JPH09172350A - Multiple-mode surface acoustic wave filter - Google Patents
Multiple-mode surface acoustic wave filterInfo
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- JPH09172350A JPH09172350A JP34980195A JP34980195A JPH09172350A JP H09172350 A JPH09172350 A JP H09172350A JP 34980195 A JP34980195 A JP 34980195A JP 34980195 A JP34980195 A JP 34980195A JP H09172350 A JPH09172350 A JP H09172350A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、簡易携帯電話機な
どの通信機器において、比帯域巾の狭い１ｓｔＩＦ用と
して使用される多重モード弾性表面波フィルタに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-mode surface acoustic wave filter used for 1st IF having a narrow specific bandwidth in a communication device such as a simple mobile phone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、通信機器用のＩＦ用のフィルタと
しては、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタと
もいう）が多数使用されている。このＳＡＷフィルタの
基板材料としては、周波数に対する温度特性の良好な水
晶が使用されている。近年の通信機器の小型化の要請に
伴って、これを構成する部品の小型化が進展し、ＳＡＷ
フィルタにおいても同様である。ＳＡＷフィルタにおい
ては、その基板材料として、四硼酸リチュウム（Ｌｉ2
Ｂ4 Ｏ7 ）単結晶（以下、ＬＢＯ単結晶又は単にＬＢＯ
ともいう）が、近年注目されている。それは、ＬＢＯ単
結晶が、水晶基板より、電気機械結合係数が大きい圧電
材料であり、通常使われている水晶基板を用いるより
は、高効率で小型のＳＡＷフィルタが作れる可能性があ
る材料であるためである。そして、現在、携帯電話やペ
−ジャ用ＳＡＷフィルタの材料として使用され始めてい
る。さらに、他の基板材料としては、タンタル酸リチュ
ウム（以下、ＬＴともいう）がある。ＬＴは、ＬＢＯに
比べて、電気機械結合係数は大きいが、温度特性が悪い
のが特徴である。従って、後に説明するが、ＬＢＯは、
特性上は、水晶とＬＴの中間に位置する。2. Description of the Related Art Conventionally, a large number of surface acoustic wave filters (hereinafter, also referred to as SAW filters) have been used as IF filters for communication equipment. As a substrate material for this SAW filter, quartz having good temperature characteristics with respect to frequency is used. With the recent demand for miniaturization of communication equipment, the miniaturization of the components that make up the SAW has progressed, and SAW
The same applies to the filter. In the SAW filter, the substrate material is lithium tetraborate (Li 2
B 4 O 7 ) single crystal (hereinafter, LBO single crystal or simply LBO
(Also referred to as)) has been receiving attention in recent years. That is, LBO single crystal is a piezoelectric material having a larger electromechanical coupling coefficient than a quartz substrate, and is a material that may produce a highly efficient and small SAW filter as compared with a commonly used quartz substrate. This is because. Now, it is beginning to be used as a material for SAW filters for mobile phones and pagers. Furthermore, as another substrate material, there is lithium tantalate (hereinafter, also referred to as LT). LT has a larger electromechanical coupling coefficient than LBO, but is characterized by poor temperature characteristics. Therefore, as will be explained later, the LBO
Characteristically, it is located between the crystal and LT.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＢＯ単結
晶を用いたＳＡＷフィルタは、水晶を用いたＳＡＷフィ
ルタと比較して、中心周波数の温度係数が大きい。以
下、添付図面を用いて、具体的に説明する。図１２は、
従来例のＬＢＯ基板、水晶基板又はＬＴ基板を用いたＳ
ＡＷフィルタの中心周波数の温度依存性を示すグラフ図
である。図１２中にＬＢＯと表示されるのは、４５度回
転ＸカットしたＺ軸伝搬ＬＢＯ単結晶基板を使用したＳ
ＡＷフィルタの特性測定より得られたものであり、この
グラフより（１）式が得られる。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．２７（Ｔa −３３）2 （１）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ表
す。これより、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィルタの２
次の温度係数は０．２７ｐｐｍ／℃であることが分か
る。By the way, the SAW filter using the LBO single crystal has a larger temperature coefficient of the center frequency than the SAW filter using the crystal. A detailed description will be given below with reference to the accompanying drawings. FIG.
S using a conventional LBO substrate, crystal substrate or LT substrate
It is a graph which shows the temperature dependence of the center frequency of an AW filter. In FIG. 12, what is indicated as LBO is S that uses a Z-axis propagating LBO single crystal substrate that is rotated by 45 degrees and cut.
It is obtained from the characteristic measurement of the AW filter, and the equation (1) is obtained from this graph. f 0 rate of change (ppm) = − 0.27 (T a −33) 2 (1) Formula Here, f 0 represents the center frequency and T a represents the temperature. From this, the SAW filter using the LBO substrate
It can be seen that the following temperature coefficient is 0.27 ppm / ° C.
【０００４】さらに、図１２中で水晶と表示されるの
は、ＳＴカットのＸ軸伝搬水晶基板を使用したＳＡＷフ
ィルタの特性測定より得られたものであり、このグラフ
より（２）式が得られる。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．０３（Ｔa −３３）2 （２）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ表
す。これより、水晶基板を用いたＳＡＷフィルタの２次
の温度係数は０．０３ｐｐｍ／℃であり、ＬＢＯ基板を
用いたものに比べて９分の１の大きさであることが分か
る。また、両方のグラフから、放物線の頂点温度は３３
℃であることが分かっている。Further, what is indicated as crystal in FIG. 12 is obtained by the characteristic measurement of the SAW filter using the ST-cut X-axis propagation quartz substrate, and from this graph, the equation (2) is obtained. To be f 0 change rate (ppm) = − 0.03 (T a −33) 2 (2) Formula Here, f 0 represents the center frequency and T a represents the temperature. From this, it can be seen that the secondary temperature coefficient of the SAW filter using the quartz substrate is 0.03 ppm / ° C., which is one-ninth the size of the one using the LBO substrate. Also, from both graphs, the peak temperature of the parabola is 33
It is known to be ° C.
【０００５】これらのことより、ＬＢＯ基板を用いたＳ
ＡＷフィルタは、温度係数の影響が比較的小さい、中心
周波数に対し通過帯域幅の比率（比帯域幅）が比較的大
きい仕様の携帯電話やペ−ジャでの使用に限定されてい
る。簡易携帯電話機（パーソナル・ハンディフォン・シ
ステム、以下、ＰＨＳともいう）の１ｓｔＩＦフィルタ
用途のように、比帯域幅の小さいＳＡＷフィルタでは、
使用温度範囲（−１０℃〜６０℃）で通過帯域幅・群遅
延特性・通過帯域外減衰特性等の仕様を満足させること
は困難であった。そのため、上記用途の小型化に寄与す
るＬＢＯ単結晶基板を用いたＳＡＷフィルタを実現する
ことができなかった。From these facts, S using the LBO substrate
The AW filter is limited to use in a mobile phone or pager whose specifications have a relatively small influence of the temperature coefficient and a relatively large ratio of the pass bandwidth to the center frequency (specific bandwidth). With a SAW filter having a small specific bandwidth, such as a 1stIF filter application of a simple mobile phone (personal handy phone system, hereinafter also referred to as PHS),
It was difficult to satisfy specifications such as pass band width, group delay characteristics, and pass band attenuation characteristics in the operating temperature range (-10 ° C to 60 ° C). Therefore, it has not been possible to realize a SAW filter using an LBO single crystal substrate that contributes to the miniaturization of the above applications.
【０００６】そこで、本発明は、上記の従来例に係わる
問題点を解消するためになされたものであり、多重モー
ドＳＡＷフィルタにおいて、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷ
フィルタを、パッケージに用いるセラミックの容量を用
いて自己温度補償できるようにし、これにより、小型で
しかもＰＨＳの１ｓｔＩＦフィルタのように比帯域幅の
小さいＬＢＯ基板を用いた多重モードＳＡＷフィルタを
提供するものである。Therefore, the present invention has been made in order to solve the problems associated with the above-mentioned conventional example, and in a multimode SAW filter, an SAW using an LBO substrate is used.
(EN) A multimode SAW filter using a LBO substrate which is small and has a small specific bandwidth like a PHS 1stIF filter by making it possible to perform self-temperature compensation by using the capacitance of a ceramic used for a package. Is.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の多重モードＳＡ
Ｗフィルタは、セラミックからなるパッケージと、λ回
転ＸカットしたＺ軸伝搬四硼酸リチュウム単結晶基板表
面上に形成した、一対の入力ＩＤＴ群、一対の出力ＩＤ
Ｔ群及び２つの反射器群からなる、入力部となる第１の
２ポートの共振子型フィルタと出力部となる第２の２ポ
ートの共振子型フィルタを、弾性表面波の伝搬方向に沿
って接続部を設けて２段縦列接続して構成した、多重モ
ードＳＡＷフィルタ素子とからなる簡易携帯電話機の１
ｓｔＩＦ用自己補償型多重モードＳＡＷフィルタにおい
て、前記多重モードＳＡＷフィルタ素子の温度係数の補
償を行うための、前記接続部に前記出力部の一部をフィ
ードバックする静電容量を、前記のパッケージを構成す
る前記セラミックを所定形状とすることによって、前記
パッケージ内に構成したことにより、上述の目的を達成
するものである。Multimode SA of the present invention
The W filter consists of a ceramic package, a pair of input IDT groups, and a pair of output IDs formed on the surface of a Z-axis propagating lithium tetraborate single crystal substrate cut by λ rotation.
A first two-port resonator type filter as an input section and a second two-port resonator type filter as an output section, each consisting of a T group and two reflector groups, are arranged along a surface acoustic wave propagation direction. 1 of a simple mobile phone comprising a multi-mode SAW filter element, which is configured by connecting two stages in cascade by providing a connecting portion.
In the self-compensating multimode SAW filter for stIF, the package is configured with a capacitance for feeding back a part of the output unit to the connection unit for compensating the temperature coefficient of the multimode SAW filter element. The above-described object is achieved by forming the ceramic in the package by forming the ceramic into a predetermined shape.
【０００８】また、本発明の多重モードＳＡＷフィルタ
は、前記の多重モードＳＡＷフィルタにおいて、前記静
電容量を、前記パッケージの電極ランドとグラウンド間
の容量であるＣ2 と、前記パッケージ上に形成した前記
第２の２ポートの共振子型フィルタの前記出力部となる
シグナルランドと前記接続部のシグナルランド間の容量
であるＣ1 とから構成したことにより、上述の目的を達
成するものである。According to the multimode SAW filter of the present invention, in the multimode SAW filter, the capacitance is formed on the package, C 2 which is the capacitance between the electrode land of the package and the ground. The above-described object is achieved by the signal land that serves as the output section of the second two-port resonator filter and the capacitance C 1 between the signal lands of the connection section.
【０００９】また、本発明の多重モードＳＡＷフィルタ
は、前記の多重モードＳＡＷフィルタにおいて、Ｃ2 の
値を、１．１〜２．４ｐＦの範囲としたことにより、上
述の目的を達成するものである。Further, the multimode SAW filter of the present invention achieves the above object by setting the value of C 2 in the range of 1.1 to 2.4 pF in the multimode SAW filter. is there.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷフィルタの実施の
形態を、添付図面を参照して、好ましい実施例によって
説明する。はじめに、本発明に至る過程を説明する。Ｐ
ＨＳの１ｓｔＩＦ用ＳＡＷフィルタの仕様温度範囲は、
−１０℃〜６０℃である。この温度範囲で、ＳＡＷフィ
ルタの通過帯域幅・群遅延特性・通過帯域外減衰特性等
の仕様を満足させるために、温度係数の影響を検討す
る。図１２に示したように、ＬＢＯ単結晶を用いたＳＡ
Ｗフィルタの中心周波数ｆ0 の温度依存性は、放物線を
なす。したがって、この放物線の対称性を考えると、頂
点温度が２５℃であるとき、−１０℃及び６０℃で同じ
中心周波数値となる。このとき、仕様温度範囲内での中
心周波数値の幅の広がりが最小となる。前記の（１）式
のように頂点温度が３３℃では、２５℃より高いので低
温側、特に０℃付近以下の温度で、温度係数の影響が温
度の２乗で効いてくるため、仕様温度範囲内での、中心
周波数値の幅の広がりが益々大きくなり不利である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a SAW filter of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings and preferred embodiments. First, the process leading to the present invention will be described. P
The specification temperature range of the HS 1st IF SAW filter is
The temperature is -10 ° C to 60 ° C. In this temperature range, the influence of the temperature coefficient will be examined in order to satisfy the specifications of the SAW filter such as pass band width, group delay characteristic, and out pass band attenuation characteristic. As shown in FIG. 12, SA using LBO single crystal
The temperature dependence of the center frequency f 0 of the W filter is parabolic. Therefore, considering the symmetry of this parabola, when the peak temperature is 25 ° C, the same center frequency value is obtained at -10 ° C and 60 ° C. At this time, the spread of the center frequency value within the specified temperature range is minimized. When the peak temperature is 33 ° C as shown in the above formula (1), it is higher than 25 ° C, so the temperature coefficient has an effect as the square of the temperature at the low temperature side, especially at a temperature around 0 ° C or less. This is disadvantageous in that the width of the center frequency value within the range becomes wider and wider.
【００１１】温度係数を改良する方策として、中心周波
数ｆ0 の温度依存性を示す放物線の頂点温度を仕様温度
範囲の−１０℃〜６０℃のセンタである２５℃にシフト
することにより、中心周波数、群遅延特性、通過帯域外
減衰量が仕様に入るようにすることができる。これを実
現する方法としては、次の２つが考えられる。 （１）ＬＢＯ単結晶基板の切出しカット角度を変える
（オイラ−角を変える）。 ＬＢＯ単結晶基板で作製したＳＡＷフィルタの中心周波
数は、２次の負の温度係数を持つ。ＳＡＷフィルタとし
て最も良く使われている、λ回転ＸカットのＺ軸伝搬Ｌ
ＢＯ基板を用いたＳＡＷフィルタの中心周波数の温度特
性は、いずれも放物線カ−ブを示し、その頂点温度は３
３℃付近である。この頂点温度は、λ回転角に比例して
低温側にシフトし、λ＝２８°で、頂点温度は室温（２
０℃）付近になる。ただし、室温付近が頂点温度となっ
ているλ＝２８°のλ回転角でカットした基板を用いた
ＳＡＷフィルタの場合には、λ＝４５°カットと比較し
て、挿入損失が非常に大きく、又反射も大きい。従っ
て、ＳＡＷフィルタ用のカット角度を変えて、頂点温度
を変更する方法は、得策ではない。As a measure to improve the temperature coefficient, the apex temperature of the parabola showing the temperature dependence of the center frequency f 0 is shifted to 25 ° C. which is the center of −10 ° C. to 60 ° C. , The group delay characteristic and the attenuation amount outside the pass band can be set within the specifications. The following two methods are conceivable for realizing this. (1) Change the cut-out cutting angle of the LBO single crystal substrate (change the Euler angle). The center frequency of the SAW filter made of the LBO single crystal substrate has a second-order negative temperature coefficient. Λ rotation X-cut Z-axis propagation L, which is the most commonly used SAW filter
The temperature characteristics of the center frequency of SAW filters using BO substrates all show a parabolic curve, and the peak temperature is 3
It is around 3 ° C. This peak temperature shifts to the low temperature side in proportion to the λ rotation angle, and at λ = 28 °, the peak temperature is room temperature (2
It will be around 0 ° C). However, in the case of a SAW filter using a substrate cut at a λ rotation angle of λ = 28 °, which has a peak temperature near room temperature, the insertion loss is very large as compared with a λ = 45 ° cut. The reflection is also great. Therefore, changing the cut angle for the SAW filter to change the peak temperature is not a good idea.
【００１２】そこで、 （２）外付け部品で温度補償する方法 を検討し、これにより、ＰＨＳの１ｓｔＩＦ用の、ＬＢ
Ｏ単結晶基板を用いたＳＡＷフィルタを実現した。以
下、この内容を詳細に説明する。図１は、本発明のＳＡ
Ｗフィルタの一実施例の内部構造を示す上面図である。
図２は、図１のＹ−Ｙ´断面図である。図３は、本発明
のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ素子パターンを
示す上面図である。図４は、本発明のＳＡＷフィルタの
一実施例のフィルタ構成を示す上面図である。図５は、
図４のＡで示される回路の等価回路を示す。Therefore, (2) a method of compensating the temperature with an external component is examined, and as a result, the LB for the 1st IF of the PHS is
A SAW filter using an O single crystal substrate was realized. Hereinafter, this content will be described in detail. FIG. 1 shows the SA of the present invention.
It is a top view which shows the internal structure of one Example of a W filter.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line YY 'of FIG. FIG. 3 is a top view showing a filter element pattern of one embodiment of the SAW filter of the present invention. FIG. 4 is a top view showing a filter configuration of an example of the SAW filter of the present invention. FIG.
The equivalent circuit of the circuit shown by A of FIG. 4 is shown.
【００１３】図１、図３及び図４に示すように、４５°
回転ＸカットしたＺ軸伝搬ＬＢＯ単結晶基板３６の表面
に、弾性表面波を伝搬させるためのフィルタ素子２０が
形成されている。フィルタ素子２０は、一対の入力ＩＤ
Ｔ（インターデジタル・トランスデューサ）群、一対の
出力ＩＤＴ群、及び２つの反射器群からなる２ポートの
共振子型フィルタを伝搬方向に沿って２段縦列接続して
構成された多重モードＳＡＷフィルタ素子である。一対
の入力ＩＤＴ群とは、入力端子２１、櫛歯電極部２３及
びグラウンド端子２２より構成されるＩＤＴと、グラウ
ンド端子２５、櫛歯電極部２６及び出力端子２７から構
成されるＩＤＴである。As shown in FIGS. 1, 3 and 4, 45 °
A filter element 20 for propagating a surface acoustic wave is formed on the surface of a Z-axis propagation LBO single crystal substrate 36 that has been rotated X-cut. The filter element 20 has a pair of input IDs.
A multimode SAW filter element configured by connecting two-port resonator filters, each of which is composed of a T (interdigital transducer) group, a pair of output IDT groups, and two reflector groups, in two stages in cascade along the propagation direction. Is. The pair of input IDT groups is an IDT composed of the input terminal 21, the comb-teeth electrode portion 23 and the ground terminal 22, and an IDT composed of the ground terminal 25, the comb-teeth electrode portion 26 and the output terminal 27.
【００１４】一対の出力ＩＤＴ群とは、グラウンド端子
２９、櫛歯電極部３０及び出力端子３１より構成される
出力ＩＤＴと、出力端子２７、櫛歯電極部３４及びグラ
ウンド端子３３とから構成される出力ＩＤＴである。２
つの反射器群は、一対の入力ＩＤＴ群用の一対の共振部
２４、２８と、一対の出力ＩＤＴ群用の一対の共振部３
２、３５より構成されている。図４には、各端子間の電
気的接続については、模式的に表示してある。The pair of output IDT groups includes an output IDT composed of a ground terminal 29, a comb-teeth electrode portion 30 and an output terminal 31, an output terminal 27, a comb-teeth electrode portion 34 and a ground terminal 33. This is the output IDT. 2
One reflector group includes a pair of resonance units 24 and 28 for a pair of input IDT groups and a pair of resonance units 3 for a pair of output IDT groups.
It is composed of 2, 35. FIG. 4 schematically shows the electrical connection between the terminals.
【００１５】従来から、バタ−ワ−スフィルタ、チェビ
シェフフィルタ、またはその他の多重型帰還型フィルタ
等の、低次のフィルタを２段縦列に接続し、２段目の出
力をコンデンサで適当な比率に分割して２段目の頭にフ
ィードバックをかけ、減衰特性の急峻な（Ｑの高い）高
次のフィルタを形成している。本発明では、２段縦列接
続部の段間に、出力の一部を容量を介してフィードバッ
クして、さらに急峻な減衰特性を得ている。その構成
を、図４を参照して説明する。出力端子３１から出力さ
れた信号は、分岐ｂで分岐し、一方は容量Ｃ1 、分岐
ｄ、及び容量Ｃ2 を介してグラウンドに接続され、他方
は分岐ｃで再度分岐し、再分岐した一方はインダクタＬ
2 を介してグラウンドに接続されており、再分岐した他
方は容量Ｃ6 を介して出力端ＯＵＴに達する。分岐ｂ
は、出力端子２７と接続されている。なお、容量Ｃ5 及
びインダクタＬ1 は入力側と、容量Ｃ6 及びインダクタ
Ｌ2は、出力側と、それぞれＳＡＷフィルタのインピー
ダンスマッチングを取るために接続されている。Conventionally, a low-order filter such as a Butterworth filter, Chebyshev filter, or other multiple feedback filter is connected in a two-stage cascade, and the output of the second stage is connected by a capacitor at an appropriate ratio. And the feedback is applied to the head of the second stage to form a high-order filter with a sharp attenuation characteristic (high Q). In the present invention, part of the output is fed back via the capacitor between the stages of the two-stage cascade connection to obtain a steeper attenuation characteristic. The configuration will be described with reference to FIG. The signal output from the output terminal 31 is branched by the branch b, one of which is connected to the ground via the capacitor C 1 , the branch d, and the capacitor C 2 , and the other of which is branched again by the branch c and re-branched. Is the inductor L
The other terminal, which is connected to the ground via 2 and is branched again, reaches the output terminal OUT via the capacitor C 6 . Branch b
Are connected to the output terminal 27. The capacitor C 5 and the inductor L 1 are connected to the input side, and the capacitor C 6 and the inductor L 2 are connected to the output side for impedance matching of the SAW filter.
【００１６】次に、本発明のＳＡＷフィルタにおいて、
上述の構成によって、２段縦列接続部の段間に出力の一
部をフィードバックする際の容量の作り方を説明する。
このＳＡＷフィルタの載置されるパッケ−ジは、従来の
カンタイプのステムではなく、よりいっそうの小型化が
可能な表面実装タイプにするため、セラミックから構成
される表面実装用のパッケ−ジを使用している。従来、
セラミックの表面実装用のパッケ−ジ内の電極ランドと
グラウンド間容量は、極力小さくするの普通であり、補
正用の容量をパッケージの外部に設ける構成としてい
る。しかし、本発明のＳＡＷフィルタにおいては、各ラ
ンド間の容量が所定の値になるように、各ランドの寸法
値を定め、パッケージの内部にその容量を設け、ＳＡＷ
フィルタ全体として一層の小型化を達成した。Next, in the SAW filter of the present invention,
A method of forming a capacitance when a part of the output is fed back between the stages of the two-stage cascade connection with the above configuration will be described.
The package on which this SAW filter is mounted is not a conventional can-type stem, but a surface-mounting package that is made of ceramics in order to make it a surface-mounting type that can be further miniaturized. I'm using it. Conventionally,
The capacitance between the electrode land and the ground in the ceramic surface mount package is usually as small as possible, and the compensation capacitance is provided outside the package. However, in the SAW filter of the present invention, the dimension value of each land is determined so that the capacitance between the lands becomes a predetermined value, and the capacitance is provided inside the package.
The overall size of the filter has been further reduced.
【００１７】これを、図１、図２及び図５を参照して説
明する。図５は、図４のＡで示される、Ｃ1 とＣ2 の直
列接続と等価な回路を示している。Ｃ1 をパッケージ内
の各ランド間の容量Ｃ4aとＣ4bの並列接続で構成し、Ｃ
2 をパッケージ内の各ランド間の容量Ｃ3aとパッケージ
内のランドとコバール体間の容量Ｃ3bで構成している
が、その方法を以下に説明する。図示しないパッケージ
内に所定形状のセラミックベース１３が配置されてい
る。このセラミックベース１３の所定の位置に、所定形
状のグラウンドランド９、シグナルランド８がそれぞれ
形成されている。セラミックベース１３上には、厚さが
Ｌ2 である四角筒状のセラミック中間体１２が配置され
ている。セラミック中間体１２の上面の所定の位置に、
所定形状のグラウンドランド２、５、７、シグナルラン
ド３、４、６がそれぞれ形成されている。セラミック中
間体１２の四角筒内のセラミックベース１３上の所定位
置に、フィルタ素子２０が固定して配置されている。フ
ィルタ素子の上面と各ランドは、ほぼ同一高さになって
いる。This will be described with reference to FIGS. 1, 2 and 5. FIG. 5 shows a circuit equivalent to the series connection of C 1 and C 2 shown by A in FIG. C 1 is configured by parallel connection of capacitors C 4a and C 4b between each land in the package, and C
2 is composed of the capacitance C 3a between each land in the package and the capacitance C 3b between the land in the package and the Kovar body, and the method will be described below. A ceramic base 13 having a predetermined shape is arranged in a package (not shown). Ground lands 9 and signal lands 8 each having a predetermined shape are formed at predetermined positions on the ceramic base 13. On the ceramic base 13, a rectangular tube-shaped ceramic intermediate body 12 having a thickness of L 2 is arranged. At a predetermined position on the upper surface of the ceramic intermediate body 12,
Ground lands 2, 5, 7 and signal lands 3, 4, 6 each having a predetermined shape are formed. The filter element 20 is fixedly arranged at a predetermined position on the ceramic base 13 in the rectangular tube of the ceramic intermediate body 12. The upper surface of the filter element and each land have almost the same height.
【００１８】フィルタ素子２０中の各端子と、セラミッ
ク中間体１２上の各ランドは所定の関係で、Ａｌワイヤ
ボンディングにより、Ａｌワイヤで電気的に接続されて
いる。すなわち、グラウンドランド２はグラウンド端子
２２とＡｌワイヤ４４で、シグナルランド３と出力端子
３１はＡｌワイヤ４５で、シグナルランド４は出力端子
２７とＡｌワイヤ４６で、グラウンド端子５はグラウン
ド端子２２とＡｌワイヤ４３で、シグナルランド６は入
力端子２１とＡｌワイヤ４２で、グラウンドランド７は
グラウンド端子２５とＡｌワイヤ４１と、それぞれ電気
的に接続されている。グラウンドランド３はセラミック
中間体１２の所定値に形成されたスルーホール１６によ
りシグナルランド８と電気的に接続されている。セラミ
ック中間体１５の上には、四角筒状のセラミック体１５
とコバール体１４が順次、固定配置されている。コバー
ル体１５は、導電性であり、グラウンドに接続されてい
る（図示せず）。Each terminal in the filter element 20 and each land on the ceramic intermediate body 12 are electrically connected by an Al wire by Al wire bonding in a predetermined relationship. That is, the ground land 2 is the ground terminal 22 and the Al wire 44, the signal land 3 and the output terminal 31 are the Al wire 45, the signal land 4 is the output terminal 27 and the Al wire 46, and the ground terminal 5 is the ground terminal 22 and the Al terminal. The signal land 6 is electrically connected to the input terminal 21 and the Al wire 42 by the wire 43, and the ground land 7 is electrically connected to the ground terminal 25 and the Al wire 41, respectively. The ground land 3 is electrically connected to the signal land 8 through a through hole 16 formed in the ceramic intermediate body 12 at a predetermined value. On the ceramic intermediate body 15, a rectangular tubular ceramic body 15 is provided.
And Kovar body 14 are sequentially fixedly arranged. The Kovar body 15 is electrically conductive and is connected to the ground (not shown).
【００１９】なお、グラウンドランド２、９、５、８、
シグナルランド３、６は、セラミックベース上に形成さ
れている図示しない各パッドと、セラミック体１５、セ
ラミック中間帯１２及びセラミックベース１３の外周部
を貫いて設けられた、図示しない各側面リード１０、１
１と電気的に接続されている。容量Ｃ2 は、容量Ｃ3aと
容量Ｃ3bの並列接続で構成される。Ｃ3aは、所定の距離
Ｌ2 離れた、セラミック中間体１２で挟まれたグラウン
ドランド９とシグナルランド４の間に形成される容量と
する。Ｃ3bは、所定の距離Ｌ3 離れた、セラミック体１
５で挟まれたコバール体１４とシグナルランド４の間に
形成される容量とする。一方、容量Ｃ1 は、容量Ｃ4aと
容量Ｃ4bに並列接続で構成される。Ｃ4aは、セラミック
中間体１２を介して所定距離Ｌ1 離れたシグナルランド
３とシグナルランド４の間に形成される容量とする。Ｃ
4bは、所定の距離Ｌ2 離れた、セラミック中間体１２で
挟まれたグラウンドランド８とシグナルランド４の間に
形成される容量とする。The ground lands 2, 9, 5, 8,
The signal lands 3 and 6 are provided on the respective ceramic pads 15, which are formed on the ceramic base, and the side leads 10, which are formed on the ceramic body 15, the ceramic intermediate band 12, and the ceramic base 13 so as to pass through the outer peripheral portions thereof. 1
1 and is electrically connected. The capacitor C 2 is composed of a capacitor C 3a and a capacitor C 3b connected in parallel. C 3a is a capacitance formed between the ground land 9 and the signal land 4 sandwiched between the ceramic intermediate bodies 12 and separated by a predetermined distance L 2 . C 3b is a ceramic body 1 separated by a predetermined distance L 3.
It is the capacitance formed between the Kovar body 14 and the signal land 4 sandwiched by 5. On the other hand, the capacitor C1 is formed by connecting the capacitor C4a and the capacitor C4b in parallel. C 4a is a capacitance formed between the signal land 3 and the signal land 4 separated by the predetermined distance L 1 via the ceramic intermediate body 12. C
4b is a capacitance formed between the ground land 8 and the signal land 4 sandwiched between the ceramic intermediate bodies 12 and separated by a predetermined distance L 2 .
【００２０】次に、容量Ｃ2 の最適範囲について説明す
る。図６は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の周波
数変化率の温度変化を示すグラフである。ＳＡＷフィル
タの中心周波数の温度依存性曲線において、ＳＡＷフィ
ルタの仕様温度範囲を−１０〜６０℃とするとき、その
頂点温度が２５℃であるのが最良である。図６には、頂
点温度が、２２℃、２５℃及び２８℃の場合の周波数変
化率の温度依存性が示してある。図６より分かる通り、
２５℃±３℃の場合には、中心周波数の低域側へのシフ
ト量（すなわち周波数変化率）は、最大４００ｐｐｍで
ある。Next, the optimum range of the capacitance C 2 will be described. FIG. 6 is a graph showing the temperature change of the frequency change rate of one example of the SAW filter of the present invention. In the temperature dependence curve of the center frequency of the SAW filter, when the specified temperature range of the SAW filter is -10 to 60 ° C, it is best that the peak temperature is 25 ° C. FIG. 6 shows the temperature dependence of the frequency change rate when the peak temperatures are 22 ° C., 25 ° C. and 28 ° C. As you can see from Figure 6,
In the case of 25 ° C. ± 3 ° C., the shift amount of the center frequency to the low frequency side (that is, the frequency change rate) is 400 ppm at maximum.
【００２１】ＳＡＷフィルタの仕様によって、中心周波
数、通過帯域幅等の内容が異なってくるが、例えば、絶
対的に必要な信号（中心周波数）が、２４８．４５±
０．１１ＭＨｚのとき、頂点温度が２５℃±３℃である
ならば、周波数の変化量は１００ｋＨｚとなる。従っ
て、ＳＡＷフィルタの通過帯域幅が４２０ｋＨｚであれ
ば、１００ｋＨｚのクリアランスがあり、フィルタ特性
は満足できるものになる。The contents such as the center frequency and the pass band width differ depending on the specifications of the SAW filter. For example, the absolutely necessary signal (center frequency) is 248.45 ±.
At 0.11 MHz, if the peak temperature is 25 ° C. ± 3 ° C., the frequency change amount is 100 kHz. Therefore, if the pass band width of the SAW filter is 420 kHz, there is a clearance of 100 kHz, and the filter characteristics can be satisfied.
【００２２】図１０は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例におけるパッケージの素材であるセラミックの容量
と温度係数の関係を示すグラフである。このグラフよ
り、０℃から３００℃の温度範囲で、約５．５０ｎＦか
ら約５．７５ｎＦまで、約２．５ｎＦ変化しているのが
分かる。この値を温度係数に換算すると、 （５．５０−５．７５）／（（（５．５０＋５．７５）／２）３００） ＝−１４８．１４８（ｐｐｍ／℃） …… （３）式 となる。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the capacitance and temperature coefficient of the ceramic material of the package in one embodiment of the SAW filter of the present invention. From this graph, it can be seen that there is a change of about 2.5 nF from about 5.50 nF to about 5.75 nF in the temperature range of 0 ° C. to 300 ° C. Converting this value into a temperature coefficient, (5.50-5.75) / (((5.50 + 5.75) / 2) 300) =-148.148 (ppm / ° C.) (3) Become.
【００２３】図１４は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例におけるパッケージの内部で構成された容量と温度
係数の関係を示すグラフである。この容量は、図１０に
示すセラミックからなるパッケージの内部の所定形状の
部分で形成される容量Ｃ2 である。図１４に示すよう
に、温度が下がると、この容量Ｃ2 は小さくなり、温度
が上がると静電容量は大きくなる。例えば、３３℃で
２．０００ｐＦの容量Ｃ2 は、−１０℃では、１．９８
７ｐＦになる。図８は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例の中心周波数と静電容量Ｃ2 の関係を示すグラフで
ある。これは、実験的に得られたもので、容量Ｃ2 を変
化させたときのＳＡＷフィルタの中心周波数の変化を示
す。FIG. 14 is a graph showing the relationship between the capacitance formed inside the package and the temperature coefficient in one embodiment of the SAW filter of the present invention. This capacitance is a capacitance C 2 formed in a portion having a predetermined shape inside the package made of ceramic shown in FIG. As shown in FIG. 14, the capacitance C 2 decreases as the temperature decreases, and the capacitance increases as the temperature increases. For example, the capacitance C 2 of 2.000 pF at 33 ° C. is 1.98 at −10 ° C.
It becomes 7 pF. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the center frequency and the capacitance C 2 of an example of the SAW filter of the present invention. This is obtained experimentally and shows the change in the center frequency of the SAW filter when the capacitance C 2 is changed.
【００２４】図１３は、本発明のＳＡＷフィルタの一実
施例において、パッケージの内部で構成された容量があ
るときの温度と中心周波数の関係を示すグラフである。
これは、パッケージの内部に所定の容量を形成したと
き、温度を変化させるとこれに伴い中心周波数が変化す
る様子を示す。この関係は、図１４と図８から得られ
る。図９は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におけ
る温度補償メカニズムを説明するための図である。ここ
で、白丸実線の曲線は、上述したように、容量Ｃ2 がな
いときのＳＡＷフィルタの中心周波数の温度変化を示す
もので、ＬＢＯ基板の温度依存性が反映しており、頂点
温度は３３℃である。一方、図１３の特性を示す容量Ｃ
2 を加えると、白丸実線の曲線は、黒丸実線の曲線にシ
フトする。FIG. 13 is a graph showing the relationship between temperature and center frequency when there is a capacitance formed inside the package in one embodiment of the SAW filter of the present invention.
This shows that when a predetermined capacitance is formed inside the package, the center frequency changes with the temperature change. This relationship is obtained from FIGS. 14 and 8. FIG. 9 is a diagram for explaining the temperature compensation mechanism in one embodiment of the SAW filter of the present invention. Here, as described above, the white circle solid line curve shows the temperature change of the center frequency of the SAW filter when there is no capacitance C 2 , and the temperature dependence of the LBO substrate is reflected, and the peak temperature is 33. ℃. On the other hand, the capacitance C showing the characteristic of FIG.
Adding 2 shifts the solid white curve to the solid black curve.
【００２５】すなわち、３３℃から温度が下がると、容
量Ｃ2 が小さくなり、図８に示すように、中心周波数は
高くなる。この効果は、２５℃までは中心周波数が高く
なる方向へ補償し、２５℃より低い温度では、中心周波
数の温度依存性の２次曲線で効いてくるため、容量Ｃ2
による中心周波数の上昇よりも、ＬＢＯ基板の中心周波
数の低下が勝り、下がっていく。That is, when the temperature drops from 33 ° C., the capacitance C 2 becomes small and the center frequency becomes high as shown in FIG. This effect is compensated in the direction in which the center frequency becomes higher up to 25 ° C., and at a temperature lower than 25 ° C., the quadratic curve of the temperature dependence of the center frequency is effective, so that the capacitance C 2
The lowering of the center frequency of the LBO substrate is superior to the lowering of the center frequency due to, and the lowering thereof.
【００２６】逆に、３３℃以上では、温度が高くなると
容量Ｃ2 も大きくなり、図８に示すように、容量が大き
くなると中心周波数は低くなるので、中心周波数は益々
さがる方向に作用する。その結果、容量値の最適値を選
定することにより、中心周波数の特性式は、以下の式に
なるように頂点温度を設定することが可能である。 ｆ0 変化率（ｐｐｍ）＝−０．２７（Ｔa −２５）2 （４）式 ここで、ｆ0 は中心周波数を、Ｔa は温度をそれぞれ示
す。図１１は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例にお
いて、Ｃ1 ＝０．６ｐＦ，Ｃ2 ＝２．０ｐＦとした場合
の周波数特性を示すグラフである。ここでは、Ｃ1，Ｃ
2 とも好適な数値範囲内であり、良好な特性を示してい
る。図７は、本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のＣ2
と頂点温度の関係を示すグラフであり、実験的に得られ
たものである。図７より、頂点温度の範囲を２５℃±３
℃とするには、Ｃ2 の範囲を１．１〜２．４ｐＦとすれ
ば良いことが分かる。On the contrary, at 33 ° C. or higher, the capacitance C 2 increases as the temperature rises, and as shown in FIG. 8, the center frequency lowers as the capacitance increases, so that the center frequency acts in an increasing direction. As a result, by selecting the optimum value of the capacitance value, the peak temperature can be set so that the characteristic expression of the center frequency becomes the following expression. f 0 rate of change (ppm) = − 0.27 (T a −25) 2 (4) Formula Here, f 0 represents the center frequency and T a represents the temperature. FIG. 11 is a graph showing frequency characteristics when C 1 = 0.6 pF and C 2 = 2.0 pF in the SAW filter according to the embodiment of the present invention. Here, C 1 , C
Both 2 are within a suitable numerical range, and show good characteristics. FIG. 7 shows C 2 of one embodiment of the SAW filter of the present invention.
3 is a graph showing the relationship between the peak temperature and the peak temperature, which was obtained experimentally. From Fig. 7, the range of peak temperature is 25 ° C ± 3
It is understood that the temperature range of C 2 should be set to 1.1 to 2.4 pF in the range of C 2 .
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１による本
発明の多重モードＳＡＷフィルタは、セラミックからな
るパッケージと、λ回転ＸカットしたＺ軸伝搬四硼酸リ
チュウム単結晶基板表面上に形成した、一対の入力ＩＤ
Ｔ群、一対の出力ＩＤＴ群及び２つの反射器群からな
る、入力部となる第１の２ポートの共振子型フィルタと
出力部となる第２の２ポートの共振子型フィルタを、弾
性表面波の伝搬方向に沿って接続部を設けて２段縦列接
続して構成した、多重モードＳＡＷフィルタ素子とから
なる簡易携帯電話機の１ｓｔＩＦ用自己補償型多重モー
ドＳＡＷフィルタにおいて、前記多重モードＳＡＷフィ
ルタ素子の温度係数の補償を行うための、前記接続部に
前記出力部の一部をフィードバックする静電容量を、前
記のパッケージを構成する前記セラミックを所定形状と
することによって、前記パッケージ内に構成したことに
より、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィルタを、パッケー
ジの容量を用いることにより自己温度補償できるように
し、これにより、小型でしかもＰＨＳの１ｓｔＩＦフィ
ルタのように比帯域幅の小さいＬＢＯ基板を用いた多重
モードＳＡＷフィルタを提供することができる。As described above, the multimode SAW filter of the present invention according to claim 1 is formed on the surface of a package made of ceramic and a λ rotation X cut Z-axis propagation lithium tetraborate single crystal substrate. A pair of input IDs
A T-group, a pair of output IDT groups, and two reflector groups, a first 2-port resonator-type filter that serves as an input unit and a second 2-port resonator-type filter that serves as an output unit are provided on an elastic surface. A self-compensating multimode SAW filter for 1stIF of a simple mobile phone, comprising a multimode SAW filter element, which is configured by connecting in two stages in cascade along a wave propagation direction, wherein the multimode SAW filter element A capacitance for feeding back a part of the output part to the connection part for compensating the temperature coefficient of is formed in the package by forming the ceramic forming the package into a predetermined shape. As a result, the SAW filter using the LBO substrate can be self-temperature compensated by using the capacitance of the package. In addition it is possible to provide a multi-mode SAW filter using a small LBO substrate having the relative bandwidth as a PHS 1stIF filter.
【００２８】また、請求項２による本発明の多重モード
ＳＡＷフィルタは、請求項１に記載の多重モードＳＡＷ
フィルタにおいて、前記静電容量を、前記パッケージの
電極ランドとグラウンド間の容量であるＣ2 と、前記パ
ッケージ上に形成した前記第２の２ポートの共振子型フ
ィルタの前記出力部となるシグナルランドと前記接続部
のシグナルランド間の容量であるＣ1 とから構成したこ
とにより、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィルタを、パッ
ケージの容量を用いることにより自己温度補償できるよ
うにし、これにより、小型でしかもＰＨＳの１ｓｔＩＦ
フィルタのように比帯域幅の小さいＬＢＯ基板を用いた
多重ＳＡＷフィルタを提供することができる。The multimode SAW filter of the present invention according to claim 2 is the multimode SAW filter according to claim 1.
In the filter, the electrostatic capacitance is C 2 which is a capacitance between the electrode land of the package and the ground, and the signal land which is the output portion of the second two-port resonator filter formed on the package. And C 1 which is the capacitance between the signal lands of the connection portion, the SAW filter using the LBO substrate can be self-temperature-compensated by using the capacitance of the package. PHS 1st IF
It is possible to provide a multiple SAW filter using an LBO substrate having a small specific bandwidth like a filter.
【００２９】また、請求項３による本発明の多重モード
ＳＡＷフィルタは、請求項２に記載の多重モードＳＡＷ
フィルタにおいて、Ｃ2 の値を、１．１〜２．４ｐＦの
範囲としたことにより、ＬＢＯ基板を用いたＳＡＷフィ
ルタを、パッケージの容量を用いることにより自己温度
補償できるようにし、これにより、小型でしかもＰＨＳ
の１ｓｔＩＦフィルタのように比帯域幅の小さいＬＢＯ
基板を用いた多重モードＳＡＷフィルタを提供すること
ができる。The multimode SAW filter of the present invention according to claim 3 is the multimode SAW filter according to claim 2.
In the filter, by setting the value of C 2 in the range of 1.1 to 2.4 pF, the SAW filter using the LBO substrate can be self-temperature compensated by using the capacitance of the package. Moreover, PHS
LBO with a small specific bandwidth like the 1st IF filter of
A multi-mode SAW filter using a substrate can be provided.
【図１】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の内部構造
を示す上面図である。FIG. 1 is a top view showing an internal structure of an embodiment of a SAW filter of the present invention.
【図２】図１のＹ−Ｙ´断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line YY ′ of FIG.
【図３】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ
素子パターンを示す上面図である。FIG. 3 is a top view showing a filter element pattern of an example of the SAW filter of the present invention.
【図４】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のフィルタ
構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a filter configuration of an embodiment of a SAW filter of the present invention.
【図５】図４のＡで示される回路の等価回路を示す。5 shows an equivalent circuit of the circuit shown in FIG. 4A.
【図６】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の周波数変
化率の温度変化を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the temperature change of the frequency change rate of an example of the SAW filter of the present invention.
【図７】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例のＣ2 値と
頂点温度の関係を示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the C 2 value and the apex temperature of one example of the SAW filter of the present invention.
【図８】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例の中心周波
数と静電容量Ｃ2 の関係を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the center frequency and the capacitance C 2 of an example of the SAW filter of the present invention.
【図９】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における温
度補償メカニズムを説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a temperature compensation mechanism in one embodiment of the SAW filter of the present invention.
【図１０】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における
パッケージの素材であるセラミックの容量と温度係数の
関係を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the capacitance and the temperature coefficient of the ceramic that is the material of the package in one example of the SAW filter of the present invention.
【図１１】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におい
て、Ｃ1 ＝０．６ｐＦ，Ｃ2 ＝２．０ｐＦとした場合の
周波数特性を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing frequency characteristics when C 1 = 0.6 pF and C 2 = 2.0 pF in one example of the SAW filter of the present invention.
