JPH0916961A

JPH0916961A - 情報記録媒体の初期化方法

Info

Publication number: JPH0916961A
Application number: JP18787695A
Authority: JP
Inventors: Michiaki Shinozuka; 道明篠塚
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1995-06-30
Publication date: 1997-01-17
Anticipated expiration: 2017-05-27
Also published as: JP3286501B2

Abstract

(57)【要約】【目的】記録・再生特性のジッターが良好なものとな
るような初期化を行なうことが可能である。【構成】基板上に形成された記録薄膜にエネルギービ
ームを照射し、エネルギービームの照射によって発生す
る熱により前記記録薄膜を相変化させて情報の記録がな
される情報記録媒体を初期化する情報記録媒体の初期化
方法において、情報記録媒体を初期化する際の線速度を
評価線速度とほぼ同程度にして初期化する。ジッター
は、初期化時の線速度が４．５(ｍ／秒)程度のとき、す
なわち評価線速度ｖ₀と同程度のとき、最も低く、評価
線速度ｖ₀に対し、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）の線速度で初期
化する場合に、ジッターを低くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光や電子線など
のエネルギービームの照射により情報の記録がなされる
光ディスクや光カードなどの情報記録媒体を初期化する
情報記録媒体の初期化方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光カードや光ディスクなどの情報記録媒
体は、一般に、基板上に記録薄膜が形成されたものとな
っており、この記録媒体の相変化，すなわち、結晶と非
晶(アモルファス)のような媒体の相変化に伴なう光学特
性の差を利用して記録媒体に情報を記録するようになっ
ている。

【０００３】ここで、記録薄膜としては、Ｉｎ−Ｓｅ系
薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜、Ｓｂ−Ｔｅ系薄膜、Ｔｅ−Ｇ
ｅ系薄膜など種々の材料が提案されている。

【０００４】ところで、これらの記録媒体は通常、スパ
ッタ法、加熱蒸着法、ＥＢ蒸着法などで形成されてお
り、一般には非晶状態の記録膜が形成される。そのため
記録と消去の繰返しにこれらの媒体を利用しようとする
場合、例えば特開昭６３−３１０４６号や８５年応用物
理学会講演集(１ｐ−Ｐ−５)などに示されているよう
な、記録領域全体を結晶状態にする初期化処理プロセス
を、記録に先立って記録媒体に施す必要がある。このよ
うな情報記録媒体の初期化方法として、従来では、例え
ば特開平３−２２２３１号に開示されているような方法
が知られている。

【０００５】すなわち、記録媒体の初期化とは、記録媒
体の記録薄膜を非晶相の状態から結晶相の状態にするこ
とを意味し、このような初期化を行なうのに、従来で
は、記録薄膜を結晶化温度以上で融点以下の範囲に媒体
を加熱して結晶化させたり、あるいは、記録薄膜を融点
以上に加熱して結晶化させるようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の初期化方法では、情報記録媒体の記録時
の線速度について、これを何ら考慮せずに初期化してい
たので(例えば記録時の線速度に対応しない初期化を行
なっていたので)、ジッターが規格外の値となる場合が
あった。すなわち、従来の初期化方法では、単に、非晶
(アモルファス)の状態から結晶状態に記録薄膜を相変化
させることのみを意図しており、記録時の線速度を考慮
せずに初期化を行なっていたので、記録・再生にとって
最適な初期化を行なうことができなかった。

【０００７】本発明は、記録・再生特性のジッターが良
好なものとなるような初期化を行なうことの可能な情報
記録媒体の初期化方法を提供することを目的としてい
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために、請求項１記載の発明では、初期化線速度
を評価線速度とほぼ同程度にして初期化する。これによ
り、膜へのストレスが少なく、均一な結晶化がなされ、
記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好となる。

【０００９】また、請求項２記載の発明では、初期化時
のパワー密度を１５０〜２５０ｍＷ／ｍ／秒の範囲とす
る。これにより、膜へのダメージが少ない結晶化が可能
となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好とな
る。

【００１０】また、請求項３記載の発明では、初期化時
の(フォーカス時の)ＲＦ信号の振幅を最大振幅に対して
３〜２０％減じたものとする。これにより、膜へのダメ
ージが少ない結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ
特性のジッターが良好となる。

