JPH09185332A - Display device - Google Patents

Display device

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Publication number
JPH09185332A
JPH09185332A JP35266395A JP35266395A JPH09185332A JP H09185332 A JPH09185332 A JP H09185332A JP 35266395 A JP35266395 A JP 35266395A JP 35266395 A JP35266395 A JP 35266395A JP H09185332 A JPH09185332 A JP H09185332A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light emitting
display device
electrode
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35266395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaharu Shiotani
雅治 塩谷
Tomoyuki Shirasaki
友之 白嵜
Hiroyasu Yamada
裕康 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP35266395A priority Critical patent/JPH09185332A/en
Priority to DE69614370T priority patent/DE69614370T2/en
Priority to PCT/JP1996/003802 priority patent/WO1997024907A1/en
Priority to KR1019970706041A priority patent/KR100267700B1/en
Priority to US08/774,162 priority patent/US6091382A/en
Priority to EP96946374A priority patent/EP0812526B1/en
Priority to CN96192258A priority patent/CN1176732A/en
Priority to TW85116269A priority patent/TW402693B/en
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the display device which has a large opening ratio and excellent driving characteristics and is easily increased in screen size and definition and low in manufacturing cost. SOLUTION: A liquid crystal display element 13 to which a photoconductive layer 29 generating electric charges in the light emission area of signal line to a driving electrode is joined is arranged in front of an address optical element 12 which is provided with a group of row electrodes 16 on one surface of a light emission layer 19 emitting light in a specific wavelength region and a group of column electrodes 20 on the other surface and emits the signal light at a specific address by scanning those electrodes. While the signal light is made incident on the photoconductive layer 29, liquid crystal 25 is driven. Consequently, the electrodes of the address optical element 12 and the electrodes of the liquid crystal display element 13 are simplified in structure and the display device which has the high opening ratio and high performance and is low in manufacturing cost can be provided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、アドレス光素子
およびそれを備えた表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an address light element and a display device including the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、CRTに代わるフラットディスプ
レイとしては、薄膜トランジスタ(TFT)を用いたア
クティブマトリクス方式の液晶ディスプレイ(AM−L
CD)が表示品質の点でCRTを凌ぐ面もあり、期待も
大きくなっている。このAM−LCDは、3端子素子で
ある薄膜トランジスタを画素ごとに設けたものであり、
周知の通り、ガラス基板などの上に、ゲート電極、補助
容量、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース・ドレイン電
極、画素電極などを、成膜工程、フォトリソグラフィー
工程並びにエッチング工程などの膨大な工程を経て製造
されている。また、スイッチング素子としてのMIM
(metal insulator metal)素子を画素ごとに設けたア
クティブマトリクス方式の液晶ディスプレイも実現され
ている。
2. Description of the Related Art In recent years, as a flat display replacing an CRT, an active matrix type liquid crystal display (AM-L) using thin film transistors (TFTs) is used.
CD) is superior to CRT in terms of display quality, and expectations are high. This AM-LCD has a thin film transistor, which is a three-terminal element, provided for each pixel.
As is well known, a huge number of steps such as a film forming process, a photolithography process, and an etching process are performed on a glass substrate or the like to form a gate electrode, an auxiliary capacitor, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source / drain electrode, a pixel electrode, and the like. It has been manufactured through. In addition, MIM as a switching element
An active matrix liquid crystal display in which a (metal insulator metal) element is provided for each pixel has also been realized.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜ト
ランジスタをスイッチング素子として用いる液晶ディス
プレイでは、上記したように、構成の複雑さに起因して
製造工程が多くなり、そのためコストが高くなるという
問題がある。特に、画素数が多くなるに従い歩留まりが
著しく悪化するため、大面積のディスプレイを製造する
場合に、そのコストの増大が大きな問題となっている。
また、画素電極ごとに薄膜トランジスタを設けること
や、補助容量を画素電極に重ねて形成することに起因し
て、開口率が60〜80%程度と低いものであった。さ
らに、TFT基板では、各種材料膜の成膜温度が250
℃以上になるため、フィルム基板を用いてLCDを製造
することができないなどの問題があった。
However, in the liquid crystal display using the thin film transistor as a switching element, as described above, there is a problem in that the number of manufacturing steps is increased due to the complexity of the structure, and thus the cost is increased. In particular, as the number of pixels increases, the yield significantly deteriorates, and therefore, when manufacturing a large-area display, an increase in cost is a big problem.
In addition, the aperture ratio was as low as about 60 to 80% due to the provision of the thin film transistor for each pixel electrode and the formation of the auxiliary capacitance on the pixel electrode. Further, in the TFT substrate, the film forming temperature of various material films is 250.
Since the temperature is higher than 0 ° C., there is a problem that an LCD cannot be manufactured using a film substrate.

【0004】また、MIM素子を用いたLCDでは、製
造コストがTFTより安くなる利点を有するものの、大
面積化に伴いその歩留まりが悪化するため、やはりコス
トが増大するという問題がある。さらに、MIM素子を
用いたLCDにおいても、画素電極ごとにMIM素子を
設けるものであるため、その開口率は80〜85%程度
と低く、開口率の向上を図る必要があった。
In addition, the LCD using the MIM element has an advantage that the manufacturing cost is lower than that of the TFT, but the yield is deteriorated as the area is increased, so that there is a problem that the cost is also increased. Further, even in the LCD using the MIM element, since the MIM element is provided for each pixel electrode, the aperture ratio is as low as about 80 to 85%, and it is necessary to improve the aperture ratio.

【0005】この発明が解決しようとする課題は、製造
コストが低く、開口率が高く、駆動特性が良好で、大画
面化並びに高精細化が容易で、さらには低電圧駆動化や
低消費電力化を同時に実現する表示装置を得るにはどの
ような手段を講じればよいかという点にある。また、こ
の発明が解決しようとする他の課題は、表示装置をフィ
ルム基板化して薄型化、軽量化を図ると共に、可撓性を
有する表示装置を得るにはどのような手段を講じればよ
いかという点にある。
The problem to be solved by the present invention is that the manufacturing cost is low, the aperture ratio is high, the driving characteristics are good, and it is easy to achieve a large screen and high definition, and further low voltage driving and low power consumption. What kind of means should be taken to obtain a display device that simultaneously realizes the conversion? Further, another problem to be solved by the present invention is to make a display device a film substrate to reduce the thickness and weight, and what means should be taken to obtain a flexible display device. There is a point.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
各々所定電圧が印加されることにより所定波長域の信号
光を発生させる発光領域がマトリクス状に形成された発
光素子と、前記発光素子からの信号光を受光した領域が
電荷を発生する光導電層を有し、かつ前記光導電層の電
荷が発生された領域に対応して駆動表示される表示素子
と、を備えたことを特徴としている。
According to the first aspect of the present invention,
A light-emitting element in which light-emitting regions for generating signal light in a predetermined wavelength region are formed in a matrix by applying a predetermined voltage, respectively, and a photoconductive layer in which regions receiving the signal light from the light-emitting device generate electric charges. And a display element that is driven and displayed in correspondence with the region of the photoconductive layer in which electric charges are generated.

【0007】請求項1記載の発明においては、マトリク
ス状に形成された発光領域が所定電圧が印加されること
により所定波長域の信号光を発生させ、この信号光が表
示素子の光導電層に入射する。信号光を受光した光導電
層の領域では、電荷が発生する。表示素子は、光導電層
の電荷が発生した領域に対応して駆動表示される。
According to the first aspect of the invention, the light emitting regions formed in a matrix form a signal light in a predetermined wavelength range by applying a predetermined voltage, and the signal light is applied to the photoconductive layer of the display element. Incident. Electric charges are generated in the region of the photoconductive layer that receives the signal light. The display element is driven and displayed in correspondence with the region of the photoconductive layer where the charge is generated.

【0008】請求項2記載の発明は、前記発光素子が、
前記所定波長域の信号光を発生させる発光層と、前記信
号光に対し透過性を有し前記発光層の一方の面に第1の
方向に並んで配列された複数の第1電極と、前記発光層
の他方の面に前記第1の方向と異なる第2の方向に、前
記発光層を介して第1電極と互いにマトリクス状に交差
するように並んで配列された複数の第2電極と、を有す
ることを特徴としている。
According to a second aspect of the invention, the light emitting element is
A light emitting layer that generates signal light in the predetermined wavelength range; a plurality of first electrodes that are transparent to the signal light and that are arranged side by side in a first direction on one surface of the light emitting layer; A plurality of second electrodes arranged on the other surface of the light emitting layer in a second direction different from the first direction so as to intersect with the first electrode via the light emitting layer in a matrix pattern; It is characterized by having.

【0009】請求項2記載の発明においては、発光層を
介してその両側に形成された第1電極と第2電極とがそ
れぞれ他方の面側の電極と発光層を介して交差する電極
群であるため、両側のそれぞれの電極群の中から電極を
選択して所定電圧を印加することにより、発光層にマト
リクス状に形成された発光領域のうちの任意の発光領域
から信号光を発光させることができる。また、発光層の
両側の第1電極と第2電極は、それぞれ所定の方向に並
んで配列された構造であるため、その形成工程が容易と
なる。さらに、信号光に対し透過性を有する電極とした
ことにより、信号光を表示素子側へ照射することが可能
となる。
According to another aspect of the present invention, there is provided an electrode group in which the first electrode and the second electrode formed on both sides of the light emitting layer via the light emitting layer intersect with the electrode on the other surface side via the light emitting layer. Therefore, by selecting an electrode from each of the electrode groups on both sides and applying a predetermined voltage, the signal light is emitted from an arbitrary light emitting region among the light emitting regions formed in a matrix in the light emitting layer. You can Further, since the first electrode and the second electrode on both sides of the light emitting layer are arranged side by side in a predetermined direction, the forming process thereof becomes easy. Furthermore, by using an electrode that is transparent to the signal light, it becomes possible to irradiate the signal light to the display element side.

【0010】請求項3記載の発明は、前記発光素子にお
いて、その第1電極及び第2電極のうちの一方がアノー
ド電極で、他方がカソード電極であり、前記アノード電
極と前記カソード電極との間に、電圧が印加されること
により信号光を発光する発光層を有する電界発光素子で
あることを特徴としている。また、請求項4記載の発明
は、前記発光素子の発光層が、有機化合物からなること
を特徴としている。さらに、請求項5記載の発明は、前
記発光素子の発光層が、ポリビニルカルバゾールと2,5
−ビス(1−ナフチル)−オキサジアゾールとからなる
第1有機膜と、トリス(8−キノリレート)アルミニウ
ム錯体からなる第2有機膜と、からなることを特徴とし
ている。
According to a third aspect of the present invention, in the light emitting element, one of the first electrode and the second electrode is an anode electrode and the other is a cathode electrode, and the one between the anode electrode and the cathode electrode. In addition, the electroluminescent device is characterized by having a light emitting layer that emits signal light when a voltage is applied. The invention according to claim 4 is characterized in that the light emitting layer of the light emitting element is made of an organic compound. Further, in the invention according to claim 5, the light emitting layer of the light emitting device comprises polyvinylcarbazole and 2,5
It is characterized by comprising a first organic film made of -bis (1-naphthyl) -oxadiazole and a second organic film made of tris (8-quinolylate) aluminum complex.

【0011】請求項3〜請求項5記載の発明において
は、発光層が電圧印加により発光する電界発光層である
ため、発光層を第1電極と第2電極とで挟む構造であ
り、発光素子の製造が容易であると共に、電界発光層の
材料固有の発光波長域を有している。特に、請求項5記
載の発明においては、ポリビニルカルバゾール(PVC
z)と2,5-ビス(1−ナフチル)−オキサジアゾール
(BND)とからなる第1有機膜と、トリス(8−キノ
リレート)アルミニウム錯体(Alq3)からなる第2
有機膜と、からなる構成としたため、第2有機膜を構成
するAlq3が電子輸送性材料として働き、第1有機膜
を構成するBNDが電子輸送性材料として働く。また、
第1有機膜を構成するPVCzは正孔輸送性材料として
働く。さらに、第1有機膜中の電子輸送性材料であるB
NDは、正孔輸送性材料より第2有機膜からの電子注入
エネルギー障壁が低く、正孔輸送性材料は、電子輸送性
材料であるBNDよりアノード側の電極からの正孔注入
エネルギー障壁が低くなる。このため、第1の有機膜と
第2の有機膜との界面では、電子と正孔との再結合が起
こり、ここでエレクトロルミネセンス(EL)現象を生
じて所定の波長域(紫外光波長域)の発光を起こす。ま
た、上記したように、電子注入エネルギー障壁と正孔注
入エネルギー障壁が小さいため、低電力発光が可能とな
る。さらに、請求項2及び請求項3記載の発明において
は、有機化合物を発光層としているため、軽量で厚さが
薄く、しかも可撓性を有する発光素子を実現することが
可能となる。
In the inventions according to claims 3 to 5, since the light emitting layer is an electroluminescent layer which emits light when a voltage is applied, it has a structure in which the first electrode and the second electrode sandwich the light emitting layer. Is easy to manufacture and has an emission wavelength range peculiar to the material of the electroluminescent layer. Particularly, in the invention described in claim 5, polyvinylcarbazole (PVC
z) and a 1,5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole (BND) first organic film, and a second tris (8-quinolylate) aluminum complex (Alq3).
Since it is composed of an organic film, Alq3 forming the second organic film functions as an electron transporting material, and BND forming the first organic film functions as an electron transporting material. Also,
PVCz forming the first organic film functions as a hole transporting material. Further, B, which is an electron transporting material in the first organic film,
ND has a lower electron injection energy barrier from the second organic film than the hole transport material, and the hole transport material has a lower hole injection energy barrier from the anode electrode than the electron transport material BND. Become. For this reason, at the interface between the first organic film and the second organic film, recombination of electrons and holes occurs, whereupon an electroluminescence (EL) phenomenon occurs and a predetermined wavelength range (ultraviolet light wavelength (Area) emits light. Further, as described above, since the electron injection energy barrier and the hole injection energy barrier are small, low power light emission is possible. Furthermore, in the inventions of claims 2 and 3, since the organic compound is used as the light emitting layer, it is possible to realize a light emitting element which is lightweight, thin, and flexible.

【0012】請求項6記載の発明は、前記発光素子の所
定波長域の信号光が、350nm〜400nmの間の波
長域にあることを特徴としている。この発明において
は、信号光が350nm〜400nmの間の紫外光波長
域にあるため、可視光波長域にある、表示素子の表示に
用いられる光により、駆動表示が行われるのを防止する
ことができる。
According to a sixth aspect of the present invention, the signal light in the predetermined wavelength range of the light emitting element is in the wavelength range between 350 nm and 400 nm. In the present invention, since the signal light is in the ultraviolet light wavelength range between 350 nm and 400 nm, it is possible to prevent the drive display from being performed by the light used for the display of the display element in the visible light wavelength range. it can.

【0013】請求項7記載の発明は、前記発光素子の前
記アノード電極及び前記カソード電極が、前記信号光及
び可視光に対し透過性を有することを特徴としている。
この発明においては、アノード電極及びカソード電極
が、発光素子から照射された信号光と、表示光としての
可視光とに対し透過性を有するため、光導電層へ信号光
を到達されると共に、表示素子へ可視光を到達されるこ
とができる。
The invention according to claim 7 is characterized in that the anode electrode and the cathode electrode of the light emitting element are transparent to the signal light and visible light.
In the present invention, since the anode electrode and the cathode electrode are transparent to the signal light emitted from the light emitting element and the visible light as the display light, the signal light can reach the photoconductive layer and the display can be achieved. Visible light can reach the device.

【0014】請求項8記載の発明は、前記カソード電極
が、n型シリコンカーバイド又はn型アモルファスシリ
コンでなることを特徴としている。この発明において
は、カソード電極をこれらの材料で構成することによ
り、カソード電極が、信号光及び可視光に対し透過性を
有するようにすることができる。
The invention according to claim 8 is characterized in that the cathode electrode is made of n-type silicon carbide or n-type amorphous silicon. In the present invention, the cathode electrode can be made transparent to the signal light and the visible light by configuring the cathode electrode with these materials.

【0015】請求項9記載の発明は、前記表示素子が、
各々可視光に対し透過性を有し、かつ互いに対向して配
置された前駆動電極と後駆動電極との間に、液晶及び前
記光導電層が介在されていることを特徴としている。こ
の発明においては、光導電層が透過性を有する電極を介
して信号光を受光することにより、液晶を駆動させるこ
とができる。また、電極を介して表示光が透過できるた
め、液晶駆動に応じた表示を行うことができる。
According to a ninth aspect of the present invention, the display element comprises:
It is characterized in that the liquid crystal and the photoconductive layer are interposed between the front drive electrode and the rear drive electrode, each of which is transparent to visible light and which are arranged to face each other. In the present invention, the liquid crystal can be driven by receiving the signal light through the electrode whose photoconductive layer is transparent. Further, since display light can be transmitted through the electrodes, it is possible to perform display according to liquid crystal driving.

【0016】請求項10記載の発明は、前記前駆動電極
及び前記後駆動電極のうち少なくとも一方が、表示領域
の全域に亙って形成された1枚の電極であることを特徴
としている。この発明では、駆動電極を表示領域の全域
に亙って1枚の電極とするため、パターニング工程を要
せず、製造を容易にすることができる。
According to a tenth aspect of the present invention, at least one of the front drive electrode and the rear drive electrode is a single electrode formed over the entire display area. In the present invention, since the drive electrode is a single electrode over the entire display area, the patterning step is not required and the manufacturing can be facilitated.

【0017】請求項11記載の発明は、前記前駆動電極
及び前記後駆動電極のうちの一方が、前記発光素子から
の信号光に対し透過性を有し、前記光導電層に接合され
ていることを特徴としている。この発明においては、発
光素子からの信号光が透過性を有する電極を介して光導
電層に入射し、光導電層と一方の電極との間の液晶に電
界を印加することができる。
According to an eleventh aspect of the present invention, one of the front drive electrode and the rear drive electrode is transparent to the signal light from the light emitting element and is bonded to the photoconductive layer. It is characterized by that. In the present invention, the signal light from the light emitting element can enter the photoconductive layer through the electrode having transparency, and an electric field can be applied to the liquid crystal between the photoconductive layer and one of the electrodes.

【0018】請求項12記載の発明は、前記光導電層内
に、前記前駆動電極と逆極性の電荷が蓄積されることを
特徴としている。この発明においては、光導電層の、信
号光が入射して電荷が発生した部分と、前駆動電極と、
の間に、液晶を駆動させる電界を印加することができ
る。
The twelfth aspect of the invention is characterized in that charges having a polarity opposite to that of the front drive electrode are accumulated in the photoconductive layer. In the present invention, the portion of the photoconductive layer where the signal light is incident and the charge is generated, the front drive electrode,
An electric field for driving the liquid crystal can be applied during the period.

【0019】請求項13記載の発明は、前記表示素子
が、少なくとも一方が前記発光素子からの信号光に対し
透過性を有し、少なくとも他方が可視光に対し透過性を
有する、アノード電極及びカソード電極を備え、前記ア
ノード電極と前記カソード電極との間に、電圧が印加さ
れることにより401nm〜800nmの間の可視光を
発光する発光層を有する電界発光素子であることを特徴
としている。この発明においては、アノード電極及びカ
ソード電極の一方側から入射する信号光が光導電層に到
達し、表示素子の発光層が可視光を発光した場合に他方
の電極が可視光に対し透過性を有しているため、表示が
可能となる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the display element, at least one of the display element is transparent to the signal light from the light emitting element, and at least the other is transparent to visible light. It is characterized in that it is an electroluminescent device having an electrode and having a light emitting layer which emits visible light between 401 nm and 800 nm when a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode. In this invention, when the signal light incident from one side of the anode electrode and the cathode electrode reaches the photoconductive layer and the light emitting layer of the display element emits visible light, the other electrode is transparent to visible light. Since it has it, it can be displayed.

【0020】請求項14記載の発明は、前記表示素子の
発光層が、有機化合物からなることを特徴としている。
請求項15記載の発明は、前記表示素子の発光層が、ポ
リビニルカルバゾールと2,5−ビス(1−ナフチル)−
オキサジアゾールと401nm〜800nmの間の可視
光を発光する発光材料とからなる第1有機膜と、トリス
(8−キノリレート)アルミニウム錯体からなる第2有
機膜と、からなることを特徴としている。これらの発明
においては、表示素子の発光層が有機化合物からなるた
め、厚さが薄く、軽量で可撓性を有する表示素子とする
ことができる。特に、発光素子が有機電界発光素子であ
るため、極めて薄い構造とすることができ、空間周波数
を維持して表示素子に設けられた光導電層に電荷を発生
させることができる。さらに、発光層が有機化合物で形
成されているため、可視光に対し良好な透過性を有する
発光層とすることができる。このため、この表示素子に
対応する発光素子の発光層にも有機化合物を適用するこ
とにより、薄型、軽量で可撓性を有する表示装置を実現
することができる。また、請求項15記載の発明におい
ては、これらの材料でなる電界発光素子が形成されるた
め、低消費電力で携帯性に優れた表示装置を実現するこ
とができる。
According to a fourteenth aspect of the present invention, the light emitting layer of the display element is made of an organic compound.
According to a fifteenth aspect of the present invention, the light emitting layer of the display element comprises polyvinylcarbazole and 2,5-bis (1-naphthyl)-
It is characterized by comprising a first organic film made of oxadiazole and a light emitting material which emits visible light between 401 nm and 800 nm, and a second organic film made of a tris (8-quinolylate) aluminum complex. In these inventions, since the light emitting layer of the display element is made of an organic compound, the display element can be thin, lightweight and flexible. In particular, since the light emitting element is an organic electroluminescent element, it can have an extremely thin structure and can maintain the spatial frequency to generate charges in the photoconductive layer provided in the display element. Furthermore, since the light emitting layer is formed of an organic compound, it is possible to obtain a light emitting layer having good transparency to visible light. Therefore, by applying the organic compound also to the light emitting layer of the light emitting element corresponding to this display element, a thin, lightweight, and flexible display device can be realized. Further, in the invention according to claim 15, since the electroluminescent element made of these materials is formed, it is possible to realize a display device having low power consumption and excellent portability.

【0021】請求項16記載の発明は、前記表示素子の
前記カソード電極は、前記信号光及び可視光に対し透過
性を有する、n型シリコンカーバイド又はn型アモルフ
ァスシリコンであることを特徴としている。この発明に
おいては、カソード電極が信号光及び可視光に対し透過
性を有するため、光導電層への信号光の入射及び表示素
子から表示光を出射することが可能となる。
According to a sixteenth aspect of the present invention, the cathode electrode of the display element is made of n-type silicon carbide or n-type amorphous silicon which is transparent to the signal light and visible light. In the present invention, since the cathode electrode is transparent to the signal light and the visible light, it is possible to allow the signal light to enter the photoconductive layer and to emit the display light from the display element.

【0022】請求項17記載の発明は、前記光導電層
が、表示領域の全域に亙って形成されていることを特徴
としている。この発明においては、光導電層を1枚の層
で形成するため、表示素子の製造を容易にすることがで
きる。
The seventeenth aspect of the invention is characterized in that the photoconductive layer is formed over the entire display region. In the present invention, since the photoconductive layer is formed of one layer, the display element can be easily manufactured.

【0023】請求項18記載の発明は、前記光導電層
が、酸化亜鉛(ZnO)からなることを特徴としてい
る。この発明においては、酸化亜鉛でなる光導電層が紫
外光により、電荷を発生するため、発光素子から出射さ
せる信号光を紫外光に設定することができる。これによ
り、表示用の光である可視光の入射により、光導電層に
電荷が発生するのを防止することができる。
The invention according to claim 18 is characterized in that the photoconductive layer is made of zinc oxide (ZnO). In the present invention, since the photoconductive layer made of zinc oxide generates charges by ultraviolet light, the signal light emitted from the light emitting element can be set to ultraviolet light. This can prevent charges from being generated in the photoconductive layer due to incidence of visible light, which is light for display.

【0024】請求項19記載の発明は、前記表示素子の
後側に当該表示素子に光を照射するバックライトを備え
ることを特徴としている。請求項20記載の発明は、前
記バックライトが、前記光導電層に電荷を発生させない
波長域の光を照射することを特徴としている。請求項2
1記載の発明は、前記バックライトが、401nm〜8
00nmの間の波長域の可視光を照射することを特徴と
している。これらの発明においては、バックライトの光
が光導電層に電荷を発生させない波長域の光であるた
め、表示素子に誤動作が発生することを防止することが
できる。
The invention according to claim 19 is characterized in that a backlight for irradiating the display element with light is provided behind the display element. The invention according to claim 20 is characterized in that the backlight irradiates the photoconductive layer with light in a wavelength range in which electric charges are not generated. Claim 2
In the invention described in 1, the backlight is 401 nm to 8 nm.
It is characterized by irradiating visible light in the wavelength range between 00 nm. In these inventions, since the light of the backlight is light in a wavelength range that does not generate charges in the photoconductive layer, it is possible to prevent malfunction of the display element.

【0025】請求項22記載の発明は、前記表示素子
が、カラーフィルタを備えていることを特徴としてい
る。この発明においては、表示素子からの光をカラーフ
ィルタを介することにより、カラー表示が可能となる。
According to a twenty-second aspect of the present invention, the display element includes a color filter. In the present invention, color display is possible by passing light from the display element through the color filter.

【0026】請求項23記載の発明は、可視光の波長域
を除く所定波長域の光からなる信号光を発生させる有機
電界発光層と、前記信号光及び可視光に対し透過性を有
し前記発光層の前面に第1の方向に並んで配列された複
数の第1電極と、可視光に対し透過性を有し前記発光層
の後面に前記第1の方向と異なる第2の方向に前記発光
層を介して前記第1電極と互いにマトリクス状に交差す
るように並んで配列された複数の第2電極と、を有する
発光素子と、可視光に対し透過性を有し、表示領域の全
域に亙って形成された1枚の前駆動電極と、可視光及び
前記信号光に対し透過性を有し、表示領域の全域に亙っ
て形成された1枚の後駆動電極と、の間に、前記発光素
子からの信号光の所定波長域にのみ電荷を発生する光導
電層と前記光導電層の電荷が発生された領域に対応して
表示される液晶とが介在してなり、前記発光素子の前面
に位置する液晶表示素子と、前記発光素子の後面に位置
し、可視光を前記発光素子を介して前記液晶表示素子に
照射するバックライトと、を備えることを特徴としてい
る。
According to a twenty-third aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent layer for generating signal light composed of light in a predetermined wavelength range excluding the wavelength range of visible light, and an organic electroluminescent layer having transparency to the signal light and visible light. A plurality of first electrodes arranged side by side in a first direction on the front surface of the light emitting layer, and a second surface different from the first direction on the back surface of the light emitting layer, the first electrode being transparent to visible light. A light emitting element having a plurality of second electrodes arranged side by side so as to intersect with the first electrode via a light emitting layer in a matrix form; Between one front drive electrode formed over the entire area and one rear drive electrode formed over the entire display area and transparent to visible light and the signal light. And a photoconductive layer that generates charges only in a predetermined wavelength range of the signal light from the light emitting element and the photoconductive layer. Liquid crystal displayed corresponding to the region where the electric charge is generated, and a liquid crystal display element located on the front surface of the light emitting element and a rear surface of the light emitting element, and visible light is emitted on the light emitting element. And a backlight for irradiating the liquid crystal display element through the backlight.

