JPH09172324A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH09172324A
JPH09172324A JP7332196A JP33219695A JPH09172324A JP H09172324 A JPH09172324 A JP H09172324A JP 7332196 A JP7332196 A JP 7332196A JP 33219695 A JP33219695 A JP 33219695A JP H09172324 A JPH09172324 A JP H09172324A
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JP
Japan
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circuit
oscillation
crystal
frequency
semiconductor device
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Application number
JP7332196A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Yoshizawa
正幸 吉澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow one semiconductor device to have provision for a processing having been conducted by plural semiconductor devices so far and to reduce the power consumption by providing a switch between an output section of a crystal oscillation circuit and an input section of plural frequency divider circuits and between an output section of the plural frequency divider circuits and an input section of an internal circuit. SOLUTION: Respective oscillated clocks are outputted to a node 152 by having only to connect crystal oscillators 113, 114, 115 to oscillation circuit terminals 140, 141 while optimizing power consumption in an oscillation circuit section. Logic circuits 100, 104 select a required frequency divider circuit to frequency-divide the received oscillation clock with a prescribed frequency and to give the frequency-divided clock to an internal circuit 105. A level signal of nodes 150, 151 is decoded to allow a selector to select any frequency divider circuit. A signal of a high or a low level is fed to the nodes 150, 151 via switches 120, 121. The switches 120, 121 are formed by wiring layers of a semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置におけ
る水晶発振回路、分周回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crystal oscillator circuit and a frequency divider circuit in a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の水晶発振回路は、図4に示す様に
1つの水晶振動子のみを動作させていたため、その発振
周波数を分周するための分周器は1つで良かった。しか
し異なる周波数の水晶振動子を使用する場合は、別の半
導体にてその発振周波数に対応した発振回路を再度設計
し直していた。また、計時機能、表示機能等が内部回路
に含まれている場合、計時機能、表示機能等で必要とな
る分周クロックを出力できる様に新たな分周回路を作成
していた。
2. Description of the Related Art In a conventional crystal oscillating circuit, since only one crystal oscillator is operated as shown in FIG. 4, only one frequency divider is required to divide the oscillation frequency. However, when using a crystal unit with a different frequency, the oscillation circuit corresponding to the oscillation frequency was redesigned in another semiconductor. Further, when the internal circuit includes the clock function, the display function, etc., a new frequency divider circuit is created so that the frequency-divided clocks required for the clock function, the display function, etc. can be output.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】従来の水晶発振回路、
分周回路では、異なる周波数の水晶振動子を使用する場
合は、それぞれの半導体にてその発振周波数に対応した
発振回路を設計していた。また、計時機能、表示機能等
が内部回路に含まれている場合、計時機能、表示機能等
で必要となる分周クロックを出力できる様に新たな分周
回路を作成していた。このため、異なる周波数の水晶振
動子を使用する場合は、別の半導体にて、その発振周波
数に対応した発振回路と分周回路を再度設計し直すた
め、半導体の全開発コストは、(使用する水晶振動子の
種類)×(1つの水晶振動子に対応した半導体の開発コ
スト)に増加していた。
A conventional crystal oscillator circuit,
In the frequency dividing circuit, when using crystal oscillators of different frequencies, each semiconductor was designed with an oscillation circuit corresponding to the oscillation frequency. Further, when the internal circuit includes the clock function, the display function, etc., a new frequency divider circuit is created so that the frequency-divided clocks required for the clock function, the display function, etc. can be output. Therefore, when using a crystal unit with a different frequency, the total development cost of the semiconductor is ( The type of crystal unit) x (development cost of a semiconductor corresponding to one crystal unit) was increasing.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
発振周波数の異なる複数の水晶振動子を発振させる水晶
発振回路と、前記水晶発振回路の発振出力を分周するた
めの複数の分周回路と、前記分周回路によって出力され
る分周クロックを入力とする内部回路と、前記水晶発振
回路の出力部と前記複数の分周回路の入力部間及び前記
複数の分周回路の出力部と前記内部回路の入力部間にス
イッチを有し、前記水晶発振回路は、発振インバータ、
ドレイン抵抗、帰還抵抗にて構成され、接続される水晶
振動子毎に回路定数あるいは発振回路部に供給される電
源電圧を半導体の配線層にて切り換えでき、前記スイッ
チは、論理回路で構成され、前記水晶発振回路の出力を
前記複数の分周回路のどれか1つの入力部へ入力でき
る、及び前記複数の分周回路のうちどれか1つの出力を
前記内部回路の入力部へ入力でき、前記論理回路は、外
部端子または半導体の配線層でコントロールできること
を特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semiconductor device comprising:
A crystal oscillation circuit for oscillating a plurality of crystal oscillators having different oscillation frequencies, a plurality of frequency dividing circuits for dividing the oscillation output of the crystal oscillation circuit, and a divided clock output by the frequency dividing circuit are input. And a switch between the output section of the crystal oscillation circuit and the input sections of the plurality of frequency dividing circuits, and between the output section of the plurality of frequency dividing circuits and the input section of the internal circuit. The oscillation circuit is an oscillation inverter,
It is composed of a drain resistance and a feedback resistance, and can switch the circuit constant or the power supply voltage supplied to the oscillating circuit section for each connected crystal unit in the wiring layer of the semiconductor, and the switch is composed of a logic circuit, The output of the crystal oscillator circuit can be input to any one input unit of the plurality of frequency dividing circuits, and the output of any one of the plurality of frequency dividing circuits can be input to the input unit of the internal circuit, The logic circuit is characterized in that it can be controlled by an external terminal or a semiconductor wiring layer.

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明の第1の実施例として図1
に水晶発振回路及び分周回路の回路図を示す。 図1に
おいて、発振インバータ110のドライブ能力は、使用
する水晶振動子毎に最適になるように調整することが可
能。調整は半導体の配線層を使用して行える。但し、水
晶発振回路は使用する振動子のうち最大の発振周波数の
振動子で最適に発振するような設定をあらかじめしてお
けば、すべて問題なく発振する場合が多い。特に、振動
子の発振周波数に差があまりないあるいは振動子の種類
が同じ場合に、調整の必要がでない。発振周波数によっ
て、発振回路の調整が必要な場合においても、例えば1
チップマイクロコンピュータなどでは、アプリケーショ
ン毎にプログラムROMを作成するので、ROM変更と
同じ配線層で発振回路の最適化を行えば、水晶発振回路
の調整あり/無しで開発コストに差はなくなる。また、
ドレイン抵抗111と帰還抵抗112も発振インバータ
のドライブ能力調整と同様に抵抗値を半導体の配線層に
て調整可能。図3に発振インバータのドライブ能力、ド
レイン抵抗、帰還抵抗、発振回路部を駆動する電源等の
切り換えを半導体の配線層にて行える様にした実施例を
示す。発振インバータのドライブ能力を上げるには、ス
イッチ311、314、312、315、313、31
6をONさせ、下げるには例えばスイッチ311、31
4のみONさせる様にする。また、ドレイン抵抗、帰還
抵抗もスイッチ317、318、319、320、32
1をONさせることで抵抗値を下げることができる。ス
イッチ310は、内部電源301と302を切り換える
ことができるスイッチで、低い電源電圧の電源を使用で
きれば、低消費電力化が図れる。この様に、配線層にて
発振回路部の調整が可能であれば、発振回路部での消費
電力を最少にすることを考慮しながら発振インバータの
ドライブ能力、ドレイン抵抗、帰還抵抗あるいは発振回
路部を駆動する電源等を発振周波数毎に設定することが
可能となる。これにより、図1において、発振回路部で
の消費電力を最適化しながら、水晶発振子113、11
4、115を発振回路端子140、141へ接続するだ
けでノード152へそれぞれの発振クロックを出力でき
る。この出力された発振クロックを内部回路105へ一
定の周波数に分周したクロックにして送るために論理回
路100及び論理回路104にて必要な分周回路を選択
する。ここでの論理回路としてはセレクタが一例として
挙げられる。ノード150、ノード151のレベル信号
をデコードして、セレクタにて分周回路を選択する。ス
イッチ120、スイッチ121にてHIGHあるいはL
OWレベルの信号をノード150、ノード151へ送
る。スイッチ120、スイッチ121は、半導体の配線
層にて行う。前記した発振回路の調整と同様に使用する
水晶振動子に合わせて切り換えが可能となっている。水
晶発振回路の調整なしのまま複数の水晶振動子を発振さ
せることが出来る場合で、しかも半導体の配線層の変更
が1チップマイクロコンピュータのように出来ない場合
は、図2で示す本発明例が使用できる。図2で示す端子
220、端子221は半導体チップ外部の端子でこれら
の端子にレベル信号を与えることで、使用する水晶振動
子に合った分周回路を選択することができる。図2で示
す発明例は、配線層の変更無しで端子220、221へ
レベル信号を与えるだけで複数の水晶振動子に対応でき
る発明となっている。ただし、図1で示す発明例に比
べ、半導体チップの端子数が増える。図1において、分
周回路101、102、103それぞれ個別に分周段が
並列に接続されているが、例えば使用する複数の水晶振
動子のうち、例えば38.4KHzのものと76.8K
Hzのものが含まれていた場合には、まず76.8KH
zの発振クロックを1/2分周してから、38.4KH
zで使用する分周段を使用するというような方法がとら
れる。これは、回路を最少にして設計するため当然の方
法となる。図1で示す発明例は、さまざまな発振周波数
に対応する場合の回路を最少にする構成をとっていな
い。従って使用する振動子によっては、論理回路、分周
回路が入り組んだ構成になる。内部回路105は、一定
の周波数に分周された信号を使用する。例えば、計時機
能等の場合、1Hz信号を使用したり、LCD表示機能
等のフレーム周波数に256Hz信号を使用する等、一
定信号を必要とする回路機能は多い。また、発振クロッ
クをそのまま内部回路で使用することも可能であるし、
分周回路の途中まで分周された分周クロックを使用する
ことも可能である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
A circuit diagram of the crystal oscillation circuit and the frequency dividing circuit is shown in FIG. In FIG. 1, the drive capacity of the oscillation inverter 110 can be adjusted to be optimum for each crystal unit used. Adjustment can be performed using the semiconductor wiring layer. However, if the crystal oscillator circuit is set to optimally oscillate with the oscillator having the maximum oscillation frequency among the oscillators to be used, all often oscillates without problems. Especially, when there is not much difference between the oscillation frequencies of the oscillators or the types of oscillators are the same, no adjustment is necessary. Even if the oscillation circuit needs to be adjusted depending on the oscillation frequency,
In a chip microcomputer or the like, a program ROM is created for each application. Therefore, if the oscillation circuit is optimized in the same wiring layer as the ROM change, there is no difference in development cost with / without adjustment of the crystal oscillation circuit. Also,