【００１１】また、請求項４記載の発明では、絶対パワ
ー密度を２×１０⁹Ｗ／ｍ²以上にして初期化を行なう。
これにより、均一な結晶化が可能となり、記録・再生・
Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００１２】また、請求項５記載の発明では、情報記録
媒体の同じ位置を、同一パワーのエネルギービームで複
数回初期化する。これにより、結晶化が安定し、記録・
再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００１３】また、請求項６記載の発明では、１×１０
⁹Ｗ／ｍ²〜２×１０⁹Ｗ／ｍ²の範囲内のパワー密度をも
つ繰返しパルスのエネルギービームで、同じ位置を複数
回、初期化する。これにより、結晶化の際の物質移動が
少なく均一な結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ
特性のジッターが良好となる。

【００１４】また、請求項７記載の発明では、エネルギ
ービームのパワー密度を０．３〜０．９×１０⁹Ｗ／ｍ²
程度にして情報記録媒体を初期化した後、エネルギービ
ームのパワー密度を１〜１．５×１０⁹Ｗ／ｍ²にして、
情報記録媒体を再度初期化する。これにより、膜へのダ
メージが少ない結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／
Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００１５】また、請求項８記載の発明では、情報記録
媒体の内外周の記録薄膜の厚さに応じてエネルギービー
ムのパワー密度を変化させる。これにより、記録媒体の
内外周のパワーの変動を防止し、均一な結晶化を行なう
ことが可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッター
が良好となる。

【００１６】また、請求項９記載の発明では、情報記録
媒体を所定の温度で１時間〜５時間、アニールする。こ
れにより、結晶状態を安定させて均一な結晶化を行なう
ことが可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッター
が良好となる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１８】本発明による初期化方法では、情報記録媒
体を初期化する際の線速度を評価線速度(記録・再生時
の線速度)とほぼ同程度の線速度で(例えば、評価線速度
をｖ₀(ｍ／秒）とするとき、(ｖ₀±１)(ｍ／秒)の範囲
内の線速度で)、初期化するようにしている。これによ
り、アモルファスと結晶化する転位速度を同じとし、記
録薄膜へのストレスを低減し、結晶状態を均一なものに
して、ジッターを規格内の値にして、記録・再生・Ｏ／
Ｗ特性を向上させることを意図している。

【００１９】ここで、初期化対象となる情報記録媒体に
は、公知のものを用いることができる。例えば、情報記
録媒体としては、１．２ｍｍ厚、１３ｃｍ直径、１．６
μｍピッチのスパイラルグルーブ付きの基板を１０〜１
５０ｒｐｍで回転させ、組成や膜厚の均一化を図りなが
ら、例えばマグネトロンスパッタ法により、記録薄膜と
して、保護層，記録層，拡散防止層あるいは冷却層を各
々目的に応じて順次積層して形成したものを用いること
ができる。

【００２０】この際、基板としては、ポリメチルメタク
リレート樹脂，ポリカーボネイト樹脂，エポキシ樹脂，
ポリオレフィン樹脂，ポリ塩化ビニル樹脂，ポリエステ
ル樹脂，スチレン樹脂などの高分子樹脂やガラス板，あ
るいはＡｌ等の金属板などを用いることができる。

【００２１】また、保護層は、ＳｉＯ₂、ＺｒＣ，ＩＴ
Ｏ、ＺｎＳ、ＭｇＦ₂等の無機膜やそれらの混合膜、紫
外線硬化膜等を、蒸着、スパッタ、スピンコート等の方
法を用いて形成したり、エポキシやポリカーボネイトな
どの樹脂、フィルム、ガラスなどを張り合わせたり、ラ
ミネートしても良い。また、拡散防止層は耐湿熱性や耐
酸化性などの効果のみならず、記録層と冷却層の間での
元素拡散を抑制し特性劣化を押さえる効果があり、保護
層と同様な材料が使用できる。すなわち、保護層や拡散
防止層は、例えば、ＳｉＯ₂，ＺｒＣ，ＩＴＯ，Ｚｎ
Ｓ，ＭｇＦ₂や、これらの混合組成のターゲットを用い
て、水晶振動子膜厚計でモニターしながら、単独または
同時スパッタして形成することができる。

【００２２】また、記録層は、Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｔｅ
及びＴｅ−Ｇｅ合金，Ｂｉ−Ｔｅ合金，Ｓｂ−Ｔｅ合金
などを水晶膜厚計でモニターしながら同時スパッタして
所定組成の記録膜として形成できる。

【００２３】また、冷却層は、記録層から生じる熱の拡
散を容易にし、記録時の溶融部分の冷却速度を速め、非
晶の形成を容易にするのに有効である。さらには金属や
金属合金などの光学的に高い反射率を有する材料を用い
れば、反射層としての機能をもたすことも可能であり、
記録層の膜厚を約半分にして、記録の感度を高めるなど
の効果も期待できる。冷却層の材料としては、Ｓｂ，Ｂ
ｉ，Ｓｎ，Ａｕ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｂ，Ｈｆ
等の金属またはそれらの合金、あるいは金属の酸化物、
炭化物、窒化物、カルコゲン化物等のいずれかと金属と
の混合物などを使用することができる。特に、Ａｕ，Ａ
ｌ，Ｈｆ，Ｎｉ，Ｃｒやそれらの合金等は、膜の形成が
容易であり、材料選択により熱伝導度を広範囲に調整可
能であるため、好ましい材料である。なお、本発明にお
いては、基板上に順次に積層される例えば保護層，記録
層，拡散防止層あるいは冷却層を、総称して、記録薄膜
と称す。

【００２４】本願の発明者は、実際に、情報記録媒体と
して、ポリカーボネート(ＰＣ)製の基板上に、保護層と
して２００ｎｍのＺｎＳ・ＳｉＯ₂、記録層として２０
ｎｍのＡｇＩｎＳｂＴｅ、拡散防止層として２５ｎｍの
ＺｎＳ・ＳｉＯ₂、冷却層として１００ｎｍのＡｌ−Ｔ
ｉ、ＵＶ硬化樹脂が順次に記録薄膜として積層されたも
のを用い、この情報記録媒体について、初期化処理を行
ない、初期化時の種々の特性を調べた。なお、初期化装
置としては松井製作所社製の装置を用い、１０μｍ／ｒ
の送り(１回転当りの送り距離)で線速を変化させた。ま
た、評価装置としては、パルステックＤＤＵ−１０００
を用いた。

【００２５】また、各特性の評価条件としては、評価線
速度ｖ₀を４．５(ｍ／秒）とし、エネルギービームとし
て波長７８０ｎｍのレーザビームを用い、また、開口率
(ＮＡ)が０．５３の光学系を用いた。また、情報記録媒
体に対するレーザビームの読取パワー(リードパワー)を
１．０ｍＷとし、書込パワー(ライトパワー)を１３ｍＷ
(または１４ｍＷ)とし、また、ボトムパワーを６ｍＷと
し、書込周波数(ライト周波数)を３ＭＨｚとし、また、
書込みにはＥＦＭランダムパターンを用いた。

【００２６】本願の発明者は、先ず、初期化時の線速依
存性を調べた。図１は、その結果(初期化時の線速度に
対するＯ／Ｗ後の３Ｔジッター(ナノ秒))が示されてい
る。図１からわかるように、ジッターは、初期化時の線
速度が４．５(ｍ／秒)程度のとき、すなわち評価線速度
ｖ₀と同程度のとき、最も低いことがわかる。より詳細
には、評価線速度ｖ₀に対し、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）の線
速度で初期化する場合に、ジッターを低くすることがで
き、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）以外の線速度で初期化したもの
は、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）の範囲内で初期化した記録媒体
に比べ、ジッターで３ナノ秒以上悪くなる。

【００２７】また、本願の発明者は、初期化時のパワー
密度(パワー／線速度)依存性を調べた。図２には、その
結果(初期化時のパワー密度(パワー／線速度)に対する
Ｏ／Ｗ後の３Ｔジッター(ナノ秒))が示されている。こ
こで、初期化時の線速度は、評価線速度ｖ₀(４．５ｍ／
秒)に対し、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）の範囲内に設定されて
いる。図２からわかるように、初期化時の線速度を評価
線速度ｖ₀に対して、(ｖ₀±１)(ｍ／秒）にして初期化
を行なう場合、そのときのパワー密度が１５０ｍＷ／ｍ
／秒〜２５０ｍＷ／ｍ／秒の範囲内であれば、ジッター
が最も低くなる。すなわち、１５０〜２５０ｍＷ／ｍ／
秒のパワー密度で初期化すれば、１５０ｍＷ／ｍ／秒以
下、または、２５０ｍＷ／ｍ／秒以上のパワー密度で初
期化する場合に比べてジッターが１ナノ秒以上良くなっ
ている。このことから、１５０〜２５０ｍＷ／ｍ／秒の
範囲内のパワー密度で初期化を行なえば、アモルファス
から結晶になる最適なパワー密度で初期化することがで
き、記録薄膜へのダメージが少なくジッターが良好とな
る。

【００２８】また、本願の発明者は、初期化時のＲＦ信
号の振幅依存性を調べた。図３には、その結果(初期化
時の(フォーカス時の)ＲＦ信号の振幅に対するＯ／Ｗ後
の３Ｔジッター(ナノ秒))が示されている。図３からわ
かるように、初期化時の(フォーカス時の)ＲＦ信号の振
幅がその最大振幅ｍａｘ(ジャストフォーカス時のＲＦ
信号の振幅)よりも３〜２０％程度小さな振幅であると
きに、ジッターは良好となる。これは、ジャストフォー
カスの場合には、記録薄膜へのダメージが大きいためと
考えられる。すなわち、ＲＦ信号の振幅が最大振幅より
も３〜２０％程度小さなものである場合には、これ以外
のものに比べ、特にジャストフォーカス時に比べて、ジ
ッターが１ナノ秒以上良くなっている。

【００２９】また、本願の発明者は、初期化時の絶対パ
ワー密度依存性を調べた。図４には、その結果(初期化
時の絶対パワー密度に対するＯ／Ｗ後の３Ｔジッター)
が示されている。なお、図４では、評価線速度を４．５
ｍ／秒にする場合とともに、３．５ｍ／秒にする場合の
結果をも示した。

【００３０】図４からわかるように、評価線速度が４．
５ｍ／秒，３．５ｍ／秒のいずれかの場合も、初期化時
の絶対パワー密度を２×１０⁹Ｗ／ｍ²以上にして初期化
することで、ジッターが良好となる。すなわち、２×１
０⁹Ｗ／ｍ²以上のパワー密度であれば、２×１０⁹Ｗ／
ｍ²以下のパワー密度の場合に比べてジッターが１ナノ
秒以上良くなることがわかり、このパワー(２×１０⁹Ｗ
／ｍ²以上のパワー密度)は、記録薄膜をが均一に結晶化
できるエネルギー密度と考えられる。

【００３１】また、本願の発明者は、パワー密度を２×
１０⁹Ｗ／ｍ²とし、初期化回数を変えてジッターを調べ
た。次表(表１)には、初期化回数をそれぞれ１回，２
回，３回とした場合のジッターが示されている。

【００３２】

【表１】

【００３３】表１からわかるように、２×１０⁹Ｗ／ｍ²
のパワー密度では、記録媒体の同一トラックを２回初期
化するときに、ジッターが最も良好となる。すなわち、
２×１０⁹Ｗ／ｍ²のパワー密度では、記録媒体の同一ト
ラックを２回初期化することで、記録薄膜の結晶化が安
定し、ジッターが良くなることがわかる。

【００３４】また、本願の発明者は、パワー密度を変え
て、各々の場合について初期化を１０回行なってジッタ
ーを調べた。次表(表２)には、パワー密度を０．５×１
０⁹，１．０×１０⁹，１．５×１０⁹，２．０×１０⁹，
２．５×１０⁹Ｗ／ｍ²とし、各々の場合に、３Ｔ等のパ
ルスで、初期化を１０回行なったときのジッターの初期
化パワー密度依存性が示されている。

【００３５】

【表２】

【００３６】表２からわかるように、パワー密度が１．
０〜２．０×１０⁹Ｗ／ｍ²の範囲内で初期化を行なうこ
とで、ジッターが良好となる。すなわち、パルス的な初
期化処理により、結晶化の際に物質移動が少なくてす
み、パワー密度が１．０〜２．０×１０⁹Ｗ／ｍ²のとき
には、他のパワー密度のときに比べて、ジッターが１ナ
ノ秒以上良くなる。

【００３７】また、本願の発明者は、種々の初期化法に
よってジッターを調べた。次表(表３)には、２．５×１
０⁹Ｗ／ｍ²のパワー密度で１回初期化を行なった場合
と、１．０×１０⁹Ｗ／ｍ²のパワー密度で１０回初期化
を行なった場合と、０．５×１０⁹Ｗ／ｍ²のパワー密度
で１回目の初期化を行ない、次いで、１．５×１０⁹Ｗ
／ｍ²のパワー密度で２回目の初期化を行なった場合と
の３つの場合についてのジッターがそれぞれ示されてい
る。

【００３８】

【表３】

【００３９】表３からわかるように、２回に分けて初期
化し、しかも１回目は弱いパワー密度で、２回目は１回
目の倍以上のパワー密度で初期化することで、記録薄膜
へのダメージが少なく、ジッターが良くなっている。

【００４０】また、本願の発明者は、内外周の記録薄膜
の厚さに応じてパワーを変化させて初期化したときのジ
ッターを調べた。次表(表４)には、内外周の記録薄膜の
厚さに依らずにパワーを一定にして(パワーを変えずに)
初期化した場合と、内外周の記録薄膜の厚さに比例して
パワーを変化させて初期化した場合とのそれぞれについ
てのジッターが示されている。

【００４１】

【表４】

【００４２】表４から、記録薄膜の膜厚に比例してパワ
ーを変えた場合は、記録媒体の面内でのジッターのバラ
ツキが小さくなることがわかる。すなわち、記録薄膜の
膜厚に比例してパワーを変えて初期化した方が結晶化の
均一性が図れ、ジッターが良くなることがわかる。

【００４３】また、本願の発明者は、初期化時にアニー
ルを行なうときのジッターを調べた。次表(表５)には、
アニールを行なわずに初期化した場合と、アニールを行
ないながら初期化した場合とのそれぞれの場合について
のジッターが示されている。

【００４４】

【表５】

【００４５】表５から、アニールをしながら初期化した
方が、結晶化の均一性が良く、ジッターが良くなること
がわかる。すなわち、例えば９０℃程度の温度で１時間
〜５時間アニールしながら初期化することで、結晶化状
態がより均一になり、ジッターが良好となる。

【００４６】なお、上述の各実施例では、記録媒体が、
ポリカーボネート(ＰＣ)の基板上に、記録薄膜として、
ＺｎＳ・ＳｉＯ₂／ＡｇＩｎＳｂＴｅ／ＺｎＳ・ＳｉＯ₂
／Ａｌ−Ｔｉ／ＵＶ硬化樹脂が積層されたものであると
して説明したが、本発明は、この組成の記録媒体に限ら
ず、従来公知の種々の記録媒体に適用可能である。例え
ば、実際に高速消去が可能な光記録媒体として優れた特
性をもつＰｄ−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｔｅ系膜やＢｉ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ−Ｇｅ系膜、あるいはその他のＳｂ−Ｔｅ系やＴｅ−
Ｇｅ系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系な
どの非晶と結晶の相転移を記録に利用する種々の記録媒
体に本発明を適用可能である。

【００４７】また、記録薄膜の各層(保護層，記録層，
拡散防止層，冷却層)の膜厚も、特に限定されないが、
例えば記録層の表面と裏面での膜厚干渉効果を利用する
場合には、記録層の膜厚を７０〜１２０ｎｍの範囲など
に適宜設定できる。

【００４８】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の
発明によれば、初期化線速度を評価線速度とほぼ同程度
にして初期化するので、膜へのストレスが少なく、均一
な結晶化がなされ、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッター
が良好となる。

【００４９】また、請求項２記載の発明によれば、初期
化時のパワー密度を１５０〜２５０ｍＷ／ｍ／秒の範囲
とすることで、膜へのダメージが少ない結晶化が可能と
なり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好とな
る。

【００５０】また、請求項３記載の発明によれば、初期
化時の(フォーカス時の)ＲＦ信号の振幅を最大振幅に対
して３〜２０％減じたものとすることで、膜へのダメー
ジが少ない結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特
性のジッターが良好となる。

