JPH09157642A - Light emitting element and back light or display using the same element - Google Patents
Light emitting element and back light or display using the same elementInfo
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- JPH09157642A JPH09157642A JP31533495A JP31533495A JPH09157642A JP H09157642 A JPH09157642 A JP H09157642A JP 31533495 A JP31533495 A JP 31533495A JP 31533495 A JP31533495 A JP 31533495A JP H09157642 A JPH09157642 A JP H09157642A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換して面状発光できる発光素子に関し、表示素
子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照
明、インテリア、標識、看板、電子写真機などの分野に
好適に使用できる発光素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting element capable of converting electric energy into light to emit light in a planar manner, and can be used in display elements, flat panel displays, backlights, lighting, interiors, signs, signboards, electrophotographic machines, etc. The present invention relates to a light emitting device that can be suitably used in the field.
【0002】[0002]
【従来の技術】負極から注入された電子と正極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
する際に発光するという有機積層薄膜素子は、薄型、低
駆動電圧下での発光が特徴である。この有機積層薄膜素
子が高輝度に発光することは、コダック社のTang;
C.W.らによって初めて示された(Appl.Phy
s.Lett.1987,51(12),913)。2. Description of the Related Art An organic laminated thin film element in which an electron injected from a negative electrode and a hole injected from a positive electrode emit light when recombined in an organic phosphor sandwiched between both electrodes is thin and has a low driving voltage. The feature is the light emission at the bottom. The fact that this organic laminated thin film element emits light with high brightness is due to Tang of Kodak;
C. W. For the first time (Appl. Phy
s. Lett. 1987, 51 (12), 913).
【0003】コダック社の提示した代表的な有機積層薄
膜発光素子は、正極であるITOガラス基板の上に、正
孔輸送層としてジアミン化合物、発光層としてトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム、さらに、負極とし
てマグネシウムおよび銀を順次設けたものであり、10
V程度の駆動電圧で1000cd/m2 の緑色発光が可
能であった。この有機積層薄膜発光素子は、発光体であ
るトリス(8−キノリノラト)アルミニウムと、正極で
あるITOとの間に正孔輸送層であるジアミン化合物を
設けたことに特徴があり、これによりそれまでのものに
比較して発光輝度は向上したが、発光輝度は必ずしも十
分とは言えなかった。A typical organic laminated thin film light emitting device presented by Kodak is a positive electrode, an ITO glass substrate, a diamine compound as a hole transport layer, tris (8-quinolinolato) aluminum as a light emitting layer, and a negative electrode. And magnesium and silver are sequentially provided as 10
Green light emission of 1000 cd / m 2 was possible at a driving voltage of about V. This organic laminated thin film light emitting device is characterized in that a diamine compound, which is a hole transport layer, is provided between tris (8-quinolinolato) aluminum, which is a light emitting body, and ITO, which is a positive electrode. Although the emission brightness was improved as compared with that of Example 1, the emission brightness was not always sufficient.
【0004】このような有機積層薄膜発光素子に使用さ
れる発光体は、例えば、Tangらが示したトリス(8
−キノリノラト)アルミニウムの他に、ベンゾペリレン
ジカルボン酸誘導体(特開平5−163488号公
報)、クマリン誘導体(特開平5−78655号公
報)、ビニルビフェニル誘導体(特開平5−308
0)、ジビニルベンゼン誘導体(特開平6−10085
7)をはじめ、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベ
ンゼン誘導体などが、ポリマ系ではポリフェニレンビニ
レン誘導体(特開平5−247460号公報)、アリー
ルアミン系ポリカーボネート誘導体(特開平5−247
459号公報)をはじめ、ポリチオフェン誘導体、ポリ
パラフェニレン誘導体などが知られており、現在ある程
度の多色発光が可能になっている。A luminous body used in such an organic laminated thin film light emitting device is, for example, Tris (8) shown in Tang et al.
-Quinolinolato) aluminum, benzoperylenedicarboxylic acid derivative (JP-A-5-163488), coumarin derivative (JP-A-5-78655), vinyl biphenyl derivative (JP-A-5-308)
0), divinylbenzene derivative (JP-A-6-10085).
