JPH09153758A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH09153758A JPH09153758A JP7331766A JP33176695A JPH09153758A JP H09153758 A JPH09153758 A JP H09153758A JP 7331766 A JP7331766 A JP 7331766A JP 33176695 A JP33176695 A JP 33176695A JP H09153758 A JPH09153758 A JP H09153758A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
に係わり、とくに防塵、腐食耐性を向上させた弾性表面
波デバイスに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device having improved dust resistance and corrosion resistance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電基板上に形
成されたくし歯状の表面波励振用電極に面状電極（ボン
ディングパッド）を介して電気信号を印加し、これを弾
性表面波に変換して基板上を伝搬させ、さらにくし歯状
の表面波受信用電極に到達した弾性表面波を再度電気信
号に変換する構成となっている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device applies an electric signal to a comb-like surface wave excitation electrode formed on a piezoelectric substrate via a surface electrode (bonding pad) and converts it into a surface acoustic wave. Then, the surface acoustic waves that have propagated on the substrate and have reached the comb-teeth-shaped surface wave receiving electrodes are converted into electric signals again.
【０００３】近年の弾性表面波デバイスは利用帯域の高
周波化にともない、表面波励振用や受信用電極の微細
化、薄膜化が著しい。弾性表面波デバイスの基本的構成
では、くし歯状電極は表面に剥き出しであるために弾性
表面波デバイスの表面波励振用電極や受信用電極、面状
電極に対するゴミの付着や電極の腐食は、従来以上に電
極表面のショートやデバイス特性劣化の原因のひとつと
なってきている。ゴミの付着や電極の腐食を防止するた
めに、表面波励振用や受信用電極、面状電極をＳｉＯ2
等からなる誘電体層を保護層として被覆する方法が知ら
れている。In recent years, surface acoustic wave devices have been significantly miniaturized and thinned with surface wave excitation and reception electrodes as the frequency of use has been increased. In the basic configuration of the surface acoustic wave device, the comb-shaped electrode is exposed on the surface, so the surface wave excitation electrode and the reception electrode of the surface acoustic wave device, the adhesion of dust to the surface electrode and the corrosion of the electrode are It has become one of the causes of the short circuit of the electrode surface and the deterioration of device characteristics more than ever before. In order to prevent dust adhesion and electrode corrosion, the surface wave excitation and reception electrodes, and the planar electrode are made of SiO 2
A method is known in which a dielectric layer made of, for example, is coated as a protective layer.
【０００４】この場合、一般的には表面波励振用電極や
受信用電極をＳｉＯ2 等の保護膜で被覆し、面状電極部
上の保護層はエッチング等により除去することによりボ
ンディングワイヤによる外部への電気的取り出しを可能
にしている。In this case, generally, the surface wave excitation electrode and the reception electrode are covered with a protective film such as SiO 2 , and the protective layer on the planar electrode portion is removed by etching or the like to form an external portion by a bonding wire. It is possible to take it out electrically.
【０００５】しかし、例えばＳｉＯ2 等の保護層のエッ
チングには通常ケミカル・イオン・エッチング（ＣＤ
Ｅ）手法が用いられるが、これには大変多額の設備投資
が必要とされる。However, the etching of a protective layer such as SiO 2 is usually performed by chemical ion etching (CD
Method E) is used, but this requires a very large amount of capital investment.
【０００６】この問題点を解決するためにボンディング
・パッド部の電気的取り出しを保護層を介して容量結合
で行う方法が提案されている（特開平４−２３４７９８
号公報）。In order to solve this problem, there has been proposed a method of electrically taking out a bonding pad portion by capacitive coupling through a protective layer (Japanese Patent Laid-Open No. 4-234798).
No.).
【０００７】この方法は、圧電基板上に下部電極および
ボンディングパッドを設け、これらの上に水素添加され
た窒化シリコンからなる誘電体層を保護層として形成
し、さらにこの保護層上にボンディングパッドと対向す
る位置に上部電極を配し、この上部電極と下部電極が保
護層を介して電気容量により電気的に接続される方法で
ある。According to this method, a lower electrode and a bonding pad are provided on a piezoelectric substrate, a dielectric layer made of hydrogenated silicon nitride is formed as a protective layer on the lower electrode, and a bonding pad and a bonding pad are formed on the protective layer. In this method, an upper electrode is arranged at a position facing each other, and the upper electrode and the lower electrode are electrically connected by a capacitance via a protective layer.
【０００８】特開平４−２３４７９８号で提案された保
護膜の構造の１例を図７により説明する。圧電基板５０
１と、この圧電基板５０１上に設けられた表面波励振用
電極５０５とボンディングパッド５０２の上に特定膜厚
の保護膜５０３を有し、さらに保護膜５０３上にボンデ
ィングパッド５０２と対向する位置に配設された電極５
０４とからなる弾性表面波デバイスにおいて、上部電極
５０４は保護膜５０３を介した下部電極５０２との間で
電気容量により外部端子として電気信号を入出力してい
る。An example of the structure of the protective film proposed in JP-A-4-234798 will be described with reference to FIG. Piezoelectric substrate 50
1, a surface wave excitation electrode 505 provided on the piezoelectric substrate 501, and a protective film 503 having a specific film thickness on the bonding pad 502, and on the protective film 503 at a position facing the bonding pad 502. The arranged electrode 5
04, the upper electrode 504 inputs / outputs an electric signal as an external terminal between the upper electrode 504 and the lower electrode 502 via the protective film 503 by an electric capacity.
【０００９】ボンディングにより接続する場合は、例え
ばＵＳワイヤボンディング、ＵＴＣワイヤボンディン
グ、バンプボンディングなどの方法が一般的に用いられ
ているが、これらボンディング方式にはＵＳパワー、加
重を接続部に加えることが必要になる。When connecting by bonding, for example, US wire bonding, UTC wire bonding, bump bonding and the like are generally used. In these bonding methods, US power and weight are applied to the connecting portion. You will need it.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、容量結合で行
う方法において、保護層を介して上部電極と下部電極と
の間で発生する電気容量Ｃと周波数特性の相関関係によ
り、弾性表面波フィルタの特性が劣化するという問題が
あった。すなわち、誘電体層の厚みによっては著しく弾
性表面波フィルタの特性を劣化させるおそれがあるとい
う問題があった。請求項１ないし請求項３の発明は、こ
のような問題に対処するためになされたもので、保護層
付弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波フィルタの
周波数特性を劣化させることのない、より安定した周波
数特性を示す弾性表面波デバイスを提供することを目的
とする。However, in the capacitive coupling method, the correlation between the electric capacity C generated between the upper electrode and the lower electrode through the protective layer and the frequency characteristic causes the surface acoustic wave filter to have a problem. There was a problem that the characteristics deteriorate. That is, there is a problem that the characteristics of the surface acoustic wave filter may be significantly deteriorated depending on the thickness of the dielectric layer. The inventions of claims 1 to 3 have been made in order to solve such a problem, and in a surface acoustic wave device with a protective layer, a more stable frequency characteristic of a surface acoustic wave filter without deterioration. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device that exhibits the above frequency characteristics.
【００１１】また、特開平４−２３４７９８号では、図
７に示したような保護膜５０３を有する弾性表面波デバ
イスにおいて、保護膜を介して容量結合する上部電極５
０４と下部電極５０２との位置関係については特に述べ
られていないが、上部電極５０４へ電気信号を印加する
ために例えばワイヤ・ボンディングを行うと、ＵＳパワ
ー、加重等の影響により下部電極５０２および保護膜５
０３に変形や破断が生じ、適切な電気容量Ｃが得られな
いという問題があった。Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-234798, in the surface acoustic wave device having the protective film 503 as shown in FIG. 7, the upper electrode 5 capacitively coupled through the protective film is used.
04 and the lower electrode 502 are not particularly described, but if wire bonding is performed to apply an electric signal to the upper electrode 504, the lower electrode 502 and the protection will be affected by the influence of US power, weight, etc. Membrane 5
There was a problem that 03 was deformed or fractured and an appropriate electric capacity C could not be obtained.
【００１２】さらに、ボンディングなどの接続の強度を
著しく劣化させるという問題があった。Further, there is a problem that the strength of connection such as bonding is remarkably deteriorated.
【００１３】ワイヤ・ボンディングを行った際の下部電
極５０２、保護膜５０３の構造の変形した例を図８に示
す。下部電極５０２にはボンディング時のＵＳパワー、
加重等の影響によりへこみが生じ、それにともなって保
護膜５０３はその厚さが不均一になるような変形を生じ
る。このような変形を生じると適切な電気容量Ｃが得ら
れないのみならず、保護膜５０３を剥離界面とするボン
ディング強度の劣化を招くという問題があった。FIG. 8 shows a modified example of the structure of the lower electrode 502 and the protective film 503 when wire bonding is performed. US power at the time of bonding to the lower electrode 502,
A dent occurs due to the influence of weight and the like, and accordingly, the protective film 503 is deformed such that its thickness becomes uneven. If such deformation occurs, not only an appropriate capacitance C cannot be obtained, but also the bonding strength with the protective film 503 as a peeling interface is deteriorated.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波デ
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に設けられたく
し歯状電極と、このくし歯状電極に接続された面状電極
と、少なくとも前記面状電極表面を覆う誘電体層と、平
面よりみて前記面状電極と実質的に同じ面積を有し、か
つ前記誘電体層上に配設された上部電極とから構成され
る弾性表面波デバイスであって、前記誘電体層を介して
形成される前記面状電極と前記上部電極との電気容量が
５ｐＦ以上であることを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a first aspect of the present invention comprises a piezoelectric substrate, a comb-like electrode provided on the piezoelectric substrate, and a planar electrode connected to the comb-like electrode. An elastic surface composed of a dielectric layer that covers at least the surface of the planar electrode and an upper electrode that has substantially the same area as the planar electrode in plan view and that is disposed on the dielectric layer. The wave device is characterized in that an electric capacitance between the planar electrode and the upper electrode formed via the dielectric layer is 5 pF or more.
【００１５】請求項２の弾性表面波デバイスは、請求項
１の弾性表面波デバイスにおいて、前記誘電体層が、酸
化シリコン層よりなり、その層厚が０．３μｍ以下であ
ることを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a second aspect is the surface acoustic wave device according to the first aspect, characterized in that the dielectric layer is made of a silicon oxide layer and has a layer thickness of 0.3 μm or less. .
【００１６】請求項３の弾性表面波デバイスは、請求項
１または請求項２の弾性表面波デバイスにおいて、前記
誘電体層は、前記くし歯状電極および前記面状電極表面
を覆うことを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a third aspect is the surface acoustic wave device according to the first or second aspect, wherein the dielectric layer covers the surfaces of the interdigital electrode and the surface electrode. To do.
【００１７】本発明者は、電極容量Ｃと弾性表面波フィ
ルタの周波数特性の関係を明確にすることにより、弾性
表面波フィルタの周波数特性を劣化させることのない電
極容量Ｃの範囲および誘電体層の厚みの範囲を見出だし
た。The inventor has clarified the relationship between the electrode capacitance C and the frequency characteristic of the surface acoustic wave filter, and thus the range of the electrode capacitance C and the dielectric layer which do not deteriorate the frequency characteristic of the surface acoustic wave filter. Has found a range of thickness.
【００１８】すなわち、誘電体層を介して下部ボンディ
ングパッドとなる面状電極と上部電極との間で生じる電
気容量Ｃは、誘電体層の材料の種類や層の厚さにより変
化するが、電気容量Ｃを、Ｃ≧５ｐＦの範囲とすること
によって、フィルタの挿入損失やリップルなど周波数特
性にさほど大きな影響をなくすことが可能になる。That is, the electric capacity C generated between the upper electrode and the planar electrode which becomes the lower bonding pad via the dielectric layer changes depending on the kind of the material of the dielectric layer and the thickness of the layer. By setting the capacitance C in the range of C ≧ 5 pF, it becomes possible to eliminate a great influence on the frequency characteristics such as the insertion loss and ripple of the filter.
【００１９】なお、請求項１にあって、誘電体層を介し
て対向する面状電極と上部電極とは実質的に同じ面積を
有するが、ここで実質的に同じとは、平面よりみたそれ
ぞれの面積が相互に±２０％の範囲にあることをいう。In the first aspect, the planar electrode and the upper electrode that face each other with the dielectric layer in between have substantially the same area. Area of each is within ± 20% of each other.
【００２０】本発明に使用することのできる誘電層の種
類としては、通常絶縁膜として使用されている材料が使
用できる。具体的には、ＳｉＯx 、ＳｉＮx 、Ｔａ
Ｏx 、ＡｌＯx 、ＡｌＮx などを挙げることができる。
これらのなかでも成膜の容易さ、電気的絶縁性の高さお
よび膜特性の安定性の点から酸化シリコンが好ましく、
とくにＳｉＯ2 が好ましい。As the kind of the dielectric layer that can be used in the present invention, the materials usually used as an insulating film can be used. Specifically, SiO x , SiN x , Ta
O x, and the like can be given AlO x, AlN x.
Among these, silicon oxide is preferable from the viewpoint of ease of film formation, high electrical insulation, and stability of film characteristics,
Particularly, SiO 2 is preferable.
【００２１】電気容量Ｃの値は、他の条件を一定とする
ならば、誘電体層の厚さに依存することになるので、誘
電体層が絶縁性を保持することのできる薄い厚さの範囲
における電気容量の値であれば許容することができる。Since the value of the electric capacitance C depends on the thickness of the dielectric layer if the other conditions are constant, the value of the capacitance C is small so that the dielectric layer can maintain the insulating property. Any value of electric capacity in the range can be accepted.
【００２２】誘電体層がＳｉＯ2 の場合、その層厚が
０．３μｍ以下であると５ｐＦ以上の容量を達成するこ
とができる。When the dielectric layer is SiO 2 , a capacitance of 5 pF or more can be achieved when the layer thickness is 0.3 μm or less.
【００２３】さらに、保護層としての誘電体層は、くし
歯状電極および面状電極表面全体を覆うことがゴミの付
着や電極の腐食を防止するために好ましい。Further, it is preferable that the dielectric layer as the protective layer covers the entire surfaces of the comb-shaped electrode and the planar electrode in order to prevent adhesion of dust and corrosion of the electrode.
【００２４】また請求項４乃至５に記載の弾性表面波デ
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に形成された少
なくとも一対のくし歯状電極と、圧電基板上に形成され
くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の第１の面状電
極と、くし歯状電極および第１の面状電極の上側から圧
電基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上の第１の
面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続
する該領域以外の第２の領域に延伸して形成された第２
の面状電極と、第２の面状電極の第２の領域で接続され
た外部接続端子とを具備することを特徴とする。Further, the surface acoustic wave device according to a fourth aspect of the present invention comprises a piezoelectric substrate, at least a pair of comb-teeth electrodes formed on the piezoelectric substrate, and a comb-teeth electrode formed on the piezoelectric substrate. A plurality of first planar electrodes connected to each other, a dielectric layer formed on the piezoelectric substrate from above the comb-shaped electrode and the first planar electrode, and a first planar state on the dielectric layer A second region formed by extending to a first region corresponding to the electrode and a second region other than the first region which is continuous with the first region.
And the external connection terminal connected in the second region of the second planar electrode.
【００２５】第２の面状電極の第２の領域での外部回路
との接続は、ワイヤ・ボンディングによるようにしても
よい。The connection of the second planar electrode with the external circuit in the second region may be performed by wire bonding.
【００２６】すなわち、請求項４乃至５に記載の弾性表
面波デバイスは、第２の電極である上部電極を、第１の
電極である下部電極に対向する領域（第１の領域）より
も、さらに大きく延在させ、第２の電極である上部電極
の第１の電極である下部電極に対向しない領域（第２の
領域）内で外部回路と接続することにより、例えばワイ
ヤ・ボンディング接続時に容量結合形成部にダメージを
与えることなく接続するものである。That is, in the surface acoustic wave device according to any one of claims 4 to 5, the upper electrode which is the second electrode is more than the region (first region) facing the lower electrode which is the first electrode. By further extending it and connecting it to an external circuit in a region (second region) of the upper electrode, which is the second electrode, that does not face the lower electrode, which is the first electrode, the capacitance can be increased during wire bonding connection, for example. The connection is made without damaging the bond forming portion.
【００２７】また、弾性表面波デバイスの十分な接続強
度を保ち、安定的に電極容量Ｃを確保するものである。Further, the sufficient connection strength of the surface acoustic wave device is maintained and the electrode capacitance C is stably secured.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２９】本実施例の保護層付弾性表面波デバイスを
図１に示す。図１（ａ）は弾性表面波フィルタを構成す
る素子チップの断面図を示し、図１（ｂ）は素子の概念
的回路図を示す。A surface acoustic wave device with a protective layer of this example is shown in FIG. FIG. 1A shows a sectional view of an element chip constituting a surface acoustic wave filter, and FIG. 1B shows a conceptual circuit diagram of the element.
【００３０】表面波を励振、受信および伝搬させるため
圧電基板１上にはアルミニウム（Ａｌ）で構成されたく
し歯状電極５と、このくし歯状電極５に電気信号を供給
するための下部電極２が配設されている。このくし歯状
電極５と下部電極２を覆うように圧電基板１全体にはス
パックリング法により厚さ０．０５μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）で構成された誘電体層３が形成されてい
る。誘電体層３上であって下部電極２に対向する位置に
実質的に同じ大きさで形成された上部電極４が形成され
ており、この下部電極２と上部電極４との間に誘電体層
３を介して電気容量Ｃが構成される。上部電極４にはボ
ンディング・ワイヤ６等により外部端子から信号が供給
され、さらに電気容量Ｃを介してくし歯状電極５に電気
的に接続されている。A comb-like electrode 5 made of aluminum (Al) on the piezoelectric substrate 1 for exciting, receiving and propagating the surface wave, and a lower electrode 2 for supplying an electric signal to the comb-like electrode 5. Is provided. A dielectric layer 3 made of silicon oxide (SiO 2 ) having a thickness of 0.05 μm is formed on the entire piezoelectric substrate 1 so as to cover the comb-shaped electrode 5 and the lower electrode 2. An upper electrode 4 having substantially the same size is formed on the dielectric layer 3 at a position facing the lower electrode 2, and the dielectric layer is provided between the lower electrode 2 and the upper electrode 4. An electric capacity C is formed via 3. A signal is supplied to the upper electrode 4 from an external terminal by a bonding wire 6 or the like, and is further electrically connected to a comb-shaped electrode 5 via an electric capacitance C.
【００３１】この保護層付表面波フィルタの電気容量Ｃ
とフィルタの周波数特性の関係について図２を用いて説
明する。図２の点線は図１で示した本発明の弾性表面波
フィルタを８００ＭＨｚ帯の携帯電話用フィルタに適用
した場合の通過帯域内のリップル値、実線は最小挿入損
失について電気容量Ｃに対する依存性を表している。こ
の図２に示すように電気容量Ｃを介さないときに比べ電
気容量値が大きいときはリップル、最小挿入損失共に大
きな影響を受けないが、電気容量値が５ｐＦより小さい
値、例えばＳｉＯ2 の膜厚が０．３μｍ以上になると急
激に特性劣化が起こる。Electric capacitance C of the surface wave filter with the protective layer
The relationship between the filter and the frequency characteristic of the filter will be described with reference to FIG. The dotted line in FIG. 2 shows the ripple value in the pass band when the surface acoustic wave filter of the present invention shown in FIG. 1 is applied to an 800 MHz band filter for mobile phones, and the solid line shows the dependence of the minimum insertion loss on the capacitance C. It represents. As shown in FIG. 2, when the electric capacitance value is larger than when the electric capacitance C is not used, neither the ripple nor the minimum insertion loss is significantly affected, but the electric capacitance value is smaller than 5 pF, for example, a SiO 2 film. When the thickness is 0.3 μm or more, the characteristics are rapidly deteriorated.
【００３２】すなわちＣ≧５ｐＦの条件式が成立するこ
とが重要である。That is, it is important that the conditional expression of C ≧ 5 pF is satisfied.
【００３３】上の条件式が成立する範囲で得られた保護
層付弾性表面波フィルタはゴミや電極の腐食による特性
劣化を防ぎ良好な周波数特性を示した。The surface acoustic wave filter with a protective layer obtained within the range where the above conditional expressions are satisfied prevented deterioration of characteristics due to dust and corrosion of electrodes, and showed good frequency characteristics.
【００３４】本発明の説明においては弾性表面波フィル
タの例としては８００ＭＨｚの携帯電話用フィルタの周
波数特性を引用したが、同様の効果がその他の弾性表面
波フィルタ、例えばテレビの中間周波数帯フィルタにつ
いても同様の効果がある。また、誘電体層としてはＳｉ
Ｏ2 膜を例に示したが、Ｔａ2 Ｏ5 等この他の誘電体層
においても誘電体層を介して下部電極２と上部電極間に
発生する電気容量が５ｐＦよりも大きい条件においては
この実施例と同様の効果がある。さらにボンディングパ
ット部の腐食が問題となる場合には、その部分のみに保
護層を設けることができる。In the description of the present invention, the frequency characteristic of a filter for a mobile phone of 800 MHz is cited as an example of the surface acoustic wave filter, but the same effect can be obtained for other surface acoustic wave filters, for example, an intermediate frequency band filter for television. Has the same effect. Further, as the dielectric layer, Si is used.
The O 2 film is shown as an example. However, even in other dielectric layers such as Ta 2 O 5 under the condition that the electric capacitance generated between the lower electrode 2 and the upper electrode via the dielectric layer is larger than 5 pF. It has the same effect as the embodiment. Further, when corrosion of the bonding pad portion poses a problem, a protective layer can be provided only on that portion.
【００３５】図３は、本発明の保護膜付き弾性表面波デ
バイスの１例を概略的に示す斜視図である。また、図４
は図３に例示した本発明の弾性表面波デバイスの外部回
路との接続部を拡大して示す図であり、図５は図４の接
続部のＡＢ方向の断面構造を概略的に示す図である。図
６は本発明の保護膜付弾性表面波デバイスの断面構造を
概略的に示す図である表面波を励振、受信および伝搬さ
せるため、圧電基板３０１上にはアルミニウム（Ａｌ）
で構成されたくし歯状電極３０５と、このくし歯状電極
３０５に電気信号を供給するため接続部３１０が形成さ
れている。接続部では、ボンディング・ワイヤ３１１に
より外部回路と接続されている。FIG. 3 is a perspective view schematically showing an example of the surface acoustic wave device with a protective film of the present invention. FIG.
5 is an enlarged view showing a connection portion of the surface acoustic wave device of the present invention illustrated in FIG. 3 with an external circuit, and FIG. 5 is a view schematically showing a cross-sectional structure of the connection portion in FIG. 4 in the AB direction. is there. FIG. 6 is a diagram schematically showing the cross-sectional structure of the surface acoustic wave device with a protective film of the present invention. In order to excite, receive and propagate surface waves, aluminum (Al) is formed on the piezoelectric substrate 301.
The comb-teeth electrode 305 configured by and the connection portion 310 for supplying an electric signal to the comb-teeth electrode 305 are formed. At the connection portion, a bonding wire 311 connects to an external circuit.
【００３６】接続部はバスバー３１２と接続された第１
の電極である下部電極３０２が配設されている。The connecting portion is a first portion connected to the bus bar 312.
The lower electrode 302, which is the electrode of, is provided.
【００３７】このくし歯状電極３０５と下部電極３０２
を覆うように、圧電基板３０１全体にわたって厚さ０．
０５μｍのＳｉＯ2 保護膜３０３が形成されている。こ
のＳｉＯ2 保護膜３０３は例えばスパッタリング法で形
成するようにしてもよいし、ＣＶＤ法で形成するように
してもよい。The comb-shaped electrode 305 and the lower electrode 302
Of the thickness of 0.
A SiO 2 protective film 303 having a thickness of 05 μm is formed. The SiO 2 protective film 303 may be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.
【００３８】また、保護膜としてＳｉＯ2 を例にとって
説明したが、例えばＴａ2 Ｏ5 など他の誘電体膜を形成
するようにしてもよい。Although SiO 2 has been described as an example of the protective film, another dielectric film such as Ta 2 O 5 may be formed.
【００３９】図５に示すとおり、保護膜３０３上の、下
部電極３０２に対応する第１の領域３０３ａとこの領域
から連続する第２の領域３０３ｂには、第２の電極であ
る上部電極３０４が形成されている。すなわち、上部電
極３０４は保護膜上の第１の領域３０３ａに形成された
部分３０４ａと、この領域から連続して外側に延在する
領域に形成された部分である第２の領域に形成された部
分３０４ｂとから形成されている。As shown in FIG. 5, in the first region 303a corresponding to the lower electrode 302 and the second region 303b continuous from this region on the protective film 303, the upper electrode 304 as the second electrode is formed. Has been formed. That is, the upper electrode 304 is formed on a portion 304a formed in the first region 303a on the protective film and a second region which is a portion formed in a region continuously extending from this region to the outside. And part 304b.
【００４０】この下部電極３０２と、保護誘電膜３０３
を介して対向する上部電極３０４とにより電気容量Ｃの
容量結合が形成される。そして、外部回路との電気的接
続は上部電極３０４の第２の領域３０４ｂで行われるの
で、保護膜下部には十分な強度を有する圧電性基板３０
１があり、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下
部電極３０２および保護膜３０３に変形や破断が生ずる
ことはない。したがって、容量結合形成部にダメージを
与えることはないから、安定的に適切な電極容量Ｃを確
保することができる。The lower electrode 302 and the protective dielectric film 303
Capacitive coupling of the electric capacitance C is formed by the upper electrode 304 which is opposed via the capacitor. Since the electrical connection with the external circuit is made in the second region 304b of the upper electrode 304, the piezoelectric substrate 30 having sufficient strength is provided below the protective film.
1, there is no deformation or breakage of the lower electrode 302 and the protective film 303 due to the influence of US power, weight, etc. at the time of connection. Therefore, since the capacitive coupling forming portion is not damaged, it is possible to stably secure an appropriate electrode capacitance C.
【００４１】また、ボンディング法により外部回路と接
続する場合でも保護膜３０３を剥離界面とするボンディ
ング強度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼
性が向上する。Further, even when connecting to an external circuit by the bonding method, the bonding strength with the protective film 303 as the peeling interface is not impaired, and the reliability of the connection with the external circuit is improved.
【００４２】上述した説明では弾性表面波デバイスの例
としては、８００ＭＨｚの携帯用電話用周波数フィルタ
の周波数特性を引用したが、例えばテレビジョンの中間
周波数帯フィルタなど他の弾性表面波デバイスにも同様
に適用することができる。In the above description, as an example of the surface acoustic wave device, the frequency characteristic of a frequency filter for a portable telephone of 800 MHz is cited, but the same applies to other surface acoustic wave devices such as an intermediate frequency band filter of a television. Can be applied to.
【００４３】[0043]
【発明の効果】請求項１から請求項３の弾性表面波デバ
イスは、誘電体層を介して形成される上部電極と面状電
極との電気容量が５ｐＦ以上であるので、より安定した
周波数特性を示す保護層付弾性表面波フィルタを得るこ
とができる。According to the surface acoustic wave device of the first to third aspects of the invention, since the electric capacitance between the upper electrode and the planar electrode formed via the dielectric layer is 5 pF or more, more stable frequency characteristics can be obtained. It is possible to obtain a surface acoustic wave filter with a protective layer.
【００４４】請求項４乃至５に記載の本発明の弾性表面
波デバイスは、下部電極と、保護膜を介して対向する上
部電極とにより電気容量Ｃの容量結合が形成され、外部
との電気的接続は上部電極の第２の領域で行われるの
で、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下部電極
および保護膜に変形や破断が生ずることはない。したが
って、容量結合形成部にダメージを与えることはないか
ら、安定的に適切な電極容量Ｃを確保することができ
る。In the surface acoustic wave device according to the fourth aspect of the present invention, the capacitive coupling of the electrical capacitance C is formed by the lower electrode and the upper electrode facing each other through the protective film, and the electrical coupling with the outside is achieved. Since the connection is made in the second region of the upper electrode, the lower electrode and the protective film will not be deformed or broken due to the influence of US power, weight, etc. at the time of connection. Therefore, since the capacitive coupling forming portion is not damaged, it is possible to stably secure an appropriate electrode capacitance C.
【００４５】また、ボンディング法により外部回路と接
続する場合でも保護膜を剥離界面とするボンディング強
度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼性が向
上する。Further, even when connecting to an external circuit by the bonding method, the bonding strength with the protective film as the peeling interface is not impaired, and the reliability of the connection with the external circuit is improved.
【００４６】したがって本発明の弾性表面波デバイス
は、良好なボンディング強度、周波数特性得ることがで
きる。Therefore, the surface acoustic wave device of the present invention can obtain good bonding strength and frequency characteristics.
【図１】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す断面図。FIG. 1 is a sectional view schematically showing an example of a surface acoustic wave device with a protective layer of the present invention.
【図２】電気容量Ｃとフィルタの周波数特性の関係を示
す図。FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a capacitance C and a frequency characteristic of a filter.
【図３】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view schematically showing an example of a surface acoustic wave device with a protective layer of the present invention.
【図４】図３に例示した本発明の弾性表面波デバイスの
接続部を拡大して示す斜視図。4 is an enlarged perspective view showing a connection portion of the surface acoustic wave device of the present invention illustrated in FIG.
【図５】図４に示した本発明の弾性表面波デバイスの接
続部のＡＢ方向の断面図。5 is a cross-sectional view in the AB direction of a connecting portion of the surface acoustic wave device of the present invention shown in FIG.
【図６】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す断面図。FIG. 6 is a sectional view schematically showing an example of a surface acoustic wave device with a protective layer of the present invention.
【図７】従来の保護層付弾性表面波デバイスの１例を概
略的に示す断面図。FIG. 7 is a sectional view schematically showing an example of a conventional surface acoustic wave device with a protective layer.
【図８】ボンディング部の構造変形の１例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing an example of structural modification of a bonding portion.
１……圧電基板、２……下部電極、３……誘電体層、４
……上部電極 ５……くし歯状電極、６……ボンディングワイヤ ３０１……圧電基板、３０２……下部電極、３０３……
誘電体層 ３０３ａ……第１の領域、３０３ｂ……第２の領域、３
０４……上部電極 ３０４ａ……第１の領域、３０４ｂ……第２の領域 ３０５……くし歯状電極、３０６……ボンディングワイ
ヤ ３１０……接続部、３１１……ボンディング・ワイヤ、
３１２……バスバー ５０１……圧電基板、５０２……下部電極、５０３……
誘電体層 ５０４……上部電極、５０５……くし歯状電極、５０６
……ボンディングワイヤ1 ... Piezoelectric substrate, 2 ... Lower electrode, 3 ... Dielectric layer, 4
...... Upper electrode 5 ...... Comb-shaped electrode, 6 ...... Bonding wire 301 ...... Piezoelectric substrate, 302 ...... Lower electrode, 303 ......
Dielectric layer 303a ... first region, 303b ... second region, 3
04 ... Upper electrode 304a ... 1st area | region, 304b ... 2nd area | region 305 ... Comb-shaped electrode, 306 ... Bonding wire 310 ... Connection part, 311 ... Bonding wire,
312 ... Bus bar 501 ... Piezoelectric substrate, 502 ... Lower electrode, 503 ...
Dielectric layer 504 ... upper electrode, 505 ... comb-shaped electrode, 506
...... Bonding wire
Claims (5)
たくし歯状電極と、このくし歯状電極に接続された面状
電極と、少なくとも前記面状電極表面を覆う誘電体層
と、平面よりみて前記面状電極と実質的に同じ面積を有
し、かつ前記誘電体層上に配設された上部電極とから構
成される弾性表面波デバイスであって、前記誘電体層を
介して形成される前記面状電極と前記上部電極との電気
容量が５ｐＦ以上であることを特徴とする弾性表面波デ
バイス。1. A piezoelectric substrate, a comb electrode provided on the piezoelectric substrate, a planar electrode connected to the comb electrode, a dielectric layer covering at least the surface of the planar electrode, and a flat surface. A surface acoustic wave device having an area substantially the same as that of the planar electrode as viewed from above and including an upper electrode disposed on the dielectric layer, the surface acoustic wave device being formed via the dielectric layer. The surface acoustic wave device, wherein the electric capacitance between the planar electrode and the upper electrode is 5 pF or more.
いて、 前記誘電体層が、酸化シリコン層よりなり、その層厚が
０．３μｍ以下であることを特徴とする弾性表面波デバ
イス。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of a silicon oxide layer and has a layer thickness of 0.3 μm or less.
波デバイスにおいて、前記誘電体層は、前記くし歯状電
極および前記面状電極表面を覆うことを特徴とする弾性
表面波デバイス。3. The surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, wherein the dielectric layer covers the surfaces of the comb-shaped electrode and the planar electrode.
た少なくとも一対のくし歯状電極と、前記圧電基板上に
形成され前記くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の
第１の面状電極と、前記くし歯状電極および第１の面状
電極の上側から前記圧電基板上に形成された誘電体層
と、前記誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の
領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２の領
域に延伸して形成された第２の面状電極と、第２の面状
電極の第２の領域で接続された外部接続端子とを具備す
ることを特徴とする弾性表面波デバイス。4. A piezoelectric substrate, at least a pair of comb-shaped electrodes formed on the piezoelectric substrate, and a plurality of first planar surfaces formed on the piezoelectric substrate and connected to the comb-shaped electrodes, respectively. An electrode, a dielectric layer formed on the piezoelectric substrate from above the comb-shaped electrode and the first planar electrode, and a first region corresponding to the first planar electrode on the dielectric layer And a second planar electrode formed by extending to a second region other than the region continuous with the first region, and an external connection terminal connected to the second region of the second planar electrode. A surface acoustic wave device comprising:
・ボンディングにより接続されたことを特徴とする請求
項４記載の弾性表面波デバイス。5. The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the external connection terminals are connected by wire bonding in the second region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331766A JPH09153758A (en) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-252292 | 1995-09-29 | ||
| JP25229295 | 1995-09-29 | ||
| JP7331766A JPH09153758A (en) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153758A true JPH09153758A (en) | 1997-06-10 |
Family
ID=26540646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7331766A Pending JPH09153758A (en) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153758A (en) |
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