JPH09198978A - 光導電スイッチ - Google Patents

光導電スイッチ

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Publication number
JPH09198978A
JPH09198978A JP2855196A JP2855196A JPH09198978A JP H09198978 A JPH09198978 A JP H09198978A JP 2855196 A JP2855196 A JP 2855196A JP 2855196 A JP2855196 A JP 2855196A JP H09198978 A JPH09198978 A JP H09198978A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap
transmission line
impedance matching
gap electrode
photoconductor
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2855196A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunori Chihara
一徳 千原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2855196A priority Critical patent/JPH09198978A/ja
Publication of JPH09198978A publication Critical patent/JPH09198978A/ja
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  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】フォトコンダクタ部11の容量性/インダクタ
ンス性に対応して、伝送ライン12とのインピーダンス
整合をとるインピーダンス整合部を形成する光導電スイ
ッチ。 【解決手段】入力/出力伝送ラインの線路幅よりも小さ
なギャップ電極面15を有してインダクタンス性を示す
場合には、一方のギャップ電極10aと伝送ライン間
に、線路を広くして容量性を示すインピーダンス整合部
20aを形成して設け、他方のギャップ電極10bと伝
送ライン間に、線路を広くして容量性を示すインピーダ
ンス整合部20bを形成して設ける構造。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、入射光線の照射
により超高速の光スイッチ作用を有する光導電素子(フ
ォトコンダクタ)と伝送線路間の容量性/インダクタン
ス性のインピーダンス整合改善する光導電スイッチに関
する。
【0002】
【従来の技術】光導電スイッチは、超高速の光スイッチ
素子であり、用途によりフォトコンダクタ部の形状が異
なる。図2(a)、(b)の一構造例を示すように、半
絶縁基板上に金属膜の伝送ライン12a、12bと、そ
の線路と直列に超微細間隔の1対の対向型櫛型ギャップ
電極10a、10bを形成したフォトコンダクタ部11
で成り、このギャップ幅は数μm以下に形成されてい
る。このギャップ電極間にレーザー光が照射時に数Ω程
度の電気伝導体を示し、この原理を利用して被測定信号
の光学的な高速サンプリング等に使用される。
【0003】従来光導電スイッチの信号の入出力伝送ラ
イン12a、12bは外部回路の特性インピーダンス、
例えば50Ωに合わせて形成されている。一方フォトコ
ンダクタ部11は、櫛型ギャップ電極10a、10bの
感度特性を主体に形成されている為、伝送ライン間とで
容量性、あるいはインダクタンス性のインピーダンス不
整合が生じて、入力信号を出力側へ十分に伝達できない
難点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】光導電スイッチは用途
によりフォトコンダクタ部の形状・大きさが異なる。例
えば低抵抗化が要求される場合には、図2(a)に示す
ように、ギャップ電極面を大きく設ける為容量性を示
す。逆に、広帯域化が要求される場合には、図2(b)
に示すように、フォトコンダクタ部のギャップ電極面は
伝送ライン幅30よりも狭くなり、インダクタンス性を
示してくる。このように、フォトコンダクタ部11の用
途による形成条件が異なってくると、伝送ライン12と
フォトコンダクタ部11間で容量性/インダクタンス性
に伴うインピーダンス不整合を生じてくる難点がある。
そこで本発明が解決しようとする課題は、フォトコンダ
クタ部11の容量性/インダクタンス性に対応して、伝
送ライン12とのインピーダンス整合をとるインピーダ
ンス整合部を形成する光導電スイッチを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】第1図(a)は、本発明
による第1の解決手段を示している。上記課題を解決す
るために、本発明の構成では、入力/出力伝送ラインの
線路幅よりも大きなギャップ電極面15を有して容量性
を示す場合には、一方のギャップ電極10aと伝送ライ
ン間に、線路を細くしてインダクタンス性を示すインピ
ーダンス整合部20aを形成して設け、他方のギャップ
電極10bと伝送ライン間に、線路を細くしてインダク
タンス性を示すインピーダンス整合部20bを形成して
設ける構造手段とする。これにより、フォトコンダクタ
部11の入力/出力伝送ライン12a、12bと、光の
照射をギャップ電極10a、10bに受けて電極間の電
気伝導体を示すフォトコンダクタ部11を有する光導電
スイッチにおいて、伝送ライン12との容量性インピー
ダンス整合をとる光導電スイッチを実現する。
【0006】第1図(b)は、本発明による第2の解決
手段を示している。第2に、上記課題を解決するため
に、本発明の構成では、入力/出力伝送ラインの線路幅
よりも小さなギャップ電極面15を有して容量性を示す
場合には、一方のギャップ電極10aと伝送ライン間
に、線路を広くして容量性を示すインピーダンス整合部
22aを形成して設け、他方のギャップ電極10bと伝
送ライン間に、線路を広くして容量性を示すインピーダ
ンス整合部22bを形成して設ける構造手段とする。こ
れにより、フォトコンダクタ部11のインダクタンス性
インピーダンス整合をとる光導電スイッチを実現する。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を実施
例と共に詳細に説明する。
【0008】
【実施例】図1(a)はギャップ電極面が大きな場合の
光導電スイッチの形成例を示す。フォトコンダクタ部1
1のギャップ電極面15は、他の伝送ライン12より容
量性を示す。この為、この容量性とギャップ間容量の両
方を考慮して、ギャップ電極10a直前の線路を細くし
てインダクタンス性を示す所望のインピーダンス整合部
20aを形成する。同様に、ギャップ電極10bの直後
の線路を細くしてインダクタンス性を示すインピーダン
ス整合部20bを形成する。これにより、ギャップ電極
面の容量性を相殺したフォトコンダクタ部11が実現で
きる。
【0009】図1(b)はギャップ電極面が小さい場合
の光導電スイッチの形成例を示す。フォトコンダクタ部
11のギャップ電極面は、線路幅が細い為、他の伝送ラ
イン12と比較してインダクタンス性を示す。この為、
このインダクタンスとギャップ間容量の両方を考慮し
て、ギャップ電極10a直前周辺の線路に電極面16を
追加して所望の容量性を付与させるインピーダンス整合
部22aを形成する。同様に、ギャップ電極10bの直
後周辺の線路に電極を追加して容量性を付与させるイン
ピーダンス整合部22bを形成する。これにより、ギャ
ップ電極面のインダクタンス性を相殺したフォトコンダ
クタ部11が実現できる。
【0010】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、下記に記載されるような効果を奏する。以
上説明したように本発明によって、フォトコンダクタ部
11の容量性/インダクタンス性に対応してインダクタ
ンス性/容量性パターンを形成することで、伝送ライン
12との整合が改善された光導電スイッチとなり、GH
z帯域でも比較的特性の良い光導電スイッチを実現でき
る利点が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の、(a)ギャップ電極が大きい場合
の光導電スイッチ構造図と、(b)ギャップ電極が小さ
い場合の光導電スイッチ構造図例である。
【図2】 従来の、(a)ギャップ電極が大きい場合の
光導電スイッチ構造図と、(b)ギャップ電極が小さい
場合の光導電スイッチ構造図例である。
【符号の説明】
10a、10b ギャップ電極 11 フォトコンダクタ部 12a、12b 入力/出力伝送ライン 12 伝送ライン 15、16 電極面 20a、20b、22a、22b インピーダンス整合
部 30 伝送ライン幅