【図１２】従来例のＬＢＯ基板、水晶基板又はＬＴ基板
を用いたＳＡＷフィルタの中心周波数の温度依存性を示
すグラフ図である。FIG. 12 is a graph showing the temperature dependence of the center frequency of a SAW filter using a conventional LBO substrate, crystal substrate or LT substrate.
【図１３】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例におい
て、パッケージの内部で構成された容量があるときの温
度と中心周波数の関係を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing the relationship between temperature and center frequency when there is a capacitance formed inside the package in one example of the SAW filter of the present invention.
【図１４】本発明のＳＡＷフィルタの一実施例における
パッケージの内部で構成された容量と温度係数の関係を
示すグラフである。FIG. 14 is a graph showing the relationship between the capacitance formed inside the package and the temperature coefficient in one example of the SAW filter of the present invention.
１…フィルタ、２…グラウンドランド、３…シグナルラ
ンド、４…シグナルランド、５…グラウンドランド、６
…シグナルランド、７…グラウンドランド、８…シグナ
ルランド、９…グラウンドランド、１０…側面リード、
１１…側面リード、１２…セラミック中間帯、１３…セ
ラミックベース、１３ａ…ベース底面、１４…コバール
体、１５…セラミック体、１６…スルーホール、２０…
フィルタ素子、２１…入力端子、２２…グラウンド端
子、２３…電極部、２４…共振部、２５…グラウンド端
子、２６…電極部、２７…出力端子、２８…共振部、２
９…グラウンド端子、３０…電極部、３１…出力端子、
３２…共振部、３３…グラウンド端子、３４…電極部、
３５…共振部、３６…ＬＢＯ単結晶基板、４１…ワイヤ
ー、４２…ワイヤー、４３…ワイヤー、４４…ワイヤ
ー、４５…ワイヤー、４６…ワイヤー。1 ... Filter, 2 ... Ground land, 3 ... Signal land, 4 ... Signal land, 5 ... Ground land, 6
… Signal land, 7… Ground land, 8… Signal land, 9… Ground land, 10… Side lead,
11 ... Side lead, 12 ... Ceramic intermediate zone, 13 ... Ceramic base, 13a ... Base bottom, 14 ... Kovar body, 15 ... Ceramic body, 16 ... Through hole, 20 ...
Filter element, 21 ... Input terminal, 22 ... Ground terminal, 23 ... Electrode part, 24 ... Resonance part, 25 ... Ground terminal, 26 ... Electrode part, 27 ... Output terminal, 28 ... Resonance part, 2
9 ... Ground terminal, 30 ... Electrode part, 31 ... Output terminal,
32 ... Resonance part, 33 ... Ground terminal, 34 ... Electrode part,
35 ... Resonator, 36 ... LBO single crystal substrate, 41 ... Wire, 42 ... Wire, 43 ... Wire, 44 ... Wire, 45 ... Wire, 46 ... Wire.
Claims (3)
板表面上に形成した、 一対の入力ＩＤＴ群、一対の出力ＩＤＴ群及び２つの反
射器群からなる、入力部となる第１の２ポートの共振子
型フィルタと出力部となる第２の２ポートの共振子型フ
ィルタを、弾性表面波の伝搬方向に沿って接続部を設け
て２段縦列接続して構成した、多重モード弾性表面波フ
ィルタ素子とからなる簡易携帯電話機の１ｓｔＩＦ用自
己補償型多重モード弾性表面波フィルタにおいて、 前記多重モード弾性表面波フィルタ素子の温度係数の補
償を行うための、前記接続部に前記出力部の一部をフィ
ードバックする静電容量を、前記のパッケージを構成す
る前記セラミックを所定形状とすることによって、前記
パッケージ内に構成したことを特徴とする多重モード弾
性表面波フィルタ。1. A package made of ceramics, comprising a pair of input IDT groups, a pair of output IDT groups, and two reflector groups formed on the surface of a λ rotation X cut Z-axis propagation lithium tetraborate single crystal substrate. , A first two-port resonator type filter as an input section and a second two-port resonator filter as an output section are connected in a two-stage cascade connection by providing a connecting section along the surface acoustic wave propagation direction. In the self-compensating multimode surface acoustic wave filter for 1stIF of the simple mobile phone, which is configured by the multimode surface acoustic wave filter element, in order to compensate the temperature coefficient of the multimode surface acoustic wave filter element, The capacitance that feeds back a part of the output portion to the connection portion is adjusted by forming the ceramic forming the package into a predetermined shape. Multimode surface acoustic wave filter characterized by being configured to over the di.
ィルタにおいて、 前記静電容量を、前記パッケージの電極ランドとグラウ
ンド間の容量であるＣ2 と、前記パッケージ上に形成し
た前記第２の２ポートの共振子型フィルタの前記出力部
となるシグナルランドと前記接続部のシグナルランド間
の容量であるＣ1 とから構成したことを特徴とする多重
モード弾性表面波フィルタ。2. The multi-mode surface acoustic wave filter according to claim 1, wherein the capacitance is C 2 which is a capacitance between an electrode land of the package and a ground, and the second capacitance is formed on the package. 2. A multi-mode surface acoustic wave filter comprising a signal land which is the output part of the two-port resonator type filter and a capacitance C 1 between the signal lands of the connection part.
ィルタにおいて、 Ｃ2 の値を、１．１〜２．４ｐＦの範囲としたことを特
徴とする多重モード弾性表面波フィルタ。3. The multimode surface acoustic wave filter according to claim 2, wherein the value of C 2 is in the range of 1.1 to 2.4 pF.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34980195A JP3186560B2 (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | Multi-mode surface acoustic wave filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34980195A JP3186560B2 (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | Multi-mode surface acoustic wave filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172350A true JPH09172350A (en) | 1997-06-30 |
| JP3186560B2 JP3186560B2 (en) | 2001-07-11 |
Family
ID=18406213
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34980195A Expired - Lifetime JP3186560B2 (en) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | Multi-mode surface acoustic wave filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3186560B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472959B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-10-29 | Nortel Networks Limited | Longitudinally coupled double mode resonator filters using shallow bulk acoustic waves |
| KR100503957B1 (en) * | 2001-08-14 | 2005-07-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Surface acoustic wave device |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP34980195A patent/JP3186560B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6472959B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-10-29 | Nortel Networks Limited | Longitudinally coupled double mode resonator filters using shallow bulk acoustic waves |
| KR100503957B1 (en) * | 2001-08-14 | 2005-07-26 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Surface acoustic wave device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3186560B2 (en) | 2001-07-11 |
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