The drain resistance 111 and the feedback resistance 112 can be adjusted in resistance value in the wiring layer of the semiconductor similarly to the drive capacity adjustment of the oscillation inverter. FIG. 3 shows an embodiment in which the drive capacity, drain resistance, feedback resistance, power supply for driving the oscillation circuit section, etc. of the oscillation inverter can be switched in the semiconductor wiring layer. To increase the drive capability of the oscillation inverter, the switches 311, 314, 312, 315, 313, 31 are used.
To turn on 6 and lower it, for example, switches 311 and 31
Only 4 is turned on. The drain resistance and the feedback resistance are also switches 317, 318, 319, 320, 32.
By turning 1 on, the resistance value can be lowered. The switch 310 is a switch that can switch between the internal power supplies 301 and 302, and if a power supply with a low power supply voltage can be used, low power consumption can be achieved. In this way, if the oscillation circuit section can be adjusted in the wiring layer, the drive capacity, drain resistance, feedback resistance, or oscillation circuit section of the oscillation inverter can be taken into consideration while minimizing the power consumption in the oscillation circuit section. It is possible to set the power source and the like for driving each of the oscillating frequencies. As a result, in FIG. 1, the crystal oscillators 113 and 11 are optimized while optimizing the power consumption in the oscillator circuit section.
It is possible to output the respective oscillation clocks to the node 152 simply by connecting Nos. 4 and 115 to the oscillation circuit terminals 140 and 141. A frequency divider circuit necessary for the logic circuit 100 and the logic circuit 104 is selected in order to send the output oscillation clock to the internal circuit 105 as a clock whose frequency is divided into a constant frequency. An example of the logic circuit here is a selector. The level signals of the node 150 and the node 151 are decoded and the selector selects the frequency dividing circuit. Switch 120, switch 121 to HIGH or L
An OW level signal is sent to the nodes 150 and 151. The switches 120 and 121 are formed in a semiconductor wiring layer. Switching is possible according to the crystal oscillator to be used in the same manner as the adjustment of the oscillation circuit described above. When it is possible to oscillate a plurality of crystal oscillators without adjustment of the crystal oscillator circuit, and when the semiconductor wiring layer cannot be changed like in a one-chip microcomputer, the example of the present invention shown in FIG. Can be used. The terminals 220 and 221 shown in FIG. 2 are terminals outside the semiconductor chip, and by applying a level signal to these terminals, it is possible to select a frequency divider circuit suitable for the crystal oscillator to be used. The example of the invention shown in FIG. 2 is an invention that can deal with a plurality of crystal oscillators simply by applying a level signal to the terminals 220 and 221 without changing the wiring layer. However, the number of terminals of the semiconductor chip is increased as compared with the example of the invention shown in FIG. In FIG. 1, the frequency dividing circuits 101, 102, and 103 are individually connected in parallel, but, for example, among a plurality of crystal oscillators to be used, those of 38.4 KHz and 76.8 K, for example.
If the frequency range of Hz is included, first, 76.8KH
38.4KH after dividing the oscillation clock of z by 1/2
A method such as using the dividing stage used in z is adopted. This is a natural method for designing a circuit with a minimum. The example of the invention shown in FIG. 1 does not have a configuration in which the number of circuits in the case of supporting various oscillation frequencies is minimized. Therefore, depending on the oscillator used, the logic circuit and the frequency dividing circuit are complicated. The internal circuit 105 uses a signal divided into a certain frequency. For example, in the case of a clock function or the like, there are many circuit functions that require a constant signal, such as using a 1 Hz signal or using a 256 Hz signal for a frame frequency such as an LCD display function. Also, it is possible to use the oscillation clock as it is in the internal circuit,
It is also possible to use a frequency-divided clock that has been frequency-divided halfway through the frequency dividing circuit.

【0006】[0006]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
振周波数の異なる複数の水晶振動子を1つの水晶発振回
路で発振させることができ、しかもそれぞれの水晶発振
子に対応した発振出力を分周するための複数の分周回路
とによって、これまで複数の半導体装置で対応してきた
ことを一つの半導体装置にて実現できる。発振周波数の
異なる複数の水晶振動子を一つの水晶発振回路にて対応
する場合、その中で最も高い発振周波数が発振できる様
にしておけば、他の水晶振動子はすべて発振する。しか
し、発振回路の回路定数、発振回路を駆動する内部電源
が切り換えられる本発明では、低消費電力化を考慮して
それぞれの発振周波数に適した回路に変更できるため、
低消費電力化を図ることもできる。また、複数の分周回
路のうち、発振周波数に対応した分周回路を選択する必
要がでるが、これを本発明の論理回路によって実現する
ことができる。またこの論理回路のコントロールは、外
部端子あるいは半導体の配線層によって可能になってい
る。これらによって対応する水晶振動子の種類の数をn
とすると、従来の開発コスト及び開発期間に比べ、開発
コストを1/nに削減し、開発期間を1/nに短縮する
ことができる。これは、半導体装置自体の単価にも反映
され、安価な半導体装置を短納期にて客先へ提供するこ
とができる。しかも、消費電力の最適化も行なわれてい
る半導体装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, a plurality of crystal oscillators having different oscillation frequencies can be oscillated by one crystal oscillating circuit, and the oscillation output corresponding to each crystal oscillator can be obtained. By using a plurality of frequency dividing circuits for frequency division, it is possible to realize in a single semiconductor device what has been handled by a plurality of semiconductor devices so far. When a plurality of crystal oscillators having different oscillation frequencies are handled by one crystal oscillation circuit, if the highest oscillation frequency among them can be oscillated, all other crystal oscillators oscillate. However, in the present invention in which the circuit constants of the oscillation circuit and the internal power source for driving the oscillation circuit can be switched, it is possible to change to a circuit suitable for each oscillation frequency in consideration of low power consumption.
It is also possible to achieve low power consumption. Further, it is necessary to select the frequency dividing circuit corresponding to the oscillation frequency from among the plurality of frequency dividing circuits, which can be realized by the logic circuit of the present invention. The control of this logic circuit is made possible by an external terminal or a semiconductor wiring layer. The number of types of crystal units supported by these is n
Then, the development cost can be reduced to 1 / n and the development period can be shortened to 1 / n, as compared with the conventional development cost and development period. This is reflected in the unit price of the semiconductor device itself, and an inexpensive semiconductor device can be provided to the customer with a short delivery time. Moreover, it is possible to provide a semiconductor device in which power consumption is optimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す半導体装置の回路
図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor device showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す半導体装置の回路
図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor device showing a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例を示す半導体装置の回路
図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a semiconductor device showing a third embodiment of the present invention.

【図4】第1の従来例を示す半導体装置の回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram of a semiconductor device showing a first conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100、104、200、204、300 論理回路 101、102、103、201、202、203、4
00、420、440分周回路 105、205、401、421、441 内部回路 110、210、410、430、450 発振インバ
ータ 111、211、343、344、345、346、4
11、431、451発振回路用ドレイン抵抗 112、212、340、341、342、412、4
32、452 発振回路用帰還抵抗 140、141、222、223、350、351、4
14、415、434、435、454、455 水晶
発振子用外部端子 220、221 論理回路コントロール用外部端子 113、114、115、213、214、215、4
13、433、453水晶発振子 150、151、152 信号ライン 120、121、310、311、312、313、3
14、315、316、317、318、319、32
0、321 半導体配線層によるスイッチ 130 プルアップ抵抗 131 プルダウン抵抗 301、302 内部電源 330、331、332 PチャンネルMOSトランジ
スタ 333、334、335 NチャンネルMOSトランジ
スタ 160、230、416、436、437 半導体装置
100, 104, 200, 204, 300 Logic circuits 101, 102, 103, 201, 202, 203, 4
00, 420, 440 divider circuit 105, 205, 401, 421, 441 Internal circuit 110, 210, 410, 430, 450 Oscillation inverter 111, 211, 343, 344, 345, 346, 4
11, 431, 451 Oscillation circuit drain resistance 112, 212, 340, 341, 342, 412, 4
32, 452 Oscillation circuit feedback resistors 140, 141, 222, 223, 350, 351, 4
14, 415, 434, 435, 454, 455 Crystal oscillator external terminals 220, 221 Logic circuit control external terminals 113, 114, 115, 213, 214, 215, 4
13, 433, 453 Crystal oscillator 150, 151, 152 Signal line 120, 121, 310, 311, 312, 313, 3
14, 315, 316, 317, 318, 319, 32
0, 321 Switch by semiconductor wiring layer 130 Pull-up resistor 131 Pull-down resistor 301, 302 Internal power supply 330, 331, 332 P-channel MOS transistor 333, 334, 335 N-channel MOS transistor 160, 230, 416, 436, 437 Semiconductor device

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発振周波数の異なる複数の水晶振動子を
発振させる水晶発振回路と、前記水晶発振回路の発振出
力を分周するための複数の分周回路と、前記分周回路に
よって出力される分周クロックを入力とする内部回路
と、前記水晶発振回路の出力部と前記複数の分周回路の
入力部間及び前記複数の分周回路の出力部と前記内部回
路の入力部間にスイッチを有することを特徴とする半導
体装置。
1. A crystal oscillation circuit for oscillating a plurality of crystal oscillators having different oscillation frequencies, a plurality of frequency dividing circuits for dividing the oscillation output of the crystal oscillation circuit, and an output by the frequency dividing circuit. A switch is provided between an internal circuit that receives a divided clock, an output section of the crystal oscillation circuit and an input section of the plurality of frequency dividing circuits, and an output section of the plurality of frequency dividing circuits and an input section of the internal circuit. A semiconductor device having.
【請求項2】 前記水晶発振回路は、発振インバータ、
ドレイン抵抗、帰還抵抗にて構成され、接続される水晶
振動子毎に回路定数あるいは発振回路部に供給される電
源電圧を半導体の配線層にて切り換えできることを特徴
とする請求項1記載の半導体装置。
2. The crystal oscillation circuit is an oscillation inverter,
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor constant is configured by a drain resistance and a feedback resistance, and a circuit constant or a power supply voltage supplied to the oscillation circuit unit can be switched by a semiconductor wiring layer for each connected crystal unit. .
【請求項3】 前記スイッチは、論理回路で構成され、
前記水晶発振回路の出力を前記複数の分周回路のどれか
1つの入力部へ入力できる、及び前記複数の分周回路の
うちどれか1つの出力を前記内部回路の入力部へ入力で
きることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装
置。
3. The switch comprises a logic circuit,
The output of the crystal oscillator circuit can be input to any one input unit of the plurality of frequency dividing circuits, and the output of any one of the plurality of frequency dividing circuits can be input to the input unit of the internal circuit. The semiconductor device according to claim 1 or 2.
【請求項4】 前記論理回路は、外部端子または半導体
の配線層でコントロールできることを特徴とする請求項
1または2または3記載の半導体装置。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the logic circuit can be controlled by an external terminal or a semiconductor wiring layer.
JP7332196A 1995-12-20 1995-12-20 Semiconductor device Pending JPH09172324A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011504306A (en) * 2007-09-27 2011-02-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Single multimode clock source for wireless devices

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011504306A (en) * 2007-09-27 2011-02-03 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Single multimode clock source for wireless devices

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