JPH09186393A - Semiconductor laser module - Google Patents

Semiconductor laser module

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JPH09186393A
JPH09186393A JP7343841A JP34384195A JPH09186393A JP H09186393 A JPH09186393 A JP H09186393A JP 7343841 A JP7343841 A JP 7343841A JP 34384195 A JP34384195 A JP 34384195A JP H09186393 A JPH09186393 A JP H09186393A
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semiconductor laser
chip carrier
solder material
laser module
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Keiko Matsumoto
圭子 松元
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser module where a laser can be mounted high in mounting workability. SOLUTION: A semiconductor laser module is equipped with a semiconductor laser 2 disposed in a package 6, and a laser beam 2a emitted from the semiconductor laser 2 is outputted out of the package 6. In this case, a first carrier 3 mounted with the semiconductor laser 2 and a mounting surface where the first carrier 3 is fixed by soldering are provided, and a chamfered part 33 and a U-shaped groove 43 which serve as relieves for making excessive solder flow in a prescribed direction when the first carrier is soldered are provided to the mounting surface and/or the surface of the first carrier 3 bonded to the mounting surface.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザモジ
ュールに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser module.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体レーザモジュールとして
は、図4に示すように、パッケージAの内部にチップキ
ャリアB及びL型キャリアCを介して半導体レーザDが
設置されたものが知られている。この半導体レーザモジ
ュールEは、箱状のパッケージAの内部に垂直部C1と
水平部C2からなるL型キャリアCが配設され、パッケ
ージA内床面に冷却用のペルチェ素子Fを介して固着さ
れている。また、L型キャリアCの垂直部C1にはコリ
メートレンズGが取り付けられ、そのコリメートレンズ
Gから所定距離おいて水平部C2にモニタ用のフォトダ
イオードHが取り付けられると共に、そのL型キャリア
CのコリメートレンズGとフォトダイオードHの間には
サブマウントIを介して半導体レーザDを載置したチッ
プキャリアBが配置されている。このチップキャリアB
は、半田付けによりL型キャリアCに固着されている。
この半導体レーザモジュールEによれば、半導体レーザ
Dに電流が注入されることにより、半導体レーザDから
レーザ光Jが射出され、コリメートレンズGで集光され
てパッケージAから出力できるようになっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor laser module, there is known a semiconductor laser module in which a semiconductor laser D is installed inside a package A through a chip carrier B and an L-type carrier C as shown in FIG. In this semiconductor laser module E, an L-shaped carrier C composed of a vertical portion C1 and a horizontal portion C2 is arranged inside a box-shaped package A, and is fixed to the inner floor surface of the package A via a Peltier element F for cooling. ing. Further, a collimator lens G is attached to the vertical portion C1 of the L-shaped carrier C, a monitoring photodiode H is attached to the horizontal portion C2 at a predetermined distance from the collimator lens G, and the collimator of the L-shaped carrier C is attached. Between the lens G and the photodiode H, a chip carrier B on which a semiconductor laser D is mounted is arranged via a submount I. This chip carrier B
Are fixed to the L-shaped carrier C by soldering.
According to this semiconductor laser module E, when a current is injected into the semiconductor laser D, the laser light J is emitted from the semiconductor laser D, is condensed by the collimator lens G, and can be outputted from the package A. .

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レーザモジュールEにあっては、チップキャリア
BをL型キャリアCに半田付けする際に、それらのチッ
プキャリアBとL型キャリアCの間からの半田材Kが流
出して、その半田材Kの流出によりレーザ光Jの出力不
良を引き起こしてしまうという問題がある。すなわち、
半導体レーザモジュールEにおいて、半導体レーザDの
配設位置は、レーザ光Jの射出する方向を決定すること
から非常に重要であり、その配設作業は正確に行う必要
がある。このため、チップキャリアBをL型キャリアC
に半田付けするときにチップキャリアBをできるだけL
型キャリアCに密着させて位置決めを行うのが望ましい
が、その密着によりチップキャリアBとL型キャリアC
の間で半田材Kが強く押し挟まれるため、チップキャリ
アBとL型キャリアCの間から半田材Kが流出してしま
う。そして、半田材Kの流出が半導体レーザDの位置ま
で及んでしまうと、レーザ光Jの射出の支障となりレー
ザ光Jの出力低下を招き、また半導体レーザDの電極間
が短絡してレーザ光Jの出力が不能となってしまう。
However, in the conventional semiconductor laser module E, when the chip carrier B is soldered to the L type carrier C, the chip carrier B and the L type carrier C are removed from between the chip carrier B and the L type carrier C. There is a problem in that the solder material K flows out, and the output of the laser light J is caused by the outflow of the solder material K. That is,
In the semiconductor laser module E, the arrangement position of the semiconductor laser D is very important because it determines the emitting direction of the laser light J, and the arrangement work needs to be performed accurately. Therefore, the chip carrier B is replaced by the L-shaped carrier C.
Chip carrier B is soldered to L as much as possible
It is desirable that the positioning is carried out by closely adhering to the die carrier C, but due to the adhesion, the chip carrier B and the L-shaped carrier C are attached.
Since the solder material K is strongly pressed between them, the solder material K flows out from between the chip carrier B and the L-shaped carrier C. When the solder material K flows out to the position of the semiconductor laser D, the emission of the laser light J is hindered, the output of the laser light J is reduced, and the electrodes of the semiconductor laser D are short-circuited to cause the laser light J to be emitted. Output becomes impossible.

