JPH09153753A - Saw(surface accoustic wave) device and antenna branching filter using the device - Google Patents
Saw(surface accoustic wave) device and antenna branching filter using the deviceInfo
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- JPH09153753A JPH09153753A JP30911495A JP30911495A JPH09153753A JP H09153753 A JPH09153753 A JP H09153753A JP 30911495 A JP30911495 A JP 30911495A JP 30911495 A JP30911495 A JP 30911495A JP H09153753 A JPH09153753 A JP H09153753A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、梯子型フィルタ構
造の弾性表面波装置並びにこの弾性表面波装置を備えた
アンテナ分波器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device having a ladder type filter structure and an antenna duplexer including the surface acoustic wave device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、極めて大量に生産さ
れているＬＳＩ（大規模集積回路）と同様に、フォトリ
ソグラフィ技術を応用して製造可能であるので、その量
産性に優れていることから、民生機器や通信機器等で広
範に使用されている。特に、最近では弾性表面波装置の
小形かつ軽量という特徴を活かした応用として、ポケッ
トベル、携帯電話等の移動体通信において、高周波フィ
ルタとして使用されることが多い。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device can be manufactured by applying a photolithography technique like an LSI (Large Scale Integrated Circuit) which is produced in a very large amount, and therefore it is excellent in mass productivity. Therefore, it is widely used in consumer equipment and communication equipment. In particular, recently, as an application that takes advantage of the small size and light weight of the surface acoustic wave device, it is often used as a high frequency filter in mobile communication such as pagers and mobile phones.
【０００３】上記移動体通信で使用される弾性表面波装
置は、特に低損失で急峻な周波数特性が要求されるの
で、ＩＩＤＴ（Interdigitated Interdigital Transduc
ers)型フィルタや弾性表面波共振子を使用して構成した
装置が使用されている。The surface acoustic wave device used in the above-mentioned mobile communication is required to have a steep frequency characteristic with a particularly low loss. Therefore, the IDT (Interdigitated Interdigital Transducer) is used.
(ers) type filters and devices constructed using surface acoustic wave resonators are used.
【０００４】上記のような弾性表面波共振子を使用して
構成した弾性表面波装置の例として、電子情報通信学会
技術研究報告 ＵＳ９２−５２（１９９２−０９）、第
９頁〜１６頁記載の技術がある。この技術は、図８に示
すように梯子型フィルタの直列、並列素子に弾性表面波
共振子を用いて、帯域通過型フィルタを構成するもので
ある。As an example of the surface acoustic wave device constituted by using the surface acoustic wave resonator as described above, see the Technical Report of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers, US92-52 (1992-09), pp. 9-16. There is technology. In this technique, as shown in FIG. 8, a surface acoustic wave resonator is used for series and parallel elements of a ladder filter to form a bandpass filter.
【０００５】他の技術として、エレクトロニクス レタ
ー １９８５年、２１巻、２５／２６号、第１２１１〜
１２１２頁（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ
５ｔｈ Ｄｅｃｅｍｂｅｒ １９８５，Ｖｏｌ．２
１，Ｎｏ．２５／２６，ｐｐ．１２１１〜１２１２）記
載のように、梯子型フィルタの直列腕にインダクタンス
を、並列腕に弾性表面波共振子を用いて、フィルタを構
成する技術がある。As another technique, Electronics Letter 1985, Volume 21, No. 25/26, No. 1211-
Page 1212 (ELECTRONICS LETTERS
5th December 1985, Vol. 2
1, No. 25/26, pp. 1211 to 1212), there is a technique of forming a filter by using an inductance in a series arm of a ladder type filter and a surface acoustic wave resonator in a parallel arm.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明が関係する弾性
表面波装置の構成と該弾性表面波装置が有する課題を図
を用いて説明する。The structure of a surface acoustic wave device to which the present invention relates and the problems that the surface acoustic wave device has will be described with reference to the drawings.
【０００７】本発明が係わる弾性表面波装置は、図１に
示すように直列腕および並列腕を構成の基本単位とする
梯子型フィルタであり、直列腕および並列腕の素子とし
ては、一開口弾性表面波共振子（以下、弾性表面波共振
子とする）やインダクタンス素子が使用される。上記弾
性表面波共振子としては、従来図８に示すような正規型
すだれ状電極で構成された共振子が使用されていた。The surface acoustic wave device according to the present invention is a ladder type filter having a series arm and a parallel arm as a basic unit of the constitution as shown in FIG. A surface wave resonator (hereinafter referred to as a surface acoustic wave resonator) or an inductance element is used. Conventionally, as the surface acoustic wave resonator, a resonator composed of regular interdigital transducers as shown in FIG. 8 has been used.
【０００８】従来の弾性表面波装置の一例として、直列
腕にインダクタンス素子を、並列腕に弾性表面波共振子
を使用して構成した帯域阻止フィルタの周波数特性を図
９に示す。このフィルタは、携帯電話のアンテナ分波器
の送信フィルタに使用されるもので、Ｔｘは送信帯域
を、Ｒｘは受信帯域を示している。携帯電話では、一般
に同図に示すように送信帯域と受信帯域が近接して配置
されており、使用されるフィルタには、低損失であるこ
とと共に急峻な周波数特性が要求される。As an example of a conventional surface acoustic wave device, FIG. 9 shows a frequency characteristic of a band elimination filter constituted by using an inductance element in a series arm and a surface acoustic wave resonator in a parallel arm. This filter is used for a transmission filter of an antenna duplexer of a mobile phone, where Tx is a transmission band and Rx is a reception band. In a mobile phone, generally, a transmission band and a reception band are arranged close to each other as shown in the figure, and a filter to be used is required to have low loss and steep frequency characteristics.
【０００９】しかし、従来の弾性表面波装置は受信帯域
を充分抑圧しようとすると、送信帯域側の肩特性が鈍
り、結果として通過帯域の損失が大きくなってしまうと
いう問題があった。However, the conventional surface acoustic wave device has a problem that if the reception band is sufficiently suppressed, the shoulder characteristic on the transmission band side becomes dull, resulting in a large loss in the pass band.
【００１０】上記フィルタの特性は、使用している弾性
表面波共振子およびインダクタンス素子のアドミタンス
特性（あるいはインピーダンス特性）に依存しており、
特に阻止周波数の近傍の周波数特性は、弾性表面波共振
子のコンダクタンス特性の影響が大きい。The characteristics of the above filter depend on the admittance characteristics (or impedance characteristics) of the surface acoustic wave resonator and the inductance element used,
In particular, the frequency characteristics near the stop frequency are greatly affected by the conductance characteristics of the surface acoustic wave resonator.
【００１１】図１０は、従来の弾性表面波共振子のコン
ダクタンス特性の一例である。フィルタの特性を改善す
るためには、阻止帯域に相当する共振周波数におけるコ
ンダクタンス値はできるだけ大きい方が良く、逆に通過
帯域に相当する周波数では小さい方が良い。しかし、同
図に示すように従来の弾性表面波共振子は、通過帯域で
のコンダクタンス特性の立上りが緩やかであるため、送
信帯域と受信帯域が近接した携帯電話システムでは、通
過帯域における損失が大きくなってしまう不都合が生じ
ていた。FIG. 10 shows an example of the conductance characteristic of the conventional surface acoustic wave resonator. In order to improve the characteristics of the filter, the conductance value at the resonance frequency corresponding to the stop band should be as large as possible, and conversely, the conductance value should be small at the frequency corresponding to the pass band. However, as shown in the figure, the conventional surface acoustic wave resonator has a gradual rise in the conductance characteristic in the pass band, so that in the mobile phone system in which the transmission band and the reception band are close to each other, the loss in the pass band is large. There was an inconvenience.
【００１２】このような課題に対して、従来の梯子型フ
ィルタ構造の弾性表面波装置では、正規型すだれ状電極
を使用した弾性表面波共振子について最適設計は行われ
ていたが、コンダクタンス特性を改善するような電極構
成については検討されていなかった。In order to solve such a problem, in the conventional surface acoustic wave device having the ladder type filter structure, the surface acoustic wave resonator using the regular interdigital transducer was optimally designed, but the conductance characteristic was No improvement in electrode configuration has been investigated.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】弾性表面波装置の損失を
改善するため、弾性表面波共振子のコンダクタンス特性
における立上りが急峻となるような重み付けを施したす
だれ状電極を使用して、上記一開口弾性表面波共振子を
構成した。In order to improve the loss of a surface acoustic wave device, a weighted interdigital electrode is used so that the conductance characteristic of a surface acoustic wave resonator has a sharp rise. An apertured surface acoustic wave resonator was constructed.
【００１４】従来の正規型すだれ状電極では、コンダク
タンスは図１１の実線に示すように（ｓｉｎ（ｘ）／
ｘ）2形の周波数特性となる。また、本発明が関わる従
来の弾性表面波装置に使用する弾性表面波共振子は、電
極対数を数百対程度と多くするため、極となる周波数は
非常に近接し、電極内での弾性表面波の反射やバルク波
の影響もあり、立上りの特性は同図に破線で示すような
周波数特性となり、図１０に示したように緩やかに立ち
上がる特性となる。In the conventional regular interdigital transducer, the conductance is (sin (x) /) as shown by the solid line in FIG.
x) Type 2 frequency characteristics. Further, since the surface acoustic wave resonator used in the conventional surface acoustic wave device related to the present invention has a large number of electrode pairs, such as several hundred pairs, the pole frequencies are very close to each other, and the surface acoustic waves within the electrodes are Due to the influence of wave reflection and bulk waves, the rising characteristic has a frequency characteristic as shown by a broken line in the figure, and has a gently rising characteristic as shown in FIG.
【００１５】これに対し、図２に示す本発明の弾性表面
波共振子では、通過帯域に相当する周波数でコンダクタ
ンス特性が小さくなるように、すだれ状電極に重み付け
を施しているため、例えば図３の破線に示すように立上
り特性を急峻にすることができる。On the other hand, in the surface acoustic wave resonator of the present invention shown in FIG. 2, the interdigital electrodes are weighted so that the conductance characteristic becomes small at the frequency corresponding to the pass band. The rising characteristic can be made steep as indicated by the broken line.
【００１６】したがって、本発明の弾性表面波共振子を
梯子型フィルタ構造の弾性表面波装置に使用した場合、
急峻な周波数特性が得られるので、送・受信帯域が近接
した携帯電話への応用においても、低損失な装置を構成
することができる。Therefore, when the surface acoustic wave resonator of the present invention is used in a surface acoustic wave device having a ladder type filter structure,
Since a steep frequency characteristic can be obtained, a low-loss device can be configured even when applied to a mobile phone having a close transmission / reception band.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】１，３は直列腕の素子、２は並列腕の素
子、４は圧電基板、５はすだれ状電極、６はパッケー
ジ、７はインダクタンス素子、８は弾性表面波共振子、
９はワイヤ、１０は送信用フィルタ、１１は受信用フィ
ルタである。Reference numerals 1 and 3 denote serial arm elements, 2 parallel arm elements, 4 piezoelectric substrates, 5 interdigital electrodes, 6 packages, 7 inductance elements, 8 surface acoustic wave resonators,
Reference numeral 9 is a wire, 10 is a transmission filter, and 11 is a reception filter.
【００１９】図１は、本発明の第１の実施形態による弾
性表面波装置の基本構成を示す図である。直列腕の素子
１，３および並列腕の素子３は弾性表面波共振子あるい
はインダクタンス素子で、要求される特性により適当な
素子を使用するものである。例えば、直列腕にインダク
タンス素子を、並列腕に弾性表面波共振子を使用した場
合、帯域阻止特性を得ることができる。また、直列腕あ
るいは並列腕を複数連結することで、帯域通過特性ある
いはさらに複雑な周波数特性を実現することも可能であ
る。FIG. 1 is a diagram showing a basic structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. The elements 1 and 3 of the series arm and the element 3 of the parallel arm are surface acoustic wave resonators or inductance elements, and appropriate elements are used according to required characteristics. For example, when an inductance element is used for the series arm and a surface acoustic wave resonator is used for the parallel arm, band stop characteristics can be obtained. It is also possible to realize bandpass characteristics or more complicated frequency characteristics by connecting a plurality of series arms or parallel arms.
【００２０】図４は、本発明の弾性表面波装置を表面実
装型のパッケージ６に実装した状態を示す図である。同
図では、弾性表面波共振子８を２個、インダクタンス素
子７を２個を有しワイヤ９によってそれぞれが接続され
てパッケージ６に実装しており、前記共振子８が並列腕
の素子、前記インダクタンス素子７が直列腕の素子を構
成している。FIG. 4 is a view showing a state in which the surface acoustic wave device of the present invention is mounted on a surface mounting type package 6. In the figure, two surface acoustic wave resonators 8 and two inductance elements 7 are connected to each other by wires 9 and mounted on the package 6, and the resonator 8 is a parallel arm element, The inductance element 7 constitutes a series arm element.
【００２１】図７は、本発明の弾性表面波装置を送信フ
ィルタ１０および受信フィルタ１１に使用して構成され
たアンテナ分波器を示したものである。Ｔｘは送信帯域
を、Ｒｘは受信帯域をそれぞれ示している。FIG. 7 shows an antenna demultiplexer constructed by using the surface acoustic wave device of the present invention for the transmission filter 10 and the reception filter 11. Tx indicates a transmission band, and Rx indicates a reception band.
【００２２】図２は、本発明の第１の実施形態に使用し
ている弾性表面波共振子の構成を示す図である。圧電基
板４は、温度特性が比較的良く電気機械結合係数の大き
な、３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3が通常使用されるが、
６４°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3、１２８°Ｙ−Ｘ ＬｉＮ
ｂＯ3、水晶等の基板を使用することもできる。また、
すだれ状電極５は、アルミニウムあるいはアルミニウム
合金の薄膜からフォトリソグラフィ技術によって形成さ
れている。FIG. 2 is a diagram showing the structure of a surface acoustic wave resonator used in the first embodiment of the present invention. For the piezoelectric substrate 4, 36 ° Y-X LiTaO 3, which has a relatively good temperature characteristic and a large electromechanical coupling coefficient, is usually used.
64 ° Y-X LiNbO 3 , 128 ° Y-X LiN
Substrates such as bO 3 and crystal can also be used. Also,
The interdigital electrode 5 is formed of a thin film of aluminum or an aluminum alloy by a photolithography technique.
【００２３】上記で説明したように、コンダクタンス特
性において急峻な立上りを実現するために、重み付けを
施したすだれ状電極を使用している。このようなすだれ
状電極の重み付けは、簡単には例えば図３に示した通過
帯域におけるコンダクタンスが小さくなるように設定し
たコンダクタンスの周波数特性を、逆フーリエ変換する
ことで得ることができる。As described above, weighted interdigital electrodes are used in order to realize a steep rise in the conductance characteristic. Such weighting of the interdigital electrodes can be simply obtained by inverse Fourier transforming the frequency characteristic of the conductance set so that the conductance in the pass band shown in FIG. 3 becomes small.
【００２４】さらに、厳密には、すだれ状電極の等価回
路を使用して、所望のコンダクタンス特性が得られるよ
う最適化設計することができる。Further, strictly speaking, the equivalent circuit of the interdigital transducers can be used to perform an optimized design so as to obtain a desired conductance characteristic.
【００２５】上記本発明の弾性表面波共振子を使用して
梯子型フィルタ構造の弾性表面波装置を構成した場合、
コンダクタンス特性の立上りが急峻となるので、フィル
タの肩特性が改善され、設計の余裕度が増す効果が得ら
れる。When a surface acoustic wave device having a ladder type filter structure is constructed using the surface acoustic wave resonator of the present invention,
Since the rise of the conductance characteristic becomes steep, the shoulder characteristic of the filter is improved and the design margin is increased.
【００２６】図５は、本発明の第２実施形態の弾性表面
波装置に使用している弾性表面波共振子の構成を示す図
である。本実施形態は、第１実施形態と同様に、圧電基
板４上に重み付けを施したすだれ状電極５を形成して弾
性表面波共振子を構成しているが、さらに１つの基板上
に２つの弾性表面波共振子を直接に直列接続して形成
し、１つの弾性表面波共振子となるように構成してあ
る。FIG. 5 is a diagram showing the structure of a surface acoustic wave resonator used in the surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention. In the present embodiment, similarly to the first embodiment, the weighted interdigital electrodes 5 are formed on the piezoelectric substrate 4 to form the surface acoustic wave resonator. However, two electrodes are further provided on one substrate. The surface acoustic wave resonators are directly connected in series to form one surface acoustic wave resonator.
【００２７】本発明の弾性表面波装置を構成する場合、
要求される周波数特性から、弾性表面波共振子の制動容
量を非常に小さく設計しなければならないことがある。
このような場合、電極対数や電極開口長による最適化が
限界の時、弾性表面波共振子の直列接続で最適化するこ
とができる。When constructing the surface acoustic wave device of the present invention,
Due to the required frequency characteristics, the damping capacitance of the surface acoustic wave resonator may have to be designed to be extremely small.
In such a case, when the optimization by the number of electrode pairs or the electrode opening length is limited, the surface acoustic wave resonators can be connected in series to optimize.
【００２８】したがって、本実施形態の弾性表面波共振
子を使用して上記弾性表面波装置を構成すると、設計の
自由度を向上することができる。Therefore, when the surface acoustic wave device is constructed using the surface acoustic wave resonator of this embodiment, the degree of freedom in design can be improved.
【００２９】図６は、本発明の第３実施形態の弾性表面
波装置に使用している弾性表面波共振子の構成を示す図
である。本実施形態は、第２実施形態と同様に重み付け
を施した２つの弾性表面波共振子を直接に直列接続して
いるが、直列接続した２つの弾性表面波共振子の電極ピ
ッチをそれぞれ変えて、共振周波数が異なるように構成
してある。FIG. 6 is a diagram showing the structure of a surface acoustic wave resonator used in the surface acoustic wave device of the third embodiment of the present invention. In the present embodiment, two weighted surface acoustic wave resonators are directly connected in series as in the second embodiment, but the electrode pitches of the two surface connected surface acoustic wave resonators are changed. , The resonance frequencies are different.
【００３０】本実施形態の弾性表面波共振子を使用し
て、例えば帯域阻止特性を有する弾性表面波装置を構成
した場合、２つの共振周波数を適当に配置することで阻
止帯域幅を広くとることが可能である。When a surface acoustic wave device having a band stop characteristic is constructed using the surface acoustic wave resonator of this embodiment, the stop band width can be widened by appropriately arranging two resonance frequencies. Is possible.
【００３１】以上、本発明の第２、第３の実施形態では
２つの弾性表面波共振子を直列接続しているが、３つ以
上の弾性表面波共振子を直列接続して１つの基板上に形
成することも可能である。この場合、さらに小さな制動
容量を得ることができ、弾性表面波装置の設計自由度を
向上することができる。As described above, in the second and third embodiments of the present invention, two surface acoustic wave resonators are connected in series. However, three or more surface acoustic wave resonators are connected in series and one substrate is used. It is also possible to form it. In this case, a smaller braking capacity can be obtained, and the degree of freedom in designing the surface acoustic wave device can be improved.
【００３２】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、急峻な周波数特性を有
する梯子型構造の弾性表面波装置を構成することができ
るので、従来に比べ低損失で阻止抑圧度の大きな周波数
特性を有する弾性表面波装置を提供することができる。
また、弾性表面波装置を使用して構成されたアンテナ分
波器の性能向上に大きな効果がある。According to the present invention, since a ladder type surface acoustic wave device having a steep frequency characteristic can be constructed, an elastic surface having a lower loss and a larger frequency characteristic of blocking suppression than in the prior art. A wave device can be provided.
Further, it has a great effect on the performance improvement of the antenna duplexer configured by using the surface acoustic wave device.
【図１】本発明の第１実施形態の弾性表面波装置の基本
構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施形態の弾性表面波装置に使用
している弾性表面波共振子の構造を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の弾性表面波装置に使用している弾性表
面波共振子のすだれ状電極のコンダクタンス特性の詳細
を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing details of conductance characteristics of the interdigital transducer of the surface acoustic wave resonator used in the surface acoustic wave device of the present invention.
【図４】本発明の弾性表面波装置のパッケージへの実装
状態を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a mounting state of the surface acoustic wave device of the present invention in a package.
【図５】本発明の第２実施形態の弾性表面波装置に使用
している弾性表面波共振子の構造を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３実施形態の弾性表面波装置に使用
している弾性表面波共振子の構造を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の弾性表面波装置を使用して構成したア
ンテナ分波器を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an antenna duplexer configured using the surface acoustic wave device of the present invention.
【図８】従来の弾性表面波装置に使用している弾性表面
波共振子の構造を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a structure of a surface acoustic wave resonator used in a conventional surface acoustic wave device.
【図９】従来の弾性表面波装置の周波数特性の一例であ
る。FIG. 9 is an example of frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave device.
【図１０】従来の弾性表面波装置に使用している弾性表
面波共振子のコンダクタンス特性である。FIG. 10 is a conductance characteristic of a surface acoustic wave resonator used in a conventional surface acoustic wave device.
【図１１】従来のすだれ状電極のコンダクタンス特性の
詳細を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing details of conductance characteristics of a conventional interdigital transducer.
１，２，３ 素子 ４ 圧電基板 ５ すだれ状電極 ６ パッケージ ７ インダクタンス素子 ８ 弾性表面波共振子 ９ ワイヤ １０ 送信用フィルタ １１ 受信用フィルタ 1, 2 and 3 elements 4 Piezoelectric substrate 5 Interdigital electrodes 6 Package 7 Inductance element 8 Surface acoustic wave resonator 9 Wire 10 Transmission filter 11 Reception filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 一志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内 (72)発明者 湯原 章綱 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マルチメディアシステム 開発本部内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Kazushi Watanabe 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the multimedia system development headquarters of Hitachi, Ltd. (72) Inventor Akinori Yuhara Yoshida, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 292, Hitachi, Ltd. Multimedia System Development Division, Hitachi, Ltd.
Claims (5)
なる弾性表面波共振子を使用して、直列腕と並列腕が構
成された梯子型フィルタ構造の弾性表面波装置におい
て、 前記弾性表面波共振子のすだれ状電極のコンダクタンス
が、所望の周波数帯域で小さな値となるように、弾性表
面波共振子のすだれ状電極に重み付けを施すことを特徴
とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device having a ladder type filter structure in which a series arm and a parallel arm are formed by using a surface acoustic wave resonator having a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate. A surface acoustic wave device, wherein weighting is applied to the interdigital transducer of the surface acoustic wave resonator so that the conductance of the interdigital transducer of the wave resonator has a small value in a desired frequency band.
子の一部がインダクタンス素子であることを特徴とする
弾性表面波装置。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a part of the elements of the series arms or the parallel arms forming the ladder filter is an inductance element.
続されて一つの弾性表面波共振子として形成されている
ことを特徴とする弾性表面波装置。3. The elastic surface according to claim 1, wherein a plurality of interdigital transducers are directly connected in series on a single piezoelectric substrate to form one surface acoustic wave resonator. Wave device.
ッチをそれぞれ変えてそれぞれの共振周波数を異ならせ
るようにし、適宜の帯域幅を確保することを特徴とする
弾性表面波装置。4. The method according to claim 3, wherein the pitch of the plurality of interdigital electrodes directly connected in series is changed to make the resonance frequencies different from each other, and an appropriate bandwidth is secured. Surface acoustic wave device.
項に記載された弾性表面波装置を使用したアンテナ分波
器。5. An antenna duplexer using the surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30911495A JPH09153753A (en) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Saw(surface accoustic wave) device and antenna branching filter using the device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30911495A JPH09153753A (en) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Saw(surface accoustic wave) device and antenna branching filter using the device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153753A true JPH09153753A (en) | 1997-06-10 |
Family
ID=17989065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30911495A Pending JPH09153753A (en) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Saw(surface accoustic wave) device and antenna branching filter using the device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153753A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-11-28 JP JP30911495A patent/JPH09153753A/en active Pending
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