【００５１】また、請求項４記載の発明によれば、絶対
パワー密度を２×１０⁹Ｗ／ｍ²以上にして初期化を行な
うことで、均一な結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ
／Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００５２】また、請求項５記載の発明によれば、情報
記録媒体の同じ位置を、同一パワーのエネルギービーム
で複数回初期化することで、結晶化が安定し、記録・再
生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００５３】また、請求項６記載の発明によれば、１×
１０⁹Ｗ／ｍ²〜２×１０⁹Ｗ／ｍ²の範囲内のパワー密度
をもつ繰返しパルスのエネルギービームで、同じ位置を
複数回、初期化することで、結晶化の際の物質移動が少
なく均一な結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特
性のジッターが良好となる。

【００５４】また、請求項７記載の発明によれば、エネ
ルギービームのパワー密度を０．３〜０．９×１０⁹Ｗ
／ｍ²程度にして情報記録媒体を初期化した後、エネル
ギービームのパワー密度を１〜１．５×１０⁹Ｗ／ｍ²に
して、情報記録媒体を再度初期化することで、膜へのダ
メージが少ない結晶化が可能となり、記録・再生・Ｏ／
Ｗ特性のジッターが良好となる。

【００５５】また、請求項８記載の発明によれば、情報
記録媒体の内外周の記録薄膜の厚さに応じてエネルギー
ビームのパワー密度を変化させることで、記録媒体の内
外周のパワーの変動を防止し、均一な結晶化を行なうこ
とが可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが
良好となる。

【００５６】また、請求項９記載の発明によれば、情報
記録媒体を所定の温度で１時間〜５時間、アニールする
ことで、結晶状態を安定させて均一な結晶化を行なうこ
とが可能となり、記録・再生・Ｏ／Ｗ特性のジッターが
良好となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】記録媒体の初期化時の線速依存性の結果を示す
図である。

【図２】記録媒体の初期化時のパワー密度依存性の結果
を示す図である。

【図３】記録媒体の初期化時のＲＦ信号の振幅依存性の
結果を示す図である。

【図４】記録媒体の初期化時の絶対パワー密度依存性の
結果を示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された記録薄膜にエネルギ
ービームを照射し、エネルギービームの照射によって発
生する熱により前記記録薄膜を相変化させて情報の記録
がなされる情報記録媒体を初期化する情報記録媒体の初
期化方法において、情報記録媒体を初期化する際の線速
度を評価線速度とほぼ同程度にして初期化することを特
徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項２】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、エネルギービームの線速度(ｍ／秒)当りの
パワー密度を、１５０ｍＷ／ｍ／秒〜２５０ｍＷ／ｍ／
秒の範囲内に設定して初期化することを特徴とする情報
記録媒体の初期化方法。
【請求項３】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、基板上に形成された記録薄膜上にフォーカ
スされるエネルギービームのＲＦ信号を、記録・再生時
のＲＦ信号の最大振幅に対して３〜２０％だけ減じた振
幅で、記録薄膜上にフォーカスして記録媒体を初期化す
ることを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項４】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、絶対パワー密度が２×１０⁹Ｗ／ｍ²以上の
エネルギービームを用いて初期化することを特徴とする
情報記録媒体の初期化方法。
【請求項５】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、情報記録媒体の同じ位置を、同一パワーの
エネルギービームで複数回初期化することを特徴とする
情報記録媒体の初期化方法。
【請求項６】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、１×１０⁹Ｗ／ｍ²〜２×１０⁹Ｗ／ｍ²の範
囲内のパワー密度をもつ繰返しパルスのエネルギービー
ムで、同じ位置を複数回、初期化することを特徴とする
情報記録媒体の初期化方法。
【請求項７】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、エネルギービームのパワー密度を０．３〜
０．９×１０⁹Ｗ／ｍ²程度にして情報記録媒体を初期化
した後、エネルギービームのパワー密度を１〜１．５×
１０⁹Ｗ／ｍ²にして、情報記録媒体を再度初期化するこ
とを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項８】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、情報記録媒体の内外周の記録薄膜の厚さに
応じてエネルギービームのパワー密度を変化させること
を特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項９】請求項１記載の情報記録媒体の初期化方
法において、情報記録媒体を所定の温度で１時間〜５時
間、アニールすることを特徴とする情報記録媒体の初期
化方法。