7), oxadiazole derivatives, distyrylbenzene derivatives and the like, polymer-based polyphenylene vinylene derivatives (JP-A-5-247460) and arylamine-based polycarbonate derivatives (JP-A-5-247).
No. 459), polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives and the like are known, and at present, multi-color light emission is possible to some extent.
【0005】電子輸送層材料については、具体的にオキ
サジアゾール誘導体やトリス(8−キノリノラト)アル
ミニウムなどが知られているが、あまり多くの知見がな
い。素材の選択によって正孔のブロッキングと電子の注
入効率を向上させることができれば、非常に高性能の発
光素子を作ることが可能である。Oxadiazole derivatives, tris (8-quinolinolato) aluminum and the like are specifically known as materials for the electron transport layer, but there are not many findings. If the blocking of holes and the injection efficiency of electrons can be improved by selecting the material, it is possible to make a very high performance light emitting device.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来用いられ
てきた発光体は、多色発光が可能であるが、発光性能、
特に発光効率が不十分であるため、低電圧、低電流下で
は高輝度の発光、特に青色の発光を得ることはできなか
った。However, the conventionally used light-emitting body is capable of multicolor light emission, but the light-emitting performance,
In particular, since the luminous efficiency is insufficient, it was not possible to obtain high-luminance light emission, particularly blue light emission, under low voltage and low current.
【0007】本発明者らは、発光性能、特に発光効率を
向上させ、低電圧、低電流下でも高輝度の青色発光が可
能な素子を提供することを目的として検討を行った。The present inventors have conducted studies for the purpose of providing a device capable of emitting blue light with high brightness even under a low voltage and a low current, by improving the light emitting performance, particularly the light emitting efficiency.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、発光効率
が高い青色発光素子について鋭意検討した結果、正極と
負極の間にトロポロン骨格を持つ物質を含有する発光素
子は、低電圧、低電流下でも高輝度の青色発光が可能で
あることを見出し、本発明に至った。Means for Solving the Problems As a result of intensive investigations by the present inventors on a blue light emitting device having high luminous efficiency, a light emitting device containing a substance having a tropolone skeleton between a positive electrode and a negative electrode has a low voltage and The present inventors have found that high-luminance blue light emission is possible even under an electric current, and completed the present invention.
【0009】本発明は、電気エネルギーにより発光する
素子において、正極と負極の間にトロポロン骨格を持つ
物質を含有し、好ましくはトロポロン誘導体のキレート
錯体を含有することを特徴とする。The present invention is characterized in that an element which emits light by electric energy contains a substance having a tropolone skeleton between a positive electrode and a negative electrode, and preferably contains a chelate complex of a tropolone derivative.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】本発明のトロポロン骨格を持つ物
質は、好ましくは、トロポロン誘導体と中心元素により
5員環を形成してキレート錯体となり、より好ましく
は、中心原子が2価または3価の陽イオンである。トロ
ポロン誘導体のキレート錯体の中心原子としては、例え
ば、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ストロンチ
ウム、バリウム、ベリリウム、ホウ素、マグネシウムが
あげられ、とくに、アルミニウム、ガリウム、ベリリウ
ムが好ましい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The substance having a tropolone skeleton of the present invention preferably forms a 5-membered ring with a tropolone derivative and a central element to form a chelate complex, and more preferably, the central atom is divalent or trivalent. It is a cation. Examples of the central atom of the chelate complex of the tropolone derivative include aluminum, calcium, gallium, strontium, barium, beryllium, boron and magnesium, with aluminum, gallium and beryllium being particularly preferred.