【0027】請求項23記載の発明においては、発光素
子の発光層が有機電界発光層であるため、極めて薄く形
成することができ、空間周波数を維持して液晶表示素子
に設けられ光導電層に電荷を発生することができ、第1
電極、第2電極における高時分割駆動を行っても光導電
層の層厚方向に電荷が形成され、面方向には実質的に絶
縁されているため、液晶表示素子をTFT等のスイッチ
ング素子を内部に作り込むことなく事実上単純マトリク
ス駆動できる。また、発光素子が有機電界発光素子であ
るため、極めて薄く、且つ可視光に対し概して良好な透
過性を与えることができ、液晶表示素子、発光素子、バ
ックライトの順に配置しても液晶表示素子に発光素子か
らの信号光を照射し、信号光で、液晶表示素子をアドレ
スすると共に、信号光の光量に応じて階調表示ができ、
バックライトの可視光は、信号光による光導電層へのア
ドレスを阻害することなく液晶表示素子に照射すること
ができる。
According to the twenty-third aspect of the invention, since the light emitting layer of the light emitting element is an organic electroluminescent layer, it can be made extremely thin, and the photoconductive layer provided in the liquid crystal display element while maintaining the spatial frequency can be formed. Can generate electric charge, first
Even if high time-division driving is performed on the electrodes and the second electrode, electric charges are formed in the layer thickness direction of the photoconductive layer and are substantially insulated in the plane direction. Virtually simple matrix driving can be performed without making it inside. In addition, since the light emitting element is an organic electroluminescent element, it is extremely thin and can give generally good transparency to visible light. Even if the liquid crystal display element, the light emitting element and the backlight are arranged in this order, the liquid crystal display element is provided. The liquid crystal display element is addressed by the signal light emitted from the light emitting element, and gradation display can be performed according to the light amount of the signal light.
The visible light of the backlight can be applied to the liquid crystal display element without blocking the address to the photoconductive layer by the signal light.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、この発明に係るアドレス光
素子およびそれを備えた表示装置の詳細を図面に示す実
施形態に基づいて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, details of an address optical element according to the present invention and a display device having the same will be described based on embodiments shown in the drawings.

【0029】(実施形態1)図1はこの発明に係る表示
装置の一部を概念的に示す斜視図であり、図2は表示装
置の断面構造を模式的に示す断面図である。この実施形
態は、透過型の液晶表示素子にこの発明を適用したもの
である。図中11は表示装置であり、この表示装置11
は、発光素子としてのアドレス光素子12と、液晶表示
素子13と、バックライトシステム14と、から大略構
成されている。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a perspective view conceptually showing a part of a display device according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view schematically showing a sectional structure of the display device. In this embodiment, the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display element. In the figure, 11 is a display device, and this display device 11
Is generally composed of an address light element 12 as a light emitting element, a liquid crystal display element 13, and a backlight system 14.

【0030】アドレス光素子12は、図2に示すよう
に、ガラス或いは高分子フィルムでなるアドレス基板1
5の上面に、電極群としての複数の行電極16が行方向
に互いに平行に配列して形成されている。この行電極1
6は、約250Å〜1000Åの膜厚でアノード電極と
して機能するものであり、少なくとも後述する発光層1
9内での電子と正孔との再結合により生じる紫外光の波
長域の一部(350nm〜400nm)及びバックライ
トシステム14の可視光波長域(401nm〜800n
m)に対して透過性を有するものであり、例えば、IT
O(indium tin oxide)や酸化スズ(SnO2)、酸化
マグネシウム(MgO)等の少なくとも1種から構成さ
れている。複数の行電極16及びアドレス基板15上面
には、ポリビニルカルバゾール(以下、PVCzとい
う)と、2,5−ビス(1−ナフチル)−オキサジアゾー
ル(以下、BNDという)と、からなる単一層の正孔輸
送性の第1有機膜17が約1000Åの膜厚で形成され
ている。そして、この第1有機膜17上には、トリス
(8−キノリレート)アルミニウム錯体(以下、Alq
3という)等からなる電子輸送性の第2有機膜18が、
約500Åの膜厚で形成され、そして、発光層19は、
これら第1有機膜17及び第2有機膜18から構成され
ている。以下に、Alq3、PVCz、BNDの構造式
を示す。
The address optical element 12 is, as shown in FIG. 2, an address substrate 1 made of glass or polymer film.
A plurality of row electrodes 16 as an electrode group are formed on the upper surface of the electrode 5 in parallel with each other in the row direction. This row electrode 1
6 has a film thickness of about 250Å to 1000Å and functions as an anode electrode, and at least the light emitting layer 1 described later.
Part of the wavelength range of the ultraviolet light (350 nm to 400 nm) generated by the recombination of electrons and holes within 9 and the visible light wavelength range of the backlight system 14 (401 nm to 800 n).
m) is transparent to, for example, IT
It is composed of at least one of O (indium tin oxide), tin oxide (SnO2), magnesium oxide (MgO) and the like. The upper surface of the plurality of row electrodes 16 and the address substrate 15 is a single layer composed of polyvinylcarbazole (hereinafter referred to as PVCz) and 2,5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole (hereinafter referred to as BND). The first organic film 17 having a hole transporting property is formed with a film thickness of about 1000Å. Then, on the first organic film 17, a tris (8-quinolylate) aluminum complex (hereinafter referred to as Alq
The second organic film 18 having an electron transporting property such as
The light emitting layer 19 is formed to have a film thickness of about 500Å.
It is composed of the first organic film 17 and the second organic film 18. The structural formulas of Alq3, PVCz, and BND are shown below.

【化1】 Embedded image

【化2】 Embedded image

【化3】 Embedded image

【0031】また、第2有機膜18の上面には、図1及
び図2に示すように、発光層19を介して行電極16と
交差(直交)する列方向に平行な複数の列電極20が形
成されている。この列電極20は、カソード電極として
機能するものであり、アノード電極に対し仕事関数が低
い物性であり、例えば、MgIn、AlLi、MgIn
−Al等の金属電極や、可視光及び紫外光波長域に対し
て透過性を有しているn型アモルファスシリコン(a−
Si)、n型シリコンカーバイド等が挙げられる。
On the upper surface of the second organic film 18, as shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of column electrodes 20 parallel to the column direction intersecting (orthogonal to) the row electrodes 16 with the light emitting layer 19 interposed therebetween. Are formed. The column electrode 20 functions as a cathode electrode and has a physical property of having a lower work function than the anode electrode. For example, MgIn, AlLi, MgIn.
-A metal electrode such as Al, or n-type amorphous silicon (a-) that has transparency to visible and ultraviolet light wavelength regions.
Si), n-type silicon carbide and the like.

【0032】そして、発光層19及び端子部20Aを除
く列電極20を覆うように、光透過性を有する保護膜2
1が形成される。なお、図示しないが、行電極16の端
子部も保護膜21に覆われずに露呈した状態となってい
る。この保護膜21としては、可視光波長域および紫外
光波長域の光に対し透過性を有する、例えばシリコン窒
化膜あるいはシリコン酸化膜を用いることができる。保
護膜21は、列電極20の酸化防止及び湿気による特性
劣化を防止するものであるが、アドレス光素子12の各
部材の物性によっては必ずしも必要ない。
Then, the protective film 2 having a light-transmitting property is formed so as to cover the column electrodes 20 except the light emitting layer 19 and the terminal portion 20A.
1 is formed. Although not shown, the terminal portion of the row electrode 16 is also exposed without being covered with the protective film 21. As the protective film 21, it is possible to use, for example, a silicon nitride film or a silicon oxide film, which is transparent to light in the visible light wavelength range and the ultraviolet light wavelength range. The protective film 21 prevents oxidation of the column electrodes 20 and prevents characteristic deterioration due to moisture, but it is not always necessary depending on the physical properties of each member of the address optical element 12.

【0033】このように構成されたアドレス光素子12
においては、行電極16と列電極20との間に電界が印
加された場合に、第1有機膜17における第2有機膜1
8との界面寄りの部分から信号光としての紫外光(35
0〜400nmの所定間の波長域光)が発せられる。な
お、信号光の波長域と、バックライトシステム14の照
射光としての可視光の波長域とができるだけ離れていた
ほうが好ましく、信号光としては350〜400nmの
波長域の紫外光が出力されるように設定することが望ま
しい。また、行電極16および列電極20は、アドレス
基板15の端縁まで延在され、端子部が保護膜21から
露出し、駆動用IC(図示省略する)と接続されてい
る。このようにして、マトリクス駆動のアドレス光素子
12が構成されている。列電極20として仕事関数値か
ら酸化されやすい部材を適用した場合、露出する端子部
の表面に酸化されにくい部材でメッキ処理を施してもよ
い。
The address optical element 12 thus constructed
In the above, when the electric field is applied between the row electrode 16 and the column electrode 20, the second organic film 1 in the first organic film 17 is
From the portion near the interface with 8 the ultraviolet light (35
Light in a predetermined wavelength range of 0 to 400 nm) is emitted. In addition, it is preferable that the wavelength range of the signal light and the wavelength range of the visible light as the irradiation light of the backlight system 14 are separated as much as possible, and the ultraviolet light in the wavelength range of 350 to 400 nm is output as the signal light. It is desirable to set to. The row electrodes 16 and the column electrodes 20 extend to the edge of the address substrate 15, the terminal portions are exposed from the protective film 21, and are connected to a driving IC (not shown). In this way, the matrix-driven address optical element 12 is constructed. When a member that is easily oxidized from the work function value is used as the column electrode 20, the exposed surface of the terminal portion may be plated with a member that is not easily oxidized.

【0034】このような構成のアドレス光素子12に組
み合わされる液晶表示素子13は、アドレス光素子12
の発光領域と同程度の面積の表示領域を有している。以
下に、図2を用いて液晶表示素子13の構成を説明す
る。
The liquid crystal display element 13 to be combined with the address light element 12 having such a structure is the address light element 12
The display area has an area similar to that of the light emitting area. The configuration of the liquid crystal display element 13 will be described below with reference to FIG.

【0035】この液晶表示素子13は、対をなす前透明
基板22と後透明基板23と、これら透明基板間にシー
ル材24により封止されたツイストネマティック配向の
液晶25と、これら透明基板22、23の外面側に配置
された直線性の偏光軸を持ち、対をなす前偏光板26と
後偏光板27と、を備え、旋光性を有するTNセルを用
いる構成になっている。そして、この実施形態1では、
後透明基板23の対向内側面に、ITOでなる透明な1
枚の後駆動電極28が表示領域全面に亙って形成されて
いる。また、後駆動電極28の表面には、光導電層29
が形成されている。さらに、この光導電層29を覆うよ
うに、後配向膜30が形成されている。
The liquid crystal display element 13 includes a pair of front transparent substrate 22 and rear transparent substrate 23, twist nematic liquid crystal 25 sealed by a sealing material 24 between these transparent substrates, and these transparent substrates 22, 23 has a linear polarization axis disposed on the outer surface side of 23, includes a pair of front polarizing plate 26 and rear polarizing plate 27, and is configured to use a TN cell having optical activity. And in this Embodiment 1,
On the inner surface of the rear transparent substrate 23 facing the transparent transparent substrate
The rear drive electrodes 28 are formed over the entire display area. Further, a photoconductive layer 29 is formed on the surface of the rear driving electrode 28.
Are formed. Further, a post-alignment film 30 is formed so as to cover the photoconductive layer 29.

【0036】光導電層29は、特定波長域の光量子を吸
収して、伝導キャリヤを生成する材料でなり、このよう
な光導電層29としては、例えば、ZnO、アモルファ
スシリコン(a−Si)、アモルファスセレン(a−S
e)、ZnS、SrTiO3、GaN、CdS、SnOx
などの無機半導体や、ポリビニルカルバゾールなどの電
荷移動錯体、有機光キャリヤ生成層(ペリレン類、キノ
類、フタロシアニン類など)と有機キャリヤ輸送層(ア
リールアミン類、ヒドラジン類、オキサゾール類など)
とを積層した有機複合材料、などの材料を用いることが
できる。このような材料では、特定波長域の光量子を吸
収し、電子−正孔対からなる伝導キャリヤを生成して、
光量子が吸収された領域のインピーダンスが急激に減少
するため、その領域が電気伝導性を有するようになる。
特に、この実施形態1では、光導電層29が信号光(紫
外光)に対し光吸収特性を有し、紫外光波長域に鋭敏な
分光感度のピークを有するZnOを用いている。ZnO
は、通常可視光域に吸収をもたない。なお、ZnOにお
いて光電効果を可視光域にまで広げるためには、通常有
機色素を増感剤として用いる。図3は、ZnOの光起電
力(丸印で示す)と、エオシンを増感剤として用いたZ
nOの光起電力(三角印で示す)との光起電力スペクト
ルを表したグラフである。このグラフからZnOは、紫
外光域のみで吸収をもち、エオシンを増感剤としたZn
Oは、波長域が450〜600nm程度で吸収をもつこ
とが判る。
The photoconductive layer 29 is made of a material that absorbs photons in a specific wavelength range to generate conductive carriers. Examples of such a photoconductive layer 29 include ZnO and amorphous silicon (a-Si). Amorphous selenium (a-S
e), ZnS, SrTiO 3 , GaN, CdS, SnO x
Inorganic semiconductors such as, charge transfer complexes such as polyvinylcarbazole, organic photocarrier generation layers (perylenes, quinones, phthalocyanines, etc.) and organic carrier transport layers (arylamines, hydrazines, oxazoles, etc.)
A material such as an organic composite material in which and are stacked can be used. In such a material, a photon in a specific wavelength region is absorbed, and a conductive carrier composed of an electron-hole pair is generated,
The impedance of the region where the photons are absorbed sharply decreases, so that the region becomes electrically conductive.
In particular, in the first embodiment, ZnO is used because the photoconductive layer 29 has a light absorption characteristic for signal light (ultraviolet light) and has a sharp peak of spectral sensitivity in the ultraviolet light wavelength range. ZnO
Usually has no absorption in the visible light range. In order to extend the photoelectric effect to the visible light region in ZnO, an organic dye is usually used as a sensitizer. FIG. 3 shows the photovoltage of ZnO (indicated by a circle) and Z using eosin as a sensitizer.
It is the graph showing the photovoltaic spectrum with the photovoltaic power of nO (indicated by triangles). From this graph, ZnO absorbs only in the ultraviolet region and Zn with eosin as a sensitizer is used.
It can be seen that O has absorption in the wavelength range of about 450 to 600 nm.

【0037】一方、前透明基板22の対向内側面には、
表示領域全域に亙って、所定の色配列を有するカラーフ
ィルタ層31が形成されている。また、カラーフィルタ
層31の表面には、透明なシリコン窒化膜からなる保護
膜32を介してITOでなる1枚の前駆動電極33が全
面に形成されている。さらに、前駆動電極33を覆うよ
うに前配向膜34が形成されている。このような構成の
液晶表示素子13においては、前駆動電極33と後駆動
電極28が微細なパターニング工程を要しないものであ
り、表示領域全域に亙って成膜するだけでよいため、従
来のTFTをスイッチング素子とした表示素子に比較し
て、スループットを飛躍的に向上させることができ、製
造コストを大幅に低減することができる。さらに、液晶
25に電圧を印加する駆動電極28、33は、表示面に
全面に亙って形成されているので、TFTや、TFTの
ドレイン電極に接続され且つ信号電圧を供給するドレイ
ンラインや、ゲート電極に接続され且つ走査電圧を供給
するゲートラインや、さらには蓄積電極(補助容量電
極)などを一切必要としない構造である。このため、極
めて開口率が高く、優れたコントラストを得ることがで
きる。そして、このような液晶表示素子13と、上記し
たアドレス光素子12とは、カラーフィルタ層31の色
配置に対してアドレス光素子12のドット配置(行電極
16と列電極20との交差した部分の配置)とが整合し
て、信号光が空間周波数を維持して光導電層29に入射
するように設定されている。なお、図1の点描部分は、
ドット部dを示している。さらに、図2に示すように、
アドレス光素子12の下面には、液晶表示素子13の後
偏光板27が設けられ、その後方には、バックライトシ
ステム14が配置されている。このバックライトシステ
ム14は、可視光を発する光源35と、アクリル等から
なる導光板36と、から大略構成されている。
On the other hand, on the inner surface facing the front transparent substrate 22,
A color filter layer 31 having a predetermined color arrangement is formed over the entire display area. Further, on the surface of the color filter layer 31, one front drive electrode 33 made of ITO is formed on the entire surface with a protective film 32 made of a transparent silicon nitride film interposed therebetween. Further, a pre-alignment film 34 is formed so as to cover the pre-driving electrode 33. In the liquid crystal display element 13 having such a configuration, the front drive electrode 33 and the rear drive electrode 28 do not require a fine patterning step, and it is sufficient to form a film over the entire display region. Throughput can be dramatically improved and manufacturing cost can be significantly reduced as compared with a display element in which a TFT is a switching element. Further, since the drive electrodes 28 and 33 for applying a voltage to the liquid crystal 25 are formed over the entire display surface, the TFT, a drain line connected to the drain electrode of the TFT and supplying a signal voltage, The structure does not require a gate line connected to the gate electrode and supplying a scanning voltage, and further, no storage electrode (auxiliary capacitance electrode). Therefore, the aperture ratio is extremely high, and excellent contrast can be obtained. The liquid crystal display element 13 and the address light element 12 described above have a dot arrangement of the address light element 12 (a portion where the row electrode 16 and the column electrode 20 intersect each other) with respect to the color arrangement of the color filter layer 31. The arrangement is such that the signal light is incident on the photoconductive layer 29 while maintaining the spatial frequency. The stippled part in Figure 1
The dot portion d is shown. Further, as shown in FIG.
A rear polarizing plate 27 of the liquid crystal display element 13 is provided on the lower surface of the address light element 12, and a backlight system 14 is disposed behind it. The backlight system 14 is generally composed of a light source 35 that emits visible light and a light guide plate 36 made of acrylic or the like.

【0038】次に、この実施形態1の作用・動作につい
て説明する。まず、図4は、この実施形態のアドレス光
素子12の概略的なエネルギーダイヤグラムを示してい
る。このエネルギーダイヤグラムは、行電極(アノー
ド)16と接合する第1有機膜17としてPVCzより
電子輸送性のBNDをPVCzへ混在させたことによる
電子および正孔の注入障壁に対する効果を説明してい
る。
Next, the operation and operation of the first embodiment will be described. First, FIG. 4 shows a schematic energy diagram of the address optical device 12 of this embodiment. This energy diagram explains the effect on the electron and hole injection barrier by mixing BND, which has an electron transporting property rather than PVCz, in PVCz as the first organic film 17 bonded to the row electrode (anode) 16.

【0039】図4において一点鎖線は、BND固有のエ
ネルギー構造を示し、破線はPVCz固有のエネルギー
構造を示している。このように各成分が混合された複合
膜の場合、Alq3でなる第2有機膜18側から第1有
機膜17への電子の移動の点で、第2有機膜18と第1
有機膜17との界面のそれぞれの電子親和力を鑑みる
と、第1有機膜17では、より小さな電子のポテンシャ
ルをもつ成分の物性が反映される。すなわち、この界面
には電子輸送性ドーパントであるBNDの物性が反映さ
れることになる。逆に、行電極(アノード)16側から
第1有機膜17への正孔の移動では、行電極16との界
面の第1有機膜17のイオン化ポテンシャルにおいて、
より小さな、正孔のポテンシャルをもつ材料の物性が反
映される。すなわち、第1有機膜17側の界面には、バ
インダとしての機能も有するPVCzの物性が反映され
ることになる。加えて、行電極16から第1有機膜17
へのエネルギー障壁はPVCzのエネルギー障壁に反映
されているので、HfromAは比較的小さく、所定電
圧を印加すれば容易に正孔を第1有機膜17に注入する
ことができるが、第1有機膜17から第2有機膜18へ
の正孔注入は、エネルギー障壁HtoAlq3が大きい
ため困難になる。結果として、発光層19全体での電子
物性は、界面における注入障壁に着目した場合は図中斜
め線で示されるエネルギー構造をとる。すなわち、キャ
リヤの注入障壁に関し、BNDを混ぜることはエネルギ
ー障壁EtoBNDにより、第2有機膜18から第1有
機膜17へのエネルギー障壁を低減させ、第1有機膜1
7への電子の注入を容易にしている。このため、発光は
第1有機膜17の第2有機膜18との界面近傍で行われ
る。このようなアドレス光素子12では、有機EL層を
用いたことにより、高速応答性および高効率光の条件を
満たすことができる。また、第1有機膜17は、BND
の代わりにAlq3より低い電子ポテンシャルの部材を
PVCzに混在させることにより光エネルギーhvの光
をAlq3における混合層との界面近傍で発光させても
よい。
In FIG. 4, the alternate long and short dash line shows the energy structure peculiar to BND, and the broken line shows the energy structure peculiar to PVCz. In the case of the composite film in which the respective components are mixed in this way, in terms of the movement of electrons from the second organic film 18 side made of Alq3 to the first organic film 17, the second organic film 18 and the first organic film 18 are formed.
Considering the electron affinity of each interface with the organic film 17, the first organic film 17 reflects the physical properties of the component having a smaller electron potential. That is, this interface reflects the physical properties of BND, which is an electron transporting dopant. On the contrary, in the movement of holes from the row electrode (anode) 16 side to the first organic film 17, at the ionization potential of the first organic film 17 at the interface with the row electrode 16,
It reflects the physical properties of smaller materials with hole potentials. That is, the physical properties of PVCz, which also functions as a binder, are reflected in the interface on the first organic film 17 side. In addition, from the row electrode 16 to the first organic film 17
Since the energy barrier to the is reflected in the energy barrier of PVCz, HfromA is relatively small, and holes can be easily injected into the first organic film 17 by applying a predetermined voltage. It is difficult to inject holes from 17 into the second organic film 18 because the energy barrier HtoAlq3 is large. As a result, the electronic properties of the entire light emitting layer 19 have an energy structure shown by the diagonal lines in the figure when focusing on the injection barrier at the interface. That is, regarding the injection barrier of carriers, mixing BND reduces the energy barrier from the second organic film 18 to the first organic film 17 by the energy barrier EtoBND, and
The injection of electrons into 7 is facilitated. Therefore, light emission is performed near the interface between the first organic film 17 and the second organic film 18. In such an address light element 12, the use of the organic EL layer makes it possible to satisfy the conditions of high-speed response and highly efficient light. In addition, the first organic film 17 is a BND.
Instead of Alq3, a member having an electron potential lower than that of Alq3 may be mixed in PVCz so that light of light energy hv is emitted near the interface with the mixed layer in Alq3.

【0040】次に、アドレス光素子12において行電極
16と列電極20とが選択されてマトリクス駆動された
ときに、所定アドレスの(所定ドット部dに属する)発
光層19から信号光が発光された場合の光導電層29で
の作用・動作を図5および図6を用いて説明する。
Next, when the row electrodes 16 and the column electrodes 20 are selected and matrix-driven in the address light element 12, signal light is emitted from the light emitting layer 19 (belonging to a predetermined dot portion d) at a predetermined address. The action and operation of the photoconductive layer 29 in the case of being described will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

【0041】図5(a)は、後駆動電極28、光導電層
29、液晶25、前駆動電極33の構造において電極2
8、33間にAC駆動電圧Vdを印加した状態を示して
いる。ここでは、配向膜30、34における電圧降下を
無視して基本的概念を説明する。この状態において、ア
ドレス光素子12を駆動しない状態(特定波長域の信号
光が出力されない暗状態)、すなわち初期状態では、光
導電層29のインピーダンスZpcと液晶25のインピ
ーダンスZdrとで分圧されて、光導電層29に電圧V
pcが、液晶25に電圧Vdrが印加されている。図5
(b)は初期状態の等価回路を示している。同図中、C
drは液晶25の容量、Cpcは光導電層29の容量、
Rdrは液晶25の抵抗、Rpcは光導電層29の抵抗
である。抵抗Rpcは、光生成キャリヤの量と相関する
可変抵抗であり、同図に示すように暗状態(初期状態)
では極めて高抵抗となっている。このため、この状態で
は、AC駆動電圧の大半が光導電層29に印加されてい
る。すなわち、液晶25の内部電界は低く、液晶の配向
は配向膜30、34に応じた状態になっている。
FIG. 5A shows the structure of the rear drive electrode 28, the photoconductive layer 29, the liquid crystal 25, and the front drive electrode 33.
It shows a state in which the AC drive voltage Vd is applied between 8 and 33. Here, the basic concept will be described by ignoring the voltage drop in the alignment films 30 and 34. In this state, in a state where the address optical element 12 is not driven (a dark state in which signal light in a specific wavelength range is not output), that is, in the initial state, the voltage is divided by the impedance Zpc of the photoconductive layer 29 and the impedance Zdr of the liquid crystal 25. , Voltage V on the photoconductive layer 29
The voltage Vdr is applied to the liquid crystal 25 by pc. FIG.
(B) shows an equivalent circuit in the initial state. C in the figure
dr is the capacitance of the liquid crystal 25, Cpc is the capacitance of the photoconductive layer 29,
Rdr is the resistance of the liquid crystal 25, and Rpc is the resistance of the photoconductive layer 29. The resistance Rpc is a variable resistance that correlates with the amount of photogenerated carriers, and is in a dark state (initial state) as shown in FIG.
Has extremely high resistance. Therefore, in this state, most of the AC drive voltage is applied to the photoconductive layer 29. That is, the internal electric field of the liquid crystal 25 is low, and the alignment of the liquid crystal is in a state corresponding to the alignment films 30 and 34.

【0042】次に、図6(a)に示すように、アドレス
光素子12の所定アドレスで特定波長域の信号光が出射
されると、同アドレスに対応するドット部dの光導電層
29に光が吸収されて励起され、その部分に電子−正孔
対からなる伝導キャリヤが生成される。すなわち、アド
レス光素子12から発せられる特定波長域の信号光の光
パターンが、光導電層29の伝導キャリヤの密度パター
ンに変換されたことになる。なお、伝導キャリヤの生成
量は、入射した光の強度と時間と波長域とに依存する。
このとき、伝導キャリヤは、駆動電界の影響を受けて、
光導電層29を垂直方向(厚さ方向)に移動/往復す
る。なお、光導電層29の面方向(後透明基板23と平
行方向)には、外部電界が無いため伝導キャリヤはその
方向へは移動しない。このため、信号光が照射されたド
ット部dのみが、図6(a)に示すように低い抵抗Rp
c1となる。すると、光導電層29のインピーダンスZ
pcが下がり、液晶25のインピーダンスZdrに対す
る分圧が上昇する。すなわち、液晶25が受ける電界強
度は、伝導キャリヤの密度パターンを反映して変調され
る。このため、液晶25は、所定方向に配向されてバッ
クライトシステム14からの光(可視光)を透過させて
液晶表示が可能となる。このとき、光導電層29は信号
光(紫外光)の波長域にのみ光導電性を示すので、バッ
クライトシステム14からの光により影響を受けること
がない。
Next, as shown in FIG. 6A, when signal light of a specific wavelength region is emitted at a predetermined address of the address optical element 12, the photoconductive layer 29 of the dot portion d corresponding to the same address is emitted. The light is absorbed and excited, and a conductive carrier composed of an electron-hole pair is generated in that portion. That is, the optical pattern of the signal light in the specific wavelength range emitted from the address optical element 12 is converted into the density pattern of the conductive carriers of the photoconductive layer 29. The amount of conductive carriers produced depends on the intensity of incident light, time, and wavelength range.
At this time, the conduction carriers are affected by the driving electric field,
The photoconductive layer 29 is moved / reciprocated in the vertical direction (thickness direction). In the plane direction of the photoconductive layer 29 (parallel to the rear transparent substrate 23), there is no external electric field, so that the conduction carriers do not move in that direction. Therefore, only the dot portion d irradiated with the signal light has a low resistance Rp as shown in FIG.
It becomes c1. Then, the impedance Z of the photoconductive layer 29
The pc decreases, and the partial pressure of the liquid crystal 25 with respect to the impedance Zdr increases. That is, the electric field strength received by the liquid crystal 25 is modulated by reflecting the density pattern of the conductive carriers. Therefore, the liquid crystal 25 is aligned in a predetermined direction and transmits light (visible light) from the backlight system 14 to allow liquid crystal display. At this time, since the photoconductive layer 29 exhibits photoconductivity only in the wavelength range of the signal light (ultraviolet light), it is not affected by the light from the backlight system 14.

【0043】図6(b)は、光導電層29の抵抗Rpc
が、信号光の入射が終了した時点から経時的に増大して
いく様子を示している。これは、光導電層29内の光生
成キャリヤが、特定の寿命時間(平均時間)を有し(不
純物や格子欠陥などの影響を受ける)、この結果、液晶
25の電界強度パターンは、光導電層29への信号光に
入射が終了した時点からある時定数にしたがって減衰す
る。この結果、光導電層29の抵抗成分Rpcが再び増
大し、液晶25の電界強度もそれに伴って漸次減衰して
いく。なお、このような時定数できまる減衰時間に対し
て、十分な時間の全走査周期を設定することで、液晶2
5が受ける電界強度パターンを実質的に定常的に保持す
ることができる。図7(a)は、アドレス光素子12側
から出射された光パルスに対して、液晶層の実効電圧の
変化を示している。電界強度パターンを事実上定常的に
保持するには、同図(b)に示すように、全走査周期を
液晶層の実効電圧の減衰時間内とすることにより、十分
対処することができる。このため、この実施形態では従
来の液晶表示素子のような補助容量電極も必要ない。な
お、アドレス光素子12を駆動/発光させて信号光パタ
ーン(光画像)を得るには行電極16と列電極20のそ
れぞれの電極群を線順次駆動すればよく、例えば平均電
圧化駆動法などの周知の各種の駆動法を適用することが
できる。図8(a)は行電極16および列電極20の一
方をセレクトライン、他方をデータラインとしたときの
マトリクスの等価回路図であり、(b)は線順次に走査
したときの、1走査線選択時間と全走査周期(フレー
ム)とを示したタイミングチャートである。また、この
実施形態においては、AC駆動を行ったが、極性が反転
するパルス列を用いてもよい。
FIG. 6B shows the resistance Rpc of the photoconductive layer 29.
However, it shows that the signal light gradually increases from the time when the incidence of the signal light ends. This is because the photo-generated carriers in the photoconductive layer 29 have a specific lifetime (average time) (affected by impurities and lattice defects), and as a result, the electric field intensity pattern of the liquid crystal 25 is photoconductive. The signal light is attenuated according to a certain time constant from the time when the signal light is incident on the layer 29. As a result, the resistance component Rpc of the photoconductive layer 29 increases again, and the electric field strength of the liquid crystal 25 gradually decreases accordingly. It should be noted that the liquid crystal 2 can be set by setting the entire scanning period of a sufficient time for the decay time that is formed by such a time constant.
It is possible to maintain the electric field intensity pattern received by 5 substantially constantly. FIG. 7A shows a change in the effective voltage of the liquid crystal layer with respect to the optical pulse emitted from the address optical element 12 side. In order to keep the electric field intensity pattern practically steady, it can be sufficiently dealt with by setting the entire scanning period within the decay time of the effective voltage of the liquid crystal layer, as shown in FIG. Therefore, this embodiment does not require an auxiliary capacitance electrode as in the conventional liquid crystal display element. In order to drive / emit the address light element 12 to obtain a signal light pattern (optical image), each electrode group of the row electrode 16 and the column electrode 20 may be line-sequentially driven, for example, an average voltage driving method or the like. Various well-known driving methods can be applied. FIG. 8A is an equivalent circuit diagram of a matrix when one of the row electrode 16 and the column electrode 20 is a select line and the other is a data line, and FIG. 8B is one scanning line when line-sequential scanning is performed. 6 is a timing chart showing a selection time and a whole scanning cycle (frame). Further, although AC driving is performed in this embodiment, a pulse train whose polarity is inverted may be used.

【0044】次に、この実施形態において便宜上DC電
源を用いて駆動を行う方法を以下に説明する。説明の便
宜のため、まず単一のドットでの動作を説明し、その後
マトリクス動作について説明する。
Next, a method of driving using a DC power source in this embodiment for convenience will be described below. For convenience of description, the operation with a single dot will be described first, and then the matrix operation will be described.

【0045】[単一ドットでの動作] (1)初期状態(図9(b)) 図9(a)は、後駆動電極28、光導電層29、液晶2
5、前駆動電極33の構造において電極間にDC駆動電
圧Vdを印加した状態を示している。図9(b)は、初
期状態(暗状態)を示したものであり、前後駆動電極2
8、33間にDC電圧Vdが印加されており、発光層1
9は駆動されていない。したがって、光導電層29の抵
抗成分Rpcは高い状態にある。液晶25の容量成分C
drは、液晶25の抵抗成分Rdrと光導電層29の抵
抗成分Rpcの抵抗分圧で定まる電荷量を充電してい
る。
[Operation with Single Dot] (1) Initial State (FIG. 9B) FIG. 9A shows a rear drive electrode 28, a photoconductive layer 29, and a liquid crystal 2.
5. In the structure of the front drive electrode 33, a state in which the DC drive voltage Vd is applied between the electrodes is shown. FIG. 9B shows an initial state (dark state).
DC voltage Vd is applied between 8 and 33, and the light emitting layer 1
9 is not driven. Therefore, the resistance component Rpc of the photoconductive layer 29 is in a high state. Capacitance component C of liquid crystal 25
dr charges the amount of charge determined by the resistance partial pressure of the resistance component Rdr of the liquid crystal 25 and the resistance component Rpc of the photoconductive layer 29.

【0046】(2)書き込み動作(図10(a)) DC電圧Vdが前後駆動電極28、33間に印加されて
いる状態で、発光層19を駆動する。すると、発光層1
9から(アドレス)信号光が光導電層29の厚さ方向に
入射して、この信号光が入射したドット部の導電性が高
くなりその抵抗成分Rpcが減少する。このため、抵抗
成分Rpcを通過して液晶25の容量成分Cdrに電荷
が注入される。これに伴い、液晶25内部の電界が増加
することになる。この電荷注入量は、光導電層29内の
光生成キャリヤ量に依存する。すなわち、信号光の発光
エネルギーまたは照射時間を変化させることで、液晶2
5の容量成分Cdrへの注入電荷量を制御することがで
きる。これに伴い、階調表示を行うことができる。
(2) Writing Operation (FIG. 10A) The light emitting layer 19 is driven while the DC voltage Vd is applied between the front and rear drive electrodes 28 and 33. Then, the light emitting layer 1
Signal light (address) from 9 is incident in the thickness direction of the photoconductive layer 29, the conductivity of the dot portion on which the signal light is incident increases, and the resistance component Rpc thereof decreases. Therefore, charges are injected into the capacitance component Cdr of the liquid crystal 25 through the resistance component Rpc. Along with this, the electric field inside the liquid crystal 25 increases. This charge injection amount depends on the amount of photogenerated carriers in the photoconductive layer 29. That is, by changing the light emission energy of the signal light or the irradiation time, the liquid crystal 2
It is possible to control the amount of charges injected into the capacitance component Cdr of No. 5. Accordingly, gradation display can be performed.

【0047】(3)電荷保持状態(図10(b)/図1
1(a)) 発光層19の駆動を停止すると、光導電層29の抵抗成
分Rpcは経時的に高い状態に戻る。ここで、光導電層
29は、短い時定数を有することが条件となる。その結
果、注入電荷は液晶25の容量Cdr及び光導電層29
の液晶25との界面側に残留する。この状態で、図11
(a)に示すようにVdを0V、または駆動電圧より低
い電圧に低減しても、図10(b)の状態と同様に保た
れる。すなわち、液晶25の内部の電界が保たれる。な
お、このとき、容量CdrとCpcとの間で電荷の再配
分が行われるが、Cdrに比べてCpcは十分小さいの
で、その変動幅は十分小さく、ほとんどの電荷はCdr
に残留することになるので保持特性が良好な表示を得る
ことができる。
(3) Charge holding state (FIG. 10 (b) / FIG. 1)
1 (a)) When the driving of the light emitting layer 19 is stopped, the resistance component Rpc of the photoconductive layer 29 returns to a high state with time. Here, the photoconductive layer 29 is required to have a short time constant. As a result, the injected charge is caused by the capacitance Cdr of the liquid crystal 25 and the photoconductive layer 29.
Remains on the interface side with the liquid crystal 25. In this state, FIG.
Even if Vd is reduced to 0 V or a voltage lower than the driving voltage as shown in (a), the state is maintained as in the state of FIG. 10 (b). That is, the electric field inside the liquid crystal 25 is maintained. At this time, charges are redistributed between the capacitors Cdr and Cpc, but since Cpc is sufficiently smaller than Cdr, the fluctuation range is sufficiently small, and most of the charges are Cdr.
Therefore, it is possible to obtain a display having a good holding characteristic.

【0048】(4)消去動作(図11(b)/図12
(a)) 図11(b)に示すようなVdを0V、または書き込み
時より十分低い電圧に設定して、その後図12(a)に
示すように、発光層19を十分な光出力で駆動する。こ
れによって、光導電層29の抵抗成分Rpcが減少する
ので、Rpcを通過して液晶25の容量成分Cdrから
書き込み時の電荷が放出され、図12(b)に示すよう
に、液晶25内部の電界が消去される。
(4) Erase operation (FIG. 11 (b) / FIG. 12)
(A)) Vd as shown in FIG. 11B is set to 0V or a voltage sufficiently lower than that at the time of writing, and then the light emitting layer 19 is driven with sufficient light output as shown in FIG. 12A. To do. As a result, the resistance component Rpc of the photoconductive layer 29 decreases, so that the charge component at the time of writing is discharged from the capacitance component Cdr of the liquid crystal 25 through the Rpc, and as shown in FIG. The electric field is erased.

【0049】[マトリクス動作]図13は、表示装置1
1の駆動制御方法を示すものであり、駆動電圧Vd波形
と、各画素アドレスにおける発光パルスと、のタイミン
グを示している。図13(b)は、液晶表示素子13の
電極33、28間の液晶25及び光導電層29に印加さ
れる駆動電圧Vdのタイミングを示すものであり、アド
レス光素子12の行電極16、列電極20の線順次駆動
法で定まる「1走査線選択時間」と同期したパルス列で
ある。この駆動電圧Vdは、少なくとも、全走査線の走
査時間内では、極性の反転はしない。そして、この駆動
電圧Vdは、図13(a)に示すように、1走査時間を
少なくとも2分割して(必ずしも等分でなくてもよ
い)、「HI」電位、「LOW」電位(図ではゼロ電
位)を与える。以下、「HI」電位を書き込み時間の電
位、「LOW」電位を消去時間の電位と称する。なお、
図に示したように、選択された1走査時間の前半を消去
時間、後半を書き込み時間とすることが望ましい。図1
3(c)、(d)、(e)は、線順次駆動されている行
電極16、列電極20で構成されるX−Yマトリクスに
おける、特定のドット部dの発光パルスを示している。
なお、図13(c)は第1セレクトライン上のあるドッ
ト部dの発光パルスを、同図(d)は第2セレクトライ
ン上のあるドット部dの発光パルスを、図(e)は第3
セレクトライン上のあるドット部dの発光パルスを示し
ている。ここで、行電極16または列電極20の一方を
セレクトラインとする。
[Matrix Operation] FIG. 13 shows the display device 1.
1 shows the drive control method of No. 1 and shows the timing of the drive voltage Vd waveform and the light emission pulse at each pixel address. FIG. 13B shows the timing of the drive voltage Vd applied to the liquid crystal 25 between the electrodes 33 and 28 of the liquid crystal display element 13 and the photoconductive layer 29. The pulse train is synchronized with the “one scanning line selection time” determined by the line-sequential driving method of the electrodes 20. The polarity of the drive voltage Vd is not inverted at least within the scanning time of all the scanning lines. Then, as shown in FIG. 13A, the drive voltage Vd is obtained by dividing one scanning time into at least two (not necessarily equal to each other), the “HI” potential, and the “LOW” potential (in the figure, Zero potential). Hereinafter, the “HI” potential is referred to as a writing time potential, and the “LOW” potential is referred to as an erasing time potential. In addition,
As shown in the figure, it is desirable that the first half of the selected one scanning time is the erasing time and the latter half is the writing time. FIG.
3 (c), (d), and (e) show the light emission pulse of a specific dot portion d in the XY matrix composed of the row electrodes 16 and the column electrodes 20 that are line-sequentially driven.
Note that FIG. 13C shows a light emission pulse of a certain dot portion d on the first select line, FIG. 13D shows a light emission pulse of a certain dot portion d on the second select line, and FIG. Three
The light emission pulse of a certain dot portion d on the select line is shown. Here, one of the row electrode 16 or the column electrode 20 is used as a select line.

【0050】これらセレクトラインは、同図(c)〜
(e)に示すように、消去時間に十分な出力の光パルス
を出力する。このとき、Vdの値は、「LOW」電位で
あるから、図11(b)に示した機構で、液晶25内部
に前の走査時間に蓄積された電界が消去される。
These select lines are shown in FIG.
As shown in (e), an optical pulse having a sufficient output for the erase time is output. At this time, since the value of Vd is the “LOW” potential, the electric field accumulated in the liquid crystal 25 during the previous scanning time is erased by the mechanism shown in FIG.

【0051】次いで、書き込み時間において、それぞれ
所望のデータに基づく光エネルギーを出力する。図で
は、パルス高変調した例を示したが、パルス幅変調でも
よい。このとき、Vdの値は、「HI」電位であるか
ら、図10(a)に示した機構で、液晶25に書き込み
データに応じた所望の電界が与えられる。なお、他のセ
レクトラインを駆動している間は、ドット部dには光パ
ルスは与えられず、駆動電界VdのみがHI/LOWを
繰り返すだけであるから、図10(b)および図11
(b)で示したように、所望の電界が保持される。
Next, at the writing time, light energy based on desired data is output. In the figure, an example of pulse height modulation is shown, but pulse width modulation may be used. At this time, since the value of Vd is the “HI” potential, the desired electric field corresponding to the write data is applied to the liquid crystal 25 by the mechanism shown in FIG. While the other select lines are being driven, no optical pulse is given to the dot portion d, and only the driving electric field Vd repeats HI / LOW, so that FIG. 10B and FIG.
As shown in (b), the desired electric field is maintained.

【0052】以上、この実施形態のマトリクス駆動方法
について説明したが、このような方法を用いると、デー
タの書き込み、その保持時間、さらも消去までも自在に
行うことができる。これは、TFTを用いた液晶表示装
置と実質的に同様の駆動特性となる。
Although the matrix driving method of this embodiment has been described above, by using such a method, data writing, holding time, and even erasing can be freely performed. This has substantially the same driving characteristics as a liquid crystal display device using a TFT.

【0053】この実施形態においては、上記の構成とし
たことにより、バックライトシステム14から液晶表示
素子13に照射される光(可視光)は、光導電層29で
吸収されず、光起電力を発生しないため、液晶表示性能
を損なうことがない。また、この実施形態では、事実上
スタティックな駆動電位を液晶層に対して与えることが
できる。また、構造的には能動素子の占める面積が存在
しないため、表示光の透過性が大幅に向上し、高開口率
を達成させることができる。さらに、アドレス光素子1
2の行電極16と列電極20は、単純なストライプ状の
構造であるため、その加工が極めて容易であり、表示装
置全体を通してわずかの回数のリソグラフィー工程を行
うだけでよい。発光層19の形成に際しては、第1有機
膜17、第2有機膜18を順次蒸着ないしは塗布するだ
けでよいため、アドレス光素子12の製造は非常に簡単
となる。また、模式的に示した図2においては、後駆動
電極28を光導電層29で覆うように示したが、実際に
は、後駆動電極28、光導電層29、後配向膜30など
を順次成膜した構造でよいため、液晶表示素子13も従
来のものに比較して大幅に工程数を削減することがで
き、且つ構造が簡単であるため、歩留まりが極めて高
く、このように歩留まりが高いので、大画面化を達成す
ることが容易となる。さらに、1画素内に能動素子の占
有面積が無いため、高精細化に対応できるという利点が
ある。しかも、この実施形態1のように有機EL材料を
発光層として用いたことにより、5〜10V程度の低電
圧駆動化、並びに低消費電力化を実現することができ
る。因に、この駆動電圧は、TFTを能動素子とした液
晶表示素子と略同程度であり、プラズマを用いたディス
プレイよりはるかに小さくなり、携帯性にも優れた表示
装置である。そして、この実施形態1においては、発光
層19を信号光の発生手段として用いるものであり、表
示光として用いるものではないため、比較的微弱な発光
でよく、さらに発光層19の寿命を長くすることができ
る。さらに、この実施形態では、信号光として350n
m〜400nmの間の波長域の紫外光を用いたが、液晶
表示に用いられる可視光の波長域を外れる、例えば80
1nm〜1mmの赤外光などの波長域を用い、この波長
域に光起電力のピークを有する光導電層を設定してもよ
い。また、この実施形態においては、各基板がガラス基
板でなる構成であるが、発光層19が可撓性を有する有
機材料からなるため、例えば樹脂製の可撓性を有する基
板15、22、23を採用して、可撓性を有する表示装
置とすることも可能となる。また、後偏光板27は、バ
ックライトシステム14からの可視光を直線偏光して出
射させるが、アドレス光素子12の信号光は、偏光板2
6、27に偏光されることなく、光導電層29に到達で
きるので、極めて微弱な光を発光すればよい。さらに、
この実施形態に適用されるカラーフィルタ層31は、ス
トライプ配列でも、モザイク配列でもよい。このように
アドレス光素子12に有機EL素子を用いることにより
薄型化が可能になり、列電極及び行電極を介しただけで
光導電層の所定のドッドに対応する領域のみに信号光を
照射させることができる。
In this embodiment, with the above structure, the light (visible light) emitted from the backlight system 14 to the liquid crystal display element 13 is not absorbed by the photoconductive layer 29, and the photoelectromotive force is reduced. Since it does not occur, the liquid crystal display performance is not impaired. In addition, in this embodiment, a virtually static drive potential can be applied to the liquid crystal layer. Further, structurally, there is no area occupied by the active element, so that the transmittance of display light is significantly improved, and a high aperture ratio can be achieved. Further, the address optical element 1
Since the second row electrodes 16 and the second column electrodes 20 have a simple striped structure, they are extremely easy to process, and only a few lithographic steps are required throughout the display device. When forming the light emitting layer 19, the first organic film 17 and the second organic film 18 only have to be vapor-deposited or applied in order, so that the manufacture of the address optical element 12 becomes very simple. Further, in FIG. 2 schematically showing, the rear drive electrode 28 is shown to be covered with the photoconductive layer 29, but in reality, the rear drive electrode 28, the photoconductive layer 29, the rear alignment film 30 and the like are sequentially arranged. Since the film-formed structure is sufficient, the number of steps of the liquid crystal display element 13 can be greatly reduced as compared with the conventional one, and the structure is simple, so that the yield is extremely high and thus the yield is high. Therefore, it becomes easy to achieve a large screen. Further, since there is no occupied area of active elements in one pixel, there is an advantage that high definition can be supported. Moreover, by using the organic EL material as the light emitting layer as in the first embodiment, it is possible to realize low voltage driving of about 5 to 10 V and low power consumption. Incidentally, this driving voltage is almost the same as that of the liquid crystal display element using the TFT as an active element, which is much smaller than that of the display using plasma, and is a display device excellent in portability. In the first embodiment, since the light emitting layer 19 is used as the signal light generating means and is not used as the display light, relatively weak light emission is sufficient, and the life of the light emitting layer 19 is extended. be able to. Further, in this embodiment, the signal light is 350 n
Although ultraviolet light in the wavelength range between m and 400 nm was used, it falls outside the wavelength range of visible light used for liquid crystal display, for example, 80
It is also possible to use a wavelength range such as infrared light of 1 nm to 1 mm and set the photoconductive layer having a peak of photovoltaic power in this wavelength range. Further, in this embodiment, each substrate is made of a glass substrate, but since the light emitting layer 19 is made of a flexible organic material, the flexible substrates 15, 22, 23 made of resin, for example, are used. By adopting, it becomes possible to make a display device having flexibility. The rear polarization plate 27 linearly polarizes the visible light from the backlight system 14 and emits it, but the signal light of the address light element 12 is polarized by the polarization plate 2.
Since it can reach the photoconductive layer 29 without being polarized by 6 and 27, it is sufficient to emit extremely weak light. further,
The color filter layer 31 applied to this embodiment may have a stripe arrangement or a mosaic arrangement. As described above, by using the organic EL element as the address light element 12, it is possible to reduce the thickness, and the signal light is irradiated only to the region corresponding to the predetermined dot of the photoconductive layer only through the column electrode and the row electrode. be able to.

【0054】すなわち、本実施形態の表示装置11で
は、液晶表示素子13の光導電層29がアドレス光素子
12の信号光(紫外光350nm〜400nm)を吸収
して電子−正孔対からなる伝導キャリアを生成し、かつ
バックライトシステム14の光(可視光401nm〜8
00nm)に対し実質的に光吸収性を持たないので可視
光を十分に透過させることができ、また、アドレス光素
子12が有機EL素子からなることから可視光波長域に
対し概して良好な透過性を有しているので、アドレス光
素子12の線順次駆動により発光された信号光に応じて
液晶表示素子13の光導電層29の所定領域中に伝導キ
ャリアを生成することができると共に、バックライトシ
ステム14の光がアドレス光素子12の信号光を阻害す
ることなくアドレス光素子12及び光導電層29を介し
て液晶25に入射し、表示を行うことができる。
That is, in the display device 11 of the present embodiment, the photoconductive layer 29 of the liquid crystal display element 13 absorbs the signal light (UV light 350 nm to 400 nm) of the address light element 12 and conducts by electron-hole pairs. Generates carriers and emits light from the backlight system 14 (visible light 401 nm to 8 nm).
(00 nm) has substantially no light absorption property, so that visible light can be sufficiently transmitted. Further, since the address light element 12 is an organic EL element, it has generally good transmittance in the visible light wavelength range. Therefore, conductive carriers can be generated in a predetermined region of the photoconductive layer 29 of the liquid crystal display element 13 in accordance with the signal light emitted by the line-sequential driving of the address light element 12, and the backlight is provided. The light of the system 14 can enter the liquid crystal 25 through the address light element 12 and the photoconductive layer 29 without disturbing the signal light of the address light element 12 to perform display.

【0055】アドレス光素子12は、アドレス基板15
を除けば約1000Å〜5000Å程度の厚さの構造で
あるので、液晶表示素子13、アドレス光素子12、バ
ックライトシステム14を順次重ね合わせた高密度実装
構造のマトリクス駆動表示装置が実現できる。
The address optical element 12 includes an address substrate 15
With the exception of the above, the structure has a thickness of about 1000 Å to 5000 Å. Therefore, a matrix drive display device having a high-density mounting structure in which the liquid crystal display element 13, the address light element 12, and the backlight system 14 are sequentially stacked can be realized.

【0056】また、本実施形態の表示装置11は、液晶
表示素子13内にアクティブ駆動するためのTFT等の
スイッチング素子を配置して製造する必要がないのでT
FT製造に伴うフォトリソグラフィー工程がなく、さら
に、液晶表示素子13の画素電極等を画素ドッド毎にパ
ターニングする必要がなく、高時分割駆動できるので、
簡易な製造装置を適用して少ない工程でスループット及
び歩留まりを高く製造することができ、TFTのアクテ
ィブ表示素子を備えた表示装置に比し、特に大型画面の
表示装置での生産性が極めて良好な構造である。
Further, the display device 11 of this embodiment does not need to be manufactured by arranging a switching element such as a TFT for active driving in the liquid crystal display element 13 so that it can be manufactured.
Since there is no photolithography process associated with FT manufacturing, and further, it is not necessary to pattern the pixel electrodes of the liquid crystal display element 13 for each pixel dot, and high time division driving can be performed
It is possible to manufacture with high throughput and yield in a small number of steps by applying a simple manufacturing device, and the productivity is particularly good in a display device with a large screen compared to a display device equipped with an active display element of TFT. It is a structure.

【0057】本実施形態では、列電極20は光透過性の
電極の方が望ましいが、可視光非透過性の電極であって
もストライプ状に形成されているので、バックライトシ
ステム14の可視光は、列電極20の間から液晶表示素
子13に照射することができる。
In the present embodiment, the column electrode 20 is preferably a light transmissive electrode, but even a visible light non-transmissive electrode is formed in a striped shape, so that the visible light of the backlight system 14 is formed. Can irradiate the liquid crystal display element 13 from between the column electrodes 20.

【0058】(実施形態2)図14は、この発明の実施
形態2の表示装置を模式的に示した断面図である。この
実施形態においては、上記した実施形態1の後偏光板2
7を、アドレス光素子12の前方(前面)と後透明基板
23の後方との間に配置させている。なお、他の構成
は、上記した実施形態1と実質的に同様の構成である。
この実施形態においては、液晶表示素子13とアドレス
光素子12とが完全に別体なので、偏光板の偏光軸の調
整が液晶表示素子13のみで比較的容易に設定すること
ができる。また、液晶表示素子13の後透明基板23の
端面とアドレス基板15の端面とを合わせて、アドレス
光素子12の電極16、20の交差部とカラーフィルタ
層31とを位置合わせを行うように設定することもでき
る。なお、後偏光板27がアドレス光素子12と光導電
層29との間に配置されるが、信号光を光導電層29へ
の到達に支障が生じない光量に設定するか、信号光の波
長域の透過性の高い偏光板を適用すればよい。
(Second Embodiment) FIG. 14 is a sectional view schematically showing a display device according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the post-polarizing plate 2 of Embodiment 1 described above is used.
7 is arranged between the front (front surface) of the address optical element 12 and the rear of the rear transparent substrate 23. Note that the other configurations are substantially the same as those of the above-described first embodiment.
In this embodiment, since the liquid crystal display element 13 and the address light element 12 are completely separate from each other, the polarization axis of the polarizing plate can be adjusted relatively easily only by the liquid crystal display element 13. Further, the end face of the rear transparent substrate 23 of the liquid crystal display device 13 and the end face of the address substrate 15 are aligned with each other, and the intersection of the electrodes 16 and 20 of the address optical device 12 and the color filter layer 31 are set to be aligned. You can also do it. Although the rear polarizing plate 27 is disposed between the address optical element 12 and the photoconductive layer 29, the signal light is set to an amount that does not hinder the arrival at the photoconductive layer 29, or the signal light has a wavelength. It suffices to apply a polarizing plate having a high transmittance in the region.

【0059】ここでは、発光層19と光導電層29との
間に介在するアドレス光素子12の行電極16がアノー
ド電極であるので容易にITO等の透明電極に設定しや
すく、仮に列電極20が低仕事関数のため可視光及び信
号光に対して反射性を有していても、発光層19の信号
光は直接光導電層29に到達すると共に、列電極20よ
り信号光の反射光が光導電層29に到達するのでより大
きい光強度にでき、比較的微弱な信号光でも良好にアド
レスすることができ、さらに列電極20どうしの間隙か
らバックライトシステム14の可視光を液晶表示素子1
3に到達させることができる。
In this case, since the row electrode 16 of the address light element 12 interposed between the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29 is an anode electrode, it is easy to set it as a transparent electrode such as ITO. Has a low work function and thus has reflectivity for visible light and signal light, the signal light of the light emitting layer 19 directly reaches the photoconductive layer 29, and reflected light of the signal light from the column electrode 20 is generated. Since it reaches the photoconductive layer 29, a higher light intensity can be obtained, and even a relatively weak signal light can be addressed favorably, and further, the visible light of the backlight system 14 can be transmitted through the gap between the column electrodes 20 to the liquid crystal display element 1.
Can be reached.

【0060】(実施形態3)図15は、この発明に係る
実施形態3の表示装置を模式的に示した断面図である。
この実施形態では、上記した実施形態1と略同様の構成
であり、異なる点は後偏光板27の配置位置が、後透明
基板23と、アドレス光素子12の保護膜21との間に
配置された点である。この実施形態の動作は、上記実施
形態1と同様であるため、説明を省略する。
(Embodiment 3) FIG. 15 is a sectional view schematically showing a display device according to Embodiment 3 of the present invention.
This embodiment has substantially the same configuration as the above-described first embodiment, except that the rear polarizing plate 27 is disposed between the rear transparent substrate 23 and the protective film 21 of the address optical element 12. It is a point. The operation of this embodiment is the same as that of the above-described first embodiment, and thus the description thereof is omitted.

【0061】この実施形態における表示装置は、実施形
態1の表示装置11と同様、発光層19からの信号光が
アドレス基板15を通過しないので、アドレス基板15
の光吸収による減衰がなく、良好な光伝達効率を得るこ
とができる。また、有機EL素子は熱に対し極めて弱
く、素子の発光特性を著しく劣化させてしまう性質を有
するが、実施形態3の表示装置では、実施形態1の表示
装置と同様に発光層19と光の照射に伴う熱を発生させ
るバックライトシステム14との間にアドレス基板15
を介在させているので熱劣化を抑制することができる構
造になっている。また、後偏光板27の熱劣化も抑制す
ることが可能であり、長期間にわたって良好な表示を得
ることができる。なお、後偏光板27がアドレス光素子
12と光導電層29との間に配置されるが、信号光を光
導電層29への到達に支障が生じない光量に設定する
か、信号光の波長域の透過性の高い偏光板を適用すれば
よい。
In the display device according to this embodiment, the signal light from the light emitting layer 19 does not pass through the address substrate 15 as in the display device 11 according to the first embodiment.
There is no attenuation due to the absorption of light, and good light transmission efficiency can be obtained. Further, the organic EL element is extremely weak against heat and has a property of remarkably deteriorating the light emitting characteristics of the element. The address substrate 15 is provided between the backlight system 14 and the backlight system 14 that generates heat associated with irradiation.
Since it is interposed, it has a structure that can suppress thermal deterioration. Further, it is possible to suppress thermal deterioration of the rear polarizing plate 27, and it is possible to obtain a good display for a long period of time. Although the rear polarizing plate 27 is disposed between the address optical element 12 and the photoconductive layer 29, the signal light is set to an amount that does not hinder the arrival at the photoconductive layer 29, or the signal light has a wavelength. It suffices to apply a polarizing plate having a high transmittance in the region.

【0062】(実施形態4)図16は、この発明に係る
実施形態4の表示装置を模式的に示した断面図である。
この実施形態では、上記した実施形態2と同様な配置の
アドレス表示素子12の保護膜21の後面に後偏光板2
7が配置された構成であり、他の構成は上記実施形態2
と同様である。この実施形態においても、後偏光板27
がアドレス光素子12の後方にあるため、アドレス光素
子12から出射された信号光が後偏光板27の影響を受
けることを防止できる。また、信号光が後偏光板27を
通過しなくてよいため、より微弱な光を信号光として用
いることができる。また、バックライトシステム14か
ら発生する光及び熱を後偏光板27により低減させて伝
えるので発光層19の劣化を抑制でき、長期間信号光を
連続発光することができる。ここでは、発光層19と光
導電層29との間に介在するアドレス光素子12の行電
極16がアノード電極であるので容易にITO等の透明
電極に設定しやすく、仮に列電極20が低仕事関数のた
め可視光及び信号光に対して反射性を有していても、発
光層19の信号光は直接光導電層29に到達すると共
に、列電極20による信号光の反射光が光導電層29に
到達するのでより大きい光強度になり、比較的微弱な信
号光でも良好アドレスすることができ、さらに列電極2
0どうしの間隙からバックライトシステム14の可視光
を液晶表示素子13に到達させることができる。
(Fourth Embodiment) FIG. 16 is a sectional view schematically showing a display device according to a fourth embodiment of the present invention.
In this embodiment, the rear polarizing plate 2 is provided on the rear surface of the protective film 21 of the address display element 12 having the same arrangement as that of the second embodiment.
7 is arranged, and other structures are the same as those in the second embodiment.
Is the same as Also in this embodiment, the rear polarizing plate 27
Is located behind the address optical element 12, it is possible to prevent the signal light emitted from the address optical element 12 from being influenced by the rear polarization plate 27. Further, since the signal light does not have to pass through the rear polarizing plate 27, weaker light can be used as the signal light. Further, since the light and heat generated from the backlight system 14 are reduced and transmitted by the rear polarizing plate 27, the deterioration of the light emitting layer 19 can be suppressed, and the signal light can be continuously emitted for a long period of time. Here, since the row electrode 16 of the address light element 12 interposed between the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29 is an anode electrode, it is easy to set it as a transparent electrode such as ITO, and the column electrode 20 temporarily has low work. Even if the signal light of the light emitting layer 19 reaches the photoconductive layer 29 directly even if it has reflectivity for visible light and signal light due to the function, the reflected light of the signal light by the column electrode 20 is a photoconductive layer. Since it reaches 29, the light intensity becomes higher and good addressing can be performed even with relatively weak signal light.
Visible light of the backlight system 14 can reach the liquid crystal display element 13 through the gap between the zeros.

【0063】(実施形態5)図17は、この発明に係る
実施形態5の表示装置を模式的に示した断面図である。
この実施形態では、アドレス光素子12が後アドレス基
板15Aと前アドレス基板15Bを有する構成であり、
液晶表示素子13の後透明基板23と、アドレス光素子
12の前アドレス基板15Bとの間に後偏光板27が介
在された構成となっている。他の構成は、上記した実施
形態3と略同様である。この実施形態では、液晶表示素
子13の前後両面に偏光板26、27が設けられた構成
であるため、液晶表示素子単体で偏光状態の検査をする
ことができる。また、アドレス光素子12は、前面が平
坦な前アドレス基板15Bを有しているため、後透明基
板23との接合性が良好となる。また、発光層19を一
対の基板15A、15Bで挟持しているので、過剰な曲
げ応力が掛かる際、発光層19の破壊及び各層の剥離を
防止することができる。なお、後偏光板27がアドレス
光素子12と光導電層29との間に配置されるが、信号
光を光導電層29への到達に支障が生じない光量に設定
するか、信号光の波長域の透過性の高い偏光板を適用す
ればよい。
(Fifth Embodiment) FIG. 17 is a sectional view schematically showing a display device according to a fifth embodiment of the present invention.
In this embodiment, the address optical element 12 has a rear address substrate 15A and a front address substrate 15B,
A rear polarizing plate 27 is interposed between the rear transparent substrate 23 of the liquid crystal display element 13 and the front address substrate 15B of the address optical element 12. Other configurations are substantially the same as those in the above-described third embodiment. In this embodiment, since the polarizing plates 26 and 27 are provided on both front and rear surfaces of the liquid crystal display element 13, the polarization state can be inspected by the liquid crystal display element alone. Further, since the address optical element 12 has the front address substrate 15B having a flat front surface, the bondability with the rear transparent substrate 23 is improved. Further, since the light emitting layer 19 is sandwiched between the pair of substrates 15A and 15B, it is possible to prevent the light emitting layer 19 from being broken and peeled off when an excessive bending stress is applied. Although the rear polarizing plate 27 is disposed between the address optical element 12 and the photoconductive layer 29, the signal light is set to an amount that does not hinder the arrival at the photoconductive layer 29, or the signal light has a wavelength. It suffices to apply a polarizing plate having a high transmittance in the region.

【0064】なお、これら実施形態1〜実施形態5で
は、いずれもカラーフィルタを用いて多色表示を行うこ
とができ、液晶表示素子のモードとしては、ツイストネ
マチック(TN)液晶モードの他に、強誘電性液晶(F
CL)モード、反強誘電性液晶(AFLC)モード、高
分子分散型液晶(PDLC)モード、相転移(PC)モ
ード等が適用できる。また、これらの液晶モードに応じ
て、偏光板、位相差板、配向膜を設定すればよく、例え
ばPDLC液晶モードでは、偏光板を配置される必要が
なく、配向処理を施した配向膜も必要ない。
In each of Embodiments 1 to 5, multicolor display can be performed by using a color filter, and the modes of the liquid crystal display element include a twisted nematic (TN) liquid crystal mode and Ferroelectric liquid crystal (F
CL) mode, antiferroelectric liquid crystal (AFLC) mode, polymer dispersed liquid crystal (PDLC) mode, phase transition (PC) mode and the like can be applied. In addition, a polarizing plate, a retardation plate, and an alignment film may be set according to these liquid crystal modes. For example, in the PDLC liquid crystal mode, it is not necessary to dispose a polarizing plate, and an alignment film subjected to an alignment treatment is also necessary. Absent.

【0065】また、これら実施形態1〜実施形態5にお
ける表示装置では、光の拡散性の点からアドレス光素子
12の発光層19の発光領域と光導電層29との距離が
短い方が望ましく、具体的には、保護膜21、後透明基
板23ができるだけ薄い方がよく、さらに発光層19の
発光領域が、アドレス光素子12のできるだけ光導電層
29側、すなわち、発光層19のできるだけ光導電層2
9側にあるのが望ましい。また、発光層19と光導電層
29との間には、光導電層29が電子−正孔対からなる
伝導キャリアを発生させる波長域の光をできるだけ透過
する部材のみで構成される方が望ましい。
Further, in the display devices according to the first to fifth embodiments, it is desirable that the distance between the light emitting region of the light emitting layer 19 of the address light element 12 and the photoconductive layer 29 is short from the viewpoint of light diffusivity. Specifically, it is preferable that the protective film 21 and the rear transparent substrate 23 are as thin as possible, and the light emitting region of the light emitting layer 19 is as close as possible to the photoconductive layer 29 of the address light element 12, that is, the light emitting layer 19 is as photoconductive as possible. Layer 2
It is desirable to be on the 9 side. Further, between the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29, it is preferable that the photoconductive layer 29 is composed only of a member that transmits as much light as possible in a wavelength range in which conduction carriers composed of electron-hole pairs are generated. .

【0066】(実施形態6)図18は、この発明の実施
形態6の表示装置を模式的に示した断面図である。この
実施形態では、同図に示したように、アドレス光素子1
2が後アドレス基板15Aと前アドレス基板15Bとの
間に、行電極16、発光層19、列電極20が形成され
て構成されている。また、液晶25は複屈折制御(EC
B)形の液晶が用いられ、液晶表示素子13の前透明基
板22の対向内側面には、カラーフィルタがなく、直
接、前駆動電極33が形成されている。そして、後配向
膜30の表面には、図19(b)に示す所定の方向(0
°の方向)30aに、ラビングなどの配向処理が施され
ている。前配向膜34の表面には、図19(b)に示す
34aの方向(後配向膜30の配向処理の方向30aに
対して反時計回り方向に略90°の方向)に、ラビング
などの配向処理が施されている。
(Sixth Embodiment) FIG. 18 is a sectional view schematically showing a display device according to a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, as shown in FIG.
2 includes a row electrode 16, a light emitting layer 19, and a column electrode 20 formed between the rear address substrate 15A and the front address substrate 15B. Further, the liquid crystal 25 has a birefringence control (EC
B) type liquid crystal is used, and the front drive electrode 33 is directly formed on the inner surface of the front transparent substrate 22 of the liquid crystal display element 13 facing the front surface without a color filter. Then, on the surface of the post-alignment film 30, a predetermined direction (0
The orientation treatment such as rubbing is performed on the (direction of 30 °) 30a. Alignment such as rubbing is performed on the surface of the front alignment film 34 in the direction of 34a shown in FIG. 19B (counterclockwise with respect to the orientation direction 30a of the alignment process of the rear alignment film 30 by approximately 90 °). Has been processed.

【0067】液晶25は、カイラル材が添加されたネマ
ティック液晶などから構成され、配向膜30、34の施
された配向処理にしたがって、後透明基板23から前透
明基板22に向かって略90°ツイストして配向してい
る。前偏光板26は、図19(a)に示すように、その
偏光軸26aが配向処理方向30aに対して130°に
設定されている。後偏光板27は、図19(c)に示す
ように、その偏光軸27aが配向処理方向30aに対し
て150°に設定されている。前偏光板26は、その偏
光軸26aが配向処理方向34aに対し左右いずれかに
20°〜70°、好ましくは35°〜50°となるよう
に配置されればよく、後偏光板27は、その偏光軸27
aが配向処理方向30aに対し左右のいずれかに20°
〜70°、好ましくは25°〜45°となるように配置
されればよい。
The liquid crystal 25 is made of a nematic liquid crystal or the like to which a chiral material is added, and is twisted by about 90 ° from the rear transparent substrate 23 to the front transparent substrate 22 in accordance with the alignment treatment with the alignment films 30 and 34. And is oriented. As shown in FIG. 19A, the polarization plate 26a of the front polarizing plate 26 is set to 130 ° with respect to the alignment treatment direction 30a. As shown in FIG. 19C, the polarization plate 27a of the rear polarizing plate 27 is set to 150 ° with respect to the alignment treatment direction 30a. The front polarizing plate 26 may be arranged so that its polarization axis 26a is 20 ° to 70 °, preferably 35 ° to 50 ° to the left or right with respect to the alignment treatment direction 34a, and the rear polarizing plate 27 is Its polarization axis 27
a is 20 ° to the left or right with respect to the alignment treatment direction 30a
It may be arranged at an angle of up to 70 °, preferably 25 ° to 45 °.

【0068】上記のように設定された液晶表示素子13
とアドレス光素子12とは、前アドレス基板15Bと後
透明基板23とを接合して組み付けられている。このよ
うな構成の表示装置11において、前駆動電極33と、
光により電気伝導性を得た光導電層29との間の液晶2
5に電圧を印加すると、ある電圧値(約2.4V)以下
の電圧の範囲では液晶25の複屈折効果等により色相が
変化し、この電圧値を越えると電圧の範囲では、無彩色
で輝度のみが変化する結果が得られた。具体的には、印
加電圧が0V〜1Vで赤色、1.8V近傍で緑色、2.2
V近傍で青色、2.4V近傍で輝度が最も低く黒色、そ
れ以上の電圧値では印加電圧の増大に伴い輝度の高い白
色に近づく。したがって、2.4V以下の任意の電圧を
各画素に印加することによって、カラー表示色を制御す
ることができる。また、2.4Vを越える範囲の任意の
電圧を各画素に印加することによって、輝度階調を制御
することができる。この実施形態では、行電極16と列
電極20との間に印加する電圧を調節することにより発
光層19から出力される信号光の発光強度を制御するこ
とができる。このため、光導電層29に入射する信号光
の光強度に応じて光導電層29のインピーダンスが変調
され、液晶25を挟む光導電層29と前駆動電極33と
の間の電圧が変化して上記したように色相の制御及び輝
度階調の制御することが可能となり、多色穂湯時を行う
ことができる。
The liquid crystal display element 13 set as described above
The address optical element 12 is assembled by bonding the front address substrate 15B and the rear transparent substrate 23. In the display device 11 having such a configuration, the front drive electrode 33,
The liquid crystal 2 between the photoconductive layer 29 which is electrically conductive by light
When a voltage is applied to No. 5, the hue changes due to the birefringence effect of the liquid crystal 25 in a voltage range below a certain voltage value (about 2.4 V). Only the results were changed. Specifically, the applied voltage is 0V to 1V, red, and green near 1.8V, 2.2.
It is blue near V, has the lowest brightness near 2.4 V, and is black, and at a voltage value higher than that, approaches white with high brightness as the applied voltage increases. Therefore, the color display color can be controlled by applying an arbitrary voltage of 2.4 V or less to each pixel. Further, the luminance gradation can be controlled by applying an arbitrary voltage in the range exceeding 2.4 V to each pixel. In this embodiment, the emission intensity of the signal light output from the light emitting layer 19 can be controlled by adjusting the voltage applied between the row electrode 16 and the column electrode 20. Therefore, the impedance of the photoconductive layer 29 is modulated according to the light intensity of the signal light incident on the photoconductive layer 29, and the voltage between the photoconductive layer 29 and the front drive electrode 33 sandwiching the liquid crystal 25 changes. As described above, it is possible to control the hue and the brightness gradation, and it is possible to perform multicolor hot water.

【0069】この実施形態においても、上記した実施形
態1と同様に、後偏光板27がアドレス光素子12の後
方かつバックライトシステム14の前方に配置されてい
るため、実施形態1と同様にアドレス光素子12から出
射された信号光が後偏光板27を通過しなくてよいた
め、より微弱な光を信号光として用いることができる。
さらに、この実施形態においては、カラーフィルタを有
しないため、その分光透過性が向上するという利点があ
る。さらにまた、アドレス光素子12は、後アドレス基
板15Aと前アドレス基板15Bを有するため、アドレ
ス光素子12だけでの取り扱いが容易となり、液晶表示
素子13側との組付けが行い易くなるという利点があ
る。なお、液晶表示素子13の後透明基板23及びアド
レス光素子12の前アドレス基板15Bは、発光層19
からの光の拡散性の点からできるだけ薄い方が光導電層
29の所定領域に照射しやすく、さらに光の屈折性の点
から後透明基板23の屈折率と前アドレス基板15Bの
屈折率とが近い方が望ましい。なお、この実施形態にお
いては、液晶表示素子13がECBモードのものを用い
たが、配向もツイストネマチックに限らず、ホモジニア
ス、ホメオトロピック、ハイブリッド配向のいずれでも
よく、この他に旋光性を用いたTN液晶モード、複屈折
性を用いたSTN液晶モードや、二色性のゲスト・ホス
ト(GH)液晶モード、光干渉を用いたSBE/STN
液晶モード、強誘電性液晶モード、反強誘電性液晶モー
ド、高分子分散液晶モード(PDLC)などの液晶表示
素子に適用することができる。また、この実施形態で
は、偏光板を有する液晶モードにこの発明を適用して説
明したが、偏光板を有しない、PC(相転移)液晶モー
ド、PDLC(高分子分散型液晶)/GHモード、コレ
ステリック液晶モード、PC液晶/GHモード、さらに
は配向膜も不要のPDLCモードなどにこの発明を適用
することもできる。なお、上記実施形態においては、直
線偏光性の偏光軸を用いたが、適宜楕円偏光性の位相差
板を配置させて、多色表示を行ってもよい。
Also in this embodiment, the rear polarizing plate 27 is arranged behind the addressing optical element 12 and in front of the backlight system 14 as in the case of the first embodiment. Since the signal light emitted from the optical element 12 does not have to pass through the rear polarizing plate 27, weaker light can be used as the signal light.
Further, in this embodiment, since the color filter is not provided, there is an advantage that the spectral transmittance is improved. Furthermore, since the address optical element 12 has the rear address substrate 15A and the front address substrate 15B, there is an advantage that the address optical element 12 can be easily handled and can be easily assembled with the liquid crystal display element 13 side. is there. The rear transparent substrate 23 of the liquid crystal display element 13 and the front address substrate 15B of the address optical element 12 are formed by the light emitting layer 19
From the viewpoint of diffusibility of light from the above, it is easier to irradiate a predetermined region of the photoconductive layer 29 with the thinnest possible, and from the viewpoint of refraction of light, the refractive index of the rear transparent substrate 23 and the refractive index of the front address substrate 15B are different. Closer is desirable. In this embodiment, the liquid crystal display element 13 of ECB mode is used, but the orientation is not limited to twist nematic, and any of homogeneous, homeotropic and hybrid orientations may be used. TN liquid crystal mode, STN liquid crystal mode using birefringence, dichroic guest-host (GH) liquid crystal mode, SBE / STN using optical interference
It can be applied to liquid crystal display devices such as a liquid crystal mode, a ferroelectric liquid crystal mode, an antiferroelectric liquid crystal mode, and a polymer dispersed liquid crystal mode (PDLC). In addition, although the present invention is applied to the liquid crystal mode having a polarizing plate in this embodiment, a PC (phase transition) liquid crystal mode, a PDLC (polymer dispersed liquid crystal) / GH mode, which does not have a polarizing plate, The present invention can be applied to a cholesteric liquid crystal mode, a PC liquid crystal / GH mode, a PDLC mode in which an alignment film is unnecessary, and the like. In the above embodiment, the linearly polarizing polarization axis is used, but an elliptically polarizing retardation plate may be appropriately arranged to perform multicolor display.

【0070】(実施形態7)図20は、実施形態7に係
る透過型の表示装置を模式的に示す断面図である。この
実施形態は、上記実施形態6の変形例であり、1枚のア
ドレス基板15にアドレス光素子を作成し、このアドレ
ス基板15と液晶表示素子13の後透明基板23とを貼
り合わせた構成である。なお、他の構成は、上記実施形
態6と同様である。この実施形態においては、発光層1
9と光導電層29との距離を短くし、信号光は発光層1
9に的確に到達し得る構造が好ましい。
(Embodiment 7) FIG. 20 is a sectional view schematically showing a transmissive display device according to Embodiment 7. This embodiment is a modification of the sixth embodiment, and has a configuration in which an address optical element is formed on one address substrate 15 and the address substrate 15 and the rear transparent substrate 23 of the liquid crystal display element 13 are bonded together. is there. The rest of the configuration is similar to that of the sixth embodiment. In this embodiment, the light emitting layer 1
9 and the photoconductive layer 29 are shortened, and the signal light is emitted from the light emitting layer 1
A structure capable of accurately reaching 9 is preferable.

【0071】また、バックライトシステム14から発生
する光及び熱を後偏光板27により低減させて伝えるの
で発光層19の劣化を抑制でき、長期間信号光を連続発
光することができる。ここでは、発光層19と光導電層
29との間に介在するアドレス光素子12の行電極16
がアノード電極であるので容易にITO等の透明電極に
設定しやすく、仮に列電極20が低仕事関数のため可視
光及び信号光に対して反射性を有していても、発光層1
9の信号光は直接光導電層29に到達すると共に、列電
極20による信号光の反射光が光導電層29に到達する
のでより大きい光強度になり、比較的微弱な信号光でも
良好アドレスすることができ、さらに列電極20どうし
の間隙からバックライトシステム14の可視光を液晶表
示素子13に到達させることができる。
Further, since the light and heat generated from the backlight system 14 are reduced and transmitted by the rear polarizing plate 27, the deterioration of the light emitting layer 19 can be suppressed and the signal light can be continuously emitted for a long period of time. Here, the row electrode 16 of the address optical element 12 interposed between the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29.
Since it is an anode electrode, it is easy to set it as a transparent electrode such as ITO, and even if the column electrode 20 has a low work function and thus has reflectivity for visible light and signal light, the light emitting layer 1
The signal light of 9 directly reaches the photoconductive layer 29, and the reflected light of the signal light by the column electrode 20 reaches the photoconductive layer 29, so that the light intensity becomes higher, and even a relatively weak signal light is well addressed. Further, visible light of the backlight system 14 can reach the liquid crystal display element 13 through the gap between the column electrodes 20.

【0072】(実施形態8)図21は、実施形態8に係
る透過型の表示装置を模式的に示す断面図である。この
実施形態は、上記実施形態7における後偏光板27を、
アドレス基板15と後透明基板23との間に介在させた
構成である。他の構成は、同実施形態と同様である。こ
の実施形態においては、液晶表示素子13側に後偏光板
27を組み込んだ構成であるため、後偏光板27の配置
後の位置ずれを防止できるので、後偏光板27の偏光軸
の方向がずれないという利点がある。なお、後偏光板2
7がアドレス光素子12と光導電層29との間に位置す
るが、信号光を光導電層29への到達に支障が生じない
光量に設定するか、信号光の波長域の透過性の高い偏光
板を適用すればよい。
(Embodiment 8) FIG. 21 is a sectional view schematically showing a transmissive display device according to Embodiment 8. In this embodiment, the rear polarizing plate 27 in Embodiment 7 is
This is a configuration in which it is interposed between the address substrate 15 and the rear transparent substrate 23. Other configurations are similar to those of the embodiment. In this embodiment, since the rear polarizing plate 27 is incorporated on the liquid crystal display device 13 side, it is possible to prevent the positional deviation of the rear polarizing plate 27 after the arrangement, so that the polarization axis of the rear polarizing plate 27 is displaced. There is an advantage that it does not. The rear polarizing plate 2
7 is located between the address optical element 12 and the photoconductive layer 29, the signal light is set to an amount that does not hinder the arrival at the photoconductive layer 29, or the signal light has high transparency in the wavelength range. A polarizing plate may be applied.

【0073】(実施形態9)図22は、実施形態9に係
る透過型の表示装置の概念を示す斜視図であり、図23
はその断面構造を模式的に示す断面図である。この実施
形態は、透過型の液晶表示素子にこの発明を適用したも
のである。図中11は表示装置であり、この表示装置1
1は、アドレス光素子12と、液晶表示素子13と、バ
ックライトシステム14と、から大略構成されている。
(Embodiment 9) FIG. 22 is a perspective view showing the concept of a transmissive display device according to Embodiment 9, and FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the cross-sectional structure. In this embodiment, the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display element. In the figure, reference numeral 11 denotes a display device.
The reference numeral 1 generally comprises an address light element 12, a liquid crystal display element 13, and a backlight system 14.

