JPH09205329A - Low noise amplifier - Google Patents
Low noise amplifierInfo
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- JPH09205329A JPH09205329A JP8011471A JP1147196A JPH09205329A JP H09205329 A JPH09205329 A JP H09205329A JP 8011471 A JP8011471 A JP 8011471A JP 1147196 A JP1147196 A JP 1147196A JP H09205329 A JPH09205329 A JP H09205329A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は低雑音増幅器に関
し、とくにマイクロ波帯用の低雑音増幅器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low noise amplifier, and more particularly to a low noise amplifier for the microwave band.
【０００２】[0002]
【従来の技術】２端子対回路網の安定性を示す指数とし
て、ＲｏｌｌｅｔのＫファクタ（安定指数Ｋ）が知られ
ている。このＫファクタについては、（１）Ｊ．Ｍ．Ｒ
ｏｌｌｅｔ著”Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ Ｐｏｗｅ
ｒ Ｇａｉｎ Ｉｎｖａｒｉａｎｔｅ ｏｆ Ｌｉｎｅ
ａｒ Ｔｗｏｐｏｒｔｓ”（ＩＲＥ ＣＴ−９，ｐｐ２
９−３２，Ｍａｒ．１９６２）および（２）Ｄ．Ｗｏｏ
ｄｓ著”Ｒｅａｐｐｒａｉｓａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎ
ｃｏｎｄｉｔｉｏｎａｌ ＳｔａｂｉｌｉｔｙＣｒｉｔ
ｅｒｉａ ｆｏｒ Ａｃｔｉｖｅ ２−ｐｏｒｔ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋｓｉｎ Ｔｅｒｍ ｏｆ Ｓ−ｐａｒａｍｅ
ｔｅｒｓ”（ＩＥＥＥ，ＣＡＳ−２３，ｐｐ７３−８
１，Ｆｅｂ．１９７６）に記載されている。2. Description of the Related Art Rollet's K factor (stability index K) is known as an index indicating the stability of a two-terminal pair network. Regarding this K factor, (1) J. M. R
"Stability and Powe" by ollet
r Gain Invariante of Line
ar Two Points "(IRE CT-9, pp2
9-32, Mar. 1962) and (2) D. Woo
"Reappraisal of the Un" by ds
conditional StabilityCrit
eria for Active 2-port Ne
workstations in Term of S-parameter
ters "(IEEE, CAS-23, pp73-8
1, Feb. 1976).
【０００３】これらの文献（１），（２）によれば、Ｓ
パラメータ（Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ２１，Ｓ２２）で表さ
れる２端子対回路網の場合、Ｋファクタは、Ｋ＝（１−
｜Ｓ１１｜2 −｜Ｓ２２｜2 ＋｜Δ｜2 ）／（２・｜Ｓ
１２｜・｜Ｓ２１｜）、ただし、｜Δ｜＝｜Ｓ１１・Ｓ
２２−Ｓ２１・Ｓ１２｜で表される。According to these documents (1) and (2), S
In the case of the 2-terminal pair circuit network represented by the parameters (S11, S12, S21, S22), the K factor is K = (1−
| S11 | 2 − | S22 | 2 + | Δ | 2 ) / (2 · | S
12 | ・ | S21 |), where | Δ | = | S11 ・ S
22-S21 · S12 |
【０００４】ここに、２端子対回路網が無条件に安定で
ある条件、すなわち、入力端子および出力端子に接続さ
れるいかなるインピーダンスに対しても安定である条件
は、Ｋ＞１かつ｜Δ｜＜１である。Here, the condition that the two-terminal pair network is unconditionally stable, that is, the condition that it is stable with respect to any impedance connected to the input terminal and the output terminal is K> 1 and | Δ | <1.
【０００５】ところで、トランジスタ等の３端子素子は
通常｜Δ｜＜１であるから、安定性はＫファクタの値で
判断することができる。By the way, since a 3-terminal element such as a transistor is normally | Δ | <1, stability can be judged by the value of the K factor.