【0004】一方、半田材Kの流出を回避するために、
チップキャリアBの半田付けに使用する半田材Kの量を
調整することが考えられる。しかし、チップキャリアB
は数mm程度の微小なものであるから、半田材Kの使用
量を調整するのは困難であり、そのような調整を行うに
は専用の装置が必要となってしまう。
On the other hand, in order to prevent the solder material K from flowing out,
It is conceivable to adjust the amount of the solder material K used for soldering the chip carrier B. However, chip carrier B
Is a few millimeters, it is difficult to adjust the amount of the solder material K used, and a dedicated device is required to make such adjustment.

【0005】そこで本発明は、以上のような問題点を解
決するためになされたものであって、半導体レーザの取
付作業性に優れた半導体レーザモジュールを提供するこ
とを目的とする。
Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser module having excellent workability in mounting a semiconductor laser.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、半導
体レーザチップが搭載される第一キャリアとその第一キ
ャリアを半田付けにより固定するための設置面とを単一
のパッケージ内に備えた半導体レーザモジュールにおい
て、設置面又は第一キャリアの表面のいずれか一方若し
くは双方に余分な半田材を所定の方向へ流出させる逃し
部を備えていることを特徴とする。
That is, according to the present invention, a semiconductor having a first carrier on which a semiconductor laser chip is mounted and an installation surface for fixing the first carrier by soldering is provided in a single package. In the laser module, one or both of the installation surface and the surface of the first carrier is provided with a relief portion for allowing excess solder material to flow out in a predetermined direction.

【0007】このような発明によれば、第一キャリアを
設置面に半田付けするとき、余分な半田材が逃し部を通
じて所定の方向へ流出していく。このため、その余分な
半田材が半導体レーザ側へ流出してレーザ光の出力に影
響を与えることはない。
According to this invention, when the first carrier is soldered to the installation surface, excess solder material flows out through the escape portion in a predetermined direction. Therefore, the extra solder material does not flow out to the semiconductor laser side and affect the output of the laser light.

【0008】また本発明は、前述の設置面の逃し部は、
第一キャリアの底面及び側面にそれぞれ嵌合する水平部
と垂直部との境界部に沿って設けられていることを特徴
とする。また本発明は、前述の第一キャリアの逃し部
は、底面と側面との境界部に沿って設けられていること
を特徴とする。
Further, according to the present invention, the relief portion of the above-mentioned installation surface is
It is characterized in that it is provided along a boundary portion between a horizontal portion and a vertical portion which are fitted to the bottom surface and the side surface of the first carrier, respectively. Further, the present invention is characterized in that the escape portion of the first carrier is provided along a boundary portion between the bottom surface and the side surface.

【0009】これらの発明によれば、前述の第一キャリ
アが設置面における水平面と垂直面に当接されて半田付
けされるとき、半田材の溜まりやすい角部分に沿って逃
し部が設けられているから、余分な半田材が確実に所望
の方向へ流出されることとなる。このため、余分な半田
材が半導体レーザ側へ流出することはない。
According to these inventions, when the above-mentioned first carrier is abutted on the horizontal surface of the installation surface and perpendicular to the surface to be soldered, the relief portion is provided along the corner portion where the solder material easily accumulates. Therefore, the excess solder material is surely flowed out in the desired direction. Therefore, excess solder material does not flow out to the semiconductor laser side.

【0010】更に本発明は、前述の設置面がパッケージ
内に固定された第二キャリアの表面に設けられているこ
とを特徴とする。
Furthermore, the present invention is characterized in that the above-mentioned installation surface is provided on the surface of the second carrier fixed in the package.