【0074】アドレス光素子12は、図23に示すよう
に、ガラス或いは高分子フィルムでなるアドレス基板1
5の上面(後面)に、電極群としの複数の行電極16が
行方向に互いに平行に配列して形成されている。この行
電極16はアノード電極として機能するものであり、1
画素の幅より小さい幅に設定されている。行電極16
は、アドレス光素子12の信号光及びバックライトシス
テム14の可視光に対して透過性を有し、例えばIT
O、酸化スズ(SnO2)、酸化マグネシウム(Mg
O)等の少なくとも1種から構成されている。複数の行
電極16及びアドレス基板15の上面(後面)には、ポ
リビニルカルバゾール(以下、PVCz)と、2,5−ビ
ス(1−ナフチル)−オキシジアゾール(以下、BN
D)と、からなる単一層の正孔輸送性の第1有機膜17
が約1000Åの膜厚で形成されている。そして、この
第1有機膜17上には、トリス(8−キノリレート)ア
ルミニウム錯体(以下、Alq3)等からなる電子輸送
性の第2有機膜18が、約500Åの膜厚で形成され、
そして、発光層19は、これら第1有機膜17及び第2
有機膜18から構成されている。
As shown in FIG. 23, the address optical element 12 is an address substrate 1 made of glass or polymer film.
On the upper surface (rear surface) of 5, a plurality of row electrodes 16 as an electrode group are formed in parallel with each other in the row direction. The row electrode 16 functions as an anode electrode, and
The width is set smaller than the width of the pixel. Row electrode 16
Is transparent to the signal light of the address light element 12 and the visible light of the backlight system 14, and is, for example, IT.
O, tin oxide (SnO2), magnesium oxide (Mg
O) and the like. Polyvinylcarbazole (hereinafter, PVCz) and 2,5-bis (1-naphthyl) -oxydiazole (hereinafter, BN) are formed on the upper surfaces (rear surfaces) of the plurality of row electrodes 16 and the address substrate 15.
D) and a single-layered first organic film 17 having a hole-transporting property.
Is formed with a film thickness of about 1000Å. Then, an electron transporting second organic film 18 made of tris (8-quinolylate) aluminum complex (hereinafter, Alq3) or the like is formed on the first organic film 17 with a film thickness of about 500 Å.
Then, the light emitting layer 19 includes the first organic film 17 and the second organic film 17.
It is composed of the organic film 18.

【0075】また、発光層19の上面(後面)には、図
22に示すように、発光層19を介して行電極16に交
差(直交)する、複数の列電極20が列方向に互いに平
行になるように形成されている。この列電極20は、カ
ソード電極として機能するものであり、アノード電極に
対し仕事関数が低い物性であり、例えば、MgIn、A
lLi、MgIn−Al等の金属電極や、可視光及び紫
外光波長域に対して透過性を有しているn型アモルファ
スシリコン(a−Si)、n型シリコンカーバイド等が
挙げられる。この列電極20も行電極16と同様に、1
画素の幅より狭い幅に設定されている。そして、発光層
19及び列電極20を覆うように、紫外光及び可視光に
対し透過性を有する材料、例えば窒化シリコン或いは酸
化シリコン等でなる保護膜21が形成されている。この
ように構成されたアドレス光素子12においては、行電
極16と列電極20との間に電界が印加された場合に、
第1有機膜17における第2有機膜18との界面寄りの
部分から紫外波長域350nm〜400nmの間の信号
光が発せられる。なお、行電極16および列電極20
は、アドレス基板15の端縁まで延在され、駆動用IC
(図示省略する)と接続されている。このようにして、
マトリクス駆動されるアドレス光素子12が構成されて
いる。
Further, on the upper surface (rear surface) of the light emitting layer 19, as shown in FIG. 22, a plurality of column electrodes 20 intersecting (orthogonal to) the row electrodes 16 via the light emitting layer 19 are parallel to each other in the column direction. Is formed. The column electrode 20 functions as a cathode electrode and has a physical property of having a lower work function than the anode electrode. For example, MgIn, A
Examples thereof include metal electrodes such as 1Li and MgIn-Al, n-type amorphous silicon (a-Si), and n-type silicon carbide that have transparency to visible and ultraviolet wavelength ranges. This column electrode 20 is also 1 like the row electrode 16.
The width is set narrower than the width of the pixel. Then, a protective film 21 made of a material having transparency to ultraviolet light and visible light, for example, silicon nitride or silicon oxide is formed so as to cover the light emitting layer 19 and the column electrode 20. In the address optical element 12 thus configured, when an electric field is applied between the row electrode 16 and the column electrode 20,
Signal light in the ultraviolet wavelength range of 350 nm to 400 nm is emitted from the portion of the first organic film 17 near the interface with the second organic film 18. The row electrode 16 and the column electrode 20
Is extended to the edge of the address substrate 15 and is a driving IC.
(Not shown). In this way,
The matrix-addressed address optical element 12 is configured.

【0076】このような構成のアドレス光素子12の保
護膜21の後面には、後偏光板27が配置されている。
このアドレス光素子12に組み合わされる液晶表示素子
13は、アドレス光素子12の発光領域全域と同程度の
面積の表示領域を有している。以下に、図23を用いて
液晶表示素子13の構成を説明する。この液晶表示素子
13は、対をなす前透明基板22と後透明基板23と、
これら透明基板間にシール材24により封止された液晶
25と、前透明基板22前面に配置された前偏光板26
と、を備える構成である。そして、この実施形態では、
後透明基板23の対向内側面(前面)に、ITOでなる
透明な1枚の後駆動電極28が表示領域全面に亙って形
成されている。また、後駆動電極28の前面には、図2
2に点描で示すドット部dの領域(画素領域)毎に1つ
ずつ形成された、矩形状の光導電層29が形成されてい
る。なお、この光導電層29は、画素領域の面積に対し
てその占有率が小さくなるように設定されている。ま
た、後駆動電極28上の光導電層29が形成されない領
域には、この光導電層29と略同一膜厚の絶縁膜37が
光導電層29と略面一に形成されている。そして、光導
電層29と絶縁膜37で形成された表面には、各画素
(ドット部d)毎に、ITOでなる画素電極38が形成
されている。すなわち、画素電極38は、それぞれ1つ
の光導電層29と接合した状態となっている。この画素
電極38と、ITOでなる透明な1枚の表示領域全面に
わたって形成された前駆動電極33と、の間の液晶にし
きい値を超える電界が印加されることにより液晶分子が
所定方向に配向することができる。さらに、各画素電極
38上には、それぞれの接合した光導電層29と略同程
度の面積・形状を有し、光導電層29に光起電する波長
光を光導電層29から遮光する遮光膜39が、光導電層
29と平面的に重なるように形成されている。そして、
その上には、表示領域全面を覆うように、後配向膜30
が形成されている。
A rear polarizing plate 27 is arranged on the rear surface of the protective film 21 of the address optical element 12 having such a structure.
The liquid crystal display element 13 combined with the address light element 12 has a display area having an area similar to the entire light emitting area of the address light element 12. The configuration of the liquid crystal display element 13 will be described below with reference to FIG. The liquid crystal display device 13 includes a pair of front transparent substrate 22 and rear transparent substrate 23,
A liquid crystal 25 sealed by a sealing material 24 between these transparent substrates, and a front polarizing plate 26 arranged on the front surface of the front transparent substrate 22.
And is provided. And in this embodiment,
On the opposite inner surface (front surface) of the rear transparent substrate 23, one transparent rear drive electrode 28 made of ITO is formed over the entire display area. In addition, on the front surface of the rear drive electrode 28, as shown in FIG.
A rectangular photoconductive layer 29 is formed, one for each region (pixel region) of the dot portion d shown by a dotted line in FIG. The photoconductive layer 29 is set so that its occupation rate is smaller than the area of the pixel region. Further, in a region of the rear drive electrode 28 where the photoconductive layer 29 is not formed, an insulating film 37 having substantially the same film thickness as the photoconductive layer 29 is formed so as to be substantially flush with the photoconductive layer 29. Then, on the surface formed by the photoconductive layer 29 and the insulating film 37, a pixel electrode 38 made of ITO is formed for each pixel (dot portion d). That is, each pixel electrode 38 is in a state of being joined to one photoconductive layer 29. By applying an electric field exceeding a threshold value to the liquid crystal between the pixel electrode 38 and the front drive electrode 33 formed over the entire surface of one transparent display area made of ITO, liquid crystal molecules are aligned in a predetermined direction. can do. Further, the pixel electrode 38 has a surface area and a shape that are substantially the same as those of the joined photoconductive layers 29, and shields the photoconductive layer 29 from the wavelength light that is photoelectromotively generated in the photoconductive layer 29. The film 39 is formed so as to overlap the photoconductive layer 29 in plan view. And
On top of that, the post-alignment film 30 is formed so as to cover the entire display area.
Are formed.

【0077】上記した光導電層29は、特定波長域の光
量子を吸収して、電子−正孔対からなる伝導キャリヤを
生成する材料でなる。このような光導電層29として
は、例えば、ZnO、アモルファスシリコン(a−S
i)、アモルファスセレン(a−Se)、ZnS、Sr
TiO3、GaN、CdS、SnOxなどの無機半導体
や、ポリビニルカルバゾールなどの電荷移動錯体、有機
光キャリヤ生成層(ペリレン類、キノ類、フタロシアニ
ン類など)と有機キャリヤ輸送層(アリールアミン類、
ヒドラジン類、オキサゾール類など)とを積層した有機
複合材料、などの材料を用いることができる。このよう
な材料では、特定波長域の光量子を吸収すると、伝導キ
ャリヤを生成して、その領域のインピーダンスが急激に
減少するため、電気伝導性を有するようになる。特に、
この実施形態1では、光導電層29が信号光(紫外光)
のみを吸収する光吸収特性を有するZnOを用いてい
る。ZnOは、通常可視光域に吸収をもたず、可視光域
に光起電力を有しない。
The photoconductive layer 29 described above is made of a material that absorbs photons in a specific wavelength range to generate a conductive carrier composed of electron-hole pairs. Examples of such a photoconductive layer 29 include ZnO and amorphous silicon (a-S).
i), amorphous selenium (a-Se), ZnS, Sr
Inorganic semiconductors such as TiO 3 , GaN, CdS, and SnOx, charge transfer complexes such as polyvinylcarbazole, organic photocarrier generation layers (perylenes, quinones, phthalocyanines, etc.) and organic carrier transport layers (arylamines,
A material such as an organic composite material in which hydrazines and oxazoles) are stacked can be used. When such a material absorbs a photon in a specific wavelength region, a conductive carrier is generated, and the impedance in that region is rapidly reduced, so that the material becomes electrically conductive. Especially,
In the first embodiment, the photoconductive layer 29 is the signal light (ultraviolet light).
ZnO having a light absorption property of absorbing only the light is used. ZnO usually has no absorption in the visible light region and has no photovoltaic power in the visible light region.

【0078】一方、前透明基板22の対向内側(後側)
面には、表示領域全域に亙って、ITOでなる1枚の前
駆動電極33が形成されている。さらに、前駆動電極3
3を覆うように前配向膜34が形成されている。このよ
うな構成の液晶表示素子13においては、前駆動電極3
3と後駆動電極28が容易に形成できるので、従来のT
FTをスイッチング素子とした表示素子に比較して、ス
ループットが向上し、その製造コストを大幅に低減する
ことができる。そして、このような液晶表示素子13
と、上記したアドレス光素子12とは、液晶表示素子1
3の画素電極38に対して、アドレス光素子12のアド
レス配置(行電極16と列電極20との交差した部分の
配置)とが整合して、同一ドット部dで対応するように
なっている。また、液晶表示素子13とアドレス光素子
12とは、信号光が空間周波数を維持して対応する光導
電層29に入射するように組みつけられている(図では
発光層19と光導電層29との距離を説明の便宜上離し
て示しているが、実際の装置構成では信号光が空間周波
数を維持する距離に設定されている)。さらに、図23
に示すように、アドレス光素子12の後方には、バック
ライトシステム14が配置されている。このバックライ
トシステム14は、可視光を発する光源35と導光板3
6とから大略構成されている。
On the other hand, the inside facing the front transparent substrate 22 (rear side)
One front drive electrode 33 made of ITO is formed on the entire surface of the display area. Furthermore, the front drive electrode 3
A pre-alignment film 34 is formed so as to cover No. 3. In the liquid crystal display element 13 having such a configuration, the front drive electrode 3
3 and the post-driving electrode 28 can be easily formed.
Throughput can be improved and the manufacturing cost thereof can be significantly reduced as compared with a display element using an FT as a switching element. And, such a liquid crystal display element 13
And the address optical element 12 described above are the liquid crystal display element 1
The address arrangement of the address optical element 12 (arrangement of the intersecting portion of the row electrode 16 and the column electrode 20) is aligned with the pixel electrode 38 of No. 3, and the same dot portion d corresponds. . In addition, the liquid crystal display element 13 and the address light element 12 are assembled so that the signal light enters the corresponding photoconductive layer 29 while maintaining the spatial frequency (in the figure, the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29). The distance between and is shown apart for convenience of explanation, but in the actual device configuration, the signal light is set to a distance that maintains the spatial frequency). Furthermore, FIG.
As shown in, a backlight system 14 is arranged behind the address optical element 12. The backlight system 14 includes a light source 35 that emits visible light and a light guide plate 3.
6 are roughly constituted.

【0079】この実施形態では、上記の構成としたこと
により、発光層19から光導電層29に向けて出射され
た信号光は、光導電層29で光吸収されて、この光導電
層29を励起してその内部に伝導キャリヤを生成する。
また、遮光膜39を信号光の波長域の光、すなわち、光
導電層29が高い光起電力を発生させる波長域の光を反
射する性質を備えさせ、アドレス光素子12からの、こ
の光導電層29内を通過した信号光を、光導電層29の
上方に配置された遮光膜39で反射させ、再度、光導電
層29に入射して光導電層29内に新たに伝導キャリヤ
を確実に生成させることができる。このため、発光層1
9が発光する信号光の発光強度が比較的微弱であっても
確実に所定ドット部dの液晶25を駆動することが可能
となる。このため、発光層19を駆動するアドレス光素
子12側の消費電力を低減させることが可能となる。ま
た、遮光膜39は、液晶表示素子13の外(前方)から
光入射があった場合に、その光を遮光して光導電層29
の光入射による光起電を阻止することができる。上記し
たように、この実施形態においては、光導電層29が信
号光(紫外光)の波長域に高い光起電力を有するZnO
を用いている。このため、遮光膜39を備える構成とし
たことにより、液晶表示素子13の外部から紫外光成分
を有する光が入射した場合でも、表示の誤動作が発生す
るのを防止することができる。さらに、光導電層29の
面積を1画素より小さくすると共に、行電極16及び列
電極20の幅を狭くしたことにより、信号光が隣接する
アドレスの光導電層29へ影響を与える可能性を小さく
することができる。なお、この実施形態では遮光膜39
が反射性を具備するものとしたが、単に遮光性のみを有
する構成としても誤動作を防止するという利益を得るこ
とができる。
In this embodiment, due to the above-mentioned structure, the signal light emitted from the light emitting layer 19 toward the photoconductive layer 29 is absorbed by the photoconductive layer 29, and the signal light is absorbed by the photoconductive layer 29. It is excited to generate conduction carriers inside it.
Further, the light-shielding film 39 is provided with a property of reflecting light in the wavelength range of the signal light, that is, light in the wavelength range in which the photoconductive layer 29 generates high photoelectromotive force, and the photoconductive from the address optical element 12 is provided. The signal light that has passed through the layer 29 is reflected by the light-shielding film 39 disposed above the photoconductive layer 29, and is again incident on the photoconductive layer 29 to ensure a new conductive carrier in the photoconductive layer 29. Can be generated. Therefore, the light emitting layer 1
Even if the emission intensity of the signal light emitted by 9 is relatively weak, the liquid crystal 25 of the predetermined dot portion d can be driven reliably. Therefore, it is possible to reduce the power consumption on the side of the address optical element 12 that drives the light emitting layer 19. Further, the light shielding film 39 shields the light when light is incident from the outside (front) of the liquid crystal display element 13, and the photoconductive layer 29.
It is possible to prevent photovoltaics due to the incidence of light. As described above, in this embodiment, the photoconductive layer 29 has ZnO having high photovoltaic power in the wavelength range of signal light (ultraviolet light).
Is used. Therefore, with the configuration including the light-shielding film 39, it is possible to prevent a display malfunction from occurring even when light having an ultraviolet light component enters from the outside of the liquid crystal display element 13. Further, by making the area of the photoconductive layer 29 smaller than one pixel and narrowing the widths of the row electrodes 16 and the column electrodes 20, the possibility that the signal light affects the photoconductive layer 29 of the adjacent address is reduced. can do. In this embodiment, the light shielding film 39
However, even if it is configured to have only the light shielding property, it is possible to obtain the advantage of preventing malfunction.

【0080】また、この実施形態においては、一般に透
過性の低いカラーフィルタを用いていない液晶モードを
採用しているため、光の透過性が良好であり、画素面積
に対する遮光膜39の占有面積を抑えることにより、開
口率を高めることができる。特に、遮光膜39の大きさ
・形状を決定する光導電層29の配線としての断面面積
は、画素面積に比較して極めて小さくてもよく、高開口
率を達成させることができる。このため、高デューティ
駆動ができ、クロストークのない、コントラスト比及び
輝度の高い表示が実現できる。なお、この実施形態で
は、液晶25の複屈折を制御して色相を変化させるEC
Bの他、TN液晶モード、STN液晶モード、ゲスト・
ホスト(GH)液晶モード、偏光板を用いないPC(相
転移)モード、PDLC(高分子分散型液晶)モード、
PDLC/GHモード、コレステリック液晶モード、P
C液晶/GHモードなど各種の液晶モードの液晶表示素
子に適用して、上記作用・効果を得ることが可能であ
る。さらに、この実施形態では、後偏光板27をアドレ
ス光素子12の後方に配置する構成としたが、液晶表示
素子13とアドレス光素子12との間に配置する構成と
しても勿論よい。またさらに、バックライトシステム1
4を用いずに、後偏光板27の後方に反射板を備える構
成とすれば、反射型の表示装置としても用いることがで
き、カラーフィルタを用いて多色表示もできる。なお、
遮光膜39は、導電性の部材を用いれば、画素電極38
と実質的に同電位になるので、遮光膜39上の液晶分子
も所定方向に配向することができる。
Further, in this embodiment, since the liquid crystal mode in which a color filter having low transmissivity is not used is generally adopted, the light transmissivity is good, and the area occupied by the light shielding film 39 with respect to the pixel area is reduced. By suppressing it, the aperture ratio can be increased. In particular, the cross-sectional area of the photoconductive layer 29 that determines the size and shape of the light-shielding film 39 as a wiring may be extremely smaller than the pixel area, and a high aperture ratio can be achieved. Therefore, high duty driving can be performed, and display with high contrast ratio and high brightness without crosstalk can be realized. In this embodiment, an EC that controls the birefringence of the liquid crystal 25 to change the hue is used.
In addition to B, TN liquid crystal mode, STN liquid crystal mode, guest
Host (GH) liquid crystal mode, PC (phase transition) mode without polarizing plate, PDLC (polymer dispersed liquid crystal) mode,
PDLC / GH mode, cholesteric liquid crystal mode, P
The above-mentioned actions and effects can be obtained by applying the present invention to liquid crystal display devices of various liquid crystal modes such as C liquid crystal / GH mode. Furthermore, in this embodiment, the rear polarizing plate 27 is arranged behind the address light element 12, but it may be arranged between the liquid crystal display element 13 and the address light element 12 as a matter of course. Furthermore, the backlight system 1
If a reflecting plate is provided behind the rear polarizing plate 27 without using 4, it can be used as a reflection type display device, and multicolor display can be performed by using a color filter. In addition,
If a light-shielding film 39 is made of a conductive material, the pixel electrode 38
Since the potential is substantially the same as that, the liquid crystal molecules on the light shielding film 39 can also be aligned in a predetermined direction.

【0081】このように、本実施形態の表示装置11で
は、電極16、20の幅を小さくさせているので、バッ
クライトシステム14の光が画素電極38上の液晶25
に効率良く入射することができ、極めて高コントラスト
比の高い表示が実現できる。また、上記実施形態では、
光導電層29が発光層19に対応した形状にパターニン
グされているが、光導電層29を表示面全面に1枚設け
るだけでもよい。上記実施形態では、反射型構造の場
合、光導電層29は紫外光の波長域に伝導キャリアを生
成するピークがなくてもよく、可視光波長域に伝導キャ
リアが生成される物性の光導電層29を設定し、アドレ
ス光素子12もそれに対応する波長域の信号光を照射す
るように設定してもよい。この際に、遮光膜39が可視
光や太陽光や蛍光灯の光等の外光から遮光するので、そ
れらの光により、光導電層29が伝導キャリアを発生す
ることはない。
As described above, in the display device 11 of the present embodiment, the width of the electrodes 16 and 20 is made small, so that the light of the backlight system 14 causes the liquid crystal 25 on the pixel electrode 38.
Can be efficiently incident, and display with an extremely high contrast ratio can be realized. In the above embodiment,
Although the photoconductive layer 29 is patterned to have a shape corresponding to the light emitting layer 19, one photoconductive layer 29 may be provided on the entire display surface. In the above-described embodiment, in the case of the reflection type structure, the photoconductive layer 29 does not have to have a peak that produces conductive carriers in the wavelength range of ultraviolet light, and the photoconductive layer has the physical properties of producing conductive carriers in the visible wavelength range. 29 may be set, and the address optical element 12 may also be set to irradiate the signal light in the corresponding wavelength range. At this time, the light-shielding film 39 shields external light such as visible light, sunlight, and light from fluorescent lamps, so that the photoconductive layer 29 does not generate conductive carriers due to such light.

【0082】(実施形態10)図24は、この実施形態
10に係る表示装置の概略を示す斜視図である。この実
施形態では、上記実施形態9における発光層19が、行
電極16と列電極20との重なる部分のみに存在するよ
うにし、且つ遮光膜39を設けない構成としたものであ
る。このように行電極16および列電極20の幅が狭い
ため、発光面積が小さくなり、隣接する画素領域の光導
電層29へ信号光の影響が及ぶのを防止することができ
る。また、発光層19の面積が小さいため、バックライ
トシステム14からの光の透過性を向上させることがで
きる。なお、上記実施形態では、光導電層29が発光層
19に対応した形状にパターニングされているが、光導
電層29を表示面全面に1枚設けるだけでもよい。 (実施形態11)図25は、この発明の実施形態11の
要部を模式的に示した斜視図である。この実施形態は、
上記した実施形態2において、図25に示すように、ア
ドレス光素子12のそれぞれの行電極16に対応するよ
うに、後駆動電極28をストライプ状に形成し、この後
駆動電極28のそれぞれの上に光導電層29を形成し、
この光導電層29もストライプ状となっていることを特
徴としている。なお、この他の構成は、実質的に上記実
施形態1と同様の構成である。なお、この実施形態にお
いては、光導電層29がストライプ状であるが、表示面
全面にわたって1枚設けるだけでもよい。
(Embodiment 10) FIG. 24 is a perspective view showing the outline of a display device according to Embodiment 10. In this embodiment, the light emitting layer 19 in the above-described Embodiment 9 is present only in the overlapping portion of the row electrodes 16 and the column electrodes 20, and the light shielding film 39 is not provided. Since the widths of the row electrodes 16 and the column electrodes 20 are narrow as described above, the light emitting area is reduced, and the influence of the signal light on the photoconductive layer 29 in the adjacent pixel region can be prevented. Moreover, since the area of the light emitting layer 19 is small, it is possible to improve the transmittance of light from the backlight system 14. Although the photoconductive layer 29 is patterned in a shape corresponding to the light emitting layer 19 in the above-described embodiment, one photoconductive layer 29 may be provided on the entire display surface. (Embodiment 11) FIG. 25 is a perspective view schematically showing an essential portion of Embodiment 11 of the present invention. This embodiment is
In the above-described second embodiment, as shown in FIG. 25, the post-driving electrodes 28 are formed in a stripe shape so as to correspond to the respective row electrodes 16 of the address optical element 12, and the post-driving electrodes 28 are respectively formed on the post-driving electrodes 28. A photoconductive layer 29 is formed on
The photoconductive layer 29 is also characterized in that it has a stripe shape. The other configurations are substantially the same as those in the first embodiment. Although the photoconductive layer 29 has a stripe shape in this embodiment, only one photoconductive layer 29 may be provided over the entire display surface.

【0083】(実施形態12)図26は、この発明の実
施形態12の要部を模式的に示した斜視図である。この
実施形態は、上記した実施形態11と同様に、図26に
示すように、アドレス光素子12のそれぞれの行電極1
6に対応する(直上に位置して平面的に見て重なる)よ
うに、後駆動電極28がストライプ状に形成され、これ
ら後駆動電極28を覆うように光導電層29が表示領域
の全面に形成されている。なお、他の構成は、上記した
実施形態11と同様である。
(Twelfth Embodiment) FIG. 26 is a perspective view schematically showing a main part of a twelfth embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the eleventh embodiment described above, as shown in FIG.
The post-driving electrodes 28 are formed in stripes so as to correspond to 6 (overlapping in a plan view), and a photoconductive layer 29 is formed over the entire display region so as to cover the post-driving electrodes 28. Has been formed. The other structure is similar to that of the eleventh embodiment.

【0084】この実施形態では、光導電層29が表示領
域全面に亙って形成されたことにより、ストライプ状に
形成された後駆動電極28の段差を光導電層29で緩和
することができる。このため、図26に示すように、光
導電層29の前面に設けられた後配向膜30の表面を平
坦にすることができ、前配向膜34と後配向膜30との
間に介在された液晶25を均一に配向させることがで
き、表示性能を向上させることができる。
In this embodiment, since the photoconductive layer 29 is formed over the entire display area, the step difference of the post-driving electrodes 28 formed in stripes can be mitigated by the photoconductive layer 29. Therefore, as shown in FIG. 26, the surface of the post-alignment film 30 provided on the front surface of the photoconductive layer 29 can be made flat, and the post-alignment film 34 is interposed between the pre-alignment film 34 and the post-alignment film 30. The liquid crystal 25 can be oriented uniformly and the display performance can be improved.

【0085】(実施形態13)図27はこの発明の実施
形態13の表示装置を模式的に示す断面図である。この
実施形態は、透過型の液晶表示素子にこの発明を適用し
たものである。図中11は表示装置であり、この表示装
置11は、アドレス光素子12と、紫外光フィルタ40
を備えた液晶表示素子13と、バックライトシステム1
4と、から大略構成されている。
(Embodiment 13) FIG. 27 is a sectional view schematically showing a display device according to Embodiment 13 of the present invention. In this embodiment, the present invention is applied to a transmissive liquid crystal display element. Reference numeral 11 in the figure is a display device, and this display device 11 includes an address optical element 12 and an ultraviolet light filter 40.
Liquid crystal display element 13 including a backlight system 1
4 is roughly constituted.

【0086】アドレス光素子12は、図27に示すよう
に、ガラスでなるアドレス基板15の後面に、電極群と
しての複数の行電極16が平行に配列して形成されてい
る。この行電極16は、アノード電極として機能するも
のであり、信号光及び可視光に対し透過性を有し、且つ
所定の仕事関数を有する電極材料であればよく、例えば
ITOや酸化スズなどを用いることができる。複数の行
電極16およびアドレス基板15の上には、ポリビニル
カルバゾール(以下、PVCzという)と、2,5−ビス
(1−ナフチル)−オキサジアゾール(以下、BNDと
いう)と、からなる第1有機膜17を形成する。この第
1有機膜17の上には、アルミニウム錯体(以下、Al
q3という)でなる第2有機膜18が、接合するように
積層されている。これら第2有機膜18と第2有機膜1
7とで、有機EL層としての発光層19が構成されてい
る。
As shown in FIG. 27, the address optical element 12 is formed by arranging a plurality of row electrodes 16 as an electrode group in parallel on the rear surface of the address substrate 15 made of glass. The row electrode 16 functions as an anode electrode, and may be any electrode material that is transparent to signal light and visible light and has a predetermined work function, such as ITO or tin oxide. be able to. On the plurality of row electrodes 16 and the address substrate 15, first polyvinyl carbazole (hereinafter referred to as PVCz) and 2,5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole (hereinafter referred to as BND) are formed. The organic film 17 is formed. On the first organic film 17, an aluminum complex (hereinafter, Al
The second organic film 18 made of q3) is laminated so as to be bonded. The second organic film 18 and the second organic film 1
7, and the light emitting layer 19 as an organic EL layer is formed.

【0087】また、第2有機膜18の上面(後面)に
は、図に示すように、発光層19を介して行電極16と
交差(直交)する、望ましくは光透過性を有する複数の
列電極20が形成されている。この列電極20は、カソ
ード電極として機能し、行電極16に対し低い仕事関数
値の特性を備え、例えばシリコンカーバイド(n型)、
水素化アモルファスシリコンカーバイド、アモルファス
シリコン(n型)、MgIn、AlLi、MgIn/A
lなどでなる。そして、発光層19および列電極20を
覆うように、光透過性を有する保護膜21を形成する。
この保護膜21としては、例えばシリコン窒化膜を用い
ることができる。このように構成されたアドレス光素子
12においては、行電極16と列電極20との間に電界
が印加された場合に、第1有機膜17における第2有機
膜18との界面寄りの部分から信号光としての紫外光
(350〜400nm)が発せられる。なお、信号光
と、表示光としての可視光との波長域ができるだけ離れ
ていたほうがよいため、信号光としては350〜400
nmの波長域内の紫外光が出力されるように設定するこ
とが望ましい。また、行電極16および列電極20は、
アドレス基板15の端縁まで延在され、駆動用IC(図
示省略する)と接続されている。このようにして、マト
リクス駆動のアドレス光素子12が構成されている。
Further, on the upper surface (rear surface) of the second organic film 18, as shown in the drawing, a plurality of columns intersecting (orthogonal to) the row electrodes 16 via the light emitting layer 19, and preferably having a light transmitting property. The electrode 20 is formed. The column electrode 20 functions as a cathode electrode and has a characteristic of a low work function value with respect to the row electrode 16, and, for example, silicon carbide (n type),
Hydrogenated amorphous silicon carbide, amorphous silicon (n type), MgIn, AlLi, MgIn / A
It consists of l etc. Then, a light-transmitting protective film 21 is formed so as to cover the light emitting layer 19 and the column electrodes 20.
As the protective film 21, for example, a silicon nitride film can be used. In the address optical element 12 configured as above, when an electric field is applied between the row electrode 16 and the column electrode 20, from the portion near the interface between the first organic film 17 and the second organic film 18, Ultraviolet light (350 to 400 nm) as signal light is emitted. Since it is preferable that the wavelength range of the signal light and the visible light as the display light be as far apart as possible, the signal light should be 350 to 400.
It is desirable to set so that the ultraviolet light in the wavelength range of nm is output. In addition, the row electrode 16 and the column electrode 20 are
It extends to the edge of the address substrate 15 and is connected to a driving IC (not shown). In this way, the matrix-driven address optical element 12 is constructed.

【0088】このような構成のアドレス光素子12に組
み合わされる液晶表示素子13は、アドレス光素子12
の発光領域と同程度の面積の表示領域を有している。以
下に、図27を用いて液晶表示素子13の構成を説明す
る。この液晶表示素子13は、対をなす前透明基板22
と後透明基板23と、これら透明基板間にシール材24
により封止された液晶25と、これら透明基板22、2
3を挟んで配置された対をなす前偏光板26と後偏光板
27と、前偏光板26の前面に配置される紫外光フィル
タ40と、を備え、液晶の複屈折性により色相を変化さ
せるECBセルを用いる構成である。そして、この実施
形態13では、後透明基板23の対向内側面に、ITO
でなる透明な1枚の後駆動電極28が表示領域全面に亙
って形成されている。また、後駆動電極28の前面に
は、光導電層29が形成されている。さらに、この光導
電層29を覆うように、後配向膜30が形成されてい
る。
The liquid crystal display element 13 to be combined with the address optical element 12 having the above structure is the address optical element 12
The display area has an area similar to that of the light emitting area. The configuration of the liquid crystal display element 13 will be described below with reference to FIG. The liquid crystal display element 13 includes a pair of front transparent substrates 22.
And the rear transparent substrate 23, and a sealing material 24 between these transparent substrates.
The liquid crystal 25 sealed by the transparent substrates 22 and 2
A pair of front polarizing plate 26 and rear polarizing plate 27, which are arranged with sandwiching 3 between them, and an ultraviolet light filter 40 arranged in front of the front polarizing plate 26 are provided, and the hue is changed by the birefringence of liquid crystal. This is a configuration using ECB cells. In the thirteenth embodiment, ITO is formed on the inner surface of the rear transparent substrate 23 facing the rear transparent substrate 23.
One transparent rear drive electrode 28 is formed over the entire display area. A photoconductive layer 29 is formed on the front surface of the rear drive electrode 28. Further, a post-alignment film 30 is formed so as to cover the photoconductive layer 29.

【0089】光導電層29は、特定波長域の光量子を吸
収して、伝導キャリヤを生成する材料でなる。このよう
な光導電層29としては、例えば、ZnO、アモルファ
スシリコン(a−Si)、アモルファスセレン(a−S
e)、ZnS、SrTiO3、GaN、CdS、SnO
xなどの無機半導体や、ポリビニルカルバゾールなどの
電荷移動錯体、有機光キャリヤ生成層(ペリレン類、キ
ノ類、フタロシアニン類など)と有機キャリヤ輸送層
(アリールアミン類、ヒドラジン類、オキサゾール類な
ど)とを積層した有機複合材料、などの材料を用いるこ
とができる。このような材料では、光量子を吸収する
と、伝導キャリヤを生成して、そのインピーダンスが急
激に減少するため、電気伝導性を有するようになる。特
に、この実施形態13では、光導電層29が信号光(紫
外光)のみに光起電力が発生する特性を有するZnOを
用いている。ZnOは、通常可視光域では実質的に光起
電を発生しない。
The photoconductive layer 29 is made of a material that absorbs photons in a specific wavelength range to generate conductive carriers. Examples of such a photoconductive layer 29 include ZnO, amorphous silicon (a-Si), and amorphous selenium (a-S).
e), ZnS, SrTiO3, GaN, CdS, SnO
An inorganic semiconductor such as x, a charge transfer complex such as polyvinylcarbazole, an organic photocarrier generation layer (perylenes, quinones, phthalocyanines, etc.) and an organic carrier transport layer (arylamines, hydrazines, oxazoles, etc.) Materials such as laminated organic composite materials can be used. In such a material, when a photon is absorbed, a conductive carrier is generated and its impedance is rapidly reduced, so that the material becomes electrically conductive. In particular, in the thirteenth embodiment, the photoconductive layer 29 is made of ZnO, which has a characteristic that a photoelectromotive force is generated only in the signal light (ultraviolet light). ZnO generally does not substantially generate photovoltaic in the visible light range.

【0090】一方、前透明基板22の対向内側面には、
表示領域全域に亙って、ITOでなる1枚の前駆動電極
33が形成されている。さらに、前駆動電極33を覆う
ように前配向膜34が形成されている。また、前偏光板
26の前面には、外部から紫外光が入射して光導電層2
9を誤動作させるのを防止するための紫外光フィルタ4
0が配置されている。このような構成の液晶表示素子1
3においては、前駆動電極33と後駆動電極28を容易
に形成し得るものであり、表示領域全域に亙って成膜す
るだけでよいため、従来のTFTをスイッチング素子と
した表示素子に比較してその製造コストを大幅に低減す
ることができる。また、高時分割駆動用表示素子とし
て、スループットが良好で歩留まりの良い表示装置を得
ることができる。そして、液晶表示素子13とアドレス
光素子12とは、信号光が空間周波数を維持して光導電
層29に入射するように組みつけられている。さらに、
アドレス光素子12の後方には、バックライトシステム
14が配置されている。このバックライトシステム14
は、可視光を発する光源35と導光板36とから大略構
成されている。
On the other hand, on the facing inner surface of the front transparent substrate 22,
A single front drive electrode 33 made of ITO is formed over the entire display area. Further, a pre-alignment film 34 is formed so as to cover the pre-driving electrode 33. Further, ultraviolet light is incident on the front surface of the front polarizing plate 26 from the outside, and the photoconductive layer 2 is exposed.
UV light filter 4 for preventing malfunction of 9
0 is arranged. Liquid crystal display device 1 having such a configuration
In No. 3, the front drive electrode 33 and the rear drive electrode 28 can be easily formed, and since it is only necessary to form a film over the entire display area, a comparison is made with a conventional display element using a TFT as a switching element. Therefore, the manufacturing cost can be significantly reduced. Further, as a display element for high time division driving, it is possible to obtain a display device having a good throughput and a high yield. The liquid crystal display element 13 and the address light element 12 are assembled so that the signal light maintains the spatial frequency and enters the photoconductive layer 29. further,
A backlight system 14 is arranged behind the address light element 12. This backlight system 14
Is generally composed of a light source 35 that emits visible light and a light guide plate 36.

【0091】この実施形態においては、上記の構成とし
たことにより、外部から紫外光が光導電層29に入射す
ることを防止しているため、誤動作のない表示を行うこ
とができる。特に、この実施形態においては、カラーフ
ィルタを備えない構成としたため、カラーフィルタを備
えた液晶表示素子に比べて外部から紫外光が入射し易い
が、紫外光フィルタ40を備えていることにより、光導
電層29に外部からの紫外光が入射することを防止でき
る。また、バックライトシステム14から液晶表示素子
13に照射される光は、可視光であるので光導電層29
で電荷を発生しないため、液晶表示性能を損なうことが
ない。さらに、この実施形態では、実質的に単純マトリ
クス駆動により液晶表示を行うことができる。また、構
造的には能動素子の占める面積が存在しないため、表示
光の透過性が大幅に向上し、高開口率を達成させること
ができる。さらに、アドレス光素子12の行電極16と
列電極20は、単純なストライプ状の構造であるため、
その加工が極めて容易であり、表示装置の製造工程全体
を通して少ない回数のリソグラフィー工程を行うだけで
よく、スループットが良く、歩留まりを良好に製造する
ことができる。発光層19の形成に際しては、第1有機
膜17、第2有機膜18を順次蒸着または塗布するだけ
でよいため、アドレス光素子12の製造は非常に簡易と
なる。このように歩留まりが向上するため、高時分割の
大画面表示を達成することが可能となる。さらに、1画
素内に能動素子の占有面積が無いため、高精細化に対応
できるという利点がある。しかも、この実施形態13の
ように有機EL材料を発光層として用いたことにより、
TFT−LCD並の低電圧駆動化、並びに低消費電力化
を実現することができる。これは、プラズマを用いたデ
ィスプレイよりはるかに小さい。そして、この実施形態
1においては、発光層19を信号光の発生手段として用
いるものであり、表示光として用いるものではないた
め、比較的微弱な発光でよく、さらに発光層19の寿命
を長くすることができる。さらに、この実施形態では、
信号光として紫外光を用いたが、液晶表示に用いられる
可視光の波長域を外れる、例えば赤外光などの波長域を
用いることも可能である。また、この実施形態において
は、各基板がガラス基板でなる構成であるが、発光層1
9が可撓性を有する有機材料からなるため、例えば樹脂
製の可撓性を有する基板を採用して、可撓性を有する表
示装置とすることも可能となる。
In this embodiment, with the above-mentioned configuration, ultraviolet light is prevented from entering the photoconductive layer 29 from the outside, so that display without malfunction can be performed. In particular, in this embodiment, since the configuration is not provided with the color filter, ultraviolet light is more likely to enter from the outside than the liquid crystal display element provided with the color filter. However, since the ultraviolet light filter 40 is provided, It is possible to prevent ultraviolet light from outside from entering the conductive layer 29. Further, the light emitted from the backlight system 14 to the liquid crystal display element 13 is visible light, and thus the photoconductive layer 29.
Since no electric charge is generated in the liquid crystal display, the liquid crystal display performance is not impaired. Furthermore, in this embodiment, liquid crystal display can be performed by substantially simple matrix driving. Further, structurally, there is no area occupied by the active element, so that the transmittance of display light is significantly improved, and a high aperture ratio can be achieved. Further, since the row electrodes 16 and the column electrodes 20 of the address light element 12 have a simple stripe structure,
The processing is extremely easy, and only a small number of lithography steps are required throughout the manufacturing process of the display device, the throughput is good, and the yield can be excellently manufactured. When forming the light emitting layer 19, the first organic film 17 and the second organic film 18 only have to be vapor-deposited or applied in order, so that the manufacture of the address optical element 12 becomes very simple. Since the yield is improved in this way, it is possible to achieve a large screen display with high time division. Further, since there is no occupied area of active elements in one pixel, there is an advantage that high definition can be supported. Moreover, by using the organic EL material as the light emitting layer as in the thirteenth embodiment,
It is possible to realize low-voltage driving as low as that of a TFT-LCD and low power consumption. This is much smaller than plasma based displays. In the first embodiment, since the light emitting layer 19 is used as the signal light generating means and is not used as the display light, relatively weak light emission is sufficient, and the life of the light emitting layer 19 is extended. be able to. Further, in this embodiment,
Although ultraviolet light was used as the signal light, it is also possible to use a wavelength range such as infrared light that deviates from the visible light wavelength range used for liquid crystal display. In addition, in this embodiment, each substrate is a glass substrate, but the light emitting layer 1
Since 9 is made of a flexible organic material, for example, a flexible substrate made of resin can be adopted to provide a flexible display device.

【0092】(実施形態14)図28は、実施形態14
を模式的に示す断面図である。この実施形態は、上記実
施形態2において、カラーフィルタ31を前透明基板2
2側に備えた表示装置のバックライトシステム14の導
光板36の前面に紫外光フィルタ40を配置したことを
特徴としている。なお、他の構成は、上記した実施形態
2と同様である。この実施形態においては、発光中に光
導電層29に電荷を生成させる紫外光成分を多く含むバ
ックライトシステム14を用いる場合に特に有効とな
り、バックライト光に起因する光導電層29の誤動作を
防止することができる。なお、この実施形態は、カラー
フィルタ31を備えた構成であるため、外部からの紫外
光の入射は抑制されている。また、その他の作用・効果
は、上記実施形態2と同様である。
(Fourteenth Embodiment) FIG. 28 shows a fourteenth embodiment.
It is a sectional view showing typically. This embodiment is the same as the second embodiment except that the color filter 31 is provided on the front transparent substrate 2.
The ultraviolet light filter 40 is arranged on the front surface of the light guide plate 36 of the backlight system 14 of the display device provided on the second side. The rest of the configuration is similar to that of the second embodiment described above. This embodiment is particularly effective when using the backlight system 14 containing a large amount of ultraviolet light components that generate charges in the photoconductive layer 29 during light emission, and prevents malfunction of the photoconductive layer 29 due to backlight light. can do. Since this embodiment includes the color filter 31, the incidence of ultraviolet light from the outside is suppressed. The other actions and effects are similar to those of the second embodiment.

【0093】(実施形態15)図29は、実施形態15
の透過型の表示装置の断面図である。この実施形態で
は、表示装置11を、ガラスでなるアドレス基板15に
成膜技術およびパターニング技術を用いて、アドレス光
素子12と液晶表示素子13の一部を一体的に形成した
ものである。この実施形態において、アドレス光素子1
2の製造工程では、実質的なフォトリソグラフィー工程
は、列電極20と行電極16との2層をストライプ状に
パターニングする工程のみのため、表示装置の製造方法
として非常に容易に形成することができる。まず、行電
極16は、アノード電極材料をスパッタした後、フォト
リソグラフィー技術を用いてパターニングして得られ
る。その後、第1有機膜17と第2有機膜18を、例え
ばスピンコートや印刷法などを用いて積層する。列電極
20は、カソード電極材料をスパッタした後、パターニ
ングを行い形成される。第2有機膜18および列電極2
0の上には、例えば低温CVD法を用いてSiNでなる
絶縁膜41が平坦に形成されている。絶縁膜41の上に
は、ITOでなる後駆動電極28が全面に形成され、こ
の後駆動電極28の上には光導電層29がスパッタ法ま
たはCVD法(光導電層の材料により成膜法を選択す
る)により形成されている。この光導電層29の上に
は、後配向膜30が塗布されている。また、前透明基板
22の一方の表面には、前駆動電極33がITOで形成
され、前駆動電極33の上に前配向膜34が塗布されて
いる。そして、アドレス基板15の後面には、後偏光板
27が配置され、前透明基板22の前面には、前偏光板
26が配置されている。なお、両基板は、配向膜どうし
を対向させて、所定間隔を介してシール材(図示省略す
る)で液晶注入空間を形成するように組み付けられてい
る。そして、この液晶注入空間に液晶25が封入されて
構成されている。このようにして形成された表示装置で
は、パターニング工程により形成される部分が少なく、
他の層は単に積層するだけでよいため、歩留まりを大幅
に向上させることができる。また、基板15、22の2
枚でよいため、低コストかつ薄型化を実現できる。
(Fifteenth Embodiment) FIG. 29 shows a fifteenth embodiment.
3 is a cross-sectional view of the transmissive display device of FIG. In this embodiment, the display device 11 is such that the address optical element 12 and a part of the liquid crystal display element 13 are integrally formed on the address substrate 15 made of glass by using a film forming technique and a patterning technique. In this embodiment, the address optical device 1
In the second manufacturing process, since the substantial photolithography process is only the process of patterning the two layers of the column electrodes 20 and the row electrodes 16 in a stripe shape, it can be formed very easily as a manufacturing method of a display device. it can. First, the row electrode 16 is obtained by sputtering an anode electrode material and then patterning it using a photolithography technique. After that, the first organic film 17 and the second organic film 18 are laminated by using, for example, spin coating or printing. The column electrodes 20 are formed by sputtering the cathode electrode material and then patterning. Second organic film 18 and column electrode 2
An insulating film 41 made of SiN is flatly formed on the surface of 0 using, for example, a low temperature CVD method. A post-driving electrode 28 made of ITO is formed on the entire surface of the insulating film 41, and a photoconductive layer 29 is formed on the post-driving electrode 28 by a sputtering method or a CVD method (a film forming method using a material of the photoconductive layer). Is selected). A post-alignment film 30 is applied on the photoconductive layer 29. Further, on one surface of the front transparent substrate 22, a front drive electrode 33 is formed of ITO, and a front alignment film 34 is applied on the front drive electrode 33. A rear polarizing plate 27 is arranged on the rear surface of the address substrate 15, and a front polarizing plate 26 is arranged on the front surface of the front transparent substrate 22. The two substrates are assembled so that the alignment films face each other and a liquid crystal injection space is formed with a sealing material (not shown) at a predetermined interval. The liquid crystal 25 is filled in the liquid crystal injection space. In the display device thus formed, the portion formed by the patterning process is small,
Since other layers may be simply laminated, the yield can be significantly improved. Also, two of the substrates 15 and 22
Since only one sheet is required, low cost and thinning can be realized.

【0094】(実施形態16)図30は、実施形態16
の表示装置の概略を示す斜視図である。この実施形態で
は、同図に示すように、アドレス光素子12をストライ
プ状に配置された複数の発光層19のそれぞれの前表面
にアノード電極8、後表面にカソード電極9を発光層1
9に沿って形成している。アドレス基板15の前面に
は、後駆動電極28を表示領域全面に亙って形成し、そ
の前面上に光導電層29を同じく表示領域全面に積層し
ている。光導電層29の前面には、後配向膜(図示省略
する)が形成されている。また、前透明基板(図示省略
する)の後面に発光層19に対して平面的にみて直交す
る複数の前駆動電極33が形成されている。このような
構成において、発光層19は1本の帯状の発光を行う。
この発光に伴い光導電層29も帯状に光励起される。そ
して、所定の前駆動電極33を選択駆動することによ
り、励起された光導電層29とこの前駆動電極33との
重なった部分の液晶25が駆動されるようになってい
る。
(Sixteenth Embodiment) FIG. 30 shows a sixteenth embodiment.
3 is a perspective view showing an outline of the display device of FIG. In this embodiment, as shown in the figure, the address light element 12 is provided with an anode electrode 8 on the front surface and a cathode electrode 9 on the back surface of each of a plurality of light emitting layers 19 arranged in stripes.
It is formed along the line 9. A rear drive electrode 28 is formed on the front surface of the address substrate 15 over the entire display area, and a photoconductive layer 29 is similarly laminated on the entire front surface of the display area. A rear alignment film (not shown) is formed on the front surface of the photoconductive layer 29. Further, a plurality of front drive electrodes 33 that are orthogonal to the light emitting layer 19 in a plan view are formed on the rear surface of the front transparent substrate (not shown). In such a structure, the light emitting layer 19 emits light in one strip.
With this light emission, the photoconductive layer 29 is also photoexcited in a band shape. Then, by selectively driving the predetermined front drive electrode 33, the liquid crystal 25 in the overlapping portion of the excited photoconductive layer 29 and the front drive electrode 33 is driven.

【0095】この実施形態においては、アドレス基板1
5の上に、順次、アノード電極材料膜、第2有機膜(図
示省略する)、第2有機膜(図示省略する)、カソード
電極材料膜を成膜した後、1回のパターニングでアノー
ド光素子12が形成できるという利点がある。また、前
駆動電極33の印加電圧を制御することにより、階調表
示を可能にすることができるという利点がある。このよ
うな構造のアドレス光素子12においては、他に発光層
19の各層をロールトゥロールで形成することもでき、
表示装置の大型化の際に細かく細分化して成膜すること
ができる。
In this embodiment, the address substrate 1
5, an anode electrode material film, a second organic film (not shown), a second organic film (not shown), and a cathode electrode material film are sequentially formed on the film 5, and then the patterning is performed once for the anode optical device. There is an advantage that 12 can be formed. Further, there is an advantage that gradation display can be made possible by controlling the voltage applied to the front drive electrode 33. In the address optical element 12 having such a structure, each layer of the light emitting layer 19 can be formed by roll-to-roll as well.
The film can be finely divided to form a film when the display device is enlarged.

【0096】(実施形態17)図31は、実施形態17
の表示装置の斜視図であり、図32は表示装置の断面図
である。この実施形態は、被駆動体としてEL表示素子
を用いた表示装置にこの発明を適用した例である。図中
11は表示装置であり、この表示装置11は、アドレス
光素子12と、EL光素子42と、から大略構成されて
いる。
(Embodiment 17) FIG. 31 shows Embodiment 17.
32 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. This embodiment is an example in which the present invention is applied to a display device using an EL display element as a driven body. Reference numeral 11 in the drawing is a display device, and the display device 11 is roughly composed of an address light element 12 and an EL light element 42.

【0097】アドレス光素子12は、図31及び図32
に示すように、ガラスまたは高分子フィルムでなるアド
レス基板15の後面に、電極群としての複数の行電極1
6が平行に配列して形成されている。この行電極16
は、アノード電極として機能するものであり、光透過性
を有し、且つ所定の仕事関数を有する電極材料であれば
よく、例えばITOや酸化スズなどを用いることができ
る。複数の行電極16及びアドレス基板15の上(後
面)には、ポリビニルカルバゾール(PVCz)と、2,
5−ビス(1−ナフチル)−オキサジアゾール(BN
D)と、からなる正孔輸送層及び実質的な発光部として
の第1有機膜17を形成する。この第1有機膜17の上
(後面)には、アルミニウム錯体(以下、Alq3)で
なる電子輸送層としての第2有機膜18が、接合するよ
うに積層されている。これら第2有機膜18と第1有機
膜17とで、有機EL層としての発光層19が構成され
ている。
The address optical element 12 is shown in FIGS.
, A plurality of row electrodes 1 as an electrode group are formed on the rear surface of the address substrate 15 made of glass or polymer film.
6 are arranged in parallel. This row electrode 16
Is an electrode material that functions as an anode electrode and is light-transmissive and has a predetermined work function. For example, ITO or tin oxide can be used. Polyvinylcarbazole (PVCz) is formed on the plurality of row electrodes 16 and the address substrate 15 (rear surface),
5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole (BN
D) and a hole transport layer and a first organic film 17 as a substantial light emitting portion. A second organic film 18 as an electron transporting layer made of an aluminum complex (hereinafter, Alq3) is laminated on the first organic film 17 (rear surface) so as to be bonded. The second organic film 18 and the first organic film 17 form a light emitting layer 19 as an organic EL layer.

【0098】また、第2有機膜18の上面(後面)に
は、図に示すように、発光層19を介して行電極16と
交差(直交)する、複数の列電極20が形成されてい
る。この列電極20は、例えば光反射性のMgIn、A
lLi、MgIn/Alなどでなり、カソード電極とし
て機能する。このように構成されたアドレス光素子12
においては、行電極16と列電極20との間に電界が印
加された場合に、第1有機膜17における第2有機膜1
8との界面寄りの部分から信号光としての紫外光(35
0〜400nm)を発する。なお、後述する光導電層2
9が350nm〜400nmの波長域の光に対して電荷
を形成しているので、信号光と、表示光としての可視光
との波長域ができるだけ離れていたほうがよく、信号光
としては350〜400nmの波長域内の紫外光が出力
されるように設定することが望ましい。また、行電極1
6および列電極20は、アドレス基板15の端縁まで延
在され、駆動用IC(図示省略する)と接続されてい
る。このようにして、マトリクス駆動のアドレス光素子
12が構成されている。
On the upper surface (rear surface) of the second organic film 18, a plurality of column electrodes 20 intersecting (orthogonal to) the row electrodes 16 via the light emitting layer 19 are formed, as shown in the figure. . This column electrode 20 is made of, for example, light-reflective MgIn, A
It is made of Li, MgIn / Al or the like and functions as a cathode electrode. Address optical element 12 configured in this way
In the above, when the electric field is applied between the row electrode 16 and the column electrode 20, the second organic film 1 in the first organic film 17 is
From the portion near the interface with 8 the ultraviolet light (35
0-400 nm). The photoconductive layer 2 described later
Since 9 forms an electric charge with respect to light in the wavelength range of 350 nm to 400 nm, it is preferable that the wavelength range of the signal light and the visible light as the display light are as far apart as possible, and the signal light is 350 to 400 nm. It is desirable to set so that the ultraviolet light in the wavelength range of is output. Also, the row electrode 1
The column electrodes 6 and the column electrodes 20 extend to the edge of the address substrate 15 and are connected to a driving IC (not shown). In this way, the matrix-driven address optical element 12 is constructed.

【0099】このような構成のアドレス光素子12に組
み合わされるEL表示素子42は、アドレス光素子12
の発光領域と同程度の面積の表示領域を有している。こ
のEL表示素子42は、アドレス基板15の前側の上面
に形成されている。まず、アドレス基板15の上面に
は、カソード電極としての、例えばITO、酸化スズ、
酸化マンガンなどでなる透明な後駆動電極28がストラ
イプ状に複数形成されている。この後駆動電極28は、
上記した行電極16のそれぞれと対向して平面的に見て
重なるように配置形成されている。また、アドレス基板
15および後駆動電極28の上には、表示領域全面を覆
うように光導電層29が形成されている。
The EL display element 42 to be combined with the address optical element 12 having such a structure is the address optical element 12
The display area has an area similar to that of the light emitting area. The EL display element 42 is formed on the front upper surface of the address substrate 15. First, on the upper surface of the address substrate 15, for example, ITO, tin oxide, as a cathode electrode,
A plurality of transparent post-driving electrodes 28 made of manganese oxide or the like are formed in stripes. After this, the drive electrode 28 is
It is arranged and formed so as to face each of the row electrodes 16 described above and overlap each other when seen in a plan view. A photoconductive layer 29 is formed on the address substrate 15 and the rear drive electrode 28 so as to cover the entire display area.

【0100】この光導電層29は、光量子を吸収して、
伝導キャリヤを生成する材料でなる。このような光導電
層29としては、例えば、ZnO、アモルファスシリコ
ン(a−Si)、アモルファスセレン(a−Se)、Z
nS、SnOxなどの無機半導体や、ポリビニルカルバ
ゾールなどの電荷移動錯体、有機光キャリヤ生成層(ペ
リレン類、キノ類、フタロシアニン類など)と有機キャ
リヤ輸送層(アリールアミン類、ヒドラジン類、オキサ
ゾール類など)とを積層した有機複合材料、などの材料
を用いることができる。このような材料では、特定波長
域の光量子を吸収すると、伝導キャリヤを生成して、そ
のインピーダンスが急激に減少するため、電気伝導性を
有するようになる。特に、この実施形態では、光導電層
29が特定の波長域のみを吸収する光吸収特性を有し、
伝導キャリアを発生するZnOを用いている。ZnO
は、通常可視光域に吸収をもたない。なお、上記材料に
ZnOを用いる場合、ZnOにおいて光電効果を可視光
域にまで広げるためには、通常有機色素を増感剤として
用いる。図3は、ZnOの光起電力(丸印で示す)と、
エオシンを増感剤として用いたZnOの光起電力(三角
印で示す)との光起電力スペクトルを表したグラフであ
る。このグラフからZnOは、紫外光域のみで伝導キャ
リアの生成し、エオシンを増感剤としたZnOは、波長
域が450〜600nmでも伝導キャリアを生成するこ
とが判る。
This photoconductive layer 29 absorbs photons,
It is made of a material that produces conductive carriers. Examples of such a photoconductive layer 29 include ZnO, amorphous silicon (a-Si), amorphous selenium (a-Se), and Z.
Inorganic semiconductors such as nS and SnOx, charge transfer complexes such as polyvinylcarbazole, organic photocarrier generation layers (perylenes, quinones, phthalocyanines, etc.) and organic carrier transport layers (arylamines, hydrazines, oxazoles, etc.) A material such as an organic composite material in which and are stacked can be used. When such a material absorbs a photon in a specific wavelength range, a conductive carrier is generated, and its impedance is rapidly reduced, so that the material becomes electrically conductive. In particular, in this embodiment, the photoconductive layer 29 has a light absorption property of absorbing only a specific wavelength region,
ZnO that generates conductive carriers is used. ZnO
Usually has no absorption in the visible light range. When ZnO is used as the above material, an organic dye is usually used as a sensitizer in order to extend the photoelectric effect of ZnO to the visible light range. FIG. 3 shows the photovoltaic power of ZnO (indicated by a circle),
3 is a graph showing a photovoltaic spectrum of ZnO using eosin as a sensitizer and the photovoltaic power (indicated by triangles). From this graph, it is understood that ZnO produces conductive carriers only in the ultraviolet light region, and ZnO using eosin as a sensitizer produces conductive carriers even in the wavelength range of 450 to 600 nm.

【0101】本実施形態では、光導電層29としてアモ
ルファスシリコンを適用し、この上には、p型不純物
(例えばボロン)をドープして形成したアモルファスシ
リコンからなるドープ層29Aが全面に設けられてい
る。なお、ドープ層29Aは、後記する第1表示用EL
膜44へ電子を注入し易くするために設けている。ドー
プ層29Aの上には、上記した第1有機膜17と同一材
料のAlq3でなる、電子輸送層としての第1表示用E
L膜44が全面に形成されている。そして、第1表示用
EL膜44の上には、正孔輸送層としての第2表示用E
L膜45が形成されている。この第2表示用EL膜45
は、上記した第2有機膜18と同一材料のPVCzとB
NDとにEL素子42の紫外光により白色に発光する発
光材料が混合されて形成されている。なお、この発光材
料は、第2表示用EL膜45における第1表示用EL膜
44との界面近傍の紫外光を発光する発光領域より上
側、すなわちカラーフィルタ47側に濃度を低く設定す
ることが望ましい。さらに、第2表示用EL膜45の上
には、例えばITOまたは酸化スズでなる、アノード電
極としての前駆動電極33が全面に形成されている。そ
して、前駆動電極33の上には、各画素に対応するよう
に、カラーフィルタ47が配置されている。
In this embodiment, amorphous silicon is applied as the photoconductive layer 29, and a doped layer 29A made of amorphous silicon formed by doping a p-type impurity (for example, boron) is provided on the entire surface. There is. The doped layer 29A is the EL for the first display described later.
It is provided to facilitate injection of electrons into the film 44. On the dope layer 29A, a first display E as an electron transport layer made of Alq3, which is the same material as that of the first organic film 17 described above.
The L film 44 is formed on the entire surface. Then, on the first display EL film 44, a second display E as a hole transport layer is formed.
The L film 45 is formed. The second display EL film 45
Is PVCz and B which are the same material as the second organic film 18 described above.
The ND and a light emitting material that emits white light by the ultraviolet light of the EL element 42 are mixed and formed. It should be noted that this luminescent material may be set to have a low concentration above the luminescent region that emits ultraviolet light in the vicinity of the interface with the first display EL film 44 in the second display EL film 45, that is, on the color filter 47 side. desirable. Further, on the second display EL film 45, a front drive electrode 33 as an anode electrode made of, for example, ITO or tin oxide is formed on the entire surface. A color filter 47 is arranged on the front drive electrode 33 so as to correspond to each pixel.

【0102】次に、この実施形態17の作用・動作につ
いて図4を用いて説明する。まず、図4は、この実施形
態のアドレス光素子12の概略的なエネルギーダイヤグ
ラムを示している。このエネルギーダイヤグラムは、行
電極(アノード)16と接合する第1有機膜17として
PVCzよりに電子輸送性のBNDをPVCzへ混在さ
せたことによる電子および正孔の注入障壁に対する効果
を説明している。
Next, the operation and operation of the seventeenth embodiment will be described with reference to FIG. First, FIG. 4 shows a schematic energy diagram of the address optical device 12 of this embodiment. This energy diagram illustrates the effect on the injection barrier of electrons and holes by mixing BND, which has an electron transporting property rather than PVCz, in the PVCz as the first organic film 17 bonded to the row electrode (anode) 16. .

【0103】図4において一点鎖線は、BND固有のエ
ネルギー構造を示し、破線はPVCz固有のエネルギー
構造を示している。このように各成分が混合された複合
膜の場合、Alq3でなる電子輸送層側から正孔輸送層
への電子の移動の点で、正孔輸送層と電子輸送層との界
面のそれぞれの電子親和力を鑑みると、電子輸送層で
は、より小さな電子のポテンシャルをもつ成分の物性が
反映される。すなわち、この界面には電子輸送性ドーパ
ントであるBNDの物性が反映されることになる。逆に
行電極(アノード)16側から電子輸送層への正孔の移
動では、行電極17との界面の電子輸送層のイオン化ポ
テンシャルにおいて、より小さな、正孔のポテンシャル
をもつ材料の物性が反映される。すなわち、電子輸送層
側の界面には、バインダとしての機能も有するPVCz
の物性が反映されることになる。加えて、行電極16か
ら電子輸送層へのエネルギー障壁はPVCzのエネルギ
ー障壁に反映されているので、HfromAは比較的小
さく、所定電圧を印加すれば容易に正孔を電子輸送層に
注入することができるが、電子輸送層から正孔輸送層へ
の正孔注入は、エネルギー障壁HfromAlq3が大
きいため困難になる。結果として、発光層19全体での
電子物性は、界面における注入障壁に着目した場合は図
中斜め線で示されるエネルギー構造をとる。すなわち、
キャリヤの注入障壁に関し、BNDを混ぜることはエネ
ルギー障壁EtoBNDにより、正孔輸送層から電子輸
送層へのエネルギー障壁を低減させ、電子輸送層への電
子の注入を容易にしていると考えられる。このため、発
光は電子輸送層の正孔輸送層との界面近傍で行われる。
このようなアドレス光素子12では、有機EL層を用い
たことにより、高速応答性および高効率光の条件を満た
すことができる。EL表示素子42の表示用発光層46
においても、上記と同様の作用により発光を行うが、第
2表示用EL膜45の第1表示用EL膜44との界面近
傍で発生した光のうち、光導電層29側の方向に向かう
光は、発光材料の影響を受けずに紫外光のまま、帰還光
として光導電層29に入射する。また、カラーフィルタ
47側の方向に向かう光は、発光材料により白色にな
り、カラーフィルタ47を通過して所定の色に発色され
て表示光となる。
In FIG. 4, the alternate long and short dash line shows the energy structure peculiar to BND, and the broken line shows the energy structure peculiar to PVCz. In the case of the composite film in which the respective components are mixed in this way, in terms of the transfer of electrons from the electron transport layer side made of Alq3 to the hole transport layer, the respective electrons at the interface between the hole transport layer and the electron transport layer are Considering the affinity, the electron transport layer reflects the physical properties of components having a smaller electron potential. That is, this interface reflects the physical properties of BND, which is an electron transporting dopant. On the contrary, in the movement of holes from the row electrode (anode) 16 side to the electron transport layer, the physical properties of the material having a smaller hole potential are reflected in the ionization potential of the electron transport layer at the interface with the row electrode 17. To be done. That is, PVCz that also functions as a binder is formed at the interface on the electron transport layer side.
The physical properties of will be reflected. In addition, since the energy barrier from the row electrode 16 to the electron transport layer is reflected in the energy barrier of PVCz, HfrommA is relatively small, and holes can be easily injected into the electron transport layer by applying a predetermined voltage. However, it is difficult to inject holes from the electron transport layer to the hole transport layer because the energy barrier HfromAlq3 is large. As a result, the electronic properties of the entire light emitting layer 19 have an energy structure shown by the diagonal lines in the figure when focusing on the injection barrier at the interface. That is,
Regarding the carrier injection barrier, it is considered that mixing BND reduces the energy barrier from the hole transport layer to the electron transport layer by the energy barrier EtoBND, and facilitates the injection of electrons into the electron transport layer. Therefore, light emission is performed near the interface between the electron transport layer and the hole transport layer.
In such an address light element 12, the use of the organic EL layer makes it possible to satisfy the conditions of high-speed response and highly efficient light. Display light-emitting layer 46 of EL display element 42
In the same manner, light is emitted by the same action as described above, but of the light generated in the vicinity of the interface between the second display EL film 45 and the first display EL film 44, the light traveling toward the photoconductive layer 29 side. Enters the photoconductive layer 29 as return light while remaining as ultraviolet light without being affected by the light emitting material. Further, the light traveling toward the color filter 47 side becomes white due to the light emitting material, passes through the color filter 47, is colored into a predetermined color, and becomes display light.

【0104】このような表示装置における作用・動作を
以下に説明する。まず、アドレス光素子12において、
線順次走査により選択された行電極16と列電極20と
の間に電圧が印加されると、発光層19から信号光とし
ての紫外光が光導電層29に向けて照射される。なお、
このとき、発光層19と光導電層29とは十分に近距離
であるため、信号光は実用上十分な空間周波数を維持し
て光導電層29に入射することができる。このため、所
定のアドレスから発光する信号光が、隣接するドット領
域の光導電層29に入射して光導電層29を励起させる
ことはない。信号光が入射された部分の光導電層29お
よびドープ層54は、上記したように、所定波長域の光
を吸収して電気伝導性となり、後駆動電極28と導通す
る。これによって、前駆動電極33と後駆動電極28と
の間に印加されていた電位は、第1表示用EL膜44と
第2表示用EL膜45とでなる表示用発光層46の所定
のドット部に印加されることとなる。なお、駆動電極間
には、直流駆動電圧、パルス電圧、交流電圧などを用い
ることができる。この結果、上記したようにEL表示素
子42の発光による可視光が前方に向けて発生し、同時
に後方に向けて帰還する紫外光が発生する。この紫外光
は、光導電層29およびドープ層54に入射するため、
光導電層29は、再励起され、新たに電子−正孔対を生
成する。したがって、光導電層29は導通状態を保持
し、対応する液晶25に駆動電圧が印加され続ける状態
となっている。この状態にある間は、常に表示用発光層
46が駆動されるため、アドレス光素子12側の行電極
16と行電極20とが選択状態でなくなっても、表示用
発光層46は発光を維持することとなる。このため、線
順次走査により、2回目の走査まで発光が維持されるこ
ととなる。
The operation and operation of such a display device will be described below. First, in the address optical element 12,
When a voltage is applied between the row electrode 16 and the column electrode 20 selected by line-sequential scanning, ultraviolet light as signal light is emitted from the light emitting layer 19 toward the photoconductive layer 29. In addition,
At this time, since the light emitting layer 19 and the photoconductive layer 29 are sufficiently close to each other, the signal light can be incident on the photoconductive layer 29 while maintaining a practically sufficient spatial frequency. Therefore, the signal light emitted from the predetermined address does not enter the photoconductive layer 29 in the adjacent dot region to excite the photoconductive layer 29. As described above, the photoconductive layer 29 and the doped layer 54 where the signal light is incident absorb the light in the predetermined wavelength range and become electrically conductive, and are electrically connected to the post-driving electrode 28. As a result, the potential applied between the front drive electrode 33 and the rear drive electrode 28 becomes a predetermined dot of the display light emitting layer 46 formed of the first display EL film 44 and the second display EL film 45. Will be applied to the part. Note that a DC drive voltage, a pulse voltage, an AC voltage, or the like can be used between the drive electrodes. As a result, as described above, the visible light generated by the light emitted from the EL display element 42 is generated toward the front, and at the same time, the ultraviolet light that returns toward the rear is generated. Since this ultraviolet light enters the photoconductive layer 29 and the doped layer 54,
The photoconductive layer 29 is re-excited to newly generate electron-hole pairs. Therefore, the photoconductive layer 29 maintains the conductive state, and the drive voltage is continuously applied to the corresponding liquid crystal 25. While in this state, the display light emitting layer 46 is always driven, so that the display light emitting layer 46 maintains the light emission even when the row electrode 16 and the row electrode 20 on the address optical element 12 side are not in the selected state. Will be done. Therefore, the line-sequential scanning maintains the light emission until the second scanning.

【0105】この実施形態においては、次回の線順次走
査まで表示発光が維持されるため、良好な表示を行うこ
とが可能となる。また、アドレス基板15にアドレス光
素子12とEL表示素子42を形成できるため、表示装
置の薄型・軽量化を図ることができる。さらに、従来の
有機EL素子における各画素は、高デューティなマトリ
クス駆動において、一画面分発光を保持し続けなければ
ならないため、初期電圧を極めて高く設定しなければな
らず、このためEL表示素子自体の寿命を短くさせてい
たが、この実施形態によれば、TFTに代表されるアク
ティブ駆動や、強誘電性液晶のようなメモリ性を有する
素子を用いずに、単純な構造により各画素で帰還光によ
るメモリ性ないしは適当なヒステリシスが実現し、高デ
ューティ駆動条件下で高品位な表示を実現することがで
きる。同様の理由により、所望の表示輝度を得るため
に、EL表示素子42に要求される輝度が低下し、EL
表示素子42の高寿命化が期待できる。さらに、有機E
L素子の効率が最大となる低輝度領域の使用が可能とな
り、結果としてデバイス全体の消費電力を低下させるこ
とができる。さらにまた、この実施形態では、1枚のア
ドレス基板15上に形成できるものであるため、TFT
および強誘電液晶ディスプレイもしくはプラズマディス
プレイに比較して大画面化に有利となる。またさらに、
この実施形態では、TFTを用いた表示装置で憂慮され
ている高精細化・小型化における開口率の低下がないた
め、小型化における表示輝度および効率の点でTFT駆
動素子に比べて有利となる。さらに、一貫した真空プロ
セスでの形成が可能である上、製造工程として高度のク
リーンルームを必要としない。また、パターニングおよ
びアライメント技術もTFT製造工程に比較して非常に
容易なものとなる。また、この実施形態では、表示用発
光層46を有機EL材料を用いて構成したが、無機EL
材料を用いても勿論よい。
In this embodiment, since the display light emission is maintained until the next line-sequential scanning, good display can be performed. Further, since the address optical element 12 and the EL display element 42 can be formed on the address substrate 15, the display device can be made thin and lightweight. Further, each pixel in the conventional organic EL element has to maintain light emission for one screen in high-duty matrix driving, and therefore the initial voltage must be set extremely high, and therefore the EL display element itself. However, according to this embodiment, the feedback of each pixel is performed by a simple structure without using an active drive represented by a TFT or an element having a memory property such as a ferroelectric liquid crystal. A memory property or appropriate hysteresis due to light is realized, and high-quality display can be realized under a high duty driving condition. For the same reason, in order to obtain a desired display brightness, the brightness required for the EL display element 42 decreases,
A longer life of the display element 42 can be expected. Furthermore, organic E
It is possible to use the low brightness region where the efficiency of the L element is maximized, and as a result, the power consumption of the entire device can be reduced. Furthermore, in this embodiment, since it can be formed on one address substrate 15, the TFT
Further, it is advantageous in increasing the screen size as compared with a ferroelectric liquid crystal display or a plasma display. In addition,
In this embodiment, there is no reduction in the aperture ratio in high definition and miniaturization, which is a concern in a display device using a TFT, and thus it is more advantageous than a TFT drive element in terms of display brightness and efficiency in miniaturization. . In addition, it can be formed by a consistent vacuum process and does not require a high level clean room as a manufacturing process. Further, the patterning and alignment techniques are also very easy compared with the TFT manufacturing process. Further, in this embodiment, the display light emitting layer 46 is formed of the organic EL material, but the inorganic EL is used.
Of course, a material may be used.

【0106】なお、この実施形態において、発光材料と
しては、クマリン6(C6)や、ベリリウム(ビス(10
-ヒドロシキシベンゾ[h]キノリナト));Bebq
2や、キナクリドンや、などの各種の発光材料を用いる
ことができる。以下に、クマリン6、Bebq2、キナ
クリドンの構造式を示す。
In this embodiment, the light emitting material is coumarin 6 (C6) or beryllium (bis (10
-Hydroxybenzo [h] quinolinato)); Bebq
2 and various luminescent materials such as quinacridone can be used. The structural formulas of coumarin 6, Bebq 2 , and quinacridone are shown below.

【化4】 Embedded image

【化5】 Embedded image

【化6】 また、この実施形態においては、正孔輸送材料として、
PVCzとBNDとの混合物を用いたが、この他、PV
Cz単体や、4,4′,4″-トリス(3-メチルフェニルフェ
ニルアミノ)トリフェニルアミン:MTDATAなどの
材料を用いることができる。
[Chemical 6] Further, in this embodiment, as the hole transport material,
A mixture of PVCz and BND was used.
Cz alone or a material such as 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine: MTDATA can be used.

【化7】 Embedded image

【0107】(実施形態18)図33は、実施形態18
に係る表示装置の断面図である。この実施形態は、上記
した実施形態17の構成においてアドレス基板15の前
面に誘電体ハーフミラー48を配置したことを特徴とし
ている。また、この実施形態においては、列電極(カソ
ード電極)20も光反射性を有する。そして、誘電体ハ
ーフミラー48と列電極20との間隔Lと信号光の波長
λとの関係を(これらに挟まれる材料の屈折率を考慮に
入れた上で)L=nλ/2(nは正の整数であり、好ま
しくは1〜3)とすることにより、微小共振器が形成さ
れる。これにより、信号光の直進性を高めることができ
るようにした構成である。なお、他の構成は、上記実施
形態17と同様である。
(Embodiment 18) FIG. 33 shows Embodiment 18.
It is a cross-sectional view of a display device according to. This embodiment is characterized in that a dielectric half mirror 48 is arranged on the front surface of the address substrate 15 in the configuration of the above-mentioned seventeenth embodiment. In addition, in this embodiment, the column electrode (cathode electrode) 20 also has light reflectivity. Then, the relation between the distance L between the dielectric half mirror 48 and the column electrode 20 and the wavelength λ of the signal light is (after taking into consideration the refractive index of the material sandwiched between them) L = nλ / 2 (n is It is a positive integer, preferably 1 to 3) to form a microresonator. Thereby, the straightness of the signal light can be improved. The rest of the configuration is the same as in the seventeenth embodiment.

【0108】このように設定したことにより、発光層1
9から発生した信号光の直進光は共振して誘電体ハーフ
ミラー48を通過して直進して光導電層29に入射し、
直進光以外は誘電体ハーフミラー48で通過できず光導
電層29に入射されることはない。このような光の動作
により、信号光は共振されて直進性を高める。このた
め、信号光が対応するドット部に位置する光導電層29
に確実に入射してクロストークを防止することができ
る。また、表示用EL素子42で発光が起こると、この
発光のうち後方に進む光が光導電層29を通過して誘電
体ハーフミラー48で反射されて、再度光導電層29に
入射する。後方に進む光が光導電層29に吸収される波
長であれば、上記実施形態16の帰還した光が再度光導
電層29に入射して光導電層29を確実に導電性に保た
せる作用がある。なお、この実施形態の他の作用・効果
は、上記した実施形態16と同様である。
By setting in this way, the light emitting layer 1
The rectilinear light of the signal light generated from 9 resonates, passes through the dielectric half mirror 48, advances straight, and enters the photoconductive layer 29,
Except for the straight traveling light, it cannot pass through the dielectric half mirror 48 and is not incident on the photoconductive layer 29. By such an operation of light, the signal light is resonated to enhance straightness. Therefore, the photoconductive layer 29 located in the dot portion to which the signal light corresponds
It is possible to prevent the crosstalk by surely entering the light source. When light is emitted from the display EL element 42, light traveling backward in the emitted light passes through the photoconductive layer 29, is reflected by the dielectric half mirror 48, and is incident on the photoconductive layer 29 again. If the light traveling rearward has a wavelength that is absorbed by the photoconductive layer 29, the returned light of the sixteenth embodiment is incident on the photoconductive layer 29 again and the photoconductive layer 29 can be surely kept conductive. is there. The other operations and effects of this embodiment are the same as those of the above-described sixteenth embodiment.

【0109】(実施形態19)図34は、実施形態19
の表示装置を示す断面図である。この実施形態は、上記
した実施形態18において、誘電体ハーフミラー48と
列電極20との間隔をL=nλ/2に調整するために、
例えばSiNでなる、所定膜厚の調整膜49を誘電体ハ
ーフミラー48と行電極16との間に介在させたことを
特徴としている。この実施形態では、予めアドレス基板
15の後面に誘電体ハーフミラー48を形成し、この表
面に調整膜49を所望の厚さに調整することで、列電極
20と誘電体ハーフミラー48との間で微小共振器を確
実に構成し得るようにすることができる。また、調整膜
49の膜厚を調整することで、アドレス光素子12で励
起された信号光の波長に適合するように共振器構造の設
計を行うことができる。
(Embodiment 19) FIG. 34 shows Embodiment 19.
3 is a cross-sectional view showing the display device of FIG. In this embodiment, in order to adjust the distance between the dielectric half mirror 48 and the column electrode 20 to L = nλ / 2 in the eighteenth embodiment,
A feature is that an adjustment film 49 made of, for example, SiN and having a predetermined film thickness is interposed between the dielectric half mirror 48 and the row electrode 16. In this embodiment, the dielectric half mirror 48 is formed on the rear surface of the address substrate 15 in advance, and the adjustment film 49 is adjusted to a desired thickness on this surface, so that the space between the column electrode 20 and the dielectric half mirror 48 is reduced. Thus, the microresonator can be surely constructed. Further, by adjusting the film thickness of the adjustment film 49, it is possible to design the resonator structure so as to match the wavelength of the signal light excited by the address optical element 12.

【0110】(実施形態20)図35は、実施形態20
に係る表示装置の断面図である。この実施形態は、アド
レス光素子12をアドレス基板15に作成し、EL表示
素子42をガラスでなるEL基板50に作成し、これら
アドレス基板15とEL基板50とを接合させることを
特徴としている。この実施形態によれば、アドレス光素
子12とEL表示素子42とを別々に作成することで総
合的な歩留まりを向上させることができるという利点が
ある。なお、他の構成並びに作用・効果は、上記した実
施形態17と同様である。
(Embodiment 20) FIG. 35 shows Embodiment 20.
It is a cross-sectional view of a display device according to. This embodiment is characterized in that the address optical element 12 is formed on the address substrate 15, the EL display element 42 is formed on the EL substrate 50 made of glass, and the address substrate 15 and the EL substrate 50 are bonded to each other. According to this embodiment, the address light element 12 and the EL display element 42 are separately formed, which is advantageous in that the overall yield can be improved. Note that the other configurations, operations, and effects are similar to those of the seventeenth embodiment described above.

【0111】(実施形態21)図36は、実施形態21
の表示装置を示す断面図である。この実施形態では、ア
ドレス基板15の後面側にアドレス光素子12が形成さ
れ、前面側にEL表示素子42が形成されている。ま
ず、アドレス基板15の後面には、行電極61が形成さ
れ、この行電極61は、カソード電極として機能する。
そして、アドレス基板15および行電極61とを覆うよ
うに、p型シリコンカーバイドでなる電子注入層51が
形成されている。電子注入層51の後面には、順次、A
lq3でなる第2有機膜18、PVCzとBNDとでな
る第1有機膜17が、例えばディップコートもしくはス
ピンコートなどの湿式成膜法により形成されている。こ
れら第1有機膜17と第2有機膜18とで、アドレス光
素子12の発光層19を構成している。さらに、第1有
機膜17の後面には、行電極61と交差する方向に、ア
ノード電極としての列電極62が、ストライプ状に形成
されている。図中52は、アドレス光素子12全体を覆
うように形成された保護膜52を示している。
(Embodiment 21) FIG. 36 shows Embodiment 21.
3 is a cross-sectional view showing the display device of FIG. In this embodiment, the address optical element 12 is formed on the rear surface side of the address substrate 15, and the EL display element 42 is formed on the front surface side. First, a row electrode 61 is formed on the rear surface of the address substrate 15, and the row electrode 61 functions as a cathode electrode.
Then, an electron injection layer 51 made of p-type silicon carbide is formed so as to cover the address substrate 15 and the row electrode 61. On the rear surface of the electron injection layer 51, A
The second organic film 18 made of lq3 and the first organic film 17 made of PVCz and BND are formed by a wet film forming method such as dip coating or spin coating. The first organic film 17 and the second organic film 18 form a light emitting layer 19 of the address light element 12. Further, on the rear surface of the first organic film 17, column electrodes 62 as anode electrodes are formed in stripes in a direction intersecting the row electrodes 61. Reference numeral 52 in the drawing denotes a protective film 52 formed so as to cover the entire address optical element 12.

【0112】一方、アドレス基板15の前面には、行電
極61と対をなして対向する、カソード電極としての後
駆動電極28が形成されている。また、その前面には、
ZnOでなる光導電層29が形成されている。光導電層
29の前面には、p型シリコンカーバイドでなる電子注
入層53が形成されている。さらに、電子注入層53の
前面には、順次、電子輸送層としての、Alq3でなる
第1表示用EL膜44、PVCzとBNDと発光材料と
でなる、正孔輸送層としての第2表示用EL膜45が例
えばディップコートもしくはスピンコートなどの湿式成
膜法で積層されている。ここで、発光材料は、第1表示
用EL膜44における電子と正孔との再結合領域に位置
され、電極28、33の交差部に応じて赤色、緑色、青
色にそれぞれ発色する材料で構成される。第2表示用E
L膜45の前面には、アノード電極としての、ITO等
の透明な前駆動電極33が表示領域全面に亙って形成さ
れている。
On the other hand, on the front surface of the address substrate 15, there is formed a rear driving electrode 28 as a cathode electrode which is opposed to the row electrode 61 in a pair. Also, on its front,
A photoconductive layer 29 made of ZnO is formed. An electron injection layer 53 made of p-type silicon carbide is formed on the front surface of the photoconductive layer 29. Further, on the front surface of the electron injection layer 53, a first display EL film 44 made of Alq3 as an electron transport layer and a second display layer made of PVCz, BND and a light emitting material as a hole transport layer are sequentially formed. The EL film 45 is laminated by a wet film forming method such as dip coating or spin coating. Here, the light emitting material is located in a recombination region of electrons and holes in the first display EL film 44, and is composed of a material that emits red, green, and blue depending on the intersection of the electrodes 28 and 33. To be done. Second display E
On the front surface of the L film 45, a transparent front drive electrode 33 such as ITO serving as an anode electrode is formed over the entire display area.

【0113】(実施形態22)図37は、実施形態22
に係る表示装置の断面図である。この実施形態は、上記
した実施形態20におけるEL表示素子42側の前駆動
電極63をカソード電極材料で形成し、後駆動電極64
をアノード電極材料で形成すると共に、それに伴って電
子注入層53を前駆動電極33の後面に接合するように
配置し、第2表示用EL膜45をPVCzとBNDと実
施形態21の発光材料で形成し、且つ第1表示用EL膜
44をAlq3で形成したこと特徴としており、他の構
成は上記した実施形態19と同様である。なお、上記各
実施形態においては、アドレス光素子12の行電極16
と列電極20は、逆の構成でも勿論よい。
(Embodiment 22) FIG. 37 shows Embodiment 22.
It is a cross-sectional view of a display device according to. In this embodiment, the front drive electrode 63 on the EL display element 42 side in the above-described Embodiment 20 is formed of a cathode electrode material, and the rear drive electrode 64 is formed.
Is formed of an anode electrode material, and the electron injection layer 53 is arranged so as to be bonded to the rear surface of the front drive electrode 33 accordingly. It is characterized in that it is formed and the first display EL film 44 is made of Alq3, and the other structure is the same as that of the nineteenth embodiment. In each of the above embodiments, the row electrode 16 of the address optical element 12 is used.
The column electrodes 20 and the column electrodes 20 may have the opposite configurations.

【0114】(実施形態23)図38は、実施形態23
に係る表示装置の断面図である。この実施形態は、1枚
のアドレス基板15の上に、アドレス光素子12と、E
L表示素子42が連続して形成されたことを特徴として
いる。まず、アドレス基板15の上に、列電極20が形
成され、その後、第2有機膜18、第1有機膜17、行
電極16が順次形成され、その上に保護膜52が形成さ
れている。この保護膜52の上には、順次、後駆動電極
28、光導電層29、電子注入層53、第1表示用EL
膜44、第2表示用EL膜45、前駆動電極33が形成
されて構成されている。この実施形態においては、列電
極20と、行電極16と、後駆動電極28とにパターニ
ング工程を要するが、他の工程は単に成膜を行う工程で
あるため、TFT駆動による表示装置に比較して飛躍的
に製造が容易になるという利点がある。なお、他の作用
・効果は、上記した実施形態16と略同様である。
(Embodiment 23) FIG. 38 shows Embodiment 23.
It is a cross-sectional view of a display device according to. In this embodiment, the address optical element 12 and the E
The L display element 42 is characterized by being formed continuously. First, the column electrode 20 is formed on the address substrate 15, then the second organic film 18, the first organic film 17, and the row electrode 16 are sequentially formed, and the protective film 52 is formed thereon. The post-driving electrode 28, the photoconductive layer 29, the electron injection layer 53, and the first display EL are sequentially formed on the protective film 52.
The film 44, the second display EL film 45, and the front drive electrode 33 are formed and configured. In this embodiment, the column electrode 20, the row electrode 16, and the post-driving electrode 28 require a patterning step, but the other steps are merely film forming steps. Therefore, there is an advantage that manufacturing is dramatically facilitated. The other actions and effects are substantially the same as those of the above-described sixteenth embodiment.

【0115】以上、この発明の各実施形態について説明
したが、この発明はこれらに限定されるものではなく、
構成の要旨に付随する各種の設計変更が可能である。例
えば、上記した実施形態のうち、被駆動体として液晶表
示素子を用いる実施形態においては、あらゆる液晶表示
モードを採用することができ、透過型、反射型を問わず
この発明を適用することができる。また、上記した実施
形態のうち、被駆動体としてEL表示素子を用いる実施
形態では、有機EL材料、無機EL材料など各種のEL
材料を用いることができ、EL表示素子42を構成する
発光層内に含有させる発光材料も表示目的に応じて適宜
選択することが可能である。さらに、実施形態18にお
ける誘電体ハーフミラーを備えたアドレス光素子12
は、実施形態1〜実施形態16におけるアドレス光素子
12に適用することができる。また、実施形態19にお
ける調整膜49も同様に実施形態1〜実施形態16に適
用することができる。さらにまた、実施形態1〜実施形
態16では、アドレス光素子12と液晶表示素子13と
をそれぞれ別個に設ける構成としたが、これに限らず、
液晶表示素子13の前透明基板22と後透明基板23と
の間の液晶25及び光導電層29より後透明基板23側
にアドレス基板15を除くアドレス光素子12を設けて
もよい。
Although the respective embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these.
Various design changes accompanying the gist of the configuration are possible. For example, of the above-described embodiments, in the embodiment in which the liquid crystal display element is used as the driven body, any liquid crystal display mode can be adopted, and the present invention can be applied regardless of the transmission type or the reflection type. . Further, among the above-described embodiments, in the embodiment in which the EL display element is used as the driven body, various ELs such as organic EL materials and inorganic EL materials
Materials can be used, and the light emitting material contained in the light emitting layer forming the EL display element 42 can be appropriately selected according to the display purpose. Further, the address optical element 12 including the dielectric half mirror according to the eighteenth embodiment.
Can be applied to the address optical element 12 in Embodiments 1 to 16. Further, the adjusting film 49 in the nineteenth embodiment can be similarly applied to the first to sixteenth embodiments. Furthermore, in the first to sixteenth embodiments, the address light element 12 and the liquid crystal display element 13 are separately provided, but the present invention is not limited to this.
The address optical element 12 other than the address substrate 15 may be provided on the rear transparent substrate 23 side of the liquid crystal 25 and the photoconductive layer 29 between the front transparent substrate 22 and the rear transparent substrate 23 of the liquid crystal display element 13.

【0116】[0116]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、製造コストが低く、開口率が高く、駆動特
性が良好で、大画面化並びに高精細化が容易で、さらに
は低電圧駆動や低消費電力を同時に実現する表示装置が
得られるという効果がある。さらに、例えば有機EL材
料を用いることにより、フィルム基板化して薄型化、軽
量化を図ると共に、可撓性を有する表示装置を実現する
という効果を奏する。
As is apparent from the above description, according to the present invention, the manufacturing cost is low, the aperture ratio is high, the driving characteristics are good, and it is easy to increase the screen size and definition, There is an effect that a display device that simultaneously realizes voltage driving and low power consumption can be obtained. Further, by using, for example, an organic EL material, it is possible to realize a display device having flexibility while making it a film substrate to be thin and lightweight.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明に係る表示装置の実施形態1の概略を
示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a first embodiment of a display device according to the present invention.

【図2】実施形態1の断面図。FIG. 2 is a sectional view of the first embodiment.

【図3】ZnOの波長と光起電力との関係を示すグラ
フ。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the wavelength of ZnO and photovoltaic power.

【図4】電子および正孔の注入障壁に対する効果を説明
するエネルギーダイヤグラム。
FIG. 4 is an energy diagram illustrating the effect of electrons and holes on the injection barrier.

【図5】(a)は実施形態1における液晶表示素子にA
C駆動電圧を印加した状態を示す説明図、(b)は液晶
表示素子に駆動電圧を印加した状態における初期状態時
の液晶と光導電層の抵抗と容量を示す等価回路図。
FIG. 5 (a) shows the liquid crystal display device of Embodiment 1
C is an explanatory diagram showing a state in which a driving voltage is applied, and FIG. 6B is an equivalent circuit diagram showing resistance and capacitance of the liquid crystal and the photoconductive layer in an initial state in which a driving voltage is applied to the liquid crystal display element.

【図6】(a)は実施形態1における液晶表示素子にA
C駆動電圧を印加した状態における信号光照射時の等価
回路図、(b)は光照射を停止したときの等価回路図。
FIG. 6A shows the liquid crystal display device according to Embodiment 1
The equivalent circuit diagram at the time of signal light irradiation in the state which applied C drive voltage, (b) is an equivalent circuit diagram when light irradiation is stopped.

【図7】(a)は実施形態1における光パルスと液晶の
実効電圧を示す波形図、(b)は全走査周期における光
パルスと液晶の実効電圧とを示す波形図。
7A is a waveform diagram showing the optical pulse and the effective voltage of the liquid crystal in Embodiment 1, and FIG. 7B is a waveform diagram showing the optical pulse and the effective voltage of the liquid crystal in the entire scanning period.

【図8】(a)は実施形態1における発光層を駆動・発
光させるためのマトリクスを示す説明図、(b)はマト
リクスを線順次に駆動するときのタイミングチャート。
8A is an explanatory diagram showing a matrix for driving and emitting light from a light emitting layer according to Embodiment 1, and FIG. 8B is a timing chart when the matrix is line-sequentially driven.

【図9】(a)は実施形態1における液晶表示素子にD
C駆動電圧を印加した状態を示す説明図、(b)は液晶
表示素子に駆動電圧を印加した状態における初期状態時
の液晶と光導電層の抵抗と容量を示す等価回路図。
FIG. 9A shows a liquid crystal display device according to the first embodiment,
C is an explanatory diagram showing a state in which a driving voltage is applied, and FIG. 6B is an equivalent circuit diagram showing resistance and capacitance of the liquid crystal and the photoconductive layer in an initial state in which a driving voltage is applied to the liquid crystal display element.

【図10】(a)は実施形態1における液晶表示素子に
駆動電圧を印加した状態における信号光照射時の等価回
路図、(b)は光照射を停止したときの等価回路図。
10A is an equivalent circuit diagram when signal light irradiation is performed in a state where a drive voltage is applied to the liquid crystal display element according to the first embodiment, and FIG. 10B is an equivalent circuit diagram when light irradiation is stopped.

【図11】(a)は駆動電圧を0にした状態を示す説明
図、(b)は駆動電圧を0にしたときの電荷保持状態を
示す等価回路図。
FIG. 11A is an explanatory diagram showing a state where the driving voltage is 0, and FIG. 11B is an equivalent circuit diagram showing a charge holding state when the driving voltage is 0.

【図12】(a)は駆動電圧を0にした状態で光導電層
に光照射を行ったときの状態を示す説明図、(b)は電
荷を消去した状態を示す等価回路図。
12A is an explanatory diagram showing a state when light is irradiated on a photoconductive layer in a state where a driving voltage is 0, and FIG. 12B is an equivalent circuit diagram showing a state in which charges are erased.

【図13】(a)1走査時間を消去時間と書き込み時間
とに分割したことを示す説明図、(b)は駆動電圧を示
すタイミングチャート、(c)〜(e)はセレクトライ
ンのタイミングチャート。
13A is an explanatory diagram showing that one scanning time is divided into an erasing time and a writing time, FIG. 13B is a timing chart showing a driving voltage, and FIGS. 13C to 13E are timing charts of select lines. .

【図14】実施形態2の表示装置の断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view of the display device according to the second embodiment.

【図15】実施形態3の表示装置の断面図。FIG. 15 is a cross-sectional view of the display device according to the third embodiment.

【図16】実施形態4の表示装置の断面図。FIG. 16 is a cross-sectional view of the display device according to the fourth embodiment.

【図17】実施形態5の表示装置の断面図。FIG. 17 is a sectional view of a display device according to a fifth embodiment.

【図18】実施形態6の表示装置の断面図。FIG. 18 is a sectional view of a display device according to a sixth embodiment.

【図19】(a)〜(c)は実施形態6の配向処理方向
と偏光軸との関係を示す説明図。
19A to 19C are explanatory views showing the relationship between the orientation processing direction and the polarization axis of the sixth embodiment.

【図20】実施形態7の表示装置の断面図。FIG. 20 is a sectional view of a display device according to a seventh embodiment.

【図21】実施形態8の表示装置の断面図。FIG. 21 is a sectional view of a display device according to an eighth embodiment.

【図22】実施形態9の表示装置の概略を示す斜視図。FIG. 22 is a perspective view showing the outline of a display device according to a ninth embodiment.

【図23】実施形態9の表示装置の断面図。FIG. 23 is a sectional view of a display device according to a ninth embodiment.

【図24】実施形態10の表示装置の概略を示す斜視
図。
FIG. 24 is a perspective view showing the outline of a display device according to a tenth embodiment.

【図25】実施形態11の表示装置の概略を示す斜視
図。
FIG. 25 is a perspective view showing the outline of a display device according to an eleventh embodiment.

【図26】実施形態12の表示装置の概略を示す斜視
図。
FIG. 26 is a perspective view showing the outline of a display device according to a twelfth embodiment.

【図27】実施形態13の表示装置の断面図。FIG. 27 is a cross-sectional view of the display device of the thirteenth embodiment.

【図28】実施形態14の表示装置の断面図。FIG. 28 is a cross-sectional view of the display device of the fourteenth embodiment.

【図29】実施形態15の表示装置の断面図。FIG. 29 is a cross-sectional view of the display device of the fifteenth embodiment.

【図30】実施形態16の表示装置の断面図。FIG. 30 is a cross-sectional view of the display device according to the sixteenth embodiment.

【図31】実施形態17の表示装置の概略を示す斜視
図。
FIG. 31 is a perspective view showing the outline of a display device according to a seventeenth embodiment.

【図32】実施形態17の表示装置の断面図。32 is a sectional view of the display device according to the seventeenth embodiment. FIG.

【図33】実施形態18の表示装置の断面図。FIG. 33 is a cross-sectional view of the display device of the eighteenth embodiment.

【図34】実施形態19の表示装置の断面図。FIG. 34 is a sectional view of the display device according to the nineteenth embodiment.

【図35】実施形態20の表示装置の断面図。FIG. 35 is a sectional view of the display device according to the twentieth embodiment.

【図36】実施形態21の表示装置の断面図。FIG. 36 is a sectional view of the display device according to the twenty-first embodiment.

【図37】実施形態22の表示装置の断面図。FIG. 37 is a sectional view of the display device according to the twenty-second embodiment.

【図38】実施形態23の表示装置の断面図。FIG. 38 is a sectional view of the display device according to the twenty-third embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 表示装置 12 アドレス光素子 13 液晶表示素子 14 バックライトシステム 15 アドレス基板 16 行電極 17 第1有機膜 18 第2有機膜 19 発光層 20 列電極 22 前透明基板 23 後透明基板 25 液晶 26 前偏光板 27 後偏光板 29 光導電層 33 前駆動電極 39 遮光膜 40 紫外線フィルタ 41 絶縁膜 42 EL表示素子 44 第1表示用EL膜 45 第2表示用EL膜 46 表示用発光層 47 カラーフィルタ 48 誘電体ハーフミラー 49 調整膜 50 EL基板 51 電子注入層 52 保護膜 53 電子注入層 11 Display Device 12 Address Optical Element 13 Liquid Crystal Display Element 14 Backlight System 15 Address Substrate 16 Row Electrode 17 First Organic Film 18 Second Organic Film 19 Light Emitting Layer 20 Column Electrode 22 Front Transparent Substrate 23 Rear Transparent Substrate 25 Liquid Crystal 26 Pre-polarization Plate 27 Rear polarizing plate 29 Photoconductive layer 33 Front drive electrode 39 Light-shielding film 40 UV filter 41 Insulating film 42 EL display element 44 First display EL film 45 Second display EL film 46 Display light-emitting layer 47 Color filter 48 Dielectric Body half mirror 49 Adjustment film 50 EL substrate 51 Electron injection layer 52 Protective film 53 Electron injection layer

Claims (23)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 各々所定電圧が印加されることにより所
定波長域の信号光を発生させる発光領域がマトリクス状
に形成された発光素子と、 前記発光素子からの信号光を受光した領域が電荷を発生
する光導電層を有し、かつ前記光導電層の電荷が発生さ
れた領域に対応して駆動表示される表示素子と、 を備
えたことを特徴とする表示装置。
1. A light emitting element having a matrix of light emitting regions for generating signal light in a predetermined wavelength region when a predetermined voltage is applied, and a region receiving the signal light from the light emitting device stores electric charges. A display device comprising: a photoconductive layer that generates light; and a display element that is driven and displayed corresponding to a region of the photoconductive layer in which a charge is generated.
【請求項2】 前記発光素子は、前記所定波長域の信号
光を発生させる発光層と、前記信号光に対し透過性を有
し前記発光層の一方の面に第1の方向に並んで配列され
た複数の第1電極と、前記発光層の他方の面に前記第1
の方向と異なる第2の方向に、前記発光層を介して第1
電極と互いにマトリクス状に交差するように並んで配列
された複数の第2電極と、を有することを特徴とする請
求項1記載の表示装置。
2. The light emitting device includes a light emitting layer that generates signal light in the predetermined wavelength range, and a light emitting layer that is transparent to the signal light and is arranged side by side in a first direction on one surface of the light emitting layer. A plurality of first electrodes, and the first electrode on the other surface of the light emitting layer.
Through the light emitting layer in a second direction different from the first direction.
The display device according to claim 1, further comprising a plurality of second electrodes arranged side by side so as to intersect with each other in a matrix.
【請求項3】 前記発光素子は、その第1電極及び第2
電極のうちの一方がアノード電極で、他方がカソード電
極であり、前記アノード電極と前記カソード電極との間
に、電圧が印加されることにより信号光を発光する発光
層を有する電界発光素子であることを特徴とする請求項
1又は請求項2に記載の表示装置。
3. The light emitting device comprises a first electrode and a second electrode.
One of the electrodes is an anode electrode, the other is a cathode electrode, and is an electroluminescent device having a light emitting layer that emits signal light when a voltage is applied between the anode electrode and the cathode electrode. The display device according to claim 1, wherein the display device is a display device.
【請求項4】 前記発光素子の発光層は、有機化合物か
らなることを特徴とする請求項3記載の表示装置。
4. The display device according to claim 3, wherein the light emitting layer of the light emitting element is made of an organic compound.
【請求項5】 前記発光素子の発光層は、ポリビニルカ
ルバゾールと2,5−ビス(1−ナフチル)−オキサジア
ゾールとからなる第1有機膜と、トリス(8−キノリレ
ート)アルミニウム錯体からなる第2有機膜と、からな
ることを特徴とする請求項4記載の表示装置。
5. The light emitting layer of the light emitting device comprises a first organic film composed of polyvinylcarbazole and 2,5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole, and a first organic film composed of tris (8-quinolylate) aluminum complex. 5. The display device according to claim 4, comprising two organic films.
【請求項6】 前記発光素子の所定波長域の信号光は、
350nm〜400nmの間の波長域にあることを特徴
とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の表示装
置。
6. The signal light in a predetermined wavelength range of the light emitting element,
The display device according to any one of claims 1 to 5, which is in a wavelength range between 350 nm and 400 nm.
【請求項7】 前記発光素子の前記アノード電極及び前
記カソード電極は、前記信号光及び可視光に対し透過性
を有することを特徴とする請求項3記載の表示装置。
7. The display device according to claim 3, wherein the anode electrode and the cathode electrode of the light emitting element are transparent to the signal light and visible light.
【請求項8】 前記カソード電極は、n型シリコンカー
バイド又はn型アモルファスシリコンでなることを特徴
とする請求項3記載の表示装置。
8. The display device according to claim 3, wherein the cathode electrode is made of n-type silicon carbide or n-type amorphous silicon.
【請求項9】 前記表示素子は、各々可視光に対し透過
性を有し、かつ互いに対向して配置された前駆動電極と
後駆動電極との間に、液晶及び前記光導電層が介在され
ていることを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれか
に記載の表示装置。
9. The display device has a liquid crystal and the photoconductive layer interposed between a front drive electrode and a rear drive electrode, each of which is transparent to visible light and which is arranged to face each other. The display device according to claim 1, wherein the display device is a display device.
【請求項10】 前記前駆動電極及び前記後駆動電極の
うち少なくとも一方は、表示領域の全域に亙って形成さ
れた1枚の電極であることを特徴とする請求項9記載の
表示装置。
10. The display device according to claim 9, wherein at least one of the front drive electrode and the rear drive electrode is a single electrode formed over the entire display area.
【請求項11】 前記前駆動電極及び前記後駆動電極の
うちの一方は、前記発光素子からの信号光に対し透過性
を有し、前記光導電層に接合されていることを特徴とす
る請求項9又は請求項10に記載の表示装置。
11. The one of the front drive electrode and the rear drive electrode is transparent to the signal light from the light emitting element, and is bonded to the photoconductive layer. The display device according to claim 9 or 10.
【請求項12】 前記光導電層内には、前記前駆動電極
と逆極性の電荷が蓄積されることを特徴とする請求項9
〜請求項11のいずれかに記載の表示装置。
12. The charge having a polarity opposite to that of the front drive electrode is accumulated in the photoconductive layer.
~ The display device according to claim 11.
【請求項13】 前記表示素子は、少なくとも一方が前
記発光素子からの信号光に対し透過性を有し、少なくと
も他方が可視光に対し透過性を有する、アノード電極及
びカソード電極を備え、前記アノード電極と前記カソー
ド電極との間に、電圧が印加されることにより401n
m〜800nmの間の可視光を発光する発光層を有する
電界発光素子であることを特徴とする請求項1〜請求項
8のいずれかに記載の表示装置。
13. The display element includes an anode electrode and a cathode electrode, at least one of which is transparent to signal light from the light emitting element and at least the other of which is transparent to visible light. By applying a voltage between the electrode and the cathode electrode, 401n
The display device according to any one of claims 1 to 8, which is an electroluminescent element having a light emitting layer that emits visible light in the range of m to 800 nm.
【請求項14】 前記表示素子の発光層は、有機化合物
からなることを特徴とする請求項13記載の表示装置。
14. The display device according to claim 13, wherein the light emitting layer of the display element is made of an organic compound.
【請求項15】 前記表示素子の発光層は、ポリビニル
カルバゾールと2,5−ビス(1−ナフチル)−オキサジ
アゾールと401nm〜800nmの間の可視光を発光
する発光材料とからなる第1有機膜と、トリス(8−キ
ノリレート)アルミニウム錯体からなる第2有機膜と、
からなることを特徴とする請求項13又は請求項14に
記載の表示装置。
15. The first organic layer, wherein the light emitting layer of the display device comprises polyvinylcarbazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -oxadiazole, and a light emitting material that emits visible light between 401 nm and 800 nm. A film and a second organic film composed of a tris (8-quinolylate) aluminum complex,
15. The display device according to claim 13, wherein the display device comprises:
【請求項16】 前記表示素子の前記カソード電極は、
前記信号光及び可視光に対し透過性を有する、n型シリ
コンカーバイド又はn型アモルファスシリコンであるこ
とを特徴とする請求項13記載の表示装置。
16. The cathode electrode of the display element,
14. The display device according to claim 13, wherein the display device is made of n-type silicon carbide or n-type amorphous silicon that is transparent to the signal light and visible light.
【請求項17】 前記光導電層は、表示領域の全域に亙
って形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項
16のいずれかに記載の表示装置。
17. The display device according to claim 1, wherein the photoconductive layer is formed over the entire display area.
【請求項18】 前記光導電層は、酸化亜鉛(ZnO)
からなることを特徴とする請求項1〜請求項17のいず
れかに記載の表示装置。
18. The photoconductive layer is zinc oxide (ZnO).
The display device according to any one of claims 1 to 17, wherein the display device comprises:
【請求項19】 前記表示素子の後側に当該表示素子に
光を照射するバックライトを備えることを特徴とする請
求項1〜請求項18のいずれかに記載の表示装置。
19. The display device according to claim 1, further comprising a backlight provided behind the display element to irradiate the display element with light.
【請求項20】 前記バックライトは、前記光導電層に
電荷を発生させない波長域の光を照射することを特徴と
する請求項19記載の表示装置。
20. The display device according to claim 19, wherein the backlight irradiates light in a wavelength range that does not generate charges on the photoconductive layer.
【請求項21】 前記バックライトは、401nm〜8
00nmの間の波長域の可視光を照射することを特徴と
する請求項19又は請求項20に記載の表示装置。
21. The backlight has a wavelength of 401 nm to 8 nm.
21. The display device according to claim 19, which irradiates visible light in a wavelength range between 00 nm.
【請求項22】 前記表示素子は、カラーフィルタを備
えていることを特徴とする請求項1〜請求項21のいず
れかに記載の表示装置。
22. The display device according to claim 1, wherein the display element includes a color filter.
【請求項23】 可視光の波長域を除く所定波長域の光
からなる信号光を発生させる有機電界発光層と、前記信
号光及び可視光に対し透過性を有し前記発光層の前面に
第1の方向に並んで配列された複数の第1電極と、可視
光に対し透過性を有し前記発光層の後面に前記第1の方
向と異なる第2の方向に前記発光層を介して前記第1電
極と互いにマトリクス状に交差するように並んで配列さ
れた複数の第2電極と、を有する発光素子と、 可視光に対し透過性を有し、表示領域の全域に亙って形
成された1枚の前駆動電極と、可視光及び前記信号光に
対し透過性を有し、表示領域の全域に亙って形成された
1枚の後駆動電極と、の間に、前記発光素子からの信号
光の所定波長域にのみ電荷を発生する光導電層と前記光
導電層の電荷が発生された領域に対応して表示される液
晶とが介在してなり、前記発光素子の前面に位置する液
晶表示素子と、 前記発光素子の後面に位置し、可視光を前記発光素子を
介して前記液晶表示素子に照射するバックライトと、 を備えることを特徴とする表示装置。
23. An organic electroluminescent layer for generating signal light composed of light in a predetermined wavelength range excluding the wavelength range of visible light, and an organic electroluminescent layer which is transparent to the signal light and visible light and is provided on the front surface of the light emitting layer. A plurality of first electrodes arranged side by side in one direction, and the first electrode on the rear surface of the light emitting layer, which is transparent to visible light, in a second direction different from the first direction, through the light emitting layer; A light emitting element having a plurality of second electrodes arranged side by side so as to intersect each other in a matrix with a first electrode; and a light emitting element which is transparent to visible light and formed over the entire display region. Between the one front drive electrode and one rear drive electrode that is transparent to the visible light and the signal light and is formed over the entire display area, The photoconductive layer that generates charges only in a predetermined wavelength range of the signal light and the charges of the photoconductive layer are generated A liquid crystal display element located in front of the light emitting element and a liquid crystal displayed corresponding to a region, and visible light located in the rear surface of the light emitting element through the light emitting element. A display device comprising: a backlight for illuminating an element;
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