【０００６】すなわち、Ｋ＞１のときは無条件に安定で
あり、トランジスタの入出力にいかなるインピーダンス
素子が接続されても異常発振を起こさないということで
ある。Ｋ＞１でないときは、条件付きの安定であり、入
出力に接続されるインピーダンス素子により異常発振等
の回路的不安定が生じる可能性があることを示してい
る。That is, when K> 1, it is unconditionally stable, and no abnormal oscillation occurs even if any impedance element is connected to the input / output of the transistor. If K> 1 is not satisfied, the condition is stable, and there is a possibility that the impedance element connected to the input / output may cause circuit instability such as abnormal oscillation.
【０００７】一方、最近の高周波トランジスタの中で、
ＭＥＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＦＥＴ）あるいはＨＥＭＴ（Ｈ
ｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ）は、遮断周波数（ｆT ）が５０〜８０
ＧＨｚと非常に高く、低い周波数、たとえば１０ＧＨｚ
以下では、Ｋファクタは１以下であり、素子として不安
定な状態にある。On the other hand, among recent high frequency transistors,
MESFET (Metal-Electron-Sem
iconductor FET) or HEMT (H
high Electron Mobility Tra
The cutoff frequency (f T ) of the
Very high and low frequency of GHz, eg 10 GHz
Below, the K factor is 1 or less, and the element is in an unstable state.
【０００８】次に、従来の低雑音増幅器について説明す
る。図３は従来の低雑音増幅器の一例の回路図である。Next, a conventional low noise amplifier will be described. FIG. 3 is a circuit diagram of an example of a conventional low noise amplifier.
【０００９】従来の低雑音増幅器は、たとえば低雑音用
ＨＥＭＴ５０と、その入力側に接続された入力インピー
ダンス整合用の入力回路５１と、その出力側に接続され
た出力インピーダンス整合用の出力回路５２とからな
る。A conventional low noise amplifier is, for example, a low noise HEMT 50, an input impedance matching input circuit 51 connected to its input side, and an output impedance matching output circuit 52 connected to its output side. Consists of.
【００１０】また、入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２に
おけるインピーダンスは一例として５０Ωとし、入力回
路５１および出力回路５２により低雑音用ＨＥＭＴ５０
の入力および出力インピーダンスとの整合をとる。たと
えば、入力端子Ｐ１にはアイソレータまたはアンテナを
直接接続する。また、この低雑音増幅器は一例として２
ＧＨｚ用に設計されている。The impedance at the input terminal P1 and the output terminal P2 is 50Ω as an example, and the HEMT 50 for low noise is set by the input circuit 51 and the output circuit 52.
Match the input and output impedance of. For example, an isolator or an antenna is directly connected to the input terminal P1. Also, this low noise amplifier is, for example, 2
Designed for GHz.
【００１１】図４はこの低雑音用ＨＥＭＴのＫファクタ
対周波数特性図である。同図に示すように、この低雑音
用ＨＥＭＴのＫファクタは１ＧＨｚから１０ＧＨｚにわ
たり１より小さい。FIG. 4 is a K factor versus frequency characteristic diagram of the HEMT for low noise. As shown in the figure, the K factor of this low noise HEMT is smaller than 1 from 1 GHz to 10 GHz.
【００１２】図５はこの低雑音増幅器のＫファクタ、Ｎ
Ｆ（雑音指数）およびゲイン（利得）対周波数特性図で
ある。FIG. 5 shows the K factor, N, of this low noise amplifier.
It is F (noise figure) and a gain (gain) vs. frequency characteristic view.
【００１３】同図によれば、２ＧＨｚにおいて、ＮＦ＝
０．６ｄＢ、ゲイン＝１４ｄＢが得られているが、Ｋフ
ァクタは２ＧＨｚを含め１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域
において１より小さく、増幅器として不安定要素がある
ことを示している。According to the figure, at 2 GHz, NF =
Although 0.6 dB and gain = 14 dB are obtained, the K factor is smaller than 1 in the entire frequency band of 1 to 10 GHz including 2 GHz, which indicates that there is an unstable element as an amplifier.
【００１４】しかし、２ＧＨｚでは低雑音増幅器の入出
力インピーダンスは５０Ωに整合がとれている。したが
って、Ｋファクタが１以下であっても、入出力端子Ｐ
１，Ｐ２に接続されるもののインピーダンスが５０Ωで
あれば、２ＧＨｚでは安定に動作することになる。However, at 2 GHz, the input / output impedance of the low noise amplifier is matched to 50Ω. Therefore, even if the K factor is 1 or less, the input / output terminal P
If the impedance connected to 1 and P2 is 50Ω, it operates stably at 2 GHz.
【００１５】問題なのは２ＧＨｚ以外の周波数における
安定性である。ＭＥＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴが低い周
波数で不安定な理由は、利得が高く、それに見合うアイ
ソレーションがないことはもちろんであるが、このＭＥ
ＳＦＥＴあるいはＨＥＭＴの入力回路を等価回路で表す
と、小さい抵抗と小さい容量の直列回路となり、いずれ
も小さいため回路のＱが非常に高いためといえる。The problem is stability at frequencies other than 2 GHz. The reason why the MESFET or HEMT is unstable at a low frequency is, of course, that the gain is high and there is no corresponding isolation.
When the input circuit of the SFET or HEMT is expressed by an equivalent circuit, it becomes a series circuit of a small resistance and a small capacitance, and since both are small, the Q of the circuit is very high.
【００１６】図６は従来の低雑音増幅器の他の一例の回
路図である。なお、前述の従来例と同様の構成部分には
同一番号を付し、その説明を省略する。FIG. 6 is a circuit diagram of another example of the conventional low noise amplifier. The same components as those in the above-mentioned conventional example are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００１７】この低雑音増幅器は、低雑音用ＨＥＭＴ５
０の入力側と入力回路５１との間に抵抗器５３を接続し
たものである。This low noise amplifier is a low noise HEMT5.
A resistor 53 is connected between the input side of 0 and the input circuit 51.
【００１８】図７はこの低雑音増幅器の他の一例のＫフ
ァクタ、ＮＦおよびゲイン対周波数特性図である。FIG. 7 is a K-factor, NF and gain vs. frequency characteristic diagram of another example of the low noise amplifier.
【００１９】同図は抵抗器５３として２４Ωの抵抗器を
低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１との間に
接続した場合の特性を示す。同図によれば、Ｋファクタ
は１〜１０ＧＨｚの全周波数帯域にわたり１以上とな
り、無条件に安定状態となることが分かる。したがっ
て、この場合は入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ２にいか
なるインピーダンスが接続されても安定状態となる。The figure shows the characteristics when a resistor of 24Ω is connected as the resistor 53 between the input side of the low noise HEMT 50 and the input circuit 51. According to the figure, it can be seen that the K factor is 1 or more over the entire frequency band of 1 to 10 GHz and is in an unconditionally stable state. Therefore, in this case, even if any impedance is connected to the input terminal P1 and the output terminal P2, a stable state is achieved.
【００２０】また、（１）特開平２−１１００５号公報
に全周波数帯域にわたりＫファクタを１以上にする前置
増幅器が開示され、（２）特開平３−１０１３０５号公
報に抵抗器、コイルおよびコンデンサからなる回路を設
けることにより、所望周波数および他の１周波数で共振
させ、離れた複数の周波数帯域で所定の高利得を得る増
幅器が開示されている。Further, (1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-110505 discloses a preamplifier that makes the K factor 1 or more over the entire frequency band, and (2) Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-101305 discloses a resistor, a coil and An amplifier has been disclosed in which a circuit including a capacitor is provided to resonate at a desired frequency and another one frequency, and a predetermined high gain is obtained in a plurality of distant frequency bands.
【００２１】[0021]
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７の特性図
によれば、２ＧＨｚにおいてはＮＦが１．７ｄＢと非常
に大きくなり、低雑音増幅器としては使用が難かしいと
いう欠点があった。However, according to the characteristic diagram of FIG. 7, the NF becomes extremely large at 1.7 dB at 2 GHz, which makes it difficult to use as a low noise amplifier.
【００２２】また、これを解決する手段は、前述した先
行技術（１），（２）のいずれにも開示されていない。Further, the means for solving this is not disclosed in any of the above-mentioned prior arts (1) and (2).
【００２３】そこで本発明の目的は、所定周波数におい
てＮＦを劣化させず、かつ広帯域にわたり安定した動作
を得ることができる低雑音増幅器を提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a low noise amplifier which does not deteriorate NF at a predetermined frequency and can obtain stable operation over a wide band.
【００２４】[0024]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、高周波トランジスタと、この高周波トラン
ジスタの入力側に接続された入力インピーダンス整合手
段と、前記高周波トランジスタの出力側に接続された出
力インピーダンス整合手段とからなる低雑音増幅器であ
って、前記高周波トランジスタの入力側と前記入力イン
ピーダンス整合手段間に、所定周波数帯域の信号に対し
て低インピーダンスとなるインピーダンス手段とこのイ
ンピーダンス手段と並列接続された抵抗器とを接続した
ことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a high frequency transistor, an input impedance matching means connected to the input side of the high frequency transistor, and an output side of the high frequency transistor. A low noise amplifier comprising output impedance matching means, wherein impedance means having a low impedance with respect to a signal in a predetermined frequency band is connected in parallel between the input side of the high frequency transistor and the input impedance matching means. It is characterized in that it is connected to a resistor.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】本発明によれば、所定周波数にお
いてはインピーダンス手段のインピーダンスが低くなる
ため高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス
整合手段間は高周波的に直結したのと同等となる。一
方、所定周波数以外においてはインピーダンス手段のイ
ンピーダンスが高くなるため高周波トランジスタの入力
側と入力インピーダンス整合手段間には高周波的に抵抗
器が接続されたのと同等となる。According to the present invention, since the impedance of the impedance means becomes low at a predetermined frequency, it is equivalent to a direct high frequency connection between the input side of the high frequency transistor and the input impedance matching means. On the other hand, since the impedance of the impedance means becomes high at frequencies other than the predetermined frequency, it is equivalent to connecting a resistor in high frequency between the input side of the high frequency transistor and the input impedance matching means.
【００２６】以下、本発明の実施例について添付図面を
参照しながら説明する。図１は本発明に係る低雑音増幅
器の一実施例の回路図である。なお、従来例と同様の構
成部分には同一番号を付し、その説明を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a low noise amplifier according to the present invention. The same components as those of the conventional example are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００２７】低雑音増幅器は、たとえば低雑音用ＨＥＭ
Ｔ５０と、入力インピーダンス整合用の入力回路５１
と、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１間に
接続された、コンデンサ１とコイル２とからなる直列回
路およびこの直列回路と並列接続された抵抗器５３と、
低雑音用ＨＥＭＴ５０の出力側に接続された出力回路５
２とからなる。すなわち、従来の低雑音増幅器の他の一
例の抵抗器５３と並列にコンデンサ１とコイル２とから
なる直列回路を接続したものである。The low noise amplifier is, for example, an HEM for low noise.
T50 and the input circuit 51 for input impedance matching
And a series circuit connected between the input side of the low-noise HEMT 50 and the input circuit 51, and a resistor 53 connected in parallel with the series circuit including the capacitor 1 and the coil 2.
Output circuit 5 connected to the output side of HEMT 50 for low noise
Consists of two. That is, a series circuit including a capacitor 1 and a coil 2 is connected in parallel with a resistor 53 of another example of a conventional low noise amplifier.
【００２８】なお、本実施例では一例としてコンデンサ
１を１．３ｐＦ、コイル２を３ｎＨ、抵抗器５３を従来
例と同様に２４Ωとした。In the present embodiment, as an example, the capacitor 1 is 1.3 pF, the coil 2 is 3 nH, and the resistor 53 is 24Ω as in the conventional example.
【００２９】このコンデンサ１とコイル２とからなる直
列回路は所定周波数である２ＧＨｚで共振するよう構成
されている。The series circuit composed of the capacitor 1 and the coil 2 is configured to resonate at a predetermined frequency of 2 GHz.
【００３０】したがって、周波数が２ＧＨｚの場合はこ
の直列回路のインピーダンスはほぼ０Ωとみなすことが
できるため、この直列回路と並列に抵抗器５３が接続さ
れていても、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路
５１間は高周波的に直結されたのと同等となる。すなわ
ち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入力回路５１の出
力側間に接続された抵抗器５３は見えなくなる。Therefore, when the frequency is 2 GHz, the impedance of this series circuit can be regarded as approximately 0Ω, so that even if the resistor 53 is connected in parallel with this series circuit, the impedance of this series circuit will not be the same as the input side of the low noise HEMT 50. The input circuits 51 are equivalent to being directly connected in high frequency. That is, the resistor 53 connected between the input side of the low noise HEMT 50 and the output side of the input circuit 51 becomes invisible.
【００３１】一方、周波数が２ＧＨｚ以外の場合（１Ｇ
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は直列回路のインピーダン
スは高くなるため、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力側と入
力回路５１間には高周波的に抵抗器５３が接続されたの
と同等となる。すなわち、低雑音用ＨＥＭＴ５０の入力
側と入力回路５１の出力側間に接続された抵抗器５３が
見えることになる。On the other hand, when the frequency is other than 2 GHz (1 GHz
(In Hz to 10 GHz), the impedance of the series circuit becomes high, so that it is equivalent to connecting a resistor 53 in high frequency between the input side of the low noise HEMT 50 and the input circuit 51. That is, the resistor 53 connected between the input side of the low noise HEMT 50 and the output side of the input circuit 51 is visible.
【００３２】図２はこの低雑音増幅器のＫファクタ、Ｎ
Ｆおよびゲイン対周波数特性図である。FIG. 2 shows the K factor, N, of this low noise amplifier.
It is F and a gain-versus-frequency characteristic view.
【００３３】同図によれば、所定周波数２ＧＨｚでは抵
抗器５３が見えなくなるため、特性は従来例の図５と同
様となる。すなわち、ＮＦ＝０．６ｄＢ，ゲイン＝１４
ｄＢとなり、抵抗器を用いない従来の低雑音増幅器と同
様の良好なＮＦおよびゲインが得られることが分かる。According to the figure, since the resistor 53 becomes invisible at a predetermined frequency of 2 GHz, the characteristic becomes similar to that of FIG. 5 of the conventional example. That is, NF = 0.6 dB, gain = 14
It becomes dB, and it can be seen that the same good NF and gain as the conventional low noise amplifier which does not use the resistor can be obtained.
【００３４】なお、この周波数２ＧＨｚにおいてＫファ
クタは１より小さいが、入力端子Ｐ１および出力端子Ｐ
２に接続されるインピーダンスが５０Ωであればインピ
ーダンス整合がとれるため安定状態となる。At this frequency of 2 GHz, the K factor is smaller than 1, but the input terminal P1 and the output terminal P are
If the impedance connected to 2 is 50Ω, impedance matching can be achieved and a stable state is achieved.