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトコンダクタ部(11)の入力/出
    力伝送ライン(12a、12b)と、光の照射をギャッ
    プ電極(10a、10b)に受けて電極間の電気伝導体
    を示すフォトコンダクタ部(11)を有する光導電スイ
    ッチにおいて、 入力/出力伝送ラインの線路幅よりも大きなギャップ電
    極面(15)を有して容量性を示す場合には、一方のギ
    ャップ電極(10a)と伝送ライン間に、線路を細くし
    てインダクタンス性を示すインピーダンス整合部(20
    a)を形成して設け、他方のギャップ電極(10b)と
    伝送ライン間に、線路を細くしてインダクタンス性を示
    すインピーダンス整合部(20b)を形成して設け、 以上を具備していることを特徴とした光導電スイッチ。
  2. 【請求項2】 フォトコンダクタ部(11)の入力/出
    力伝送ライン(12a、12b)と、光の照射をギャッ
    プ電極(10a、10b)に受けて電極間の電気伝導体
    を示すフォトコンダクタ部(11)を有する光導電スイ
    ッチにおいて、 入力/出力伝送ラインの線路幅よりも小さなギャップ電
    極面(15)を有して容量性を示す場合には、一方のギ
    ャップ電極(10a)と伝送ライン間に、線路を広くし
    て容量性を示すインピーダンス整合部(22a)を形成
    して設け、他方のギャップ電極(10b)と伝送ライン
    間に、線路を広くして容量性を示すインピーダンス整合
    部(22b)を形成して設け、 以上を具備していることを特徴とした光導電スイッチ。
JP2855196A 1996-01-23 1996-01-23 光導電スイッチ Withdrawn JPH09198978A (ja)

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JPH09198978A true JPH09198978A (ja) 1997-07-31

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036002A (en) * 1986-04-17 1991-07-30 Novo-Nordisk A/S Expression system with trans-acting DNA segments
WO2014096431A1 (fr) * 2012-12-21 2014-06-26 Thales Dispositif de commutation de signaux hyperfrequences notamment de dimensions nanometriques, et composant electronique incorporant un tel dispositif

Cited By (4)

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WO2014096431A1 (fr) * 2012-12-21 2014-06-26 Thales Dispositif de commutation de signaux hyperfrequences notamment de dimensions nanometriques, et composant electronique incorporant un tel dispositif
FR3000327A1 (fr) * 2012-12-21 2014-06-27 Thales Sa Dispositif de commutation de signaux hyperfrequences notamment de dimensions nanometriques, et composant electronique incorporant un tel dispositif
US9548413B2 (en) 2012-12-21 2017-01-17 Thales Microwave signal switching device, particularly of nanometric size, and electronic component incorporating such a device

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