JPH09162497A - Semiconductor laser device and semiconductor laser element used therefor - Google Patents
Semiconductor laser device and semiconductor laser element used thereforInfo
- Publication number
- JPH09162497A JPH09162497A JP32288195A JP32288195A JPH09162497A JP H09162497 A JPH09162497 A JP H09162497A JP 32288195 A JP32288195 A JP 32288195A JP 32288195 A JP32288195 A JP 32288195A JP H09162497 A JPH09162497 A JP H09162497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- mirror surface
- reflecting mirror
- laser device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンピュー
タシステムのデータを記憶、あるいは音楽・映像データ
などを記録再生する光ディスク装置の光ピックアップな
どに適用して好適な、半導体レーザ装置およびそれに使
用する半導体レーザ素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device suitable for application to, for example, an optical pickup of an optical disk device for storing data of a computer system or recording / reproducing music / video data, and a semiconductor used therein. Regarding a laser device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、光ディスク装置で用いられる、光
ピックアップに内蔵される半導体レーザ装置は、光ディ
スクからの変調光を受光する受光素子を、半導体レーザ
素子と同一パッケージに内蔵するものが主流となってい
る。2. Description of the Related Art In recent years, a semiconductor laser device used in an optical disk device, which is built in an optical pickup, has a light receiving element for receiving the modulated light from the optical disk in the same package as the semiconductor laser device. ing.
【０００３】この従来の半導体レーザ装置に内蔵され
る、半導体レーザ素子の構造を図８に示す。半導体レー
ザ素子８の反射鏡面８Ａ、反射鏡面８Ｂには、ともに厚
さλ／２（λはレーザ光の波長）のＡｌ2 Ｏ3 膜８１が
コーティングされ、反射率はともに約３２％である。す
なわち反射鏡面８Ａのレーザ出力をＰａ、反射鏡面８Ｂ
のレーザ出力をＰｂとすると、 Ｐａ：Ｐｂ＝１：１ である。FIG. 8 shows the structure of a semiconductor laser device incorporated in this conventional semiconductor laser device. The reflection mirror surface 8A and the reflection mirror surface 8B of the semiconductor laser device 8 are both coated with an Al 2 O 3 film 81 having a thickness of λ / 2 (λ is the wavelength of the laser beam), and the reflectance is about 32%. That is, the laser output of the reflecting mirror surface 8A is Pa, and the reflecting mirror surface 8B is
If the laser output of Pb is Pb, then Pa: Pb = 1: 1.
【０００４】この半導体レーザ素子を内蔵した半導体レ
ーザ装置において、レーザ出力ａは、光ディスクに導か
れて反射され、その変調光を半導体レーザ素子に隣接し
て設置された多分割受光素子にて受光する。In the semiconductor laser device incorporating this semiconductor laser element, the laser output a is guided to the optical disk and reflected, and the modulated light is received by the multi-division light receiving element installed adjacent to the semiconductor laser element. .
【０００５】一方、レーザ出力Ｐｂは、レーザ出力のオ
ートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行うために、他の
受光素子にて受光され、そのモニタ電流に基づきオート
パワーコントロール（ＡＰＣ）される。On the other hand, the laser output Pb is received by another light receiving element in order to perform automatic power control (APC) of the laser output, and is automatically power controlled (APC) based on the monitor current.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ素子８の
反射鏡面８Ｂから放射するレーザ光Ｐｂは反射鏡面８Ａ
から放射するレーザ光Ｐａと同じ強度であり、その大部
分は、パッケージ内部で、散乱・乱反射し、隣接する多
分割受光素子に信号光以外の迷光として入射する。この
ため多分割受光素子に入射する迷光量は非常に多くな
る。The laser light Pb emitted from the reflecting mirror surface 8B of the semiconductor laser element 8 is reflected by the reflecting mirror surface 8A.
The intensity is the same as that of the laser beam Pa radiated from, and most of it is scattered / diffusely reflected inside the package and is incident on the adjacent multi-divided light receiving element as stray light other than the signal light. Therefore, the amount of stray light entering the multi-divided light receiving element becomes very large.