【００３５】一方、周波数が２ＧＨｚ以外の場合（１Ｇ
Ｈｚ〜１０ＧＨｚにおいて）は抵抗器５３が見えるた
め、特性は従来例の図７と同様となる。すなわち、Ｋフ
ァクタは全周波数帯域にわたり１より大きくなるため無
条件に安定状態となる。したがって、入力端子Ｐ１およ
び出力端子Ｐ２に接続されるインピーダンスがいかなる
ものであっても安定状態となる。On the other hand, when the frequency is other than 2 GHz (1 GHz
Since the resistor 53 is visible at (Hz to 10 GHz), the characteristics are the same as those in FIG. 7 of the conventional example. That is, since the K factor is greater than 1 over the entire frequency band, it is in an unconditionally stable state. Therefore, a stable state is achieved regardless of the impedance connected to the input terminal P1 and the output terminal P2.
【００３６】なお、本実施例では高周波トランジスタと
してＨＥＭＴを用いたが、これに限定されるものではな
く、たとえばＭＥＳＦＥＴ等のＦＥＴでもよい。さら
に、この帯域（１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚ）まで使用が可能
であればバイポーラトランジスタにも適用することがで
きる。Although the HEMT is used as the high frequency transistor in this embodiment, the present invention is not limited to this, and an FET such as MESFET may be used. Further, if it can be used up to this band (1 GHz to 10 GHz), it can be applied to a bipolar transistor.
【００３７】また、インピーダンス手段としてコンデン
サ１とコイル２とからなる直列共振回路を用いたが、こ
れに限定されるものではなく、たとえば２ＧＨｚを中心
とする一定帯域のみに対して低インピーダンスとなるバ
ンドパスフィルタでインピーダンス手段を構成しても同
様の効果を得ることができる。Further, although the series resonance circuit consisting of the capacitor 1 and the coil 2 is used as the impedance means, the present invention is not limited to this, and for example, a band having a low impedance only in a constant band centered around 2 GHz. The same effect can be obtained even if the impedance means is composed of a pass filter.
【００３８】[0038]
【発明の効果】本発明によれば、高周波トランジスタの
入力側と入力インピーダンス整合手段間に、所定周波数
帯域の信号に対して低インピーダンスとなるインピーダ
ンス手段とこのインピーダンス手段と並列接続された抵
抗器とを接続したため、所定周波数帯域の信号に対して
は高周波トランジスタの入力側と入力インピーダンス整
合手段間が高周波的に直結されたのと同等となり、所定
周波数帯域以外の信号に対しては高周波トランジスタの
入力側と入力インピーダンス整合手段間に高周波的に抵
抗器が接続されたのと同等となる。According to the present invention, between the input side of the high frequency transistor and the input impedance matching means, impedance means having a low impedance with respect to a signal in a predetermined frequency band and a resistor connected in parallel with the impedance means are provided. This is equivalent to connecting the input side of the high-frequency transistor and the input impedance matching means directly for high-frequency transistor signals in the predetermined frequency band, and the high-frequency transistor input for signals outside the predetermined frequency band. This is equivalent to connecting a resistor in high frequency between the side and the input impedance matching means.
【００３９】したがって、所定周波数帯域の信号に対し
ては良好なＮＦが得られ、かつ入出力インピーダンスの
整合がとれることから安定した動作が得られる。一方、
所定周波数帯域以外の信号に対しては１より大きなＫフ
ァクタが得られるため、入出力にいかなるインピーダン
スが接続されても安定した動作が得られる。Therefore, a good NF can be obtained for a signal in a predetermined frequency band, and the input / output impedance can be matched, so that stable operation can be obtained. on the other hand,
Since a K factor larger than 1 is obtained for signals outside the predetermined frequency band, stable operation can be obtained regardless of the impedance connected to the input / output.
【図１】本発明に係る低雑音増幅器の一実施例の回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a low noise amplifier according to the present invention.
【図２】同低雑音増幅器のＫファクタ、ＮＦおよびゲイ
ン対周波数特性図である。FIG. 2 is a K-factor, NF and gain vs. frequency characteristic diagram of the same low noise amplifier.
【図３】従来の低雑音増幅器の一例の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of an example of a conventional low noise amplifier.
【図４】同低雑音増幅器の低雑音用ＨＥＭＴのＫファク
タ対周波数特性図である。FIG. 4 is a K factor versus frequency characteristic diagram of a low noise HEMT of the same low noise amplifier.
【図５】同低雑音増幅器のＫファクタ、ＮＦおよびゲイ
ン対周波数特性図である。FIG. 5 is a K-factor, NF and gain vs. frequency characteristic diagram of the same low noise amplifier.
【図６】同低雑音増幅器の他の一例の回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram of another example of the low noise amplifier.
【図７】同低雑音増幅器の他の一例のＫファクタ、ＮＦ
およびゲイン対周波数特性図である。FIG. 7 is a K-factor and NF of another example of the same low noise amplifier.
It is a gain versus frequency characteristic diagram.
１ コンデンサ ２ コイル ５０ 低雑音用ＨＥＭＴ ５１ 入力回路 ５２ 出力回路 ５３ 抵抗器 1 Capacitor 2 Coil 50 Low Noise HEMT 51 Input Circuit 52 Output Circuit 53 Resistor
Claims (5)
ンジスタの入力側に接続された入力インピーダンス整合
手段と、前記高周波トランジスタの出力側に接続された
出力インピーダンス整合手段とからなる低雑音増幅器で
あって、前記高周波トランジスタの入力側と前記入力イ
ンピーダンス整合手段間に、所定周波数帯域の信号に対
して低インピーダンスとなるインピーダンス手段とこの
インピーダンス手段と並列接続された抵抗器とを接続し
たことを特徴とする低雑音増幅器。1. A low noise amplifier comprising a high frequency transistor, input impedance matching means connected to an input side of the high frequency transistor, and output impedance matching means connected to an output side of the high frequency transistor, the low noise amplifier comprising: Between the input side of the high-frequency transistor and the input impedance matching means, an impedance means having a low impedance with respect to a signal in a predetermined frequency band and a resistor connected in parallel with the impedance means are connected. amplifier.
デンサによる直列共振回路であることを特徴とする請求
項１記載の低雑音増幅器。2. The low noise amplifier according to claim 1, wherein the impedance means is a series resonance circuit including a coil and a capacitor.
ィルタであることを特徴とする請求項１記載の低雑音増
幅器。3. The low noise amplifier according to claim 1, wherein the impedance means is a bandpass filter.
であることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の
低雑音増幅器。4. The high frequency transistor is a MESFET
The low noise amplifier according to any one of claims 1 to 3, wherein
ることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の低雑
音増幅器。5. The low noise amplifier according to claim 1, wherein the high frequency transistor is a HEMT.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011471A JPH09205329A (en) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | Low noise amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8011471A JPH09205329A (en) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | Low noise amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205329A true JPH09205329A (en) | 1997-08-05 |
Family
ID=11778998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8011471A Pending JPH09205329A (en) | 1996-01-26 | 1996-01-26 | Low noise amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205329A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144560A (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave amplifier |
| JP2002057535A (en) * | 2000-06-28 | 2002-02-22 | Trw Inc | High dynamic range low noise amplifier |
| JP2006108385A (en) * | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transistor circuit |
| KR100795891B1 (en) * | 2005-11-24 | 2008-01-21 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | Stabilization circuit and multiband amplification circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609317U (en) * | 1983-06-29 | 1985-01-22 | アルプス電気株式会社 | wideband high frequency amplifier |
| JPH06188643A (en) * | 1992-10-21 | 1994-07-08 | Fukushima Nippon Denki Kk | High-frequency low-noise amplifier |
| JPH09121130A (en) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | High frequency electronic circuit |
-
1996
- 1996-01-26 JP JP8011471A patent/JPH09205329A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2002057535A (en) * | 2000-06-28 | 2002-02-22 | Trw Inc | High dynamic range low noise amplifier |
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