JPH09199073A - Component for ion implanter - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 8
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 6
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000295 fuel oil Substances 0.000 description 4
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000000802 nitrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011280 coal tar Substances 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- JCZMXVGQBBATMY-UHFFFAOYSA-N nitro acetate Chemical compound CC(=O)O[N+]([O-])=O JCZMXVGQBBATMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の製造工程において用いられるイオン注入装置を構成す
る部品に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to parts constituting an ion implantation apparatus used in the manufacturing process of semiconductor devices and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造において、イオン
注入はシリコン基板に目的元素を導入するために広く用
いられている技術である。イオン注入は、必要とされる
元素を高エネルギのイオンビームとしてシリコン基板に
打込む物理的な元素導入方法である。2. Description of the Related Art Ion implantation is a widely used technique for introducing a target element into a silicon substrate in the manufacture of semiconductor devices. Ion implantation is a physical element introduction method for implanting a required element into a silicon substrate as a high-energy ion beam.
【０００３】このようなイオン注入を行なう装置におい
て、イオンビームの通路を構成する材料は、イオンビー
ムに直接晒されるため、イオンスパッタリングにより減
耗し、不純物として系内に拡散する。これら不純物は、
製品の性能、歩留り低下の原因となる。このため、イオ
ンビームの通路を構成する材料には、イオンスパッタリ
ングによる減耗が少なく、すなわち耐スパッタリング性
を有し、かつ製品に影響を及ぼす不純物を含有しない材
料が必要とされる。In the apparatus for performing such ion implantation, the material forming the passage of the ion beam is directly exposed to the ion beam, so that it is consumed by ion sputtering and diffuses into the system as an impurity. These impurities are
This may cause a decrease in product performance and yield. For this reason, the material forming the path of the ion beam is required to be a material that is less worn by ion sputtering, that is, has a sputtering resistance and does not contain impurities that affect the product.
【０００４】このような耐スパッタリング性を有する金
属材料としてモリブデンを挙げることができる。また、
特開平５−２４６７０３号公報は、ガラス状カーボンか
らなるイオン注入装置用カーボン部材を開示している。Molybdenum can be mentioned as a metal material having such sputtering resistance. Also,
Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-246703 discloses a carbon member for an ion implantation device, which is made of glassy carbon.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】モリブデンからなるイ
オン注入装置用部品は、材料自体が高価であり、加工が
容易でないため、高価である。これに対し、ガラス状カ
ーボンは、比較的安価な材料である一方、厚み５ｍｍ以
上の材料を得ることが難しいため、これにより構成する
ことのできる部品は限定される。さらにガラス状カーボ
ンは加工性が悪い。The component of the ion implantation apparatus made of molybdenum is expensive because the material itself is expensive and the processing is not easy. On the other hand, while glassy carbon is a relatively inexpensive material, it is difficult to obtain a material having a thickness of 5 mm or more, so that the components that can be configured by this are limited. Furthermore, glassy carbon has poor processability.
【０００６】一方、高純度の材料が比較的容易に得られ
る黒鉛材は安価であり、ガラス状カーボンよりも加工性
がよい材料として有用である。しかしながら、一般に黒
鉛材は、スパッタリングを受けた際にパーティクルが離
脱しやすい。したがって、黒鉛材からなるイオン注入装
置用部品を提供しようとする場合、いかに耐スパッタリ
ング性のよいものを製作するかが大きな課題となってい
る。[0006] On the other hand, a graphite material from which a high-purity material can be obtained relatively easily is inexpensive and useful as a material having better workability than glassy carbon. However, in general, the graphite material is likely to release particles when subjected to sputtering. Therefore, in order to provide a component for an ion implantation apparatus made of a graphite material, how to manufacture a material having good sputtering resistance is a major issue.
【０００７】本発明の目的は、安価でかつ耐スパッタリ
ング性の高いイオン注入装置用部品を提供することであ
る。It is an object of the present invention to provide an ion implanter component which is inexpensive and has high sputtering resistance.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者は、黒鉛（人造
黒鉛）からなるイオン注入装置用部品について、研究を
重ねてきた結果、該部品を構成する黒鉛のかさ比重、シ
ョア硬さ、および平均気孔直径が該部品の耐スパッタリ
ング性に重大な影響を与えることを見出した。そして、
そして、これらの物性について所定の条件を満たすもの
が、優れた耐スパッタリング性を有し、イオン注入装置
用部品としてより適していることを見出し本発明を完成
させるに至った。The present inventor has conducted extensive research on parts for an ion implantation apparatus made of graphite (artificial graphite), and as a result, the bulk specific gravity, Shore hardness, and It has been found that the average pore diameter has a significant effect on the sputtering resistance of the part. And
Then, they have found that those physical properties satisfying predetermined conditions have excellent sputtering resistance and are more suitable as parts for an ion implantation apparatus, and have completed the present invention.
【０００９】すなわち、本発明のイオン注入装置用部品
は、１．９６以上のかさ比重、８５以上のショア硬さお
よび１．０μｍ以下の平均気孔直径を有する黒鉛からな
ることを特徴とする。That is, the ion implanter component of the present invention is characterized by being made of graphite having a bulk specific gravity of 1.96 or more, a Shore hardness of 85 or more, and an average pore diameter of 1.0 μm or less.
【００１０】ここで、かさ比重は、ＪＩＳ Ｒ７２１２
−１９７９に従って測定することができる。すなわち、
試験片を１０５〜１１０℃の空気浴中で２時間保ち、こ
れをデシケータ中で冷却して室温に達した後、直ちに質
量を量り、再び空気浴中に移し、１時間ごとに冷却して
質量を量る。これを恒量に達するまで繰返す。次に、試
験片の各片の長さを４ヶ所ずつ測り、それぞれ各片の平
均寸法から体積を求める。試験片のかさ比重は、次の式
によって計算し、少数点以下３桁に丸める。そして２個
の試験片の測定値の平均値を少数点以下２桁に丸めてか
さ比重として示す。Here, the bulk specific gravity is JIS R7212.
It can be measured according to -1979. That is,
The test piece was kept in an air bath at 105 to 110 ° C. for 2 hours, cooled in a desiccator to reach room temperature, immediately weighed, transferred to an air bath again, and cooled every 1 hour to weigh it. Weigh This is repeated until a constant weight is reached. Next, the length of each piece of the test piece is measured at four places, and the volume is obtained from the average size of each piece. The bulk specific gravity of the test piece is calculated by the following formula, and rounded to three decimal places. Then, the average value of the measured values of the two test pieces is rounded to two digits below the decimal point and shown as the bulk specific gravity.
【００１１】ｄb ＝ｍ／ｖ （ｄb ：かさ比重，ｍ：乾燥試験片の重量（ｇ），ｖ：
体積（ｃｍ3 ）） ショア硬さはＪＩＳ Ｚ２２４６−１９８１に従って測
定することができる。ショア硬さは、試料の試験面上に
一定の高さｈ0 から落下させたハンマのはね上がり高さ
ｈに比例する値であって、次の式で表わされる。D b = m / v (d b : bulk specific gravity, m: weight of dry test piece (g), v:
Volume (cm 3 )) Shore hardness can be measured according to JIS Z2246-1981. The shore hardness is a value proportional to the height h of the hammer dropped from a constant height h 0 on the test surface of the sample and is expressed by the following equation.
【００１２】ＨＳ＝ｋ・ｈ／ｈ0 （ＨＳ：ショア硬さ，ｋ：ショア硬さとするための係
数） 平均気孔直径は、水銀圧入法に従って水銀ポロシメータ
により測定することができる。すなわち、水銀による印
加圧力とその圧力で水銀が侵入し得る試料の最小細孔径
との間には、次のＷａｓｈｂｕｒｎの式が成立する。HS = k · h / h 0 (HS: coefficient for making Shore hardness, k: Shore hardness) The average pore diameter can be measured by a mercury porosimeter according to the mercury porosimetry. That is, the following Washburn equation holds between the applied pressure of mercury and the minimum pore diameter of the sample into which mercury can enter at that pressure.
【００１３】 Ｐ・ｒ＝−２σｃｏｓθ（≒６３４５ｋｇｆ／ｃｍ） （Ｐ：印加圧力（ｋｇｆ／ｃｍ2 ），ｒ：細胞半径（ｎ
ｍ），σ：水銀の表面張力（４８４ｄｙｎ／ｃｍ），
θ：水銀の試料に対する接触角（１３０°）） したがって、順次印加圧力を大きくしていけば、より小
さい細孔径を求めることができる。水銀ポロシメータに
おいてサンプルをセルに入れ、水銀を圧入すると、水銀
はサンプルの空孔に入り、この水銀量が測定される。圧
力を徐々に高め、試料の空孔中に水銀を侵入させると、
図１に示すように、侵入水銀の容量は値Ｖまで増加す
る。この最終的に侵入した水銀量（Ｖ）の半分（Ｖ／
２）まで気孔に水銀が侵入したときの圧力（Ｐ）を求
め、このＰに対応する値として上式から平均気孔直径を
求めることができる。P · r = −2σ cos θ (≈6345 kgf / cm) (P: applied pressure (kgf / cm 2 ), r: cell radius (n
m), σ: surface tension of mercury (484 dyn / cm),
θ: contact angle of mercury with the sample (130 °)) Therefore, if the applied pressure is successively increased, a smaller pore size can be obtained. In a mercury porosimeter, when a sample is put into a cell and mercury is injected, the mercury enters the pores of the sample and the amount of the mercury is measured. When the pressure is gradually increased to allow mercury to enter the pores of the sample,
As shown in FIG. 1, the capacity of penetrating mercury increases to the value V. Half of this finally invading mercury amount (V) (V /
The pressure (P) when mercury enters the pores up to 2) is obtained, and the average pore diameter can be obtained from the above equation as a value corresponding to this P.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明を構成する黒鉛（人造黒
鉛）は、たとえば、コークスや黒鉛等のフィラーと、ピ
ッチ等のバインダの二元系原料を使用する方法によって
製造することができる。この場合、コークスや黒鉛等を
粒径１０μｍ以下に微粉砕し、これにピッチ等のバイン
ダを加えて熱間混練する。混練したものを再び粉砕した
後、熱間静水圧プレスで２０００℃程度において成形、
焼成する。得られた焼成体を２０００℃〜３０００℃の
温度で加熱する（黒鉛化処理する）ことによって黒鉛が
得られる。以上のプロセスにおいて、黒鉛のかさ比重を
１．９６以上とすることができ、平均気孔直径を１．０
μｍ以下とすることができる。また、原料にカーボンブ
ラック、フェノール樹脂等の樹脂などの難黒鉛化性の材
料を添加し、かつ／または黒鉛化処理の温度を調整する
ことにより、黒鉛のショア硬さを８５以上にすることが
できる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The graphite (artificial graphite) constituting the present invention can be produced, for example, by a method using a binary raw material of a filler such as coke or graphite and a binder such as pitch. In this case, coke, graphite, or the like is finely pulverized to have a particle size of 10 μm or less, and a binder such as pitch is added to this to knead hot. After crushing the kneaded material again, molding with hot isostatic pressing at about 2000 ° C,
Bake. Graphite is obtained by heating (graphitizing) the obtained fired body at a temperature of 2000 ° C to 3000 ° C. In the above process, the bulk specific gravity of graphite can be set to 1.96 or more, and the average pore diameter is 1.0
μm or less. Further, by adding a non-graphitizable material such as carbon black or a resin such as a phenol resin to the raw material and / or adjusting the temperature of the graphitizing treatment, the Shore hardness of the graphite can be made 85 or more. it can.
【００１５】また、本発明を構成する黒鉛は、自己焼結
性を有するメソフェーズ系原料（一元系の材料）を使用
する方法によっても製造することができる。この場合、
たとえば水素と炭素の原子比Ｈ／Ｃが０．８５以下の重
質油にニトロ化剤を１０重量％以下添加し、４００〜５
３０℃に加熱し、加熱過程で３００ｍｍＨｇ以下に減圧
して留出する油分を除去して得られるピッチを原料とし
て用いることができる。重質油には、コールタール、エ
チレンボトムピッチ等を用いることができ、ニトロ化剤
としては硝酸、硝酸アセチル等を用いることができる。
ニトロ化剤が添加された重質油を４００〜５３０℃に加
熱することにより、メソフェーズの生成を妨げずに重縮
合を進め、原料にバインダ性を持たせながら、炭化歩留
りを増加させ、原料収率の向上を図ることができる。ま
た、４００℃〜５３０℃の加熱過程で、減圧し、加熱過
程で発生する分解油や低分子化合物を除去することによ
り、重質油の濃縮、メソフェーズの生成の促進を図り、
さらに後の焼成工程でかさ比重が高く、平均気孔直径が
小さい黒鉛を生成できる材料を得ることができる。上記
工程により得られるピッチをたとえば１０μｍ以下に粉
砕し、成形する。成形には、たとえば静水圧プレスが好
ましく用いられる。得られた成形体を、たとえば１２０
０℃までの温度で焼成し炭化物を得た後、得られた炭化
物を２０００℃〜３０００℃の温度で加熱する（黒鉛化
処理する）ことにより黒鉛が得られる。また、上記工程
により得られるピッチに、カーボンブラック、フェノー
ル樹脂等の樹脂など、難黒鉛化性の原料を添加し、かつ
／または黒鉛化処理温度を調整することにより、８５以
上のショア硬さを有する黒鉛を得ることができる。The graphite constituting the present invention can also be manufactured by a method using a self-sintering mesophase raw material (unary material). in this case,
For example, a heavy oil having an atomic ratio H / C of hydrogen to carbon of 0.85 or less is added with a nitrating agent at 10% by weight or less,
Pitch obtained by heating to 30 ° C., depressurizing to 300 mmHg or less in the heating process and removing the distilled oil can be used as a raw material. As the heavy oil, coal tar, ethylene bottom pitch, etc. can be used, and as the nitrating agent, nitric acid, acetyl nitrate, etc. can be used.
By heating the heavy oil to which the nitrating agent is added to 400 to 530 ° C., polycondensation proceeds without hindering the formation of mesophase, and the carbonization yield is increased while the raw material has a binder property and the raw material yield is increased. The rate can be improved. Further, in the heating process of 400 ° C. to 530 ° C., decompression is performed to remove cracked oil and low-molecular compounds generated in the heating process, thereby concentrating heavy oil and promoting generation of mesophase
Further, it is possible to obtain a material capable of producing graphite having a high bulk specific gravity and a small average pore diameter in the subsequent firing step. The pitch obtained by the above steps is crushed to, for example, 10 μm or less and molded. For molding, for example, a hydrostatic press is preferably used. The obtained molded body is, for example, 120
After firing at a temperature of up to 0 ° C. to obtain a carbide, the obtained carbide is heated (graphitized) at a temperature of 2000 ° C. to 3000 ° C. to obtain graphite. Further, by adding a non-graphitizable raw material such as carbon black or a resin such as a phenolic resin to the pitch obtained in the above step and / or adjusting the graphitizing temperature, a Shore hardness of 85 or more can be obtained. It is possible to obtain graphite having.
【００１６】以上のプロセスにより製造される黒鉛は、
加工性がよく、機械加工によってイオン注入装置用部品
として所定の形状に容易に加工される。機械加工により
所定の形状にされた黒鉛部材を洗浄、乾燥等し、ハロゲ
ンガス下での熱処理等による高純度化工程の後、イオン
注入装置用部品が得られる。The graphite produced by the above process is
It has good workability and can be easily machined into a predetermined shape as a component for an ion implantation apparatus by machining. After the graphite member formed into a predetermined shape by machining is washed, dried, etc., and subjected to a high-purification process such as a heat treatment under a halogen gas, a component for an ion implantation device is obtained.
【００１７】本発明を構成する黒鉛のかさ比重は１．９
６以上である。かさ比重を１．９６以上とすることによ
り、イオンスパッタリングを受けて減耗したとしても、
減耗重量に対する部品の寸法の減少、変形を小さく抑え
ることができ、部品の寿命を長く保つことができる。部
品の形状は、イオンビームの収束等に影響を与えるの
で、変形量が少ないほど、より長期間使用することがで
きる。また、かさ比重を１．９６以上とすることで、耐
スパッタリング性が向上し、重量の減少も小さくなるこ
とがわかった。The bulk specific gravity of graphite constituting the present invention is 1.9.
6 or more. By setting the bulk specific gravity to 1.96 or more, even if it is worn down due to ion sputtering,
It is possible to reduce the size and deformation of the component with respect to the weight consumed, and to keep the life of the component long. Since the shape of the component affects the convergence of the ion beam and the like, the smaller the deformation amount, the longer the period of use. It was also found that the bulk specific gravity of 1.96 or more improves the sputtering resistance and reduces the weight reduction.
【００１８】本発明を構成する黒鉛のショア硬さは、８
５以上、好ましくは８５〜１１０である。ショア硬さを
８５以上とすることにより、耐スパッタリング性を向上
させることができ、減耗重量を低下させることが可能と
なる。黒鉛結晶は、炭素原子の六角網面による層状の構
造を有しており、この網面の間隔が広いほど、言い換え
ると網面の凹凸が大きいほど、層の滑りに要するエネル
ギは大きくなる。このことは、網面の間隔と硬度が密接
に関係しており、網面の間隔が広いほど硬度が高くなる
傾向にあることを意味している。本発明では、加工性の
高い黒鉛に８５以上のショア硬さを持たせることで、以
下の実施例に示すように耐スパッタリング性を付与して
いる。なお、高い加工性および良好な導電性を保持する
点から、ショア硬さは１１０以下が好ましい。The Shore hardness of the graphite constituting the present invention is 8
It is 5 or more, preferably 85 to 110. By setting the Shore hardness to 85 or more, the sputtering resistance can be improved and the weight loss can be reduced. The graphite crystal has a layered structure composed of hexagonal mesh planes of carbon atoms. The wider the mesh plane spacing, in other words, the larger the irregularities on the mesh plane, the greater the energy required for layer slippage. This means that the distance between the mesh surfaces is closely related to the hardness, and the wider the distance between the mesh surfaces, the higher the hardness tends to be. In the present invention, graphite having high workability is given a Shore hardness of 85 or more to impart sputtering resistance as shown in the following examples. The Shore hardness is preferably 110 or less from the viewpoint of maintaining high workability and good conductivity.
【００１９】本発明を構成する黒鉛の平均気孔直径は
１．０μｍ以下である。本発明者は、黒鉛の平均気孔直
径を１．０μｍ以下とすることで、その表面がより平滑
となり、耐スパッタリング性が向上することを見出し
た。平均気孔直径が１．０μｍを超える場合、表面仕上
げの工程の際に材料の気孔が表面の凹凸となって現れ、
耐スパッタリング性の高い平滑な表面を得ることが困難
となる。また、平均気孔直径を１．０μｍ以下とするこ
とで、スパッタリングによる黒鉛ダストの発生を効果的
に抑制することができる。The average pore diameter of graphite constituting the present invention is 1.0 μm or less. The present inventors have found that by setting the average pore diameter of graphite to 1.0 μm or less, the surface becomes smoother and the sputtering resistance is improved. When the average pore diameter exceeds 1.0 μm, the pores of the material appear as surface irregularities during the surface finishing process,
It becomes difficult to obtain a smooth surface with high sputtering resistance. Further, by setting the average pore diameter to 1.0 μm or less, the generation of graphite dust due to sputtering can be effectively suppressed.
【００２０】以上に示すようなプロセスにより製造され
る黒鉛は、ガラス状カーボンのように厚みが限定される
ことはなく、任意の形状、任意のサイズのものを得るこ
とが可能である。また黒鉛はガラス状カーボンに比べて
加工性に優れる。本発明は、１．９６以上のかさ比重、
８５以上のショア硬さ、１．０μｍ以下の平均気孔直径
を同時に有する黒鉛でイオン注入装置用部品を構成する
ことにより、安価でかつ所定の形状、大きさのものを加
工により容易に得ることができ、しかも耐スパッタリン
グ性に優れたものを提供することができる。The graphite produced by the above-mentioned process is not limited in thickness like glassy carbon, and can be obtained in any shape and any size. Further, graphite is more workable than glassy carbon. The present invention has a bulk specific gravity of 1.96 or more,
By configuring parts for an ion implantation device with graphite having a Shore hardness of 85 or more and an average pore diameter of 1.0 μm or less at the same time, an inexpensive and predetermined shape and size can be easily obtained by processing. It is possible to provide a material having excellent sputtering resistance.
【００２１】[0021]
【実施例】以下に本発明に従う実施例と比較例とを対比
して説明する。EXAMPLES Examples according to the present invention will be described below in comparison with comparative examples.
【００２２】［一元系原料を用いる製造］原子比Ｈ／Ｃ
が約０．７１のコールタールに８重量％で硝酸を添加し
て約４２０℃で約６時間加熱しながら、約１５ｍｍＨｇ
の減圧下で流出する油分を除去して、重質化を進め、自
己焼結性を有する炭素粉を得た。得られた炭素粉をボー
ルミルで１０μｍ以下に粉砕し、これにカーボンブラッ
クを添加して、得られた混合物を冷間静水圧プレスによ
り室温で１０００ｋｇ／ｃｍ2 以上で加圧し、円柱型の
成形体を得た。得られた成形体を、１２００℃まで昇温
し、炭化物を得た。次いで炭化物をＡｒ雰囲気中で２０
００℃以上の温度において黒鉛化した。以上のプロセス
により、かさ比重が１．９６〜１．９８、ショア硬さが
８５〜１００、平均気孔直径が１．０μｍ以下の黒鉛材
を得た。[Manufacturing Using Single Element Raw Material] Atomic ratio H / C
Nitric acid was added to coal tar of about 0.71 at 8% by weight, and heated at about 420 ° C. for about 6 hours, about 15 mmHg
The oil content flowing out under reduced pressure was removed to promote heavyness, and a carbon powder having self-sintering property was obtained. The obtained carbon powder was crushed to 10 μm or less with a ball mill, carbon black was added thereto, and the obtained mixture was pressed at a room temperature of 1000 kg / cm 2 or more by a cold isostatic press to give a cylindrical molded body. Got The obtained molded body was heated to 1200 ° C. to obtain a carbide. Then, the carbide is added in Ar atmosphere for 20
Graphitization was performed at a temperature of 00 ° C or higher. Through the above process, a graphite material having a bulk specific gravity of 1.96 to 1.98, a Shore hardness of 85 to 100, and an average pore diameter of 1.0 μm or less was obtained.
【００２３】一方、比較例として、以上のプロセスにお
いて黒鉛化処理の温度を２０００℃以上とし、カーボン
ブラックを添加しない条件、静水圧を５００〜１０００
ｋｇ／ｃｍ2 とする条件のいずれかを用いるか、または
それらを組合せることにより、かさ密度、ショア硬さ、
平均気孔直径のいずれかが本発明の範囲から外れたもの
を調製した。On the other hand, as a comparative example, in the above process, the graphitization temperature was set to 2000 ° C. or higher, carbon black was not added, and the hydrostatic pressure was 500 to 1000.
By using any of the conditions of kg / cm 2 or by combining them, the bulk density, Shore hardness,
Those having any of the average pore diameters outside the range of the present invention were prepared.
【００２４】得られた黒鉛材を機械加工し、洗浄・乾燥
の後、ハロゲンガス下での熱処理による高純度化処理を
行なって、得られた材料から板状のサンプルを切り出
し、耐スパッタリング性の試験に供した。The obtained graphite material is machined, washed and dried, and then subjected to a high-purification treatment by a heat treatment under a halogen gas to cut a plate-shaped sample from the obtained material to obtain a sputtering-resistant material. It was submitted to the test.
【００２５】［二元系原料を用いる製造］粒径１０μｍ
以下に微粉砕したコークスに、ピッチおよびカーボンブ
ラックを添加し、熱間混練した。混練したものを再び粉
砕した後、熱間静水圧プレスで２０００℃にて円柱形に
成形、焼成した。焼成後に得られた炭化物について、２
０００℃以上の温度で黒鉛化処理を行なった。以上のプ
ロセスにより、かさ比重が１．９６、ショア硬さが９
０、平均気孔直径が０．６μｍの黒鉛材を得た。[Production using binary raw materials] Particle size 10 μm
Pitch and carbon black were added to the coke finely pulverized below, and the mixture was hot kneaded. The kneaded product was pulverized again, then molded into a cylindrical shape at 2000 ° C. by a hot isostatic press and fired. Regarding the carbide obtained after firing, 2
Graphitization was performed at a temperature of 000 ° C. or higher. Through the above process, the bulk specific gravity is 1.96 and the shore hardness is 9
A graphite material having 0 and an average pore diameter of 0.6 μm was obtained.