【0011】このような発明によれば、逃し部が設けら
れる設置面がパッケージと別体となるから、逃し部の形
成が容易となる。
According to this invention, since the installation surface on which the relief portion is provided is separate from the package, the relief portion can be easily formed.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係る実施形態の一例について説明する。なお、各図に
おいて同一要素には同一符号を付して説明を省略する。
また、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致して
いない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In each of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
Also, the dimensional ratios in the drawings do not always match those described.

【0013】図1は半導体レーザモジュール1の断面図
である。図1に示すように、半導体レーザモジュール1
は、半導体レーザであるレーザダイオード2が内蔵され
そのレーザダイオード2から発せられるレーザ光2aを
光ファイバ81を通じて出力するものである。そのレー
ザ光2aを発するレーザダイオード2は箱型のパッケー
ジ3内に配設されている。例えば、レーザダイオード2
は、ヒートシンクとなるサブマウント21、第一キャリ
アであるチップキャリア3、第二キャリアであるL型キ
ャリア4、冷却手段であるペルチェ素子5を介して、パ
ッケージ6の内床面31上に設置されている。ペルチェ
素子5は、熱電冷却により熱を吸収する冷却部材であっ
て、所定の電流を供給されることとにより周囲の熱を吸
収して冷却効果を発揮するものであり、パッケージ6の
内床面31に固着されている。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser module 1. As shown in FIG. 1, the semiconductor laser module 1
The laser diode 2 which is a semiconductor laser is built in and outputs a laser beam 2 a emitted from the laser diode 2 through an optical fiber 81. The laser diode 2 that emits the laser light 2 a is arranged in a box-shaped package 3. For example, laser diode 2
Is installed on the inner floor surface 31 of the package 6 via the submount 21 serving as a heat sink, the chip carrier 3 serving as the first carrier, the L-shaped carrier 4 serving as the second carrier, and the Peltier element 5 serving as the cooling means. ing. The Peltier element 5 is a cooling member that absorbs heat by thermoelectric cooling, and absorbs ambient heat when supplied with a predetermined current to exert a cooling effect. It is fixed to 31.

【0014】L型キャリア4は、図1に示すように、チ
ップキャリア3、コリメートレンズ61、フォトダイオ
ード62を取り付けるための部材であって、ほぼ直交す
る水平部41と垂直部42を有しており、その垂直部4
2を光ファイバ81側に位置させてペルチェ素子5上に
固着されている。垂直部42には、それを貫通する方向
にレーザ光2aの射出孔42aが開設されており、その
射出孔42aの開設方向の延長上にコリメートレンズ6
1が取り付けられている。このコリメートレンズ61に
より射出孔42aを貫通するレーザ光2aが光ファイバ
81に向けて集束されることとなる。一方、L型キャリ
ア4の水平部41には、垂直部42から距離をおいてフ
ォトダイオード62が配置されており、このフォトダイ
オード62の受光信号を計測することによりレーザダイ
オード2のレーザ光2aの出力状態を検知できるように
なっている。
As shown in FIG. 1, the L-shaped carrier 4 is a member for mounting the chip carrier 3, the collimating lens 61, and the photodiode 62, and has a horizontal portion 41 and a vertical portion 42 which are substantially orthogonal to each other. Cage, vertical part 4
2 is positioned on the optical fiber 81 side and fixed onto the Peltier element 5. An emission hole 42a for the laser beam 2a is formed in the vertical portion 42 in a direction penetrating the vertical portion 42, and the collimator lens 6 is provided on the extension of the emission hole 42a in the opening direction.
1 is attached. The laser beam 2a penetrating the emission hole 42a is focused by the collimator lens 61 toward the optical fiber 81. On the other hand, in the horizontal portion 41 of the L-shaped carrier 4, a photodiode 62 is arranged at a distance from the vertical portion 42, and by measuring a light reception signal of the photodiode 62, the laser light 2a of the laser diode 2 is detected. The output status can be detected.