【0011】本発明で好ましく用いられるトロポロン誘
導体のキレート錯体は、下記一般式、The chelate complex of the tropolone derivative preferably used in the present invention has the following general formula:
【化2】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は、それぞ
れ、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1から1
0のアルキル基、炭素数1から10のアルコキシ基、炭
素数1から10のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数
1から10のアルキル置換基を有しても良いアミノ基、
炭素数1から10のアシル基、炭素数1から10のアル
コキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有
しても良い芳香族炭化水素基または複素環基から選ば
れ、互いに同一であっても、異なっていても良い。Mは
中心原子を表し、nはMの原子価数を表す。)で表され
るトロポロン誘導体のキレート錯体であり、より好まし
くは、R1 、R2 、R3 、R4およびR5 は、水素原子
である。Embedded image (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or a carbon number of 1 to 1
An alkyl group having 0 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a trialkylsilyloxy group having 1 to 10 carbon atoms, an amino group having 1 to 10 carbon atoms and optionally having an alkyl substituent,
It is selected from an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group which may have a substituent, and they are the same as each other. Or it may be different. M represents a central atom, and n represents the valence number of M. ) Is a chelate complex of a tropolone derivative represented by the formula (1), and more preferably R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are hydrogen atoms.
【0012】本発明のトロポロン誘導体のキレート錯体
は、例えば、対応するトロポロン誘導体を有機溶媒に溶
解したトロポロン誘導体溶液に、中心原子を溶解した水
溶液を加え、必要に応じてアルカリで中和することによ
り得ることができるが、特にこれに限定されるものでは
ない。トロポロン誘導体のキレート錯体の合成に使用さ
れる中心原子を溶解した水溶液としては、例えば、塩化
アルミニウム、塩化ガリウム、硫酸ベリリウムなどが挙
げられる。The chelate complex of the tropolone derivative of the present invention can be obtained, for example, by adding an aqueous solution in which the central atom is dissolved to a tropolone derivative solution in which the corresponding tropolone derivative is dissolved in an organic solvent, and neutralizing with an alkali if necessary. However, the present invention is not limited to this. Examples of the aqueous solution in which the central atom is used for the synthesis of the chelate complex of the tropolone derivative include aluminum chloride, gallium chloride and beryllium sulfate.
【0013】本発明の発光素子は、いろいろな色相の発
光素子として使用可能であるが、特に、青色発光素子と
して好適である。The light emitting device of the present invention can be used as a light emitting device of various hues, and is particularly suitable as a blue light emitting device.
【0014】本発明の発光素子においては、好ましく
は、発光層にトロポロン骨格を持つ物質が含有される。
トロポロン骨格を持つ物質は、トロポロン骨格を持つ1
種類の物質で使用することも可能であるし、必要に応じ
て、トロポロン骨格を持つ複数の物質を使用することも
できる。In the light emitting device of the present invention, the light emitting layer preferably contains a substance having a tropolone skeleton.
A substance with a tropolone skeleton has a tropolone skeleton 1
It is possible to use different kinds of substances, and if necessary, it is possible to use a plurality of substances having a tropolone skeleton.
【0015】さらに、トロポロン骨格を持つ物質を発光
層のホスト材料とし、クマリン誘導体、ペリノン誘導
体、ペリレン誘導体、キナクリドン誘導体、ビニルビフ
ェニル誘導体、ジビニルベンゼン誘導体などをドーパン
トとして微量添加して用いることも可能である。この場
合、通常、トロポロン誘導体またはそのキレート錯体
は、発光層全体の85%〜99.99%、好ましくは、
95%〜99.99%、より好ましくは、99%〜9
9.9%使用される。Further, it is possible to use a substance having a tropolone skeleton as a host material of the light emitting layer, and to add a small amount of a coumarin derivative, a perinone derivative, a perylene derivative, a quinacridone derivative, a vinylbiphenyl derivative, a divinylbenzene derivative or the like as a dopant. is there. In this case, the tropolone derivative or the chelate complex thereof is usually 85% to 99.99% of the entire light emitting layer, and preferably,
95% to 99.99%, more preferably 99% to 9
9.9% used.
【0016】さらに、ビススチリルアントラセン誘導
体、テトラフェニルブタジエン誘導体、オキサジアゾー
ル誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン
誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリ
ジン誘導体、ポリマ系では、ポリパラフェニレン誘導体
などの既知の発光層材料に、本発明のトロポロン誘導体
のキレート錯体をドーパントとして微量添加して用いる
ことも可能である。この場合、通常、トロポロン誘導体
のキレート錯体は、発光層全体の0.01%〜15%、
好ましくは、0.01%〜5%、より好ましくは、0.
1%〜1%使用される。Further, known are bisstyrylanthracene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, oxadiazole derivatives, distyrylbenzene derivatives, pyrrolopyridine derivatives, cyclopentadiene derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, and polymers such as polyparaphenylene derivatives. The chelating complex of the tropolone derivative of the present invention can be added to the above light emitting layer material in a small amount as a dopant and used. In this case, the chelate complex of the tropolone derivative is usually 0.01% to 15% of the entire light emitting layer,
Preferably 0.01% to 5%, more preferably 0.
1% to 1% is used.
【0017】本発明のトロポロン骨格を持つ物質を含有
した発光層の形成方法は、特に限定されるものではない
が、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子
積層法、コーティング法などの方法が用いられ、特に、
特性面で、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が好ましい。The method for forming the light emitting layer containing the substance having a tropolone skeleton of the present invention is not particularly limited, but methods such as resistance heating vapor deposition, electron beam, sputtering, molecular lamination method and coating method are used. Especially,
From the viewpoint of characteristics, resistance heating vapor deposition and electron beam vapor deposition are preferable.
【0018】さらに、発光層の厚みは、特に限定される
ものではないが、通常、10〜100nmの厚さで用い
られる。Further, the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually 10 to 100 nm.
【0019】本発明において正極は、光を取り出すため
に透明な電極であれば特別な限定はなく、例えば、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化スズインジウム(ITO)
などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなど
の金属、さらに、これらの金属とITOとの積層物、ヨ
ウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェ
ン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマ、
および、これらとITOとの積層物などが用いられ、好
ましくは、ITOガラスやネサガラスが用いられる。In the present invention, the positive electrode is not particularly limited as long as it is a transparent electrode for extracting light. For example, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO).
Conductive metal oxides such as, or metals such as gold, silver, and chromium, and further, laminates of these metals and ITO, inorganic conductive substances such as copper iodide and copper sulfide, polythiophene, polypyrrole, polyaniline, etc. Conductive polymer,
Also, a laminate of these and ITO is used, and ITO glass or Nesa glass is preferably used.
【0020】このような透明電極の抵抗は、特別な限定
はなく、素子の発光に十分な電流が供給できればよい
が、素子の電力消費の点からは低抵抗であることが望ま
しい。例えば、透明電極としては、300Ω/□以下の
ITO基板で十分機能するが、好ましくは、20Ω/□
以下の低抵抗基板が選ばれる。The resistance of such a transparent electrode is not particularly limited as long as it can supply a sufficient current for light emission of the element, but it is desirable that the resistance is low in terms of power consumption of the element. For example, as a transparent electrode, an ITO substrate of 300 Ω / □ or less works well, but preferably 20 Ω / □.
The following low resistance substrates are selected.
【0021】透明電極のITOの厚みは抵抗値によって
任意に選ぶことができるが、通常50nm〜300nm
の範囲で用いられることが多い。The thickness of ITO of the transparent electrode can be arbitrarily selected depending on the resistance value, but is usually 50 nm to 300 nm.
Often used in the range of.
【0022】また、ITOなどの透明電極の基板は、ソ
ーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂などが
用いらる。ガラスを用いる場合、その材質については、
ガラスがらの溶出イオンを少なくするため、無アルカリ
ガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガ
ラスを使用する場合、SiO2 などのバリアコートを施
したソーダライムガラスを使用することが好ましい。As the substrate of the transparent electrode such as ITO, soda lime glass, non-alkali glass, transparent resin or the like is used. When using glass, regarding the material,
It is preferable to use non-alkali glass in order to reduce the amount of ions eluted from the glass. When soda lime glass is used, it is preferable to use soda lime glass coated with a barrier coat such as SiO 2 .
【0023】透明電極基板の厚みは、機械的強度を保つ
のに十分であれば特に制限されないが、ITOガラスの
場合、通常0.7mm以上の厚さの基板を用いる。The thickness of the transparent electrode substrate is not particularly limited as long as it is sufficient to maintain mechanical strength, but in the case of ITO glass, a substrate having a thickness of 0.7 mm or more is usually used.
【0024】ITO膜は、例えば、電子ビーム法、スパ
ッタリング法、化学反応法などの方法で膜形成される。
さらに、ITOをUV−オゾン処理により、素子の駆動
電圧を下げることも可能である。The ITO film is formed by a method such as an electron beam method, a sputtering method or a chemical reaction method.
Furthermore, it is possible to lower the driving voltage of the element by subjecting ITO to UV-ozone treatment.
【0025】本発明において、負極は、電子輸送層、発
光層などに電子を供給するものである。負極は、電子輸
送層、発光層などの負極と隣接する物質との密着性やイ
オン化ポテンシャルの調整、安定性などを考慮して選ば
れる。長期間の使用に対して安定な性能を維持するため
に、大気中でも比較的安定な材料を使用することが望ま
しいが、保護膜などを使用して安定性を向上させること
も可能である。In the present invention, the negative electrode supplies electrons to the electron transport layer, the light emitting layer and the like. The negative electrode is selected in consideration of the adhesion between the negative electrode such as the electron transport layer and the light emitting layer and a substance adjacent to the negative electrode, adjustment of ionization potential, and stability. In order to maintain stable performance over long-term use, it is desirable to use a material that is relatively stable in the atmosphere, but it is also possible to improve stability by using a protective film or the like.
【0026】負極に使用される物質としては、例えば、
インジウム、金、銀、アルミニウム、鉛、マグネシウム
などの金属や、希土類、アルカリ金属、あるいはこれら
の金属の合金などを用いることが可能であり、素子特性
の点からマグネシウムやリチウム、ナトリウム、カリウ
ムなどの低仕事関数金属を用いることが好ましい。さら
に、これらの低仕事関数金属の安定性を高めるため、銀
やアルミニウムなどとの合金を用いることもできる。The substance used for the negative electrode is, for example,
Metals such as indium, gold, silver, aluminum, lead, and magnesium, rare earths, alkali metals, and alloys of these metals can be used. From the viewpoint of device characteristics, magnesium, lithium, sodium, potassium, and the like can be used. It is preferable to use a low work function metal. Further, in order to enhance the stability of these low work function metals, an alloy with silver, aluminum or the like can be used.
【0027】また、負極の作製には、抵抗加熱法、電子
ビーム法、スパッタリング法、コーティング法などが用
いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同
時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時
に蒸着して合金電極を形成することも可能であるし、あ
らかじめ調整した合金を蒸着しても良い。Further, a resistance heating method, an electron beam method, a sputtering method, a coating method or the like is used for producing the negative electrode, and the metal can be vapor-deposited alone, or two or more components can be vapor-deposited simultaneously. Furthermore, it is possible to vapor-deposit a plurality of metals simultaneously to form an alloy electrode, or vapor-deposit an alloy prepared beforehand.
【0028】本発明の発光素子の構成は、正極、およ
び、負極の他に、発光層単独、正孔輸送層/発光層、正
孔輸送層/発光層/電子輸送層、発光層/電子輸送層の
多層積層構造、あるいは、発光材料と正孔輸送材料およ
び/または電子輸送材料を混合して一層にした形態のい
ずれであってもよい。The structure of the light emitting device of the present invention includes, in addition to the positive electrode and the negative electrode, a light emitting layer alone, a hole transport layer / light emitting layer, a hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer, a light emitting layer / electron transport. It may have a multi-layered structure of layers or a form in which a light emitting material and a hole transport material and / or an electron transport material are mixed to form a single layer.
【0029】本発明における正孔輸送層は、正極からの
正孔を効率よく輸送する層であり、例えば、カルバゾー
ル二量体誘導体、4,4’−ビス[N−(3−メチルフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(TP
D)、4,4’,4”−トリス[N−(3−メチルフェ
ニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(m
−MTDATA)、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、
ポリシランなどの既知の正孔輸送材料を積層または混合
して使用できる。The hole transport layer in the present invention is a layer for efficiently transporting holes from the positive electrode, and is, for example, a carbazole dimer derivative, 4,4'-bis [N- (3-methylphenyl)-. N-phenylamino] biphenyl (TP
D), 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (m
-MTDATA), poly (N-vinylcarbazole),
Known hole transporting materials such as polysilane can be laminated or mixed and used.
【0030】これらの正孔輸送層の形成は、主に真空蒸
着法によって行われるが、前記正孔輸送材料を溶液に溶
解させてコーティングする方法や、前記正孔輸送材料を
樹脂成分と共に溶媒に溶解または分散させてコーティン
グする方法も可能である。The formation of these hole transport layers is mainly carried out by a vacuum vapor deposition method. The method of coating the above hole transport material by dissolving it in a solution or the above hole transport material in a solvent together with a resin component. A method of coating by dissolving or dispersing is also possible.
【0031】正孔輸送材料を溶解または分散させる樹脂
成分としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン
オキシド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、
酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキ
シ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。As the resin component for dissolving or dispersing the hole transporting material, for example, polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, Polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose,
Examples thereof include vinyl acetate, ABS resin, polyurethane resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin and silicone resin.
【0032】正孔輸送層の厚みは、駆動電圧の観点から
は、素子のリーク電流が増加し始める限界膜厚まで薄く
することが好ましいが、素子の耐久性を考慮した実用膜
厚は、限界膜厚よりも若干厚くすることが好ましい。好
ましい正孔輸送層の膜厚としては、ITO基板の表面状
態や正孔輸送層の構成物質などによって変わるので限定
できないが、20〜120nm程度が好ましく、80〜
100nmがより好ましい。From the viewpoint of driving voltage, it is preferable that the thickness of the hole transport layer is as thin as the limit film thickness where the leak current of the device starts to increase, but the practical film thickness considering the durability of the device is limited. It is preferable to make it slightly thicker than the film thickness. The preferable thickness of the hole transport layer is not limited because it varies depending on the surface state of the ITO substrate, the constituent material of the hole transport layer, and the like, but is preferably about 20 to 120 nm, and 80 to
100 nm is more preferable.
【0033】本発明における電子輸送層は、負極からの
電子を効率よく輸送する層であり、電子注入効率が高い
ことが好ましい。このため、電子輸送層は、電子親和力
が大きく、電子移動度が大きく、安定性に優れ、トラッ
プとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物
質であることが望ましい。このような電子輸送層とし
て、本発明のトロポロン骨格を持つ物質が使用可能であ
る。The electron transport layer in the present invention is a layer for efficiently transporting electrons from the negative electrode, and preferably has high electron injection efficiency. Therefore, it is desirable that the electron transport layer is a substance having a high electron affinity, a high electron mobility, an excellent stability, and an impurity that becomes a trap is hard to be generated at the time of manufacturing and during use. As such an electron transport layer, the substance having the tropolone skeleton of the present invention can be used.
【0034】さらに、電子輸送層として、トリス(8−
キノリノラト)アルミニウムなどのキノリノール誘導体
の金属キレート錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導
体、ナフタレン誘導体、クマリン誘導体、テトラフェニ
ルブタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビスス
チリルベンゼン誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロ
リン誘導体などが使用可能であるが、特にこれらに限定
されるものではない。Further, as an electron transport layer, tris (8-
A metal chelate complex of a quinolinol derivative such as quinolinolato) aluminum, a perylene derivative, a perinone derivative, a naphthalene derivative, a coumarin derivative, a tetraphenylbutadiene derivative, an oxadiazole derivative, a bisstyrylbenzene derivative, a pyrazine derivative, and a phenanthroline derivative can be used. However, it is not particularly limited thereto.
【0035】該電子輸送物質は、単独、積層、混合いず
れの形態も取り得ることが可能であり、発光層や負極と
の組み合わせで最適な形態を取ることができる。The electron-transporting material can take any form of single layer, layered layer and mixed layer, and can take an optimal state in combination with the light emitting layer and the negative electrode.
【0036】トロポロン骨格を持つ物質を含有する発光
素子を用いて、高輝度の青色発光に適したディスプレ
イ、及び、バックライトを新たに製造することができ
る。By using a light emitting device containing a substance having a tropolone skeleton, a display and a backlight suitable for high-luminance blue light emission can be newly manufactured.
【0037】[0037]
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited to this.
【0038】実施例1 正極としてITO透明電極膜を150nm堆積させたガ
ラス基板(15Ω/□)を所定の大きさに切断し、エッ
チング後、洗浄した。このITO基板を、0.85重量
%のポリ(N−ビニルカルバゾール)のジクロロエタン
溶液中にITO基板を垂直に浸漬し、50mm/分の速
度で引き上げて、正孔輸送層をディップコーティングし
た。これを真空蒸着機で真空度が5×10-6Torr以
下になるまで排気した。Example 1 A glass substrate (15 Ω / □) on which an ITO transparent electrode film was deposited to a thickness of 150 nm as a positive electrode was cut into a predetermined size, etched and washed. The ITO substrate was vertically dipped in a dichloroethane solution of 0.85 wt% poly (N-vinylcarbazole) and pulled up at a speed of 50 mm / min to dip-coat the hole transport layer. This was evacuated by a vacuum vapor deposition machine until the degree of vacuum became 5 × 10 −6 Torr or less.
【0039】発光層として、下記の化学式The light emitting layer has the following chemical formula:
【化3】 で示されるトリス(トロポロナト)ガリウムを100n
mの厚さで積層し、次いで負極として、リチウムを3n
m、銀を150nmの厚さに蒸着して、5×5mm角の
素子を作製した。Embedded image The tris (troporonato) gallium shown by 100n
m and then 3n of lithium was used as a negative electrode.
m and silver were vapor-deposited to a thickness of 150 nm to produce a 5 × 5 mm square device.
【0040】この発光素子は青色の一様な発光を示し、
最高輝度は168cd/m2(16V、37mA)であ
った。This light emitting element exhibits uniform blue light emission,
The maximum brightness was 168 cd / m 2 (16 V, 37 mA).
【0041】実施例2 正極としてITO透明電極膜を150nm堆積させたガ
ラス基板(15Ω/□)を所定の大きさに切断し、エッ
チング後、洗浄した。このITO基板を、0.85重量
%のポリ(N−ビニルカルバゾール)のジクロロエタン
溶液中にITO基板を垂直に浸漬し、50mm/分の速
度で引き上げて、正孔輸送層をディップコーティングし
た。これを真空蒸着機で真空度が5×10-6Torr以
下になるまで排気した。Example 2 A glass substrate (15 Ω / □) on which an ITO transparent electrode film was deposited to a thickness of 150 nm as a positive electrode was cut into a predetermined size, etched and washed. The ITO substrate was vertically dipped in a dichloroethane solution of 0.85 wt% poly (N-vinylcarbazole) and pulled up at a speed of 50 mm / min to dip-coat the hole transport layer. This was evacuated by a vacuum vapor deposition machine until the degree of vacuum became 5 × 10 −6 Torr or less.
【0042】発光層として、下記の化学式The light emitting layer has the following chemical formula:
【化4】 で示されるトリス(トロポロナト)アルミニウムを10
0nmの厚さで積層し、次いで負極として、リチウムを
3nm、銀を150nmの厚さに蒸着して、5×5mm
角の素子を作製した。Embedded image Tris (troporonato) aluminum shown by 10
Laminated to a thickness of 0 nm, and then, as a negative electrode, lithium was vapor-deposited to a thickness of 3 nm and silver to a thickness of 150 nm, and then 5 × 5 mm.
A corner element was made.
【0043】この発光素子は青色の一様な発光を示し、
最高輝度は83cd/m2(13V、30mA)であっ
た。This light emitting element exhibits uniform blue light emission,
The maximum brightness was 83 cd / m 2 (13 V, 30 mA).
【0044】[0044]
【発明の効果】本発明のトロポロン骨格を持つ物質を発
光素子に含有させることにより、低電圧、低電流下でも
高輝度の青色発光を得ることができ、高性能の発光素子
が製造可能である。By incorporating the substance having a tropolone skeleton of the present invention into a light emitting device, blue light emission of high brightness can be obtained even under a low voltage and a low current, and a high performance light emitting device can be manufactured. .
Claims (14)
いて、正極と負極の間にトロポロン骨格を持つ物質を含
有することを特徴とする発光素子。1. A light emitting device, which emits light by electric energy, containing a substance having a tropolone skeleton between a positive electrode and a negative electrode.
ロポロン骨格を持つ物質がトロポロン誘導体のキレート
錯体であることを特徴とする発光素子。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the substance having a tropolone skeleton is a chelate complex of a tropolone derivative.
ロポロン骨格を持つ物質と中心原子により5員環を形成
してキレート錯体となることを特徴とする発光素子。3. The light emitting device according to claim 1, wherein a substance having a tropolone skeleton and a central atom form a 5-membered ring to form a chelate complex.
心原子が2価または3価の陽イオンであることを特徴と
する発光素子。4. The light emitting device according to claim 3, wherein the central atom is a divalent or trivalent cation.
ロポロン誘導体のキレート錯体が、下記一般式 【化1】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は、それぞ
れ、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1から1
0のアルキル基、炭素数1から10のアルコキシ基、炭
素数1から10のトリアルキルシリルオキシ基、炭素数
1から10のアルキル置換基を有しても良いアミノ基、
炭素数1から10のアシル基、炭素数1から10のアル
コキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、置換基を有
しても良い芳香族炭化水素基または複素環基から選ば
れ、互いに同一であっても、異なっていても良い。Mは
中心原子を表し、nはMの原子価数を表す。)で表され
るトロポロン誘導体のキレート錯体であることを特徴と
する発光素子。5. The light-emitting device according to claim 2, wherein the chelate complex of the tropolone derivative is represented by the following general formula: (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 are each a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or a carbon number of 1 to 1
An alkyl group having 0 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a trialkylsilyloxy group having 1 to 10 carbon atoms, an amino group having 1 to 10 carbon atoms and optionally having an alkyl substituent,
It is selected from an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an aromatic hydrocarbon group or a heterocyclic group which may have a substituent, and they are the same as each other. Or it may be different. M represents a central atom, and n represents the valence number of M. ) A chelating complex of a tropolone derivative represented by the formula (1).
般式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 が、水素原
子であることを特徴とする発光素子。6. The light emitting device according to claim 5, wherein R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and R 5 in the general formula are hydrogen atoms.
般式中、Mが、アルミニウム、ガリウム、または、ベリ
リウムであることを特徴とする発光素子。7. The light emitting device according to claim 5, wherein M in the general formula is aluminum, gallium or beryllium.
に記載の発光素子。8. The device according to claim 1, which emits blue light.
The light-emitting device according to item 1.
ロポロン骨格を持つ物質が、発光層に用いられることを
特徴とする発光素子。9. The light emitting device according to claim 1, wherein a substance having a tropolone skeleton is used in a light emitting layer.
トロポロン骨格を持つ物質が、発光層のホスト材料に用
いられることを特徴とする発光素子。10. The light emitting device according to claim 1,
A light emitting device, wherein a substance having a tropolone skeleton is used as a host material of a light emitting layer.
トロポロン骨格を持つ物質が、発光層のドーピング材料
に用いられることを特徴とする発光素子。11. The light emitting device according to claim 1, wherein
A light emitting device, wherein a substance having a tropolone skeleton is used as a doping material for a light emitting layer.
発光層のほかに、正孔輸送層および/または電子輸送層
が存在することを特徴とする発光素子。12. The light emitting device according to claim 1, wherein
A light emitting device having a hole transport layer and / or an electron transport layer in addition to the light emitting layer.
とを特徴とするディスプレイ装置。13. A display device comprising the light emitting device according to claim 1.
とを特徴とするバックライト。14. A backlight using the light emitting device according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31533495A JPH09157642A (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Light emitting element and back light or display using the same element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31533495A JPH09157642A (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Light emitting element and back light or display using the same element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09157642A true JPH09157642A (en) | 1997-06-17 |
Family
ID=18064167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31533495A Pending JPH09157642A (en) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | Light emitting element and back light or display using the same element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09157642A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6602619B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-08-05 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
US6706423B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-03-16 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
JP2013542175A (en) * | 2010-08-13 | 2013-11-21 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | Luminescent materials for electronics |
-
1995
- 1995-12-04 JP JP31533495A patent/JPH09157642A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6602619B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-08-05 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
US6706423B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-03-16 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
JP2013542175A (en) * | 2010-08-13 | 2013-11-21 | ソルヴェイ(ソシエテ アノニム) | Luminescent materials for electronics |
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