【０００７】この多分割受光素子は、光ディスクからの
変調光を受光して、信号電流に変換する機能を有するの
で、迷光による不要な電流が発生すると、信号電流に対
する、オフセットとなり、ジッタの発生や、サーボ誤動
作などの問題を生ずる。したがって、良好な信号特性を
得るためには、光ピックアップに迷光量キャンセル回路
を搭載しなければならなかった。このため光ピックアッ
プは形状が大きく、かつ高価になるという問題があっ
た。Since this multi-divided light receiving element has a function of receiving the modulated light from the optical disk and converting it into a signal current, when an unnecessary current due to stray light is generated, it becomes an offset with respect to the signal current and causes jitter. However, problems such as servo malfunction may occur. Therefore, in order to obtain good signal characteristics, the stray light amount cancel circuit must be mounted on the optical pickup. Therefore, there is a problem that the optical pickup has a large shape and is expensive.
【０００８】本発明は上記問題を解決するもので、簡易
な構造で、信号特性の良好な光ピックアップを得るため
に、半導体レーザ装置内部での迷光を減らし、信号光と
して利用しないレーザ光を放射する反射鏡面（反射鏡面
８Ｂ）から放射するレーザ光の少ない半導体レーザ装置
およびそれに使用する半導体レーザ素子を提供すること
を目的とする。The present invention solves the above problems, and in order to obtain an optical pickup having a simple structure and good signal characteristics, stray light inside the semiconductor laser device is reduced and laser light not used as signal light is emitted. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device that emits less laser light from a reflecting mirror surface (reflecting mirror surface 8B) and a semiconductor laser element used therefor.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、
光共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射
鏡面とを有する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ
素子の第１の反射鏡面から放射されたレーザ光が光記録
媒体にて反射して戻って来たレーザ光を受光する第１の
受光素子と、前記半導体レーザ素子の前記第１の反射鏡
面と対向する第２の反射鏡面から放射されたレーザ光を
受光するレーザ出力制御用の第２の受光素子と、前記半
導体レーザ素子と第１の受光素子と第２の受光素子とを
内包するカバーとを備えた半導体レーザ装置において、
前記第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、
前記レーザ出力制御用の第２の受光素子にて検出可能
で、かつ前記第１の受光素子に対する迷光とならない範
囲に制御されていることを特徴とする。In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to claim 1 of the present invention comprises:
A semiconductor laser element having a first reflecting mirror surface and a second reflecting mirror surface for forming an optical resonator, and laser light emitted from the first reflecting mirror surface of the semiconductor laser element is reflected by an optical recording medium. And a laser output control for receiving the laser light emitted from the first light receiving element for receiving the returned laser light and the second light reflecting surface of the semiconductor laser element facing the first light reflecting mirror surface. A semiconductor laser device comprising: a second light receiving element, and a cover that includes the semiconductor laser element, the first light receiving element, and the second light receiving element,
The output of the laser beam emitted from the second reflecting mirror surface is
The second light receiving element for controlling the laser output is capable of being detected, and the second light receiving element for controlling the laser output is controlled to a range that does not become stray light with respect to the first light receiving element.
【００１０】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、請求項１に記載の半導体レーザ装置を構成する手
段において、半導体レーザ素子と第１の受光素子と第２
の受光素子とを内包するカバーの内壁面が、第２の反射
鏡面から放射されたレーザ光によって迷光を生じないよ
うな低反射率に形成されていることを特徴とする。A semiconductor laser device according to a second aspect of the present invention is the semiconductor laser device according to the first aspect, which comprises the semiconductor laser element, the first light receiving element, and the second light receiving element.
The inner wall surface of the cover including the light receiving element is formed with a low reflectance so that stray light is not generated by the laser light emitted from the second reflecting mirror surface.
【００１１】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装
置を構成する手段において、半導体レーザ素子の第２の
反射鏡面の反射率が６５％ないし８３％であることを特
徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor laser device according to the first or second aspect, the semiconductor laser device has a reflectance of 65 on the second reflecting mirror surface of the semiconductor laser element. % To 83%.
【００１２】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、請求項１ないし３のいずれかの項に記載の半導体
レーザ装置に使用される半導体レーザ素子において、光
共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射鏡
面とを有し、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティ
ングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティ
ングされたことを特徴とする。A semiconductor laser device according to a fourth aspect of the present invention is used for forming an optical resonator in the semiconductor laser device used in the semiconductor laser device according to any one of the first to third aspects. A first reflecting mirror surface and a second reflecting mirror surface, wherein the first reflecting mirror surface is coated with a single-layer reflecting film, and the second reflecting mirror surface is coated with a plurality of layers of reflecting film. To do.
【００１３】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、請求項４に記載の半導体レーザ素子を構成する手
段において、第２の反射鏡面が、厚さλ／４（λはレー
ザ光の波長）の反射膜を３層コーティングされたことを
特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor laser device according to the fourth aspect, wherein the second reflecting mirror surface has a thickness of λ / 4 (λ is a laser beam). It is characterized by being coated with three layers of a reflection film of wavelength).
【００１４】上記構成手段を備えたことによって、本発
明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、半導体レー
ザ素子の第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力
が、レーザ出力制御用の第２の受光素子で検出可能で、
かつ第１の受光素子に対する迷光とならない範囲に制御
されるので、迷光による不要な迷光電流を低減すること
ができる。このためジッタの発生が抑えられて、光ピッ
クアップの信号特性が良好となり、サーボ誤動作などが
生じなくなる。Since the semiconductor laser device according to claim 1 of the present invention is provided with the above-mentioned configuration means, the output of the laser beam emitted from the second reflecting mirror surface of the semiconductor laser element is for laser output control. It can be detected by the second light receiving element,
Moreover, since the control is performed within a range that does not cause stray light to the first light receiving element, it is possible to reduce unnecessary stray light current due to stray light. Therefore, the occurrence of jitter is suppressed, the signal characteristics of the optical pickup are improved, and the servo malfunction does not occur.
【００１５】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、上述のようにカバーの内壁面が、第２の反射鏡面
から放射されたレーザ光によって迷光を生じないような
低反射率に形成されているので、光ピックアップに迷光
量キャンセル回路を搭載する必要がない。したがって、
光ピックアップを小型軽量にでき、かつ安価に提供でき
る。In the semiconductor laser device according to the second aspect of the present invention, as described above, the inner wall surface of the cover is formed to have a low reflectance so that stray light is not generated by the laser light emitted from the second reflecting mirror surface. Therefore, it is not necessary to mount a stray light amount cancel circuit on the optical pickup. Therefore,
The optical pickup can be made compact and lightweight and can be provided at low cost.
【００１６】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、上述のように半導体レーザ素子の第２の反射鏡面
の反射率が６５％ないし８３％であるので、第２の反射
鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御
用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子
に対する迷光とならない範囲に制御される。また同じレ
ーザ光出力を得るための動作電流が低減する。したがっ
て、光ピックアップの信号特性が良好となり、かつ消費
電力を少なくすることができる。In the semiconductor laser device according to the third aspect of the present invention, since the reflectance of the second reflecting mirror surface of the semiconductor laser element is 65% to 83% as described above, the semiconductor laser device emits light from the second reflecting mirror surface. The output of the generated laser light is controlled in a range that can be detected by the second light receiving element for controlling the laser output and does not become stray light with respect to the first light receiving element. Also, the operating current for obtaining the same laser light output is reduced. Therefore, the signal characteristics of the optical pickup can be improved and the power consumption can be reduced.
【００１７】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、上述のように第１の反射鏡面が単層の反射膜をコ
ーティングされ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコ
ーティングされた構造としているので、第１の反射鏡面
からのレーザ光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出
力よりも大きくなり、かつ動作電流が低減する。したが
って、半導体レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を
低減することができ、かつ消費電力を少なくすることが
できる。In the semiconductor laser device according to the fourth aspect of the present invention, as described above, the first reflecting mirror surface is coated with a single-layer reflecting film, and the second reflecting mirror surface is coated with a plurality of layers of reflecting film. With this structure, the laser light output from the first reflecting mirror surface becomes larger than the laser light output from the second reflecting mirror surface, and the operating current is reduced. Therefore, when incorporated in a semiconductor laser device, stray light current can be reduced and power consumption can be reduced.
【００１８】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、上述のように第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反
射膜を３層コーティングされた構造としているので、製
膜のコストに対して、得られる効果が最も大きい。した
がって、安価に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少な
い半導体レーザ素子を製造することができる。In the semiconductor laser device according to the fifth aspect of the present invention, as described above, the second reflecting mirror surface has a structure in which three layers of the reflecting film having the thickness of λ / 4 are coated, so that the film forming process is performed. The greatest effect can be obtained with respect to cost. Therefore, it is possible to inexpensively manufacture a semiconductor laser device with a small stray light current and a low power consumption.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】図２は、本発明の実施の形態の半
導体レーザ装置の外観を示す。ステム２１上をカバー２
２が覆い、カバー２２上には回折格子２５を有するガラ
ス素子２４が埋め込まれている。ステム２１からはリー
ド端子２３が出ている。本半導体レーザ装置は光ディス
クからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージに内蔵している。FIG. 2 shows the appearance of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention. Cover the top of the stem 2
2, and a glass element 24 having a diffraction grating 25 is embedded on the cover 22. A lead terminal 23 extends from the stem 21. This semiconductor laser device incorporates a multi-divided light receiving element that receives modulated light from an optical disk in the same package.
【００２０】図３は、上記半導体レーザ装置の内部構造
を示す。ステム２１上には、シリコン基板３４が固定設
置され、シリコン基板３４上には、半導体レーザ素子３
と受光素子３５（第２の受光素子）とがダイボンディン
グされている。半導体レーザ素子３の前方にはミラー３
６が設置され、半導体レーザ素子３の単層膜コーティン
グされた反射鏡面Ａから放射されたレーザ光３２を反射
して、回折格子２５の方へ導く。また半導体レーザ素子
３の多層膜コーティングされた反射鏡面Ｂから放射され
たレーザ光３３の一部は、受光素子３５にて受光され、
そのモニタ電流はレーザ出力のオートパワーコントロー
ル（ＡＰＣ）に利用される。また、シリコン基板３４に
隣接して、光ディスクからの変調光を受光する多分割受
光素子３７（第１の受光素子）がダイボンディングされ
ている。FIG. 3 shows the internal structure of the semiconductor laser device. A silicon substrate 34 is fixedly installed on the stem 21, and the semiconductor laser device 3 is mounted on the silicon substrate 34.
And the light receiving element 35 (second light receiving element) are die-bonded. A mirror 3 is provided in front of the semiconductor laser device 3.
6 is installed to reflect the laser light 32 emitted from the reflecting mirror surface A coated with the single layer film of the semiconductor laser element 3 and guide it toward the diffraction grating 25. Further, a part of the laser beam 33 emitted from the reflecting mirror surface B coated with the multilayer film of the semiconductor laser element 3 is received by the light receiving element 35,
The monitor current is used for automatic power control (APC) of laser output. Further, adjacent to the silicon substrate 34, a multi-divided light receiving element 37 (first light receiving element) for receiving the modulated light from the optical disc is die-bonded.
【００２１】図１に上記半導体レーザ装置に内蔵される
半導体レーザ素子の構造を示す。半導体レーザ素子３の
反射鏡面Ａには、厚さλ／２（λは波長）のＡｌ2 Ｏ3
膜１ａがコーティングされ、反射率は約３２％である。
反射鏡面Ｂには、厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜１と、厚さ
λ／４のアモルファスシリコン膜２とが交互にコーティ
ングされ、反射率は７５％以上である。FIG. 1 shows the structure of a semiconductor laser device incorporated in the semiconductor laser device. On the reflecting mirror surface A of the semiconductor laser device 3, Al 2 O 3 having a thickness of λ / 2 (λ is a wavelength) is formed.
The film 1a is coated and the reflectance is about 32%.
The reflecting mirror surface B is alternately coated with an Al 2 O 3 film 1 having a thickness of λ / 4 and an amorphous silicon film 2 having a thickness of λ / 4, and has a reflectance of 75% or more.
【００２２】上記構造によって、反射鏡面Ａから放射す
るレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射するレーザ出
力は、１／２〜１／５と低減する。すなわち反射鏡面Ａ
のレーザ出力をａ、反射鏡面Ｂのレーザ出力をｂとする
と、 ｂ＝（１／２〜１／５）×ａ となる。With the above structure, the laser output emitted from the reflecting mirror surface A is reduced to 1/2 to 1/5 of the laser output emitted from the reflecting mirror surface A. That is, the reflecting mirror surface A
Where a is the laser output and b is the laser output of the reflecting mirror surface B, then b = (1/2 to 1/5) × a.
【００２３】次に、上記半導体レーザ素子３を組み込ん
だ半導体レーザ装置の迷光量と半導体レーザ素子３の動
作電流について説明する。Next, the amount of stray light of the semiconductor laser device incorporating the semiconductor laser element 3 and the operating current of the semiconductor laser element 3 will be described.
【００２４】図４は、半導体レーザ素子３の反射鏡面Ｂ
の反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ光の
一部を受光素子３５にて受光したときのモニタ電流との
関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十ない
し百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測定
して得られたデータである。中央の折れ線４０は、測定
の平均値を示し、上側の折れ線４１は最大値、下側の折
れ線４２は最小値を示す。FIG. 4 shows a reflecting mirror surface B of the semiconductor laser device 3.
And the monitor current when a part of the laser light emitted from the reflecting mirror surface B is received by the light receiving element 35. The vertical axis is a logarithmic display. This figure shows data obtained by measuring several tens to hundreds of semiconductor laser device samples. The center polygonal line 40 shows the average value of the measurement, the upper polygonal line 41 shows the maximum value, and the lower polygonal line 42 shows the minimum value.
【００２５】ここにモニタ電流に基づき、レーザ出力の
オートパワーコントロール（ＡＰＣ）を行う場合のモニ
タ電流の下限値は０．００１５ｍＡ程度となる。これ
は、ＡＰＣ用ＩＣの種類によっても異なるが、一般に安
価なＩＣで量産できるものは、この程度の値となるから
である。この０．００１５ｍＡに対応する反射鏡面Ｂの
反射率の上限は、最小値を示す折れ線４２にて８３％で
ある。Here, the lower limit value of the monitor current when performing automatic power control (APC) of the laser output based on the monitor current is about 0.0015 mA. This is because, although it varies depending on the type of IC for APC, generally inexpensive ICs that can be mass-produced have values of this level. The upper limit of the reflectance of the reflecting mirror surface B corresponding to 0.0015 mA is 83% at the polygonal line 42 showing the minimum value.
【００２６】次に図５は、半導体レーザ素子３の反射鏡
面Ｂの反射率と、この反射鏡面Ｂから放射されたレーザ
光が、半導体レーザ装置内部で散乱、乱反射して多分割
受光素子３７にて迷光として受光したときの迷光電流と
の関係を示す。縦軸は対数表示である。本図は、数十な
いし百個程度の半導体レーザ素子のサンプルについて測
定して得られたデータである。中央の折れ線５０は、測
定の平均値を示し、上側の折れ線５１は最大値、下側の
折れ線５２は最小値を示す。Next, FIG. 5 shows the reflectance of the reflecting mirror surface B of the semiconductor laser element 3 and the laser light emitted from the reflecting mirror surface B scattered and irregularly reflected inside the semiconductor laser device, and is reflected by the multi-division light receiving element 37. Shows the relationship with the stray light current when received as stray light. The vertical axis is a logarithmic display. This figure shows data obtained by measuring several tens to hundreds of semiconductor laser device samples. The center line 50 shows the average value of the measurement, the upper line 51 shows the maximum value, and the lower line 52 shows the minimum value.
【００２７】本発明の半導体レーザ素子３は、反射鏡面
Ａから放射するレーザ出力に対し、反射鏡面Ｂから放射
するレーザ出力の比が、１／２〜１／５と低いことか
ら、半導体レーザ素子内部で生じた光の誘導放出が、効
率よく反射鏡面Ａから放射する。このため本図に示され
るように反射鏡面Ｂの反射率の増加に伴い、迷光電流は
低下する。In the semiconductor laser device 3 of the present invention, the ratio of the laser output emitted from the reflecting mirror surface A to the laser output emitted from the reflecting mirror surface A is as low as 1/2 to 1/5. The stimulated emission of light generated inside efficiently radiates from the reflecting mirror surface A. Therefore, as shown in this figure, the stray light current decreases as the reflectance of the reflecting mirror surface B increases.
【００２８】ここに多分割受光素子３７にて、迷光電流
が信号電流に悪影響を及ぼさない範囲は、最大で０．１
μＡ程度である。この０．１μＡに対応する反射鏡面Ｂ
の反射率は、最大値を示す折れ線５１にて６５％であ
る。Here, in the multi-divided light receiving element 37, the range in which the stray light current does not adversely affect the signal current is 0.1 at maximum.
It is about μA. Reflecting mirror surface B corresponding to this 0.1 μA
The reflectance is 65% at the polygonal line 51 showing the maximum value.
【００２９】上述の図４および図５から得られる結果よ
り、モニタ電流にてオートパワーコントロール（ＡＰ
Ｃ）ができ、かつ迷光電流が信号電流に悪影響を及ぼさ
ない反射鏡面Ｂの反射率の範囲は、６５〜８３％であ
る。From the results obtained from FIG. 4 and FIG. 5 described above, automatic power control (AP
The range of the reflectance of the reflecting mirror surface B in which C) is generated and the stray light current does not adversely affect the signal current is 65 to 83%.
【００３０】ここで、コーティング膜数と反射率との関
係を、表１に示す。Table 1 shows the relationship between the number of coating films and the reflectance.
【表１】 この表１より、反射率６５〜８３％を満足するのは、反
射率７５％のλ／４の３層コーティング膜のみとなる。[Table 1] From Table 1, it is only the λ / 4 three-layer coating film having the reflectance of 75% that satisfies the reflectance of 65 to 83%.
【００３１】次に、図６に、本発明の半導体レーザ素子
と従来の半導体レーザ素子との迷光電流の測定結果を示
す。図６（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の迷光電
流を示し、図６（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷
光電流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レ
ーザ素子のサンプルについて測定して得られたデータで
あり、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ
素子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに迷
光電流が低減している。Next, FIG. 6 shows measurement results of stray light currents of the semiconductor laser device of the present invention and the conventional semiconductor laser device. FIG. 6A shows the stray light current of the semiconductor laser device of the present invention, and FIG. 6B shows the stray light current of the conventional semiconductor laser device. This figure is data obtained by measuring about tens to hundreds of samples of the semiconductor laser device, and the vertical axis represents the number of samples. Compared with the conventional semiconductor laser device, the semiconductor laser device of the present invention has a clearly reduced stray light current.
【００３２】図７には、本発明の半導体レーザ素子と従
来の半導体レーザ素子との動作電流の測定結果を示す。
図７（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の動作電流を
示し、図７（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す。本図は、数十ないし百個程度の半導体レーザ
素子のサンプルについて測定して得られたデータであ
り、縦軸は、サンプル数を表す。従来の半導体レーザ素
子に比べ、本発明の半導体レーザ素子は、明らかに動作
電流が低減している。FIG. 7 shows the measurement results of the operating currents of the semiconductor laser device of the present invention and the conventional semiconductor laser device.
FIG. 7A shows the operating current of the semiconductor laser device of the present invention, and FIG. 7B shows the operating current of the conventional semiconductor laser device. This figure is data obtained by measuring about tens to hundreds of samples of the semiconductor laser device, and the vertical axis represents the number of samples. The operating current of the semiconductor laser device of the present invention is obviously lower than that of the conventional semiconductor laser device.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
に記載の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の第２
の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、レーザ出
力制御用の第２の受光素子で検出可能で、かつ第１の受
光素子に対する迷光とならない範囲に制御されるので、
迷光による不要な迷光電流を低減することができる。こ
のためジッタの発生が抑えられて、光ピックアップの信
号特性が良好となり、サーボ誤動作などが生じなくな
る。As described above, according to the first aspect of the present invention,
The semiconductor laser device described in 1) is a semiconductor laser device having a second semiconductor laser device.
Since the output of the laser light emitted from the reflecting mirror surface of is detectable by the second light receiving element for controlling the laser output and is controlled to a range that does not become stray light for the first light receiving element,
Unwanted stray light current due to stray light can be reduced. Therefore, the occurrence of jitter is suppressed, the signal characteristics of the optical pickup are improved, and the servo malfunction does not occur.
【００３４】本発明の請求項２に記載の半導体レーザ装
置は、カバーの内壁面が、第２の反射鏡面から放射され
たレーザ光によって迷光を生じないような低反射率に形
成されているので、光ピックアップに迷光量キャンセル
回路を搭載する必要がない。したがって、光ピックアッ
プを小型軽量にでき、かつ安価に提供できる。In the semiconductor laser device according to the second aspect of the present invention, the inner wall surface of the cover is formed with a low reflectance so that stray light is not generated by the laser light emitted from the second reflecting mirror surface. , It is not necessary to install a stray light amount cancel circuit in the optical pickup. Therefore, the optical pickup can be made compact and lightweight and can be provided at low cost.
【００３５】本発明の請求項３に記載の半導体レーザ装
置は、半導体レーザ素子の第２の反射鏡面の反射率が６
５％ないし８３％であるので、第２の反射鏡面から放射
されるレーザ光の出力が、レーザ出力制御用の第２の受
光素子で検出可能で、かつ第１の受光素子に対する迷光
とならない範囲に制御される。また同じレーザ光出力を
得るための動作電流が低減する。したがって、光ピック
アップの信号特性が良好となり、かつ消費電力を少なく
することができる。In the semiconductor laser device according to claim 3 of the present invention, the reflectance of the second reflecting mirror surface of the semiconductor laser element is 6
Since it is 5% to 83%, the output of the laser light emitted from the second reflecting mirror surface can be detected by the second light receiving element for laser output control, and is not a stray light to the first light receiving element. Controlled by. Also, the operating current for obtaining the same laser light output is reduced. Therefore, the signal characteristics of the optical pickup can be improved and the power consumption can be reduced.