【0015】また、図1に示すように、L型キャリア4
における垂直部42とフォトダイオード62の間の水平
部41上には、チップキャリア3が配置されている。す
なわち、L型キャリア4の水平部41と垂直部42の内
表面がチップキャリア3を半田付けするための設置面と
なっており、チップキャリア3の側面32が垂直部42
の表面と当接し、チップキャリア3の底面31が水平部
41の表面と当接した状態で、L型キャリア4上にチッ
プキャリア3が半田付けされている。このチップキャリ
ア3は、レーザダイオード2を所定位置に配置するため
のスペーサとして機能し、かつ、レーザダイオード2が
発する熱を拡散するためのヒートシンクとして機能する
ものであって、熱伝導性及び精密加工性に優れる素材に
より形成され、例えば、金属製のものが採用される。
Further, as shown in FIG.
The chip carrier 3 is arranged on the horizontal portion 41 between the vertical portion 42 and the photodiode 62 in FIG. That is, the inner surfaces of the horizontal portion 41 and the vertical portion 42 of the L-shaped carrier 4 are installation surfaces for soldering the chip carrier 3, and the side surface 32 of the chip carrier 3 is the vertical portion 42.
The chip carrier 3 is soldered onto the L-shaped carrier 4 with the bottom surface 31 of the chip carrier 3 in contact with the surface of the horizontal portion 41. The chip carrier 3 functions as a spacer for disposing the laser diode 2 at a predetermined position and also as a heat sink for diffusing heat generated by the laser diode 2, and has thermal conductivity and precision processing. It is formed of a material having excellent properties, and for example, a metal material is adopted.

【0016】ここで、L型キャリア4とチップキャリア
3の構造について説明すると、図2のように、L型キャ
リア4の水平部41と垂直部42の内側境界部には半田
材7の逃し部である凹溝43が設けられ、チップキャリ
ア3の側面32と底面31との角部には半田材7の逃し
部である面取り部33が設けられており、チップキャリ
ア3をL型キャリア4上に半田付けする際に余分な半田
材7がそれらの面取り部33、凹溝43に沿って排出さ
れる構造となっている。凹溝43は、断面凹形の溝であ
って、水平部41と垂直部42の内側境界部に沿って形
成されている。凹溝43の溝幅、深度及び断面形状は、
余分な半田材7の排出が可能なように、チップキャリア
3の寸法や使用する半田材7の材質などに応じて適宜設
定すればよい。また、面取り部33は、チップキャリア
3の側面32と底面31の角部を削り取ることにより形
成されており、その面取り部33の形成寸法は、凹溝4
3と同様に、余分な半田材7の排出が可能なように、チ
ップキャリア3の寸法や使用する半田材7の材質などに
応じて適宜設定すればよい。なお、チップキャリア3に
おける逃し部は、前述の面取り部33のように直線状に
チップキャリア3の角部を削り取ったものに限られるも
のではなく、チップキャリア3の角部に沿って刻設され
る断面凹状の凹溝であってもよい。
Here, the structure of the L-type carrier 4 and the chip carrier 3 will be described. As shown in FIG. 2, the escape portion of the solder material 7 is provided at the inner boundary between the horizontal portion 41 and the vertical portion 42 of the L-type carrier 4. Is provided, and a chamfered portion 33, which is a relief portion of the solder material 7, is provided at a corner between the side surface 32 and the bottom surface 31 of the chip carrier 3, so that the chip carrier 3 is placed on the L-shaped carrier 4. Excessive solder material 7 is discharged along the chamfered portion 33 and the concave groove 43 when soldering is performed. The concave groove 43 is a groove having a concave cross section and is formed along the inner boundary portion between the horizontal portion 41 and the vertical portion 42. The groove width, depth and sectional shape of the concave groove 43 are
It may be appropriately set in accordance with the dimensions of the chip carrier 3 and the material of the solder material 7 to be used so that the excess solder material 7 can be discharged. Further, the chamfered portion 33 is formed by scraping off the corners of the side surface 32 and the bottom surface 31 of the chip carrier 3.
As in the case of No. 3, it may be appropriately set depending on the dimensions of the chip carrier 3 and the material of the solder material 7 used so that the excess solder material 7 can be discharged. The relief portion of the chip carrier 3 is not limited to the one obtained by cutting off the corner portion of the chip carrier 3 linearly like the chamfered portion 33 described above, and is provided along the corner portion of the chip carrier 3. It may be a groove having a concave cross section.

【0017】チップキャリア3上には、サブマウント2
1が固着されており、そのサブマウント21上にレーザ
ダイオード2が直接取り付けられている。このサブマウ
ント21は、チップキャリア3と同様に、レーザダイオ
ード2を所定位置に配置するためのスペーサとして機能
し、かつ、レーザダイオード2が発する熱を拡散するた
めのヒートシンクとして機能するものであって、熱伝導
性及び精密加工性に優れる素材により形成される。ま
た、このサブマウント21は、レーザダイオード2がL
型キャリア4の射出孔42aの開設方向の延長上に位置
するように配置される。
The sub-mount 2 is mounted on the chip carrier 3.
1 is fixed, and the laser diode 2 is directly mounted on the submount 21. Like the chip carrier 3, the submount 21 functions as a spacer for disposing the laser diode 2 at a predetermined position and as a heat sink for diffusing heat generated by the laser diode 2. , Formed of a material having excellent thermal conductivity and precision workability. In addition, in this submount 21, the laser diode 2 is L
The mold carrier 4 is arranged so as to be located on the extension of the injection hole 42a in the opening direction.

【0018】レーザダイオード2は、光の発生及び増幅
を行う活性領域を有し、その活性領域を挟んだ相対向す
る端面が高い光反射率を有する反射面となって共振器を
形成しており、活性領域へ電流が注入されることにより
光を発生し、その光を共振器で反射して増幅させ、一方
の端面からレーザ光2aを射出するものである。このレ
ーザダイオード2としては、例えば、InPからなるク
ラッド層の間にInGaAsPからなる活性領域が配設
されたInGaAsP/InPのダブルヘテロ構造体の
ものが採用される。
The laser diode 2 has an active region for generating and amplifying light, and opposite end faces sandwiching the active region serve as reflecting faces having a high light reflectance to form a resonator. Light is generated by injecting a current into the active region, the light is reflected by the resonator to be amplified, and the laser light 2a is emitted from one end surface. As the laser diode 2, for example, an InGaAsP / InP double heterostructure in which an active region made of InGaAsP is disposed between cladding layers made of InP is adopted.

【0019】一方、パッケージ6の側壁には、ハーメチ
ックガラス82が取り付けられ、レーザダイオード2か
ら射出され射出孔42a、コリメートレンズ61を透過
したレーザ光2aがそのハーメチックガラス82を通じ
てパッケージ6外へ出射できるようになっている。ま
た、パッケージ6外には光ファイバ81が配設され、ハ
ーメチックガラス82から射出されたレーザ光2aがア
イソレータ83、第二レンズ84を透過しフェルール8
5内の光ファイバ81を通じて出力されるようになって
いる。
On the other hand, a hermetic glass 82 is attached to the side wall of the package 6, and the laser light 2a emitted from the laser diode 2 and passing through the emission hole 42a and the collimating lens 61 can be emitted to the outside of the package 6 through the hermetic glass 82. It is like this. Further, an optical fiber 81 is arranged outside the package 6, and the laser light 2 a emitted from the hermetic glass 82 passes through the isolator 83 and the second lens 84 and the ferrule 8.
5 is output through the optical fiber 81.

【0020】次に半導体レーザモジュール1の製造工程
について説明する。
Next, the manufacturing process of the semiconductor laser module 1 will be described.

【0021】図1において、先ず、L型キャリア4上に
チップキャリア3の固定を行う。その際、チップキャリ
ア3上には、予めサブマウント21を介してレーザダイ
オード2を取り付けておく。チップキャリア3の固定は
半田付けにより行う。その半田付けの工程を詳説する
と、図2に示すように、加熱して流動状となった半田材
7をL型キャリア4の水平部41上に供給する。その供
給位置は、水平部41と垂直部42との境界部分であっ
てもよい。そして、半田材7が供給されたL型キャリア
4上へチップキャリア3を押し当てる。すなわち、L型
キャリア4の水平部41にチップキャリア3の底面31
が当接し、垂直部42にチップキャリア3の側面32が
当接して、その水平部41と垂直部42の内隅部分にチ
ップキャリア3が配置されるように、チップキャリア3
を移動させる。
In FIG. 1, first, the chip carrier 3 is fixed onto the L-shaped carrier 4. At this time, the laser diode 2 is previously mounted on the chip carrier 3 via the submount 21. The chip carrier 3 is fixed by soldering. The step of soldering will be described in detail. As shown in FIG. 2, the solder material 7 which is heated and fluidized is supplied onto the horizontal portion 41 of the L-shaped carrier 4. The supply position may be a boundary portion between the horizontal portion 41 and the vertical portion 42. Then, the chip carrier 3 is pressed onto the L-shaped carrier 4 to which the solder material 7 has been supplied. That is, the bottom surface 31 of the chip carrier 3 is attached to the horizontal portion 41 of the L-shaped carrier 4.
And the side surface 32 of the chip carrier 3 comes into contact with the vertical portion 42 so that the chip carrier 3 is arranged at the inner corner portions of the horizontal portion 41 and the vertical portion 42.
To move.

【0022】すると、図3のように、L型キャリア4の
水平部41上の半田材7は、移動するチップキャリア3
の底面31との間に挟まれて、その水平部41に沿って
広がっていく。そして、垂直部42側へ広がった半田材
7は、垂直部42に到達すると、その垂直部42に沿っ
て上方へ広がっていく。その際、水平部41と垂直部4
2との境界部分には、L型キャリア4の凹溝43とチッ
プキャリア3の面取り部33による空間が形成されてい
るので、その空間を通じてチップキャリア3の固定にお
いて余分な半田材7が排出されることとなる。このた
め、半田材7が垂直部42に沿った移動が抑制され、レ
ーザダイオード2が配置される位置まで達することはな
い。そして、チップキャリア3をL型キャリア4の水平
部41と垂直部42の内隅部分に密着させ、半田材7の
硬化によりチップキャリア3が正確な位置に固定される
こととなる。
Then, as shown in FIG. 3, the solder material 7 on the horizontal portion 41 of the L-shaped carrier 4 moves to the moving chip carrier 3
It is sandwiched between the bottom surface 31 and the bottom surface 31, and spreads along the horizontal portion 41. When the solder material 7 that has spread to the vertical portion 42 side reaches the vertical portion 42, it spreads upward along the vertical portion 42. At that time, the horizontal portion 41 and the vertical portion 4
Since a space is formed at the boundary between the chip carrier 3 and the concave groove 43 of the L-shaped carrier 4 and the chamfered portion 33 of the chip carrier 3, excess solder material 7 is discharged through the space when fixing the chip carrier 3. The Rukoto. Therefore, the solder material 7 is prevented from moving along the vertical portion 42 and does not reach the position where the laser diode 2 is arranged. Then, the chip carrier 3 is brought into close contact with the inner corner portions of the horizontal portion 41 and the vertical portion 42 of the L-shaped carrier 4, and the chip carrier 3 is fixed at an accurate position by curing the solder material 7.

【0023】そして、図1のように、チップキャリア3
を固定したL型キャリア4にコリメートレンズ61、フ
ォトダイオード62を取り付けた後、そのL型キャリア
4をパッケージ1内のペルチェ素子5上へ取り付ける。
また、パッケージ6へのL型キャリア4の取付後もしく
は取付前に、パッケージ6にレーザ光2aの射出窓とな
るハーメチックガラス82を取り付ける。そして、その
ハーメチックガラス82の位置にレーザ光2aの光軸に
合わせてアイソレータ83、第二レンズ84、光ファイ
バ81を取り付けて、半導体レーザモジュール1の製造
を完了する。
Then, as shown in FIG. 1, the chip carrier 3
After the collimator lens 61 and the photodiode 62 are attached to the L-shaped carrier 4 in which is fixed, the L-shaped carrier 4 is attached onto the Peltier element 5 in the package 1.
Further, after the L-shaped carrier 4 is attached to the package 6 or before the attachment, a hermetic glass 82 serving as an emission window of the laser light 2a is attached to the package 6. Then, the isolator 83, the second lens 84, and the optical fiber 81 are attached to the position of the hermetic glass 82 in alignment with the optical axis of the laser light 2a, and the manufacturing of the semiconductor laser module 1 is completed.

【0024】このような半導体レーザモジュール1によ
れば、チップキャリア3をL型キャリア4に半田付けす
る際に、余分な半田材7が凹溝43、面取り部33を通
じて所定の方向へ排出されるから、余分な半田材7のレ
ーザダイオード2側への流動を回避できる。このため、
半田材7がレーザダイオード2の電極部分やレーザ光2
aの出射経路へ流動することによりレーザ光2aの出力
が不安定になったり出力不能になったりすることがな
く、作動信頼性が向上する。また、チップキャリア3の
固定に使用する半田材7の使用量を微妙に調整する必要
がなく、確実にチップキャリア3を固定でき、チップキ
ャリア3の取付作業性に優れている。また、L型キャリ
ア4、チップキャリア3の角部分に凹溝43、面取り部
33が形成されているから、余分な半田材7の排出効率
に優れており確実に半田材7を排出できる。更に、チッ
プキャリア3の設置面がパッケージ6と別個のL型キャ
リア4に形成されているから、パッケージ6内に設けら
れるべき凹溝43の形成が容易である。
According to such a semiconductor laser module 1, when soldering the chip carrier 3 to the L-shaped carrier 4, the excess solder material 7 is discharged in a predetermined direction through the groove 43 and the chamfered portion 33. Therefore, it is possible to prevent excess solder material 7 from flowing to the laser diode 2 side. For this reason,
The solder material 7 is the electrode portion of the laser diode 2 or the laser light 2
The output of the laser beam 2a does not become unstable or cannot be output due to the flow to the emission path of a, and the operation reliability is improved. Further, it is not necessary to finely adjust the usage amount of the solder material 7 used for fixing the chip carrier 3, the chip carrier 3 can be reliably fixed, and the workability of mounting the chip carrier 3 is excellent. Further, since the concave groove 43 and the chamfered portion 33 are formed in the corner portions of the L-shaped carrier 4 and the chip carrier 3, the excess solder material 7 is discharged efficiently, and the solder material 7 can be discharged reliably. Further, since the installation surface of the chip carrier 3 is formed on the L-shaped carrier 4 which is separate from the package 6, it is easy to form the concave groove 43 to be provided in the package 6.

【0025】次に半導体レーザモジュール1のその他種
々の実施形態について説明する。
Next, various other embodiments of the semiconductor laser module 1 will be described.

【0026】前述の半導体レーザモジュール1におい
て、L型キャリア4の凹溝43は、水平部41と垂直部
42の境界部分の位置以外に設けられていてもよい。例
えば、水平部41又は垂直部42における内隅から離れ
た途中位置に凹溝43が設けられていてもよい。また、
チップキャリア3の面取り部33は、底面31と側面3
2との角部以外に設けられていてもよい。その際、断面
凹状の溝形状とすればよい。このような半導体レーザモ
ジュールであっても、余分な半田材7が自由に流動する
のを規制すること可能である。従って、前述同様に、レ
ーザ出力における作動信頼性、チップキャリア3の取付
作業性の向上が図れる。
In the semiconductor laser module 1 described above, the concave groove 43 of the L-shaped carrier 4 may be provided at a position other than the position of the boundary between the horizontal portion 41 and the vertical portion 42. For example, the recessed groove 43 may be provided at an intermediate position apart from the inner corner of the horizontal portion 41 or the vertical portion 42. Also,
The chamfered portion 33 of the chip carrier 3 includes a bottom surface 31 and a side surface 3.
It may be provided at a position other than the corner with 2. At that time, the groove may have a concave cross section. Even with such a semiconductor laser module, it is possible to control the excess solder material 7 from freely flowing. Therefore, similarly to the above, it is possible to improve the operational reliability of the laser output and the workability of mounting the chip carrier 3.

【0027】また、前述の半導体レーザモジュール1に
おいて、L型キャリア4の凹溝43又はチップキャリア
3の面取り部33のいずれか一方の形成を省略してもよ
い。すなわち、L型キャリア4の凹溝43又はチップキ
ャリア3の面取り部33のいずれか一方のみを設けるこ
とにより、チップキャリア3の半田付け時の余分な半田
材7の排出経路を形成してもよい。このような場合であ
っても、前述同様に、レーザ出力における作動信頼性、
チップキャリア3の取付作業性の向上が図れる。
In the semiconductor laser module 1 described above, the formation of either the concave groove 43 of the L-shaped carrier 4 or the chamfered portion 33 of the chip carrier 3 may be omitted. That is, by providing only one of the concave groove 43 of the L-shaped carrier 4 and the chamfered portion 33 of the chip carrier 3, a discharge path for the extra solder material 7 when soldering the chip carrier 3 may be formed. . Even in such a case, as described above, the operational reliability of the laser output,
The workability of attaching the chip carrier 3 can be improved.

【0028】また、前述の半導体レーザモジュール1に
おいて、チップキャリア3の設置面はL型キャリア4以
外に設けられていてもよい。その際、チップキャリア3
の設置面が水平部と垂直部からなる直角面でなく、単な
る平面状であってもよい。例えば、チップキャリア3の
設置面が、パッケージ3の内床面31上に形成され、ま
た、その他パッケージ3内に配設される部材の表面に形
成されている場合などであってもよく、その場合、チッ
プキャリア3に面取り部33が形成され、又はその設置
面に凹溝43が形成されていれば、前述同様に、レーザ
出力における作動信頼性、チップキャリア3の取付作業
性の向上を図ることが可能である。
In the above-mentioned semiconductor laser module 1, the chip carrier 3 may be provided on a surface other than the L-shaped carrier 4. At that time, chip carrier 3
The installation surface of is not a right-angled surface composed of a horizontal portion and a vertical portion, but may be a simple flat surface. For example, the installation surface of the chip carrier 3 may be formed on the inner floor surface 31 of the package 3, or may be formed on the surface of the other members arranged in the package 3. In this case, if the chamfered portion 33 is formed on the chip carrier 3 or the recessed groove 43 is formed on the installation surface thereof, the operational reliability in laser output and the workability of mounting the chip carrier 3 are improved as described above. It is possible.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。すなわち、第一キャ
リアの表面又はその第一キャリアの設置面のいずれか一
方若しくは双方に逃し部が設けられていることにより、
第一キャリアを設置面に半田付けするとき、余分な半田
材が逃し部に沿って排出されるので、その余分な半田材
が半導体レーザ側へ流出してレーザ光の出力に影響を与
えることはない。このため、半導体レーザの発振不良を
防止でき、所望のレーザ光を確実に出力することができ
る。また、第一キャリアを設置面に半田付けするとき、
半田材の使用量を微妙に調整することなく半田付けが可
能である。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. That is, by providing the escape portion on either or both of the surface of the first carrier or the installation surface of the first carrier,
When soldering the first carrier to the installation surface, the excess solder material is discharged along the escape portion, so that the excess solder material does not flow out to the semiconductor laser side and affect the laser light output. Absent. Therefore, the oscillation failure of the semiconductor laser can be prevented, and desired laser light can be surely output. Also, when soldering the first carrier to the installation surface,
Soldering is possible without finely adjusting the amount of solder material used.

