at 0 to 10 ° C for 4 hours to obtain a polyamic acid solution. 4.2 g of a black dye (trade name: Spirit Black 920, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and an infrared absorber (trade name: PA100, manufactured by Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.) were added to the polyamic acid solution thus obtained.
6) A solution prepared by dissolving 1.0 g of N, N-dimethylacetamide in 35 g was added and thoroughly mixed to obtain a black polyamic acid solution. This solution was applied to a quartz glass wafer by spinner at a rotation speed of 2000 rpn. Then 100
The film was dried and cured at 20 ° C. for 20 minutes, 150 ° C. for 20 minutes, and 250 ° C. for 1 hour to form a black polyimide film having a thickness of 1.8 μm. The light transmittance of the black polyimide film obtained by measuring the light transmittance of the black polyimide film thus obtained was satisfactory as shown in FIG.

【0036】具体例2…表示装置の製造方法及び性能 常法により走査線電極、信号線電極、水素化非結晶シリ
コンを半導体材料として用いたTFT、画素電極等を形
成したガラス製透明基板上に黒色ポリアミド酸溶液を2
000rpnにてスピンナー塗布し、次いで100℃で
30分、150℃で1時間乾燥及び硬化して膜厚2.0
μmの黒色ポリイミド膜を形成した。次いで、周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極部分の開口を
含めた所望パターンを得た。ここで、黒色ポリイミドの
エッチングには、ヒドラジン/エトレンジアミン(重量
比5:5)溶液を用いた。引き続き窒素ガスによる乾燥
を行った後、200℃で1.5時間の加熱処理をするこ
とにより、ポリアミド酸の完全硬化を行った。このよう
にして作製した基板の表面に常法に従って配向制御膜を
設け、ラビング処理し、予めカラーフィルタ及び透明対
向電極及び配向制御膜等を設けた対向電極基板とを対に
して液晶表示装置を作製した。このようにして得られた
表示装置の信号電圧に対する透過率特性の測定結果を第
3図に示す。
Concrete Example 2 Manufacturing Method and Performance of Display Device By a conventional method, a scanning line electrode, a signal line electrode, a TFT using hydrogenated amorphous silicon as a semiconductor material, a pixel electrode and the like are formed on a glass transparent substrate. Black polyamic acid solution 2
Spinner coating at 000 rpm, then dried and cured at 100 ° C. for 30 minutes and 150 ° C. for 1 hour to give a film thickness of 2.0
A μm black polyimide film was formed. Next, using a known photolithography technique, a desired pattern including an opening in a pixel electrode portion was obtained. Here, a hydrazine / ethlenediamine (weight ratio: 5: 5) solution was used for etching the black polyimide. Subsequently, after performing drying with nitrogen gas, the polyamic acid was completely cured by performing a heat treatment at 200 ° C. for 1.5 hours. An alignment control film is provided on the surface of the substrate thus prepared in accordance with a conventional method, rubbed, and a liquid crystal display device is formed by pairing with a counter electrode substrate provided with a color filter, a transparent counter electrode, an alignment control film, and the like in advance. Produced. FIG. 3 shows the measurement results of the transmittance characteristics with respect to the signal voltage of the display device thus obtained.

【0037】この第3図から明らかなように、従来法に
よった場合はコントラスト比が10程度であったが、こ
の発明における遮光膜11の効果により、コントラスト
比が50と大幅な改善が得られた。
As is apparent from FIG. 3, the contrast ratio was about 10 in the case of the conventional method, but due to the effect of the light-shielding film 11 in the present invention, the contrast ratio is 50, which is a great improvement. Was given.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上に詳述した通り、この発明の表示装
置は画素電極を除いた他の領域からのいわゆる非変調光
を充分に阻止し得る機能があり、表示性能の一つである
コントラスト比の向上に大きく寄与する。
As described above in detail, the display device of the present invention has a function of sufficiently blocking so-called non-modulated light from other regions excluding the pixel electrode, which is one of the display performances. It greatly contributes to the improvement of the ratio.

【0039】又、絶縁性遮光膜材料を用いたことによ
り、構造的に電気的短絡、リーク等を考慮しなくて済
み、既存のアクティブ・マトリクス配線を用いた全ての
表示装置に容易に適用出来る。
Further, by using the insulating light-shielding film material, it is not necessary to structurally consider electrical short circuit, leak, etc., and it can be easily applied to all display devices using existing active matrix wiring. .

【0040】特に、光の吸収が極めて大きい黒色ポリマ
ーを採用した場合、容易な工程にて製造でき、軽量、薄
型化された安価な表示装置を提供することが出来る。
In particular, when a black polymer which absorbs light very much is adopted, it is possible to provide an inexpensive display device which can be manufactured by an easy process and which is lightweight and thin.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)はこの発明の一実施例に係る表示装置の
平面図であり、(b)は図1(a)のA−A′線に沿っ
て切断し矢印方向に見た断面図である。
1A is a plan view of a display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line AA ′ of FIG. It is a figure.

【図2】この発明の表示装置における黒色ポリマーの透
過率スペクトルを示す特性曲線図である。
FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing a transmittance spectrum of a black polymer in the display device of the present invention.

【図3】この発明の表示装置における透過率ー信号電圧
特性を従来例と比較して示す特性曲線図である。
FIG. 3 is a characteristic curve diagram showing a transmittance-signal voltage characteristic in the display device of the present invention in comparison with a conventional example.

【図4】(a)は従来の表示装置の平面図であり、
(b)は図4(a)のB−B′線に沿って切断し矢印方
向に見た断面図であり、(c)は図4(a)のB−B′
線に沿って切断し矢印方向に見た断面図である。
FIG. 4A is a plan view of a conventional display device,
4B is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 4A and viewed in the direction of the arrow, and FIG. 4C is a cross-sectional view of BB ′ of FIG.
It is sectional drawing cut | disconnected along the line and seen in the arrow direction.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2…基板 3…偏向板 4…画素電極 5…信号線 6…カラーフィルタ 7…対向電極 8…液晶 11…遮光膜 1, 2 ... Substrate 3 ... Deflection plate 4 ... Pixel electrode 5 ... Signal line 6 ... Color filter 7 ... Counter electrode 8 ... Liquid crystal 11 ... Light-shielding film

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1の基板上に複数の行電極および複数
の列電極から構成されるマトリックス配線の各交点に非
線形素子を介して接続された画素電極を形成する工程
と、 上記画素電極を除いた領域上に有機樹脂からなる絶縁性
遮光膜材料を塗布し、400℃以下の温度にて硬化して
絶縁性遮光膜を形成する工程と、 第2の基板上に対向電極を形成する工程と、 前記第1の基板と第2の基板とを対向配置し、その間に
電極・光変調物質を狭持する工程と、からなる表示装置
の製造方法。
1. A step of forming a pixel electrode connected to each intersection point of a matrix wiring composed of a plurality of row electrodes and a plurality of column electrodes on a first substrate through a non-linear element, and the pixel electrode A step of applying an insulating light-shielding film material made of an organic resin on the removed region and curing it at a temperature of 400 ° C. or lower to form an insulating light-shielding film; and a step of forming a counter electrode on the second substrate. And a step of arranging the first substrate and the second substrate so as to face each other and sandwiching an electrode / light modulating substance between them.
【請求項2】 前記絶縁性遮光膜は、200℃以下の温
度にて硬化されることを特徴とする請求項1記載の表示
装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a display device according to claim 1, wherein the insulating light-shielding film is cured at a temperature of 200 ° C. or lower.
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