【００２６】一方、比較例として、黒鉛化処理温度を２
０００℃以上とし、カーボンブラックを添加しない条
件、熱間静水圧プレスではなく冷間静水圧プレスで成形
する条件のいずれかを用いることにより、本発明の範囲
から外れた黒鉛を作製した。On the other hand, as a comparative example, the graphitization temperature was set to 2
Graphite out of the range of the present invention was produced by using the conditions of not lower than 000 ° C., no carbon black added, and conditions of cold isostatic pressing instead of hot isostatic pressing.
【００２７】得られた黒鉛材を機械加工し、洗浄・乾燥
の後、ハロゲンガス下での熱処理による高純度化処理を
行なって、得られた材料から板状のサンプルを切り出
し、耐スパッタリング性について試験した。The obtained graphite material was machined, washed and dried, and then subjected to a high-purification treatment by a heat treatment under a halogen gas, and a plate-like sample was cut out from the obtained material to obtain a sputtering resistance. Tested.
【００２８】切り出した板状のサンプルを、それぞれ表
１に示す条件で試験し、耐スパッタリング性について評
価した。試験において、サンプルが減耗した深さを測定
することにより、耐スパッタリング性について比較を行
なった。減耗深さが小さいほど、耐スパッタリング性に
優れていることになる。各サンプルについて試験した結
果を表２に示す。表２に示すとおり、本発明に従う実施
例は、比較例に比べて高い耐スパッタリング性を有して
いることがわかる。Each of the cut plate-shaped samples was tested under the conditions shown in Table 1 to evaluate the sputtering resistance. In the test, the sputtering resistance was compared by measuring the depth of wear of the sample. The smaller the wear depth, the better the sputtering resistance. The results of testing each sample are shown in Table 2. As shown in Table 2, it can be seen that the examples according to the present invention have higher sputtering resistance than the comparative examples.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】[0030]
【表２】 [Table 2]
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によって提
供されるイオン注入装置用部品は、優れた耐スパッタリ
ング性を有する。また、本発明による部品は、黒鉛材を
用いるため安価に製造することができる。したがって、
本発明をイオン注入装置に用いれば、半導体デバイス等
の電子デバイスの製造において歩留りの向上を図ること
ができ、またイオン注入装置のランニングコストを低く
抑えることができる。As described above, the ion implanter component provided by the present invention has excellent sputtering resistance. Moreover, since the component according to the present invention uses the graphite material, it can be manufactured at low cost. Therefore,
If the present invention is applied to an ion implantation apparatus, it is possible to improve the yield in the production of electronic devices such as semiconductor devices, and it is possible to keep the running cost of the ion implantation apparatus low.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】黒鉛の平均気孔直径を測定するための方法を説
明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a method for measuring an average pore diameter of graphite.
Claims (1)
ョア硬さおよび１．０μｍ以下の平均気孔直径を有する
黒鉛からなることを特徴とする、イオン注入装置用部
品。1. A component for an ion implanter, which is made of graphite having a bulk specific gravity of 1.96 or more, a Shore hardness of 85 or more, and an average pore diameter of 1.0 μm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08009434A JP3114604B2 (en) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | Parts for ion implantation equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08009434A JP3114604B2 (en) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | Parts for ion implantation equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199073A true JPH09199073A (en) | 1997-07-31 |
| JP3114604B2 JP3114604B2 (en) | 2000-12-04 |
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ID=11720226
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3114604B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673450B2 (en) | 2005-10-28 | 2014-03-18 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus |
-
1996
- 1996-01-23 JP JP08009434A patent/JP3114604B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8673450B2 (en) | 2005-10-28 | 2014-03-18 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3114604B2 (en) | 2000-12-04 |
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