【0030】また、第一キャリアを水平部及び垂直部か
らなる設置面に半田付けする際に、その水平部と垂直部
との内側境界部に沿って逃し部が設けられ、または、そ
の第一キャリアの底面と側面との境界部に沿って逃し部
が設けられることにより、第一キャリアがその設置面に
半田付けされるとき、余分な半田材をその逃し部に溜め
て確実に所望の方向へ排出できる。
Further, when the first carrier is soldered to the installation surface composed of the horizontal portion and the vertical portion, the relief portion is provided along the inner boundary portion between the horizontal portion and the vertical portion, or the first portion thereof is provided. By providing the relief portion along the boundary between the bottom surface and the side surface of the carrier, when the first carrier is soldered to the installation surface, excess solder material is collected in the relief portion to ensure the desired direction. Can be discharged to.

【0031】更に、第一キャリアの設置面がパッケージ
内に固定される第二キャリアの表面に設けられることに
より、逃し部が設けられる設置面がパッケージと別体と
なるから、逃し部の形成が容易となる。
Further, since the installation surface of the first carrier is provided on the surface of the second carrier fixed in the package, the installation surface on which the escape portion is provided is separate from the package, so that the escape portion can be formed. It will be easy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体レーザモジュールの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser module.

【図2】半導体レーザモジュールにおける逃し部の説明
図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a relief portion in the semiconductor laser module.

【図3】半導体レーザモジュールにおける製造工程の説
明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing process in a semiconductor laser module.

【図4】従来の半導体レーザモジュールの説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory view of a conventional semiconductor laser module.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザモジュール、2…レーザダイオード
(半導体レーザ) 3…チップキャリア(第一キャリア)、4…L型キャリ
ア(第二キャリア) 6…パッケージ、7…半田材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser module, 2 ... Laser diode (semiconductor laser) 3 ... Chip carrier (first carrier), 4 ... L-type carrier (second carrier) 6 ... Package, 7 ... Solder material

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザチップが搭載される第一キ
ャリアと、その第一キャリアを半田付けにより固定する
ための設置面とを単一のパッケージ内に備えた半導体レ
ーザモジュールにおいて、 前記設置面又は前記第一キャリアの表面のいずれか一方
若しくは双方に、余分な半田材を所定の方向へ流出させ
る逃し部を備えていることを特徴とする半導体レーザモ
ジュール。
1. A semiconductor laser module comprising a first carrier on which a semiconductor laser chip is mounted and an installation surface for fixing the first carrier by soldering in a single package, wherein the installation surface or A semiconductor laser module, characterized in that either or both of the surfaces of the first carrier are provided with escape portions for allowing excess solder material to flow out in a predetermined direction.
【請求項2】 前記設置面の逃し部は、前記第一キャリ
アの底面及び側面にそれぞれ嵌合する水平部と垂直部と
の境界部に沿って設けられていることを特徴とする請求
項1に記載の半導体レーザモジュール。
2. The escape portion of the installation surface is provided along a boundary portion between a horizontal portion and a vertical portion, which are fitted to the bottom surface and the side surface of the first carrier, respectively. The semiconductor laser module described in 1.
【請求項3】 前記第一キャリアの逃し部は、前記底面
と前記側面との境界部に沿って設けられていることを特
徴とする請求項2に記載の半導体レーザモジュール。
3. The semiconductor laser module according to claim 2, wherein the escape portion of the first carrier is provided along a boundary portion between the bottom surface and the side surface.
【請求項4】 前記設置面が前記パッケージ内に固定さ
れた第二キャリアの表面に設けられていることを特徴と
する請求項1から3までのいずれかに記載の半導体レー
ザモジュール。
4. The semiconductor laser module according to claim 1, wherein the installation surface is provided on a surface of a second carrier fixed in the package.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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