【００３６】本発明の請求項４に記載の半導体レーザ素
子は、第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティングさ
れ、第２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティングさ
れた構造としているので、第１の反射鏡面からのレーザ
光出力が第２の反射鏡面からのレーザ光出力よりも大き
くなり、かつ動作電流が低減する。したがって、半導体
レーザ装置に組み込んだ場合、迷光電流を低減すること
ができ、かつ消費電力を少なくすることができる。A semiconductor laser device according to a fourth aspect of the present invention has a structure in which the first reflecting mirror surface is coated with a single-layer reflecting film and the second reflecting mirror surface is coated with a plurality of reflecting films. Therefore, the laser light output from the first reflecting mirror surface becomes larger than the laser light output from the second reflecting mirror surface, and the operating current is reduced. Therefore, when incorporated in a semiconductor laser device, stray light current can be reduced and power consumption can be reduced.
【００３７】本発明の請求項５に記載の半導体レーザ素
子は、第２の反射鏡面が、厚さλ／４の反射膜を３層コ
ーティングされた構造としているので、製膜のコストに
対して、得られる効果が最も大きい。したがって、安価
に、迷光電流が少なくかつ消費電力が少ない半導体レー
ザ素子を製造することができる。In the semiconductor laser device according to the fifth aspect of the present invention, the second reflecting mirror surface has a structure in which three layers of a reflecting film having a thickness of λ / 4 are coated, so that the film forming cost is reduced. The most effective effect can be obtained. Therefore, it is possible to inexpensively manufacture a semiconductor laser device with a small stray light current and a low power consumption.
【図１】本発明の実施の形態の半導体レーザ素子の構造
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a structure of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施の形態の半導体レーザ装置の外観
を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an appearance of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施の形態の半導体レーザ装置の内部
構造を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an internal structure of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の半導体レーザ素子の反射鏡面の反射率
と、モニタ電流との関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the reflectivity of the reflecting mirror surface of the semiconductor laser device of the present invention and the monitor current.
【図５】本発明の半導体レーザ素子の反射鏡面の反射率
と、迷光電流との関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the reflectivity of the reflecting mirror surface of the semiconductor laser device of the present invention and stray photocurrent.
【図６】（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の迷光電
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の迷光電
流を示す図である。FIG. 6A is a diagram showing stray light current of the semiconductor laser device of the present invention, and FIG. 6B is a diagram showing stray light current of the conventional semiconductor laser device.
【図７】（Ａ）は、本発明の半導体レーザ素子の動作電
流を示し、（Ｂ）は、従来の半導体レーザ素子の動作電
流を示す図である。FIG. 7A is a diagram showing an operating current of the semiconductor laser device of the present invention, and FIG. 7B is a diagram showing an operating current of the conventional semiconductor laser device.
【図８】従来の半導体レーザ素子の構造を示す図であ
る。FIG. 8 is a diagram showing a structure of a conventional semiconductor laser device.
１ 厚さλ／４のＡｌ2 Ｏ3 膜 １ａ 厚さλ／２のＡｌ2 Ｏ3 膜 ２ 厚さλ／４のアモルファスシリコン膜 ３ 半導体レーザ素子 ２１ ステム ２２ カバー ２３ リード端子 ２４ ガラス素子 ２５ 回折格子 ３２ 反射鏡面Ａから放射されたレーザ光 ３３ 反射鏡面Ｂから放射されたレーザ光 ３４ シリコン基板 ３５ 受光素子 ３６ ミラー ３７ 多分割受光素子1 Al 2 O 3 film with λ / 4 thickness 1a Al 2 O 3 film with λ / 2 thickness 2 Amorphous silicon film with λ / 4 thickness 3 Semiconductor laser device 21 Stem 22 Cover 23 Lead terminal 24 Glass device 25 Diffraction Lattice 32 Laser light emitted from reflecting mirror surface A 33 Laser light emitted from reflecting mirror surface B 34 Silicon substrate 35 Light receiving element 36 Mirror 37 Multi-divided light receiving element
Claims (5)
面と第２の反射鏡面とを有する半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子の第１の反射鏡面から放射された
レーザ光が光記録媒体にて反射して戻って来たレーザ光
を受光する第１の受光素子と、 前記半導体レーザ素子の前記第１の反射鏡面と対向する
第２の反射鏡面から放射されたレーザ光を受光するレー
ザ出力制御用の第２の受光素子と、 前記半導体レーザ素子と第１の受光素子と第２の受光素
子とを内包するカバーとを備えた半導体レーザ装置にお
いて、 前記第２の反射鏡面から放射されるレーザ光の出力が、
前記レーザ出力制御用の第２の受光素子にて検出可能
で、かつ前記第１の受光素子に対する迷光とならない範
囲に制御されていることを特徴とする半導体レーザ装
置。1. A semiconductor laser device having a first reflecting mirror surface and a second reflecting mirror surface for forming an optical resonator, and a laser beam emitted from the first reflecting mirror surface of the semiconductor laser device is a light beam. A first light-receiving element that receives the laser beam reflected by the recording medium and returned, and a laser beam that is emitted from a second reflecting mirror surface that faces the first reflecting mirror surface of the semiconductor laser element. A second laser receiving device for laser output control, and a cover including the semiconductor laser device, the first light receiving device, and the second light receiving device. The output of the emitted laser light is
A semiconductor laser device characterized in that it is controlled by a range that can be detected by the second light receiving element for controlling the laser output and does not become stray light with respect to the first light receiving element.
２の受光素子とを内包するカバーの内壁面が、第２の反
射鏡面から放射されたレーザ光によって迷光を生じない
ような低反射率に形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体レーザ装置。2. The inside wall of the cover including the semiconductor laser element, the first light receiving element and the second light receiving element has low reflection so that stray light is not generated by the laser light emitted from the second reflecting mirror surface. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the semiconductor laser device is formed at a predetermined rate.
射率が６５％ないし８３％であることを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the reflectance of the second reflecting mirror surface of the semiconductor laser element is 65% to 83%.
の半導体レーザ装置に使用される半導体レーザ素子にお
いて、 光共振器を形成するための第１の反射鏡面と第２の反射
鏡面とを有し、 第１の反射鏡面が単層の反射膜をコーティングされ、第
２の反射鏡面が複数層の反射膜をコーティングされたこ
とを特徴とする半導体レーザ素子。4. A semiconductor laser device used in the semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a first reflecting mirror surface and a second reflecting mirror surface for forming an optical resonator. A semiconductor laser device having a first reflection mirror surface coated with a single-layer reflection film, and a second reflection mirror surface coated with a plurality of layers of reflection film.
レーザ光の波長）の反射膜を３層コーティングされたこ
とを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。5. The semiconductor laser device according to claim 4, wherein the second reflecting mirror surface is coated with three layers of a reflecting film having a thickness of λ / 4 (λ is the wavelength of the laser beam).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288195A JP3601893B2 (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32288195A JP3601893B2 (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162497A true JPH09162497A (en) | 1997-06-20 |
| JP3601893B2 JP3601893B2 (en) | 2004-12-15 |
Family
ID=18148663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32288195A Expired - Fee Related JP3601893B2 (en) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601893B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1748524A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US7646798B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-01-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7668218B2 (en) | 2007-02-20 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7701995B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7764722B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7804872B2 (en) | 2007-06-07 | 2010-09-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32288195A patent/JP3601893B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1748524A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| EP2048752A2 (en) | 2005-07-29 | 2009-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| EP2048752A3 (en) * | 2005-07-29 | 2009-05-27 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US7646798B2 (en) | 2006-12-28 | 2010-01-12 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7668218B2 (en) | 2007-02-20 | 2010-02-23 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7764722B2 (en) | 2007-02-26 | 2010-07-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7804872B2 (en) | 2007-06-07 | 2010-09-28 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7701995B2 (en) | 2007-07-06 | 2010-04-20 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US8102891B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-01-24 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3601893B2 (en) | 2004-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0243170B1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JP3601893B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3239056B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| US7525895B2 (en) | Semiconductor integrated device | |
| JP3140085B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP3242284B2 (en) | Semiconductor laser device | |
| JP4445220B2 (en) | Semiconductor laser device and pickup device | |
| JPH103691A (en) | Optical pickup device | |
| JP2572868B2 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2718326B2 (en) | Optical pickup | |
| JP3508396B2 (en) | Method of manufacturing bar code reading composite optical device | |
| JP2746504B2 (en) | Optical pickup device | |
| US5018156A (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JP2001209968A (en) | Optical recording medium reading/writing device | |
| JPH06334269A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0636338A (en) | Optical pickup | |
| JP2003046178A (en) | Element arrangement in optical semiconductor module | |
| JPH05334711A (en) | Semiconductor laser diode and optical head | |
| JPH0716075B2 (en) | Semiconductor laser chip | |
| JPS63124485A (en) | Semiconductor device | |
| JPH05231819A (en) | Distance sensor | |
| JPH0540964A (en) | Optical recording medium | |
| WO1997039448A1 (en) | Optical pickup | |
| KR0132184B1 (en) | Semiconductor laser device and method thereof | |
| JPH11316967A (en) | Photodetecting element united semiconductor laser unit and optical pickup device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040318 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040318 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040318 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040819 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040921 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071001 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121001 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |