JPH09167730A - Superpose accuracy measuring method and superpose decision method employing it - Google Patents
Superpose accuracy measuring method and superpose decision method employing itInfo
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- JPH09167730A JPH09167730A JP7325906A JP32590695A JPH09167730A JP H09167730 A JPH09167730 A JP H09167730A JP 7325906 A JP7325906 A JP 7325906A JP 32590695 A JP32590695 A JP 32590695A JP H09167730 A JPH09167730 A JP H09167730A
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- alignment mark
- predetermined gradation
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、パターンの重ね合
せ精度測定方法に係り、特に、半導体製造におけるステ
ッパによるパターニングの後に行うパターンの重ね合せ
精度測定方法及びそれを用いたパターンの重ね合せ判定
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern overlay accuracy measuring method, and more particularly to a pattern overlay accuracy measuring method performed after patterning by a stepper in semiconductor manufacturing and a pattern overlay determining method using the same. It is about.
【０００２】[0002]
【従来の技術】パターンの重ね合わせ精度測定は、前工
程によって形成されたパターンに対して、現行程で形成
されたパターンの位置偏移量（ズレ）を測定し、前行程
のパターンと、現行程のパターンの重ね合わせ精度を測
定するものであるが、その方法の１つとして、ボックス
パターンを用いる方法がある。2. Description of the Related Art Pattern overlay accuracy is measured by measuring the positional deviation amount (deviation) of the pattern formed in the current process with respect to the pattern formed in the previous process, A method of using a box pattern is one of the methods for measuring the accuracy of pattern superposition.
【０００３】このボックスパターンを用いる方法は、前
行程で予め枠状のボックスパターンを形成し、次行程で
その枠の中にボックスパターンを形成する。すなわち、
図６に示すように、枠状のボックス（アウターボック
ス）パターン１を形成し、そのボックスパターン１の中
にボックス（インナーボックス）パターン２を形成す
る。In the method using this box pattern, a box-shaped box pattern is previously formed in the previous process, and a box pattern is formed in the frame in the next process. That is,
As shown in FIG. 6, a frame-shaped box (outer box) pattern 1 is formed, and a box (inner box) pattern 2 is formed in the box pattern 1.
【０００４】そこで、この重ね合わせ精度測定では、２
つのボックスパターンについて、それぞれ中心を求め、
その重ね合わせ偏移量（ズレ）を算出する。つまり、図
７に示すように、インナーボックスの中心点をＡ
（ｘ1 ，ｙ1 ）、アウターボックスの中心点をＢ
（ｘ2 ，ｙ2 ）とすると、この重ね合わせ偏移量（ズ
レ）は、Ｃ（ｘ方向偏移量＝ｘ2 −ｘ1 、ｙ方向偏移量
＝ｙ2 −ｙ1 ）となる。Therefore, in this overlay accuracy measurement, 2
Find the center of each of the two box patterns,
The overlay shift amount (deviation) is calculated. That is, as shown in FIG. 7, the center point of the inner box is A
(X 1 , y 1 ), B is the center point of the outer box
If (x 2, y 2) to, the superimposition shift amount (displacement) becomes C (x-direction shift amount = x 2 -x 1, y-direction shift amount = y 2 -y 1).
【０００５】以上の測定を、ウエハ１枚につき数カ所行
い、そのウエハの平均・３σの計算を行い、平均・３σ
を求め、重ね合わせ結果として本体ロットにフィードバ
ックするようにしている。The above measurement is carried out at several points for each wafer, and the average and 3σ of the wafer are calculated.
Is calculated, and the result of superposition is fed back to the main body lot.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の重ね合わせ精度測定方法では、各ボックスの測
定を行ってから、平均・３σの計算を行うため、測定開
始から結果が出るまで、長時間かかっていた。本発明
は、上記問題点を除去し、画像処理技術を導入し、重ね
合わせ精度測定時間を短縮し、効率的な重ね合せ精度測
定を行うことができる、パターンの重ね合わせ精度測定
方法及びそれを用いた重ね合わせ判定方法を提供するこ
とを目的とする。However, in the above-mentioned conventional overlay accuracy measuring method, since the average and 3σ are calculated after the measurement of each box, it takes a long time from the start of the measurement until the result is obtained. It was hanging. The present invention eliminates the above-mentioned problems, introduces an image processing technique, shortens the overlay accuracy measurement time, and can perform efficient overlay accuracy measurement, a pattern overlay accuracy measurement method and the same. It is an object of the present invention to provide an overlay judgment method used.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕パターンの重ね合せ精度測定方法において、
（ａ）ウエハ上の任意のショットについて、アライメン
トマーク（ボックスマーク）を画素に分割し、１画素あ
たりの明暗を所定（２５６）の階調の電流値に変換し、
この所定の階調の電流値を１つの画像メモリとして記憶
し、（ｂ）全測定ショット分の画像を取込み後、インナ
ーボックスの所定の階調の電流値の積分を行い、インナ
ーアライメントマーク（インナーボックス）の積層を行
い、（ｃ）その積層化されたインナーアライメントマー
クのＸ，Ｙの分布を相関係数として数値化するようにし
たものである。In order to achieve the above object, the present invention provides [1] a pattern overlay accuracy measuring method, comprising:
(A) For an arbitrary shot on the wafer, the alignment mark (box mark) is divided into pixels, and the brightness per pixel is converted into a current value of a predetermined (256) gradation,
The current value of the predetermined gradation is stored as one image memory, (b) after the images for all the measurement shots are captured, the current value of the predetermined gradation of the inner box is integrated, and the inner alignment mark (inner Boxes are stacked, and (c) the distribution of X and Y of the stacked inner alignment marks is digitized as a correlation coefficient.
【０００８】したがって、従来のように、アライメント
マークをＸ，Ｙ方向について計測し、平均・３σを求
め、それを更に、演算する方法と異なり、インナーアラ
イメントマークの像を画像メモリに取り込み、相関係数
を求めることにより、パターンの重ね合わせ精度を迅
速、かつ正確に測定することができる。 〔２〕パターンの重ね合せ判定方法において、（ａ）ウ
エハ上の任意のショットについて、アライメントマーク
（ボックスマーク）を画素に分割し、１画素あたりの明
暗を所定の階調の電流値に変換し、この所定の階調の電
流値を１つの画像メモリに記憶し、（ｂ）全測定ショッ
ト分の画像を取込み後、インナーアライメントマーク
（インナーボックス）の所定の階調の電流値の積分を行
い、インナーアライメントマークの積層を行い、（ｃ）
その積層化されたインナーアライメントマークのＸ，Ｙ
の分布を相関係数として数値化し、（ｄ）その管理値に
基づいて、パターンの重ね合わせ精度の合否を判定する
ようにしたものである。Therefore, unlike the conventional method, in which the alignment mark is measured in the X and Y directions, the average 3σ is calculated, and the calculated average is further calculated, the image of the inner alignment mark is fetched into the image memory and the correlation is obtained. By determining the number, the pattern overlay accuracy can be measured quickly and accurately. [2] In the pattern overlay determination method, (a) an alignment mark (box mark) is divided into pixels for an arbitrary shot on a wafer, and the brightness / darkness per pixel is converted into a current value of a predetermined gradation. The current value of the predetermined gradation is stored in one image memory, and (b) after capturing the images for all the measurement shots, the current value of the predetermined gradation of the inner alignment mark (inner box) is integrated. , Stack the inner alignment marks, (c)
X and Y of the laminated inner alignment marks
The distribution of is digitized as a correlation coefficient, and (d) the pass / fail of the pattern overlay accuracy is determined based on the control value.
【０００９】したがって、上記（１）に加えて、管理値
に基づいて重ね合わせの合否を判定することができる。 〔３〕パターンの重ね合せ判定方法において、（ａ）ウ
エハ上の任意のショットについて、アライメントマーク
（ボックスマーク）を画素に分割し、１画素あたりの明
暗を所定の階調の電流値に変換し、この所定の階調の電
流値を１つの画像に記憶し、（ｂ）全測定ショット分の
画像を取込み後、インナーアライメントマークの所定の
階調の電流値の積分を行い、インナーアライメントマー
クの積層を行い、（ｃ）その積層化されたインナーアラ
イメントマークのＸ，Ｙの分布を相関係数として数値化
し、（ｄ）その管理値に基づいて、パターンの重ね合わ
せ精度の合否を判定し、不合格の場合には、インナーア
ライメントマークの中心位置をアウターアライメントマ
ークの中心位置に合わせるように補正するようにしたも
のである。Therefore, in addition to the above (1), it is possible to determine whether or not the superposition is successful based on the control value. [3] In a pattern overlay determination method, (a) an alignment mark (box mark) is divided into pixels for an arbitrary shot on a wafer, and the brightness / darkness per pixel is converted into a current value of a predetermined gradation. The current value of the predetermined gradation is stored in one image, (b) after the images for all the measurement shots are captured, the current value of the predetermined gradation of the inner alignment mark is integrated to obtain the inner alignment mark. Stacking is performed, (c) the distribution of X and Y of the stacked inner alignment marks is converted into a numerical value as a correlation coefficient, and (d) the pass / fail of the pattern overlay accuracy is determined based on the control value. In the case of failure, the center position of the inner alignment mark is corrected to match the center position of the outer alignment mark.
【００１０】したがって、本体処理に先行して行われる
テスト露光において、そのパターンの重ね合わせ精度が
不合格の場合には、適切に補正することができる。Therefore, in the test exposure performed prior to the main body processing, if the overlay accuracy of the pattern is unacceptable, it can be appropriately corrected.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。 （１）まず、ウエハ上の任意のショットについて、ボッ
クスマークの画像認識を行う。すなわち、図１に示すよ
うに、ウエハ上の１つのボックスマーク（アウターボッ
クス１及びインナーボックス２）をＣＣＤにより、１０
２４×２０４８のピクセル（画素）３に分割し、１ピク
セルあたりの明暗を２５６階調の電流値に変換する。こ
れらの１０２４×２０４８ピクセル分の２５６階調の電
流値を１つの画像メモリとして記憶させる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (1) First, the box mark image is recognized for an arbitrary shot on the wafer. That is, as shown in FIG. 1, one box mark (outer box 1 and inner box 2) on the wafer can be read by the CCD.
The pixel is divided into 24 × 2048 pixels (pixels) 3, and the brightness per pixel is converted into a current value of 256 gradations. The current values of 256 gradations corresponding to these 1024 × 2048 pixels are stored as one image memory.
【００１２】つまり、１画像＝１０２４×２０４８＝２
０９７１５２（ピクセル）であり、これが１画像メモリ
に記憶される。 （２）次に、全測定ショット分の画像を取込み後、デー
タ解析に移る。すなわち、ボックスパターンは全て同一
形状であるため、ウエハ内の合せのばらつきはアウター
ボックス１の内側に形成されるインナーボックス２の位
置のばらつきとなって現れる。図２にそのインナーボッ
クス２の積層化について示す。That is, one image = 1024 × 2048 = 2
097152 (pixels), which is stored in one image memory. (2) Next, after capturing images for all the measurement shots, the data analysis is performed. That is, since all the box patterns have the same shape, variations in alignment within the wafer appear as variations in the position of the inner box 2 formed inside the outer box 1. FIG. 2 shows the lamination of the inner box 2.
【００１３】図２（ａ）に示すようなボックス単体１１
（ｎ＝１）を、図２（ｂ）に示すように、例えば、３ボ
ックス（ｎ＝３）１２を重ね合わせると、図２（ｃ）に
示すように、その積層化したパターン１３はボックス単
体１１に比べ、面積が広く、パターンを認識した画素の
分布はボックス単体１１に比べて広くなる。 （３）次に、Ｘ，Ｙの分布を相関係数（ｒ）として数値
化する。図３はその積層化後の画素分布を示す図であ
る。A single box 11 as shown in FIG.
When (n = 1) is overlapped with, for example, 3 boxes (n = 3) 12 as shown in FIG. 2B, the laminated pattern 13 is boxed as shown in FIG. 2C. The area is wider than that of the single body 11, and the distribution of pixels that have recognized the pattern is wider than that of the single body box 11. (3) Next, the distribution of X and Y is digitized as a correlation coefficient (r). FIG. 3 is a diagram showing the pixel distribution after the lamination.
【００１４】この相関係数（ｒ）を求める式を以下に示
す。The formula for obtaining this correlation coefficient (r) is shown below.
【００１５】[0015]
【数１】 [Equation 1]
【００１６】Ｎは画素数、σX はＣＣＤ上のＸのバラツ
キ、σY はＣＣＤ上のＹのバラツキを示している。この
ようにして求められる相関係数（ｒ）は、ちらばり（偏
移）の広がりを示しており、この相関係数（ｒ）に管理
値（例えば、−１≦ｒ≦１）を設定すると、現状の３σ
による管理と同様な重ね合わせずれの管理が可能にな
る。N is the number of pixels, σ X is the variation of X on the CCD, and σ Y is the variation of Y on the CCD. The correlation coefficient (r) thus obtained indicates the spread of the variation (shift), and when a control value (for example, −1 ≦ r ≦ 1) is set to this correlation coefficient (r). , The current 3σ
It is possible to manage overlay misalignment similar to the management by.
【００１７】以下、このパターンの重ね合わせ精度測定
方法について詳細に説明する。まず、ウエハ上で複数の
決められたショット（通常７〜１０ショット）内のイン
ナーボックスマーク像を、ＣＣＤを用いて画像メモリに
取り込む。全ボックスマークの画像取込みが終了した
ら、ボックスマークの積層化処理を行う。積層化処理
後、そのＸ，Ｙの画素の分布について、相関係数（ｒ）
を計算する。例えば、管理値を０．５≦ｒ≦１とした場
合、得られた相関係数が０．３であった場合は管理値外
れとなる。The method for measuring the overlay accuracy of this pattern will be described in detail below. First, the inner box mark images in a plurality of predetermined shots (usually 7 to 10 shots) on the wafer are captured in the image memory using the CCD. When the image capture of all the box marks is completed, the box marks are laminated. After the lamination process, the correlation coefficient (r) is calculated for the distribution of the X and Y pixels.
Is calculated. For example, when the management value is 0.5 ≦ r ≦ 1, and when the obtained correlation coefficient is 0.3, the management value is out of range.
【００１８】次に、本体処理に先行して行われるテスト
露光によって重ね合せ偏移量を補正する方法について説
明する。画像メモリに取り込まれたインナーボックスマ
ーク像をＸ，Ｙについて平均化する。インナーボックス
画像を積層化する前の段階で、図４に示すように、それ
ぞれのボックスの中心（それぞれボックスの両端を認識
した画素の中心）を求める。つまり、ＣＣＤを用いた画
像メモリのピクセル毎の２５６階調の電流値により瞬時
に求めることができる。Next, a method of correcting the overlay deviation amount by the test exposure performed prior to the main body processing will be described. The inner box mark images captured in the image memory are averaged for X and Y. Before stacking the inner box images, as shown in FIG. 4, the centers of the respective boxes (the centers of the pixels which have recognized both ends of the boxes) are obtained. That is, it can be instantly obtained from the current value of 256 gradations for each pixel of the image memory using the CCD.
【００１９】次に、全ボックスについてのそのボックス
中心の平均となる座標を求める。この場合にも、全ボッ
クスの中心の平均を各画像メモリに基づいて瞬時に求め
ることができる。つまり、相関係数（ｒ）が求められ
る。この座標と、図５に示すように、アウターボックス
（マシーンとしてのステッパーに対応）について同様に
得られた中心（外枠ボックスについては中心となる座標
を統一する）との偏移量を合せの偏移量とする。Next, the average coordinates of the box centers of all boxes are obtained. Also in this case, the average of the centers of all boxes can be instantly obtained based on each image memory. That is, the correlation coefficient (r) is obtained. As shown in FIG. 5, the deviation amount between the coordinates and the center obtained in the same way for the outer box (corresponding to the stepper as a machine) (for the outer box, the central coordinates are unified) is adjusted. The shift amount.
【００２０】上記したように、相関係数（ｒ）を求め、
これに管理値を考慮することにより、管理値外れの場合
には、重ね合せ偏移量を補正した上で、本体ロットに戻
すようにすることができる。なお、上記実施例では１ピ
クセルあたりの明暗を２５６階調の電流値を用いるもの
として説明したが、これに限定されるものではなく。所
定の階調をもって足りるものである。As described above, the correlation coefficient (r) is calculated,
By considering the control value in this case, when the control value is deviated, it is possible to correct the overlay shift amount and then return it to the main lot. In the above-described embodiment, the brightness and darkness per pixel is described as using the current value of 256 gradations, but the invention is not limited to this. A predetermined gradation is sufficient.
【００２１】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made based on the spirit of the present invention, and these modifications are not excluded from the scope of the present invention.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、従来のように、ボ
ックスマークをＸ，Ｙ方向について計測し、平均・３σ
を求め、それを更に、演算する方法と異なり、インナー
ボックスマークの像を画像メモリに取り込み、相関係数
を求めることにより、パターンの重ね合わせ精度を迅
速、かつ正確に測定することができる。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the invention described in claim 1, the box mark is measured in the X and Y directions as in the prior art, and the average of 3σ
Differently from the method of calculating, the image of the inner box mark is loaded into the image memory and the correlation coefficient is calculated, so that the pattern overlay accuracy can be measured quickly and accurately.
【００２３】（２）請求項２記載の発明によれば、上記
（１）に加えて、管理値に基づいて重ね合わせの合否を
判定することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、本体処理に先行し
て行われるテスト露光において、そのパターンの重ね合
わせ精度が不合格の場合には、適切に補正することがで
きる。(2) According to the second aspect of the present invention, in addition to the above (1), it is possible to determine whether or not the superposition is successful based on the control value. (3) According to the invention described in claim 3, in the test exposure performed prior to the main body processing, when the overlay accuracy of the pattern is unacceptable, it can be appropriately corrected.
【図１】本発明の実施例を示すボックスマークの画像メ
モリへの記憶の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of storage of a box mark in an image memory according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を示すインナーボックスマーク
の積層化の説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of stacking inner box marks according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例を示すインナーボックスマーク
の積層化後の画素分布を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a pixel distribution after stacking inner box marks according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例を示すインナーボックスマーク
の積層時の平均化処理の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of averaging processing when stacking inner box marks according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例を示すインナーボックスマーク
の補正の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of correction of an inner box mark showing an embodiment of the present invention.
【図６】従来のボックスパターンの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional box pattern.
【図７】従来のボックスパターンの合わせズレの説明図
である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional box pattern misalignment.
１ アウターボックス ２ インナーボックス ３ 画素 １１ ボックス単体 １３ 積層化したパターン 1 Outer Box 2 Inner Box 3 Pixels 11 Box Single Unit 13 Stacked Pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｆ 15/70 ４６０Ａ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location G06F 15/70 460A
Claims (3)
て、（ａ）ウエハ上の任意のショットについて、アライ
メントマークを画素に分割し、１画素あたりの明暗を所
定の階調の電流値に変換し、該所定の階調の電流値を１
つの画像メモリに記憶し、（ｂ）全測定ショット分の画
像を取込み後、インナーアライメントマークの所定の階
調の電流値の積分を行い、インナーアライメントマーク
の積層を行い、（ｃ）該積層化されたインナーアライメ
ントマークのＸ，Ｙの分布を相関係数として数値化する
ことを特徴とするパターンの重ね合わせ精度測定方法。1. A pattern overlay accuracy measuring method, comprising: (a) dividing an alignment mark into pixels for an arbitrary shot on a wafer, converting the brightness of each pixel into a current value of a predetermined gradation, The current value of the predetermined gradation is 1
One image memory, and (b) after capturing images for all the measurement shots, integrating the current value of the inner alignment mark at a predetermined gradation to stack the inner alignment marks, and (c) stacking A method for measuring overlay accuracy of a pattern, wherein the distribution of X and Y of the formed inner alignment mark is digitized as a correlation coefficient.
（ａ）ウエハ上の任意のショットについて、アライメン
トマークを画素に分割し、１画素あたりの明暗を所定の
階調の電流値に変換し、該所定の階調の電流値を１つの
画像メモリに記憶し、（ｂ）全測定ショット分の画像を
取込み後、インナーアライメントマークの所定の階調の
電流値の積分を行い、インナーアライメントマークの積
層を行い、（ｃ）該積層化されたインナーアライメント
マークのＸ，Ｙの分布を相関係数として数値化し、
（ｄ）その管理値に基づいて、パターンの重ね合わせ精
度の合否を判定することを特徴とするパターンの重ね合
わせ判定方法。2. A method for determining pattern overlap,
(A) For an arbitrary shot on the wafer, the alignment mark is divided into pixels, the brightness per pixel is converted into a current value of a predetermined gradation, and the current value of the predetermined gradation is stored in one image memory. After storing, (b) the images for all the measurement shots, the current value of the inner alignment mark at a predetermined gradation is integrated to stack the inner alignment marks, and (c) the stacked inner alignment marks. Numericalize the distribution of X and Y of the mark as a correlation coefficient,
(D) A pattern overlay determination method characterized by determining pass / fail of pattern overlay accuracy based on the control value.
（ａ）ウエハ上の任意のショットについて、アライメン
トマークを画素に分割し、１画素あたりの明暗を所定の
階調の電流値に変換し、該所定の階調の電流値を１つの
画像に記憶し、（ｂ）全測定ショット分の画像を取込み
後、インナーアライメントマークの所定の階調の電流値
の積分を行い、インナーアライメントマークの積層を行
い、（ｃ）該積層化されたインナーアライメントマーク
のＸ，Ｙの分布を相関係数として数値化し、（ｄ）その
管理値に基づいて、パターンの重ね合わせ精度の合否を
判定し、不合格の場合には、インナーアライメントマー
クの中心位置をアウターアライメントマークの中心位置
に合わせるように補正することを特徴とするパターンの
重ね合わせ判定方法。3. A method for determining pattern overlap,
(A) For an arbitrary shot on the wafer, the alignment mark is divided into pixels, the brightness per pixel is converted into a current value of a predetermined gradation, and the current value of the predetermined gradation is stored in one image. Then, (b) after capturing images for all the measurement shots, the current value of the inner alignment mark at a predetermined gradation is integrated to stack the inner alignment marks, and (c) the stacked inner alignment marks. The distribution of X and Y is numerically converted as a correlation coefficient, and (d) the pass / fail of the pattern overlay accuracy is determined based on the control value. If the result is unsuccessful, the center position of the inner alignment mark is set to the outer position. A pattern overlay determination method characterized by performing correction so as to align with the center position of an alignment mark.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7325906A JPH09167730A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Superpose accuracy measuring method and superpose decision method employing it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7325906A JPH09167730A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Superpose accuracy measuring method and superpose decision method employing it |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167730A true JPH09167730A (en) | 1997-06-24 |
Family
ID=18181921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7325906A Withdrawn JPH09167730A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | Superpose accuracy measuring method and superpose decision method employing it |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167730A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6801313B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nec Electronics Corporation | Overlay mark, method of measuring overlay accuracy, method of making alignment and semiconductor device therewith |
| CN112838019A (en) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 格科微电子（上海）有限公司 | Alignment detection method for wafer bonding |
| CN117234039A (en) * | 2023-03-27 | 2023-12-15 | 魅杰光电科技(上海)有限公司 | Gray value change measurement method and system for wafer alignment object |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP7325906A patent/JPH09167730A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |